JP6934834B2 - 放射線画像撮影装置及びプログラム - Google Patents

Description

開示の技術は、放射線画像撮影装置及びプログラムに関する。

ＦＰＤ（Flat Panel Detector）を備えた放射線画像撮影装置は、放射線源が放射線を照射する照射タイミングに合わせて、ＦＰＤが信号電荷を蓄積する蓄積動作を開始するように、ＦＰＤと放射線源との間で同期制御を行う必要がある。例えば、放射線画像撮影装置を制御するコンソール等の制御装置は、放射線の照射が開始されるタイミングとＦＰＤが信号電荷の蓄積動作を開始するタイミングとを同期させるために、放射線源に接続された照射スイッチが発生する照射開始信号を受信すると、同期信号を放射線画像撮影装置に供給する。放射線画像撮影装置は、同期信号を受信すると蓄積動作に移行する。

放射線画像撮影装置と放射線源とを含む撮影システムを構成する場合において、放射線画像撮影装置やそのコンソールに標準で装備されている同期制御用のインターフェース（ケーブルやコネクタの規格、同期信号の形式等）が、放射線源のインターフェースと適合しない場合もある。このような事情から、同期信号を用いることなく放射線画像撮影装置自身で放射線の照射の有無を判定する機能を有するものが開発されている。

例えば、特許文献１には、放射線源から照射された放射線を受けて信号電荷を蓄積する複数の画素が配列され、各画素にスイッチング素子が設けられた放射線画像検出器と、画素で発生する電荷を変換した電気信号と閾値との比較結果に基づき放射線の照射が開始されたか否かを判定する第一判定部と、電気信号が閾値以上となり、第一判定部で放射線の照射が開始されたと判定した後の電気信号の時間的変化に基づき、該電気信号が真に放射線の照射によるものか振動によるものかを検証し、第一判定部の判定が正しいか否かを判定する第二判定部と、第一、第二判定部の判定結果に応じて放射線画像検出器の動作を制御する制御手段と、を備えた放射線画像検出装置が記載されている。第二判定部は、微分回路を有し、電気信号の微分値と閾値の比較結果に基づき判定を行う。具体的には、第二判定部は、電気信号の微分値が、２つの閾値で規定される範囲の内外を往復する場合、当該電気信号が振動ノイズによるものであると判定する。

特許文献２には、放射線の照射が開始されたことを検出するための照射検出部を有する放射線画像撮影装置が記載されている。また、特許文献２には、上記の照射検出部による照射検出においては、衝撃に起因して誤判定が生じ得るため、照射検出部が、入力信号の波形を解析し、誤検知かどうかの判定を行うことが記載されている。

特許文献３には、シンチレータと、シンチレータのＸ線入射側に設けられた光検出部を有するＸ線画像検出装置本体と、Ｘ線画像検出装置本体のＸ線入射側に配置されて被写体を支持する支持部材とを備えた放射線画像撮影装置が記載されている。光検出部は、蛍光を電気信号として検出する薄膜部と、薄膜部のシンチレータ側とは反対側に設けられた補強部材とを有する。

特開２０１２−１１０５６５号公報 特開２０１７−１０８８５４号公報 特開２０１２−１７３２７５号公報

放射線画像撮影装置に放射線の照射の有無を判定する機能を付加すると、放射線画像撮影装置に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズによって、放射線が照射されていないにもかかわらず、放射線が照射されたものと判定してしまうおそれがある。
ガラス基板上に形成された画素で発生する電荷を変換した電気信号と閾値との比較結果に基づき放射線の照射が開始されたか否かを判定する第一判定部と、電気信号の微分値が、互いに異なる２つの閾値によって規定される範囲の内外を往復しているか否か（すなわち、電気信号の微分波形が、一定以上の振幅で振動しているか否か）に基づいて第一判定部の判定が正しいか否かを判定する第二判定部と、第一、第二判定部の判定結果に応じて放射線画像検出器の動作を制御する制御手段とを備える放射線画像撮影装置によれば、第二判定部が、画素で発生する電荷を変換した電気信号が、真に放射線の照射によるものか振動によるものかを検証する。しかしながら、画素が形成される基板が、従来のガラス基板よりも剛性の低い可撓性を有する樹脂基板である場合、ガラス基板よりも固有振動数が小さくなる。その結果、ガラス基板を使用する場合と比較して、振動によって生ずるノイズの周波数も低くなる。従って、電気信号の微分値が、互いに異なる２つの閾値によって規定される範囲の内外を往復しているか否か（すなわち、電気信号の微分波形が、一定以上の振幅で振動しているか否か）に基づいて振動を検出する手法によっては、電気信号が真に放射線の照射によるものか振動によるものかを検証することは困難である。

開示の技術は、可撓性を有する樹脂基板上に形成された画素を含む放射線画像撮影装置における放射線の照射有無の判定において、放射線画像撮影装置に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズに対する耐性を備えることを目的とする。

開示の技術の第１の態様に係る放射線画像撮影装置は、可撓性を有する樹脂基板と、樹脂基板上に設けられ、入射した放射線の線量に応じた電荷を生成する、放射線画像を撮影するための複数の撮影用画素と、入射した放射線の線量に応じた電荷を生成する放射線を検出するための検出部と、動作モードが蓄積モードである場合、撮影用画素の各々において生成された電荷を、当該撮影用画素に蓄積する制御を行う蓄積制御部と、検出部において生成された電荷に基づく電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が第１の閾値を超え、且つ電気信号のレベルが第２の閾値を超えた場合、蓄積制御部の動作モードを蓄積モードに移行させる制御を行うモード移行制御部と、を含む。

開示の技術の第２の態様に係る放射線画像撮影装置において、蓄積制御部は、動作モードが待機モードである場合、撮影用画素の各々において生成された電荷を当該撮影用画素から除去する制御を行ってもよい。この場合、モード移行制御部は、蓄積制御部の動作モードを蓄積モードに移行した後に、電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が第１の閾値を下回った場合に、蓄積制御部の動作モードを待機モードに移行する制御を行ってもよい。

開示の技術の第３の態様に係る放射線画像撮影装置において、モード移行制御部は、蓄積制御部の動作モードを蓄積モードに移行した後に、電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が第１の閾値を超えている場合に、蓄積制御部の動作モードを蓄積モードに維持する制御を行ってもよい。

開示の技術の第４の態様に係る放射線画像撮影装置において、蓄積制御部は、動作モードが読み出しモードである場合、撮影用画素の各々に蓄積された電荷を読み出す制御を行ってもよい。放射線画像撮影装置は、読み出しモードにおいて撮影用画素の各々から読み出された電荷に基づいて画像データを生成する生成部を更に含んでいてもよい。

開示の技術の第５の態様に係る放射線画像撮影装置は、樹脂基板に積層されたシンチレータと、樹脂基板に積層され、樹脂基板を支持する支持部材と、を含み得る。この場合、樹脂基板、シンチレータ及び支持部材を含む構造体の固有振動数が１キロヘルツ以下であることが好ましい。

開示の技術の第６の態様に係る放射線画像撮影装置において、検出部は、樹脂基板に設けられていてもよい。

開示の技術の第７の態様に係る放射線画像撮影装置において、樹脂基板は、ポリイミドフィルムを含んで構成されていてもよい。

開示の技術の第８の態様に係る放射線画像撮影装置において、支持部材は、プラスチックまたはゴムを含んで構成されていてもよい。

開示の技術の第９の態様に係るプログラムは、コンピュータを、上記第１乃至第８のいずれかの態様に係る放射線画像撮影装置におけるモード移行制御部として機能させるためのプログラムである。

開示の技術の第１の態様によれば、可撓性を有する樹脂基板上に形成された画素を含む放射線画像撮影装置における放射線の照射有無の判定において、放射線画像撮影装置に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズに対する耐性を備えることが可能となる。

開示の技術の第２の態様によれば、放射線の照射開始から蓄積モードへの移行までのタイムラグを圧縮することができる。

開示の技術の第３の態様によれば、蓄積制御部の動作モードが蓄積モードに確定する。

開示の技術の第４の態様によれば、撮影用画素の各々から読み出された電荷に基づいて画像データが生成される。

開示の技術の第５の態様によれば、放射線画像撮影装置に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズに対する耐性を、更に高めることができる。

開示の技術の第６の態様によれば、放射線画像撮影装置の小型化、軽量化及び低コスト化を図ることができる。

開示の技術の第７の態様によれば、基板をガラス基板で構成する場合と比較して、樹脂基板、シンチレータ及び支持部材を含む構造体の固有振動数を小さくすることができる。

開示の技術の第８の態様によれば、樹脂基板、シンチレータ及び支持部材を含む構造体の固有振動数を小さくすることができる。

開示の技術の第９の態様によれば、可撓性を有する樹脂基板上に形成された画素を含む放射線画像撮影装置における放射線の照射有無の判定において、放射線画像撮影装置に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズに対する耐性を備えることが可能となる。

開示の技術の実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成の一例を示す斜視図である。 開示の技術の実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成の一例を示す断面図である。 開示の技術の実施形態に係る放射線画像撮影装置の電気的構成の一例を示す図である。 開示の技術の実施形態に係る放射線検出用画素の配置の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る放射線波形及び振動ノイズ波形の一例を示す図である。 開示の技術の実施形態に係るカセッテ制御部のハードウェア構成の一例を示す図である。 開示の技術の実施形態に係るカセッテ制御部において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 開示の技術の実施形態に係るカセッテ制御部において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 開示の技術の実施形態に係るカセッテ制御部において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 開示の技術の実施形態に係るカセッテ制御部において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。 開示の技術の実施形態に係る放射線検出用画素の配置の一例を示す平面図である。 開示の技術の実施形態に係る放射線検出用画素の配置の一例を示す平面図である。

以下、開示の技術の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。

[第１の実施形態]

図１は、開示の技術の実施形態に係る放射線画像撮影装置１の構成の一例を示す斜視図である。放射線画像撮影装置１は、可搬型の電子カセッテの形態を有する。放射線画像撮影装置１は、放射線検出器３（FPD: Flat Panel Detectors）、制御ユニット１００、支持板７、及びこれらを収容する筐体２と、を含んで構成されている。

筐体２は、例えば、Ｘ線等の放射線の透過性が高く、軽量で耐久性の高い炭素繊維強化樹脂（カーボンファイバー）により構成されたモノコック構造を有する。筐体２の上面は、放射線源（図示せず）から出射され、被写体（図示せず）を透過した放射線が入射する放射線入射面とされている。筐体２内には、放射線入射面側から順に、放射線検出器３、支持板７が配置されている。

支持板７は、信号処理等を行う集積回路チップが搭載された回路基板９（図２参照）を支持しており、筐体２に固定されている。制御ユニット１００は、筐体２内の端部に配置されており、バッテリ（図示せず）及びカセッテ制御部７０（図３参照）を含んで構成されている。

図２は、放射線画像撮影装置１の構成の一例を示す断面図である。放射線検出器３は、可撓性を有するＴＦＴ（(Thin-Film-Transistor）基板１０と、ＴＦＴ基板１０の表面に設けられた、光電変換素子２１（図３参照）を含む複数の画素２０と、ＴＦＴ基板１０に積層されたシンチレータ４と、ＴＦＴ基板１０を支持する支持部材５と、を有する。

ＴＦＴ基板１０は、可撓性を有する樹脂基板である。本明細書において、ＴＦＴ基板１０が可撓性を有するとは、矩形状のＴＦＴ基板１０の４辺のうち１辺を固定したときに、ＴＦＴ基板１０の重量により、ＴＦＴ基板１０の固定辺から１０ｃｍ離れた部位の高さが、固定辺の高さよりも２ｍｍ以上低くなることを意味する。例えば、ＴＦＴ基板１０として、高耐熱性ポリイミドフィルムであるＸｅｎｏｍａｘ（登録商標）等の樹脂フィルムを好適に用いることができる。ＴＦＴ基板１０の材料として樹脂フィルムを用いることで、ＴＦＴ基板１０の材料としてガラス基板を用いる場合と比較して、放射線検出器３の軽量化及び低コスト化を図ることができ、更に、衝撃によってＴＦＴ基板１０が破損するリスクを低減することができる。複数の画素２０は、それぞれ、ＴＦＴ基板１０の第１の面Ｐ１に設けられている。

シンチレータ４は、ＴＦＴ基板１０の第１の面Ｐ１の側に積層されている。シンチレータ４は、入射した放射線を光に変換する蛍光体を含む。シンチレータ４は、一例としてＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を含む柱状結晶の集合体によって構成されている。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶は、例えば気相成長法によってＴＦＴ基板１０上に直接形成することができる。なお、ＴＦＴ基板１０とは別の基板に形成したＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶を、ＴＦＴ基板１０に貼り付けてもよい。また、シンチレータ４の材料としてＧｄ_２Ｏ_２Ｓ:Ｔｂ（テルビウムが添加された酸硫化ガドリニウム）を用いることができる。複数の画素２０を構成する光電変換素子２１（図３参照）の各々は、シンチレータ４から発せられた光に基づいて電荷を生成する。すなわち、光電変換素子２１は、放射線検出器３入射した放射線の線量に応じた量の電荷を生成する。

シンチレータ４の、ＴＦＴ基板１０と接する面Ｐ６とは反対側の面Ｐ３及び面Ｐ３と交差する面Ｐ４は、反射膜４００によって覆われている。反射膜４００は、シンチレータ４から発せられた光をＴＦＴ基板１０側に反射させる機能を有する。反射膜４００の材料として、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３を用いることができる。反射膜４００は、シンチレータ４の面Ｐ３及び面Ｐ４を覆い且つシンチレータ４の周辺部においてＴＦＴ基板１０上をも覆っている。なお、反射膜４００が設けられていなくても放射線画像撮影装置１において所望の画質の放射線画像を得ることができる場合には、反射膜４００を省略することが可能である。

本実施形態において、放射線画像撮影装置１は、放射線の入射側にＴＦＴ基板１０を配置する、表面読取方式（ＩＳＳ：Irradiation Side Sampling）による撮影方式を採用している。表面読取方式を採用することで、放射線の入射側にシンチレータ４を配置する、裏面読取方式（ＰＳＳ： Penetration Side Sampling）を採用した場合と比較して、シンチレータ４における強発光位置と画素２０との間の距離を短くすることができ、その結果、放射線画像の解像度を高めることができる。なお、放射線画像撮影装置１は、裏面読取方式を採用するものであってもよい。

支持板７は、シンチレータ４の放射線入射側とは反対側に配置されている。支持板７とシンチレータ４との間には、隙間が設けられている。支持板７は、筐体２の側部に固定されている。支持板７のシンチレータ４側とは反対側の面には、回路基板９が設けられている。回路基板９には、画像データを生成する信号処理部４０や、信号処理部４０により生成された画像データを記憶する画像メモリ５０等が搭載されている。

回路基板９とＴＦＴ基板１０とは、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）やＴＣＰ（Tape Carrier Package）またはＣＯＦ（Chip On Film）８にプリントされた配線を介して電気的に接続されている。回路基板９とＴＦＴ基板１０とを電気的に接続する、図２において図示されていない、別のＣＯＦ上には、ゲート線駆動部３０（図３参照）が搭載されている。

支持部材５は、ＴＦＴ基板１０の第１の面Ｐ１とは反対側の第２の面Ｐ２の側に積層され、ＴＦＴ基板１０を支持している。支持部材５は、ＴＦＴ基板１０がシンチレータ４を支持するのに必要な剛性を、ＴＦＴ基板１０に付与する役割を担う。すなわち、支持部材５を設けることで、支持部材５を設けない場合と比較して、シンチレータ４の重量によるＴＦＴ基板１０の撓みが抑制される。支持部材５の、ＴＦＴ基板１０との接触面とは反対側の面Ｐ５は、接着層６を介して筐体２の内壁に貼り付けられている。

図３は、放射線画像撮影装置１の電気的構成の一例を示す図である。ＴＦＴ基板１０には、マトリクス状に配置された複数の画素２０が設けられている。複数の画素２０の各々は、光電変換素子２１、キャパシタ２３及び薄膜トランジスタ２２を含んで構成されている。光電変換素子２１は、例えば、アモルファスシリコンによって構成されるフォトダイオードであってもよい。光電変換素子２１の各々は、カソードがバイアス電圧が印加されるバイアス配線（図示せず）に接続され、アノードが対応する薄膜トランジスタ２２のソースに接続されている。キャパシタ２３は、一端が対応する薄膜トランジスタ２２のソースに接続され、他端がグランドラインに接続されている。

ＴＦＴ基板１０には、複数のゲート配線１１と、複数のゲート配線１１の各々と交差する複数の信号配線１２とが設けられている。複数のゲート配線１１及び複数の信号配線１２は、複数の画素２０の配列に沿って配置されている。ゲート配線１１の各々は、ゲート線駆動部３０及び薄膜トランジスタ２２のゲートに接続されている。信号配線１２の各々は、信号処理部４０及び薄膜トランジスタ２２のドレインに接続されている。

ゲート線駆動部３０は、待機モード、蓄積モード及び読み出しモードの３種類のいずれかの動作モードで動作する。待機モードは、放射線画像撮影装置１において、放射線源（図示せず）からの放射線の照射を待機している場合に選択されるモードである。ゲート線駆動部３０は、待機モードにおいて、薄膜トランジスタ２２の各々が一定間隔でオンオフを繰り返すように薄膜トランジスタ２２の各々を制御する。これにより、後述する撮影用画素２０Ａの各々が備える光電変換素子２１の各々において生成された電荷が、当該撮影用画素２０Ａから間欠的に除去される。この処理により、放射線の未照射時に撮影用画素２０Ａにおいて生成される電荷に起因する暗電流の影響が抑制される。なお、薄膜トランジスタ２２のオンオフは、ゲート線駆動部３０から出力され、ゲート配線１１を介して薄膜トランジスタ２２のゲートに入力される駆動信号により制御される。

蓄積モードは、放射線画像撮影装置１において、放射線源（図示せず）からの放射線の照射が検出された場合に選択される動作モードである。ゲート線駆動部３０は、蓄積モードにおいて、全ての薄膜トランジスタ２２をオフ状態に制御する。これにより、撮影用画素２０Ａの各々が備える光電変換素子２１の各々において生成された電荷が、対応するキャパシタ２３に蓄積される。

読み出しモードは、撮影用画素２０Ａの各々に蓄積された電荷に基づいて放射線画像を取得する場合に選択される動作モードである。ゲート線駆動部３０は、読み出しモードにおいて、薄膜トランジスタ２２を行単位で順次オン状態に制御する。オン状態とされた薄膜トランジスタ２２によって読み出された電荷は、電気信号として各信号配線１２を介して信号処理部４０に入力される。

信号処理部４０は、図示しないチャージアンプ、サンプルホールド回路、マルチプレクサおよびＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器を含んで構成されている。チャージアンプは、個々の信号配線１２を介して各画素２０から読み出された電荷の量に応じた電圧レベルを有する電気信号を生成する。チャージアンプによって生成された電気信号の信号レベルはサンプルホールド回路に保持される。サンプルホールド回路の各々の出力端子は、共通のマルチプレクサに接続される。マルチプレクサは、サンプルホールド回路で保持された信号レベルをシリアルデータに変換してＡ／Ｄ変換器に供給する。Ａ／Ｄ変換器は、マルチプレクサから供給されるアナログの電気信号をデジタル信号に変換する。信号処理部４０は、Ａ／Ｄ変換器から出力されるデジタル信号を、各画素２０の座標位置に対応付けた画像データを生成する。

信号処理部４０には画像メモリ５０が接続されており、信号処理部４０によって生成された画像データは画像メモリ５０に記憶される。画像メモリ５０は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ５０に順次記憶される。

無線通信部６０は、外部機器との間での無線通信による各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部７０は、無線通信部６０を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソール（図示せず）などの外部装置と無線通信が可能とされており、外部機器との間で各種情報の送受信が可能とされている。

カセッテ制御部７０は、ゲート線駆動部３０、信号処理部４０、画像メモリ５０及び無線通信部６０と、通信可能に接続され、放射線画像撮影装置１全体の動作を統括的に制御する。

放射線画像撮影装置１は、放射線源（図示せず）からの放射線の照射の有無を判定する機能を有する。この機能を実現するために、複数の画素２０は、撮影用画素２０Ａと、放射線検出用画素２０Ｂと、を含んでいる。撮影用画素２０Ａは放射線画像の撮影に用いられる画素であり、放射線検出用画素２０Ｂは、放射線源（図示せず）からの放射線の照射の有無の判定に用いられる画素である。放射線検出用画素２０Ｂにおいては、薄膜トランジスタ２２のソースとドレインとが短絡されている。これにより、放射線検出用画素２０Ｂにおいては、生成された電荷が薄膜トランジスタ２２のオンオフにかかわらず信号配線１２に流出する。

カセッテ制御部７０は、放射線検出用画素２０Ｂからの出力信号に基づいて、放射線源から放射線が照射されたと判定すると、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給し、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行する。ゲート線駆動部３０は、蓄積モードにおいて、全ての薄膜トランジスタ２２をオフ状態に制御する。これにより、放射線の照射に伴って撮影用画素２０Ａの光電変換素子２１において生成された電荷が、キャパシタ２３に蓄積される。すなわち、撮影用画素２０Ａの各々において、放射線画像の画素情報が記録される。このように、放射線画像撮影装置１自身が、放射線源（図示せず）からの放射線の照射の有無を判定する機能を有することで、放射線源とのインターフェースを有しない場合でも、放射線源からの放射線の照射開始に連動して、放射線画像の撮影動作に移行することが可能である。

なお、ＴＦＴ基板１０において、放射線検出用画素２０Ｂの配置位置における放射線画像の画素情報を得ることができない。このため、ＴＦＴ基板１０では、放射線検出用画素２０Ｂが撮影領域内に分散するように配置されることが好ましい。また、一例として図４に示すように、ＴＦＴ基板１０の中央部を含む一部領域Ｒ１において放射線検出用画素２０Ｂを比較的低密度で配置し、その周辺の領域において、比較的高密度で配置してもよい。なお、放射線画像を生成する際に、放射線検出用画素２０Ｂの配置位置における画素値を、当該放射線検出用画素２０Ｂの周囲に位置する撮影用画素２０Ａの画素値を用いて補間する欠陥画素補正処理を、放射線画像撮影装置１またはコンソール（図示せず）において行ってもよい。

放射線画像撮影装置１は、放射線画像撮影装置１に加えられた衝撃等による振動に起因して発生するノイズ（以下、振動ノイズという）による放射線の照射の有無の判定（以下、放射線照射判定という）における誤りを抑制する手段を有する。

放射線画像撮影装置１において、放射線照射判定における、振動ノイズによる誤判定を抑制する原理を、図５を参照しつつ説明する。図５には、放射線源（図示せず）からの放射線の照射に伴って、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成される電荷に基づき、信号配線１２に流れる電気信号の波形（以下、放射線波形という）Ｗ１の一例が、実線で示されている。また、図５には、放射線画像撮影装置１に加えられた衝撃等による振動に起因して発生する振動ノイズの波形（以下、振動ノイズ波形という）Ｗ２の一例が点線で示されている。図５における各プロットは、信号処理部４０が備えるＡ／Ｄ変換器（図示せず）から出力されるサンプリング値である。

図５に示すように、振動ノイズ波形Ｗ２の立ち上がりの傾きは、放射線波形Ｗ１の立ち上がりの傾きよりも緩やかである。放射線波形Ｗ１と振動ノイズ波形Ｗ２の立ち上がりの傾き（時間あたりの変化率または時間あたりの変化量）の違いに基づいて両者を区別することで、放射線照射判定における誤りを抑制し、放射線照射判定を適確に行うことが可能である。

振動ノイズ波形Ｗ２の立ち上がりの傾きと、放射線波形Ｗ１の立ち上がりの傾きとの差が大きい程、両者の区別を正確に行うことができる。振動ノイズ波形Ｗ２の立ち上がりの傾きは、ＴＦＴ基板１０、シンチレータ４及び支持部材５を含む構造体の固有振動数に依存する。すなわち、上記構造体の固有振動数が小さくなる程、振動ノイズ波形Ｗ２の立ち上がりの傾きは緩やかとなり、放射線波形Ｗ１の立ち上がりの傾きとの差が大きくなる。

このような観点から、ＴＦＴ基板１０、シンチレータ４及び支持部材５を含む構造体の固有振動数は、例えば１キロヘルツ以下であることが好ましい。ＴＦＴ基板１０、シンチレータ４及び支持部材５を含む構造体の固有振動数を１キロヘルツ以下とすることで、振動ノイズ波形Ｗ２と放射線波形Ｗ１との区別を正確に行うことができ、放射線照射判定を適確に行うことが可能となる。また、ＴＦＴ基板１０の材料として、樹脂フィルム等の可撓性を有する材料を用いることで、ＴＦＴ基板１０をガラス基板で構成する場合と比較して、上記構造体の固有振動数を小さくすることができる。

また、支持部材５として用いられる材料のヤング率を小さくする程、上記構造体の固有振動数を小さくすることができる。支持部材５として用いられる材料のヤング率は、例えば５０ＧＰａ以下であることが好ましい。支持部材５の候補材料として、例えばＰＥＴ（ヤング率：１０〜２０ＧＰａ）、ポリカーボネート（ヤング率：２〜３ＧＰａ、ポリスチレン（ヤング率：３〜３．５ＧＰａ）、ポリエチレン（ヤング率：０．４〜１．３ＧＰａ）、ポリプロピレン（ヤング率：１．５〜２ＧＰａ）等のプラスチック及びゴム（ヤング率：０．０１〜０．１ＧＰａ）などが挙げられる。

振動ノイズによる誤判定を抑制しつつ放射線の照射の有無を判定する機能は、カセッテ制御部７０が、以下に説明するモード移行制御処理を行うことで実現される。

ここで、図６は、カセッテ制御部７０のハードウェア構成の一例を示す図である。カセッテ制御部７０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）７０１、一時記憶領域としての主記憶装置７０２、不揮発性の補助記憶装置７０３、通信Ｉ／Ｆ（InterFace）７０４を備えたコンピュータで構成されている。通信Ｉ／Ｆ７０４は、ゲート線駆動部３０、信号処理部４０、画像メモリ５０及び無線通信部６０との間で通信を行うためのインターフェースである。ＣＰＵ７０１、主記憶装置７０２、補助記憶装置７０３、及び通信Ｉ／Ｆ７０４は、それぞれ、バス７０６に接続されている。補助記憶装置７０３には、上記のモード移行制御処理の手順を記述したモード移行制御プログラム７０５が格納されている。カセッテ制御部７０は、ＣＰＵ７０１がモード移行制御プログラム７０５を実行することで、モード移行制御部として機能する。

図７は、カセッテ制御部７０において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。

例えば、放射線画像撮影装置１に対して、放射線画像の撮影開始を指示する操作がなされると、ステップＳ１において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを、待機モードに設定する。

ステップＳ２において、ＣＰＵ７０１は、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号の、連続する複数のサンプリング値を信号処理部４０から取得する。すなわち、ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の所定期間内の各時点におけるレベルを示す複数のサンプリング値を取得する。

ステップＳ３において、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて上記電気信号の時間あたりの変化率を導出し、導出した変化率が、第１の閾値を超えたか否かを判定する。第１の閾値は、上記電気信号が放射線の照射に起因する場合と、上記電気信号が振動ノイズに起因する場合とを区別できる値に設定される。すなわち、本ステップＳ３における判定は、上記電気信号の傾きが、振動ノイズ波形の傾きよりも十分に大きいか否かを判定するものである。

なお、電気信号の時間あたりの時間変化率の導出には、サンプリング期間の最初にサンプリングしたサンプリング値と、サンプリング期間の最後にサンプリングしたサンプリング値とを用いてもよい。また、サンプリング期間の前半期間にサンプリングした複数のサンプリング値の平均値と、サンプリング期間の後半期間にサンプリングした複数のサンプリング値の平均値とを用いてもよい。

例えば、サンプリング期間Ｔの最初にサンプリングしたサンプリング値をＤ１とし、サンプリング期間Ｔの最後にサンプリングしたサンプリング値をＤ２としたとき、上記電気信号の時間あたりの変化率Ａは、下記の（１）式によって表わすことができる。
Ａ＝（Ｄ１／Ｄ２）／Ｔ ・・・（１）

ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えていないと判定した場合、放射線が照射されていないものとして処理をステップＳ２に戻し、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えたと判定した場合、処理をステップＳ４に移行する。

ステップＳ４において、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えたか否かを判定する。第２の閾値は、振動ノイズに対する耐性と、放射線の検出感度とのトレードオフを勘案して、適切な値に定められる。なお、この判定において、複数のサンプリング値のうちの最大値を上記電気信号のレベルとして用いてもよい。また、この判定において、複数のサンプリング値のうち、最後にサンプリングされたサンプリング値を上記電気信号のレベルとして用いてもよい。ＣＰＵ７０１は、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えていないと判定した場合、放射線が照射されていないものとして処理をステップＳ２に戻し、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えたと判定した場合、放射線が照射されたものとして、処理をステップＳ５に移行する。

ステップＳ５において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給することにより、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行する。これにより、ゲート線駆動部３０は、全ての薄膜トランジスタ２２をオフさせる。これにより、放射線の照射に伴って、撮影用画素２０Ａの各々が備える光電変換素子２１の各々において生成された電荷が、対応するキャパシタ２３に蓄積される。

ステップＳ６において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行してから所定期間が経過したか否かを判定する。上記所定期間は、各撮影用画素２０Ａにおいて、放射線画像の画素情報を記録するのに十分な時間に設定される。ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行してから所定期間が経過したと判定すると、処理をステップＳ７に移行する。

ステップＳ７において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給することにより、ゲート線駆動部３０の動作モードを読み出しモードに移行する。これにより、ゲート線駆動部３０は、薄膜トランジスタ２２を行単位で順次オン状態に制御する。オン状態とされた薄膜トランジスタ２２によって読み出された電荷は、各信号配線１２を介して信号処理部４０に入力される。信号処理部４０は、各撮影用画素２０Ａから読み出された電荷に基づいて、画像データを生成する。信号処理部４０によって生成された画像データは、画像メモリ５０に記憶される。ＣＰＵ７０１は、その後、本ルーチンを終了させる。

なお、上記のモード移行制御処理において、ステップＳ３の処理とステップＳ４の処理の順序を入れ替えてもよい。すなわち、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号のレベルについての判定を行った後に、上記電気信号の傾きについての判定を行ってもよい。

図８は、カセッテ制御部７０において実施されるモード移行制御処理の流れの他の例を示すフローチャートである。この例では、ステップＳ３ａにおいて、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて、電気信号の時間あたりの変化量を導出し、導出した変化量が、第１の閾値を超えたか否かを判定する。

なお、電気信号の時間あたりの変化量の導出には、サンプリング期間の最初にサンプリングしたサンプリング値と、サンプリング期間の最後にサンプリングしたサンプリング値とを用いてもよい。また、サンプリング期間の前半期間にサンプリングした複数のサンプリング値の平均値と、サンプリング期間の後半期間にサンプリングした複数のサンプリング値の平均値とを用いてもよい。

例えば、サンプリング期間Ｔの最初にサンプリングしたサンプリング値をＤ１とし、サンプリング期間Ｔの最後にサンプリングしたサンプリング値をＤ２としたとき、上記電気信号の時間あたりの変化量Ｂは、下記の（２）式によって表わすことができる。
Ｂ＝（Ｄ１−Ｄ２）／Ｔ ・・・（２）

以上のように、開示の技術の第１の実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号のレベルに加え、上記電気信号の傾きにも基づいて放射線照射判定を行う。これにより、電気信号のレベルのみに基づいて放射線照射判定を行う場合と比較して、放射線照射判定における振動ノイズに対する耐性を高めることが可能となる。また、放射線照射判定において、電気信号の微分値の振動を検出することを要しないので、ＴＦＴ基板１０を樹脂基板で構成することにより、振動ノイズの周波数が、ガラス基板で構成する場合と比較して、低下した場合でも、放射線照射判定を適切に行うことが可能である。

［第２の実施形態］
図９は、開示の技術の第２の実施形態に係るカセッテ制御部７０において実施されるモード移行制御処理の流れの一例を示すフローチャートである。

例えば、放射線画像撮影装置１に対して、放射線画像の撮影開始を指示する操作がなされると、ステップＳ１１において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを、待機モードに設定する。

ステップＳ１２において、ＣＰＵ７０１は、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号の、連続する複数のサンプリング値を信号処理部４０から取得する。すなわち、ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の所定期間内の各時点におけるレベルを示す複数のサンプリング値を取得する。

ステップＳ１３において、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて上記電気信号の時間あたりの変化率を導出し、導出した変化率が、第１の閾値を超えたか否かを判定する。第１の閾値は、上記電気信号が放射線の照射に起因する場合と、上記電気信号が振動ノイズに起因する場合とを区別できる値に設定される。すなわち、本ステップＳ１３における判定は、上記電気信号の傾きが、振動ノイズ波形の傾きよりも十分に大きいか否かを判定するものである。

ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えていないと判定した場合、放射線が照射されていないものとして処理をステップＳ１１に戻し、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えたと判定した場合、処理をステップＳ１３に移行する。

ステップＳ１３において、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えたか否かを判定する。第２の閾値は、振動ノイズを含むあらゆるノイズに対する耐性と、放射線の検出感度とのトレードオフを勘案して、適切な値に定められる。ＣＰＵ７０１は、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えていないと判定した場合、放射線が照射されていないものとして処理をステップＳ１２に戻し、上記電気信号のレベルが、第２の閾値を超えたと判定した場合、放射線が照射されたものとして、処理をステップＳ１５に移行する。

ステップＳ１５において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給することにより、ゲート線駆動部３０の動作モードを、暫定的に蓄積モードに移行する。これにより、ゲート線駆動部３０は、全ての薄膜トランジスタ２２をオフさせる。これにより、放射線の照射に伴って、撮影用画素２０Ａの各々が備える光電変換素子２１の各々において生成された電荷が、対応するキャパシタ２３に蓄積される。

ステップＳ１６において、ＣＰＵ７０１は、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号の、連続する複数のサンプリング値を信号処理部４０から取得する。すなわち、ＣＰＵ７０１は、ステップＳ１２において取得した複数のサンプリング値よりも後の各時点における複数のサンプリング値を取得する。

ステップＳ１７において、ＣＰＵ７０１は、ステップＳ１６において取得した最新のサンプリング値に基づいて上記電気信号の時間あたりの変化率を導出し、導出した変化率が、第１の閾値を超えたか否かを判定する。

ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えていないと判定した場合、放射線が照射されているものとした先の判定に誤りがあるとして、処理をステップＳ１８に移行する。一方、ＣＰＵ７０１は、上記電気信号の時間あたりの変化率が、第１の閾値を超えていると判定した場合、放射線が照射されているものとした先の判定に誤りがないとして、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに維持し、処理をステップＳ１９に移行する。

ステップＳ１８において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給することにより、ゲート線駆動部３０の動作モードを待機モードに移行する。これにより、ゲート線駆動部３０は、薄膜トランジスタ２２の各々が一定間隔でオンオフを繰り返すように薄膜トランジスタ２２の各々を制御する。その後、処理は、ステップＳ１２に戻される。

ステップＳ１９において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行してから所定期間が経過したか否かを判定する。上記所定期間は、各撮影用画素２０Ａにおいて、放射線画像の画素情報を記録するのに十分な時間に設定される。ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０の動作モードを蓄積モードに移行してから所定期間が経過したと判定すると、処理をステップＳ２０に移行する。

ステップＳ２０において、ＣＰＵ７０１は、ゲート線駆動部３０に制御信号を供給することにより、ゲート線駆動部３０の動作モードを読み出しモードに移行する。これにより、ゲート線駆動部３０は、薄膜トランジスタ２２を行単位で順次オン状態に制御する。オン状態とされた薄膜トランジスタ２２によって読み出された電荷は、各信号配線１２を介して信号処理部４０に入力される。信号処理部４０は、各撮影用画素２０Ａから読み出された電荷に基づいて、画像データを生成する。信号処理部４０によって生成された画像データは、画像メモリ５０に記憶される。ＣＰＵ７０１は、その後、本ルーチンを終了させる。

なお、モード移行制御処理において、ステップＳ１３の処理とステップＳ１４の処理の順序を入れ替えてもよい。すなわち、放射線検出用画素２０Ｂにおいて生成された電荷に基づく電気信号のレベルについての判定を行った後に、上記電気信号の時間あたりの変化率についての判定を行ってもよい。

図１０は、カセッテ制御部７０において実施されるモード移行制御処理の流れの他の例を示すフローチャートである。この例では、ステップＳ１３ａ及びステップＳ１７ａにおいて、ＣＰＵ７０１は、複数のサンプリング値に基づいて、電気信号の時間あたりの変化量を導出し、導出した変化量が、第１の閾値を超えたか否かを判定する。

開示の技術の第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、第１の実施形態と同様、電気信号のレベルのみに基づいて放射線照射判定を行う場合と比較して、放射線照射判定における振動ノイズに対する耐性を高めることが可能となる。

また、第２の実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、ゲート線駆動部３０の動作モードが蓄積モードに移行された後にも、電気信号の傾きに基づく放射線照射判定が行われる。従って、最初の判定が誤判定となるリスクを許容して、ステップＳ１４の電気信号のレベル判定に用いる第２の閾値を比較的小さくすることができる。これにより、放射線の照射開始から蓄積モードへの移行までのタイムラグを圧縮することができる。また、２回目の判定において放射線が照射されていないものと判定された場合には、ゲート線駆動部３０の動作モードが読み出しモードに移行されるので、最初の判定が誤判定であった場合でも、撮影用画素２０Ａを速やかにリセットすることができ、放射線の照射に備えることができる。

なお、上記の第１及び第２の実施形態においては、ＴＦＴ基板１０に設けられた画素２０の一部を放射線検出用画素２０Ｂとして用いる場合について説明したが、この態様に限定されるものではない。

例えば、放射線検出用画素２０Ｂを、撮影用画素２０Ａとは別層として積層する形態としてもよい。この場合、欠陥画素が生じることがないため、上記実施の形態に比較して、放射線画像の品質を向上させることができる。

また、上記の第１及び第２の実施形態では、一例として図１１Ａに示すように、放射線検出用画素２０Ｂとして撮影用画素２０Ａの一部を、放射線検出用画素２０Ｂとして用いる場合について説明したが、この態様に限定されるものではない。例えば、図１１Ｂに示すように、放射線検出用画素２０Ｂを、撮影用画素２０Ａの間隙に設ける形態としてもよい。

また、放射線を検出するための光電変換素子は、放射線検出器３の画素２０に組み込まれていなくてもよく、放射線検出器３とは別体として設けられていてもよい。しかしながら、放射線を検出するための光電変換素子を、撮影用画素２０Ａと共にＴＦＴ基板１０上に配置することで、放射線画像撮影装置１の小型化、軽量化及び低コスト化を図ることができる。

なお、上記の第１及び第２の実施形態においては、ＴＦＴ基板１０に設けられた画素２０の一部を放射線検出用画素２０Ｂとして撮影用画素２０Ａと共通の信号配線１２及び信号処理部４０で処理する場合について説明したが、この形態に限定されるものではなく、以下に示す（例１）〜（例４）の形態を適用することも可能である。
（例1）放射線検出用画素２０Ｂの信号配線を、撮影用画素２０Ａとは別の信号配線とし、撮影用画素２０Ａとは別の信号処理部でサンプリング処理を行ってもよい。この場合において、放射線検出用画素２０Ｂに接続された信号処理部の回路規模を、撮影用画素２０Ａに接続された信号処理部の回路規模よりも小さくして、放射線の照射検出のための消費電力を低減する構成としてもよい。このような構成は、例えば、特開２０１１−１７４９０８号公報に記載されている。
（例２）放射線検出用画素２０Ｂにおいては、薄膜トランジスタ２２のソースとドレインとを短絡せず、撮影用画素２０Ａに接続されたゲート配線とは別のゲート配線を用いて薄膜トランジスタ２２を駆動することで、撮影用画素２０Ａとは独立した任意のタイミングで放射線検出用画素２０Ｂを駆動する構成としてもよい。このような構成は、例えば、特開２０１３−１１５７７４号公報に記載されている。
（例３）放射線検出用画素２０Ｂにおいては、撮影用画素２０Ａとは別のゲート配線及び信号配線を用いると共に、撮影用画素２０Ａとは別の信号処理部でサンプリング処理を行ってもよい。この場合において、放射線照射検出用画素２０Ｂに接続された信号処理部の回路規模を、撮影用画素２０Ａに接続された信号処理部の回路規模よりも小さくして、放射線の照射検出のための消費電力を低減したり、撮影用画素２０Ａとは独立した任意のタイミングで放射線検出用画素２０Ｂを駆動したりする構成としてもよい。このような構成は、例えば、例えば、特開２０１５−２２２９３８号公報に記載されている。なお、この場合において、放射線検出用画素２０Ｂは、図１１Ｂに示すように、撮影用画素２０Ａの間隙に設けられていてもよい。
（例４）光電変換素子２１に接続されたバイアス線を流れる電流の量の変化、バイアス電圧の変化、ゲート線駆動部３０に流れる電流または電圧の変化、または信号処理部４０を構成するチャージアンプの基準電位、電源電圧の変化に基づいて放射線の照射判定を行う構成であってもよい。このような構成は、例えば、特開２００９−２１９５３８号公報に記載されている。

また、上記の第１及び第２の実施形態では、シンチレータ４を用いて放射線を光に変換し、変換した光を電荷に変換する間接変換方式の放射線検出器３を例示したが、開示の技術は、放射線を直接電荷に変換する直接変換方式の放射線検出器に適用することも可能である。

なお、撮影用画素２０Ａは、開示の技術における撮影用画素の一例である。放射線検出用画素２０Ｂは、開示の技術における検出部の一例である。ゲート線駆動部３０は、開示の技術に係る蓄積制御部の一例である。カセッテ制御部７０は、モード移行制御部の一例である。信号処理部４０は、開示の技術における生成部の一例である。ＴＦＴ基板１０は、開示の技術における樹脂基板の一例である。支持部材５は、開示の技術における支持部材の一例である。シンチレータ４は、開示の技術におけるシンチレータの一例である。

１ 放射線画像撮影装置
２ 筐体
３ 放射線検出器
４ シンチレータ
５ 支持部材
６ 接着層
７ 支持板
９ 回路基板
１０ ＴＦＴ基板
１１ ゲート配線
１２ 信号配線
２０ 画素
２０Ａ 撮影用画素
２０Ｂ 放射線検出用画素
２１ 光電変換素子
２２ 薄膜トランジスタ
２３ キャパシタ
３０ ゲート線駆動部
４０ 信号処理部
５０ 画像メモリ
６０ 無線通信部
７０ カセッテ制御部
１００ 制御ユニット
４００ 反射膜
７０１ ＣＰＵ
７０２ 主記憶装置
７０３ 補助記憶装置
７０４ 通信Ｉ／Ｆ
７０５ モード移行制御プログラム
７０６ バス
Ｐ１〜Ｐ６ 面
Ｒ１ 一部領域
Ｗ１ 放射線波形
Ｗ２ 振動ノイズ波形

Claims (9)

1. 可撓性を有する樹脂基板と、
   前記樹脂基板上に設けられ、入射した放射線の線量に応じた電荷を生成する放射線画像を撮影するための複数の撮影用画素と、
   入射した放射線の線量に応じた電荷を生成する、放射線を検出するための検出部と、
   動作モードが蓄積モードである場合、前記撮影用画素の各々において生成された電荷を、当該撮影用画素に蓄積する制御を行う蓄積制御部と、
   前記検出部において生成された電荷に基づく電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が第１の閾値を超え、且つ前記電気信号のレベルが第２の閾値を超えた場合、前記蓄積制御部の動作モードを前記蓄積モードに移行させる制御を行うモード移行制御部と、
   を含む放射線画像撮影装置。
2. 前記蓄積制御部は、動作モードが待機モードである場合、前記撮影用画素の各々において生成された電荷を当該撮影用画素から除去する制御を行い、
   前記モード移行制御部は、前記蓄積制御部の動作モードを前記蓄積モードに移行した後に、前記電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が前記第１の閾値を下回った場合に、前記蓄積制御部の動作モードを前記待機モードに移行する制御を行う
   請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
3. 前記モード移行制御部は、前記蓄積制御部の動作モードを前記蓄積モードに移行した後に、前記電気信号のレベルの時間あたりの変化率または時間あたりの変化量が前記第１の閾値を超えている場合に、前記蓄積制御部の動作モードを前記蓄積モードに維持する制御を行う
   請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
4. 前記蓄積制御部は、動作モードが読み出しモードである場合、前記撮影用画素の各々に蓄積された電荷を読み出す制御を行い、
   前記読み出しモードにおいて前記撮影用画素の各々から読み出された電荷に基づいて画像データを生成する生成部を更に含む
   請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
5. 前記樹脂基板に積層されたシンチレータと、
   前記樹脂基板に積層され、前記樹脂基板を支持する支持部材と、
   を含み、
   前記樹脂基板、前記シンチレータ及び前記支持部材を含む構造体の固有振動数が１キロヘルツ以下である
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
6. 前記検出部は、前記樹脂基板に設けられている
   請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
7. 前記樹脂基板は、ポリイミドフィルムを含んで構成されている
   請求項５または請求項６に記載の放射線画像撮影装置。
8. 前記支持部材は、プラスチックまたはゴムを含んで構成されている
   請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
9. コンピュータを、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のモード移行制御部として機能させるためのプログラム。

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