JP6851810B2 - 加熱接合材及び電気電子機器の製造方法 - Google Patents
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Description
金属層2は、金属のバルク材から形成される。バルク材は、接合材料としての導電性を確保する観点から、金属元素含有量が99質量%以上であることが好ましい。また、バルク材は、一の金属単体で構成されてもよいし、複数の金属からなる合金金で構成されてもよい。金属元素としては、特に限定されるものではないが、金属単体の場合は、例えば、銅、銀、金、白金、およびパラジウムからなる群から選択されることが好ましい。合金の場合は、例えば、銅、銀、金、白金、およびパラジウムの中から選択される少なくとも2種以上から構成されることが好ましい。また、バルク材は、後述の金属微粒子(P)と同種の金属単体または合金であってもよいし、異なる種類の金属単体または合金であってもよい。
金属接合層3は、高分子分散剤(D)に被覆され、金属単体、合金及び金属化合物からなる群から選択される少なくとも1種からなる金属微粒子(P)を有機溶媒(S)に分散させた分散溶液をフィルム状に成形してなる。
金属微粒子(P)は、特に限定されるものではないが、銅、銀、金、白金、およびパラジウムからなる金属元素群から選ばれる1種の微粒子、前記金属元素群から選ばれる2種以上を混合した微粒子、前記金属元素群から選ばれる2種以上の元素の合金からなる微粒子、前記金属元素群から選ばれる1種の微粒子または前記金属元素群から選ばれる2種以上を混合した微粒子と前記金属元素群から選ばれる2種以上の元素の合金からなる微粒子とを混合した微粒子、これらの酸化物、または、これらの水酸化物等を用いることができる。
本発明で用いる高分子分散剤(D)は、金属微粒子(P)の原料となる金属の表面を被覆して、金属微粒子(P)を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。
本発明で用いる有機溶媒は、特に限定されないが、二価アルコール及び/又は三価アルコールからなる有機溶媒(S)であることが好ましい。上記二価アルコール及び/又は三価アルコールからなる有機溶媒(S)を用いることで、加熱処理により金属微粒子(P)の焼結を行う過程(焼結過程)で、有機溶媒(S)が、ガス成分と水分子(H2O)とに好適に分解される。
本実施例及び比較例において行った試験方法は、以下のとおりである。
走査型電子顕微鏡(SEM)を使用して、観察可能な任意に選択した80個の金属微粒子(P)の一次粒径を測定した。
測定した金属微粒子(P)全体(80個)のうち、一次粒径が小さい方から順に数えて、金属微粒子(P)全体(80個)の5%に相当する金属微粒子(P)(4個)と、一次粒径が大きい方から順に数えて、金属微粒子(P)全体(80個)の5%に相当する金属微粒子(P)(4個)とを除き、残り金属微粒子(P)全体(80個)の90%に相当する金属微粒子(P)(72個)を対象とし、72個の金属微粒子(P)の一次粒径の測定値の平均を算出し、高分子分散剤(D)で被覆された金属微粒子(P)の平均一次粒子径とした。
(2−1)ボイドの含有率(%)
金属接合層3の金属微粒子(P)の焼結工程において得られた、ガラス基板上に形成された焼結膜を、走査型電子顕微鏡(SEM)を用い、500倍率で観察した。
焼結膜に発生した空隙の大きさを、画像処理ソフトで2値化し、所定の単位面積当たり50%以上の空隙を有する部分をボイドとし、焼結膜に発生したボイドの含有率(%)を算出した。
金属接合層3をガラス基板(基板サイズ;15mm×15mm)の接合面に載置後、金属接合層3上にシリコンチップの接合面を積層配置した。続いて、窒素ガス雰囲気中、250℃の温度で5分間、無加圧下で、加熱処理による焼結を行い、ガラス基板とシリコンチップとを接合させ、室温まで炉冷し、ダイシェア強度測定用のサンプルを作製した。
上記作製したサンプルに対して、ダイシェア強度測定機(テイジ・ジャパン株式会社製、製品名;万能型ボンドテスター、型式;シリーズ4000)を用い、米国MIL‐STD‐883に準拠し、25℃の条件下で、ガラス基板とシリコンチップとの接合部のダイシェア強度(剥離強度)を測定した。
(金属微粒子(P)の分離・回収工程)
金属微粒子(P)の原料として酢酸第二銅((CH3COO)2Cu・1H2O)0.2gを蒸留水10mlに溶解させ、酢酸第二銅水溶液10mlを調製した。
一方、金属イオン還元剤として水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)を、濃度が5.0mol/lとなるように蒸留水に混合し、水素化ホウ素ナトリウム水溶液100mlを調製した。
上記金属微粒子(P)の分離・回収工程で回収された、金属微粒子(P)55重量%(金属微粒子の分散溶液の全量に対する含有量)、を、三価アルコールからなる有機溶媒(S)としてグリセロール(示性式;C3H5(OH)3,沸点;290℃)45重量%(金属微粒子の分散溶液の全量対する含有量)に添加して、超音波発生機(超音波ホモジナイザー)による分散処理を30分間行い、金属微粒子の分散溶液を得た。
上記得られた金属微粒子(P)の分散溶液を、載置台の上に、離型フィルム(50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム)、その上に、スキージ法で0.15mm塗布し(塗布サイズ;10mm×10mm)を形成し、80℃、60秒間乾燥させ、フィルム化し金属接合層3を形成した。このとき、乾燥後の金属接合層3における金属接合層3の割合は、85重量%であった。この金属接合層3を2枚作製した。同サイズの銅箔(型番:GTS−STD、厚み0.2mm)を片方の金属接合層3に配置し、その上にもう片方の金属接合層3を配置し実施例1に係る加熱接合材1を得た。この加熱接合材1をガラス基板(基板サイズ;15mm×15mm)上に配置し、その加熱接合材1上にシリコンチップの接合面を積層配置した。
実施例1と同様の方法で上記得られた金属微粒子(P)の分散溶液を、載置台の上に、離型フィルム(50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム)、その上に、スキージ法で0.225mm塗布し(塗布サイズ;10mm×10mm)を形成し、80℃、60秒間乾燥させ、フィルム化し金属接合層3を形成した。このとき、乾燥後の金属接合層3における金属接合層3の割合は、85重量%であった。この金属接合層3を2枚作製した。同サイズの銅箔(型番:GTS−STD、厚み0.2mm)を片方の金属接合層3に配置し、その上にもう片方の金属接合層3を配置し、実施例2に係る加熱接合材1を得た。この加熱接合材1をガラス基板(基板サイズ;15mm×15mm)上に配置し、その加熱接合材1上にシリコンチップの接合面を積層配置した。
実施例1と同様の方法で金属微粒子(P)を得て同様の方法で金属微粒子(P)の分散溶液を得た。この分散溶液をスキージ法でガラス基板(基板サイズ;15mm×15mm)上に0.5mm厚となるように塗布し、その上にシリコンチップの接合面を積層配置した。
2:金属層
3:金属接合層
Claims (14)
- 金属のバルク材から形成される金属層と、
前記金属層の両面に積層して設けられた金属接合層とを有し、
前記バルク材は、銅、銀、金、白金、およびパラジウムの中から選択される金属単体、あるいは銅、銀、金、白金、およびパラジウムの中から選択される少なくとも2種以上から構成される合金であり、
前記バルク材は 箔、金属メッシュ、金属多孔質体であり、
前記金属接合層は、高分子分散剤(D)に被覆され、金属単体、合金及び金属化合物からなる群から選択される少なくとも1種からなる金属微粒子(P)を有機溶媒(S)に分散させた分散溶液をフィルム状に成形してなり、前記金属微粒子(P) の平均一次粒径が5〜500nmであることを特徴とする加熱接合材。 - 前記金属微粒子(P)は、銅、銀、金、白金、パラジウムからなる群から選択される少なくとも1種からなることを特徴とする、請求項1に記載の加熱接合材。
- 前記高分子分散剤(D)は、分子中に少なくとも1つのカルボニル基を有する化合物、又は分子中に少なくとも1つの窒素原子を有する化合物であることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の加熱接合材。
- 前記金属層を構成する前記バルク材は、金属元素含有量が99質量%以上であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記金属層を構成する前記バルク材は、前記金属微粒子(P)と同種の金属単体または合金であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記金属層を構成する前記バルク材は、前記金属微粒子(P)と異なる種類の金属単体または合金であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記高分子分散剤(D)は、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、デンプン、及びゼラチンからなる群から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 一方の前記金属接合層に含まれる前記金属微粒子(P)は、他方の前記金属接合層に含まれる前記金属微粒子(P)と同種の金属単体、合金または金属化合物からなることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 一方の前記金属接合層に含まれる前記金属微粒子(P)は、他方の前記金属接合層に含まれる前記金属微粒子(P)と異なる種類の金属単体、合金または金属化合物からなることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記金属接合層は、厚みがそれぞれ0.15mm〜0.225mmであることを特徴とする請求項1から請求項9いずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記金属層は、厚みが0.05mm〜0.2mmであることを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の加熱接合材。
- 前記金属微粒子(P) の平均一次粒径が10〜50nmであることを特徴とする、請求項1に記載の加熱接合材。
- 一の部品の接合面に、請求項1から12に記載の加熱接合材を載せた後、該加熱接合材上に更に接続する他の部品の接合面を配置し、加熱処理により金属微粒子(P)を焼結して、前記一の部品と前記他の部品とを接合し、電気電子機器を製造することを特徴とする電気電子機器の製造方法。
- 前記加熱処理は、大気雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で、有機溶媒(S)の沸点よりも40〜50℃低い温度範囲で行うことを特徴とする請求項13に記載の電気電子機器の製造方法。
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