JP6942224B2 - 測定基板および測定方法 - Google Patents
測定基板および測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6942224B2 JP6942224B2 JP2020113810A JP2020113810A JP6942224B2 JP 6942224 B2 JP6942224 B2 JP 6942224B2 JP 2020113810 A JP2020113810 A JP 2020113810A JP 2020113810 A JP2020113810 A JP 2020113810A JP 6942224 B2 JP6942224 B2 JP 6942224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- substrate
- measuring
- measurement
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
- G01B7/18—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance
- G01B7/20—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge using change in resistance formed by printed-circuit technique
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
Description
本出願は、2015年11月25日に出願された欧州出願15196359.2号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
[技術分野]
本発明は、例えばリソグラフィ装置、計測装置または処理装置に用いる測定基板および測定方法に関する。
測定基板が装置に適合するように、製造基板の寸法と近似した寸法を有するボディと、
ボディに設けられる複数のセンサモジュールと、を備え、各センサモジュールは、
アナログ測定信号を生成するよう構成されるセンサであって、少なくとも温度センサまたは歪みセンサを備えるセンサと、
アナログ測定信号からデジタル測定情報を生成するよう構成されるA/Dコンバータと、
デジタル測定情報を出力するよう構成されるモジュールコントローラと、を備え、
測定基板は、各モジュールコントローラからデジタル測定情報を受信し、デジタル測定情報を外部装置と通信するよう構成される中央制御モジュールを備える。
測定基板が装置に適合するように製造基板の寸法と近似した寸法を有する測定基板であって、中央制御モジュールおよび複数のセンサモジュールを有し、各センサモジュールがセンサおよびA/Dコンバータを備え、各センサが少なくとも温度センサまたは歪みセンサを備える測定基板を装置に装填することと、
センサを動作させてアナログ測定信号を生成することと、
A/Dコンバータを用いてアナログ測定信号をデジタル測定情報に変換することと、
デジタル測定情報を中央制御モジュールに転送することと、
中央制御モジュールから外部装置にデジタル測定情報を出力することと、を備える。
Claims (17)
- 製造基板の処理のための装置に付随する条件をその動作中に測定するための測定基板であって、前記測定基板は、
前記測定基板が前記装置に適合するように、製造基板の寸法と近似した寸法を有するボディと、
前記ボディに設けられる複数のセンサモジュールであって、二次元グリッド状に配置される複数のセンサモジュールと、を備え、各センサモジュールは、
アナログ測定信号を生成するよう構成されるセンサであって、少なくとも温度センサまたは歪みセンサを備えるセンサと、
前記アナログ測定信号からデジタル測定情報を生成するよう構成されるA/Dコンバータと、
前記デジタル測定情報を出力するよう構成されるモジュールコントローラと、を備え、
前記測定基板は、
各モジュールコントローラから前記デジタル測定情報を受信し、前記デジタル測定情報を外部装置と通信するよう構成される中央制御モジュールと、
前記複数のセンサモジュールのうち一以上のセンサモジュールを動作停止させるとともに一以上の他のセンサモジュールを動作させることを可能にするよう構成されるスイッチと、をさらに備え、
前記スイッチは、前記測定基板上で動作させるセンサモジュールの密度を前記測定基板の用途に応じて変えるように構成されることを特徴とする測定基板。 - 各センサモジュールは、前記デジタル測定情報を記憶するよう構成される記憶装置をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の測定基板。
- 各センサモジュールは、前記アナログ測定信号を増幅するよう構成される増幅器をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の測定基板。
- 前記中央制御モジュールは、前記デジタル測定情報を記憶するよう構成される中央記憶装置をさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の測定基板。
- 前記歪みセンサは、バイポーラトランジスタまたは抵抗センサの少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の測定基板。
- 前記温度センサは、バイポーラトランジスタを備えることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の測定基板。
- センサモジュールは、第1方向の歪みを測定するよう構成される第1歪みセンサと、第2方向の歪みを測定するよう構成される第2歪みセンサとを備え、前記第2方向は前記第1方向に直交することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の測定基板。
- センサモジュールは、温度センサおよび歪みセンサを備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の測定基板。
- 100より多いセンサモジュールを備えることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の測定基板。
- 前記センサは、前記ボディに埋め込まれていることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の測定基板。
- 前記装置は、リソグラフィ装置であることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項に記載の測定基板。
- 前記複数のセンサモジュールは、規則的かつ周期的なアレイ状に配置されることを特徴とする請求項1から11のいずれか一項に記載の測定基板。
- 製造基板を処理するための装置内の条件を測定する方法であって、前記方法は、
前記装置に適合するように製造基板の寸法と近似した寸法を有する測定基板であって、中央制御モジュールおよび複数のセンサモジュールを有し、前記複数のセンサモジュールが二次元グリッド状に配置され、各センサモジュールがセンサおよびA/Dコンバータを備え、各センサが少なくとも温度センサまたは歪みセンサを備える測定基板を前記装置に装填することと、
前記複数のセンサモジュールのうち一以上のセンサモジュールを動作停止させるとともに一以上の他のセンサモジュールを動作させることと、
前記センサを動作させてアナログ測定信号を生成することと、
前記A/Dコンバータを用いて前記アナログ測定信号をデジタル測定情報に変換することと、
前記デジタル測定情報を前記中央制御モジュールに転送することと、
前記中央制御モジュールから外部装置に前記デジタル測定情報を出力することと、を備え、
前記複数のセンサモジュールのうち一以上のセンサモジュールを動作停止させるとともに一以上の他のセンサモジュールを動作させることは、前記測定基板上で動作させるセンサモジュールの密度を前記測定基板の用途に応じて変えることを備えることを特徴とする方法。 - 前記装置は、リソグラフィ装置であることを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記出力することの前に、前記装置から前記測定基板を取り出すことをさらに備えることを特徴とする請求項13または14に記載の方法。
