JP6910928B2 - プリント配線基板、半導体装置、電子機器およびプリント配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
従って、折り曲げ部分の配線領域は限られたものになり、その中で所望の伝送特性を有する信号配線を布線する必要があった。
図1は、第1実施形態に係るプリント配線基板の構成例を示す断面図である。
図1において、フレキシブル配線基板7−1には2層配線構造が設けられている。フレキシブル配線基板7−1の基材として、ガラスエポキシ層4−1、4−2が設けられている。ガラスエポキシ層4−2上にはガラスエポキシ層4−1が積層されている。ガラスエポキシ層4−1上には第1層目配線を設け、ガラスエポキシ層4−2上には第2層目配線およびグランド層2を設けることができる。第1層目配線として、信号配線1−1、1−2が設けられている。第2層目配線として、信号配線1−3が設けられている。信号配線1−1、1−2上にはソルダレジスト層3−1が設けられている。
(第2実施形態)
図2(a)は、第2実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図、図2(b)は、図2(a)のE部分を拡大して示す断面図である。
図2(a)において、リジッド基板8−1、8−2はフレキシブル部7を介して接続されている。フレキシブル部7には、図1のフレキシブル配線基板7−1を用いることができる。リジッド基板8−1、8−2にはM(Mは3以上の整数)層配線構造を設けることができる。
図3において、フレキシブル配線基板7−1を折り曲げることで、リジッド基板8−1、8−2間の伝送性を確保しつつ、リジッド基板8−1、8−2を重ねて配置することができる。このため、NANDフラッシュメモリ9−1、9−2の高密度実装化を図ることが可能となる。
図4において、このプリント配線基板には、リジッド基板8−1、8−2が設けられている。リジッド基板8−1、8−2はフレキシブル部7を介して接続されている。フレキシブル部7には、図1のフレキシブル配線基板7−1を用いることができる。
図5は、第3実施形態に係るプリント配線基板の構成例を示す平面図である。
図5において、フレキシブル配線基板7−1の2層目およびリジッド基板8−1、8−2の第2層目にはグランド層2が設けられている。グランド層2はベタパターンを用いることができる。ベタパターンは、フレキシブル配線基板7−1の2層目およびリジッド基板8−1、8−2の第2層目を全体的に覆うことができる。
図6(a)は、第4実施形態に係るプリント配線基板の構成例を示す平面図、図6(b)は、図6(a)のビアホール部分を拡大して示す断面図、図7は、図6(a)のプリント配線基板の1層目の構成例を示す平面図、図8は、図6(a)のプリント配線基板の2層目の構成例を示す平面図である。なお、図6(a)、図7および図8の例では、フレキシブル配線基板7−1と接続されるリジッド基板8−2のビアホール部分を示したが、フレキシブル配線基板7−1と接続されるリジッド基板8−1側のビアホール部分についても同様に構成することができる。
図9は、第5実施形態に係る電子機器の内部を透視して示す斜視図である。
図9において、図2(a)のプリント配線基板は、図3に示すように折り曲げられた状態で筐体(キャニスタとも言うことがある)18に収納される。この時、筐体18のコンパクト化を図るため、筐体18の筐体面はフレキシブル配線基板7−1に近接させることができる。
図10において、フレキシブル配線基板7−1に対向する筐体面21の材料として非金属部材21が用いられている。非金属部材21は、例えば、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂またはABS樹脂などの樹脂を用いることができる。筐体18の強度を向上させるために、非金属部材21としてセラミックを用いるようにしてもよい。
図11は、第6実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図である。
図11の構成では、図4のリジッド基板8−1、8−2の代わりにリジッド基板8−1a、8−2aが設けられている。リジッド基板8−1aには、図4のメモリコントローラ10の代わりにメモリコントローラ10aが実装されている。リジッド基板8−1aには、バススイッチ23が追加されて実装されている。バススイッチ23は、リジッド基板8−1aにバス単位で実装することができる。バススイッチ23は、メモリコントローラ10aからNANDフラッシュメモリ9−1までの信号が1:N(Nは2以上の整数)のメモリバスで伝送される時に、メモリコントローラ10aに接続されるNANDフラッシュメモリ9−1を切り替えることができる。図11では、Nが2の場合を示した。
