JP6954848B2 - 走査電子顕微鏡および測定方法 - Google Patents
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- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 188
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 129
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 29
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 28
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 claims description 14
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 126
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 122
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 238000005136 cathodoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Images
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/31—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for cutting or drilling
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
- G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
- G01N1/286—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q involving mechanical work, e.g. chopping, disintegrating, compacting, homogenising
- G01N2001/2873—Cutting or cleaving
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24475—Scattered electron detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24485—Energy spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2804—Scattered primary beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2807—X-rays
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Description
試料にイオンビームを照射するイオンビーム鏡筒と、
前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料からの第1信号を検出する第1検出器と、
前記第1検出器からの検出信号に基づいて第1画像を生成する第1画像生成部と、
前記試料からの第2信号を検出する第2検出器と、
前記第2検出器からの検出信号に基づいて第2画像を生成する第2画像生成部と、
前記イオンビーム鏡筒および前記電子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記イオンビーム鏡筒を制御して、前記試料を一定の厚さで繰り返しスライスして前記試料の断面を繰り返し露出させる処理と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第1画像を取得する第1の測定を行う処理と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第2画像を取得する第2の測定を行う処理と、
を行い、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記厚さは、前記第1の測定の空間分解能に応じて決定され、
前記nは、前記第2の測定の空間分解能に応じて決定される。
本発明に係る走査電子顕微鏡の一態様は、
試料にイオンビームを照射するイオンビーム鏡筒と、
前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料からの第1信号を検出する第1検出器と、
前記第1検出器からの検出信号に基づいて第1画像を生成する第1画像生成部と、
前記試料からの第2信号を検出する第2検出器と、
前記第2検出器からの検出信号に基づいて第2画像を生成する第2画像生成部と、
前記イオンビーム鏡筒および前記電子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記試料の断面が、所定の間隔で繰り返し露出されるように前記イオンビーム鏡筒を制御する処理と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第1画像を取得する第1の測定を行う処理と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第2画像を取得する第2の測定を行う処理と、
を行い、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記制御部は、
前記第1画像の撮像領域の大きさおよび前記第1画像のピクセル数に基づいて、前記所定の間隔を設定し、
前記第2画像の撮像領域の大きさおよび前記第2画像のピクセル数に基づいて、前記nを設定する。
試料を一定の厚さで繰り返しスライスして前記試料の断面を繰り返し露出させる工程と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第1画像を取得する第1の測定を行う工程と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第2画像を取得する第2の測定を行う工程と、
を含み、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記厚さは、前記第1の測定の空間分解能に応じて決定され、
前記nは、前記第2の測定の空間分解能に応じて決定される。
本発明に係る測定方法の一態様は、
試料の断面を、所定の間隔で繰り返し露出させる工程と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第1画像を取得する第1の測定を行う工程と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第2画像を取得する第2の測定を行う工程と、
を含み、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記第1画像の撮像領域の大きさおよび前記第1画像のピクセル数に基づいて、前記所定の間隔を設定し、
前記第2画像の撮像領域の大きさおよび前記第2画像のピクセル数に基づいて、前記nを設定する。
まず、本実施形態に係る電子顕微鏡について図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る走査電子顕微鏡100の構成を示す図である。
次に、本実施形態に係る測定方法について説明する。本実施形態では、SEM像シリーズおよびEDSマッピング像シリーズを得るための測定方法について説明する。
SEM像を取得する測定を試料Sの断面が露出されるごとに行うことでSEM像シリーズを取得することができる。
次に、走査電子顕微鏡100の制御部50の処理について説明する。走査電子顕微鏡100では、操作部60を介して、SEM像シリーズを得るための測定条件、およびEDSマッピング像シリーズを得るための測定条件が入力されると、SEM像シリーズを得るための測定、およびEDSマッピング像シリーズを得るための測定が自動で行われる。
あるときの、1ピクセルのX方向の長さは2nm程度である。
クセルのX方向の長さの10倍程度である。そのため、EDSマッピング像の測定間隔を、SEM像の測定間隔の10倍程度に決定する。すなわち、SEM像を取得する測定が試料Sの断面が露出されるごとに行われるのに対して、EDSマッピング像を取得する測定は、試料Sの断面が10回露出するごとに行われる。
生成部42で生成されたEDSマッピング像を取得する(S108)。取得されたEDSマッピング像は、記憶部64に記憶される。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
まず、第1変形例について説明する。上述した実施形態では、ユーザーが操作部60を介してSEM像を取得する測定を行う間隔およびEDSマッピング像を取得する測定の間隔の入力することで、間隔Dおよび「n」が設定されていた。
次に、第2変形例について説明する。図8は、第2変形例に係る走査電子顕微鏡200を模式的に示す図である。以下、第2変形例に係る走査電子顕微鏡200において、上述した走査電子顕微鏡100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
マッピング像を取得する処理と同様に行われる。
Claims (7)
- 試料にイオンビームを照射するイオンビーム鏡筒と、
前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料からの第1信号を検出する第1検出器と、
前記第1検出器からの検出信号に基づいて第1画像を生成する第1画像生成部と、
前記試料からの第2信号を検出する第2検出器と、
前記第2検出器からの検出信号に基づいて第2画像を生成する第2画像生成部と、
前記イオンビーム鏡筒および前記電子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記イオンビーム鏡筒を制御して、前記試料を一定の厚さで繰り返しスライスして前記試料の断面を繰り返し露出させる処理と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第1画像を取得する第1の測定を行う処理と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第2画像を取得する第2の測定を行う処理と、
を行い、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記厚さは、前記第1の測定の空間分解能に応じて決定され、
前記nは、前記第2の測定の空間分解能に応じて決定される、走査電子顕微鏡。 - 請求項1において、
前記制御部は、
前記第1画像の撮像領域の大きさおよび前記第1画像のピクセル数に基づいて、前記厚さを設定し、
前記第2画像の撮像領域の大きさおよび前記第2画像のピクセル数に基づいて、前記nを設定する、走査電子顕微鏡。 - 試料にイオンビームを照射するイオンビーム鏡筒と、
前記試料に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料からの第1信号を検出する第1検出器と、
前記第1検出器からの検出信号に基づいて第1画像を生成する第1画像生成部と、
前記試料からの第2信号を検出する第2検出器と、
前記第2検出器からの検出信号に基づいて第2画像を生成する第2画像生成部と、
前記イオンビーム鏡筒および前記電子ビーム鏡筒を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、
前記試料の断面が、所定の間隔で繰り返し露出されるように前記イオンビーム鏡筒を制御する処理と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第1画像を取得する第1の測定を行う処理と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して前記第2画像を取得する第2の測定を行う処理と、
を行い、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記制御部は、
前記第1画像の撮像領域の大きさおよび前記第1画像のピクセル数に基づいて、前記所定の間隔を設定し、
前記第2画像の撮像領域の大きさおよび前記第2画像のピクセル数に基づいて、前記nを設定する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1の測定では、前記試料から放出された電子を検出して、走査電子顕微鏡像を取得し、
前記第2の測定では、前記試料からのX線を検出して、EDSマッピング像を取得する、走査電子顕微鏡。 - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記第1の測定では、前記試料から放出された電子を検出して、走査電子顕微鏡像を取得し、
前記第2の測定では、前記試料からの反射電子を検出して、EBSDマッピング像を取得する、走査電子顕微鏡。 - 試料を一定の厚さで繰り返しスライスして前記試料の断面を繰り返し露出させる工程と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第1画像を取得する第1の測定を行う工程と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第2画像を取得する第2の測定を行う工程と、
を含み、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記厚さは、前記第1の測定の空間分解能に応じて決定され、
前記nは、前記第2の測定の空間分解能に応じて決定される、測定方法。 - 試料の断面を、所定の間隔で繰り返し露出させる工程と、
前記試料の断面が露出されるごとに、前記試料の断面に電子ビームを照射して第1画像を取得する第1の測定を行う工程と、
前記試料の断面がn回(ただしnは2以上の整数)露出されるごとに、前記試料の断面
に電子ビームを照射して第2画像を取得する第2の測定を行う工程と、
を含み、
前記第1の測定の空間分解能は、前記第2の測定の空間分解能よりも高く、
前記第1画像の撮像領域の大きさおよび前記第1画像のピクセル数に基づいて、前記所定の間隔を設定し、
前記第2画像の撮像領域の大きさおよび前記第2画像のピクセル数に基づいて、前記nを設定する、測定方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018009998A JP6954848B2 (ja) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 走査電子顕微鏡および測定方法 |
EP19153033.6A EP3518271A1 (en) | 2018-01-24 | 2019-01-22 | Scanning electron microscope and measurement method |
US16/254,965 US10879035B2 (en) | 2018-01-24 | 2019-01-23 | Scanning electron microscope and measurement method for obtaining images of a specimen using an ion beam and an electron beam |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018009998A JP6954848B2 (ja) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 走査電子顕微鏡および測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019129072A JP2019129072A (ja) | 2019-08-01 |
JP6954848B2 true JP6954848B2 (ja) | 2021-10-27 |
Family
ID=65228329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018009998A Active JP6954848B2 (ja) | 2018-01-24 | 2018-01-24 | 走査電子顕微鏡および測定方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10879035B2 (ja) |
EP (1) | EP3518271A1 (ja) |
JP (1) | JP6954848B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6962897B2 (ja) * | 2018-11-05 | 2021-11-05 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および画像処理方法 |
CN118130515B (zh) * | 2024-05-06 | 2024-07-19 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种通过样品预定位进行软x射线显微分析方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2284524B1 (en) * | 2009-08-10 | 2014-01-15 | FEI Company | Microcalorimetry for X-ray spectroscopy |
JP6290559B2 (ja) * | 2013-09-03 | 2018-03-07 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工観察方法、断面加工観察装置 |
JP6490938B2 (ja) * | 2013-10-24 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 断面加工方法、断面加工装置 |
DE102014202363A1 (de) | 2014-02-10 | 2015-08-13 | Tridonic Gmbh & Co Kg | Spannungskonverter für den Betrieb von Leuchtmitteln |
KR102301793B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 생성 방법 및 이를 수행하기 위한 이미징 시스템 |
JPWO2016121471A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2017-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 二次粒子像から分析画像を擬似的に作成する荷電粒子線装置 |
-
2018
- 2018-01-24 JP JP2018009998A patent/JP6954848B2/ja active Active
-
2019
- 2019-01-22 EP EP19153033.6A patent/EP3518271A1/en active Pending
- 2019-01-23 US US16/254,965 patent/US10879035B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3518271A1 (en) | 2019-07-31 |
JP2019129072A (ja) | 2019-08-01 |
US10879035B2 (en) | 2020-12-29 |
US20190228948A1 (en) | 2019-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200717 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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