JP6949550B2

JP6949550B2 - ディスク装置用サスペンションの配線部材

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Publication number: JP6949550B2
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Inventors: 幸恵山田
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Description

この発明は、ディスク装置用サスペンションの配線部材に係り、特にサイドパッドを備えた配線部材に関する。

パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用サスペンションが設けられている。

ディスク装置用サスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャ(flexure)などを有している。フレキシャの先端付近に形成されたタング部に、磁気ヘッドを構成するスライダが取付けられている。スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらサスペンションとスライダなどによってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。

前記フレキシャは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。例えば配線付フレキシャ(flexure with circuit member)は、薄いステンレス鋼板からなるメタルベースと、このメタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、この絶縁層上に形成された銅からなる複数の導体を含んでいる。これら導体の少なくとも一部は、スライダに配置された素子（例えばＭＲ素子）に接続されている。

サスペンションの多機能化に伴い、フレキシャに配置される導体の数が増加している。導体を電子部品の端子に接続する手段として、超音波誘導加熱による接合や、はんだを用いる接合が知られている。はんだによって端子同士を接合する場合、一般的には上下方向の接合、すなわち一方の端子の面の上方から他方の端子の面を厚さ方向に重ね、接合する方法が知られている。これに対し導体の側面方向からの接続は、導体の厚さが小さいこともあって、十分な接続面積を得ることができず、接続の信頼性に問題があった。

特許文献１と特許文献２には、導体の先端に折曲げ部を形成し、この折曲げ部をスライダの端子に接続することが記載されている。特許文献３には、導体の先端に形成された折曲げ部を熱アシスト用素子の端子に接続することが記載されている。特許文献４には、導体の先端にめっきによって高さ調整用めっき部を形成し、この高さ調整用めっき部をスライダの端子に接続することが記載されている。

特開平５−１８２１４１号公報米国特許明細書第５８９２６３７号特開２０１６−１５１９４号公報特開２０１２−２２１５３９号公報

特許文献１，２，３の接続部は、導体の端部に折曲げ部を形成し、この折曲げ部を端子に接続している。しかし折曲げ部の形状精度が悪いと、電子部品との接続不良が生じる可能性がある。しかも微小な導体の端部に折曲げ部を正確に形成することは技術的に難しく、手間もかかるという問題がある。特許文献４に記載されている接続部は、導体の先端に高さ調整用めっき部を設けていて、メタルベースの先端がこの高さ調整用めっき部の近くまで延びている。このため、例えば溶融はんだを接合部に吹付ける接合方法（solder jet bonding）が採用された場合、はんだの一部が金属支持基板に付着する可能性があり、はんだブリッジ等の電気的なショートの原因となる懸念があった。

従って本発明の目的は、接続面積が大きく、かつ、はんだ等の導電接合材がメタルベースに付着することを抑制できるサイドパッドを備えたディスク装置用サスペンションの配線部材を提供することにある。

１つの実施形態は、ディスク装置用サスペンションの配線部材であって、例えばステンレス鋼からなるメタルベースと、前記メタルベース上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体と、前記導体を覆う電気絶縁材料からなるカバー層と、端子部とを有し、前記端子部は、前記絶縁層の一部で前記絶縁層の側部に形成され前記絶縁層が前記メタルベースと重なる部分よりも厚さが大きい厚肉部と、前記厚肉部に重なる前記導体の延長部と、前記延長部の一部で前記厚肉部の側面に沿って前記導体の厚さ方向に延び、電子部品に接続されるサイドパッド部と、前記厚肉部の一部からなり前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部との間を電気的に絶縁するサイドパッド絶縁部とを具備している。

