JP6843158B2 - ウィック - Google Patents
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Description
本明細書に開示する技術は、ループヒートパイプで用いられるウィックに関する。
高温部で流体を液相から気相に変化させ、低温部で気相から液相に変化させることにより、熱移動を行うループヒートパイプが知られている。特開2002−181469号公報は、高温部で用いる蒸発器の構造を開示している。以下、特開2002−181469号公報を、特許文献1と称する。蒸発器は、金属製の筒状ケースと、筒状ケース内に配置されているウィックを備えている。ウィックは、筒状の多孔質体であり、軸方向(長手方向)の一端が開口し、他端が閉口しているウィック内空間を備えている。液相の流体は、ウィックの開口よりウィック内空間に導入される。筒状ケースとウィックの間には、気相流体が移動する気相流路が設けられている。液相の流体は、毛細管現象により、ウィック内空間からウィック内部に移動する。流体は、ウィック内部で受熱することにより、液相から気相に変化し、気相流路に移動する。気相流体は、気相流路を通って低温部(凝縮部)に移動する。
流体が液相から気相に変化するときに、流体の体積が増加する。流体の体積増加に伴ってウィック内部(多孔質体の内部)の圧力が上昇すると、液相の流体がウィック内空間からウィック内部に移動しにくくなる。そのため、ウィック内部の圧力上昇を抑制する技術が求められている。本明細書は、内部圧力の上昇が抑制されたウィックを実現する技術を提供する。
本明細書で開示するウィックは、ループヒートパイプの蒸発器で用いることができる。ウィックは、第1層と、第2層と、第1層と第2層の間に配置されている中間層を備えていてよい。第2層は、第1層より気孔率が大きくてよい。中間層は、気孔率が第1層側から第2層側に向けて連続的に増加しており、気孔率の平均値が第1層より大きく第2層より小さくてよい。このウィックは、第1層の気孔率をP1(%)とし、第2層の気孔率をP2(%)とし、中間層の厚みをL(μm)としたときに、下記式(1)を満足していてよい。
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
上記ウィックは、第1層を液相流体が存在する空間(液相流体空間)側に位置させ、第2層を気相流体が存在する空間(気相流体空間)側に位置させて使用する。すなわち、流体の移動方向の上流側に第1層を位置させ、下流側に第2層を位置させる。第2層の気孔率が第1層より大きいので、流体が液相から気相に変化したときに、流体の体積膨張に伴ってウィック内の圧力が上昇することを抑制することができる。また、中間層が設けられているので、ウィック内で発生した気泡(気相流体)が第1層の表面側に移動することを抑制することができる。すなわち、ウィック内で発生した気相流体が液相流体空間側に逆流することを抑制し、第1層の圧力上昇を抑制することができる。なお、上記ウィックでは、第1層と第2層の気孔率差(P2−P1)と中間層の厚みLの比X、すななち、中間層における気孔率の増加率X(X=(P2−P1)/L)が、0.3〜50の範囲に調整されている。X≦0.3の場合、すなわち、中間層における気孔率の変化率が小さい場合、気泡が第2層に移動するまでの距離が長くなり、中間層の圧力が上昇し、結果としてウィック内の圧力が上昇することが起こり得る。また、50≦Xの場合、気孔率の変化(第1層と第2層の気孔率差)に対する中間層の厚みが薄すぎ、上記した中間層の効果が活かされず、気泡が液相流体空間側に逆流することが起こり得る。0.3<X<50とすることにより、ウィック内の圧力上昇を十分に抑制することができる。
上記ウィックは、第1層の厚みをL1とし、第2層の厚みをL2としたときに、下記式(2)を満足していてよい。
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
上記式(2)は、ウィックの厚み全体(L1+L2+L)に対する中間層の厚み(L)の割合Y(%)が、0.01〜10%の範囲に調整されていることを示している。0.01<Y<10に調整することにより、上記した中間層の効果がより確実に発揮される。
上記ウィックでは、第1層は、第1粒子を含んでいてよい。第2層は、第1粒子より大きな第2粒子を含んでいてよい。中間層は、第1粒子及び第2粒子を含んでいてよい。すなわち、中間層は、第1層を構成する粒子(第1粒子)と第2層を構成する粒子(第2粒子)が混在していてよい。
第2層が第1層に含まれる粒子(第1粒子)よりも粒径の大きな粒子(第2粒子)を含むことにより、容易に第2層の気孔率を第1層より大きくすることができる。また、中間層を第1粒子と第2粒子が混在する構成にすることにより、第1層から第2層に向けた気孔率の連続的な変化(増加)を容易に実現することができる。
以下、本明細書で開示される技術の特徴を整理する。なお、以下に記す事項は、各々単独で技術的な有用性を有している。
本明細書で開示するウィックは、ループヒートパイプの蒸発器で用いることができる。ループヒートパイプは、蒸発器と、凝縮器と、蒸気管と、液管を備えていてよい。この場合、蒸気管は蒸発器の出口と凝縮器の入口に接続され、液管は凝縮器の出口と蒸発器の入口に接続される。蒸発器は高温部に配置され、凝縮器は低温部に配置される。ループヒートパイプ内には、流体(作動流体)が封入される。流体は、蒸発器で液相から気相に変化し、凝縮器で気相から液相に変化する。そのため、蒸気管を気相流体(蒸気)が通過し、液管を液相流体(液体)が通過する。なお、液管の中間に、液相流体を一時的に貯留するためのリザーバタンクを配置してもよい。
蒸発器は、ケースと、ケース内に配置されるウィックを備えている。ケース内には、液相の流体が移動する液相流体空間と、気相の流体が移動する気相流体空間が設けられている。液相流体空間と気相流体空間は、ウィックによって分離されている。すなわち、流体が移動する方向において、ウィックの上流に液相流体空間が設けられており、ウィックの下流に気相流体空間が設けられている。
ケースは、熱伝導率の高い材料、例えば、金属製であってよい。ケースの好ましい材料として、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、それらの合金、あるいは、SUS(ステンレススチール)等が挙げられる。
ウィックは、多孔質体である。ウィックを構成する多孔質体は、流体に対して毛細管現象を発現する連通孔を含んでいる。ウィックの材料は、樹脂、金属、セラミックス等を用いることができる。良好な強度、耐久性が得られるという観点より、ウィックの材料は金属またはセラミックスが好ましい。また、良好な耐熱性、耐食性も得られるという観点よりウィックの材料はセラミックスが特に好ましい。
ウィックは、第1層と、気孔率が第1層より大きい第2層と、第1層と第2層の間に配置されている中間層を備えていてよい。中間層の気孔率は、第1層側から第2層側に向けて連続的に増加していてよい。また、中間層の気孔率の平均値は、第1層より大きく、第2層より小さくてよい。中間層の気孔率は、第1層側(第1層との境界近傍)では第1層の気孔率にほぼ等しく、第2層側(第2層との境界近傍)では第2層の気孔率にほぼ等しくてよい。中間層は、第1層と第2層の気孔率の差を緩和するためのバッファ層と捉えることもできる。ウィックは、第1層が液相流体空間に接し、第2層が気相流体空間と接するようにケース内に配置されてよい。
流体は、毛細管現象によって液相流体空間からウィック内(第1層)に移動し、第1層側から第2層側に移動しながら液相から気相に変化し、ウィック内(第2層)から気相流体空間に移動する。流体は、液相から気相に変化するときに体積膨張する。第2層の気孔率を第1層より大きくすることによって、気相流体によるウィック内の圧力上昇を抑制することができる。また、気相流体が第1層に圧力を加えて液相流体の移動が妨げられることを抑制することもできる。なお、第2層の気孔率は、第1層の気孔率より2%以上大きいことが好ましく、4%以上大きいことがより好ましく、6%以上大きいことが特に好ましい。
第1層の気孔率は、35%以上であることが好ましい。第1層は、液相流体空間に露出しており、液相流体と接触する。第1層の気孔率が35%未満の場合、ウィック内における液相流体の移動抵抗が大きくなり、流体がスムーズに移動しにくくなることがある。第1層の気孔率は、40%以上であることがより好ましく、45%以上であることが特に好ましい。また、第1層の気孔率は、65%以下であることが好ましい。第1層の気孔率が65%を超えると、ウィックの強度が低下し、液相流体が移動する際の抵抗によってウィックが損傷することが起こり得る。第1層の気孔率は、55%以下であることがより好ましく、50%以下であることが特に好ましい。なお、第2層の気孔率は、70%以下であることが好ましい。
第2層の気孔径は、第1層の気孔径より大きくてよい。第2層の気孔径を第1層より大きくすることによっても、気相流体が第1層に圧力を加えることを抑制することができる。好ましくは、ウィックは、第2層の気孔率が第1層より大きいとともに、第2層の気孔径が第1層より大きい。第2層の気孔径は、第1層より0.2μm以上大きいことが好ましく、0.5μm以上大きいことがより好ましく、1.0μm以上大きいことが特に好ましい。なお、気孔径は、細孔径分布を測定し、平均細孔径を計算することによって得られる。気孔径(平均細孔径)は、水銀圧入法を用いて測定することができる。
第1層の気孔径は、液相流体の移動抵抗が増大することを抑制するため、0.1μm以上であることが好ましく、より好ましくは0.5μm以上であり、特に好ましくは1.0μm以上である。また、第1層の気孔径は、毛細管力を維持するために、5μm以下であることが好ましく、より好ましくは4μm以下であり、特に好ましくは3μm以下である。なお、第2層の気孔径は、7μm以下であることが好ましい。
中間層は、気孔率が第1層から第2層に向けて連続的に変化し、気孔径も第1層から第2層に向けて連続的に変化していてよい。この場合、中間層の気孔率の平均値は、第1層の気孔率より大きく、第2層の気孔率より小さい。また、中間層の気孔径の平均値も、第1層の気孔径より大きく、第2層の気孔径より小さい。流体は、中間層付近で液相から気相に変化する。すなわち、中間層付近で、液相流体から気泡が生じ始める。第1層側から第2層側に向けて中間層の気孔率が連続的に変化していると、気泡が第1層側から第2層側に移動しやすくなる。気泡が第1層側に移動することを抑制することができ、すなわち、気泡が第1層側に逆流してウィック(第1層)に圧力を加えることが抑制され、液相流体空間から第1層内への液相流体の移動をスムーズにすることができる。
上記ウィックでは、第1層の気孔率と第2層の気孔率と中間層の厚みが、以下の関係を満たしていてよい。
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
P1:第1層の気孔率(単位:%)、P2:第2層の気孔率(単位:%)、L:中間層の厚み(単位:μm)を示す。
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
P1:第1層の気孔率(単位:%)、P2:第2層の気孔率(単位:%)、L:中間層の厚み(単位:μm)を示す。
上記式(1)は、中間層における気孔率の増加率Xの範囲を示している。なお、中間層における気孔率の増加率Xは、5(%/μm)より大きくてよく、10(%/μm)より大きくてもよく、40(%/μm)より大きくてもよい。
中間層の厚み(第1層と第2層を結ぶ方向における中間層が存在する距離)は、第1層及び第2層の厚みより薄くてよい。また、中間層の厚みは、ウィック全体の厚みに対して、0.01%より大きく、10%より小さくてよい。具体的には、ウィックは、第1層の厚みをL1とし、第2層の厚みをL2としたときに、下記式(2)を満足していてよい。
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
また、中間層の厚みLは、ウィック全体の厚みに対して、0.01%より大きくてよく、0.02%より大きくてよく、0.03%より大きくてもよい。また、中間層の厚みLは、9%より小さくてよく、0.9%より小さくてよく、0.09%より小さくてよく、0.05%より小さくてもよい。
第1層を構成する原料と、第2層を構成する原料は異なっていてよい。例えば、第2層を構成する原料の粒子サイズは、第1層を構成する原料の粒子サイズより大きくてよい。すなわち、第1層は第1粒子を含み、第2層は第1粒子より大きな第2粒子を含んでいてよい。具体的には、第1層は、第1粒子を主体とする原料(第1層に占める第1粒子の体積が50vol%以上)で構成されていてよい。第2層は、第2粒子を主体とする原料(第2層に占める第2粒子の体積が50vol%以上)で構成されていてよい。この場合、中間層は第1粒子及び第2粒子を含んでいてよい。換言すると、中間層は、第1粒子と第2粒子が混在していてよい。
凝縮器は、放熱によって流体が気相から液相に変化する構造を備えている。特に限定されるものではないが、凝縮器は、金属製の単管であってよい。あるいは、凝縮器は、蒸発器と同様に、ケースと、ケース内に配置されるウィックを備えた構造であってもよい。この場合、凝縮器のケース及びウィックは、上記した蒸発器のケース及びウィックで説明した範囲内のものを適宜選択することができる。
蒸気管および液管の材料は、流体の種類、ループヒートパイプを使用する環境(温度等)に応じて、適宜選択することができる。例えば、蒸気管および液管の各々は、樹脂製、、金属製、あるいはセラミックス(セラミックス緻密体)製であってよい。なお、流体は、水、アンモニア、有機溶媒を用いることができる。有機溶媒の一例として、アセトン、アルコール、フロン、グリコールエーテル類、ナフタレン、ジエチルジフェニル等を用いることができる。流体は、ループヒートパイプが使用される温度域で液相から気相に変化するものを適宜選択することができる。
(第1実施例)
図1を参照し、ループヒートパイプ100について説明する。ループヒートパイプ100は、蒸発器2と、蒸気管4と、凝縮器6と、液管8と、リザーバ10を備えている。蒸気管4は、蒸発器2の出口2bと凝縮器6の入口6aの間を接続している。また、液管8は、凝縮器6の出口2bと蒸発器2の入口2aの間を接続している。リザーバ10は、液管8の中間に接続されている。ループヒートパイプ100内には、流体(作動流体)が封止されている。
図1を参照し、ループヒートパイプ100について説明する。ループヒートパイプ100は、蒸発器2と、蒸気管4と、凝縮器6と、液管8と、リザーバ10を備えている。蒸気管4は、蒸発器2の出口2bと凝縮器6の入口6aの間を接続している。また、液管8は、凝縮器6の出口2bと蒸発器2の入口2aの間を接続している。リザーバ10は、液管8の中間に接続されている。ループヒートパイプ100内には、流体(作動流体)が封止されている。
蒸発器2は、高温部に配置される。蒸発器2には、液管8より液相流体が導入される。蒸発器2では、液相流体が加熱されて気相流体に変化する。気相流体は、蒸気管4内を矢印20方向に移動し、凝縮器6に導入される。蒸発器2の詳細は後述する。
凝縮器6は、低温部に配置される。凝縮器6では、気相流体が冷却されて液相流体に変化する。液相流体は、液管8内を矢印30方向に移動し、蒸発器2に導入される。なお、液相流体は、リザーバ10に一時的に貯留された後、蒸発器2に導入される。リザーバ10により、蒸発器2への液相流体の導入量が安定する。流体がループヒートパイプ100内を循環することによって、高温部から低温部に熱が移動する。
図2及び図3を参照し、蒸発器2について説明する。蒸発器2は、ケース50とウィック52を備えている。蒸発器2では、円筒状のケース50と、円筒状のウィック52を利用している。ケース50は金属製であり、ウィック52はセラミックス製である。ケース50は、長手方向(Y軸方向)の一端に入口2aが設けられており、他端に出口2bが設けられている。入口2aは液管8と接続しており、出口2bは蒸気管4と接続している(図1も参照)。ウィック52は、ケース50内に配置されている。ウィック52は、Y軸方向の一方の端部52aが開口しており、他方の端部52bが閉口している。端部52aは、入口2a側で、入口2aを囲った状態でケース50に接触している。そのため、ウィック52の内部は、液管8と連通している。ウィック52の内部に、液相流体空間58が形成される。なお、端部52bは、ケース50と非接触である。
ウィック52の外周は、ケース50の内周と接触している(図3を参照)。ウィック52は、焼きばめによって、ケース50内に嵌められている。また、複数の溝60が、ウィック52の外周に設けられている。図3は、一例として、4個の溝60を示している。溝60は、Y軸方向の一端から他端まで伸びている。溝60によって、ケース50の内周とウィック52の外周の間に、気相流体空間54が形成される。気相流体空間54は、気相流体の流路であり、出口2bと連通している。
液相流体空間58には、液管8から液相流体が導入される。矢印32は、液相流体の流れを示している。液相流体は、毛細管現象によって、液相流体空間58からウィック52の内部に移動する。流体は、矢印34方向(ウィック52の厚み方向)に移動し、気相流体空間54に達する。ウィック52の内部では、液相流体が受熱し、液相流体が気相流体に変化する。そのため、気相流体空間54には気相流体が供給される。気相流体は、出口2bに向かって、気相流体空間54を矢印36方向に移動する。なお、気相流体は、矢印38に示すように、出口2bを通じて蒸気管4(図1を参照)に移動する。
(第2実施例)
図4を参照し、蒸発器202について説明する。蒸発器202は、蒸発器2の変形例である。図4は、蒸発器2における図3に相当する断面を示している。すなわち、図4は、蒸発器202の長手方向に直交する断面を示している。蒸発器202について、蒸発器2と同様の構成には、同一又は下二桁が同一の参照番号を付し、説明を省略することがある。蒸発器202は、蒸発器2に代えて、ループヒートパイプ100の蒸発器として利用することができる。
