JP6930712B2 - 表示基板、表示装置、表示装置の制御方法及び表示基板の製造方法 - Google Patents

表示基板、表示装置、表示装置の制御方法及び表示基板の製造方法 Download PDF

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Description

〔関連出願の相互参照〕
本出願は、２０１７年９月１に中国特許庁に提出された中国特許出願第２０１７１０７７９５１２．６号の優先権を主張し、その全ての内容が援用により本出願に取り込まれる。
本開示は、表示技術に関し、特に、表示基板、表示装置、表示装置の制御方法及び表示基板の製造方法に関する。
液晶表示（ＬＣＤ）装置、有機発光ダイオード表示（ＯＬＥＤ）装置、電気泳動表示（ＥＰＤ）装置のような表示装置が広く使用されている。近年、表示装置は、タッチ制御機能を組み込むことにより更に改善されている。タッチ制御表示装置は、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、車内表示装置、ノートＰＣ及び壁上テレビでにおける幅広い用途が発見されている。
一つの側面において、本発明は、表示基板であって、ベース基板と、実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を含む第１感知層と、前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を含む第２感知層とを含み、前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含み、前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含む、表示基板を提供する。
選択可能に、上昇する光レベルに露出される際、前記複数の第１光伝導ブリッジの各々の電気抵抗は低下し、その逆も同様であり、上昇する光レベルに露出される際、前記複数の第２光伝導ブリッジの各々の電気抵抗は低下し、その逆も同様である。
選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第１サブ電極間の第１電流は変化し、前記複数の第２光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第２サブ電極間の第２電流は変化する。
選択可能に、前記複数の第１感知電極と前記複数の第２感知電極とは互いに交錯することにより複数の交差領域を形成し、前記表示基板は、前記第１感知層と前記第２感知層の間の絶縁層を更に含み、前記絶縁層は、複数の絶縁ブロックを含み、前記複数の絶縁ブロックの各々は、前記複数の交差領域のうち一つにある。
選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域の外にあり、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板の正投影は、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に重ならない。
選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域内にあり、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆う。
選択可能に、前記表示基板は、ブラックマトリックスを更に含み、前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆う。
選択可能に、前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示基板の外部光を受光するように構成される側面から遠い方の側にある。
選択可能に、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、時分割駆動モードで動作されるように構成され、前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含み、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、前記タッチ制御モード期間においてタッチ信号を送信するように構成され、前記複数の第１感知電極のうち一つは、前記光制御モード期間において、前記複数の第１光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第１サブ電極間の第１電流を検出するように、前記一対の第１サブ電極間の電位差が提供され、前記複数の第２感知電極のうち一つは、前記光制御モード期間において、前記複数の第２光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第２サブ電極間の第２電流を検出するように、前記一対の第２サブ電極間の電位差が提供される。
選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジ及び前記複数の第２感知電極は、感光性抵抗材料を含む。
選択可能に、前記感光性抵抗材料は、硫化カドミウム、セレニウム、硫化アルミニウム、硫化鉛及び硫化ビスマスのうち一つ又はその組み合わせを含む。
選択可能に、前記感光性抵抗材料は、３０ミリ秒以内の応答時間を有し、前記感光性抵抗材料の光電流スペクトルは、約５２０ｎｍ乃至約６００ｎｍの範囲にあるピーク波長を有し、前記感光性抵抗材料の照射された抵抗の照射されていない抵抗に対する比は、０．１以下である。
別の側面において、本発明は、本文に記載される表示基板又は本文に記載される方法により製造される表示基板を含む表示装置を提供する。
選択可能に、前記表示装置は、ブラックマトリックスを更に含み、前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆い、前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示装置の発光側から遠い方の側にある。
別の側面において、本発明は、本文に記載される表示装置の制御方法であって、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間に印加される第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加するステップと、前記複数の第１感知電極における、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間の電流である第１電流を一つずつ順次検出するステップと、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間に印加される第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加するステップと、前記複数の第２感知電極における、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間の電流である第２電流を一つずつ検出するステップとを含む、方法を提供する。
選択可能に、前記方法は、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の第１閾値より大きい電流を検出することにより光制御位置を決定するステップと、前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の第２閾値より大きい電流を検出するステップとを更に含む。
選択可能に、前記方法は、前記表示装置の領域で光を照射することにより、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の前記第１電流の増大及び前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の前記第２電流の増大を誘発するステップを更に含む。
選択可能に、前記表示装置は、一つ又は複数の命令を実行するように構成されるプロセッサを更に含み、前記方法は、前記プロセッサが、前記光制御位置の場所に基づいて複数のプログラムされたコマンドからコマンドを選択コマンドとして選択するステップと、前記プロセッサが前記選択コマンドを実行するステップとを更に含む。
選択可能に、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、時分割駆動モードで動作されるように構成され、前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含み、前記方法は、前記タッチ制御モード期間において、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極を介してタッチ信号を送信するステップと、前記光制御モード期間において、前記第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第１感知電極における前記第１電流を一つずつ順次検出し、前記第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第２感知電極における前記第２電流を一つずつ順次検出するステップとを更に含む。
別の側面において、本発明は、表示基板の製造方法であって、ベース基板上に実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を含む第１感知層を形成するステップと、前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を含む第２感知層を形成するステップとを含み、前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含むように形成され、前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含むように形成される、方法を提供する。
以下の図面は、ただ開示された様々な実施例に係る説明の目的で用いられる例であり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
本開示に係る幾つかの実施例における表示基板における光制御用回路構造を示す模式図である。
本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。
本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。 本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。 本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。 本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。 本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。
次に、以下の実施例を参照しながら本開示をより詳しく記述する。説明すべきことは、幾つかの実施例に対する以下の説明は、ただ説明及び記述の目的で本文に提示される。これは、網羅的であること、又は開示された正確な形式に限定されることを意図するものではない。
本開示は、とりわけ、関連技術の限界及び弱点による一つ又は複数の問題点を実質的に予防する表示基板、表示装置、表示装置の制御方法及び表示基板の製造方法を提供する。一つの側面において、本開示は、表示基板を提供する。幾つかの実施例において、前記表示基板は、ベース基板と、実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を有する第１感知層と、前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を有する第２感知層とを含む。選択可能に、前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含む。選択可能に、前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含む。
図１は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図１を参照すると、幾つかの実施例における表示基板は、ベース基板１００、ベース基板１００上の第１感知層３００及び第２感知層４００を含む。第１感知層３００は、複数の第１感知電極３１０を含み、当該第１感知電極３１０の各々は、実質的に第１方向に沿って延在する。複数の第１感知電極３１０は、実質的に第２方向に沿って配置される。第２感知層４００は、複数の第２感知電極４１０を含み、当該複数の第２感知電極４１０の各々は、実質的に第２方向に沿って延在する。複数の第２感知電極４１０は、実質的に前記第１方向に沿って配置される。第１感知層３００と第２感知層４００とは、互いに絶縁される。例えば、第１感知層３００と第２感知層４００とは、絶縁層、例えば、図１に示すような絶縁層５００により互いに絶縁されることが可能である。別の例において、第１感知層３００と第２感知層４００とは、ベース基板１００により互いに絶縁されることが可能であり、例えば、第１感知層３００と第２感知層４００とは、ベース基板１００の対向する２つの側面上にある。選択可能に、前記第１方向は、前記第２方向に実質的に垂直である。
図１を参照すると、幾つかの実施例において、複数の第１感知電極３１０の各々は、一対の第１サブ電極３１１と、複数の第１光伝導ブリッジ１０とを含む。一対の第１サブ電極３１１は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する。複数の第１光伝導ブリッジ１０の各々は、一対の第１サブ電極３１１間に介在する。複数の第１光伝導ブリッジ１０の各々は、一対の第１サブ電極３１１の両方に接触する。選択可能に、複数の第１光伝導ブリッジ１０は、実質的に照射されていない時、実質的に非導電性である。選択可能に、複数の第１光伝導ブリッジ１０は、照射された時、導電性である。選択可能に、上昇する光レベルに露出される際、複数の第１光伝導ブリッジ１０の各々の電気抵抗は低下し、低下する光レベルに露出される際、複数の第１光伝導ブリッジ１０の各々の電気抵抗は増大する。選択可能に、一対の第１サブ電極３１１間に電位差が提供される時、複数の第１光伝導ブリッジ１０のうち一つ又は複数が光に露出される際、一対の第１サブ電極３１１間の第１電流は変化する。
幾つかの実施例において、複数の第２感知電極４１０の各々は、一対の第２サブ電極４１１と、複数の第１光伝導ブリッジ２０とを含む。一対の第２サブ電極４１１は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する。複数の第２光伝導ブリッジ２０の各々は、一対の第２サブ電極４１１間に介在する。複数の第２光伝導ブリッジ２０の各々は、一対の第２サブ電極４１１の両方に接触する。選択可能に、複数の第２光伝導ブリッジ２０は、実質的に照射されていない時、実質的に非導電性である。選択可能に、複数の第２光伝導ブリッジ２０は、照射された時、導電性である。選択可能に、上昇する光レベルに露出される際、複数の第２光伝導ブリッジ２０の各々の電気抵抗は低下し、低下する光レベルに露出される際、複数の第２光伝導ブリッジ２０の各々の電気抵抗は増大する。選択可能に、一対の第２サブ電極４１１間に電位差が提供される時、複数の第２光伝導ブリッジ２０のうち一つ又は複数が光に露出される際、一対の第２サブ電極４１１間の第２電流は変化する。
様々な適切な光伝導材料及び様々な適切な製造方法を用いて複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０を製作することが可能である。幾つかの実施例において、複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０は、感光性抵抗材料を含む。適切な感光性抵抗材料の例は、硫化カドミウム、セレニウム、硫化アルミニウム、硫化鉛及び硫化ビスマスのうち一つ又はその組み合わせを含む。様々な適切な受光感度を有する様々な適切な感光性抵抗材料を用いることが可能である。選択可能に、前記感光性抵抗材料は、３０ミリ秒以内、例えば、２０ミリ秒以内、１５ミリ秒以内、及び１０ミリ秒以内の応答時間を有する。選択可能に、前記感光性抵抗材料の光電流スペクトルは、約３８０ｎｍ乃至約７００ｎｍ、例えば、約５２０ｎｍ乃至約６００ｎｍ、約３８０ｎｍ乃至約５２０ｎｍ、及び約６００ｎｍ乃至約７００ｎｍの範囲にあるピーク波長を有する。選択可能に、前記感光性抵抗材料の光電流スペクトルは、約７００ｎｍ乃至約１０００ｎｍの範囲にあるピーク波長を有する。選択可能に、前記感光性抵抗材料の光電流スペクトルは、約１０ｎｍ乃至約３８０ｎｍの範囲にあるピーク波長を有する。選択可能に、前記感光性抵抗材料の照射された抵抗の照射されていない抵抗に対する比は、０．１以下、例えば、０．０８以下、０．０６以下、及び０．０４以下である。
図２は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板における光制御用回路構造を示す模式図である。図２を参照すると、一対の第１サブ電極３１１間に介在する複数の第１光伝導ブリッジ１０は、一対の第１サブ電極３１１間の複数の抵抗器に相当する。複数の第１光伝導ブリッジ１０のいずれか一つが光に露出された時、複数の第１光伝導ブリッジ１０のうち露光された光伝導ブリッジの抵抗は低下し、一対の第１サブ電極３１１間に電位差が印加された時、一対の第１サブ電極３１１間の第１電流は増大する。複数の第１感知電極３１０の各々における一対の第１サブ電極３１１間の第１電流の変化を検出することにより、前記第２方向に沿った光照射位置（例えば、Ｙ座標）を決定することができる。同様に、一対の第２サブ電極４１１間に介在する複数の第２光伝導ブリッジ２０は、一対の第２サブ電極４１１間の複数の抵抗器に相当する。複数の第２光伝導ブリッジ２０のいずれか一つが光に露出された時、複数の第２光伝導ブリッジ２０のうち露光された光伝導ブリッジの抵抗は低下し、一対の第２サブ電極４１１間に電位差が印加された時、一対の第２サブ電極４１１間の第２電流は増大する。複数の第２感知電極４１０の各々における一対の第２サブ電極４１１間の第２電流の変化を検出することにより、前記第１方向に沿った光照射位置（例えば、Ｘ座標）を決定することが可能である。前記第１方向及び前記第２方向に沿った光照射位置を決定することにより、前記光照射位置を決定することができる。
例えば、図１に示すように、光照射位置が点線の円で描かれている。複数の第１感知電極３１０の各々における一対の第１サブ電極３１１間の第１電流の変化を検出することにより、複数の第１感知電極３１０のうち第１行が照射された複数の第１光伝導ブリッジ１０のうち少なくとも一つを有すると決定することができる。複数の第２感知電極４１０の各々における一対の第２サブ電極４１１間の第２電流の変化を検出することにより、複数の第２感知電極４１０のうち第１列が照射された複数の第２光伝導ブリッジ２０のうち少なくとも一つを有すると決定することができる。従って、前記光照射位置が複数の第１感知電極３１０のうち第１行と複数の第２感知電極４１０のうち第１列との交差点に近接していると決定することができる。
複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０の分布密度は、設計ニーズに基づいて変更可能である。前記分布密度が高いほど、前記光照射位置をより高い精度で決定することができる。図１を参照すると、複数の第１感知電極３１０と複数の第２感知電極４１０とは互いに交錯することにより、複数の交差領域ＩＳを形成する。選択可能に、複数の第１感知電極３１０の各々は、複数の交差領域ＩＳのうち隣接する２つの交差領域間の複数の第１光伝導ブリッジ１０のうち少なくとも一つ（例えば、１つ、２つ、３つ又は４つ）を含む。選択可能に、複数の第２感知電極４１０の各々は、複数の交差領域ＩＳのうち隣接する２つの交差領域間の複数の第２光伝導ブリッジ２０のうち少なくとも一つ（例えば、１つ、２つ、３つ又は４つ）を含む。
図１を参照すると、幾つかの実施例において、前記表示基板は、第１感知層３００と第２感知層４００の間の絶縁層５００を更に含む。選択可能に、絶縁層５００は、複数の絶縁ブロックを含み、当該複数の絶縁ブロックの各々は、複数の交差領域ＩＳのうち一つにある。選択可能に、絶縁層５００は、実質的に前記表示基板全体に亘って延在する一体層である。
幾つかの実施例において、複数の第１光伝導ブリッジ１０の少なくとも一部及び複数の第２光伝導ブリッジ２０の少なくとも一部は、複数の交差領域ＩＳの外にある。選択可能に、複数の第１光伝導ブリッジ１０の前記少なくとも一部及び複数の第２光伝導ブリッジ２０の前記少なくとも一部のベース基板１００上の正投影は、前記複数の絶縁ブロックのベース基板１００上の正投影と実質的に重ならない。
幾つかの実施例において、複数の第１光伝導ブリッジ１０の少なくとも一部は、複数の交差領域ＩＳ内にある。選択可能に、前記複数の絶縁ブロックのベース基板１００上の正投影は、複数の第１光伝導ブリッジ１０の前記少なくとも一部のベース基板１００上の正投影を実質的に覆う。
図３は、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の構造を示す模式図である。図３を参照すると、幾つかの実施例において、前記表示基板は、ブラックマトリックス６００を更に含む。選択可能に、ブラックマトリックス６００のベース基板１００上の正投影は、複数の第１感知電極３００及び複数の第２感知電極４００のベース基板１００上の正投影を実質的に覆う。選択可能に、ブラックマトリックス６００は、第１感知層３００及び第２感知層４００の前記表示基板の外部光を受光するように構成される側面から遠い方の側にある。一例において、前記表示基板は、レーザーペンからの光を検出するように構成される。ブラックマトリックス６００は、第１感知層３００及び第２感知層４００の前記表示基板の前記レーザーペンからの光を受光するように構成される側面から遠い方の側に配置される。この設計により、ブラックマトリックス６００は、第１感知層３００及び第２感知層４００が外部光（例えば、前記レーザーペンからの光）を受光するのを妨げない。
選択可能に、ブラックマトリックス６００は、第１感知層３００及び第２感知層４００の前記表示基板を有する表示装置における発光ユニット（例えば、有機発光ダイオード又は液晶表示モジュール）から近い方の側にある。ブラックマトリックス６００は、第１感知層３００及び第２感知層４００が前記発光ユニットからの光を受光するのを妨げるように構成される。この設計により、ブラックマトリックス６００は、前記発光ユニットからの光が第１感知層３００及び第２感知層４００による光感知を干渉するのを防止する。
幾つかの実施例において、ブラックマトリックス６００はベース基板１００の第１側面上にあり、第１感知層３００及び第２感知層４００はベース基板１００の第２側面上にあり、前記第２側面は前記第１側面に対向する。前記第２側面は、前記表示基板の、外部光、例えば、レーザーペンからの光を受光するように構成される側面である。前記第１側面は、前記表示基板の、前記表示基板を有する表示装置における発光ユニットからの光に露出するように構成される側面である。
幾つかの実施例において、ブラックマトリックス６００は、ベース基板１００の第１側面上にあり、第１感知層３００及び第２感知層４００もベース基板１００の前記第１側面上に配置される。第１感知層３００及び第２感知層４００は、ブラックマトリックス６００の、前記外部光、例えば、レーザーペンからの光から近く且つ前記表示基板を有する表示装置における発光ユニットからの光から遠い方の側にある。一例において、第１感知層３００及び第２感知層４００は、ブラックマトリックス６００のベース基板１００から遠い方の側にある。別の例において、第１感知層３００及び第２感知層４００は、ブラックマトリックス６００のベース基板１００から近い方の側にある。
幾つかの実施例において、前記表示基板はカラーフィルタ基板である。幾つかの実施例において、前記表示基板はアレイ基板である。
幾つかの実施例において、複数の第１感知電極３１０及び複数の第２感知電極４１０は、時分割駆動モードで動作されるように構成される。前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含む。選択可能に、複数の第１感知電極３１０及び複数の第２感知電極４１０は、前記タッチ制御モード期間においてタッチ信号を送信するように構成される複数のタッチ電極である。一例において、複数の第１感知電極３１０は複数のタッチ感知電極であり、複数の第２感知電極４１０は複数のタッチ走査電極である。別の例において、複数の第１感知電極３１０は複数のタッチ走査電極であり、複数の第２感知電極４１０は複数のタッチ感知電極である。
選択可能に、前記光制御モード期間において、複数の第１感知電極３１０のうち一つは、一対の第１サブ電極３１１間に介在する複数の第１光伝導ブリッジ１０のうち一つが光に露出される際、一対の第１サブ電極３１１間の第１電流を検出するように、一対の第１サブ電極３１１間の電位差が提供される。選択可能に、前記光制御モード期間において、複数の第２感知電極４１０のうち一つは、一対の第２サブ電極４１１間に介在する複数の第２光伝導ブリッジ２０のうち一つが光に露出される際、一対の第２サブ電極４１１間の第２電流を検出するように、一対の第２サブ電極４１１間の電位差が提供される。
別の側面において、本開示は、本文に記載される表示基板又は本文に記載される方法により製造される表示基板を有する表示装置を提供する。選択可能に、前記表示装置は液晶表示装置である。選択可能に、前記表示装置は有機発光ダイオード表示装置である。選択可能に、前記表示装置は電気泳動表示装置である。適切な表示装置の例は、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートＰＣ、デジタルアルバム、ＧＰＳ等を含むが、これらに限定されない。
幾つかの実施例において、前記表示装置は、ブラックマトリックスを更に含む。選択可能に、前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆う。選択可能に、前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示装置の発光側から遠い方の側にある。
別の側面において、本開示は、本文に記載される表示装置の制御方法を提供する。幾つかの実施例において、前記方法は、前記表示装置の領域を照射するステップと、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極における電流を検出することにより、光照射領域を決定するステップとを含む。選択可能に、前記方法は、複数の予め決められた制御命令を照会して前記決定された光照射領域に対応する第１制御命令を得るステップと、前記第１制御命令に対応する機能モジュールを実行するステップとを更に含む。従って、前記表示装置における遠隔制御（例えば、光制御）を実現することができる。一例において、前記表示装置は、レーザーにより制御されることが可能である。別の例において、前記表示装置の表示パネルは、複数の領域を含み、当該複数の領域の各々は、複数の機能モジュールのうち一つに対応する。一旦前記光照射領域が決定されると、前記決定された光照射領域に対応する機能モジュールを実行することができる。別の例において、前記方法は、例えば、ＰｏｗｅｒＰｏｉｎｔプレゼンテーション期間において、前記表示パネルの一定の領域へ光を照射することにより、ビデオクリップを再生するか、又はハイパーリンクを開くステップを含む。別の例において、前記方法は、前記表示装置の一定領域へ光を照射することにより、ビデオカメラを起動又は制御するステップを含む。
幾つかの実施例において、前記方法は、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間に印加される第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加するステップと、前記複数の第１感知電極における、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間の電流である第１電流を一つずつ順次検出するステップとを含む。選択可能に、前記方法は、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間に印加される第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加するステップと、前記複数の第２感知電極における、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間の電流である第２電流を一つずつ検出するステップとを更に含む。
幾つかの実施例において、前記方法は、光制御位置を決定するステップを更に含む。選択可能に、前記光制御位置を決定するステップは、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の第１閾値より大きい電流を検出するステップを含む。選択可能に、前記光制御位置を検出するステップは、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の電流の第１閾値より大きい増加を検出するステップを含む。選択可能に、前記光制御位置を決定するステップは、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間の電流を検出し、前記複数の第１感知電極から前記複数の第１感知電極のうち最大電流を有する一つを選択するステップを含む。
選択可能に、前記光制御位置を決定するステップは、前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の第２閾値より大きい電流を検出するステップを更に含む。選択可能に、前記光制御位置を決定するステップは、前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の電流の第２閾値より大きい増加を検出するステップを含む。選択可能に、前記光制御位置を決定するステップは、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間の電流を検出し、前記複数の第２感知電極から前記複数の第２感知電極のうち最大電流を有する一つを選択するステップを含む。
選択可能に、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の第１閾値より大きい電流を検出し、前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の第２閾値より大きい電流を検出することにより、前記光制御位置を決定することができる。選択可能に、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の電流の第１閾値より大きい増加を検出し、前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の電流の第２閾値より大きい増加を検出することにより、前記光制御位置を決定することができる。選択可能に、前記複数の第１感知電極から前記複数の第１感知電極のうち最大電流を有する一つを選択し、前記複数の第２感知電極から前記複数の第２感知電極のうち最大電流を有する一つを選択することにより、前記光制御位置を決定することができる。
選択可能に、前記第１閾値は特定の値である。選択可能に、前記第１閾値は値の範囲である。選択可能に、前記第２閾値は特定の値である。選択可能に、前記第２閾値は値の範囲である。
幾つかの実施例において、前記方法は、前記表示装置の領域で光を照射することにより、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の前記第１電流の増大及び前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の前記第２電流の増大を誘発するステップを更に含む。
幾つかの実施例において、前記表示装置は、一つ又は複数の命令を実行するように構成されるプロセッサを更に含む。選択可能に、前記方法は、前記プロセッサが、前記光制御位置の場所に基づいて複数のプログラムされたコマンドからコマンドを選択コマンドとして選択するステップと、前記プロセッサが前記選択コマンドを実行するステップとを更に含む。
幾つかの実施例において、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、時分割駆動モードで動作されるように構成される。選択可能に、前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含む。選択可能に、前記方法は、前記タッチ制御モード期間において、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極を介してタッチ信号を送信するステップと、前記光制御モード期間において、前記第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第１感知電極における前記第１電流を一つずつ順次検出し、前記第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第２感知電極における前記第２電流を一つずつ順次検出するステップとを更に含む。
別の側面において、本開示は、表示基板の製造方法を提供する。幾つかの実施例において、前記方法は、ベース基板上に実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を有する第１感知層を形成するステップと、前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を有する第２感知層を形成するステップとを含む。選択可能に、前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含むように形成される。選択可能に、前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含むように形成される。
幾つかの実施例において、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は互いに交錯するように形成されることにより、複数の交差領域を形成する。選択可能に、前記方法は、前記第１感知層と前記第２感知層の間に絶縁層を形成するステップを更に含む。選択可能に、前記絶縁層を形成するステップは、複数の絶縁ブロックを形成するステップを含む。選択可能に、前記複数の絶縁ブロックの各々は、前記複数の交差領域のうち一つに形成される。
選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域の外に形成される。選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジ及び前記複数の第２光伝導ブリッジは、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板の正投影が、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に重ならないように形成される。選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域内にある。選択可能に、前記複数の第１光伝導ブリッジは、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影が、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆うように形成される。
幾つかの実施例において、前記方法は、ブラックマトリックスを形成するステップを更に含む。選択可能に、前記ブラックマトリックスは、前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影が、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆うように形成される。選択可能に、前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示基板の外部の光を受光するように構成される側面から遠い方の側に形成される。
図４Ａ乃至４Ｅは、本開示に係る幾つかの実施例における表示基板の製造工程を示す。図４Ａを参照すると、複数の第１感知電極３１０がベース基板上に形成される。複数の第１感知電極３１０の各々は、一対の第１サブ電極３１１を含むように形成される。図４Ｂを参照すると、絶縁層５００、複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０が複数の第１感知電極３１０上に形成される。選択可能に、光伝導材料層及び絶縁材料層を順に堆積させ、ハーフトーン又はグレートーンマスク板を用いて前記光伝導材料層及び前記絶縁材料層をパターニングして、絶縁層５００、複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０を得ることにより、絶縁層５００、複数の第１光伝導ブリッジ１０及び複数の第２光伝導ブリッジ２０が形成される。図４Ｃは、図４ＢにおけるＡ-Ａ及びＢ-Ｂ線に沿った断面図を示す。図４Ｃを参照すると、絶縁層５００の前記ベース基板上の正投影は、複数の第１光伝導ブリッジ１０の前記少なくとも一部の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆い（前記Ｂ-Ｂ線に沿った断面図）、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板上の正投影は、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に重ならない（前記Ａ-Ａ線に沿った断面図）。図４Ｄを参照すると、複数の第２感知電極４１０が形成される。複数の感知電極４１０の各々は、一対の第２サブ電極４１１を含むように形成される。図４Ｅは、図４ＤにおけるＡ-Ａ及びＢ-Ｂ線に沿った断面図を示す。
上記の本発明の実施例の記述は、ただ説明及び記述の目的で提出されたものである。これは、網羅的であること、或いは本発明を開示された正確な形式又は開示された例示的な実施例に限定することを意図するものではない。従って、上記の記述は、限定的なものではなく、説明的なものと見なされるべきである。明らかに、当業者にとって、多様な修正及び変更が自明である。本発明の原理及びその最適モードの実際応用を説明するために、これらの実施例が選択及び記載され、これにより、当業者が、本発明が特定用途又は考慮される実施形態に適用される様々な実施例及び様々な変形を理解可能にする。本発明の範囲は、ここに添付される特許請求の範囲及びその等価物により限定され、その中で、特に明記のない限り、すべての用語は、その最も広い合理的な意味を意味することを意図する。従って、「発明」、「本発明」等の用語は、必ずしも特許請求の範囲を具体的な実施例に限定するものではなく、本発明の例示的な実施例に対する言及は、本発明に対する限定を意味するものではなく、且つこのような限定が推論されない。本発明は、添付された請求項の範囲の精神及び範囲のみにより限定される。また、これらの請求項は、名詞又は要素につけられる「第１」、「第２」等の用語の使用が言及されることが可能である。このような用語は、命名法として理解されるべきであり、既に具体的な数量が与えられていない限り、このような命名法により修飾される要素の数量に対する限定として解釈すべきではない。記載されたいかなる効果及び利点が本発明のすべての実施例に適用されないことも可能である。理解すべきことは、以下の請求項により限定される本発明の範囲を逸脱せずに、当業者は、記載された実施例に対する変形を行うことが可能である。また、本開示におけるいかなる要素又は構成部品も、該要素又は構成部品が以下の請求項に明示的に記述されるか否かを問わず、公衆に貢献されるように意図されない。

Claims (20)

  1. 表示基板であって、
    ベース基板と、
    実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を含む第１感知層と、
    前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を含む第２感知層と
    を含み、
    前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含み、
    前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含むことを特徴とする表示基板。
  2. 上昇する光レベルに露出される際、前記複数の第１光伝導ブリッジの各々の電気抵抗は低下し、その逆も同様であり、
    上昇する光レベルに露出される際、前記複数の第２光伝導ブリッジの各々の電気抵抗は低下し、その逆も同様であることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  3. 前記複数の第１光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第１サブ電極間の第１電流は変化し、
    前記複数の第２光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第２サブ電極間の第２電流は変化することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  4. 前記複数の第１感知電極と前記複数の第２感知電極とは互いに交錯することにより複数の交差領域を形成し、
    前記表示基板は、前記第１感知層と前記第２感知層の間の絶縁層を更に含み、
    前記絶縁層は、複数の絶縁ブロックを含み、
    前記複数の絶縁ブロックの各々は、前記複数の交差領域のうち一つにあることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  5. 前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域の外にあり、
    前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部及び前記複数の第２光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板の正投影は、前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影と実質的に重ならないことを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
  6. 前記複数の第１光伝導ブリッジの少なくとも一部は、前記複数の交差領域内にあり、
    前記複数の絶縁ブロックの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１光伝導ブリッジの前記少なくとも一部の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
  7. ブラックマトリックスを更に含み、
    前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆うことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  8. 前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示基板の外部光を受光するように構成される側面から遠い方の側にあることを特徴とする請求項７に記載の表示基板。
  9. 前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、時分割駆動モードで動作されるように構成され、
    前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含み、
    前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、前記タッチ制御モード期間においてタッチ信号を送信するように構成され、
    前記複数の第１感知電極のうち一つは、前記光制御モード期間において、前記複数の第１光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第１サブ電極間の第１電流を検出するように、前記一対の第１サブ電極間の電位差が提供され、
    前記複数の第２感知電極のうち一つは、前記光制御モード期間において、前記複数の第２光伝導ブリッジのうち一つが光に露出される際、前記一対の第２サブ電極間の第２電流を検出するように、前記一対の第２サブ電極間の電位差が提供されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  10. 前記複数の第１光伝導ブリッジ及び前記複数の第２光伝導ブリッジは、感光性抵抗材料を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の表示基板。
  11. 前記感光性抵抗材料は、硫化カドミウム、セレニウム、硫化アルミニウム、硫化鉛及び硫化ビスマスのうち一つ又はその組み合わせを含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
  12. 前記感光性抵抗材料は、３０ミリ秒以内の応答時間を有し、
    前記感光性抵抗材料の光電流スペクトルは、約５２０ｎｍ乃至約６００ｎｍの範囲にあるピーク波長を有し、
    前記感光性抵抗材料の照射された抵抗の照射されていない抵抗に対する比は、０．１以下であることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
  13. 請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示基板を含む表示装置。
  14. ブラックマトリックスを更に含み、
    前記ブラックマトリックスの前記ベース基板上の正投影は、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極の前記ベース基板上の正投影を実質的に覆い、
    前記ブラックマトリックスは、前記第１感知層及び前記第２感知層の前記表示装置の発光側から近い方の側にあることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
  15. 請求項１３に記載の表示装置の制御方法であって、
    前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間に印加される第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加するステップと、
    前記複数の第１感知電極における、前記複数の第１感知電極の各々の前記一対の第１サブ電極間の電流である第１電流を一つずつ順次検出するステップと、
    前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間に印加される第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加するステップと、
    前記複数の第２感知電極における、前記複数の第２感知電極の各々の前記一対の第２サブ電極間の電流である第２電流を一つずつ検出するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  16. 前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の第１閾値より大きい電流を検出することにより光制御位置を決定するステップと、
    前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の第２閾値より大きい電流を検出するステップと
    を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  17. 前記表示装置の領域で光を照射することにより、前記複数の第１感知電極のうち一つの前記一対の第１サブ電極間の前記第１電流の増大及び前記複数の第２感知電極のうち一つの前記一対の第２サブ電極間の前記第２電流の増大を誘発するステップを更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
  18. 前記表示装置は、一つ又は複数の命令を実行するように構成されるプロセッサを更に含み、
    前記方法は、
    前記プロセッサが、前記光制御位置の場所に基づいて複数のプログラムされたコマンドからコマンドを選択コマンドとして選択するステップと、
    前記プロセッサが前記選択コマンドを実行するステップと
    を更に含むことを特徴とする請求項１６記載の方法。
  19. 前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極は、時分割駆動モードで動作されるように構成され、
    前記時分割駆動モードは、タッチ制御モードと、光制御モードとを含み、
    前記方法は、
    前記タッチ制御モード期間において、前記複数の第１感知電極及び前記複数の第２感知電極を介してタッチ信号を送信するステップと、
    前記光制御モード期間において、前記第１電位差を前記複数の第１感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第１感知電極における前記第１電流を一つずつ順次検出し、前記第２電位差を前記複数の第２感知電極に一つずつ順次印加し、前記複数の第２感知電極における前記第２電流を一つずつ順次検出するステップと
    を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
  20. 表示基板の製造方法であって、
    ベース基板上に実質的に第１方向に沿って延在する複数の第１感知電極を含む第１感知層を形成するステップと、
    前記第１感知層から絶縁され且つ実質的に第２方向に沿って延在する複数の第２感知電極を含む第２感知層を形成するステップと
    を含み、
    前記複数の第１感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第１方向に沿って延在する一対の第１サブ電極と、各々が前記一対の第１サブ電極間に介在する複数の第１光伝導ブリッジとを含むように形成され、
    前記複数の第２感知電極の各々は、実質的に互いに平行であり且つ実質的に前記第２方向に沿って延在する一対の第２サブ電極と、各々が前記一対の第２サブ電極間に介在する複数の第２光伝導ブリッジとを含むように形成されることを特徴とする方法。
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