他の実施形態の配線部材は、メタルベースと、前記メタルベース上に形成された電気絶縁材料からなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成された導体と、前記導体を覆う電気絶縁材料からなるカバー層と、端子部とを有し、前記端子部は、前記導体の端部の面上に配置され、前記導体とは別の金属部材からなり前記導体の厚さ方向に延びるサイドパッド部材と、前記絶縁層の一部からなり、前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部材との間を電気的に絶縁するサイドパッド絶縁部とを具備している。前記サイドパッド絶縁部は、前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部材との間に前記導体の長さ方向に延びる絶縁距離を有している。前記サイドパッド部材は、例えばニッケルめっきによって所定の厚さに形成され、めっきプロセスの仕様に応じてサイドパッド部材の厚さを変更することが可能である。

本実施形態の配線部材によれば、接続面積が大きいサイドパッドを介して電子部品との接続をなすことができる。しかもサイドパッドに供給されるはんだ等の導電接合材がメタルベースに付着することをサイドパッド絶縁部によって抑制することができる。また端子部にサイドパッドが設けられているため、限られた小さなスペースの端子部に、より多くの配線を接続することが可能となり、端子密度の向上を図ることができる。

ディスク装置の一例を示す斜視図。図１に示されたディスク装置の一部の断面図。同ディスク装置のサスペンションの一例を示す斜視図。第１の実施形態に係る配線部材を備えたサスペンションの一部と電子部品を示す斜視図。図４に示されたサスペンションの一部と電子部品との分解斜視図。図４に示されたサスペンションの一部と電子部品の平面図。図６に示されたサスペンションの一部と電子部品を反対側から見た底面図。図７中のＦ８−Ｆ８線に沿う配線部材の接続部を模式的に示す断面図。図８に示された配線部材の端子部の断面図。第２の実施形態に係る端子部と電子部品との接続部の断面図。第３の実施形態に係る端子部と電子部品との接続部の断面図。第４の実施形態に係る端子部と電子部品との接続部の断面図。第５の実施形態に係る端子部の断面図。第６の実施形態に係る端子部の断面図。第７の実施形態に係る端子部の断面図。第８の実施形態に係る端子部の断面図。第９の実施形態に係る端子部の断面図。第１０の実施形態に係る端子部の断面図。第１１の実施形態に係る端子部の断面図。第１２の実施形態に係る端子部の断面図。第１３の実施形態に係る端子部の断面図。第１４の実施形態に係る端子部の断面図。第１５の実施形態に係る端子部の断面図。第１６の実施形態に係る端子部の断面図。第１７の実施形態に係る端子部の断面図。第１８の実施形態に係る端子部の断面図。第１９の実施形態に係る端子部の断面図。第２０の実施形態に係る端子部の断面図。第２１の実施形態に係る端子部の断面図。

以下に第１の実施形態に係るディスク装置用サスペンションの配線部材について、図１から図９を参照して説明する。
図１に示すディスク装置（ＨＤＤ）１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転するディスク４と、ピボット軸５を中心に旋回するキャリッジ６と、キャリッジ６を旋回させるためのポジショニング用モータ７とを有している。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。

図２はディスク装置１の一部を模式的に示す断面図である。キャリッジ６にアーム８が設けられている。アーム８の先端部に、ディスク装置用サスペンション１０（これ以降は単にサスペンション１０と称す）が取付けられている。サスペンション１０の先端部に、磁気ヘッドを構成するスライダ１１が設けられている。ディスク４が高速で回転することにより、ディスク４とスライダ１１との間にエアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。サスペンション１０とスライダ１１とによって、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbal Assembly）１２が構成されている。

図３にヘッドジンバルアセンブリ１２の一例が示されている。ヘッドジンバルアセンブリ１２の構成要素であるサスペンション１０は、ベースプレート１８と、ロードビーム２０と、配線付きフレキシャ２１などを備えている。フレキシャ２１はロードビーム２０の長手方向に沿って設けられている。ロードビーム２０の基部２０ａは、ベースプレート１８と重なっている。ロードビーム２０は、ベースプレート１８を介してアーム８（図１と図２に示す）に固定される。

図４にサスペンション１０の先端部とスライダ１１とが示されている。図５は、サスペンション１０とスライダ１１とが互いに分離された状態の斜視図である。図６は、サスペンション１０の先端部とスライダ１１を一方側から見た平面図、図７はサスペンション１０の先端部とスライダ１１を反対側から見た底面図である。

フレキシャ２１は、ロードビーム２０よりも薄いステンレス鋼の板からなるメタルベース２３と、メタルベース２３に沿って形成された配線部材（circuit member）２４などを含んでいる。図６に示されるように配線部材２４はメタルベース２３に沿って配置され、メタルベース２３の長手方向に延びている。

メタルベース２３は、ステンレス鋼の板をエッチングすることにより所定の輪郭を有する形状に形成されている。メタルベース２３は、レーザ溶接等によってロードビーム２０に固定されている。メタルベース２３の一部にタング部２５が形成されている。タング部２５にスライダ１１が搭載されている。タング部２５はメタルベース２３の厚さ方向に弾性的に撓むことができる。

スライダ１１の一例は、スライダ本体１１ａと、電子部品２６とを含んでいる。電子部品２６の一例は熱アシスト装置であるが、目的に応じてそれ以外の電子部品であってもよい。電子部品２６の側面に端子２８が設けられている。メタルベース２３には、電子部品２６を挿入する開口３０が形成されている。

スライダ本体１１ａの端部には、例えばＭＲ素子等の記録／再生用の素子３１（図５に模式的に示す）が配置されている。これらの素子３１によって、ディスク４の記録面に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。スライダ本体１１ａの端面に複数の端子３５が設けられている。

ロードビーム２０の先端付近にディンプル３８（図３に示す）が形成されている。ディンプル３８の凸側の面の先端がタング部２５に接した状態において、タング部２５が揺動可能に支持される。タング部２５は、ローリング方向Ｒとピッチング方向Ｐなどに揺動することができる。

図８は、図７中のＦ８−Ｆ８線に沿う断面図であり、配線部材２４の一部が模式的に表わされている。配線部材２４は、メタルベース２３の一方の面２３ａに沿って形成された絶縁層４０と、電子部品２６の端子２８に接続される一対の導体４１と、スライダ１１の端子３５に接続される複数の導体４２（図６に示す）と、導体４１，４２を覆うカバー層４３とを含んでいる。電子部品２６の端子２８が、はんだ等の導電材料からなる導電接合材４９を介して、配線部材２４の端子部５０Ａに接続されている。

図９は、端子部５０Ａの断面を模式的に表わしている。図９中の矢印Ｚは、配線部材２４の厚さ方向（導体４１の厚さ方向）である。導体４１は銅からなり、めっきプロセスによって絶縁層４０の一方の面４０ａに沿って形成されている。導体４１の厚さＴ１（図９に示す）の一例は、それぞれ１０μｍである。絶縁層４０とカバー層４３とは、ポリイミド等の電気絶縁材料からなる。絶縁層４０の厚さＴ２は、例えば１０μｍである。

端子部５０Ａは、絶縁層４０（ベースポリイミド）の側部に形成された厚肉部５１と、導体４１の一部で厚肉部５１の一部を覆う延長部５２と、カバー層４３の延長部４３ａとを含んでいる。厚肉部５１は、絶縁層４０の側部に長さＬ１（図９に示す）にわたり形成されている。厚肉部５１の厚さＴ３は、例えば２０〜１００μｍである。厚肉部５１の厚さＴ３は、絶縁層４０の厚肉部５１以外の厚さＴ２よりも大きい。

導体４１の延長部５２の先端側（配線部材２４の側面）に、サイドパッド部５３が形成されている。サイドパッド部５３は、めっきプロセスによって導体４１の延長部５２と一体に形成されている。サイドパッド部５３は、厚肉部５１の側面５１ａに沿って導体４１の厚さ方向（図９に矢印Ｚで示す方向）に延びている。サイドパッド部５３は金めっき層６０によって覆われている。

金めっき層６０の一例は、厚さ０．１２〜２．０μｍの下地ニッケル層と、下地ニッケル層上に形成された厚さ０．５〜１．５μｍの金めっきとを含んでいる。金めっき層６０によってサイドパッド部５３の酸化が防止され、かつ、サイドパッド部５３の電気抵抗を小さくすることができる。

サイドパッド部５３の端面は、電子部品２６との電気的接続をなすためのサイドパッド６１をなしている。図８に示されるように、サイドパッド部５３は、電子部品２６の端子２８に導電接合材４９を介して電気的に接続されている。導電接合材４９の一例は、サイドパッド６１と電子部品２６の端子２８との間に供給された“はんだ”である。

図９に示されるように、サイドパッド６１の厚さ方向の長さＴ４は導体４１の厚さＴ１よりも十分大きい。サイドパッド６１は、厚肉部５１の側面５１ａに沿って導体４１の厚さ方向（厚肉部５１の厚さ方向）に延びている。導体４１の厚さＴ１は例えば１０μｍと小さいが、サイドパッド６１の厚さ方向の長さＴ４は、電子部品２６との接続をなすのに十分な大きさ（例えば５０μｍ以上）とすることができ、大きな接続面積を確保することができた。このため接続不良を防止することが可能となり、従来のパッド（上下方向の接合）とサイドパッドとの組み合わせも可能となった。

またこの端子部５０Ａは、厚肉部５１の一部からなるサイドパッド絶縁部７０を有している。サイドパッド絶縁部７０は、メタルベース２３の先端２３ｂから絶縁距離Ｇ（図９に示す）にわたって延出している。サイドパッド絶縁部７０によって、サイドパッド部５３とメタルベース２３の先端２３ｂとの間に、電気絶縁に必要な絶縁距離Ｇが確保されている。適正な絶縁距離Ｇが確保されたことにより、はんだブリッジ等の電気的なショートの原因を回避することができる。しかも厚肉部５１を備えたことにより、端子部５０Ａの強度を大きくすることができた。

図１０は第２の実施形態に係る端子部５０Ａと電子部品２６との接続部を示している。端子部５０Ａの構成は図９に示された実施形態と共通である。図１０に示す接続位置のアライメントでは、電子部品２６の下面側に設けられた端子２８とサイドパッド６１とが、互いに導電接合材４９を介して電気的に接続されている。

図１１は第３の実施形態に係る端子部５０Ａと電子部品２６との接続部を示している。端子部５０Ａの構成は図９に示された実施形態と共通である。図１１に示す接続位置のアライメントでは、電子部品２６の上面側に設けられた端子２８とサイドパッド６１の上部とが、互いに導電接合材４９を介して電気的に接続されている。

図１２は第４の実施形態に係る端子部５０Ａと電子部品２６との接続部を示している。端子部５０Ａの構成は図９に示された実施形態と共通である。図１２に示す接続位置のアライメントでは、電子部品２６の上面側に設けられた端子２８とサイドパッド６１の下部とが、互いに導電接合材４９を介して電気的に接続されている。このように接続位置のアライメントを電子部品２６との相対的な位置に応じて選択することが可能であり、選択の自由度が大きいという利点もある。

図１３は第５の実施形態に係る端子部５０Ａ´を示している。厚肉部５１を覆うカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａで覆われた上面パッド６２が形成されている。本実施形態の端子部５０Ａ´は、サイドパッド６１を電子部品に接続することもできるし、上面パッド６２を電子部品に接続することもできる。それ以外の構成は図１２に示された端子部５０Ａと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１４は第６の実施形態に係る端子部５０Ｂを示している。この端子部５０Ｂは、絶縁層４０（ベースポリイミド）の側部に形成された厚肉部５１と、厚肉部５１に重なる第１の導体４１の延長部５２と、延長部５２に重なる中間絶縁層８０と、中間絶縁層８０に重なる第２の導体９０と、カバー層４３とを含んでいる。第２の導体９０の先端側にサイドパッド部５３が形成されている。サイドパッド部５３は厚肉部５１の側面５１ａに沿って導体４１，９０の厚さ方向に延びている。