図4を参照し、蒸発器202について説明する。蒸発器202は、蒸発器2の変形例である。図4は、蒸発器2における図3に相当する断面を示している。すなわち、図4は、蒸発器202の長手方向に直交する断面を示している。蒸発器202について、蒸発器2と同様の構成には、同一又は下二桁が同一の参照番号を付し、説明を省略することがある。蒸発器202は、蒸発器2に代えて、ループヒートパイプ100の蒸発器として利用することができる。
蒸発器202は、角筒状のケース250と角筒状のウィック252を備えており、ケース250内にウィック252が嵌め込まれている。蒸発器202においても、流体は、液相流体空間258からウィック252内に移動し、ウィック内で液相から気相に変化し、気相流体空間254に移動する。
(ウィックの構造)
図5及び図6を参照し、ウィック52,252の内部構造について説明する。図5は、ウィック52,252を構成する粒子を模式的に示している。また、図6は、ウィック52,252の厚み方向の位置(横軸:単位μm)と気孔率(縦軸:単位%)の関係を示している。横軸の参照番号58,54は、各々液相流体空間と気相流体空間に相当する。
図5及び図6を参照し、ウィック52,252の内部構造について説明する。図5は、ウィック52,252を構成する粒子を模式的に示している。また、図6は、ウィック52,252の厚み方向の位置(横軸:単位μm)と気孔率(縦軸:単位%)の関係を示している。横軸の参照番号58,54は、各々液相流体空間と気相流体空間に相当する。
図5に示すように、ウィック52,252は、複数の粒子70p、74pで構成された多孔質体である。気相流体空間54,254側を構成する粒子74pの径は、液相流体空間58,258側を構成する粒子70pの径より大きい。ウィック52,252は、小径の粒子70pで構成された第1層70と、大径の粒子74pで構成された第2層74を備えている。なお、図6の曲線80に示すように、第1層70の気孔率P1は、第2層74の気孔率P2より小さい。また、図示は省略するが、第1層70の気孔径も、第2層74の気孔径より小さい。
第1層70と第2層74の間には、粒子70p,74pが混在した中間層72が設けられている。中間層72では、第1層70側から第2層74側に向かうに従って、粒子70p(第1層70を構成する粒子)の割合が小さくなっている。そのため、図6に示すように、中間層72では、気孔率は、第1層70側から第2層74側に向かうに従って連続的に増加している。具体的には、中間層72の気孔率は、第1層70側から第2層74側に向かうに従って、気孔率P1からP2に連続的に増加している。そのため、中間層72における気孔率の増加率Xは、X=(P2−P1)/Lで示される。ウィック52,252では、気孔率の増加率Xが、下記式(1)を満足するように、気孔率P1,P2及び中間層の厚みLが調整されている。さらに、ウィック52,252では、ウィック52,252の厚み全体に対する中間層の厚みLの割合Y(Y=L/(L1+L2+L)×100)が、下記式(2)を満足するように、第1層の厚みL1、第2層の厚みL2及び中間層の厚みLが調整されている。
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1)
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2)
上記したように、中間層72は、粒子70p,74pが混在している。第1層70,中間層72,第2層74を備えるウィックは、例えば焼成後の第2層74の表面に第1層70を構成する原料を乾式で吸引し、第2層74の表面に第1層70が形成された多孔質体を焼成することにより製造することができる。具体的には、粒子74pを含む原料を用いて押出成型、プレス成型等を利用して第2層74を形成した後、焼成し、第2層74の焼成体を作成する。その後、焼成体(第2層74)の一方の面に粒子70pを含む原料を形成し、さらに焼成する。第2層74を焼成することによって生じた隙間に粒子70pが侵入し、第1層70と第2層74の間に、粒子70pと74pが混在した層(中間層72)が形成される。
例えばウィック52,252の場合、まず、粒子74pを含む原料を用いて押出成型によって筒状の層(第2層74)を形成する。その後、筒状の層を焼成することにより、筒状の焼成体を形成する。その後、粒子70pを含む原料を焼成体の内側に形成し、筒状の層(第1層70)を形成する。第2層74の内側に第1層70が形成された多孔質体を焼成することにより、第1層70と第2層74の間に中間層72が設けられたウィック52,252が得られる。なお、ウィック52,252の場合、第2層74の気孔率は約60%であり、第1層70の気孔率は約40%であり、中間層72の気孔率は第1層70から第2層74に向けて40〜60%の間で連続的に変化(増加)している。また、第2層74は第1層70よりも気孔径が大きい。具体的には、第2層74の気孔径は約3μmであり、第1層70の気孔径は約2μmであり、中間層72の気孔径は第1層70から第2層に向けて2〜3μmの間で連続的に変化(増加)している。なお、中間層72の厚みは、ウィック52,252の厚みに対して0.01〜10%の範囲で調整されている。
ウィック52,252の利点を説明する。上記したように、第2層74の気孔率は、
第1層70より大きい。そのため、流体が液相流体空間58から気相流体空間54向けて移動しながら液相から気相に変化したときに、流体の体積膨張に起因してウィック52,252内部の圧力が上昇することを抑制できる。液相流体が存在する部分(第1層70)に圧力が加わることが抑制され、液相流体空間58からウィック52,252内への液相流体の移動が妨げられることが抑制される。さらに、第1層70と第2層74の間に中間層72が設けらていることにより、気相流体が第1層70に移動する(気泡が逆流する)ことを抑制することもできる。第1層70の圧力上昇をさらに抑制することができる。
第1層70より大きい。そのため、流体が液相流体空間58から気相流体空間54向けて移動しながら液相から気相に変化したときに、流体の体積膨張に起因してウィック52,252内部の圧力が上昇することを抑制できる。液相流体が存在する部分(第1層70)に圧力が加わることが抑制され、液相流体空間58からウィック52,252内への液相流体の移動が妨げられることが抑制される。さらに、第1層70と第2層74の間に中間層72が設けらていることにより、気相流体が第1層70に移動する(気泡が逆流する)ことを抑制することもできる。第1層70の圧力上昇をさらに抑制することができる。
また、ウィック52,252では、第2層74の気孔径は第1層70より大きく、中間層72の気孔径は第1層70から第2層に向けて連続的に変化(増加)している。このような構造によって、ウィック52,252内の圧力上昇を抑制するこことができるとともに、流体の体積膨張に伴うウィック52,252の構造破壊も抑制することができる。また、第2層74を構成する粒子74pのサイズ(粒子径)は、第1層70を構成する粒子70pのサイズより大きい。第1層70と第2層74の粒子サイズを変化させることにより、容易に第1層70と第2層74の気孔率、気孔径を変化させることができる。また、第1層70と第2層74の粒子サイズを変化させることにより、第1層70から第2層に向けて気孔率、気孔径が連続的に増加する層(中間層72)を容易に形成することができる。
(実験例)
第1層と第2層の間に中間層を有するウィックを作成し、ループヒートパイプへの適応性について評価した。具体的には、まず、押出成型を用いて筒状の多孔質体を形成した後、多孔質体を焼成し、気孔率60%の筒状焼成体(第2層)を作成した。その後、筒状焼成体の内側に、第2層を構成する粒子よりも小径の粒子を含む原料を乾式で吸引し、内側層(第1層)を形成した。その後、この成形体を焼成することにより、ウィックを作成した。なお、第1層は、気孔率が40%となるように原料を調整した。また、本実験例では、第2層の厚みL2、及び、第1層を形成する際の吸引条件を調整し、5種類の試料(試料1〜5)を作成した。
第1層と第2層の間に中間層を有するウィックを作成し、ループヒートパイプへの適応性について評価した。具体的には、まず、押出成型を用いて筒状の多孔質体を形成した後、多孔質体を焼成し、気孔率60%の筒状焼成体(第2層)を作成した。その後、筒状焼成体の内側に、第2層を構成する粒子よりも小径の粒子を含む原料を乾式で吸引し、内側層(第1層)を形成した。その後、この成形体を焼成することにより、ウィックを作成した。なお、第1層は、気孔率が40%となるように原料を調整した。また、本実験例では、第2層の厚みL2、及び、第1層を形成する際の吸引条件を調整し、5種類の試料(試料1〜5)を作成した。
図7に、試料1〜5について、各層の厚み、気孔率、気孔率の増加率X(X=(P2−P1)/L)、全体の厚みに占める中間層の厚み割合Y(L/(L1+L2+L)×100)を示す。なお、中間層の気孔率Pは、中間層全体の気孔率の平均値を示している。試料1〜5は、上記式(1)及び(2)を満足する結果であった。
また、比較例として、第1層と第2層の間に中間層を有していないウィックを作成し、ループヒートパイプへの適応性について評価した(試料6)。試料6は、まず、押出成型を用いて筒状の多孔質体(第2層)を形成した後、多孔質体を焼成することなく、スリップキャスト法を用いて多孔質体の内側に内側層(第1層)を形成した。試料6は、多孔質体(第2層)を形成した後に焼成していないので、第1層と第2層の間に中間層は形成されない。図7に、試料6の各層の厚み、気孔率を示す。
試料1〜6のウィックを用いて図1に示すループヒートパイプ100を作成し、ループヒートパイプ100が動作するか否かの評価を行った。すなわち、蒸発器2を加熱し、流体がループヒートパイプ100内を循環するか否かの評価を行った。図7に、流体が1hr以上循環した試料に「○」、1hr以内に流体の循環が停止した試料に「×」を付している。図7に示すように、試料1〜5のウィックを用いたループヒートパイプは、いずれも流体がループヒートパイプ内を循環する結果が得られた。それに対し、試料6のウィックを用いたループヒートパイプは、流体がループヒートパイプ内を循環せず、ループヒートパイプとして機能しなかった。この結果は、中間層を設けることにより、気泡(気相流体)が気相流体空間にスムーズに移動し、ウィック内の圧力上昇が抑制され、液相流体が液相流体空間からウィック内へスムーズに移動したことを示している。
上記実施例では、円筒状のウィック(ウィック52)と角筒状のウィック(ウィック252)について説明した。円筒状のウィックは、高強度であり、ウィック内における均一な熱伝導を実現することができるという特徴を有している。また、角筒状のウィックは、熱源に対してウィック(蒸発器)の受熱面積を増加させることができるという特徴を有している。
また、上記実施例では円筒状、あるいは、角筒状のウィックの外面(第2層の表面)に複数の溝(気相流体空間)を形成し、ウィックをケース内に嵌め込む形態について説明した。しかしながら、本明細書で開示する技術は、第1層の表面が液相流体空間に面し、第2層の表面が気相流体空間に面していればよく、必ずしも実施例で説明した形態に限定されるものではない。
例えば、ウィックの外面に1個の溝(気相流体空間)が設けられていてもよい。あるいは、ウィックの外面に複数の突起を設け、突起と突起の間の空間によって気相流体の流路(気相流体空間)が形成されていてもよい。また、例えば、筒状(円筒状、角筒状)のウィックとケースの間にスペーサを配置し、ウィックとケースの間に気相流体空間を形成してもよい。この場合、ウィックの外面に溝を形成することを省略することができる。
また、上記実施例では、気孔率等(気孔率,気孔径,粒子サイズ)が異なる第1層と第2層の間に中間層が設けられているウィックについて説明した。しかしながら、本明細書で開示する技術は、少なくとも気孔率等が異なる2層の間に中間層が設けれていればよく、気孔率等が異なる層が複数(3層以上)設けられたウィックに適用することもできる。例えば、第2層の表面(中間層と反対側の面)に、第2層と気孔率等が異なる第3層が設けられていてもよい。この場合、第2層と第3層の間に、さらに第2の中間層が設けられていてもよい。第2の中間層の特徴は、上記した中間層と同様に、気孔率が第2層側から第3層側に向けて連続的に増加しており、気孔率の平均値が第2層より大きく第3層より小さくてよい。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Claims (3)
- ループヒートパイプの蒸発器で用いるウィックであって、
第1層と、
第1層より気孔率が大きい第2層と、
第1層と第2層の間に配置されており、気孔率が第1層側から第2層側に向けて連続的に増加しており、気孔率の平均値が第1層より大きく第2層より小さい中間層と、を備えており、
第1層の気孔率をP1(%)とし、第2層の気孔率をP2(%)とし、中間層の厚みをL(μm)としたときに、下記式(1)を満足する、ウィック。
0.3<(P2−P1)/L<50・・・(1) - 第1層の厚みをL1とし、第2層の厚みをL2としたときに、下記式(2)を満足する請求項1に記載のウィック。
0.01<L/(L1+L2+L)×100<10・・・(2) - 第1層は、第1粒子を含み、
第2層は、第1粒子より大きな第2粒子を含み、
中間層は、第1粒子及び第2粒子を含む、請求項1又は2に記載のウィック。
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