JP2000254115A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
- Publication number
- JP2000254115A JP2000254115A JP11063888A JP6388899A JP2000254115A JP 2000254115 A JP2000254115 A JP 2000254115A JP 11063888 A JP11063888 A JP 11063888A JP 6388899 A JP6388899 A JP 6388899A JP 2000254115 A JP2000254115 A JP 2000254115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- unit
- ray
- detector
- radiation detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 106
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 27
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 23
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、放射線検出部を読み出し回路部に
対して着脱可能に構成し、この放射線検出部を読み出し
回路部から分離した状態でこの放射線検出部により放射
線を検出することが可能な放射線検出器を提供する。 【解決手段】 X線検出部20を読み出し回路部30に
装着し、必要に応じて、ゲートドライバ31によりTF
T21を動作させ、蓄積コンデンサ24に蓄積されてい
る画素電荷をクリアし、また、充電回路32によりバイ
アス電源22a、22bが充電される。その後、X線検
出部20を読み出し回路部30から分離してX線撮影を
行う。X線検出部20を用いたX線撮影の終了後、X線
検出部20を読み出し回路部30に装着し、ゲートドラ
イバ31によりTFT21を動作させて蓄積コンデンサ
24に蓄積されている画素電荷に対応する放射線情報を
積分アンプ33に読み出す。
対して着脱可能に構成し、この放射線検出部を読み出し
回路部から分離した状態でこの放射線検出部により放射
線を検出することが可能な放射線検出器を提供する。 【解決手段】 X線検出部20を読み出し回路部30に
装着し、必要に応じて、ゲートドライバ31によりTF
T21を動作させ、蓄積コンデンサ24に蓄積されてい
る画素電荷をクリアし、また、充電回路32によりバイ
アス電源22a、22bが充電される。その後、X線検
出部20を読み出し回路部30から分離してX線撮影を
行う。X線検出部20を用いたX線撮影の終了後、X線
検出部20を読み出し回路部30に装着し、ゲートドラ
イバ31によりTFT21を動作させて蓄積コンデンサ
24に蓄積されている画素電荷に対応する放射線情報を
積分アンプ33に読み出す。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、X線撮影
などに用いられるX線やガンマ線のような放射線を検出
する放射線検出器に関する。
などに用いられるX線やガンマ線のような放射線を検出
する放射線検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】X線やガンマ(γ)線などの放射線を検
出する放射線検出器、例えばX線診断装置に用いられる
平面型X線固体検出器として、直接変換方式または間接
変換方式を採用したX線固体検出器が提案されている。
直接変換方式を採用したX線固体検出器は、例えば米国
特許第5319206号に記載されており、間接変換方
式を採用したX線固体検出器は、例えば米国特許第46
89487号に記載されている。
出する放射線検出器、例えばX線診断装置に用いられる
平面型X線固体検出器として、直接変換方式または間接
変換方式を採用したX線固体検出器が提案されている。
直接変換方式を採用したX線固体検出器は、例えば米国
特許第5319206号に記載されており、間接変換方
式を採用したX線固体検出器は、例えば米国特許第46
89487号に記載されている。
【0003】図1は従来の直接変換方式の平面型X線固
体検出器の概略構成を示す図、図2は従来の間接変換方
式の平面型X線固体検出器の概略構成を示す図である。
図1および図2に示す平面型X線固体検出器は、入射し
たX線を電荷に変換する機能を有している。
体検出器の概略構成を示す図、図2は従来の間接変換方
式の平面型X線固体検出器の概略構成を示す図である。
図1および図2に示す平面型X線固体検出器は、入射し
たX線を電荷に変換する機能を有している。
【0004】図1に示す平面型X線固体検出器におい
て、電源50により電圧印加電極51に高電圧が印加さ
れた状態で、高電界下のフォトコンダクタとして機能す
る例えばアモルファスセレニウム(Se)層52にX線
が入射すると、入射したX線が電荷の生成に寄与し、電
荷蓄積用電極53を通して各画素に設けられているコン
デンサ54に電荷が蓄積される。従って、図1に示す平
面型X線固体検出器は、X線−電荷変換機能を有するこ
とになる。
て、電源50により電圧印加電極51に高電圧が印加さ
れた状態で、高電界下のフォトコンダクタとして機能す
る例えばアモルファスセレニウム(Se)層52にX線
が入射すると、入射したX線が電荷の生成に寄与し、電
荷蓄積用電極53を通して各画素に設けられているコン
デンサ54に電荷が蓄積される。従って、図1に示す平
面型X線固体検出器は、X線−電荷変換機能を有するこ
とになる。
【0005】また、図2に示す平面型X線固体検出器に
おいて、シンチレーション層(例えば、ヨウ化セシウム
(CsI)結晶)60に入射したX線が一旦光に変換さ
れた後、変換された光の強度が図示しない電源により電
圧が印加されているフォトダイオード61によって電荷
に変換される。さらに、この変換された電荷は電荷蓄積
用電極62を通して各画素に設けられているコンデンサ
63に蓄積される。従って、図2に示す平面型X線固体
検出器は、X線−光−電荷変換機能を有することにな
る。
おいて、シンチレーション層(例えば、ヨウ化セシウム
(CsI)結晶)60に入射したX線が一旦光に変換さ
れた後、変換された光の強度が図示しない電源により電
圧が印加されているフォトダイオード61によって電荷
に変換される。さらに、この変換された電荷は電荷蓄積
用電極62を通して各画素に設けられているコンデンサ
63に蓄積される。従って、図2に示す平面型X線固体
検出器は、X線−光−電荷変換機能を有することにな
る。
【0006】上述した従来の平面型X線固体検出器は、
さらに、電荷量を電圧に変換する機能を有しており、各
画素のコンデンサ54、63に蓄積された電荷をスイッ
チング機能を有する例えば薄膜トランジスタ(TFT)
55、64のオン/オフ動作によって選択し、選択した
電荷を後述する積分アンプ(チャージアンプ)に導くこ
とにより電圧出力を得ている。さらにまた、従来の平面
型X線固体検出器は、積分アンプから出力されたアナロ
グ電圧をデジタル電圧値に変換する機能(例えば後述す
るアナログ/デジタル(A/D)コンバータ)を有して
いる。
さらに、電荷量を電圧に変換する機能を有しており、各
画素のコンデンサ54、63に蓄積された電荷をスイッ
チング機能を有する例えば薄膜トランジスタ(TFT)
55、64のオン/オフ動作によって選択し、選択した
電荷を後述する積分アンプ(チャージアンプ)に導くこ
とにより電圧出力を得ている。さらにまた、従来の平面
型X線固体検出器は、積分アンプから出力されたアナロ
グ電圧をデジタル電圧値に変換する機能(例えば後述す
るアナログ/デジタル(A/D)コンバータ)を有して
いる。
【0007】図3はこのような従来のX線検出部および
読み出し回路部を一体化して備えた平面型X線固体検出
器の構成を示す図である。図3に示す従来の平面型X線
固体検出器において、2次元マトリクス状に配置された
複数の画素電極71(例えば電荷蓄積用電極53、62
に対応する)は、入射したX線の強度に応じて光電変換
膜(例えばセレニウム層52、シンチレーション層62
に対応する)において生じた電荷を収集する。画素電極
71によって収集された電荷(画素電荷)を蓄積するた
めに、画素電極71には、電荷蓄積素子として用いられ
るコンデンサ(例えばコンデンサ54、63に対応す
る)がそれぞれ接続されている。また、各コンデンサに