第１の導体４１と第２の導体９０とは、サイドパッド部５３を介して互いに電気的に短絡している。厚肉部５１の厚さＴ３は、絶縁層４０の厚肉部５１以外の厚さＴ２よりも大きい。サイドパッド部５３は、金めっき層６０によって覆われている。サイドパッド部５３の側面に、導体４１，９０の厚さ方向に延びるサイドパッド６１が形成されている。サイドパッド６１の長さＴ５は、導体４１の厚さＴ１よりも十分大きいため、大きな接続面積が確保されている。それ以外の構成は図９に示された端子部５０Ａと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

前記端子部５０Ｂ（図１４）は、第１の導体４１と第２の導体９０とが互いに中間絶縁層８０を介して厚さ方向に積層されている。このような積層構造は、インターリーブ回路部(interleaved circuit)に適用することができる。本実施形態の端子部５０Ｂは、インターリーブ回路部において、第１の導体４１と第２の導体９０の先端が互いにサイドパッド６１を介して電気的に短絡されている。サイドパッド６１を用いた短絡構造によれば、導体４１，９０の長手方向の途中をビア部を介して短絡させる場合と比較して、インターリーブ回路部をより長くすることができる。このため電気特性を良くすることが可能である。この点については、以下に説明する図１５，図１６，図１７に示す端子部５０Ｃ，５０Ｄ，５０Ｅも同様の効果を期待できる。

図１５は第７の実施形態に係る端子部５０Ｃを示している。サイドパッド６１の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａで覆われた上面パッド６２が形成されている。本実施形態の端子部５０Ｃは、サイドパッド６１を電子部品に接続することもできるし、上面パッド６２を電子部品に接続することもできる。それ以外の構成は図１４に示された端子部５０Ｂと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１６は第８の実施形態に係る端子部５０Ｄを示している。この端子部５０Ｄは、図１４に示された端子部５０Ｂと同様に、絶縁層４０（ベースポリイミド）の側部に形成された厚肉部５１と、厚肉部５１に沿う第１の導体４１の延長部５２と、第１の導体４１に重なる中間絶縁層８０と、中間絶縁層８０に重なる第２の導体９０と、カバー層４３とを含んでいる。第２の導体９０は、第１の導体４１の延長部５２と電気的に導通している。第２の導体９０の先端にサイドパッド部５３が形成されている。サイドパッド部５３は第１の導体４１の延長部５２と第２の導体９０とに導通している。サイドパッド部５３は、厚肉部５１の端面と延長部５２の端面に沿って導体４１の厚さ方向に延びている。サイドパッド部５３の側面に、金めっき層６０によって覆われたサイドパッド６１が形成されている。本実施形態の端子部５０Ｄも、サイドパッド６１の長さＴ６を十分大きくすることができ、広い接続面積を確保することができる。それ以外の構成は図１４に示された端子部５０Ｂと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１７は第９の実施形態に係る端子部５０Ｅを示している。サイドパッド６１の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａで覆われた上面パッド６２が形成されている。このためサイドパッド６１を電子部品に接続することもできるし、上面パッド６２を電子部品に接続することもできる。それ以外の構成は図１６に示された端子部５０Ｄと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１８は第１０の実施形態に係る端子部５０Ｆを示している。絶縁層４０の側部に設けられた厚肉部５１は、外側に向かって次第に高さが小さくなる階段状の複数の段部４０ｃを有している。これら段部４０ｃに沿って、階段状のサイドパッド部５３とサイドパッド６１とが形成されている。それ以外の構成は図９に示された端子部５０Ａと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図１９は第１１の実施形態に係る端子部５０Ｇを示している。この端子部５０Ｇはサイドパッド部材１００を有している。サイドパッド部材１００は、導体４１の端部の面４１ａ上に、めっきプロセスによって長さＭ１にわたって形成されている。サイドパッド部材１００は金属（例えばニッケル）からなり、金めっき層６０によって覆われている。サイドパッド部材１００の厚さＭ２は例えば２０〜１００μｍであり、導体４１の厚さＴ１（例えば１０μｍ）よりも大きい。サイドパッド部材１００の厚さＭ２は、めっきプロセスの仕様に応じて調整することが可能である。

