JP6943770B2 - ６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピンの結晶配位子 - Google Patents

Description

本発明は、ビスホスファイト配位子の結晶形態に関する。

ビスホスファイトは、ヒドロホルミル化及びヒドロシアン化のような遷移金属触媒反応のための配位子として一般に使用される。一般的に使用されるビスホスホスファイト配位子の１つは、下式１に示される、６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピン（以下、配位子Ａと呼ぶ）である：

多くの有機分子と同様に、配位子Ａは多くの形態で存在することができる結晶性物質である。結晶性非溶媒和物及び種々の溶媒和物形態が、ＵＳ８，７９６，４８１及びＹｕａｎ Ｈａｏ，ｅｔ ａｌ．“Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｆ ６，６’−（３，３’５，５’−ｔｅｔｒａ−ｔｅｒｔｂｕｔｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ−２，２’−ｄｉｙｌ）Ｂｉｓ（ｏｘｙ）ｄｉｄｉｂｅｎｚｏ［ｄ，ｆ］−［１，３，２］ｄｉｏｘａｐｈｏｓｐｈｅｐｉｎｅ”Ｃｈｉｎｅｓｅ Ｊ．Ｓｔｒｕｃｔ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ ３１，６７３（２０１２）に開示されている。

ＵＳ２０１４／０２８８３２２ Ａ１は、７２〜７５℃で数時間、第２級アルコール、例えばイソプロパノールで処理することにより、配位子Ａの急速乾燥形態を調製する方法を開示している。得られる物質の結晶構造は開示されていない。ＵＳ８，７９６，４８１は、配位子Ａの非溶媒和形態ならびに多くの溶媒和物を作成する手段を記載している。このように記載された結晶性非溶媒和物の調製はまた、例えば少なくとも６５℃、好ましくは８５℃を超える高温を必要とする。ＵＳ２０１４／０２８８３２２ Ａ１及びＵＳ８，７９６，４８１に記載された両方の配位子Ａの形態は、ヒドロホルミル化用途に好適であるが、それらを製造するためには高温が必要である。ビスホスファイトを高温に曝露することは、分解を増加させ、それによって貴重な生成物の収率が低下する可能性がある。

代替的に、結晶性溶媒和物を製造することを選択してもよく、しかしながら、工業的ヒドロホルミル化プロセスに溶媒和形態の配位子を添加することは当然、随伴する結晶化溶媒を汚染物質として導入する。さらに、前記結晶化の溶媒の量は、乾燥条件に依存して変化し、かつヒドロホルミル化反応に寄与せず、すなわち溶媒は固体配位子中の希釈剤または充填剤として作用する。

第３の選択肢は、脱溶媒和化形態を調製及び使用することであるが、溶媒和物を効果的に乾燥させることは、強制条件下で数日間かかることが知られている、ＵＳ２０１４／０２８８３２２ Ａ１を参照されたい。このような手順はまた、取り扱いの拡張による、分解、例えば酸化をもたらす可能性があり、製造時間を増加させ、ゆえに製造コストを増加させる。

したがって、迅速に乾燥し、熱的に安定であり、かつ高温への長時間の曝露を回避する簡単で費用効果の高いプロセスを介して調製することができる配位子Ａの形態を有することが望ましい。これまで、以降、配位子Ａ’と称する本発明の配位子Ａ結晶構造は認識されていなかった。

本発明は、Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定した粉末Ｘ線ディフラクトグラムにおいて７．８±０．２°及び１９．７±０．２°に２θ値で示される２つの最強の反射を提示する、６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピンの結晶形態である。

本発明のさらなる態様は、ａ）配位子Ａ’から遷移金属触媒を製造する方法であって、配位子Ａ’を提供し、不活性溶媒中の遷移金属触媒前駆体（酸化物、カルボニルなど）または遷移金属の錯体と接触させる方法と、ｂ）前記方法によって製造された触媒と、ｃ）ヒドロホルミル化、ヒドロシアン化または水素化のための触媒プロセスであって、この触媒は前記方法により製造される、プロセス、とを含む。