蓄積された画素電荷に対応する放射線情報を読み出すス
イッチング素子として用いられる例えば複数のTFT7
2が設けられている。
読み出し回路部を一体化して備えた平面型X線固体検出
器の構成を示す図である。図3に示す従来の平面型X線
固体検出器において、2次元マトリクス状に配置された
複数の画素電極71(例えば電荷蓄積用電極53、62
に対応する)は、入射したX線の強度に応じて光電変換
膜(例えばセレニウム層52、シンチレーション層62
に対応する)において生じた電荷を収集する。画素電極
71によって収集された電荷(画素電荷)を蓄積するた
めに、画素電極71には、電荷蓄積素子として用いられ
るコンデンサ(例えばコンデンサ54、63に対応す
る)がそれぞれ接続されている。また、各コンデンサに
蓄積された画素電荷に対応する放射線情報を読み出すス
イッチング素子として用いられる例えば複数のTFT7
2が設けられている。
【0008】ゲートドライバ74は、同一行のTFT7
2のゲートに電気的に接続されたTFT制御信号ライン
73に制御信号を供給することによってTFT72のオ
ン/オフ動作を行単位で制御する。これにより、同一行
のTFT72の出力信号(放射線情報)は、出力信号ラ
イン75を介して積分アンプ76に読み出されて増幅さ
れる。その後、増幅された信号は、マルチプレクサ77
において順次選択され、A/Dコンバータ78によって
デジタル信号に変換されて出力されることになる。
2のゲートに電気的に接続されたTFT制御信号ライン
73に制御信号を供給することによってTFT72のオ
ン/オフ動作を行単位で制御する。これにより、同一行
のTFT72の出力信号(放射線情報)は、出力信号ラ
イン75を介して積分アンプ76に読み出されて増幅さ
れる。その後、増幅された信号は、マルチプレクサ77
において順次選択され、A/Dコンバータ78によって
デジタル信号に変換されて出力されることになる。
【0009】なお、一般に、このような放射線検出器
は、X線画像をデジタル化することにより、X線画像の
伝送、蓄積、検索などの面で従来のX線撮影フィルムと
比較して非常に有利であり、今後ますます普及していく
ものと考えられる。また、X線を直接デジタル化する上
述した放射線検出器は、従来のフィルムデジタイザ方式
などと比較して簡便にデジタル画像を得ることができる
というメリットも有している。
は、X線画像をデジタル化することにより、X線画像の
伝送、蓄積、検索などの面で従来のX線撮影フィルムと
比較して非常に有利であり、今後ますます普及していく
ものと考えられる。また、X線を直接デジタル化する上
述した放射線検出器は、従来のフィルムデジタイザ方式
などと比較して簡便にデジタル画像を得ることができる
というメリットも有している。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに、従来の平面型X線固体検出器においては、入射す
るX線の強度を検出して電気信号に変換するX線検出部
に加えて、このX線検出部を制御して電気信号を順次読
み出すためのゲートドライバや読み出した電気信号を増
幅するための積分アンプなどの読み出し回路部が検出器
本体と一体に構成されていた。そのため、これらの回路
部品自体やこれらの回路部品の放熱のための放熱フィン
などの存在によって、従来のX線フィルムカセッテより
も平面型X線固体検出器は重くなり、また厚くなってい
る。
うに、従来の平面型X線固体検出器においては、入射す
るX線の強度を検出して電気信号に変換するX線検出部
に加えて、このX線検出部を制御して電気信号を順次読
み出すためのゲートドライバや読み出した電気信号を増
幅するための積分アンプなどの読み出し回路部が検出器
本体と一体に構成されていた。そのため、これらの回路
部品自体やこれらの回路部品の放熱のための放熱フィン
などの存在によって、従来のX線フィルムカセッテより
も平面型X線固体検出器は重くなり、また厚くなってい
る。
【0011】また、平面型X線固体検出器をコンパクト
にするために、読み出し回路部をX線検出部の背面側に
実装する場合が多い。しかし、このような場合には、こ
の読み出し回路部をX線の曝射から保護するために鉛の
ようなX線遮蔽材を設ける必要があるので、平面型X線
固体検出器はさらに重くなってしまう。
にするために、読み出し回路部をX線検出部の背面側に
実装する場合が多い。しかし、このような場合には、こ
の読み出し回路部をX線の曝射から保護するために鉛の
ようなX線遮蔽材を設ける必要があるので、平面型X線
固体検出器はさらに重くなってしまう。
【0012】このように、平面型X線固体検出器が重く
厚くなるために、例えば、X線フィルムカセッテを用い
る場合と比較して、このようなX線固体検出器を患者の
脇の下に抱え込んで上腕の撮影を行うことや、ベットに
患者を寝かせた状態で患者とベットの間にこのようなX
線固体検出器を挿入して撮影を行うことは実用上非常に
困難である。
厚くなるために、例えば、X線フィルムカセッテを用い
る場合と比較して、このようなX線固体検出器を患者の
脇の下に抱え込んで上腕の撮影を行うことや、ベットに
患者を寝かせた状態で患者とベットの間にこのようなX
線固体検出器を挿入して撮影を行うことは実用上非常に
困難である。
【0013】さらに、従来の平面型X線固体検出器にお
いては、電力の供給のための電源ケーブルや信号の読み
出しのための信号ケーブルなどの接続ケーブルを検出器
本体から引き出す必要があるので、X線フィルムカセッ
テを用いる場合と比較して撮影場所や設置場所に制約が
多い。
いては、電力の供給のための電源ケーブルや信号の読み
出しのための信号ケーブルなどの接続ケーブルを検出器
本体から引き出す必要があるので、X線フィルムカセッ
テを用いる場合と比較して撮影場所や設置場所に制約が
多い。
【0014】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、本発明の目的は、放射線を検出する放射線検出部
を読み出し回路部に対して着脱可能に構成し、この放射
線検出部を読み出し回路部から分離した状態でこの放射
線検出部により放射線を検出することが可能な放射線検
出器を提供することにある。
あり、本発明の目的は、放射線を検出する放射線検出部
を読み出し回路部に対して着脱可能に構成し、この放射
線検出部を読み出し回路部から分離した状態でこの放射
線検出部により放射線を検出することが可能な放射線検
出器を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の発明の放射線検出器は、入射した
放射線を電荷に変換して蓄積する放射線検出部を備え、
前記放射線検出部は、蓄積した電荷に対応する情報を読
み出す読み出し部に対して着脱可能に構成されているこ
とを特徴とする。
に、請求項1に記載の発明の放射線検出器は、入射した
放射線を電荷に変換して蓄積する放射線検出部を備え、
前記放射線検出部は、蓄積した電荷に対応する情報を読
み出す読み出し部に対して着脱可能に構成されているこ
とを特徴とする。
【0016】上記課題を解決するために、請求項2に記
載の発明の放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変
換する変換素子と、前記変換素子により変換した電荷を
蓄積する蓄積素子とを有する放射線検出部と、前記蓄積
素子に蓄積されている電荷に対応する情報を読み出す読
み出し部とを備え、前記放射線検出部は、前記読み出し
部に対して着脱可能に構成されていることを特徴とす
る。
載の発明の放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変
換する変換素子と、前記変換素子により変換した電荷を
蓄積する蓄積素子とを有する放射線検出部と、前記蓄積
素子に蓄積されている電荷に対応する情報を読み出す読
み出し部とを備え、前記放射線検出部は、前記読み出し
部に対して着脱可能に構成されていることを特徴とす
る。
【0017】上記請求項1または2に記載の発明の放射
線検出器において、請求項3に記載の発明は、前記放射
線検出部は、前記放射線が曝射されたかどうかを判断す
る判断手段と、前記判断手段の判断結果を表示する表示
手段とを備えていることを特徴とする。
線検出器において、請求項3に記載の発明は、前記放射
線検出部は、前記放射線が曝射されたかどうかを判断す
る判断手段と、前記判断手段の判断結果を表示する表示
手段とを備えていることを特徴とする。
【0018】上記請求項2に記載の発明の放射線検出器
において、請求項4に記載の発明は、前記放射線検出部
は、前記放射線が曝射されたかどうかを判断する判断手
段を備え、前記読み出し部は、前記判断手段の判断結果
を基にして前記蓄積素子に蓄積されている電荷に対応す
る情報を読み出すことを特徴とする。
において、請求項4に記載の発明は、前記放射線検出部
は、前記放射線が曝射されたかどうかを判断する判断手
段を備え、前記読み出し部は、前記判断手段の判断結果
を基にして前記蓄積素子に蓄積されている電荷に対応す
る情報を読み出すことを特徴とする。
【0019】上記請求項1または2に記載の発明の放射
線検出器において、請求項5に記載の発明は、前記読み
出し部は、前記放射線検出部から読み出した電荷に対応
する情報を基にして画像処理を行う画像処理手段と、前
記画像処理手段の画像処理により得られた放射線画像を
表示する表示手段とを備えたことを特徴とする。
線検出器において、請求項5に記載の発明は、前記読み
出し部は、前記放射線検出部から読み出した電荷に対応
する情報を基にして画像処理を行う画像処理手段と、前
記画像処理手段の画像処理により得られた放射線画像を
表示する表示手段とを備えたことを特徴とする。
【0020】上記課題を解決するために、請求項6に記
載の発明の放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変
換する変換素子と、前記変換素子に電圧を供給する電源
とを有する放射線検出部と、前記電源の電源電圧を基に
して前記放射線を曝射して撮影が可能かどうかを判断す
る判断手段と、前記判断手段の判断結果を基にして前記
電源を充電する充電手段とを有する読み出し部とを備
え、前記放射線検出部は、前記読み出し部に対して着脱
可能に構成されていることを特徴とする。
載の発明の放射線検出器は、入射した放射線を電荷に変
換する変換素子と、前記変換素子に電圧を供給する電源
とを有する放射線検出部と、前記電源の電源電圧を基に
して前記放射線を曝射して撮影が可能かどうかを判断す
る判断手段と、前記判断手段の判断結果を基にして前記
電源を充電する充電手段とを有する読み出し部とを備
え、前記放射線検出部は、前記読み出し部に対して着脱
可能に構成されていることを特徴とする。
【0021】上記課題を解決するために、請求項7に記
載の発明は、放射線検出部が読み出し部に対して着脱可
能に構成されている放射線検出器であって、前記放射線
検出部は、入射した放射線を電荷に変換する変換素子
と、前記変換素子により変換した電荷を蓄積する蓄積素
子と、前記読み出し部からの分離時から時間を計測する
計測手段とを備え、前記読み出し部は、前記計測手段の
計測結果を基にして前記放射線を曝射して撮影が可能か
どうかを判断する判断手段と、前記判断手段の判断結果
を基にして前記蓄積素子に蓄積されている電荷をクリア
する手段とを備えていることを特徴とする。
載の発明は、放射線検出部が読み出し部に対して着脱可
能に構成されている放射線検出器であって、前記放射線
検出部は、入射した放射線を電荷に変換する変換素子
と、前記変換素子により変換した電荷を蓄積する蓄積素
子と、前記読み出し部からの分離時から時間を計測する
計測手段とを備え、前記読み出し部は、前記計測手段の
計測結果を基にして前記放射線を曝射して撮影が可能か
どうかを判断する判断手段と、前記判断手段の判断結果
を基にして前記蓄積素子に蓄積されている電荷をクリア
する手段とを備えていることを特徴とする。
【0022】上記請求項1から7までに記載の発明の放
射線検出器において、請求項8に記載の発明は、前記放
射線は、X線またはガンマ線のいずれかであることを特
徴とする。
射線検出器において、請求項8に記載の発明は、前記放
射線は、X線またはガンマ線のいずれかであることを特
徴とする。
【0023】上記請求項2から7までに記載の発明の放
射線検出器において、請求項9に記載の発明は、前記変
換素子は、フォトコンダクタまたはシンチレータのいず
れかによって構成されていることを特徴とする。
射線検出器において、請求項9に記載の発明は、前記変
換素子は、フォトコンダクタまたはシンチレータのいず
れかによって構成されていることを特徴とする。
【0024】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0025】図4は本発明の実施の形態の放射線検出器
の一例である平面型X線固体検出器の構成を示す図であ
る。なお、図4に示す平面型X線固体検出器において
は、一例として4×4画素のX線検出部を示している。
の一例である平面型X線固体検出器の構成を示す図であ
る。なお、図4に示す平面型X線固体検出器において
は、一例として4×4画素のX線検出部を示している。
【0026】図4において、本発明の実施の形態の平面
型X線固体検出器は、入射したX線を検出し、検出した
X線を電荷に変換して蓄積するX線検出部1と、X線検
出部1において検出されたX線に応じて変換した電荷に
対応する情報を読み出す読み出し回路部2とを備えてい
る。なお、X線検出部1は、後述する接続コネクタを介
して読み出し回路部2に対して着脱可能に構成されてい
る。
型X線固体検出器は、入射したX線を検出し、検出した
X線を電荷に変換して蓄積するX線検出部1と、X線検
出部1において検出されたX線に応じて変換した電荷に
対応する情報を読み出す読み出し回路部2とを備えてい
る。なお、X線検出部1は、後述する接続コネクタを介
して読み出し回路部2に対して着脱可能に構成されてい
る。
【0027】X線検出部1は、2次元マトリクス状に配
置され、入射したX線を検出し、検出したX線の強度に
応じて図示しない変換素子を構成する光電変換膜におい
て発生した電荷(画素電荷)を収集する複数の画素電極
3と、画素電極3において収集した画素電荷を蓄積する
ための電荷蓄積素子として用いられる蓄積コンデンサ
(図示しない)と、蓄積コンデンサに蓄積されている画
素電荷に対応する放射線情報を読み出すスイッチング素
子として用いられる複数の薄膜トランジスタ(TFT)
4と、各行のTFT4のゲートに電気的に接続されてい
るTFT制御信号ライン5と、各TFT4の出力信号を
読み出し回路部2に出力するための出力信号ライン6
と、読み出し回路部2と電気的に接続するための複数の
接続コネクタ7とを備えている。
置され、入射したX線を検出し、検出したX線の強度に
応じて図示しない変換素子を構成する光電変換膜におい
て発生した電荷(画素電荷)を収集する複数の画素電極
3と、画素電極3において収集した画素電荷を蓄積する
ための電荷蓄積素子として用いられる蓄積コンデンサ
(図示しない)と、蓄積コンデンサに蓄積されている画
素電荷に対応する放射線情報を読み出すスイッチング素
子として用いられる複数の薄膜トランジスタ(TFT)
4と、各行のTFT4のゲートに電気的に接続されてい
るTFT制御信号ライン5と、各TFT4の出力信号を
読み出し回路部2に出力するための出力信号ライン6
と、読み出し回路部2と電気的に接続するための複数の
接続コネクタ7とを備えている。
【0028】読み出し回路部2は、TFT制御信号ライ
ン5に制御信号を供給することによりTFT4のオン/
オフ(ON/OFF)動作を行単位で制御するゲートド
ライバ11と、各TFT4の出力信号を増幅する複数の
積分アンプ12と、各積分アンプ12によって増幅され
た信号を順次選択するマルチプレクサ13と、マルチプ
レクサ13によって順次選択された信号をデジタル信号
に変換するアナログ/デジタル(A/D)コンバータ1
4と、X線検出部1を読み出し回路部2に装着する場合
においてX線検出部1の接続コネクタ7と電気的に接続
するための複数の接続コネクタ15とを備えている。
ン5に制御信号を供給することによりTFT4のオン/
オフ(ON/OFF)動作を行単位で制御するゲートド
ライバ11と、各TFT4の出力信号を増幅する複数の
積分アンプ12と、各積分アンプ12によって増幅され
た信号を順次選択するマルチプレクサ13と、マルチプ
レクサ13によって順次選択された信号をデジタル信号
に変換するアナログ/デジタル(A/D)コンバータ1
4と、X線検出部1を読み出し回路部2に装着する場合
においてX線検出部1の接続コネクタ7と電気的に接続
するための複数の接続コネクタ15とを備えている。
【0029】図5は本発明の実施の形態の放射線検出器
の一例である間接変換型の平面型X線固体検出器の1画
素の構成を示す等価回路である。図5において、本発明
の実施の形態の平面型X線固体検出器は、X線検出部2
0および読み出し回路部30から構成されている。
の一例である間接変換型の平面型X線固体検出器の1画
素の構成を示す等価回路である。図5において、本発明
の実施の形態の平面型X線固体検出器は、X線検出部2
0および読み出し回路部30から構成されている。
【0030】X線検出部20は、TFT21と、充電可
能に構成され、TFT21のゲートにバイアス電圧を供
給するバイアス電源22aと、シンチレータ(例えば、
ヨウ化セシウム(CsI)結晶)によって構成され、入
射したX線を電荷に変換する変換素子を構成する光電変
換膜23と、充電可能に構成され、光電変換膜23にバ
イアス電圧を印加するバイアス電源22bと、光電変換
膜23において変換した電荷を蓄積する蓄積コンデンサ
24と、X線検出部20の各部の状態(内部状態)をチ
ェックする状態チェック回路25と、液晶ディスプレイ
(LCD)、ランプなどによって構成され、X線検出部
20の表面にオペレータが見ることができるようにその
表示部が設けられており、状態チェック回路25のチェ
ック結果を基にしてX線検出部20の内部状態を表示す
る状態表示ユニット26と、読み出し回路部30に対す
るX線検出部20の着脱状態に応じて切り換えられ、バ
イアス電源22aの充電のための切り換えスイッチ27
aと、読み出し回路部30に対するX線検出部20の着
脱状態に応じて切り換えられ、バイアス電源22bの充
電のための切り換えスイッチ27bと、X線検出部20
を読み出し回路部30に装着する場合においてX線検出
部20と読み出し回路部30を電気的に接続するための
複数の接続コネクタ28と、時間を計測するタイマー回
路29と、X線が曝射されているかどうかを判断するX
線曝射判断ユニット39とを備えている。
能に構成され、TFT21のゲートにバイアス電圧を供
給するバイアス電源22aと、シンチレータ(例えば、
ヨウ化セシウム(CsI)結晶)によって構成され、入
射したX線を電荷に変換する変換素子を構成する光電変
換膜23と、充電可能に構成され、光電変換膜23にバ
イアス電圧を印加するバイアス電源22bと、光電変換
膜23において変換した電荷を蓄積する蓄積コンデンサ
24と、X線検出部20の各部の状態(内部状態)をチ
ェックする状態チェック回路25と、液晶ディスプレイ
(LCD)、ランプなどによって構成され、X線検出部
20の表面にオペレータが見ることができるようにその
表示部が設けられており、状態チェック回路25のチェ
ック結果を基にしてX線検出部20の内部状態を表示す
る状態表示ユニット26と、読み出し回路部30に対す
るX線検出部20の着脱状態に応じて切り換えられ、バ
イアス電源22aの充電のための切り換えスイッチ27
aと、読み出し回路部30に対するX線検出部20の着
脱状態に応じて切り換えられ、バイアス電源22bの充
電のための切り換えスイッチ27bと、X線検出部20
を読み出し回路部30に装着する場合においてX線検出
部20と読み出し回路部30を電気的に接続するための
複数の接続コネクタ28と、時間を計測するタイマー回
路29と、X線が曝射されているかどうかを判断するX
線曝射判断ユニット39とを備えている。
【0031】読み出し回路部30は、TFT21のオン
/オフ動作を制御するゲートドライバ31と、X線検出
部20の装着時に必要に応じて切り換えスイッチ27
a、27bを切り換えることによりバイアス電源22
a、22bを充電する充電回路32と、X線検出部20
の装着時にTFT21から出力される信号を増幅する積
分アンプ33と、積分アンプ33によって増幅された信
号を選択するマルチプレクサ34と、マルチプレクサ3
4において選択された信号をデジタル信号に変換するA
/Dコンバータ35と、状態チェック回路25のチェッ
ク結果を基にしてX線検出部20の着脱状態やX線撮影
によって得られている電荷に対応する放射線情報の読み
出しが可能な状態かどうかなどを判断する状態判断回路
36と、読み出し回路部30全体の制御を行う制御ユニ
ット37と、X線検出部20を読み出し回路部30に装
着する場合においてX線検出部20の接続コネクタ28
と電気的に接続するための複数の接続コネクタ38とを
備えている。
/オフ動作を制御するゲートドライバ31と、X線検出
部20の装着時に必要に応じて切り換えスイッチ27
a、27bを切り換えることによりバイアス電源22
a、22bを充電する充電回路32と、X線検出部20
の装着時にTFT21から出力される信号を増幅する積
分アンプ33と、積分アンプ33によって増幅された信
号を選択するマルチプレクサ34と、マルチプレクサ3
4において選択された信号をデジタル信号に変換するA
/Dコンバータ35と、状態チェック回路25のチェッ
ク結果を基にしてX線検出部20の着脱状態やX線撮影
によって得られている電荷に対応する放射線情報の読み
出しが可能な状態かどうかなどを判断する状態判断回路
36と、読み出し回路部30全体の制御を行う制御ユニ
ット37と、X線検出部20を読み出し回路部30に装
着する場合においてX線検出部20の接続コネクタ28
と電気的に接続するための複数の接続コネクタ38とを
備えている。
【0032】状態チェック回路25は、X線検出部20
の読み出し回路部30への装着時において、状態判断回
路36と接続コネクタ28、38を介して電気的に接続
される。また、状態チェック回路25は、読み出し回路
部30に対するX線検出部20の着脱状態、バイアス電
源22a、22bの電圧状態、X線曝射の有無などを判
断し、必要に応じて、各種の内部状態を示す状態情報を
メモリ25aに記憶させ、状態表示ユニット26に表示
させる。
の読み出し回路部30への装着時において、状態判断回
路36と接続コネクタ28、38を介して電気的に接続
される。また、状態チェック回路25は、読み出し回路
部30に対するX線検出部20の着脱状態、バイアス電
源22a、22bの電圧状態、X線曝射の有無などを判
断し、必要に応じて、各種の内部状態を示す状態情報を
メモリ25aに記憶させ、状態表示ユニット26に表示
させる。
【0033】光電変換膜23は、放射線が入射していな
い場合においても微弱な暗電流を発生している。この微
弱な暗電流は蓄積コンデンサ24に蓄積されるので、こ
のような状態でX線撮影を行っても、得られる放射線情
報(X線画像)に対してノイズとなる。そこで、このよ
うなノイズを低減するために、次のようなリフレッシュ
処理を行う。
い場合においても微弱な暗電流を発生している。この微
弱な暗電流は蓄積コンデンサ24に蓄積されるので、こ
のような状態でX線撮影を行っても、得られる放射線情
報(X線画像)に対してノイズとなる。そこで、このよ
うなノイズを低減するために、次のようなリフレッシュ
処理を行う。
【0034】例えば、X線検出部20が読み出し回路部
30から分離された時には、その分離時からタイマー回
路29によって時間を計測する。その計測時間が予め設
定された時間を経過した場合には、X線検出部20がX
線撮影に適していない状態であるとし、この状態を示す
状態情報を状態チェック回路25内のメモリ25aに記
憶させる。
30から分離された時には、その分離時からタイマー回
路29によって時間を計測する。その計測時間が予め設
定された時間を経過した場合には、X線検出部20がX
線撮影に適していない状態であるとし、この状態を示す
状態情報を状態チェック回路25内のメモリ25aに記
憶させる。
【0035】その後、X線検出部20を読み出し回路部
30に装着した場合、状態チェック回路25はメモリ2
5aに記憶されている状態情報を状態判断回路36に出
力する。状態判断回路36では、この状態情報を基にし
てX線撮影に適していない状態であると判断した場合に
は、その判断結果を制御ユニット37に出力する。この
判断結果を受けた制御ユニット37では、ゲートドライ
バ31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。
これにより、X線検出部20内の蓄積コンデンサ24に
蓄積されている電荷がクリアされ、リフレッシュ処理が
行われることになる。
30に装着した場合、状態チェック回路25はメモリ2
5aに記憶されている状態情報を状態判断回路36に出
力する。状態判断回路36では、この状態情報を基にし
てX線撮影に適していない状態であると判断した場合に
は、その判断結果を制御ユニット37に出力する。この
判断結果を受けた制御ユニット37では、ゲートドライ
バ31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。
これにより、X線検出部20内の蓄積コンデンサ24に
蓄積されている電荷がクリアされ、リフレッシュ処理が
行われることになる。
【0036】また、次のようなリフレッシュ処理を行う
ことも可能である。
ことも可能である。