- 前記センサを動作させることは、基板を処理するためのプロセスの少なくとも一部を前記装置が実行する間に実行されることを特徴とする請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記センサを動作させることは、基板を処理するためのプロセスの前記一部の最中に複数回実行されることを特徴とする請求項16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15196359 | 2015-11-25 | ||
EP15196359.2 | 2015-11-25 | ||
JP2018527178A JP2019504477A (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | 測定基板および測定方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527178A Division JP2019504477A (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | 測定基板および測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161850A JP2020161850A (ja) | 2020-10-01 |
JP6942224B2 true JP6942224B2 (ja) | 2021-09-29 |
Family
ID=54705424
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527178A Pending JP2019504477A (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | 測定基板および測定方法 |
JP2020113810A Active JP6942224B2 (ja) | 2015-11-25 | 2020-07-01 | 測定基板および測定方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527178A Pending JP2019504477A (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-23 | 測定基板および測定方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10508896B2 (ja) |
EP (1) | EP3380894A1 (ja) |
JP (2) | JP2019504477A (ja) |
KR (1) | KR102136779B1 (ja) |
CN (2) | CN108604064A (ja) |
IL (1) | IL259462B (ja) |
NL (1) | NL2017837A (ja) |
TW (1) | TWI647773B (ja) |
WO (1) | WO2017089391A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3457213A1 (en) | 2017-09-18 | 2019-03-20 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for use in a device manufacturing method |
KR102438344B1 (ko) * | 2019-10-14 | 2022-09-01 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼형 센서 유닛 및 웨이퍼형 센서 유닛의 제조 방법 |
DE102022207027A1 (de) * | 2022-07-11 | 2024-01-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung von sensordaten eines optischen systems, optisches system und lithographieanlage mit einem optischen system |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233191A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process |
JPH0888457A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-04-02 | Olympus Optical Co Ltd | 配線板の製造方法及び半導体装置 |
US6190040B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-02-20 | Sensarray Corporation | Apparatus for sensing temperature on a substrate in an integrated circuit fabrication tool |
US6889568B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-05-10 | Sensarray Corporation | Process condition sensing wafer and data analysis system |
US6830650B2 (en) * | 2002-07-12 | 2004-12-14 | Advanced Energy Industries, Inc. | Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
US7198873B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations |
US20050284570A1 (en) | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Doran Daniel B | Diagnostic plasma measurement device having patterned sensors and features |
KR100613170B1 (ko) * | 2004-10-12 | 2006-08-17 | 삼성전자주식회사 | 매트릭스 스위치를 이용한 온도 측정 장치, 반도체 패키지및 냉각 시스템 |
US7676342B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-03-09 | Asml Netherlands B.V. | Sensor assembly, digital serial bus and protocol, sensor network, and lithographic apparatus and system |
US20060234398A1 (en) | 2005-04-15 | 2006-10-19 | International Business Machines Corporation | Single ic-chip design on wafer with an embedded sensor utilizing rf capabilities to enable real-time data transmission |
WO2007088872A1 (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Nikon Corporation | 基板処理方法、基板処理システム、プログラム及び記録媒体 |
