JP6956139B2 - 排ガス浄化フィルタ - Google Patents
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多数の細孔121が形成された隔壁(12)と、該隔壁によって区画され、排ガス(G)の流路を形成する複数のセル(13)とを有するハニカム構造部(10)と、
上記セルにおける上記排ガスの流入端面(14)又は流出端面(15)を互い違いに閉塞する目封止部(16)と、を備え、
上記隔壁の壁厚方向での断面において、上記細孔は、上記セルに面する流路面(125、125a、125b)に開口し、かつ開口径A1が50μm以上となる開口端(126)を有し、上記隔壁は、上記開口端の両端から上記壁厚方向に沿って該開口端とは反対側の流路面(125、125b、125a)に向けて伸びる一対の仮想線に挟まれる領域(A)内に、細孔径が5μm以上であってかつ上記領域内での細孔径が最小となる狭小部(127)を有し、該狭小部の細孔径A2が上記開口径A1の6%以上かつ20%以下である、排ガス浄化フィルタにある。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
排ガス浄化フィルタ1に係る実施形態について、図1〜図6を参照して説明する。図1〜図3に例示されるように、排ガス浄化フィルタ1は、ハニカム構造部10と目封止部16とを有する。ハニカム構造部10は、例えば、コージェライトなどのセラミックスから構成され、外皮11、隔壁12、セル13を有する。
次に、細孔制御を行っていない従来の排ガス浄化フィルタについて図7を参照しながら説明する。図7には、本形態の排ガス浄化フィルタの隔壁92を示す。図7(a)及び(b)は、隔壁92の連通孔(つまり、細孔911、912)の形状を簡略化し、連通孔を模式的に示すものである。図7(a)及び(b)に示されるように、排ガス浄化フィルタの隔壁92には、細孔径の異なる様々な細孔911、912が形成されている。本形態では、説明の便宜のため、細孔911、912を、細孔径が大きな大サイズの細孔911と、細孔径が小さな小サイズの細孔912との二つに分類して説明する。
本例では、表1に示すようにA2/A1×100の値が異なる複数の排ガス浄化フィルタ1を製造する。そして、排ガス浄化フィルタ1の隔壁12に、HC浄化触媒を含む触媒層17を形成し、HC浄化率、圧損を比較評価する。排ガス浄化フィルタ1は、直径118mm、軸方向Yの長さ122mmの円柱状であり、コージェライトを主成分とする。本例の排ガス浄化フィルタ1は、軸方向Yと直交方向でのセル13の断面形状が四角形である。セル密度は、300cpsiであり、隔壁12の厚みは、0.220mmである。触媒層17の担持量は65g/Lである。
触媒層17が形成されていない状態、具体的には触媒層形成前の排ガス浄化フィルタ1について測定した。排ガス浄化フィルタ1の隔壁12の断面の走査型電子顕微鏡像に基づいて、実施形態1で示す開口径A1と狭小部127の細孔径A2とを測定した。走査型電子顕微鏡のことを以下適宜「SEM」という。SEM像の観察位置を図8(a)〜(c)に示す。図8(a)〜(c)に示されるように、観察位置は、排ガス浄化フィルタ1における直径の中心部を通る軸方向Yの、中央部分1a、流入端面14側の目封止部16の直ぐ内側部分1b、流出端面15側の目封止部16の直ぐ内側部分1cの3か所である。SEMとしては、(株)日立ハイテクノロジーズ製のS−3400Nを用い、加速電圧:15.0kV、倍率:300倍という条件で隔壁断面のSEM像を得た。SEM像は、反射電子像である。その一例を図9(a)に示す。図9(a)は、触媒層形成前の排ガス浄化フィルタ1(具体的には、基材)の隔壁断面のSEM像である。図9(a)に示されるように、隔壁12には、多数の細孔121が形成されており、その多くが連通孔121cである。
触媒層17が形成されていない状態、具体的には触媒層形成前の排ガス浄化フィルタ1について測定した。排ガス浄化フィルタ1の隔壁12から測定サンプルを採取し、その測定サンプルの気孔率および平均細孔径を、水銀圧入法の原理を用いた水銀ポロシメータにより測定した。測定サンプルは、SEM像の観察位置と同じ、3か所の位置から採取した。測定サンプルは、軸方向Yの長さが1cm、壁厚方向の厚みが1cm、軸方向と壁厚方向に直交する長さが1cmの略直方体である。各測定サンプルの気孔率、平均細孔径の算術平均値を測定結果とした。平均細孔径は、平均気孔径とも呼ばれる。水銀ポロシメータとしては、島津製作所社製のオートポアIV9500を用いた。
気孔率(%)=総細孔容積/(総細孔容積+1/コージェライトの真比重)×100
触媒層17が形成されていない状態、具体的には触媒層形成前の排ガス浄化フィルタ1について測定した。水銀圧入法の原理を用いた水銀ポロシメータにより、各測定サンプルの細孔径分布を調べた。測定は、上述の気孔率、平均細孔径と同様の方法、条件で行った。細孔径分布から、細孔径が11μm以下の細孔の容積率を求めた。
