JP6944524B2 - 積層された列状集積回路 - Google Patents
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Description
本開示の例は、一般に半導体デバイスに関し、特に積層された列状集積回路(IC)に関する。
ユーザ設定可能な入力に従ってデジタル論理演算を実行するためにプログラマブル集積回路(IC)が使用される。1つの例示的なプログラマブルICは、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(FPGA)である。1つのタイプのFPGAは、プログラマブルタイルの列を含む。プログラマブルタイルは、さまざまなタイプの論理ブロックを備え、これらの論理ブロックは、たとえば入力/出力ブロック(IOB)、コンフィギュラブル論理ブロック(CLB)、専用ランダムアクセスメモリブロック(BRAM)、乗算器、デジタル信号処理ブロック(DSP)、プロセッサ、クロックマネージャ、遅延ロックループ(DLL)、バスまたはネットワークインターフェイス(周辺コンポーネント・インターコネクト・エクスプレス(PCIe)およびイーサネット(登録商標)など)などを含み得る。各プログラマブルタイルは、典型的には、プログラマブル相互接続およびプログラマブル論理を両方とも含む。プログラマブル相互接続は、典型的には、プログラマブル相互接続点(PIP)によって相互接続されたさまざまな長さの多数の相互接続線を含む。プログラマブル論理は、たとえばファンクションジェネレータ、レジスタ、算術論理などを含み得るプログラマブル要素を使用して、ユーザ設計の論理を実現する。BRAM、DSPなどの特殊リソースの列のうちのいくつかは、たとえば下部リソースから上部リソースまで一方向に沿ったカスケード接続を含み得る。カスケード接続がリソース列内に埋設されているので、それらの性能は、設計によって保証され、CLBおよびプログラマブル相互接続を使用して構築されたパイプラインよりも効率的である。
積層された列状集積回路(IC)を提供するための技術について説明する。一例では、半導体デバイスは、カスケード結合されたリソースブロックの第1の列を含む第1の集積回路(IC)ダイと、カスケード結合されたリソースブロックの第2の列を含む第2のICダイとを含み、上記第2のICダイのアクティブ側は、上記第1のICダイのアクティブ側に固定され、上記半導体デバイスはさらに、上記第1のICの上記アクティブ側と上記第2のICの上記アクティブ側との間の複数の電気接続を含み、上記複数の電気接続は、上記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列と上記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列との間に少なくとも1つの電気接続を含む。
上記の特徴を詳細に理解できるように、上で簡単に要約したさらに詳細な説明を、例示的な実現例を参照することによって行ってもよく、例示的な実現例のうちのいくつかは、添付の図面に示されている。しかし、添付の図面は、典型的な例示的な実現例を示しているに過ぎないため、その範囲を限定するものと考えられるべきではない、ということに留意されたい。
図面を参照して、さまざまな特徴について以下で説明する。図面は、一定の縮尺で描かれている場合もあればそうでない場合もあり、同様の構造または機能の要素は、図面全体を通して同様の参照番号によって表わされる、ということに留意されたい。図面は、特徴の説明を容易にすることを意図しているに過ぎない、ということに留意されたい。図面は、クレームされている発明の網羅的な説明として意図されるものではなく、クレームされている発明の範囲に対する限定として意図されるものでもない。また、図示例は、示されている全ての局面または利点を有していなくてもよい。特定の例に関連して記載される局面または利点は、必ずしも当該例に限定されるものではなく、たとえそのように図示されていなくても、またはたとえそのように明白に記載されていなくても、その他の例で実施することができる。
Claims (14)
- 半導体デバイスであって、
リソースブロックのパイプラインを形成するように構成されカスケード結合されたリソースブロックの第1の列を含む第1の集積回路(IC)ダイを備え、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列は、前記第1のICダイの第1の軸に平行であり、
リソースブロックのパイプラインを形成するように構成されカスケード結合されたリソースブロックの第2の列を含む第2のICダイをさらに備え、前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列は、前記第2のICダイの第1の軸に平行であり、第2の集積回路が形成された前記第2のICダイのアクティブ側は、第1の集積回路が形成された前記第1のICダイのアクティブ側に、前記第1のICダイの前記アクティブ側が前記第2のICダイの前記アクティブ側に対面するように固定され、前記半導体デバイスはさらに、
前記第1のICダイの前記アクティブ側と前記第2のICダイの前記アクティブ側との間の複数の電気接続を備え、前記複数の電気接続は、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列における前記リソースブロックのパイプラインと前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列における前記リソースブロックのパイプラインとの間に少なくとも1つの電気接続を含む、半導体デバイス。 - 前記第1のICダイおよび前記第2のICダイは、共通のフロアプランを含み、前記第2のICダイは、前記第1のICダイに対して反転される、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列は、前記第1のICダイの中心線について対称であり、前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列は、前記第2のICダイの中心線について対称である、請求項1または2に記載の半導体デバイス。
- 前記少なくとも1つの電気接続は、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列における少なくとも1つのリソースブロックと前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列におけるそれぞれの少なくとも1つのリソースブロックとの間に電気接続を含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列および前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列の各々は、一方向カスケードを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列および前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列の各々は、二方向カスケードを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
- 半導体デバイスを作製する方法であって、
リソースブロックのパイプラインを形成するように構成されカスケード結合されたリソースブロックの第1の列を含む第1の集積回路(IC)ダイを形成するステップを備え、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列は、前記第1のICダイのY軸に平行であり、
リソースブロックのパイプラインを形成するように構成されカスケード結合されたリソースブロックの第2の列を含む第2のICダイを形成するステップをさらに備え、前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列は、前記第2のICダイのY軸に平行であり、
第2の集積回路が形成された前記第2のICダイのアクティブ側を固定するステップをさらに備え、前記固定するステップにおいて、前記第1のICダイの前記アクティブ側が前記第2のICダイの前記アクティブ側に対面するように、前記第1のICダイの前記アクティブ側と前記第2のICダイの前記アクティブ側との間に複数の電気接続を形成し、前記複数の電気接続は、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列における前記リソースブロックのパイプラインと前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列における前記リソースブロックのパイプラインとの間に少なくとも1つの電気接続を含む、方法。 - 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列は、前記第1のICダイの前記Y軸に対して垂直な前記第1のICダイのX軸について対称であり、前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列は、前記第2のICダイの前記Y軸に対して垂直な前記第2のICダイのX軸について対称である、請求項7に記載の方法。
- 前記固定するステップは、前記第1のICダイに対して前記第2のICダイを反転させるステップを含む、請求項7または8に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの電気接続は、前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列における少なくとも1つのリソースブロックと前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列におけるそれぞれの少なくとも1つのリソースブロックとの間に電気接続を含む、請求項7から9のいずれか1項に記載の方法。
- 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列および前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列の各々は、一方向カスケードを含む、請求項7から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記カスケード結合されたリソースブロックの第1の列および前記カスケード結合されたリソースブロックの第2の列の各々は、二方向カスケードを含む、請求項7から10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1のICダイは、第1のウェハ上に形成され、前記第2のICダイは、第2のウェハ上に形成され、前記固定するステップは、前記第1のウェハを前記第2のウェハに固定するステップを備える、請求項7から12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(FPGA)である、請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体デバイス。
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