JP6983397B2 - 半導体パッケージの製造工程用離型フィルムおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は半導体パッケージの製造工程用離型フィルムに関する。

半導体パッケージの製造分野では、半導体素子（チップ）を汚染物質、外気、衝撃、光、磁気、高周波などの外部環境から保護、遮断するために、樹脂（モールド樹脂）で封止する。モールド樹脂としては、例えばエポキシ等の硬化性樹脂が一般的である。封止を行う際に、他の分野と比較して金型の絞りは浅くなるが、金型内は高温、高圧の環境となる。

半導体パッケージの製造（半導体封止）工程には、一般的にトランスファーモールド工程、コンプレッションモールド工程などがある。

トランスファーモールド工程を例にその工程を説明すると、配線済み集積回路が組み込まれた半導体素子を金型上に置き、さらに上から別の金型をセットして、高圧力で締め、その後、エポキシ樹脂を流し込み、樹脂が硬化してから金型を開け、成型品を取り出し、金型の内面をクリーニングする工程である。このクリーニングする工程で封止工程が終了する。
金型の内面をクリーニングするのは、半導体封止工程では、高温で繰り返し封止・成型を行うと、硬化性樹脂により金型が汚染されることで、成型性が低下したり、製品品質の低下による歩留まりの低下が発生したりするためである。
一方で、クリーニングの工程を省くために、金型のキャビティ面に離型フィルムを配することが行われている。つまり、金型によって半導体パッケージを樹脂成型する際に、金型の内面が汚損するのを防止するために、離型フィルムが用いられる。離型フィルムは、金型の内面に沿って配置されることで、溶融固化などによりパッケージを形成するための樹脂が、金型の内面に直接接触することを防止する。その離型フィルムを用いた工程では、たとえばロール・ツゥ・ロール方式でフィルムロールが装置に装填される。そのための離型フィルムには、張られたフィルムが装置金型に真空引きされて吸着されるときにしわ等を発生せず金型への追随性があること、金型周囲の約１７０℃の高温雰囲気下において収縮やたるみやしわができない耐熱性があること、注入され硬化したエポキシ樹脂との離型性があること、などの特異的な種々の機械的特性が求められる。

特許文献１には、この種の離型フィルムとして、延伸ポリエステル樹脂フィルムにフッ素樹脂が積層された離型フィルムが記載されている。
特許文献２には、延伸ポリエステル樹脂フィルムの片面に無機物質が蒸着され、反対面に離型層が設けられたシートが記載されている。
特許文献３には、共重合ポリエステルフィルムに、離型層と粒子を含有した塗布層が設けられたフィルムが記載されている。

特開２００６−４９８５０号公報 特開２００４−７９５６６号公報 国際公開第２０１２／０７７５７１号

しかし、特許文献１で開示されているフッ素樹脂積層フィルムは、高価である上、製造時に押出機スクリューを腐食させやすく、使用後の焼却廃棄処理において燃焼しにくく、かつ、焼却廃棄の際に有毒ガスが発生するなど環境汚染の面で好ましくない。

近年では、半導体の小型化、複雑化が進んでおり、それに合わせて半導体モールド用離型フィルムに求められる要求性能が高まっている。すなわち、小型で複雑な形状の金型に追随できるような半導体モールド用離型フィルムが求められている。この観点によれば、特許文献２や３に開示された離型フィルムでは複雑形状の金型には追随できない恐れがある。さらに、複層の離型シートは各層の追随性が互いに相違するため、層が多くなるほど層間の追随性差が生じ、それがしわなどの原因となるという懸念もある。
特許文献３に示されるような、粒子を含有した塗布層が設けられた離型フィルムでは、繰り返しモールド成型を行った際に、塗布層成分や含有粒子の脱落により金型汚れが顕著に発生し、その影響で例えばフィルムにしわが生じて半導体パッケージの外観を損ねることがある。さらに、金型温度よりも融点が低温である樹脂成分や共重合成分が多く、また融点ピークがなくとも結晶性の低い樹脂成分が含まれることがあり、それらの場合には、高温の金型とフィルムがくっつきやすくなり、金型との離型性が大きく低下して、しわや破れが発生しやすくなることがある。

さらに、離型フィルムを半導体パッケージの製造工程用として用いる場合、前記したように離型フィルムを金型に真空引きしたり、１７０℃程度の高温雰囲気下で使用するため、フィルムからアウトガスが発生しやすいことが分かった。発生したアウトガスは、エポキシ樹脂を汚染し半導体パッケージの品位を低下させたり、基材フィルムとパッケージ側に設ける離型層との密着性が低下する場合があった。また、高度な清浄性が要求される半導体パッケージの製造工程において、アウトガス量の多いフィルムの使用は好ましくなかった。

本発明の課題は、半導体パッケージ製造工程において、１７０℃程度の高温雰囲気下におけるアウトガス量が低減され、複雑な形状の金型にも追随でき、しわなどを抑制できるため製造時のトラブルがなく、離型性にも優れており、さらに、安価で、使用後の廃棄処理が容易で、環境汚染の心配もない離型フィルムを提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、特定構造の二軸配向ポリエステルフィルムに離型層を設けてなる離型フィルムが、半導体パッケージの製造工程において適切な特性をもたらすことを見出し、本発明に到達した。

すなわち、本発明の要旨は、下記のとおりである。
（１）基材フィルムに離型層が積層された離型フィルムであって、
基材フィルムが、ポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）と融点が１７０℃ 以上である樹脂とを含有する二軸配向ポリエステルフィルムであり、基材フィルムを構成するポリエステル樹脂がポリブチレンテレフタレート樹脂を３０〜９３質量％含有し、
当該離型フィルムをヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間熱処理することにより発生するアウトガス量が６０μｇ／ｇ未満であることを特徴とする半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
（２）融点が１７０℃以上である樹脂がポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）であることを特徴とする半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
（３）基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）を７〜７０質量％含有するものであることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
（４）ポリブチレンテレフタレート樹脂が、ヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間熱処理することにより発生するテトラヒドロフラン量が８００μｇ／ｇ未満であることを特徴とする（１）〜（３）いずれか記載の半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
（５）（１）〜（４）いずれか記載の離型フィルムを製造するための方法であって、二軸配向した基材フィルムの上に離型層を塗布して積層することを特徴とする半導体パッケージの製造工程用離型フィルムの製造方法。

本発明によれば、１７０℃程度の高温雰囲気下においてアウトガス量が低減できることから、金型キャビティで真空引きする際に、しわ、破れ等がなく、金型に追随することができ、熱硬化性樹脂や金型との離型性も良いため、高度な清浄性が要求される半導体パッケージの製造工程で用いると、高品位な半導体パッケージを得ることができる離型フィルムを提供することができる。
高温雰囲気下においてアウトガス量が低減できることで、離型フィルムの基材フィルムと、離型層の密着性が低下することなく、半導体パッケージの製造工程においては、
エポキシ樹脂を汚染することなく高品位の半導体パッケージを製造することが可能である。

本発明の実施の形態の半導体パッケージの製造工程を示す図である。 図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。 図１および図２の次の工程を示す図である。 図３のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図３および図４の次の工程を示す図である。 図５の次の工程を示す図である。 図６の次の工程を示す図である。 図７のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面図である。 本発明の離型フィルムの断面形態を示す図である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の離型フィルムは、基材フィルムに離型層が積層されたものであり、基材フィルムはポリブチレンテレフタレート樹脂と融点が１７０℃以上である樹脂を含有する二軸配向ポリエステルフィルムであり、半導体パッケージの製造工程用離型フィルムとして好適に用いることができる。
まず、半導体パッケージの製造方法が説明される。

図１および図２において、１１は半導体パッケージをトランスファー成形するための金型であり、固定式の上型１２と、上型１２に対して近づいたり遠ざかったりすることができる移動式の下型１３とを備えている。上型１２には、半導体パッケージを構成する熱可塑性樹脂を包埋するためのキャビティ１４が形成されている。キャビティ１４は、パッケージ形成部１５と、樹脂導入部１６と、これらパッケージ形成部１５および樹脂導入部１６を互いに連通させるためのゲート１７とを備える。下型１３には、樹脂導入部１６へ溶融状態の熱硬化性樹脂を送り込むための樹脂送給路１８が形成されている。

２１は本発明にもとづく離型フィルムで、ロール・ツゥ・ロール方式で、上型１２と下型１３との間に装填されている。２２は送り出しロール、２３は巻き取りロールである。

キャビティ１４のパッケージ形成部１５は、図１に示すように離型フィルム２１の幅方向に一対が設けられるとともに、図２に示すように離型フィルム２１の長さ方向に複数が設けられている。樹脂導入部１６は、離型フィルム２１の幅方向に一対のパッケージ形成部１５、１５に対応して、これらパッケージ形成部１５、１５同士の間に一つが設けられている。また樹脂導入部１６は、図示は省略するが、離型フィルム２１の長さ方向に沿って位置の異なる一対のパッケージ形成部１５、１５ごとに、各一つが設けられている。
半導体パッケージを製造する際には、図１および図２に示すように下型１３を上型１２から遠ざけた型開きを行い、巻き取りロール２３を回転させることで、送り出しロール２２から供給される離型フィルム２１における未使用の新しい部分を、この部分に張力を付与した状態で、上型１２と下型１３との間に送り込む。
その後、図３および図４に示すように、上型１２と下型１３との間に存在する離型フィルム２１の部分を、真空吸引によりキャビティ１４の内面に張り付ける。このとき本発明にもとづく離型フィルム２１は、後述のようにキャビティ１４の内面形状に良好に追隋し、しかもキャビティ１４の内面に張り付いたときに「しわ」などの発生がないという利点がある。「しわ」が発生すると、モールド成型において、成型品にしわが転写されるため外観不良を引き起こす。
その後、図５に示すように、下型１３におけるキャビティ１４のパッケージ形成部１５に対応した位置に、半導体素子２５を装着した半導体基板２６を、銅板２４に乗せた状態で設置する。銅板２４は、一対のパッケージ形成部１５、１５に対応した離型フィルム２１の幅方向には互いに分離しており、複数のパッケージ形成部１５、１５に対応した離型フィルム２１の長さ方向には互いに連続している。
そして、図６に示すように下型１３を上型１２に近づく方向に移動させて型締めを行い、下型１３の樹脂送給路１８から図５に示すキャビティ１４の樹脂導入部１６に向けてエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂２７を溶融状態で圧送する。樹脂導入部１６に送り込まれた熱硬化性樹脂２７は、ゲート１７を通って、パッケージ形成部１５に充填される。これによって、半導体素子２５および半導体基板２６が熱硬化性樹脂２７の内部に包埋される。銅板２４は、半導体素子２５および半導体基板２６が包埋された側とは反対側の面が熱硬化性樹脂２７から露出した状態となる。詳細には、図示のように樹脂送供給路１８の内部にプランジャ１９が配置されており、このプランジャ１９によって熱硬化性樹脂２７をキャビティ１４の内部に圧密充填させる。
このとき、熱可塑性樹脂２７として、半導体パッケージに一般的に使用される上述のエポキシ樹脂を用いる場合には、金型１１の温度は１７０℃以上が設定され、好ましくは１７０℃〜１８０℃、より好ましくは１７０℃〜１７５℃に設定される。このような高温下において、本発明にもとづく離型フィルム２１は、後述のように耐熱性を有するために、熱収縮やそれを原因とする「しわ」が発生しないという特長を有する。
充填された樹脂２７が硬化したなら、図７および図８に示すように下型１３を上型１２から遠ざけて型開きを行い、得られた成形品２８を金型１１から取り出す。このとき、本発明にもとづく離型フィルム２１は、後述のように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂２７からの離型性が良好である。その後、巻き取りロール２３を駆動して、離型フィルム２１における使用済みの部分を金型１１から排出するとともに、図１および図２に示すように離型フィルム２１における未使用の部分を新たに金型１１に導入する。
以上においては、金型１１の外部からその内部へ溶融状態の熱硬化性樹脂２７を圧密充填させる「トランスファーモールド工程」について説明した。しかし、離型フィルム２１は、それ以外のモールド工程、例えば、あらかじめ金型内に粉粒状の熱硬化性樹脂を充填したうえで型締めを行う公知の「コンプレッションモールド工程」などにも同様に用いることができる。

以下、離型フィルム２１が詳細に説明される。

図９に示すように、離型フィルム２１は、図１〜図８に示される金型１１のキャビティ１４側に配置される基材フィルム３１と、硬化後の熱硬化性樹脂２７からの良好な剥離を行うために同樹脂２７側に配置される離型層３２とを備えた積層体によって構成されている。

まず、基材フィルム３１を詳細に説明する。基材フィルム３１は、構成成分としてポリブチレンテレフタレート樹脂（以下、ＰＢＴと略する場合がある）と融点が１７０℃以上である樹脂とを含有するポリエステルフィルムによって構成される。

ＰＢＴは、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂（以下、ＰＥＴと略する場合がある）に比べて、化学骨格中に含まれる脂肪族の炭素数が２つ多いため、分子鎖の可動性が高く、柔軟性が高く、好ましい。

基材フィルム３１は、ＰＢＴと融点が１７０℃以上であるポリエステル樹脂がブレンドされていることをいう。ＰＢＴの融点も１７０℃以上であることから、融点が１７０℃以上である２種類以上のポリエステル樹脂がブレンドされていることで、低融点側の樹脂のもつ１７０℃という高温での柔軟性により金型への追随性が向上し、高融点側の樹脂のもつ耐熱性により離型時の破れが防止されるといった、両方の性質を併せ持つ利点がある。

融点が１７０℃以上であるポリエステル樹脂として、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレートなどが挙げられる。さらにそれらの共重合体なども挙げることができる。

なかでも、ポリエステルを構成するジカルボン酸成分および／またはジオール成分が炭素数２〜５のアルキル鎖を繰り返し成分として含むものが、高温化での高分子鎖が動きやすく、金型への追随性に最適であるために、特に好ましい。このようなポリエステル樹脂として、ポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、アジピン酸共重合ポリエステルなどの共重合体、などの、１７０℃以上に融点をもつものを挙げることができる。

ＰＢＴに混合するポリエステル樹脂としては、融点が１７０℃以上の樹脂であればとくに制限はないが、ＰＢＴとは骨格の異なるＰＥＴを混合することが、得られたフィルムの高温下での強度が高くなる面でとくに好ましい。ＰＥＴを用いることによって、高温下で成型をする際に、ＰＥＴのもつ耐熱性によりフィルムが破れにくくなる。

ポリエステル樹脂のブレンド比率について、ＰＢＴのブレンド比率は、３０質量％以上９３質量％以下であることが好ましく、より好ましい下限値は４５質量％以上であり、さらに好ましい下限値は４０質量％以上である。より好ましい上限値は８５質量％以下であり、さらに好ましい上限値は８０質量％である。ＰＢＴが９３質量％を超えると、特性が過剰に発現して、機械強度や耐熱性が低く、このため成形時の温度下でしわが発生しやすくなり離型時に破れが生じやすくなる。ＰＢＴが３０質量％未満であると、成型時の金型追従性が悪くなる。
また、融点が１７０℃以上の樹脂としてＰＥＴを用いる場合は、そのブレンド比率が７〜７０質量％であることが好ましく、より好ましい下限値は１５質量％以上であり、さらに好ましい下限値は２０質量％以上である。より好ましい上限値は５５質量％以下であり、さらに好ましい上限値は６０質量％である。ＰＥＴが７０質量％を超えると、特性が過剰に発現して、金型追随性が低下し、また、かたく割れやすくなり、たとえ機械強度を有していても離型時に破れやすくなる。

原料のポリエステル樹脂の重合方法としては、特に限定されないが、例えば、直接エステル化法、エステル交換法等の公知の製造方法が挙げられる。直接エステル化法としては、例えば、必要なモノマー原料を反応缶内に注入し、エステル化反応をおこなった後、重縮合反応をおこなう方法が挙げられる。エステル化反応では、窒素雰囲気下、１６０℃以上の温度で４時間以上、加熱溶融して反応させる。その際、触媒として、マグネシウム、マンガン、亜鉛、カルシウム、リチウム、チタン等の酸化物や、酢酸塩などを用いてもよい。重縮合反応では、１３０Ｐａ以下の減圧下で、２２０〜２８０℃の温度で所望の分子量に達するまで反応を進める。その際、触媒として、アンチモン、チタン、ゲルマニウム等の酸化物や、酢酸塩などを用いてもよい。
重合後のポリエステル樹脂は、モノマーやオリゴマー、アセトアルデヒドやテトラヒドロフラン等の副生成物を含んでいるため、減圧または不活性ガス流通下、２００℃以上の温度で固相重合を施しても良い。固相重合を施したポリエステルを用いると、基材フィルム３１の製造工程において押し出された未延伸シート及びフィルムの表面へのオリゴマーの析出が防止されるため好ましい。オリゴマーについては、半導体封止といった精密工程においては、金型等への汚染がより少ない方が好ましい。このため、上記の固相重合したものの方が好ましい。

ポリエステル樹脂を重合する際、必要に応じて、酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、ブロッキング防止剤等を添加してもよい。酸化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、ヒンダードアミン系化合物が挙げられる。熱安定剤としては、例えば、リン系化合物が挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物が挙げられる。帯電防止剤としては、例えばアンチモンドープ酸化錫が挙げられる。ブロッキング防止剤としては、例えばケイ素酸化物が挙げられる。

本発明に用いられるポリエステル樹脂は、本発明の効果が損なわれない範囲で適宜、他の成分を共重合することができる。共重合に用いられる酸成分としては、特に限定されないが、イソフタル酸、（無水）フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、５−ナトリウムスルホイソフタル酸等の芳香族ジカルボン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、アゼライン酸、ドデカンジカルボン酸、（無水）マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族ジカルボン酸、（無水）ヘキサヒドロフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸等の脂環族ジカルボン酸、炭素数２０〜６０のダイマー酸、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、乳酸、４−ヒドロキシ酪酸、ε−カプロラクトン等のヒドロキシカルボン酸、（無水）トリメリット酸、トリメシン酸、（無水）ピロメリット酸等の多官能カルボン酸等を挙げることができる。これらの共重合成分は２種以上併用しても良い。
共重合に用いられるアルコール成分としては、特に限定されないが、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール等の脂肪族ジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、１，４−シクロヘキサンジエタノール等の脂環族ジオール、ビスフェノールＡやビスフェノールＳのエチレンオキシドあるいはプロピレンオキシド付加物等の芳香族ジオール、トリメチロールプロパン、グリセリン、ペンタエリスリトール等の多官能アルコールなどを挙げることができる。これらの共重合成分は２種以上併用しても良い。

共重合成分の割合は好ましくは２０モル％以下、さらに好ましくは１５モル％以下である。２０モル％を超えると樹脂の結晶性が低下し、このためフィルム化した時の強度が低下し、その結果、離型時に破れが発生しやすくなる。また、共重合量が多くなるほど、融点が低下するため耐熱性の面で好ましくない。

基材フィルム形成時に使用するポリエステル樹脂の水分率は、３００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、２００ｐｐｍ以下がより好ましく、１００ｐｐｍ以下がさらに好ましい。使用するポリエステル樹脂の水分率が３００ｐｐｍを超えると、得られたフィルムの融点が不安定になる傾向がある。

基材フィルムを構成するポリエステルフィルムは、二軸配向した延伸フィルムであることが必要である。フィルムを延伸することで、配向が起こり、ポリエステルフィルムの強度が高くなり、成型時の破れを抑制できる。さらに、金型のような高温雰囲気の下での熱収縮率を低減でき（耐熱性向上）、しわの抑制につながる。

基材フィルム３１の製法は、特に限定されず、従来から知られている方法を用い二軸に配向させることができる。例えば、Ｔダイ法もしくはチューブラー式製膜法等の公知の製法で押出された樹脂シートを未延伸シートとし、続いてこの未延伸シートを同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法等の公知の製法により延伸する。厚みむらの少ないフィルムを製造するためにはＴダイ法で樹脂シートを得ることが好ましい。
また、フィルムの延伸方式については、特に限定されず、従来から知られている方法を用いることができる。公知の延伸方法として、例えば、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法等が挙げられる。延伸時のムラを低減させ、ポリエステルフィルムのしわを抑制できることから、逐次二軸延伸法を用いることが好ましい。

基材フィルム３１の詳細な製法としては、例えばＰＥＴとＰＢＴとを所定の比率とした樹脂組成物を、Ｔダイを備えた押出機を用いて、２３０〜２８０℃で溶融後Ｔダイよりシート状に押出し、これを４０℃以下の温度に調整されたキャスティングロールに密着させて急冷し、所定の厚さの未延伸シートを得るのが好ましい。原料樹脂組成物を均一に混合するために、あらかじめ溶融混合された材料を用いてもよい。
上記のようにして得られた未延伸シートを、例えばフラット式同時二軸延伸法で延伸する場合には、未延伸シートの幅方向の両端をクリップでつかみ、シートの両面から４０〜１００℃の熱風を吹き付けて予熱し、５０〜１２０℃雰囲気下で縦方向及び横方向にそれぞれ２〜４倍程度延伸する。その後、８０〜１８０℃程度で数秒間処理し縦もしくは横方向に数％弛緩する。さらに所定の収縮率を持つフィルムを得るために、８０〜２００℃で数秒間熱処理して熱固定した後、室温まで冷却し２０〜３００ｍ／ｍｉｎの速度で巻き取る。延伸温度が５０℃未満の場合には、延伸応力が高すぎるために、ネッキングが発生しやすい。反対に延伸温度が１２０℃を超える場合には、溶断したり、フィルムの結晶化が進みすぎて白化を起こしたりする。熱固定温度が２００℃を超えると、フィルムにたるみが生じやすくなりフィルムの品位を著しく損なう。
延伸後の熱固定方法としては、公知の方法を採用することができる。例えば延伸フィルムに熱風を吹き付ける方法、延伸フィルムに赤外線を照射する方法、延伸フィルムにマイクロ波を照射する方法が挙げられる。均一に精度よく加熱できる点で、延伸フィルムに熱風を吹き付ける方法が好適である。延伸工程と熱固定工程との間に熱緩衝工程を設けてもよい。

基材フィルム３１の層構成は特に限定されるものではなく、単層、二種二層、二種三層、三種三層などの、どのような層構成であってもよい。なかでも、片面ごとに表面粗度を制御できる複層構成であることが好ましい。

基材フィルム３１は、ポリエステルが全体の９０質量％以上であることが好ましい。それ未満であると、ポリエステルに特有の柔軟性が不足し、成型時の追随性が劣りやすくなる。

本発明の離型フィルムは、ヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分の熱処理を行った際に発生するアウトガス量が、６０μｇ／ｇ未満であることが必要であり、４０μｇ／ｇ未満であることが好ましく、３０μｇ／ｇ未満であることがより好ましい。アウトガス発生量が６０μｇ／ｇ以上の場合、発生したアウトガスによって、モールド樹脂であるエポキシ樹脂を汚染することで品位を低下させたり、基材フィルムと離型層との密着性を低下させたりする場合がある。本発明の離型フィルムは、前記条件におけるアウトガス発生量が６０μｇ／ｇ未満であるため、高度な清浄性が要求される半導体パッケージの製造工程内で使用する離型フィルムとして好適である。

本発明の離型フィルムから発生するアウトガス量を、本発明で規定する６０μｇ／ｇ未満とするには、基材フィルム製造時に使用するＰＢＴからのアウトガス量を減らすことが好ましい。ＰＢＴから発生するアウトガス成分の中でも、特に揮発性（低沸点）の成分であり、アウトガスの主成分であるテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す場合がある）量を減らすことが好ましい。具体的には、ＰＢＴをヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分の熱処理を行った際に発生するＴＨＦ量を８００μｇ／ｇ未満とすることが好ましく、５００μｇ／ｇ未満とすることがより好ましく、３００μｇ／ｇ未満とすることが最も好ましい。ポリブチレンテレフタレートから発生するＴＨＦ量が８００μｇ／ｇ以上の場合、他の樹脂とのブレンド比によっては、フィルムから発生するＴＨＦ量が本発明で規定した値より大きくなることがある。

ＰＢＴ樹脂から発生するＴＨＦ量を８００μｇ／ｇ以下にする方法としては、重合されたＰＢＴ樹脂ペレットを減圧環境下で乾燥させる方法や、窒素雰囲気下で乾燥させる方法、熱風ドライヤーで乾燥させる方法が挙げられる。中でも、ＴＨＦ量を最も効果的に低減させる方法が、減圧環境下での乾燥であり、作業性、経済性の観点からも好ましい。
これらの方法で乾燥させる場合、特に制限はないが、乾燥温度は８０〜１８０℃が好ましい。また乾燥時間の制限は特にないが、１２時間以上であることが好ましく、２４時間以上であることがより好ましく、４８時間以上であることがさらに好ましく、７２時間以上であることが特に好ましい。また、減圧環境下で乾燥させる場合、上述した温度、時間に加えて、減圧度を１０Ｐａ以下とすることが好ましい。

離型フィルム２１の巻き取り性を改善するために、基材フィルム３１は粒子を含有していることが好ましい。粒子は、易滑性付与可能な粒子であれば、本発明の効果が損なわれない範囲で特に限定されるものではない。具体例としては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、カオリン、酸化アルミニウム、酸化チタン、硫酸バリウム等の無機粒子が挙げられる。
あるいは、シリコーン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂等からなる耐熱性のよい高分子微粒子、脂肪酸エステルや脂肪酸アミド等の有機滑剤、熱硬化性尿素樹脂、熱硬化性フェノール樹脂、熱硬化性エポキシ樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の耐熱性有機粒子を用いてもよい。さらに、ポリエステルの製造工程中において、触媒等の金属化合物の一部を沈殿、微分散させた析出粒子を用いることもできる。基材樹脂への分散のしやすさや価格の観点から、シリカ、炭酸カルシウムが好ましい。

使用する粒子の形状は特に限定されず、球状、塊状、棒状、扁平状等のいずれでもよい。その硬度、比重、色等についても特に制限はない。これらの粒子は、必要に応じて２種類以上を併用してもよい。

粒子 の平均粒径は、０．０１〜６μｍが好ましく、０．８〜４μｍがより好ましく、１．５〜３．５μｍが最も好ましい。平均粒径が０．０１μｍ未満の場合には、粒子が凝集しやすく、分散性が不十分となる場合があり、かつ、粒子径が小さすぎて十分な滑剤効果を得ることができない場合がある。一方、平均粒径が６μｍを超える場合には、フィルムの表面が粗くなりすぎて、後工程において図９に示される離型層３２を塗設する場合等に不具合が生じることがあったり、粒子の滑落が発生し、製造工程を汚染することがある

基材フィルム３１に粒子を含有させる方法は、特に限定されるものではなく、ポリエステル樹脂を基材フィルムに製膜する段階や、ポリエステル樹脂を製造する任意の段階において粒子を添加することができる。ポリエステル樹脂を製造する任意の段階とは、たとえばエステル化段階やエステル交換反応終了段階である。

半導体封止工程において離型フィルム２１の表面状態が熱硬化性樹脂に転写されることを考慮して、その意匠性付与のために、離型フィルム２１の表面に凹凸形状を付与してもよく、平滑であってもよい。応徳形状を付与する方法としては、たとえば上記粒子等を練り込んだり、オフライン工程でエンボス加工やサンドマット加工を行ったり、インライン工程で梨地ロールによる冷却成型を行ったり、インライン工程やオフライン工程で凹凸付与のためのコーティングや積層ラミネートを行ってもよい 。

離型フィルム２１には、さらに着色剤、酸化防止剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤等を含有させることができる。

離型フィルム２１の厚さは、２０〜１００μｍであることが好ましく、２０〜８０μｍであることがより好ましく、２５〜６０μｍであることがさらに好ましく、３５〜６０μｍが最も好ましい。離型フィルム２１の厚さが２０μｍより薄いと、破断強度が低くこのため離型時の破れの発生につながりやすく、厚さが１００μｍより厚いと追随性が低下する傾向にある。

離型フィルム２１の熱収縮率は、幅方向と長さ方向の差が小さい方が好ましい。幅方向と長さ方向の熱収縮率の差が大きいと、成型時にしわが発生しやすくなる。

図９に示される離型層３２が説明される。離型層３２の組成は、特に限定されるものではなく、熱硬化型や照射硬化型のシリコーン系や、フッ素系、長鎖アルキル系、ポリオレフィン系などの非シリコーン系などの公知の離型層を挙げることができる。熱硬化型シリコーンとしては、付加反応型シリコーンや縮合反応型シリコーンなどが挙げられる。照射硬化型シリコーンとしては、ＵＶ硬化型シリコーンやＥＢ硬化型シリコーンが挙げられる。また、フッ素系は、フッ素樹脂フィルム化したものやフッ素系材料のコーティング液が挙げられ、長鎖アルキル系は、長鎖アルキル基含有ポリマーのコーティング液が挙げられ、ポリオレフィン系はポリエチレン樹脂やポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテンのようなポリオレフィン系樹脂自体をフィルム化したものや、酸変性ポリオレフィン樹脂のコーティング液が挙げられる。中でも、安価であり、薄膜であっても十分な性能を示すことから、シリコーン系を用いることが好ましい。

本発明における離型フィルム２１は、１７０℃に設定したプレス機で５ｋｇ／ｃｍ^２で２０分間保持した後、室温まで冷却して硬化したエポキシプリプレグとの剥離強度が１．０Ｎ／ｃｍ以下であることが好ましく、０．７Ｎ／ｃｍ以下であることがより好ましく、０．５Ｎ／ｃｍ以下がさらに好ましく、０．３Ｎ／ｃｍ以下が最も好ましい。エポキシプリプレグとの剥離強度が１．０Ｎ／ｃｍを超えると、金型成型後に離型フィルムを剥離する工程で剥離不良が発生しやすくなり、製品の歩留まりが悪化する。

離型層３２は、前述した剥離強度を満足するものであれば特に限定するものではなく、コート液を塗布して形成する方法や、樹脂を積層する方法等が挙げられる。中でも、離型フィルム２１の薄膜化の観点から、コート液を塗布して形成する離型層であることが好ましい。コート液を塗布して形成する場合、その形成方法としては、特に制限はないが、インラインコート法、オフラインコート法等を挙げることができる。中でも、コストメリットの観点から、でインラインコート法が好ましい。

離型層３２は、基材フィルム３１の表面に薄く形成されていれば足りる。離型層３２の厚みは、特に制限はないが、０．０１μｍ以上３μｍ以下が好ましく、０．０７以上〜１μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以上〜０．５μｍ以下が最も好ましい。離型層３２の厚みが０．０１μｍ未満の場合、十分な剥離強度を付与しづらく、３μｍを超える場合、離型層が厚すぎて外観が乱れやすく、生産上の歩留まりが悪化する。

下記の実施例及び比較例における特性値の測定法は以下の通りである。

（１）融点（℃）
Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ社製ＤＳＣを用い、２０℃／ｍｉｎで昇温して、基材フィルムの融点を測定した。