【0037】例えば、X線検出部20が読み出し回路部
30から分離された時には、その分離時からタイマー回
路29によって時間を計測する。その計測時間が予め設
定された時間を経過した場合には、X線検出部20がX
線撮影に適していない状態であるとし、この状態を示す
状態情報を状態表示ユニット26の表示部に表示させ
る。これにより、オペレータに対して、蓄積コンデンサ
24に蓄積されている電荷をクリアする必要があること
を認識させることができる。
30から分離された時には、その分離時からタイマー回
路29によって時間を計測する。その計測時間が予め設
定された時間を経過した場合には、X線検出部20がX
線撮影に適していない状態であるとし、この状態を示す
状態情報を状態表示ユニット26の表示部に表示させ
る。これにより、オペレータに対して、蓄積コンデンサ
24に蓄積されている電荷をクリアする必要があること
を認識させることができる。
【0038】その後、X線検出部20を読み出し回路部
30に装着した場合、オペレータがX線検出部20の状
態表示ユニット26の表示部を見る。ここで、上述した
ように、X線検出部20が読み出し回路部30から分離
されてから予め設定された時間が経過している場合に
は、状態表示ユニット26の表示部においてX線撮影に
は適していない状態であることを示す状態情報が表示さ
れている。従って、この場合には、X線検出部20を読
み出し回路部30に装着した後、オペレータが読み出し
回路部30の表面に設けられている入力ユニット(図示
しない)を用いて電荷のクリアを指示する指示コマンド
を入力する。この指示コマンドを受けた制御ユニット3
7は、ゲートドライバ31を制御してTFT21をオン
/オフ動作させる。これにより、X線検出部20内の蓄
積コンデンサ24に蓄積されている電荷がクリアされ、
リフレッシュ処理が行われることになる。
30に装着した場合、オペレータがX線検出部20の状
態表示ユニット26の表示部を見る。ここで、上述した
ように、X線検出部20が読み出し回路部30から分離
されてから予め設定された時間が経過している場合に
は、状態表示ユニット26の表示部においてX線撮影に
は適していない状態であることを示す状態情報が表示さ
れている。従って、この場合には、X線検出部20を読
み出し回路部30に装着した後、オペレータが読み出し
回路部30の表面に設けられている入力ユニット(図示
しない)を用いて電荷のクリアを指示する指示コマンド
を入力する。この指示コマンドを受けた制御ユニット3
7は、ゲートドライバ31を制御してTFT21をオン
/オフ動作させる。これにより、X線検出部20内の蓄
積コンデンサ24に蓄積されている電荷がクリアされ、
リフレッシュ処理が行われることになる。
【0039】もちろん、X線検出部20の分離後の計測
時間が予め設定された時間を経過していない場合、X線
撮影には適していない状態であることを示す状態情報は
状態表示ユニット26の表示部には表示されない。従っ
て、オペレータがリフレッシュ処理を行うためにX線検
出部20を読み出し回路部30に装着する必要はなくな
ることになる。
時間が予め設定された時間を経過していない場合、X線
撮影には適していない状態であることを示す状態情報は
状態表示ユニット26の表示部には表示されない。従っ
て、オペレータがリフレッシュ処理を行うためにX線検
出部20を読み出し回路部30に装着する必要はなくな
ることになる。
【0040】以上のように、予め設定された時間内にX
線検出部20がX線撮影に使用されていない場合には、
リフレッシュ処理により暗電流に起因するノイズを低減
することができ、高画質のX線画像を取得することが可
能となる。
線検出部20がX線撮影に使用されていない場合には、
リフレッシュ処理により暗電流に起因するノイズを低減
することができ、高画質のX線画像を取得することが可
能となる。
【0041】X線曝射判断ユニット39は、入射したX
線を電荷に変換する光電変換素子39aと、光電変換素
子39aにおいて変換した電荷を増幅する積分アンプ3
9bと、積分アンプ39bの出力を予め設定された閾値
レベルと比較するコンパレータ39cとによって構成さ
れている。なお、光電変換素子39aは、平面型X線固
体検出器におけるX線の入射面(検出面)側とは反対の
面(裏面)側の中央部分などに配置される。
線を電荷に変換する光電変換素子39aと、光電変換素
子39aにおいて変換した電荷を増幅する積分アンプ3
9bと、積分アンプ39bの出力を予め設定された閾値
レベルと比較するコンパレータ39cとによって構成さ
れている。なお、光電変換素子39aは、平面型X線固
体検出器におけるX線の入射面(検出面)側とは反対の
面(裏面)側の中央部分などに配置される。
【0042】例えば、コンパレータ39cにおいて積分
アンプ39bの出力がこの閾値レベル以下である場合に
は、X線は曝射されていない(X線撮影は行われていな
い)と判断され、積分アンプ39bの出力が閾値レベル
よりも大きい場合には、X線は曝射されている(X線撮
影が行われて画素電荷が蓄積されている)と判断され
る。この判断結果を示す状態情報も、上述したように、
状態チェック回路25のメモリ25aに記憶される。
アンプ39bの出力がこの閾値レベル以下である場合に
は、X線は曝射されていない(X線撮影は行われていな
い)と判断され、積分アンプ39bの出力が閾値レベル
よりも大きい場合には、X線は曝射されている(X線撮
影が行われて画素電荷が蓄積されている)と判断され
る。この判断結果を示す状態情報も、上述したように、
状態チェック回路25のメモリ25aに記憶される。
【0043】次に、本発明の実施の形態の放射線検出器
の一例である平面型X線固体検出器の作用について説明
する。
の一例である平面型X線固体検出器の作用について説明
する。
【0044】本発明の実施の形態の平面型X線固体検出
器をX線撮影に使用する際には、X線検出部20を読み
出し回路部30に装着する。ここで、状態判断回路36
では、読み出し回路30に対するX線検出部20の着脱
状態を判断する。X線検出部20が装着されていると判
断した場合には、状態判断回路36は接続コネクタ2
8、38を介して状態チェック回路25と電気的に接続
されるので、状態チェック回路25のメモリ25aに記
憶されている各種の状態情報を読み出し、読み出した状
態情報を基にして以下の処理を行う。
器をX線撮影に使用する際には、X線検出部20を読み
出し回路部30に装着する。ここで、状態判断回路36
では、読み出し回路30に対するX線検出部20の着脱
状態を判断する。X線検出部20が装着されていると判
断した場合には、状態判断回路36は接続コネクタ2
8、38を介して状態チェック回路25と電気的に接続
されるので、状態チェック回路25のメモリ25aに記
憶されている各種の状態情報を読み出し、読み出した状
態情報を基にして以下の処理を行う。
【0045】まず、X線検出部20に対してX線曝射が
行われたかどうか、すなわち、X線検出部20がX線撮
影に使用されて電荷を蓄積したままになっているかどう
かを判断する。X線曝射が行われたと判断した場合に
は、この判断結果を制御ユニット37に出力する。この
判断結果を受けた制御ユニット37は、ゲートドライバ
31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。こ
れにより、蓄積コンデンサ24に蓄積されている画素電
荷がTFT21、接続コネクタ28、38を介して積分
アンプ33に放射線情報として読み出される。なお、積
分アンプ33に設けられているコンデンサに蓄積されて
いる電荷は、放射線情報の読み出し前に積分アンプ33
に設けられているスイッチによりクリアされる。
行われたかどうか、すなわち、X線検出部20がX線撮
影に使用されて電荷を蓄積したままになっているかどう
かを判断する。X線曝射が行われたと判断した場合に
は、この判断結果を制御ユニット37に出力する。この
判断結果を受けた制御ユニット37は、ゲートドライバ
31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。こ
れにより、蓄積コンデンサ24に蓄積されている画素電
荷がTFT21、接続コネクタ28、38を介して積分
アンプ33に放射線情報として読み出される。なお、積
分アンプ33に設けられているコンデンサに蓄積されて
いる電荷は、放射線情報の読み出し前に積分アンプ33
に設けられているスイッチによりクリアされる。
【0046】なお、蓄積コンデンサ24に蓄積されてい
る画素電荷に対応する放射線情報が不要である場合に
は、上述したリフレッシュ処理と同様な処理により、放
射線情報を読み出すことなくクリアすることもできる。
従って、この場合には、その後において、リフレッシュ
処理を行う必要がなくなる。
る画素電荷に対応する放射線情報が不要である場合に
は、上述したリフレッシュ処理と同様な処理により、放
射線情報を読み出すことなくクリアすることもできる。
従って、この場合には、その後において、リフレッシュ
処理を行う必要がなくなる。
【0047】一方、X線曝射が行われていないと判断し
た場合には、リフレッシュ処理を行う必要があるかどう
か、すなわち、予め設定された時間内においてX線検出
部20がX線撮影に使用されたかどうかを判断する。予
め設定された時間内にX線検出部20がX線撮影に使用
されていない場合には、上述したように、状態判断回路
36から制御ユニット37にその判断結果を出力する。
この判断結果を受けた制御ユニット37は、ゲートドラ
イバ31を制御してTFT21をオン/オフ動作させ、
これにより、X線検出部20内の蓄積コンデンサ24に
蓄積されている電荷をクリアする。
た場合には、リフレッシュ処理を行う必要があるかどう
か、すなわち、予め設定された時間内においてX線検出
部20がX線撮影に使用されたかどうかを判断する。予
め設定された時間内にX線検出部20がX線撮影に使用
されていない場合には、上述したように、状態判断回路
36から制御ユニット37にその判断結果を出力する。
この判断結果を受けた制御ユニット37は、ゲートドラ
イバ31を制御してTFT21をオン/オフ動作させ、
これにより、X線検出部20内の蓄積コンデンサ24に
蓄積されている電荷をクリアする。
【0048】さらに、バイアス電源22a、22bの電
源電圧が予め設定された閾値電圧以下であると判断した
場合には、この判断結果を制御ユニット37に出力す
る。この判断結果を受けた制御ユニット37では、充電
回路32および切り換えスイッチ27a、27bの動作
を制御し、充電回路32によってバイアス電源22a、
22bを充電する。もちろん、バイアス電圧22a、2
2bの一方のみの充電も可能である。
源電圧が予め設定された閾値電圧以下であると判断した
場合には、この判断結果を制御ユニット37に出力す
る。この判断結果を受けた制御ユニット37では、充電
回路32および切り換えスイッチ27a、27bの動作
を制御し、充電回路32によってバイアス電源22a、
22bを充電する。もちろん、バイアス電圧22a、2
2bの一方のみの充電も可能である。
【0049】バイアス電源22a、22bの充電が完了
した後、X線検出部20を読み出し回路部30から分離
することにより、X線検出部20をX線撮影に使用する
ことができる状態となる。
した後、X線検出部20を読み出し回路部30から分離
することにより、X線検出部20をX線撮影に使用する
ことができる状態となる。
【0050】次に、以上のような処理が行われたX線検
出部20を用いてX線撮影を終了した場合、X線検出部
20を読み出し回路部30に装着する。状態判断回路3
6において、X線検出部20が装着したことを確認した
後、この確認結果を制御ユニット37に出力する。この
確認結果を受けた制御ユニット27は、ゲートドライバ
31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。こ
れにより、蓄積コンデンサ24に蓄積されている画素電
荷に対応する放射線情報がTFT21、接続コネクタ2
8、38を介して積分アンプ33に読み出される。な
お、積分アンプ33に設けられているコンデンサに蓄積
されている電荷は、放射線情報の読み出し前に積分アン
プ33に設けられているスイッチによりクリアされる。
出部20を用いてX線撮影を終了した場合、X線検出部
20を読み出し回路部30に装着する。状態判断回路3
6において、X線検出部20が装着したことを確認した
後、この確認結果を制御ユニット37に出力する。この
確認結果を受けた制御ユニット27は、ゲートドライバ
31を制御してTFT21をオン/オフ動作させる。こ
れにより、蓄積コンデンサ24に蓄積されている画素電
荷に対応する放射線情報がTFT21、接続コネクタ2
8、38を介して積分アンプ33に読み出される。な
お、積分アンプ33に設けられているコンデンサに蓄積
されている電荷は、放射線情報の読み出し前に積分アン
プ33に設けられているスイッチによりクリアされる。
【0051】なお、上述した放射線情報の読み出しやリ
フレッシュ処理に関しては、入力ユニットを用いたオペ
レータの指示に応じてその実行を開始させるように構成
することも可能である。
フレッシュ処理に関しては、入力ユニットを用いたオペ
レータの指示に応じてその実行を開始させるように構成
することも可能である。
【0052】図6は本発明の実施の形態の放射線検出器
の一例である直接変換型の平面型X線固体検出器の1画
素の構成を示す等価回路である。図6に示す平面型X線
固体検出器は、X線検出部40および読み出し回路部8
0から構成されており、図5に示す間接変換型の平面型
X線固体検出器とほぼ同様な構成を有しているが、フォ
トコンダクタによって構成される光電変換膜43および
蓄積コンデンサ44に対するTFT21の接続方法やバ
イアス電源22bのバイアス電圧の印加方法が異なって
いる。しかし、図6に示す平面型X線固体検出器は、上
述と同様な動作や処理を行うことが可能である。
の一例である直接変換型の平面型X線固体検出器の1画
素の構成を示す等価回路である。図6に示す平面型X線
固体検出器は、X線検出部40および読み出し回路部8
0から構成されており、図5に示す間接変換型の平面型
X線固体検出器とほぼ同様な構成を有しているが、フォ
トコンダクタによって構成される光電変換膜43および
蓄積コンデンサ44に対するTFT21の接続方法やバ
イアス電源22bのバイアス電圧の印加方法が異なって
いる。しかし、図6に示す平面型X線固体検出器は、上
述と同様な動作や処理を行うことが可能である。
【0053】従って、直接変換型の平面型X線固体検出
器においてもX線検出部40を読み出し回路部80に対
して着脱可能であり、X線撮影時にはX線検出部40を
読み出し回路部80から分離して、X線検出部40を単
独で用いることができる。これにより、従来よりも薄く
て軽いX線検出器を実現することが可能となる。
器においてもX線検出部40を読み出し回路部80に対
して着脱可能であり、X線撮影時にはX線検出部40を
読み出し回路部80から分離して、X線検出部40を単
独で用いることができる。これにより、従来よりも薄く
て軽いX線検出器を実現することが可能となる。
【0054】図7は本発明の実施の形態の放射線検出器
の一例である平面型X線固体検出器の他の構成を示す図
である。図7に示す平面型X線固体検出器は、読み出し
回路部90の内部に、さらに、A/Dコンバータ14の
放射線情報を基に画像処理を行う画像処理ユニット9
1、画像処理ユニット91の画像処理により得られたX
線画像を表示する画像表示ユニット92、および画像処
理ユニット91の画像処理により得られたX線画像を他
の通信ユニットに送信するための画像通信ユニット93
も備えた一体構造として構成されている。
の一例である平面型X線固体検出器の他の構成を示す図
である。図7に示す平面型X線固体検出器は、読み出し
回路部90の内部に、さらに、A/Dコンバータ14の
放射線情報を基に画像処理を行う画像処理ユニット9
1、画像処理ユニット91の画像処理により得られたX
線画像を表示する画像表示ユニット92、および画像処
理ユニット91の画像処理により得られたX線画像を他
の通信ユニットに送信するための画像通信ユニット93
も備えた一体構造として構成されている。
【0055】このような構成にすることにより、上述し
たX線検出器を用いてX線撮影した後すぐにX線画像を
オペレータが見ることができる。また、得られたX線画
像を必要に応じて他の通信ユニットに送信することがで
きるので、より迅速な画像診断を行うことが容易とな
る。
たX線検出器を用いてX線撮影した後すぐにX線画像を
オペレータが見ることができる。また、得られたX線画
像を必要に応じて他の通信ユニットに送信することがで
きるので、より迅速な画像診断を行うことが容易とな
る。
【0056】本発明の実施の形態では、ゲートドライバ
を読み出し回路部内に設けているが、実装などの観点か
らX線検出器内にゲートドライバの一部を構成するよう
にすることも可能である。
を読み出し回路部内に設けているが、実装などの観点か
らX線検出器内にゲートドライバの一部を構成するよう
にすることも可能である。
【0057】また、本発明の実施の形態では、X線検出
部の内部状態を状態表示ユニットに表示してオペレータ
などに知らせることが可能なように構成されているが、
例えば、状態表示ユニットの代わりにまたは状態表示ユ
ニットとともに音声ユニットを設け、オペレータによる
外部キーの操作によりX線検出部の内部状態を示すメッ
セージを音声出力したり、音楽を流したりしてオペレー
タにその旨を知らせるようにすることも可能である。
部の内部状態を状態表示ユニットに表示してオペレータ
などに知らせることが可能なように構成されているが、
例えば、状態表示ユニットの代わりにまたは状態表示ユ
ニットとともに音声ユニットを設け、オペレータによる
外部キーの操作によりX線検出部の内部状態を示すメッ
セージを音声出力したり、音楽を流したりしてオペレー
タにその旨を知らせるようにすることも可能である。
【0058】
【発明の効果】以上、本発明によれば、X線検出部を読
み出し回路部に対して着脱可能とすることにより、従来
のX線検出器よりも薄くて軽いX線検出器を実現したの
で、このようなX線検出器を用いることにより例えば上
腕のX線撮影を行うことができ、臨床において広範囲の
適用が可能となる。
み出し回路部に対して着脱可能とすることにより、従来
のX線検出器よりも薄くて軽いX線検出器を実現したの
で、このようなX線検出器を用いることにより例えば上
腕のX線撮影を行うことができ、臨床において広範囲の
適用が可能となる。
【0059】また、X線撮影の結果をデジタル情報とし
て直接取得することができるので、X線画像の診断、伝
送、保管、および検索をさらに効率良く行うことが可能
となる。
て直接取得することができるので、X線画像の診断、伝
送、保管、および検索をさらに効率良く行うことが可能
となる。
【図1】従来の直接変換方式の平面型X線固体検出器の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図2】従来の間接変換方式の平面型X線固体検出器の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図3】従来のX線検出部および読み出し回路部を一体
化して備えた平面型X線固体検出器の構成を示す図であ
る。
化して備えた平面型X線固体検出器の構成を示す図であ
る。
【図4】本発明の実施の形態の放射線検出器の一例であ
る平面型X線固体検出器の構成を示す図である。
る平面型X線固体検出器の構成を示す図である。
【図5】本発明の実施の形態の放射線検出器の一例であ
る間接変換型の平面型X線固体検出器の1画素の構成を
示す等価回路である。
る間接変換型の平面型X線固体検出器の1画素の構成を
示す等価回路である。
【図6】本発明の実施の形態の放射線検出器の一例であ
る直接変換型の平面型X線固体検出器の1画素の構成を
示す等価回路である。
る直接変換型の平面型X線固体検出器の1画素の構成を
示す等価回路である。
【図7】本発明の実施の形態の放射線検出器の一例であ
る平面X線固体検出器の他の構成を示す図である。
る平面X線固体検出器の他の構成を示す図である。
1、20、40 X線検出部 2、30、80、90 読み出し回路部 3 画素電極 4、21 薄膜トランジスタ(TFT) 5 TFT制御信号ライン 6 出力信号ライン 7、15、28、38 接続コネクタ 11、31 ゲートドライバ 12、33、39b 積分アンプ 13、34 マルチプレクサ 14、35 A/Dコンバータ 22a、22b バイアス電源 23、43 光電変換膜 24、44 蓄積コンデンサ 25 状態チェック回路 25a メモリ 26 状態表示ユニット 27a、27b 切り換えスイッチ 29 タイマー回路 32 充電回路 36 状態判断回路 37 制御ユニット 39 X線曝射判断ユニット 39a 光電変換素子 39c コンパレータ 91 画像処理ユニット 92 画像表示ユニット 93 画像通信ユニット
Claims (9)
- 【請求項1】 入射した放射線を電荷に変換して蓄積す
る放射線検出部を備え、 前記放射線検出部は、蓄積した電荷に対応する情報を読
み出す読み出し部に対して着脱可能に構成されているこ
とを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項2】 入射した放射線を電荷に変換する変換素
子と、前記変換素子により変換した電荷を蓄積する蓄積
素子とを有する放射線検出部と、 前記蓄積素子に蓄積されている電荷に対応する情報を読
み出す読み出し部とを備え、 前記放射線検出部は、前記読み出し部に対して着脱可能
に構成されていることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項3】 前記放射線検出部は、前記放射線が曝射
されたかどうかを判断する判断手段と、前記判断手段の
判断結果を表示する表示手段とを備えていることを特徴
とする請求項1または2に記載の放射線検出器。 - 【請求項4】 前記放射線検出部は、前記放射線が曝射
されたかどうかを判断する判断手段を備え、 前記読み出し部は、前記判断手段の判断結果を基にして
前記蓄積素子に蓄積されている電荷に対応する情報を読
み出すことを特徴とする請求項2に記載の放射線検出
器。 - 【請求項5】 前記読み出し部は、前記放射線検出部か
ら読み出した電荷に対応する情報を基にして画像処理を
行う画像処理手段と、前記画像処理手段の画像処理によ
り得られた放射線画像を表示する表示手段とを備えたこ
とを特徴とする請求項1または2に記載の放射線検出
器。 - 【請求項6】 入射した放射線を電荷に変換する変換素
子と、前記変換素子に電圧を供給する電源とを有する放
射線検出部と、 前記電源の電源電圧を基にして前記放射線を曝射して撮
影が可能かどうかを判断する判断手段と、前記判断手段
の判断結果を基にして前記電源を充電する充電手段とを
有する読み出し部とを備え、 前記放射線検出部は、前記読み出し部に対して着脱可能
に構成されていることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項7】 放射線検出部が読み出し部に対して着脱
可能に構成されている放射線検出器であって、 前記放射線検出部は、入射した放射線を電荷に変換する
変換素子と、前記変換素子により変換した電荷を蓄積す
る蓄積素子と、前記読み出し部からの分離時から時間を
計測する計測手段とを備え、 前記読み出し部は、前記計測手段の計測結果を基にして
前記放射線を曝射して撮影が可能かどうかを判断する判
断手段と、前記判断手段の判断結果を基にして前記蓄積
素子に蓄積されている電荷をクリアする手段とを備えて
いることを特徴とする放射線検出器。 - 【請求項8】 前記放射線は、X線またはガンマ線のい
ずれかであることを特徴とする請求項1から7までのい
ずれかに記載の放射線検出器。 - 【請求項9】 前記変換素子は、フォトコンダクタまた
はシンチレータのいずれかによって構成されていること
を特徴とする請求項2から7までのいずれかに記載の放
射線検出器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11063888A JP2000254115A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11063888A JP2000254115A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 放射線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000254115A true JP2000254115A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13242293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11063888A Pending JP2000254115A (ja) | 1999-03-10 | 1999-03-10 | 放射線検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000254115A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002181942A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びシステム |
JP2003043151A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Toshiba Corp | 放射線検出器および放射線撮影装置 |
WO2003043317A1 (fr) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Detecteur d'images et systeme d'imagerie contenant ledit detecteur |
CN100339763C (zh) * | 2003-06-23 | 2007-09-26 | 佳能株式会社 | X线摄影装置和x线摄影方法 |
JP2009180519A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 放射線変換器 |
JP2010078542A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2011062530A (ja) * | 2010-10-15 | 2011-03-31 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びシステム |
US8212219B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-07-03 | Fujifilm Corporation | Radiation detecting apparatus and radiation image capturing system |
CN103860184A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 三星电子株式会社 | 光子计数探测器及读出电路 |
-
1999
- 1999-03-10 JP JP11063888A patent/JP2000254115A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002181942A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びシステム |
JP2003043151A (ja) * | 2001-08-02 | 2003-02-13 | Toshiba Corp | 放射線検出器および放射線撮影装置 |
WO2003043317A1 (fr) * | 2001-11-15 | 2003-05-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Detecteur d'images et systeme d'imagerie contenant ledit detecteur |
US7091465B2 (en) | 2001-11-15 | 2006-08-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Image sensor with a voltage maintaining capacitor and an ac-signal blocking resistor, and imaging system comprising the image sensor |
CN100339763C (zh) * | 2003-06-23 | 2007-09-26 | 佳能株式会社 | X线摄影装置和x线摄影方法 |
JP2009180519A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 放射線変換器 |
US8212219B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-07-03 | Fujifilm Corporation | Radiation detecting apparatus and radiation image capturing system |
JP2010078542A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Fujifilm Corp | 放射線検出装置 |
JP2011062530A (ja) * | 2010-10-15 | 2011-03-31 | Canon Inc | 放射線撮像装置及びシステム |
CN103860184A (zh) * | 2012-12-11 | 2014-06-18 | 三星电子株式会社 | 光子计数探测器及读出电路 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110623682B (zh) | 放射线摄像装置及控制方法、放射线摄像系统及存储介质 | |
US7359482B2 (en) | X-ray detector system | |
KR101916504B1 (ko) | 방사선 촬상 장치 및 방사선 검지 시스템 | |
US8903048B2 (en) | Radiographic imaging apparatus and control method for the same | |
CN103109526B (zh) | 放射线图像捕捉设备、放射线图像捕捉系统、放射线图像捕捉方法、以及程序 | |
JP5068128B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP4708559B2 (ja) | 放射線撮影システム、撮影方法、及び記憶媒体 | |
JP5797630B2 (ja) | 放射線画像撮影装置、画素値取得方法およびプログラム | |
JP5079439B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
JP2005006979A (ja) | 放射線撮像装置、放射線撮像方法、及び、放射線撮像プログラム | |
JP2004041718A (ja) | アモルファスシリコンフラットパネル検出器の複数のオフセット修正を収集し且つ格納する方法及び装置 | |
US20130193339A1 (en) | Radiation irradiation initiation determination apparatus, radiation image capturing device, radiation image capture control apparatus, radiation irradiation initiation determination method, and computer readable medium | |
JP2014048204A (ja) | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP5866814B2 (ja) | 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置 | |
JP2010212741A (ja) | 放射線画像検出装置 | |
US10154576B2 (en) | Radiation image detection apparatus including photographic mode and irradiation detection mode, and radiation image photographing system including the same | |
JP3683987B2 (ja) | X線平面検出器 | |
JP2000254115A (ja) | 放射線検出器 | |
JP2005007086A (ja) | X線撮影システム | |
JP5648404B2 (ja) | 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置 | |
JP2005312949A (ja) | 放射線撮像装置及びその制御方法 | |
JP5601209B2 (ja) | 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置 | |
JP2012152477A (ja) | 放射線画像撮影システムおよび放射線画像撮影装置 | |
JP2006128644A (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置、及び放射線撮像システム | |
JP2011019661A (ja) | 放射線画像検出装置及び放射線画像検出システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |