JP6897890B2 - 樹脂多層基板、および樹脂多層基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、異なる種類の樹脂層を含む複数の樹脂層を積層してなる樹脂多層基板、および上記樹脂多層基板の製造方法に関する。

従来、異なる材料からなる樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、積層体に形成されるビア導体と、を備える樹脂多層基板が知られている。

例えば、特許文献１には、異種材料からなる第１樹脂層および第２樹脂層を積層した構成において、第１樹脂層に形成されたビア導体（めっきビア）が、第２樹脂層に配設された接合部（導電性ペースト）を介して、他の導体に接合される樹脂多層基板が開示されている。

特開２００１−１６０６８６号公報

しかし、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して多層基板を形成する場合、複数の樹脂層を加熱プレスして積層体を形成する際に低温状態で樹脂層同士を接着できるよう、接合部には低融点材料が用いられるが、そのような低融点材料はビア導体に比べて脆い材料が多い。そのため、接合部に接する第２樹脂層の線膨張係数が大きい場合には、多層基板を加熱した際（例えば、リフロー工程や加熱を伴う曲げ加工など）に、第２樹脂層の膨張によって接合部に応力が掛かり、接合部が破損する虞がある。

本発明の目的は、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して形成される積層体と、積層体に形成されるビア導体および接合部を備える構成において、加熱した際の応力に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を提供することにある。

本発明の樹脂多層基板は、
第１樹脂層および第２樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
前記第１樹脂層に形成されるビア導体と、
少なくとも一部が前記第２樹脂層に形成され、且つ、前記ビア導体に接合される接合部と、
前記積層体に形成され、前記接合部を介して前記ビア導体に接続される導体と、
を備え、
前記接合部は前記ビア導体よりも脆く、
前記第２樹脂層の線膨張係数は、前記ビア導体の線膨張係数および前記接合部の線膨張係数よりも大きく、前記第１樹脂層の線膨張係数よりも小さいことを特徴とする。

この構成によれば、第１樹脂層よりも線膨張係数の小さな第２樹脂層に、比較的に脆い接合部の少なくとも一部が接しているため、接合部が第１樹脂層のみに接している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際に、接合部に掛かる応力を減少させることができる。そのため、樹脂多層基板の加熱時における接合部の破損を抑制できる。

本発明における樹脂多層基板の製造方法は、
第１樹脂層に、前記第１樹脂層よりも線膨張係数が小さい第２樹脂層を貼り付ける、貼り合せ工程と、
前記貼り合わせ工程の後、貼り合わせた前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔のうち少なくとも前記第１樹脂層側に、金属材料を充填してビア導体を形成する、ビア導体形成工程と、
前記ビア導体形成工程の後、前記ビア導体よりも脆い接合部を、前記ビア導体に接するように、前記貫通孔のうち少なくとも前記第２樹脂層側に配設する、接合部形成工程と、
前記接合部形成工程の後、他の樹脂層に形成される導体と前記接合部とが当接するように、貼り合わせた前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成し、且つ、前記接合部を介して前記ビア導体と前記導体とを接合する、積層体形成工程と、
を備えることを特徴とする。

この製造方法によれば、加熱した際に、複数の樹脂層の熱膨張に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を容易に製造できる。

本発明によれば、異種材料からなる複数の樹脂層を積層して形成される積層体と、積層体に形成されるビア導体および接合部を備える構成において、加熱した際の応力に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を実現できる。

図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。 図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。 図３（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。 図４（Ａ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における炭素含有率を示す図であり、図４（Ｂ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における単位平断面積当たりの空隙率を示す図である。 図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す正面図である。 図６は、樹脂多層基板１０１の曲げ加工を順に示す正面図である。 図７は、加熱プレス前の第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に、ビア導体Ｖ１１および接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。 図８は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図９は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の外観斜視図である。 図１０は、図９におけるＣ−Ｃ断面図である。 図１１は、加熱プレス前の第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に、ビア導体Ｖ１１Ａおよび接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。 図１２は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。 図１３は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の外観斜視図である。図２は、樹脂多層基板１０１の分解平面図である。図３（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図であり、図３（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。

樹脂多層基板１０１は、後に詳述するように、例えば複数の回路基板同士を接続するケーブルである。樹脂多層基板１０１は、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＳＬを有する。第１接続部ＣＮ１には、図１に示す下面（第１主面ＶＳ１）に実装電極Ｐ１およびグランド電極ＰＧ１が露出しており、第２接続部ＣＮ２には、図１に示す上面（第２主面ＶＳ２）に実装電極Ｐ２およびグランド電極ＰＧ２が露出している。線路部ＳＬには、後に詳述するように、第１接続部ＣＮ１と第２接続部ＣＮ２との間を繋ぐストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

樹脂多層基板１０１は、積層体３０、信号導体４１、実装電極Ｐ１，Ｐ２、グランド電極ＰＧ１，ＰＧ２、グランド導体５１，５２，５３、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３、接合部６１，６２，７１，７２等を備える。

積層体３０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。信号導体４１、グランド導体５１，５２，５３、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３および接合部６１，６２，７１，７２は、積層体３０の内部に形成されている。実装電極Ｐ１およびグランド電極ＰＧ１は第１主面ＶＳ１に露出しており、実装電極Ｐ２およびグランド電極ＰＧ２は第２主面ＶＳ２に露出している。

積層体３０は、熱可塑性樹脂からなる第１樹脂層および第２樹脂層を含む複数の樹脂層、および保護層１，２を積層して形成される。具体的には、積層体３０は、保護層１、第１樹脂層１１、第２樹脂層２１，２２、第１樹脂層１２、第２樹脂層２３、第１樹脂層１３および保護層２をこの順番に積層して形成されている。

第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３は、いずれもそれぞれ可撓性を有し、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。第１樹脂層１１，１２，１３は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第２樹脂層２１，２２，２３は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分とするシートである。

第１樹脂層１１の裏面には、実装電極Ｐ１およびグランド導体５１が形成されている。実装電極Ｐ１は、第１樹脂層１１の第１端（図２における第１樹脂層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体５１は、第１樹脂層１１の略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極Ｐ１およびグランド導体５１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。第１樹脂層１１の表面には、第１樹脂層１１と略同じ形状の第２樹脂層２１が貼り合わされている。

