JP6861255B2 - 導電性ダイヤモンド電極で微量金属を検出するための装置および方法 - Google Patents
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Description
本願は、2015年8月7日に出願された米国仮出願連続番号第62/202,422号の利益を主張する。当該仮出願はその全体がここに援用される。
1.発明の分野
本発明は、さまざまなサンプル中の金属を検出するように構成された導電性ダイヤモンド材料を含む微量金属分析検出器に向けられる。本発明は、陽極および陰極ストリッピングボルタンメトリーで使用される従来の電極では検出が非常に困難な微量金属の正確で精密で反復可能な検出を可能にするとともに、ドープダイヤモンド電極、具体的にはホウ素ドープダイヤモンド材料の薄膜を含む電極の使用を含む従来の検出器を用いて検出が困難な分析物を検出するための感度の向上を可能にする、装置および方法を提供する。
多くの装置および方法が、サンプル中の特定の分析物を検出するために存在する。通常のサンプルは、地下水、食品分析、産業廃棄物、製品サンプル、飲料水、および、陽極または陰極ストリッピングボルタンメトリーにおいて電極を使用して特定の分析物を検出することが望ましい任意のサンプルを含む。より具体的には、陽極および陰極ストリッピングボルタンメトリーは、析出ステップ中に1つ以上の分析物を作用電極上に電気めっきするかまたは析出させ、場合によってはストリッピングステップ中に分析物を酸化させるかまたは電極から除去することにより、特定のイオン種の定量的判断のために使用されてきた。より具体的には、ストリッピングステップ中、具体的には陽極ストリッピングボルタンメトリー中に電流が測定され、種の酸化が、電極からの電流信号におけるピークとして、すなわち、イオン種が酸化され始める電位として検知される。
のドープダイヤモンド電極が、金属電極と比較して、より広い電気化学的電位窓、低く安定した容量性バックグラウンド電流、高い応答再現性、および長期応答安定性を含む、向上した特性を有することを示してきた。ホウ素ドープダイヤモンド電極はまた、有毒溶液中に存在する金属を分析するのにより適している。なぜなら、それらは、多くの金属ベースの電極とは異なり、一般に不活性でサンプルまたは溶液と反応しないためである。ホウ素ドープダイヤモンド電極の利益を考慮しても、それらは依然として多くの問題を含む。現在、微量金属検出器において、必要な3つの電極のうちの作用電極だけが、ホウ素ドープダイヤモンドから形成される。代わりに、参照電極は典型的には塩化銀で作られ、一方、対極は白金材料で作られる。今まで、どのシステムも、一貫した正確な結果を依然として提供しながら、参照電極、対極、または、参照電極および対極の双方を、ホウ素ドープダイヤモンド材料から形成することはできなかった。
本発明は一般に、サンプル中の金属イオンなどのイオン種、またはある有機分子を検出するための検出器装置および方法に向けられる。検出器は一般に、サンプル中の選択されたイオン種の量を判断するための陽極または陰極ストリッピングボルタンメトリーに関連して使用される。
本発明の他の利点は、添付図面に関連して以下の詳細な説明を参照することによってよりよく理解されるため、容易に理解されるであろう。
本発明は一般に、サンプル中の金属イオンなどのイオン種、またはある有機分子を検出するための検出器装置10および方法に向けられる。検出器20とコントローラ110とを有する検出器装置10は一般に、サンプル中の選択されたイオン種の量を判断するための陽極または陰極ストリッピングボルタンメトリーに関連して使用される。検出器20は主として、陽極ストリッピングボルタンメトリー(anodic stripping voltammetry:ASV)法において使用されるように、以下におよび明細書全体にわたって説明されるであろ
う。しかしながら、検出器20は代わりに、わずかな変更で、陰極ストリッピングボルタンメトリー(cathodic stripping voltammetry:CSV)法を用いて容易に使用され得る、ということが認識されるべきである。したがって、陽極ストリッピングボルタンメトリーへのどの言及も、陰極ストリッピングボルタンメトリーと置換えられてもよく、その時に印加される正電流および負電流を取り替える変更、および他のわずかな変更を加えてもよい。
微分パルスボルタンメトリー(Differential pulse voltammetry:DPV)である。走査がいったん行なわれると、作用電極40は、残りの金属を除去して次の分析のために作用電極40を準備するために、より正の電位で保持されるであろう。より具体的には、現在の方法は、単一の電極上に所望の分析物をすべて析出させ、次に、線形、矩形波または微分パルス掃引であり得る電位掃引を実行する。陰極ストリッピングボルタンメトリーと陽極ストリッピングボルタンメトリーとの間には、電位掃引が反対方向に行なわれること、具体的には、陽極ストリッピングボルタンメトリーについては負から正へ、陰極ストリッピングボルタンメトリーについては正から負へ行なわれることを含む、いくつかの違いがあるが、一般に、掃引のタイプは同一であり、線形、微分または矩形波のうちの1つとして規定されてもよい。図2に示すような線形掃引は一般に、電位が時間とともに線形状に変化することを意味する。より具体的には、電位の個々の変化は階段状であってもよいが、それらは一般に限りなく小さく、グラフで表現される場合、経時変化の見かけが概して線であるようになっている。図3は、階段状掃引として公知である、線形掃引の変形を表わす。図5に示す微分パルス掃引では、ステップサイズ、具体的にはパルス振幅または高さ、パルス幅および休止幅(利用可能な場合)はすべて、感度を高めるために調節可能な可変要因である。微分パルス掃引中、微分パルス波形は、線形掃引の階段状波形の上に重畳された一定振幅の小さいパルスを含み、パルスの初めの1ヶ所とパルスの終わりの1ヶ所というパルス中の2ヶ所で電流がサンプリングされ、それら2つの値の差が変位されるかまたは記録されるようになっている。図4に示す矩形波ボルタンメトリーでは、電位波形は、階段状波形の上に重畳された一定振幅の矩形波を含む。電流は各半周期の終わりで測定され、電流は逆半周期で測定され減算される。差異は印加電位の関数として表示され、データとして記録される。矩形波ボルタンメトリー分析では、電位周期の間で拡散層が新しくされないことに留意することが重要である。このため、各周期を切り離して見ることは可能ではなく/正しくなく、各周期について存在する条件は、以前の電位周期すべてを通して進化してきた複雑な拡散層である。特定の周期についての条件はまた、他の電気化学的考慮事項とともに、電極反応速度の関数である。
するという利点を有し、それは、より広範囲の検出可能金属、および、より低い金属濃度を検出する高い感度または能力を可能にする、ということが分かっている。加えて、導電性ダイヤモンドから作られた電極は環境にやさしく、長期にわたって電気化学的に安定している。蛍光センサ、表面プラズモン共鳴センサ、または表面励起ラマン散乱センサと比較して、追加のデバイスは必要ない。
1) 作用電極40の表面46を整える/洗浄するために、正電位を保持する;
2) 第1の対象金属(最も正のめっき電位の金属)を電気めっきするために、予め定められた第1の電気めっき用電位を印加する;
3) 第1の金属を定量化するために、作用電極40上で正電位まで逆走査(LV、SWVまたはDPV)を実行する;
4) 作用電極40の表面46を整える/洗浄するために、正電位を保持する;
5) 第1および第2の金属をともに作用電極40上に電気めっきするために、第1の電気めっき用電位よりも負である予め定められた第2の電気めっき用電位を印加する;
6) 第1および第2の金属をともに定量化するために、作用電極40上で正電位まで逆走査(LV、SWVまたはDPV)を実行する;
7) 作用電極40の表面46を整える/洗浄するために、正電位を保持する;
8) 第1、第2および第3の金属をともに作用電極40上に電気めっきするために、第1および第2の電気めっき用電位よりも負である予め定められた第3の電気めっき用電位を印加する;
9) 第1、第2および第3の金属をともに定量化するために、作用電極40上で正電位まで逆走査(LV、SWVまたはDPV)を実行する;
10) 作用電極40の表面46を整える/洗浄するために、正電位を保持する;
11) 追加の望ましい金属をめっきして定量化するために、追加のより負である電気めっき用電位について、上述のステップを何回でも好きなだけ繰り返す。
センサチップ検出器20と、図22に概略的に示すような、分析を実行し、データを収集し、データを有線または無線でコンピュータ、スマートフォン、またはタブレットへ転送する読出しユニットを含む小型ポテンショメータとを含んでいてもよい。作用電極40は、図10に示すような個々の作用電極40であるマクロまたはミクロ電極から、もしくは、導電性ダイヤモンド、具体的にはホウ素ドープダイヤモンドのアレイからなってもよい。
1) すべての作用電極40の表面46を同時に整える/洗浄するために、正電位を保持する;
2) 対象金属を電気めっきするために、予め定められた電気めっき用電位を各作用電極40に同時に、重複して順次、または間隔をあけて順次(またはその変形)印加する。各作用電極40は、その特定の作用電極に関連してどの金属が分析されるかに依存して、異なる電位で保持される;
3) 各作用電極40上の金属を定量化するために、各作用電極40上で正電位まで逆走査(LV、SWVまたはDPV)を同様に同時に、重複して順次、または間隔をあけて順次(またはその変形)実行する;および
4) 次の測定のためにすべての作用電極40の表面46を整える/洗浄するために、正電位を保持する。設定全体は、3電極設定を有する複数のセンサチップと、分析を実行し、データを収集し、データを有線または無線でコンピュータ、スマートフォン、またはタブレットへ転送する読出しユニットを含む多重ポテンショメータとを含んでいてもよい。
しているイオンのために何が剥がれているかをより確実に判断できるためである。さらに、以下に説明されるように、向上した結果を提供するために、より多くの分析が行なわれてもよい。
トまたはチャンバ72へ挿入され、第1の反応または分析区画76へ送リ出される。ここで、サンプル体積は、洗浄ステップの一環として有機物を酸化させるために十分高い陽極電位にさらされ、それにより、洗浄ステップと前処理ステップとを組合せる。もちろん、水サンプルの純度に依存して、前処理ステップは必要とされてもされなくてもよい。非常に汚染された水サンプルについては、このステップは、結果を偽る有機物(すなわち、Hgなどの結合金属)の影響を避けるために必要である。これにより、方法は、金属の一部が有機物に結合される場合に、「遊離」金属含有量に対する、存在する総金属含有量を判断できるようになるであろう。
極を作動することによって、より塩基性になるように変更されてもよい。第2に、pHは、高い負電位で電極を作動することによって、電極電位を通してより酸性になるように変更されてもよいが、これは典型的には、金属分析を妨げる。なぜなら、それは金属を電極にめっきするためである。発明者らは驚くべきことに、上述のような微量金属検出といった安定し正確で反復可能な分析物検出を依然として提供しながら、pHを変更するH+イオンを生成する制御バーストが機能することを見出した。たとえば、この発明の上述の方法に続いて、電位掃引がそのままサンプルに対して行なわれてもよい。この分析の完了後、電極は、制御されたバーストを提供して、pHを低下させて分析中のサンプルをより酸性にするH+イオンを生成し、次に、掃引を再度行なって、サンプルの酸性の性質が金属イオンを解放して遊離金属イオンだけでなく金属イオン全体のより良好な読み取り値を提供するかどうかを判断してもよい。より具体的には、有機物に結合される金属イオンの部分、およびどんな金属イオンが環境において遊離しているか、ならびに総金属イオン含有量を判断することが、重要であるかもしれない。ある状況では、何が結合されていて自由に利用できないかを知ることが、重要であるかもしれない。
よい。
れた液体を分析チャンバ76に注入することによって、pH電極でpHを修正してもよい。電極40は次に洗浄ステップを受け、方法は、洗浄およびテストのために上に列挙されたステップに従ってもよい。希釈機構108はまた、分析に有用な任意のタイプの液体を添加してもよい。それは、サンプル調製中に、または各チャンバで添加されてもよい。
ザが酸または塩基を扱うことを必要とする。図14は、サンプルが入力チャンバ72から分析チャンバ76へ移動される際にサンプルのpHを調節するために、pH電極80を通路70に含む。pHメータもチャンバ76に含まれるであろうということが予想される。
オン/オフされる。なお、チャンバ1は、第1の金属について同時に周期を繰り返してもよく、または、オフのままであってもよい。繰り返す場合、それは、よりクリーンなサンプルをチャンバ2に提供するであろう。プロセスは次にv3について、次にv4について繰り返される。
Claims (6)
- 基板上にホウ素ドープダイヤモンド材料を析出させるステップと、
前記ホウ素ドープダイヤモンド材料上に絶縁材料を追加するステップと、
前記ホウ素ドープダイヤモンド材料の露出部分上に追加のホウ素ドープダイヤモンド材料を成長させるステップとを含む、ホウ素ドープダイヤモンド電極を形成する方法。 - 前記成長させるステップの前に、前記絶縁材料を腐食させて除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記成長させるステップの前に、ダイヤモンド材料の成長を防止するように前記絶縁材料を処理するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記処理するステップは、前記絶縁材料を水素プラズマで処理すること、前記絶縁材料を酸洗浄すること、または、傷のない絶縁表面を保証すること、という群から選択される少なくとも1つの処理を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記成長させるステップは、前記絶縁材料を腐食させる追加のステップなしで起こる、請求項1に記載の方法。
- 前記成長させるステップの後に、前記絶縁材料を腐食させて除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
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