以下、図1のフレキシブル配線基板7−1をDRAMモジュールに適用した例を説明する。
図12は、第7実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。
図12において、リジッド基板25には、電極27を介してDRAM26が両面実装されている。DRAM26は、プロセッサ29の主記憶メモリとして用いることができる。
(第8実施形態)
図13は、第8実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。
図13おいて、リジッド基板33には、電極38を介してストレージクラスメモリ37が両面実装されている。ストレージクラスメモリ37は、DRAM26に近い高速性と、ハードディスクなどのストレージに近い大容量を併せ持つことができる。
図14(a)および図14(b)は、第9実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を示す断面図である。
図14(a)において、リジッド基板8−0を用意する。なお、リジッド基板8−0では、図2(a)のフレキシブル部7の層構造がリジッド基板8−1、8−2の層構造と同一である。
Claims (11)
- 2層配線構造を有するフレキシブル部を有するプリント配線基板であって、
前記フレキシブル部は、
マイクロストリップライン構造を有する第1配線群と、
前記2層配線構造を有する第2配線群とを備え、
前記第1配線群と前記第2配線群とは交互に配置されており、
前記第1配線群の1層目には第1信号が割り当てられ、
前記第1配線群の2層目にはグランド層が割り当てられ、
前記第2配線群の1層目には第2信号が割り当てられ、
前記第2配線群の2層目には第3信号が割り当てられ、
前記第1信号は、前記第2信号および前記第3信号よりも高速であるプリント配線基板。 - 前記フレキシブル部を介して接続された第1リジッド基板と第2リジッド基板とを備え、
前記フレキシブル部の幅は、第1リジッド基板の幅および第2リジッド基板の幅よりも小さい請求項1に記載のプリント配線基板。 - 前記グランド層は、前記第1リジッド基板の2層目と前記第2リジッド基板の2層目に連続的に延伸され、
前記グランド層は、
前記フレキシブル部の2層目から前記第1リジッド基板の2層目および前記第2リジッド基板の2層目にかけて配置されたベタパターンと、
前記フレキシブル部の2層目の第2配線群が配置される第1開口部を備える請求項2に記載のプリント配線基板。 - 前記第1リジッド基板は、
前記2層目の第2配線群を前記第1リジッド基板の配線に接続する第1ビアと、
前記第1開口部に連続して前記グランド層に設けられ、前記第1ビアが配置される第2開口部とを備え、
前記第2リジッド基板は、
前記2層目の第2配線群を前記第2リジッド基板の配線に接続する第2ビアと、
前記第1開口部に連続して前記グランド層に設けられ、前記第2ビアが配置される第3開口部とを備え、
前記第1リジッド基板および前記第2リジッド基板において、前記第1配線群および前記第2配線群はマイクロストリップライン構造を有する請求項3に記載のプリント配線基板。 - 2層配線構造を有するフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板に接続されたリジッド基板と、
前記リジッド基板に実装された半導体メモリとを備え、
前記フレキシブル配線基板は、
マイクロストリップライン構造を有する第1配線群と、
前記2層配線構造を有する第2配線群とを備え、
前記第1配線群と前記第2配線群とは交互に配置され、
前記第1配線群に割り当てられる信号は、前記第2配線群に割り当てられる信号よりも高速であり、
前記第1配線群および前記第2配線群の配置周期は、前記半導体メモリのバス幅を基準として設定され、
前記第1配線群は、前記半導体メモリのメモリバス信号のうちのクロック周波数の等倍から4倍までの転送レートを有する信号であり、
前記第2配線群は、前記半導体メモリのメモリバス信号のうちのクロック周波数の1/5以下のスイッチング頻度を有する信号である半導体装置。 - 前記第1配線群のグランド層は、前記リジッド基板の2層目に連続的に延伸され、前記フレキシブル配線基板の2層目から前記リジッド基板の2層目にかけて配置されたベタパターンを備える請求項5に記載の半導体装置。
- 2層配線構造を有するフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板に接続されたリジッド基板と、
前記リジッド基板に実装された半導体メモリとを備え、
前記フレキシブル配線基板は、
マイクロストリップライン構造を有する第1配線群と、
前記2層配線構造を有する第2配線群とを備え、
前記第1配線群と前記第2配線群とは交互に配置され、
前記第1配線群に割り当てられる信号は、前記第2配線群に割り当てられる信号よりも高速であり、
前記第1配線群のグランド層は、前記リジッド基板の2層目に連続的に延伸され、前記フレキシブル配線基板の2層目から前記リジッド基板の2層目にかけて配置されたベタパターンを備え、
前記リジッド基板は、
前記第1配線群の少なくとも一部の配線を前記リジッド基板の配線に接続する第1ビア群と、
前記第1配線群の少なくとも一部の配線および1層目の第2配線群の少なくとも一部の配線を前記リジッド基板の配線に接続する第2ビア群と、
前記2層目の第2配線群を前記リジッド基板の配線に接続する第3ビア群とを備え、
前記第1ビア群と前記第3ビア群とは、前記フレキシブル配線基板に隣接するとともに、前記フレキシブル配線基板の配線方向と直交する方向に交互に配置され、
前記第1ビア群のビアは、前記フレキシブル配線基板の配線方向に整列して配置され、
前記第3ビア群のビアは、前記フレキシブル配線基板の配線方向に複数列に渡って整列して配置され、
前記第2ビア群は、前記第1ビア群および前記第3ビア群に隣接するようにして前記第1ビア群および前記第3ビア群よりも前記フレキシブル配線基板から遠い位置に配置され、
前記第2ビア群のビアは、前記フレキシブル配線基板の配線方向と直交する方向に複数行に渡って整列して配置され、
前記第1ビア群のビアおよび前記第2ビア群のビアには信号ビアが割り当てられるとともに、前記信号ビアの中心に3mm以内のビアの1つにグランドビアが割り当てられる半導体装置。 - 前記リジッド基板は、前記フレキシブル配線基板を介して接続された第1リジッド基板と第2リジッド基板とを備え、
前記第1リジッド基板には、第1半導体メモリおよび第2半導体メモリが実装され、
前記第2リジッド基板には、前記第1半導体メモリおよび前記第2半導体メモリを制御するコントローラが実装され、
前記第1リジッド基板に実装され、前記第1配線群を介して前記コントローラとの間で授受される一つのチャンネルの信号の入出力先を前記第1半導体メモリと前記第2半導体メモリとで切り替えるバススイッチを備える請求項5乃至7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記リジッド基板は、
DRAMが実装された第1リジッド基板と、
前記DRAMにアクセスするプロセッサが実装された第2リジッド基板とを備える請求項5乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記リジッド基板は、
ストレージクラスメモリが実装された第1リジッド基板と、
前記ストレージクラスメモリにアクセスするプロセッサが実装された第2リジッド基板とを備える請求項5乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。 - M(Mは3以上の整数)層配線構造を有するリジッド基板のザグリ加工を行うことで、2層配線構造を有するフレキシブル部を前記リジッド基板に形成するプリント配線基板の製造方法であって、
前記フレキシブル部は、
マイクロストリップライン構造を有する第1配線群と、
前記2層配線構造を有する第2配線群とを備え、
前記第1配線群と前記第2配線群とは交互に配置されており、
前記第1配線群の1層目には第1信号が割り当てられ、
前記第1配線群の2層目にはグランド層が割り当てられ、
前記第2配線群の1層目には第2信号が割り当てられ、
前記第2配線群の2層目には第3信号が割り当てられ、
前記第1信号は、前記第2信号および前記第3信号よりも高速であるプリント配線基板の製造方法。
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