JP6823293B2 - 湿式処理による表面粗化方法 - Google Patents

湿式処理による表面粗化方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6823293B2
JP6823293B2 JP2017539980A JP2017539980A JP6823293B2 JP 6823293 B2 JP6823293 B2 JP 6823293B2 JP 2017539980 A JP2017539980 A JP 2017539980A JP 2017539980 A JP2017539980 A JP 2017539980A JP 6823293 B2 JP6823293 B2 JP 6823293B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic resin
substrate
layer
composition
resin layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017539980A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017047713A1 (ja
Inventor
橋本　圭祐
圭祐 橋本
安信 染谷
安信 染谷
高広 岸岡
岸岡　　高広
坂本　力丸
力丸 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Publication of JPWO2017047713A1 publication Critical patent/JPWO2017047713A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6823293B2 publication Critical patent/JP6823293B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
    • C03C17/008—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character comprising a mixture of materials covered by two or more of the groups C03C17/02, C03C17/06, C03C17/22 and C03C17/28
    • C03C17/009—Mixtures of organic and inorganic materials, e.g. ormosils and ormocers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/32—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing two or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G14/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with two or more other monomers covered by at least two of the groups C08G8/00 - C08G12/00
    • C08G14/02—Condensation polymers of aldehydes or ketones with two or more other monomers covered by at least two of the groups C08G8/00 - C08G12/00 of aldehydes
    • C08G14/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with two or more other monomers covered by at least two of the groups C08G8/00 - C08G12/00 of aldehydes with phenols
    • C08G14/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with two or more other monomers covered by at least two of the groups C08G8/00 - C08G12/00 of aldehydes with phenols and monomers containing hydrogen attached to nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D125/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/18—Condensation polymers of aldehydes or ketones with aromatic hydrocarbons or their halogen derivatives only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/34—Condensation polymers of aldehydes or ketones with monomers covered by at least two of the groups C09D161/04, C09D161/18 and C09D161/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/66—Additives characterised by particle size
    • C09D7/67—Particle size smaller than 100 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/66—Additives characterised by particle size
    • C09D7/68—Particle size between 100-1000 nm
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/44—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
    • C03C2217/445—Organic continuous phases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
    • C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
    • C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
    • C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
    • C03C2217/475—Inorganic materials
    • C03C2217/478—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)

Description

本発明は基板上の表面粗化方法に係わり、該表面粗化方法は、ＬＥＤ等の光取り出し層や太陽電池の低反射ガラスに対して為すことができる。
近年、ＬＥＤ技術が利用されている。発光効率向上のための技術として光取り出し層による光取り出し効率の向上を目指す研究が行われている。
前記光取り出し層として、例えば、有機ＥＬ素子内部の発光層と基板の間に、光散乱層を設ける手法が提案されている（特許文献１、「微粒子分散層」参照）。光散乱層は、透明な樹脂に、前記樹脂とは屈折率の異なる微粒子を分散させたものが用いられる。発光部で発光した光は、光散乱層により散乱されて、様々な方向に進行方向を変える。多重散乱の結果、空気界面の全反射角内に入射した光が取り出されることとなる。光散乱層においては、光の進行方向をランダム化させるため、そこに含まれる微粒子のサイズ分布は広いことが好ましく、微粒子の配列はランダムであることが好ましく、また微粒子の体積分率は大きいことが好ましい。ここで微粒子のサイズ分布が狭かったり、また微粒子の体積分率が小さいと、光散乱層の散乱能が低くなり、その目的を十分に果たすことができない。しかし、微粒子のサイズ分布が広すぎると樹脂中で微粒子を理想的に配列させることが困難となり、また微粒子のサイズ分布が広い場合にその体積分率を大きくしすぎると、光散乱層の平坦性が著しく低下し、それにより薄膜構造である発光部の平坦性が損なわれて、発光素子の信頼性が大きく低下する虞がある。
また高効率な光取り出し層として、反射層と、前記反射層上に形成された、変動係数が１０％以下の微粒子および前記微粒子と屈折率の異なるマトリックスを含む３次元回折層とを備える光取り出し層が開示されている（特許文献２参照）。この態様では、３次元回折層の体積に対する前記微粒子の体積分率が５０％以上であり、そしてマトリックス中で前記微粒子が配列して短距離周期性を有する第一の領域を形成し、さらにその第一の領域がランダムな向きで隣接して集合した第二の領域を形成していることを特徴とする、
さらに、実用化が進む太陽電池においても、発光効率の向上のためハニカム構造等の凸凹構造を形成することで、反射率を低減させる技術が実施されている。
特開２００６−１０７７４４号公報 特開２００９−２１６８６２号公報
本発明は基板の表面を粗化する方法を提供する。詳細には、無機物と有機物の湿式エッチング速度の差を利用し、基板上に無機物と有機物が混在する層、より具体的には基板の表面に溶液によりエッチングされる無機物とエッチングされない有機物とで表面粗化形成層を形成する。次いで無機物が存在する部分を溶液によりエッチングすることで基板の表面が暴露され、そして基板にもエッチングを為すことにより基板表面を粗化する方法、例えば基板上に微細な凹凸を形成することができる様な粗化方法を提供する。
本発明は第１観点として、基板の表面上に無機粒子（ａ１）と有機樹脂（ａ２）を含む組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ａ）を該基板上に形成する第１工程、有機樹脂層（Ａ）が形成された基板をフッ化水素、過酸化水素、又は酸を含む溶液でエッチングすることにより、該基板の表面を粗化する第２工程、を含む、表面粗化方法。
第２観点として、エッチングがフッ化水素とアンモニウム塩、過酸化水素とアンモニア、過酸化水素と硫酸、又はリン酸と硝酸を含む溶液で行われる、第１観点に記載の表面粗化方法、
第３観点として、エッチングがフッ化水素とフッ化アンモニウム、又は過酸化水素とアンモニアを含む溶液で行われる、第１観点に記載の表面粗化方法、
第４観点として、無機粒子（ａ１）が平均粒子径５〜１０００ｎｍの金属酸化物粒子である第１観点乃至第３観点、のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第５観点として、組成物（ａ３）が、無機粒子（ａ１）としてシリカが有機溶剤に分散したシリカゾル、又は無機粒子（ａ１）として酸化チタニウムが有機溶剤に分散した酸化チタニウムゾルと、有機樹脂（ａ２）の溶液との混合物である、第１観点に記載の表面粗化方法、
第６観点として、有機樹脂層（Ａ）が、無機粒子（ａ１）及び有機樹脂（ａ２）を、有機樹脂（ａ２）１００質量部に対して無機粒子（ａ１）５〜７０質量部の割合で含有する、第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第７観点として、有機樹脂（ａ２）が、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせからなる官能基を繰り返し単位構造内に有する構造からなる、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第８観点として、第２工程が、エッチングにより基板表面にアスペクト比（高さ）／（直径）で０．１〜２０の範囲にある孔を形成する工程である、第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第９観点として、有機樹脂層（Ａ）が０．００１〜１０μｍの層厚を有する層である、第１観点乃至第８観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第１０観点として、第１工程が、有機樹脂層（Ａ）を形成する前に、基板の表面上に有機樹脂（ｂ２）を含む組成物（ｂ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ｂ）を該基板上に形成する第１’工程を更に含む、第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第１１観点として、有機樹脂（ｂ２）が、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせからなる官能基を繰り返し単位構造内に有する構造である有機樹脂（ａ２）から選択される、第１０観点に記載の表面粗化方法、
第１２観点として、有機樹脂層（Ｂ）が０．００１〜１０μｍの層厚を有する層である、第１０観点又は第１１観点に記載の表面粗化方法、
第１３観点として、組成物（ａ３）が更に架橋剤と架橋触媒を含有してする、第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、
第１４観点として、組成物（ａ３）及び組成物（ｂ３）の何れか一方もしくは双方が、更に架橋剤と架橋触媒を含有する、第１０観点乃至第１２観点のいずれか１項に記載の表面粗化方法、
第１５観点として、第２工程の後に、基板表面のガスエッチングを為す第３工程を更に含む、第１観点乃至第１４観点のいずれか一つに記載の表面粗化方法、及び
第１６観点として、第１観点乃至第１５観点のいずれか１項に記載の表面粗化方法により形成された層を、ＬＥＤの光取り出し層、又は太陽電池の低反射ガラス層として使用する方法、である。
有機ＥＬディスプレイでは、ガラスや透明プラスチック等の基板上にＩＴＯ電極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電極が形成される。
またＬＥＤでは、サファイア基板上にＮ型半導体、発光域、Ｐ型半導体、ＩＴＯ電極、ＳｉＯ２層が形成される。
前述したように、これらの発光効率向上を目指し、光取り出し効率の向上を図った種々の光取り出し層について検討がなされている。
さらに、太陽電池においては変換効率の向上が検討されているが、その有力な手法として、表面の太陽光反射を抑えることが挙げられている。
本発明の表面粗化方法によれば、これらの光取り出し層として使われるガラスや透明プラスチックやＳｉＯ２層などの表面を粗化、例えば微細な凹凸を形成することができ、そのため該ガラス等における光の反射を低減することが可能であり、それにより発光効率を向上させることにつながる。本発明の表面粗化方法は、太陽電池の反射低減層に微細な凸凹を形成することにも適用可能である。
これまでに提案された光取り出し層に用いられる基板の光の反射を低減する方法としては、従来法として光取り出し層に用いられる基板に無機粒子等を付着させる手法があるが、基板への無機粒子等の密着性が問題となっていた。本発明はそれら手法とは異なり、基板表面を物理的にエッチングにより粗化、例えば凹凸等を形成させるものであり、従来法における基板と無機粒子等との密着性との問題は生じない。
なお基板表面の粗化にあたり、リソグラフィ技術やドライエッチング技術を用いても微細な凸凹は形成可能であるが、装置が高価であること、作成できるサイズが限られているという点に問題がある。
本発明では粗化させる基板の表面上に無機粒子（ａ１）と有機樹脂（ａ２）を含む組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ａ）を該基板上に形成する第１工程と、それに続く有機樹脂層（Ａ）が形成された基板のエッチングを行って基板の表面を粗化する第２工程を含みてなる。本発明では、有機樹脂層（Ａ）に含まれる無機粒子（ａ１）と有機樹脂（ａ２）との溶液のエッチングの速度差を利用して、有機樹脂層（Ａ）に凹凸を形成すると同時に、詳細には、有機樹脂層（Ａ）に含まれる無機粒子（ａ１）の存在部分のみが選択的に溶液エッチングされ、そして基板表面が暴露されると、ＳｉＯ２などの基板も上記溶液によってエッチングされるため凹凸が形成される。ここで上記有機樹脂層（Ａ）（特に有機樹脂（ａ２））は溶液エッチングを行う上でマスクの機能を果たす。
このように本発明では、有機樹脂層（Ａ）の形成と、それに続く溶液エッチングにより、容易に基板表面に微細な凹凸を形成する（粗化する）ことができる。
なお基板の粗化は無機粒子の平均粒子径や、有機樹脂層（Ａ）に含まれる無機粒子の濃度（割合）によって変化し、必要とする基板上の粗化形状（凹凸形状）により決定することができる。
図１は、実施例１で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。 図２は、実施例２で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は１０，０００倍、チルト有である。）。 図３は、実施例３で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は５，０００倍、チルト有である。）。 図４は、実施例４で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。 図５は、実施例５で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は１０，０００倍、チルト有である。）。 図６は、実施例６で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。 図７は、実施例７で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。 図８は、実施例８で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。 図９は、実施例９で得られた表面粗化形成層が形成されたＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー上の、表面粗化パターンの断面図（倍率は３０，０００倍、チルト有である。）。
本発明は、基板の表面粗化方法に関する。
本明細書において上記“粗化”とはエッチングにより、基板表面を粗くすることを指す。基板表面を化学的あるいは物理的処理により変化を生じさせることで、一例として基板表面に凹凸が形成される。
本発明は基板の表面上に無機粒子（ａ１）と有機樹脂（ａ２）を含む組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ａ）を該基板上に形成する第１工程、有機樹脂層（Ａ）が形成された基板をフッ化水素、過酸化水素、又は酸を含む溶液でエッチングすることにより、該基板の表面を粗化する第２工程を含む、表面粗化方法である。
前記第２工程において、エッチングを、好ましくは、フッ化水素とアンモニウム塩を含む溶液、過酸化水素とアンモニアを含む溶液、過酸化水素と硫酸、又はリン酸と硝酸を含む溶液で行うことができる。
例えばフッ化水素とアンモニウム塩を含む溶液はバッファー溶液とすることができる。
好ましい態様において、エッチングは、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含む溶液、又は過酸化水素とアンモニアを含む溶液で行うことができる。
前述したように本発明ではエッチングを湿式エッチングにて実施する。前述の溶液により有機樹脂層（Ａ）中の無機粒子（ａ１）はエッチングされ、一方有機樹脂層（Ａ）中の有機樹脂（ａ２）は溶液に対してエッチング抵抗を示す。そして、有機樹脂層（Ａ）のエッチングが基板面に到達した段階で、引き続き酸性水溶液で基板をエッチングすることができる。上記酸性水溶液に使用される酸としてはフッ酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、バッファードフッ酸が用いられる。
本発明においてエッチングに用いられる溶液は水溶液であるが、さらに有機溶剤を含むことができる。
有機溶剤はアルコール系、エーテル系、ケトン系、又はエステル系である。その具体例としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または２種以上の組合せで使用される。
エッチングに使用する溶液において、水、又は水と有機溶剤を合わせた全溶液中でのアンモニウム塩、酸又はアンモニアの濃度は０．０１〜９７質量％であり、全溶液中での過酸化水素の濃度は０．００１〜４０質量％、又は０．０１〜４０質量％である。
例えば、過酸化水素とアンモニアの混合溶液の場合は、ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ＝１：１：５〜０．０５：１：５の質量割合で混合した水溶液とすることができる。
例えば、過酸化水素と硫酸の混合溶液の場合は、Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２＝１：１〜４：１の質量割合で混合した水溶液とすることができる。
例えば、フッ化水素（酸）とフッ化アンモニウム溶液の混合水溶液を用いる場合は、５０質量％フッ酸水溶液と、４０質量％のフッ化アンモニウム水溶液を混合した水溶液として用いることができる。
本発明に用いられる無機粒子（ａ１）としては金属酸化物が用いられる。例えば酸化珪素（シリカ）、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化チタン等が挙げられる。特に酸化珪素（シリカ）が好ましい。平均粒子径としては５〜１０００ｎｍ、又は５〜２００ｎｍ、又は１０〜５０ｎｍの範囲で用いることができる。
これらの無機粒子はコロイド状態で有機樹脂（ａ２）に添加することが好ましく、すなわち上記無機粒子（ａ１）の有機溶剤に分散したゾルを、有機樹脂（ａ２）又は有機樹脂（ａ２）の溶液に添加することで、組成物（ａ３）が得られる。この組成物（ａ３）を後述するように基板の被覆に用いる。
典型的には無機粒子（ａ１）としてシリカが有機溶剤に分散したシリカゾル、又は酸化チタニウムが有機溶剤に分散した酸化チタニウムゾルを使用し、これらゾルと有機樹脂（ａ２）の溶液とを混合して、組成物（ａ３）が得られる。
なお本発明において微粒子の平均粒子径は、ゾル中の微粒子を電子顕微鏡で観察した値をいう。
組成物（ａ３）及び、その組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより得られる有機樹脂層（Ａ）は、無機粒子（ａ１）及び有機樹脂（ａ２）を、有機樹脂（ａ２）１００質量部に対して無機粒子（ａ１）１〜１００質量部、又は５〜７０質量部の割合で含有する。
有機樹脂（ａ２）としては、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造がヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせをからなる極性基を官能基として有する構造であることが好ましい。これら官能基は無機粒子との相容性や、基板への塗布性の点で好ましい。また、酸性水溶液に対して硬化膜が不溶化する点でもこれらの官能基は好ましい。
上記官能基を含む樹脂としてはアクリル系樹脂、ノボラック系樹脂等が挙げられる。
また有機樹脂（ａ２）として、ポリエーテル及びポリエーテルエーテルケトン材料、エポキシ樹脂を用いることができる。
アクリル系樹脂としては、ヒドロキシ基やカルボキシル基やアミノ基やグリシジル基を有するモノマーの単独重合体や、それらとその他の樹脂を構成するモノマーとの共重合体が挙げられる。
前記モノマーとしては（メタ）アクリル酸や、（メタ）アクリル酸エステルや、ビニル化合物が挙げられる。
ヒドロキシ基やカルボキシル基やアミノ基やグリシジル基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、カルボキシアルキル（メタ）アクリレート、アミノアルキル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ヒドロキシスチレン、ヒドロキシビニルナフタレン、安息香酸ビニル等のモノマーが挙げられる。
またその他の樹脂を構成するモノマーとしては上記官能基を含まないモノマーが挙げられ、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、スチレン、ｔ−ブチルスチレン、ビニルナフタレン等が挙げられる。
これらのアクリル系モノマーはラジカル重合やカチオン重合により、上記のアクリル系樹脂が得られる。
ポリエーテル及びポリエーテルエーテルケトン材料としては、フェノール性ヒドロキシ基含有化合物とハロゲン基含有芳香族化合物との反応で得られるポリエーテル及びポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。
ノボラック系樹脂としては、フェノール性ヒドロキシ基含有化合物やアミノ基含有芳香族化合物と、アルデヒド化合物との反応で得られるノボラック樹脂や、フェノール性ヒドロキシ基含有化合物やアミノ基含有芳香族化合物と、ヒドロキシ基やカルボキシル基やアミノ基含有アルデヒド化合物との反応で得られるノボラック樹脂が挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基を有する化合物としては、フェノール、クレゾール、サリチル酸、ナフトール等の１価フェノール、カテコール、レゾルシノール等の２価フェノール、ピロガロール、フロログリシノール等の３価フェノール、ビフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ等の多核フェノールが挙げられる。
アミノ基含有芳香族化合物は、ピロール、フェニルナフチルアミン、フェニルインドール、カルバゾール、ジフェニルアミン、３−ヒドロキシジフェニルアミン等が挙げられる。
アルデヒド類としてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、バレルアルデヒド、カプロンアルデヒド、２−メチルブチルアルデヒド、２−エチルヘキシルアルデヒド（２−エチルヘキサナール）、ヘキシルアルデヒド、ウンデカンアルデヒド、７−メトキシ−３，７−ジメチルオクチルアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、シクロヘキサンカルバルデビド、３−メチル−２−ブチルアルデヒド、グリオキザール、マロンアルデヒド、マロンジアルデヒド、スクシンアルデヒド、グルタルアルデヒド、アジピンアルデヒド等の飽和脂肪族アルデヒド類、アクロレイン、メタクロレイン等の不飽和脂肪族アルデヒド類、フルフラール、ピリジンアルデヒド等のヘテロ環式アルデヒド類、ベンズアルデヒド、ナフチルアルデヒド、アントリルアルデヒド、フェナントリルアルデヒド、サリチルアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、３−フェニルプロピオンアルデヒド、トリルアルデヒド、（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ベンズアルデヒド、アセトキシベンズアルデヒド等の芳香族アルデヒド類等が挙げられる。
さらにこれらアルデヒド類にヒドロキシ基やカルボキシル基やアミノ基が結合したアルデヒド類が挙げられる。
これらの中でもヒドロキシ基又はカルボキシル基含有アルデヒド化合物が好ましく、例えばヒドロキシベンズアルデヒド、カルボキシベンズアルデヒド、ヒドロキシナフトアルデヒド、カルボキシナフトアルデヒド、ヒドロキシピレンアルデヒド、カルボキシピレンアルデヒドが挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基含有化合物やアミノ基含有芳香族化合物とアルデヒド化合物とは、フェニル基１当量に対して、アルデヒド類を０．１〜１０当量の割合で用いることができる。
上記縮合反応で用いられる酸触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸類、ギ酸、シュウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通常、フェノール性ヒドロキシ基含有化合物やアミノ基含有芳香族化合物とアルデヒド化合物の合計の１００質量部に対して、酸触媒の使用量は、０．００１〜１０，０００質量部、好ましくは、０．０１〜１，０００質量部、より好ましくは０．１〜１００質量部である。
上記の縮合反応は無溶剤でも行われるが、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては反応を阻害しないものであれば全て使用することができる。例えばブチルセロソルブ（２−ブトキシエタノール）等のエーテル類や、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類が挙げられる。また、使用する酸触媒が例えばギ酸のような液状のものであるならば、該酸触媒に溶剤としての役割を兼ねさせることもできる。
縮合時の反応温度は通常４０℃〜２００℃である。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常３０分〜５０時間程度である。
本発明に用いられる有機樹脂（ａ２）としては、以下の式（１−１）乃至式（１−８）に示す繰り返し単位構造を有する樹脂を例示することができる。
また、本発明では上述のアクリル系樹脂、ノボラック系樹脂以外にエポキシ樹脂を用いることができる。
エポキシ樹脂としては多官能エポキシ化合物が挙げられ、例えば、ブタンテトラカルボン酸テトラ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）修飾ε−カプロラクトン（株式会社ダイセル製、商品名エポリードＧＴ４０１、脂環式エポキシ）等を用いることができる。
本発明に用いられる有機樹脂（ａ２）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）のポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が６００〜１，００００，００、又は６００〜２００，０００である。
本発明に用いられる組成物（ａ３）は上記有機樹脂（ａ２）と無機粒子（ａ１）と溶剤を含む。必要に応じて後述する界面活性剤等の添加剤を含むことができる。
上記組成物（ａ３）において、固形分は、組成物（ａ３）の総質量に対して０．１〜７０質量％、または０．１〜６０質量％とすることができる。固形分は組成物（ａ３）を構成する全成分から溶剤を除いた残りの成分を意味する。また有機樹脂（ａ２）は固形分の総質量に対して１〜９９．９質量％、または２０〜９９．９質量％の割合とすることができる。
前述したように本発明の表面粗化方法は、
第１工程）基板の表面上に無機粒子（ａ１）と有機樹脂（ａ２）を含む組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ａ）を該基板上に形成する工程、及び、
第２工程）有機樹脂層（Ａ）が形成された基板を、フッ化水素、過酸化水素、又は酸を含む溶液でエッチングすることにより、該基板の表面を粗化する工程、
を含み、更に、第２工程の後に、
第３工程）基板表面のガスエッチングを為す工程
を含み得る。
すなわち本発明では、有機樹脂層（Ａ）を基板上に形成した後、基板の上方からエッチング（湿式エッチング、又は湿式エッチングとガスエッチング）を行って、基板の表面を粗化する。
また、本発明の表面粗化方法では、第１工程が、有機樹脂層（Ａ）を形成する前に、基板の表面上に有機樹脂（ｂ２）を含む組成物（ｂ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ｂ）を該基板上に形成する第１’工程を更に含んでいてもよい。
本態様では、有機樹脂層（Ｂ）を基板上に形成し、該有機樹脂層（Ｂ）の上に有機樹脂層（Ａ）を形成した後、基板をエッチング（湿式エッチング、又は湿式エッチングとガスエッチング）を行って基板の表面を粗化する。
第１’工程を更に含む場合、有機樹脂層（Ｂ）に含まれる有機樹脂（ｂ２）は、上記有機樹脂層（Ａ）の有機樹脂（ａ２）と同様の範囲の樹脂：すなわち、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせからなる官能基を繰り返し単位構造内に有する構造である有機樹脂（ａ２）から選択することができる。更に有機樹脂（ｂ２）と有機樹脂（ａ２）は同じ樹脂を用いることができる。
本発明に用いられる組成物（ｂ３）は上記有機樹脂（ｂ２）と溶剤を含む。必要に応じて後述する界面活性剤等の添加剤を含むことができる。
上記組成物（ｂ３）において、固形分は、組成物（ｂ３）の総質量に対して０．１〜７０質量％、または０．１〜６０質量％とすることができる。固形分は組成物（ｂ３）を構成する全成分から溶剤を除いた残りの成分を意味する。また有機樹脂（ｂ２）は固形分の総質量に対して１〜１００質量％、または１〜９９．９質量％、または５０〜９９．９質量％の割合とすることができる。
本発明に用いられる有機樹脂（ｂ２）は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）のポリスチレン換算による重量平均分子量（Ｍｗ）が６００〜１，０００，０００、又は６００〜２００，０００である。
有機樹脂層（Ｂ）は組成物（ｂ３）を基板上に塗布し、次いで乾燥と硬化為すことにより得られるが、有機樹脂層（Ｂ）の上層に有機樹脂層（Ａ）を形成する組成物（ａ３）が上塗りされるため、インターミキシング（層混合）を防ぐために、組成物（ｂ３）は更に架橋剤と架橋触媒を含有することができる。
また、必要により有機樹脂層（Ａ）を形成する組成物（ａ３）にも、架橋剤と架橋触媒を含有することができる。
組成物（ａ３）や組成物（ｂ３）に用いられる架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも２個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、メトキシメチル化チオ尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、組成物（ａ３）又は組成物（ｂ３）の全固形分の総質量に対して０．００１〜８０質量％、好ましくは ０．０１〜５０質量％、さらに好ましくは０．０５〜４０質量％である。
本発明では上記架橋反応を促進するための触媒（架橋触媒）として、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物又は／及び２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、２−ニトロベンジルトシレート、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事ができる。
架橋触媒の配合量は組成物（ａ３）又は組成物（ｂ３）の全固形分の総質量に対して、０．０００１〜２０質量％、好ましくは０．０００５〜１０質量％、好ましくは０．０１〜３質量％である。
本発明において、組成物（ａ３）又は組成物（ｂ３）に使用可能な界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ（現・三菱マテリアル電子化成（株））製、商品名）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−４０（ＤＩＣ（株）製、商品名）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製、商品名）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳー３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製、商品名）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の配合量は、上記組成物（ａ３）又は組成物（ｂ３）の全固形分の総質量に対して通常２．０質量％以下、好ましくは１．０質量％以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
本発明において、組成物（ａ３）又は組成物（ｂ３）に使用可能な溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で、または２種以上の組合せで使用される。
さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等がレベリング性の向上に対して好ましい。
次に本発明の表面粗化方法について説明する。
まず、基板や基材の表面上に、スピナー、コーター等を用いた適当な塗布方法により、組成物（ａ３）を塗布し、次いでベーク（乾燥）し硬化させ、有機樹脂層（Ａ）を基板上に作成する（第１工程）。また、有機樹脂層（Ｂ）を含む場合、まず基板や基材の表面上に、スピナー、コーター等を用いた適当な塗布方法により、組成物（ｂ３）を塗布し、次いでベーク（乾燥）し硬化させ、有機樹脂層（Ｂ）を基板上に作成した（第１’工程）後、該有機樹脂層（Ｂ）の上に前述の手順により有機樹脂層（Ａ）を作成すればよい。
本発明では有機樹脂層（Ａ）が０．００１〜１０μｍ、又は０．００５〜３．０μｍの層厚を有する層であることが好ましい。また有機樹脂層（Ｂ）が０．００１〜１０μｍ、又は０．００５〜３．０μｍの層厚を有する層であることが好ましい。
なお上記有機樹脂層（Ａ）は後述するエッチングにより基板の表面の粗化形成に寄与する層であることから、本明細書において「表面粗化形成層」とも称する。
上記組成物（ａ３）又は（ｂ３）を塗布後、ベーキングする条件としては８０〜４００℃で０．５〜１２０分間である。
基板上に組成物（ａ３）を塗布し上記条件で硬化させて有機樹脂層（Ａ）を形成した後、有機樹脂層（Ａ）が形成された基板を、詳細には該基板の上方から前述した溶液でエッチングすることにより、基板の表面を粗化する（第２工程）。この湿式エッチングにより、該有機樹脂層（Ａ）において無機粒子（ａ１）が存在する部分のみが垂直方向に削り取られる。エッチングが基板面に到達した段階で、引き続き溶液でエッチングすることも可能であり、それにより基板に凹凸を形成し粗面化することができる。
上記基板としては基板自体のみならず、基板上にＳｉＯ２等を被覆した被覆基板も含み、本発明の方法により基板の表面又は被覆基板の表面を粗化することができる。
上記溶液によるエッチング（第２工程）は、エッチングにより基板表面にアスペクト比（高さ）／（直径）で０．１〜２０の範囲、又は０．１〜１０の範囲にある孔を形成するまで行われる。通常、エッチング時間は１秒〜１時間、又は５秒〜１０分程度である。基板としては例えばシリコン、酸化シリコン、ガラス、サファイアなどが挙げられる。
本発明では湿式エッチングのみならず、ガスエッチング（ドライエッチング）と湿式エッチングを両方組み合わせて行ってもよい。
例えば、基板上に有機樹脂層（Ｂ）を被覆して形成し、その上に有機樹脂層（Ａ）を被覆して形成し、まず有機樹脂層（Ａ）を上述の溶液を用いて湿式エッチングし、その後有機樹脂層（Ｂ）をガスエッチングして基板を加工することができる。ここでガスエッチングには、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、パーフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）、パーフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）、ジフルオロメタン（ＣＨ２Ｆ２）、一酸化炭素、アルゴン、酸素、窒素、六フッ化硫黄、三フッ化窒素及び三フッ化塩素、塩素、トリクロロボラン及びジクロロボラン等のガスを使用することができる。
上記の本発明の表面粗化方法により形成された層は、ＬＥＤの光取り出し層、又は太陽電池の低反射ガラス層として好適に使用できる。
以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（合成例１）
２−ビニルナフタレン３０ｇ、グリシジルメタクリレート３．５ｇ、１−ブトキシエチルメタクリレート４．５ｇをシクロヘキサノン１１２ｇに溶解させた後、フラスコ内を窒素にて置換し６０℃まで昇温した。昇温後、シクロヘキサノン４８ｇに溶解したアゾビスイソブチロニトリル１．９ｇを窒素加圧下において添加し、２４時間６０℃で反応させた。反応溶液を冷却後、メタノールに投入し、ポリマーを再沈殿、加熱乾燥して前記式（１−１）で表わされる繰り返し単位構造を有するポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量Ｍｗは６，０００（ポリスチレン換算）であった。式（１−１）において、該ポリマーを構成する全ての繰り返し単位構造の総数を１．０とすると２−ビニルナフタレンから形成される繰り返し単位構造（数）の占める割合は０．８、グリシジルメタクリレートから形成される繰り返し単位構造（数）の占める割合は０．１、１−ブトキシエチルメタクリレートから形成される繰り返し単位構造（数）の占める割合は０．１であった。
（合成例２）
１００ｍＬナスフラスコにジフェニルアミン（東京化成工業株式会社製）６．７ｇ、３−ヒドロキシジフェニルアミン（東京化成工業株式会社製）７．３ｇ、２−エチルヘキサナール（東京化成工業株式会社製）１０．２ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸（東京化成工業株式会社）０．８ｇ、２−ブトキシエタノール（関東化学製）２５．０ｇを入れた。その後フラスコ内を窒素置換した後加熱し、１５０℃（リフラックス状態）で約１時間還流撹拌した。反応終了後、テトラヒドロフラン（関東化学製）で３５質量％まで希釈した。希釈液をメタノール／アンモニア水溶液（メタノール／水／アンモニア＝２４／２４／１）（体積割合）２０００ｍＬへ滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物をメタノール／アンモニア水溶液（メタノール／水／アンモニア＝２４／２４／１）（体積割合）で洗浄後、７０℃で一晩減圧乾燥しノボラック樹脂を２３．０ｇ得た。得られたポリマーは前記式（１−８）で表される繰り返し単位構造を有するポリマーに相当した。ＧＰＣによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Ｍｗは、１０，０００であった。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例１）
合成例１で得た樹脂０．６ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径１０〜１５ｎｍ）０．０２ｇ、シクロヘキサノン３５．０４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１４．９７ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−１）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例２）
合成例１で得た樹脂０．６ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ−Ｌ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径４０〜５０ｎｍ）０．０２ｇ、シクロヘキサノン２４．６１ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１０．５１ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−２）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例３）
合成例１で得た樹脂０．６ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ−ＺＬ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径７０〜１００ｎｍ）０．０２ｇ、シクロヘキサノン１６．６０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０９ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−３）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例４）
合成例１で得た樹脂０．３ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径１０〜１５ｎｍ）０．０５ｇ、シクロヘキサノン１８．２２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．７７ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−４）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例５）
合成例１で得た樹脂０．６ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ−Ｌ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径４０〜５０ｎｍ）０．１ｇ、シクロヘキサノン２９．０６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２．３７ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−５）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例６）
合成例１で得た樹脂０．３ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＭＩＢＫ−ＳＴ−Ｌ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径４０〜５０ｎｍ）０．１ｇ、シクロヘキサノン２５．５２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１０．８７ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−６）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例７）
合成例１で得た樹脂０．３ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製〔商品名〕ＰＧＭ−ＳＴ、分散媒はプロピレングリコールモノメチルエーテル、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径１０〜１５ｎｍ）０．０５ｇ、シクロヘキサノン１８．２２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．７８ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−７）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例８）
有機樹脂（ａ２）として商品名エポリードＧＴ４０１（株式会社ダイセル化学製）０．３ｇを、オルガノシリカゾル液（日産化学工業株式会社製、商品名ＭＩＢＫ−ＳＴ、分散媒はメチルイソブチルケトン、シリカ濃度は３０質量％、平均粒子径は１０〜１５ｎｍ）０．５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４８．７８ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル０．１ｇ、に添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−８）の溶液を調製した。
（組成物（ａ３）に相当する表面粗化材調製例９）
合成例２で得た樹脂０．３０ｇを、サンコロイド液（日産化学工業株式会社製、商品名ＨＴ−Ｒ３０５Ｍ７−２０、酸化チタニウムゾル、分散媒はメタノール、酸化チタニウム濃度は３０質量％、平均粒子径は２０〜２５ｎｍ）０．１５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１６．２６ｇ、に添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、組成物（ａ３−９）の溶液を調製した。
（比較調製例１）
合成例１で得た樹脂０．６ｇを、シクロヘキサノン２９．０６ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１２．３７ｇに添加し溶液とした。その後、孔径０．２μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、比較組成物（ａ３−１０）の溶液を調製した。
＜表面粗化形成層の形成＞
実施例１
表面粗化材調製例１で得られた組成物（ａ３−１）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し１５ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例２
表面粗化材調製例２で得られた組成物（ａ３−２）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し４０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例３
表面粗化材調製例３で得られた組成物（ａ３−３）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し９０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例４
表面粗化材調製例４で得られた組成物（ａ３−４）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し１５ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例５
表面粗化材調製例５で得られた組成物（ａ３−５）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し４０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例６
表面粗化材調製例６で得られた組成物（ａ３−６）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し４０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例７
表面粗化材調製例７で得られた組成物（ａ３−７）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し１５ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例８
表面粗化材調製例５で得られた組成物（ａ３−５）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し４０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例９
表面粗化材調製例８で得られた組成物（ａ３−８）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し１５ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
実施例１０
表面粗化材調製例９で得られた組成物（ａ３−９）の溶液をスピンコーターにてＴｉＮ基板に塗布し、３００℃１分間焼成し１５ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
比較例１
比較調製例１で得られた比較組成物（ａ３−１０）の溶液をスピンコーターにてＴＥＯＳ基板（ＳｉＯ２膜被覆シリコンウエハー）に塗布し、２４０℃１分間焼成し４０ｎｍの有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）を形成した。
（表面粗化評価）
実施例１〜９から得られた有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）が形成されたウェハを商品名ＬＡＬ１４００（ステラケミファ社製、フッ化水素酸とフッ化アンモニウム溶液の混合水溶液）にてエッチングを行なった。ビーカー中にＬＡＬ１４００を溜めた後、該当ウェハを浸漬させてエッチングを実施した。エッチング時間は１５〜２４０秒で行った。その後、ウェハ上に残った有機物残渣を除去するため、ＲＩＥ−１０ＮＲ（サムコ株式会社）を用いてＯ２ガスにてアッシング除去を行った。
実施例１０から得られた有機樹脂層Ａ（表面粗化形成層）が形成されたウェハをアンモニア／過酸化水素／水＝２５／１００／５００にてエッチングを行なった。ビーカー中に上記溶液を溜めた後、ビーカーを湯浴に浸して５０℃まで温めた。その後、その溶液に該当ウェハを浸漬させてエッチングを実施した。エッチング時間は６０秒で行った。その後、ウェハ上に残った有機物残渣を除去するため、ＲＩＥ−１０ＮＲ（サムコ株式会社）を用いてＯ２ガスにてアッシング除去を行った。
また比較例１から得られた有機樹脂層（表面粗化形成層）についても実施例１〜９と同様にエッチングとアッシング除去を行った。
実施例１〜９から得られた表面粗化形成層が形成されたウェハをエッチング・アッシング除去を行い、表面を粗化したウェハーについて、その表面を走査型電子顕微鏡（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓ−４８００）を用いて、表面粗化パターン形状を観察した（図１〜図９を参照）。
本発明は基板の表面を粗化する方法を提供する。詳細には、無機物と有機物の溶液のエッチング速度差を利用して、基板上に無機物と有機物が混在する層、より具体的には基板の表面に溶液によりエッチングされる部分とエッチングされない部分が混在する表面粗化形成層を形成する。次いで無機物が存在する部分を溶液によりエッチングすることで基板の表面を暴露し、それと同時にＳｉＯ２被覆基板も溶液のエッチングにより表面粗化されることで、例えば基板上に微細な凹凸を形成することができる。これらを利用して、本発明の表面粗化方法は、ＬＥＤ等の光取り出し層や太陽電池の低反射層の形成に適用することができる。

Claims (16)

  1. 基板の表面上に無機粒子（ａ１）が有機溶剤に分散したゾルと有機樹脂（ａ２）を含む組成物（ａ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ａ）を該基板上に形成する第１工程、
    有機樹脂層（Ａ）が形成された基板をフッ化水素、過酸化水素、又は酸を含む溶液でエッチングすることにより、有機樹脂層（Ａ）中の無機粒子（ａ１）はエッチングされ、該基板の表面を粗化する第２工程、
    を含む、表面粗化方法。
  2. エッチングがフッ化水素とアンモニウム塩、過酸化水素とアンモニア、過酸化水素と硫酸、又はリン酸と硝酸を含む溶液で行われる、請求項１に記載の表面粗化方法。
  3. エッチングがフッ化水素とフッ化アンモニウム、又は過酸化水素とアンモニアを含む溶液で行われる、請求項１に記載の表面粗化方法。
  4. 無機粒子（ａ１）が平均粒子径５〜１０００ｎｍの金属酸化物粒子である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  5. 組成物（ａ３）が、無機粒子（ａ１）としてシリカが有機溶剤に分散したシリカゾル、又は無機粒子（ａ１）として酸化チタニウムが有機溶剤に分散した酸化チタニウムゾルと、有機樹脂（ａ２）の溶液との混合物である、請求項１に記載の表面粗化方法。
  6. 有機樹脂層（Ａ）が、無機粒子（ａ１）及び有機樹脂（ａ２）を、有機樹脂（ａ２）１００質量部に対して無機粒子（ａ１）５〜７０質量部の割合で含有する、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  7. 有機樹脂（ａ２）が、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせから
    なる官能基を有する構造からなる、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  8. 第２工程が、エッチングにより基板表面にアスペクト比（高さ）／（直径）で０．１〜２０の範囲にある孔を形成する工程である、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  9. 有機樹脂層（Ａ）が０．００１〜１０μｍの層厚を有する層である、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  10. 第１工程が、有機樹脂層（Ａ）を形成する前に、基板の表面上に有機樹脂（ｂ２）を含む組成物（ｂ３）を塗布し、次いで乾燥と硬化を為すことにより有機樹脂層（Ｂ）を該基板上に形成する第１’工程を更に含む、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  11. 有機樹脂（ｂ２）が、繰り返し単位構造を有する樹脂であって、該繰り返し単位構造は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、グリシジル基、又はそれらの組み合わせからなる官能基を繰り返し単位構造内に有する構造である有機樹脂（ａ２）から選択される、請求項１０に記載の表面粗化方法。
  12. 有機樹脂層（Ｂ）が０．００１〜１０μｍの層厚を有する層である、請求項１０又は請求項１１に記載の表面粗化方法。
  13. 組成物（ａ３）が更に架橋剤と架橋触媒を含有する、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  14. 組成物（ａ３）及び組成物（ｂ３）の何れか一方もしくは双方が、更に架橋剤と架橋触媒を含有する、請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  15. 第２工程の後に、基板表面のガスエッチングを為す第３工程を更に含む、請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表面粗化方法。
  16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の表面粗化方法により形成された層を、ＬＥＤの光取り出し層、又は太陽電池の低反射ガラス層として使用する方法。
JP2017539980A 2015-09-15 2016-09-15 湿式処理による表面粗化方法 Active JP6823293B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015182144 2015-09-15
JP2015182144 2015-09-15
PCT/JP2016/077324 WO2017047713A1 (ja) 2015-09-15 2016-09-15 湿式処理による表面粗化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017047713A1 JPWO2017047713A1 (ja) 2018-07-05
JP6823293B2 true JP6823293B2 (ja) 2021-02-03

Family

ID=58289025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017539980A Active JP6823293B2 (ja) 2015-09-15 2016-09-15 湿式処理による表面粗化方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10804111B2 (ja)
JP (1) JP6823293B2 (ja)
KR (1) KR102492366B1 (ja)
CN (2) CN118117019A (ja)
TW (1) TWI810147B (ja)
WO (1) WO2017047713A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015147294A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 日産化学工業株式会社 表面粗化方法
CN111910231B (zh) * 2020-07-22 2022-09-27 东莞市百镀通五金电镀实业有限公司 一种玻纤增强塑胶粗化处理用粗化液及粗化方法
CN117153958A (zh) * 2023-09-12 2023-12-01 深圳市同和光电科技有限公司 一种提升红外led芯片辐射功率处理方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031272B2 (ja) * 1996-12-05 2000-04-10 日本電気株式会社 樹脂組成物及びその成形体表面への導体形成方法
KR100248113B1 (ko) * 1997-01-21 2000-03-15 이기원 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물
TWI229890B (en) * 2003-04-24 2005-03-21 Sanyo Electric Co Semiconductor device and method of manufacturing same
JP2006107744A (ja) 2004-09-30 2006-04-20 Toshiba Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4887612B2 (ja) * 2004-10-20 2012-02-29 日油株式会社 減反射材及びそれを用いた電子画像表示装置
JP5214284B2 (ja) 2008-03-10 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置用光取り出し層、およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2010032543A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 富士フイルム株式会社 表面処理用マスク及びその製造方法、表面処理方法、並びに、粒子含有フィルム及びその製造方法
JP2010074004A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Fujifilm Corp 表面処理方法、表面処理用マスク、及び光学デバイス
JP2011086762A (ja) * 2009-10-15 2011-04-28 Fujifilm Corp 表面処理方法、表面処理用液状組成物、及び光学デバイス
WO2015147294A1 (ja) * 2014-03-28 2015-10-01 日産化学工業株式会社 表面粗化方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10804111B2 (en) 2020-10-13
KR102492366B1 (ko) 2023-01-27
TWI810147B (zh) 2023-08-01
TW201727271A (zh) 2017-08-01
WO2017047713A1 (ja) 2017-03-23
US20190092681A1 (en) 2019-03-28
CN118117019A (zh) 2024-05-31
CN108028194A (zh) 2018-05-11
JPWO2017047713A1 (ja) 2018-07-05
KR20180053656A (ko) 2018-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7050137B2 (ja) ハードマスクおよび充填材料として安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法
TWI363251B (en) Sublayer coating-forming composition for lithography containing compound having protected carboxy group
TWI383263B (zh) 形成硬式光罩用塗佈型氮化膜之組成物
CN105900014B (zh) 多金属氧酸盐和杂多金属氧酸盐组合物及其使用方法
KR101339763B1 (ko) 반사방지 하드 마스크 조성물
JP5062420B2 (ja) ポリシラン化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
US11459414B2 (en) Film forming composition containing fluorine-containing surfactant
JP4793583B2 (ja) 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物
JP6823293B2 (ja) 湿式処理による表面粗化方法
JP6551691B2 (ja) 表面粗化方法
JP2021141205A (ja) 表面粗化方法及び表面粗化層を有する基板
KR20200090917A (ko) 내균열성 폴리실록산 유전체 평탄화 조성물, 방법 및 필름

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200513

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20200703

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200908

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201222

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6823293

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151