JP2018120732A - Light emitting device and method of manufacturing light emitting device - Google Patents

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2018120732A
JP2018120732A JP2017010961A JP2017010961A JP2018120732A JP 2018120732 A JP2018120732 A JP 2018120732A JP 2017010961 A JP2017010961 A JP 2017010961A JP 2017010961 A JP2017010961 A JP 2017010961A JP 2018120732 A JP2018120732 A JP 2018120732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
inorganic
emitting device
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017010961A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
大田 悟
Satoru Ota
悟 大田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP2017010961A priority Critical patent/JP2018120732A/en
Publication of JP2018120732A publication Critical patent/JP2018120732A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a resin layer from spreading to the outside of an inorganic layer.SOLUTION: A light emitting portion 152 has an organic layer. An inorganic layer 211 (first inorganic layer) is over the light emitting portion 152. A resin layer 220 is on the inorganic layer 211. The inorganic layer 211 is in contact with the resin layer 220. The inorganic layer 211 comprises alumina (AlO) having a methyl group. The methyl group is present on a surface of the inorganic layer 211 by forming alumina at low temperatures by means of ALD (Atomic Layer Deposition). The resin layer 220 is formed on the inorganic layer 211 by means of a coating process.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.

近年、発光装置として、有機発光ダイオード(OLED)が開発されている。OLEDは、第1電極、有機層及び第2電極を有している。有機層は、有機エレクトロルミネッセンスによって光を発する発光層を含んでいる。発光層は、第1電極と第2電極の間の電圧によって光を発する。   In recent years, organic light emitting diodes (OLEDs) have been developed as light emitting devices. The OLED has a first electrode, an organic layer, and a second electrode. The organic layer includes a light emitting layer that emits light by organic electroluminescence. The light emitting layer emits light by a voltage between the first electrode and the second electrode.

OLEDは、水分による影響を受けやすいことが知られている。具体的には、OLEDの発光特性は、水分によって低下することがある。水分による影響を抑えるため、OLED中の発光部を封止することがある。現在、発光部を封止するための構造について様々な検討がなされている。   OLEDs are known to be susceptible to moisture. Specifically, the light emission characteristics of an OLED may be degraded by moisture. In order to suppress the influence of moisture, the light emitting part in the OLED may be sealed. Currently, various studies have been made on the structure for sealing the light emitting portion.

特許文献1には、複数の無機層及び複数の有機層を含む封止層について記載されている。これら無機層及び有機層は、交互に積層されている。無機層は、外部から発光部への水分の侵入を防止するために設けられている。有機層は、無機層の内部のストレスを緩和し、無機層の表面に発生する欠陥(例えば、クラック又はピンホール)を満たすために設けられている。特に特許文献1には、無機層は、スパッタリング、CVD(Chemical Vapor Deposition)又はIBAD(Ion Beam Assisted Deposition)によって形成されることについて記載されている。   Patent Document 1 describes a sealing layer including a plurality of inorganic layers and a plurality of organic layers. These inorganic layers and organic layers are alternately laminated. The inorganic layer is provided in order to prevent moisture from entering the light emitting portion from the outside. The organic layer is provided to relieve stress inside the inorganic layer and fill defects (for example, cracks or pinholes) generated on the surface of the inorganic layer. In particular, Patent Document 1 describes that the inorganic layer is formed by sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition) or IBAD (Ion Beam Assisted Deposition).

特許文献2には、無機層及び樹脂層を含む封止層について記載されている。特許文献2には、無機層は、SiO又はAlであり、蒸着、具体的には、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングによって形成されることについて記載されている。さらに、特許文献2には、樹脂層は、樹脂モノマー又は樹脂オリゴマーを含有する樹脂コーティング剤を無機層に噴霧コーティングし、樹脂モノマー又は樹脂オリゴマーを硬化することによって形成されることについて記載されている。 Patent Document 2 describes a sealing layer including an inorganic layer and a resin layer. Patent Document 2 describes that the inorganic layer is SiO 2 or Al 2 O 3 and is formed by vapor deposition, specifically, vacuum vapor deposition, sputtering, or ion plating. Furthermore, Patent Document 2 describes that a resin layer is formed by spray coating a resin coating agent containing a resin monomer or resin oligomer on an inorganic layer and curing the resin monomer or resin oligomer. .

特開2010−171012号公報JP 2010-171012 A 特開2012−253036号公報JP 2012-253036 A

本発明者は、封止層の構造について検討し、具体的には、樹脂層を無機層上に塗布プロセス(例えば、インクジェット印刷)によって形成することについて検討した。樹脂層には、水分が侵入しやすい。したがって、樹脂層は、無機層よりも外側へは広がらないようにすることが望ましい。   The inventor examined the structure of the sealing layer, and specifically, examined the formation of the resin layer on the inorganic layer by a coating process (for example, ink jet printing). Moisture easily enters the resin layer. Therefore, it is desirable that the resin layer does not spread outward than the inorganic layer.

本発明が解決しようとする課題としては、樹脂層が無機層の外側へ広がることを抑制することが一例として挙げられる。   An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent the resin layer from spreading outside the inorganic layer.

請求項1に記載の発明は、
有機層を有する発光部と、
前記発光部上の第1無機層と、
前記第1無機層上の樹脂層と、
を備え、
前記第1無機層は、前記樹脂層に接しており、
前記第1無機層は、メチル基を有するアルミナからなる発光装置である。
The invention described in claim 1
A light emitting part having an organic layer;
A first inorganic layer on the light emitting part;
A resin layer on the first inorganic layer;
With
The first inorganic layer is in contact with the resin layer,
The first inorganic layer is a light emitting device made of alumina having a methyl group.

請求項8に記載の発明は、
有機層を有する発光部を形成する工程と、
前記発光部上に第1無機層を形成する工程と、
前記第1無機層上に樹脂層を形成する工程と、
を含み、
前記第1無機層を形成する工程において、前記第1無機層は、メチル基を有するアルミナからなり、
前記樹脂層を形成する工程において、前記樹脂層は、前記第1無機層に接する、発光装置の製造方法である。
The invention according to claim 8 provides:
Forming a light emitting part having an organic layer;
Forming a first inorganic layer on the light emitting part;
Forming a resin layer on the first inorganic layer;
Including
In the step of forming the first inorganic layer, the first inorganic layer is made of alumina having a methyl group,
In the step of forming the resin layer, the resin layer is in contact with the first inorganic layer, and is a method for manufacturing a light emitting device.

実施形態に係る発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the light-emitting device which concerns on embodiment. 図1のA−A断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図2に示した被覆層の詳細を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the detail of the coating layer shown in FIG. 実施形態において、アルミナの表面にメチル基が存在する理由を説明するための図である。In embodiment, it is a figure for demonstrating the reason a methyl group exists on the surface of an alumina. 図1から図3に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example of the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIGS. 図3の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 実施例に係る発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the light-emitting device based on an Example. 図7のP−P断面図である。It is PP sectional drawing of FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る発光装置10を示す平面図である。図2は、図1のA−A断面図である。図3は、図2に示した被覆層210の詳細を説明するための図である。   FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the coating layer 210 shown in FIG. 2.

図1から図3を用いて、発光装置10の概要について説明する。発光装置10は、発光部152、無機層211及び樹脂層220を備えている。発光部152は、有機層を有している。図3に示すように、無機層211(第1無機層)は、発光部152上にある。樹脂層220は、無機層211上にある。無機層211は、樹脂層220に接している。無機層211は、メチル基を有するアルミナ(Al)からなっている。 The outline of the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. 1 to 3. The light emitting device 10 includes a light emitting unit 152, an inorganic layer 211, and a resin layer 220. The light emitting unit 152 has an organic layer. As shown in FIG. 3, the inorganic layer 211 (first inorganic layer) is on the light emitting unit 152. The resin layer 220 is on the inorganic layer 211. The inorganic layer 211 is in contact with the resin layer 220. The inorganic layer 211 is made of alumina (Al 2 O 3 ) having a methyl group.

上述した構成によれば、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。具体的には、樹脂層220は、塗布膜であり、言い換えると、塗布プロセス、特に本実施形態ではインクジェット印刷によって無機層211上に形成されている。したがって、樹脂層220を無機層211上に塗布した直後、樹脂層220は、液相であり、このため、外側に向けて広がりやすい。特に、大きな濡れ性を有する表面上に樹脂層220が形成されると、樹脂層220は、外側に向けて広がりやすい。これに対して、上述した構成においては、無機層211は、メチル基、すなわち、疎水基を有している。図4を用いて後述するように、このメチル基は、ALD(Atomic Layer Deposition)によってアルミナを低温で形成することで、無機層211の表面に存在している。メチル基によって無機層211の表面の濡れ性は小さいものとなっている。したがって、樹脂層220を無機層211上に塗布した直後、樹脂層220は、無機層211の表面上で広がりにくい。このようにして、上述した構成によれば、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   According to the configuration described above, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211. Specifically, the resin layer 220 is a coating film. In other words, the resin layer 220 is formed on the inorganic layer 211 by a coating process, particularly in this embodiment, by inkjet printing. Therefore, immediately after the resin layer 220 is applied on the inorganic layer 211, the resin layer 220 is in a liquid phase, and therefore tends to spread outward. In particular, when the resin layer 220 is formed on the surface having high wettability, the resin layer 220 is likely to spread outward. On the other hand, in the configuration described above, the inorganic layer 211 has a methyl group, that is, a hydrophobic group. As will be described later with reference to FIG. 4, this methyl group is present on the surface of the inorganic layer 211 by forming alumina at a low temperature by ALD (Atomic Layer Deposition). The wettability of the surface of the inorganic layer 211 is small due to the methyl group. Therefore, immediately after the resin layer 220 is applied on the inorganic layer 211, the resin layer 220 is difficult to spread on the surface of the inorganic layer 211. In this way, according to the configuration described above, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211.

次に、図1を用いて、発光装置10の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置10は、基板100、発光部152及び封止層200を備えている。封止層200は、被覆層210(第1被覆層)、樹脂層220及び被覆層230(第2被覆層)を含んでいる。図3を用いて後述するように、被覆層210は、無機層211を含んでいる。図2を用いて後述するように、被覆層210、樹脂層220及び被覆層230は、基板100から順に積層されている。   Next, details of a planar layout of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 152, and a sealing layer 200. The sealing layer 200 includes a coating layer 210 (first coating layer), a resin layer 220, and a coating layer 230 (second coating layer). As will be described later with reference to FIG. 3, the covering layer 210 includes an inorganic layer 211. As will be described later with reference to FIG. 2, the covering layer 210, the resin layer 220, and the covering layer 230 are sequentially stacked from the substrate 100.

発光部152の面積は、封止層200の面積より小さくなっており、発光部152の全体が封止層200の内側にある。したがって、発光部152のいずれの部分も、封止層200から露出していない。つまり、発光部152のいずれの部分も、封止層200によって封止されている。   The area of the light emitting unit 152 is smaller than the area of the sealing layer 200, and the entire light emitting unit 152 is inside the sealing layer 200. Therefore, no part of the light emitting unit 152 is exposed from the sealing layer 200. That is, any part of the light emitting portion 152 is sealed with the sealing layer 200.

被覆層210の面積及び被覆層230の面積は、いずれも、樹脂層220の面積より大きくなっており、樹脂層220の全体が被覆層210の内側及び被覆層230の内側にある。したがって、樹脂層220のいずれの部分も、被覆層210及び被覆層230から露出していない。さらに、図2を用いて後述するように、被覆層210及び被覆層230は、樹脂層220の端部の外側で互いに接することができる。   The area of the covering layer 210 and the area of the covering layer 230 are both larger than the area of the resin layer 220, and the entire resin layer 220 is inside the covering layer 210 and inside the covering layer 230. Therefore, no part of the resin layer 220 is exposed from the coating layer 210 and the coating layer 230. Furthermore, as will be described later with reference to FIG. 2, the covering layer 210 and the covering layer 230 can be in contact with each other outside the end portion of the resin layer 220.

特に図1に示す例では、樹脂層220は、樹脂層220を画定するための隔壁によって囲まれていない。言い換えると、本実施形態では、樹脂層220を画定するための隔壁を形成することなく、樹脂層220を画定することができる。具体的には、上述したように、本実施形態においては、樹脂層220を塗布プロセスによって形成しても、樹脂層220が無機層211(被覆層210)の外側へ広がることが抑制されている。したがって、樹脂層220を構成する液体を精度よく塗布することで、樹脂層220を、隔壁を用いることなく、画定することができる。   In particular, in the example illustrated in FIG. 1, the resin layer 220 is not surrounded by a partition wall for defining the resin layer 220. In other words, in this embodiment, the resin layer 220 can be defined without forming a partition wall for defining the resin layer 220. Specifically, as described above, in the present embodiment, even when the resin layer 220 is formed by a coating process, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211 (covering layer 210). . Therefore, the resin layer 220 can be defined without using a partition wall by accurately applying the liquid constituting the resin layer 220.

次に、図2を用いて、発光装置10の断面構造の詳細について説明する。発光装置10は、基板100、発光部152及び封止層200を備えている。封止層200は、発光部152から、被覆層210、樹脂層220及び被覆層230を順に含んでいる。図3を用いて後述するように、被覆層210は、無機層211を含んでいる。   Next, the details of the cross-sectional structure of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 152, and a sealing layer 200. The sealing layer 200 includes, from the light emitting unit 152, a coating layer 210, a resin layer 220, and a coating layer 230 in this order. As will be described later with reference to FIG. 3, the covering layer 210 includes an inorganic layer 211.

基板100は、第1面102及び第2面104を有している。発光部152及び封止層200は、基板100の第1面102上にある。第2面104は、第1面102の反対側にある。   The substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104. The light emitting unit 152 and the sealing layer 200 are on the first surface 102 of the substrate 100. The second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102.

発光装置10は、ボトムエミッションであってもよいし、又はトップエミッションであってもよい。発光装置10がボトムエミッションである場合、発光部152からの光は、基板100側から出射される。したがって、発光装置10がボトムエミッションであるとき、基板100は、透光性を有する必要がある。発光装置10がトップエミッションである場合、発光部152からの光は、封止層200側から出射される。したがって、発光装置10がトップエミッションであるとき、封止層200は、透光性を有する必要がある。   The light emitting device 10 may be bottom emission or top emission. When the light emitting device 10 is bottom emission, light from the light emitting unit 152 is emitted from the substrate 100 side. Therefore, when the light emitting device 10 is bottom emission, the substrate 100 needs to have translucency. When the light emitting device 10 is top emission, the light from the light emitting unit 152 is emitted from the sealing layer 200 side. Therefore, when the light emitting device 10 is top emission, the sealing layer 200 needs to have translucency.

基板100は、発光装置10がボトムエミッションであるとき、透光性を有しており、例えば、ガラス基板又は樹脂基板とすることができる。基板100は、発光装置10がトップエミッションであるとき、透光性を有していてもよいし、又は有していなくてもよく、例えば、金属基板とすることができる。   The substrate 100 has translucency when the light emitting device 10 is bottom emission, and can be, for example, a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may or may not have translucency when the light emitting device 10 is top emission, and may be a metal substrate, for example.

発光部152は、有機層を有している。有機層は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)によって光を発することができる。   The light emitting unit 152 has an organic layer. The organic layer can emit light by organic electroluminescence (EL).

被覆層210は、発光部152を封止するために設けられている。被覆層210は、無機材料、具体的には、アルミナ(Al)及び他の無機材料を含んでおり、このため、低水蒸気透過率を有している。当該アルミナ及び他の無機材料は、交互に積層されている。被覆層210によって、発光部152への水分の侵入が防止される。 The covering layer 210 is provided to seal the light emitting unit 152. The covering layer 210 contains an inorganic material, specifically, alumina (Al 2 O 3 ) and other inorganic materials, and thus has a low water vapor transmission rate. The alumina and other inorganic materials are alternately laminated. The covering layer 210 prevents moisture from entering the light emitting unit 152.

樹脂層220は、樹脂材料、具体的には、例えばエポキシ樹脂又はアクリル樹脂を含んでいる。樹脂層220の樹脂材料は、光硬化性及び熱硬化性の少なくとも一方を有している。したがって、樹脂層220は、未硬化の樹脂を被覆層210上に塗布し、この樹脂を光又は熱によって硬化することによって、形成されることができる。なお、図2に示す例において、樹脂層220の樹脂材料は、既に硬化されている。   The resin layer 220 contains a resin material, specifically, for example, an epoxy resin or an acrylic resin. The resin material of the resin layer 220 has at least one of photocurability and thermosetting. Therefore, the resin layer 220 can be formed by applying an uncured resin on the coating layer 210 and curing the resin with light or heat. In the example shown in FIG. 2, the resin material of the resin layer 220 has already been cured.

樹脂層220は、被覆層210に覆われた異物の移動によって被覆層210が損傷を受けることを防ぐために設けられている。具体的には、基板100の第1面102上に異物(例えば、微粒子)が存在する状態で被覆層210を堆積した場合、被覆層210がこの異物を覆うことがある。このような異物は、外部からの衝撃によって、被覆層210を破るように移動することがある。樹脂層220は、このような異物の移動を防ぐために設けられている。つまり、樹脂層220によって上述した異物が固定され、被覆層210が損傷を受けることを防ぐことができる。   The resin layer 220 is provided in order to prevent the coating layer 210 from being damaged by the movement of the foreign matter covered by the coating layer 210. Specifically, when the coating layer 210 is deposited on the first surface 102 of the substrate 100 in the presence of foreign matter (for example, fine particles), the coating layer 210 may cover the foreign matter. Such foreign matter may move so as to break the coating layer 210 due to an external impact. The resin layer 220 is provided to prevent such movement of foreign matter. That is, the above-described foreign matter is fixed by the resin layer 220, and the covering layer 210 can be prevented from being damaged.

被覆層230は、樹脂層220を封止するために設けられている。被覆層230は、無機材料、具体的には、アルミナ(Al)及び他の無機材料を含んでおり、このため、低水蒸気透過率を有している。当該アルミナ及び他の無機材料は、交互に積層されている。被覆層230によって、樹脂層220への水分の侵入が防止される。 The covering layer 230 is provided to seal the resin layer 220. The covering layer 230 includes an inorganic material, specifically, alumina (Al 2 O 3 ) and other inorganic materials, and thus has a low water vapor transmission rate. The alumina and other inorganic materials are alternately laminated. The coating layer 230 prevents moisture from entering the resin layer 220.

被覆層210は、発光部152の端部の外側で基板100の第1面102に接している。したがって、基板100と被覆層210の間を経由して水分が発光部152に侵入することが防止されている。   The covering layer 210 is in contact with the first surface 102 of the substrate 100 outside the end of the light emitting unit 152. Therefore, moisture can be prevented from entering the light emitting portion 152 via the space between the substrate 100 and the coating layer 210.

被覆層210と被覆層230は、樹脂層220の端部の外側で互いに接している。したがって、樹脂層220の端部が外部に露出することが防止されている。したがって、外部から樹脂層220を経由して水分が発光部152に侵入することが防止されている。   The covering layer 210 and the covering layer 230 are in contact with each other outside the end of the resin layer 220. Therefore, the end portion of the resin layer 220 is prevented from being exposed to the outside. Therefore, moisture can be prevented from entering the light emitting unit 152 from the outside via the resin layer 220.

特に図2に示す例では、樹脂層220の端部は、被覆層230によって覆われている。言い換えると、樹脂層220の端部は、樹脂層220を画定するための隔壁に接してない。図1を用いて説明したように、本実施形態では、樹脂層220を画定するための隔壁を形成することなく、樹脂層220を画定することができる。したがって、樹脂層220の端部は、被覆層230によって覆われるようにすることができる。   In particular, in the example illustrated in FIG. 2, the end portion of the resin layer 220 is covered with the covering layer 230. In other words, the end portion of the resin layer 220 is not in contact with the partition for defining the resin layer 220. As described with reference to FIG. 1, in this embodiment, the resin layer 220 can be defined without forming a partition wall for defining the resin layer 220. Therefore, the end portion of the resin layer 220 can be covered with the covering layer 230.

次に、図3を用いて、被覆層210の詳細について説明する。   Next, the details of the coating layer 210 will be described with reference to FIG.

被覆層210は、複数の第1層212及び複数の第2層214を含んでいる。第1層212及び第2層214は、交互に積層されている。なお、図3に示す例では、発光部152は、保護層202によって覆われており、被覆層210は、保護層202上にある。   The covering layer 210 includes a plurality of first layers 212 and a plurality of second layers 214. The first layer 212 and the second layer 214 are alternately stacked. In the example illustrated in FIG. 3, the light emitting unit 152 is covered with the protective layer 202, and the covering layer 210 is on the protective layer 202.

各第1層212は、無機材料、具体的には、アルミナ(Al)を含んでいる。各第1層212は、ALDによって形成されている。特に本実施形態では、発光部152の有機層に熱的ダメージを与えないようにするため、第1層212を形成するためのALDは、低温で実施されている。 Each first layer 212 includes an inorganic material, specifically, alumina (Al 2 O 3 ). Each first layer 212 is formed by ALD. In particular, in the present embodiment, ALD for forming the first layer 212 is performed at a low temperature so as not to cause thermal damage to the organic layer of the light emitting unit 152.

各第2層214は、アルミナ(すなわち、第1層212の無機材料)とは異なる無機材料を含んでいる。各第2層214は、ALDによって形成されている。特に本実施形態では、発光部152の有機層に熱的ダメージを与えないようにするため、第2層214を形成するためのALDは、低温で実施されている。   Each second layer 214 includes an inorganic material different from alumina (that is, the inorganic material of the first layer 212). Each second layer 214 is formed by ALD. In particular, in this embodiment, ALD for forming the second layer 214 is performed at a low temperature so as not to cause thermal damage to the organic layer of the light emitting unit 152.

無機層211は、複数の第1層212のうちの最表面の第1層212である。言い換えると、複数の第1層212及び複数の第2層214は、複数の第1層212のうちの最表面の第1層212(つまり、無機層211)が樹脂層220と接するように積層されている。なお、保護層202には、第1層212及び第2層214のいずれが接していてもよい。   The inorganic layer 211 is the outermost first layer 212 of the plurality of first layers 212. In other words, the plurality of first layers 212 and the plurality of second layers 214 are stacked such that the outermost first layer 212 (that is, the inorganic layer 211) of the plurality of first layers 212 is in contact with the resin layer 220. Has been. Note that either the first layer 212 or the second layer 214 may be in contact with the protective layer 202.

図4は、本実施形態において、アルミナの表面にメチル基が存在する理由を説明するための図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining the reason why methyl groups exist on the surface of alumina in the present embodiment.

アルミナを形成するための一般的なALDについて説明する。まず、基材の表面にTMA(トリメチルアルミニウム)を前駆体として供給する。基材の表面には、ヒドロキシ基が存在している。このヒドロキシ基は、基材の表面を空気に曝して基材の表面をヒロドキシ化することで、形成されることができる。次いで、余剰のTMAをパージする。TMAによって、基材の表面には、メチル基を有するAlのモノレイヤが形成される。次いで、基材の表面に水蒸気を供給する。次いで、余剰の水蒸気をパージする。水蒸気によって、Alに結合していたメチル基は、ヒドロキシ基に置き換わる。次いで、TMAの供給、余剰のTMAのパージ、水蒸気の供給及び余剰の水蒸気のパージを繰り返す。   A general ALD for forming alumina will be described. First, TMA (trimethylaluminum) is supplied as a precursor to the surface of the substrate. Hydroxyl groups are present on the surface of the substrate. This hydroxy group can be formed by exposing the surface of the substrate to air and then hydroxylating the surface of the substrate. The excess TMA is then purged. By TMA, an Al monolayer having a methyl group is formed on the surface of the substrate. Next, water vapor is supplied to the surface of the substrate. The excess water vapor is then purged. The methyl group bonded to Al is replaced with a hydroxy group by water vapor. Next, the supply of TMA, the purge of excess TMA, the supply of steam and the purge of excess steam are repeated.

本実施形態では、発光部152の有機層に熱的ダメージを与えないようにするため、アルミナ(図3に示した第1層212)は、一般的なALDの温度より低い温度、具体的には、150℃以下、好ましくは100℃以下で形成されている。したがって、本実施形態では、水蒸気を供給しても、図4に示すように、Alに結合していたメチル基をヒドロキシ基に置き換える反応が低温のために促進されず、一部のメチル基がヒドロキシ基に置き換わりつつ、他のメチル基がアルミナの表面に残ったままとなる。このようにして、本実施形態では、アルミナの表面にメチル基及びヒドロキシ基の双方が存在している。   In the present embodiment, alumina (the first layer 212 shown in FIG. 3) has a temperature lower than a general ALD temperature, specifically, in order to prevent thermal damage to the organic layer of the light emitting unit 152. Is formed at 150 ° C. or lower, preferably 100 ° C. or lower. Therefore, in this embodiment, even if water vapor is supplied, the reaction of replacing the methyl group bonded to Al with a hydroxy group is not promoted due to low temperature, as shown in FIG. While replacing the hydroxy groups, other methyl groups remain on the surface of the alumina. Thus, in this embodiment, both a methyl group and a hydroxy group exist on the surface of alumina.

図5は、図1から図3に示した発光装置10の製造方法の一例を説明するための図である。この例では、次のようにして発光装置10が製造される。   FIG. 5 is a diagram for explaining an example of a manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIGS. 1 to 3. In this example, the light emitting device 10 is manufactured as follows.

まず、基板100の第1面102上に発光部152を形成する。   First, the light emitting unit 152 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.

次いで、ALDによって、被覆層210を形成する。具体的には、ALDによって、第1層212及び第2層214を交互に積層する。発光部152の有機層に熱的ダメージを与えないようにするため、被覆層210は、低温、具体的には、150℃以下、好ましくは、100℃以下で形成される。図4を用いて説明したように、低温のALDによって、各第1層212(アルミナ)の表面には、メチル基が存在している。したがって、各第1層212の表面は、疎水性を有しており、特に、被覆層210を形成した直後は、第1層212の表面に対する水の接触角が30°以上、好ましくは60°以上となっている。   Next, the coating layer 210 is formed by ALD. Specifically, the first layer 212 and the second layer 214 are alternately stacked by ALD. In order not to cause thermal damage to the organic layer of the light emitting portion 152, the covering layer 210 is formed at a low temperature, specifically, 150 ° C. or lower, preferably 100 ° C. or lower. As described with reference to FIG. 4, methyl groups exist on the surface of each first layer 212 (alumina) by low temperature ALD. Therefore, the surface of each first layer 212 is hydrophobic, and immediately after forming the coating layer 210, the contact angle of water with respect to the surface of the first layer 212 is 30 ° or more, preferably 60 °. That's it.

次いで、図5に示すように、インクジェットヘッドHから無機層211の表面にインクを塗布する。インクは、樹脂材料を含んでいる。次いで、インクを乾燥させる。次いで、インクに含まれている樹脂材料を光又は熱によって硬化させる。このようにして、樹脂層220が無機層211に接して形成される。つまり、図5に示す例では、樹脂層220が、塗布プロセス、より具体的には、インクジェット印刷によって形成されている。   Next, as shown in FIG. 5, ink is applied from the inkjet head H to the surface of the inorganic layer 211. The ink contains a resin material. The ink is then dried. Next, the resin material contained in the ink is cured by light or heat. In this way, the resin layer 220 is formed in contact with the inorganic layer 211. That is, in the example shown in FIG. 5, the resin layer 220 is formed by a coating process, more specifically, ink jet printing.

上述したように、被覆層210を形成した直後、無機層211の表面は、メチル基によって疎水性を有している。したがって、インクジェットヘッドHから出射されたインクは、無機層211の表面上で広がりにくい。このようにして、本実施形態によれば、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   As described above, immediately after the coating layer 210 is formed, the surface of the inorganic layer 211 is hydrophobic due to the methyl group. Therefore, the ink emitted from the inkjet head H is difficult to spread on the surface of the inorganic layer 211. Thus, according to the present embodiment, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211.

次いで、ALDによって、被覆層230を形成する。   Next, the coating layer 230 is formed by ALD.

このようにして、図1から図3に示した発光装置10が製造される。   In this way, the light emitting device 10 shown in FIGS. 1 to 3 is manufactured.

以上、本実施形態によれば、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   As described above, according to the present embodiment, the resin layer 220 is suppressed from spreading to the outside of the inorganic layer 211.

図6は、図3の変形例を示す図である。図6に示すように、被覆層210は、第1層212のみを含んでいてもよい。言い換えると、図6に示す例では、被覆層210は、第2層214(図3)を含んでいない。図6に示す例においても、発光部152の有機層に熱的ダメージを与えないようにするため、第1層212(つまり、無機層211)は、低温でALDによって形成される。図4を用いて説明したように、低温のALDによって、第1層212(アルミナ)の表面には、メチル基が存在している。したがって、第1層212の表面は、疎水性を有している。   FIG. 6 is a diagram showing a modification of FIG. As shown in FIG. 6, the covering layer 210 may include only the first layer 212. In other words, in the example shown in FIG. 6, the covering layer 210 does not include the second layer 214 (FIG. 3). Also in the example illustrated in FIG. 6, the first layer 212 (that is, the inorganic layer 211) is formed by ALD at a low temperature so as not to cause thermal damage to the organic layer of the light emitting unit 152. As described with reference to FIG. 4, methyl groups exist on the surface of the first layer 212 (alumina) by low temperature ALD. Therefore, the surface of the first layer 212 is hydrophobic.

本変形例においても、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   Also in this modification, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211.

図7は、実施例に係る発光装置10を示す平面図である。図8は、図7のP−P断面図である。本実施例では、発光装置10は、半透過OLEDとして機能している。なお、説明のため、図7では、図8に示した有機層120及び絶縁層140を示していない。さらに、図7では、説明のため、封止層200を破線で示している。   FIG. 7 is a plan view illustrating the light emitting device 10 according to the example. 8 is a cross-sectional view taken along the line PP in FIG. In the present embodiment, the light emitting device 10 functions as a transflective OLED. For the sake of explanation, FIG. 7 does not show the organic layer 120 and the insulating layer 140 shown in FIG. Further, in FIG. 7, the sealing layer 200 is indicated by a broken line for explanation.

発光装置10の概要について説明する。図1から図3に示した例と同様にして、発光装置10は、発光部152、無機層211及び樹脂層220を備えている。発光部152は、有機層120を有している。無機層211(第1無機層)は、発光部152上にある。樹脂層220は、無機層211上にある。図3を用いて説明したように、無機層211は、樹脂層220に接している。無機層211は、メチル基を有するアルミナ(Al)からなっている。 An outline of the light emitting device 10 will be described. Similar to the example shown in FIGS. 1 to 3, the light emitting device 10 includes a light emitting unit 152, an inorganic layer 211, and a resin layer 220. The light emitting unit 152 includes the organic layer 120. The inorganic layer 211 (first inorganic layer) is on the light emitting unit 152. The resin layer 220 is on the inorganic layer 211. As described with reference to FIG. 3, the inorganic layer 211 is in contact with the resin layer 220. The inorganic layer 211 is made of alumina (Al 2 O 3 ) having a methyl group.

上述した構成によれば、実施形態と同様にして、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   According to the configuration described above, the resin layer 220 is prevented from spreading outside the inorganic layer 211 in the same manner as in the embodiment.

次に、図7を用いて、発光装置10の平面レイアウトの詳細について説明する。発光装置10は、基板100、複数の第1電極110、複数の第1接続部112、第1配線114、複数の第2電極130、複数の第2接続部132、第2配線134及び封止層200を備えている。   Next, details of a planar layout of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of first electrodes 110, a plurality of first connection portions 112, a first wiring 114, a plurality of second electrodes 130, a plurality of second connection portions 132, a second wiring 134, and a sealing. Layer 200 is provided.

基板100の形状は、第1面102に垂直な方向から見た場合、一対の長辺及び一対の短辺を有する矩形である。ただし、基板100の形状は、この例に限定されるものではない。基板100の形状は、第1面102に垂直な方向から見た場合、例えば円でもよいし、又は矩形以外の多角形であってもよい。   The shape of the substrate 100 is a rectangle having a pair of long sides and a pair of short sides when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102. However, the shape of the substrate 100 is not limited to this example. The shape of the substrate 100 may be, for example, a circle or a polygon other than a rectangle when viewed from a direction perpendicular to the first surface 102.

複数の第1電極110は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板100の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第1電極110のそれぞれは、基板100の短辺に沿って延伸している。   The plurality of first electrodes 110 are spaced apart from each other, and are specifically arranged in a line along the long side of the substrate 100. Each of the plurality of first electrodes 110 extends along the short side of the substrate 100.

複数の第1接続部112のそれぞれは、複数の第1電極110のそれぞれに接続している。図7に示す例では、第1接続部112は、第1電極110と一体となっている。   Each of the plurality of first connection portions 112 is connected to each of the plurality of first electrodes 110. In the example shown in FIG. 7, the first connection portion 112 is integrated with the first electrode 110.

第1配線114は、複数の第1接続部112に接続している。第1配線114は、基板100の一対の長辺の一方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第1配線114及び第1接続部112を介して第1電極110に供給される。   The first wiring 114 is connected to the plurality of first connection portions 112. The first wiring 114 extends along one of the pair of long sides of the substrate 100. An external voltage is supplied to the first electrode 110 via the first wiring 114 and the first connection portion 112.

複数の第2電極130のそれぞれは、複数の第1電極110のそれぞれに重なっている。複数の第2電極130は、互いに離間して位置しており、具体的には、基板100の長辺に沿って一列に並んでいる。複数の第2電極130のそれぞれは、基板100の短辺に沿って延伸しており、具体的には、基板100の短辺に沿って延伸する一対の長辺及び基板100の長辺に沿って延伸する一対の短辺を有している。   Each of the plurality of second electrodes 130 overlaps each of the plurality of first electrodes 110. The plurality of second electrodes 130 are spaced apart from each other, specifically, aligned in a line along the long side of the substrate 100. Each of the plurality of second electrodes 130 extends along the short side of the substrate 100, specifically, along a pair of long sides extending along the short side of the substrate 100 and a long side of the substrate 100. And a pair of short sides extending.

複数の第2接続部132のそれぞれは、複数の第2電極130のそれぞれに接続している。   Each of the plurality of second connection portions 132 is connected to each of the plurality of second electrodes 130.

第2配線134は、複数の第2接続部132に接続している。第2配線134は、基板100の一対の長辺の他方に沿って延伸している。外部からの電圧は、第2配線134及び第2接続部132を介して第2電極130に供給される。   The second wiring 134 is connected to the plurality of second connection parts 132. The second wiring 134 extends along the other of the pair of long sides of the substrate 100. An external voltage is supplied to the second electrode 130 via the second wiring 134 and the second connection portion 132.

発光装置10は、発光領域150を備えている。発光領域150は、複数の発光部152及び複数の透光部154を含んでいる。複数の発光部152及び複数の透光部154は、基板100の長辺に沿って交互に並んでいる。図8を用いて後述するように、複数の発光部152のそれぞれは、絶縁層140の開口142によって画定されている。特に図7に示す例では、各発光部152は、第1電極110の短辺方向に沿って延伸している。複数の透光部154のそれぞれは、遮光性部材、具体的には、第2電極130と重なっておらず、外部からの光は、透光部154を透過することができる。   The light emitting device 10 includes a light emitting region 150. The light emitting region 150 includes a plurality of light emitting portions 152 and a plurality of light transmitting portions 154. The plurality of light emitting units 152 and the plurality of light transmitting units 154 are alternately arranged along the long side of the substrate 100. As will be described later with reference to FIG. 8, each of the plurality of light emitting portions 152 is defined by an opening 142 of the insulating layer 140. In particular, in the example illustrated in FIG. 7, each light emitting unit 152 extends along the short side direction of the first electrode 110. Each of the plurality of light transmitting portions 154 does not overlap with the light shielding member, specifically, the second electrode 130, and light from the outside can pass through the light transmitting portion 154.

発光領域150の面積は、封止層200の面積より小さくなっており、発光領域150の全体が封止層200の内側にある。したがって、発光領域150のいずれの部分も、封止層200から露出していない。つまり、発光領域150のいずれの部分も、封止層200によって封止されている。   The area of the light emitting region 150 is smaller than the area of the sealing layer 200, and the entire light emitting region 150 is inside the sealing layer 200. Therefore, no part of the light emitting region 150 is exposed from the sealing layer 200. That is, any part of the light emitting region 150 is sealed with the sealing layer 200.

次に、図8を用いて、発光装置10の断面の詳細について説明する。発光装置10は、基板100、第1電極110、有機層120、第2電極130、絶縁層140、被覆層210、樹脂層220及び被覆層230を備えている。基板100は、第1面102を有している。第1電極110、有機層120、第2電極130、絶縁層140、被覆層210、樹脂層220及び被覆層230は、いずれも、基板100の第1面102上にある。   Next, the details of the cross section of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, an organic layer 120, a second electrode 130, an insulating layer 140, a coating layer 210, a resin layer 220, and a coating layer 230. The substrate 100 has a first surface 102. The first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, the insulating layer 140, the coating layer 210, the resin layer 220, and the coating layer 230 are all on the first surface 102 of the substrate 100.

基板100は、透光性を有している。基板100は、例えば、ガラス又は樹脂を含んでいる。   The substrate 100 has translucency. The substrate 100 includes, for example, glass or resin.

第1電極110は、透光性及び導電性を有している。具体的には、第1電極110は、透光性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属酸化物、具体的には例えば、ITO(Indium Tin Oxide)及びIZO(Indium Zinc Oxide)の少なくとも1つを含んでいる。したがって、有機層120からの光は、第1電極110を透過することができる。   The first electrode 110 has translucency and conductivity. Specifically, the first electrode 110 includes a material having translucency and conductivity, for example, a metal oxide, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide). Contains at least one. Accordingly, light from the organic layer 120 can pass through the first electrode 110.

有機層120は、例えば、正孔注入層(HIL)、正孔輸送層(HTL)、発光層(EML)、電子輸送層(ETL)及び電子注入層(EIL)を含んでいる。HIL及びHTLは、第1電極110に接続している。この例においては、第1電極110からHIL及びHTLを介して正孔がEMLに注入され、第2電極130からEIL及びETLを介してEMLに注入され、正孔及び電子がEMLで再結合されて光を発する。   The organic layer 120 includes, for example, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL). HIL and HTL are connected to the first electrode 110. In this example, holes are injected into the EML from the first electrode 110 through the HIL and HTL, and injected into the EML from the second electrode 130 through the EIL and ETL, and the holes and electrons are recombined in the EML. Emit light.

第2電極130は、遮光性、より具体的には光反射性を有し、さらに導電性を有している。具体的には、第2電極130は、光反射性及び導電性を有する材料を含んでおり、例えば金属、具体的には例えば、Al、Ag及びMgAgの少なくとも1つを含んでいる。したがって、有機層120からの光は、第2電極130をほとんど透過することなく、第2電極130で反射される。   The second electrode 130 has a light shielding property, more specifically, a light reflecting property, and further has conductivity. Specifically, the second electrode 130 includes a material having light reflectivity and conductivity, and includes, for example, a metal, specifically, for example, at least one of Al, Ag, and MgAg. Therefore, the light from the organic layer 120 is reflected by the second electrode 130 with hardly passing through the second electrode 130.

絶縁層140は、透光性を有している。一例において、絶縁層140は、有機絶縁層、具体的には、ポリイミドを含んでいる。他の例において、絶縁層140は、無機絶縁層、具体的には、シリコン酸化物(SiO)を含んでいる。 The insulating layer 140 has translucency. In one example, the insulating layer 140 includes an organic insulating layer, specifically, polyimide. In another example, the insulating layer 140 includes an inorganic insulating layer, specifically, silicon oxide (SiO 2 ).

絶縁層140は、開口142を有しており、開口142の内部では、第1電極110、有機層120及び第2電極130が発光部152を形成するように積層されている。言い換えると、絶縁層140は、発光部152を画定している。なお、図8に示す例では、有機層120は、複数の発光部152に亘って広がっている。   The insulating layer 140 has an opening 142, and the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked inside the opening 142 so as to form the light emitting portion 152. In other words, the insulating layer 140 defines the light emitting portion 152. In the example illustrated in FIG. 8, the organic layer 120 extends over the plurality of light emitting units 152.

被覆層210、樹脂層220及び被覆層230は、第1電極110、有機層120、第2電極130及び絶縁層140を封止している。具体的には、被覆層210は、第1電極110、有機層120、第2電極130及び絶縁層140を覆っている。樹脂層220は、被覆層210上に位置している。被覆層230は、樹脂層220を覆っており、樹脂層220の外側で被覆層210に接している。このような構造によれば、発光領域150の上方からの水分の侵入だけでなく、発光領域150の側方からの水分の侵入も遮ることができる。   The covering layer 210, the resin layer 220, and the covering layer 230 seal the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, and the insulating layer 140. Specifically, the covering layer 210 covers the first electrode 110, the organic layer 120, the second electrode 130, and the insulating layer 140. The resin layer 220 is located on the coating layer 210. The coating layer 230 covers the resin layer 220 and is in contact with the coating layer 210 outside the resin layer 220. According to such a structure, not only the penetration of moisture from above the light emitting region 150 but also the penetration of moisture from the side of the light emitting region 150 can be blocked.

第2電極130は端部130a及び端部130bを有し、絶縁層140は端部140a及び端部140bを有している。端部130a及び端部140aは、互いに同じ方向を向いている。端部130b及び端部140bは、互いに同じ方向を向いており、それぞれ、端部130a及び端部140aの反対側にある。   The second electrode 130 has an end portion 130a and an end portion 130b, and the insulating layer 140 has an end portion 140a and an end portion 140b. The end part 130a and the end part 140a face the same direction. The end portion 130b and the end portion 140b face the same direction, and are on the opposite sides of the end portion 130a and the end portion 140a, respectively.

第1面102に垂直な方向から見た場合、基板100の第1面102は、複数の領域102a、複数の領域102b複数の領域102cを有している。複数の領域102aのそれぞれは、第2電極130の端部130aと重なる位置から端部130bと重なる位置まで広がっている。複数の領域102bのそれぞれは、第2電極130の端部130aと重なる位置から絶縁層140の端部140aと重なる位置まで(又は第2電極130の端部130bと重なる位置から絶縁層140の端部140bと重なる位置まで)広がっている。複数の領域102cのそれぞれは、互いに隣接する2つの絶縁層140のうちの一方の絶縁層140の端部140aと重なる位置から他方の絶縁層140の端部140bと重なる位置まで広がっている。   When viewed from a direction perpendicular to the first surface 102, the first surface 102 of the substrate 100 has a plurality of regions 102a, a plurality of regions 102b, and a plurality of regions 102c. Each of the plurality of regions 102a extends from a position overlapping the end portion 130a of the second electrode 130 to a position overlapping the end portion 130b. Each of the plurality of regions 102b extends from a position overlapping the end portion 130a of the second electrode 130 to a position overlapping the end portion 140a of the insulating layer 140 (or from a position overlapping the end portion 130b of the second electrode 130 to the end of the insulating layer 140. (Up to a position overlapping the portion 140b). Each of the plurality of regions 102c extends from a position overlapping one end 140a of one insulating layer 140 of two adjacent insulating layers 140 to a position overlapping the end 140b of the other insulating layer 140.

領域102aは、第2電極130と重なっており、このため、発光装置10は、領域102a、領域102b及び領域102cと重なる領域のうち、領域102aと重なる領域で最も低い光線透過率を有している。領域102cは、第2電極130及び絶縁層140のいずれとも重なっておらず、このため、発光装置10は、領域102a、領域102b及び領域102cと重なる領域のうち、領域102cと重なる領域で最も高い光線透過率を有している。領域102bは、第2電極130と重ならず絶縁層140と重なっており、このため、発光装置10は、領域102bと重なる領域においては、領域102aと重なる領域における光線透過率よりも高く、かつ領域102cと重なる領域における光線透過率よりも低い光線透過率を有している。   The region 102a overlaps with the second electrode 130. Therefore, the light emitting device 10 has the lowest light transmittance in the region overlapping with the region 102a among the regions overlapping with the region 102a, the region 102b, and the region 102c. Yes. The region 102c does not overlap with any of the second electrode 130 and the insulating layer 140. Therefore, the light-emitting device 10 is the highest in the region overlapping with the region 102c among the regions overlapping with the region 102a, the region 102b, and the region 102c. It has light transmittance. The region 102b does not overlap with the second electrode 130 but overlaps the insulating layer 140. Therefore, in the region overlapping with the region 102b, the light emitting device 10 has higher light transmittance in the region overlapping with the region 102a, and The light transmittance is lower than the light transmittance in a region overlapping with the region 102c.

領域102cの幅d3を領域102bの幅d2よりも広くすることで(d3>d2)、発光装置10の光線透過率を高いものとなる。詳細には、領域102cの幅d3が広く、具体的には、領域102bの幅d2よりも広い場合、光線透過率の高い領域(つまり、領域102c)の幅が広くなる。この場合、発光装置10の光線透過率が高いものとなる。   By making the width d3 of the region 102c wider than the width d2 of the region 102b (d3> d2), the light transmittance of the light emitting device 10 is increased. Specifically, the width d3 of the region 102c is wide. Specifically, when the width 102 is wider than the width d2 of the region 102b, the width of the region having a high light transmittance (that is, the region 102c) is wide. In this case, the light transmittance of the light emitting device 10 is high.

領域102bの幅d2を領域102cの幅d3よりも狭くすることで(d2<d3)、発光装置10がカラーフィルタとして機能することが防止される。詳細には、領域102bの幅d2が狭く、具体的には、領域102cの幅d3よりも狭い場合、発光装置10がカラーフィルタとして機能する領域(つまり、光が絶縁層140を透過する領域)の幅が狭くなる。この場合、発光装置10がカラーフィルタとして機能することが防止される。   By making the width d2 of the region 102b narrower than the width d3 of the region 102c (d2 <d3), the light emitting device 10 is prevented from functioning as a color filter. Specifically, when the width d2 of the region 102b is narrow, specifically, when it is narrower than the width d3 of the region 102c, the region where the light emitting device 10 functions as a color filter (that is, a region where light passes through the insulating layer 140). The width of becomes narrower. In this case, the light emitting device 10 is prevented from functioning as a color filter.

なお、領域102cの幅d3は、領域102aの幅d1よりも広くてもよいし(d3>d1)、領域102aの幅d1よりも狭くてもよいし(d3<d1)、又は領域102aの幅d1と等しくてもよい(d3=d1)。   Note that the width d3 of the region 102c may be wider than the width d1 of the region 102a (d3> d1), may be narrower than the width d1 of the region 102a (d3 <d1), or the width of the region 102a. It may be equal to d1 (d3 = d1).

一例において、領域102aの幅d1に対する領域102bの幅d2の比d2/d1は、0以上0.2以下であり(0≦d2/d1≦0.2)、領域102aの幅d1に対する領域102cの幅d3の比d3/d1は、0.3以上2以下である(0.3≦d3/d1≦2)。より具体的には、一例において、領域102aの幅d1は、50μm以上500μm以下であり、領域102bの幅d2は、0μm以上100μm以下であり、領域102cの幅d3は、15μm以上1000μm以下である。   In one example, the ratio d2 / d1 of the width d2 of the region 102b to the width d1 of the region 102a is 0 or more and 0.2 or less (0 ≦ d2 / d1 ≦ 0.2), and the ratio of the region 102c to the width d1 of the region 102a is The ratio d3 / d1 of the width d3 is not less than 0.3 and not more than 2 (0.3 ≦ d3 / d1 ≦ 2). More specifically, in one example, the width d1 of the region 102a is 50 μm or more and 500 μm or less, the width d2 of the region 102b is 0 μm or more and 100 μm or less, and the width d3 of the region 102c is 15 μm or more and 1000 μm or less. .

発光装置10は、半透過OLEDとして機能している。具体的には、複数の発光部152から光が発せられていない場合、人間の視覚では、第1面102側の物体が第2面104側から透けて見え、第2面104側の物体が第1面102側から透けて見える。さらに、複数の発光部152からの光は、第2面104側から主に出力され、第1面102側からはほとんど出力されない。複数の発光部152から光が発せられている場合、人間の視覚では、第2面104側の物体が第1面102側から透けて見える。   The light emitting device 10 functions as a transflective OLED. Specifically, when light is not emitted from the plurality of light emitting units 152, an object on the first surface 102 side can be seen through from the second surface 104 side in human vision, and an object on the second surface 104 side is visible. It can be seen through from the first surface 102 side. Furthermore, light from the plurality of light emitting units 152 is mainly output from the second surface 104 side, and is hardly output from the first surface 102 side. When light is emitted from the plurality of light emitting units 152, an object on the second surface 104 side can be seen through from the first surface 102 side in human vision.

一例において、発光装置10は、自動車のハイマウントストップランプとして用いることができる。この場合、発光装置10は、自動車のリアウインドウに貼り付けることができる。さらに、この場合、発光装置10は、例えば、赤色の光を発する。   In one example, the light emitting device 10 can be used as a high-mount stop lamp for an automobile. In this case, the light emitting device 10 can be attached to the rear window of the automobile. Further, in this case, the light emitting device 10 emits red light, for example.

本実施例においても、樹脂層220が無機層211の外側へ広がることが抑制される。   Also in this embodiment, the resin layer 220 is suppressed from spreading outside the inorganic layer 211.

なお、発光装置10の使用用途は、上述した半透過OLEDに限定されるものではない。例えば、発光装置10は、半透過型ではない照明、あるいは、ディスプレイであってもよい。   In addition, the use application of the light-emitting device 10 is not limited to the transflective OLED mentioned above. For example, the light emitting device 10 may be a non-transflective illumination or a display.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

10 発光装置
100 基板
102 第1面
102a 領域
102b 領域
102c 領域
104 第2面
110 第1電極
112 第1接続部
114 第1配線
120 有機層
130 第2電極
130a 端部
130b 端部
132 第2接続部
134 第2配線
140 絶縁層
140a 端部
140b 端部
142 開口
150 発光領域
152 発光部
154 透光部
200 封止層
202 保護層
210 被覆層
211 無機層
212 第1層
214 第2層
220 樹脂層
230 被覆層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Substrate 102 1st surface 102a Region 102b Region 102c Region 104 2nd surface 110 1st electrode 112 1st connection part 114 1st wiring 120 Organic layer 130 2nd electrode 130a End part 130b End part 132 2nd connection part 134 Second wiring 140 Insulating layer 140a End portion 140b End portion 142 Opening 150 Light emitting region 152 Light emitting portion 154 Light transmitting portion 200 Sealing layer 202 Protective layer 210 Covering layer 211 Inorganic layer 212 First layer 214 Second layer 220 Resin layer 230 Coating layer

Claims (12)

有機層を有する発光部と、
前記発光部上の第1無機層と、
前記第1無機層上の樹脂層と、
を備え、
前記第1無機層は、前記樹脂層に接しており、
前記第1無機層は、メチル基を有するアルミナからなる発光装置。
A light emitting part having an organic layer;
A first inorganic layer on the light emitting part;
A resin layer on the first inorganic layer;
With
The first inorganic layer is in contact with the resin layer,
The first inorganic layer is a light emitting device made of alumina having a methyl group.
請求項1に記載の発光装置において、
互いに積層された複数の無機層を含む第1被覆層を備え、
前記第1被覆層は、前記発光部上にあり、
前記樹脂層は、前記第1被覆層上にあり、
前記第1無機層は、前記複数の無機層のうちの最表面の無機層である発光装置。
The light-emitting device according to claim 1.
Comprising a first coating layer comprising a plurality of inorganic layers laminated together;
The first covering layer is on the light emitting part,
The resin layer is on the first coating layer;
The light emitting device, wherein the first inorganic layer is an outermost inorganic layer of the plurality of inorganic layers.
請求項2に記載の発光装置において、
前記第1被覆層の前記複数の無機層は、アルミナをそれぞれ含む複数の第1層と、アルミナとは異なる無機材料をそれぞれ含む複数の第2層と、を含み、
前記複数の第1層と前記複数の第2層は、交互に積層されており、
前記第1無機層は、前記複数の第1層のうちの最表面の第1層である発光装置。
The light-emitting device according to claim 2.
The plurality of inorganic layers of the first coating layer include a plurality of first layers each including alumina, and a plurality of second layers each including an inorganic material different from alumina,
The plurality of first layers and the plurality of second layers are alternately stacked,
The first inorganic layer is a light emitting device that is the first outermost layer of the plurality of first layers.
請求項2又は3に記載の発光装置において、
無機材料を含む第2被覆層を備え、
前記第2被覆層は、前記樹脂層上にある発光装置。
The light emitting device according to claim 2 or 3,
A second coating layer containing an inorganic material;
The second coating layer is a light emitting device on the resin layer.
請求項4に記載の発光装置において、
前記第1被覆層と前記第2被覆層は、前記樹脂層の端部の外側で互いに接している発光装置。
The light-emitting device according to claim 4.
The light emitting device in which the first coating layer and the second coating layer are in contact with each other outside an end portion of the resin layer.
請求項5に記載の発光装置において、
前記樹脂層の端部は、前記第2被覆層によって覆われている発光装置。
The light emitting device according to claim 5.
The light emitting device in which an end portion of the resin layer is covered with the second covering layer.
請求項4から6までのいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第1被覆層の面積及び前記第2被覆層の面積は、いずれも、前記樹脂層の面積より大きい発光装置。
The light emitting device according to any one of claims 4 to 6,
The area of the first coating layer and the area of the second coating layer are both larger than the area of the resin layer.
有機層を有する発光部を形成する工程と、
前記発光部上に第1無機層を形成する工程と、
前記第1無機層上に樹脂層を形成する工程と、
を含み、
前記第1無機層を形成する工程において、前記第1無機層は、メチル基を有するアルミナからなり、
前記樹脂層を形成する工程において、前記樹脂層は、前記第1無機層に接する、発光装置の製造方法。
Forming a light emitting part having an organic layer;
Forming a first inorganic layer on the light emitting part;
Forming a resin layer on the first inorganic layer;
Including
In the step of forming the first inorganic layer, the first inorganic layer is made of alumina having a methyl group,
In the step of forming the resin layer, the resin layer is in contact with the first inorganic layer.
請求項8に記載の発光装置の製造方法において、
前記発光部を形成した後、互いに積層された複数の無機層を含む第1被覆層を前記発光部上に形成する工程を含み、
前記第1無機層は、前記複数の無機層のうちの最表面の無機層である、発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device according to claim 8,
Forming a first coating layer including a plurality of inorganic layers stacked on each other after forming the light emitting part;
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the first inorganic layer is an outermost inorganic layer among the plurality of inorganic layers.
請求項8又は9に記載の発光装置の製造方法において、
前記第1無機層を形成した後、前記第1無機層の表面における水の接触角は30°以上である、発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device of Claim 8 or 9,
After forming the first inorganic layer, the contact angle of water on the surface of the first inorganic layer is 30 ° or more.
請求項8から10までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記第1無機層は、150℃以下で形成される、発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claim 8-10,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the first inorganic layer is formed at 150 ° C. or lower.
請求項8から11までのいずれか一項に記載の発光装置の製造方法において、
前記樹脂層を形成した後、無機材料を含む第2被覆層を前記樹脂層上に形成する工程を含む、発光装置の製造方法。
In the manufacturing method of the light-emitting device as described in any one of Claim 8-11,
After forming the said resin layer, the manufacturing method of the light-emitting device including the process of forming the 2nd coating layer containing an inorganic material on the said resin layer.
JP2017010961A 2017-01-25 2017-01-25 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device Pending JP2018120732A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010961A JP2018120732A (en) 2017-01-25 2017-01-25 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010961A JP2018120732A (en) 2017-01-25 2017-01-25 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018120732A true JP2018120732A (en) 2018-08-02

Family

ID=63043902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017010961A Pending JP2018120732A (en) 2017-01-25 2017-01-25 Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018120732A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI617020B (en) Organic light emitting diode display
US20150279915A1 (en) Display device
JP2005317476A (en) Display device
JP2011191739A (en) Organic electroluminescence device
JP2011081966A (en) Organic el device and method of manufacturing the same
WO2018138823A1 (en) Oled panel, method for manufacturing oled panel, and device for manufacturing oled panel
JP2023139318A (en) Light-emission device
KR102505167B1 (en) Organic light emitting diodes
JP2020102463A (en) Light-emitting device
JP2018120732A (en) Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
WO2018116576A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
JP6924023B2 (en) Light emitting device
JP2017182912A (en) Light emitting device
JP7232876B2 (en) light emitting device
JP7392076B2 (en) light emitting device
WO2019054387A1 (en) Light-emitting device
WO2017163374A1 (en) Method for manufacturing light emitting device, and light emitting device
JP2018073526A (en) Light emitting device
WO2017163347A1 (en) Light emitting device
WO2018062273A1 (en) Light-emitting device
JP2018147801A (en) Light emitting device
WO2018061236A1 (en) Light-emitting device
JP2018056040A (en) Light-emitting device and sealing part
WO2018139426A1 (en) Light emitting device
JP2022044825A (en) Light emitting device