JP6927117B2 - パワーモジュール - Google Patents

Description

本発明は、パワーモジュールに関する。

近年のＳｉＣデバイスを用いるパワーモジュールでは、大電流化に伴ってこれまでより高い温度領域での稼動が想定されている。
従来、半導体素子を保護するためにエポキシ樹脂の封止剤が広く使用されている（例えば、特許文献１）が、高温で半導体装置を稼働させる場合、半導体素子、基材および封止剤であるエポキシ樹脂の線膨張係数がそれぞれ異なることから、半導体デバイス周辺にストレスがかかり、封止剤の剥離が発生し易くなるという問題があった。
さらに、エポキシ樹脂は、防湿性が低く、硬化物が高硬度であるため、半導体素子の封止工程で接着しないことがあり、また、後の工程でも剥離するということが多く見られ、パッケージとしての信頼性の低下を招くという問題があった。

特開２００９−６０１４６号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高温条件におけるエポキシ封止樹脂の剥離が抑制された、信頼性の高いパワーモジュールを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、所定の樹脂組成物からなるプライマーを用いて基盤および封止剤を接着することで、パワーモジュールの高温での耐久性が向上することを見出し、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、
１． パワー半導体デバイスが接合された基盤と、この基盤を封止する封止体とを有し、
前記基盤と封止体とが、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物からなるプライマー層を介して接着され、
前記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物が、
（Ａ１）下記式（１）で表されるラジカル架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂：１００質量部、
Ｅｅ−Ｆｆ−Ｇｇ （１）
｛式（１）中、Ｅ、ＦおよびＧは、ランダムに結合する繰り返し単位であり、Ｅは、式（２）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆは、式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇは、ジアミン由来の２価の基である。ただし、ｆ＋ｅ＋ｇ＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ／（ｅ＋ｇ）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、前記ｅとｇの和を１００とすると前記ｅは１〜９０である。ただし、式（１）の末端は、原料として用いた、テトラカルボン酸二無水物由来の酸無水物基またはジアミノ変性シリコーンもしくはジアミン由来のアミノ基である。

（式（２）中、Ｒ^Aは、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０の２価炭化水素基を表し、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ³およびＲ⁴は、互いに独立して、炭素原子数１〜１０の１価の脂肪族炭化水素基を表すが、Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方は脂肪族不飽和結合を有し、Ｒ⁵およびＲ⁶は、互いに独立して、置換もしくは非置換の、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｍは０〜２０、ｎは１〜２０、ｏは０〜２０、ｍ＋ｎ＋ｏ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｍ、ｎ、ｏが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）
−Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
〔式（３）中、Ｉｍは、環状イミド構造を端に含む環状の基を表し、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（→Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^N−（Ｒ^Nは、炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−ＣＲ^B ₂−（Ｒ^Bは、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−Ｒ^Ar _h−（Ｒ^Arは、炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基を表し、ｈは、１〜６の整数を表す。ｈが２以上のとき、Ｒ^Arは互いに同一でも異なっていてもよい。）、−Ｒ^Ar _h−（ＯＲ^Ar）_i−（Ｒ^Arおよびｈは、前記と同じ意味を表し、ｉは、１〜５の整数を表す。）、炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基、および炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基から選択される２価の基を表す。〕｝
（Ｂｃ）熱分解性ラジカル開始剤：０．１〜１０質量部、
（Ｃ）溶剤：１００〜７００質量部、
（Ｄ）酸化防止剤：０．０１〜１質量部、および
（Ｅ）疎水性フュームドシリカ：３〜５０質量部
を含むことを特徴とするパワーモジュール、
２． パワー半導体デバイスが接合された基盤と、この基盤を封止する封止体とを有し、
前記基盤と封止体とが、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物からなるプライマー層を介して接着され、
前記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物が、
（Ａ２）下記式（１’）で表されるエポキシ硬化型シリコーン変性ポリイミド樹脂：１００質量部、
Ｅ’ｅ’−Ｆ’ｆ’−Ｇ’ｇ’ （１’）
｛式（１’）中、Ｅ’，Ｆ’，Ｇ’はランダムに結合する繰り返し単位であり、Ｅ’は、式（２’）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆ’は、式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇ’は、ジアミン由来の２価の基であり、Ｇ’のうち少なくとも一部にヒドロキシ基を有する芳香族ジアミン由来の２価の基を含む。ただし、ｆ’＋ｅ’＋ｇ’＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ’／（ｅ’＋ｇ’）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、前記ｅ’とｇ’の和を１００とすると前記ｅ’は１〜９０である。ただし、式（１’）の末端は、原料として用いた、テトラカルボン酸二無水物由来の酸無水物基またはジアミノ変性シリコーンもしくはジアミン由来のアミノ基である。

（式（２’）中、Ｒ^Aは、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０の２価炭化水素基を表し、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸は、互いに独立して、置換もしくは非置換の炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｐは１〜２０、ｑは０〜２０、ｐ＋ｑ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｐ、ｑが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）
−Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
〔式（３）中、Ｉｍは、環状イミド構造を端に含む環状の基を表し、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（→Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^N−（Ｒ^Nは、炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−ＣＲ^B ₂−（Ｒ^Bは、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−Ｒ^Ar _h−（Ｒ^Arは、炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基を表し、ｈは、１〜６の整数を表す。ｈが２以上のとき、Ｒ^Arは互いに同一でも異なっていてもよい。）、−Ｒ^Ar _h−（ＯＲ^Ar）_i−（Ｒ^Arおよびｈは、前記と同じ意味を表し、ｉは、１〜５の整数を表す。）、炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基、および炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基から選択される２価の基を表す。〕｝
（Ｂｅ）エポキシ樹脂架橋剤：０．１〜１０質量部、
（Ｃ）溶剤：２５０〜１，２００質量部、
（Ｄ）酸化防止剤：０．０１〜１質量部、および
（Ｅ）疎水性フュームドシリカ：３〜５０質量部
を含むパワーモジュール、
３． 前記Ｉｍが、下記の基から選ばれる１または２のパワーモジュール

（式中、波線を付した線は結合手を示す。窒素原子に結合している結合手は、式（２）ではＥまたはＧに、式（２’）ではＥ’またはＧ’に結合し、他の結合手はＸに結合する。）
を提供する。

本発明のパワーモジュールでは、シリコーン変性ポリイミド樹脂を含む組成物からなるプライマーを用いて基盤と封止体とが接着されているため、線膨張係数の異なる半導体デバイスとエポキシ封止樹脂の間の剥離を防ぐことができ、１７５℃以上という高温での稼動が可能となる。

合成例１で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂の赤外線吸収スペクトル図である。 合成例２で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂の赤外線吸収スペクトル図である。

以下、本発明について具体的に説明する。
本発明に係るパワーモジュールは、パワー半導体デバイスが接合された基盤と、この基盤を封止する封止体とを有し、基盤と封止体とが、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物からなるプライマー層を介して接着されていることを特徴とする。

パワー半導体デバイスの具体例としては、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、ダイオード、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮ系ＦＥＴ（窒化ガリウム電界効果トランジスタ）等の半導体デバイス（パワー半導体チップ）が挙げられる。
基盤の具体例としては、銅基板または銅基板に、金メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ、ニッケル−パラジウム金メッキ、錫メッキ、亜鉛メッキ等の導電性メッキを施した金属フレーム等が好適に使用できる。

封止体に用いられる樹脂としては、エポキシ樹脂が好ましく、例えば、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型アラルキルエポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂組成物、ブタジエン変性エポキシ樹脂等が挙げられる。

本発明において、プライマー層を形成するためのシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物は、シリコーンゴムとの接着性に優れているという点から、下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有するものが好ましい。
（Ａ）シリコーン変性ポリイミド樹脂
（Ｂ）架橋剤または硬化剤
（Ｃ）溶剤
（Ｄ）酸化防止剤
（Ｅ）疎水性フュームドシリカ

（１）（Ａ）成分
（Ａ）成分のシリコーン変性ポリイミド樹脂は、本組成物の主剤（ベースポリマー）であって、（Ａ１）ラジカル架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂と、（Ａ２）エポキシ架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂に分類することができる。

（Ａ１）ラジカル架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂としては、下記式（１）で示される樹脂を好適に用いることができる。
Ｅｅ−Ｆｆ−Ｇｇ （１）

式（１）中、Ｅ、ＦおよびＧは、ランダムに結合する繰り返し単位（ただし、Ｅ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、Ｇ−Ｇ、およびＥ−Ｇで表される隣接単位の組み合わせは除く）であり、Ｅは、下記式（２）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆは、下記式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇは、ジアミン由来の２価の基である。ただし、ｆ＋ｅ＋ｇ＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ／（ｅ＋ｇ）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、ｅとｇの和を１００とするとｅは１〜９０である。

式（２）において、Ｒ^Aは、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０の２価炭化水素基を表し、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ³およびＲ⁴は、互いに独立して炭素原子数１〜１０の１価の脂肪族炭化水素基を表すが、Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方は脂肪族不飽和結合を有し、Ｒ⁵およびＲ⁶は、互いに独立して、置換もしくは非置換の、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｍは０〜２０、ｎは１〜２０、ｏは０〜２０、ｍ＋ｎ＋ｏ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｍ、ｎ、ｏが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。

−Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
式（３）中、Ｉｍは、環状イミド構造を端に含む環状の基を表し、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（→Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^N−（Ｒ^Nは、炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−ＣＲ^B ₂−（Ｒ^Bは、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−Ｒ^Ar _h−（Ｒ^Arは、炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基を表し、ｈは、１〜６の整数を表す。ｈが２以上のとき、Ｒ^Arは互いに同一でも異なっていてもよい。）、−Ｒ^Ar _h−（ＯＲ^Ar）_i−（Ｒ^Arおよびｈは、前記と同じ意味を表し、ｉは、１〜５の整数を表す。）、炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基、および炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基から選択される２価の基を表す。

式（２）において、Ｒ^Aの炭素原子数１〜１０、好ましくは３〜８の２価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、また、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子を含んでもよく、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基、アリーレンアルキレン基等が挙げられるが、アルキレン基が好ましい。
具体的には、メチレン、エチレン、トリメチレン、１，３−ブチレン、テトラメチレン、１，３−ペンチレン、１，４−ペンチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、ノナメチレン、デカメチレン、２−（３−プロポ−１−オキシ）エタ−１−イレン、３−（３−プロポ−１−オキシ）プロパ−１−イレン、４−（３−プロポ−１−オキシ）ブタ−１−イレン、５−（３−プロポ−１−オキシ）ペンタ−１−イレン、６−（３−プロポ−１−オキシ）ヘキサ−１−イレン、１，３−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロヘプチレン、１，４−シクロヘプチレン、Ｎ，Ｎ−ピペリジニレン、１，４−ジオキサシクロヘキサ−２，５−イレン基等が好ましく、入手の容易性からトリメチレン基がより好ましい。

Ｒ¹およびＲ²の炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、デカリル基等が挙げられ、これらの中でも、炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピル基がより好ましく、Ｒ¹およびＲ²がいずれもメチル基またはエチル基がより一層好ましい。
なお、上記アルキル基は、それらの水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよい。

Ｒ³およびＲ⁴の炭素原子数１〜１０の１価の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、デカリル基等の炭素原子数１〜１０のアルキル基；ビニル、１−プロペニル、アリル（２−プロペニル）、イソプロペニル、ヘキセニル、オクテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル基等の炭素原子数２〜１０のアルケニル基などが挙げられるが、これらの中でも、炭素原子数１〜６の１価の脂肪族炭化水素基が好ましく、炭素原子数１〜６のアルキル基または炭素原子数２〜６のアルケニル基がより好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ビニル基がより一層好ましい。
特に、Ｒ³、Ｒ⁴のいずれか一方または双方が炭素原子数２〜６のアルケニル基であることが好ましく、したがって、Ｒ³，Ｒ⁴の組み合わせとしては、メチル基とビニル基、エチル基とビニル基、プロピル基とビニル基、ビニル基とビニル基が好適である。

Ｒ⁵およびＲ⁶の炭素原子数１〜１０のアルキル基の具体例としては、上記Ｒ¹で例示した基と同様のものが挙げられるが、この場合も、炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル、エチル、ｎ−プロピル基がより好ましく、メチル基またはエチル基がより一層好ましい。
また、炭素原子数６〜１０のアリール基は、その水素原子の一部または全部が上述した炭素原子数１〜１０のアルキル基等で置換されていてもよく、芳香環中にヘテロ原子を含んでいてもよい。
その具体例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，３−ジメチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、３，４−ジメチルフェニル、３，５−ジメチルフェニル、２，３，４−トリメチルフェニル、２，３，５−トリメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、インデニル基等が挙げられる。
さらに、炭素原子数７〜１６のアラルキル基も、その水素原子の一部または全部が上述した炭素原子数１〜１０のアルキル基等で置換されていてもよく、芳香環中にヘテロ原子を含んでいてもよい。
その具体例としては、フェニルメチル、２−フェニル−１−エチル、３−フェニル−１−プロピル、フェニルブチル、３−フェニル−１−ペンチル、４−フェニル−１−ペンチル、５−フェニル−１−ペンチル、６−フェニル−１−ヘキシル、７−フェニル−１−ヘプチル、８−フェニル−１−オクチレン、９−フェニル−１−ノニル、１０−フェニル−１−デシル、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−インデニル基等が挙げられる。
これらの中でも、Ｒ³およびＲ⁴としては、メチル基、フェニル基、２−フェニル−１−エチル基、２−フェニル−２−メチル−１−エチル基、３−フェニル−２−プロピル基が好ましい。
特に、Ｒ³、Ｒ⁴の組み合わせとしては、メチル基とフェニル基、メチル基と２−フェニル−１−エチル基、メチル基と２−フェニル−２−メチル−１−エチル基、フェニル基とフェニル基が好適である。

また、式（２）において、ｍは、０〜２０、ｎは、１〜２０、ｏは、０〜２０、かつ、ｍ＋ｎ＋ｏ＝１〜６０を満たす整数を表すが、ｍは、４〜１５の整数が好ましく、ｎは、４〜１０の整数が好ましく、ｏは、０〜５の整数が好ましく、ｎ＋ｏは、１〜４０が好ましく、１〜１０がより好ましく、ｍ＋ｎ＋ｏは、５〜４０が好ましい。

式（２）で表される基の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（式中、Ｐｈはフェニル基を表す。ｍ、ｎ、ｏは上記と同じ意味を表す。括弧内のシロキサン単位の配列はランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）

式（３）において、テトラカルボン酸二無水物由来の環状イミド構造を持つＩｍは、環状イミド構造を端に含む基であり、例えば、下記式から選択される基が挙げられる。

（式中、波線が付された手は結合手を示す（以下、同じ）。なお、窒素原子から出ている結合手以外の環上炭素原子から出ている結合手はＸとの結合に使用される。）

式（３）中、Ｘの−ＮＲ^N−において、Ｒ^Nの炭素原子数１〜１２、好ましくは炭素原子数１〜８の１価炭化水素基は、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、デカリル基等の炭素原子数１〜１２のアルキル基；ビニル、１−プロペニル、アリル（２−プロペニル）、ヘキセニル、オクテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル基等の炭素原子数２〜１２のアルケニル基；フェニル、ナフチル基等の炭素原子数６〜１２のアリール基；トリル、キシリル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル基等の炭素原子数７〜１２のアルキルアリール基；ベンジル、フェネチル基等の炭素原子数７〜１２のアラルキル基などが挙げられるが、特に、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル基等の炭素原子数１〜８の直鎖状のアルキル基や、これらの基の水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された、トリフルオロメチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基が好ましく、メチル基、トリフルオロメチル基がより好ましい。

Ｘの−ＣＲ^B ₂−において、Ｒ^Bのハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基としては、上記Ｒ^Nで例示した１価炭化水素基等が挙げられ、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子等が挙げられるが、中でも、メチル、エチル、ｎ−プロピル、トリフルオロメチル、３，３，３−トリフルオロプロピル、シクロヘキシル基等のフッ素原子で置換されていてもよいアルキル基；フェニル、ナフチル、パーフルオロフェニル基等のフッ素原子で置換されていてもよいアリール基；フェニルエチル、ペンタフルオロフェニルエチル基等のフッ素原子で置換されていてもよいアラルキル基が好ましい。
特に、Ｒ^Bとしては、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基、フェニル基が好適である。

Ｘの−Ｒ^Ar _h−において、Ｒ^Arの炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基の具体例としては、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン基等が挙げられる。なお、Ｒ^Arのアリーレン基は、その水素原子の一部が、水酸基、スルフィド基、２，３−オキソ−１−プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、シアノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、フッ素原子等で置換されていてもよい。
また、ｈは１〜６の整数である。
好適なＲ^Arとしては、下記で示される基が挙げられる。

（式中、ｓｕｂは水素原子、または水酸基、スルフィド基、２，３−オキソ−１−プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｔ−ブチル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、シアノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、およびフッ素原子から選択される置換基を表し、置換数は１〜４個の範囲内である。）

Ｘの−Ｒ^Ar _h（ＯＲ^Ar）_i−において、Ｒ^Arとｈは上記と同様の意味を表し、ｉは１〜５の整数を表す。
−Ｒ^Ar _h（ＯＲ^Ar）_iの具体例としては、下記のような基が挙げられる。下記式において、−Ｏ−はどの位置に結合されていてもよく、結合数も１〜４個の範囲内である。

Ｘの炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基および炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基の具体例としては、メチレン、エチレン、トリメチレン、１，３−ブチレン、テトラメチレン、１，３−ペンチレン、１，４−ペンチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、ヘプタメチレン、オクタメチレン、ノナメチレン、デカメチレン、１，３−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロヘプチレン、１，４−シクロヘプチレン基等が挙げられる。
炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基の具体例としては、２−（４−（２−エタ−１−イレン）−１−フェニレン）エタ−１−イレン基等が挙げられる。

上記式（１）中のＧで表されるジアミン由来の２価の基は、特に限定されるものではないが、本発明では耐熱性により優れるジアミン由来の２価の基が好ましい。
そのような２価の基を与えるジアミンの具体例としては、テトラメチレンジアミン、１，４−ジアミノシクロヘキサン、４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン等の脂肪族ジアミン；ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン等の芳香族ジアミンなどが挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

上記式（１）で示されるシリコーン変性ポリイミド樹脂は、末端が酸無水物により封鎖されていることが好ましい。
また、ｆ＋ｅ＋ｇのｍｏｌの和が１００ｍｏｌ％で、ｆ／（ｅ＋ｇ）のｍｏｌ比が０．９〜１．１であるが、適度な分子量を維持するために、ｆ／（ｅ＋ｇ）のｍｏｌ比は０．９５〜１．０５が好ましく、０．９８〜１．０２がより好ましい。
さらに、ｅとｇの和を１００とするとｅは１〜９０であるが、防湿性を考慮すると２０〜５０が好ましい。

一方、（Ａ２）エポキシ硬化型シリコーン変性ポリイミド樹脂としては、下記式（１’）で示される樹脂を好適に用いることができる。
Ｅ’ｅ’−Ｆ’ｆ’−Ｇ’ｇ’ （１’）

式（１’）において、Ｅ’，Ｆ’，Ｇ’はランダムに結合する繰り返し単位であり、Ｅ’は、下記式（２’）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆ’は、下記式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇ’は、ジアミン由来の２価の基であり、Ｇ’のうち少なくとも一部にヒドロキシ基を有する芳香族ジアミン由来の２価の基を含む。ただし、ｆ’＋ｅ’＋ｇ’＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ’／（ｅ’＋ｇ’）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、ｅ’とｇ’の和を１００とするとｅ’は１〜９０である。

式（２’）において、Ｒ^A、Ｒ¹およびＲ²は、上記式（２）と同じ意味を表し、その具体例および好適例も上記式（２）と同様である。Ｒ⁷およびＲ⁸は、互いに独立して、置換もしくは非置換の炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｐは１〜２０、ｑは０〜２０、ｐ＋ｑ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｐ、ｑが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。

−Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
式（３）において、ＩｍおよびＸは、上記と同じ意味を表し、それらの具体例および好適例も上記と同様である。

Ｒ⁷およびＲ⁸の炭素原子数６〜１０のアリール基および炭素原子数７〜１６のアラルキル基の具体例としては、上記Ｒ⁵およびＲ⁶で例示した基と同様のものが挙げられるが、フェニル基、２−フェニル−１−エチル基、３−フェニル−２−プロピル基が好ましく、また、Ｒ⁷、Ｒ⁸が同一の基が好適である。

式（２’）で表される基の具体例としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（式中、Ｐｈはフェニル基を表す。ｐ、ｑは上記と同じ意味を表す。括弧内のシロキサン単位の配列はランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）

上記式（１’）中のＧ’で表されるジアミン由来の２価の基も、特に限定されるものではないが、耐熱性により優れるジアミン由来の２価の基が好ましい。
上記式（１’）中のＧ’であるジアミン由来の２価の基は、少なくとも一部にヒドロキシ基を有する芳香族ジアミン由来の残基を含む。
ヒドロキシ基を有する芳香族ジアミンの具体例としては、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジヒドロキシベンジジン、ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）スルフォン等が挙げられ、これらはそれぞれ単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
また、ヒドロキシ基を有しないジアミンも併用でき、そのようなジアミンの具体例としては、上記Ｇで例示したとおりである。

（Ａ１）および（Ａ２）の各シリコーン変性ポリイミド樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるものではないが、当該樹脂を含む組成物から得られる皮膜の強度を高めるとともに、熱分解性ラジカル開始剤等の他成分との相溶性や溶剤への溶解性を高めることを考慮すると、１０，０００〜１００，０００が好ましく、１５，０００〜７０，０００がより好ましい。
なお、本発明における重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略すこともある）によるポリスチレン換算値である（以下、同じ）。

（Ａ１）および（Ａ２）の各シリコーン変性ポリイミド樹脂は、公知の方法で製造することができる。
例えば、まず、テトラカルボン酸二無水物、ジアミンおよび上記式（２）または（２’）で表される化合物の両末端にそれぞれアミノ基が結合したジアミノ変性シリコーンを溶剤中に仕込み、低温、即ち２０〜５０℃程度で反応させて、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミック酸を製造する。次に、得られたポリアミック酸の溶液を、好ましくは８０〜２００℃、より好ましくは１４０〜１８０℃の温度に昇温し、ポリアミック酸の酸アミドを脱水閉環反応させることにより、シリコーン変性ポリイミド樹脂の溶液を得、この溶液を水、メタノール、エタノール、アセトニトリル等の溶剤に投入して沈殿させ、沈殿物を乾燥することにより、シリコーン変性ポリイミド樹脂を得ることができる。

なお、上記ｆ／（ｅ＋ｇ）は、原料の物質量から換算した、テトラカルボン酸二無水物のモル数に対するジアミンおよびジアミノ変性シリコーンのモル数の合計の割合（モル比）であり、反応に際して、［テトラカルボン酸二無水物（モル）／（ジアミン＋ジアミノ変性シリコーン（モル））］を、通常０．９〜１．１、好ましくは０．９５〜１．０５、より好ましくは０．９８〜１．０２の範囲に調節する。

（Ａ１）および（Ａ２）の各シリコーン変性ポリイミド樹脂の製造に使用できる溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。また、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を併用し、イミド化の際に生成する水を共沸により除去しやすくすることも可能である。これらの溶剤は、単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

なお、シリコーン変性ポリイミド樹脂の分子量を調整するために、無水フタル酸、無水マレイン酸、ヘキサヒドロ−１，３−イソベンゾフランジオン、無水コハク酸、グルタル酸無水物、ケイ素数が１０〜６０の酸無水物変性シリコーン等の酸無水物や、アニリン、ベンジルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン等の炭素原子数３〜６の直鎖状、分岐状または環状アルキルアミン等のアミン化合物の一官能性原料を添加することも可能である。
また、アルデヒド化合物として、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチロアルデヒド等の炭素原子数２〜６のアルキルを含むアルデヒド化合物を添加することもできる。
この場合の添加量は、原料の酸無水物に対し、目的の分子量に合わせ、１〜１０モル％の範囲で使用することが好ましい。

また、イミド化過程において、脱水剤およびイミド化触媒を添加し、必要に応じて５０℃前後に加熱してイミド化させる方法を用いてもよい。
上記脱水剤の具体例としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水ピバル酸、無水トリフルオロ酢酸、無水安息香酸等の酸無水物が挙げられる。脱水剤の使用量は、ジアミン１モルに対して１〜１０モルとするのが好ましい。
イミド化触媒の具体例としては、トリエチルアミン（Ｅｔ₃Ｎ）、ジイソプロピルエチルアミン（ＤＩＰＥＡ）、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−へプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルピペラジン、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、Ｎ−メチルイミダゾール（ＮＭＩ）、ピリジン、２，６−ルチジン、１，３，５−コリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン、ピラジン、キノリン、１，８−ジアザビシクロ−［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，４−ジアザビシクロ−［２，２，２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等の第３級アミンが挙げられる。イミド化触媒の使用量は、使用する脱水剤１モルに対して０．５〜１０モルとするのが好ましい。
本イミド化手法は工程中で反応液が高温にさらされることが無く、得られる樹脂が着色しにくいという点で有効である。

ジアミンおよびテトラカルボン酸二無水物の少なくとも一方を複数種使用する場合も、反応方法は特に限定されるものではなく、例えば、原料を予め全て混合した後に共重縮合させる方法や、用いる２種以上のジアミンまたはテトラカルボン酸二無水物を個別に反応させながら順次添加する方法等を採用できる。

（２）（Ｂ）成分
本発明では、（Ａ１）ラジカル架橋型樹脂シリコーン変性ポリイミド樹脂では、（Ｂ）成分として（Ｂｃ）熱分解性ラジカル開始剤を用い、（Ａ２）エポキシ架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂では、（Ｂ）成分として（Ｂｅ）エポキシ樹脂架橋剤を用いる。

（Ｂｃ）熱分解性ラジカル開始剤としては、熱でラジカルを発生して樹脂を重合させて硬化物を形成し得るものであれば特に限定されるものではなく、アゾ化合物や有機過酸化物を用いることができる。

アゾ化合物（有機アゾ系化合物）としては、和光純薬工業（株）製のＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０、Ｖ−５０１、Ｖ−６０１等のアゾニトリル化合物類；ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１等のアゾアミド化合物類；ＶＡ−０４４、ＶＡ−０６１等の環状アゾアミジン化合物類；Ｖ−５０、ＶＡ−０５７等のアゾアミジン化合物類；２，２−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）、２，２−アゾビス（２，４−ジメチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カーボニトリル）、１−［（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ］ホルムアミド、２，２−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシブチル）プロピオンアミド］、２，２−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジスルフェートジヒドレート、２，２−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン−２−イル］プロパン｝ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］、２，２−アゾビス（１−イミノ−１−ピロリジノ−２−メチルプロパン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）ジヒドロクロリド、２，２−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシエチル）−２−メチルプロピオンアミジン］テトラヒドレート、ジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、４，４−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、２，２−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられ、これらの中でもＶ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０、ＶＡ−０８０、ＶＡ−０８５、ＶＡ−０８６、ＶＦ−０９６、ＶＡｍ−１１０、ＶＡｍ−１１１が好ましく、Ｖ−３０、Ｖ−４０、Ｖ−５９、Ｖ−６０、Ｖ−６５、Ｖ−７０がより好ましい。

有機過酸化物としては、日本油脂（株）製のパーヘキサＨ等のケトンパーオキサイド類；パーヘキサＴＭＨ等のパーオキシケタール類；パーブチルＨ−６９等のハイドロパーオキサイド類；パークミルＤ、パーブチルＣ、パーブチルＤ、パーブチルＯ等のジアルキルパーオキサイド類；ナイパーＢＷ等のジアシルパーオキサイド類；パーブチルＺ、パーブチルＬ等のパーオキシエステル類；パーロイルＴＣＰ等のパーオキシジカーボネート類；ジイソブチリルパーオキサイド、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジコハク酸パーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（４−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ジ（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ベンゾイル（３−メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ジ［４，４−ジ−（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキシル］プロパン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシバレレート、ジ（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ヘキシルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｐ−メタンヒドロパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン−３−イン、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、ｔ−ブチルヒドロパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｏ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン、２，４，４−トリメチルペンチルパーオキシネオデカノエート、α−クミルパーオキシネオデカノエート、ｔ−アミルパーオキシ２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、１，６−ビス（ｔ−ブチルパーオキシカルボニルオキシ）ヘキサン、ジエチレングリコールビス（ｔ−ブチルパーオキシカーボネート）、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエートや、化薬アクゾ（株）製のトリゴノックス３６−Ｃ７５、ラウロックス、パーカドックスＬ−Ｗ７５、パーカドックスＣＨ−５０Ｌ、トリゴノックスＴＭＢＨ、カヤクメンＨ、カヤブチルＨ−７０、パーカドックスＢＣ−ＦＦ、カヤヘキサＡＤ、パーカドックス１４、カヤブチルＣ、カヤブチルＤ、パーカドックス１２−ＸＬ２５、トリゴノックス２２−Ｎ７０（２２−７０Ｅ）、トリゴノックスＤ−Ｔ５０、トリゴノックス４２３−Ｃ７０、カヤエステルＣＮＤ−Ｃ７０、トリゴノックス２３−Ｃ７０、トリゴノックス２５７−Ｃ７０、カヤエステルＰ−７０、カヤエステルＴＭＰＯ−７０、トリゴノックス１２１、カヤエステルＯ、カヤエステルＨＴＰ−６５Ｗ、カヤエステルＡＮ、トリゴノックス４２、トリゴノックスＦ−Ｃ５０、カヤブチルＢ、カヤカルボンＥＨ、カヤカルボンＩ−２０、カヤカルボンＢＩＣ−７５、トリゴノックス１１７、カヤレン６−７０等が挙げられる。
なお、上述した硬化剤は、単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

（Ｂｃ）成分の配合量は、（Ａ１）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であるが、好ましくは１〜５質量部である。配合量が０．１質量部未満であると硬化性が不十分となり、１０質量部を超えると開始剤由来のアウトガスが多量に発生し、硬化収縮が起こったり、想定より樹脂が硬く、高弾性率になったりする。

一方、（Ｂｅ）エポキシ樹脂架橋剤としては、Ｇ’中のヒドロキシ基を有する芳香族ジアミン由来の２価の基に含まれるヒドロキシ基と熱架橋反応して硬化物を形成し得るものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡエピクロルヒドリン型のエポキシ系樹脂、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、エチレンジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノエチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン等や、市販品である、商品名「ｊＥＲ」（三菱ケミカル（株）製）等が挙げられ、これらは、単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

（Ｂｅ）成分の配合量は、（Ａ２）成分１００質量部に対して、０．１〜１０質量部であるが、好ましくは１〜５質量部である。配合量が０．１質量部未満であると硬化性が不十分となり、１０質量部を超えると架橋剤由来のアウトガスが多量に発生し、硬化収縮が起こったり、想定より樹脂が硬く、高弾性率になったりする。

（３）（Ｃ）成分
本発明の（Ｃ）成分である溶剤は、組成物の粘度を下げ、基板などへの塗布性や、作業性を改善するために用いられる。
溶剤の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；ジオキサン、ジオキソラン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、１，２−ビス（２−メトキシエトキシ）エタン、ビス−２−（２−メトキシエトキシ）エチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶剤；酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、γ−バレロラクトン、（株）ダイセル製のセルトールシリーズの３−メトキシブチルアセテート（ＭＢＡ）、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ＢＭＧＡＣ）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＥＤＧＡＣ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ＢＤＧＡＣ）、シクロヘキサノールアセテート（ＣＨＸＡ）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＭ）、ジプロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル（ＤＰＭＮＰ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＭＡ）、１，４−ブタンジオールジアセテート（１，４−ＢＤＤＡ）、１，３−ブチレングリコールアセテート（１，３−ＢＧＤＡ）、１，６−ヘキサンジオールジアセテート（１，６−ＨＤＤＡ）等のエステル系溶剤；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタム、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等のアミド系溶剤などの有機溶剤が挙げられ、これらは単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。
（Ｃ）溶剤は、（Ａ１）および（Ａ２）のシリコーン変性ポリイミド樹脂の溶解性を損なわない範囲で用いることができ、通常、（Ａ１）または（Ａ２）のシリコーン変性ポリイミド樹脂に対し、１００〜７００質量部で用いることができる。

（４）（Ｄ）成分
本発明の（Ｄ）成分である酸化防止剤は、得られる硬化物の耐熱性を改善させる目的で添加される成分であり、フェノール化合物系酸化防止剤、有機硫黄化合物系酸化防止剤、アミン化合物系酸化防止剤、リン化合物系酸化防止剤等の従来公知の酸化防止剤から適宜選択して用いることができる。
フェノール化合物系酸化防止剤の具体例としては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、ｎ−オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’−メチレンビス−（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、３，９−ビス［２−〔３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、４，４’−ブチリデンビス−（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオンアミド］、イソオクチル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、４，６−ビス（ドデシルチオメチル）−ｏ−クレゾール、ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル）カルシウム、２，４−ビス［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２−［１−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ペンチルフェニル）エチル］−４，６−ジ−ｔ−ペンチルフェニルアクリレート、２，２’−メチレンビス−（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート］、トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、ジエチル［〔３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル〕メチル］ホスホネート、２，５，７，８−テトラメチル−２（４’，８’，１２’−トリメチルトリデシル）クロマン−６−オール、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。
なお、フェノール化合物系酸化防止剤では、フェノール水酸基に加え、以下の例示と重複するが、リン原子、硫黄原子、アミンのいずれかを少なくとも一つ以上同一分子中に含む化合物も列挙した。

有機硫黄化合物系酸化防止剤の具体例としては、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリチルテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオネート、２−メルカプトベンズイミダゾール、４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、４，６−ビス（ドデシルチオメチル）−ｏ−クレゾール、２，４−ビス［（オクチルチオ）メチル］−ｏ−クレゾール、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。
アミン化合物系酸化防止剤の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジアリル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、オクチル化ジフェニルアミン、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン等が挙げられる。
リン化合物系酸化防止剤の具体例としては、トリスノニルフェニルフォスファイト、トリフェニルフォスファイト、ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホン酸エチル）カルシウム、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、ジエチル［〔３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシフェニル〕メチル］ホスホネート等が挙げられる。

また、酸化防止剤としては、各種市販品を用いることもでき、そのような市販品としては、例えば、（株）アデカ製のアデカスタブＡＯ−６０、アデカスタブＡＯ−５０、アデカスタブＡＯ−８０、アデカスタブＡＯ−３３０、アデカスタブＬＡ−５２、アデカスタブＬＡ−５７、アデカスタブＬＡ−６３Ｐ、アデカスタブＬＡ−６８、アデカスタブＬＡ−７２、アデカスタブＬＡ−７７Ｙ、アデカスタブＬＡ−７７Ｇ、アデカスタブＬＡ−８１、アデカスタブＬＡ−８２、アデカスタブＬＡ−８７、アデカスタブＬＡ−４０２ＡＦ、アデカスタブＬＡ−５０２ＸＰ、アデカスタブ２１１２；ビーエーエスエフ（ＢＡＳＦ）ジャパン（株）製のイルガノックス１０１０、イルガノックス１０１０ＦＦ、イルガノックス１０３５、イルガノックス１０３５ＦＦ、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０７６ＦＦ、イルガノックス１０９８、イルガノックス１１３５、イルガノックス１３３０、イルガノックス１７２６、イルガノックス１４２５ＷＬ、イルガノックス１５２０Ｌ、イルガノックス２４５、イルガノックス２４５ＦＦ、イルガノックス２５９、イルガノックス３１１４、イルガノックス５０５７、イルガノックス５６５、イルガフォス１６８；住友化学（株）製スミライザー ＧＡ−８０、スミライザー ＭＤＰ−Ｓ、スミライザー ＷＸ−Ｒ、スミライザー ＷＸ−ＲＣ、スミライザー ＴＰ−Ｄ；住化ケムテックス（株）製Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ ＢＢＭ−Ｓ等が挙げられる。
以上で示した各酸化防止剤は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ１）または（Ａ２）のシリコーン変性ポリイミド樹脂１００質量部に対して、０．０１〜１質量部であり、０．０１質量部未満では耐熱性改善の効果が乏しく、１質量部より多いと、高温時のアウトガスが多くなる。

（５）（Ｅ）成分
（Ｅ）成分の疎水性フュームドシリカは、液ダレの防止、塗布時の気泡の入り込みならびにムラの防止、成形性の維持、チキソ性の付与、および硬化物の低弾性率化等の目的で添加される任意成分である。
特に、調製時のシリカの沈降を防止して、上記各効果を効率的に発揮させるためには、嵩密度が１ｇ／ｍＬ未満であることが好ましい。
また、フュームドシリカの平均一次粒子径は１〜１００ｎｍが好ましい。平均一次粒子径がこの範囲内であると、シリコーン変性ポリイミド含有組成物の硬化物のフュームドシリカによる光散乱が抑えられるため、硬化物の透明性を損なうことがない。なお、この平均粒子径は、レーザー光回折法等の分析手段を使用した粒度分布計により、体積基準の粒度分布におけるメジアン径（ｄ５０）として求めることができる。
さらに、フュームドシリカのＢＥＴ比表面積は、１００〜３００ｍ²／ｇが好ましい。

（Ｅ）成分の疎水性フュームドシリカは、ハロゲン化珪素を酸素−水素炎中で加水分解して作られる乾式シリカが好ましい。
疎水性フュームドシリカは、市販品を用いてもよい。市販品の具体例としては、ヘキサメチルジシラザンで表面処理された疎水性乾式シリカ（比表面積１６０ｍ²／ｇ、吸着炭素量３．０質量％、嵩密度０．１４ｍｇ／Ｌ、日本アエロジル（株）製、商品名：ＡＥＲＯＳＩＬ Ｒ８２００）、ヘキサメチルジシラザンで表面処理された疎水性乾式シリカ（比表面積１４０ｍ²／ｇ、吸着炭素量２．３質量％、嵩密度０．０５ｇ／ｍＬ、日本アエロジル（株）製、商品名：ＲＸ２００）、表面処理された疎水性乾式フュームドシリカ（比表面積１９０ｍ²／ｇ、嵩密度０．０５ｇ／ｍＬ、平均一次粒子径１５ｎｍ、（株）トクヤマ製、商品名：レオロシールＤＭ−１０）、表面処理された疎水性乾式フュームドシリカ（比表面積２３０ｍ²／ｇ、嵩密度０．０５ｇ／ｍＬ、平均一次粒子径７ｎｍ、（株）トクヤマ製、商品名：レオロシールＤＭ−３０）、表面処理された疎水性乾式フュームドシリカ（比表面積２３０ｍ²／ｇ、嵩密度０．０５ｇ／ｍＬ、平均一次粒子径７ｎｍ、（株）トクヤマ製、商品名：レオロシールＤＭ−３０Ｓ）、表面処理された疎水性乾式フュームドシリカ（比表面積２３０ｍ²／ｇ、嵩密度０．０５ｇ／ｍＬ、平均一次粒子径７ｎｍ、（株）トクヤマ製、商品名：レオロシールＤＭ−３０Ｓ）、商品名「レオロシールＨＭ２０Ｓ」（（株）トクヤマ製、平均一次粒子径１２ｎｍ）、商品名「レオロシールＨＭ３０Ｓ」（（株）トクヤマ製、平均一次粒子径７ｎｍ）、商品名「レオロシールＨＭ４０Ｓ」（（株）トクヤマ製、平均一次粒子径７ｎｍ）、商品名「レオロシールＺＤ３０Ｓ」（（株）トクヤマ製、平均一次粒子径７ｎｍ）等が挙げられる。

（Ｅ）成分の添加量は、好ましくは（Ａ）成分の１００質量部に対して、３〜５０質量部であり、より好ましくは３〜３０質量部、より一層好ましくは３〜２０質量部である。このような範囲であれば、増粘性、チキソ性、流動性を有し、作業性に優れた組成物とすることができる。

本発明で用いるシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物は、疎水性ヒュームドシリカの添加量を調整することで、塗布方法に応じた好適な粘度に調整することができる。
例えば、ディスペンサーで塗布する場合や、ディッピングを使用する場合は、粘度５００〜１０，０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）程度が好ましく、スクリーン印刷等では液垂れが起こりにくい粘度１０，０００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ（２５℃）が好ましい。
ただし、塗布装置等により使用可能な粘度は異なるため、上記の粘度に限定されるものではない。

本発明で用いるシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物は、例えば、シリコーン変性ポリイミド樹脂（Ａ）と酸化防止剤（Ｄ）を溶剤（Ｃ）で溶解し、シリコーン変性ポリイミド樹脂溶液を調製した後、このシリコーン変性ポリイミド樹脂溶液に（Ｅ）疎水性フュームドシリカを添加して撹拌混合し、均一に分散させ、そこに（Ｂｃ）熱分解性ラジカル開始剤または（Ｂｅ）エポキシ樹脂架橋剤を混合して得ることができる。

上記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物は、電子材料、光学材料および車載機器用途の半導体デバイスに利用できる。中でも、エポキシ封止樹脂で封止するような高信頼性・高耐熱性が必要な半導体デバイス、特に、パワーモジュールに好適である。

本発明のパワーモジュールの製造方法としては、まず、ハンダ等のダイアタッチ材を介してパワー半導体デバイスをダイボンドし、必要に応じてアルミワイヤー等でワイヤーボンディングした基盤を用意する。その後、上記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物からなるプライマーを基盤に塗布し、加熱して硬化させる。この場合の硬化条件としては、特に限定されるものではないが、硬化温度が、好ましくは４０℃〜２００℃、より好ましくは５０℃〜１５０℃、硬化時間が、好ましくは１分〜１８０分、より好ましくは１０分〜１２０分である。
続いて、基盤におけるシリコーン変性ポリイミド樹脂の塗布面に対し、エポキシ樹脂等の封止樹脂をモールディングして封止体を形成することでパワーモジュールが得られる。
なお、パワーモジュールの設計に応じて、基盤の一部についてプライマーの塗布を行わない面を設けてもよい。また、プライマーは、基盤表面だけでなく、半導体デバイス、アルミワイヤーの表面にも塗布することが好ましい。

以下、合成例、製造例、実施例および比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
また、本実施例において、分子量測定は、東ソー（株）製ＧＰＣ装置ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣを用い、移動相としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を使用し、ポリスチレン換算で行った。赤外線吸収スペクトル（ＩＲ）測定には、ＮＩＣＯＬＥＴ６７００（サーモフィッシャーサイエンティフィック（株）製）を使用した。ガラス転移点測定には、（株）日立ハイテクサイエンス製ＤＭＳ７１００を使用し、ｔａｎδが最大になったときの温度をガラス転移点とした。２５℃における粘度は、回転粘度計により測定した。
なお、下記例で「部」は質量部を示す。

また、以下において、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物の密着性、貯蔵弾性率は以下の手法にて測定した。
（１）密着性
シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物をガラス板（松浪硝子工業（株）製）上に塗布し、５０℃３０分、１００℃５０分、１５０℃１２０分の順で熱硬化させて硬化皮膜を得た。
この皮膜の密着性を碁盤目剥離試験（ＪＩＳ Ｋ５４００）の方法で評価し、１００マス中に残存したマス目の数Ｘを（Ｘ／１００）で示した。
（２）貯蔵弾性率
シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物をフッ素系コーティングが施された鉄板上に塗布し、５０℃３０分、１００℃６０分、１５０℃１２０分の順で熱硬化させて厚さ０．３ｍｍのシートを作製した。このシートについて、（株）日立ハイテクサイエンス製ＤＭＳ７１００を使用し、貯蔵弾性率を測定した。

［１］シリコーン変性ポリイミド樹脂の合成
［合成例１］
撹拌羽、温度計および窒素導入管を備えた反応容器に、２，２−ビス（３，４−アンハイドロジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４４．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、４，４’−（４，４’−イソプロピルジエンジフェニル−１，１’−ジイルジオキシ）ジアニリン〔２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン〕１２．３ｇ（０．０３ｍｏｌ）、無水フタル酸１．４８ｇ（０．０１ｍｏｌ）、およびシクロヘキサノン３３６ｇを仕込み、２５℃で２時間撹拌後、式（ｉ）で表されるジアミノ変性シリコーン１１２．０ｇ（０．０７ｍｏｌ）を２５℃にて滴下し、滴下終了後、２５℃にて１２時間撹拌を行った。次に、反応容器に、トルエン３７ｇを添加し、１４５℃にて共沸脱水を行った。得られた反応溶液をメタノールに滴下して再沈殿を行い、シロキサン量が６６質量％のシリコーン変性ポリイミド樹脂を得た。
ＧＰＣによるこの樹脂の重量平均分子量は２７，０００であった。図１に、この樹脂の赤外線吸光スペクトルを示す。図１に示されるように、赤外線吸光スペクトルにおいて未反応のポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１，７８０ｃｍ^-1および１，７２０ｃｍ^-1にイミド基の吸収が確認された。

（式中、括弧内のシロキサン単位の配列順は不定である。）

［合成例２］
撹拌羽、温度計および窒素導入管を備えた反応容器に、２，２−ビス（３，４−アンハイドロジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン４４．４ｇ（０．１ｍｏｌ）、４，４’−（４，４’−イソプロピルジエンジフェニル−１，１’−ジイルジオキシ）ジアニリン〔２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン〕１２．３ｇ（０．０３ｍｏｌ）、３，３’−ジヒドロキシベンジジン４．３ｇ（０．０２ｍｏｌ）、無水フタル酸０．１５ｇ（０．００１ｍｏｌ）、およびシクロヘキサノン２２９ｇを仕込み、２５℃で２時間撹拌後、式（ｉｉ）で表されるジアミノ変性シリコーン４１．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）を２５℃にて滴下し、滴下終了後、２５℃にて１２時間撹拌を行った。次に、反応容器に、トルエン２３ｇを添加し、１４５℃にて共沸脱水を行った。得られた反応溶液をメタノールに滴下して再沈殿を行い、シロキサン量が４５質量％のシリコーン変性ポリイミド樹脂を得た。
ＧＰＣによるこの樹脂の重量平均分子量は２４，５００であった。図２に、この樹脂の赤外線吸光スペクトルを示す。図２に示されるように、赤外線吸光スペクトルにおいて未反応のポリアミック酸に基づく吸収は観測されず、１，７８０ｃｍ^-1および１，７２０ｃｍ^-1にイミド基の吸収が確認された。

［２］シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物および硬化物の製造
［製造例１］
合成例１で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂１００部に対し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡ）２３６部を加えて撹拌・溶解し、溶解物を得た。この溶解物にレオロシールＤＭ−３０Ｓ（（株）トクヤマ製）６部とアデカスタブＬＡ−７７Ｙ（（株）アデカ製）０．１部を添加して撹拌した後、カヤレン６−７０（化薬アクゾ（株）製）１部を添加し、混合撹拌してシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物を得た。本組成物の２５℃の粘度は９００ｍＰａ・ｓであった。
本組成物から得られる硬化物の密着性（碁盤目剥離試験、膜厚０．２３ｍｍ）は１００／１００、貯蔵弾性率は８０ＭＰａ、ガラス転移点は１１１℃であった。

［製造例２］
合成例２で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂１００部に対し、ＰＧＭＥＡ２３６部を加えて撹拌・溶解し、溶解物を得た。この溶解物に、レオロシールＤＭ−３０Ｓ（（株）トクヤマ製）６部とアデカスタブＬＡ−７７Ｙ（（株）アデカ製）０．１部を添加して撹拌した後、ｊＥＲ６３０ＬＳＤ（三菱ケミカル（株）製）５部を添加し、混合撹拌してシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物を得た。本組成物の２５℃の粘度は３０００ｍＰａ・ｓであった。
本組成物から得られる硬化物の密着性（碁盤目剥離試験、膜厚０．０８ｍｍ）は１００／１００、貯蔵弾性率は２７０ＭＰａ、ガラス転移点は１６８℃であった。

［３］パワーモジュールの作製
［実施例１］
ニッケルメッキされたＴＯ−２４７型のリードフレームに、ハンダを介してショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）チップをダイボンドし、アルミワイヤーでワイヤーボンディングを行った基盤を用意した。
その後、製造例１で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物からなるプライマーを、上記基盤、ＳＢＤチップ、アルミワイヤーおよびセカンドボンドに塗布し、５０℃３０分、１００℃５０分、１５０℃１２０分の順で加熱硬化させてプライマー層を形成した。
続いて、プライマー層表面に対し、エポキシ封止樹脂（パナソニック（株）製、ＣＶ８５４０）を１７５℃、９０秒、９ＭＰａ、１．５ｍｍ厚の条件でトランスファー成形（Ｇ−ＬＩＮＥプレス アピックヤマダ（株）製）し、パワーモジュールを作製した。

［実施例２］
シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物を、製造例２で得られたシリコーン変性ポリイミド樹脂組成物に変更した以外は、実施例１と同様の方法でパワーモジュールを作製した。

［比較例１］
シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物を使用しなかった以外は、実施例１と同様の方法でパワーモジュールを作製した。

〔吸湿リフロー試験〕
上記実施例および比較例で作製したパワーモジュールについて、ＪＥＤＥＣ（Ｊｏｉｎｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｃｏｕｎｃｉｌ）規格のＭＳＬ（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ Ｌｅｖｅｌ）のレベル１に準拠し、吸湿リフロー試験を行った。
試験条件としては、１２５℃で２４時間後、温度８５℃かつ湿度８５％で１６８時間吸湿を行った後、１５分以降４時間以内にハンダリフロー（２６０℃、３分）三回を行う一連の工程を採用した。
試験前後のパワーモジュールについて、超音波診断装置（（株）日立パワーソリューションズ製）による評価を実施し、剥離が見られなかった場合を○（合格）、剥離が観察された場合を×（不合格）とした。結果を表１に示す。

〔耐熱試験〕
上記実施例および比較例で作製したパワーモジュールについて、１７５℃、５００時間の条件で耐熱試験を行った。
試験前後のパワーモジュールについて、超音波診断装置（（株）日立パワーソリューションズ製）による評価を実施し、剥離が見られなかったものを○（合格）、剥離が観察されたものを×（不合格）とした。結果を併せて表１に示す。

表１に示されるように、実施例１，２のパワーモジュールでは、各試験後に、エポキシ樹脂封止体が剥離することなく、高温での耐久性に優れていることがわかる。

Claims (3)

1. パワー半導体デバイスが接合された基盤と、この基盤を封止する封止体とを有し、
   前記基盤と封止体とが、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物からなるプライマー層を介して接着され、
   前記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物が、
   （Ａ１）下記式（１）で表されるラジカル架橋型シリコーン変性ポリイミド樹脂：１００質量部、
   Ｅｅ−Ｆｆ−Ｇｇ （１）
   ｛式（１）中、Ｅ、ＦおよびＧは、ランダムに結合する繰り返し単位であり、Ｅは、式（２）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆは、式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇは、ジアミン由来の２価の基である。ただし、ｆ＋ｅ＋ｇ＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ／（ｅ＋ｇ）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、前記ｅとｇの和を１００とすると前記ｅは１〜９０である。ただし、式（１）の末端は、原料として用いた、テトラカルボン酸二無水物由来の酸無水物基またはジアミノ変性シリコーンもしくはジアミン由来のアミノ基である。
   

   

   （式（２）中、Ｒ^Aは、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０の２価炭化水素基を表し、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ³およびＲ⁴は、互いに独立して、炭素原子数１〜１０の１価の脂肪族炭化水素基を表すが、Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方は脂肪族不飽和結合を有し、Ｒ⁵およびＲ⁶は、互いに独立して、置換もしくは非置換の、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｍは０〜２０、ｎは１〜２０、ｏは０〜２０、ｍ＋ｎ＋ｏ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｍ、ｎ、ｏが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）
   −Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
   〔式（３）中、Ｉｍは、環状イミド構造を端に含む環状の基を表し、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（→Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^N−（Ｒ^Nは、炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−ＣＲ^B ₂−（Ｒ^Bは、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−Ｒ^Ar _h−（Ｒ^Arは、炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基を表し、ｈは、１〜６の整数を表す。ｈが２以上のとき、Ｒ^Arは互いに同一でも異なっていてもよい。）、−Ｒ^Ar _h−（ＯＲ^Ar）_i−（Ｒ^Arおよびｈは、前記と同じ意味を表し、ｉは、１〜５の整数を表す。）、炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基、および炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基から選択される２価の基を表す。〕｝
   （Ｂｃ）熱分解性ラジカル開始剤：０．１〜１０質量部、
   （Ｃ）溶剤：１００〜７００質量部、
   （Ｄ）酸化防止剤：０．０１〜１質量部、および
   （Ｅ）疎水性フュームドシリカ：３〜５０質量部
   を含むことを特徴とするパワーモジュール。
2. パワー半導体デバイスが接合された基盤と、この基盤を封止する封止体とを有し、
   前記基盤と封止体とが、シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物の硬化物からなるプライマー層を介して接着され、
   前記シリコーン変性ポリイミド樹脂組成物が、
   （Ａ２）下記式（１’）で表されるエポキシ硬化型シリコーン変性ポリイミド樹脂：１００質量部、
   Ｅ’ｅ’−Ｆ’ｆ’−Ｇ’ｇ’ （１’）
   ｛式（１’）中、Ｅ’，Ｆ’，Ｇ’はランダムに結合する繰り返し単位であり、Ｅ’は、式（２’）で示されるジアミノ変性シリコーン由来の２価の基であり、Ｆ’は、式（３）で示されるテトラカルボン酸二無水物由来の２価の基であり、Ｇ’は、ジアミン由来の２価の基であり、Ｇ’のうち少なくとも一部にヒドロキシ基を有する芳香族ジアミン由来の２価の基を含む。ただし、ｆ’＋ｅ’＋ｇ’＝１００ｍｏｌ％であり、ｆ’／（ｅ’＋ｇ’）のｍｏｌ比は、０．９〜１．１であり、前記ｅ’とｇ’の和を１００とすると前記ｅ’は１〜９０である。ただし、式（１’）の末端は、原料として用いた、テトラカルボン酸二無水物由来の酸無水物基またはジアミノ変性シリコーンもしくはジアミン由来のアミノ基である。
   

   

   （式（２’）中、Ｒ^Aは、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０の２価炭化水素基を表し、Ｒ¹およびＲ²は、互いに独立して置換または非置換の炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、Ｒ⁷およびＲ⁸は、互いに独立して、置換もしくは非置換の炭素原子数６〜１０のアリール基または炭素原子数７〜１６のアラルキル基を表し、ｐは１〜２０、ｑは０〜２０、ｐ＋ｑ＝１〜３０を満たす整数である。なお、ｐ、ｑが付された括弧内のシロキサン単位の配列は、ランダム、交互またはブロックのいずれであってもよい。）
   −Ｉｍ−Ｘ−Ｉｍ− （３）
   〔式（３）中、Ｉｍは、環状イミド構造を端に含む環状の基を表し、Ｘは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（→Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^N−（Ｒ^Nは、炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−ＣＲ^B ₂−（Ｒ^Bは、互いに独立して、水素原子またはハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜１２の１価炭化水素基を表す。）、−Ｒ^Ar _h−（Ｒ^Arは、炭素原子数６〜１２の２価のアリーレン基を表し、ｈは、１〜６の整数を表す。ｈが２以上のとき、Ｒ^Arは互いに同一でも異なっていてもよい。）、−Ｒ^Ar _h−（ＯＲ^Ar）_i−（Ｒ^Arおよびｈは、前記と同じ意味を表し、ｉは、１〜５の整数を表す。）、炭素原子数１〜１２の直鎖状または分岐状アルキレン基、炭素原子数５〜１２のシクロアルキレン基、および炭素原子数７〜１２のアリーレンアルキレン基から選択される２価の基を表す。〕｝
   （Ｂｅ）エポキシ樹脂架橋剤：０．１〜１０質量部、
   （Ｃ）溶剤：２５０〜１，２００質量部、
   （Ｄ）酸化防止剤：０．０１〜１質量部、および
   （Ｅ）疎水性フュームドシリカ：３〜５０質量部
   を含むことを特徴とするパワーモジュール。
3. 前記Ｉｍが、下記の基から選ばれる請求項１または２記載のパワーモジュール。
   

   

   （式中、波線を付した線は結合手を示す。窒素原子に結合している結合手は、式（２）ではＥまたはＧに、式（２’）ではＥ’またはＧ’に結合し、他の結合手はＸに結合する。）

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