JP6967707B2 - 高周波加熱装置 - Google Patents

Description

本開示は、電子レンジなどの高周波加熱装置に関する。

従来、表面波伝送線路にマイクロ波を供給して、食品などの加熱対象物を加熱する高周波加熱装置が開発されている。

例えば、特許文献１は、表面波伝送線路に直接的にマイクロ波を供給することで、表面波伝送線路に載置された冷凍寿司を解凍する高周波加熱装置を開示する。

特開平８−１６６１３３号公報

高周波加熱装置の分野では、加熱対象物を効率的に加熱することが長年の課題である。本開示は、上記課題の解決に寄与する高周波加熱装置を提供することを目的とする。

本開示の一態様の高周波加熱装置は、生成部と表面波励振体と第１結合部と再利用部とを備える。

生成部はマイクロ波を生成する。表面波励振体は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱する。第１結合部は、表面波励振体の一つの端部に設けられる。第１結合部を介して、生成部により生成されたマイクロ波が表面波励振体に供給される。

再利用部は、表面波励振体の一つの端部からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用する。

本態様によれば、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。

図１は、実施の形態１に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す縦断面図である。 図２は、実施の形態１に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。 図３は、実施の形態２に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。 図４は、実施の形態３に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。 図５は、実施の形態３に係る表面波励振体の構成を示す斜視図である。 図６は、実施の形態３に係る表面波励振体の構成を示す斜視図である。 図７は、実施の形態４に係る高周波加熱装置の構成を模式的に示す横断面図である。

本開示の第１の態様の高周波加熱装置は、態様の高周波加熱装置は、生成部と表面波励振体と第１結合部と再利用部と整合部とを備える。

生成部はマイクロ波を生成するように構成される。表面波励振体は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成される。第１結合部は、表面波励振体の一つの端部に設けられる。第１結合部を介して、生成部により生成されたマイクロ波が表面波励振体に供給される。

再利用部は、表面波励振体の一つの端部からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用するように構成される。

再利用部は、表面波励振体の別の端部に設けられ、整合部は、別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、インピーダンス整合によりモード変換するように構成される。

本開示の第２の態様の高周波加熱装置は、生成部と表面波励振体と第１結合部と再利用部とを備え、生成部はマイクロ波を生成するように構成される。表面波励振体は、周期構造体を有し、マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成される。第１結合部は、表面波励振体の一つの端部に設けられる。第１結合部を介して、生成部により生成されたマイクロ波が表面波励振体に供給される。再利用部は、表面波励振体の一つの端部からマイクロ波の伝播方向に位置する表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードのマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用するように構成される。周期構造体は、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する。

本開示の第３の態様の高周波加熱装置によれば、第１または第２の態様において、再利用部は、表面波励振体の別の端部に設けられ、表面波励振体の別の端部に到達したマイク
ロ波を反射するように構成された反射部を含む。

本開示の第４の態様の高周波加熱装置によれば、第３の態様において、反射部は、表面波励振体の別の端部を覆う導波管である。

本開示の第５の態様の高周波加熱装置は、第１の態様に加えて、直流電力を蓄える蓄電部をさらに備える。再利用部は、整合部によりモード変換されたマイクロ波を直流電力に変換し、直流電力を蓄電部に供給するように構成された変換部をさらに含む。

本開示の第６の態様の高周波加熱装置によれば、第１の態様において、再利用部は、表面波励振体のいずれかの端部に設けられた第２結合部と、整合部と第２結合部とを接続するマイクロ波伝送線とをさらに含む。

本開示の第７の態様の高周波加熱装置によれば、第１または２の態様において、表面波励振体は、第１結合部を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波を伝播させる第１部分と、第１部分に接続され、表面波の伝播方向を変更するように構成された第２部分と、第２部分に接続され、変更された伝播方向に表面波を伝播させる第３部分と、を含む。本態様において、再利用部は第２部分および第３部分である。

以下、本開示に係る高周波加熱装置の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。本開示の高周波加熱装置は、具体的には電子レンジである。しかし、本開示の高周波加熱装置はこれに限定されるものではなく、誘電加熱を利用した加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などを含む。

以下の説明において、同一または同等の構成要素には同じ参照符号を付し、重複する説明を省略する。

（実施の形態１）
＜全体構成＞
図１、図２はそれぞれ、本開示の実施の形態１に係る高周波加熱装置１ａの構成を模式的に示す縦断面図、横断面図である。

図１、図２に示すように、高周波加熱装置１ａは、加熱室２と生成部８と表面波励振体１０と結合部１２と反射部１４と制御部１６とを備える。高周波加熱装置１ａは、載置台４の上に載置された加熱対象物６を、表面波励振体１０の表面を表面波モードで伝播するマイクロ波によって加熱するように構成される。

なお、図２は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体１０を伝播する様子、および、載置台４（図２では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。

以下、各構成要素について説明する。

＜生成部＞
生成部８は、マグネトロンとインバータとを有し、制御部１６の制御の下、マイクロ波を生成するように構成される。固体発振器と電力増幅器とが生成部８を構成してもよい。

＜表面波励振体＞
表面波励振体１０は、載置台４の下方に設けられる。表面波励振体１０は、マイクロ波を表面波モードで伝播させて、載置台４に載置された加熱対象物６を加熱する。

表面波励振体１０は、金属周期構造体であるスタブ型表面波励振体である。表面波励振体１０は、金属板１３上に所定間隔で配置された複数の金属板１１を有する。

表面波励振体１０は、スタブ型表面波励振体ではなく、金属板を交差指状に打ち抜いたインターデジタル型表面波励振体でもよい。表面波励振体１０は、金属周期構造体ではなく、アルミナ板、ベークライト板などの誘電体板で構成されてもよい。

表面波励振体１０の励振周波数は、材料、寸法などに依存する。スタブ型表面波励振体の場合、金属板１１の高さ、間隔などを適切に選択することで、励振周波数を所望の値に設定することができる。一般的に、表面波励振体１０の励振周波数は、金属板１１の高さが低いほど高く、金属板１１の間隔が狭いほど高い。

金属板１１の各々は、互いに平行に配置される。表面波励振体１０は、金属板１１に垂直な方向、すなわち金属板１１の配列方向に表面波を伝播させる。表面波励振体１０上を、表面波モードで伝播するマイクロ波の伝播方向は、金属板１１の配列方向と一致する。

＜結合部＞
表面波励振体１０の一つの端部（図１、図２では表面波励振体１０の左端）である給電辺１５に、結合部１２が設けられる。生成部８で生成されたマイクロ波は、結合部１２を介して給電辺１５から表面波励振体１０に供給される。本実施の形態では、結合部１２は方形導波管である。結合部１２は第１結合部に相当する。

＜反射部＞
終端辺１７を覆うように、反射部１４が設けられる。終端辺１７は、給電辺１５から伝播方向Ｄ１に位置する表面波励振体１０の別の端部（図１、図２では表面波励振体１０の右端）である。反射部１４は、表面波励振体１０の表面を伝播した表面波モードのマイクロ波を終端辺１７で全反射する。本実施の形態では、反射部１４は方形導波管である。

＜表面波励振体の作用＞
表面波励振体１０の作用について、図２を用いて説明する。

図２に示すように、生成部８により生成されたマイクロ波は、結合部１２を介して給電辺１５から表面波励振体１０に供給される。

マイクロ波の供給により、表面波励振体１０の表面を伝播する表面波Ｓ１が発生する。表面波Ｓ１は、伝播方向Ｄ１（図では左から右への方向）に伝播し、加熱対象物６を下方から加熱する。

表面波Ｓ１のうちの一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに、表面波励振体１０の表面を伝播方向Ｄ１にさらに伝播し、表面波励振体１０の終端辺１７に到達する。反射部１４は、表面波Ｓ２を終端辺１７で反射し、表面波Ｓ２の伝播方向を反転させる。表面波Ｓ２の伝播方向は、伝播方向Ｄ１から伝播方向Ｄ２（図では右から左への方向）に変更される。

反射部１４により反射された表面波Ｓ２は、表面波励振体１０の表面を終端辺１７から給電辺１５に向かって伝播し、加熱対象物６を下方から加熱する。

従来の高周波加熱装置は、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体の終端辺に到達した表面波モードのマイクロ波を空間に放射していた。空間に放射されたマイクロ波は加熱対象物６の加熱に寄与しないため、マイクロ波のエネルギーの利用効率は低下する。

本実施の形態では、表面波Ｓ１だけでなく、反射部１４により反射された表面波Ｓ２によっても、加熱対象物６が加熱される。このようにして、高周波加熱装置１ａは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。

すなわち、本実施の形態では、反射部１４が、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体の終端辺に到達したマイクロ波を再利用するように構成された再利用部に相当する。

（実施の形態２）
本開示の実施の形態２に係る高周波加熱装置１ｂについて、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図３は、高周波加熱装置１ｂの構成を模式的に示す横断面図である。図３は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体１０を伝播する様子、および、載置台４（図３では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。

実施の形態１では、表面波励振体１０の終端辺１７に到達した表面波Ｓ２を反射することで、マイクロ波の再利用が行われる。一方、実施の形態２では、インピーダンス整合により、表面波モードのマイクロ波を別のモードのマイクロ波に変換することで、マイクロ波の再利用が行われる。

図３に示すように、高周波加熱装置１ｂは、反射部１４の代わりに、整合部２２と変換部２４とを備える。本実施の形態では、整合部２２と変換部２４とが再利用部に相当する。高周波加熱装置１ｂはさらに蓄電部２６を備える。

整合部２２は、表面波励振体１０の終端辺１７に接続される。変換部２４は、マイクロ波伝送線２３を介して整合部２２に接続され、直流電力伝送線２５を介して蓄電部２６に接続される。蓄電部２６は生成部８に接続され、生成部８に電力を供給する。

整合部２２は、マイクロ波に対してインピーダンス整合を行うように構成されたインピーダンス整合器である。インピーダンス整合により、表面波モードのマイクロ波を同軸モードのマイクロ波または導波管モードのマイクロ波に変換することができる。以下、これをインピーダンス整合によるモード変換という。

表面波モードのマイクロ波を導波管モードへ変換する場合には、整合部２２が、階段状のスタブ構造を有してもよい。表面波モードのマイクロ波を同軸モードのマイクロ波に変換する場合には、整合部２２が、表面波モードのマイクロ波を導波管モードのマイクロ波に変換し、その後、同軸モードのマイクロ波に変換する２段階の構成を有してもよい。整合部２２はこれらに限らず、種々の構成を採り得る。

マイクロ波伝送線２３は、例えば、同軸線路または導波管路により構成することができる。本実施の形態によれば、整合部２２により、表面波モードのマイクロ波が同軸モードまたは導波管モードに変換される。このため、マイクロ波伝送線２３を介して、別の構成要素である変換部２４にマイクロ波を伝送することができる。

変換部２４は、交流電力であるマイクロ波を直流電力に変換する部材である。変換部２４には、例えばレクテナ（Rectifying antenna）を用いてもよい。

上記構成において、結合部１２を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波Ｓ１によって加熱対象物６が加熱される。加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体１０を伝播した表面波Ｓ２が終端辺１７に到達する。

整合部２２は、終端辺１７に到達した表面波モードのマイクロ波（表面波Ｓ２）を、インピーダンス整合によりモード変換し、同軸モードまたは導波管モードのマイクロ波を生成する。整合部２２は、モード変換されたマイクロ波を、マイクロ波伝送線２３を介して変換部２４に伝送する。

変換部２４は、そのマイクロ波を直流電力に変換し、直流電力伝送線２５を介して直流電力を蓄電部２６に伝送する。蓄電部２６は、直流電力を生成部８に供給する電力として蓄える。

以上のように、高周波加熱装置１ｂは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、整合部２２および変換部２４を用いて直流電力に変換する。その直流電力は蓄電部２６に蓄えられ、必要な場合に生成部８に供給される。

このようにして、高周波加熱装置１ｂは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。

（実施の形態３）
本開示の実施の形態３に係る高周波加熱装置１ｃについて、実施の形態２との相違点を中心に説明する。図４は、高周波加熱装置１ｃの構成を模式的に示す横断面図である。図４は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体２０を伝播する様子、および、載置台４（図４では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。

図４に示すように、高周波加熱装置１ｃは、変換部２４と蓄電部２６とを備えず、その代わりに結合部３２を備える。高周波加熱装置１ｃは、表面波励振体１０の代わりに表面波励振体２０を備える。表面波励振体２０は、実施の形態２に係る表面波励振体１０の構成と異なる構成を有する。結合部３２は第２結合部に相当する。

高周波加熱装置１ｃは、結合部１２に加えて結合部３２を有する。結合部３２は、給電辺１５および終端辺１７以外の表面波励振体２０の端部である給電辺３３に設けられる。本実施の形態では、表面波励振体２０は、平面視で略正方形の形状を有し、結合部３２は、給電辺１５に直交する給電辺３３に設けられる。結合部３２は、マイクロ波伝送線３１を介して整合部２２に接続される。

このように構成において、結合部１２を介して供給されるマイクロ波から得られた表面波Ｓ１によって、加熱対象物６が加熱される。表面波Ｓ１のうちの一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに表面波励振体１０を伝播し、終端辺１７に到達する。

整合部２２は、終端辺１７に到達した表面波モードのマイクロ波（表面波Ｓ２）をインピーダンス整合によりモード変換し、同軸モードまたは導波管モードのマイクロ波を生成する。整合部２２は、モード変換されたマイクロ波を、マイクロ波伝送線３１を介して結合部３２に伝送する。

このマイクロ波は、結合部３２を介して、給電辺３３から表面波励振体２０に供給される。このマイクロ波から、表面波Ｓ１、Ｓ２の伝播方向Ｄ１と直交する伝播方向Ｄ３に伝播する表面波Ｓ３が生じる。表面波Ｓ３によっても加熱対象物６が加熱される。すなわち、本実施の形態では、整合部２２と結合部３２とが再利用部に相当する。

本実施の形態に係る表面波励振体２０は、ピン型スタブ構造を有する。ピン型スタブ構
造とは、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する周期構造体である。

図５、図６は、ピン型スタブ構造の例を示している。図５に示す表面波励振体２０は、四角柱形状のピン２０ａを有する。図６に示す表面波励振体２０は、円柱形状のピン２０ｂを有する。表面波励振体２０では、ピンの配列方向に沿って、すなわち、ピンが配置された水平面に平行な任意の方向に表面波が伝播することができる。

以上のように、高周波加熱装置１ｃは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、結合部３２を介して表面波励振体２０に供給し直す。このようにして、高周波加熱装置１ｃは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。

（実施の形態４）
本開示の実施の形態４に係る高周波加熱装置１ｄについて、実施の形態１との相違点を中心に説明する。図７は、高周波加熱装置１ｄの構成を模式的に示す横断面図である。図７は、表面波モードのマイクロ波が表面波励振体３０を伝播する様子、および、載置台４（図７では不図示）上の加熱対象物６の載置位置を模式的に示している。

高周波加熱装置１ｄは、再利用部である反射部１４を備えず、その形状により加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を再利用することが可能な表面波励振体３０を備える。

図７に示すように、表面波励振体３０は、平面視においてＵ字状に湾曲した形状を有する。具体的には、表面波励振体３０は、直線部３０ａと、湾曲部３０ｂと、直線部３０ｃとを有する。加熱対象物６は直線部３０ａ、３０ｃにまたがるように、載置台４（不図示）に載置される。直線部３０ａ、湾曲部３０ｂ、直線部３０ｃは、第１部分、第２部分、第３部分にそれぞれ相当する。

直線部３０ａは、平面視において直線状に延在し、結合部１２を介して供給されたマイクロ波から得られた表面波Ｓ１を伝播方向Ｄ１に伝播させる。表面波Ｓ１の一部である表面波Ｓ２は、加熱対象物６に吸収されずに直線部３０ａをさらに伝播し、直線部３０ａの終端に到達する。

湾曲部３０ｂは、平面視において中心角が１８０度の扇形形状を有し、直線部３０ａと直線部３０ｃを接続する。直線部３０ａから湾曲部３０ｂに伝播方向Ｄ１に伝播した表面波Ｓ２は、湾曲部３０ｂから直線部３０ｃに伝播方向Ｄ２に伝播する。すなわち、湾曲部３０ｂは、表面波Ｓ２の伝播方向を変更する。本実施の形態では、表面波Ｓ２の伝播方向は反転する。

直線部３０ｃは、湾曲部３０ｂに接続されて平面視において直線状に延在する。直線部３０ｃは、湾曲部３０ｂにより伝播方向が反転された表面波Ｓ２を伝播方向Ｄ２に伝播させる。

上記構成によれば、結合部１２を介して供給されたマイクロ波が直線部３０ａを伝播することで得られた表面波Ｓ１によって、加熱対象物６が加熱される。それに加えて、湾曲部３０ｂにより反転された伝播方向に直線部３０ｃを伝播する表面波Ｓ２によっても、加熱対象物６が加熱される。

本実施の形態では、再利用部は、実施の形態１、２のように反射部１４、整合部２２な
どの別部材により構成されない。表面波励振体３０に含まれた湾曲部３０ｂおよび直線部３０ｃが再利用部として機能する。

以上のように、高周波加熱装置１ｄは、加熱対象物６に吸収されなかったマイクロ波を、再度、加熱対象物６の加熱のために用いる。このようにして、高周波加熱装置１ｄは、加熱対象物に吸収されなかったマイクロ波を、加熱対象物の加熱のために再利用することができる。その結果、マイクロ波のエネルギーの利用効率を向上させることができる。

以上、実施の形態１〜４について説明したが、本開示はこれらの実施の形態に限定されるものではない。

例えば、実施の形態１では、反射部１４が、表面波励振体１０の終端辺１７を覆うように設けられる。しかし、表面波を反射させることができれば、他の構成も適用可能である。例えば、反射部１４が表面波励振体１０の全体を覆うようにしもよい。

実施の形態１では、表面波励振体１０に含まれた金属板１１が全て同じ高さを有する。しかし、例えば、反射部１４に覆われた金属板１１が、終端辺１７に近づくにつれて段階的に低くなる高さを有してもよい。この構成により、表面波をより精度良く反射することができる。

実施の形態２では、変換部２４の例としてレクテナが挙げられる。しかし、マイクロ波を直流電力に変換することができれば、これに限定されるものではない。

実施の形態３では、結合部３２は、給電辺１５および終端辺１７以外の表面波励振体２０の端部である給電辺３３に設けられる。しかし、給電辺１５または終端辺１７に給電辺３３が設けられてもよい。

本開示では、実施の形態３に係る表面波励振体２０だけがピン型スタブ構造を有する。しかし、実施の形態１，２に係る表面波励振体１０、実施の形態４に係る表面波励振体３０がピン型スタブ構造を有してもよい。

実施の形態４では、表面波励振体３０はＵ字形状を有する。しかし、表面波励振体３０を伝播した表面波Ｓ２の伝播方向を変更するものであれば、表面波励振体３０の形状は、これに限るものではない。

本開示は、電子レンジ、乾燥装置、陶芸用加熱装置、生ゴミ処理機、半導体製造装置などに適用可能である。

１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ 高周波加熱装置
４ 載置台
６ 加熱対象物
８ 生成部
１０，２０，３０ 表面波励振体
１２ 結合部（第１結合部）
１４ 反射部（再利用部）
１５ 給電辺（表面波励振体の一つの端部）
１６ 制御部
１７ 終端辺（表面波励振体の別の端部）
２０ａ，２０ｂ ピン
２２ 整合部（再利用部）
２３，３１ マイクロ波伝送線
２４ 変換部（再利用部）
２５ 直流電力伝送線
２６ 蓄電部
３０ａ 直線部（第１部分）
３０ｂ 湾曲部（第２部分）
３０ｃ 直線部（第３部分）
３２ 結合部（第２結合部、再利用部）
３３ 給電辺

Claims (7)

1. マイクロ波を生成するように構成された生成部と、
   周期構造体を有し、前記マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成された表面波励振体と、
   前記表面波励振体の一つの端部に設けられ、前記生成部により生成された前記マイクロ波が前記表面波励振体に供給される第１結合部と、
   前記表面波励振体の前記一つの端部から前記マイクロ波の伝播方向に位置する前記表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードの前記マイクロ波を、前記加熱対象物の加熱のために再利用するように構成された再利用部と、を備え、
   前記再利用部が、前記表面波励振体の前記別の端部に設けられ、前記別の端部に到達した表面波モードの前記マイクロ波を、インピーダンス整合によりモード変換するように構成された整合部を含む高周波加熱装置。
2. マイクロ波を生成するように構成された生成部と、
   周期構造体を有し、前記マイクロ波を表面波モードで伝播させて加熱対象物を加熱するように構成された表面波励振体と、
   前記表面波励振体の一つの端部に設けられ、前記生成部により生成された前記マイクロ波が前記表面波励振体に供給される第１結合部と、
   前記表面波励振体の前記一つの端部から前記マイクロ波の伝播方向に位置する前記表面波励振体の別の端部に到達した表面波モードの前記マイクロ波を、前記加熱対象物の加熱のために再利用するように構成された再利用部と、を備え、
   前記周期構造体が、水平方向に周期的に配置された複数の柱状のピンを有する高周波加熱装置。
3. 前記再利用部が、前記表面波励振体の前記別の端部に設けられ、前記表面波励振体の前記別の端部に到達した前記マイクロ波を反射するように構成された反射部を含む請求項１または２に記載の高周波加熱装置。
4. 前記反射部が、前記表面波励振体の前記別の端部を覆う導波管である請求項３に記載の高周波加熱装置。
5. 直流電力を蓄える蓄電部をさらに備えた高周波加熱装置であって、
   前記再利用部が、前記整合部によりモード変換された前記マイクロ波を直流電力に変換し、前記直流電力を前記蓄電部に供給するように構成された変換部をさらに含む請求項１に記載の高周波加熱装置。
6. 前記再利用部が、前記表面波励振体のいずれかの端部に設けられた第２結合部と、前記整合部と前記第２結合部とを接続するマイクロ波伝送線と、をさらに含む請求項１に記載の高周波加熱装置。
7. 前記表面波励振体が、前記第１結合部を介して供給された前記マイクロ波から得られた表面波を伝播させる第１部分と、前記第１部分に接続され、前記表面波の伝播方向を変更するように構成された第２部分と、前記第２部分に接続され、変更された伝播方向に前記表面波を伝播させる第３部分と、を含み、
   前記再利用部が前記第２部分および前記第３部分である請求項１または２に記載の高周波加熱装置。
   

Images