JP6865919B2 - 光暴露方法及び光暴露装置 - Google Patents
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Description
(1)材料の評価を行う光暴露装置であって、前記材料の所定の表面位置に少なくとも1つの所定の波長領域の光を照射することができる光源と、前記材料を保持することができる試料台と、前記材料を加熱することができるヒーターと、前記材料の温度を検知することができる温度センサと、前記材料を収容し、前記材料が照射される雰囲気をコントロールできる容器と、前記容器内に所定の雰囲気を供給することができる雰囲気調整装置と、前記温度センサからの出力に基づき、前記光源、前記ヒーター、及び前記雰囲気調整装置の少なくとも1つをコントロールするコントローラと、を含む光暴露装置。
ここで、第1、第2、及び第3の単色光源は、互いに置換可能に配置されてもよい。これら単色光源の発光原理が互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。
図1から5は、本発明の実施例に関する光暴露装置の模式図を示す。図1は、シンプルな構成からなる基本的な光暴露装置1を示し、図2は、雰囲気を変えることができる試料室8を備える光暴露装置1aを示す。
図2の光暴露装置において、試料として、ブルースケール(JIS L 0841)を用いた。使用したLEDのピーク波長は、それぞれ、310nm、325nm、340nmであり、各LEDの照射エネルギーは、9mW/cm2であった。このときの照射面積は、何れも、約1cm2であった。また評価した温度は、試料温度で、23℃、43℃、63℃であった。試験は、24時間行い、試験後の試料と未暴露試料とを比較して、それぞれ、色差ΔE*(ab)を求めた。数値が大きい方が、色差が大きく、色の変化が大きかったことを示す。その結果を表1にまとめる。
2 LED取り付け架台
2a 照射部
4、4a LED
5 試料台
5a 熱溜(Cu)
5b 58 ヒーター
6、6a、7 試料
8 試料室
9a、9b 温度センサ
12 筐体
14 LED1
16 LED2
18 LED3
20 LED4
22 LED5
24 LED6
26 光源保持部
30 光学系アタッチメント1
32 ハーフミラー(光源側)
34 ハーフミラー(対象側)
40 サンプル(材料)
42 照射スポット1
44 照射スポット2
46 照射スポット3
48 照射スポット4
50 照射スポット5
52 照射スポット6
54 照射スポット7
56 冷却装置
60 光学系アタッチメント2
70 光学系アタッチメント3
72 ハーフミラー
Claims (13)
- 材料変質の波長依存性評価を行う光暴露装置であって、
前記材料の第1の表面位置及び第2の表面位置を含む表面位置にそれぞれ、異なる第1のピーク波長及び第2のピーク波長を備える波長領域の光を照射することができる光源と、
前記材料を保持することができる試料台と、
前記材料の温度制御を行う温度制御装置と、
前記材料の温度を検知することができる温度センサと、
前記温度センサからの出力に基づき、前記光源、並びに前記温度制御装置の少なくとも1つをコントロールするコントローラと、
を含み、前記コントローラは、前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置の温度を一定にするように制御する、光暴露装置。 - 前記光源は、それぞれに前記第1のピーク波長及び前記第2のピーク波長を備える波長領域の光を照射する第1の単色光源及び第2の単色光源を含むことを特徴とする請求項1に記載の光暴露装置。
- 前記温度制御装置はヒーター及び/又は冷却装置を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光暴露装置。
- 光照射中において、前記光源と前記材料の間に、熱線遮断ガラスを配置することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の光暴露装置。
- 前記光源は、前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置において、所定の面積に照射することができることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光暴露装置。
- 前記材料を収容し、前記材料が照射される雰囲気をコントロールできる容器と、及び
前記容器内に所定の雰囲気を供給することができる雰囲気調整装置と、を更に備え、
前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置の雰囲気を一定にするように制御することを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の光暴露装置。 - 前記試料台は、前記ヒータ及び/又は冷却装置を含むことを特徴とする請求項3に記載の光暴露装置。
- 前記光源は、前記第1のピーク波長を備える波長領域の光を照射可能な第1のLED及び前記第2のピーク波長を備える波長領域の光を照射可能な第2のLEDを備えることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の光暴露装置。
- 前記光源は、更に、第3のピーク波長を備える波長領域の光を照射することができ、前記第3のピーク波長は、前記第1及び第2のピーク波長のいずれとも異なることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の光暴露装置。
- 材料変質の波長依存性の評価を行うための光暴露方法であって、
前記材料の第1の表面位置に、光源が第1のピーク波長を備える波長領域の光を、所定の面積に照射するステップと、
前記材料の第2の表面位置に、光源が第2のピーク波長を備える波長領域の光を、所定の面積に照射するステップと、ここで、前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置は所定距離隔てられており、前記第1のピーク波長は、前記第2のピーク波長とは異なっており、
センサが前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置の温度を測定するステップと、
コントローラが測定した温度を基準値と比較し前記材料の前記第1の表面位置及び/又は前記第2の表面位置を加熱又は冷却する指令を送るステップと、
前記指令を受けてヒーター又は冷却装置がそれぞれ機能し、前記第1の表面位置及び/又は前記第2の表面位置の温度を一定にするステップと、を含む、光暴露方法。 - 前記材料は前記第1の表面位置及び前記第2の表面位置の何れとも異なる第3の表面位置を備え、
前記第3の表面位置に、光源が第3のピーク波長を備える波長領域の光を、所定の面積に照射するステップと、ここで、前記第3の表面位置は、前記第1及び前記第2の表面位置から所定距離隔てられており、前記第3のピーク波長は、前記第1の及び前記第2のピーク波長とは異なっており、
センサが前記第3の表面位置の温度を測定するステップと、
コントローラが測定した第3の表面位置の温度を基準値と比較し前記材料の前記第3の表面位置を加熱又は冷却する指令を送るステップと、
前記指令を受けてヒーター又は冷却装置がそれぞれ機能し、前記第1の表面位置及び/又は前記第2の表面位置及び/又は前記第3の表面位置の温度を一定にするステップと、を含む、ことを特徴とする請求項10に記載の光暴露方法。 - 更に、前記材料の変質の波長依存性を評価するステップを含む、ことを特徴とする請求項10又は11に記載の光暴露方法。
- 請求項10から12のいずれかに記載の光暴露方法によって、各表面位置の温度一定で、異なる波長の光を前記材料の所定距離隔てた異なる表面位置に、照射することにより、異なる波長の光による暴露試験を同時に行うことができる試験方法。
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