JP6940481B2 - 四座配位子、その製造方法及び合成中間体並びにその遷移金属錯体 - Google Patents

Description

本発明は、新規な四座配位子、その製造方法及び合成中間体並びに、該四座配位子の遷移金属錯体に関する。

今日、遷移金属と配位子から構成される種々の遷移金属錯体が、有機合成反応における触媒として精力的に用いられている。このような触媒の性能及び活性を発現させる因子として、遷移金属の種類のみならず配位子、すなわち金属種に配位しうる孤立電子対を持つ基（配位基）を有する有機化合物が、極めて重要な役割を果たすことが知られている。

これらの配位子の中でも、配位基を４つ有する有機化合物（四座配位子）は、配位する際に３個のキレート環を形成するため、その金属錯体が高度に安定化されるといった特性を有している。また、正八面体構造を有する金属錯体においては、四座配位子はｔｒａｎｓ形式のみならず、ｃｉｓ−α／ｃｉｓ−β形式でも配位出来ることから、金属中心に新たな不斉環境を誘起させることが可能である。

このように、四座配位子は興味深い配位挙動を示すことから、錯体化学、触媒化学及び有機合成化学等の分野において重要な位置を占めており、現在でもなお盛んな研究開発が行われている。これまでに報告されている四座配位子の構造は、短工程で合成可能な単純なものから、多段階の反応が必要とされる複雑なものまで多岐に亘るが、工業的な観点からは大量合成容易な、より単純な構造の四座配位子が望ましい。

このような四座配位子の例として、２−ジフェニルホスフィノベンズアルデヒドとエチレンジアミン誘導体との脱水縮合物が、金属種に対してＰＮＮＰ（リン−窒素−窒素−リン）四座配位子として振舞うことが知られている。このＰＮＮＰ四座配位子のルテニウム錯体は、例えばエステル類の水素添加反応において良好な触媒活性を示すことが報告されている（特許文献１及び非特許文献１）。

また、近年になり、安価に入手可能な２−ニトロベンズアルデヒドから合成可能な２−アルキルチオベンズアルデヒドと、エチレンジアミン誘導体との脱水縮合物もまた、ＳＮＮＳ（硫黄−窒素−窒素−硫黄）四座配位子として機能することや、このＳＮＮＳ四座配位子のルテニウム錯体がケトン類の不斉水素添加反応において優れた触媒となることが報告されている（非特許文献２）。

日本国特許第５４７７５５７号公報

Ｌｉｏｎｅｌ Ａ． Ｓａｕｄａｎ， Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈｅ Ｍ． Ｓａｕｄａｎ， Ｃａｔｈｅｒｉｎｅ Ｄｅｂｉｅｕｘ， ａｎｄ Ｐａｔｒｉｃｋ Ｗｙｓｓ， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｉｎｔ． Ｅｄ． ２００７， ４６， ７４７３−７４７６． Ｒｕｔｈ Ｐａｔｃｈｅｔｔ， Ｉｒｉｓ Ｍａｇｐａｎｔａｙ， Ｌｉｏｎｅｌ Ｓａｕｄａｎ， Ｃｈｒｉｓｔｏｐｈ Ｓｃｈｏｔｅｓ， Ａｎｔｏｎｉｏ Ｍｅｚｚｅｔｔｉ， ａｎｄ Ｆｒａｎｃｅｓｃｏ Ｓａｎｔｏｒｏ， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｉｎｔ． Ｅｄ． ２０１３， ５２， １０３５２−１０３５５．

先述したように、単純な構造で大量合成容易な四座配位子及びそのルテニウム錯体についてはある程度の研究開発が進展しているものの、特許文献１及び非特許文献１に記載のエステル類の水素添加反応では、高圧（５ＭＰａ）の水素ガスが必要となる上、ＰＮＮＰ四座配位子の原料となる２−ジフェニルホスフィノベンズアルデヒドが比較的高価であるといった問題点を有している。

また、非特許文献２に記載のケトン類の不斉水素添加反応においても、５ＭＰａの高圧水素ガスが必要である上、ケトン類より反応性に乏しいエステル類の水素添加反応については適用例がない。従って、現在汎用されている、単純な構造のＰＮＮＰ四座配位子やＳＮＮＳ四座配位子に関しては、工業的に大量合成可能であるものの、それらの遷移金属錯体の触媒活性が十分ではないという点や、原料価格において改善の余地が残されている。

本発明は、前記の状況に鑑み為されたものである。即ち、金属種に対して興味深い配位挙動を示し、その遷移金属錯体が高い触媒活性を示す四座配位子及び、そのような四座配位子の簡便かつ効率的な製造方法を提供することが、本発明の課題である。

本発明者らは、前記の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、１）入手容易なα，α’−ジブロモ−ｏ−キシレンに、同じく入手容易な２−オキサゾリドンを反応させることで新規な合成中間体が容易に得られることや、２）この合成中間体に対して、種々の誘導体が入手可能な２級ホスフィン、２級ホスフィン−３水素化ホウ素錯体及びチオールを反応させることにより、様々な新規ＰＮＮＰ四座配位子及び新規ＳＮＮＳ四座配位子が収率良く合成出来ることを見出した（以下、Ｅｑ．１にて反応式の概略を示すが、本発明はこの概略によって何ら限定されるものではない）。

更に、３）これらの四座配位子のルテニウム錯体がｃｉｓ−α／ｃｉｓ−βといった特徴的な配位形式を有することや、４）これらのルテニウム錯体が、エステル類の水素添加反応のみならず、アミド類、ラクトン類及びニトリル類等の水素添加反応においても優れた触媒活性を示すことを見出した。本発明者らは、これらの基礎的な知見を元にして更なる研究を進めることで、本発明を完成するに至った。

即ち本発明は、以下の［１］〜［１０］を含むものである。
［１］下記一般式（１^Ａ）で表される化合物。

［式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。Ｇは下記一般式（Ｇ^Ｐ）

（式中、実線は単結合、点線は配位結合、波線が交差した実線は隣接する原子への結合手を表す。Ｐはリン原子を表す。Ｌは孤立電子対又は三水素化ホウ素を表す。Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいヘテロアリール基及び置換基を有してもよいアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して、置換基を有してもよい、リン原子を含む環を形成してもよい。）
で表される１価基及び下記一般式（Ｇ^Ｓ）

（式中、実線は単結合、波線が交差した実線は隣接する原子への結合手を表す。Ｓは硫黄原子を表す。Ｒ^３はアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいヘテロアリール基及び置換基を有してもよいアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。）
で表される１価基から構成される群より選択される基を表す。］
［２］前記Ｒ^５〜Ｒ^１５がいずれも水素原子である、前記［１］に記載の化合物。
［３］光学活性体である、前記［１］又は前記［２］に記載の化合物。
［４］下記一般式（２^Ａ）

（式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。）
で表される化合物と、下記一般式（３）

（式中、実線は単結合を表す。Ｈは水素原子を表す。Ｇは、前記［１］において定義したＧと同様の基を表す。）
で表される化合物を反応させる、前記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の化合物の製造方法。
［５］下記一般式（２^Ａ）で表される化合物。

（式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。）
［６］前記Ｒ^５〜Ｒ^１５がいずれも水素原子である、前記［５］に記載の化合物。
［７］光学活性体である、前記［５］又は前記［６］に記載の化合物。
［８］前記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の化合物を配位子として有する遷移金属錯体。
［９］金属種が、第８〜１１族遷移金属から構成される群より選択される金属種である、前記［８］に記載の遷移金属錯体。
［１０］前記金属種が、第８族遷移金属から選択される金属種である、前記［９］に記載の遷移金属錯体。

本発明の一般式（１^Ａ）で表される新規化合物は、本発明の一般式（２^Ａ）で表される新規化合物と一般式（３）で表される化合物を反応させることで、簡便かつ収率良く合成可能である。更に、この化合物は四座配位子として機能し、種々の遷移金属化合物と反応させることで得られる遷移金属錯体は、種々の有機合成反応において優れた触媒活性を示す。
例えば、一般式（１^Ａ）で表される化合物を配位子として有するルテニウム錯体は、従来の簡便に製造可能な四座配位子を有するルテニウム錯体に比べて、エステル類の水素添加反応において優れた触媒活性を示すことから、この反応によって工業的に価値の高い１級アルコール類を効率良く製造することが出来る。

また、一般式（１^Ａ）で表される化合物を配位子として有するルテニウム錯体を触媒として用い、アミド類、ハロゲン化エステル類、不飽和エステル類、ラクトン類及びニトリル類の水素添加反応を行うことで、１級アルコール類のみならず、ハロゲン化アルコール類、不飽和アルコール類、ジオール類及び１級アミン類などの有用化合物もまた、高選択的かつ高収率で製造可能である。

［一般式（１^Ａ）で表される化合物］
以下、一般式（１^Ａ）で表される化合物（以下、本発明の化合物（１^Ａ）と称す）について詳細に説明する。
前記一般式（１^Ａ）中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子を表す。Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は各々独立して、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。Ｇは、前記一般式（Ｇ^Ｐ）で表される１価基及び前記一般式（Ｇ^Ｓ）で表される１価基から構成される群より選択される基を表す。前記一般式（Ｇ^Ｐ）及び一般式（Ｇ^Ｓ）中、実線は単結合、点線は配位結合、波線が交差した実線は隣接する原子への結合手を表す。Ｐはリン原子、Ｓは硫黄原子を表す。Ｌは孤立電子対又は三水素化ホウ素を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいヘテロアリール基及び置換基を有してもよいアラルキル基から構成される群より選択される基を表し、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基及び置換基を有してもよいアリール基から構成される群より選択される基を表す。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアルキル基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、例えば炭素数１〜３０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ―ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２−メチルブタン−２−イル基、２−メチルブタン−３−イル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、２−メチルペンタン−３−イル基、２−メチルペンタン−４−イル基、３−メチルペンタン−２−イル基、３−メチルペンタン−３−イル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブタン−３−イル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基及びｎ−デシル基等が挙げられ、好ましい具体例としてはメチル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるシクロアルキル基としては、例えば炭素数３〜３０のシクロアルキル基、好ましくは炭素数３〜２０のシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３〜１０のシクロアルキル基が挙げられ、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基及び２−アダマンチル基等が挙げられ、好ましい具体例としてはシクロヘキシル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアルケニル基としては、直鎖状でも分岐状でも、または環状でもよく、例えば炭素数２〜２０のアルケニル基、好ましくは炭素数２〜１４のアルケニル基、より好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基が挙げられ、具体的にはビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、アリル基、１−シクロヘキセニル基、１−スチリル基及び２−スチリル基等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアリール基としては、例えば炭素数６〜１８のアリール基、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、より好ましくは炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、１−ナフチル基及び２−ナフチル基等が挙げられ、好ましい具体例としてはフェニル基が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるヘテロアリール基としては、酸素原子又は硫黄原子を含む５員環の芳香族複素環及び、該芳香族複素環が前記アリール基によって縮環された多環芳香族複素環由来のヘテロアリール基が挙げられ、具体的には２−フリル基、３−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基及び３−ベンゾチエニル基等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアラルキル基としては、前記アルキル基又は前記シクロアルキル基の少なくとも一つの水素原子が前記アリール基によって置換されることで形成されるアラルキル基及び、前記シクロアルキル基が前記アリール基によって縮環されることで形成される多環状アラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、２−フェニルプロピル基、３−フェニルプロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、１−インダニル基、２−インダニル基及び９−フルオレニル基等が挙げられる。

Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して、置換基を有してもよく、リン原子を含む環を形成してもよい。このようなリン原子を含む環の具体例としては、ホスホラン環、１Ｈ−ホスホール環、ホスフィナン環、１，２−ジヒドロホスフィニン環、ホスフェパン環及び１Ｈ−ホスフェピン環等が挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^３におけるアルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基及びアラルキル基、並びにＲ^１とＲ^２が互いに結合して形成するリン原子を含む環が有してもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲノアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、シリル基及びハロゲノ基等が挙げられる。これらの置換基の内、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基は、Ｒ^１〜Ｒ^３の説明において詳述した基と同様の基が挙げられる。

これらの置換基におけるハロゲノアルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも一つの水素原子がハロゲン原子によって置換された基が挙げられ、具体的にはトリフルオロメチル基及びノナフルオロブチル基等が挙げられる。
これらの置換基におけるアルコキシ基としては、例えば炭素数１〜１０のアルコキシ基、好ましくは炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、１−プロポキシ基、２−プロポキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
これらの置換基におけるシリル基としては、例えば炭素数３〜３６のシリル基、好ましくは炭素数３〜１８のシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリ（２−プロピル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びトリフェニルシリル基等が挙げられる。
これらの置換基におけるハロゲノ基としては、具体的にはフルオロ基、クロロ基、ブロモ基及びヨード基等が挙げられ、好ましくはフルオロ基及びクロロ基等が挙げられる。

Ｒ^４〜Ｒ^１５におけるアルキル基としては、直鎖状でも分岐状でもよく、例えば炭素数１〜２０のアルキル基、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ―ペンチル基、２−ペンチル基、３−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、２−メチルブタン−２−イル基、２−メチルブタン−３−イル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、２−ヘキシル基、３−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、２−メチルペンタン−３−イル基、２−メチルペンタン−４−イル基、３−メチルペンタン−２−イル基、３−メチルペンタン−３−イル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基及び２，２−ジメチルブタン−３−イル基等が挙げられ、好ましい具体例としては２−プロピル基が挙げられる。

Ｒ^４〜Ｒ^１５におけるシクロアルキル基としては、例えば炭素数３〜２０のシクロアルキル基、好ましくは炭素数３〜１０のシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３〜６のシクロアルキル基が挙げられ、具体的にはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ｒ^４〜Ｒ^１５におけるアリール基としては、例えば炭素数６〜１８のアリール基、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、より好ましくは炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、具体的にはフェニル基、１−ナフチル基及び２−ナフチル基等が挙げられ、好ましい具体例としてはフェニル基が挙げられる。

Ｒ^４〜Ｒ^１５におけるアラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも一つの水素原子が前記アリール基によって置換されたアラルキル基が挙げられ、具体的にはベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、２−フェニルプロピル基、３−フェニルプロピル基、１−フェニル−２−プロピル基及び２−フェニル−２−プロピル基等が挙げられ、好ましい具体例としてはベンジル基が挙げられる。

また、本発明の化合物（１^Ａ）は光学活性体であってもよい。本発明の化合物（１^Ａ）のより好ましい形態としては、具体的には前記一般式（１^Ａ）におけるＲ^５〜Ｒ^１５がいずれも水素原子である、下記一般式（１^Ｂ）

（式中、実線、二重線、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｒ^４及びＧは、前記一般式（１^Ａ）において定義した実線、二重線、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｒ^４及びＧと同様である。）
で表される化合物（以下、化合物（１^Ｂ）と称す）が挙げられる。

本発明の化合物（１^Ａ）の特に好ましい形態としては、具体的には以下に示す化合物（１^Ｂ−１）〜（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−８）等が挙げられる。

本発明の化合物（１^Ａ）の中には、空気に対して不安定な化合物や、高粘度液状物質となるため精製や計量が困難な化合物もあることから、取り扱いを容易にするため、ブレンステッド酸、具体的にはハロゲン化水素酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、スルホン酸、カルボン酸、フェノール類、リン酸、ヘキサフルオロリン酸、ホウ酸及びテトラフルオロホウ酸等と反応させることで、対応するブレンステッド酸塩を形成させてもよい。

ハロゲン化水素酸としては、具体的にはフッ化水素酸、塩酸、臭化水素酸及びヨウ化水素酸等が挙げられる。スルホン酸としては、具体的にはメタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸及び１０−カンファースルホン酸等が挙げられる。カルボン酸としては、具体的にはギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、サリチル酸、シュウ酸及び酒石酸等が挙げられる。フェノール類としては、具体的にはフェノール、ｐ−クレゾール、ｐ−ニトロフェノール及びペンタフルオロフェノール等が挙げられる。

本発明の化合物（１^Ａ）のブレンステッド酸塩を、本発明の化合物（１^Ａ）を配位子として有する遷移金属錯体（以下、本発明の遷移金属錯体と称す）の製造に用いる際には、ブレンステッド酸塩のまま反応に用いてもよく、反応系外で塩基と作用させて本発明の化合物（１^Ａ）を遊離させた後に反応に用いてもよく、反応系内で塩基と作用させて本発明の化合物（１^Ａ）を遊離させながら反応に用いてもよい。

更に、本発明の化合物（１^Ａ）におけるＧが一般式（Ｇ^Ｐ）で表され、なおかつ一般式（Ｇ^Ｐ）におけるＬが三水素化ホウ素である場合、本発明の化合物（１^Ａ）を本発明の遷移金属錯体の製造に用いる際には、そのまま反応に用いてもよく、反応系外で三水素化ホウ素を解離させた後に反応に用いてもよく、反応系内で三水素化ホウ素を解離させながら反応に用いてもよい。三水素化ホウ素の解離には解離剤を併用することが好ましく、三水素化ホウ素の解離剤としては、例えばジエチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン及び１，４−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等のアミン類が挙げられる。

［一般式（２^Ａ）で表される化合物］
次に、本発明の化合物（１^Ａ）の原料化合物となる、一般式（２^Ａ）で表される化合物（以下、本発明の中間体（２^Ａ）と称す）について説明する。
前記一般式（２^Ａ）中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４〜Ｒ^１５は、前記一般式（１^Ａ）において定義したＲ^４〜Ｒ^１５と同様の基である。

また、本発明の中間体（２^Ａ）は光学活性体であってもよい。本発明の中間体（２^Ａ）のより好ましい形態としては、具体的には前記一般式（２^Ａ）におけるＲ^５〜Ｒ^１５がいずれも水素原子である、下記一般式（２^Ｂ）

（式中、Ｈは水素原子を表す。実線、二重線、Ｃ、Ｎ、Ｏ及びＲ^４は、前記一般式（２^Ａ）において定義した実線、二重線、Ｃ、Ｈ、Ｎ及びＲ^４と同様である。）
で表される化合物（以下、化合物（２^Ｂ）と称す）が挙げられる。

本発明の中間体（２^Ａ）の特に好ましい形態としては、具体的には以下に示す化合物（２^Ｂ−１）〜（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−４）等が挙げられる。

本発明の中間体（２^Ａ）は、下記一般式（４^Ａ）

（式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子を表す。ＬＧは脱離基を表す。Ｒ^８〜Ｒ^１５は、前記一般式（２^Ａ）において定義したＲ^８〜Ｒ^１５と同様の基である。）
で表される化合物（以下、化合物（４^Ａ）と称す）と、下記一般式（５^Ａ）

（式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４〜Ｒ^７は、前記一般式（２^Ａ）において定義したＲ^４〜Ｒ^７と同様の基である。）
で表される化合物（以下、化合物（５^Ａ）と称す）を、塩基性条件下で反応させることによって容易に得ることが出来る。

また、本発明の中間体（２^Ａ）のより好ましい形態である化合物（２^Ｂ）は、下記一般式（４^Ｂ）

（式中、Ｈは水素原子を表す。実線、二重線、Ｃ及びＬＧは、前記一般式（４^Ａ）において定義した実線、二重線、Ｃ及びＬＧと同様である。）
で表される化合物（以下、化合物（４^Ｂ）と称す）と、下記一般式（５^Ｂ）

（式中、実線、二重線、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ及びＲ^４は、前記一般式（５^Ａ）において定義した実線、二重線、Ｃ、Ｈ、Ｎ、Ｏ及びＲ^４と同様である。）
で表される化合物（以下、化合物（５^Ｂ）と称す）を、塩基性条件下で反応させることによって容易に得ることが出来る。

前記一般式（４^Ａ）及び（４^Ｂ）中、ＬＧは脱離基を表し、好ましくはハロゲノ基及びスルホニルオキシ基を表す。ハロゲノ基としては、具体的にはフルオロ基、クロロ基、ブロモ基及びヨード基等が挙げられ、好ましい具体例としてはブロモ基が挙げられる。スルホニルオキシ基としては、具体的にはメタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基及びトリフルオロメタンスルホニルオキシ基等が挙げられる。

化合物（４^Ａ）の特に好ましい形態としては、具体的には以下に示す化合物（４^Ｂ−１）が挙げられる。また、化合物（５^Ｂ）の特に好ましい形態としては、具体的には以下に示す化合物（５^Ｂ−１）〜（（Ｓ）−５^Ｂ−４）等が挙げられる。

［本発明の化合物（１^Ａ）の製造方法］
次に、本発明の化合物（１^Ａ）の製造方法について詳細に説明する。本発明の化合物（１^Ａ）は、本発明の中間体（２^Ａ）と、一般式（３）で表される化合物（以下、化合物（３）と称す）との反応によって容易に得ることが出来る（Ｅｑ．２）。

まず、化合物（３）について、具体例を挙げながら更に詳細に説明する。
前記一般式（３）中、実線は単結合を表す。Ｈは水素原子を表す。Ｇは、前記一般式（１^Ａ）において定義したＧと同様の基を表す。
化合物（３）としては、具体的には下記一般式（３^Ｐ）

（式中、実線は単結合、点線は配位結合を表す。Ｈは水素原子、Ｐはリン原子を表す。Ｌは孤立電子対又は三水素化ホウ素を表す。Ｒ^１及びＲ^２は、前記一般式（１^Ａ）において定義したＲ^１及びＲ^２と同様の基を表す。）
で表される化合物（以下、化合物（３^Ｐ）と称す）、即ち２級ホスフィン及び２級ホスフィン−三水素化ホウ素錯体並びに、下記一般式（３^Ｓ）

（式中、実線は単結合を表す。Ｈは水素原子、Ｓは硫黄原子を表す。Ｒ^３は、前記一般式（１^Ａ）において定義したＲ^３と同様の基を表す。）
で表される化合物（以下、化合物（３^Ｓ）と称す）、即ちチオールが挙げられる。

化合物（３^Ｐ）の中でも、２級ホスフィンの具体例としては、ジメチルホスフィン（３^Ｐ−１）、ジエチルホスフィン（３^Ｐ−２）、ジイソプロピルホスフィン（３^Ｐ−３）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（３^Ｐ−４）、ジシクロペンチルホスフィン（３^Ｐ−５）、ジシクロヘキシルホスフィン（３^Ｐ−６）、ジ−１−アダマンチルホスフィン（３^Ｐ−７）、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスフィン（３^Ｐ−８）、ジフェニルホスフィン（３^Ｐ−９）、ビス（２−メチルフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１０）、ビス（４−メチルフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１１）、ビス（３，５−ジメチルフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１２）、ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１３）、ビス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１４）、ビス（４−メトキシフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１５）、ビス［４−（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィン（３^Ｐ−１６）、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ホスフィン（３^Ｐ−１７）、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェニル）ホスフィン（３^Ｐ−１８）、（１１ｂＳ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト［２，１−ｃ：１’，２’−ｅ］ホスフェピン（３^Ｐ−１９）及びジ−２−フリルホスフィン（３^Ｐ−２０）等が挙げられ、好ましい具体例としてはジフェニルホスフィン（３^Ｐ−９）が挙げられる。

化合物（３^Ｐ）の中でも、２級ホスフィン−３水素化ホウ素錯体の具体例としては、前記具体例として挙げた２級ホスフィンの３水素化ホウ素錯体が挙げられ、好ましい具体例としてはジシクロヘキシルホスフィン−３水素化ホウ素錯体（３^Ｐ−２１）が挙げられる。

化合物（３^Ｐ）の中でも、一般的に２級ホスフィンは空気に対して不安定であることから、取り扱いを容易にするため、ブレンステッド酸、具体的にはテトラフルオロホウ酸と塩を形成させてもよい。２級ホスフィンのブレンステッド酸塩は、反応系外で塩基と作用させて２級ホスフィンを遊離させた後に本発明の中間体（２^Ａ）との反応に用いてもよく、反応系内で塩基と作用させて２級ホスフィンを遊離させながら本発明の中間体（２^Ａ）との反応に用いてもよい。

また、本発明の中間体（２^Ａ）と化合物（３^Ｐ）との反応においては、化合物（３^Ｐ）の代替として、２級ホスフィン由来の１価陰イオン（２級ホスフィド）又は２級ホスフィンの３水素化ホウ素錯体由来の１価陰イオン（２級ホスフィドの３水素化ホウ素錯体）を用いてもよい。これらの２級ホスフィド及び２級ホスフィドの３水素化ホウ素錯体は、化合物（３^Ｐ）と塩基を反応させることによって容易に調製可能である。２級ホスフィドはこれ以外の反応によっても調製可能であり、具体的には２級ホスフィンハロゲン化物とアルカリ金属との反応、２級ホスフィン２量体とアルカリ金属との反応及び３級ホスフィンとアルカリ金属との反応等が挙げられる。

化合物（３^Ｓ）、即ちチオールの具体例としては、メタンチオール（３^Ｓ−１）、エタンチオール（３^Ｓ−２）、１−プロパンチオール（３^Ｓ−３）、２−プロパンチオール（３^Ｓ−４）、１−ブタンチオール（３^Ｓ−５）、２−ブタンチオール（３^Ｓ−６）、２−メチル−１−プロパンチオール（３^Ｓ−７）、２−メチル−２−プロパンチオール（３^Ｓ−８）、１−ペンタンチオール（３^Ｓ−９）、３−メチル−１−ブタンチオール（３^Ｓ−１０）、シクロペンタンチオール（３^Ｓ−１１）、１−ヘキサンチオール（３^Ｓ−１２）、シクロヘキサンチオール（３^Ｓ−１３）、１−ヘプタンチオール（３^Ｓ−１４）、１−オクタンチオール（３^Ｓ−１５）、１−ノナンチオール（３^Ｓ−１６）、１−デカンチオール（３^Ｓ−１７）、１−アダマンタンチオール（３^Ｓ−１８）、ベンゼンチオール（３^Ｓ−１９）、ｏ−トルエンチオール（３^Ｓ−２０）、ｍ−トルエンチオール（３^Ｓ−２１）、ｐ−トルエンチオール（３^Ｓ−２２）、２，４−ジメチルベンゼンチオール（３^Ｓ−２３）、２，５−ジメチルベンゼンチオール（３^Ｓ−２４）、３，４−ジメチルベンゼンチオール（３^Ｓ−２５）、３，５−ジメチルベンゼンチオール（３^Ｓ−２６）、４−イソプロピルベンゼンチオール（３^Ｓ−２７）、４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンチオール（３^Ｓ−２８）、２−メトキシベンゼンチオール（３^Ｓ−２９）、４−メトキシベンゼンチオール（３^Ｓ−３０）、２，５−ジメトキシベンゼンチオール（３^Ｓ−３１）、３，４−ジメトキシベンゼンチオール（３^Ｓ−３２）、２−フルオロベンゼンチオール（３^Ｓ−３３）、３−フルオロベンゼンチオール（３^Ｓ−３４）、４−フルオロベンゼンチオール（３^Ｓ−３５）、２−クロロベンゼンチオール（３^Ｓ−３６）、４−クロロベンゼンチオール（３^Ｓ−３７）、ビフェニル−４−チオール（３^Ｓ−３８）、１−ナフタレンチオール（３^Ｓ−３９）、ベンジルメルカプタン（３^Ｓ−４０）、（２，４，６−トリメチルフェニル）メタンチオール（３^Ｓ−４１）、（４−メトキシフェニル）メタンチオール（３^Ｓ−４２）、（４−フルオロフェニル）メタンチオール（３^Ｓ−４３）、（２−クロロフェニル）メタンチオール（３^Ｓ−４４）、（４−クロロフェニル）メタンチオール（３^Ｓ−４５）、トリフェニルメタンチオール（３^Ｓ−４６）及び９−メルカプトフルオレン（３^Ｓ−４７）等が挙げられる。

本発明の中間体（２^Ａ）と、化合物（３^Ｓ）即ちチオールとの反応においては、一般的に悪臭が強いチオールの代替として、より扱いやすいチオール由来の１価陰イオン（チオラート）を用いてもよい。このようなチオラートは、化合物（３^Ｓ）と塩基を反応させることによって容易に調製可能である。

チオラートの具体例としては、前記具体例として挙げたチオールのアルカリ金属塩等が挙げられ、好ましい具体例としてはメタンチオール（３^Ｓ−１）のナトリウム塩（ナトリウム メタンチオラート）及びｐ−トルエンチオール（３^Ｓ−２２）のナトリウム塩（ナトリウム ｐ−トルエンチオラート）等が挙げられる。

本発明の中間体（２^Ａ）と化合物（３）との反応は、酸性条件、中性条件及び塩基性条件のいずれでも実施可能であるが、反応性の観点より塩基性条件で実施するのが好ましい。
本反応を塩基性条件にて実施する場合、好ましい塩基としては、具体的には水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、リン酸ナトリウム及びリン酸カリウム等のアルカリ金属リン酸塩、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、酢酸ナトリウム及び酢酸カリウム等のアルカリ金属カルボン酸塩、水酸化カルシウム、水酸化ストロンチウム及び水酸化バリウム等のアルカリ土類金属水酸化物、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素化カルシウム、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化アルミニウムリチウム等の金属水素化物、リチウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド及びカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム及びフェニルリチウム等の有機リチウム化合物、リチウムアミド、ナトリウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド及びリチウムヘキサメチルジシラジド等のアルカリ金属アミド類、塩化メチルマグネシウム、塩化ｔｅｒｔ−ブチルマグネシウム、塩化フェニルマグネシウム、臭化フェニルマグネシウム及びヨウ化メチルマグネシウム等のグリニャール試薬、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、４−ジメチルアミノピリジン、ピロリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン及び１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン等のアミン類等が挙げられ、好ましい具体例としてはｎ−ブチルリチウムが挙げられる。これらの塩基は、各々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。

塩基の使用量は特に限定されるものではないが、化合物（３）に対して通常０．３〜１０当量、好ましくは０．５〜５当量、より好ましくは０．８〜３当量の範囲から適宜選択される。
なお、本反応において塩基の添加方法は特に限定されるものではないが、化合物（３）と塩基を各々単独に添加してもよく、化合物（３）と塩基（及び溶媒）の混合物として添加してもよく、化合物（３）と塩基を（溶媒中にて）反応させることによって得られる、前記２級ホスフィド、２級ホスフィド−３水素化ホウ素錯体又はチオラートとして添加してもよい。従って、化合物（３）の代替として前記２級ホスフィド、２級ホスフィド−３水素化ホウ素錯体又はチオラートを本発明の中間体（２^Ａ）と反応させる際には、塩基を添加せずに反応を実施してもよい。

本発明の中間体（２^Ａ）と化合物（３）との反応は、溶媒の存在下で実施することが望ましい。溶媒としては、具体的にはｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、シクロヘキサン及びデカリン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ｐ−シメン及び１，４−ジイソプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素類、クロロベンゼン及びｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール及び２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等の多価アルコール類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、エチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及び１，４−ジオキサン等のエーテル類、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、アセトニトリル及びベンゾニトリル等のニトリル類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類及び水等が挙げられ、好ましい具体例としてはｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及び２−メチル−２−ブタノール等が挙げられる。これらの溶媒は、各々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。

溶媒の使用量は特に限定されるものではないが、本発明の中間体（２^Ａ）に対して通常０．５〜２００倍容量、好ましくは１〜１００倍容量、より好ましくは２〜５０倍容量の範囲から適宜選択される。

本反応は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、具体的にはアルゴンガス及び窒素ガス等が挙げられる。
反応温度は、通常−７８℃〜２００℃、好ましくは−２０℃〜１７５℃、より好ましくは０℃〜１５０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、塩基、溶媒及び反応温度その他の条件によって異なるが、通常１分〜２４時間、好ましくは２分〜１２時間、より好ましくは５分〜８時間の範囲から適宜選択される。

この製造方法を用いて、化合物（２^Ｂ）と化合物（３）を反応させることにより、本発明の化合物（１^Ａ）のより好ましい形態である、化合物（１^Ｂ）を合成することが出来る（Ｅｑ．３）。

このようにして得られた本発明の化合物（１^Ａ）は、必要に応じて後処理、単離及び精製を行うことができる。後処理の方法としては例えば、濃縮、溶媒置換、洗浄、抽出、濾過及びブレンステッド酸の添加による塩の形成等が挙げられ、これらを単独で或いは併用して行うことができる。単離及び精製の方法としては例えば、吸着剤による脱色、カラムクロマトグラフィー、蒸留及び晶析等が挙げられ、これらを単独で或いは併用して行うことができる。

［本発明の遷移金属錯体］
次に、本発明の遷移金属錯体について詳細に説明する。本発明の遷移金属錯体における金属種としては、本発明の化合物（１^Ａ）が配位可能であれば特に制限は無いが、有機合成反応における触媒活性の観点からは、好ましくは第８〜１１族遷移金属から構成される群より選択される金属種が挙げられ、より好ましくは第８族遷移金属から選択される金属種が挙げられ、特に好ましい金属種としては鉄及びルテニウム等が挙げられる。

本発明の遷移金属錯体は、本発明の化合物（１^Ａ）に対して、遷移金属源となる遷移金属化合物を反応させることによって得られる。このような遷移金属化合物もまた、本発明の化合物（１^Ａ）が反応可能であれば特に制限は無いが、好ましくは第８〜１１族遷移金属化合物、即ち鉄化合物、ルテニウム化合物、オスミウム化合物、コバルト化合物、ロジウム化合物、イリジウム化合物、ニッケル化合物、パラジウム化合物、白金化合物、銅化合物、銀化合物及び金化合物等が挙げられ、より好ましくは第８族遷移金属化合物、即ち鉄化合物、ルテニウム化合物及びオスミウム化合物等が挙げられ、特に好ましい遷移金属化合物としては鉄化合物及びルテニウム化合物等が挙げられる。以下、好ましい遷移金属化合物について更に具体的に説明する。

鉄化合物としては、例えば０価、２価及び３価の鉄化合物が挙げられ、具体的には、ペンタカルボニル鉄（０）、ノナカルボニル二鉄（０）、ドデカカルボニル三鉄（０）、フッ化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）四水和物、臭化鉄（ＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）一水和物、硫酸鉄（ＩＩ）七水和物、過塩素酸鉄（ＩＩ）六水和物、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸鉄（ＩＩ）六水和物、酢酸鉄（ＩＩ）、硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）六水和物、鉄（ＩＩ）アセチルアセトナート、フッ化鉄（ＩＩＩ）、フッ化鉄（ＩＩＩ）三水和物、塩化鉄（ＩＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）六水和物、臭化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）水和物、硝酸鉄（ＩＩＩ）九水和物、過塩素酸鉄（ＩＩＩ）水和物、トリフルオロメタンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）、リン酸鉄（ＩＩＩ）水和物、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート及び鉄（ＩＩＩ）トリフルオロアセチルアセトナート等が挙げられ、好ましい具体例としては塩化鉄（ＩＩ）等が挙げられる。

ルテニウム化合物としては、例えば０価、２価及び３価のルテニウム化合物が挙げられ、具体的にはトリルテニウム（０）ドデカカルボニル、ジクロロ（ベンゼン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロ（メシチレン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロ（ヘキサメチルベンゼン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジヨード（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジピバラト（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）、ビス（π−メタリル）（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（ＩＩ）ポリマー、ジクロロ（ノルボルナジエン）ルテニウム（ＩＩ）ポリマー、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）トルエン付加体、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、カルボニルクロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、カルボニルジヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）、ジクロロテトラキス（ジメチルスルホキシド）ルテニウム（ＩＩ）、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）、塩化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、ヨウ化ルテニウム（ＩＩＩ）、ヨウ化ルテニウム（ＩＩＩ）水和物、ヘキサアンミンルテニウム（ＩＩＩ）トリクロリド及びルテニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等が挙げられ、好ましい具体例としてはジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）及びジピバラト（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）等が挙げられる。

オスミウム化合物としては、例えば２価及び３価のオスミウム化合物が挙げられ、具体的にはジクロロ（ｐ−シメン）オスミウム（ＩＩ）ダイマー、カルボニルクロロヒドリドトリス（トリフェニルアルシン）オスミウム（ＩＩ）、塩化オスミウム（ＩＩＩ）及び塩化オスミウム（ＩＩＩ）三水和物等が挙げられる。

コバルト化合物としては、例えば２価及び３価のコバルト化合物が挙げられ、具体的には、フッ化コバルト（ＩＩ）、フッ化コバルト（ＩＩ）四水和物、塩化コバルト（ＩＩ）、塩化コバルト（ＩＩ）二水和物、塩化コバルト（ＩＩ）六水和物、臭化コバルト（ＩＩ）、臭化コバルト（ＩＩ）二水和物、ヨウ化コバルト（ＩＩ）、硫酸コバルト（ＩＩ）一水和物、硫酸コバルト（ＩＩ）七水和物、硝酸コバルト（ＩＩ）六水和物、過塩素酸コバルト（ＩＩ）六水和物、テトラフルオロホウ酸コバルト（ＩＩ）六水和物、酢酸コバルト（ＩＩ）、酢酸コバルト（ＩＩ）四水和物、シアン化コバルト（ＩＩ）二水和物、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート水和物、コバルト（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート水和物、フッ化コバルト（ＩＩＩ）、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート及びヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリクロリド等が挙げられる。

ロジウム化合物としては、例えば１価、２価及び３価のロジウム化合物が挙げられ、具体的にはクロロ（１，５−ヘキサジエン）ロジウム（Ｉ）ダイマー、クロロ（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）ダイマー、クロロビス（シクロオクテン）ロジウム（Ｉ）ダイマー、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホナート、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）ヘキサフルオロアンチモナート、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート、ビス（ノルボルナジエン）ロジウム（Ｉ）トリフルオロメタンスルホナート、（アセチルアセトナト）ビス（エチレン）ロジウム（Ｉ）、（アセチルアセトナト）（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）、（アセチルアセトナト）（ノルボルナジエン）ロジウム（Ｉ）、ビス（アセトニトリル）（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ロジウム（Ｉ）テトラキス［ビス（３，５−トリフルオロメチル）フェニル］ボラート、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）ヒドリド、（アセチルアセトナト）ジカルボニルロジウム（Ｉ）、塩化ロジウム（ＩＩＩ）、塩化ロジウム（ＩＩＩ）三水和物、硝酸ロジウム（ＩＩＩ）水和物、テトラキス（μ−トリフルオロアセタト）ジロジウム（ＩＩ）、テトラキス（μ−アセタト）ジロジウム（ＩＩ）、テトラキス（μ−アセタト）ジロジウム（ＩＩ）二水和物、テトラキス（μ−トリメチルアセタト）ジロジウム（ＩＩ）、テトラキス（μ−オクタノアト）ジロジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルアセタト）ジロジウム（ＩＩ）及びロジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等が挙げられる。

イリジウム化合物としては、例えば１価及び３価のイリジウム化合物が挙げられ、具体的にはクロロ（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）ダイマー、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）ダイマー、ビス（シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボラート、ビス（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）テトラフルオロボラート、（１，５−シクロオクタジエン）（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）イリジウム（Ｉ）、（アセチルアセトナト）（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）、（アセチルアセトナト）ジカルボニルイリジウム（Ｉ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）、塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物及びイリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等が挙げられる。

ニッケル化合物としては、例えば０価及び２価のニッケル化合物が挙げられ、具体的にはビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（０）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、フッ化ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）、塩化ニッケル（ＩＩ）一水和物、塩化ニッケル（ＩＩ）六水和物、臭化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）三水和物、ヨウ化ニッケル（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸ニッケル（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）六水和物、硫酸ニッケル（ＩＩ）七水和物、硝酸ニッケル（ＩＩ）六水和物、過塩素酸ニッケル（ＩＩ）六水和物、シュウ酸ニッケル（ＩＩ）二水和物、酢酸ニッケル（ＩＩ）四水和物、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート及びニッケル（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート水和物等が挙げられる。

パラジウム化合物としては、例えば０価及び２価のパラジウム化合物が挙げられ、具体的にはビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム（ＩＩ）、ビス（アセトニトリル）ジブロモパラジウム（ＩＩ）、ビス（ベンゾニトリル）ジクロロパラジウム（ＩＩ）、ビス（ベンゾニトリル）ジブロモパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）、（π−アリル）パラジウム（ＩＩ）クロリドダイマー、（π−メタリル）パラジウム（ＩＩ）クロリドダイマー、（π−シンナミル）パラジウム（ＩＩ）クロリドダイマー、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、ヨウ化パラジウム（ＩＩ）、硫酸パラジウム（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）二水和物、トリフルオロ酢酸パラジウム（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、プロピオン酸パラジウム（ＩＩ）、ピバリン酸パラジウム（ＩＩ）、シアン化パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、パラジウム（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート、テトラキス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）テトラフルオロボラート、テトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸ナトリウム及びテトラクロロパラジウム（ＩＩ）酸カリウム等が挙げられる。

白金化合物としては、例えば２価及び４価の白金化合物が挙げられ、具体的には塩化白金（ＩＩ）、臭化白金（ＩＩ）、ヨウ化白金（ＩＩ）、シアン化白金（ＩＩ）、白金（ＩＩ）アセチルアセトナート、テトラクロロ白金（ＩＩ）酸カリウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）白金（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（アセトニトリル）ジクロロ白金（ＩＩ）、ｔｒａｎｓ−ビス（アセトニトリル）ジクロロ白金（ＩＩ）、ｃｉｓ−ビス（ベンゾニトリル）ジクロロ白金（ＩＩ）、塩化白金（ＩＶ）及びヘキサクロロ白金（ＩＶ）酸カリウム等が挙げられる。

銅化合物としては、例えば１価及び２価の銅化合物が挙げられ、具体的には酸化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）ベンゼン錯体、酢酸銅（Ｉ）、シアン化銅（Ｉ）、テトラキスアセトニトリル銅（Ｉ）テトラフルオロボラート、テトラキスアセトニトリル銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスファート、酸化銅（ＩＩ）、フッ化銅（ＩＩ）、フッ化銅（ＩＩ）二水和物、塩化銅（ＩＩ）、塩化銅（ＩＩ）二水和物、臭化銅（ＩＩ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）、硫酸銅（ＩＩ）五水和物、硝酸銅（ＩＩ）三水和物、過塩素酸銅（ＩＩ）六水和物、テトラフルオロホウ酸銅（ＩＩ）六水和物、トリフルオロ酢酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）一水和物、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート及び銅（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナート水和物等が挙げられる。

銀化合物としては、例えば１価及び２価の銀化合物が挙げられ、具体的には酸化銀（Ｉ）、フッ化銀（Ｉ）、塩化銀（Ｉ）、臭化銀（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銀（Ｉ）、メタンスルホン酸銀（Ｉ）、ｐ−トルエンスルホン酸銀（Ｉ）、硫酸銀（Ｉ）、硝酸銀（Ｉ）、過塩素酸銀（Ｉ）、過塩素酸銀（Ｉ）一水和物、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）、ヘキサフルオロリン酸銀（Ｉ）、トリフルオロ酢酸銀（Ｉ）、酢酸銀（Ｉ）、安息香酸銀（Ｉ）、炭酸銀（Ｉ）、亜硝酸銀（Ｉ）、シアン酸銀（Ｉ）、銀（Ｉ）アセチルアセトナート、フッ化銀（ＩＩ）及びピコリン酸銀（ＩＩ）等が挙げられる。

金化合物としては、例えば１価及び３価の金化合物が挙げられ、具体的には塩化金（Ｉ）、ヨウ化金（Ｉ）、シアン化金（Ｉ）、塩化金（ＩＩＩ）、塩化金（ＩＩＩ）二水和物、臭化金（ＩＩＩ）、塩化金酸（ＩＩＩ）四水和物及び塩化金（ＩＩＩ）酸カリウム等が挙げられる。

本発明の遷移金属錯体の製造においては溶媒を共存させることが望ましい。溶媒は、本発明の化合物（１^Ａ）の配位作用を阻害しない限り特に限定されるものではないが、好ましい具体例としてはトルエン、テトラヒドロフラン、１−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール及びアセトン等が挙げられる。これらの溶媒は、各々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いてもよい。本発明の化合物（１^Ａ）と遷移金属化合物との反応においては、必要に応じて酸及び塩基を共存させてもよく、窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で製造を行ってもよい。

このようにして得られた本発明の遷移金属錯体は、必要に応じて後処理、単離及び精製を行うことができる。後処理の方法としては例えば、濃縮、溶媒置換、洗浄、抽出及び濾過等が挙げられ、これらの後処理を単独で或いは併用して行ってもよい。
精製及び単離の方法としては例えば、吸着剤による脱色、カラムクロマトグラフィー、晶析及び昇華等が挙げられ、これらを単独で或いは併用して行ってもよい。

なお、本発明の遷移金属錯体を有機合成反応における触媒として用いる際は、本発明の化合物（１^Ａ）と遷移金属化合物との反応液から、本発明の遷移金属錯体を単離せずに用いてもよく、必要に応じて上記の後処理、単離及び精製を行った後に用いてもよく、各々単独で用いても二種以上適宜組み合わせて用いてもよい。更に、有機合成反応の系内に、本発明の化合物（１^Ａ）と遷移金属化合物を直接添加することで、本発明の遷移金属錯体を調製しながら、該錯体を触媒とする有機合成反応を行ってもよい。また、本発明の遷移金属錯体は、アニオン交換反応をはじめとした種々の化学変換を行った後に、有機合成反応における触媒として用いてもよい。

なお、本発明の化合物（１^Ａ）は主として四座配位子として機能するが、反応させる遷移金属化合物の構造によっては二座配位子や三座配位子として機能してもよく、同種又は異種金属間の架橋配位子として機能してもよい。従って、本発明の遷移金属錯体は単核錯体（金属原子を１つのみ有する錯体）のみならず、多核錯体（同種、異種を問わず金属原子を２つ以上有する錯体）であってもよいが、有機合成反応における触媒活性の観点からは単核錯体であることがより好ましい。

本発明の遷移金属錯体の特に好ましい形態としては、具体的には以下に示す遷移金属錯体である、ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）〜ＦｅＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３］等が挙げられる。なお、これらの遷移金属錯体の配位形式は、ｔｒａｎｓ、ｃｉｓ−α又はｃｉｓ−βのいずれであってもよい。

本発明の化合物（１^Ａ）は、種々の触媒的有機合成反応における配位子として有用であり、また、本発明の遷移金属錯体は、種々の有機合成反応における触媒として有用である。これらの有機合成反応は特に限定されるものではないが、具体的には酸化反応、還元反応、水素添加反応、脱水素反応、水素移動反応、付加反応、共役付加反応、ペリ環状反応、官能基変換反応、異性化反応、転位反応、重合反応、結合形成反応及び結合切断反応等が挙げられ、好ましくは水素添加反応が挙げられ、好ましい具体例としてはエステル類、アミド類、ラクトン類及びニトリル類の水素添加反応等が挙げられる。

以下に、本発明の化合物、本発明の金属錯体及び本発明の中間体、並びに本発明の金属錯体を用いた触媒反応について実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。実施例中において、物性の測定に用いた装置及び条件は次のとおりである。

１）プロトン核磁気共鳴分光法（^１Ｈ ＮＭＲ）：４００ＭＲ ＤＤ２型装置（共鳴周波数：４００ＭＨｚ、アジレント社製）
２）炭素１３核磁気共鳴分光法（^１３Ｃ ＮＭＲ）：４００ＭＲ ＤＤ２型装置（共鳴周波数：１００ＭＨｚ、アジレント社製）
３）リン３１核磁気共鳴分光法（^３１Ｐ ＮＭＲ）：４００ＭＲ ＤＤ２型装置（共鳴周波数：１６１ＭＨｚ、アジレント社製）
４）精密質量分析（ＨＲＭＳ）：ＪＭＳ−Ｔ１００ＧＣＶ型装置（日本電子株式会社製）
５）ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）：ＧＣ−４０００型装置（ジーエルサイエンス社製）及びＧＣ−４０００Ｐｌｕｓ型装置（ジーエルサイエンス社製）
［測定条件１］装置：ＧＣ−４０００型装置、カラム：ＩｎｅｒｔＣａｐ１（ジーエルサイエンス社製）、試料導入部：２５０℃、試料検出部：２５０℃、初期温度：５０℃、昇温速度：１０℃／分、到達温度：２５０℃、到達温度保持時間：０分。
［測定条件２］ＧＣ測定条件１において、装置としてＧＣ−４０００Ｐｌｕｓ型装置を用い、到達温度保持時間を０分から１０分に延長した。

実施例１〜４は本発明の中間体（２^Ａ）の製造、実施例５〜１２は本発明の化合物（１^Ａ）の製造、実施例１３〜２４は本発明の遷移金属錯体の製造、及び実施例２５〜３９は本発明の遷移金属錯体を触媒として用いた有機合成反応に関する。なお、特に但し書きの無い限り、基質及び溶媒等の仕込みは窒素気流下、反応は窒素雰囲気下、反応液の後処理及び粗生成物の単離精製は空気中で行った。

〔実施例１〕
３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス（２−オキサゾリジノン）（構造式（２^Ｂ−１））の合成（Ｅｑ．４）

（仕込み・反応）５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、２００ｍＬ滴下漏斗、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、α，α’−ジブロモ−ｏ−キシレン（４^Ｂ−１）（２０．０ｇ、７５．８ｍｍｏｌ、１．０当量）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（７６ｍＬ）及び水素化ナトリウム（ＮａＨ）（純度：６２．５％、６．４ｇ、１６６．８ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた灰色の懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、油浴にて加熱して還流させた（内温：約６６℃）。次いで、滴下漏斗に２−オキサゾリドン（５^Ｂ−１）（１３．９ｇ、１５９．２ｍｍｏｌ、２．１当量）及び脱水ＴＨＦ（１４０ｍＬ）を順次仕込み、ドライヤーで加熱して溶解させた後、還流下で６０分かけて滴下した（滴下と共に激しい発泡が起こった）。その後、得られた白色の懸濁液を還流下で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、水（１００ｍＬ）及びクロロホルム（２００ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。水層をクロロホルム（５０ｍＬ）にて抽出した後、有機層をまとめて水（５０ｍＬ）で１回洗浄した。有機層を減圧下濃縮し、得られた残渣に酢酸エチル（１００ｍＬ）を加えて攪拌しながら、氷水浴を用いて５℃に冷却することで結晶が析出した。この結晶を吸引濾過にて濾取し、−２０℃に冷却した酢酸エチル（１００ｍＬ）にて洗浄した後、減圧下加熱乾燥することで、表題化合物（２^Ｂ−１）が白色粉末として１９．７ｇ得られた。単離収率：９４．１％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３６−７．２８（ｍ，４Ｈ），４．５２（ｓ，４Ｈ），４．３７−４．３１（ｍ，４Ｈ），３．４９−３．４３（ｍ，４Ｈ）．
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１５８．３５，１３４．１５，１２９．２６，１２８．４９，６１．８３，４５．４７，４４．２０．

〔実施例２〕
３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−イソプロピル−２−オキサゾリジノン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−２））の合成（Ｅｑ．５）

（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、１００ｍＬ滴下漏斗、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、α，α’−ジブロモ−ｏ−キシレン（４^Ｂ−１）（７．９２ｇ、３０．０ｍｍｏｌ、１．０当量）、脱水ＴＨＦ（３０ｍＬ）及びＮａＨ（純度：６２．５％、２．５３ｇ、６６．０ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた灰色の懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、油浴にて加熱して還流させた。次いで、滴下漏斗に（Ｓ）−４−イソプロピル−２−オキサゾリジノン（（Ｓ）−５^Ｂ−２）（７．９４ｇ、６１．５ｍｍｏｌ、２．０５当量）及び脱水ＴＨＦ（６０ｍＬ）を順次仕込み、得られた溶液を還流下で３０分かけて滴下した。その後、得られた白色の懸濁液を還流下で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、水（５０ｍＬ）及び酢酸エチル（１００ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（２５ｍＬ）で１回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をクロロホルム（２０ｍＬ）に溶解させた後、ｎ−ヘキサン（１００ｍＬ）を徐々に添加することで結晶が析出した。この結晶を吸引濾過にて濾取し、ｎ−ヘキサン（５０ｍＬ）にて洗浄した後、減圧下加熱乾燥することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−２）が白色粉末として８．９０ｇ得られた。単離収率：８２．３％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３３−７．２７（ｍ，４Ｈ），４．７７（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，２Ｈ），４．２８（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，２Ｈ），４．２２（ｔ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，２Ｈ），４．１３（ｄｄ，Ｊ＝５．２，９．２Ｈｚ，２Ｈ），３．６２（ｄｄｄ，Ｊ＝３．６，５．２，８．８Ｈｚ，２Ｈ），２．０９−１．９５（ｍ，２Ｈ），０．８５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ），０．８３（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）．
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１５８．６４，１３４．０８，１２８．７２，１２８．１４，６２．８５，５９．２７，４３．２４，２７．４７，１７．７４，１４．０８．

〔実施例３〕
３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−フェニル−２−オキサゾリジノン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−３））の合成（Ｅｑ．６）

（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、１００ｍＬ滴下漏斗、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、α，α’−ジブロモ−ｏ−キシレン（４^Ｂ−１）（７．９２ｇ、３０．０ｍｍｏｌ、１．０当量）、脱水ＴＨＦ（３０ｍＬ）及びＮａＨ（純度：６２．５％、２．５３ｇ、６６．０ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた灰色の懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、油浴にて加熱して還流させた。次いで、滴下漏斗に（Ｓ）−４−フェニル−２−オキサゾリジノン（（Ｓ）−５^Ｂ−３）（１０．０ｇ、６１．５ｍｍｏｌ、２．０５当量）及び脱水ＴＨＦ（６０ｍＬ）を順次仕込み、ドライヤーで加熱して溶解させた後、還流下で３０分かけて滴下した。その後、得られた白色の懸濁液を還流下で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、水（５０ｍＬ）及びクロロホルム（２００ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）で１回洗浄した後に減圧下濃縮し、残渣にクロロホルム（４０ｍＬ）を加えて加熱し、得られた溶液にｎ−ヘキサン（２４０ｍＬ）を徐々に添加することで膨潤した結晶が析出した。この結晶を吸引濾過にて濾取し、ｎ−ヘキサン（１００ｍＬ）にて洗浄した後、減圧下加熱乾燥することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−３）が白色粉末として１２．２ｇ得られた。単離収率：９４．９％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３６−７．２９（ｍ，６Ｈ），７．２５−７．１９（ｍ，２Ｈ），７．１３−７．０２（ｍ，６Ｈ），４．５１−４．４１（ｍ，６Ｈ），４．０２（ｄｄ，Ｊ＝５．６，７．２Ｈｚ，２Ｈ），３．５３（ｄ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，２Ｈ）．
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１５８．２０，１３７．１７，１３３．８８，１２９．５６，１２９．２８，１２９．０７，１２８．２７，１２６．９４，６９．９０，５９．２４，４２．３７．

〔実施例４〕
３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−ベンジル−２−オキサゾリジノン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−４））の合成（Ｅｑ．７）

（仕込み・反応）５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、２００ｍＬ滴下漏斗、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、α，α’−ジブロモ−ｏ−キシレン（４^Ｂ−１）（１０．２ｇ、３８．５ｍｍｏｌ、１．０当量）、脱水ＴＨＦ（４０ｍＬ）及びＮａＨ（純度：５８．８％、３．４６ｇ、８４．７ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた灰色の懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、油浴にて加熱して還流させた。次いで、滴下漏斗に（Ｓ）−４−ベンジル−２−オキサゾリジノン（（Ｓ）−５^Ｂ−４）（１４．０ｇ、７９．０ｍｍｏｌ、２．０５当量）及び脱水ＴＨＦ（８０ｍＬ）を順次仕込み、ドライヤーで加熱して溶解させた後、還流下で３０分かけて滴下した。その後、得られた白色の懸濁液を還流下で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、水（２００ｍＬ）及びクロロホルム（２００ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。白濁した有機層を水（５０ｍＬ）で２回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣にクロロホルム（４０ｍＬ）を加えて溶解させた後に、ｎ−ヘキサン（８０ｍＬ）を徐々に添加することで結晶が析出した。この結晶を吸引濾過にて濾取し、ｎ−ヘキサン（１００ｍＬ）にて洗浄した後、減圧下加熱乾燥することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−４）が白色粉末として１６．２ｇ得られた。単離収率：９１．９％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．４１−７．２０（ｍ，１０Ｈ），７．０５−７．００（ｍ，４Ｈ），４．６５（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，２Ｈ），４．４０（ｄ，Ｊ＝１６．０Ｈｚ，２Ｈ），４．１８（ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），４．０５（ｄｄ，Ｊ＝５．６，８．８Ｈｚ，２Ｈ），３．９４−３．８６（ｍ，２Ｈ），３．０２（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１３．６Ｈｚ，２Ｈ），２．６１（ｄｄ，Ｊ＝９．２，１３．６Ｈｚ，２Ｈ）．
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１５８．２２，１３５．２２，１３４．３４，１２８．９２，１２８．９０，１２８．３０，１２７．１８，６６．９９，５６．４５，４３．９７，３８．６１．

〔実施例５〕
Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］（構造式（１^Ｂ−１））の合成（Ｅｑ．８）

第１工程：
（仕込み・反応）５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、５０ｍＬ滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、ジフェニルホスフィン（３^Ｐ−９）（純度：９８．５％、１０．０ｇ、純量：９．８５ｇ、５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）及び脱水ＴＨＦ（５３ｍＬ）を順次仕込み、得られた溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、氷水浴にて５℃に冷却した。次いで、ｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）のｎ−ヘキサン溶液（濃度：１．６１ｍｏｌ／Ｌ、３２．９ｍＬ、５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を滴下漏斗に仕込み、内温が１０℃以下を保つ速度で２０分かけて滴下した。その後、氷水浴を取り去って室温で２０分攪拌することで、リチウムジフェニルホスフィドのＴＨＦ／ｎ−ヘキサン溶液（５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）が赤橙色液体として得られた。

第２工程：
（仕込み・反応）５００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、２００ｍＬ滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス（２−オキサゾリジノン）（２^Ｂ−１）（６．６４ｇ、２４．０ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ＴＨＦ（７２ｍＬ）を順次仕込み、得られた白色の懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌した。次いで、第１工程で得られたリチウムジフェニルホスフィドのＴＨＦ／ｎ−ヘキサン溶液（５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を滴下漏斗に仕込み、内温が３０℃以下を保つ速度で３０分かけて滴下した。その後、得られた赤橙色の反応液を室温で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、トルエン（２５０ｍＬ）及び水（２５０ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）にて２回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液としてトルエン／酢酸エチル＝１／１を用いて不純物を除去した後、溶離液を酢酸エチル／トリエチルアミン＝２０／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（１^Ｂ−１）が薄黄色粘性液体として１１．３ｇ得られた。単離収率：８４．０％。この化合物は粘度が高く秤量が難しかったため、トルエン溶液として窒素下で保存した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．４２−７．３４（ｍ，８Ｈ），７．３２−７．２６（ｍ，１２Ｈ），７．２３−７．１６（ｍ，４Ｈ），３．７５（ｓ，４Ｈ），２．８２−２．７２（ｍ，４Ｈ），２．２７（ｔ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），１．７７^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝−２０．８３（ｓ，２Ｐ）．

〔実施例６〕
（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−イソプロピル−エチルアミン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−２））
の合成（Ｅｑ．９）

（仕込み・反応）実施例５第１工程と同様の操作を行い、リチウムジフェニルホスフィドのＴＨＦ／ｎ−ヘキサン溶液（５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を調製した。次いで、ｎ−ＢｕＬｉを仕込んだ滴下漏斗を取り去り、代わりに１００ｍＬ滴下漏斗を取り付けた。この滴下漏斗に、実施例２で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−イソプロピル−２−オキサゾリジノン］（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−２）（８．７ｇ、２４．０ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ＴＨＦ（７２ｍＬ）を順次仕込み、ドライヤーで加熱して溶解させた後、内温が３０℃以下を保つ速度で３０分かけて滴下した。得られた赤橙色の反応液を、マグネティックスターラーを用いて室温で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、トルエン（２５０ｍＬ）及び水（２５０ｍＬ）を順次投入して攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）にて２回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液としてトルエンを用いて不純物を除去した後、溶離液をトルエン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝１００／１０／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−２）が薄褐色粘性液体として１３．８ｇ得られた。単離収率：８９．２％。この化合物は粘度が高く秤量が難しかったため、トルエン溶液として窒素下で保存した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．４４−７．２５（ｍ，２０Ｈ），７．１８−７．１２（ｍ，４Ｈ），３．７８（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，２Ｈ），３．６８（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，２Ｈ），２．５０−２．４１（ｍ，２Ｈ），２．２５−２．１６（ｍ，２Ｈ），２．１０−１．９６（ｍ，４Ｈ），１．５５^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ），０．８７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ），０．８０（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝−２１．９５（ｓ，２Ｐ）．

〔実施例７〕
（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−フェニル−エチルアミン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３））の合成（Ｅｑ．１０）

（仕込み・反応）実施例５第１工程と同様の操作を行い、リチウムジフェニルホスフィドのＴＨＦ／ｎ−ヘキサン溶液（５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を調製した。次いで、ｎ−ＢｕＬｉを仕込んだ滴下漏斗を取り去り、代わりに１００ｍＬ滴下漏斗を取り付けた。この滴下漏斗に、実施例３で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−フェニル−２−オキサゾリジノン］（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−３）（１０．３ｇ、２４．０ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ＴＨＦ（７２ｍＬ）を順次仕込み、得られた白色の懸濁液を、内温が３０℃以下を保つ速度で３０分かけて滴下した。得られた赤橙色の懸濁液を、マグネティックスターラーを用いて室温で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、トルエン（２５０ｍＬ）及び水（２５０ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）にて１回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液としてトルエンを用いて不純物を除去した後、溶離液をトルエン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝１００／１０／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３）が薄褐色非晶質として５．５ｇ得られた。単離収率：３２．１％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３５−７．１０（ｍ，３４Ｈ），３．６７−３．５７（ｍ，２Ｈ），３．４９（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），３．４１（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），２．５２−２．３９（ｍ，４Ｈ），２．３０^＊（ｂｓ ｓ，２Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝−２３．１８（ｓ，２Ｐ）．

〔実施例８〕
（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−ベンジル−エチルアミン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−４））の合成（Ｅｑ．１１）

（仕込み・反応）実施例５第１工程と同様の操作を行い、リチウムジフェニルホスフィドのＴＨＦ／ｎ−ヘキサン溶液（５２．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を調製した。次いで、ｎ−ＢｕＬｉを仕込んだ滴下漏斗を取り去り、代わりに１００ｍＬ滴下漏斗を取り付けた。この滴下漏斗に、実施例４で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−ベンジル−２−オキサゾリジノン］（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−４）（１１．０ｇ、２４．０ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ＴＨＦ（７２ｍＬ）を順次仕込み、ドライヤーで加熱して溶解させた後、内温が３０℃以下を保つ速度で３０分かけて滴下した。得られた赤橙色の反応液を、マグネティックスターラーを用いて室温で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、トルエン（２５０ｍＬ）及び水（２５０ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）にて２回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液としてトルエンを用いて不純物を除去した後、溶離液をトルエン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝７５／２５／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−４）が薄褐色非晶質として１４．８ｇ得られた。単離収率：８３．２％。この化合物は粘度が高く秤量が難しかったため、トルエン溶液として窒素下で保存した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３６−７．２９（ｍ，４Ｈ），７．２８−７．０７（ｍ，２４Ｈ），７．０３−６．９７（ｍ，６Ｈ），３．６６（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６２（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），２．８９−２．７７（ｍ，６Ｈ），２．２５−２．１１（ｍ，４Ｈ），１．６５^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝−２３．３２（ｓ，２Ｐ）．

〔実施例９〕
Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）エチルアミン］ビスボラート（構造式（１^Ｂ−５））の合成（Ｅｑ．１２）

第１工程：
（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、２０ｍＬ滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、ジシクロヘキシルホスフィン（３^Ｐ−６）（２０．０ｍＬ、９１．２ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ジエチルエーテル（Ｅｔ_２Ｏ）（１００ｍＬ）を順次仕込み、得られた溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、氷水浴にて５℃に冷却した。次いで、３水素化ホウ素−ジメチルスルフィド錯体（ＢＨ_３−ＳＭｅ_２）（濃度：１０．０ｍｏｌ／Ｌ、１３．７ｍＬ、１３７．０ｍｍｏｌ、１．５当量）を滴下漏斗に仕込み、内温が１０℃以下を保つ速度で１０分かけて溶液に滴下した後、反応液を常温まで昇温させた。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後、得られた残渣をクロロホルム（２００ｍＬ）で溶解させ、次いで水（１００ｍＬ）を投入し、常温で攪拌した後に静置して水層を分液した。有機層を減圧下濃縮し、得られた残渣を粉砕した後に減圧下乾燥することで、ジシクロヘキシルホスフィン−３水素化ホウ素錯体（３^Ｐ−２１）を白色粉末として１９．３ｇ得た。なお、本化合物はこれ以上の精製を行うことなく第２工程に使用した。

第２工程：
（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、２０ｍＬ滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、第１工程で得られたジシクロヘキシルホスフィン−３水素化ホウ素錯体（３^Ｐ−２１）（６．０ｇ、２８．３ｍｍｏｌ、２．２当量）及び脱水ＴＨＦ（２８ｍＬ）を順次仕込み、得られた溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、氷水浴にて５℃に冷却した。次いで、ｎ−ＢｕＬｉのｎ−ヘキサン溶液（濃度：１．６１ｍｏｌ／Ｌ、１７．６ｍＬ、２８．３ｍｍｏｌ、２．２当量）を滴下漏斗に仕込み、内温が１０℃以下を保つ速度で２０分かけて滴下した。その後、氷水浴を取り去って室温で２０分攪拌することで、リチウムジシクロヘキシルホスフィド−３水素化ホウ素錯体／ｎ−ヘキサン／ＴＨＦ混合物（２８．３ｍｍｏｌ、２．２当量）が白色懸濁液として得られた。

第３工程：
（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、１００ｍＬ滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス（２−オキサゾリジノン）（２^Ｂ−１）（３．６ｇ、１２．９ｍｍｏｌ、１．０当量）及び脱水ＴＨＦ（３９ｍＬ）を順次仕込み、得られた白色懸濁液をマグネティックスターラーで攪拌した。次いで、第２工程で得られたリチウムジシクロヘキシルホスフィド−３水素化ホウ素錯体／ｎ−ヘキサン／ＴＨＦ混合物（２８．３ｍｍｏｌ、２．２当量）を、脱水ＴＨＦ（１５ｍＬ）を用いて滴下漏斗に移送し、内温が３０℃以下を保つ速度で３０分かけて滴下した。その後、得られた薄黄色の反応液を室温で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後、水（１００ｍＬ）及びクロロホルム（１００ｍＬ）を順次投入して常温で攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を水（５０ｍＬ）で１回洗浄した後に減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／１を用いて不純物を除去した後、溶離液を酢酸エチル／トリエチルアミン＝１０／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製した。溶出液を濃縮して得られた残渣に、酢酸エチル（２０ｍＬ）を加えて攪拌すると徐々に白色の結晶が析出した。得られた白色懸濁液にｎ−ヘキサン（１００ｍＬ）を加えて吸引濾過し、濾取した結晶をｎ−ヘキサン（５０ｍＬ）にて洗浄した後に減圧下乾燥することで、表題化合物（１^Ｂ−５）が白色粉末として６．２ｇ得られた。単離収率：７８．７％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３１−７．２０（ｍ，４Ｈ），３．８０（ｓ，４Ｈ），２．８７（ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．１０−１．６０^＊（ｍ，２８Ｈ），１．４１−１．１０（ｍ，２２Ｈ），０．８５〜−０．２０（ｂｒ ｍ，６Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝２２．５６（ｄ，Ｊ＝５８．０Ｈｚ，２Ｐ）．

〔実施例１０〕
Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（メチルチオ）エチルアミン］（構造式（１^Ｂ−６））の合成（Ｅｑ．１３）

（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス（２−オキサゾリジノン）（２^Ｂ−１）（５．３ｇ、１９．２ｍｍｏｌ、１．０当量）、２−メチル−２−ブタノール（ｔ−ＡｍＯＨ）（８０ｍＬ）及びナトリウム メタンチオラート（純度：９２．４％、３．２ｇ、純量：２．９６ｇ、４２．２ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた白色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１００℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を室温にまで冷却した後に、水（１００ｍＬ）を投入して攪拌し、静置した後に水層を分液した。水層を酢酸エチル（２０ｍＬ）で３回抽出し、有機層をまとめて減圧下濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：酢酸エチル／トリエチルアミン＝１０／１）にて精製することで、表題化合物（１^Ｂ−６）が薄黄色粘性液体として４．１ｇ得られた。単離収率：７５．１％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．３３−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．２６−７．２１（ｍ，２Ｈ），３．８４（ｓ，４Ｈ），２．８５（ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，４Ｈ），２．６７（ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，４Ｈ），２．０８^＊（ｓ，６Ｈ），２．０８^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ）．（＊メチル基由来のピーク、イミノ基由来のピーク及び水由来のピークが重なって観測された）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１３８．７４，１３０．０７，１２７．３２，５１．８０，４７．５８，３４．４５，１５．３１．

〔実施例１１〕
Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）エチルアミン］（構造式（１^Ｂ−７））の合成（Ｅｑ．１４）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス（２−オキサゾリジノン）（２^Ｂ−１）（２．５ｇ、９．０５ｍｍｏｌ、１．０当量）、ｔ−ＡｍＯＨ（３６ｍＬ）及びナトリウム ｐ−トルエンチオラート（純度：９８．３％、３．０ｇ、純量：２．９５ｇ、１９．９ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた白色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１００℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を室温にまで冷却した後に、水（３６ｍＬ）を投入して攪拌し、静置した後に水層を分液した。水層を酢酸エチル（１０ｍＬ）で１回抽出し、有機層をまとめて減圧下濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液として酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／１を用いて不純物を除去した後、溶離液を酢酸エチル／トリエチルアミン＝１０／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（１^Ｂ−７）が薄黄色粘性液体として３．７ｇ得られた。単離収率：９３．６％。この化合物は粘度が高く秤量が難しかったため、トルエン溶液として空気中で保存した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．２７−７．１９（ｍ，８Ｈ），７．１０−７．０４（ｍ，４Ｈ），３．７９（ｓ，４Ｈ），３．０２（ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，４Ｈ），２．８４（ｔ，Ｊ＝ ６．４Ｈｚ，４Ｈ），２．３１（ｓ，６Ｈ），２．１１^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１３８．６９，１３６．２８，１３２．０６，１３０．３４，１３０．０７，１２９．６８，５１．７０，４７．９２，３４．８６，２０．９８．

〔実施例１２〕
（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）−１−ベンジル−エチルアミン］（構造式（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−８））の合成（Ｅｑ．１５）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例４で得られた３，３’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［（Ｓ）−４−ベンジル−２−オキサゾリジノン］（（Ｓ，Ｓ）−２^Ｂ−４））（２．８ｇ、６．１１ｍｍｏｌ、１．０当量）、ｔ−ＡｍＯＨ（２４ｍＬ）及びナトリウム ｐ−トルエンチオラート（純度：９８．３％、２．０ｇ、純量：１．９７ｇ、１３．４５ｍｍｏｌ、２．２当量）を順次仕込んだ。得られた白色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１００℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を室温にまで冷却した後に水（２５ｍＬ）及び酢酸エチル（２５ｍＬ）を投入して攪拌し、静置した後に水層を分液した。有機層を減圧下濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液としてトルエン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝１００／２０／１を用いて不純物を除去した後、溶離液をトルエン／酢酸エチル／トリエチルアミン＝５０／２５／１に切り替えて目的物を溶出させた）にて精製することで、表題化合物（１^Ｂ−８）が薄黄色粘性液体として３．５ｇ得られた。単離収率：９２．９％。この化合物は粘度が高く秤量が難しかったため、トルエン溶液として保存した。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．２６−７．００（ｍ，２２Ｈ），３．７３（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），３．６６（ｄ，Ｊ＝１２．８Ｈｚ，２Ｈ），３．０３−２．９４（ｍ，４Ｈ），２．９３−２．８６（ｍ，２Ｈ），２．８２（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，４Ｈ），２．３０（ｓ，６Ｈ），１．７５^＊（ｂｒ ｓ，２Ｈ）．（＊但し水由来のピークを含む）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝１３８．７８，１３８．４７，１３６．００，１３２．７１，１２９．９３，１２９．７１，１２９．６５，１２９．３２，１２８．３８，１２７．１７，１２６．２６，５７．９８，４８．９７，４０．０６，３８．４０，２０．９７．

〔実施例１３〕
ｃｉｓ−α−ジクロロ｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．１６）

（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、クライゼン蒸留装置、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例５で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］（１^Ｂ−１）のトルエン溶液（純度：２０．０％、３０．３ｇ、純量：６．０６ｇ、１０．８１ｍｍｏｌ、２．２当量）を仕込み、減圧下でトルエンを留去した。その後、クライゼン蒸留装置を取り外して冷却管を取り付け、１−ブタノール（１−ＢｕＯＨ）（４９ｍＬ）及びジクロロ（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）ダイマー（［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２）（３．０ｇ、４．９１ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた赤色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１１０℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）得られた橙色スラリーを氷水浴を用いて５℃に冷却した後、メタノール（５０ｍＬ）を加えて吸引濾過した。得られた橙色粉末を、−２０℃に冷却したメタノール（５０ｍＬ）で洗浄した後に減圧下乾燥することで、表題化合物（ｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１））が橙色粉末として６．４０ｇ得られた。単離収率：８９．０％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝７．４２−７．２６（ｍ，１０Ｈ），７．１６−６．９８（ｍ，１０Ｈ），６．９１−６．８４（ｍ，４Ｈ），５．１９（ｔ，Ｊ＝１１．２Ｈｚ，２Ｈ），３．７４−３．５８（ｍ，４Ｈ），３．５０−３．２２（ｍ，４Ｈ），２．８１−２．６９（ｍ，２Ｈ），２．３９−２．２６（ｍ，２Ｈ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝６０．１０（ｓ，２Ｐ）．
ＨＲＭＳ：質量電荷比（以下、ｍ／ｚと略す）＝７３２．０９３６，表題化合物の分子量イオン組成式（以下、Ｍと略す）＝Ｃ_３６Ｈ_３８Ｃｌ_２Ｎ_２Ｐ_２Ｒｕ．

なお、^３１Ｐ ＮＭＲの測定結果からわかるように、この合成法で得られた表題化合物における２つのリン原子は等価であることから、表題化合物の配位形式は、不斉を持たないｔｒａｎｓ又は不斉を有するｃｉｓ−αのいずれかに絞られる。一方、表題化合物に過剰量の（Ｓ）−（＋）−２，２，２−トリフルオロ−１−（９−アントリル）エタノールを添加してキラルシフトＮＭＲ測定を行うと、^１Ｈ ＮＭＲ及び^３１Ｐ ＮＭＲのいずれにおいてもピークの明瞭な分離が観測された。従って、表題化合物の配位形式はｃｉｓ−αであることと、表題化合物はΔ体とΛ体の等量混合物（即ちラセミ体）であることが明らかとなった。

〔実施例１４〕
ｃｉｓ−β−ジクロロ｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ｃｉｓ−β−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．１７）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、クライゼン蒸留装置、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例５で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］（１^Ｂ−１）のトルエン溶液（純度：２０．０％、１０．０ｇ、純量：２．０ｇ、３．５７ｍｍｏｌ、１．１当量）を仕込み、減圧下でトルエンを留去した。その後、クライゼン蒸留装置を取り外して冷却管を取り付け、脱水アセトン（３０ｍＬ）及びジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（ＩＩ）（ＲｕＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_３）（３．１ｇ、３．２５ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた暗褐色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約５５℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）得られた黄色スラリーを室温にまで冷却した後、ｎ−ヘキサン（３０ｍＬ）を加えて吸引濾過した。得られた黄色粉末を、ｎ−ヘキサン／アセトン＝１／１の混合溶液を用いて洗浄した後に減圧下乾燥することで、表題化合物（ｃｉｓ−β−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１））が黄色粉末として１．９１ｇ得られた。単離収率：８０．３％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）：δ＝８．１４−８．０６（ｍ，２Ｈ），７．６４−７．４１（ｍ，７Ｈ），７．３９−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．２４−７．１５（ｍ，３Ｈ），７．０７−６．９８（ｍ，４Ｈ），６．９６−６．８９（ｍ，２Ｈ），６．２１−６．１３（ｍ，２Ｈ），５．４７（ｄｄ，Ｊ＝２．８，１２．４Ｈｚ，１Ｈ），５．１４（ｂｒ ｓ，１Ｈ），４．９９（ｔ，Ｊ＝１１．２Ｈｚ，１Ｈ），３．８９（ｄｄｄ，Ｊ＝２．８，６．０，１２．４Ｈｚ，１Ｈ），３．７５−３．５９（ｍ，１Ｈ），３．３４−３．１５（ｍ，１Ｈ），３．０９（ｄ，Ｊ＝１２．０Ｈｚ，１Ｈ），３．０９−２．９３（ｍ，１Ｈ），２．７４−２．５２（ｍ，２Ｈ），１．８８−１．７８（ｍ，１Ｈ），１．６８−１．４５（ｍ，２Ｈ），１．２２−１．０９（ｍ，１Ｈ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）：δ＝６０．７２（ｄ，Ｊ＝３４．０Ｈｚ，１Ｐ），５３．３４（ｄ，Ｊ＝３４．０Ｈｚ，１Ｐ）．

なお、^３１Ｐ ＮＭＲの測定結果からわかるように、この合成法で得られた表題化合物における２つのリン原子は非等価であることから、表題化合物の配位形式は不斉を有するｃｉｓ−βである。実際に、表題化合物に過剰量の（Ｓ）−（＋）−２，２，２−トリフルオロ−１−（９−アントリル）エタノールを添加してキラルシフトＮＭＲ測定を行うと、^１Ｈ ＮＭＲ及び^３１Ｐ ＮＭＲのいずれにおいてもピークの明瞭な分離が観測された。従って、表題化合物の配位形式はｃｉｓ−βであることと、表題化合物はΔ体とΛ体の等量混合物（即ちラセミ体）であることが明らかとなった。

〔実施例１５〕
クロロヒドリド｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＨＣｌ（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．１８）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ_４）（１０５ｍｇ、２．７３ｍｍｏｌ、２．０当量）、脱水エタノール（１００ｍＬ）及び実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（１．０ｇ、１．３７ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた橙色スラリーをマグネティックスターラーで攪拌しながら油浴にて加熱し、還流下で３時間加熱した。

（後処理・単離）反応容器から冷却管を取り外してクライゼン蒸留装置を取り付け、窒素気流下、常圧条件でエタノールを６０ｍＬ回収した（油浴：１１０℃、内温：７６℃）。得られた黄橙色スラリーを氷水浴を用いて５℃に冷却し、脱気水（４０ｍＬ）を投入した後に、窒素気流下で吸引濾過を行った。得られた黄色粉末を、脱気した５０％含水エタノール、脱気水及び脱気した５０％含水エタノールにて順次洗浄し、減圧下常温で乾燥することで、表題化合物（ＲｕＨＣｌ（１^Ｂ−１））が空気に対して不安定な黄橙色粉末として８７３ｍｇ得られた。単離収率：９１．６％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）（但し０ｐｐｍ以下の領域を示す）：−１８．８３（ｍａｊｏｒ，ｔ，Ｊ＝２６．８Ｈｚ，０．８Ｈ），−１９．９２（ｍｉｎｏｒ，ｔ，Ｊ＝３０．０Ｈｚ，０．２Ｈ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）：δ＝７７．５０（ｍａｊｏｒ，ｓ，１．６Ｐ），７７．３５（ｍｉｎｏｒ，ｓ，０．４Ｐ）．
ＮＭＲ測定により、表題化合物はＲｕ−Ｈ結合を有することと、２種類の配位異性体混合物であることが明らかとなった。

〔実施例１６〕
ヒドリドボロヒドリド｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．１９）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、ＮａＢＨ_４（５２７ｍｇ、１３．６５ｍｍｏｌ、１０．０当量）、脱水エタノール（１００ｍＬ）及び実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（１．０ｇ、１．３７ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた橙色スラリーをマグティックスターラーで攪拌しながら油浴にて加熱し、還流下で１時間加熱した。

（後処理・単離）反応容器から冷却管を取り外してクライゼン蒸留装置を取り付け、窒素気流下、常圧条件でエタノールを７０ｍＬ回収した（油浴：１１０℃、内温：７６℃）。得られた黄色スラリーを氷水浴を用いて５℃に冷却し、脱気水（３０ｍＬ）を投入した後に、窒素気流下で吸引濾過を行った。得られた黄色粉末を、脱気した５０％含水エタノール、脱気水、脱気した５０％含水エタノール及び脱気エタノールにて順次洗浄し、減圧下常温で乾燥することで、表題化合物（ＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１））が空気に対して不安定な黄色粉末として９４０ｍｇ得られた。単離収率は定量的であった。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）（但し０ｐｐｍ以下の領域を示す）：−０．４５〜−２．１０（ｂｒ ｍ，４Ｈ），−１４．８９（ｍａｊｏｒ，ｔ，Ｊ＝２４．８Ｈｚ，０．７Ｈ），−１６．０８（ｍｉｎｏｒ，ｔ，Ｊ＝２５．２Ｈｚ，０．３Ｈ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）：δ＝８０．８０（ｍａｊｏｒ，ｂｒ ｓ，１．４Ｐ），８０．１２（ｍｉｎｏｒ，ｂｒ ｓ，０．６Ｐ）．
ＮＭＲ測定により、表題化合物はＲｕ−Ｈ結合及びＲｕ−η^１−ＢＨ_４結合を有することと、２種類の配位異性体混合物であることがわかった。

〔実施例１７〕
ジベンゾアト｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（Ｒｕ（ＯＢｚ）_２（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．２０）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（５００ｍｇ、０．６８２ｍｍｏｌ、１．０当量）、脱水エタノール（５０ｍＬ）及び安息香酸ナトリウム（４９２ｍｇ、３．４１ｍｍｏｌ、５．０当量）を順次仕込み、得られた橙色スラリーをマグネティックスターラーを用いて攪拌しながら油浴にて加熱し、還流下で２時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下で濃縮した後、トルエン（１００ｍＬ）を加えて得られたスラリーを珪藻土を用いて吸引濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝５／１〜３／１）及び晶析（トルエン／ｎ−ヘキサン）で精製することで、表題化合物（Ｒｕ（ＯＢｚ）_２（１^Ｂ−１））が黄色粉末として３３２ｍｇ得られた。単離収率：５３．９％。

^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤ_２Ｃｌ_２）：６１．６５（ｍａｊｏｒ，ｓ，１．８Ｐ），５９．６８（ｍｉｎｏｒ，ｓ，０．２Ｐ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ測定により、表題化合物は２種類の配位異性体混合物であることが明らかとなった。

〔実施例１８〕
ジピバラト｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（Ｒｕ（ＯＰｉｖ）_２（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．２１）

第１工程：ジピバラト（ｐ−シメン）ルテニウム（ＩＩ）（Ｒｕ（ＯＰｉｖ）_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ））の合成
（仕込み・反応）２００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、滴下漏斗、温度計及び三方コックを取り付けた後に窒素置換し、ピバリン酸（３．６７ｇ、３５．９ｍｍｏｌ、４．４当量）及び脱水メタノール（６０ｍＬ）を順次仕込み、得られた溶液をマグネティックスターラーを用いて室温にて攪拌した。次いで、滴下漏斗にナトリウムメトキシドのメタノール溶液（濃度：２８．４％、６．５２ｇ、純量：１．８５ｇ、３４．３ｍｍｏｌ、４．２当量）を仕込み、内温が３０℃以下を保つ速度で１５分かけて滴下した後、滴下漏斗を脱水メタノール（５ｍＬ）にて共洗した。得られた反応液を室温で３０分攪拌した後、［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（５．０ｇ、８．１６ｍｍｏｌ、１．０当量）を投入し、室温で３時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応後に得られた赤褐色の懸濁液を減圧下で濃縮した後、クロロホルム（１００ｍＬ）を加え、珪藻土を用いて吸引濾過した。濾液を減圧下で濃縮した後、残渣にクロロホルム（１０ｍＬ）を加え、ｎ−ヘキサン（１００ｍＬ）を添加すると橙色のスラリーが得られた。このスラリーを−３０℃に冷却した後、吸引濾過にて結晶を濾取し、−７０℃に冷却したｎ−ヘキサンで洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥することで、Ｒｕ（ＯＰｉｖ）_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）が黄橙色の粉末として４．３３ｇ得られた。単離収率：６０．６％。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝５．７１（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，２Ｈ），５．４９（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，２Ｈ），２．８９（ｓｅｐｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１Ｈ），２．２５（ｓ，３Ｈ），１．３５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ），１．０７（ｓ，１８Ｈ）．

第２工程：Ｒｕ（ＯＰｉｖ）_２（１^Ｂ−１）の合成
（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口反応フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例５で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］（１^Ｂ−１）のトルエン溶液（純度：２０．０％、２．５０ｇ、純量：５００ｍｇ、０．８９２ｍｍｏｌ、１．１当量）、脱水トルエン（１６ｍＬ）及び第１工程で得られたＲｕ（ＯＰｉｖ）_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（３５５ｍｇ、０．８１１ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込み、得られた溶液をマグネティックスターラーで攪拌しながら、油浴を用いて加熱し、還流条件で８時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）得られた反応液を減圧下で濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝５／１〜３／１）にて精製することで、表題化合物（Ｒｕ（ＯＰｉｖ）_２（１^Ｂ−１））が黄色粉末として１４１ｍｇ得られた。単離収率：２０．１％。

^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，Ｃ_６Ｄ_６）：６４．４１（ｍｉｎｏｒ，ｓ，０．３Ｐ），６１．３３（ｍａｊｏｒ，ｓ，１．７Ｐ）．
^３１Ｐ ＮＭＲ測定により、表題化合物は２種類の配位異性体混合物であることが明らかとなった。

〔実施例１９〕
ジクロロ｛（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−イソプロピル−エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−２］））の合成（Ｅｑ．２２）

（仕込み・反応）１００ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、クライゼン蒸留装置、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例６で得られた（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−イソプロピル−エチルアミン］（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−２）のトルエン溶液（純度：２０．０％、１０．０ｇ、純量：２．０ｇ、３．１０ｍｍｏｌ、２．２当量）を仕込んで、減圧下でトルエンを留去した。その後、クライゼン蒸留装置を取り外して冷却管を取り付け、３−メトキシ−１−ブタノール（２６ｍＬ）及び［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（８６３ｍｇ、１．４１ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた赤色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１５０℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応後に得られた赤橙色の懸濁液を、室温にまで冷却した後にメタノール（２６ｍＬ）で希釈して吸引濾過し、得られた結晶をメタノール（５０ｍＬ）で洗浄した。この結晶湿体を一旦クロロホルム（５０ｍＬ）に溶解させた後に減圧下乾固することで、表題化合物（ＲｕＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−２］）が赤褐色粉末として１．１５ｇ得られた。単離収率：４９．９％。

^３１Ｐ ＮＭＲ（１６１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）：δ＝５９．６０（ｓ，２Ｐ）．
ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝８１６．１８７６，Ｍ＝Ｃ_４２Ｈ_５０Ｃｌ_２Ｎ_２Ｐ_２Ｒｕ．
なお、表題化合物の^１Ｈ ＮＭＲ測定を行ったところ、０〜８ｐｐｍの範囲に亘ってブロードなピークが観測された。２つのイソプロピル基の立体障害によって分子運動が阻害されているためと推測される。

〔実施例２０〕
ジクロロ｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（メチルチオ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−６）））の合成（Ｅｑ．２３）

（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１０で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（メチルチオ）エチルアミン］（１^Ｂ−６）（５００ｍｇ、１．７６ｍｍｏｌ、２．２当量）、３−メトキシ−１−ブタノール（１６ｍＬ）及び［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（４９０ｍｇ、０．８０ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた赤色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１５５℃）で２時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム／酢酸エチル＝２／１）にて精製することで、表題化合物（ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−６））が薄赤色粉末として５８９ｍｇ得られた。単離収率：８０．６％。

ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝４５５．９８７３，Ｍ＝Ｃ_１４Ｈ_２４Ｃｌ_２Ｎ_２ＲｕＳ_２．
なお、^１Ｈ ＮＭＲ分析によって、表題化合物は配位異性体混合物であることが判明した。この配位異性現象は、硫黄原子上の２つの孤立電子対に由来するものと考えられる。

〔実施例２１〕
ジクロロ｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−７）））の合成（Ｅｑ．２４）

（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１１で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）エチルアミン］（１^Ｂ−７）のトルエン溶液（純度：１９．９％、２．５１ｇ、純量：５００ｍｇ、１．１５ｍｍｏｌ、２．２当量）、３−メトキシ−１−ブタノール（１０ｍＬ）及び［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（３１９ｍｇ、０．５２ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた赤色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１３７℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を室温にまで冷却することで得られた赤色懸濁液を、メタノール（２０ｍＬ）で希釈して吸引濾過した。得られた結晶をメタノール（２０ｍＬ）で洗浄した後に減圧下乾燥することで、表題化合物（ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−７））が赤褐色粉末として４４０ｍｇ得られた。単離収率：６９．１％。

ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝６０８．４０２８，Ｍ＝Ｃ_２６Ｈ_３２Ｃｌ_２Ｎ_２ＲｕＳ_２．
なお、^１Ｈ ＮＭＲ分析によって、表題化合物は実施例２０同様に配位異性体混合物であることが判明した。

〔実施例２２〕
ジクロロ｛（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）−１−ベンジル−エチルアミン］｝ルテニウム（ＩＩ）（構造式（ＲｕＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−８］）の合成）（Ｅｑ．２５）

（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例１２で得られた（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ｐ−トリルチオ）−１−ベンジル−エチルアミン］（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−８）のトルエン溶液（純度：２０．０％、２．５ｇ、純量：５００ｍｇ、０．８１ｍｍｏｌ、２．２当量）、３−メトキシ−１−ブタノール（７．５ｍＬ）及び［ＲｕＣｌ_２（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）］_２（２２６ｍｇ、０．３７ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた赤色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約１３０℃）で１時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を減圧下濃縮した後に、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝５／１）にて精製することで、表題化合物（ＲｕＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−８］）が薄赤色粉末として４１０ｍｇ得られた。単離収率：７０．２％。

ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝７８８．１３９０，Ｍ＝Ｃ_４０Ｈ_４４Ｃｌ_２Ｎ_２ＲｕＳ_２．
なお、^１Ｈ ＮＭＲ分析によって、表題化合物は実施例２０及び実施例２１同様、配位異性体混合物であることが判明した。

〔実施例２３〕
ジクロロ｛Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］｝鉄（ＩＩ）（構造式（ＦｅＣｌ_２（１^Ｂ−１）））の合成（Ｅｑ．２６）

（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例５で得られたＮ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）エチルアミン］（１^Ｂ−１）のトルエン溶液（純度：２０．０％、５．０ｇ、純量：１．０ｇ、１．７８ｍｍｏｌ、１．１当量）、脱水ＴＨＦ（１０ｍＬ）及び塩化鉄（ＩＩ）（ＦｅＣｌ_２）（２０６ｍｇ、１．６２ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた白色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約７０℃）で３時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応液を室温にまで冷却することで得られたクリーム色の懸濁液を、窒素気流下で吸引濾過した。濾取した結晶をトルエン（２０ｍＬ）で洗浄し、減圧下乾燥することで、表題化合物（ＦｅＣｌ_２（１^Ｂ−１））が白色粉末として７３０ｍｇ得られた。単離収率：６５．６％。

ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝６８６．１２１９，Ｍ＝Ｃ_３６Ｈ_３８Ｃｌ_２ＦｅＮ_２Ｐ_２．
^１Ｈ ＮＭＲ測定の結果、−５〜１５０ｐｐｍという幅広い範囲に亘ってブロードなピークが観測されたことから、表題化合物は常磁性であると判明した。また、−１５０〜２５０ｐｐｍの範囲においては、^３１Ｐ ＮＭＲではピークが観測されなかった。

〔実施例２４〕
ジクロロ｛（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−フェニル−エチルアミン］｝鉄（ＩＩ）（構造式（ＦｅＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３］））の合成（Ｅｑ．２７）

（仕込み・反応）５０ｍＬ四つ口丸底フラスコに、マグネティックスターラーバー、冷却管、温度計及び三方コックを取り付けて内部を窒素置換し、実施例７で得られた（１Ｓ，１’Ｓ）−Ｎ，Ｎ’−［１，２−フェニレンビス（メチレン）］ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）−１−フェニル−エチルアミン］（（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３）（１．５ｇ、２．１０ｍｍｏｌ、１．１当量）、脱水ＴＨＦ（１０ｍＬ）及びＦｅＣｌ_２（２４２ｍｇ、１．９１ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。得られた白色懸濁液を油浴にて加熱し、マグネティックスターラーを用いて還流下（内温：約６７℃）で３時間攪拌した。

（後処理・単離・精製）反応で得られたクリーム色の懸濁液を室温にまで冷却した後、脱水ジエチルエーテル（２０ｍＬ）で希釈し、窒素気流下で吸引濾過した。濾取した結晶をジエチルエーテル（２０ｍＬ）で洗浄し、減圧下乾燥することで、表題化合物（ＦｅＣｌ_２［（Ｓ，Ｓ）−１^Ｂ−３］）がクリーム色粉末として１．５２ｇ得られた。単離収率：９４．８％。

ＨＲＭＳ：ｍ／ｚ＝８３８．１８３９，Ｍ＝Ｃ_４８Ｈ_４６Ｃｌ_２ＦｅＮ_２Ｐ_２．
^１Ｈ ＮＭＲ測定の結果、−１０〜１４０ｐｐｍという幅広い範囲に亘ってブロードなピークが観測されたことから、表題化合物は常磁性であると判明した。また、−１５０〜２５０ｐｐｍの範囲においては、^３１Ｐ ＮＭＲではピークが観測されなかった。

〔実施例２５〕
安息香酸メチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（１）（Ｅｑ．２８）

ステンレス製１００ｍＬオートクレーブ装置にガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、触媒として実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（３．７ｍｇ、５．００μｍｏｌ、０．１ｍｏｌ％）を仕込み、装置内部を窒素置換した。次いで、溶媒として脱水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）、安息香酸メチル（６２６μＬ、５．００ｍｍｏｌ、１．０当量）及びカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（ＫＯｔ−Ｂｕ）のＴＨＦ溶液（濃度：１．０ｍｏｌ／Ｌ、５００μＬ、０．５０ｍｍｏｌ、０．１当量）を順次仕込んだ。更に、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を１ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて８０℃で５時間攪拌することで、表題化合物であるベンジルアルコールが生成した。転化率：９３．２％、選択率：９９．３％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件１）；安息香酸メチル：６．８１分、ベンジルアルコール：５．８４分。

〔実施例２６〕
安息香酸メチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（２）
溶媒として脱水トルエンを用いた以外は、実施例２５と同様にしてベンジルアルコールを製造した。転化率：９４．０％、選択率：９８．７％。

〔実施例２７〕
安息香酸メチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（３）
触媒として実施例１４で得られたｃｉｓ−β−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）を用いた以外は、実施例２５と同様にしてベンジルアルコールを製造した。転化率：９３．７％、選択率：９９．１％。

〔実施例２８〕
安息香酸メチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（４）
触媒として実施例１６で得られたＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）を用い、塩基であるＫＯｔ−ＢｕのＴＨＦ溶液を添加することなく、水素圧を５ＭＰａとした以外は、実施例２５と同様にしてベンジルアルコールを製造した。転化率：＞９９．９％、選択率：＞９９．９％。

〔実施例２９〕
安息香酸メチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（５）
触媒として、実施例２０で得られたＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−６）を用い、水素圧を５ＭＰａとした以外は、実施例２５と同様にしてベンジルアルコールを製造した。転化率：９４．８％、選択率：９８．７％。

実施例２５〜２９の結果を以下の表１にまとめる。

本発明の遷移金属錯体の中でも、ＰＮＮＰ四座配位子を有するルテニウム錯体であるｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）は、１ＭＰａという低圧の水素ガス雰囲気下でも、０．１ｍｏｌ％といったわずかな触媒量で、反応溶媒の極性を問わず安息香酸メチルの水素添加反応を効率的に触媒してベンジルアルコールを与えた（実施例２５、２６）。
更に、配位形式の異なるｃｉｓ−β−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）もまた、ｃｉｓ−α体同様の優れた触媒活性を有していた（実施例２７）。
従ってこれらの錯体は、従来のＰＮＮＰ四座配位子を有するルテニウム錯体（前記の特許文献１及び非特許文献１）と比較して、大幅に触媒活性が向上していることがわかる。

また、ｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）の化学変換によって得られるＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）は、ＫＯｔ−Ｂｕといった塩基を添加せずとも高い触媒活性を示した（実施例２８）。
また、本発明の遷移金属錯体の中でも、ＳＮＮＳ四座配位子を有するルテニウム錯体であるＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−６）は、５ＭＰａという高圧の水素ガスを必要とするものの、従来のＳＮＮＳ四座配位子を有する従来のルテニウム錯体（前記の非特許文献２）ではそもそも困難だった、ケトン類よりも反応性に乏しいエステル類の水素添加反応を効率よく進行させることが明らかとなった（実施例２９）。

〔実施例３０〕
安息香酸ｔｅｒｔ−ブチルの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（Ｅｑ．２９）

ステンレス製１００ｍＬオートクレーブ装置にガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、触媒として実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（３．７ｍｇ、５．００μｍｏｌ、０．１ｍｏｌ％）を仕込み、装置内部を窒素置換した。次いで、脱水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）、基質として安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル（８９１μＬ、５．００ｍｍｏｌ、１．０当量）及びＫＯt−ＢｕのＴＨＦ溶液（濃度：１．０ｍｏｌ／Ｌ、５００μＬ、０．５０ｍｍｏｌ、０．１当量）を順次仕込んだ。更に、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を５ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて１００℃で５時間攪拌することで、表題化合物であるベンジルアルコールが生成した。転化率：１００％、選択率：９８．８％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件１）；安息香酸ｔｅｒｔ−ブチル：９．０２分、ベンジルアルコール：５．７３分。

〔実施例３１〕
Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミドの触媒的水素添加反応によるベンジルアルコールの製造（Ｅｑ．３０）

基質としてＮ，Ｎ−ジメチルベンズアミドを用い、触媒量を０．５ｍｏｌ％、反応温度を１２０℃とした以外は、実施例３０と同様にしてベンジルアルコールを製造した。転化率：９９．８％、選択率：９６．０％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；Ｎ，Ｎ−ジメチルベンズアミド：１０．５６分、ベンジルアルコール：６．１５分。

〔実施例３２〕
４−ブロモ安息香酸メチルの触媒的水素添加反応による４−ブロモベンジルアルコールの製造（Ｅｑ．３１）

基質として４−ブロモ安息香酸メチルを用い、反応温度を８０℃とした以外は、実施例３０と同様にして４−ブロモベンジルアルコールを製造した。転化率：＞９９．９％、選択率：９８．１％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；４−ブロモ安息香酸メチル：１０．４４分、４−ブロモベンジルアルコール：１０．１５分。

実施例３０〜３２の結果を以下の表２にまとめる。

本発明の遷移金属錯体であるｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）を触媒とした水素添加反応では、嵩高く反応性が低い安息香酸ｔｅｒｔ−ブチルや、更に反応性に乏しいアミド類であるＮ，Ｎ−ジメチルベンズアミドを基質としても、高圧条件であれば効率的にベンジルアルコールが製造出来た（実施例３０及び３１）。また、一般的に、ハロゲノ基を有するエステル類の水素添加反応においては炭素−ハロゲン結合の加水素分解がしばしば問題となるが、本発明の手法を用いれば、４−ブロモ安息香酸メチルから４−ブロモベンジルアルコールが高選択的に製造可能であった（実施例３２）。

〔実施例３３〕
（４Ｅ）−デセン酸エチルの触媒的水素添加反応による（４Ｅ）−デセン−１−オールの製造（Ｅｑ．３２）

ステンレス製１００ｍＬオートクレーブ装置に、ガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、実施例１３で得られたｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）（１．２ｍｇ、１．７０μｍｏｌ、０．０３３ｍｏｌ％）及びカリウムメトキシド（ＫＯＭｅ）（１０５ｍｇ、１．５０ｍｍｏｌ、０．３当量）を順次仕込んで、装置内部を窒素置換した。次いで、脱水トルエン（７．１ｍＬ）及び基質として（４Ｅ）−デセン酸エチル（１．１３ｍＬ、５．００ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んだ。更に、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を５ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて１００℃で５時間攪拌することで、表題化合物である（４Ｅ）−デセン−１−オールが生成した。転化率：＞９９．９％、選択率：９９．３％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；（４Ｅ）−デセン酸エチル：１１．０３分、（４Ｅ）−デセン−１−オール：９．４１分。

〔実施例３４〕
オレイン酸メチルの触媒的水素添加反応によるオレイルアルコールの製造（Ｅｑ．３３）

基質としてオレイン酸メチルを用いた以外は、実施例３３と同様にしてオレイルアルコールを製造した。転化率：９９．４％、選択率：９７．１％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；オレイン酸メチル：１８．６９分、オレイルアルコール：１８．３５分。

〔実施例３５〕
リノール酸メチルの触媒的水素添加反応によるリノレイルアルコールの製造（Ｅｑ．３４）

基質としてリノール酸メチルを用いた以外は、実施例３３と同様にしてリノレイルアルコールを製造した。転化率：９３．５％、選択率：９２．６％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；リノール酸メチル：１８．６１分、リノレイルアルコール：１８．２４分。

実施例３３〜３５の結果を以下の表３にまとめる。

一般的に、不飽和エステル類の水素添加反応においては飽和アルコール類の副生がしばしば問題となるが、この反応において、本発明の遷移金属錯体であるｃｉｓ−α−ＲｕＣｌ_２（１^Ｂ−１）を触媒として用いれば、不飽和エステル類から工業的に有用な不飽和アルコール類を高選択的に製造可能であった。

〔実施例３６〕
中性条件下での３−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］酪酸メチルの触媒的水素添加反応によるｔｅｒｔ−ブチル（４−ヒドロキシブタン−２−イル）カーバメートの製造（Ｅｑ．３５）

ステンレス製５０ｍＬオートクレーブ装置にガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、実施例１６で得られたＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）（６．８ｍｇ、１０．０μｍｏｌ、０．５ｍｏｌ％）及び３−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］酪酸メチル（４３５ｍｇ、２．００ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込んで装置内部を窒素置換し、更に脱水ＴＨＦ（４．０ｍＬ）を仕込んだ。次いで、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を５ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて１００℃で７時間攪拌することで、表題化合物であるｔｅｒｔ−ブチル（４−ヒドロキシブタン−２−イル）カーバメートが生成した。転化率：＞９９．９％、選択率：９９．６％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；３−［（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ］酪酸メチル：１０．６０分、ｔｅｒｔ−ブチル（４−ヒドロキシブタン−２−イル）カーバメート：１０．１２分。

〔実施例３７〕
中性条件下でのγ−ブチロラクトンの触媒的水素添加反応による１，４−ブタンジオールの製造（Ｅｑ．３６）

ステンレス製１００ｍＬオートクレーブ装置にガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、実施例１６で得られたＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）（３．４ｍｇ、５．００μｍｏｌ、０．１ｍｏｌ％）を仕込み、装置内部を窒素置換した。次いで、脱水ＴＨＦ（５．０ｍＬ）及びγ−ブチロラクトン（３８１μＬ、５．００ｍｍｏｌ）を順次仕込み、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を５ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて８０℃で５時間攪拌することで、表題化合物である１，４−ブタンジオールが生成した。転化率：９８．０％、選択率：９９．３％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；γ−ブチロラクトン：４．２４分、１，４−ブタンジオール：４．８９分。

〔実施例３８〕
ベンゾニトリルの触媒的水素添加反応によるベンジルアミンの合成（Ｅｑ．３７）

ステンレス製１００ｍＬオートクレーブ装置にガラス製インナーチューブ及びマグネティックスターラーバーを取り付け、触媒として実施例１６で得られたＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）（６．１ｍｇ、９．０μｍｏｌ、０．１ｍｏｌ％）を仕込み、装置内部を窒素置換した。次いで、脱水ＴＨＦ（３．０ｍＬ）及び基質としてベンゾニトリル（９２３μＬ、９．００ｍｍｏｌ、１．０当量）を順次仕込み、装置内部を水素ガスによって置換して水素圧を５ＭＰａとした後に、マグネティックスターラーを用いて１１０℃で５時間攪拌することで、表題化合物であるベンジルアミンが生成した。転化率：＞９９．９％、選択率：９４．３％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；ベンゾニトリル：５．４９分、ベンジルアミン：５．８７分。

〔実施例３９〕
１−オクタンニトリルの触媒的水素添加反応による１−オクチルアミンの合成（Ｅｑ．３８）

基質として１−オクタンニトリルを用い、触媒量を０．２ｍｏｌ％とした以外は、実施例３８と同様にして１−オクチルアミンを製造した。転化率：９９．８％、選択率：９９．９％（ＧＣ分析による）。
ＧＣ保持時間（測定条件２）；１−オクタンニトリル：６．６７分、１−オクチルアミン：６．４６分。

実施例３６〜３９の結果を以下の表４にまとめる。

実施例２８で示したように、本発明の遷移金属錯体であるＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）は、中性条件でも高い触媒活性を発現するため、この錯体を触媒として水素添加反応を行うことで、塩基性条件に対して不安定な官能基を有するエステル類やラクトン類から、官能基化された１級アルコール類やジオール類を高選択的に製造出来た（実施例３６、３７）。また、ニトリル類の水素添加反応によって１級アミン類を製造する際には、一般的に２級アミン類の副生が問題となるが、本発明の遷移金属錯体であるＲｕＨ（ＢＨ_４）（１^Ｂ−１）を用いて中性条件で反応を行うことで、１級アミン類を高選択的に製造可能であった（実施例３８、３９）。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０１６年３月３０日出願の日本特許出願（特願２０１６−０６７５３４）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

本発明の化合物（１^Ａ）は、化合物（２^Ａ）と化合物（３）との反応によって効率的に製造可能である。更に、本発明の化合物（１^Ａ）は四座配位子として機能するため、種々の遷移金属化合物と反応させることで、種々の有機合成反応において優れた触媒活性を有する、本発明の遷移金属錯体が容易に製造出来る。

更に本発明の遷移金属錯体は、２−ジフェニルホスフィノベンズアルデヒド−エチレンジアミン脱水縮合物をＰＮＮＰ四座配位子として有するルテニウム錯体や、２−アルキルチオベンズアルデヒド−エチレンジアミン脱水縮合物をＳＮＮＳ四座配位子として有するルテニウム錯体といった従来の遷移金属錯体と比較して、エステル類の水素添加反応においてより優れた触媒活性を示すことから、この触媒反応によって１級アルコール類を効率的に製造出来る。

また、本発明の遷移金属錯体を触媒として、アミド類、ハロゲン化エステル類、不飽和エステル類、ラクトン類及びニトリル類の水素添加反応を行うことで、１級アルコール類のみならず、ハロゲン化アルコール類、不飽和アルコール類、ジオール類及び１級アミン類などの有用化合物もまた、高選択的かつ高収率で製造可能である。

Claims (8)

1. 下記一般式（１^Ａ）で表される化合物。
   

   

   ［式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｈは水素原子、Ｎは窒素原子を表す。Ｒ^４ は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表し、Ｒ ^５ 〜Ｒ ^１５ は、水素原子を表す。Ｇは下記一般式（Ｇ^Ｐ）
   

   

   （式中、実線は単結合、点線は配位結合、波線が交差した実線は隣接する原子への結合手を表す。Ｐはリン原子を表す。Ｌは孤立電子対又は三水素化ホウ素を表す。Ｒ^１及びＲ^２は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して、リン原子を含む環を形成してもよい。前記アルケニル基、前記アリール基、前記ヘテロアリール基、前記アラルキル基、前記リン原子を含む環は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲノアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、シリル基及びハロゲノ基からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有してもよい。）
   で表される１価基及び下記一般式（Ｇ^Ｓ）
   

   

   （式中、実線は単結合、波線が交差した実線は隣接する原子への結合手を表す。Ｓは硫黄原子を表す。Ｒ^３はアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表す。前記アルケニル基、前記アリール基、前記ヘテロアリール基及び前記アラルキル基は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲノアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、シリル基及びハロゲノ基からなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有してもよい。）
   で表される１価基から構成される群より選択される基を表す。］
2. 光学活性体である、請求項１に記載の化合物。
3. 下記一般式（２^Ａ）
   

   

   （式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４ は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表し、Ｒ ^５ 〜Ｒ ^１５ は、水素原子を表す。）
   で表される化合物と、下記一般式（３）
   

   

   （式中、実線は単結合を表す。Ｈは水素原子を表す。Ｇは、請求項１において定義したＧと同様の基を表す。）
   で表される化合物を反応させる、請求項１又は２に記載の化合物の製造方法。
4. 下記一般式（２^Ａ）で表される化合物。
   

   

   （式中、実線は単結合、二重線は二重結合を表す。Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子、Ｏは酸素原子を表す。Ｒ^４ は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及びアラルキル基から構成される群より選択される基を表し、Ｒ ^５ 〜Ｒ ^１５ は、水素原子を表す。）
5. 光学活性体である、請求項４に記載の化合物。
6. 請求項１又は２に記載の化合物を配位子として有する遷移金属錯体。
7. 金属種が、第８〜１１族遷移金属から構成される群より選択される金属種である、請求項６に記載の遷移金属錯体。
8. 前記金属種が、第８族遷移金属から選択される金属種である、請求項７に記載の金属錯体。