JP6924589B2

JP6924589B2 - Manufacturing method of light emitting device and light emitting device

Info

Publication number: JP6924589B2
Application number: JP2017040141A
Authority: JP
Inventors: 重則村上
Original assignee: Pioneer Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2017-03-03
Filing date: 2017-03-03
Publication date: 2021-08-25
Anticipated expiration: 2037-03-03
Also published as: JP7232876B2; JP2021168312A; JP2018147639A

Description

本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device and a light emitting device.

近年、発光装置として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）が開発されている。ＯＬＥＤは、有機層を有しており、有機層は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発することができる。 In recent years, an organic light emitting diode (OLED) has been developed as a light emitting device. The OLED has an organic layer, which can emit light by organic electroluminescence (EL).

さらに、近年、例えば特許文献１に記載されているように、ＯＬＥＤにマイクロキャビティ（ＭＣ）構造が用いられている。ＭＣ構造において、有機層は、反射層と半透過反射層の間に位置している。したがって、有機層で生じた光を反射層と半透過反射層によって共振させることができる。特に特許文献１の半透過反射層の一例は、光を反射する機能を有する第１導電層及び第１導電層上に位置し、光を透過する機能を有する第２導電層を有している。特許文献１には、光を反射する機能を有する導電層を形成し、この導電層をパターニングして第１導電層を形成し、第１導電層を形成した後、光を透過する機能を有する導電層を形成し、この導電層をパターニングして第２導電層を第１導電層上に形成することについて記載されている。 Further, in recent years, as described in Patent Document 1, for example, a microcavity (MC) structure is used for an OLED. In the MC structure, the organic layer is located between the reflective layer and the transflective reflective layer. Therefore, the light generated in the organic layer can be resonated by the reflective layer and the transflective reflective layer. In particular, an example of the semi-transmissive reflective layer of Patent Document 1 has a first conductive layer having a function of reflecting light and a second conductive layer located on the first conductive layer and having a function of transmitting light. .. Patent Document 1 has a function of forming a conductive layer having a function of reflecting light, patterning the conductive layer to form a first conductive layer, forming the first conductive layer, and then transmitting light. It is described that a conductive layer is formed and the conductive layer is patterned to form a second conductive layer on the first conductive layer.

さらに、近年、例えば特許文献２に記載されているように、透光性を有するＯＬＥＤが開発されている。特に特許文献２に記載のＯＬＥＤは、隣り合う発光部の間に透光部を有している。したがって、ＯＬＥＤの外部からの光は、透光部を透過することができる。このようにして、ＯＬＥＤは、透光性を有している。 Further, in recent years, as described in Patent Document 2, for example, an OLED having translucency has been developed. In particular, the OLED described in Patent Document 2 has a translucent portion between adjacent light emitting portions. Therefore, the light from the outside of the OLED can pass through the translucent portion. In this way, the OLED is translucent.

特開２０１６−１７１３１９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-171319 特開２０１６−８２１０１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-82101

マイクロキャビティ（ＭＣ）構造には、半透過反射層が用いられる。一例において、半透過反射層は、透明導電材料を含む第１層、第１層上に位置し、銀原子を含む第２層及び第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層を含んでいる。本発明者は、この例による半透過反射層について検討し、その結果、第２層の端部が第１層の端部及び第３層の端部より突出して、半透過反射層の端部を覆う絶縁膜（具体的には、発光部を画定する絶縁膜）を突き破る場合があることを見出した。第２層の端部による絶縁膜の突き破りは、発光装置内の電極の短絡の原因となり得る。 A semi-transmissive reflective layer is used for the microcavity (MC) structure. In one example, the transflective reflective layer is located on the first layer, the first layer containing the transparent conductive material, on the second layer and the second layer containing the silver atom, and the third layer containing the transparent conductive material. Includes. The present inventor examined the semi-transmissive reflective layer according to this example, and as a result, the end portion of the second layer protrudes from the end portion of the first layer and the end portion of the third layer, and the end portion of the semi-transmissive reflective layer It has been found that the insulating film covering the light emitting portion (specifically, the insulating film defining the light emitting portion) may be pierced. Penetration of the insulating film by the end of the second layer can cause a short circuit of the electrodes in the light emitting device.

本発明が解決しようとする課題としては、透明導電材料をそれぞれ含む第１層と第３層の間にあって銀原子を含む第２層の端部が絶縁膜を突き破ることを抑えることが一例として挙げられる。 As an example of the problem to be solved by the present invention, it is possible to prevent the end portion of the second layer containing a silver atom between the first layer containing the transparent conductive material and the third layer, respectively, from penetrating the insulating film. Be done.

請求項１に記載の発明は、
透明導電材料を含む第１層と、前記第１層上に位置し、銀原子を含む第２層と、前記第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層と、を含む半透過反射層を形成する工程と、
エッチングによって前記半透過反射層をパターニングする工程と、
前記半透過反射層のパターニング後、前記半透過反射層の端部を覆う絶縁膜を形成する溶液を塗布する工程と、
前記溶液の塗布後、前記半透過反射層を加熱する工程と、
前記半透過反射層上に有機層及び反射層を形成する工程と、
を含む、発光装置の製造方法である。 The invention according to claim 1
A half containing a first layer containing a transparent conductive material, a second layer located on the first layer and containing a silver atom, and a third layer located on the second layer and containing a transparent conductive material. The process of forming the transmissive reflective layer and
The step of patterning the semi-transmissive reflective layer by etching and
After patterning the semi-transmissive reflective layer, a step of applying a solution for forming an insulating film covering the end portion of the semi-transmissive reflective layer, and a step of applying the solution.
After applying the solution, the step of heating the semi-transmissive reflective layer and
A step of forming an organic layer and a reflective layer on the semitransparent reflective layer, and
It is a manufacturing method of a light emitting device including.

請求項５に記載の発明は、
反射層と半透過反射層の間に位置する有機層で生じた光を共振させる共振構造を含む発光部と、
前記半透過反射層の端部を覆う塗布絶縁膜と、
を備え、
前記半透過反射層は、
透明導電材料を含む第１層と、
前記第１層上に位置し、銀原子を含む第２層と、
前記第２層上に位置し、透明導電材料を含む第３層と、
を有し、
前記第２層は、前記第１層の端部及び前記第３層の端部よりも前記半透過反射層の外側に突出した突出部を有している発光装置である。 The invention according to claim 5
A light emitting part including a resonance structure that resonates light generated in an organic layer located between a reflective layer and a transflective reflective layer,
A coating insulating film that covers the end of the transflective reflective layer,
With
The transflective layer is
The first layer containing the transparent conductive material and
A second layer located on the first layer and containing a silver atom,
A third layer located on the second layer and containing a transparent conductive material,
Have,
The second layer is a light emitting device having a protruding portion protruding outside the semi-transmissive reflective layer from the end portion of the first layer and the end portion of the third layer.

実施形態に係る発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the light emitting device which concerns on embodiment. 図１に示した発光装置の動作の第１例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 1st example of the operation of the light emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の動作の第２例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 2nd example of the operation of the light emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG. 図１に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light emitting device shown in FIG. 図５の第１の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of FIG. 図５の第２の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of FIG. 実施例に係る発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the light emitting device which concerns on Example. 図１０から反射層を取り除いた図である。It is the figure which removed the reflective layer from FIG. 図１１から絶縁膜を取り除いた図である。It is the figure which removed the insulating film from FIG. 図１０のＡ−Ａ断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０を示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view showing a light emitting device 10 according to an embodiment.

図１を用いて、発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、発光部１４２及び絶縁膜１５０を備えている。発光部１４２は、絶縁膜１５０の開口１５２内において、半透過反射層１１０、有機層１２０及び反射層１３０の積層構造を含んでいる。言い換えると、絶縁膜１５０は、開口１５２によって発光部１４２を画定している。開口１５２内において、有機層１２０は、半透過反射層１１０と反射層１３０の間に位置している。特に図１に示す例では、半透過反射層１１０は、アノード（第１電極）として機能しており、反射層１３０は、カソード（第２電極）として機能している。 The outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a light emitting unit 142 and an insulating film 150. The light emitting unit 142 includes a laminated structure of the semi-transmissive reflective layer 110, the organic layer 120, and the reflective layer 130 in the opening 152 of the insulating film 150. In other words, the insulating film 150 defines the light emitting portion 142 by the opening 152. Within the opening 152, the organic layer 120 is located between the transflective reflective layer 110 and the reflective layer 130. In particular, in the example shown in FIG. 1, the transflective reflective layer 110 functions as an anode (first electrode), and the reflective layer 130 functions as a cathode (second electrode).

発光部１４２は、有機層１２０で生じた光を半透過反射層１１０及び反射層１３０によって共振させる共振構造（マイクロキャビティ（ＭＣ）構造）を有している。したがって、有機層１２０で生じた光は、主に半透過反射層１１０から出射され、かつ半透過反射層１１０から出射された光の波長スペクトルは、急峻なピークを有するようになる。 The light emitting unit 142 has a resonance structure (microcavity (MC) structure) in which the light generated in the organic layer 120 is resonated by the semitransparent reflection layer 110 and the reflection layer 130. Therefore, the light generated in the organic layer 120 is mainly emitted from the semi-transmissive reflective layer 110, and the wavelength spectrum of the light emitted from the semi-transmissive reflective layer 110 has a steep peak.

半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を有している。第１層１１２は、透明導電材料を含んでいる。第２層１１４は、第１層１１２上に位置し、銀原子を含んでいる。第３層１１６は、第２層１１４上に位置し、透明導電材料を含んでいる。 The transflective layer 110 has a first layer 112, a second layer 114, and a third layer 116. The first layer 112 contains a transparent conductive material. The second layer 114 is located on the first layer 112 and contains a silver atom. The third layer 116 is located on the second layer 114 and contains a transparent conductive material.

第２層１１４は、突出部１１４ａを有しており、突出部１１４ａは、第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の外側に突出している。特に図１に示す例では、第２層１１４の突出部１１４ａは、半透過反射層１１０の厚み方向に膨らんでいる。結果、第２層１１４の突出部１１４ａの厚みは、第２層１１４のうち第１層１１２と第３層１１６の間の部分の厚みより厚くなっている。第２層１１４の突出部１１４ａのこのような構造は、図４から図７を用いて後述するように、発光装置１０の製造プロセスに起因して形成されている。 The second layer 114 has a protruding portion 114a, and the protruding portion 114a protrudes outside the transflective layer 110 from the end portion of the first layer 112 and the end portion of the third layer 116. In particular, in the example shown in FIG. 1, the protruding portion 114a of the second layer 114 bulges in the thickness direction of the transflective reflective layer 110. As a result, the thickness of the protruding portion 114a of the second layer 114 is thicker than the thickness of the portion of the second layer 114 between the first layer 112 and the third layer 116. Such a structure of the protrusion 114a of the second layer 114 is formed due to the manufacturing process of the light emitting device 10, as will be described later with reference to FIGS. 4 to 7.

さらに、図１に示す例では、第１層１１２の端部は、第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の内側に位置している。第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部のこのような構造は、図４から図７を用いて後述するように、発光装置１０の製造プロセスに起因して形成されている。 Further, in the example shown in FIG. 1, the end portion of the first layer 112 is located inside the semitransparent reflection layer 110 with respect to the end portion of the third layer 116. Such structures at the ends of the first layer 112 and the ends of the third layer 116 are formed due to the manufacturing process of the light emitting device 10, as will be described later with reference to FIGS. 4 to 7.

図１に示す例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜である。すなわち、図４から図７を用いて後述するように、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。図４から図７を用いて後述するように、本発明者は、絶縁膜１５０を塗布プロセスによって形成することで、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）による絶縁膜１５０の突き破りを抑えることが可能になることを見出した。すなわち、図１に示す例によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。 In the example shown in FIG. 1, the insulating film 150 is a coated insulating film. That is, as will be described later with reference to FIGS. 4 to 7, the insulating film 150 is formed by a coating process. As will be described later with reference to FIGS. 4 to 7, the present inventor has formed the insulating film 150 by a coating process to break through the insulating film 150 by the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114. It was found that it is possible to suppress. That is, according to the example shown in FIG. 1, it is possible to prevent the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 from penetrating the insulating film 150.

なお、他の例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜でなくてもよく、例えば、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）膜又はスパッタ膜であってもよい。すなわち、絶縁膜１５０は、ＣＶＤ又はスパッタによって形成されてもよい。絶縁膜１５０がＣＶＤ又はスパッタによって形成されている場合であっても、絶縁膜１５０の厚みが十分に厚い場合は、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。ただし、本発明者は、絶縁膜１５０の突き破りを抑える程度の厚みに絶縁膜１５０をＣＶＤ又はスパッタによって形成する時間及びコストは、絶縁膜１５０を塗布プロセスによって形成した場合の時間及びコストよりも大きくなることを見出した。したがって、時間及びコストの観点では、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されることが好ましい。 In another example, the insulating film 150 does not have to be a coated insulating film, and may be, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) film or a sputtered film. That is, the insulating film 150 may be formed by CVD or sputtering. Even when the insulating film 150 is formed by CVD or sputtering, if the insulating film 150 is sufficiently thick, the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 breaks through the insulating film 150. It can be suppressed. However, the present inventor considers that the time and cost for forming the insulating film 150 by CVD or sputtering to a thickness sufficient to suppress the penetration of the insulating film 150 is larger than the time and cost when the insulating film 150 is formed by the coating process. I found that it would be. Therefore, from the viewpoint of time and cost, the insulating film 150 is preferably formed by the coating process.

次に、図１を用いて、発光装置１０の詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０を備えている。 Next, the details of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a semi-transmissive reflective layer 110, an organic layer 120, a reflective layer 130, and an insulating film 150.

基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０は、第１面１０２上に位置している。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にある。 The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The transflective reflective layer 110, the organic layer 120, the reflective layer 130, and the insulating film 150 are located on the first surface 102. The second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.

基板１００は、透光性及び絶縁性を有している。一例において、基板１００は、ガラス基板又は樹脂基板とすることができる。 The substrate 100 has translucency and insulation. In one example, the substrate 100 can be a glass substrate or a resin substrate.

半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を基板１００の第１面１０２から順に含んでいる。 The transflective layer 110 includes the first layer 112, the second layer 114, and the third layer 116 in this order from the first surface 102 of the substrate 100.

第１層１１２は、透明導電材料を含んでおり、したがって透明導電層となっている。具体的には、第１層１１２は、例えば、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）及びＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の少なくとも一つを含んでいる。 The first layer 112 contains a transparent conductive material and is therefore a transparent conductive layer. Specifically, the first layer 112 contains, for example, at least one of IZO (Indium Zinc Oxide) and ITO (Indium Tin Oxide).

第２層１１４は、銀原子を含んでおり、具体的には、銀又は銀合金を含んでいる。より具体的には、第２層１１４は、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（ＡＰＣ）を含んでいる。 The second layer 114 contains silver atoms, specifically silver or a silver alloy. More specifically, the second layer 114 contains Ag-Pd-Cu (APC).

第３層１１６は、透明導電材料を含んでおり、したがって透明導電層となっている。具体的には、第１層１１２は、例えば、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）及びＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の少なくとも一つを含んでいる。第３層１１６は、第１層１１２に含まれる材料と同じ材料を含んでいてもよいし、又は第１層１１２に含まれる材料と異なる材料を含んでいてもよい。 The third layer 116 contains a transparent conductive material and is therefore a transparent conductive layer. Specifically, the first layer 112 contains, for example, at least one of IZO (Indium Zinc Oxide) and ITO (Indium Tin Oxide). The third layer 116 may contain the same material as the material contained in the first layer 112, or may contain a material different from the material contained in the first layer 112.

有機層１２０は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）によって光を発することができる。一例において、有機層１２０は、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、発光層（ＥＭＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）を含んでいる。この例においては、半透過反射層１１０からＨＩＬ及びＨＴＬを経由して正孔がＥＭＬに注入され、反射層１３０からＥＩＬ及びＥＴＬを経由して電子がＥＭＬに注入され、正孔及び電子がＥＭＬ内で再結合して光が発せられる。 The organic layer 120 can emit light by organic electroluminescence (EL). In one example, the organic layer 120 includes a hole injecting layer (HIL), a hole transporting layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transporting layer (ETL) and an electron injecting layer (EIL). In this example, holes are injected into the EML from the transflective layer 110 via the HIL and HTL, electrons are injected into the EML from the reflective layer 130 via the EIL and ETL, and the holes and electrons are in the EML. It recombines inside and emits light.

なお、図１に示す例では、有機層１２０は、絶縁膜１５０の開口１５２内に位置するだけでなく、絶縁膜１５０の外側に広がっている。ただし、他の例において、有機層１２０は、絶縁膜１５０の外側に広がっていなくてもよい。 In the example shown in FIG. 1, the organic layer 120 is not only located inside the opening 152 of the insulating film 150, but also extends outside the insulating film 150. However, in another example, the organic layer 120 does not have to extend to the outside of the insulating film 150.

反射層１３０は、金属導電層である。具体的には、反射層１３０は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀及び銀合金の少なくとも一つを含んでいる。 The reflective layer 130 is a metal conductive layer. Specifically, the reflective layer 130 contains, for example, at least one of aluminum, an aluminum alloy, silver and a silver alloy.

上述したように、図１に示す例において、絶縁膜１５０は、塗布絶縁膜である。したがって、絶縁膜１５０は、有機絶縁材料、具体的には、例えば、ポリイミド、シロキサン及びエポキシのうちの少なくとも一つを含んでいる。特に絶縁膜１５０が塗布絶縁膜である場合、絶縁膜１５０の厚みは、４００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下である。 As described above, in the example shown in FIG. 1, the insulating film 150 is a coated insulating film. Therefore, the insulating film 150 contains at least one of an organic insulating material, specifically, for example, polyimide, siloxane, and epoxy. In particular, when the insulating film 150 is a coated insulating film, the thickness of the insulating film 150 is 400 nm or more and 2000 nm or less.

上述したように、他の例において、絶縁膜１５０は、ＣＶＤ膜又はスパッタ膜であってもよい。したがって、絶縁膜１５０は、無機絶縁材料、具体的には、例えば、ＣＶＤによって形成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ_２）又はスパッタによって形成されたシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）を含んでいてもよい。 As described above, in another example, the insulating film 150 may be a CVD film or a sputtered film. Therefore, the insulating film 150 may contain an inorganic insulating material, specifically, for example, a silicon oxide (SiO ₂ ) formed by CVD or a silicon oxynitride (SiON) formed by sputtering.

図１に示す例では、絶縁膜１５０は、透光性を有している。したがって、発光装置１０の外部からの光は、絶縁膜１５０を透過することができる。したがって、絶縁膜１５０による発光装置１０の透過率の低下を抑えることができる。 In the example shown in FIG. 1, the insulating film 150 has translucency. Therefore, the light from the outside of the light emitting device 10 can pass through the insulating film 150. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the transmittance of the light emitting device 10 due to the insulating film 150.

図１に示す例において、発光装置１０は、ボトムエミッションであり、基板１００の第２面１０４は、発光装置１０の発光面として機能している。具体的には、発光装置１０は、発光部１４２を備えている。発光部１４２は、基板１００の第１面１０２から半透過反射層１１０、有機層１２０及び反射層１３０を順に含んでいる。したがって、発光部１４２は、基板１００の第１面１０２側に位置している。発光部１４２から発せられた光は、基板１００を透過して基板１００の第２面１０４から出射される。 In the example shown in FIG. 1, the light emitting device 10 is bottom emission, and the second surface 104 of the substrate 100 functions as a light emitting surface of the light emitting device 10. Specifically, the light emitting device 10 includes a light emitting unit 142. The light emitting unit 142 includes the semitransparent reflective layer 110, the organic layer 120, and the reflective layer 130 in this order from the first surface 102 of the substrate 100. Therefore, the light emitting unit 142 is located on the first surface 102 side of the substrate 100. The light emitted from the light emitting unit 142 passes through the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100.

図２は、図１に示した発光装置１０の動作の第１例を説明するための図である。図２に示す例では、発光部１４２から出射された光が基板１００を透過して基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射されている。 FIG. 2 is a diagram for explaining a first example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIG. In the example shown in FIG. 2, the light emitted from the light emitting unit 142 passes through the substrate 100 and is reflected by Fresnel reflection on the second surface 104 of the substrate 100.

図２に示す例によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、図２に示す例では、第２層１１４の突出部１１４ａは、第１層１１２の端部及び第２層１１４の端部よりも半透過反射層１１０の外側に突出している。したがって、図２に示すように、基板１００の第２面１０４でフレネル反射によって反射された光を突出部１１４ａによって遮ることができる。特に図２に示す例では、突出部１１４ａの表面は凹凸を有しており、したがって、光は、突出部１１４ａの表面において散乱する。このようにして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 According to the example shown in FIG. 2, the amount of light leaking toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114. Specifically, in the example shown in FIG. 2, the protruding portion 114a of the second layer 114 protrudes outside the semitransparent reflective layer 110 from the end portion of the first layer 112 and the end portion of the second layer 114. .. Therefore, as shown in FIG. 2, the light reflected by the Fresnel reflection on the second surface 104 of the substrate 100 can be blocked by the protrusion 114a. In particular, in the example shown in FIG. 2, the surface of the protrusion 114a has irregularities, so that light is scattered on the surface of the protrusion 114a. In this way, the amount of light leaking toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114.

さらに、図２に示す例によれば、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレア（特に、突出部１１４ａの表面での光の散乱によるグレア）を抑えることができる。具体的には、図２に示す例では、反射層１３０の端部は、第２層１１４の突出部１１４ａよりも、発光部１４２から離れて位置している。したがって、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０と重なっている。したがって、基板１００の第１面１０２側から発光装置１０を見た場合、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０の背後に隠れることになる。このようにして、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレアを抑えることができる。 Further, according to the example shown in FIG. 2, glare due to the protrusion 114a of the second layer 114 when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 (particularly, glare due to light scattering on the surface of the protrusion 114a). Can be suppressed. Specifically, in the example shown in FIG. 2, the end portion of the reflective layer 130 is located farther from the light emitting portion 142 than the protruding portion 114a of the second layer 114. Therefore, the protruding portion 114a of the second layer 114 overlaps with the reflective layer 130 in the direction perpendicular to the first surface 102 of the substrate 100. Therefore, when the light emitting device 10 is viewed from the first surface 102 side of the substrate 100, the protruding portion 114a of the second layer 114 is hidden behind the reflective layer 130. In this way, glare due to the protruding portion 114a of the second layer 114 when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed.

図３は、図１に示した発光装置１０の動作の第２例を説明するための図である。図３に示す例では、第２層１１４から出射された光が基板１００と第２層１１４で反射されて第１層１１２を伝搬している。 FIG. 3 is a diagram for explaining a second example of the operation of the light emitting device 10 shown in FIG. In the example shown in FIG. 3, the light emitted from the second layer 114 is reflected by the substrate 100 and the second layer 114 and propagates through the first layer 112.

図３に示す例によれば、第１層１１２を伝搬して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、図３に示す例では、突出部１１４ａは、第１層１１２側及び第３層１１６側の双方に向けて膨らんでいる。したがって、図３に示すように、第１層１１２を伝搬する光を突出部１１４ａによって遮ることができる。特に、図３に示す例では、図２に示した例と同様にして、突出部１１４ａの表面は凹凸を有しており、したがって、光は、突出部１１４ａの表面において散乱する。このようにして、第１層１１２を伝搬して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 According to the example shown in FIG. 3, the amount of light propagating through the first layer 112 and leaking can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114. Specifically, in the example shown in FIG. 3, the protruding portion 114a bulges toward both the first layer 112 side and the third layer 116 side. Therefore, as shown in FIG. 3, the light propagating in the first layer 112 can be blocked by the protrusion 114a. In particular, in the example shown in FIG. 3, the surface of the protrusion 114a has irregularities in the same manner as in the example shown in FIG. 2, and therefore light is scattered on the surface of the protrusion 114a. In this way, the amount of light propagating through the first layer 112 and leaking can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114.

さらに、図３に示す例によれば、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレア（特に、突出部１１４ａの表面での光の散乱によるグレア）を抑えることができる。具体的には、図３に示す例では、反射層１３０の端部は、第２層１１４の突出部１１４ａよりも、発光部１４２の外側に位置している。したがって、基板１００の第１面１０２に垂直な方向において、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０と重なっている。したがって、基板１００の第１面１０２側から発光装置１０を見た場合、第２層１１４の突出部１１４ａは、反射層１３０の背後に隠れることになる。このようにして、基板１００の第１面１０２側から見た場合の第２層１１４の突出部１１４ａによるグレアを抑えることができる。 Further, according to the example shown in FIG. 3, glare due to the protrusion 114a of the second layer 114 when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 (particularly, glare due to light scattering on the surface of the protrusion 114a). Can be suppressed. Specifically, in the example shown in FIG. 3, the end portion of the reflective layer 130 is located outside the light emitting portion 142 with respect to the protruding portion 114a of the second layer 114. Therefore, the protruding portion 114a of the second layer 114 overlaps with the reflective layer 130 in the direction perpendicular to the first surface 102 of the substrate 100. Therefore, when the light emitting device 10 is viewed from the first surface 102 side of the substrate 100, the protruding portion 114a of the second layer 114 is hidden behind the reflective layer 130. In this way, glare due to the protruding portion 114a of the second layer 114 when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 can be suppressed.

図４から図７までの各図は、図１に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。この例において、発光装置１０は、以下のようにして製造される。 Each of the drawings from FIG. 4 to FIG. 7 is a diagram for explaining an example of the manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIG. In this example, the light emitting device 10 is manufactured as follows.

まず、図４に示すように、基板１００の第１面１０２上に第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を順に形成する。第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６は、例えば、スパッタによって形成される。次いで、第３層１１６上にマスク膜３００を形成する。マスク膜３００は、具体的には、レジスト膜である。図４に示す例では、マスク膜３００は、リソグラフィによってパターニングされている。 First, as shown in FIG. 4, the first layer 112, the second layer 114, and the third layer 116 are sequentially formed on the first surface 102 of the substrate 100. The first layer 112, the second layer 114, and the third layer 116 are formed by, for example, sputtering. Next, the mask film 300 is formed on the third layer 116. Specifically, the mask film 300 is a resist film. In the example shown in FIG. 4, the mask film 300 is patterned by lithography.

次いで、図５に示すように、エッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。具体的には、マスク膜３００をマスクとして用いて、ウェットエッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。したがって、半透過反射層１１０のうちマスク膜３００と重ならない部分は、エッチングによって除去される。次いで、マスク膜３００を除去する。 Then, as shown in FIG. 5, the transflective reflective layer 110 is patterned by etching. Specifically, the semitransparent reflective layer 110 is patterned by wet etching using the mask film 300 as a mask. Therefore, the portion of the semitransparent reflective layer 110 that does not overlap with the mask film 300 is removed by etching. Next, the mask film 300 is removed.

図５に示す例では、半透過反射層１１０のエッチング後、第２層１１４は、突出部１１４ａを有するようになる。突出部１１４ａは、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６のそれぞれのエッチングレートの差に起因して生じる。すなわち、第２層１１４のエッチングレートは、第１層１１２のエッチングレート及び第３層１１６のエッチングレートよりも低くなっている。したがって、半透過反射層１１０のエッチング後、第２層１１４は、突出部１１４ａを有するようになる。なお、エッチングレートは、例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比を調整することで制御することができる。 In the example shown in FIG. 5, after etching the semi-transmissive reflective layer 110, the second layer 114 has a protruding portion 114a. The protrusion 114a is generated due to the difference in the etching rates of the first layer 112, the second layer 114, and the third layer 116, respectively. That is, the etching rate of the second layer 114 is lower than the etching rate of the first layer 112 and the etching rate of the third layer 116. Therefore, after etching the semi-transmissive reflective layer 110, the second layer 114 will have a protruding portion 114a. The etching rate can be controlled by adjusting the mass ratio of each material contained in the etchant, for example.

さらに、図５に示すように、半透過反射層１１０のエッチング後、第１層１１２の端部は、第３層１１６の端部よりも、半透過反射層１１０の内側に位置するようになる。これは、マスク膜３００から離れるほどエッチングレートが高くなっているためである。 Further, as shown in FIG. 5, after etching the semitransparent reflective layer 110, the end portion of the first layer 112 is located inside the semitransparent reflective layer 110 with respect to the end portion of the third layer 116. .. This is because the etching rate increases as the distance from the mask film 300 increases.

次いで、図６に示すように、溶液２５０を塗布し、溶液２５０を乾燥させる。溶液２５０は、乾燥及び硬化によって絶縁膜１５０（図１）になる。つまり、絶縁膜１５０（図１）は、塗布プロセスによって形成される。 Then, as shown in FIG. 6, the solution 250 is applied and the solution 250 is dried. The solution 250 becomes an insulating film 150 (FIG. 1) by drying and curing. That is, the insulating film 150 (FIG. 1) is formed by the coating process.

次いで、図７に示すように、溶液２５０及び半透過反射層１１０を加熱する。加熱によって溶液２５０に含まれる有機材料が硬化し、絶縁膜１５０が形成される。さらに、加熱によって、第２層１１４に含まれる金属、特に、銀又は銀合金が第２層１１４の端部に向けて拡散し、第２層１１４の突出部１１４ａが膨張する。したがって、この加熱後、第２層１１４の突出部１１４ａの厚みは、第２層１１４のうちの第１層１１２と第３層１１６の間の部分の厚みより厚くなる。 Then, as shown in FIG. 7, the solution 250 and the transflective reflective layer 110 are heated. By heating, the organic material contained in the solution 250 is cured to form the insulating film 150. Further, by heating, the metal contained in the second layer 114, particularly silver or a silver alloy, diffuses toward the end portion of the second layer 114, and the protruding portion 114a of the second layer 114 expands. Therefore, after this heating, the thickness of the protruding portion 114a of the second layer 114 becomes thicker than the thickness of the portion of the second layer 114 between the first layer 112 and the third layer 116.

図７に示す例によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。具体的には、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。本発明者は、塗布プロセスによって形成された絶縁膜は柔軟性に優れており、したがって、絶縁膜１５０は第２層１１４の端部の膨張にしたがって変形可能であり、したがって、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）による絶縁膜１５０の突き破りが抑えられると推測した。 According to the example shown in FIG. 7, it is possible to prevent the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 from breaking through the insulating film 150. Specifically, the insulating film 150 is formed by a coating process. The present inventor has excellent flexibility in the insulating film formed by the coating process, and therefore the insulating film 150 is deformable as the end of the second layer 114 expands, and thus the second layer 114. It was presumed that the penetration of the insulating film 150 by the end portion (that is, the protruding portion 114a) was suppressed.

次いで、半透過反射層１１０上及び絶縁膜１５０上に有機層１２０を形成する。次いで、有機層１２０上に反射層１３０を形成する。 Next, the organic layer 120 is formed on the semitransparent reflective layer 110 and the insulating film 150. Next, the reflective layer 130 is formed on the organic layer 120.

このようにして、図１に示した発光装置１０が製造される。 In this way, the light emitting device 10 shown in FIG. 1 is manufactured.

なお、第２層１１４の端部を膨張させる加熱は、絶縁膜１５０の形成工程の加熱に限られるものではない。第２層１１４の端部は、例えば、有機層１２０の形成工程の加熱においても、膨張することがある。 The heating for expanding the end portion of the second layer 114 is not limited to the heating in the step of forming the insulating film 150. The end of the second layer 114 may also expand, for example, during heating in the process of forming the organic layer 120.

図８は、図５の第１の変形例を示す図である。ウェットエッチングの条件（例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比）を調整することで、図８に示すように、第２層１１４の端部を第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部に揃えることができる。 FIG. 8 is a diagram showing a first modification of FIG. By adjusting the wet etching conditions (for example, the mass ratio of each material contained in the etchant), as shown in FIG. 8, the end of the second layer 114 is changed to the end of the first layer 112 and the third layer 116. Can be aligned to the edge of.

本発明者は、第２層１１４の端部が図８に示すように第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部に揃っている場合であっても、加熱によって、第２層１１４の端部は膨張して、図７に示すように突出部１１４ａを有するようになることを見出した。つまり、第２層１１４の突出部１１４ａは、エッチング後の第２層１１４の端部の位置によらずに形成される。 According to the present inventor, even when the ends of the second layer 114 are aligned with the ends of the first layer 112 and the ends of the third layer 116 as shown in FIG. 8, the second layer is heated by heating. It has been found that the end of 114 expands to have a protrusion 114a as shown in FIG. That is, the protruding portion 114a of the second layer 114 is formed regardless of the position of the end portion of the second layer 114 after etching.

図９は、図５の第２の変形例を示す図である。ウェットエッチングの条件（例えば、エッチャントに含まれる各材料の質量比）を調整することで、図９に示すように、第２層１１４の端部を第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部より内側に位置させることができる。 FIG. 9 is a diagram showing a second modification of FIG. By adjusting the wet etching conditions (for example, the mass ratio of each material contained in the etchant), as shown in FIG. 9, the end of the second layer 114 is changed to the end of the first layer 112 and the third layer 116. It can be located inside the edge of.

本発明者は、第２層１１４の端部が図８に示すように第１層１１２の端部及び第３層１１６の端部より内側に位置する場合であっても、加熱によって、第２層１１４の端部は膨張して、図７に示すように突出部１１４ａを有するようになることを見出した。つまり、第２層１１４の突出部１１４ａは、エッチング後の第２層１１４の端部の位置によらずに形成される。 The present inventor presents the second layer by heating even when the end portion of the second layer 114 is located inside the end portion of the first layer 112 and the end portion of the third layer 116 as shown in FIG. It has been found that the end of the layer 114 expands to have a protrusion 114a as shown in FIG. That is, the protruding portion 114a of the second layer 114 is formed regardless of the position of the end portion of the second layer 114 after etching.

以上、本実施形態によれば、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to prevent the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 from breaking through the insulating film 150.

さらに、本実施形態によれば、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 Further, according to the present embodiment, the amount of light leaking toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114.

図１０は、実施例に係る発光装置１０を示す平面図である。図１１は、図１０から反射層１３０を取り除いた図である。図１２は、図１１から絶縁膜１５０を取り除いた図である。図１３は、図１０のＡ−Ａ断面図である。説明のため、図１０から図１２には、有機層１２０を示していない。図１０から図１３に示す例において、Ｙ方向は、複数の発光部１４２のそれぞれの長手方向として規定され、Ｘ方向は、Ｙ方向に交わる方向、具体的には、Ｙ方向に直交する方向として規定されている。 FIG. 10 is a plan view showing the light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 11 is a diagram in which the reflective layer 130 is removed from FIG. FIG. 12 is a diagram in which the insulating film 150 is removed from FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. For the sake of explanation, the organic layer 120 is not shown in FIGS. 10 to 12. In the examples shown in FIGS. 10 to 13, the Y direction is defined as the longitudinal direction of each of the plurality of light emitting portions 142, and the X direction is a direction intersecting the Y direction, specifically, a direction orthogonal to the Y direction. It is stipulated.

図１３を用いて発光装置１０の概要について説明する。発光装置１０は、透光性を有している。つまり、発光装置１０を隔てて向こう側が見えるようになっている。これは、発光装置１０が隣り合う発光部１４２の間に透光部１４４を有しているためである。発光装置１０の外部からの光は、透光部１４４を透過することができる。したがって、発光装置１０は、透光性を有している。 The outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 has translucency. That is, the other side can be seen across the light emitting device 10. This is because the light emitting device 10 has a light transmitting unit 144 between adjacent light emitting units 142. Light from the outside of the light emitting device 10 can pass through the translucent portion 144. Therefore, the light emitting device 10 has translucency.

特に、図１３に示す発光装置１０の半透過反射層１１０及び絶縁膜１５０は、図１に示した発光装置１０の半透過反射層１１０及び絶縁膜１５０とそれぞれ同様の構成を有している。つまり、半透過反射層１１０は、第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を有しており、第２層１１４は、突出部１１４ａを有しており、絶縁膜１５０は、塗布プロセスによって形成されている。したがって、本実施例によれば、図１に示した例と同様にして、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。さらに、本実施例によれば、図１に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 In particular, the semi-transmissive reflective layer 110 and the insulating film 150 of the light emitting device 10 shown in FIG. 13 have the same configurations as the semi-transmitted reflective layer 110 and the insulating film 150 of the light emitting device 10 shown in FIG. 1, respectively. That is, the transflective reflective layer 110 has a first layer 112, a second layer 114, and a third layer 116, the second layer 114 has a protruding portion 114a, and the insulating film 150 is coated. Formed by the process. Therefore, according to this embodiment, it is possible to prevent the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 from penetrating the insulating film 150 in the same manner as in the example shown in FIG. Further, according to the present embodiment, the amount of light leaking toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 is measured in the second layer 114 in the same manner as in the example shown in FIG. It can be suppressed by the protruding portion 114a of.

特に本実施例においては、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透光部１４４を通して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。具体的には、本実施例においては、隣り合う発光部１４２の間に透光部１４４が位置している。上述したように、透光部１４４によって発光装置１０は透光性を有している。一方で、透光部１４４は、発光部１４２から発せられた光を発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透過させ得る。本実施例においては、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向かう光を第２層１１４の突出部１１４ａによって遮ることができる。したがって、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて透光部１４４を通して漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 In particular, in this embodiment, the amount of light leaking through the translucent portion 144 toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114. can. Specifically, in this embodiment, the translucent portion 144 is located between the adjacent light emitting portions 142. As described above, the light emitting device 10 is translucent due to the translucent portion 144. On the other hand, the light transmitting unit 144 can transmit the light emitted from the light emitting unit 142 toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10. In this embodiment, the light directed to the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be blocked by the protruding portion 114a of the second layer 114. Therefore, the amount of light leaking through the light transmitting portion 144 toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 can be suppressed by the protruding portion 114a of the second layer 114.

次に、図１０から図１２を用いて、発光装置１０の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置１０は、基板１００、複数の半透過反射層１１０、複数の反射層１３０及び複数の絶縁膜１５０を備えている。 Next, the details of the plane layout of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. 10 to 12. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of transflective reflective layers 110, a plurality of reflective layers 130, and a plurality of insulating films 150.

図１０から図１２に示す例において、基板１００の形状は、Ｘ方向に沿った長辺及びＹ方向に沿った短辺を有する矩形である。ただし、基板１００の形状は、図１０から図１２に示す例に限定されるものではない。基板１００の形状は、例えば、円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。 In the examples shown in FIGS. 10 to 12, the shape of the substrate 100 is a rectangle having a long side along the X direction and a short side along the Y direction. However, the shape of the substrate 100 is not limited to the examples shown in FIGS. 10 to 12. The shape of the substrate 100 may be, for example, a circle or a polygon other than a rectangle.

複数の半透過反射層１１０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の半透過反射層１１０のそれぞれは、基板１００のＹ方向に沿って延伸している。 The plurality of transflective reflective layers 110 are located apart from each other, and specifically, they are arranged in a row along the X direction. Each of the plurality of transflective reflective layers 110 extends along the Y direction of the substrate 100.

複数の半透過反射層１１０のそれぞれ（第１電極）は、複数の第１接続部２１２のそれぞれを介して、第１配線２１４に接続している。第１配線２１４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第１配線２１４及び第１接続部２１２を介して半透過反射層１１０に供給される。なお、図１２に示す例において、半透過反射層１１０及び第１接続部２１２は、互いに一体となっている。 Each of the plurality of transflective reflective layers 110 (first electrode) is connected to the first wiring 214 via each of the plurality of first connecting portions 212. The first wiring 214 extends in the X direction. The voltage from the outside is supplied to the semitransparent reflective layer 110 via the first wiring 214 and the first connecting portion 212. In the example shown in FIG. 12, the semi-transmissive reflective layer 110 and the first connecting portion 212 are integrated with each other.

複数の反射層１３０のそれぞれは、複数の半透過反射層１１０のそれぞれに重なっている。複数の反射層１３０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の反射層１３０のそれぞれは、基板１００のＹ方向に延伸している。 Each of the plurality of reflective layers 130 overlaps each of the plurality of transflective reflective layers 110. The plurality of reflective layers 130 are located apart from each other, and specifically, they are arranged in a row along the X direction. Each of the plurality of reflective layers 130 extends in the Y direction of the substrate 100.

複数の反射層１３０のそれぞれ（第２電極）は、複数の第２接続部２３２のそれぞれを介して、第２配線２３４に接続している。第２配線２３４は、Ｘ方向に延伸している。外部からの電圧は、第２配線２３４及び第２接続部２３２を介して反射層１３０に供給される。 Each of the plurality of reflective layers 130 (second electrode) is connected to the second wiring 234 via each of the plurality of second connecting portions 232. The second wiring 234 extends in the X direction. The voltage from the outside is supplied to the reflection layer 130 via the second wiring 234 and the second connection portion 232.

複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、複数の半透過反射層１１０のそれぞれに重なっている。複数の絶縁膜１５０は、互いに離間して位置しており、具体的には、Ｘ方向に沿って一列に並んでいる。複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、Ｙ方向に延伸している。 Each of the plurality of insulating films 150 overlaps each of the plurality of transflective reflective layers 110. The plurality of insulating films 150 are located apart from each other, and specifically, they are arranged in a row along the X direction. Each of the plurality of insulating films 150 extends in the Y direction.

複数の絶縁膜１５０のそれぞれは、開口１５２を有している。開口１５２は、Ｙ方向に延伸している。絶縁膜１５０は、開口１５２によって発光部１４２を画定している。 Each of the plurality of insulating films 150 has an opening 152. The opening 152 extends in the Y direction. The insulating film 150 defines the light emitting portion 142 by the opening 152.

発光装置１０は、発光領域１４０を有しており、発光領域１４０は、複数の発光部１４２及び複数の透光部１４４を有している。発光部１４２及び透光部１４４は、Ｘ方向に沿って交互に並んでいる。発光部１４２は、絶縁膜１５０の開口１５２によって画定されている。透光部１４４は、遮光部材、特に図１０から図１２に示す例では反射層１３０と重なっていない。したがって、外部からの光は、透光部１４４を透過することができる。 The light emitting device 10 has a light emitting region 140, and the light emitting region 140 has a plurality of light emitting units 142 and a plurality of light transmitting units 144. The light emitting unit 142 and the translucent unit 144 are alternately arranged along the X direction. The light emitting portion 142 is defined by the opening 152 of the insulating film 150. The light-transmitting portion 144 does not overlap with the light-shielding member, particularly the reflective layer 130 in the examples shown in FIGS. 10 to 12. Therefore, the light from the outside can pass through the translucent portion 144.

次に、図１３を用いて、発光装置１０の断面の詳細を説明する。発光装置１０は、基板１００、半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０を備えている。図１３に示す発光装置１０の半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０は、図１に示した発光装置１０の半透過反射層１１０、有機層１２０、反射層１３０及び絶縁膜１５０とそれぞれ同様の構成を有している。 Next, the details of the cross section of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a semi-transmissive reflective layer 110, an organic layer 120, a reflective layer 130, and an insulating film 150. The semi-transmissive reflective layer 110, the organic layer 120, the reflective layer 130 and the insulating film 150 of the light emitting device 10 shown in FIG. 13 are the semi-transmitted reflective layer 110, the organic layer 120, the reflective layer 130 and the light emitting device 10 shown in FIG. Each has the same configuration as the insulating film 150.

特に図１３に示す例では、有機層１２０は、複数の発光部１４２に亘って広がっている。つまり、複数の発光部１４２は、共通の有機層（つまり、有機層１２０）を有している。したがって、図１３に示す例では、複数の発光部１４２は、同じ色の光を発する。 In particular, in the example shown in FIG. 13, the organic layer 120 extends over a plurality of light emitting portions 142. That is, the plurality of light emitting units 142 have a common organic layer (that is, the organic layer 120). Therefore, in the example shown in FIG. 13, the plurality of light emitting units 142 emit light of the same color.

反射層１３０は端部１３０ａ及び端部１３０ｂを有し、絶縁膜１５０は端部１５０ａ及び端部１５０ｂを有している。端部１３０ａ及び端部１５０ａは、互いに同じ方向を向いている。端部１３０ｂ及び端部１５０ｂは、互いに同じ方向を向いており、それぞれ、端部１３０ａ及び端部１５０ａの反対側にある。 The reflective layer 130 has an end portion 130a and an end portion 130b, and the insulating film 150 has an end portion 150a and an end portion 150b. The end 130a and the end 150a face each other in the same direction. The end 130b and the end 150b face each other in the same direction and are on opposite sides of the end 130a and 150a, respectively.

第１面１０２に垂直な方向から見た場合、基板１００の第１面１０２は、複数の領域１０２ａ、複数の領域１０２ｂ複数の領域１０２ｃを有している。複数の領域１０２ａのそれぞれは、反射層１３０の端部１３０ａと重なる位置から端部１３０ｂと重なる位置まで広がっている。複数の領域１０２ｂのそれぞれは、反射層１３０の端部１３０ａと重なる位置から絶縁膜１５０の端部１５０ａと重なる位置まで（又は反射層１３０の端部１３０ｂと重なる位置から絶縁膜１５０の端部１５０ｂと重なる位置まで）広がっている。複数の領域１０２ｃのそれぞれは、互いに隣接する２つの絶縁膜１５０のうちの一方の絶縁膜１５０の端部１５０ａと重なる位置から他方の絶縁膜１５０の端部１５０ｂと重なる位置まで広がっている。 When viewed from a direction perpendicular to the first surface 102, the first surface 102 of the substrate 100 has a plurality of regions 102a, a plurality of regions 102b, and a plurality of regions 102c. Each of the plurality of regions 102a extends from a position overlapping the end portion 130a of the reflective layer 130 to a position overlapping the end portion 130b. Each of the plurality of regions 102b is from a position overlapping the end 130a of the reflective layer 130 to a position overlapping the end 150a of the insulating film 150 (or from a position overlapping the end 130b of the reflective layer 130 to the end 150b of the insulating film 150). (To the position where it overlaps with). Each of the plurality of regions 102c extends from a position overlapping the end 150a of one insulating film 150 of the two adjacent insulating films 150 to a position overlapping the end 150b of the other insulating film 150.

領域１０２ａは、反射層１３０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ａと重なる領域において、最も低い光線透過率を有している。領域１０２ｃは、反射層１３０及び絶縁膜１５０のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置１０は、領域１０２ａ、領域１０２ｂ及び領域１０２ｃと重なる領域のうち、領域１０２ｃと重なる領域において、最も高い光線透過率を有している。領域１０２ｂは、反射層１３０と重ならず絶縁膜１５０と重なっており、このため、発光装置１０は、領域１０２ｂと重なる領域においては、領域１０２ａと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域１０２ｃと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。 The region 102a overlaps the reflective layer 130, and therefore, the light emitting device 10 has the lowest light transmittance in the region overlapping the region 102a among the regions overlapping the region 102a, the region 102b, and the region 102c. There is. The region 102c does not overlap with either the reflective layer 130 or the insulating film 150, and therefore, the light emitting device 10 is the highest in the region overlapping the region 102a, the region 102b, and the region 102c among the regions overlapping the region 102a, the region 102b, and the region 102c. It has light transmittance. The region 102b does not overlap with the reflective layer 130 but overlaps with the insulating film 150. Therefore, the light emitting device 10 has a higher light transmittance in the region overlapping with the region 102b than the light transmittance in the region overlapping with the region 102a, and the region 102b overlaps with the insulating film 150. It has a light transmittance lower than the light transmittance in the region overlapping with 102c.

図１３に示す例においては、発光装置１０の全体としての光線透過率が高いものとなっている。詳細には、光線透過率の高い領域の幅、すなわち、領域１０２ｃの幅ｄ３が広くなっており、具体的には、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ｂの幅ｄ２よりも広くなっている（ｄ３＞ｄ２）。このようにして、発光装置１０の全体としての光線透過率は、高いものとなっている。 In the example shown in FIG. 13, the light transmittance of the light emitting device 10 as a whole is high. Specifically, the width of the region having high light transmittance, that is, the width d3 of the region 102c is widened, and specifically, the width d3 of the region 102c is wider than the width d2 of the region 102b (). d3> d2). In this way, the light transmittance of the light emitting device 10 as a whole is high.

図１３に示す例においては、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。詳細には、光が絶縁膜１５０を透過する領域の幅、すなわち、領域１０２ｂの幅ｄ２が狭くなっており、具体的には、領域１０２ｂの幅ｄ２は、領域１０２ｃの幅ｄ３よりも狭くなっている（ｄ２＜ｄ３）。絶縁膜１５０は、特定の波長の光を吸収することがある。このような場合においても、上述した構成においては、絶縁膜１５０を透過する光の量を少なくすることができる。このようにして、発光装置１０が特定の波長の光を多く吸収することが防止されている。 In the example shown in FIG. 13, it is prevented that the light emitting device 10 absorbs a large amount of light having a specific wavelength. Specifically, the width of the region through which light passes through the insulating film 150, that is, the width d2 of the region 102b is narrowed, and specifically, the width d2 of the region 102b is narrower than the width d3 of the region 102c. (D2 <d3). The insulating film 150 may absorb light having a specific wavelength. Even in such a case, in the above-described configuration, the amount of light transmitted through the insulating film 150 can be reduced. In this way, it is prevented that the light emitting device 10 absorbs a large amount of light having a specific wavelength.

なお、領域１０２ｃの幅ｄ３は、領域１０２ａの幅ｄ１よりも広くてもよいし（ｄ３＞ｄ１）、領域１０２ａの幅ｄ１よりも狭くてもよいし（ｄ３＜ｄ１）、又は領域１０２ａの幅ｄ１と等しくてもよい（ｄ３＝ｄ１）。 The width d3 of the region 102c may be wider than the width d1 of the region 102a (d3> d1), may be narrower than the width d1 of the region 102a (d3 <d1), or the width of the region 102a. It may be equal to d1 (d3 = d1).

一例において、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｂの幅ｄ２の比ｄ２／ｄ１は、０以上０．２以下であり（０≦ｄ２／ｄ１≦０．２）、領域１０２ａの幅ｄ１に対する領域１０２ｃの幅ｄ３の比ｄ３／ｄ１は、０．３以上２以下である（０．３≦ｄ３／ｄ１≦２）。より具体的には、一例において、領域１０２ａの幅ｄ１は、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、領域１０２ｂの幅ｄ２は、０μｍ以上１００μｍ以下であり、領域１０２ｃの幅ｄ３は、１５μｍ以上１０００μｍ以下である。 In one example, the ratio d2 / d1 of the width d2 of the region 102b to the width d1 of the region 102a is 0 or more and 0.2 or less (0 ≦ d2 / d1 ≦ 0.2), and the region 102c with respect to the width d1 of the region 102a. The ratio d3 / d1 of the width d3 is 0.3 or more and 2 or less (0.3 ≦ d3 / d1 ≦ 2). More specifically, in one example, the width d1 of the region 102a is 50 μm or more and 500 μm or less, the width d2 of the region 102b is 0 μm or more and 100 μm or less, and the width d3 of the region 102c is 15 μm or more and 1000 μm or less. ..

一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置１０は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置１０は、例えば、赤色の光を発する。 In one example, the light emitting device 10 can be used as a high mount stop lamp for an automobile. In this case, the light emitting device 10 can be attached to the rear window of the automobile. Further, in this case, the light emitting device 10 emits, for example, red light.

次に、図１０から図１３に示した発光装置１０の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of the manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIGS. 10 to 13 will be described.

まず、図４に示した例と同様にして、基板１００の第１面１０２上に第１層１１２、第２層１１４及び第３層１１６を形成する。次いで、第３層１１６上のマスク膜３００を形成する。 First, the first layer 112, the second layer 114, and the third layer 116 are formed on the first surface 102 of the substrate 100 in the same manner as in the example shown in FIG. Next, the mask film 300 on the third layer 116 is formed.

次いで、図５に示した例と同様にして、エッチングによって半透過反射層１１０をパターニングする。このパターニングでは、共通の半透過反射層をエッチングすることで複数の半透過反射層１１０を形成する。したがって、複数の半透過反射層１１０の厚みは、互いに実質的に等しくなる。より具体的には、複数の半透過反射層１１０の第１層１１２の厚みは互いに実質的に等しくなり、複数の半透過反射層１１０の第２層１１４の厚みは互いに実質的に等しくなり、複数の半透過反射層１１０の第３層１１６の厚みは互いに実質的に等しくなる。 Next, the semitransparent reflective layer 110 is patterned by etching in the same manner as in the example shown in FIG. In this patterning, a plurality of semitransparent reflective layers 110 are formed by etching a common transflective reflective layer. Therefore, the thicknesses of the plurality of transflective reflective layers 110 are substantially equal to each other. More specifically, the thickness of the first layer 112 of the plurality of transflective layers 110 is substantially equal to each other, and the thickness of the second layer 114 of the plurality of transflective layers 110 is substantially equal to each other. The thickness of the third layer 116 of the plurality of transflective reflective layers 110 is substantially equal to each other.

次いで、図６に示した例と同様にして、溶液２５０を塗布し、溶液２５０を乾燥させる。 Then, the solution 250 is applied and the solution 250 is dried in the same manner as in the example shown in FIG.

次いで、図７に示した例と同様にして、溶液２５０及び半透過反射層１１０を加熱する。 The solution 250 and the transflective reflective layer 110 are then heated in the same manner as in the example shown in FIG.

このようにして、図１０から図１３に示した発光装置１０が製造される。 In this way, the light emitting device 10 shown in FIGS. 10 to 13 is manufactured.

本実施例においても、第２層１１４の端部（すなわち、突出部１１４ａ）が絶縁膜１５０を突き破ることを抑えることができる。 Also in this embodiment, it is possible to prevent the end portion (that is, the protruding portion 114a) of the second layer 114 from penetrating the insulating film 150.

さらに、本実施例においても、図１に示した例と同様にして、発光装置１０の発光面（基板１００の第２面１０４）の反対側に向けて漏れる光の量を第２層１１４の突出部１１４ａによって抑えることができる。 Further, also in this embodiment, the amount of light leaking toward the opposite side of the light emitting surface (second surface 104 of the substrate 100) of the light emitting device 10 is measured by the second layer 114 in the same manner as in the example shown in FIG. It can be suppressed by the protrusion 114a.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.

１０発光装置
１００基板
１０２第１面
１０２ａ領域
１０２ｂ領域
１０２ｃ領域
１０４第２面
１１０半透過反射層
１１２第１層
１１４第２層
１１４ａ突出部
１１６第３層
１２０有機層
１３０反射層
１３０ａ端部
１３０ｂ端部
１４０発光領域
１４２発光部
１４４透光部
１５０絶縁膜
１５０ａ端部
１５０ｂ端部
１５２開口
２１２第１接続部
２１４第１配線
２３２第２接続部
２３４第２配線
２５０溶液
３００マスク膜 10 Light emitting device 100 Substrate 102 First surface 102a Region 102b Region 102c Region 104 Second surface 110 Semi-transmissive reflective layer 112 First layer 114 Second layer 114a Projection 116 Third layer 120 Organic layer 130 Reflective layer 130a End 130b End Part 140 Light emitting area 142 Light emitting part 144 Light transmitting part 150 Insulating film 150a End part 150b End part 152 Opening 212 First connection part 214 First wiring 232 Second connection part 234 Second wiring 250 Solution 300 Mask film

Claims

Including the step of forming a light emitting part
The step of forming the light emitting portion is
A half containing a first layer containing a transparent conductive material, a second layer located on the first layer and containing a silver atom, and a third layer located on the second layer and containing a transparent conductive material. The process of forming the transmissive reflective layer and
The step of patterning the semi-transmissive reflective layer by etching and
After patterning the semi-transmissive reflective layer, a step of applying a solution for forming an insulating film covering the end portion of the semi-transmissive reflective layer, and a step of applying the solution.
After applying the solution, the step of heating the semi-transmissive reflective layer and
A step of forming an organic layer and a reflective layer on the semitransparent reflective layer, and
Only including,
After the formation of the reflective layer, the second layer has a protruding portion protruding outside the semi-transmissive reflective layer from the end portion of the first layer and the end portion of the third layer, and the reflective layer. A method for manufacturing a light emitting device, wherein the end portion of the light emitting device is located farther from the light emitting portion than the protruding portion of the second layer.

In the method for manufacturing a light emitting device according to claim 1,
After heating the semi-transmissive reflective layer, the thickness of the protruding portion of the second layer becomes thicker than the thickness of the portion between the first layer and the third layer of the second layer. Production method.

In the method for manufacturing a light emitting device according to claim 1 or 2.
The etching for patterning the semi-transmissive reflective layer is wet etching, which is a method for manufacturing a light emitting device.

A light emitting part including a resonance structure that resonates light generated in an organic layer located between a reflective layer and a transflective reflective layer,
A coating insulating film that covers the end of the transflective reflective layer,
With
The transflective layer is
The first layer containing the transparent conductive material and
A second layer located on the first layer and containing a silver atom,
A third layer located on the second layer and containing a transparent conductive material,
Have,
The second layer has a protruding portion that protrudes outside the semi-transmissive reflective layer from the end portion of the first layer and the end portion of the third layer .
A light emitting device in which the end portion of the reflective layer is located farther from the light emitting portion than the protruding portion of the second layer.

In the light emitting device according to claim 4,
A light emitting device in which the thickness of the protruding portion of the second layer is thicker than the thickness of the portion of the second layer between the first layer and the third layer.

In the light emitting device according to claim 4 or 5.
The reflective layer is a metallic conductive layer and
Each of the first layer and the third layer is a transparent conductive layer.
The second layer is a light emitting device containing Ag-Pd-Cu.

In the light emitting device according to any one of claims 4 to 6.
The coated insulating film is a light emitting device containing at least one of polyimide, siloxane, and epoxy.

In the light emitting device according to any one of claims 4 to 7.
A light emitting device having a coating insulating film having a thickness of 400 nm or more and 2000 nm or less.