また、第１樹脂層１１には、ビア導体Ｖ１および複数のビア導体Ｖ１１が形成されている。ビア導体Ｖ１は、第１樹脂層１１の第１端付近に配置されている。ビア導体Ｖ１１は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ１，Ｖ１１は、例えば、第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のめっき膜である。

第１樹脂層１２の表面には、信号導体４１およびグランド導体５２が形成されている。信号導体４１は、伝送方向（Ｘ軸方向）に延伸する線状の導体パターンである。グランド導体５２は、第１樹脂層１２の略全面に形成される平面状の導体パターンである。信号導体４１およびグランド導体５２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。第１樹脂層１２の裏面には、第１樹脂層１２と略同じ形状の第２樹脂層２２が貼り合わされている。

また、第１樹脂層１２には、ビア導体Ｖ２および複数のビア導体Ｖ１２が形成されている。ビア導体Ｖ２は、第１樹脂層１２の第１端（図２における第１樹脂層１２の左端）付近に配置されている。ビア導体Ｖ１２は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ２，Ｖ１２は、例えば、第１樹脂層１２および第２樹脂層２２に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。

さらに、第２樹脂層２１，２２には、複数の接合部６１，７１が形成されている。接合部６１はビア導体Ｖ１，Ｖ２にそれぞれ接合され、接合部７１はビア導体Ｖ１１，Ｖ１２にそれぞれ接合される。接合部６１，７１は、例えばＣｕ，Ｓｎ等の金属と樹脂材料とを含んだ、低融点の導電性接合材である。

第１樹脂層１３の表面には、実装電極Ｐ２およびグランド導体５３が形成されている。実装電極Ｐ２は、第１樹脂層１３の第２端（図２における第１樹脂層１３の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。グランド導体５３は、第１樹脂層１３の略全面に形成される平面状の導体パターンである。実装電極Ｐ２およびグランド導体５３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。第１樹脂層１３の裏面には、第１樹脂層１３と略同じ形状の第２樹脂層２３が貼り合わされている。

また、第１樹脂層１３には、ビア導体Ｖ３および複数のビア導体Ｖ１３が形成されている。ビア導体Ｖ３は、第１樹脂層１３の第２端付近に配置されている。ビア導体Ｖ１３は、それぞれ伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている。ビア導体Ｖ３，Ｖ１３は、例えば、第１樹脂層１３および第２樹脂層２３に設けられた貫通孔に、めっき処理によって形成されたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。

さらに、第２樹脂層２３には、複数の接合部６２，７２が形成されている。接合部６２は信号導体４１とビア導体Ｖ３にそれぞれ接合され、接合部７２はグランド導体５２とビア導体Ｖ１３にそれぞれ接合される。接合部６２，７２は、例えばＣｕ，Ｓｎ等の金属と樹脂材料とを含んだ、低融点の導電性接合材である。

保護層１は、第１樹脂層１１の裏面に積層される保護膜であり、平面形状が第１樹脂層１１と略同じである。保護層２は、第１樹脂層１３の表面に積層される保護膜であり、平面形状が第１樹脂層１３と略同じである。保護層１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜であり、例えばエポキシ樹脂膜等である。

保護層１は、開口ＯＰ１および複数の開口ＯＰ１０を有する。開口ＯＰ１は、実装電極Ｐ１の位置に応じた位置に形成されており、開口ＯＰ１０は、グランド導体５１の位置に応じた位置に形成されている。そのため、第１樹脂層１１の裏面に保護層１が形成された場合でも、開口ＯＰ１から実装電極Ｐ１が外部に露出し、開口ＯＰ１０からグランド導体５１の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口ＯＰ１０から露出するグランド導体５１の一部がグランド電極ＰＧ１である。

保護層２は、開口ＯＰ２および複数の開口ＯＰ２０を有する。開口ＯＰ２は、実装電極Ｐ２の位置に応じた位置に形成されており、開口ＯＰ２０は、グランド導体５３の位置に応じた位置に形成されている。そのため、第１樹脂層１３の表面に保護層２が形成された場合でも、開口ＯＰ２から実装電極Ｐ２が外部に露出し、開口ＯＰ２０からグランド導体５３の一部が外部に露出する。本実施形態では、複数の開口ＯＰ２０から露出するグランド導体５３の一部がグランド電極ＰＧ２である。

図３（Ａ）等に示すように、実装電極Ｐ１は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２および接合部６１を介して、信号導体４１の一端に接続されている。信号導体４１の他端は、ビア導体Ｖ３および接合部６２を介して、実装電極Ｐ２に接続されている。このように、実装電極Ｐ１，Ｐ２は互いに電気的に接続されている。また、図３（Ｂ）等に示すように、グランド導体５１（グランド電極ＰＧ１）は、ビア導体Ｖ１１，Ｖ１２および接合部７１を介して、グランド導体５２に接続されている。グランド導体５２は、ビア導体Ｖ１３および接合部７２を介して、グランド導体５３（グランド電極ＰＧ２）に接続されている。

本実施形態では、信号導体４１、グランド導体５１，５３、信号導体４１とグランド導体５１とで挟まれる第１樹脂層１１，１２および第２樹脂層２１，２２、信号導体４１とグランド導体５３とで挟まれる第１樹脂層１３および第２樹脂層２３、とを含んだストリップライン構造の伝送線路が構成されている。

めっき加工によって形成されるビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３は、低融点の導電性接合材である接合部６１，６２，７１，７２に比べて構造が緻密で（金属密度が高く）機械的強度が高く硬い。すなわち、接合部６１，６２，７１，７２は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３よりも脆い。ここで「接合部がビア導体よりも脆い」とは、例えば、接合部の押し込み硬さが、ビア導体の押込み硬さよりも低い場合を言う。押込み硬さとは、例えばビッカース硬さ（ＨＶ）である。