触媒層17が形成された状態、具体的には触媒層形成後の排ガス浄化フィルタ1について測定した。排ガス浄化フィルタ1の隔壁断面のSEM像に基づいて、実施形態1で示す厚みT1、T2を測定した。走査型電子顕微鏡のことを以下適宜「SEM」という。SEM像の観察位置は、開口端126の開口径A1と狭小部127の細孔径A2の測定と同様の3箇所である。SEMとしては、(株)日立ハイテクノロジーズ製のS−3400Nを用い、加速電圧:15.0kV、倍率:300倍という条件で隔壁断面のSEM像を得た。SEM像は反射電子像である。その一例を図10(a)に示す。図10(a)は、触媒層形成後の排ガス浄化フィルタ1の隔壁断面のSEM像である。
触媒層17が形成された状態、具体的には触媒層形成後の排ガス浄化フィルタ1について測定した。図11に示されるように、排ガス浄化フィルタ1を排気量2.0L、自然吸気、4気筒のガソリン直噴エンジンEの排気管P内に取り付けた。具体的には、排ガス浄化フィルタ1に図示しないセラミックマットを巻き付けて、フィルタケースC内に挿入した。次いで、エンジンEの排気管PにフィッティングコーンFを介してフィルタケースCを連結し、排ガス浄化フィルタ1にエンジンEからの排ガスを流した。次いで、A/Fセンサ8によりA/F(つまり空燃比:空気/燃料)をモニタしながらその値を14.4にコントロールし、吸入空気量10g/s、エンジンEの回転数1500rpmという条件にて、ガス濃度計7により排ガス中のHC濃度を測定した。ガス濃度計7としては、排ガス浄化フィルタ1に流入する前の入り側のHC濃度を測定するための第1ガス濃度計71と、排ガス浄化フィルタ1から流出する出側のHC濃度を測定するための第2ガス濃度計72を用いた。第1ガス濃度計71、第2ガス濃度計72は、いずれも(株)堀場製作所製の「MEXA−7500」である。また、A/Fセンサ8としては、排ガス浄化フィルタ1に流入する前の入り側のA/F濃度を測定するための第1のA/Fセンサ81と、排ガス浄化フィルタ1から流出する出側のA/F濃度を測定するための第2のA/Fセンサ82を用いた。A/F:14.4は、WLTCモード走行でのエンジン始動時に最頻出するA/F値である。吸入空気量10g/s、エンジン回転数1500rpmという条件は、エンジン始動時の低温環境を模擬したものであり、排ガス温度が例えば450℃以下という低温度領域になる。HC浄化率は、第1ガス濃度計71にて測定される入り側のHC濃度と、第2ガス濃度計72にて測定される出側のHC濃度とから、下記の式に基づいて算出される。
HC浄化率=100×(入り側のHC濃度−出側のHC濃度)/入り側のHC濃度
触媒層17が形成された状態、具体的には触媒層形成後の排ガス浄化フィルタ1について測定した。図12に示されるように、HC浄化率の測定と同様に、排ガス浄化フィルタ1を排気量2.0L、自然吸気、4気筒のガソリン直噴エンジンEの排気管P内に取り付けた。そして、エンジンEからの排ガスを排ガス浄化フィルタ1に流した。圧力センサ6により排ガス浄化フィルタ1の手前の圧力と排ガス浄化フィルタ1の後ろの圧力とを測定し、その差分を圧力損失として計測した。前後方向は、排ガスの流れ方向である。測定条件は、温度720℃、排ガス流量11.0m3/minとした。いずれの測定も、排ガス浄化フィルタ1内にPMが堆積していない初期状態について行った。排ガス浄化フィルタ1の手前の圧力は、第1圧力センサ61により測定され、排ガス浄化フィルタ1の後ろの圧力は、第2圧力センサ62により測定される。
10 ハニカム構造部
12 隔壁
121 細孔
126 開口端
127 狭小部
13 セル
16 目封止部
17 触媒層
Claims (5)
- HC浄化触媒を担持して用いられる排ガス浄化フィルタ(1)であって、
多数の細孔(121)が形成された隔壁(12)と、該隔壁によって区画され、排ガス(G)の流路を形成する複数のセル(13)とを有するハニカム構造部(10)と、
上記セルにおける上記排ガスの流入端面(14)又は流出端面(15)を互い違いに閉塞する目封止部(16)と、を備え、
上記隔壁の壁厚方向での断面において、上記細孔は、上記セルに面する流路面(125、125a、125b)に開口し、かつ開口径A1が50μm以上となる開口端(126)を有し、上記隔壁は、上記開口端の両端から上記壁厚方向に沿って該開口端とは反対側の流路面(125、125b、125a)に向けて伸びる一対の仮想線に挟まれる領域(A)内に、細孔径が5μm以上であってかつ上記領域内での細孔径が最小となる狭小部(127)を有し、該狭小部の細孔径A2が上記開口径A1の6%以上かつ20%以下である、排ガス浄化フィルタ。 - 上記隔壁は、水銀圧入法の原理にて測定される細孔径が11μm以下の細孔容積率が3%以上である、請求項1に記載の排ガス浄化フィルタ。
- 上記細孔容積率が20%以下である、請求項2に記載の排ガス浄化フィルタ。
- さらに、上記隔壁に担持された、上記HC浄化触媒を含有する触媒層(17)を有し、
上記触媒層の担持量が30〜150g/Lであり、
上記隔壁の上記壁厚方向での断面において、上記狭小部の周囲に形成された上記触媒層は、該狭小部を挟んで該触媒層の厚みに差を有している、請求項1〜3のいずれか1項に記載の排ガス浄化フィルタ。 - 上記隔壁の壁厚方向での断面において、上記狭小部を挟む上記触媒層の厚みのうち大きい側の厚みT1と小さい側の厚みT2とがT2/T1≦0.6の関係を満足する、請求項4に記載の排ガス浄化フィルタ。
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