CN103050423B - 晶圆温度的检测方法 - Google Patents

Abstract

一种晶圆温度的检测方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件；对所述温度检测器件进行校准；在所述双极型晶体管的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；根据施加的三个基区电压值和对应至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度；对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。提高了温度检测的准确性和效率。

Description

晶圆温度的检测方法

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种晶圆温度的检测方法。

背景技术

现有的集成电路制造中，随着半导体集成电路技术的不断进步和特征尺寸的不断减小，使得单片晶圆上的器件的数量不断增加，电路的功能得到了改进，电路日趋复杂，工艺制造中的环节要求越来越精细，器件的可靠性也显得日益重要。

金属-氧化物-半导体（MOS）晶体管是半导体制造中的最基本器件，其广泛适用于各种集成电路中，根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，分为NMOS和PMOS晶体管。

而现有的集成电路设计和集成电路制造总是相辅相成，相互促进的，两者都在器件的可靠性的提高发挥着重要的作用。

在设计集成电路时，特别是复杂的集成电路设计中，精确的模拟仿真电路特性是必须的，MOS晶体管模型作为集成电路设计和集成电路制造之间的关键桥梁，在集成电路日趋复杂的今天有着更多更高的要求。MOS晶体管的工作温度、制作温度或测试温度等对MOS晶体管的性能具有重要的影响，因此在MOS晶体管建模时，晶体管的温度是一个重要的考量因素，对于提高建立的晶体管模型的准确性至关重要。

现有在MOS晶体管制作或分析测试中，通常将晶圆置于处理设备的载物台上，然后通过载物台上的加热装置对晶圆进行接触式或非接触式的加热，载物台上的温度传感器检测加热的温度，载物台上的温度传感器检测的温度即为晶圆的温度，但是这种方法并不能准确的检测晶圆本身的温度，并且温度检测的效率较低。

更多关于晶圆温度检测的方法请参考公开号为US2007/0009010A1的美国专利文献。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆温度的检测方法，提高晶圆检测温度的准确性和精度。

为解决上述问题，本发明的技术方案提供了一种晶圆温度的检测方法，包括：提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件，所述双极型晶体管包括位于晶圆内的第一掺杂区、位于第一掺杂区内的第二掺杂区、位于第二掺杂区内的第三掺杂区，其中所述第一掺杂区为双极型晶体管的集电区、第二掺杂区为双极型晶体管的基区、第三掺杂区为双极型晶体管的发射区；对所述温度检测器件进行校准；在所述双极型晶体管的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；根据施加的三个基区电压值和对应的至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度；对所述至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。

可选的，所述拟合的指数曲线为： $I_c=I_s\×e^{[E_g\×(q/{\mathrm{kT}}_{\mathrm{rf}}-q/\mathrm{kT})+X_{\mathrm{ti}}\×{\ln }^{T/T_{\mathrm{rf}}}]}\×[e^{{\mathrm{qV}}_{\mathrm{be}}/\mathrm{kT}}-1],$ 其中，I_c为集电区电流值，I_s为固定器件常数，E_g为带隙，q为单位电荷常数，k为玻尔兹曼常数，T_rf为参考温度，T为测试温度，X_ti为常数，V_be为发射区接地时的基区电压值。

可选的，所述E_g等于1.18电子伏，X_ti等于3，T_rf等于298开尔文。

可选的，所述对温度检测器件进行校准的过程为：将晶圆加热到不同的三个标准温度，在三个标准温度下，在双极型晶体管的基区上分别施加校准基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与三个标准温度对应的三个校准集电区电流值，将校准基区电压值、标准温度和对应的三个校准集电区电流值、E_g等于1.18电子伏、X_ti等于3、T_rf等于298开尔文分别代入所述指数曲线，获得固定器件常数I_s。

可选的，所述测试温度的范围为220~450开尔文。

可选的，所述三个标准温度为：高温区温度、中温区温度和低温区温度。

可选的，所述高温区温度为398开尔文，中温区温度为298开尔文，低温区温度为233开尔文。

可选的，所述集电区电流值和校准集电区电流值的范围为1E-9~1E-5安培，其中，所述双极型晶体管为NPN管时，获得的为正电流，双极型晶体管为PNP管时，获得的为负电流。

可选的，所述基区电压值和校准基区电压值的绝对值范围为0.2~0.8伏，其中，所述双极型晶体管为NPN管，施加的为正电压，双极型晶体管为PNP管时，施加的为负电压。

可选的，当测量的集电区电流值和校准集电区电流值的绝对值位于1E-9~1E-5安培范围内时，双极型晶体管的基区上对应施加的电压值为有效的基区电压值和校准基区电压值。

可选的，所述双极型晶体管为PNP管，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型为P型，第二掺杂区的掺杂类型为N型。

可选的，所述双极型晶体管为NPN管，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型为N型，第二掺杂区的掺杂类型为P型。

可选的，所述晶圆上的其他区域还形成有半导体器件。

可选的，所述半导体器件为MOS晶体管、电感或电容。

可选的，双极型晶体管工作在线性区时，双极型晶体管的集电区施加有集电区电压，发射区接地，且集电区电压值等于基区电压值。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点：

本发明的晶圆温度的检测方法，在晶圆内形成双极型晶体管，以双极型晶体管作为温度检测器件，然后在所述双极型晶体管的基区上施加不同的基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值，接着根据施加的基区电压值和对应至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度，对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。在晶圆内形成双极型晶体管，双极型晶体管在不同的晶圆温度下的基区电压值和集电区电流值具有不同的特性，将获得的多组基区电压值和对应的集电区电流值进行指数曲线拟合，从而获得晶圆的温度，因此获得的晶圆温度能较准确的反应晶圆的温度，从而提高了晶圆温度检测的准确性，并且温度检测时可以实时对晶圆的温度进行检测，而不需要很长的温度稳定时间，提高了温度检测的效率。

进一步，测试温度的范围为220~450开尔文，双极型晶体管在测量这一温度范围的温度时，具有较高的精度，双极型晶体管作为温度检测器时，双极型晶体管工作在线性区，集电区电流值和后续校准时的校准集电区电流值的绝对值范围为1E-9~1E-5安培，所述基区电压值和后续校准时的校准基区电压值的绝对值范围为0.2~0.8伏，基区电压值和测量的集电区电流值具有较好的线性特征，能够提高测量的精度，并且基区电压值和集电区电流值对应的温度范围较大，增大了温度检测的应用范围。

附图说明

图1为本发明实施例晶圆温度的检测方法的流程示意图；

图2为本发明实施例双极型晶体管的结构示意图；

图3为不同的热力学温度下双极型晶体管的基区电压值和集电区电流值的特性曲线。

具体实施方式

现有通过加热装置对晶圆的加热，热量是通过热传导或者辐射的方式传递到晶圆内，而在温度的检测时，一般通过接触式或者非接触的方式对载物台或者处理腔室的温度进行检测，因此检测得到的温度并不一定是晶圆内部的实际温度，检测的温度和实际的温度存在差异，不利于半导体器件的性能的提高和相关模型的建立，并且在对晶圆进行加热时需要较长的温度稳定时间（一般大于30分钟），才能使晶圆内的实际温度接近加热的设定温度，使得整个测量的过程的时间较长，效率较低。

为解决上述问题，发明人提出一种晶圆温度的检测方法，在晶圆内形成双极型晶体管，以双极型晶体管作为温度检测器件，然后在所述双极型晶体管的基区上施加不同的基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与基区电压值的对应至少三个集电区电流值，接着根据施加的基区电压值和对应至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度，对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。在晶圆内形成双极型晶体管，双极型晶体管在不同的晶圆温度下的基区电压值和集电区电流值的具有的不同特性，将获得的多组基区电压值和对应的集电区电流值进行指数曲线拟合，从而获得晶圆的温度，因此获得的晶圆温度能较准确的反应晶圆的温度，从而提高了晶圆温度检测的准确性，并且温度检测时可以实时对晶圆的温度进行检测，而不需要很长的温度稳定时间，提高了温度检测的效率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

请参考图1，图1为本发明实施例晶圆温度的检测方法的流程示意图，包括步骤：

步骤S201，提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件，所述双极型晶体管包括位于晶圆内的第一掺杂区、位于第一掺杂区内的第二掺杂区、位于第二掺杂区内的第三掺杂区，其中所述第一掺杂区为双极型晶体管的集电区、第二掺杂区为双极型晶体管的基区、第三掺杂区为双极型晶体管的发射区；

步骤S202，对所述温度检测器件进行校准；

步骤S203，在所述双极型晶体管的基区上施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；

步骤S204，根据施加的至少三个基区电压值和对应至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度；

步骤S205，对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。

下面将就上述具体过程进行详细的描述。

首先，请参考图2，提供晶圆100，在所述晶圆100上形成双极型晶体管104，双极型晶体管104作为温度检测器件，所述双极型晶体管104包括位于晶圆100内的第一掺杂区101、位于第一掺杂区101内的第二掺杂区102、位于第二掺杂区内102的第三掺杂区103，其中所述第一掺杂区101为双极型晶体管104的集电区、第二掺杂区102为双极型晶体管104的基区、第三掺杂区103为双极型晶体管104的发射区。

所述双极型晶体管104为PNP管，第一掺杂区101和第三掺杂区103的掺杂类型为P型，第二掺杂区102的掺杂类型为N型。所述双极型晶体管还可以为NPN管，第一掺杂区101和第三掺杂区103的掺杂类型为N型，第二掺杂区102的掺杂类型为P型。本实施例中，所述双极型晶体管104为PNP管。

所述晶圆100上的其他区域还形成有半导体器件，所述半导体器件为待分析或待建模的半导体器件，半导体器件的相关性能跟晶圆100的测试温度或工作温度相关，半导体器件和作为温度检测器件的双极型晶体管104形成在同一片晶圆上，因此通过双极型晶体管104检测的晶圆温度即为半导体器件的测试温度或者工作温度。所述半导体器件可以为MOS晶体管、电感或电容。本实施例中，所述半导体器件为MOS晶体管105，所述MOS晶体管105包括：位于晶圆100上的栅介质层和位于栅介质层上的栅电极，以及位于栅电极和栅电极两侧侧壁的侧墙、和位于栅电极两侧的晶圆100内的源漏区。

所述晶圆100内还形成有浅沟槽隔离结构106，所述浅沟槽隔离结构106用于电学隔离所述MOS晶体管105和双极型晶体管104。

所述晶圆100的材料可以为单晶硅（Si）、单晶锗（Ge）、或硅锗（GeSi）、碳化硅（SiC）；也可以是绝缘体上硅（SOI），绝缘体上锗（GOI）；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物。本实施例中，所述晶圆100的材料为单晶硅。

采用双极型晶体管104作为温度检测器件，发明人经过实验研究发现，双极型晶体管104在不同的温度下，施加在双极型晶体管104基区上的基区电压值和测量的集电区电流值随着温度的变化而变化，即基区电压值及对应的集电区电流值相对于双极型晶体管104所处的温度具有较高的敏感性，具体请参考图3，图3为不同的热力学温度下双极型晶体管的基区电压值和集电区电流值的特性曲线，其中横坐标表示施加在双极型晶体管104的基区上的基区电压值V_be的绝对值，纵坐标表示从测量的集电区电流值的绝对值，曲线11为双极型晶体管104在热力学温度398开尔文下的基区电压值和集电区电流值的特性曲线，曲线12为双极型晶体管104在热力学温度298开尔文下的基区电压值和集电区电流值的特性曲线，曲线13为双极型晶体管104在热力学温度233开尔文下的基区电压值和集电区电流值的特性曲线。从图3中可以明显看出，每条曲线包括线性区和饱和区，在线性区时，集电区电流值随着基区电压值的增大而增大，集电区电流值与基区电压值呈线性的关系，并且在不同的热力学温度下，双极型晶体管104的基区电压和集电区电流值的在线性区的特性曲线不相同，不同热力学温度下的特性曲线在横坐标方向和纵坐标方法均存在一定的间距，因此双极型晶体管104的基区电压和集电区电流值对温度的敏感性较大，将双极型晶体管104作为温度检测器件检测晶圆的温度时具有较高的精度。

本实施例中，双极型晶体管104作为温度检测器时，测试温度的范围为220~450开尔文，双极型晶体管104在测量这一温度范围的温度时，具有较高的精度。双极型晶体管104作为温度检测器时，双极型晶体管104工作在线性区AB，集电区电流值和后续校准时的校准集电区电流值的绝对值范围为1E-9~1E-5安培。其中，所述双极型晶体管为NPN管，获得的为正电流，双极型晶体管为PNP管时，获得的为负电流。所述基区电压值和后续校准时的校准基区电压值的绝对值范围为0.2~0.8伏，其中，所述双极型晶体管为NPN管，施加的为正电压，双极型晶体管为PNP管时，施加的为负电压，在这个区间内基区电压值和测量的集电区电流值具有较好的线性关系，使测量温度具有较高的精度，并且基区电压值和集电区电流值对应的温度范围较大，增大了温度检测的应用范围。

发明人在上述大量实验研究数据和现有知识的基础上，发现双极型晶体管104基区电压值、集电区电流值和检测温度满足下述的指数曲线方程（1）：

$I_c=I_s\×e^{[E_g\×(q/{\mathrm{kT}}_{\mathrm{rf}}-q/\mathrm{kT})+X_{\mathrm{ti}}\×{\ln }^{T/T_{\mathrm{rf}}}]}\×[e^{{\mathrm{qV}}_{\mathrm{be}}/\mathrm{kT}}-1]---\left(1\right)$

其中，I_c为集电区电流值，I_s为固定器件常数，E_g为带隙，q为单位电荷常数，k为玻尔兹曼常数，T_rf为参考温度，T为测试温度，X_ti为常数，V_be为发射区接地时的基区电压值。

本实施例中，在后续进行校准和温度检测时，式（1）中所述E_g等于1.18电子伏，X_ti等于3，T_rf等于298开尔文。在其他实施例中，晶圆为单晶硅以外的其他材料时，带隙E_g为相应材料的带隙值。接着，继续参考图2，在晶圆100上形成双极型晶体管104后，对所述温度检测器件进行校准。进行校准是为了获得固定器件常数I_s，固定器件常数I_s跟晶圆100的材料等因素相关，晶圆100的材料不同时，固定器件常数I_s也会不同，因此在使用双极型晶体管104测量晶圆的温度前，必须进行校准。

对所述温度检测器件进行校准的过程为：将晶圆100加热到不同的三个标准温度，所述三个标准温度为：高温区温度、中温区温度和低温区温比如：所述高温区温度为398开尔文，中温区温度为298开尔文，低温区温度为233开尔文，在三个标准温度下，在双极型晶体管104的基区上分别施加校准基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与三个标准温度对应的三个校准集电区电流值，将校准基区电压值、标准温度和对应的三个校准集电区电流值、E_g等于1.18电子伏、X_ti等于3、T_rf等于298开尔文分别代入所述指数曲线，获得固定器件常数I_s。所述校准过程在具有高精度的测试仪器上进行，测试仪器对晶圆100加热到的标准温度即为晶圆的实际温度。采用三个不同的温区对温度检测器件进行校准，使得校准时跨越不同的温区，使获得的固定器件常数I_s更精确，当后续测量不同温区的温度时，提高测量的精确度。

进行温度校准时，晶圆100加热到不同的三个标准温度后，需要对晶圆保持大于至少30分钟的温度稳定时间，以使晶圆内部的实际温度与设定的标准温度的差值小于0.1开尔文，使得校准基区电压值和对应的校准集电区电流值能准确的反应标准温度下的双极型晶体管特性，提高了计算获得固定器件常数I_s的准确性。当校准后，后续采用本发明的温度检测器件测量温度时，只需对上述晶圆100进行加热，加热后，无论晶圆的实际温度是否达到设定温度，都可以实时对晶圆的内部温度进行测量，测量获得的温度即为晶圆内部的实际温度，因此不需要很长的保温时间，使得温度检测的整个过程的时间大幅减少，从而提高了温度检测的效率。

在校准时，双极型晶体管工作在线性区，双极型晶体管的集电区施加有集电区电压，发射区接地，且集电区电压值等于基区电压值。

由于晶圆100上的双极型晶体管104的测试温度的范围为220~450开尔文，上述测试温度范围对应的集电区电流值的绝对值范围1E-9~1E-5安培，进行校准时，当测量的校准集电区电流值的绝对值位于1E-9~1E-5安培范围内时，此时的双极型晶体管的基区上对应施加的电压值为有效的校准基区电压值，当测量的校准集电区电流值超过上述范围时，则需要改变基区电压值，重新测量集电区电流值，以提高校准的精度。

在校准完成后，式（1）中，只有集电区电流值I_c，测试温度T，基区电压值V_be为变量，因此后续在对晶圆100上的半导体器件进行根晶圆温度有关的有效性分析或者测试建模时，当需要知道晶圆内的实际温度，只需在双极型晶体管104的基区上施加一基区电压值V_be，然后测量集电区电流值I_c，就可以从式（1）得出晶圆的测试温度T，温度检测的方法简单方便，而且测量的温度能准确的反应晶圆的实际温度，精度较高。

最后，在完成校准后，就可以应用上述双极型晶体管104进行温度的检测，其具体过程为：首先，晶圆100处于某一未知的温度下（或者某一不精确的温度下），然后在所述双极型晶体管104的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与所述至少三个基区电压值的对应的至少三个集电区电流值，然后根据施加的至少三个基区电压值和对应的至少三个集电区电流值，代入式（1），获得晶圆的至少三个测试温度，接着对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。

综上，本发明实施例的晶圆温度的检测方法，在晶圆内形成双极型晶体管，以双极型晶体管作为温度检测器件，然后在所述双极型晶体管的基区上施加不同的基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与基区电压值对应的至少三个集电区电流值，接着根据施加的基区电压值和对应至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度，对至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。在晶圆内形成双极型晶体管，双极型晶体管在不同的晶圆温度下的基区电压值和集电区电流值的具有的不同特性，将获得的多组基区电压值和对应的集电区电流值进行指数曲线拟合，从而获得晶圆的温度，因此获得的晶圆温度能较准确的反应晶圆的温度，从而提高了晶圆温度检测的准确性。

进一步，测试温度的范围为220~450开尔文，双极型晶体管在测量这一温度范围的温度时，具有较高的精度，双极型晶体管104作为温度检测器时，双极型晶体管工作在线性区，集电区电流值和后续校准时的校准集电区电流值的绝对值范围为1E-9~1E-5安培，所述基区电压值和后续校准时的校准基区电压值的绝对值范围为0.2~0.8伏，基区电压值和测量的集电区电流值具有较好的线性，提高测量的精度，并且基区电压值和集电区电流值对应的温度范围较大，增大了温度检测的应用范围。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (14)

1.一种晶圆温度的检测方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，在所述晶圆上形成双极型晶体管，双极型晶体管作为温度检测器件，所述双极型晶体管包括位于晶圆内的第一掺杂区、位于第一掺杂区内的第二掺杂区、位于第二掺杂区内的第三掺杂区，其中所述第一掺杂区为双极型晶体管的集电区、第二掺杂区为双极型晶体管的基区、第三掺杂区为双极型晶体管的发射区；

对所述温度检测器件进行校准；

在所述双极型晶体管的基区上依次施加至少三个不同的基区电压，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与至少三个基区电压值对应的至少三个集电区电流值；

根据施加的至少三个基区电压值和对应的至少三个集电区电流值，进行指数曲线拟合，获得晶圆的至少三个测试温度，其中所述拟合的指数曲线方程为： $I_c=I_s\×e^{\[E_g\×\left(q/{\mathrm{kT}}_{rf}-q/kT\right)+X_{ti}\×{\ln }^{T/T_{rf}}\]}\×\[e^{q{V}_{be}/kT}-1\],$ 其中，I_c为集电区电流值，I_s为固定器件常数，E_g为带隙，q为单位电荷常数，k为玻尔兹曼常数，T_rf为参考温度，T为测试温度，X_ti为常数，V_be为发射区接地时的基区电压值；

对所述至少三个测试温度求平均值，将平均值作为晶圆的温度。

2.如权利要求1所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述E_g等于1.18电子伏，X_ti等于3，T_rf等于298开尔文。

3.如权利要求2所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述对温度检测器件进行校准的过程为：将晶圆加热到不同的三个标准温度，在三个标准温度下，在双极型晶体管的基区上分别施加校准基区电压值，双极型晶体管工作在线性区，并测量获得与三个标准温度对应的三个校准集电区电流值，将校准基区电压值、标准温度和对应的三个校准集电区电流值、E_g等于1.18电子伏、X_ti等于3、T_rf等于298开尔文分别代入所述指数曲线，获得固定器件常数I_s。

4.如权利要求3所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述测试温度的范围为220～450开尔文。

5.如权利要求4所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述三个标准温度为：高温区温度、中温区温度和低温区温度，所述低温区温度小于中温区温度，且中温区温度小于高温区温度。

6.如权利要求5所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述高温区温度为398开尔文，中温区温度为298开尔文，低温区温度为233开尔文。

7.如权利要求4所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述集电区电流值和校准集电区电流值的绝对值范围为1E-9～1E-5安培，其中，所述双极型晶体管为NPN管时，获得的为正电流，双极型晶体管为PNP管时，获得的为负电流。

8.如权利要求4所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述基区电压值和校准基区电压值的绝对值范围为0.2～0.8伏，其中，所述双极型晶体管为NPN管时，施加的为正电压，双极型晶体管为PNP管时，施加的为负电压。

9.如权利要求7或8所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，当测量的集电区电流值和校准集电区电流值的绝对值位于1E-9～1E-5安培范围内时，双极型晶体管的基区上对应施加的电压值为有效的基区电压值和校准基区电压值。

10.如权利要求7或8所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述双极型晶体管为PNP管，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型为P型，第二掺杂区的掺杂类型为N型。

11.如权利要求7或8所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述双极型晶体管为NPN管，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型为N型，第二掺杂区的掺杂类型为P型。

12.如权利要求1所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述晶圆上的其他区域还形成有半导体器件。

13.如权利要求12所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，所述半导体器件为MOS晶体管、电感或电容。

14.如权利要求1所述的晶圆温度的检测方法，其特征在于，双极型晶体管工作在线性区时，双极型晶体管的集电区施加有集电区电压，发射区接地，且集电区电压值等于基区电压值。