JP6886674B2

JP6886674B2 - Non-destructive inspection equipment

Info

Publication number: JP6886674B2
Application number: JP2019208639A
Authority: JP
Inventors: 茂北川
Original assignee: サガワ産業株式会社
Priority date: 2019-03-06
Filing date: 2019-11-19
Publication date: 2021-06-16
Anticipated expiration: 2039-11-19
Also published as: JP2021107838A; JP2021107837A; JP7123357B2; JP7185340B2; JP2020148759A; JP7374443B2; JP2023009219A

Description

本発明は、被検査物の傷および厚み変化などの異常個所を検査できる非破壊検査装置に関するものである。 The present invention relates to a non-destructive inspection device capable of inspecting an abnormal portion such as a scratch and a change in thickness of an object to be inspected.

従来、種々の非破壊検査装置が開発および開示されている。たとえば下記特許文献１は、コイルにパルス電流を流し、このパルス電流によって被検査物に流れる渦電流の変化を検出することで、被検査物の異常個所を検査する装置を開示している。特許文献１は渦電流の変化を検出し、その検出の時間変化の勾配を基準値と比較することで被検査物を検査している。 Conventionally, various non-destructive inspection devices have been developed and disclosed. For example, Patent Document 1 below discloses an apparatus for inspecting an abnormal portion of an inspected object by passing a pulse current through a coil and detecting a change in an eddy current flowing through the inspected object by the pulse current. Patent Document 1 inspects an object to be inspected by detecting a change in eddy current and comparing the gradient of the time change of the detection with a reference value.

しかし、磁束の変化を検出するタイミングが適切でないと、その変化を検出できない。この検出するタイミングは被検査物の形状、厚みおよび材質などによって異なる。一の被検査物に対して最適な非破壊検査装置であっても、他の被検査物に対しては適さない非破壊検査装置である可能性もある。 However, if the timing for detecting the change in magnetic flux is not appropriate, the change cannot be detected. The timing of this detection differs depending on the shape, thickness, material, etc. of the object to be inspected. Even a non-destructive inspection device that is optimal for one object to be inspected may be a non-destructive inspection device that is not suitable for another object to be inspected.

特開２００９−０７９９８４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-079984

本発明の目的は、適切なタイミングで被検査物を検査できる非破壊検査装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a non-destructive inspection device capable of inspecting an object to be inspected at an appropriate timing.

本発明の非破壊検査装置は、被検査物に対する非破壊検査装置である。本発明の非破壊検査装置は、パルス電流を生成するパルス電流生成回路と、前記パルス電流が流され、被検査物に渦電流を生じさせる一次コイルと、前記一次コイルの内側に配置され、前記渦電流によって生じた磁束によって電圧が変化する二次コイルと、前記二次コイルの電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路と、設定時点における前記二次コイルの電圧を出力するサンプリング回路と、前記比較回路の出力とサンプリング回路の出力を選択するスイッチとを備える。本発明の非破壊検査装置は前記設定電圧および設定時点が変更できる。本発明の非破壊検査装置は、比較回路とサンプリング回路のいずれか１つを備えていてもよい。 The non-destructive inspection device of the present invention is a non-destructive inspection device for an object to be inspected. The non-destructive inspection device of the present invention is arranged inside the primary coil, a pulse current generation circuit that generates a pulse current, a primary coil through which the pulse current is passed to generate a vortex current in an object to be inspected, and said. A secondary coil whose voltage changes due to the magnetic flux generated by the eddy current, a comparison circuit that outputs the time when the voltage of the secondary coil reaches the set voltage, and a sampling circuit that outputs the voltage of the secondary coil at the time of setting. And a switch for selecting the output of the comparison circuit and the output of the sampling circuit. In the non-destructive inspection apparatus of the present invention, the set voltage and the set time point can be changed. The non-destructive inspection apparatus of the present invention may include any one of a comparison circuit and a sampling circuit.

本発明によると、比較回路で用いる設定電圧およびサンプリング回路で用いる設定時点が変更可能になっていることで、適切なタイミングで被検査物を検査することが可能になっている。被検査物に応じて最適な検査を行うことができる。 According to the present invention, the set voltage used in the comparison circuit and the set time point used in the sampling circuit can be changed, so that the object to be inspected can be inspected at an appropriate timing. Optimal inspection can be performed according to the object to be inspected.

本発明の非破壊検査装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the nondestructive inspection apparatus of this invention. センサの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a sensor. 一次コイルのパルス電流と二次コイルの電圧の関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the pulse current of a primary coil and the voltage of a secondary coil. （ａ）は比較回路における正常箇所と異常個所の時間差を示すグラフであり、（ｂ）は比較回路の出力を示すグラフである。(A) is a graph showing the time difference between the normal part and the abnormal part in the comparison circuit, and (b) is a graph showing the output of the comparison circuit. （ａ）はサンプリング回路における正常箇所と異常個所の電圧差を示すグラフであり、（ｂ）はサンプリング回路の出力を示すグラフである。(A) is a graph showing the voltage difference between the normal part and the abnormal part in the sampling circuit, and (b) is a graph showing the output of the sampling circuit. ゼロセット回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the zero set circuit. 非破壊検査装置の出力電圧変化を示すグラフである。It is a graph which shows the output voltage change of the nondestructive inspection apparatus. 二重コアセンサの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the dual core sensor. ステンレス鋼におけるマルテンサイトの影響を示す二次コイルからの電圧変化を示すグラフである。It is a graph which shows the voltage change from the secondary coil which shows the influence of martensite in stainless steel. マルテンサイトの影響をキャンセルするために第１系列回路と第２系列回路を並列接続した構成を示す図である。It is a figure which shows the structure which connected the 1st series circuit and the 2nd series circuit in parallel in order to cancel the influence of martensite. 微分回路を追加した非破壊検査装置の構成示す図である。It is a figure which shows the structure of the nondestructive inspection apparatus which added the differentiating circuit. 微分回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a differentiating circuit. 微分回路の出力電圧変化を示す図である。It is a figure which shows the output voltage change of a differentiating circuit.

本発明の非破壊検査装置について図面を使用して説明する。 The non-destructive inspection apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１に示す本発明の非破壊検査装置１０は、一次コイル１２に印加するパルス電流を生成するパルス電流発生回路１４、二次コイル１６の電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路１８、設定時点における二次コイル１６の電圧を出力するサンプリング回路２０、比較回路１８の出力とサンプリング回路２０の出力を選択するスイッチ２２、スイッチ２２で選択された出力と、それぞれの正常値との差動出力をおこなうアナログゼロセット回路２４、アナログゼロセット回路２４の出力を増幅する増幅回路２６を備える。 The non-destructive inspection device 10 of the present invention shown in FIG. 1 has a pulse current generation circuit 14 that generates a pulse current applied to the primary coil 12, and a comparison circuit 18 that outputs the time when the voltage of the secondary coil 16 reaches a set voltage. , The sampling circuit 20 that outputs the voltage of the secondary coil 16 at the time of setting, the switch 22 that selects the output of the comparison circuit 18 and the output of the sampling circuit 20, and the difference between the output selected by the switch 22 and their normal values. An analog zero set circuit 24 that performs dynamic output and an amplifier circuit 26 that amplifies the output of the analog zero set circuit 24 are provided.

一次コイル１２と二次コイル１６がフェライトコア２８に巻きまわされ、それらでセンサ３０を構成している（図２）。一次コイル１２の内側に二次コイル１６が巻かれている。センサ３０が被検査物３２に近接させられ、さらに被検査物３２の表面から一定距離（０ｍｍを含む）を保って走査(移動)させられる。センサ３０が近接および走査させられることで、被検査物３２の傷および厚み変化などの異常箇所３４、３５の有無が検知又は検出される。被検査物３２は非磁性の金属または合金からなる物であり、その形状は限定されない。異常箇所３４は被検査物３２の表面（センサ３０が近接された面）にある傷であり、異常個所３５は被検査物３２の裏面の傷である。本願は被検査物３２の裏面または内部にあって、目視できない異常箇所３５も検査できることを特徴とする。被検査物３２は複数枚の重ねた構造であっても検査できる事も特徴である。 The primary coil 12 and the secondary coil 16 are wound around the ferrite core 28, and the sensor 30 is composed of them (FIG. 2). The secondary coil 16 is wound inside the primary coil 12. The sensor 30 is brought close to the object to be inspected 32, and is further scanned (moved) at a constant distance (including 0 mm) from the surface of the object to be inspected 32. By moving the sensor 30 close to and scanning, the presence or absence of abnormal portions 34 and 35 such as scratches and thickness changes of the object to be inspected 32 is detected or detected. The object 32 to be inspected is made of a non-magnetic metal or alloy, and its shape is not limited. The abnormal portion 34 is a scratch on the front surface of the object to be inspected 32 (the surface on which the sensor 30 is close), and the abnormal portion 35 is a scratch on the back surface of the inspected object 32. The present application is characterized in that an abnormal portion 35, which is on the back surface or inside of the object to be inspected 32 and cannot be visually observed, can be inspected. The object to be inspected 32 is also characterized in that it can be inspected even if it has a structure in which a plurality of sheets are stacked.

パルス電流発生回路１４は、図３に示すように、矩形のパルス電流Ｉ_１を生成する回路である。パルス電流Ｉ_１のパルス幅の一例は約２５μｓ、周期はその１０倍の約２５０μｓである。比較法ではこれらの時間は約１０倍長くする。パルス電流発生回路１４で生成したパルス電流Ｉ_１は一次コイル１２に流される。一次コイル１２にパルス電流Ｉ_１が流れることで被検査物３２に渦電流が発生する(図２)。被検査物３２の正常箇所３６と異常箇所３４、３５とで渦電流が異なる。この周期は約２５０μｓから約５ｍｓの範囲に設定する。 As shown in FIG. 3, the pulse current generation circuit 14 is a circuit that generates a _{rectangular pulse current I 1.} An example of the pulse width of the pulse current I ₁ is about 25 μs, and the period is about 250 μs, which is 10 times that. In comparative law, these times are about 10 times longer. _{The pulse current I 1} generated by the pulse current generation circuit 14 is passed through the primary coil 12. When the pulse current I ₁ flows through the primary coil 12, an eddy current is generated in the object 32 to be inspected (FIG. 2). The eddy current differs between the normal portion 36 of the object to be inspected 32 and the abnormal portions 34 and 35. This period is set in the range of about 250 μs to about 5 ms.

被検査物３２に流れた渦電流は面にほぼ平行に流れて磁束が生じ、渦電流の減衰に伴うその磁束の変化によって二次コイル１６に誘導電圧Ｖ_２が生じる（図３）。誘導電圧Ｖ_２は被検査物３２の材質、厚さなどのサイズによって微妙に変わる。具体的には、被検査物３２の材質が異なれば抵抗や透磁率が異なるため、渦電流が異なり、誘導電圧Ｖ_２が異なる。例えば、被検査物３２の厚みが部分的に変わると、その位置で渦電流の減衰特性が変わるので、誘導電圧Ｖ_２が変わる。被検査物３２に亀裂などの傷があると渦電流が流れにくくなり、誘導電圧Ｖ_２が変わる。正常位置のＶ_２と異常位置のＶ_２との差でそれらの亀裂や板厚変化などの欠陥を検出する。 Eddy current flowing through the object to be inspected 32 is caused magnetic flux flows substantially parallel to the plane, the induced voltage V ₂ to the secondary coil 16 by a change in the magnetic flux due to the decay of the eddy current is generated (Figure 3). The induced voltage V ₂ slightly changes depending on the size such as the material and thickness of the object 32 to be inspected. Specifically, if the material of the object to be inspected 32 is different, the resistance and magnetic permeability are different, so that the eddy current is different and the induced voltage V ₂ is different. For example, when the thickness of the object to be inspected 32 is partially changed, the damping characteristic of the eddy current changes at that position, so that the induced voltage V ₂ changes. If the object 32 to be inspected has a scratch such as a crack, it becomes difficult for the eddy current to flow, and the induced voltage V ₂ changes. Defects such as cracks and changes in plate thickness are detected by the difference between _{V 2} at the normal position and V ₂ at the abnormal position.

パルス電流Ｉ_１がオンになるときとオフになるときの両方で二次コイル１６に誘導電圧Ｖ_２が生じるが、本願はパルス電流Ｉ_１がオフになるときの誘導電圧Ｖ_２を利用する。二次コイル１６に生じる誘導電圧Ｖ_２は、指数関数的（e^-at）に減少する。パルス電流Ｉ_１はオンの時間よりもオフの時間の方が長くなっているため、パルス電流Ｉ_１がオフになるときの誘導電圧Ｖ_２はパルス電流Ｉ_１がオンになるときの誘導電圧に比べて時間が長く、一次電流に含まれるノイズの影響は少なく安定している。 _{An induced voltage V 2} is generated in the secondary coil 16 both when the pulse current I ₁ is turned on and when it is turned off, but the present application utilizes the induced voltage V ₂ _{when the pulse current I 1 is turned off.} _{The induced voltage V 2} generated in the secondary coil 16 decreases exponentially (e- ^at ). Since the pulse current I ₁ is longer in the off time than in the on _{time, the induced voltage V 2} _{when the pulse current I 1} is turned off is the induced voltage when the pulse current I ₁ is turned on. Compared to this, the time is longer, and the influence of noise contained in the primary current is small and stable.

二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は比較回路１８およびサンプリング回路２０に入力される。二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２を増幅する増幅回路３８が備えられてもよい。必要に応じて二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２が増幅回路３８によって増幅される。 The induced voltage V ₂ of the secondary coil 16 is input to the comparison circuit 18 and the sampling circuit 20. An amplifier circuit 38 that amplifies the induced voltage V _{2 of the secondary coil 16 may be provided.} If necessary, the induced voltage V ₂ of the secondary coil 16 is amplified by the amplifier circuit 38.

比較回路１８はオペアンプおよび比較電圧Ｖ_Ｒを設定する可変抵抗を用いて構成できる。二次コイル１６の電圧（増幅回路３８の出力）がオペアンプの非反転入力端子に入力され、設定電圧がオペアンプの反転入力端子に入力される。設定電圧は安定化電源電圧Ｖ_ＣＣを可変抵抗で調整することで得る。二次コイル１６の出力Ｖ_２が増幅されてから設定電圧より低くなるまでの時間τが矩形波の電圧として出力される。 Comparator circuit 18 can be constructed by using a variable resistor for setting the operational amplifier and the comparison voltage V _R. The voltage of the secondary coil 16 (output of the amplifier circuit 38) is input to the non-inverting input terminal of the operational amplifier, and the set voltage is input to the inverting input terminal of the operational amplifier. The set voltage is obtained by adjusting the regulated _{power supply voltage VCC with a variable resistor.} _{The time τ from when the output V 2} of the secondary coil 16 is amplified until it becomes lower than the set voltage is output as the voltage of the square wave.

非破壊検査装置１０を使用するに際して設定電圧を調整する。たとえば、図４（ａ）に示すように、被検査物３２の正常箇所３６における二次コイル１６の出力をＶ_２、異常箇所３４、３５における二次コイル１６の出力をＶ_２Ｘとする。設定電圧がＶ_Ｒ１のときは、Ｖ_２とＶ_２Ｘの時間差はΔτ_１である。設定電圧がＶ_Ｒ２のときは、Ｖ_２とＶ_２Ｘの時間差はΔτ_２である。図４（ａ）に示すように、Δτ_１＜Δτ_２である。設定電圧Ｖ_Rによって正常箇所３６と異常個所３４、３５の時間差が異なる。さらに二次コイル１６の電圧Ｖ_２は被検査物３２の材質および形状などによっても異なる。被検査物３２に応じて設定電圧を調整することで、正常箇所３６と表面異常個所３４又は、裏面異常個所３５についての時間変化Δτを求めて異常を検出する。Δτは電圧変化に変換されて出力する。 The set voltage is adjusted when the non-destructive inspection device 10 is used. For example, as shown in FIG. 4 (a), _{V 2} the output of the secondary coil 16 in normal position 36 of the object to be inspected 32, the output of the secondary coil 16 and the _{V 2X} in anomaly 34 and 35. When the set voltage is _{V R1,} the time difference between _{V 2} and _{V 2X} is .DELTA..tau _1. When the set voltage is _{V R2,} the time difference between _{V 2} and _{V 2X} is .DELTA..tau _2. As shown in FIG. 4 (a), Δτ ₁ <Δτ ₂ . Time difference of normal portions 36 and abnormal point 34, 35 by setting the voltage V _R differs. Further, the voltage V ₂ of the secondary coil 16 also differs depending on the material and shape of the object 32 to be inspected. By adjusting the set voltage according to the object to be inspected 32, the time change Δτ of the normal portion 36 and the front surface abnormality portion 34 or the back surface abnormality portion 35 is obtained and the abnormality is detected. Δτ is converted into a voltage change and output.

表面亀裂３４は通常用いられている交流法と同じであるから、ここでは裏面欠陥３５のみについて述べる。比較回路１８に入力された二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は図４（ｂ）に示すように、矩形のパルス電圧Ｖ_Ａとなって出力される。パルス電圧Ｖ_Ａは比較回路１８に誘導電圧Ｖ_２が入力されてから設定電圧よりも高い間はオペアンプから正電圧として出力され、設定電圧を下回ると負電圧として出力される。電圧Ｖ_２とＶ_２Ｘが異なるため、被検査物３２の異常箇所３５における比較回路１８の出力は、電圧Ｖ_Ａと異なるパルス幅になったパルス電圧Ｖ_ＡＸとなる。この異なったパルス電圧Ｖ_Ａ、Ｖ_ＡＸは後述する平滑回路４４で比較回路１８の出力が平滑され、異なった電圧となる。 Since the front surface crack 34 is the same as the commonly used AC method, only the back surface defect 35 will be described here. _{The induced voltage V 2} of the secondary coil 16 input to the comparison circuit 18 is output as _{a rectangular pulse voltage VA} as shown in FIG. 4 (b). The pulse voltage _VA is output as a positive voltage from the operational amplifier while it is higher than the set voltage after the induction voltage V _{2 is input to the comparison circuit 18, and is output as a negative voltage when it is lower than the set voltage.} Since the voltages V ₂ and V _{2 X} are different, the output of the comparison circuit 18 at the abnormal portion 35 of the object to be inspected 32 is _{a pulse voltage V AX} having a pulse width different from _{the voltage VA.} The different pulse voltages V _A, V _AX output of the comparator circuit 18 in the smoothing circuit 44 described later is smoothed, a different voltage.

サンプリング回路２０はサンプリングパルスが入力された時に、図５のようにパルス電圧Ｖ_Ｂを出力する回路である。サンプリングパルスは一定周期のパルス電圧であり、設定時点のパルスをサンプリング回路２０に入力される。 The sampling circuit 20 is a circuit that outputs a _{pulse voltage V B} as shown in FIG. 5 when a sampling pulse is input. The sampling pulse is a pulse voltage having a constant cycle, and the pulse at the set time is input to the sampling circuit 20.

サンプリング回路２０は、アナログスイッチを用いた回路である。アナログスイッチにパルスが入力されることで、アナログスイッチがオンの時点のＶ_２Ｘの電圧パルスが出力される。一次電流がオフからのある設定時間でアナログスイッチに入力されるサンプリングパルスの時点を変更することで、サンプリング回路２０から出力される電圧が異なる。 The sampling circuit 20 is a circuit using an analog switch. When the pulse is input to the analog switch, the V _2X voltage pulse at the time when the analog switch is turned on is output. The voltage output from the sampling circuit 20 differs by changing the time point of the sampling pulse input to the analog switch at a certain set time from when the primary current is off.

時点設定回路４２がアナログスイッチ４０にサンプリングパルスを入力する。時点設定回路４２で生成されるサンプリングパルスは、一定周期のクロックパルスであり、設定された時点のサンプリングパルスを出力する。設定時間は、一次パルス電流Ｉ_１がオフになってから電圧差を求める時間である。時点設定回路４２は設定時間の調整手段として機能する。サンプリングパルスはディジタル的に設定してもよく、アナログ的に可変にしたパルスであってもよい。 The time point setting circuit 42 inputs a sampling pulse to the analog switch 40. The sampling pulse generated by the time point setting circuit 42 is a clock pulse having a fixed period, and outputs the sampling pulse at the set time point. The set time is the time for obtaining the voltage difference after the _{primary pulse current I 1 is turned off.} The time point setting circuit 42 functions as a means for adjusting the set time. The sampling pulse may be set digitally or may be an analog variable pulse.

非破壊検査装置１０を使用するに際して二次コイル１６の変化している電圧からサンプリングされたパルス電圧が出力されるサンプリング時点の設定を調整する。たとえば、図５（ａ）に示すように、時間τｓ_１での誘導電圧Ｖ_２とＶ_２Ｘの電圧差をΔＶａとし、時間τｓ_２でのＶ_２とＶ_２Ｘの電圧差をΔＶｂとする。図５（ａ）に示すように、ΔＶａ＞ΔＶｂである。設定時間によって正常箇所３６と異常個所３５の電圧が異なる。さらに二次コイル１６の出力Ｖ_２は被検査物３２の材質および形状などによっても異なる。被検査物３２に応じてサンプリングパルスの時点τを調整することで、正常箇所３６と異常個所３５の電圧差が大きくなる時点を選択することができ、変化した電圧差を大きくすることで異常個所３４が検出されやすくする。 When using the non-destructive inspection device 10, the setting at the sampling time point in which the pulse voltage sampled from the changing voltage of the secondary coil 16 is output is adjusted. For example, as shown in FIG. 5 (a), the voltage difference between the induced voltage _{V 2} and _{V 2X} at time .tau.s ₁ and .DELTA.Va, and ΔVb the voltage difference _{V 2} and _{V 2X} at time .tau.s _2. As shown in FIG. 5A, ΔVa> ΔVb. The voltage at the normal part 36 and the voltage at the abnormal part 35 differ depending on the set time. Further, the output V ₂ of the secondary coil 16 also differs depending on the material and shape of the object 32 to be inspected. By adjusting the time point τ of the sampling pulse according to the object 32 to be inspected, it is possible to select the time point at which the voltage difference between the normal part 36 and the abnormal part 35 becomes large, and by increasing the changed voltage difference, the abnormal part can be selected. 34 is easy to detect.

サンプリング回路２０に入力された二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は図５（ｂ）に示すように、パルス電圧Ｖ_Ｂとなって出力される。被検査物３２の異常箇所３５におけるサンプリング回路２０の出力は、パルス電圧Ｖ_Ｂと異なる電圧になったパルス電圧Ｖ_ＢＸが出力される。サンプリング回路２０の出力電圧によって欠陥の有無が判別できる。後述するようにサンプリング回路２０の出力は平滑されて電圧の違いで欠陥が検出できる。 _{The induced voltage V 2} of the secondary coil 16 input to the sampling circuit 20 is output as _{a pulse voltage V B as} shown in FIG. 5 (b). As the output of the sampling circuit 20 at the abnormal portion 35 of the object to be inspected 32, _{the pulse voltage V BX} having a voltage different from the _{pulse voltage V B} is output. The presence or absence of defects can be determined by the output voltage of the sampling circuit 20. As will be described later, the output of the sampling circuit 20 is smoothed and defects can be detected by the difference in voltage.

比較回路１８とサンプリング回路２０の出力は平滑回路４４によって直流化（平滑）する。比較回路１８の出力はパルス幅に応じた直流電圧に平滑回路４４で変換され、サンプリング回路２０の出力は電圧値に応じた直流電圧に平滑回路４４で変換される。回路構成によっては比較回路１８と平滑回路４４の間にパルス幅を電圧に変換する回路を挿入しておいてもよい。また、回路構成によってはサンプリング回路２０と平滑回路４４の間に電圧に応じてパルス幅に変化する回路を挿入しておいてもよい。 The outputs of the comparison circuit 18 and the sampling circuit 20 are converted (smoothed) by the smoothing circuit 44. The output of the comparison circuit 18 is converted by the smoothing circuit 44 into a DC voltage corresponding to the pulse width, and the output of the sampling circuit 20 is converted into a DC voltage corresponding to the voltage value by the smoothing circuit 44. Depending on the circuit configuration, a circuit that converts the pulse width into a voltage may be inserted between the comparison circuit 18 and the smoothing circuit 44. Further, depending on the circuit configuration, a circuit whose pulse width changes according to the voltage may be inserted between the sampling circuit 20 and the smoothing circuit 44.

図１のスイッチ２２は比較回路１８とサンプリング回路２０を選択する回路である。アナログゼロセット回路２４に入力される出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧をスイッチ２２で選択する。 The switch 22 in FIG. 1 is a circuit for selecting the comparison circuit 18 and the sampling circuit 20. The switch 22 selects the voltage obtained by smoothing the _{outputs V A} and V _B input to the analog zero set circuit 24.

アナログゼロセット回路２４は、被検査物３２の正常箇所３６における比較回路の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧を記憶しておき、検査時の被検査物３２における比較回路１８の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧との差動出力する回路である。アナログゼロセット回路２４は電圧を記憶する記憶部としてデジタルメモリーを備えてもよい。 Analog zero setting circuit 24 stores the smoothed voltage output V _B of the output V _A or sampling circuit of the comparison circuit in a normal position 36 of the object 32, the comparison in the object to be inspected 32 at the inspection circuit 18 the output V _B of the output V _a or sampling circuit 20 is a circuit for outputting the differential between the smoothed voltage. The analog zeroset circuit 24 may include a digital memory as a storage unit for storing the voltage.

図６に示すように、アナログゼロセット回路２４は、アナログスイッチ４６が押されたときの比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧を一時保持するコンデンサＣ１、コンデンサＣ１の電極電圧を保持するホールド回路４８、ホールド回路４８の出力と比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧を差動出力するオペアンプＯＰ１を備える。アナログスイッチ４６は押しボタンスイッチなどの操作者の操作でオンとオフを切り替えられるスイッチとスイッチのオン・オフで切り替わるフォトカプラまたはＦＥＴを備える。スイッチを押すと、フォトカプラまたはＦＥＴがオン状態になり、アナログスイッチ４６がオンになる。ホールド回路４８はＣＭＯＳ入力のオペアンプが利用できる。 As shown in FIG. 6, the analog zero-set circuit 24 has a capacitor C1 and a capacitor C1 that temporarily hold a voltage that smoothes _{the outputs V A} and V _B of the comparison circuit 18 or the sampling circuit 20 when the analog switch 46 is pressed. comprising a hold circuit 48 for holding the electrode voltage, the output V _a, operational amplifier OP1 to smooth the voltage V _B output differential output comparator circuit 18 or the sampling circuit 20 of the hold circuit 48. The analog switch 46 includes a switch that can be turned on and off by an operator such as a push button switch, and a photocoupler or FET that is switched on and off by the switch. When the switch is pressed, the photocoupler or FET is turned on and the analog switch 46 is turned on. A CMOS input operational amplifier can be used as the hold circuit 48.

被検査物３２を検査する前にセンサ３０を当てて前後左右に移動してほとんど変化の無い所を正常位置とする。正常箇所３６を見つけ、その正常箇所３６にセンサ３０を当てまたは一定距離にする。その状態でアナログスイッチ４６を押すと、ホールド回路４８に比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧が保持される。また、被検査物３２の代わりに被検査物３２の正常サンプルを準備して同様の工程を経てもよい。被検査物３２とセンサ３０との距離を同じに保った状態で走査させることで、センサ３０が走査されている位置における比較回路１８の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧とホールド回路４８に保持されている電圧とがオペアンプＯＰ１から差動出力される。差動出力が０であれば、その時にセンサ３０が近接されている位置は正常箇所３６である。なお、出力Ｖ_ＡとＶ_Ｂは被検査物３２の異常箇所３４、３５ではＶ_ＡＸ、Ｖ_ＢＸになり、その他の説明でも同じである。 Before inspecting the object to be inspected 32, the sensor 30 is applied and the sensor 30 is moved back and forth and left and right, and a place where there is almost no change is set as the normal position. The normal part 36 is found, and the sensor 30 is applied to the normal part 36 or the distance is set to a certain distance. Pressing the analog switch 46 in this state, the output V _A of comparator circuit 18 or the sampling circuit 20 to the hold circuit _48, a V _B is smoothed voltage is maintained. Further, a normal sample of the object to be inspected 32 may be prepared instead of the object to be inspected 32 and the same step may be performed. _A voltage that smoothes _{the output V A of the comparison circuit 18 or the output V B} of the sampling circuit 20 at the position where the sensor 30 is scanned by scanning while keeping the distance between the object 32 to be inspected and the sensor 30 the same. And the voltage held in the hold circuit 48 are differentially output from the operational amplifier OP1. If the differential output is 0, the position where the sensor 30 is in close proximity at that time is the normal position 36. The outputs V _A and V _B _{are V AX} and V _BX at the abnormal locations 34 and 35 of the object to be inspected 32, and the same applies to other explanations.

アナログゼロセット回路２４の出力を増幅する増幅回路２６を備える。アナログゼロセット回路２４の出力を増幅させて、差動出力の値を大きくする。差動出力の値が大きくなることで、小さな異常箇所３４、３５が見つけやすくなる。 An amplifier circuit 26 for amplifying the output of the analog zeroset circuit 24 is provided. The output of the analog zeroset circuit 24 is amplified to increase the value of the differential output. As the value of the differential output increases, it becomes easier to find small abnormal locations 34 and 35.

アナログゼロセット回路２４と増幅回路２６は複数段接続されている。アナログゼロセット回路２４の出力が増幅回路２６で増幅され、増幅回路２６の出力がさらに後段のアナログゼロセット回路２４に入力される。回路に使用される素子、回路特性などによって１つのアナログゼロセット回路２４でゼロセットにすることは難しい。増幅回路２６の出力をアナログゼロセット回路２４でゼロセットすることで、この多段接続された回路の出力は０に限りなく近づけられる。後段にあるアナログゼロセット回路２４は、前段にある増幅回路２６で増幅されたゼロレベルからのずれを補正する。図１ではアナログゼロセット回路２４と増幅回路２６が２段に接続しているが、さらに多段になるように接続してもよい。なお、１つのアナログゼロセット回路２４でゼロセットすることができれば、１段であってもよい。 The analog zero set circuit 24 and the amplifier circuit 26 are connected in a plurality of stages. The output of the analog zero set circuit 24 is amplified by the amplifier circuit 26, and the output of the amplifier circuit 26 is further input to the analog zero set circuit 24 in the subsequent stage. It is difficult to make a zero set with one analog zero set circuit 24 depending on the elements used in the circuit, circuit characteristics, and the like. By zero-setting the output of the amplifier circuit 26 with the analog zero-set circuit 24, the output of this multi-stage connected circuit can be made as close to 0 as possible. The analog zero set circuit 24 in the rear stage corrects the deviation from the zero level amplified by the amplifier circuit 26 in the front stage. In FIG. 1, the analog zero set circuit 24 and the amplifier circuit 26 are connected in two stages, but they may be connected in more stages. If one analog zero-set circuit 24 can be zero-set, the number of stages may be one.

増幅回路２６の出力Ｖ_Ｏは任意に利用することができる。たとえば、一定スピードでセンサ３０を走査して出力Ｖ_Ｏをオシロスコープに表示した場合、図７に示すように、異常個所３４、３５の電圧Ｖ_ＯＸは高くなる。電圧Ｖ_ＯＸは異常個所３４、３５の異常度合いによって異なる。異常個所３４、３５が複数箇所あれば、電圧Ｖ_ＯＸは複数箇所で表示される。センサ３０を被検査物３２に近接させて一定距離を保ちながら走査することで、被検査物３２にある異常個所３４、３５を発見することができ、異常個所３４、３５を示した位置でセンサ３０を停止させれば、その位置に異常個所３４、３５があると判断する。本願は、図７に示すような出力Ｖ_Ｏを表示できる小型のオシロスコープを備えてもよい。 The output V _O of the amplifier circuit 26 can be arbitrarily used. For example, when viewing the output V _O to the oscilloscope by scanning the sensor 30 at a constant speed, as shown in FIG. 7, the voltage V _OX of abnormal part 34, 35 is increased. The voltage V _OX differs depending on the degree of abnormality at the abnormal points 34 and 35. If there are a plurality of abnormal locations 34 and 35, the voltage V _OX is displayed at a plurality of locations. By scanning the sensor 30 close to the object to be inspected 32 while maintaining a certain distance, the abnormal points 34 and 35 in the object to be inspected 32 can be found, and the sensor can be found at the position indicating the abnormal points 34 and 35. If 30 is stopped, it is determined that there are abnormal locations 34 and 35 at that position. The present application may include a small oscilloscope capable of displaying _{an output VO as shown in FIG.}

以上のように、本願は設定電圧およびサンプリング時点を変更できるようにしたことで、使用者が異常個所３４、３５を見つけやすいように適宜設定を変更できるようになっている。従来検出しにくかった異常個所３４、３５を検査担当者が検出し易いように調整することができる。 As described above, the present application makes it possible to change the set voltage and the sampling time point, so that the setting can be appropriately changed so that the user can easily find the abnormal locations 34 and 35. Abnormal points 34 and 35, which were difficult to detect in the past, can be adjusted so that the person in charge of inspection can easily detect them.

以上、本願について一実施形態を説明したが、本願は上記実施形態に限定されない。たとえば、設定電圧またはサンプリング時点のいずれかのみを変更できる回路であってもよい。比較回路１８とサンプリング回路２０のいずれか１つのみを使用した回路であってもよい。 Although one embodiment has been described above with respect to the present application, the present application is not limited to the above embodiment. For example, the circuit may be capable of changing only either the set voltage or the sampling time point. A circuit using only one of the comparison circuit 18 and the sampling circuit 20 may be used.

図８のセンサ５０のように、円筒状のフェライトコア５２の中に棒状のフェライトコア５４を備えてもよい。フェライトコア５２には一次コイル１２が巻きまわされ、フェライトコア５４には二次コイル１６が巻きまわされている。 As in the sensor 50 of FIG. 8, a rod-shaped ferrite core 54 may be provided in the cylindrical ferrite core 52. A primary coil 12 is wound around the ferrite core 52, and a secondary coil 16 is wound around the ferrite core 54.

図４または図５におけるＶ_２とＶ_２Ｘの差が最も大きい電圧または時間を自動的に求められるようにしてもよい。たとえば、被検査物３２の表面をセンサ３０で走査し、Ｖ_２とＶ_２Ｘをアナログ・ディジタル変換してメモリに記憶し、マイクロコンピュータで記憶されたデータにおいて電圧または時間を変えながら差分を取り、最も差の大きい電圧または時間の変化を求める。求められた電圧になるように比較回路１８の可変設定電圧を自動で変更したり、最適になるように時点設定回路４２のサンプリングパルスを発する時点を変更したりする。自動で変更できるようにする以外に、手動で変更できるようにしても良い。 The voltage or time with the largest difference between _{V 2} and V _2X in FIG. 4 or 5 may be automatically obtained. For example, the surface of the object to be inspected 32 is scanned by the sensor 30, V ₂ and V _2X are analog-digitally converted and stored in a memory, and the difference is taken in the data stored in the microcomputer while changing the voltage or time. Find the voltage or time change with the largest difference. The variable set voltage of the comparison circuit 18 is automatically changed so as to obtain the obtained voltage, or the time point at which the sampling pulse of the time point setting circuit 42 is emitted is changed so as to be optimum. In addition to allowing it to be changed automatically, it may be possible to change it manually.

アナログゼロセット回路２４は可変抵抗で構成してもよい。被検査物３２の正常箇所３６にセンサ３０、５０を近接させて被検査物３２から一定距離にしたとき、可変抵抗の抵抗値を調整して、アナログゼロセット回路２４の出力が０Ｖになるようにする。 The analog zeroset circuit 24 may be configured with a variable resistor. When the sensors 30 and 50 are brought close to the normal portion 36 of the object to be inspected 32 and kept at a constant distance from the object to be inspected 32, the resistance value of the variable resistor is adjusted so that the output of the analog zeroset circuit 24 becomes 0V. To.

アナログゼロセット回路２４の出力が完全に０Ｖにならない場合、その出力を基準に異常箇所３４、３５の有無を判断してもよい。 If the output of the analog zeroset circuit 24 does not completely reach 0V, the presence or absence of abnormal locations 34 and 35 may be determined based on the output.

センサ３０、５０に小型カメラを取り付けてもよい。配管などの内部を見えないところにセンサ３０、５０を入れるときに、センサ３０、５０の位置を小型カメラで確認できるようにする。 A small camera may be attached to the sensors 30 and 50. When the sensors 30 and 50 are inserted in a place where the inside of the pipe or the like cannot be seen, the positions of the sensors 30 and 50 can be confirmed by a small camera.

センサ３０、５０は走査させず、所定位置に固定してもよい。検査する位置が特定されている場合、センサ３０、５０を所定位置に固定し、被検査物３２の変化を観測する。出力結果Ｖ_Ｏは有線または無線で自動収集できるようにしてもよい。 The sensors 30 and 50 may be fixed at a predetermined position without scanning. When the position to be inspected is specified, the sensors 30 and 50 are fixed at the predetermined positions, and the change of the object to be inspected 32 is observed. The output V _O may be allowed to automatically collect a wired or wireless.

被検査物３２は加工されるときに被検査物３２の組織で、例えばオーステナイトステンレス鋼が部分的にマルテンサイトに変態することがある。たとえば、鋼や鋳鉄などを板状からパイプ状に加工したり熱処理したりすることで、被検査物３２の組織が変化する。マルテンサイトに変態することで、図４と図５に示したＶ_２が図９のＶ_３のように上昇する。被検査物３２の異常箇所３４、３５が検出されにくくなる。したがって、マルテンサイトの影響を除去することが必要になる。溶接部においても同様の処理をする。 When the inspected object 32 is processed, the structure of the inspected object 32, for example, austenitic stainless steel may be partially transformed into martensite. For example, the structure of the object to be inspected 32 is changed by processing steel, cast iron, or the like from a plate shape to a pipe shape or heat treatment. _{By transforming to martensite, V 2} shown in FIGS. 4 and 5 rises as shown in V _{3 in FIG.} Abnormal locations 34 and 35 of the object to be inspected 32 are less likely to be detected. Therefore, it is necessary to eliminate the influence of martensite. The same process is applied to the welded part.

図１０に示す第１系列回路６０と第２系列回路７０に二次コイル１６の出力Ｖ_２が入力されるようにする。第１系列回路６０と第２系列回路７０は並列に接続されている。第１直列回路６０は、増幅回路３８、サンプリング回路２０、平滑回路４４、増幅回路６４およびアナログゼロセット回路２４からなる。サンプリング回路２０に時点設定回路４２が接続されている。第１系列回路６０は図９に示すＶ_３の裾の部分６６の電圧を出力する。第１系列回路６０の動作については、同じ構成の回路を上述しているため省略する。 Output V ₂ of the first series circuit 60 and the second series circuit 70 to the secondary coil 16 shown in FIG. 10 to be entered. The first series circuit 60 and the second series circuit 70 are connected in parallel. The first series circuit 60 includes an amplifier circuit 38, a sampling circuit 20, a smoothing circuit 44, an amplifier circuit 64, and an analog zeroset circuit 24. The time point setting circuit 42 is connected to the sampling circuit 20. The first series circuit 60 outputs a voltage of the portion 66 of the skirt of V ₃ shown in FIG. The operation of the first series circuit 60 will be omitted because the circuits having the same configuration are described above.

第２系列回路７０はＶ_３の異常情報を含まないピーク付近７６の電圧を出力する。第２系列回路７０は、増幅回路３８、平滑回路４４、ゼロセット回路７２、増幅回路６４、アナログゼロセット回路２４および反転回路７４からなる。ゼロセット回路７２は抵抗Ｒ１および可変抵抗Ｒ２で構成され、可変抵抗Ｒ２は負電圧−Ｖｃｏが印加されている。第２系列回路７０は図９に示すＶ_３のピーク付近７６の電圧を出力するため、可変抵抗Ｒ２を調節して平均電圧を０または０付近にシフトさせ、増幅回路６４で増幅できるようにする。反転回路７４は、非反転入力端子がアースに接続されたオペアンプＯＰ２、アナログゼロセット回路２４と反転入力端子の間に接続された抵抗Ｒ３、反転入力端子と出力端子の間に接続された抵抗Ｒ４を備える。Ｒ３＝Ｒ４とすると反転回路７４によってＶ_３のピーク付近７６の電圧の正負の変化が反転される。 The second series circuit 70 outputs a voltage of the peak around 76 without the abnormality information of the V _3. The second series circuit 70 includes an amplifier circuit 38, a smoothing circuit 44, a zeroset circuit 72, an amplifier circuit 64, an analog zeroset circuit 24, and an inverting circuit 74. The zero set circuit 72 is composed of a resistor R1 and a variable resistor R2, and a negative voltage −Vco is applied to the variable resistor R2. Since the second series circuit 70 which outputs a voltage of the peak near 76 V ₃ shown in FIG. 9, by adjusting the variable resistor R2 by shifting the average voltage near 0 or 0, to allow amplification by the amplifier circuit 64 .. The inverting circuit 74 includes an operational amplifier OP2 in which the non-inverting input terminal is connected to the ground, a resistor R3 connected between the analog zeroset circuit 24 and the inverting input terminal, and a resistor R4 connected between the inverting input terminal and the output terminal. To be equipped. Positive and negative changes of the voltage of the peak near 76 _{V 3} is inverted by the inverting circuit 74 and a R3 = R4.

なお、第１系列回路６０と第２直列回路７０の増幅回路３８は各回路６０、７０で共用されてもよい。また、各増幅回路３８、６４は入力される電圧変化が大きければ省略されてもよい。 The amplifier circuit 38 of the first series circuit 60 and the second series circuit 70 may be shared by the circuits 60 and 70, respectively. Further, the amplifier circuits 38 and 64 may be omitted as long as the input voltage change is large.

第１系列回路６０と第２系列回路７０はバランス回路７８に接続され、各回路６０、７０の出力はバランス回路７８に入力される。バランス回路７８として可変抵抗が使用され、可変抵抗の出力は増幅回路２６を介して出力される。マルテンサイトの影響はどの位置でもほぼ一様であり、Ｖ_２がほぼ一様に高くなってＶ_３になっている。第１系列回路６０と逆転されている第２系列回路７０の出力をバランス回路７８に入力することで、マルテンサイトの影響が相殺される。第１系列回路６０と第２系列回路７０は、マルテンサイトなど材質変化によって生じる基準値からのずれを補正できる。異常箇所３５があれば、その部分だけ図７のように出力される。バランス回路７８の出力から異常箇所を検出できる。 The first series circuit 60 and the second series circuit 70 are connected to the balance circuit 78, and the outputs of the circuits 60 and 70 are input to the balance circuit 78. A variable resistor is used as the balance circuit 78, and the output of the variable resistor is output via the amplifier circuit 26. The effect of martensite is almost uniform at all positions, with V ₂ rising almost uniformly to V ₃ . By inputting the output of the second series circuit 70, which is reversed from the first series circuit 60, to the balance circuit 78, the influence of martensite is offset. The first series circuit 60 and the second series circuit 70 can correct the deviation from the reference value caused by the material change such as martensite. If there is an abnormal portion 35, only that portion is output as shown in FIG. An abnormal portion can be detected from the output of the balance circuit 78.

第１系列回路６０は図１０の構成に限定されない。たとえば、サンプリング回路２０と時点設定回路４２は比較回路１８に変更されてもよい。また、２つの第１系列回路６０を並列接続し、スイッチによって選択できるようにしても良い。その場合、一方の第１系列回路６０はサンプリング回路２０を使用し、他方の第１系列回路６０は比較回路１８を使用する。 The first series circuit 60 is not limited to the configuration shown in FIG. For example, the sampling circuit 20 and the time setting circuit 42 may be changed to the comparison circuit 18. Further, two first series circuits 60 may be connected in parallel so that they can be selected by a switch. In that case, one first-series circuit 60 uses the sampling circuit 20, and the other first-series circuit 60 uses the comparison circuit 18.

反転回路７４を第２系列回路７０に設けず、第１系列回路６０のアナログゼロセット回路２４の後段に接続してもよい。この場合、第１系列回路６０の出力の変化の正負を反転し、第２系列回路７０の出力の正負を反転させない。本願は第１系列回路６０または第２系列回路７０のいずれかの出力の正負が反転されるように、いずれかの系列回路６０、７０のアナログゼロセット回路２４の後段に反転回路７４を接続する。 The inverting circuit 74 may not be provided in the second series circuit 70, but may be connected to the subsequent stage of the analog zeroset circuit 24 of the first series circuit 60. In this case, the positive / negative of the change in the output of the first series circuit 60 is inverted, and the positive / negative of the output of the second series circuit 70 is not inverted. In the present application, the inverting circuit 74 is connected to the subsequent stage of the analog zeroset circuit 24 of any of the series circuits 60 and 70 so that the positive and negative of the output of either the first series circuit 60 or the second series circuit 70 is inverted. ..

図１と同様に、増幅回路２６の後段にアナログゼロセット回路２４と増幅回路２６が多段接続されてもよい。 Similar to FIG. 1, the analog zeroset circuit 24 and the amplifier circuit 26 may be connected in multiple stages after the amplifier circuit 26.

図１１の非破壊検査装置８０のように、スイッチ８４によって増幅回路２６の出力はそのまま出力しても良いし、微分回路８２によって速い変化を出力できるようにしても良い。図１１は微分回路８２の後段にスイッチ８４が接続されているが、微分回路８２の前段にスイッチ８４を設けて増幅回路２６の出力と微分回路８２の出力を選択できるようにしてもよい。図１２に示すように、第一抵抗Ｒ５、第二抵抗Ｒ６、第三抵抗Ｒ７、第四抵抗Ｒ８、コンデンサＣ２およびオペアンプＯＰ３を備える。第一抵抗Ｒ５と第二抵抗Ｒ６は直列接続されており、第一抵抗Ｒ５は反転入力に、第三抵抗Ｒ７およびコンデンサＣ２が並列接続されて非反転入力に接続されている。オペアンプＯＰ３の反転入力端子が第一抵抗Ｒ５と第二抵抗Ｒ６の間に接続され、オペアンプＯＰ３の非反転入力端子は第三抵抗Ｒ７に接続されている。オペアンプＯＰ３の非反転入力端子とグランドの間に第四抵抗Ｒ８が接続されている。オペアンプＯＰ３の出力は第二抵抗Ｒ６に接続されている。 As in the non-destructive inspection device 80 of FIG. 11, the output of the amplifier circuit 26 may be output as it is by the switch 84, or a fast change may be output by the differentiating circuit 82. Although the switch 84 is connected to the rear stage of the differentiating circuit 82 in FIG. 11, a switch 84 may be provided in the front stage of the differentiating circuit 82 so that the output of the amplifier circuit 26 and the output of the differentiating circuit 82 can be selected. As shown in FIG. 12, a first resistor R5, a second resistor R6, a third resistor R7, a fourth resistor R8, a capacitor C2, and an operational amplifier OP3 are provided. The first resistor R5 and the second resistor R6 are connected in series, the first resistor R5 is connected to the inverting input, and the third resistor R7 and the capacitor C2 are connected in parallel to the non-inverting input. The inverting input terminal of the operational amplifier OP3 is connected between the first resistor R5 and the second resistor R6, and the non-inverting input terminal of the operational amplifier OP3 is connected to the third resistor R7. A fourth resistor R8 is connected between the non-inverting input terminal of the operational amplifier OP3 and the ground. The output of the operational amplifier OP3 is connected to the second resistor R6.