ビッカース硬さ（ＨＶ）は、以下に示す式で求められる。

Ｆ：試験力（ｋｇｆ）
Ｓ：くぼみの表面積（ｍｍ^２）
ビッカース硬さ（ＨＶ）は、例えばマイクロビッカース硬さ試験（ＪＩＳ Ｚ ２２４４）で測定される。

第２樹脂層２１，２２，２３の線膨張係数（ＣＴ２）は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の線膨張係数（ＣＴＶ）および接合部６１，６２，７１，７２の線膨張係数（ＣＴ５）よりも大きい（ＣＴ２＞ＣＴＶ，ＣＴ２＞ＣＴ５）。また、第２樹脂層２１，２２，２３の線膨張係数（ＣＴ２）は、第１樹脂層１１，１２，１３の線膨張係数（ＣＴ１）よりも小さい（ＣＴ２＜ＣＴ１）。より具体的には、第２樹脂層２１，２２，２３と接合部６１，６２，７１，７２の線膨張係数差は、第１樹脂層１１，１２，１３とビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の線膨張係数差よりも小さい。

第１樹脂層１１，１２，１３の主成分であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の線膨張係数は、例えば５０〜１５０（１０^−６／Ｋ）である。また、第２樹脂層２１，２２，２３の主成分である液晶ポリマー（ＬＣＰ）の線膨張係数は、例えば１０〜２５（１０^−６／Ｋ）である。

線膨張係数は、例えば、ＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍｏ−ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ａｎａｌｉｓｉｓ）法によって測定可能である。

なお、本実施形態では、接合部６１，６２，７１，７２は、金属材料と樹脂材料とを含んだ導電性接合材であり、有機物（炭素）を含んでいる。接合部６１，６２，７１，７２は、めっき処理によって形成されたビア導体よりも有機物を多く含んでいるため、加熱した際にガスを発生しやすい。そのため、加熱した際に接合部６１，６２，７１，７２に生じるガスの量は、加熱した際にビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３に生じるガス量よりも多い。また、接合部６１，６２，７１，７２にはガスが発生した痕跡として空隙が多い（空隙率が高くなる）。そのため、接合部６１，６２，７１，７２の空隙率はビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の空隙率よりも高い。具体的には、接合部６１，６２，７１，７２の単位平断面積当たり（接合部のＸＹ平面における単位面積当たり）の空隙率（ＰＲ１）は、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ２）よりも高い（ＰＲ１＞ＰＲ２）。

接合部に用いられる導電性接合材は、融点の低い金属からなる導電性ペーストを固化して形成される。樹脂多層基板が高周波伝送線路のような用途に用いられる場合、配線用導体には導体損の小さなＣｕ等が用いられることが好ましいが、Ｃｕは融点が高い。そこでＣｕよりも融点の低いＣｕペーストやＣｕ−Ｓｎ系の導電性ペーストと、Ｃｕとの間にＣｕ−Ｓｎ系金属間化合物を京成する手法が用いられる。めっきビアであるビア導体と導電性接合材である接合部との接続部分には、金属間化合物が形成されるため、ビア導体と接合部との界面を正確に定めることは難しい。このような接合部とビア導体との界面は、以下（１）（２）に示すいずれかの方法によって定められる。

図４（Ａ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における炭素含有率を示す図であり、図４（Ｂ）は、ビア導体と接合部との界面付近でのＺ軸方向における単位平断面積当たりの空隙率を示す図である。なお、図４（Ａ）および図４（Ｂ）では、Ｚ軸方向にビア導体と接合部とが接合されており、＋Ｚ方向にビア導体および接合部の順に配置されている。すなわち、図４（Ａ）および図４（Ｂ）では、＋Ｚ方向に移動するにつれて「ビア導体」から「接合部」へと組成が変化している。

（１）炭素含有率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部は有機物を含むため、接合部の炭素含有率は高い。そのため、例えば、図４（Ａ）に示す最小値（ＭＰ）から炭素含有率が上昇し始める点ａ１から、最大値（ＰＰ）に達する点ａ２までのＺ軸方向の距離（Ｌ＝ａ２−ａ１）の中間の位置（ＢＰ１）を、ビア導体と接合部との界面と定める（ＢＰ１＝ａ１＋（ａ２−ａ１）／２）。

（２）空隙率により、ビア導体と接合部との界面を求める方法
上述したように、接合部の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ１）は、ビア導体の単位平断面積当たりの空隙率（ＰＲ２）よりも高い（ＰＲ１＞ＰＲ２）。そのため、例えば、図４（Ｂ）に示すように、単位平断面積当たりの空隙率の最大値を１００％とし、＋Ｚ方向に移動していって単位平断面積当たりの空隙率が上記最大値の５％を超えた位置（ＢＰ２）を、ビア導体と接合部との界面と定める。

また、本実施形態では、第１樹脂層１１，１２，１３の比誘電率（ε１）が、第２樹脂層２１，２２，２３の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。さらに、本実施形態では、隣接する２つの第２樹脂層２１，２２にそれぞれ形成されるビア導体Ｖ１，Ｖ２（またはビア導体Ｖ１１，Ｖ１２）は、第２樹脂層２１，２２にのみ接する接合部６１（または接合部７１）を介して互いに接続されている。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１によれば、次のような効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、相対的に脆い接合部６１，６２，７１，７２の少なくとも一部が、相対的に線膨張係数の小さな第２樹脂層２１，２２，２３に形成される（接している）。一方、機械的強度の高いビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３は、相対的に線膨張係数の大きな第１樹脂層１１，１２，１３に形成される。この構成によれば、接合部６１，６２，７１，７２が第１樹脂層１１，１２，１３のみに接している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際（例えば、実装時におけるリフロー工程時や、ホットバー等による実装時、加熱を伴う曲げ加工時など）の接合部６１，６２，７１，７２に掛かる応力を減少させることができる。そのため、異種材料からなる複数の樹脂層を含んだ構成でも、樹脂多層基板の加熱時における接合部６１，６２，７１，７２の破損を抑制できる。

（ｂ）本実施形態では、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３が、めっき処理によって形成されたＣｕ等のフィルドビアめっきであり、平面導体（実装電極Ｐ１，Ｐ２、信号導体４１およびグランド導体５１，５２，５３等）と同材料（Ｃｕ）である。そのため、ビア導体と平面導体とは一体化する。そのため、金属間化合物がビア導体と平面導体との接続部分に形成されることが少なくなり、ビア導体と平面導体との接続部分の機械的強度が高まる。

（ｃ）本実施形態では、接合部６１，６２，７１，７２が、相対的に線膨張係数が大きな第１樹脂層１１，１２，１３に接触していない。この構成によれば、接合部６１，６２，７１，７２の一部が第１樹脂層１１，１２，１３に接触している場合に比べて、樹脂多層基板を加熱した際の接合部６１，６２，７１，７２に掛かる応力をさらに低減させることができる。そのため、樹脂多層基板の加熱時における接合部６１，６２，７１，７２の破損がさらに抑制される。

なお、本実施形態では、ビア導体Ｖ１１，Ｖ１２が、第２樹脂層２１，２２のみに接する接合部７１を介して互いに接続されている。第１樹脂層と第２樹脂層のような異種材料同士の接合面（界面）には、物性差（例えば、線膨張係数差）によって複数の樹脂層を積層する際に位置ずれが生じやすく、これらの異種材料にそれぞれ形成されるビア導体同士を接続する場合、上記位置ずれにより接続不良が生じやすい。そのため、第１樹脂層に形成されたビア導体と第２樹脂層に形成されたビア導体とを接続する場合には、位置ずれを考慮して面積の大きな接続用の導体パターンを間に挟んで接続する場合がある。一方、第２樹脂層２１，２２のような同一材料同士の接合面（界面）では位置ずれが生じ難いため、例えば接合部７１を介したビア導体Ｖ１１，Ｖ１２の接合箇所では、接続用の導体パターンを介してビア導体同士を接続する必要はない。

（ｄ）本実施形態では、第１樹脂層１１，１２の比誘電率（ε１）は、第２樹脂層２１，２２，２３の比誘電率（ε２）よりも低い（ε１＜ε２）。また、この構成によれば、複数の第２樹脂層のみを積層して形成された絶縁基材に比べて、樹脂多層基板１０１に形成される回路での導体損失を低減できる、または、樹脂多層基板１０１（積層体３０）を薄くできる。具体的に説明すると、積層体３０は、第２樹脂層２１，２２，２３よりも比誘電率の低い第１樹脂層１１，１２を含んで形成される。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、積層体３０に形成される導体パターンの線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成した場合に、導体パターンの線幅を狭くしなくても樹脂層を薄くでき、積層体３０を薄型化できる。

さらに、本実施形態では、図１（Ａ）等に示すように、高周波特性に優れる第１樹脂層１１が、信号導体４１に接する位置に配置されているため、樹脂多層基板の高周波特性を向上できる。

（ｅ）本実施形態では、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３）が熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の樹脂層を加熱プレス（一括プレス）することにより、接着用の樹脂層を用いることなく、積層体を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。

なお、樹脂多層基板（積層体）が樹脂材料からなる場合（複数の樹脂層を積層して形成される場合）、所定の温度以上の熱を受けると、その一部が熱分解され、ＣＯ_２等の気体および水を生じる。このような気体および水を樹脂多層基板中に残したまま、樹脂多層基板を加熱すると、ガス（気体や蒸気）が膨張し、層間剥離（デラミネーション）が発生しやすい。そのため、樹脂多層基板の製造時に、減圧下において加熱プレスを実施して、所定の予熱工程を設けることで加熱プレス中にガスを積層体外へ排出させている。

また、本実施形態では、接合部６１，６２，７１，７２が、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属と樹脂材料とを含んだ導電性接合材である例を示したが、本発明の接合部はこれに限定されるものではない。接合部は、例えば、金属粉（Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉）と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストが固化してなる層間導体でもよい。これらの層間導体は、複数の樹脂層の加熱プレス処理（後に詳述する）で同時に形成できるので、形成が容易である。また、導電性ペーストに樹脂材料が含まれるため、樹脂層との高い接合性が得られる。なお、上記導電性ペーストに含まれる樹脂材料は、樹脂層の樹脂材料と同種であることが好ましい。

但し、樹脂材料を含んだ接合部は加熱時に生じるガスの量が多く、このような接合部を備える樹脂多層基板は、加熱時（製造段階、使用段階における加熱時）に層間剥離や、樹脂多層基板の表面の凹凸、湾曲等が生じやすい。そのため、接合部が樹脂材料を含んだ層間導体である場合には、平面導体（グランド導体等）の接合部の近傍に開口が設けられることが好ましい。これにより、樹脂多層基板の加熱時に接合部から生じたガスを効率良く排出でき、樹脂多層基板の層間剥離を抑制し、樹脂多層基板の平坦性を向上させることができる。

なお、本実施形態では、第１樹脂層１１，１２，１３の平面形状および第２樹脂層２１，２２，２３の平面形状が、いずれも略一致した樹脂多層基板の例を示したが、第１樹脂層の平面形状および第２樹脂層の平面形状は、必ずしも略一致している必要はない。第１樹脂層の平面形状および第２樹脂層の平面形状は、例えば、Ｘ軸方向の長さのみ互いに一致していてもよく、Ｙ軸方向の長さのみ互いに一致していてもよい。

樹脂多層基板１０１は例えば次のように用いられる。図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す正面図である。

電子機器３０１は、樹脂多層基板１０１Ａ、回路基板２０１，２０２および部品８１等を備える。なお、電子機器３０１は、上記以外の構成も備えるが、図５では図示省略している。樹脂多層基板１０１Ａは、積層体３０に曲げ部ＣＲ１，ＣＲ２を有する（曲げ加工されている）点で樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０１Ａの他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

回路基板２０１，２０２は例えばガラス・エポキシ基板である。部品８１は、例えばバッテリー、チップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等である。

回路基板２０１は第１面Ｓ１を有し、回路基板２０２は第２面Ｓ２を有する。図５に示すように、第１面Ｓ１および第２面Ｓ２は、Ｚ軸方向において互いに対向している。回路基板２０１の第１面Ｓ１には、外部電極ＥＰ１，ＥＧ１が形成されている。回路基板２０２の第２面Ｓ２には、外部電極ＥＰ２，ＥＧ２が形成されている。

樹脂多層基板１０１Ａは、曲げられた状態で回路基板２０１，２０２に実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０１Ａの実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材６を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１に接続されている。樹脂多層基板１０１のグランド電極ＰＧ１は、導電性接合材６を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＧ１に接続されている。樹脂多層基板１０１Ａの実装電極Ｐ２は、導電性接合材６を介して、回路基板２０２の外部電極ＥＰ２に接続されている。樹脂多層基板１０１Ａのグランド電極ＰＧ２は、導電性接合材６を介して、回路基板２０２の外部電極ＥＧ２に接続されている。

また、部品８１は、導電性接合材６を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ３，ＥＰ４に接続されている。

このように、樹脂多層基板１０１Ａは、曲げられているため（塑性変形されているため）、互いに対向した面を有する回路基板２０１，２０２への実装が容易となる。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次の工程で曲げ加工（塑性変形）される。図６は、樹脂多層基板１０１の曲げ加工を順に示す正面図である。

まず、図６中の（１）（２）に示すように、樹脂多層基板１０１を準備し、上部金型３および下部金型４を用いて、Ｚ軸方向に積層体３０の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱加圧する。なお、加熱加圧する位置は、図６に示すように、積層体３０の長手方向（Ｚ軸方向）の中央付近である。上部金型３および下部金型４は、断面形状がＬ字形の金属構造体である。

熱可塑性樹脂からなる積層体３０が冷えて固化した後、上部金型３および下部金型４から積層体３０を取り外して、図６中の（３）に示すような樹脂多層基板１０１Ａを得る。

このような製造方法により、曲げ加工（塑性変形）された形状を維持（保持）した樹脂多層基板１０１Ａを得ることができる。また、上述のように加熱加圧しながら曲げ加工する場合には、接合部に樹脂層の熱膨張による応力が掛かるため、脆い接合部の破損が起こりやすい。したがって、接合部の破損を抑制する点で、本発明の構成が特に有効である。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図７は、加熱プレス前の第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に、ビア導体Ｖ１１および接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。図８は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。

なお、図７および図８では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれるマザー基板を言う。また、第１樹脂層１２，１３および第２樹脂層２２，２３については、図７に示す第１樹脂層１１および第２樹脂層２１と同様の工程となるため、説明を省略している。このことは、以降に示す製造方法における断面図でも同様である。

まず、図７中の（１）に示すように、熱可塑性樹脂からなる第１樹脂層１１の表面と、熱可塑性樹脂からなる第２樹脂層２１の裏面とを貼り付ける。第２樹脂層２１の線膨張係数（ＣＴ２）は、第１樹脂層１１の線膨張係数（ＣＴ１）よりも小さい（ＣＴ２＜ＣＴ１）。第１樹脂層１１は、例えば、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とするシートである。第２樹脂層２１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を主材料とするシートとである。

第１樹脂層１１に、第１樹脂層１１よりも線膨張係数の小さな第２樹脂層を貼り付けるこの工程が、本発明における「貼り合わせ工程」の一例である。

次に、図７中の（２）に示すように、貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１を貫通する貫通孔ＡＰ１１を設ける。貫通孔ＡＰ１１は、例えばドリル等によって研削・研磨・エッチングすることによって形成される。

その後、第１樹脂層１１の裏面にグランド導体５１等を形成する。具体的には、第１樹脂層１１の裏面に金属箔（Ｃｕ等）をラミネートし、ラミネートされた金属箔をフォトリソグラフィでパターニングすることで、第１樹脂層１１の裏面にグランド導体５１等を形成する。なお、第１樹脂層１１の裏面には、実装電極（Ｐ１）も形成されるが図示省略している。

次に、図７中の（３）に示すように、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも第１樹脂層１１側に、金属材料（Ｃｕ等）を充填してビア導体Ｖ１１を形成する。具体的には、めっき処理によって貫通孔ＡＰ１１内のグランド導体５１の表面、および貫通孔ＡＰ１１の内壁にめっき膜を形成する。

貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に貫通孔ＡＰ１１を設け、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも第１樹脂層１１側に、金属材料を充填してビア導体Ｖ１１を形成するこの工程が、本発明における「ビア導体形成工程」の一例である。

次に、図７中の（４）に示すように、接合部７１Ｐを、ビア導体Ｖ１１に接するように、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも第２樹脂層２１側に配設する。具体的には、ビア導体Ｖ１１の表面（図７中の（３）（４）に示すビア導体Ｖ１１の上面）に接合部７１Ｐを設ける。接合部７１Ｐは、例えばＣｕ，Ｓｎ等の金属と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストである。

接合部７１Ｐを、ビア導体Ｖ１１に接するように、貫通孔ＡＰ１１のうち少なくとも第２樹脂層２１側に配設するこの工程が、本発明における「接合部形成工程」の一例である。

次に、図８中の（１）に示すように、他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１を含む複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３）を積層する。このとき、第２樹脂層２１に形成される接合部７１Ｐと、第２樹脂層２２に形成される接合部７１Ｐとが当接する。また、第２樹脂層２３に形成される接合部７２Ｐと、第１樹脂層１２に形成されるグランド導体５２とが当接する。

次に、図８中の（２）に示すように、積層方向（Ｚ軸方向）に、第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体３０Ｐを形成する。加熱プレス時の熱により接合部７１Ｐは固化し、ビア導体よりも脆い接合部７１となる。また、加熱プレス時の熱により接合部７２Ｐは固化し、ビア導体よりも脆い接合部７２となる。これにより、ビア導体Ｖ１１が接合部７１を介してビア導体Ｖ１２に接合され、ビア導体Ｖ１３が接合部７２を介してグランド導体５２に接合される。

他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第１樹脂層および第２樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体３０Ｐを形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。

その後、積層体３０Ｐの下面（第１樹脂層１１の裏面）に保護層１を形成し、積層体３０Ｐの上面（第１樹脂層１３の表面）に保護層２を形成して、図８中の（３）に示す樹脂多層基板１０１（積層体３０）を得る。保護層１，２は、例えばカバーレイフィルムやソルダーレジスト膜であり、例えばエポキシ樹脂膜等である。

上記製造方法によれば、加熱した際に、複数の樹脂層の熱膨張に起因する接合部の破損を抑制した樹脂多層基板を容易に製造できる。

また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３）を積層して加熱プレスする工程を含むため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。

なお、上記製造方法では、貫通孔の第２樹脂層側に導電性ペーストを配設することにより、接合部を形成する方法を示したが、この方法に限定されるものではない。接合部は、例えば、接合部形成工程において貫通孔内のビア導体の表面に、金属粉（Ｃｕ，Ｓｎのうち１以上の金属、もしくはそれらの合金の金属粉）と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストを配設し、後の加熱プレス（積層体形成工程）によって上記導電性ペーストを固化させて形成してもよい。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とはビア導体の構成が異なる樹脂多層基板の例を示す。

図９は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の外観斜視図である。図１０は、図９におけるＣ−Ｃ断面図である。

樹脂多層基板１０２は、複数のビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０２と実質的に同じである。

以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａは、平面導体（グランド導体５１，５２，５３）と同材料（Ｃｕ）である。ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａは、面積の小さな一方面と面積の大きな他方面とを有する錐台形の導体である。

ビア導体Ｖ１１Ａの一方面（図１０におけるビア導体Ｖ１１Ａの下面）はグランド導体５１に接続され、ビア導体Ｖ１１Ａの他方面（図１０におけるビア導体Ｖ１１Ａの上面）は接合部７１に接合されている。ビア導体Ｖ１２Ａの一方面（図１０におけるビア導体Ｖ１２Ａの上面）はグランド導体５２に接続され、ビア導体Ｖ１２Ａの他方面（図１０におけるビア導体Ｖ１２Ａの下面）は接合部７１に接合されている。ビア導体Ｖ１３Ａの一方面（図１０におけるビア導体Ｖ１３Ａの上面）はグランド導体５３に接続され、ビア導体Ｖ１３Ａの他方面（図１０におけるビア導体Ｖ１３Ａの下面）は接合部７２に接合されている。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０２は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図１１は、加熱プレス前の第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に、ビア導体Ｖ１１Ａおよび接合部７１Ｐを形成する工程を順に示した断面図である。図１２は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。

まず、図１１中の（１）に示すように、第１樹脂層１１の裏面にグランド導体５１等を形成した後、図１１中の（２）に示すように、第１樹脂層１１の表面と第２樹脂層２１の裏面とを貼り付ける。第１樹脂層１１および第２樹脂層２１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。

第１樹脂層１１に、第１樹脂層１１よりも線膨張係数の小さな第２樹脂層を貼り付けるこの工程が、本発明における「貼り合わせ工程」の一例である。

次に、図１１中の（３）に示すように、貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１を貫通する貫通孔ＡＰ１１Ａを設ける。貫通孔ＡＰ１１Ａは、第２樹脂層２１の表面から第１樹脂層１１の裏面に向かって開口径が小さくなる円錐台形（テーパー形状）の貫通孔である。貫通孔ＡＰ１１Ａは、例えば、第２樹脂層２１の表面からＣＯ_２レーザーを照射することによって形成される。

次に、図１１中の（４）に示すように、貫通孔ＡＰ１１Ａのうち少なくとも第１樹脂層１１側に、金属材料（Ｃｕ等）を充填してビア導体Ｖ１１Ａを形成する。具体的には、めっき処理によって貫通孔ＡＰ１１Ａ内のグランド導体５１の表面、および貫通孔ＡＰ１１の内壁にめっき膜を形成する。貫通孔ＡＰ１１Ａが円錐台形であるため、ビア導体Ｖ１１Ａは、一方面（面積の小さな面）および他方面（面積の大きな面）を有する錐台形になる。

貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１に貫通孔ＡＰ１１Ａを設け、貫通孔ＡＰ１１Ａのうち少なくとも第１樹脂層１１側に、金属材料を充填してビア導体Ｖ１１Ａを形成するこの工程が、本発明における「ビア導体形成工程」の一例である。

次に、図１１中の（５）に示すように、接合部７１Ｐを、ビア導体Ｖ１１Ａに接するように、貫通孔ＡＰ１１Ａのうち少なくとも第２樹脂層２１側に配設する。

接合部７１Ｐを、ビア導体Ｖ１１Ａに接するように、貫通孔ＡＰ１１Ａのうち少なくとも第２樹脂層２１側に配設するこの工程が、本発明における「接合部形成工程」の一例である。

次に、図１２中の（１）に示すように、他の樹脂層に形成される導体と接合部とが当接するように、貼り合わせた第１樹脂層１１および第２樹脂層２１を含む複数の樹脂層を積層する。

次に、図１２中の（２）に示すように、積層方向（Ｚ軸方向）に、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３および第２樹脂層２１，２２，２３）を加熱プレス（一括プレス）することにより、積層体３０Ｐを形成する。加熱プレス時の熱により接合部７１Ｐ，７２Ｐは固化し、それぞれビア導体よりも脆い接合部７１，７２となる。これにより、ビア導体Ｖ１１Ａが接合部７１を介してビア導体Ｖ１２Ａに接合され、ビア導体Ｖ１３Ａが接合部７２を介してグランド導体５２に接合される。

複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成するこの工程が、本発明における「積層体形成工程」の一例である。

その後、積層体３０Ｐの下面（第１樹脂層１１の裏面）に保護層１を形成し、積層体３０Ｐの上面（第１樹脂層１３の表面）に保護層２を形成して、図１２中の（３）に示す樹脂多層基板１０１（積層体３０）を得る。

上記製造方法によれば、第２樹脂層２１の表面から第１樹脂層１１の裏面に向かって開口径が小さくなる錐台形（テーパー形状）の貫通孔の、第１樹脂層１１側に金属材料を充填してビア導体Ｖ１１Ａを形成する。この製造方法によれば、貫通孔ＡＰ１１Ａが先細りの錐台形であるため、貫通孔ＡＰ１１Ａ内に金属材料を充填しやすい。また、貫通孔ＡＰ１１Ａが錐台形であるため、貫通孔が円柱形である場合と比較して、少ない金属材料でビア導体Ｖ１１Ａを形成でき、低コスト化が図れる。また、めっき処理でビア導体Ｖ１１Ａを形成する場合には、少ない金属材料でビア導体Ｖ１１Ａを形成できるため、めっき処理にかかる時間を短縮できる。

本実施形態のようにビア導体と平面導体（グランド導体５１，５２，５３）とが同材料であり、ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３Ａが一方面（面積の小さな方の面）および他方主面（面積の大きな方の面）を有する錐台形である場合には、ビア導体の一方面が平面導体に接続され、他方面が接合部に接続されていることが好ましい。一般に、ビア導体と他の導体との接合面積が小さいと接合強度は低いため、ビア導体の一方面と平面導体との接合強度は低くなりやすい。一方、本実施形態では、めっき処理によって形成されたビア導体が平面導体と一体化しているため、ビア導体と平面導体との接合面積が小さい場合であっても接続部分の強度は高い。そのため、線膨張係数の大きな第１樹脂層において、相対的に面積の小さなビア導体の一方面と平面導体とが接続されていても、樹脂多層基板を加熱した際に、ビア導体と平面導体との間の接続不良が生じ難い。また、ビア導体と接合部とは異種金属であり、ビア導体と接合部との接続部分の強度は低い。そのため、ビア導体の他方主面を接合部に接合することにより、ビア導体の一方面と接合部とを接合させる場合に比べて、ビア導体と接合部との接合強度を高めることができる。

さらに、本実施形態では、ビア導体Ｖ１１Ａ，Ｖ１２Ａの他方面同士が、第２樹脂層２１，２２のみに接する接合部７１を介して接続されている。ビア導体が錐台形の場合には、相対的に面積の大きなビア導体の他方面同士を接続することにより、ビア導体の一方面同士を接続する場合と比較して、複数の樹脂層を積層する際の位置ずれに起因するビア導体の接続不良の発生を抑制できる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１樹脂層の厚みと、第２樹脂層の厚みとが異なる樹脂多層基板の例を示す。

図１３は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。

樹脂多層基板１０３は、積層体３０Ａを備える点で、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０２と実質的に同じである。

以下、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる部分について説明する。

積層体３０Ａは、保護層１、第１樹脂層１１ａ、第２樹脂層２１ａ，２２ａ、第１樹脂層１２ａ、第２樹脂層２３ａ、第１樹脂層１３ａおよび保護層２をこの順番に積層して形成される。

図１３に示すように、第１樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａの厚み（Ｔ１）は、第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａの厚み（Ｔ２）よりも厚い（Ｔ１＞Ｔ２）。なお、本実施形態では、接合部７２が第１樹脂層１３ａに接している。また、本実施形態では、接合部７２のうち第２樹脂層２３ａに形成される部分（接合部７２のうち第２樹脂層２３ａに接する部分）の厚みが、接合部７２のうち第１樹脂層１３ａに形成される部分（接合部７２のうち第１樹脂層１３ａに接する部分）の厚みよりも厚い。

本実施形態に示したように、接合部７２の一部が第２樹脂層に形成される構成であっても、樹脂多層基板を加熱した際に接合部の破損を抑制するという本発明の作用・効果を奏する。なお、本実施形態のように、接合部７２のうち第２樹脂層２３ａに形成される部分の厚みが、接合部７２のうち第１樹脂層１３ａに形成される部分の厚みよりも厚いことが好ましい。接合部７２のうち第２樹脂層２３ａに接する部分を厚くすることで、加熱した際に接合部に掛かる応力を低減できる。但し、樹脂多層基板を加熱した際の接合部の破損を抑制するという点では、接合部は第２樹脂層のみに形成されている（第２樹脂層のみに接している）ことがより好ましい。

なお、第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａよりも比誘電率が低い第１樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａの厚みが、第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａの厚みよりも厚い。

ＬＣＰのように線膨張係数の小さな第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａは、比誘電率が大きい傾向がある。そのため、本実施形態のように、第１樹脂層１１ａ，１２ａ，１３ａの厚み（Ｔ１）を第２樹脂層２１ａ，２２ａ，２３ａの厚み（Ｔ２）よりも厚くすることで、樹脂多層基板を加熱した際の接合部の破断を抑制しつつ、高周波特性に優れた樹脂多層基板を実現できる。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、二つの回路基板同士を接続するケーブルである例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、回路基板に面実装される電子部品でもよく、二つの部材間を接続するケーブル、または回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板の接続部には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。

なお、以上に示した各実施形態では、第１接続部ＣＮ１、第２接続部ＣＮ２および線路部ＳＬを有する多層基板の例を示したが、多層基板が有する接続部および線路部の数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、積層体３０が、Ｘ軸方向に長手方向を有する矩形の平板である例を示したが、積層体３０の形状はこれに限定されるものではない。積層体３０の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。積層体３０の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、３つの第１樹脂層および３つの第２樹脂層を含んだ積層体の例を示したが、本発明の積層体はこれに限定されるものではない。積層体を形成する樹脂層の層数（第１樹脂層の層数、および第２樹脂層の層数）は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、本発明の樹脂多層基板において、保護層１，２は必須ではない。さらに、積層体は、第１樹脂層および第２樹脂層以外の樹脂層を含んでいてもよい。

以上に示した各実施形態では、積層体が、熱可塑性樹脂からなる平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体は熱硬化性樹脂からなる平板でもよい。また、積層体は、異なる樹脂材料の複合積層体であってもよく、例えばガラス／エポキシ基板等の熱硬化性樹脂シートと、熱可塑性樹脂シートとが積層されて形成される構成でもよい。また、積層体は、複数の樹脂層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂層間に接着材層を有する構成でもよい。例えば、第１樹脂層と第２樹脂層とが接着層を介して貼り付けられていてもよく、第１樹脂層または第２樹脂層のいずれかが接着性を有する層でもよい。

また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで構成されるコイルやインダクタ、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば他の各種伝送線路（マイクロストリップライン、コプレーナライン等）が、形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、１つの伝送線路が構成された多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではなく、伝送線路の数は樹脂多層基板に形成される回路構成によって適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、ビア導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａが平面導体（実装電極Ｐ１，Ｐ２、信号導体４１およびグランド導体５１，５２，５３）と同材料（Ｃｕ）である例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体は、接合部よりも脆くなければ、Ｃｕである平面導体と異なる材料（例えば、Ｎｉ−Ｓｎめっき）であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、複数のビア導体Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａが伝送方向（Ｘ軸方向）に配列されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。ビア導体Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａの個数、配置等は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極Ｐ１およびグランド電極ＰＧ１が、第１主面ＶＳ１に形成され、矩形の実装電極Ｐ２およびグランド電極ＰＧ２が、第２主面ＶＳ２に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極およびグランド電極の形状・個数・位置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極およびグランド電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。また、実装電極およびグランド電極が、第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２のいずれか一方に設けられていてもよい。なお、樹脂多層基板は、実装電極またはグランド電極以外に、ダミー電極を備えていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１１，ＡＰ１１Ａ…貫通孔
ＣＮ１…第１接続部
ＣＮ２…第２接続部
ＳＬ…線路部
ＥＰ１，ＥＰ２，ＥＰ３，ＥＰ４，ＥＧ１，ＥＧ２…外部電極
ＯＰ１，ＯＰ２，ＯＰ１０，ＯＰ２０…開口
Ｐ１，Ｐ２…実装電極
ＰＧ１，ＰＧ２…グランド電極
Ｓ１…回路基板の第１面
Ｓ２…回路基板の第２面
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ１１，Ｖ１１Ａ，Ｖ１２，Ｖ１２Ａ，Ｖ１３，Ｖ１３Ａ…ビア導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
１，２…保護層
３…上部金型
４…下部金型
６…導電性接合材
１１，１１ａ，１２，１２ａ，１３，１３ａ…第１樹脂層
２１，２１ａ，２２，２２ａ，２３，２３ａ…第２樹脂層
３０，３０Ａ，３０Ｐ…積層体
４１…信号導体
５１，５２，５３…グランド導体
６１，６２，７１，７１Ｐ，７２，７２Ｐ…接合部
８１…部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０３…樹脂多層基板
２０１，２０２…回路基板
３０１…電子機器

Claims (15)

1. 第１樹脂層および第２樹脂層を含んだ複数の樹脂層を積層してなる積層体と、
   前記第１樹脂層に形成されるビア導体と、
   少なくとも一部が前記第２樹脂層に形成され、且つ、前記ビア導体に接合される接合部と、
   前記積層体に形成され、前記接合部を介して前記ビア導体に接続される導体と、
   を備え、
   前記接合部は前記ビア導体よりも脆く、
   前記第２樹脂層の線膨張係数は、前記ビア導体の線膨張係数および前記接合部の線膨張係数よりも大きく、前記第１樹脂層の線膨張係数よりも小さい、樹脂多層基板。
2. 前記接合部のビッカース硬さは前記ビア導体のビッカース硬さよりも低く、
   前記接合部は、前記ビア導体よりも脆い、
   請求項１に記載の、樹脂多層基板。
3. 前記積層体に形成される平面導体をさらに備え、
   前記ビア導体は、面積の小さな一方面と、面積の大きな他方面とを有する錐台形であり、
   前記ビア導体は、前記一方面が前記平面導体に接続され、前記他方面が前記接合部に接合され、
   前記平面導体は、前記ビア導体と同材料である、
   請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
4. 前記ビア導体の数および前記第２樹脂層の数は、それぞれ複数であり、
   複数の前記第２樹脂層のうち、２つの第２樹脂層は隣接し、
   複数のビア導体のうち、前記２つの第２樹脂層にそれぞれ形成される２つビア導体は、他方面同士が、前記第２樹脂層のみに接する前記接合部を介して接続される、
   請求項３に記載の樹脂多層基板。
5. 前記接合部は、前記第１樹脂層には接触しない、
   請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
6. 前記ビア導体と前記接合部との界面は、前記第２樹脂層内に位置する、
   請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
7. 前記第１樹脂層の比誘電率は前記第２樹脂層の比誘電率よりも低く、
   前記第１樹脂層の厚みは前記第２樹脂層の厚みよりも厚い、
   請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の樹脂多層基板。
8. 前記第１樹脂層はフッ素樹脂を主成分とする層であり、
   前記第２樹脂層は液晶ポリマーを主成分とする層である、
   請求項７に記載の樹脂多層基板。
9. 前記複数の樹脂層は熱可塑性樹脂からなる、
   請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の樹脂多層基板。
10. 前記積層体は曲げ部を有する、
    請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の樹脂多層基板。
11. 第１樹脂層に、前記第１樹脂層よりも線膨張係数が小さい第２樹脂層を貼り付ける、貼り合わせ工程と、
    前記貼り合わせ工程の後、貼り合わせた前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を貫通する貫通孔を設け、前記貫通孔のうち少なくとも前記第１樹脂層側に、金属材料を充填してビア導体を形成する、ビア導体形成工程と、
    前記ビア導体形成工程の後、前記ビア導体よりも脆い接合部を、前記ビア導体に接するように、前記貫通孔のうち少なくとも前記第２樹脂層側に配設する、接合部形成工程と、
    前記接合部形成工程の後、他の樹脂層に形成される導体と前記接合部とが当接するように、貼り合わせた前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を含む複数の樹脂層を積層し、加熱プレスすることにより積層体を形成し、且つ、前記接合部を介して前記ビア導体と前記導体とを接合する、積層体形成工程と、
    を備える、樹脂多層基板の製造方法。
12. 前記ビア導体形成工程は、前記貫通孔にめっき膜を形成する工程を含む、
    請求項１１に記載の樹脂多層基板の製造方法。
13. 前記接合部形成工程は、前記ビア導体の表面に導電性ペーストを配設する工程を含み、
    前記積層体形成工程は、加熱プレスによって前記導電性ペーストを固化させる工程を含む、
    請求項１１または請求項１２に記載の樹脂多層基板の製造方法。
14. 前記接合部形成工程は、前記ビア導体の表面に導電性接合材を配設する工程を含む、
    請求項１１または請求項１２に記載の樹脂多層基板の製造方法。
15. 前記積層体形成工程は、熱可塑性樹脂からなる前記複数の樹脂層を積層して加熱プレスする工程を含む、
    請求項１１乃至請求項１４のいずれかに記載の樹脂多層基板の製造方法。

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