驚くべきことに、本発明の結晶形態は、溶媒含量が低く、熱的に安定であり、かつ高温に曝露することなく調製することができる。

は、配位子Ａ’（上）、配位子Ａ（中）の溶媒和物、及び配位子Ａの非溶媒和物（下）についてのＸ線回折（ＸＲＤ）データの比較である。 は、実施例１及び２で調製した配位子Ａ’についてのＸＲＤディフラクトグラムである。 比較実験Ａで調製した配位子ＡについてのＸＲＤディフラクトグラムである。 は、比較実験Ａで調製した配位子Ａの非溶媒和形態についての示差走査熱量測定（ＤＳＣ）プロットである。 は、実施例３で調製した配位子Ａ’についてのＤＳＣプロットである。 は、比較実験Ｂで調製した配位子Ａの脱溶媒和化同形体についてのＤＳＣプロットである。 は、比較実験Ｃで調製した配位子Ａの酢酸エチル溶媒和物についてのＸＲＤディフラクトグラムである。 は、比較実験Ｃで調製した配位子Ａの酢酸エチル溶媒和物についてのＤＳＣプロットである。 は、実施例３、ならびに比較実験Ａ、Ｂ、及びＣにおいて調製した物質についての熱重量分析（ＴＧＡ）プロットである。

結晶形態配位子Ａ’は、非直鎖アルコール及び配位子Ａの溶媒和物形態を出発物質として使用するプロセスによって調製することができる。

本明細書中で使用される場合、「非溶媒和物」、「結晶性非溶媒和物」及び「非溶媒和形態」という用語は、同義的に使用され、粉末ＸＲＤによって分析された場合、図２に示すものと同様のディフラクトグラムを与える、配位子Ａの分子からなる結晶形態を意味する。ＵＳ８，７９６，４８１は、配位子Ａの非溶媒和形態を記載している。この結晶性非溶媒和物は、約２４４℃±３℃のＤＳＣによって測定される融点によってさらに特徴づけることができる。

本明細書中で使用される場合、「溶媒和物」、「結晶性溶媒和物」、及び「溶媒和物形態」という用語は、同義的に使用され、例えば“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｐｈｙｓｉｃｓ”（２ｎｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ），Ｊ．Ｒ．Ｈｏｏｋ，Ｈ．Ｅ．Ｈａｌｌ，Ｍａｎｃｈｅｓｔｅｒ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｅｒｉｅｓ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ（２０１０）に記載されるような、結晶格子内に組み込まれた化学量論量または他の有意量の溶媒分子、即ち、結晶化溶媒を含む、配位子Ａの分子配列を指す。明確にするために、言及される格子内に取り込まれる特定の溶媒は、例えばトルエン溶媒和物、酢酸エチル溶媒和物、酢酸プロピル溶媒和物、ヘキサン溶媒和物、アセトン溶媒和物などが挙げられる。

本明細書中で使用される場合、「脱溶媒和化形態」及び「脱溶媒和化同形体」という用語は、同義的に使用され、本質的に溶媒和形態であるがその後結晶化溶媒を除去するために乾燥された結晶性配位子Ａを意味する。

本明細書中で使用される場合、「溶媒を含まない」という用語は、配位子Ａまたは配位子Ａ’の溶媒含量が０．５重量％未満であることを意味する。溶媒の重量パーセントは、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）／質量分析（ＭＳ）（内部標準としてデカン）によって測定される。

本明細書中で使用される場合、「急速乾燥」という用語は、物質が配位子Ａの溶媒和形態よりも速く乾燥することができることを意味する。

本明細書で使用される場合、「研和（ｔｒｉｔｕｒａｔｉｏｎ）」という用語は、固体が溶媒中に完全に混合されてスラリーを形成することを意味する。固体のごく一部は溶解し得るが、再結晶中に起こるような、配位子Ａまたは配位子Ａ’の完全な溶解は研和に含まれないことに留意されたい。

本明細書中で使用される場合、「ｐｐｍｗ」という用語は、重量百万分率を意味する。

本明細書で使用される場合、「結晶化溶媒」という用語は、結晶構造内に組み込まれる溶媒を意味する。

本明細書中で使用される場合、「置換された」という用語は、別段の指示がない限り、有機化合物の全ての許容される置換基を含むことが意図される。広範な態様において、許容される置換基には、有機化合物の非環式及び環式、分枝及び非分枝、炭素環式及び複素環式、芳香族及び非芳香族置換基が含まれる。例示的な置換基には、例えば、炭素数が１〜２０以上、好ましくは１〜１２の範囲であり得る、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、ならびにヒドロキシ基、ハロ基及びアミノ基が含まれる。許容される置換基は、適切な有機化合物について、１つ以上であり、かつ同じであっても異なっていてもよい。本発明は、有機化合物の許容される置換基によって決して限定されるものではない。

本明細書中で使用される場合、「ヒドロホルミル化」という用語は、１つ以上の置換または非置換オレフィン化合物または１つ以上の置換または非置換オレフィン化合物を含む反応混合物を、１つ以上の置換または非置換アルデヒドまたは１つ以上の置換または非置換アルデヒドを含む反応混合物に変換することを包含する、全てのヒドロホルミル化プロセスを含むが、これに限定されないことが意図される。アルデヒドは、不斉性または非不斉性であってもよい。

配位子Ａの溶媒和物は公知であり、例えば、ＵＳ２０１４／０２８８３２２及びＵＳ８，７９６，４８１に記載されるように調製することができる。配位子Ａの溶媒和物の特定の例には、トルエン溶媒和物、酢酸エチル溶媒和物、及び酢酸プロピル溶媒和物が含まれる。アセテート溶媒和物は、本発明の好ましい出発物質である。溶媒和物の混合物を用いることができる。

結晶形態配位子Ａ’製造するために使用される非線形アルコールは、式２及び３に示される。イソプロパノール及びその類似体のような非環式飽和分枝アルコールは、式２によって表され、各Ｒ^１４は独立してＨまたは１〜８個の炭素原子を含む置換または非置換の一価炭化水素部分であり、但し、Ｒ^１４の少なくとも２つは水素ではないことを条件とする。シクロヘキサノール及びその類似体のような環状アルコールは、式３で表され、ｎは２〜５であり、ｍは０〜［（２ｎ）＋５］であり、各Ｒ^１５は独立して置換または非置換の一価の炭化水素部分である。本発明の一実施形態では、ｍは０〜３である。アルコールの混合物を使用することができる。アルコールは、第３級または第２級アルコールであり得、第２級アルコールが一般に好ましい。本発明の一実施形態では、各Ｒ^１４またはＲ^１５は非置換である。

イソプロパノール、シクロヘキサノール、２−ブタノール、２−または３−ペンタノールなどのＣ_３−Ｃ_６第２級アルコールが好ましい。ｔ−ブタノールが好ましい第三級アルコールである。イソプロパノールは、安価であり、最終生成物である配位子Ａ’から容易に分離されるので、最も好ましい非線形アルコールである。本発明の一実施形態では、使用されるアルコールは実質的に過酸化物を含まず、配位子の酸化を回避する。本明細書中で使用される場合、「実質的に過酸化物を含まない」という用語は、アルコールが１０ｐｐｍｗ未満の過酸化物を含有することを意味する。

同時係属出願ＰＣＴ／ＵＳ１５／０２６６４８号に教示されているような、少量のアミン添加剤もまた、過剰の酸触媒分解を軽減するために使用してもよい。好ましいアミンはトリエタノールアミンである。微量のこれらのアミンは、配位子Ａ’の調製中にアミン−溶媒和物を形成しないようである。本発明の様々な実施形態では、アミンをスラリー及び／またはアルコールに添加する。様々な実施形態において、アミン濃度は、スラリーの重量に基づいて、１重量％未満、０．１重量％未満、または０．０１重量％未満である。

調製プロセスは、配位子Ａ’を調製するのに十分な条件下で実施される。一実施形態では、配位子Ａの溶媒和物は、以下に詳述する条件下でアルコール中で研和される。得られたスラリーは次いで、主として固相と主として液相とに分離される。主として固相を乾燥して、乾燥配位子Ａ’を得ることができる。

配位子Ａの研和は、効果的に混合され得る量の、アルコール及び溶媒和物形態の配位子Ａを使用する。配位子がかなりの程度まで溶解しないので、非線形アルコールの量は特に重要ではないが、アルコールは、スラリーを生成するのに十分な量で有利に使用される。得られたスラリーは、均一な温度を有し、かつ良好な操作性を有することからわかるように、容易に撹拌することができるものでなければならず、良好な熱伝達を提供すべきであり、例えば、望ましい場合にはこのスラリーはフィルタなどの他の装置に容易に移すことができる。

スラリーを調製する方法は当業者に周知であり、スラリーは任意の好都合な方法によって調製することができる。スラリーは、例えば、撹拌タンクまたは反応器、撹拌フィルタ／乾燥機、再循環静的ミキサータンクなどのような撹拌容器を含む任意の好適な装置を用いて調製することができる。容器の種類は特に重要ではない。本発明の一実施形態では、装置は、配位子の酸化を防止し、可燃性の危険性を最小限に抑えるために、不活性ガス、例えばＮ_２またはＡｒ雰囲気下で操作することができる。正確な温度制御は重要ではないが、本発明の一実施形態では、装置は、スラリーの温度を監視及び制御することができる手段を含むことができる。

一旦形成されると、スラリーは、配位子Ａ’の新規な結晶構造を生成するのに十分な時間と温度の組み合わせで処理される。例えば、時間及び温度の好適な組み合わせは、以下の実施例に示されている。本発明の一実施形態では、スラリーの良好な撹拌は、時間及び温度処理の間、維持される。本発明の一実施形態では、この処理は、実質的な量のいずれかのトラップされた残留不純物をも除去するのに十分な条件下で行われる。残留不純物の例には、酸、塩化物、アミン塩などが含まれる。

この過程で形成される配位子Ａ’が回収される。本発明の一実施形態では、スラリーの液体を配位子Ａ’を含む固体から除去する。スラリーの液体のバルクから固体を分離する方法は、特に重要ではない。固体を液体から分離するための単位操作は、当業者には周知であり、例えば、沈降、濾過、噴霧乾燥、流動床乾燥、液体サイクロンまたは遠心分離機などの遠心分離、及びそれらの組み合わせが挙げられる。前記単位操作を行う際に使用するための装置も周知であり、多くの好適な種類が市販されている。本発明の一実施形態では、回収装置は、好ましくは濾過または遠心分離によって固体を液体から分離することができる。本発明の一実施形態では、回収された固体は、スラリーからのいくらかの残留液体を有する主に配位子Ａ’を含む湿った形態の配位子Ａ’である。フィルタケーキは、任意に洗浄またはすすぎされてもよい。そのような洗浄は、研和に使用されるのと同じアルコールを用いて有利に行われる。

固体配位子Ａ’が回収される温度は重要ではなく、周囲温度を含む温度または温度範囲で実施することができる。一実施形態では、分離は、周囲温度より高い温度または温度範囲で行われる。スラリー調製及び液体／固体分離操作は、別々の装置で、または１つの装置での調製、熱処理、及び分離の実施に好適な装置で行うことができる。

本発明の一実施形態では、湿った配位子Ａ’は、使用または貯蔵の前に乾燥される。固形物を乾燥させるための単位操作は、当業者に周知である。固体を乾燥させるのに使用する装置も周知であり、例えば、赤外線、マイクロ波及び無線周波数放射、ならびにそれらの組み合わせを含む、対流、伝導、及び放射により提供される加熱を伴う、例えばベルト乾燥機、ドラム乾燥機、フィルタ乾燥機などを含む多くの好適な種類が市販されている。フラッシュ乾燥の後に撹拌されたパドル乾燥機などの多段乾燥プロセスを使用することができる。

配位子Ａ’は、６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピンの結晶形態であり、Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定したＸ線粉末ディフラクトグラムにおいて７．８±０．２°及び１９．６５±０．２°に２θ値として示される２つの最強の反射を提示する。

本発明の一実施形態では、配位子Ａ’の新規な結晶形態は、溶媒を含まない。実施例１に従って調製した配位子Ａ’のＸＲＤを、図２に示す。図２は、表１に２θ値として、及び面間隔ｄとして与えられた反射のうちの少なくとも５つを含む：

配位子Ａの報告された形態の多くは同様の反射角を有するが、ＸＲＤディフラクトグラムは明らかに異なることが観察されている。赤外線分光法と同様に、バックグラウンド補正されたピーク強度を強、中、弱として判断し、強（Ｓ）が最高ピークの最大強度の６０％より大きく、中（Ｍ）が３０〜５９％及び弱（Ｗ）が２９％未満である。配位子Ａ’及び酢酸エチル溶媒和物及び非溶媒和物のディフラクトグラムを図１に示す。異なる結晶形態を区別するのに役立つ明らかな強度の違いがある。例えば、配位子Ａ’のディフラクトグラムは、７．８ ２θに独特の非常に強いピークを有するが、溶媒和物及び非溶媒和物ディフラクトグラムは、それぞれ５−１０°２θ領域において１：２：２：１四重線及び８−１０°２θ領域において三重線とほぼ類似するパターンのように多重反射を有する。配位子Ａ’はまた、１９．６５°２θに第２の非常に強い特徴的な複合ピークを有する。配位子Ａ’は、非溶媒和化合物については８．５°及び１６．８°、溶媒和化合物については７．３°、９．６°及び１６．８°の２θピークのような他の形態に見られる有意な反射またはピークを欠く。本発明の目的のために、「有意な反射を欠く」という用語は、最高ピークの最大強度の５％を超えるバックグラウンド補正された強度を有する反射がないことを意味する。

配位子Ａ’の第２の特徴は、より低い温度での追加の相転移を伴わずに、ＤＳＣによって決定される、２０２〜２０８℃の融点である。

本発明の特定の実施形態
以下の実施例における全ての部及びパーセンテージは、他に示さない限り重量による。

ＸＲＤは、銅封入管球（ｃｏｐｐｅｒ ｓｅａｌｅｄ−ｓｏｕｒｃｅ ｔｕｂｅ）及びＶａｎｔｅｃ−１リニア位置感知検出器を備えたＢｒｕｋｅｒ Ｄ８ Ａｄｖａｎｃｅθ−θＸ線回折装置を使用して測定した。管球を３５ｋＶ及び４５ｍＡで動作させ、試料に銅Ｋα線（λ＝１．５４１Å）を照射する。ＸＲＤデータは、３°から３５°である２θの３°の検出器ウィンドウで収集され、ステップサイズは０．０２６°及び１秒／ステップの収集時間である。得られたＸ線回折パターンの分析は、２５℃でＪＡＤＥ２０１０ Ｘ線回折分析ソフトウェアを用いて実施する。他に示さない限り、本明細書に報告された２θ値はＣｕ−Ｋα線に基づく。

ＤＳＣは、オートサンプラ及びＲＣＳ−９０機械的冷却付属品を備えたＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｑ２０００ ＤＳＣを使用して実施する。試料を計量し、密閉性アルミニウム製パンと蓋とで封止する。パンは、熱サイクル中に残留溶媒がパンから除去され得るように封止される。各試料について平均重量は約７ｍｇである。１０℃／分の速度で−８５℃から２７５℃の熱プロファイルが使用される。Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｖ４．５Ａソフトウェアを使用して、試料の加熱走査を分析する。

熱重量分析（ＴＧＡ）は、オートサンプラを備えたＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｑ５００熱重量分析計を用いて実施する。名目上１０〜２０ｍｇの試料の一部を風袋計量した自家製石英ＴＧＡライナに入れ、これを白金パン上に置き、計器に装填する。試料を室温から９００℃までの範囲で１０℃／分で走査する。Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ ２０００ Ｖ４．５Ａソフトウェアを使用して分析を完了する。

他に指示がない限り、残留溶媒は、配位子ＡまたはＡ’をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解し、ＧＣ／質量分析計（ＭＳ）（内部標準としてデカン）で分析することによって測定する。

実施例１
出発物質は、ＵＳ２０１４／０２８８３２２の実施例１の方法に従って調製された配位子Ａの酢酸エチル溶媒和物であり、８．２５重量％の酢酸エチルを含有する。その配位子（２ｇ）を３０ｍＬのイソプロパノールで、Ｎ_２下、４５℃で、約１時間スラリー化する。固体を４５℃で濾過し、１５ｍＬのイソプロパノールで洗浄し、室温で一晩真空乾燥させる。残留溶媒含有量は０．５重量％未満である。この物質のＸＲＤを図２に示す。

実施例２
配位子を２３℃でスラリー化する以外は、実施例１の手順を繰り返す。残留溶媒含有量は０．５重量％未満である。この物質のＸＲＤは、図２に示すものと同じである。

比較実験Ａ−非溶媒和物（本発明の実施形態ではない）
配位子を７５℃で３時間スラリー化する以外は実施例１を繰り返す。混合物を約１時間周囲温度に冷却する。固体を収集し、周囲温度で一晩真空乾燥させる。ＸＲＤによって確認されるように、非溶媒和物が観察される。図３を参照されたい。

この物質のＤＳＣを図４に示す。２４５℃のピーク開始及び２４７℃のピーク温度を有する融解事象と一致する吸熱が観察される。

実施例３
スラリーを週末にわたって撹拌する以外は実施例２を繰り返す。乾燥生成物の残留溶媒のＧＣ分析は、酢酸エチル及びイソプロパノールが０．５重量％未満であり、ＸＲＤディフラクトグラムが実施例１の生成物に匹敵することを示す。

実施例３の生成物のＤＳＣを図５に示す。２０３℃での開始温度及び２０６℃でのピークを有する初期吸熱遷移が存在する。第２の吸熱転移は２４４℃のピーク温度で起こる。この材料のＴＧＡデータを図９Ｂに示す。０．２重量％未満の質量損失が、ＤＳＣトレースで使用される温度範囲まで観察される。この結果は、試料中に有意な量の溶媒が残っていないことを示している。ＤＳＣとＴＧＡの結果の組み合わせは、初期吸熱が非溶媒和物への相転移を表し、その後約２４２〜２４４℃で融解することを示している。

比較実験Ｂ−脱溶媒和化同形体（本発明の実施形態ではない）
配位子Ａ（３．２ｇ）を７０℃でトルエン（３０ｇ）に溶解させ、次いで４５℃でイソプロパノール中でスラリー化する前に、４５重量％のトルエンを真空下で濃縮する。得られた物質を濾過するが、その後のイソプロパノールのすすぎをせずに、乾燥させる。得られた物質は０．３％の残留溶媒を含有するが、溶媒和物形態と一致するＸＲＤパターンを与える（例えば、以下Ｃ．Ｅ．Ｃ、及びＵＳ８，７９６，４８１の図１のものと同一）。ＸＲＤデータと合わせた溶媒含量の欠如は、その物質が脱溶媒和化同形体であることを示す。この物質は、図６に示されている比較的特徴のないＤＳＣパターンを有し、このパターンはＵＳ２０１３／０２２５８４９の図２で観察されたものと同様であり、この物質は非溶媒和物の融点を欠いている（図４参照）。

この物質のＴＧＡデータは図９の線Ｃに示されており、非溶媒和物及び配位子Ａ’とは明らかに異なる。かなりの質量損失が広い温度範囲にわたって生じ、これは実質的な分解を示す。