これらの抵抗Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８による回路ではＲ５＝Ｒ６、Ｒ７＝Ｒ８とすると入力側の電圧変化に対して、出力側の電圧は変化しない。この中の第三抵抗Ｒ７に並列にコンデンサＣ２を接続することによってそのコンデンサＣ２と第四抵抗Ｒ８が微分回路８２になっており、微分時定数τ（＝Ｃ２・Ｒ８）より短い周期の変化または短時間の変化の電圧を入力したとき、その変化速度に応じた出力電圧を生じる。つまり、ゆっくりした変化は殆ど打ち消して出力しないで、前記亀裂による速い電圧変化のみを出力する。そのため、微分回路８２は二次コイル１６の検出電圧の変化が速いときにスイッチ８４で選択し、図１３のような急峻な山となって出力されるようにする。二次コイル１６の検出電圧の変化速度が小さい場合および直流成分については後で増幅回路２６の出力を選択する。 In the circuit with these resistors R5, R6, R7, and R8, if R5 = R6 and R7 = R8, the voltage on the output side does not change with respect to the voltage change on the input side. By connecting a capacitor C2 in parallel with the third resistor R7, the capacitor C2 and the fourth resistor R8 become a differentiating circuit 82, and the change has a period shorter than the differential time constant τ (= C2 · R8). When a voltage of change for a short time is input, an output voltage corresponding to the rate of change is generated. That is, the slow change is hardly canceled and output, and only the fast voltage change due to the crack is output. Therefore, the differentiating circuit 82 is selected by the switch 84 when the change in the detection voltage of the secondary coil 16 is fast, and is output as a steep peak as shown in FIG. When the rate of change of the detection voltage of the secondary coil 16 is small and the DC component is selected later, the output of the amplifier circuit 26 is selected.

１つの非破壊検査装置１０、８０は複数のセンサ３０、５０をそなえ、スイッチでセンサ３０、５０を選択できるようにしてもよい。 One non-destructive inspection device 10 or 80 may include a plurality of sensors 30 and 50 so that the sensors 30 and 50 can be selected by a switch.

その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。 In addition, the present invention can be carried out in a mode in which various improvements, modifications and changes are made based on the knowledge of those skilled in the art without departing from the gist thereof.

１０、８０：非破壊検査装置
１２：一次コイル
１４：パルス電流発生回路
１６：二次コイル
１８：比較回路
２０：サンプリング回路
２２：８４：スイッチ
２４：アナログゼロセット回路
２６：増幅回路
２８、５２、５４：フェライトコア
３０、５０：センサ
３２：被検査物
３４、３５：異常個所
３６：正常箇所
３８：増幅回路
４２：時点設定回路
４４：平滑回路
４６：アナログスイッチ
４８：ホールド回路
６０：第１直列回路
６４：増幅回路
６６：マルテンサイト化した時の電圧変化の電圧が低い部分
７０：第２直列回路
７２：ゼロセット回路
７４：反転回路
７６：マルテンサイト化した時の電圧変化の電圧が高い部分
７８：バランス回路
８２：微分回路
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３：オペアンプ
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８：抵抗
Ｃ１、Ｃ２：コンデンサ 10, 80: Non-destructive inspection device 12: Primary coil 14: Pulse current generation circuit 16: Secondary coil 18: Comparison circuit 20: Sampling circuit 22: 84: Switch 24: Analog zero set circuit 26: Amplifier circuits 28, 52, 54: Ferrite core 30, 50: Sensor 32: Inspected object 34, 35: Abnormal part 36: Normal part 38: Amplifier circuit 42: Time setting circuit 44: Smoothing circuit 46: Analog switch 48: Hold circuit 60: First series Circuit 64: Amplifier circuit 66: Part where the voltage change voltage when martensite is low 70: Second series circuit 72: Zero set circuit 74: Invert circuit 76: Part where the voltage change voltage when martensite is high 78: Balance circuit 82: Differential circuit OP1, OP2, OP3: Operational amplifier R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8: Resistor C1, C2: Condenser

Claims

It is a non-destructive inspection device for the object to be inspected.
A pulse current generation circuit that generates pulse current and
A primary coil through which the pulse current is passed to generate an eddy current in the object to be inspected,
A secondary coil that is placed inside the primary coil and detects an induced voltage due to a change in magnetic flux generated by the eddy current.
A comparison circuit that outputs the time when the voltage of the secondary coil reaches the set voltage,
A sampling circuit that outputs the voltage of the secondary coil at the time of setting, and
A switch that selects the output of the comparison circuit and the output of the sampling circuit,
With
A non-destructive inspection device that can change the set voltage, set time point, or both.

The non-destructive inspection device according to claim 1, wherein the comparison circuit includes a variable resistor and makes the set voltage variable.

The non-destructive inspection apparatus according to claim 1 or 2 , wherein the sampling circuit is a circuit using an analog switch, and the time point of a sampling pulse input to the analog switch is changed after the primary current is turned off.

The analog switch connected after the switch, the capacitor connected between the analog switch and the ground, the hold circuit that holds the electrode voltage of the capacitor, and the output of the hold circuit and the input to the analog switch are different. An analog zero-set circuit with a dynamic output operational amplifier and
An amplifier circuit that amplifies the output of the analog zeroset circuit and
The non-destructive inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3.

The analog zeroset circuit and the amplifier circuit are connected in multiple stages ,
The non-destructive inspection device according to claim 4 , wherein the analog switch of the analog zeroset circuit connected to the subsequent stage of the amplifier circuit is connected to the amplifier circuit of the previous stage.

The nondestructive inspection apparatus according to claim 4 or 5 , further comprising a differentiating circuit for differentiating the output of the amplifier circuit.