JP6852262B2 - 面発光レーザ素子及び原子発振器 - Google Patents
面発光レーザ素子及び原子発振器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6852262B2 JP6852262B2 JP2016017102A JP2016017102A JP6852262B2 JP 6852262 B2 JP6852262 B2 JP 6852262B2 JP 2016017102 A JP2016017102 A JP 2016017102A JP 2016017102 A JP2016017102 A JP 2016017102A JP 6852262 B2 JP6852262 B2 JP 6852262B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- layer
- wavelength adjustment
- surface emitting
- emitting laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
図1は、第1の実施の形態にかかる面発光レーザ11の構成を示す断面図である。面発光レーザ11は、半導体基板21、下部ブラッグ反射鏡22(下部反射鏡)、共振器23、上部ブラッグ反射鏡24(上部反射鏡)、波長調整領域25、コンタクト層26、上部電極27、下部電極28、エッチング領域29、保護層30、及びポリイミド層31を含む。
図10は、第2の実施の形態にかかる第1の面発光レーザ11Aの波長調整領域91の縦モードにおける腹節の位置を示す図である。図11は、第2の実施の形態にかかる上部ブラッグ反射鏡24内における波長調整領域91の置き換え位置を示す図である。
図12は、第3の実施の形態にかかる原子発振器101の構成を示す図である。原子発振器101は、第1又は第2の実施の形態にかかる面発光レーザ素子1が射出したレーザ光を変調して得られる光により原子を励起するCPT(Coherent Population Trapping)方式を利用した発振器である。原子発振器101は、光源111、コリメートレンズ112、λ/4波長板113、アルカリ金属セル114(封入部)、光検出器115(検出部)、及び変調器116(変調部)を含む。
11 面発光レーザ
11A 第1の面発光レーザ
11B 第2の面発光レーザ
11C 第3の面発光レーザ
11D 第4の面発光レーザ
21 半導体基板
22 下部ブラッグ反射鏡
23 共振器
24 上部ブラッグ反射鏡
25,91 波長調整領域
26 コンタクト層
27 上部電極
28 下部電極
29 エッチング領域
30 保護層
31 ポリイミド層
32 射出口
41 第1の発光領域
42 第2の発光領域
43 第3の発光領域
44 第4の発光領域
45 第1の電極パッド
46 第2の電極パッド
47 第3の電極パッド
48 第4の電極パッド
51 下部スペーサ層
52 活性層
53 上部スペーサ層
55,95 下部位相調整層
56,96 上部位相調整層
61,97 第1の波長調整層
62,98 第2の波長調整層
70 レジスト
81 界面
85 低屈折率層
86 高屈折率層
101 原子発振器
111 光源
112 コリメートレンズ
113 λ/4波長板
114 アルカリ金属セル
115 光検出器
116 変調器
Claims (6)
- 下部半導体反射鏡と、
前記下部半導体反射鏡よりレーザ光の射出口に近い位置に配置された上部半導体反射鏡と、
前記下部半導体反射鏡と前記上部半導体反射鏡との間に配置され、光を共振させる共振器と、
前記上部半導体反射鏡内に形成され、前記光の波長を調整する波長調整領域と、
前記上部半導体反射鏡の前記射出口側に形成されたコンタクト層と、
を備え、
前記上部半導体反射鏡は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層されて構成され、
前記波長調整領域は、前記高屈折率層が置き換えられることにより構成され、
前記波長調整領域は、インジウムを含み、AlGaInPを主成分とする第1の波長調整層と、インジウムを含まず、AlGaAsを主成分とする第2の波長調整層とを含み、
λを前記レーザ光の波長、Nを1以上の整数、Mを1以上N以下の整数とするとき、
前記波長調整領域の光学的厚さは、(2N+1)×λ/4により算出され、
前記波長調整領域の下端部から前記第1の波長調整層および前記第2の波長調整層の積層方向中心位置までの光学的厚さは、M×λ/2により算出され、
前記第1の波長調整層の厚さは、前記第2の波長調整層の厚さより薄い、
面発光レーザ素子。 - 下部半導体反射鏡と、
前記下部半導体反射鏡よりレーザ光の射出口に近い位置に配置された上部半導体反射鏡と、
前記下部半導体反射鏡と前記上部半導体反射鏡との間に配置され、光を共振させる共振器と、
前記上部半導体反射鏡内に形成され、前記光の波長を調整する波長調整領域と、
前記上部半導体反射鏡の前記射出口側に形成されたコンタクト層と、
を備え、
前記上部半導体反射鏡は、低屈折率層と高屈折率層とが交互に積層されて構成され、
前記波長調整領域は、前記低屈折率層が置き換えられることにより構成され、
前記波長調整領域は、インジウムを含み、AlGaInPを主成分とする第1の波長調整層と、インジウムを含まず、AlGaAsを主成分とする第2の波長調整層とを含み、
λを前記レーザ光の波長、Nを1以上の整数、Mを0以上(N−1)以下の整数とするとき、
前記波長調整領域の光学的厚さは、(2N+1)×λ/4により算出され、
前記波長調整領域の下端部から前記第1の波長調整層および前記第2の波長調整層の積層方向中心位置までの光学的厚さは、(2M+1)×λ/4により算出され、
前記第1の波長調整層の厚さは、前記第2の波長調整層の厚さより薄い、
面発光レーザ素子。 - 前記第1の波長調整層及び前記第2の波長調整層の1層あたりの光学的厚さは、0.1λ以下である、
請求項1又は2に記載の面発光レーザ素子。 - 互いに厚さが異なる複数の前記波長調整領域を含み、
複数の前記波長調整領域間において、前記第1の波長調整層又は前記第2の波長調整層の層数が異なっている、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の面発光レーザ素子を含む光源と、
アルカリ金属を封入した封入部と、
前記光源から射出され前記封入部を透過した光の光量を検出する検出部と、
検出された前記光量に基づいて、前記アルカリ金属が電磁誘起透過状態を維持するように前記面発光レーザ素子から射出されるレーザ光を変調する変調部と、
を備える原子発振器。 - 前記アルカリ金属は、ルビジウム又はセシウムである、
請求項5に記載の原子発振器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016017102A JP6852262B2 (ja) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016017102A JP6852262B2 (ja) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017139255A JP2017139255A (ja) | 2017-08-10 |
JP6852262B2 true JP6852262B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=59566072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016017102A Active JP6852262B2 (ja) | 2016-02-01 | 2016-02-01 | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6852262B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6724796B2 (en) * | 2000-12-06 | 2004-04-20 | Applied Optoelectronics, Inc. | Modified distributed bragg reflector (DBR) for vertical cavity surface-emitting laser (VCSEL) resonant wavelength tuning sensitivity control |
JP4113576B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2008-07-09 | 株式会社リコー | 面発光半導体レーザおよび光伝送モジュールおよび光交換装置および光伝送システム |
JP2003347679A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
JP2012209534A (ja) * | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
JP6303255B2 (ja) * | 2011-12-02 | 2018-04-04 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
JP2013172144A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Sharp Corp | 化合物半導体のmovpe成長方法 |
JP6102525B2 (ja) * | 2012-07-23 | 2017-03-29 | 株式会社リコー | 面発光レーザ素子及び原子発振器 |
JP2015177000A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社リコー | 面発光レーザ、面発光レーザ素子及び原子発振器 |
-
2016
- 2016-02-01 JP JP2016017102A patent/JP6852262B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017139255A (ja) | 2017-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6303255B2 (ja) | 面発光レーザ素子及び原子発振器 | |
JP6102525B2 (ja) | 面発光レーザ素子及び原子発振器 | |
US9225149B2 (en) | Surface emitting laser element and atomic oscillator | |
US9276378B2 (en) | Surface emitting laser element and atomic oscillator | |
US9287682B2 (en) | Surface emitting laser device and atomic oscillator | |
JP6323649B2 (ja) | 面発光レーザーおよび原子発振器 | |
US10084286B2 (en) | Surface emitting laser, surface emitting laser element and atomic oscillator | |
JP2012209534A (ja) | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 | |
JP2015119147A (ja) | 面発光レーザーおよび原子発振器 | |
US10170887B2 (en) | Surface emitting laser element and atomic oscillator | |
JP6274404B2 (ja) | 面発光レーザーおよび原子発振器 | |
JP2018073931A (ja) | 面発光レーザ素子、原子発振器 | |
JP6852262B2 (ja) | 面発光レーザ素子及び原子発振器 | |
JP2017204616A (ja) | 面発光レーザ素子、原子発振器 | |
JP6699341B2 (ja) | 面発光レーザ素子、及びその製造方法、並びに原子発振器 | |
JP6834368B2 (ja) | 面発光レーザ素子、原子発振器 | |
JP2014022667A (ja) | 面発光レーザ素子及び原子発振器 | |
JP2018010940A (ja) | 面発光レーザ素子及び原子発振器 | |
JP2016208049A (ja) | 面発光レーザ素子、原子発振器及び面発光レーザ素子の検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200907 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210222 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6852262 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |