JP6986974B2 - 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

特許文献１には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

特許文献２には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

特許文献３には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

特許文献４には、下記式で表される塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物が記載されている。

特開２０１１−４６６９４号公報 特開２０１２−２２９２０６号公報 特開２０１２−２３４１５５号公報 特開２００７−１４５８２２号公報

上記の塩を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０〜６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^１及びＲ^２は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ¹は、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−を表し、＊は、Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合位を表す。
Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^８は、式（ａａ１）又は式（ａａ２）で表される基を表す。

（式（ａａ１）中、
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^９及びＲ^３は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を形成する。
ｎは、０又は１を表す。
式（ａａ２）中、
Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^７は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。）
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］
［２］Ｘ^１が、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−である［１］記載の塩。
［３］［１］又は［２］記載の塩を含有する酸発生剤。
［４］［３］に記載の酸発生剤と酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物。
［５］さらに、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する［４］に記載のレジスト組成物。
［６］（１）［４］又は［５］記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造することができる塩を提供する。

本明細書において「（メタ）アクリレート」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも一種」を意味する。「（メタ）アクリル酸」や「（メタ）アクリロイル」等の表記も、同様の意味を有する。
また、特に断りのない限り、「脂肪族炭化水素基」のように直鎖、分岐及び／又は環をとり得る基は、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

＜式（Ｉ）で表される塩＞
本発明の塩は、式（Ｉ）で表される塩（以下、「塩（Ｉ）」という場合がある。）である。

［式（Ｉ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０〜６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^１及びＲ^２は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ¹は、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−を表し、＊は、Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合位を表す。
Ｗは、炭素数３〜３６の２価の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^８は、式（ａａ１）又は式（ａａ２）で表される基を表す。

（式（ａａ１）中、
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^９及びＲ^３は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を形成する。
ｎは、０又は１を表す。
式（ａａ２）中、
Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^７は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。）
Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］

Ｑ^１、Ｑ^２、Ｒ^１及びＲ^２のペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子又はフッ素原子である。
ｚは、０であることが好ましい。

Ｘ^１は、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−（＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表す。）であることが好ましい。

Ｗの脂環式飽和炭化水素基としては、シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基、ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。
Ｗの芳香族炭化水素基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ｐ−メチルフェニレン基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニレン基、ｐ−アダマンチルフェニレン基、トリレン基、キシリレン基、クメニレン基、メシチレン基、ビフェニレン基、フェナントリレン基、２，６−ジエチルフェニレン基、２−メチル−６−エチルフェニレン基等が挙げられる。
Ｗは、なかでも、脂環式飽和炭化水素基が好ましい。

Ｌ^１及びＬ^２のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基等が挙げられる。
Ｌ^１及びＬ^２のアルカンジイル基としては、それぞれ独立して、単結合又はメチレン基であることが好ましく、メチレン基であることがより好ましい。

Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。

Ｒ^９及びＲ^３が互いに結合して脂環式炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^９）（Ｒ^３）（Ｒ^４）としては、下記の基が挙げられる。脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

式（ａａ１）で表される基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−アルキルシクロペンタン−１−イル基及び１−アルキルシクロヘキサン−１−イル基、ｔｅｒｔ−ブチル−オキシカルボニル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル−オキシカルボニル基、１−アルキルシクロペンタン−１−イル−オキシカルボニル基及び１−アルキルシクロヘキサン−１−イル基−オキシカルボニル等が挙げられる。

Ｒ^５〜Ｒ^７の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基としては、Ｒ^３で表されるアルキル基と同様のものが挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、Ｒ^３で表される脂環式炭化水素基と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等のアリール基等が挙げられる。
組み合わせることにより形成される基としては、−アルキル−シクロアルキル基、−シクロアルキル−アルキル基、ベンジル基等のアラルキル基等が挙げられる。
Ｒ^６及びＲ^７が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに形成する２価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。＊は、結合手を表す。

Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^５及びＲ^６のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

Ｒ^８は、なかでも、式（ａａ２）で表される基が好ましい。この場合Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は、アルキル基であるものが好ましい。
また、Ｒ^８において、末端に環を有するものが好ましい。例えば、Ｒ^４又はＲ^７が脂環式炭化水素基であるもの、Ｒ^９及びＲ^３が互いに結合して脂環式炭化水素基を形成するもの、Ｒ^６及びＲ^７が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに複素環基を形成するものが挙げられる。

式（ａａ２）で表される基としては、以下の基等が挙げられる。＊は結合手を表す。

塩（Ｉ）のアニオンとしては、以下で表されるアニオン等が挙げられる。

＜塩（Ｉ）を構成する有機カチオン＞
塩（Ｉ）におけるカチオンＺ^＋は、有機オニウムカチオンであることが好ましい。
有機オニウムカチオンとしては、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオン等が挙げられ、好ましくは有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくはアリールスルホニウムカチオンである。具体的には、式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオン（以下、式番号に応じて「カチオン（ｂ２−１）」等という場合がある。）が挙げられる。

［式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^ｂ４〜Ｒ^ｂ６は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ４とＲ^ｂ５とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換わってもよい。

Ｒ^ｂ７及びＲ^ｂ８は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｍ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ７は同一であっても異なってもよく、ｎ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ８は同一であっても異なってもよい。

Ｒ^ｂ９及びＲ^ｂ１０は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ９とＲ^ｂ１０とは、一緒になってそれらが結合する硫黄原子を含む環を形成してもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換わってもよい。
Ｒ^ｂ１１は、水素原子、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ｂ１２は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^ｂ１１とＲ^ｂ１２とは、一緒になってそれらが結合する−ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−を含む環を形成していてもよく、該環に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換わってもよい。

Ｒ^ｂ１３〜Ｒ^ｂ１８は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^ｂ３１は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４のいずれかの整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１３は同一であっても異なってもよく、ｐ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１４は同一であっても異なってもよく、ｑ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１５は同一であっても異なってもよき、ｒ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１６は同一であっても異なってもよく、ｓ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１７は同一であっても異なってもよく、ｔ２が２以上のとき、複数のＲ^ｂ１８は同一であっても異なってもよい。］

