JP7011658B2 - マーキングされたガラス板を得る方法 - Google Patents
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Description
-浮かせる工程、ここでは、溶融炉から生じる溶融ガラスが溶融錫浴に連続的に注がれて、徐々に固化する連続的なガラスストリップを形成する。
-アニールする工程、ここでは、破損の原因となる可能性のある残留応力を除去するために、固化したガラスストリップを、最初に「徐冷(lehr)」として知られるアニーリングオーブン内で、次に外気で、冷却する。
-カットする工程、ここでは、ストリップは、典型的には6×3m2の大型ガラス板を形成するために切断される。
-エキシマレーザー、例えばフッ化アルゴンレーザー(193nmの波長)、
-YAG(イットリウムアルミニウムガーネット)又はYVO4マトリックスを有するレーザー、これは、特にネオジム又はイッテルビウムでドープされ、周波数3倍器又は4倍器に結合されている;したがって、Nd:YAG又はNd:YVO4は、波長355nmのレーザー線を発生されるために周波数3倍器に結合することができ、又は周波数4倍器に結合して、そして波長266nmのレーザー線を得ることができる、
-イッテルビウムでドープされたファイバレーザー。
SiO2 60~75%
Al2O3 0~10%
B2O3 0~5%、好ましくは0
CaO 5~15%
MgO 0~10%
Na2O 5~20%
K2O 0~10%
BaO 0~5%、好ましくは0。
Claims (13)
- その一方の面の一部にコード形成符号でマーキングされたガラス板を得るための方法であって、
溶融錫浴に浮かせることによって得られたガラスシートに、レーザー照射を用いて、前記符号をエッチングする工程を含み、
前記エッチングが、前記溶融錫浴と接触していた面上で行われる、
方法。 - 前記レーザー照射は、紫外線照射である、請求項1に記載の方法。
- 前記紫外線照射は、下記から選択されるレーザーから生じる、請求項2に記載の方法:
-エキシマレーザー、
-YAG(イットリウムアルミニウムガーネット)又はYVO4マトリックスを有するレーザー、特にネオジム又はイッテルビウムでドープされ、かつ周波数3倍器又は4倍器に結合されたYAG又はYVO4マトリックスを有するレーザー、
-イッテルビウムでドープされたファイバレーザー。 - 前記エッチングする工程の前に、前記ガラスシートを得るために溶融錫浴に浮かせる工程、その後で前記ガラスシートをアニールする工程、及びその後でカットする工程を含み、
前記エッチングする工程は、前記アニールする工程中、又は前記アニールする工程と前記カットする工程との間に行われる、
請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。 - 前記エッチングする工程は、仕上げサイズのガラス板上で、少なくとも1つのカットする工程の後に行われる、請求項1~3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記符号は、前記ガラスシート又は前記ガラス板の端面から最大で10mmの範囲内、好ましくは前記ガラスシート又は前記ガラス板の端面から最大で7mmの範囲内である、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記符号は、50~180μm、特に60~160μmの平均サイズを示す、請求項1~6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記コード形成符号は、二次元コード、特にデータマトリックスタイプの二次元コードを形成している、請求項1~7のいずれか一項に記載の方法。
- 溶融錫浴に浮かせることによって得られたガラスシートから形成され、
前記板が、前記溶融錫浴と接触していた面の一部に、レーザー照射によってエッチングされたコード形成符号でマーキングされている、
ガラス板。 - 前記符号は、前記ガラス板の端面から最大で10mmの範囲内、好ましくは前記ガラス板の端面から最大で7mmの範囲内である、請求項9に記載のガラス板。
- 前記符号は、50~180μm、特に60~160μmの平均サイズを示す、請求項9又は10に記載のガラス板。
- 前記コード形成符号は、二次元コード、特にデータマトリックスタイプの二次元コードを形成している、請求項9~11のいずれか一項に記載のガラス板。
- 請求項9~12のいずれか一項に記載のガラス板にマーキングしたコード形成符号を、端面を介して、読み取る方法。
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