（２）厚さ
ハイデンハイン社製の厚み測定器ＭＴ−１２Ｂを用いて測定した。

（３）剥離強度、残存接着率
６０ｍｍ×１００ｍｍの大きさのエポキシプリプレグ（住友ベークライト社製 ＥＩ−６７６５）の両面を離型フィルムで挟み、プレス板を金型設定温度としての１７０℃に設定したプレス機で５ｋｇ／ｃｍ^２で２０分間保持した。その後、室温まで冷却しサンプルを得た。得られたサンプルの、硬化後のエポキシプリプレグと離型フィルムとの剥離強度を、２５℃の恒温室で、引張試験機（インテスコ社製、精密万能材料試験機、２０２０型）にて測定した。剥離角度は１８０度、剥離速度は３００ｍｍ／分とした。剥離強度は、スペクトルの強度が安定した部分の平均値を取った。評価結果はｎ＝５の平均値とした。

（４）しわ
キャビティの容積が２２０ｍｍ×５５ｍｍ×１．５ｍｍである金型を１７０℃に加熱し、離型フィルムを装填して真空引きし、２分間保持した。その後、真空引きを解除して常圧にし、離型フィルムを取り除き、取り除いた離型フィルムにおけるしわの有無を目視により確認した。この操作を２００回繰り返し、しわの発生回数を確認した。

（５）離型性
離型フィルムを用い、上記（４）しわ評価と同じ金型を１７０℃の温度設定でモールド成型装置による加工を行った。成型後に金型を開けた時の離型フィルムとパッケージの状態を目視で観察し、次の基準に従って評価した。
○：フィルムがパッケージから完全に剥がれていた。
△：金型の型開き時にフィルムの一部がパッケージに引っ張られながら剥がれた。
×：フィルムがパッケージから剥がれず残っていた。

（６）破れ
離型フィルムを用い、上記（４）しわ評価と同じ金型を１７０℃の温度設定でモールド成型装置による加工を行った。成型後に金型を開けた時に離型フィルムが破れなかったかを、目視で確認した。この操作を２００回繰り返し、破れの発生回数を確認した。

（７）追随性
上記（６）の加工において、離型フィルムが破れなかったものについて、離型フィルムの追随性にもとづく、成型されたパッケージの角・辺部の状態について、目視で観察し、丸みを帯びたパッケージの発生回数を確認した。

（８）良品率
上記（６）と（７）の結果より、２００回の加工で得られたパッケージの良品率を算出した。良品率は８０％以上を合格とし、好ましい良品率は９０％以上である。

（９）アウトガス成分の特定と発生量の測定
アウトガス成分の特定は、離型フィルム、ＰＢＴ樹脂ペレットをそれぞれ１５ｍｇ秤量して試料カップに詰め、パイロライザー（ＰＹ−２０２０ｉＤ）中、ヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間加熱し、発生した揮発成分について、ＧＣ／ＭＳ（ＧＣ：Ａｇｉｌｅｎｔ ６８９０Ｎ、ＭＳ：Ａｇｉｌｅｎｔ ５９７５Ｃ）測定により行った。
離型フィルムおよびＰＢＴ樹脂ペレットで発生したアウトガスは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ブタンジオール（ＢＤＯ）、水であり、離型フィルムからは、エチレングリコール（ＥＧ）も発生した。
アウトガス各成分の発生量については、以下の標準資料と内部標準を用いて測定した。すなわち、標準資料として、ヘキサン中に、ヘキサデカン、ＴＨＦ、ＢＤＯおよびＥＧを各１００ｐｐｍ溶解した溶液を調製し、これを試料と同じ条件でＧＣ／ＭＳ測定を行い、ヘキサデカンに対する各成分のピーク面積比を算出した。次に内部標準としてヘキサデカン濃度が１００ｐｐｍのヘキサン溶液を調製した。離型フィルムを１５ｍｇ秤量した試料に前記内部標準を５μｌ添加してパイロライザー（ＰＹ−２０２０ｉＤ）中、ヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間加熱し、発生した揮発成分についてＧＣ／ＭＳ測定を行うことにより、各アウトガス成分の発生量を定量し、その合計量を算出した。なお、ＰＢＴに関しては、ＴＨＦ量を同様に測定した。
ＰＢＴ樹脂ペレットはＴＨＦ発生量について、離型フィルムはアウトガス発生量について評価基準を下記に示す。
［ＰＢＴ樹脂ペレットの評価基準］
◎： ３００μｇ／ｇ未満
○： ３００μｇ／ｇ以上５００μｇ／ｇ未満
△： ５００μｇ／ｇ以上８００μｇ／ｇ未満
×： ８００μｇ／ｇ以上
［離型フィルムの評価基準］
◎： ３０μｇ／ｇ未満
○： ３０μｇ／ｇ以上４０μｇ／ｇ未満
△： ４０μｇ／ｇ以上６０μｇ／ｇ未満
×： ６０μｇ／ｇ以上

（１０）ＰＢＴ樹脂ペレットの水分率測定
ＰＢＴ樹脂ペレットの水分率を、微量水分測定装置（平沼産業株式会社製）を用いて、カールフィッシャー法により測定した。加熱条件は１８０℃とした。

（１１）離型層の密着性
離型層と基材フィルムの密着性について、ＪＩＳ Ｋ−５６００−５−６に準拠し、クロスカット法によって評価した。詳しくは、離型フィルムの離型層表面に切り込みを入れて１００区画の格子パターンをつくり、その表面に粘着テープ（ニチバン社製ＴＦ−１２）を貼り、勢いよくテープを剥離した。
評価基準を下記に示す。
○：１００区画に全く剥がれがない
△：１００区画のうち、剥がれのある区画が１０区画以下である
×：１００区画のうち、剥がれのある区画が１０区画を超える