本実施形態の端子部５０Ｇは、導体４１の先端の面４１ａ上にサイドパッド部材１００が配置されたことにより、導体４１の厚さ方向に長さＭ３（例えば２０μｍ以上）のサイドパッド６１を設けることができた。導体４１の厚さＴ１は小さいが、サイドパッド６１は十分な大きさの接続面積を確保することができる。またメタルベース２３の先端２３ｂとサイドパッド部材１００の後面１０１との間に、絶縁距離Ｇを有するサイドパッド絶縁部１１０が形成されている。このためサイドパッド６１に供給される導電接合材（はんだ）がメタルベース２３に付着することによる“はんだブリッジ”をサイドパッド絶縁部１１０によって抑制できる。それ以外の構成は図９に示された端子部５０Ａと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２０は第１２の実施形態に係る端子部５０Ｈを示している。サイドパッド部材１００の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａで覆われた上面パッド６２が形成されている。それ以外の構成は図１９に示された端子部５０Ｇと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２１は第１３の実施形態に係る端子部５０Ｊを示している。この端子部５０Ｊは、絶縁層４０と、導体４１と、中間絶縁層８０と、導体４１の端部の面４１ａ上に配置されたサイドパッド部材１００と、中間絶縁層８０を貫通するビア部８１と、カバー層４３とを有している。導体４１の端面とサイドパッド部材１００とが金めっき層６０で覆われている。サイドパッド部材１００とビア部８１とは、互いに共通の金属（例えばニッケル）からなる。サイドパッド部材１００の厚さＭ２は、導体４１の厚さＴ１（例えば１０μｍ）よりも大きい。導体４１の先端側に、導体４１の厚さＴ１の２倍以上の長さＭ３のサイドパッド６１が形成されている。またメタルベース２３の先端２３ｂとサイドパッド部材１００の後面１０１との間に、絶縁距離Ｇを有するサイドパッド絶縁部１１０が形成されている。このためサイドパッド６１に供給される導電接合材（はんだ）がメタルベース２３に付着することを抑制できる。ビア部８１によって端子部５０Ｊの強度を向上させることもできる。

図２２は第１４の実施形態に係る端子部５０Ｋを示している。サイドパッド部材１００の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、サイドパッド部材１００と共通の金属からなる導体１００ａが形成されている。ビア部８１はサイドパッド部材１００と共通の金属からなる。開口４３ｂの内側に配置された導体１００ａの表面が金めっき層６０ａで覆われ、上面パッド６２が形成されている。それ以外の構成は図２１に示された端子部５０Ｊと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２３は第１５の実施形態に係る端子部５０Ｌを示している。この端子部５０Ｌは、絶縁層４０の先端側に形成されたサイドパッド絶縁部１１０と、導体４１と、中間絶縁層８０と、中間絶縁層８０を貫通するビア部８１と、カバー層４３と、導体４１の端部の面４１ａ上に配置されたサイドパッド部材１００とを有している。ビア部８１とサイドパッド部材１００とは、例えばニッケルからなる。導体４１の端面とサイドパッド部材１００とが金めっき層６０によって覆われている。本実施形態の端子部５０Ｌも、導体４１とサイドパッド部材１００の厚さ方向に延びるサイドパッド６１が形成されているため、大きな接続面積を確保することができる。それ以外の構成は、図２１に示された端子部５０Ｊと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２４は第１６の実施形態に係る端子部５０Ｍを示している。サイドパッド６１の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側に、サイドパッド部材１００と一体の導体１００ａが設けられている。導体１００ａの表面が金めっき層６０ａで覆われ、上面パッド６２が形成されている。それ以外の構成は図２３に示された端子部５０Ｌと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２５は第１７の実施形態に係る端子部５０Ｎを示している。この端子部５０Ｎは、絶縁層４０の先端側に形成されたサイドパッド絶縁部１１０と、導体４１と、中間絶縁層８０と、中間絶縁層８０を貫通するビア部８１と、カバー層４３と、導体４１と導通するサイドパッド部材１００と、ビア部８１と共通の金属からなる導体８１ａとを有している。サイドパッド部材１００は金めっき層６０によって覆われている。サイドパッド部材１００とビア部８１とは、例えばニッケルからなる。サイドパッド部材１００は、導体４１，８１ａの厚さ方向に延びている。このため導体４１の先端側に長さＴ７のサイドパッド６１が形成されている。よって本実施形態の端子部５０Ｎも大きな接続面積を確保することができる。それ以外の構成は図２１に示された端子部５０Ｊと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２６は第１８の実施形態に係る端子部５０Ｐを示している。この端子部５０Ｐは、絶縁層４０の先端側に形成されたサイドパッド絶縁部１１０と、第１の導体４１と、中間絶縁層８０と、第２の導体９０と、カバー層４３と、金めっき層６０によって覆われたサイドパッド部材１００とを有している。サイドパッド部材１００は、導体４１，９０の厚さ方向に延びている。第１の導体４１と第２の導体９０とは、サイドパッド部材１００を介して互いに電気的に短絡している。サイドパッド部材１００の側面にサイドパッド６１が形成されている。

前記端子部５０Ｐ（図２６）は、第１の導体４１と第２の導体９０とが互いに中間絶縁層８０を介して厚さ方向に積層されている。このような積層構造は、インターリーブ回路部(interleaved circuit)に適用することができる。本実施形態の端子部５０Ｐは、インターリーブ回路部において、第１の導体４１と第２の導体９０の先端が互いにサイドパッド６１を介して電気的に短絡されている。サイドパッド６１を用いた短絡構造によれば、導体４１，９０の長手方向の途中をビア部を介して短絡させる場合と比較して、インターリーブ回路部をより長くすることができる。このため電気特性を良くすることが可能である。この点については、以下に説明する図２７，図２８，図２９に示す端子部５０Ｑ，５０Ｒ，５０Ｓも同様の効果を期待できる。

図２７は第１９の実施形態に係る端子部５０Ｑを示している。サイドパッド部材１００の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａによって覆われた上面パッド６２が形成されている。このためサイドパッド６１を電子部品に接続することもできるし、上面パッド６２を電子部品に接続することもできる。それ以外の構成は図２６に示された端子部５０Ｐと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

図２８は第２０の実施形態に係る端子部５０Ｒを示している。この端子部５０Ｒは、絶縁層４０の先端側に形成されたサイドパッド絶縁部１１０と、第１の導体４１と、中間絶縁層８０と、第２の導体９０の端部９０ａと、延長部４３ａを有するカバー層４３と、サイドパッド部材１００などによって構成されている。サイドパッド部材１００は、第１の導体４１と第２の導体９０とに電気的に導通している。サイドパッド部材１００が金めっき層６０によって覆われ、サイドパッド部材１００の側面にサイドパッド６１が形成されている。この端子部５０Ｒのサイドパッド６１も大きな接続面積を確保することができ、電子部品との確実な電気的接続をなすことができる。

図２９は第２１の実施形態に係る端子部５０Ｓを示している。サイドパッド部材１００の近傍のカバー層４３に開口４３ｂが形成されている。開口４３ｂの内側には、金めっき層６０ａで覆われた上面パッド６２が形成されている。このためサイドパッド６１を電子部品に接続することもできるし、上面パッド６２を電子部品に接続することもできる。それ以外の構成は図２８に示された端子部５０Ｒと共通であるため、両者に共通の箇所に共通の符号を付して説明を省略する。

なお本発明を実施するに当たり、配線部を有するサスペンションの具体的な構成をはじめとして、配線部の端子部を構成する導体の延長部、絶縁層、サイドパッド部やサイドパッド部材等の形状を、必要に応じて種々に変更して実施できることは言うまでもない。また端子部に接続される電子部品の種類も問わない。

１…ディスク装置、１０…サスペンション、１１…スライダ、１２…ヘッドジンバルアセンブリ、２０…ロードビーム、２１…フレキシャ、２３…メタルベース、２４…配線部材、２６…電子部品、２８…端子、４０…絶縁層、４１，４２…導体、４３…カバー層、４３ａ…延長部、４３ｂ…開口、４９…導電接合材、５０Ａ〜５０Ｓ…端子部、５１…厚肉部、５１ａ…厚肉部の側面、５２…延長部、５３…サイドパッド部、６０…金めっき層、６１…サイドパッド、７０…サイドパッド絶縁部、８０…中間絶縁層、８１…ビア部、１００…サイドパッド部材、１１０…サイドパッド絶縁部、Ｇ…絶縁距離。

Claims

ディスク装置用サスペンションの配線部材であって、
メタルベースと、
前記メタルベース上に形成された電気絶縁材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された導体と、
前記導体を覆う電気絶縁材料からなるカバー層と、
端子部とを有し、
前記端子部は、
前記絶縁層の一部で前記絶縁層の側部に形成され前記絶縁層が前記メタルベースと重なる部分よりも厚さが大きい厚肉部と、
前記厚肉部に重なる前記導体の延長部と、
前記延長部の一部で前記厚肉部の側面に沿って前記導体の厚さ方向に延び、電子部品に接続されるサイドパッド部と、
前記厚肉部の一部からなり、前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部との間を電気的に絶縁するサイドパッド絶縁部と、
を具備したことを特徴とするディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記サイドパッド部の側面に、金めっき層によって覆われたサイドパッドを有したことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記カバー層に開口が形成され、前記開口の内側に前記導体と導通する上面パッドを備えたことを特徴とする請求項２に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記端子部が、前記厚肉部と、前記厚肉部に重なる第１の導体と、前記第１の導体に重なる中間絶縁層と、前記中間絶縁層に重なる第２の導体と、前記第１の導体および前記第２の導体に導通しかつ前記第１の導体および第２の導体の厚さ方向に延びる前記サイドパッド部とを有したことを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記厚肉部が外側に向かって階段状に高さが小さくなる段部を有し、これら段部に沿って前記サイドパッド部が階段状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
ディスク装置用サスペンションの配線部材であって、
メタルベースと、
前記メタルベース上に形成された電気絶縁材料からなる絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された導体と、
前記導体を覆う電気絶縁材料からなるカバー層と、
端子部とを有し、
前記端子部は、
前記導体の端部の面上に配置され、前記導体とは別の金属部材からなり前記導体の厚さ方向に延びるサイドパッド部材と、
前記絶縁層の一部からなり、前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部材との間を電気的に絶縁するサイドパッド絶縁部であって、前記メタルベースの先端と前記サイドパッド部材との間に前記導体の長さ方向に延びる絶縁距離を有したサイドパッド絶縁部と、
を具備したことを特徴とするディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記サイドパッド部材の側面に、金めっき層によって覆われたサイドパッドを有したことを特徴とする請求項６に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記カバー層に開口が形成され、前記開口の内側に前記導体と導通する上面パッドを備えたことを特徴とする請求項７に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記端子部が、前記導体を覆う中間絶縁層と、前記中間絶縁層を厚さ方向に貫通し前記サイドパッド部材と共通の金属からなるビア部とを有したことを特徴とする請求項６に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。
前記端子部が、前記絶縁層と、前記絶縁層に重なる第１の導体と、前記第１の導体に重なる中間絶縁層と、前記中間絶縁層に重なる第２の導体と、前記第１の導体および前記第２の導体に導通しかつ前記第１の導体および第２の導体の厚さ方向に延びる前記サイドパッド部材とを有したことを特徴とする請求項６に記載のディスク装置用サスペンションの配線部材。