比較実験Ｃ−酢酸エチル溶媒和物（本発明の実施形態ではない）
ＵＳ２０１４／０２８８３２２の実施例１の方法に従って調製した配位子Ａ １５．１ｇの溶液を脱気した酢酸エチル２３０ｍＬに７０℃で溶解し、次いで数時間かけて周囲温度に冷却する。得られた酢酸エチル溶媒和物結晶を濾過し、２日間減圧下で乾燥させる。得られた物質は、図７に示す酢酸エチル溶媒和物のＸＲＤディフラクトグラムを示す。

図８に示す酢酸エチル溶媒和物のＤＳＣは、１４１℃付近で最初の融解ピークを示し、続いて約１５０℃で非溶媒和物への遷移を示す。その後、非溶媒和物は２４３℃で融解する。

図９のＴＧＡデータは、３８０℃までの温度で、配位子Ａ’（図９；線Ｂ）または非溶媒和形態（図９、線Ａ）のいずれの質量損失もほとんど示さず、優れた熱安定性を示す。溶媒和物（図９、線Ｄ）は、約１２０℃での脱溶媒和によって引き起こされた初期の質量損失を示すが、３８０℃未満では分解は観察されない。対照的に、脱溶媒和化同形体（図９、線Ｃ）は、比較的低い温度（＜２００℃）で始まり、分析の間中、継続する質量の連続的損失を示す。したがって、配位子Ａ’及び非溶媒和物は、溶媒含量が低く、かつ熱的に安定しているたった２つの形態を表す。
（態様）
（態様１)
Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定した粉末Ｘ線ディフラクトグラムにおいて７．８±０．２°及び１９．７±０．２°に２θ値で示される２つの最強の反射を提示する、６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピンの結晶形態。
（態様２)
前記ディフラクトグラムが、以下の反射のうちの少なくとも３つを示す、態様１に記載の結晶形態。

（態様３)
溶媒を含まない、態様１または２のいずれかに記載の結晶形態。
（態様４)
Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定した粉末Ｘ線ディフラクトグラムにおいて、８．５±０．２°の２θに有意な反射を欠く、態様１〜３のいずれか１項に記載の結晶形態。
（態様５)
ＤＳＣによって測定される際、２０２〜２０８℃の融点を有する、態様１〜４のいずれか１項に記載の結晶形態。
（態様６)
２０６℃でのピークを有する初期吸熱遷移を示すＤＳＣプロットを有する、態様５に記載の結晶形態。
（態様７)
図２のＸＲＤディフラクトグラムを有する、態様１〜６のいずれか１項に記載の結晶形態。
（態様８)
図９の線ＢのＴＧＡプロットを有する、態様１〜７のいずれか１項に記載の結晶形態。

Claims (4)

1. Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定した粉末Ｘ線ディフラクトグラムにおいて７．８±０．２°及び１９．７±０．２°に２θ値で示される２つのピークを提示し、そのうちの一方のピークがもう一方の最も高いピークの最大強度の６０％より大きい、６，６’−［［３，３’，５，５’−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）−［１，１’−ビフェニル］−２，２’−ジイル］ビス（オキシ）］ビスジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］−ジオキサホスフェピンの結晶形態であって、
   内部標準としてデカンを使用したガスクロマトグラフィー（ＧＣ）／質量分析（ＭＳ）によって測定した溶媒含量が０．５重量％未満であり、
   ＤＳＣによって測定される際、２０２〜２０８℃の融点を有し、
   前記ディフラクトグラムが、以下のピークのうちの少なくとも３つを示す、結晶形態。
   

   
2. Ｃｕ−Ｋα線による２５℃で測定した粉末Ｘ線ディフラクトグラムにおいて、８．５±０．２°の２θに最も高いピークの最大強度の５％を超えるバックグラウンド補正された強度を有するピークがない、請求項１に記載の結晶形態。
3. ２０６℃でのピークを有する初期吸熱遷移を示すＤＳＣプロットを有する、請求項１〜２のいずれか一項に記載の結晶形態。
4. 請求項１の表中のピークのうちの少なくとも５つを示す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の結晶形態。

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