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくはカチオン（ｂ２−１）が挙げられる。
カチオン（ｂ２−１）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−２）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−３）としては、以下のカチオンが挙げられる。

カチオン（ｂ２−４）としては、以下のカチオンが挙げられる。

中でも、式（ｂ２−ｃ−１）、（ｂ２−ｃ−１０）、（ｂ２−ｃ−１２）、（ｂ２−ｃ−１４）、（ｂ２−ｃ−２７）、（ｂ２−ｃ−３０）及び（ｂ２−ｃ−３１）で表されるカチオンが好ましい。

＜塩（Ｉ）の具体例＞
塩（Ｉ）は、上述のアニオンと有機カチオンとの組み合わせである。これらのアニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。塩（Ｉ）の具体例を下記表に示す。

下記表において、塩（Ｉ−１）は以下に示す塩である。

中でも、塩（Ｉ）は、塩（Ｉ−１）、塩（Ｉ−２）、塩（Ｉ−３）、塩（Ｉ−４）、塩（Ｉ−７）、塩（Ｉ−１４）、塩（Ｉ−２０）、塩（Ｉ−２２）、塩（Ｉ−８９）、塩（Ｉ−９０）、塩（Ｉ−９１）、塩（Ｉ−９２）、塩（Ｉ−１０８）、塩（Ｉ−１１０）及び塩（Ｉ−１９７）〜塩（Ｉ−２１０）が好ましい。

＜塩（Ｉ）の製造方法＞
Ｘ^１が、＊−ＣＯ−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ２）で表される基である式（Ｉ１）で表される塩は、例えば、式（Ｉ１−ａ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
触媒としては、例えば、以下で表される塩などが挙げられる。

式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

式（Ｉ１−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ１−ｃ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物とを、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^５’、Ｒ^６、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

式（Ｉ１−ｃ）で表される塩としては、以下で表される化合物等が挙げられ、特開２０１２−１９３１６０号公報に記載の方法に従って合成できる。

式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−ＣＯ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ２）で表される基である式（Ｉ２）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ａ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^５’、Ｒ^６、Ｒ^７、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
触媒としては、例えば、以下で表される塩などが挙げられる。

式（Ｉ２−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ｄ）で表される化合物とカルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させた後、さらに、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩とを反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^５’、Ｒ^６、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

式（Ｉ２−ｃ）で表される塩は、例えば、以下で表される塩などが挙げられ、特開２０１２−１９３１７０号公報に記載された方法で製造することができる。

式（Ｉ２−ｄ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ２）で表される基である式（Ｉ３）で表される塩は、例えば、式（Ｉ３−ａ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５´は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
触媒としては、例えば、以下で表される塩などが挙げられる。

式（Ｉ３−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩とカルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させた後、さらに、式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物とを反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^５’、Ｒ^６、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ２）で表される基である式（Ｉ４）で表される塩は、例えば、式（Ｉ４−ａ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物とを、触媒の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
触媒としては、例えば、以下で表される塩などが挙げられる。

式（Ｉ４−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩と、式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で反応させることにより得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^５、Ｒ^５’、Ｒ^６、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応温度は通常５℃〜８０℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。
塩基としては、水酸化カリウム等が挙げられる。
溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−ＣＯ−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ１）で表される基である式（Ｉ５）で表される塩は、例えば、式（Ｉ５−ａ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｂ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。
式（Ｉ５−ｂ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

式（Ｉ５−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ１−ｃ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｄ）で表される化合物とを、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

式（Ｉ５−ｄ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−ＣＯ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ１）で表される基である式（Ｉ６）で表される塩は、例えば、式（Ｉ６−ａ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｂ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。

式（Ｉ６−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ６−ｄ）で表される化合物とカルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させた後、さらに、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩とを反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

式（Ｉ６−ｄ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ１）で表される基である式（Ｉ７）で表される塩は、例えば、式（Ｉ７−ａ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｂ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。

式（Ｉ７−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩とカルボニルジイミダゾールとを溶剤中で反応させた後、さらに、式（Ｉ５−ｄ）で表される化合物とを反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。

Ｘ^１が、＊−Ｏ−であり、＊はＣ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合手を表し、Ｒ^８が式（ａａ１）で表される基である式（Ｉ８）で表される塩は、例えば、式（Ｉ８−ａ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｂ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で、反応させることによって得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。Ｒ^５’は、Ｒ^５から水素原子を除いた基を表す。］
反応は、５℃〜８０℃の温度範囲で、０．５〜２４時間行うことが好ましい。
溶媒としては、クロロホルム、アセトニトリル等が挙げられる。
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ジメチルアミノピリジンなどが挙げられる。

式（Ｉ８−ａ）で表される塩は、例えば、式（Ｉ２−ｃ）で表される塩と、式（Ｉ５−ｄ）で表される化合物とを、塩基の存在下、溶媒中で反応させることにより得ることができる。

［式中、Ｑ¹、Ｑ²、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^９、ｚ、Ｗ、Ｌ¹、Ｌ^２及びＺ^＋は上記と同じ意味を表す。］
反応温度は通常５℃〜８０℃であり、反応時間は通常０．５時間〜２４時間である。
塩基としては、水酸化カリウム等が挙げられる。
溶媒としては、アセトニトリル、クロロホルム等が挙げられる。

＜酸発生剤＞
本発明の酸発生剤は、塩（Ｉ）を含有する酸発生剤である。本発明の酸発生剤は、塩（Ｉ）が単独で含有されていてもよいし、２種類以上が含有されていてもよい。
本発明の酸発生剤は、塩（Ｉ）以外レジスト分野で公知の酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）を含有していてもよい。
また、酸発生剤として塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）を含有する場合、塩（Ｉ）と酸発生剤（Ｂ）との含有量の比（質量比；塩（Ｉ）：酸発生剤（Ｂ））は、通常、１：９９〜９９：１、好ましくは２：９８〜９８：２、より好ましくは５：９５〜９５：５、さらに好ましくは１０：９０〜９０：１０である。

〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）と、塩（Ｉ）を含む上述した酸発生剤とを含有する。ここで、「酸不安定基」は、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、構成単位が親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を有する構成単位に変換する基を意味する。
レジスト組成物は、さらに、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）を含有することが好ましく、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。

＜酸発生剤＞
本発明のレジスト組成物において、塩（Ｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）に対して、１〜２０質量％であることが好ましく、２〜１５質量％であることがより好ましい。

＜酸発生剤（Ｂ）＞
酸発生剤は、非イオン系とイオン系とに分類されるが、本発明のレジスト組成物の酸発生剤（Ｂ）においては、いずれを用いてもよい。非イオン系酸発生剤には、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン ４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が含まれる。イオン系酸発生剤は、公知のカチオンと公知のアニオンとの組合せからなるイオン性酸発生剤が挙げられ、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）が代表的である。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等がある。

酸発生剤（Ｂ）としては、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物、特開２０１３−６８９１４号公報、特開２０１３−３１５５号公報、特開２０１３−１１９０５号公報記載の酸発生剤等を使用することができる。また、公知の方法で製造した化合物を使用してもよい。

酸発生剤（Ｂ）としては、アリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−５）〜式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）〜式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−１７）、式（Ｂ１−２０）〜式（Ｂ１−２６）、式（Ｂ１−２９）、式（Ｂ１−３１）〜式（Ｂ１−４８）のいずれかで表される塩がより好ましい。

酸発生剤（Ｂ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。
酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）に対して、１〜２０質量％であることが好ましく、３〜１５質量％であることがより好ましい。
レジスト組成物においては、塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）を酸発生剤として用いる場合、塩（Ｉ）及び酸発生剤（Ｂ）の含有量は、樹脂（Ａ）に対して、好ましくは１．５質量％以上（より好ましくは３質量％以上）、好ましくは４０質量％以下（より好ましくは３５質量％以下）である。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を有する。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含むことが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、ハロゲン原子を有さず、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）、構造単位（ａ１）及び構造単位（ｓ）以外の構造単位（例えば、ハロゲン原子を有する構造単位（ａ４）、非脱離炭化水素基を有する構造単位（ａ５）、カルボキシル基を有する構造単位（ａ６）、露光により分解して酸を発生する構造単位（ＩＩ））及びその他の当該分野で公知のモノマーに由来する構造単位等が挙げられる。

〈構造単位（ａ１）〉
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
樹脂（Ａ）に含まれる酸不安定基は、基（１）及び／又は基（２）が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の２価の脂環式炭化水素基を形成する。
ｍａ及びｎａは、それぞれ独立して、０又は１を表し、ｍａ及びｎａの少なくとも一方は１を表す。
＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^a1’及びＲ^a2’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a3’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a2’及びＲ^a3’は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに炭素数３〜２０の２価の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該２価の複素環基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
ｎａ’は、０又は１を表す。
＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^a1〜Ｒ^a3の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、アダマンチルジメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。
好ましくは、ｍａは０であり、ｎａは１である。
Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の脂環式炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）としては、下記の基が挙げられる。２価の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

Ｒ^a1'〜Ｒ^a3'の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル基等のアリール基等が挙げられる。
組み合わせた基としては、上述したアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた基、ベンジル基等のアラルキル基、フェニルシクロヘキシル基等のアリール−シクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a2'及びＲ^a3'が互いに結合してそれらが結合する炭素原子及びＸとともに形成する２価の複素環基としては、下記の基が挙げられる。＊は、結合手を表す。

Ｒ^a1'及びＲ^a2'のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
ｎａ’は、好ましくは０である。

式（１）で表される基としては、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中においてＲ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基、ｍａ＝０、ｎａ＝１、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基、Ｒ^a3がアルキル基、ｍａ＝０、ｎａ＝１）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基、Ｒ^a3がアダマンチル基、ｍａ＝０、ｎａ＝１）等、具体的には以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは、式（ａ１−０）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−０）という場合がある。）、式（ａ１−１）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−１）という場合がある。）又は式（ａ１−２）で表される構造単位（以下、構造単位（ａ１−２）という場合がある。）が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

［式（ａ１−０）、式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a01、Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７のいずれかの整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a01、Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は０〜１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０〜１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０〜３のいずれかの整数を表す。］

Ｒ^a01、Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｌ^a01、Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、好ましくは酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−であり（但し、ｋ０１は、好ましくは１〜４のいずれかの整数、より好ましくは１である。）、より好ましくは酸素原子である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03、Ｒ^a04、Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式（１）のＲ^ａ１〜Ｒ^ａ３で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04のアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくはメチル基又はエチル基であり、さらに好ましくはメチル基である。
Ｒ^a02、Ｒ^a03及びＲ^a04の脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜８であり、より好ましくは３〜６である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。
Ｒ^a02及びＲ^a03は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a04は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７におけるアルキル基の炭素数は、好ましくは１〜６であり、より好ましくはメチル基、エチル基又はイソプロピル基であり、さらに好ましくはエチル基又はイソプロピル基である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ１−０）としては、例えば、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１２）のいずれかで表される構造単位及びＲ^ａ０１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−０−１０）のいずれかで表される構造単位が好ましい。

構造単位（ａ１−１）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位及びＲ^ａ４に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましい。

構造単位（ａ１−２）としては、式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−６）のいずれかで表される構造単位及びＲ^ａ５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられ、式（ａ１−２−２）、式（ａ１−２−５）及び式（ａ１−２−６）が好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−０）及び／又は構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

基（２）で表される基を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−４）で表される構造単位（以下、「構造単位（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ１−４）中、
Ｒ^a32は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a33は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｌａは０〜４のいずれかの整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^a33は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ^a34及びＲ^a35はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^a36は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^a35及びＲ^a36は互いに結合してそれらが結合するＣ−Ｏとともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］

Ｒ^a32及びＲ^a33のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。該アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a32及びＲ^a33のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基及びヘキシルオキシ基等が挙げられる。なかでも、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基が挙げられる。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基等が挙げられる。
Ｒ^a34、Ｒ^a35及びＲ^a36の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基が挙げられ、式（２）のＲ^a1’及びＲ^a2’と同様の基が挙げられる。特にＲ^a36としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。

式（ａ１−４）において、Ｒ^a32としては、水素原子が好ましい。
Ｒ^a33としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基及びエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
ｌａとしては、０又は１が好ましく、０がより好ましい。
Ｒ^a34は、好ましくは、水素原子である。
Ｒ^a35は、好ましくは、炭素数１〜１２のアルキル基又は脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^a36の炭化水素基は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせることにより形成される基であり、より好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。Ｒ^a36におけるアルキル基及び前記脂環式炭化水素基は、無置換であることが好ましい。Ｒ^a36における芳香族炭化水素基は、炭素数６〜１０のアリールオキシ基を有する芳香環が好ましい。

構造単位（ａ１−４）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー由来の構造単位が挙げられる。好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−８）でそれぞれ表される構造単位及びＲ^ａ３２に相当する水素原子がメチル基に置き換わった構造単位が挙げられ、より好ましくは、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましい。

式（２）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。

式（ａ１−５）中、
Ｒ^a8は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−（ＣＨ₂）_h3−ＣＯ−Ｌ⁵⁴−を表し、ｈ３は１〜４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ⁵¹との結合手を表す。
Ｌ⁵¹、Ｌ⁵²、Ｌ⁵³及びＬ⁵⁴は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０〜３のいずれかの整数を表す。

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。
式（ａ１−５）においては、Ｒ^a8は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ⁵¹は、酸素原子が好ましい。
Ｌ⁵²及びＬ⁵³のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２のいずれかの整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

構造単位（ａ１−５）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）でそれぞれ表される構造単位が好ましく、式（ａ１−５−１）又は式（ａ１−５−２）で表される構造単位がより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましい。

また、構造単位（ａ１）としては、以下の構造単位も挙げられる。

樹脂（Ａ）が上記構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、１５〜９０モル％がより好ましく、２０〜８５モル％がさらに好ましい。

〈構造単位（ｓ）〉
構造単位（ｓ）は、ハロゲン原子を有さず、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマーは、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、１種を単独で含んでいてもよく、２種以上を含んでいてもよい。

フェノール性ヒドロキシ基有する構造単位としては式（ａ２−Ａ）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−Ａ）」という場合がある）が挙げられる。

［式（ａ２−Ａ）中、
Ｒ^a50は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a51は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ^a50は、単結合又は^＊−Ｘ^a51−（Ａ^a52−Ｘ^a52）_na−を表し、＊は−Ｒ^a50が結合する炭素原子との結合手を表す。
Ａ^a52は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｘ^a51及びＸ^a52は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ｎａは、０又は１を表す。
ｍｂは０〜４のいずれかの整数を表す。ｍｂが２以上の整数である場合、複数のＲ^a51は互いに同一であっても異なってもよい。］

Ｒ^a50におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
Ｒ^a50におけるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基及びｎ−ペルフルオロヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^a50は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基又はエチル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
Ｒ^a51のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。
Ｒ^a51のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基が挙げられる。炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
Ｒ^a51におけるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基等が挙げられる。
Ｒ^a51におけるアシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基が挙げられる。
Ｒ^a51は、メチル基が好ましい。

^＊−Ｘ^a51−（Ａ^a52−Ｘ^a52）_na−としては、^＊−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−ＣＯ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−ＣＯ−Ａ^a52−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−Ｏ−ＣＯ−、^＊−Ｏ−ＣＯ−Ａ^a52−Ｏ−ＣＯ−、が挙げられる。なかでも、^＊−ＣＯ−Ｏ−、^＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^a52は、メチレン基又はエチレン基であることが好ましい。

Ａ^a50は、単結合、^＊−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−Ａ^a52−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、単結合、^＊−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−であることがより好ましく、単結合又は^＊−ＣＯ−Ｏ−であることがさらに好ましい。

ｍｂは０、１又は２が好ましく、０又は１がより好ましく、０が特に好ましい。
水酸基は、ベンゼン環のｏ−位又はｐ−位に結合することが好ましく、ｐ−位に結合することがより好ましい。

構造単位（ａ２−Ａ）としては、式（ａ２−２−１）〜式（ａ２−２−４）で表される構造単位及びＲ^ａ５０に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。構造単位（ａ２−Ａ）は、式（ａ２−２−１）で表される構造単位、式（ａ２−２−３）で表される構造単位及びＲ^ａ５０に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位であることが好ましい。

構造単位（ａ２−Ａ）を誘導するモノマーとしては、特開２０１０−２０４６３４号公報、特開２０１２−１２５７７号公報に記載されているモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ）中に構造単位（ａ２−Ａ）が含まれる場合の構造単位（ａ２−Ａ）の含有率は、全構造単位に対して、好ましくは５〜８０モル％であり、より好ましくは１０〜７０モル％であり、さらに好ましくは１５〜６５モル％である。

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、式（ａ２−１）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ２−１）」という場合がある。）が挙げられる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７のいずれかの整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０のいずれかの整数を表す。

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４のいずれかの整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３のいずれかの整数、より好ましくは０又は１である。

構造単位（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーに由来する構造単位が挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ２−１）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％であり、さらにより好ましくは２〜１０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。

構造単位（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）又は式（ａ３−４）で表される構造単位である。これらの１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

［式（ａ３−１）、式（ａ３−２）、式（ａ３−３）及び式（ａ３−４）中、
Ｌ^ａ４、Ｌ^ａ５及びＬ^ａ６は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−（ｋ３は１〜７のいずれかの整数を表す。）で表される基を表す。
Ｌ^ａ７は、−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−、^＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^ａ９−ＣＯ−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−Ｏ−ＣＯ−Ｌ^ａ９−Ｏ−を表す。
Ｌ^ａ８及びＬ^ａ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ１８、Ｒ^ａ１９及びＲ^ａ２０は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ２４は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｒ^ａ２１は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｒ^ａ２２、Ｒ^ａ２３及びＲ^ａ２５は、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４の脂肪族炭化水素基を表す。
ｐ１は０〜５のいずれかの整数を表す。
ｑ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｒ１は、０〜３のいずれかの整数を表す。
ｗ１は、０〜８のいずれかの整数を表す。
ｐ１、ｑ１、ｒ１及び／又はｗ１が２以上のとき、複数のＲ^ａ２１、Ｒ^ａ２２、Ｒ^ａ２３及び／又はＲ^ａ２５は互いに同一であってもよく、異なってもよい。］

Ｒ^a21、Ｒ^a22、Ｒ^a23及びＲ^a25の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基等のアルキル基が挙げられる。
Ｒ^ａ２４のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^ａ２４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基が挙げられ、より好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられる。
Ｒ^ａ２４のハロゲン原子を有するアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、トリクロロメチル基、トリブロモメチル基、トリヨードメチル基等が挙げられる。

Ｌ^ａ８及びＬ^ａ９のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）において、Ｌ^ａ４〜Ｌ^ａ６は、互いに独立に、好ましくは−Ｏ−又は、ｋ３が１〜４の整数である＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ３−ＣＯ−Ｏ−で表される基、より好ましくは−Ｏ−及び、＊−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−、さらに好ましくは酸素原子である。
Ｒ^ａ１８〜Ｒ^ａ２１は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ２２及びＲ^ａ２３は、互いに独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、互いに独立に、好ましくは０〜２のいずれかの整数であり、より好ましくは０又は１である。

式（ａ３−４）において、Ｒ^ａ２４は、好ましくは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基又はエチル基であり、さらに好ましくは水素原子又はメチル基である。
Ｒ^ａ２５は、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
Ｌ^ａ７は、好ましくは−Ｏ−又は^＊−Ｏ−Ｌ^ａ８−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−Ｃ_２Ｈ_４−ＣＯ−Ｏ−である。
特に、式（ａ３−４）は、式（ａ３−４）’が好ましい。

（式中、Ｒ^ａ２４、Ｌ^ａ７は、上記と同じ意味を表す。）

構造単位（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーに由来の構造単位が挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−１）、式（ａ３−２−２）、式（ａ３−３−１）、式（ａ３−３−２）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−１２）のいずれかで表される構造単位及びＲ^ａ１８、Ｒ^ａ１９、Ｒ^ａ２０及びＲ^a24に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）及び構造単位（ａ３−４）の含有率は、それぞれ、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、５〜６０モル％が好ましく、５〜５０モル％がより好ましく、１０〜５０モル％がさらに好ましい。

〈構造単位（ａ４）〉
構造単位（ａ４）は、フッ素原子を有する構造単位であることが好ましい。構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−０）中、
Ｒ⁵は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ⁴は、単結合又は炭素数１〜４の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ³は、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基又は炭素数３〜１２のペルフルオロシクロアルカンジイル基を表す。
Ｒ⁶は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｌ⁴の脂肪族飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基及び２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ³のペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパン−１，１−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。
Ｌ³のペルフルオロシクロアルカンジイル基としては、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロペンタンジイル基、ペルフルオロシクロヘプタンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ｌ⁴は、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは、単結合、メチレン基である。
Ｌ³は、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。

構造単位（ａ４−０）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ^５に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ａ^a41は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）で表される基を表す。ただし、Ａ^ａ４１及びＲ^ａ４２のうち少なくとも１つは、置換基としてフッ素原子を有する。

〔式（ａ−ｇ１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ａ^a42及びＡ^a44は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。
Ａ^a43は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ^a41及びＸ^a42は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａ^a42、Ａ^a43、Ａ^a44、Ｘ^a41及びＸ^a42の炭素数の合計は７以下である。〕
＊は結合手であり、右側の＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合手である。］

Ｒ^a42の炭化水素基としては、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、並びにこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルキル基及び単環又は多環の脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基及びｎ−オクタデシル基が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェナントリル基及びフルオレニル基が挙げられる。

Ｒ^a42は、置換基として、ハロゲン原子及び式（ａ−ｇ３）で表される基を有していてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。

［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^a43は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^a45は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
＊は結合手を表す。］
ただし、Ｒ^a42−Ｘ^a43−Ａ^a45において、Ｒ^a42がハロゲン原子を有しない場合は、Ａ^a45は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。

Ａ^a45の脂肪族炭化水素基としては、Ｒ^a42で例示したものと同様の基が挙げられる。
Ｒ^a42は、ハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基が好ましく、ハロゲン原子を有するアルキル基及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基がより好ましい。
Ｒ^a42がハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。
Ｒ^a42が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、脂肪族炭化水素基の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。

式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。

［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^a46は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^a44は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^a47は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^a46、Ａ^a47及びＸ^a44の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^a46及びＡ^a47のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。
＊はカルボニル基との結合手を表す。］

Ａ^a46の脂肪族炭化水素基の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。
Ａ^a47の脂肪族炭化水素基の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましく、Ａ^a47は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基がさらに好ましい。

＊−Ａ^a46−Ｘ^a44−Ａ^a47で表される部分構造（＊はカルボニル基との結合手である）のより好ましい構造は、以下の構造である。

Ａ^a41のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^a41のアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^a41は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

式（ａ−ｇ１）で表される基におけるＡ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の飽和炭化水素基は、鎖式及び環式の飽和炭化水素基並びにこれらを組合せることにより形成される基が好ましい。該飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐のアルカンジイル基及び単環の脂環式炭化水素基、並びに、アルカンジイル基及び脂環式炭化水素基を組合せることにより形成される飽和炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の飽和炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
ｓは、０であることが好ましい。

Ｘ^a42が酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す式（ａ−ｇ１）で表される基としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合手を表わし、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^a42との結合手である。

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ^a41に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。

［式（ａ４−４）中、
Ｒ^f21は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^f21は、−（ＣＨ₂）_j1−、−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−（ＣＨ₂）_j3−又は−（ＣＨ₂）_j4−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ₂）_j5−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、それぞれ独立に、１〜６のいずれかの整数を表す。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ｒ^f22の炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせることにより形成される脂肪族炭化水素基を含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。
フッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
具体的には、フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。
Ｒ^f22は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式炭化水素基が好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）においては、Ａ^f21としては、−（ＣＨ₂）_ｊ1−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及び以下の式で表される構造単位においてはＲ^f21に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜２０モル％が好ましく、２〜１５モル％がより好ましく、３〜１０モル％がさらに好ましい。

〈構造単位（ａ５）〉
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基を有する基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基を含むものが好ましい。
構造単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ５−１）中、
Ｒ⁵¹は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ⁵²は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されていてもよい。但し、Ｌ^5５との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されない。
Ｌ^5５は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ⁵²の脂環式炭化水素基としては、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有した脂環式炭化水素基としては、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ⁵²は、好ましくは、無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくは、アダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ^5５の２価の飽和炭化水素基としては、２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊は酸素原子との結合手を表す。

式（Ｌ１−１）中、
Ｘ^x1は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ｌ^x1は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x1及びＬ^x2の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌ^x3は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x4は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x3及びＬ^x4の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌ^x5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^x6及びＬ^x7は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x5、Ｌ^x6及びＬ^x7の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌ^x8及びＬ^x9は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^x1は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^x8、Ｌ^x9及びＷ^x1の合計炭素数は、１５以下である。

Ｌ^x1は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x2は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合である。
Ｌ^x3は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x4は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x5は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x6は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、メチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^x7は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^x8は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｌ^x9は、好ましくは、単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基、より好ましくは、単結合又はメチレン基である。
Ｗ^x1は、好ましくは、炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基、より好ましくは、シクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ⁵¹は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。

構造単位（ａ５−１）としては、以下に示す構造単位及び下記構造単位中のＲ⁵¹に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜３０モル％が好ましく、２〜２０モル％がより好ましく、３〜１５モル％がさらに好ましい。

＜構造単位（ａ６）＞
カルボキシル基を有する構造単位（ａ６）としては、以下で表される構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ６）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜４０モル％が好ましく、２〜３５モル％がより好ましく、３〜３０モル％がさらに好ましい。

＜構造単位（ＩＩ）＞
露光により分解して酸を発生する構造単位（ＩＩ）としては、具体的には特開２０１６−７９２３５号公報に記載の構造単位が挙げられ、側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基と有機カチオンとを有する構造単位又は側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位であることが好ましい。

側鎖にスルホナート基若しくはカルボキシレート基を有する構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ−２−Ａ’）中、
Ｘ^ＩＩＩ３は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はヒドロキシ基で置き換わっていてもよい。
Ａ^ｘ１は、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。
ＲＡ⁻は、スルホナート基又はカルボキシレート基を表す。
Ｒ^ＩＩＩ３は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｚ^ａ＋は、有機カチオンを表す。］

Ｒ^ＩＩＩ３で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^ＩＩＩ３で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ^ａ８で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。
Ａ^ｘ１で表される炭素数１〜８のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

Ｘ^ＩＩＩ３で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基としては、直鎖又は分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環飽和炭化水素基が挙げられ、これらの組み合わせであってもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基；ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の２価の多環式脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わったものとしては、例えば式（Ｘ１）〜式（Ｘ５３）で表される２価の基が挙げられる。ただし、飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わる前の炭素数はそれぞれ１７以下である。下記式において、＊はＡ^ｘ１との結合手を表す。

Ｘ³は、２価の炭素数１〜１６の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁴は、２価の炭素数１〜１５の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁵は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁶は、炭素数１〜１４のアルキル基を表す。
Ｘ⁷は、３価の炭素数１〜１４の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ⁸は、２価の炭素数１〜１３の飽和炭化水素基を表す。

Ｚ^a+で表される有機カチオンとしては、有機オニウムカチオン、例えば有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、有機ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
具体的には、塩（Ｉ）における有機カチオンで例示したものと同様のものが挙げられる。

式（ＩＩ−２−Ａ’）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ−２−Ａ）中、Ｒ^ＩＩＩ３、Ｘ^ＩＩＩ３及びＺ^ａ＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｚは、０〜６の整数を表す。
Ｒ^ＩＩＩ２及びＲ^ＩＩＩ４は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^ＩＩＩ２及びＲ^ＩＩＩ４は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
Ｑ^ａ及びＱ^ｂは、それぞれ独立して、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］

Ｒ^ＩＩＩ２、Ｒ^ＩＩＩ４、Ｑ^ａ及びＱ^ｂで表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基としては、Ｑ^１で表される炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基と同じものが挙げられる。

式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位は、式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ−２−Ａ−１）中、
Ｒ^ＩＩＩ２、Ｒ^ＩＩＩ３、Ｒ^ＩＩＩ４、Ｑ^a、Ｑ^b、ｚ及びＺ^a＋は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^ＩＩＩ５は、炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
Ｘ²は、炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。］

Ｒ^ＩＩＩ５で表される炭素数１〜１２の飽和炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられる。
Ｘ^２で表される炭素数１〜１１の２価の飽和炭化水素基としては、Ｘ^ＩＩＩ３で表される２価の飽和炭化水素基のうちの炭素数１１までのものが挙げられる。

式（ＩＩ−２−Ａ）で表される構造単位としては、式（ＩＩ−２−Ａ−２）で表される構造単位がさらに好ましい。

［式（ＩＩ−２−Ａ−２）中、Ｒ^ＩＩＩ３、Ｒ^ＩＩＩ５及びＺ^a＋は、上記と同じ意味を表す。
ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。］

式（ＩＩ−２−Ａ−１）で表される構造単位としては、例えば、以下の構造単位及びＷＯ２０１２／０５００１５記載の構造単位が挙げられる。Ｚ^a＋は、有機カチオンを表す。

側鎖にスルホニオ基と有機アニオンとを有する構造単位は、式（ＩＩ−１−１）で表される構造単位であることが好ましい。

［式（ＩＩ−１−１）中、
Ａ^ＩＩ１は、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｒ^ＩＩ１は、炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^ＩＩ２及びＲ^ＩＩ３は、それぞれ独立して、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、Ｒ^ＩＩ２及びＲ^ＩＩ３は互いに結合してそれらが結合する硫黄原子とともに環を形成していてもよい。
Ｒ^ＩＩ４は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ａ⁻は、有機アニオンを表す。］

Ａ^ＩＩ１で表される２価の連結基としては、例えば、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基が挙げられ、該２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。具体的には、Ｘ^ＩＩＩ３で表される炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｒ^ＩＩ１で表される炭素数６〜１８の２価の芳香族炭化水素基としては、フェニレン基及びナフチレン基等が挙げられる。
Ｒ^ＩＩ２及びＲ^ＩＩ３で表される炭素数１〜１８の炭化水素基としては、式（２）のＲ^ａ３’で表される炭素数１〜１８の炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｒ^ＩＩ４で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ^ＩＩ４で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、Ｒ^ａ８で表されるハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基と同じものが挙げられる。

式（ＩＩ−１−１）中のカチオンを含む構造単位としては、以下で表される構造単位などが挙げられる。

Ａ⁻で表される有機アニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオン等が挙げられる。Ａ⁻で表される有機アニオンは、スルホン酸アニオンが好ましく、上述した酸発生剤（Ｂ）に含まれるアニオンであることがより好ましい。

Ａ⁻で表されるスルホニルイミドアニオンとしては、以下のものが挙げられる。

構造単位（ＩＩ−１）としては、以下で表される構造単位などが挙げられる。

樹脂（Ａ）中に、構造単位（ＩＩ）を含有する場合の構造単位（ＩＩ）の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、好ましくは１〜２０モル％であり、より好ましくは２〜１５モル％であり、さらに好ましくは３〜１０モル％である。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すなわち、モノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）から選ばれる少なくとも一種、より好ましくは構造単位（ａ１−１）又は構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）から選ばれる少なくとも二種である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）の少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表される構造単位である。構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）で表される構造単位、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−２）で表される構造単位から選ばれる少なくとも一種である。

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。本明細書では、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで実施例に記載の条件により求めた値である。

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂（Ｘ）＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含んでもよい。このような樹脂としては、例えば、構造単位（ａ４）を含む樹脂（以下「樹脂（Ｘ）」という場合がある。）が挙げられる。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ１）、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）、構造単位（ａ５）及びその他の公知構造単位が挙げられる。
樹脂（Ｘ）は、構造単位（ａ４）及び／又は構造単位（ａ５）からなる樹脂であることがより好ましい。
樹脂（Ｘ）が構造単位（ａ４）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して、４０モル％以上が好ましく、４５モル％以上がより好ましく、５０モル％以上がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）が構造単位（ａ５）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して、１０〜６０モル％が好ましく、２０〜５５モル％がより好ましく、２５〜５０モル％がさらに好ましい。

樹脂（Ｘ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ｘ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは、６，０００以上（より好ましくは７，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。かかる樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは１〜４０質量部であり、特に好ましくは２〜３０質量部である。

樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましく、９０質量％以上９９質量％以下が好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

〈溶剤（Ｅ）〉
溶剤（Ｅ）の含有率は、通常、レジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）の１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

〈クエンチャー（Ｃ）〉
本発明のレジスト組成物は、クエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）を含有していてもよい。クエンチャー（Ｃ）は、塩基性の含窒素有機化合物又は酸発生剤（Ｂ）よりも酸性度の弱い酸を発生する塩が挙げられる。

〈塩基性の含窒素有機化合物〉
塩基性の含窒素有機化合物としては、アミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。

具体的には、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、２，２’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

〈酸性度の弱い酸を発生する塩〉
酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は酸解離定数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸のｐＫａが、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。酸発生剤から発生する酸よりも弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、特開２０１５−１４７９２６号公報記載の式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。

式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩としては、以下の塩が挙げられる。

クエンチャー（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、０．０１〜５質量％であり、より好ましく０．０１〜４質量％であり、特に好ましく０．０１〜３質量％である。

〈その他の成分〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
本発明のレジスト組成物は、本発明の樹脂（Ａ）及び塩（Ｉ）を含む酸発生剤、並びに、必要に応じて用いられる樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）、クエンチャー（Ｃ）、溶剤（Ｅ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄してもよいし、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は５０〜２００℃が好ましく、加熱時間は１０〜１８０秒間が好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０⁵Ｐａ程度が好ましい。

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は５〜６０℃が好ましく、現像時間は５〜３００秒間が好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。

本発明のレジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

本発明のレジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９５質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
中でも、有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、９０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで下記条件により求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子イオンピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子イオンピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ−１）で表される塩の合成

式（Ｉ−１−ａ）で表される塩５０．３部及びアセトニトリル２５０部を混合し、４０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、４０℃で、式（Ｉ−１−ｂ）で表される化合物２３．８部を１０分かけて添加し、７０℃に昇温後、７０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−１−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−１−ｃ）で表される塩を含む溶液を２３℃まで冷却した後、式（Ｉ−１−ｄ）で表される化合物１３部及びアセトニトリル１３部の混合溶液を９０分かけて添加し、２３℃で１時間撹拌した後、濃縮した。得られた濃縮残に、クロロホルム５００部及び５％シュウ酸水３９０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２５０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１７０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１−ｅ）で表される塩４０．３部を得た。

式（Ｉ−１−ｅ）で表される塩１．４部、式（Ｉ−１−ｆ）で表される化合物０．４部及びクロロホルム１４部を混合した後、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、２３℃で、０．２％カンファースルホン酸のクロロホルム溶液１．４部を添加し、２３℃で１８時間撹拌した。得られた反応溶液に、クロロホルム３０部及びイオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１）で表される塩０．４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３５９．１

実施例２：式（Ｉ−４）で表される塩の合成

式（Ｉ−４−ａ）で表される塩５．０部及びアセトニトリル３０部を混合し、その後、４０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、４０℃で、式（Ｉ−４−ｂ）で表される化合物２．４部を１０分かけて添加し、７０℃に昇温後、７０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−４−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−４−ｃ）で表される塩を含む溶液を２３℃まで冷却した後、式（Ｉ−４−ｄ）で表される化合物１．３部及びアセトニトリル１．３部の混合溶液を３０分かけて添加し、２３℃で１時間撹拌することにより、式（Ｉ−４−ｅ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−４−ｅ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−４−ｇ）で表される化合物０．４部及び式（Ｉ−４−ｆ）で表される化合物０．０１部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム５０部、イオン交換水２０部及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を２回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−４）で表される塩１．０１部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３７３．１

実施例３：式（Ｉ−１６）で表される塩の合成

式（Ｉ−１６−ａ）で表される塩５．０部及びアセトニトリル３０部を混合し、その後、４０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、４０℃で、式（Ｉ−１６−ｂ）で表される化合物２．４部を１０分かけて添加し、７０℃に昇温後、７０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−１６−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−２０−ｃ）で表される塩を含む溶液を２３℃まで冷却した後、式（Ｉ−１６−ｄ）で表される化合物１．３部及びアセトニトリル１．３部の混合溶液を３０分かけて添加し、２３℃で１時間撹拌することにより、式（Ｉ−１６−ｅ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−１６−ｅ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−１６−ｇ）で表される化合物０．４部及び式（Ｉ−１６−ｆ）で表される化合物０．０１部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム５０部、イオン交換水２０部及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を２回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１６）で表される塩１．１８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３６７．１

実施例４：式（Ｉ−１４）で表される塩の合成

式（Ｉ−１４−ａ）で表される塩４．８４部及びアセトニトリル３０部を混合し、その後、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、６０℃で、式（Ｉ−１４−ｂ）で表される化合物２．４１部を１０分かけて添加し、６０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−１４−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−１４−ｃ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−１４−ｄ）で表される化合物１．３２部及びアセトニトリル１．３２部の混合溶液を３０分かけて添加し、６０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−１４−ｅ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−１４−ｅ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｉ−１４−ｇ）で表される化合物０．４部及び式（Ｉ−１４−ｆ）で表される化合物０．０１部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム５０部、イオン交換水２０部及び飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を２回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−１４）で表される塩１．１９部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４０３．１

実施例５：式（Ｉ−７）で表される塩の合成

式（Ｉ−７−ａ）で表される塩５．００部及びアセトニトリル３０部を混合し、その後、６０℃で１時間攪拌した。得られた混合物に、式（Ｉ−７−ｂ）で表される化合物２．４１部を１０分かけて添加し、６０℃で２時間撹拌することにより、式（Ｉ−７−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−７−ｃ）で表される塩を含む溶液を２３℃まで冷却した後、式（Ｉ−７−ｄ）で表される化合物１．１１部及びアセトニトリル１．１１部の混合溶液を３０分かけて添加し、２３℃で１時間撹拌することにより、式（Ｉ−７−ｅ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｉ−７−ｅ）で表される塩を含む溶液に、トリエチルアミン１．３８部及び式（Ｉ−７−ｆ）で表される化合物１．５６部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム５０部及びイオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液した。回収された有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。この水洗操作を４回繰り返した。回収された有機層を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ−７）で表される塩０．６８部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４０１．１

樹脂の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。

合成例１：樹脂Ａ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−６）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ１−２−９）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−４−２）〕が４５：１４：２．５：３８．５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７３℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．６×１０^３の樹脂Ａ１を収率７０％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例２：樹脂Ｘ１の合成
モノマーとして、モノマー（ａ５−１−１）及びモノマー（ａ４−０−１２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ５−１−１）：モノマー（ａ４−０−１２）〕が５０：５０となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して３ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．０×１０^４の樹脂Ｘ１を収率９１％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
表２に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１、Ｘ１：樹脂Ａ１、樹脂Ｘ１
＜塩（ａａ）＞
Ｉ−１：式（Ｉ−１）で表される塩
Ｉ−４：式（Ｉ−４）で表される塩
Ｉ−７：式（Ｉ−７）で表される塩
Ｉ−１４：式（Ｉ−１４）で表される塩
Ｉ−１６：式（Ｉ−１６）で表される塩
＜酸発生剤＞
Ｂ１−２１：式（Ｂ１−２１）で表される塩（特開２０１２−２２４６１１号公報の実施例に従って合成）
Ｂ１−２２：式（Ｂ１−２２）で表される塩（特開２０１２−２２４６１１号公報の実施例に従って合成）

ＩＸ−１：特開２０１１−４６６９４号公報の実施例に従って合成

ＩＸ−２：特開２０１２−２２９２０６号公報の実施例に従って合成

ＩＸ−３：特開２０１２−２３４１５５号公報の実施例に従って合成

ＩＸ−４：特開２００７−１４５８２２号公報の実施例に従って合成

＜クエンチャー（Ｃ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２−ヘプタノン ２０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価（ネガ現像）＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が５０ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

実効感度において、ホール径５５ｎｍのマスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ内の、ホール径７０ｎｍのマスクで形成したパターンの平均ホール径を４００箇所測定したものを母集団として標準偏差を求め、
標準偏差が１．８０ｎｍ以下の場合を「○」、
標準偏差が１．８０ｎｍより大きい場合を「×」として判断した。
その結果を表３に示す。括弧内の数値は標準偏差（ｎｍ）を示す。

本発明の樹脂及びそれを用いたレジスト組成物は、得られるレジストパターンのＣＤ均一性に優れるため、半導体の微細加工に好適である。

Claims (7)

1. 式（Ｉ）で表される塩。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   ｚは、０〜６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ^１及びＲ^２は互いに同一であっても異なってもよい。
   Ｘ¹は、＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−を表し、＊は、Ｃ（Ｒ^１）（Ｒ^２）又はＣ（Ｑ^１）（Ｑ^２）との結合位を表す。
   Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表す。
   Ｌ^１及びＬ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
   Ｒ^８は、式（ａａ１）又は式（ａａ２）で表される基を表す。
   

   

   （式（ａａ１）中、
   Ｒ^３、Ｒ^４及びＲ^９は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^９及びＲ^３は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を形成する。
   ｎは、０又は１を表す。
   式（ａａ２）中、
   Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^７は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^６及びＲ^７は互いに結合してそれらが結合する炭素原子及び酸素原子とともに炭素数３〜２０の複素環基を形成し、該炭化水素基及び該複素環基に含まれる−ＣＨ₂−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。）
   Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］
2. Ｒ ^８ は、式（ａａ２）で表される基である請求項１に記載の塩。
3. Ｘ^１が、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−である請求項１又は２に記載の塩。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の塩を含有する酸発生剤。
5. 請求項４に記載の酸発生剤と酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物。
6. さらに、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する請求項５に記載のレジスト組成物。
7. （１）請求項５又は６記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。