以下、ブレンドするポリエステル樹脂の比率の高いものから順に第１樹脂、第２樹脂、第３樹脂と称する。

（実施例１）
表１に記載の乾燥条件で乾燥したＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート、ＩＶ（極限粘度）１．０８ｄｌ／ｇ、Ｔｍ（融点）２１８℃）６０質量部と、第２樹脂としてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート、ＩＶ０．７５ｄｌ／ｇ、Ｔｍ２５１℃）４０質量部とをドライブレンドしたものを、Ｔダイを備えた押出機を用いて、２７５℃でシート状に溶融押出し、表面温度１８℃の冷却ドラムに密着させて冷却し、厚さ５１０μｍの未延伸シートを得た。続いて４５℃に温調した予熱ロール群で予熱した後、５２℃に温調した延伸ロール間で周速を変化させて３．０倍に縦延伸し、厚さ１７０μｍの縦延伸フィルムを得た。その後、テンター式延伸機に導き、予熱温度６０℃、延伸温度８０℃で３．３倍に横延伸し、続いて２１０℃で熱乾燥処理を行い、２００℃で横方向に５％の弛緩処理を行った。テンターから出たフィルムは、室温まで冷却して巻き取った。こうして、厚さ５０μｍの逐次二軸延伸ポリエステルフィルムを得た。その後、トルエンで希釈した溶剤付加反応型シリコーン（信越化学工業社製のＫＳ−８４７Ｔ（シリコーンＡ））を、卓上型コーティング装置（安田精機社製フィルムアプリケータ；Ｎｏ．５４２−ＡＢ型、バーコータ装着）を用いて熱乾燥処理後の樹脂層厚みが０．２０μｍとなるようポストコートした。その後、１５０℃に設定された熱風乾燥機中で３０秒間乾燥させることにより、厚さ０．２０μｍの離型層を形成した厚さ５０μｍの離型フィルムを得た。

（実施例２〜１１）
離型フィルムの厚み、ＰＢＴとＰＥＴとの組成比、ＰＢＴ樹脂の乾燥条件を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行って離型フィルムを得た。

（実施例１２）
実施例１と同様にして、未延伸シートを得た。得られた未延伸シートの幅方向の端部をテンター式同時二軸延伸機のクリップにて担持し、６０℃の予熱ゾーンを走行させた後、温度８０℃でＭＤ（機械方向）に３．０倍、ＴＤ方向に３．３倍で同時二軸延伸した。その後、実施例１と同様の方法でコーティングを行い、厚さ０．２０μｍの離型層を形成した厚さ５０μｍの離型フィルムを得た。

（実施例１３）
実施例１と同様にして逐次二軸延伸フィルムを得た。その後、下記のようにして得られた樹脂組成物Ｘを用い、実施例１と同じ条件でコートし、厚さ０．２μｍの離型層を形成した厚さ５０μｍの離型フィルムを得た。

［樹脂組成物Ｘの製造］
下記のようにして製造した酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Ｍと、ポリビニルアルコール（日本酢ビ・ポバール社製「ＶＣ−１０」、重合度：１，０００）の８質量％水溶液と、架橋剤としてのオキサゾリン化合物の水性溶液（日本触媒社製、エポクロス「ＷＳ−５００」、固形分濃度：４０質量％）とを、ポリビニルアルコールが酸変性ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して５０質量部、オキサゾリン化合物の固形分が酸変性ポリオレフィン樹脂１００質量部に対して１０質量部となるように混合して、液状の樹脂組成物Ｘを得た。

［酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Ｍの製造］
ヒーター付きの密閉できる耐圧１リットル容ガラス容器を備えた攪拌機を用いて、６０．０ｇの、下記のようにして製造した酸変性ポリオレフィン樹脂Ｙと、４５．０ｇのＢｕ−ＥＧ（和光純薬社製、特級、沸点１７１℃、なお「Ｂｕ−ＥＧ」はエチレングリコール−ｎ−ブチルエーテルを意味する）と、６．９ｇ（樹脂中の無水マレイン酸単位のカルボキシル基に対して１．０倍当量）のＤＭＥＡ（和光純薬社製、特級、沸点１３４℃、なお「ＤＭＥＡ」はＮ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンを意味する）と、１８８．１ｇの蒸留水とを上記のガラス容器内に仕込み、攪拌翼の回転速度を３００ｒｐｍとして攪拌した。そうしたところ、容器底部には樹脂の沈澱は認められず、浮遊状態となっていることが確認された。そこでこの状態を保ちつつ、１０分後にヒーターの電源を入れ加熱した。そして系内温度を１４０℃に保ってさらに６０分間攪拌した。その後、空冷にて、回転速度３００ｒｐｍのまま攪拌しつつ室温（約２５℃）まで冷却した。さらに、３００メッシュのステンレス製フィルター（線径０．０３５ｍｍ、平織）で加圧濾過（空気圧０．２ＭＰａ）することで、乳白黄色の均一な酸変性ポリオレフィン樹脂水性分散体Ｍを得た。なお、フィルター上には残存樹脂は殆どなかった。

（実施例１４）
実施例１と同様にして、縦延伸フィルムを得た。次に縦延伸フィルムにマイヤーバーを用いて熱乾燥処理後の樹脂層厚みが０．０７μmとなるよう前記樹脂組成物Ｘをインラインコートした。その後、インラインコートされたフィルムをテンター式延伸機に導き、実施例１と同様の操作を行って、離型フィルムを得た。

（実施例１５、１６）
離型層の厚みを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様の操作を行って、離型フィルムを得た。

（実施例１７、１８）
実施例１７においては、第２樹脂として、実施例１のＰＥＴのホモポリマーに代えて、イソフタル酸を４モル％共重合した共重合ポリエステル（ＩＰＡ４、Ｔｍ（融点）２４５℃）を用い、組成比を表１に示すように変更した。
実施例１８においては、第２樹脂として、実施例１のＰＥＴのホモポリマーに代えて、アジピン酸を６モル％共重合した共重合ポリエステル（ＡＤ６、Ｔｍ（融点）２４０℃）を用い、組成比を表１に示すように変更した。
実施例１７、１８とも、離型層として、信越化学工業社製のＫＳ−３７０３（シリコーンＢ）を使用した。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（実施例１９）
第１樹脂として、ポリブチレンテレフタレートに平均分子量Ｍｗ：１０００のＰＴＭＧ（ポリテトラメチレンエーテルグリコール）を１５質量部共重合した共重合ＰＢＴ（変性ＰＢＴ、Ｔｍ（融点）２１８℃）を用い、離型層として信越化学工業社製のＫＳ−３７０３（シリコーンＢ）を使用した。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（実施例２０）
実施例１に、さらにアジピン酸を６モル％共重合した共重合ポリエステル（ＡＤ６、Ｔｍ（融点）２４０℃）を第３樹脂として用い、組成比を表１に示すように変更し、離型層として、信越化学工業社製のＫＳ−３７０３（シリコーンＢ）を使用した。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例１）
離型層を設けずに、基材フィルムのみを用い、それ以外は実施例１と同様に行い、離型フィルムを得た。

（比較例２）
基材フィルムの延伸処理と、その後の熱固定処理を行わず未延伸シートを用いた以外は実施例１と同様にして離型フィルムを得た。未延伸シートの厚さは５０μｍとなるように吐出量を調整した。

（比較例３）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、ＰＥＴのみを用いた以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例４）
基材フィルムとしてＰＢＴのみを用いた以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例５）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、第１樹脂として融点１６５℃のポリ乳酸樹脂（ＰＬＡ）を用い、第２樹脂としてＰＥＴを用いた。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例６）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、第１樹脂としてシクロヘキサンジメタノールを３０モル％共重合した共重合ポリエステル（ＣＨＤＭ３０、融点なし）を用い、第２樹脂としてジエチレングリコールを８モル％共重合した共重合ポリエステル（ＤＥＧ８、融点２４０℃）を用いた。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例７）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、第１樹脂としてＰＥＴを用い、第２樹脂としてネオペンチルグリコールを６０モル％共重合した共重合ポリエステル（ＮＰＧ６０、融点１６９℃）を用いた。それ以外は実施例１と同様に行い離型フィルムを得た。

（比較例８）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、イソフタル酸を４モル％共重合した共重合ポリエステル（ＩＰＡ４、融点２４５℃）のみを用いた以外は実施例１と同様に行って離型フィルムを得た。

（比較例９）
基材フィルムとしてＰＢＴを用いず、アジピン酸を８モル％共重合した共重合ポリエステル（ＡＤ８、融点２３５℃）のみを用いた以外は、実施例１と同様に行って離型フィルムを得た。

（比較例１０〜１２）
基材フィルムに用いるＰＢＴの乾燥条件を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様に行って、離型フィルムを得た。

実施例１〜２０、比較例１〜１２で得られた離型フィルムの評価結果を表１に示す。

実施例１〜２０の離型フィルムは、アウトガス発生量が少なく、半導体パッケージの成形性に優れ、得られた成形品の外観は良好であった。なかでも実施例１、２、１２〜１４、１７〜２０の離型フィルムは、離型フィルムの厚さが好ましい範囲であり、基材フィルムとして好ましい乾燥条件で乾燥されたＰＢＴを好ましい範囲で含有し、離型層の厚さが好ましい範囲であったため、離型フィルムから発生するアウトガス量が少なく、離型層と基材フィルムの密着性が良好であり、モールド成形装置で加工した際、しわ、破れ、追随性、剥離強度、離型性の評価が特に良好な結果であった。

一方、比較例１の離型フィルムは、離型層を積層していなかったため、離型性が発現しなかった。このため、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。モールド成型装置で加工すると、金型を開けた際にフィルムがパッケージから剥がれず、それをきっかけとしてフィルムが破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。

比較例２の離型フィルムは、基材フィルムが未延伸のポリエステルフィルムであり、二軸配向されていなかったため、耐熱性に劣り、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。また、しわを評価するための高温条件下で大きく収縮してしわが発生し、離型性に劣り、フィルムも破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。

比較例３の離型フィルムは、基材フィルムにＰＢＴを用いなかったために、追随性に劣り、また、しわも発生しやすく、さらにそのしわ部をきっかけとしてフィルムが破れる現象が頻繁に発生した。

比較例４の離型フィルムは、ＰＢＴ以外に融点が１７０℃以上である樹脂を用いなかったために、追随性に劣り、また、しわも発生しやすく、さらにそのしわ部をきっかけとしてフィルムが破れる現象が頻繁に発生した。

比較例５および６の離型フィルムは、ＰＢＴを用いずに融点の低いＰＬＡや、結晶性が低く融点のないＣＨＤＭ３０を第一樹脂として用いたために、耐熱性に劣り、フィルムを剥離する際に、同フィルムが破壊し、剥離強度を測定することができなかった。また、しわを評価するための高温条件下で大きく収縮してしわが発生し、離型性に劣り、フィルムも破れた。パッケージにはフィルムの破片が付着しており、パッケージの状態にもとづく追随性の評価はできなかった。

比較例７の離型フィルムは、融点の低いＮＰＧ６０を用いたが、その樹脂比率が低いため、剥離強度は測定できた。しかし、ＰＢＴを用いなかったため、実際の成型時には、繰り返し成型を行うことで、しわやフィルムの一部が溶けて破れる現象が頻繁に発生した。成型時に破れの発生しなかったものについては、追随性は良好であった。

比較例８の離型フィルムは、ＰＢＴを用いなかったために、耐熱性に劣り、また、しわも発生しやすく、さらにそのしわ部をきっかけとしてフィルムが破れる現象が頻繁に発生した。

比較例９の離型フィルムは、ＰＢＴを用いなかったために、耐熱性に劣り、しわが発生した。モールド成型装置で加工すると、発生したしわが離形性を阻害した。さらにそのしわ部をきっかけとして、また、フィルムの強度も不足していたため、フィルムが破れた。成型時に破れが発生しなかったものについては、追随性は良好であった。

比較例１０〜１２のフィルムは、ＰＢＴに含有されている残存テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）量が多かったため、離型フィルムからのアウトガス発生量が多くなり、離型層の密着性が低下した。

比較例１〜１２の離型フィルムにおいて、所要の全ての性能（しわ、離型性、破れ、追随性、離型層の密着性）を同時に満足するものは無かった。

Claims (5)

1. 基材フィルムに離型層が積層された離型フィルムであって、
   基材フィルムが、ポリブチレンテレフタレート樹脂と融点が１７０℃以上である樹脂とを含有する二軸配向ポリエステルフィルムであり、基材フィルムを構成するポリエステル樹脂がポリブチレンテレフタレート樹脂を３０〜９３質量％含有し、
   当該離型フィルムをヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間熱処理することにより発生するアウトガス量が６０μｇ／ｇ未満であることを特徴とする半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
2. 融点が１７０℃以上である樹脂がポリエチレンテレフタレート樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
3. 基材フィルムを構成するポリエステル樹脂が、ポリエチレンテレフタレート樹脂を７〜７０質量％含有するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
4. ポリブチレンテレフタレート樹脂が、ヘリウムガス雰囲気下で１７０℃、３０分間熱処理することにより発生するテトラヒドロフラン量が８００μｇ／ｇ未満であることを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の半導体パッケージの製造工程用離型フィルム。
5. 請求項１〜４いずれか記載の離型フィルムを製造するための方法であって、二軸配向した基材フィルムの上に離型層を塗布して積層することを特徴とする半導体パッケージの製造工程用離型フィルムの製造方法。

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