US7906032B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Method for conditioning a process chamber |
WO2008103700A2 (en) * | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Kla-Tencor Corporation | Process condition measuring device |
JP2009244174A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | ウェハ型温度計、温度測定装置、熱処理装置および温度測定方法 |
JP5399730B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2014-01-29 | 株式会社Kelk | センサ付き基板およびセンサ付き基板の製造方法 |
JP2011064513A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Canon Anelva Corp | 温度測定素子、温度測定装置、基板処理装置及び電子デバイスの製造方法 |
US8889021B2 (en) | 2010-01-21 | 2014-11-18 | Kla-Tencor Corporation | Process condition sensing device and method for plasma chamber |
JP5445335B2 (ja) | 2010-05-31 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム |
JP5675382B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2015-02-25 | キヤノン株式会社 | シアリング干渉測定装置 |
JP6017134B2 (ja) * | 2011-12-13 | 2016-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法 |
CN103050423B (zh) * | 2012-12-20 | 2016-05-04 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆温度的检测方法 |
US10216100B2 (en) | 2015-07-16 | 2019-02-26 | Asml Netherlands B.V. | Inspection substrate and an inspection method |
-
2016
- 2016-11-22 NL NL2017837A patent/NL2017837A/en unknown
- 2016-11-23 EP EP16798789.0A patent/EP3380894A1/en active Pending
- 2016-11-23 KR KR1020187017948A patent/KR102136779B1/ko active IP Right Grant
- 2016-11-23 WO PCT/EP2016/078545 patent/WO2017089391A1/en active Application Filing
- 2016-11-23 CN CN201680080037.7A patent/CN108604064A/zh active Pending
- 2016-11-23 US US15/778,061 patent/US10508896B2/en active Active
- 2016-11-23 CN CN202310776778.0A patent/CN116794938A/zh active Pending
- 2016-11-23 JP JP2018527178A patent/JP2019504477A/ja active Pending
- 2016-11-25 TW TW105138855A patent/TWI647773B/zh active
-
2018
- 2018-05-17 IL IL259462A patent/IL259462B/en unknown
-
2020
- 2020-07-01 JP JP2020113810A patent/JP6942224B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL259462A (en) | 2018-07-31 |
CN108604064A (zh) | 2018-09-28 |
EP3380894A1 (en) | 2018-10-03 |
US10508896B2 (en) | 2019-12-17 |
IL259462B (en) | 2022-05-01 |
JP2020161850A (ja) | 2020-10-01 |
KR102136779B1 (ko) | 2020-07-23 |
WO2017089391A1 (en) | 2017-06-01 |
NL2017837A (en) | 2017-06-02 |
KR20180085004A (ko) | 2018-07-25 |
JP2019504477A (ja) | 2019-02-14 |
CN116794938A (zh) | 2023-09-22 |
TWI647773B (zh) | 2019-01-11 |
US20180340767A1 (en) | 2018-11-29 |
TW201729317A (zh) | 2017-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6942224B2 (ja) | 測定基板および測定方法 | |
US20200124993A1 (en) | Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TWI581068B (zh) | 微影裝置、元件製造方法及將圖案施加於基板之方法 | |
TWI470715B (zh) | 操作圖案化器件之方法及微影裝置 | |
KR101208462B1 (ko) | 리소그래피 장치를 제어하는 방법 및 장치 | |
JP5485321B2 (ja) | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置をキャリブレーションする方法、およびデバイス製造方法 | |
JP2010183099A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US10216100B2 (en) | Inspection substrate and an inspection method | |
IL266195A (en) | Measurement substrate, measurement method and measurement system | |
US10345713B2 (en) | Inspection substrate and an inspection method | |
US11099490B2 (en) | Inspection substrate and an inspection method | |
TWI411887B (zh) | 判定曝光設定的方法、微影曝光裝置、電腦程式及資料載體 | |
CN108292111B (zh) | 用于在光刻设备中处理衬底的方法和设备 | |
JP2009266864A (ja) | 露光装置 | |
JP2005302862A (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210804 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6942224 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |