JP6940473B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明は、絶縁性フィルム上に薄膜を形成する成膜装置に関する。

絶縁性フィルムに対する薄膜の十分な剥離強度（付着力）を確保するために、ターゲットと放電電極とが対向する成膜領域に絶縁性フィルムが入る前に当該絶縁性フィルムを加熱するヒータを備えた薄膜製造装置が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開平１１−２１４３３１号公報

上記の薄膜製造装置では、ヒータは成膜室内に設けられている。そのため、ターゲットから放出された金属原子が、絶縁性フィルムのみならず、ヒータにも付着することで、ヒータから絶縁性フィルムへの伝熱効率が低下し、絶縁性フィルムに対する薄膜の剥離強度が低下してしまう場合があるという問題がある。

本発明が解決しようとする課題は、薄膜の剥離強度の向上を図ることが可能な成膜装置を提供することである。

[１]本発明に係る成膜装置は、スパッタリング処理により絶縁性フィルム上に導電性薄膜を形成する成膜装置であって、前記絶縁性フィルムを搬送する搬送装置と、前記搬送装置により搬送される前記絶縁性フィルムの第１の主面に対向するように配置された第１のターゲットと、前記絶縁性フィルムの第２の主面及び前記第１の主面の少なくとも一方に対向するように、前記第１のターゲットよりも搬送方向の上流側に配置され、前記絶縁性フィルムを加熱する少なくとも一つの加熱装置と、前記搬送方向に対して実質的に直交する搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在する部分を少なくとも有する第１のカバー部材と、を備えた成膜装置である。

[２]上記発明において、前記第１のカバー部材は、前記絶縁性フィルムの前記第１及び前記第２の主面の少なくとも一方の側に配置された少なくとも一つの第１のヒータカバーを含み、前記第１のヒータカバーは、前記搬送直交方向に延在していると共に、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在していてもよい。

[３]上記発明において、前記第１のカバー部材は、前記第１のターゲットの周囲に設けられた第１のターゲットカバーを含み、前記第１のターゲットカバーは、第１の開口を有すると共に、前記前記絶縁性フィルムの前記第１の主面に対向する第１の対向部と、前記第１の対向部を支持する第１の支持部と、を含み、前記第１のターゲットの少なくとも一部は、前記第１の開口を介して前記絶縁性フィルムと対向しており、前記第１の支持部は、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在している第１の介在部分を含んでもよい。

[４]上記発明において、前記搬送直交方向に見た場合に、前記第１の対向部は、前記第１のターゲットと重複していてもよい。

[５]上記発明において、前記第１の支持部は、前記第１の対向部の外縁に繋がっていると共に、前記第１のターゲットを囲繞していてもよい。

[６]上記発明において、前記成膜装置は、前記第１のターゲットカバーによる前記絶縁性フィルムの加熱を抑制する第１の加熱抑制装置を備えていてもよい。

[７]上記発明において、前記第１の加熱抑制装置は、前記絶縁性フィルムと前記第１のターゲットカバーとの間に介在していると共に、前記第１のターゲットカバーを冷却する第１の冷却板を含んでもよい。

[８]上記発明において、前記成膜装置は、前記絶縁性フィルムの前記第２の主面に対向するように、前記第１のターゲットよりも前記搬送方向の下流側に配置された第２のターゲットと、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在する部分を少なくとも有する第２のカバー部材と、を備えていてもよい。

[９]上記発明において、前記第２のカバー部材は、前記絶縁性フィルムの前記第２の主
面側に配置された第２のヒータカバーを含み、前記第２のヒータカバーは、前記搬送直交
方向に延在していると共に、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在していてもよい。

［１０］上記発明において、前記第２のカバー部材は、前記第２のターゲットの周囲に配置された第２のターゲットカバーを含み、前記第２のターゲットカバーは、第２の開口を有すると共に、前記前記絶縁性フィルムの前記第２の主面に対向する第２の対向部と、前記第２の対向部を支持する第２の支持部と、を含み、前記第２のターゲットの少なくとも一部は、前記第２の開口を介して前記絶縁性フィルムと対向しており、前記第２の支持部は、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在している第２の介在部分を含んでもよい。

［１１］上記発明において、前記搬送直交方向に見た場合に、前記第２の対向部は、前記第２のターゲットと重複していてもよい。

［１２］上記発明において、前記第２の支持部は、前記第２の対向部の外縁に繋がっていると共に、前記第２のターゲットを囲繞していてもよい。

［１３］上記発明において、前記成膜装置は、前記第２のターゲットカバーによる前記絶縁性フィルムの加熱を抑制する第２の加熱抑制装置を備えていてもよい。

［１４］上記発明において、前記第２の加熱抑制装置は、前記絶縁性フィルムと前記第２のターゲットカバーとの間に介在していると共に、前記第２のターゲットカバーを冷却する第２の冷却板を含んでもよい。

本発明によれば、搬送装置による絶縁性フィルムの搬送方向に対して実質的に直交する方向に見た場合に、絶縁性フィルムを加熱する加熱装置と第１のターゲットとの間に、第１のカバー部材の少なくとも一部が介在している。これにより、第１のターゲットの原子の付着に起因した加熱装置の加熱効率の低下を抑制することができ、絶縁性フィルムに対する薄膜の剥離強度の向上を図ることができる。

図１は、本発明の第１実施形態における成膜装置を示す断面図であり、水平方向に沿って切断した場合の成膜装置を上方から見た図である。 図２は、本発明の第１実施形態における成膜部を示す断面図であり、図１のII部を示す拡大図である。 図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。 図４は、本発明の第１実施形態における成膜部の変形例を示す図であり、図２に対応する拡大図である。 図５は、本発明の第２実施形態における成膜部を示す断面図であり、図２に対応する拡大図である。 図６は、本発明の第３実施形態における成膜部を示す断面図であり、図２に対応する拡大図である。 図７は、図６のVII-VII線に沿った断面図である。 図８は、本発明の第３実施形態における成膜部の変形例を示す図であり、図２に対応する拡大図である。 図９は、本発明の第４実施形態における成膜部を示す断面図であり、図２に対応する拡大図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

≪第１実施形態≫
図１は本実施形態における成膜装置を示す断面図であり、水平方向に沿って切断した場合の成膜装置を上方から見た図である。また、図２は図１のII部の拡大図であり、図３は図２のIII-III線に沿った断面図である。

本実施形態における成膜装置１は、図１及び図２に示すように、ロールトゥロールで搬送される絶縁性フィルム１１０の両面１１１，１１２に、スパッタリング処理により導電性の薄膜１２１，１２２を形成することで、導電層積層フィルム１００を製造する装置である。この成膜装置１により形成された導電層積層フィルム１００は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法によってプリント配線板を製造する際の基材として用いられる。

絶縁性フィルム１１０は、電気絶縁性を有する樹脂材料から構成されており、具体的な材料としては、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエステル（ＰＥ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を例示することができる。特に限定されないが、この絶縁性フィルム１１０の厚さは５[μｍ]〜１３０[μｍ]であり、絶縁性フィルム１１０の幅は１００[ｍｍ]〜１０００[ｍｍ]である。また、導電性の薄膜１２１，１２２はいずれも、導電性に優れた金属材料から構成されており、その具体的な材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）等を例示することができる。特に限定されないが、それぞれの薄膜１２１，１２２の厚さは０．０１[μｍ]〜２[μｍ]である。特に限定されないが、以下の説明では、絶縁性フィルム１１０を液晶ポリマーで構成し、薄膜１２１，１２２を銅で構成する場合を例にとって説明する。

本実施形態における成膜装置１は、図１に示すように、帯状の絶縁性フィルム１１０を巻き出す（送り出す）巻出部１０と、絶縁性フィルム１１０の両面１１１，１１２に成膜処理（スパッタリング処理）を行う成膜部２０と、成膜処理が完了した絶縁性フィルム１１０（すなわち導電層積層フィルム１００）を巻き取る巻取部８０と、これらを収容するチャンバ９０と、を備えている。

チャンバ９０は、巻出室９１、成膜室９２、及び、巻取室９３を備えている。巻出部１０は巻出室９１に収容され、成膜部２０は成膜室９２に収容され、巻取部８０は巻取室９３に収容されている。巻出室９１と成膜室９２は搬入路９２ａを介して連通しており、成膜室９２と巻取室９３は搬出路９２ｂを介して連通している。また、このチャンバ９０には、排気口９０ａと供給口９０ｂが設けられている。排気口９０ａには減圧装置９４が接続されており、この減圧装置９４によってチャンバ９０内を減圧することが可能となっている。一方、供給口９０ｂにはガス供給装置９５が接続されており、このガス供給装置９５によってチャンバ９０内に放電ガスを供給することが可能となっている。放電ガスの一例としては、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを例示することができる。

巻出部１０は、巻出ローラ１１から絶縁性フィルム１１０を送り出し、ガイドローラ１２〜１４及び張力検出ローラ１５，１６によって案内しながら当該絶縁性フィルム１１０を成膜部２０に搬入する。一方、巻取部８０には、成膜部２０で形成された導電層積層フィルム１００が搬入され、当該巻取部８０は、ガイドローラ８２〜８４及び張力検出ローラ８５，８６によって案内しながら導電層積層フィルム１００を巻取ローラ８１に巻き取る。本実施形態における巻出部１０及び巻取部８０が、本発明における搬送装置の一例に相当する。

本実施形態の成膜装置１では、水平型搬送方式（被処理フィルムの主面が鉛直方向に対して実質的に直交する姿勢で当該フィルムを搬送する方式）ではなく、縦型搬送方式（被処理フィルムの主面が鉛直方向に対して実質的に平行な姿勢で当該フィルムを搬送する方式）を採用している。すなわち、本実施形態では、巻出部１０の張力検出ローラ１５，１６と巻取部８０の張力検出ローラ８５，８６によって絶縁性フィルム１１０に所定の張力が付与されており、成膜室９２内では、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２が鉛直方向（具体的には図中のＸＺ平面）に実質的に平行な姿勢で、当該絶縁性フィルム１１０が搬送方向ＤＣ（図中のＸ方向）に搬送される。以下において、搬送方向ＤＣにおいて、絶縁性フィルム１１０が成膜室９２に搬入される側を「上流側」と称し、絶縁性フィルム１１０が成膜室９２から搬出される側を「下流側」と称する。特に限定されないが、この成膜装置１における絶縁性フィルム１１０の搬送速度は０．３〜１．５[ｍ／ｍｉｎ]である。

なお、巻出室９１と成膜室９２の間に、前処理装置や圧力調整装置を設けてもよい。前処理装置としては、乾燥装置や改質装置を例示することができる。乾燥装置は、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２を乾燥させる装置であり、その具体例としては、赤外線乾燥装置等を例示することができる。改質装置は、薄膜１２１，１２２の付着強度の向上のために絶縁性フィルムの主面１１１，１１２を改質する装置であり、その具体例としては、イオンビーム照射装置、プラズマ照射装置、コロナ放電処理、紫外線照射装置等を例示することができる。一方、圧力調整装置は、巻出室９１と成膜室９２との圧力差を調整する装置である。

成膜部２０は、図２及び図３に示すように、スパッタリング処理においてカソードとして機能する２つのターゲット３０，３５と、搬送中の絶縁性フィルム１１０を加熱するヒータ４０と、を備えている。このターゲット３０，３５とヒータ４０は、チャンバ９０の成膜室９２内に配置されている。本実施形態におけるヒータ４０が、本発明における加熱装置の一例に相当する。

この成膜部２０を収容する成膜室９２は、絶縁性フィルム１１０によって２つに区分けされている。具体的には、この成膜室９２は、絶縁性フィルム１１０の第１の主面１１１（図中の＋Ｙ側の主面）側に位置する第１の領域９２１と、当該絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２（図中の−Ｙ側の主面）側に位置する第２の領域９２２とに分割されている。第１のターゲット３０は、第１の領域９２１に設けられている。一方、第２のターゲット３５は、第２の領域９２２に配置されていると共に、第１のターゲット３０よりも搬送方向ＤＣの下流側に配置されている。因みに、図３において、絶縁性フィルム１１０の上下両側に当該絶縁性フィルム１１０と並んで配置されている板状の部材２１は、一方のターゲット３０（３５）の銅原子３０ａ（３５ａ）が他方のターゲット３５（３０）に付着するのを防止するための遮蔽板である。また、本実施形態では、この板状の部材２１によって、温度センサ４３への銅原子の付着を抑制することもできる。

なお、第１のターゲット３０と第２のターゲット３５の位置関係は、特に上記に限定されない。特に図示しないが、例えば、第２のターゲット３５を第１のターゲット３０よりも搬送方向ＤＣの上流側に配置してもよい。或いは、搬送直交方向ＤＯ（図中のＹ方向）に見た場合に、第１のターゲット３０と第２のターゲット３５を同じ位置に重複して配置してもよい。ここで、搬送直交方向ＤＯは、搬送方向ＤＣに対して実質的に直交する方向であり、成膜室９２内を搬送される絶縁性フィルム１１０の主面１１，１１２に対しても実質的に直交する方向である。また、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第１のターゲット３０の下流側の部分と、第２のターゲット３５の上流側の部分とが重複しているが、特にこれに限定されず、第１のターゲット３０と第２のターゲット３５とが重複していなくてもよい。

第１のターゲット３０は、矩形板状の銅板である。この第１のターゲット３０は電源３１に接続されており、スパッタリング処理においてカソードとして機能する。同様に、第２のターゲット３５も矩形板状の銅板であり、電源３６に接続されており、スパッタリング処理においてカソードとして機能する。電源３１，３６の具体例としては、例えば、直流電源や高周波電源等を例示することができる。一方、成膜室９２内を搬送される絶縁性フィルム１１０は、特に図示しないが、ローラ１２〜１６，８２〜８６を介して接地されており、スパッタリング処理においてアノードとして機能する。

特に限定されないが、成膜部２０においてターゲット３０，３５にスパッタリング現象を発生させて絶縁性フィルム１１０上に薄膜１２１，１２２を形成する処理（成膜処理）の流れとして、以下のような流れを例示することができる。

すなわち、先ず、減圧装置９４によってチャンバ９０内を１×１０^−１[Ｐａ]以下まで減圧した後に、ガス供給装置９５によって放電ガスをチャンバ９０内に導入する。この際、チャンバ９０内の圧力を０．１[Ｐａ]〜５．０[Ｐａ]とする。次いで、絶縁性フィルム１１０の搬送を開始した後に、電源３１，３６により第１及び第２のターゲット３０，３５に電圧を印加する。これにより、第１のターゲット３０と絶縁性フィルム１１０との間にプラズマが生成され、このプラズマにより形成された放電ガスの陽イオンを電気的に加速させて第１のターゲット３０に衝突させることで、銅原子３０ａを第１のターゲット３０から放出させる。同様に、第２のターゲット３５と絶縁性フィルム１１０との間にプラズマが生成され、このプラズマにより形成された放電ガスの陽イオンを第２のターゲット３５に衝突させることで、銅原子３５ａを第２のターゲット３５から放出させる。そして、ターゲット３０，３５から放出されたこの銅原子３０ａ，３５ａが絶縁性フィルム１１０の第１及び第２の主面１１１，１１２にそれぞれ付着して堆積することで、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２上に、導電性を有する薄膜１２１，１２２がそれぞれ形成される。

この際、本実施形態では、第２のターゲット３５を第１のターゲット３０よりも搬送方向ＤＣの下流側に配置することで、搬送方向ＤＣにおいて第１のターゲット３０と第２のターゲット３５をシフトさせている。このため、絶縁性フィルム１１０の同一領域に対して、第１のターゲット３０を用いたスパッタリング処理を開始した後に、第２のターゲット３５を用いたスパッタリング処理を開始することができる。すなわち、絶縁性フィルム１１０の同一領域に対して、第１のターゲット３０を用いたスパッタリング処理と、第２のターゲット３５を用いたスパッタリング処理とに時間差をつけることができる。その結果、絶縁性フィルム１１０の同一領域に付与される熱負荷を低減することができ、絶縁性フィルム１１０に形成された薄膜１２１，１２２に、シワ、歪み、伸び、破損等の不具合が発生してしまうのを抑制することができる。

また、第２のターゲット３５を第１のターゲット３０よりも搬送方向ＤＣの下流側に配置することで、第１の薄膜１２１の形成時（スパッタリング処理時）に絶縁性フィルム１１０に与えられた熱が搬送中の放熱分を補うので、第２のターゲット３５に向かうまで絶縁性フィルム１１０の温度低下を抑制することができる。このため、後述するアンカー効果を高めることができ、第２の薄膜１２２の剥離強度の向上を図ることもできる。

第１のターゲット３０には、開口３３を有する第１の遮蔽板３２が設けられており、この第１の遮蔽板３２によって第１のターゲット３０の外縁部分が覆われている。同様に、第２のターゲット３５にも、開口３８を有する第２の遮蔽板３７が設けられており、この第２の遮蔽板３７によって第２のターゲット３５の外縁領域が覆われている。第１及び第２の遮蔽板３２，３７は、成膜装置１においてターゲット３０，３５と電気的に絶縁された部位（例えば、チャンバ９０の成膜室９２の内壁面等）に固定されており、ターゲット３０，３５から電気的に絶縁されている。

この遮蔽板３２，３７によって、放電ガスの陽イオンが衝突した際にターゲット３０，３５から放出される二次電子を補足することで、アーキングの発生を防止することが可能となっている。また、第１の遮蔽板３２の開口３３の大きさを調整することで、薄膜１２１の膜厚分布を調整することが可能になっている。同様に、第２の遮蔽板３７の開口３８の大きさを調整することで薄膜１２２の膜厚分布を調整することが可能となっている。

また、第１の遮蔽板３２を第１のターゲット３０に設けることにより、第１のターゲット３０においてスパッタリングされる領域を、成膜レートが比較的高い領域に制限することができる。このため、スパッタリング処理により絶縁性フィルム１１０に発生する熱量を多く確保することができ、後述するアンカー効果を高めることができるので、絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２に形成される薄膜１２２の剥離強度の向上を図ることもできる。

さらに、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第１の遮蔽板３２の開口３３の下流側の辺３３ａと、第２の遮蔽板３７の開口３８上流側の辺３８ａとが重複している。これにより、絶縁性フィルム１１０の同一領域に対して、第１のターゲット３０を用いたスパッタリング処理が完了した後に、第２のターゲット３５を用いたスパッタリング処理を開始することができ、絶縁性フィルム１１０付与される熱負荷を一層低減することができる。なお、特に図示しないが、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第２の遮蔽板３７の開口３８の上流側の辺３８ａが、第１の遮蔽板３２の開口３３の下流側の辺３３ａよりも下流側に位置して、第２の遮蔽板３７において開口３８よりも上流側の部分が、第１の遮蔽板３２の開口３３と重複すると共に、第１の遮蔽板３２において開口３３よりも下流側の部分とも重複していてもよい。

ヒータ４０は、上述のスパッタリング処理の前に絶縁性フィルム１１０を加熱する加熱装置であり、成膜室９２の第２の領域９２２に配置されていると共に、第１のターゲット３０よりも搬送方向ＤＣの上流側に配置されている。ヒータ４０は、成膜室９２内を搬送される絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２に対向するように配置された非接触式のヒータであり、絶縁性フィルム１１０を輻射熱により加熱する。ヒータ４０を成膜室９２内に配置することで、ヒータ４０をターゲット３０，３５の近くに配置することができ、絶縁性フィルム１１０の時間経過に伴う温度低下を抑制することができるので、後述するアンカー効果を確実に得ることができる。

なお、本実施形態では、並列配置された一対のヒータ４０が第１のターゲット３０の上流側に配置されているが、ヒータ４０の本数は特にこれに限定されない。また、第１のターゲット３０よりも上流側であれば成膜室９２内におけるヒータ４０の設置位置も特に限定されない。特に図示しないが、ヒータ４０を成膜室９２の第１の領域９２１に配置してもよい。或いは、図４に示すように、ヒータ４０を第１及び第２の領域９２１，９２２の両方に配置してもよい。図４は本実施形態における成膜部２０の変形例を示す図である。

図２及び図３に示すように、本実施形態におけるヒータ４０は、石英ガラスヒータであり、平板状の発熱体４１と、当該発熱体４１を収容した石英ガラス管４２と、を備えている。このヒータ４０は、発熱体４１の主面が絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２に対して平行となるように、成膜室９２内に設置されており、絶縁性フィルム１１０を効率的に加熱することが可能となっている。石英ガラスヒータのサイズ（長さ）は、絶縁性フィルム１１０の幅に応じて決定される。絶縁性フィルム１１０を斑なく加熱する観点から、発熱体４１の長さが絶縁性フィルム１１０の幅よりも長いことが好ましい。一例を挙げれば、絶縁性フィルム１１０の幅が２５０[ｍｍ]である場合には、発熱体４１の長さが３００[ｍｍ]の石英ガラスヒータを用いる。なお、ヒータ４０に代えて、絶縁性フィルム１１０を加熱する加熱装置として、平面状或いは曲面状の発熱面を有する赤外線ヒータを用いてもよい。

こうしたヒータ４０によってスパッタリング処理の前に絶縁性フィルム１１０を加熱しておくことで、ターゲット３０，３５から放出された銅原子３０ａ，３５ａを絶縁性フィルム１１０に深く埋め込むことができる。このように、加熱された絶縁性フィルム１１０に銅原子３０ａ，３５ａを深く進入させる（埋め込む）ことにより、絶縁性フィルム１１０に対する薄膜１２１，１２２の密着性を向上させるアンカー効果を期待できる。その結果、導電層積層フィルム１００における薄膜１２１，１２２の剥離強度の向上を図ることができる。

本実施形態では、ヒータ４０の近傍に温度センサ４３が設置されている。特に限定されないが、温度センサ４３の具体例としては、熱電対等を例示することができる。この温度センサ４３は、搬送直交方向ＤＯにおいてヒータ４０の発熱体４１と対向するように配置されている。また、この温度センサ４３は、成膜時に発生する熱の影響を回避するために、ヒータ４０と絶縁性フィルム１１０との間に介在しないように配置されている。

ヒータ４０と温度センサ４３は制御装置４４に接続されており、この制御装置４４によって、ヒータ４０による絶縁性フィルム１１０の加熱動作が制御されるようになっている。絶縁性フィルム１１０の目標温度としては、当該絶縁性フィルム１１０の軟化点又はその近傍の温度を例示することができる。特に限定されないが、絶縁性フィルム１１０として液晶ポリマーを用いる場合には、目標温度を２９０℃〜３１０℃に設定する。

ところで、本実施形態では、成膜が実行される成膜室９２の内部にヒータ４０が配置されているため、当該ヒータ４０自体にも銅原子３０ａ、３５ａが付着してしまう場合がある。ヒータ４０の熱放射面に銅が付着すると、ヒータ４０からの絶縁性フィルム１１０への伝熱効率が低下し、絶縁性フィルム１１０を目標温度まで加熱することができず、結果として十分な剥離強度を確保することができないこととなってしまう場合がある。特に、本実施形態のようにロールトゥロール方式を採用している場合には、成膜処理の連続処理時間に応じてヒータ４０への銅の付着量が増加するため、絶縁性フィルム１１０の同一のロールの中でも加熱条件が異なる箇所が生じてしまうという不都合も想定される。因みに、ロールトゥロール方式では、成膜条件を絶縁性フィルム１１０のロールの途中で変更することはできない。

これに対し、本実施形態の成膜部２０は、成膜室９２内に設けられた２つのヒータカバー５０，６０を備えている。第１のヒータカバー５０は、成膜室９２の第１の領域９２１に配置されている。一方、第２のヒータカバー６０は、成膜室９２の第２の領域９２２に設けられている。第１及び第２のヒータカバー５０，６０は、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、いずれもヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在するように、成膜室９２内に配置されている。換言すれば、搬送方向ＤＣに実質的に平行な仮想平面（図中のＸＺ平面）に投影した場合に、ヒータカバー５０，６０は、ヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在している。本実施形態における第１のヒータカバー５０が本発明における第１のカバーの一例に相当し、本実施形態における第２のヒータカバー６０が本発明における第２のカバーの一例に相当する。また、本実施形態における第１のヒータカバー５０が本発明における第１のヒータカバーの一例に相当し、本実施形態における第２のヒータカバー６０が本発明における第２のヒータカバーの一例に相当する。

ヒータカバー５０，６０は、アウトガスの発生が少なく耐熱性に優れた材料から構成されており、具体的には、ステンレス又はチタン等から構成されている。ヒータカバー５０，６０を構成するステンレスの具体例としては、ＳＵＳ３０４やＳＵＳ３１６等を例示することができる。さらに、当該ヒータカバー５０，６０に付着した銅の剥離を抑制するために、ヒータカバー５０，６０の表面は粗面化されている。特に限定されないが、一例を挙げれば、酸化アルミニウムの研削材／研磨材を用いたアルミナブラスト処理をヒータカバー５０，６０の表面に施す。研削材／研磨材としては、ＪＩＳ Ｒ６００１が規定する＃Ｆ６０、＃Ｆ８０又は＃Ｆ１００の粒径を有する砥粒を用いる。因みに、ヒータカバー５０，６０に付着した銅が剥離すると、その銅が絶縁性フィルム１１０に付着してしまう場合がある。このように絶縁性フィルム１１０に付着した銅は、薄膜１２１，１２２にピンホール等の不具合を発生する原因となり得る。

第１のヒータカバー５０は、搬送直交方向ＤＯに延在する矩形状の平板形状を有している。具体的には、この第１のヒータカバー５０の全体が、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に対して実質的に直交する平面（図中のＹＺ平面）で構成されている。同様に、第２のヒータカバー６０も、搬送直交方向ＤＯに実質的に平行な方向に延在する矩形状の平板形状を有している。具体的には、この第２のヒータカバー６０の全体が、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に対して実質的に直交する平面（図中のＹＺ平面）で構成されている。

本実施形態では、こうした垂直なヒータカバー５０，６０をヒータ４０とターゲット３０，３５との間に介在させることで、ターゲット３０，３５から放出されヒータ４０に向かって移動する銅原子３０ａ，３５ａを遮ることができ、銅原子３０ａ，３５ａがヒータ４０に付着してしまうのを抑制することができる。因みに、温度センサ５３への銅原子３０ａ，３５ａの付着もこのヒータカバー５０，６０によって抑制することができる。

なお、第１及び第２のヒータカバー５０，６０が搬送直交方向ＤＯに対して僅かに傾斜していてもよく、具体的には、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に対する第１及び第２のヒータカバー５０，６０主面の角度θが８５°〜９５°の範囲にあればよい（８５°≦θ≦９５°）。因みに、ヒータカバーが搬送直交方向ＤＯに対して大きく傾斜している場合には、ヒータカバーから絶縁性フィルムに伝熱し易くなったり、ヒータへの銅原子の付着を十分に抑制できなくなってしまう。

また、搬送直交方向ＤＯに沿った断面（図中のＹＺ平面に沿った断面）に関して、第１のヒータカバー５０の断面積Ｓ_１は、成膜室９２の第１の領域９２１の断面積Ｓ_２に対して４０％以上であることが好ましく（０．４×Ｓ_２≦Ｓ_１）、６０％以上であることがより好ましい（０．６×Ｓ_２≦Ｓ_１）。同様に、搬送直交方向ＤＯにおいて、第２のヒータカバー６０の断面積Ｓ_３は、成膜室９２の第２の領域９２２の断面積Ｓ_３に対して４０％以上であることが好ましく（０．４×Ｓ_４≦Ｓ_３）、６０％以上であることがより好ましい（０．６×Ｓ_４≦Ｓ_３）。ヒータカバー５０，６０のサイズを上記のように設定することで、ヒータ４０への銅原子３０ａ，３５ａの付着を一層抑制することができる。

本実施形態では、ヒータカバー５０，６０がヒータ４０のできる限り近くに配置されている。特に限定されないが、具体的には、搬送方向ＤＣにおける第１のヒータカバー５０とヒータ４０との間の距離Ｌ_１は、３ｍｍ〜３０ｍｍであり（３ｍｍ≦Ｌ_１≦３０ｍｍ）、好ましくは、５ｍｍ〜１０ｍｍである（５ｍｍ≦Ｌ_１≦１０ｍｍ）。同様に、搬送方向ＤＣにおける第２のヒータカバー６０とヒータ４０との間の距離Ｌ_２は、３ｍｍ〜３０ｍｍであり（３ｍｍ≦Ｌ_２≦３０ｍｍ）、好ましくは、５ｍｍ〜１０ｍｍである（５ｍｍ≦Ｌ_２≦１０ｍｍ）。ヒータカバー５０，６０をヒータ４０のできる限り近くに配置することで、ヒータ４０への銅原子３０ａ，３５ａの付着を一層抑制することができる。

また、理論的には、ヒータカバーと絶縁性フィルムとの間の間隔が狭いほど、ヒータへの銅原子の付着抑制の効果が向上する。しかしながら、搬送時の絶縁性フィルムは、巻出部のガイドローラと接触及び離反を繰り返すことで帯電しているため、ヒータカバーと絶縁性フィルムとの間の間隔が狭過ぎると、静電気によって絶縁性フィルムがヒータカバーに貼り付いてしまい、絶縁性フィルムの搬送が停止してしまう場合がある。こうした観点から、特に限定されないが、第１のヒータカバー５０と絶縁性フィルム１１０との間の距離Ｌ_３が、１０ｍｍ〜６０ｍｍであることが好ましく（１０ｍｍ≦Ｌ_３≦６０ｍｍ）、１５ｍｍ〜５０ｍｍであることがより好ましく（１５ｍｍ≦Ｌ_３≦５０ｍｍ）、２０ｍｍ〜２５ｍｍであることがより一層好ましい（２０ｍｍ≦Ｌ_３≦２５ｍｍ）。同様に、第２のヒータカバー６０と絶縁性フィルム１１０との間の距離Ｌ_４が、１０ｍｍ〜６０ｍｍであることが好ましく（１０ｍｍ≦Ｌ_４≦６０ｍｍ）、１５ｍｍ〜５０ｍｍであることがより好ましく（１５ｍｍ≦Ｌ_４≦５０ｍｍ）、２０ｍｍ〜２５ｍｍであることがより一層好ましい（２０ｍｍ≦Ｌ_４≦２５ｍｍ）。

以上のように、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、ヒータ４０と第１のターゲット３０との間にヒータカバー５０，６０が介在している。これにより、第１のターゲット３０から放出された銅原子３０ａ，３５ａがヒータ４０に付着することを抑制することができ、銅原子３０ａ，３５ａの付着に起因したヒータ４０の加熱効率の低下を抑制することができ、結果的に、絶縁性フィルム１１０に対する薄膜１２１，１２２の剥離強度の向上を図ることができる。

≪第２実施形態≫
図５は本発明の第２実施形態における成膜部を示す断面図である。本実施形態では、第２のターゲット３５を省略した点が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。以下に、第２実施形態における成膜装置について第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。

本実施形態では、第１実施形態と比較して第２のターゲット３５が省略されており、成膜部２０は、ターゲットとして、第１のターゲット３０のみを備えている。従って、本実施形態では、絶縁性フィルム１１０の第１の主面１１１のみに薄膜１２１が形成され、絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２には薄膜１２２が形成されない。すなわち、本実施形態における導電層積層フィルム１００は、第１の薄膜１２１のみを備えた片面の導電層積層フィルムである。なお、本実施形態では、第１及び第２のヒータカバー５０、６０の両方が、本発明における第１のカバーの一例に相当すると共に、本発明における第１のヒータカバーの一例に相当する。

なお、本実施形態では、第１のターゲット３０が成膜室９２の第１の領域９２１に配置されているが、第１のターゲット３０を第２の領域９２２に配置してもよい。また、本実施形態では、成膜室９２の第１及び第２の領域９２１，９２２に第１及び第２のヒータカバー５０、６０がそれぞれ設けられているが、第１又は第２のヒータカバー５０，６０のいずれか一方を省略してもよい。さらに、本実施形態では、ヒータ４０が成膜室９２の第２の領域９２２に配置されているが、ヒータ４０を第１の領域９２１に配置してもよいし、ヒータ４０を第１及び第２の領域９２１，９２２の両方に配置してもよい。

本実施形態では、第１実施形態と同様に、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、ヒータカバー５０，６０がヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在しているので、銅原子３０ａがヒータ４０に付着することを抑制することができ、絶縁性フィルム１１０に対する薄膜１２１の剥離強度の向上を図ることができる。

≪第３実施形態≫
図６は本発明の第３実施形態における成膜部を示す断面図であり、図７は図６のVII-VII線に沿った断面図である。本実施形態では、第１のヒータカバー５０を第１のターゲットカバー５５に置換すると共に、第２のターゲットカバー６５を追加した点が第１実施形態と相違するが、それ以外の構成は第１実施形態と同様である。以下に、第３実施形態における成膜装置について第１実施形態との相違点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。

図６及び図７に示すように、本実施形態の成膜部２０は、第１のヒータカバー５０に代えて、第１のターゲットカバー５５を備えていると共に、第２のヒータカバー６０に加えて、第２のターゲットカバー６５を備えている。第１のターゲットカバー５５は、成膜室９２の第１の領域９２１において第１のターゲット３０の周囲に設けられている。一方、第２のターゲットカバー６５は、成膜室９２の第２の領域９２２において第２のターゲット３５の周囲に設けられている。このターゲットカバー５５，６５は、上述のヒータカバー５０，６０と同様に、ステンレスやチタン等のアウトガスの発生が少なく耐熱性に優れた材料から構成されており、さらにその表面が粗面化されている。これにより、ターゲットカバー５５，６５に付着した銅の剥離を抑制することができる。

この第１のターゲットカバー５５は、Ｌ字状の断面形状を有する矩形枠であり、第１の対向部５５１と第１の支持部５５３を備えている。第１の対向部５５１は、絶縁性フィルム１１０の第１の主面１１１に対して実質的に平行な方向（図中のＸＺ平面方向）に延在していると共に、その略中央に第１の開口５５２を有している。従って、第１のターゲット３０の中央部は、この第１の開口５５２を介して、絶縁性フィルム１１０の第１の主面１１１と対向している。

第１の支持部５５３は、成膜装置１において第１のターゲット３０と電気的に絶縁された部位（例えば、チャンバ９０の成膜室９２の内壁面等）に固定されており、第１の対向部５５１を支持している。具体的には、この第１の支持部５５３は、第１の対向部５５１の四方の外縁に繋がっており、成膜室９２の内壁面側（図中の＋Ｙ方向）に向かって搬送直交方向ＤＯに沿って筒状に延在している。この第１の支持部５５３によって、第１のターゲット３０の四方が囲われている。また、この筒状の第１の支持部５５３において−Ｘ方向側の第１の壁５５４は、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、ヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在している。換言すれば、この第１の壁５５４は、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に実質的に平行な仮想平面（図中のＸＺ平面）に投影した場合に、ヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在している。本実施形態における第１のターゲットカバー５５が本発明における第１のカバーの一例に相当すると共に、本発明における第１のターゲットカバーの一例に相当する。また、本実施形態における第１のターゲットカバー５５の第１の壁５５４が、本発明における第１の介在部分の一例に相当する。

このように、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第１のターゲットカバー５５の第１の壁５５４がヒータ４０と第１のターゲット３０との間に介在しているので、ヒータ４０への銅原子３０ａの付着を抑制することができ、絶縁性フィルム１１０に対する薄膜１２１の剥離強度の向上を図ることができる。

また、本実施形態では、第１のターゲットカバー５５が第１の対向部５５１を含むことでＬ字状の断面形状を有しているので、第１のターゲット３０から放出される銅原子３０ａの散乱を抑制することができ、ヒータ４０への銅原子３０ａの付着を一層抑制することができる。

さらに、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第１の対向部５５１が第１のターゲット３０と重複しており、第１の対向部５５１によって第１のターゲット３０が覆われている。具体的には、第１の対向部５５１の第１の開口５５２が第１の遮蔽板３２の開口３３と実質的に同一の大きさを有しており、且つ、これらの開口５５２，３３が搬送直交方向ＤＯに沿って同軸上に配置されている。このため、第１の遮蔽板３２により設定された成膜レートを維持しつつ、第１のターゲット３０を第１のターゲットカバー５５でできる限り広く覆うことで銅原子３０ａの散乱を一層抑制することができる。なお、第１のターゲットカバー５５の第１の対向部５５１が、第１のターゲット３０と重複していなくてもよい。

特に限定されないが、第１のターゲットカバー５５の第１の対向部５５１と絶縁性フィルム１１０との間の距離Ｌ_５が、１０ｍｍ〜６０ｍｍであることが好ましく（１０ｍｍ≦Ｌ_５≦６０ｍｍ）、１５ｍｍ〜５０ｍｍであることがより好ましく（１５ｍｍ≦Ｌ_５≦５０ｍｍ）、２０ｍｍ〜２５ｍｍであることがより一層好ましい（２０ｍｍ≦Ｌ_５≦２５ｍｍ）。これにより、第１のターゲットカバー５５を絶縁性フィルム１１０の可能な限り近くに配置しつつ、第１のターゲットカバー５５への絶縁性フィルム１１０の付着を抑制することができる。

第２のターゲットカバー６５も、第１のターゲットカバー５５と同様に、Ｌ字状の断面形状を有する矩形枠であり、第２の対向部６５１と第２の支持部６５３を備えている。第２の対向部６５１は、絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２に対して実質的に平行な方向（図中のＸＺ平面方向）に延在していると共に、その略中央に第２の開口６５２を有している。従って、第２のターゲット３５の中央部は、この第２の開口６５２を介して、絶縁性フィルム１１０の第２の主面１１２と対向している。

第２の支持部６５３は、成膜装置１において第２のターゲット３５と電気的に絶縁された部位（例えば、成膜室９２の内壁面等）に固定されており、第２の対向部６５１を支持している。具体的には、この第２の支持部６５３は、第２の対向部６５１の四方の外縁に繋がっており、成膜室９２の内壁面側（図中の−Ｙ方向）に向かって搬送直交方向ＤＯに沿って筒状に延在している。この第２の支持部６５３によって、第２のターゲット３５の四方が囲われている。また、この筒状の第２の支持部６５３において−Ｘ方向側の第２の壁６５４は、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、ヒータ４０と第２のターゲット３５との間に介在している。換言すれば、この第２の壁６５４は、絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に実質的に平行な仮想平面（図中のＸＺ平面）に投影した場合に、ヒータ４０と第２のターゲット３５との間に介在している。本実施形態における第２のヒータカバー６０及び第２のターゲットカバー６５が本発明における第２のカバーの一例に相当し、本実施形態における第２のヒータカバー６０が本発明における第２のヒータカバーの一例に相当し、本実施形態における第２のターゲットカバー６５が本発明における第２のターゲットカバーの一例に相当する。また、本実施形態における第２のターゲットカバー６５の第２の壁６５４が、本発明における第２の介在部分の一例に相当する。

このように、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第２のターゲットカバー６５の第２の壁６５４がヒータ４０と第２のターゲット３５との間に介在しているので、ヒータ４０への銅原子３５ａの付着を抑制することができ、絶縁性フィルム１１０に対する薄膜１２２の剥離強度の向上を図ることができる。

また、本実施形態では、第２のターゲットカバー６５が第２の対向部６５１を有することでＬ字状の断面形状を有しているので、第２のターゲット３５から放出される銅原子３５ａの散乱を抑制することができ、ヒータ４０への銅原子３５ａの付着を一層抑制することができる。

さらに、本実施形態では、搬送直交方向ＤＯに見た場合に、第２の対向部６５１が第２のターゲット３５と重複しており、第２の対向部６５１によって第２のターゲット３５が覆われている。具体的には、第２の対向部６５１の第２の開口６５２が第２の遮蔽板３７の開口３８と実質的に同一の大きさを有しており、且つ、これらの開口６５２，３８が搬送直交方向ＤＯに沿って同軸上に配置されている。このため、第２の遮蔽板３７により設定された成膜レートを維持しつつ、第２のターゲット３５を第２のターゲットカバー６５でできる限り広く覆うことで銅原子３５ａの散乱を一層抑制することができる。なお、第２のターゲットカバー６５の第２の対向部６５１が、第２のターゲット３５と重複していなくてもよい。

特に限定されないが、第２のターゲットカバー６５と絶縁性フィルム１１０との間の距離Ｌ_６が、１０ｍｍ〜６０ｍｍであることが好ましく（１０ｍｍ≦Ｌ_６≦６０ｍｍ）、１５ｍｍ〜５０ｍｍであることがより好ましく（１５ｍｍ≦Ｌ_６≦５０ｍｍ）、２０ｍｍ〜２５ｍｍであることがより一層好ましい（２０ｍｍ≦Ｌ_６≦２５ｍｍ）。これにより、第２のターゲットカバー６５を絶縁性フィルム１１０の可能な限り近くに配置しつつ、第２のターゲットカバー６５への絶縁性フィルム１１０の付着を抑制することができる。

なお、本実施形態では、第１のターゲットカバー５５とヒータ４０との間の間隔が狭いため、第１のターゲットカバー５５の第１の壁５５４が第１のヒータカバー５０の機能を兼ねることで、当該第１のヒータカバー５０を省略したが、特にこれに限定されない。特に図示しないが、具体的には、成膜室９２の第１の領域９２１に第１のヒータカバー５０と第１のターゲットカバー５５の両方を設けてもよい。

或いは、第１及び第２のターゲットカバー５５，６５によってヒータ４０への銅原子３０ａ，３５ａの付着を十分に抑制できる場合には、図８に示すように、第１のヒータカバー５０と共に、第２のヒータカバー６０を省略してもよい。なお、図８は本発明の第３実施形態における成膜部の変形例を示す図である。

すなわち、本実施形態では、成膜室９２の第１の領域９２１に第１のヒータカバー５０及び第１のターゲットカバー５５の少なくとも一方を配置すると共に、第２の領域９２２に第２のヒータカバー６０及び第２のターゲットカバー６５の少なくとも一方を配置することができる。

≪第４実施形態≫
図９は本発明の第４実施形態における成膜部を示す断面図である。本実施形態では、冷却板７１，７５を追加した点が第３実施形態と相違するが、それ以外の構成は第３実施形態と同様である。以下に、第４実施形態における成膜装置について第３実施形態との相違点についてのみ説明し、第３実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。

そもそも、成膜部２０ではターゲット３０，３５から銅原子３０ａ，３５ａを放出させて絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２に成膜するため、第１及び第２のターゲットカバー５５，６５において絶縁性フィルム１１０の主面１１１，１１２と平行な第１及び第２の対向部５５１，６５１に銅原子３０ａ，３５ａが衝突する可能性が高い。第１及び第２の対向部５５１，６５１に衝突した銅原子３０ａ，３５ａの運動エネルギーは、当該第１及び第２の対向部５５１，６５１で熱エネルギーに変換されて熱輻射熱として放出され、絶縁性フィルム１１０を加熱する。また、スパッタリング処理の際に生成されるプラズマからの輻射熱によっても第１及び第の２の対向部５５１，６５１は加熱される。特に長尺の絶縁性フィルム１１０に成膜する場合には、成膜処理の連続処理時間に応じて第１及び第２のターゲットカバー５５，６５からの熱量が増加する。このように加熱された第１及び第２のターゲットカバー５５，６５から発せられる熱量(加熱効果)は、ヒータ４０やスパッタリング処理による加熱効果とは異なり、量的な制御が困難である。このため、絶縁性フィルム１１０を加熱する際の温度制御が困難となり、目標とする品質の導電層積層フィルム１００を得ることが困難となってしまう場合がある。

これに対し、本実施形態では、図９に示すように、第１のターゲットカバー５５の第１の対向部５５１上に、第１の冷却板７１が設けられている。この第１の冷却板７１は、第１の対向部５５１と実質的に同じ矩形枠の形状を有しており、当該第１の対向部５５１と接触している。この冷却板７１の内部には、冷媒が流通可能な流路７２が形成されている。同様に、第２のターゲットカバー６５の第２の対向部６５１上にも、第２の冷却板７５が設けられており、この第２の冷却板７５は、第２の対向部６５１と実質的に同じ矩形枠の形状を有し、当該第２の対向部６５１と接触している。この冷却板７５の内部には、冷媒が流通可能な流路７６が形成されている。そして、これらの流路７２，７６には、チラー７７やポンプ７８を含む配管系が接続されており、冷媒を循環させることで第１及び第２のターゲットカバー５５，６５を冷却することが可能となっている。

本実施形態では、第１の冷却板７１が第１のターゲットカバー５５と絶縁性フィルム１１０との間に介在しているので、第１のターゲットカバー５５から絶縁性フィルム１１０に向かって発せられる熱を第１の冷却板７１で吸収することができる。すなわち、第１の冷却板７１によって絶縁性フィルム１１０を第１のターゲットカバー５５から遮熱することができ、第１のターゲットカバー５５による絶縁性フィルム１１０の加熱を抑制することができる。

同様に、第２の冷却板７５が第２のターゲットカバー６５と絶縁性フィルム１１０との間に介在しているので、第２のターゲットカバー６５から絶縁性フィルム１１０に向かって発せられる熱を第２の冷却板７５で吸収することができる。すなわち、第２の冷却板７５によって絶縁性フィルム１１０を第２のターゲットカバー６５から遮熱することができ、第２のターゲットカバー６５による絶縁性フィルム１１０の加熱を抑制することができる。

また、本実施形態では、第１の冷却板７１が第１のターゲットカバー５５に直接接触しているので、第１の冷却板７１によって第１のターゲットカバー５５自体を冷却することで、第２のターゲットカバー６５による絶縁性フィルム１１０の加熱を抑制することもできる。同様に、第２の冷却板７５が第２のターゲットカバー６５に直接接触しているので、第２の冷却板７５によって第２のターゲットカバー６５自体を冷却することで、第２のターゲットカバー６５による絶縁性フィルム１１０の加熱を抑制することもできる。

なお、冷却板７１，７５に代えて、第１のターゲットカバー５５と絶縁性フィルム１１０との間に断熱材を介在させると共に、第２のターゲットカバー６５と絶縁性フィルム１１０との間に断熱材を介在させることで、ターゲットカバー５５，６５による絶縁性フィルム１１０の加熱を抑制してもよい。この場合には、断熱材をターゲットカバー５５，５６に接触させなくてもよい。また、冷却板７１，７５を、ターゲットカバー５５，６５から絶縁性フィルム１１０への遮熱手段としてのみ機能させる場合にも、当該冷却板７１，７５をターゲットカバー５５，５６に接触させなくてもよい。

一方、冷却板７１，７５がターゲットカバー５５，６５に直接接触している場合には、第１の冷却板７１が第１のターゲットカバー５５と絶縁性フィルム１１０との間に介在していなくてもよく、第２の冷却板７５も第２のターゲットカバー６５と絶縁性フィルム１１０との間に介在していなくてもよい。具体的には、第１のターゲットカバー５５において第１の対向部５５１以外の部分（例えば、第１の支持部５５３）に第１の冷却板７１が接触することで、第１の冷却板７１が第１のターゲットカバー５５を冷却してもよい。同様に、第２のターゲットカバー６５において第２の対向部６５１以外の部分（例えば、第２の支持部６５３）に第２の冷却板７５が接触することで、第２の冷却板７５が第２のターゲットカバー６５を冷却してもよい。この場合に、ターゲットカバー５５，６５を冷却する手段として、上述の冷却板７１，７５に代えて、ペルチェ素子等の他の冷却手段を用いてもよい。

また、第１のターゲットカバー５５の第１の対向部５５１によって絶縁性フィルム１１０があまり加熱されない場合には、第１の冷却板７１を省略してもよい。或いは、第２のターゲットカバー６５の第２の対向部６５１によって絶縁性フィルム１１０があまり加熱されない場合には、第２の冷却板７５を省略してもよい。

本実施形態における第１の冷却板７１、チラー７７及びポンプ７８が本発明における第１の加熱抑制装置の一例に相当する。また、本実施形態における第２の冷却板７５、チラー７７及びポンプ７８が、本発明における第２の加熱抑制装置の一例に相当する。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、絶縁性フィルム１１０が成膜室９２内において搬送方向ＤＣに沿って搬送されるのであれば、成膜装置１のタイプは、ロールトゥロール方式に限定されず、例えば、枚葉方式等であってもよい。

１…成膜装置
１０…巻出部
１１…巻出ローラ
１２〜１４…ガイドローラ
１５，１６…張力検出ローラ
２０…成膜部
２１…遮蔽板
３０…第１のターゲット
３０ａ…銅原子
３１…電源
３２…第１の遮蔽板
３３…開口
３３ａ…辺
３５…第２のターゲット
３５ａ…銅原子
３６…電源
３７…第２の遮蔽板
３８…開口
３８ａ…辺
４０…ヒータ
４１…発熱体
４２…ガラス管
４３…温度センサ
４４…制御装置
５０…第１のヒータカバー
５５…第１のターゲットカバー
５５１…第１の対向部
５５２…第１の開口
５５３…第１の支持部
５５４…第１の壁
６０…第２のヒータカバー
６５…第２のターゲットカバー
６５１…第２の対向部
６５２…第２の開口
６５３…第２の支持部
６５４…第２の壁
７１…第１の冷却板
７２…流路
７５…第２の冷却板
７６…流路
７７…チラー
７８…ポンプ
８０…巻取部
８１…巻取ローラ
８２〜８４…ガイドローラ
８５，８６…張力検出ローラ
９０…チャンバ
９０ａ…排気口
９０ｂ…供給口
９１…巻出室
９２…成膜室
９２１…第１の領域
９２２…第２の領域
９２ａ…搬入路
９２ｂ…搬出路
９３…巻取室
９４…減圧装置
９５…ガス供給装置
１００…導電層積層フィルム
１１０…絶縁性フィルム
１１１…第１の主面
１１２…第２の主面
１２１…第１の薄膜
１２２…第２の薄膜

Claims (11)

1. スパッタリング処理により絶縁性フィルム上に導電性薄膜を形成する成膜装置であって、
   前記絶縁性フィルムを搬送する搬送装置と、
   前記搬送装置により搬送される前記絶縁性フィルムの第１の主面に対向するように配置された第１のターゲットと、
   前記絶縁性フィルムの第２の主面及び前記第１の主面の少なくとも一方に対向するように、前記第１のターゲットよりも搬送方向の上流側に配置され、前記絶縁性フィルムを加熱する少なくとも一つの加熱装置と、
   前記搬送方向に対して実質的に直交する搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在する部分を少なくとも有する第１のカバー部材と、
   前記絶縁性フィルムの前記第２の主面に対向するように、前記第１のターゲットよりも前記搬送方向の下流側に配置された第２のターゲットと、
   前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在する部分を少なくとも有する第２のカバー部材と、
   第１の開口を有すると共に、前記第１のターゲットの外縁部を覆うように前記第１のターゲットと前記絶縁性フィルムとの間に介在する第１の遮蔽板と、
   第２の開口を有すると共に、前記第２のターゲットの外縁部を覆うように前記第２のターゲットと前記絶縁性フィルムとの間に介在する第２の遮蔽板と、を備え、
   前記第１のカバー部材は、前記第１のターゲットの周囲に設けられた第１のターゲットカバーを含み、
   前記第１のターゲットカバーは、
   第３の開口を有すると共に、前記絶縁性フィルムと前記第１の遮蔽板との間に介在することで、前記絶縁性フィルムの前記第１の主面に対向する第１の対向部と、
   前記第１の対向部を支持する第１の支持部と、を含み、
   前記第１のターゲットの少なくとも一部は、前記第１及び第３の開口を介して前記絶縁性フィルムと対向しており、
   前記第１の支持部は、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在している第１の介在部分を含み、
   前記第２のカバー部材は、前記第２のターゲットの周囲に配置された第２のターゲットカバーを含み、
   前記第２のターゲットカバーは、
   第４の開口を有すると共に、前記絶縁性フィルムと前記第２の遮蔽板との間に介在することで、前記絶縁性フィルムの前記第２の主面に対向する第２の対向部と、
   前記第２の対向部を支持する第２の支持部と、を含み、
   前記第２のターゲットの少なくとも一部は、前記第２及び第４の開口を介して前記絶縁性フィルムと対向しており、
   前記第２の支持部は、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在している第２の介在部分を含む成膜装置。
2. 請求項１に記載の成膜装置であって、
   前記第１のカバー部材は、前記絶縁性フィルムの前記第１及び前記第２の主面の少なくとも一方の側に配置された少なくとも一つの第１のヒータカバーを含み、
   前記第１のヒータカバーは、前記搬送直交方向に延在していると共に、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第１のターゲットとの間に介在している成膜装置。
3. 請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
   前記搬送直交方向に見た場合に、前記第１の対向部は、前記第１のターゲットと重複している成膜装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記第１の支持部は、前記第１の対向部の外縁に繋がっていると共に、前記第１のターゲットを囲繞している成膜装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記成膜装置は、前記第１のターゲットカバーによる前記絶縁性フィルムの加熱を抑制する第１の加熱抑制装置を備えた成膜装置。
6. 請求項５に記載の成膜装置であって、
   前記第１の加熱抑制装置は、前記絶縁性フィルムと前記第１のターゲットカバーとの間に介在していると共に、前記第１のターゲットカバーを冷却する第１の冷却板を含む成膜装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記第２のカバー部材は、前記絶縁性フィルムの前記第２の主面側に配置された第２のヒータカバーを含み、
   前記第２のヒータカバーは、前記搬送直交方向に延在していると共に、前記搬送直交方向に見た場合に、前記加熱装置と前記第２のターゲットとの間に介在している成膜装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記搬送直交方向に見た場合に、前記第２の対向部は、前記第２のターゲットと重複している成膜装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記第２の支持部は、前記第２の対向部の外縁に繋がっていると共に、前記第２のターゲットを囲繞している成膜装置。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の成膜装置であって、
    前記成膜装置は、前記第２のターゲットカバーによる前記絶縁性フィルムの加熱を抑制する第２の加熱抑制装置を備えた成膜装置。
11. 請求項１０に記載の成膜装置であって、
    前記第２の加熱抑制装置は、前記絶縁性フィルムと前記第２のターゲットカバーとの間に介在していると共に、前記第２のターゲットカバーを冷却する第２の冷却板を含む成膜装置。

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