JP6921567B2 - 画像処理装置、撮像装置、画素異常検出方法およびプログラム - Google Patents

画像処理装置、撮像装置、画素異常検出方法およびプログラム Download PDF

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Description

本発明は、撮像部によって生成された画像データに対応する画像の画素異常を判定する画像処理装置、撮像装置、画素異常検出方法およびプログラムに関する。
従来、デジタルカメラ等の撮像装置において、瞳分割位相差方式によって焦点検出を行う技術が知られている(特許文献1参照)。この技術では、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の撮像素子の画素毎に2つの光電変換部と1つのマイクロレンズとを設け、この2つの光電変換部の各々から出力された2つの電気信号に基づいて、焦点検出を行う。
このような撮像素子は、製造時に全ての画素を正常な画素として製造することが非常に困難であり、入射光量に応じた電気信号を出力しない画素異常が発生するという問題が生じる。この問題を解決するため、撮像素子を構成する複数の光電変換部のうち、所定数の光電変換部の各々から出力される電気信号の平均値を算出し、この平均値を基準とする所定の範囲にない電気信号を出力した光電変換部を画素異常として検出する技術が知られている(特許文献2参照)。この技術では、所定数の光電変換部の各々から出力される電気信号の標準偏差を算出し、この算出した標準偏差の値に基づいて、平均値を算出するための光電変換部の数を設定する。
特開2001−124984号公報 特開2014−57141号公報
しかしながら、上述した特許文献2では、平均値を算出するための数を設定するために複数回の標準偏差を算出しなければならないため、処理時間が遅延することによって、リアルタイムで画素異常を検出することができなかった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、リアルタイムで画素異常を検出することができる画像処理装置、撮像装置、画素異常検出方法およびプログラムを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る画像処理装置は、複数の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記複数の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較部と、前記比較部が前記異常出力を検出した前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定部と、を備えることを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記比較部は、隣接する前記単位画素の同じ位置の前記光電変換素子が出力した出力値の比率を比較することによって前記異常出力を検出することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記推定部は、前記比較部によって前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なると検出された場合、該1つの出力値を出力した前記光電変換素子を第1の画素異常であると推定することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、記推定部は、前記比較部によって前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値のうち、一部の出力値が他の出力値と異なるレベルであると検出された場合、該一部の出力値を出力した前記光電変換素子を前記第1の画素異常と異なる第2の画素異常であると推定することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記第2の画素異常は、ゴースト光により生じる画素異常であり、前記推定部は、前記単位画素における前記第2の画素異常の位置と他の光電変換素子の位置とに基づいて、前記ゴースト光の入射方向を推定することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記第1の画素異常は、点滅欠陥であることを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記推定部は、前記比較部が前記異常出力を検出した複数の前記単位画素の各々における前記複数の光電変換素子の各々が出力する出力値を用いて異常を推定することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記推定部は、複数の前記単位画素の各々が前記比較部によって前記複数の光電変換素子の各々の出力値のうち、一部の出力値が他の出力値と異なるレベルであると検出された場合、該一部の出力値を出力した前記光電変換素子を前記第1の画素異常と異なる第2の画素異常であると推定することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記推定部は、異常と推定した前記光電変換素子の位置に関する位置情報を出力することを特徴とする。
また、本発明に係る画像処理装置は、上記発明において、前記推定部による推定の実施を指示する指示信号の入力を受け付ける入力部をさらに備え、前記推定部は、前記入力部から前記指示信号が入力された場合、前記比較部が前記異常出力を検出した前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定することを特徴とする。
また、本発明に係る撮像装置は、上記の撮像素子と、上記の画像処理装置と、前記撮像素子の受光面に被写体像を結像するレンズ部と、を備えることを特徴とする。
また、本発明に係る画素異常検出方法は、複数の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記複数の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較ステップと、前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定ステップと、を含むことを特徴とする。
また、本発明に係るプログラムは、画像処理装置に、複数の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記複数の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較ステップと、前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した前記単位画素における前記複数の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定ステップと、を実行させることを特徴とする。
本発明によれば、リアルタイムで画素異常を検出することができるという効果を奏する。
図1は、本発明の実施の形態1に係る撮像装置の機能構成を示すブロック図である。 図2は、本発明の実施の形態1に係る撮像素子を含む撮像部の構成を模式的に示す断面図である。 図3は、本発明の実施の形態1に係る撮像素子の構成を模式的に示す平面図である。 図4は、本発明の実施の形態1に係る撮像素子の単位画素の構成を模式的に示す斜視図である。 図5Aは、本発明の実施の形態1に係る撮像素子の単位画素の別の構成を模式的に示す斜視図である。 図5Bは、本発明の実施の形態1に係る撮像素子の単位画素の別の構成を模式的に示す斜視図である。 図5Cは、本発明の実施の形態1に係る撮像素子の単位画素の別の構成を模式的に示す斜視図である。 図6は、本発明の実施の形態1に係る撮像装置が実行する処理の概要を示すフローチャートである。 図7は、図6の画素異常検出処理の概要を示すフローチャートである。 図8は、図7の画素異常検出処理で想到する単位画素の一例を示す図である。 図9は、図7の画素異常検出処理において1つのPDに点滅欠陥が発生した状況を示す図である。 図10は、図7の画素異常検出処理において単位画素に対して下方向からの入射光によりゴーストが発生している状況を示す図である。 図11は、本発明の実施の形態2に係る異常画素判定部が実行する画素異常検出処理の概要を示す図である。 図12は、図11の画素異常検出処理で想到する隣接する単位画素の一例を示す図である。 図13は、図12の隣接する単位画素の各PDの出力値を模式的に示す図である。 図14は、本発明の実施の形態3に係る撮像装置が備える異常画素判定部が実行する画素異常検出処理の概要を示す図である。 図15は、図14の画素異常検出処理において各PDが通常画素の状況を示す図である。 図16は、図14の画素異常検出処理において1つのPDに点滅欠陥が発生した状況を示す図である。 図17は、図16の画素異常検出処理において単位画素に対して下方向からの入射光によりゴーストが発生している状況を示す図である。 図18は、図16の画素異常検出処理において、弱いレベルのゴーストが発生している状況を示す図である。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態(以下、「実施の形態」という)について説明する。なお、以下に説明する実施の形態によって本発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一の部分には同一の符号を付して説明する。さらに、以下の説明では、画像処理装置の一例として、撮像装置に用いられる画像処理装置を説明する。
(実施の形態1)
〔撮像装置の構成〕
図1は、本発明の実施の形態1に係る撮像装置の機能構成を示すブロック図である。図1に示す撮像装置1は、撮像部2と、位相差画素処理部3と、画像処理部4と、外部メモリ5と、表示部6と、入力部7と、タッチパネル8と、バッテリー9と、内部メモリ10と、バス11と、システム制御部12と、を備える。
撮像部2は、被写体を撮像して画像データを生成し、この生成した画像データを位相差画素処理部3およびバス11へ出力する。撮像部2は、レンズ部21と、絞り22、シャッタ23と、撮像素子24と、を備える。
レンズ部21は、被写体像を撮像素子24の受光面に結像する。レンズ部21は、複数のレンズを用いて構成され、システム制御部12の制御のもと、被写体に対してズームまたはフォーカスを行う。
絞り22は、システム制御部12の制御のもと、レンズ部21が集光した光の入射量を制限することによって露出の調整を行う。
シャッタ23は、システム制御部12の制御のもと、撮像素子24の状態を露光状態または遮光状態に切り替える。シャッタ23は、例えばフォーカルプレーンシャッタ等を用いて構成される。
撮像素子24は、システム制御部12の制御のもと、レンズ部21が集光した被写体像の光束を受光して光電変換を行うことによって画像データ(電気信号)を生成して位相差画素処理部3およびバス11へ出力する。
〔撮像素子の詳細な構成〕
ここで、上述した撮像素子24の詳細な構成について説明する。
図2は、撮像素子24を含む撮像部2の構成を模式的に示す断面図である。図3は、撮像素子24の構成を模式的に示す平面図である。図4は、撮像素子24の単位画素の構成を模式的に示す斜視図である。なお、図3において、水平方向をHn(n=1以上の整数)とし、垂直方向をVn(n=1以上の整数)として説明する。
図2〜図4に示すように、撮像素子24は、複数の光電変換素子241を1組の単位画素G1とし、この単位画素G1を二次元マトリクス状に複数配置してなる受光部242と、R(赤色)、G(緑色)およびB(青色)のいずれか1つの光を透過するフィルタ(Rフィルタ、GフィルタおよびBフィルタ)を単位画素G1毎に積層してなるベイヤー配列のカラーフィルタ243と、単位画素G1毎に設けられたマイクロレンズ244と、を備える。このように構成された撮像素子24は、単位画素G1毎に、レンズ部21の出射瞳D1、出射瞳D2、出射瞳D3(図示せず)、出射瞳D4(図示せず)および1つのマイクロレンズ244を透過した光束を互いに異なる受光位置の複数の光電変換素子241の各々で受光する。なお、図3では、撮像素子24の一部の構成について説明したが、同様の光電変換素子分割構造は、撮像素子24上の全領域になされており、特定領域(例えば中央領域)のみでなされているわけではない。
また、本実施の形態1では、単位画素G1を4つの光電変換素子241で構成していたが、これに限定されることなく、図5A〜図5Cに示すように、単位画素G1を2つ以上の光電変換素子241を1組として構成するようにしてもよい。好ましくは、単位画素G1を3つ以上の光電変換素子241を1組として構成し、より好ましくは単位画素G1を4つ以上の光電変換素子241を1組として構成するようにしてもよい。この場合、図4と同様に、レンズ部21の出射瞳は、光電変換素子241の数に応じて設定される。例えば、図5Cに示すように、3×3の9つの光電変換素子241で単位画素を構成する場合、レンズ部21の出射瞳を9つに設定し、かつ、マイクロレンズ244を1つとする。
図1に戻り、撮像装置1の構成の説明を続ける。
位相差画素処理部3は、撮像部2が生成した画像データに基づいて、撮像部2の焦点状態を検出し、かつ、単位画素G1を構成する複数の光電変換素子241の各々の出力値を比較して異常出力を単位画素G1毎に検出する。位相差画素処理部3は、異常画素判定部31と、焦点検出部32と、を有する。なお、本実施の形態1では、位相差画素処理部3が画像処理装置として機能する。
異常画素判定部31は、撮像部2が生成した画像データに基づいて、単位画素G1毎に単位画素G1を構成する複数の光電変換素子241の各々の出力値を比較して異常出力を検出し、この異常出力を検出した単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値を用いて異常を推定する。異常画素判定部31は、比較部311と、推定部312と、を有する。
比較部311は、単位画素G1毎に、単位画素G1を構成する複数の光電変換素子241の各々の出力値を比較して異常出力を検出する。
推定部312は、比較部311が異常出力を検出した単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値を用いて異常を推定する。具体的には、比較部311は、単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なる場合、1つの出力値を出力した光電変換素子241を第1の画素異常として推定する。ここで、第1の画素異常とは、点滅欠陥(点滅欠陥画素)または長時間露光で発生する点滅欠陥(長時間露光で生じる点滅欠陥画素)である。また、推定部312は、単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値のうち、一部の出力値が他の出力値と異なるレベルである場合、この一部の出力値を出力した複数の光電変換素子241を第2の画素異常であると推定する。ここで、第2の画素異常とは、ゴースト光によって出力値が異常を示すことである(異常画素)。さらに、推定部312は、第2の画素異常に対応する光電変換素子241と、他の光電変換素子241との位置から、撮像部2に入射したゴースト光の入射方向を推定する。
焦点検出部32は、撮像部2が生成した画像データに基づいて、撮像部2の焦点状態を検出し、この検出した結果をシステム制御部12へ出力する。
画像処理部4は、撮像部2が生成した画像データに対して、所定の画像処理を行って表示部6または外部メモリ5へ出力する。ここで、所定の画像処理とは、少なくとも、オプティカルブラック減算処理、ホワイトバランス調整処理、同時化処理、カラーマトリクス演算処理、γ補正処理、色再現処理およびエッジ強調処理、ノイズ低減処理等を含む基本の画像処理を行う。
外部メモリ5は、撮像装置1の外部から装着されるメモリカードを用いて構成され、図示しないメモリI/Fを介して撮像装置1に着脱自在に装着され、撮像部2が生成した画像データ(RAWデータ)や動画データ、画像処理部4が画像処理を施した画像データ(JPEG(Joint Photographic Experts Group)形式の圧縮データ)を記録する。また、外部メモリ5は、システム制御部12の制御のもと、バス11を介して記録しているプログラム、画像データおよび各種情報を出力する。
表示部6は、システム制御部12の制御のもと、バス11を介して入力された画像データに対応する画像や撮像装置1の各種情報を表示する。表示部6は、液晶または有機EL(Electro Luminescence)等を用いて構成される。
入力部7は、撮像装置1の各種の指示を与える。具体的には、入力部7は、撮像装置1の電源状態をオン状態またはオフ状態に切り替える電源スイッチ、静止画撮影の指示を与えるレリーズスイッチ、撮像装置1の各種設定を切り替える操作スイッチおよび動画撮影の指示を与える動画スイッチ等を有する。
タッチパネル8は、表示部6の表示領域に重畳して設けられ、外部からの物体が接触した接触位置を検出し、この検出した接触位置に応じた信号をバス11へ出力する。
バッテリー9は、電池や昇圧回路を用いて構成され、撮像装置1を構成する各部に電力を供給する。
内部メモリ10は、撮像装置1が実行する各種プログラムや処理中の各種情報を記録する。また、内部メモリ10は、バス11を介して撮像部2から入力される画像データ等を一時的に記録する。内部メモリ10は、SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)やFlashメモリを用いて構成される。
バス11は、撮像装置1の各構成部を接続する伝送路等を用いて構成され、撮像装置1の内部で発生した各種データを撮像装置1の各構成部に転送する。
システム制御部12は、撮像装置1の各部を統括的に制御する。システム制御部12は、CPU(Central Processing Unit)やASIC(Application Specific Integrated Circuit)等を用いて構成される。
〔撮像装置の処理〕
次に、撮像装置1が実行する処理について説明する。
図6は、撮像装置1が実行する処理の概要を示すフローチャートである。図6に示すように、システム制御部12は、撮像部2に撮像を実行させ(ステップS1)、撮像部2によって生成された画像データに対応するライブビュー画像を表示部6に表示させる(ステップS2)。
続いて、異常画素判定部31は、撮像部2が生成した画像データに対応する画像に対して、画素異常判定を開始する(ステップS3)。
その後、異常画素判定部31は、撮像部2が生成した画像データに基づいて、単位画素G1毎に単位画素G1を構成する複数の光電変換素子241の各々の出力値を比較して画素異常を検出する画素異常検出処理を実行し(ステップS4)、画素異常判定を終了する(ステップS5)。なお、画素異常検出処理の詳細については、後述する。
続いて、焦点検出部32は、撮像部2が生成した画像データに基づいて、撮像部2の焦点状態を検出して撮像部2の焦点を合焦させる(ステップS6)。
その後、入力部7に対して撮影の操作があった場合(ステップS7:Yes)、システム制御部12は、撮像部2に撮影を実行させ、画像処理部4に撮像部2が生成した画像データに対して所定の画像処理を実行させて生成させた画像データを外部メモリ5に記録する(ステップS8)。この場合、システム制御部12は、異常画素判定部31が上述したステップS4で検出した撮像素子24における異常と推定された光電変換素子241の位置に関する位置情報(撮像素子24における画素座標)と、画素異常の種別(例えば点滅欠陥やゴーストによる異常)と、画像データと、を対応付けて外部メモリ5に記録する。例えば、システム制御部12は、画像データのExifに画素異常の位置情報と画素異常の種別とを書き込むことによって外部メモリ5に記録する。なお、システム制御部12は、異常画素判定部31が上述したステップS4で検出した撮像素子24における異常と推定された光電変換素子241の位置に関する位置情報(座標)と、画素異常の種別とを内部メモリ10に記録してもよい。
続いて、入力部7に対して終了の操作があった場合(ステップS9:Yes)、撮像装置1は、本処理を終了する。これに対して、入力部7に対して終了の操作がなかった場合(ステップS9:No)、撮像装置1は、上述したステップS1へ戻る。
ステップS7において、入力部7に対して撮影の操作がなかった場合(ステップS7:No)、撮像装置1は、ステップS9へ移行する。
〔画素異常検出処理〕
次に、上述した図6のステップS4の画素異常検出処理の詳細について説明する。図7は、異常画素判定部31が実行する画素異常検出処理の概要を示すフローチャートである。なお、図7においては、図8に示すように、4つの光電変換素子241(以下、左上から「PD1」、「PD2」、「PD3」および「PD4」という)を1組とする単位画素G1に対して画素異常を検出する例について説明する。また、以下において、4つのPD1〜PD4のうちのいずれか1つを示す場合、単に「PD」と表現して記載する。さらに、以下においては、説明の便宜状、1つの単位画素G1に対して行う画素異常検出処理について説明するが、異常画素判定部31は、撮像素子24を構成する全ての単位画素G1に対して同様の画素異常検出処理を行う。
図7に示すように、まず、比較部311は、点滅欠陥の検出を開始し(ステップS101)、撮像部2が生成した画像データに基づいて、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した出力値の比較を行い、複数の出力値のうち、いずれか1つの出力値が他の出力値よりも大きいことにより、1つのPDのみ異常が生じているか否かを判定する(ステップS102)。比較部311は、出力値の比較を行なう場合、レンズ部21から撮像素子24に入射される光量の特性から閾値を求めても良い。具体的には、射出瞳D1、D2の径とマイクロレンズ244上の結像面から前記射出瞳D1、D2までの距離で角度(射出瞳のFno)が決まるため、事前に把握した撮像素子の特性から算出した値を用いて閾値とする。射出瞳のFno、撮像素子24の位置(中央部か周辺部か)によって閾値を変化させてもよい。閾値は、被写体により変化する為、ここでは倍率で規定する。一例としては、約5倍の差となる可能性がある為、輝度差の大小関係は5倍以上かどうかを閾値として、異常か否かを判断することが出来る。この閾値には、ノイズや被写体輝度を考慮した係数を考慮してもよい。被写体の輝度レベルが低い場合、ノイズの影響が大きくなることでの誤判定が懸念されるため、被写体輝度レベルに応じた係数を設定可能とする。後述に記載されるステップS105で判定するレベル差にも使用する。また、後述する実施の形態2、実施の形態3に対しても出力比較を実施する場合は、上記の判断を使用する。比較部311が1つのPDのみ異常が生じていると判定した場合(ステップS102:Yes)、推定部312は、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4のうち、他の出力値より大きい出力値を出力したPDを点滅欠陥と判定する(ステップS103)。具体的には、図9に示すように、推定部312は、PD1の出力値が他のPD2〜PD4の出力値より大きい場合(PD1>PD2,PD3,PD4)、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4のうち、他のPD2〜PD4の出力値より大きい出力値を出力したPD1を第1の画素異常である点滅欠陥と判定する。閾値設定として5倍となっている場合は、PD2〜PD4の最大値に対して5倍のレベル差があるかの判定を行なう。ステップS103の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS102において、比較部311が1つのPDのみ異常が生じていると判定していない場合(ステップS102:No)、撮像装置1は、ステップS104へ移行する。
続いて、比較部311は、上下左右方向のいずれかからのゴーストの検出を開始し(ステップS104)、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した複数の出力値のうち、上下ペアの2つのPDまたは左右ペアの2つのPDの各々の出力値に所定レベル以上の差が生じているか比較する(ステップS105)。比較部311が単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した複数の出力値のうち、上下ペアの2つのPDまたは左右ペアの2つのPDの各々の出力値に所定レベル以上の差が生じると判定した場合(ステップS105:Yes)、推定部312は、上下からの入射光によるゴーストと判定する(ステップS106)。具体的には、推定部312は、図10に示すように、下方向からの入射光によりゴーストが発生する場合において、上のペアの2つのPD1とPD2の平均出力値が下のペアの2つのPD3とPD4の平均出力値より大きいとき((PD1+PD2)/2>(PD3+PD4)/2)、下方向からの入射光によりPD1およびPD2にゴーストが発生した第2の画素異常と判定する。これに対して、推定部312は、上方向からの入射光によりゴーストが発生する場合において、下のペアの2つのPD3とPD4の平均出力値が上のペアの2つのPD1とPD2の平均出力値より大きいとき((PD1+PD2)/2<(PD3+PD4)/2)、上方向からの入射光によりPD3およびPD4にゴーストが発生した第2の画素異常と判定する。また、推定部312は、右方向からの入射光によりゴーストが発生する場合において、右のペアの2つのPD2とPD4の平均出力値が左のペアの2つのPD1とPD3の平均出力値より大きいとき((PD2+PD4)/2>(PD1+PD3)/2)、右方向からの入射光によりPD2およびPD4にゴーストが発生した第2の画素異常と判定する。さらに、推定部312は、左方向からの入射光によりゴーストが発生する場合において、左のペアの2つのPD1とPD3の平均出力値が右のペアの2つのPD2とPD4の平均出力値より大きいとき((PD2+PD4)/2<(PD1+PD3)/2)、左方向からの入射光によりPD1およびPD3にゴーストが発生した第2の画素異常と判定する。ステップS106の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS105において、比較部311が単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した複数の出力値のうち、上下ペアの2つのPDまたは左右ペアの2つのPDの各々の出力値に所定レベル以上の差が生じていないと判定した場合(ステップS105:No)、撮像装置1は、ステップS107へ移行する。
残りのPDの出力値で差が生じていないと判定した、推定部312は、単位画素G1を構成するPD1〜PD4の各々が通常画素と判定する(ステップS107)。ステップS107の撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
以上説明した本発明の実施の形態1によれば、比較部311が単位画素G1毎に複数の光電変換素子241の各々の出力値を比較して異常出力を検出し、比較部311が異常出力を検出した単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値を用いて異常を推定するので、リアルタイムで画素異常を検出することができる。
また、本発明の実施の形態1によれば、推定部312が比較部311によって単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なると検出された場合、この1つの出力値を出力した光電変換素子241を第1の画素異常である点滅欠陥画素として検出することができる。
また、本発明の実施の形態1によれば、比較部311によって単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値のうち、一部の出力値が他の出力値と異なるレベルであると検出された場合、この一部の出力値を出力した光電変換素子241を第2の画素異常として検出することができる。
なお、本発明の実施の形態1では、推定部312が撮像部2によって画像データが生成される毎に画素異常を検出していたが、例えば、入力部7から推定部312による推定の実施を指示する指示信号に応じて、単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値を用いて異常を推定してもよい。即ち、推定部312は、入力部7の操作に応じた画素異常検出モードの設定の有無に応じて、単位画素G1における複数の光電変換素子241の各々の出力値を用いて異常を推定してもよい。
また、本実施の形態1では、推定部312が異常画素である点滅欠陥画素を検出した場合、画像処理部4が点滅欠陥画素の画素値を補正してもよい。例えば、画像処理部4は、以下の2つの補正方法にとって点滅欠陥画素の画素値を補正する。具体的には、画像処理部4は、図3において、座標がH5,V5のPD1が点滅欠陥画素と検出された場合について行う補正方法について説明する。
補正方法1
画像処理部4は、同一単位画素内のPD(図3のPD2(H6,V5)、PD3(H5,V6)およびPD4(H6,V6))の画素値を用いて補正する。
具体的には、画像処理部3は、点滅欠陥画素であるPD1(H5,V5))の画素値を、PD2(H6,V5)の画素値、PD3(H5,V6)の画素値およびPD4(H6,V6))の画素値で3点補間(画素値の平均値)することによって補正する。
補正方法2
画像処理部4は、隣り合う単位画素の同位置のPDの画素値で補正する。
具体的には、画像処理部3は、点滅欠陥画素であるPD1(H5,V5))の画素値を、PD1(H9,V5)、PD1(H5,V1)、PD1(H1,V5)およびPD1(H5,V9)の各々の画素値で上下左右補間(画素値の平均値)することによって補正する。
なお、画像処理部4は、上述した2つの補正方法を行う場合において、推定部312によって補正に用いる画素で点滅欠陥画素であると判定されているとき、その画素を補正に用いる画素から除外し、残りの画素の画素値を用いて補正する。
(実施の形態2)
次に、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態2に係る撮像装置は、上述した実施の形態1に係る撮像装置1と同一の構成を有し、撮像装置が備える異常画素判定部が実行する画素異常検出処理が異なる。具体的には、上述した実施の形態1では、1つの単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力する出力値を比較することによって、画素異常であるか否かを推定していたが、本実施の形態2では、隣接する単位画素間の同じ受光位置のPDが出力する出力値の比率を比較することによって、画素異常であるか否かを推定する。以下においては、本実施の形態2に係る撮像装置が備える異常画素判定部が実行する画素異常検出処理について説明する。なお、上述した実施の形態1に係る撮像装置1と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
〔画素異常検出処理〕
図11は、本発明の実施の形態2に係る撮像装置1が備える異常画素判定部31が実行する画素異常検出処理の概要を示すフローチャートである。なお、図11においては、図12に示すように、4つの光電変換素子241で構成される1組を単位画素G1(PD11,PD12,PD13,PD14)とし、この単位画素G1に隣接する同色のフィルタ(例えばRフィルタ)が積層された4つの光電変換素子241で構成される1組を単位画素G2(PD21,PD22,PD23,PD24)とする。また、以下において、8つのPD11〜PD14,PD21〜PD24のうちのいずれか1つを示す場合、単に「PD」と表現して記載する。また、図13は、単位画素G1,G2の各PDの出力値を模式的に示す図である。さらにまた、以下においては、説明の便宜状、2つの単位画素G1,G2に対して行う画素異常検出処理について説明するが、異常画素判定部31は、撮像素子24を構成する全ての単位画素に対して同様の画素異常検出処理を行う。
図11に示すように、まず、比較部311は、点滅欠陥の検出を開始し(ステップS201)、撮像部2が生成した画像データに基づいて、隣接する単位画素G1,G2の同位置のPDの出力値の比率を算出する(ステップS202)。具体的には、図12に示すように、比較部311は、PD11/PD21,PD12/PD22,PD13/PD23,PD14/PD24の各々の出力値の比率を算出する。具体的には、図13に示すように、PD11/PD21=100/10,PD12/PD22=100/10,PD13/PD23=1000/10,PD14/PD24=100/10の各々の出力値の比率を算出する。
続いて、比較部311は、隣接する単位画素G1,G2における4つの受光位置の比率において、1つの比率だけ差異が大きいと判定した場合(ステップS203:Yes)、推定部312は、点滅欠陥と判定する(ステップS204)。この場合、推定部312は、比率が他の比率と異なる受光位置のPDを点滅欠陥と判定する。具体的には、図12および図13に示すように、推定部312は、単位画素G1および単位画素G2において、PD13/PD23の出力値の比率が他の比率と異なるため、PD13およびPD23を点滅欠陥の候補として判定する。そして、比較部311は、単位画素G1におけるPD11〜PD14の各々の出力値を比較する。その後、推定部312は、比較部311がPD13の出力値がPD11、PD12およびPD14の出力値より大きいと判定した場合、PD13を点滅欠陥が生じている第1の画素異常として判定する。一方、単位画素G1のPD11〜PD14の出力値に差がない場合、推定部312は、単位画素G2に対して、同様の判定を行い、比較部311がPD21〜PD24の各々の出力値を比較した結果に基づいて、PD21〜P24の各々の出力値のうち、出力値が大きいPDを点滅欠陥が生じている第1の画素異常として判定する。ステップS204の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS203において、比較部311が隣接する単位画素G1,G2における4つの受光位置の比率において、1つの比率だけ差異が大きくないと判定した場合(ステップS203:No)、推定部312は、単位画素G1,G2を構成する各PDが通常画素と判定する(ステップS205)。ステップS205の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
以上説明した本発明の実施の形態2によれば、上述した実施の形態1と同様の効果を奏し、リアルタイムで画素異常を検出することができる。
(実施の形態3)
次に、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態3に係る撮像装置は、上述した実施の形態1に係る撮像装置1と同一の構成を有し、撮像装置が実行する画素異常検出処理が異なる。具体的には、本実施の形態3では、複数の単位画素で出力値のばらつきが生じているか否かを判定することによって、点滅欠陥を判定する。以下においては、本実施の形態3に係る撮像装置が実行する画素異常検出処理について説明する。なお、上述した実施の形態1に係る撮像装置1と同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
〔画素異常検出処理〕
図14は、本発明の実施の形態3に係る撮像装置1が備える異常画素判定部31が実行する画素異常検出処理の概要を示すフローチャートである。なお、図14においては、上述した図8の4つの光電変換素子241(以下、左上から「PD1」、「PD2」、「PD3」および「PD4」という)を1組とする単位画素G1に対して画素異常を検出する例について説明する。また、以下において、4つのPD1〜PD4のうちのいずれか1つを示す場合、単に「PD」と表現して記載する。さらに、以下においては、説明の便宜状、1つの単位画素G1に対して行う画素異常検出処理について説明するが、異常画素判定部31は、撮像素子24を構成する全ての単位画素G1に対して同様の画素異常検出処理を行う。
図14に示すように、まず、比較部311は、画素異常の検出を開始し(ステップS301)、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した4つの出力値のうち、最大値(MAX)と最小値(MIN)との差分が閾値Th以上であるか否かを判定する(ステップS302)。比較部311が単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した4つの出力値のうち、最大値(MAX)と最小値(MIN)との差分が閾値Th以上であると検出した場合(ステップS302:Yes)、撮像装置1は、後述するステップS304へ移行する。これに対して、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した4つの出力値のうち、最大値(MAX)と最小値(MIN)との差分が閾値Th以上でないと検出した場合(ステップS302:No)、撮像装置1は、後述するステップS303へ移行する。
ステップS303において、推定部312は、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が通常画素(正常画素)と判定する(ステップS303)。具体的には、図15に示すように、推定部312は、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が出力した4つの出力値のうち、最大値(MAX)と最小値(MIN)との差分が閾値Th以上でない場合、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々が通常画素(正常画素)と判定する。ステップS303の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS304において、比較部311は、単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の各々の出力値を比較し、1つのPDのみで異常値が発生しているか否かを判定する。比較部311が単位画素G1を構成する4つのPD1〜PD4の出力値を比較し、1つのPDのみで異常値が発生していると判定した場合(ステップS304:Yes)、推定部312は、異常値が発生している1つのPDを点滅欠陥と判定する(ステップS305)。具体的には、図16に示すように、推定部312は、PD1の出力値が、他のPD2,PD3およびPD4の各々の出力値と異なる場合、PD1を第1の画素異常である点滅欠陥と判定する。ステップS305の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS304において、比較部311が単位画素G1を構成する4つの光電変換素子241の出力値を比較し、1つのPDのみで異常値が発生していないと判定した場合(ステップS304:No)、撮像装置1は、ステップS306へ移行する。
続いて、比較部311は、ゴーストの検出を開始し(ステップS306)、複数の単位画素G1で2つ以上のPDで異常値が発生する傾向が生じているか否かを判定する(ステップS307)。具体的には、比較部311は、同色のフィルタが積層された複数の単位画素G1同士で、2つ以上のPDで異常値が発生する傾向が生じているか否かを判定する。例えば、比較部311は、水平、垂直ラインにおける複数の単位画素G1、内部メモリ10の容量に応じて定まる単位画素G1の数、および予め設定された水平および垂直の2つ以上の単位画素G1の数、のいずれか1つ以上の方法で各単位画素G1で2つ以上のPDで異常値が発生しているか否かを判定する。比較部311が複数の単位画素G1で2つ以上のPDで異常値が発生していると判定した場合(ステップS307:Yes)、推定部312は、ゴーストが生じていると判定する(ステップS308)。具体的には、図17に示すように、推定部312は、下方向からの入射光によってPD1,PD2にゴーストが生じていると判定する。また、図18に示すように、推定部312は、弱いレベルのゴーストが発生した際の検出精度を高めるため、2×2以上単位画素領域で、所定数以上の単位画素でゴースト(例えば1≒2>3≒4)が生じている場合、ゴーストと判定と判定する。これにより、通常被写体と弱いレベルのゴーストとを判定することができる。ステップS308の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
ステップS307において、比較部311が複数の単位画素G1で2つ以上のPDで異常値が発生する傾向が生じていないと判定した場合(ステップS307:No)、推定部312は、単位画素G1を構成する4つのPDのうち、2つ以上のPDで点滅欠陥が生じている連続点滅欠陥と判定する(ステップS309)。ステップS309の後、撮像装置1は、図6のメインルーチンへ戻る。
以上説明した本発明の実施の形態3によれば、上述した実施の形態1と同様の効果を奏し、リアルタイムで画素異常を検出することができる。
(その他の実施の形態)
また、本発明に係る撮像装置は、デジタルスチルカメラ以外にも、デジタルビデオカメラ、撮像機能を有するタブレット型携帯機器等の電子機器および内視鏡や顕微鏡で撮像された医療用、産業用分野の画像データに対応する画像を表示する表示装置等にも適用することができる。
また、本発明に係る撮像装置に実行させるプログラムは、インストール可能な形式または実行可能な形式のファイルデータでCD−ROM、フレキシブルディスク(FD)、CD−R、DVD(Digital Versatile Disk)、USB媒体、フラッシュメモリ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録されて提供される。
また、本発明に係る撮像装置に実行させるプログラムは、インターネット等のネットワークに接続されたコンピュータ上に格納し、ネットワーク経由でダウンロードさせることにより提供するように構成してもよい。さらに、本発明に係る撮像装置に実行させるプログラムをインターネット等のネットワーク経由で提供または配布するように構成しても良い。
なお、本明細書におけるフローチャートの説明では、「まず」、「その後」、「続いて」等の表現を用いてステップ間の処理の前後関係を明示していたが、本発明を実施するために必要な処理の順序は、それらの表現によって一意的に定められるわけではない。即ち、本明細書で記載したフローチャートにおける処理の順序は、矛盾のない範囲で変更することができる。
このように、本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態を含みうるものであり、請求の範囲によって特定される技術的思想の範囲内で種々の設計変更等を行うことが可能である。
1・・・撮像装置;2・・・撮像部;3・・・位相差画素処理部;4・・・画像処理部
;5・・・外部メモリ;6・・・表示部;7・・・入力部;8・・・タッチパネル;9・・・バッテリー;10・・・内部メモリ;11・・・バス;12・・・システム制御部;21・・・レンズ部;22・・・絞り;23・・・シャッタ;24・・・撮像素子;31・・・異常画素判定部;32・・・焦点検出部;241・・・光電変換素子;242・・・受光部;243・・・カラーフィルタ;244・・・マイクロレンズ;311・・・比較部;312・・・推定部;G1,G2・・・単位画素

Claims (9)

  1. 4個以上の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較部と、
    前記比較部が前記異常出力を検出した前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定部と、
    を備え
    前記推定部は、前記比較部によって前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なり、異常出力と検出された場合、該1つの出力値を出力した前記光電変換素子を点滅欠陥による異常であると推定し、
    前記比較部が前記異常出力を検出した複数の前記単位画素の各々が前記比較部によって前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、2個以上の出力値が他の出力値と異なるレベルであり、異常出力と検出された場合、前記2個以上の出力値を出力した前記光電変換素子をゴースト光による異常であると推定することを特徴とする画像処理装置。
  2. 前記比較部は、隣接する前記単位画素の同じ位置の前記光電変換素子が出力した出力値の比率を比較することによって前記異常出力を検出することを特徴とする請求項1に記載の画像処理装置。
  3. 記推定部は、前記単位画素における前記ゴースト光による異常の位置と他の光電変換素子の位置とに基づいて、前記ゴースト光の入射方向を推定することを特徴とする請求項1または2に記載の画像処理装置。
  4. 前記推定部は、異常と推定した前記光電変換素子の位置に関する位置情報を出力することを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の画像処理装置。
  5. 前記推定部による推定の実施を指示する指示信号の入力を受け付ける入力部をさらに備え、
    前記推定部は、前記入力部から前記指示信号が入力された場合、前記比較部が前記異常出力を検出した前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定することを特徴とする請求項1〜のいずれか1つに記載の画像処理装置。
  6. 前記撮像素子と、
    請求項1〜のいずれか1つに記載の画像処理装置と、
    前記撮像素子の受光面に被写体像を結像するレンズ部と、
    を備えることを特徴とする撮像装置。
  7. 4個以上の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較ステップと、
    前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定ステップと、
    を含み、
    前記推定ステップは、前記比較ステップにおいて前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なり、異常出力と検出された場合、該1つの出力値を出力した前記光電変換素子を点滅欠陥による異常であると推定し、
    前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した複数の前記単位画素の各々が前記比較ステップによって前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、2個以上の出力値が他の出力値と異なるレベルであり、異常出力と検出された場合、前記2個以上の出力値を出力した前記光電変換素子をゴースト光による異常であると推定することを特徴とする画素異常検出方法。
  8. 画像処理装置に、
    4個以上の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較ステップと、
    前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定ステップと、
    を実行させ
    前記推定ステップは、前記比較ステップにおいて前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、1つの出力値が他の出力値と異なり、異常出力と検出された場合、該1つの出力値を出力した前記光電変換素子を点滅欠陥による異常であると推定し、
    前記比較ステップにおいて前記異常出力を検出した複数の前記単位画素の各々が前記比較ステップによって前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうち、2個以上の出力値が他の出力値と異なるレベルであり、異常出力と検出された場合、前記2個以上の出力値を出力した前記光電変換素子をゴースト光による異常であると推定することを特徴とするプログラム。
  9. 4個以上の光電変換素子を1組の単位画素とし、該単位画素を二次元マトリクス状に複数配置した受光部と、前記単位画素毎に設けられ、前記単位画素の受光面に積層されてなるマイクロレンズと、を備える撮像素子によって生成された画像データに基づいて、前記単位画素毎に前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を比較して異常出力を検出する比較部と、
    前記比較部が前記異常出力を検出した前記単位画素における前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値を用いて異常を推定する推定部と、
    を備え、
    前記推定部は、前記比較部によって複数の前記単位画素にて前記4個以上の光電変換素子の各々の出力値のうちの2個以上の出力値が異常出力と検出された場合において、異常出力を検出した複数の前記単位画素のうち、異常出力と検出された前記光電変換素子の前記単位画素内の位置の傾向が同一である単位画素が、所定数より少ないとき、点滅欠陥による異常であると推定し、所定数以上存在するとき、ゴースト光による異常であると推定することを特徴とする画像処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6625318B1 (en) * 1998-11-13 2003-09-23 Yap-Peng Tan Robust sequential approach in detecting defective pixels within an image sensor
JP5002086B2 (ja) 1999-10-28 2012-08-15 キヤノン株式会社 焦点検出装置と撮像装置
JP4035356B2 (ja) * 2002-04-10 2008-01-23 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
JP5262953B2 (ja) * 2009-04-22 2013-08-14 ソニー株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
JP5737929B2 (ja) * 2010-12-22 2015-06-17 キヤノン株式会社 画像処理装置及び画像処理方法
JP6259492B2 (ja) * 2011-03-24 2018-01-10 キヤノン株式会社 画像処理装置及び画像処理方法
JP6041495B2 (ja) 2011-03-24 2016-12-07 キヤノン株式会社 撮像装置及び欠陥画素の判定方法
EP2753062A4 (en) 2011-08-30 2015-02-11 Fujifilm Corp IMAGING DEVICE AND IMAGING METHOD
WO2013069445A1 (ja) * 2011-11-11 2013-05-16 富士フイルム株式会社 立体撮像装置及び画像処理方法
JP6239820B2 (ja) * 2011-12-19 2017-11-29 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
TWI492621B (zh) * 2012-02-10 2015-07-11 Novatek Microelectronics Corp 適應性影像處理方法及其相關裝置
JP6222908B2 (ja) * 2012-09-11 2017-11-01 キヤノン株式会社 画像処理装置、方法およびプログラム、並びに画像処理装置を有する撮像装置
JP6225328B2 (ja) * 2013-02-18 2017-11-08 パナソニックIpマネジメント株式会社 欠陥画素の補正装置および補正方法
JP5802858B2 (ja) 2013-03-05 2015-11-04 富士フイルム株式会社 撮像装置、画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
JP6238657B2 (ja) * 2013-09-12 2017-11-29 キヤノン株式会社 画像処理装置及びその制御方法
JP5946970B2 (ja) * 2013-09-27 2016-07-06 富士フイルム株式会社 撮像装置及び撮像方法

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