JP6822807B2 - X線コンピュータ断層撮影装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、X線コンピュータ断層撮影装置に関する。
X線コンピュータ断層撮影装置は、X線を発生するX線管球を搭載している。スキャンの前においてX線管球内の清浄度を保全したり、X線管球内の回転陽極等の部品の温度を規定値以上に上昇させたりするため、高電圧の印加とフィラメント加熱電流の供給とによるX線管球のウォームアップが行われる。
ウォームアップではスキャンに使用する陰極を流用しているため、スキャン以外の用途で陰極の寿命を縮めている虞がある。また、焦点の大きさも固定されるため、陽極の表面が荒れてしまう虞もある。
特開2004−296242号公報 特開2011−238614号公報 特開2002−319359号公報
目的は、ウォームアップに起因するX線管球の劣化を抑制することを可能にするX線コンピュータ断層撮影装置を提供することである。
本実施形態に係るX線コンピュータ断層撮影装置は、熱電子を発生する陰極と、前記陰極からの熱電子を受けてX線を発生する陽極と、前記陰極からの熱電子を集束又は偏向するための電場又は磁場を印加する調節器とを有するX線管球と、前記陽極から発生されたX線を検出するX線検出器と、前記X線検出器により検出されたX線に応じたデータを収集するデータ収集部と、前記収集されたデータに基づいて画像を生成する画像生成部と、
前記陰極からの熱電子の前記陽極での焦点のサイズ及び位置の少なくとも一方を、スキャンとウォームアップとで切り替えるために前記調節器を制御する制御部と、を具備する。
図1は、本実施形態に係るX線コンピュータ断層撮影装置の構成を示す図である。 図2は、実施例1に係るX線管球と高電圧発生器との構成を示す図である。 図3は、実施例1に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極の正面図である。 図4は、実施例1に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極の側面図である。 図5は、他の実施例1に係るスキャン用の焦点位置とウォームアップ用の焦点位置とが示された陽極の正面図である。 図6は、他の実施例1に係るスキャン用の焦点位置とウォームアップ用の焦点位置とが示された陽極の側面図である。 図7は、実施例1に係る焦点サイズの切替えに関する加熱電流と管電圧とのタイミングチャートを示す図である。 図8は、実施例2に係るX線管球と高電圧発生器との構成を示す図である。 図9は、実施例2に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極の正面図である。 図10は、実施例2に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極の側面図である。 図11は、実施例2に係るフィラメントの切替えに関する加熱電流と管電圧とのタイミングチャートを示す図である。
以下、図面を参照しながら本実施形態に係わるX線コンピュータ断層撮影装置及びX線管装置を説明する。
図1は、本実施形態に係わるX線コンピュータ断層撮影装置の構成を示す図である。図1に示すように、本実施形態に係るX線コンピュータ断層撮影装置は、架台装置10とコンソール50とを有する。例えば、架台装置10はCT検査室に設置され、コンソール50はCT検査室に隣接する制御室に設置される。架台装置10とコンソール50とは互いに通信可能に有線又は無線で接続されている。架台装置10は、被検体SをX線コンピュータ断層撮影(以下、X線CT撮影と呼ぶ)するための構成を有するスキャン装置である。コンソール50は、架台装置10を制御するコンピュータである。
図1に示すように、架台装置10は、撮影空間(field of view)をなす開口が形成された略円筒形状の回転フレーム11を有する。図1に示すように、回転フレーム11には、開口を挟んで対向するように配置されたX線管球13とX線検出器15とが取付けられている。回転フレーム11は、アルミ等の金属により円環形状に形成された金属枠である。X線管球13とX線検出器15とは、例えば、回転フレーム11に形成された凹部に嵌め込まれても良いし、ネジ等の締結具により締結されても良い。より詳細には、架台装置10は、アルミ等の金属により形成されたメインフレーム(図示せず)を有する。回転フレーム11は、当該メインフレームにより中心軸Z回りに軸受等を介して回転可能に支持されている。メインフレームの回転フレーム11との接触部には環状電極(図示せず)が設けられている。メインフレームの当該接触部には環状電極に摺り接触するように導電性の摺動子(図示せず)が取り付けられている。当該環状電極及び摺動子を介して、架台装置10に収容された電源装置(図示せず)からの電力が回転フレーム11に搭載されたX線検出器15や高電圧発生器17等の各種機器に供給される。
X線管球13は、高電圧発生器17に接続されている。高電圧発生器17は、例えば、回転フレーム11に取付けられている。高電圧発生器17は、架台の電源装置(図示せず)から環状電極及び摺動子を介して供給された電力から、架台制御回路25による制御に従いX線管球13に印加する高電圧を発生しフィラメント加熱電流を供給する。高電圧発生器17とX線管球13とは高圧ケーブル(図示せず)を介して接続されている。高電圧発生器17により発生された高電圧は、高圧ケーブルを介してX線管球13に印加される。また、高電圧発生器17により発生されたフィラメント加熱電流は、高圧ケーブルを介してX線管球13に印加される。
X線管球13のX線照射窓の前方には前置コリメータ19が取付けられている。前置コリメータ19は、X線管球13から放射されたX線の照射野を限定する。より詳細には、前置コリメータ19は、X線を減弱する物質により形成された絞り羽根を有する。絞り羽根により形成される開口により照射野が規定される。絞り羽根は、X線を減弱する物質であれば如何なる物質により形成されても良いが、例えば、鉛等の重金属により形成されると良い。
回転フレーム11の開口(bore)にはFOV(field of view)が設定される。回転フレーム11の開口内には天板21が挿入される。天板21には被検体Sが載置される。天板21に載置された被検体Sの撮像部位がFOV内に含まれるように天板21が位置決めされる。回転フレーム11は、回転駆動装置23からの動力を受けて中心軸Z回りに一定の角速度で回転する。回転駆動装置23としてダイレクトドライブモータやサーボモータ等の任意のモータが用いられる。回転駆動装置23は、例えば、架台装置10に収容されている。回転駆動装置23は、架台制御回路25からの駆動信号を受けて回転フレーム11を回転させるための動力を発生する。
X線検出器15は、X線管球13から発生されたX線を検出する。具体的には、X線検出器15は、2次元湾曲面上に配列された複数の検出器画素(図示せず)を有している。各検出器画素は、シンチレータと光電変換素子とを有する。シンチレータは、X線を蛍光に変換する物質である。シンチレータ物質としては、例えば、NaIやBGO等が用いられる。シンチレータは、入射X線を、当該入射X線の強度に応じた個数の蛍光光子に変換する。光電変換素子は、蛍光を増幅して電気信号に変換する回路素子である。光電変換素子としては、例えば、光電子増倍管やフォトダイオード等が用いられる。なお、検出器画素は、上記の通りX線を光に変換してから検出する間接検出型でも良いし、X線を直接的に電気信号に変換する直接変換型であっても良い。直接検出型の検出器画素としては、例えば、半導体の両端に電極が取り付けられてなる半導体ダイオードを含むタイプが適用可能である。
X線検出器15にはデータ収集回路27が接続されている。データ収集回路27は、X線検出器15から、X線検出器15により検出されたX線の強度に応じたデータ(以下、生データと呼ぶ)をビュー毎に収集する。具体的には、データ収集回路27は、例えば、検出器画素毎に積分回路(図示せず)とA/D変換器(図示せず)とを有する。積分回路は、検出器画素からの電気信号をビュー毎に積分する。A/D変換器は、積分された電気信号をアナログ信号からデジタル信号(生データ)に変換する。これにより、ビュー毎の生データが収集される。生データは、生成元の検出器画素のチャンネル番号、列番号及び収集されたビューを示すビュー番号により識別されたX線の強度を示すデジタル値のセットである。生データは、例えば、架台装置10に収容された非接触データ伝送装置(図示せず)を介してコンソール50に供給される。なお、データ収集回路27には前置増幅器やIV変換器等の他の回路素子が実装されていても良い。データ収集回路27は、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等の半導体集積回路を有し、当該半導体集積回路に上記の積分回路やA/D変換器等の回路素子が実装される。
架台制御回路25は、コンソール50のシステム制御回路61からの制御に従い高電圧発生器17、回転駆動装置23及びデータ収集回路27を同期的に制御し、被検体SについてX線CT撮影を行う。ハードウェア資源として、架台制御回路25は、CPU(Central Processing Unit)やMPU(Micro Processing Unit)等の処理装置(プロセッサ)とROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等の記憶装置(メモリ)とを有する。架台制御回路25は、架台装置10に設けられても良いし、コンソール50に設けられても良いし、架台装置10及びコンソール50とは別体の装置に設けられても良い。また、架台制御回路25は、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC)やフィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(Field Programmable Logic Device:FPGA)、他の複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)により実現されても良い。処理装置は、記憶装置に保存されたプログラムを読み出して実行することで上記機能を実現する。なお、記憶装置にプログラムを保存する代わりに、処理装置の回路内にプログラムを直接組み込むように構成しても構わない。この場合、処理装置は、当該回路内に組み込まれたプログラムを読み出して実行することで上記機能を実現する。
図1に示すように、コンソール50は、バス(bus)を介して接続された画像再構成回路51、画像処理回路53、表示回路55、入力回路57、主記憶回路59及びシステム制御回路61を有する。画像再構成回路51、画像処理回路53、表示回路55、入力回路57、主記憶回路59及びシステム制御回路61間のデータ通信は、バスを介して行われる。
画像再構成回路51は、架台装置10からの生データに基づいて被検体Sに関する画像を再構成する。具体的には、画像再構成回路51は、データ記憶回路511、前処理部513及び再構成処理部515を有する。データ記憶回路511は、架台装置10から伝送された生データを記憶するHDD(hard disk drive)やSSD(solid state drive)、集積回路記憶装置等の記憶装置である。前処理部513は、生データに対数変換やメタルアーチファクト低減処理等の前処理を行う。再構成処理部515は、前処理後の生データに基づいてX線減弱係数に依存するCT値の空間分布を表現すCT画像を発生する。画像再構成アルゴリズムとしては、FBP(filtered back projection)法やCBP(convolution back projection)法等の解析学的画像再構成法や、ML−EM(maximum likelihood expectation maximization)法やOS−EM(ordered subset expectation maximization)法等の統計学的画像再構成法等の既存の画像再構成アルゴリズムが用いられれば良い。
画像再構成回路51は、ハードウェア資源として、CPUやMPU、GPU(Graphics Processing Unit)等の処理装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。また、画像再構成装置51は、ASICやFPGA、CPLD、SPLDにより実現されても良い。当該処理装置は、当該記憶装置に保存されたプログラムを読み出して実行することで前処理部513の機能と再構成処理部515の機能とを実現する。なお、当該記憶装置にプログラムを保存する代わりに、当該処理装置の回路内にプログラムを直接組み込むように構成しても構わない。この場合、当該処理装置は、回路内に組み込まれたプログラムを読み出して実行することで再構成処理部515の機能を実現する。また、前処理部513の機能を実現する専用のハードウェア回路と再構成処理部515の機能を実現する専用のハードウェア回路とが画像再構成回路51に実装されても良い。
画像処理装置53は、画像再構成回路51により再構成されたCT画像に種々の画像処理を施す。例えば、画像処理回路53は、CT画像がボリュームデータの場合、当該CT画像にボリュームレンダリングや、サーフェスボリュームレンダリング、画像値投影処理、MPR(Multi-Planer Reconstruction)処理、CPR(Curved MPR)処理等の3次元画像処理を施して表示画像を発生する。画像処理回路53は、ハードウェア資源として、CPUやMPU、GPU等の処理装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。また、画像処理回路53は、ASICやFPGA、CPLD、SPLDにより実現されても良い。
表示回路55は、2次元のCT画像や表示画像等の種々のデータを表示する。具体的には、表示回路55は、表示インタフェース回路と表示機器とを有する。表示インタフェース回路は、表示対象を表すデータをビデオ信号に変換する。表示信号は、表示機器に供給される。表示機器は、表示対象を表すビデオ信号を表示する。表示機器としては、例えば、CRTディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、LEDディスプレイ、プラズマディスプレイ、又は当技術分野で知られている他の任意のディスプレイが適宜利用可能である。
入力回路57は、ユーザからの各種指令を入力する。具体的には、入力回路57は、入力機器と入力インタフェース回路とを有する。入力機器は、ユーザからの各種指令を受け付ける。入力機器としては、キーボードやマウス、各種スイッチ等が利用可能である。入力インタフェース回路は、入力機器からの出力信号をバスを介してシステム制御回路61に供給する。なお、入力回路57は、コンソール50に設けられても良いし、架台装置10に設けられても良い。
主記憶回路59は、種々の情報を記憶するHDDやSSD、集積回路記憶装置等の記憶装置である。また、主記憶回路59は、CD−ROMドライブやDVDドライブ、フラッシュメモリ等の可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置等であっても良い。例えば、主記憶回路59は、本実施形態に係るX線CT撮影に関する制御プログラム等を記憶する。
システム制御回路61は、ハードウェア資源として、CPUやMPU等の処理装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。また、システム制御回路61は、ASICやFPGA、CPLD、SPLDにより実現されても良い。システム制御回路61は、本実施形態に係るX線コンピュータ断層撮影装置の中枢として機能する。具体的には、システム制御回路61は、主記憶回路59に記憶されている制御プログラムを読み出してメモリ上に展開し、展開された制御プログラムに従ってX線コンピュータ断層撮影装置の各部を制御する。
画像再構成回路51、画像処理回路53及びシステム制御回路61は、コンソール50内の単一の回路に集約されても良いし、複数の回路に分散されても良い。また、画像再構成回路51、画像処理回路53及びシステム制御回路61は、コンソール50内の単一の基板に集約されても良いし、複数の基板に分散されても良い。
以下、本実施形態に係るX線コンピュータ断層撮影装置の詳細について実施例1と実施例2とに分けて詳細に説明する。
(実施例1)
図2は、実施例1に係るX線管球13と高電圧発生器17との構成を示す図である。図2に示すように、X線管球13は、陰極131、陽極133、回転子135及び調節器137を収容している。陰極131は、細線形状又は板形状を有する金属により形成される。細線形状を有する場合、陰極131は、板形状を有する場合に比して熱応答性に優れ、また、経験的に特性がよく知られている。板形状を有する場合、陰極131は、細線形状を有する場合に比して寿命が長い。以下、陰極131は、細線形状を有するタングステンやニッケル等の金属により実現されるフィラメントであるものとする。フィラメント131は、ケーブル等を介して高電圧発生器17に接続されている。フィラメント131は、高電圧発生器17からのフィラメント加熱電流の供給を受けて発熱し熱電子を放出する。
陽極133は、タングステンやモリブデン等の重金属により形成された円盤形状を有する電極である。回転子135は、陽極133に取り付けられている。回転子135の軸回りの回転に伴い陽極133が回転する。陽極133と回転子135とは回転陽極を構成する。フィラメント131と陽極133との間には高電圧発生器17により高電圧が印加される。フィラメント131から発生された熱電子は、フィラメント131と陽極133との間に印加された高電圧により、ビーム状に集束しながら加速され、回転中の陽極133に衝突する。陽極133は、フィラメント131からの熱電子を受けて制動X線を放射する。
調節器137は、フィラメント131と陽極133との間に配置されている。調節器137は、陽極133の表面における焦点のサイズを電気的又は磁気的に調節する。調節器137としては、電気的又は磁気的に熱電子の軌道を偏向する如何なるハードウェアであっても良い。例えば、調節器137としては、電極や磁石、コイル等により実現される。以下、調節器137は、電極であるとする。調節器137は、高電圧発生器17からの電圧の印加を受けて、フィラメント131から陽極133へ飛翔する熱電子の軌道を偏向し、焦点のサイズを調節する。
高電圧発生器17は、架台制御回路25による制御に従いX線管球13に高電圧を印加しフィラメント加熱電流を供給する。実施例1に係る高電圧発生器17は、焦点サイズ可変機能(FSC:focus size control)により、X線管球13に含まれる陰極131からの熱電子の陽極133での焦点のサイズをスキャンとウォームアップとで選択的に切り替える。具体的には、高電圧発生器17は、電源回路31、高電圧発生回路33、フィラメント加熱回路35、管電圧検出器37、管電流検出器39、管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45を有する。
電源回路31は、架台装置10が設置されている検査室等に設けられた電源設備からの交流に基づいて直流を発生する。具体的には、電源回路31は、整流回路と平滑コンデンサとを有している。整流回路は、電源設備からの交流を直流に整流する。平滑コンデンサは、整流回路により整流された交流を平滑する。この整流及び平滑により交流が直流に変換される。なお、電源回路31に電力を供給する電源は、電源設備のみに限定されず、コンデンサや蓄電池でも良い。
高電圧発生回路33は、管電圧制御回路41による制御に従い、X線管球13に印加される高電圧を発生する。高電圧発生回路33と陽極133とは陽極側高電圧ケーブルにより接続され、高電圧発生回路33とフィラメント131とは陰極側高電圧ケーブルにより接続されている。高電圧発生回路33としては、変圧式X線高電圧装置、定電圧形X線高電圧装置、コンデンサ式X線高電圧装置、インバータ式X線高電圧装置等の如何なる形式にも適用可能ある。例えば、インバータ式の場合、高電圧発生回路33は、インバータと高電圧変換器とを有する。インバータは、電源回路31からの直流を、管電圧制御回路による制御に従うタイミングでスイッチングをし、交流の出力パルスに変換する。高電圧変換器は、インバータからの交流の出力パルスを直流の高電圧に変換する。
フィラメント加熱回路35は、管電流制御回路43による制御に従い、フィラメント131を加熱するための電力を発生する。フィラメント加熱回路35としては、可変抵抗方式と高周波加熱方式との何れもが適用可能である。例えば、高周波加熱方式の場合、フィラメント加熱回路35は、インバータとフィラメント加熱変圧器とを有する。インバータは、電源回路31からの直流を、管電圧制御回路による制御に従うタイミングでスイッチングをし、交流の出力パルスに変換する。フィラメント加熱変圧器は、インバータからの交流の出力パルスを直流のフィラメント加熱電流に変換する。
陽極側高電圧ケーブルと陰極側高電圧ケーブルとの間には管電圧検出器37が接続されている。管電圧検出器37は、陰極131と陽極133との間に印加された高電圧を管電圧として検出する。検出された管電圧値(以下、管電圧検出値と呼ぶ)のデータは、管電圧制御回路41に供給される。
陽極側ケーブルには管電流検出器39が接続されている。管電流検出器39は、陰極131から陽極133に熱電子が流れることに起因して陽極側ケーブルに流れた電流を管電流として検出する。検出された管電流値(以下、管電流検出値と呼ぶ)のデータは、管電流制御回路43に供給される。
管電圧制御回路41は、管電圧検出値と設定管電圧値との比較に基づいて高電圧発生回路33を制御する。より詳細には、管電圧制御回路41は、管電圧検出値を設定管電圧値に対して比較し、管電圧検出値が設定管電圧に収束するように高電圧発生回路33をフィードバック制御する。設定管電圧値のデータは、架台制御回路25から供給される。
管電流制御回路43は、管電流検出値と設定管電流との比較に基づいてフィラメント加熱回路35を制御する。より詳細には、管電流制御回路43は、管電流検出値を設定管電流値に対して比較し、管電流検出値が設定管電流値に収束するようにフィラメント加熱回路35をフィードバック制御する。設定管電圧値のデータは、架台制御回路25から供給される。
調節器制御回路45は、フィラメント131からの熱電子の陽極133での焦点のサイズと位置との少なくとも一方を、スキャンとウォームアップとで切り替えるために調節器137を制御する。具体的には、調節器制御回路45は、架台制御回路25からスキャン中である旨の信号(以下、スキャン信号と呼ぶ)が供給された場合、フィラメント131からの熱電子がスキャン用のサイズの焦点に集束するように調節器137を制御する。また、架台制御回路25からスキャン信号が供給された場合、調節器制御回路45は、サイズの集束とは個別に又は並行して、フィラメント131からの熱電子がスキャン用の焦点位置に衝突するように調節器137を制御しても良い。架台制御回路25からウォームアップ中である旨の信号(以下、ウォームアップ信号と呼ぶ)が供給された場合、調節器制御回路45は、熱電子がウォームアップ用のサイズの焦点に集束するように調節器137を制御する。また、架台制御回路25からウォームアップ信号が供給された場合、調節器制御回路45は、サイズの集束とは個別に又は並行して、フィラメント131からの熱電子がウォームアップ用の焦点位置に衝突するように調節器137を制御しても良い。なお、焦点位置は、厳密には、陽極133における焦点の中心点の位置を指すものとする。
調節器制御回路45は、予め決定されたスキャン用の焦点F1のサイズに対応する集束電圧値とウォームアップ用の焦点F2のサイズに対応する集束電圧値とをメモリ等に記憶している。スキャンにおいて架台制御回路25からスキャン信号が供給された場合、調節器制御回路45は、スキャン用の焦点F1のサイズに対応する集束電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された集束電圧値に対応する電圧を調節器137に印加する。これによりスキャン用の焦点F1に切替えられる。ウォームアップにおいて架台制御回路25からのウォームアップ信号が供給された場合、調節器制御回路45は、ウォームアップ用の焦点F2のサイズに対応する集束電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された集束電圧値に対応する電圧を調節器137に印加する。これによりウォームアップ用の焦点F2に切替えられる。すなわち、調節器制御回路45は、ウォームアップ時とスキャン時とで、焦点を陽極133の回転半径方向に関して異なる位置に移動させることができる。
同様に、調節器制御回路45は、予め決定されたスキャン用の焦点F1の位置に対応する偏向電圧値とウォームアップ用の焦点F2の位置に対応する偏向電圧値とをメモリ等に記憶している。スキャンにおいて架台制御回路25からスキャン信号が供給された場合、調節器制御回路45は、スキャン用の焦点F1の位置に対応する偏向電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された偏向電圧値に対応する電圧を調節器137に印加する。これによりスキャン用の焦点F1に切替えられる。ウォームアップにおいて架台制御回路25からのウォームアップ信号が供給された場合、調節器制御回路45は、ウォームアップ用の焦点F2の位置に対応する偏向束電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された偏向電圧値に対応する電圧を調節器137に印加する。これによりウォームアップ用の焦点F2に切替えられる。すなわち、調節器制御回路45は、ウォームアップ時とスキャン時とで、焦点を陽極133の回転半径方向に関して異なる位置に移動させることができる。
管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45は、単一の基板に実装されても良いし、複数の基板に実装されても良い。また、管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45は、アナログ回路により実現されても良いし、デジタル回路により実現されても良い。デジタル回路として実装される場合、管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45は、ハードウェア資源として、CPUやMPU等の処理装置(プロセッサ)とROMやRAM等の記憶装置(メモリ)とを有する。また、管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45は、ASICやFPGA、CPLD、SPLDにより実現されても良い。
図3は、スキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極133の正面図である。図4は、スキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極133の側面図である。図3及び図4に示すように、スキャン中においてフィラメント131からの熱電子は、スキャン用のサイズの焦点F1に集束される。ウォームアップ中においてフィラメント131からの熱電子は、ウォームアップ用のサイズの焦点F2に集束される。ウォームアップ用の焦点サイズがスキャン用の焦点サイズに比して小さい場合、ウォームアップにより陽極133の焦点が荒れる虞がある。また、焦点サイズが大きいほど陽極133の広い範囲に熱電子が衝突するため、単位面積当たりの熱量が同一の場合、焦点サイズが大きいほど陽極133を早く温めることができる。よって、ウォームアップによる焦点荒れを防止しつつ、陽極133を早く温めるため、ウォームアップ用の焦点F2のサイズは、スキャン用の焦点F1のサイズに比して大きいサイズに設定される。また、ウォームアップ用の焦点F2のサイズは、陽極133の焦点荒れを起こすことなく陽極133の温度を上昇させることができるサイズに設定される。
図5は、スキャン用の焦点位置とウォームアップ用の焦点位置とが示された陽極133の正面図である。図6は、スキャン用の焦点位置とウォームアップ用の焦点位置とが示された陽極133の側面図である。図5及び図6に示すように、スキャン中においてフィラメント131からの熱電子は、スキャン用の焦点F1の位置に集束される。ウォームアップ中においてフィラメント131からの熱電子は、ウォームアップ用の焦点F2の位置に集束される。ウォームアップ用の焦点F2の位置がスキャン用の焦点F1の位置が重畳する場合、陽極133の重畳部分が荒れる虞がある。よって、スキャン用の焦点F1の位置とウォームアップ用の焦点F2の位置とが重畳しないように、焦点F1の位置と焦点F2の位置とが設定されると良い。焦点F1の位置と焦点F2の位置とは陽極133の同一回転半径上に設定される。焦点F2の位置は、焦点F2上の陽極133部分の消耗を抑制するため、焦点F1の位置よりも回転半径の外側に設定されると良い。
以下、図7を参照しながら実施例1に係るX線コンピュータ断層撮影装置の動作例について説明する。
図7は、実施例1に係る焦点サイズ又は焦点位置の切替えに関する加熱電流と管電圧とのタイミングチャートを示す図である。図7の上段のグラフはフィラメント加熱電流の時系列を示し、図7の下段のグラフは管電圧の時系列を示す。図7の上段のグラフの縦軸はフィラメント加熱電流[mA]に規定され、横軸は時間に規定される。図7の下段のグラフの縦軸は管電圧[kV]に規定され、横軸は時間に規定される。なお、焦点サイズを切替えるか焦点位置を切替えるかは、入力回路57等を介して任意に選択可能である。
図7に示すように、ユーザにより入力回路57を介してウォームアップの開始指示がなされた場合(t0)、架台制御回路25は、X線管球13をウォーアップするために管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び調節器制御回路45を制御する。具体的には、架台制御回路25は、ウォームアップ信号を調節器制御回路45に供給する。ウォームアップ信号の供給を受けた調節器制御回路45は、焦点サイズの変更の場合、ウォームアップ用の焦点F2のサイズに対応する集束電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された集束電圧値に対応する電場を調節器137に印加する。焦点位置の変更の場合、調節器制御回路45は、ウォームアップ用の焦点F2の位置に対応する偏向電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された偏向電圧値に対応する電場を調節器137に印加する。また、架台制御回路25は、X線管球13の陽極133の温度が緩やかに上昇するように管電圧制御回路41と管電流制御回路43とを同期的に制御する。架台制御回路25は、X線管球13の陽極133の温度を緩やかに上昇させるために、フィラメント加熱電流値を0から設定管電流値A1までに緩やかに上昇させるように管電流制御回路43を制御し、且つ管電圧値を0から設定管電圧値V1まで緩やかに上昇させるように管電圧制御回路41を制御する。これにより、ウォームアップ用の焦点F2によりX線管球13をウォームアップすることが可能となる。ここで、緩やかにとは、管電流制御回路43によるフィードバック制御の設定値を初期的に設定管電流値A1に設定した場合に管電流検出値が設定管電流値A1に到達する時刻よりも長い時間をかけて、あるいは、管電圧制御回路41によるフィードバック制御の設定値を初期的に設定管電圧値V1に設定した場合に管電圧検出値が設定管電圧値V1に到達する時刻よりも長い時間をかけて、という意味である。
例えば、ウォームアップの開始時刻t0から終了時刻t1にかけて、管電流制御回路43は、フィードバック制御設定値を初期値から設定管電流値A1まで線形的に上昇させ、同様に、管電圧制御回路41は、フィードバック制御設定値を初期値から設定管電圧値V1まで線形的に上昇させても良い。ウォームアップの期間は、入力回路57等を介して予め設定されていると良い。あるいは、X線管球13に印加された熱量が所定の閾値に到達したことを契機として管電流制御回路43と管電圧制御回路41とは、ウォームアップを終了しても良い。X線管球13に印加される熱量は、例えば、管電圧検出器37からの管電圧検出値と管電流検出器39からの管電流検出値とに基づいて算出されても良いし、X線管球13に設けられた熱量計により計測されても良い。
フィードバック制御設定値の上昇の仕方は、線形上昇のみに限定されない。例えば、管電圧制御回路41は、フィードバック制御設定値を初期値から設定管電圧値V1まで、管電流制御回路43は、フィードバック制御設定値を初期値から設定管電流値A1まで段階的に引き上げることにより、X線管球13の陽極133の温度を緩やかに上昇させても良い。具体的には、管電圧制御回路41は、初期設定値から設定管電圧値V1までの各フィードバック設定値において設定時刻の経過を待機する。設定時刻が経過する度に管電圧制御回路41は、フィードバック制御設定値を一段階引き上げる。そして、設定管電圧値V1がフィードバック制御設定値に設定された場合において設定時刻が経過したことを契機として管電圧制御回路41は、高電圧発生回路33を停止する。同様に、管電流制御回路43は、初期設定値から設定管電流値A1までの各フィードバック制御設定値において設定時刻の経過を待機する。設定時刻が経過する度に管電流制御回路43は、フィードバック制御設定値を一段階引き上げる。そして、設定管電流値A1がフィードバック制御設定値に設定された場合において設定時刻が経過したことを契機として管電流制御回路43は、フィラメント加熱回路35を停止する。
上記において設定時刻が経過する度にフィードバック制御設定値を引き上げるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、管電圧制御回路41と管電流制御回路43とは、各フィードバック制御設定値においてX線管球13に印加された熱量をモニタリングし、熱量が閾値を超えたことを契機としてフィードバック制御設定値を引き上げても良い。
加熱電流と管電圧とのフィードバック制御設定値の引き上げのタイミングは特に限定されない。すなわち、本実施形態においては加熱電流と管電圧とのフィードバック制御設定値の引き上げは、同一タイミングで行われても良いし、互い違いに行われても良い。互い違いにフィードバック制御設定値を引き上げることにより、X線管球13の温度をより緩やかに上昇させることができ、急激な温度上昇を防止することができる。
調節器制御回路45は、調節器137を制御し、ウォームアップ用の焦点の位置を陽極133の半径方向に関して振動させても良い。ウォームアップ用の焦点の位置を陽極133の半径方向に関して振動することにより、陽極133の広範囲に熱電子が衝突するので、より早く陽極133を温めることが可能となる。
ウォームアップ時においても陽極133への熱電子の衝突によりX線が発生される。このため、ウォームアップ時において前置コリメータ19の絞り羽根が閉じられると良い。絞り羽根を閉じることにより、陽極133から発生されたX線が外部に漏れるのを防止しし、X線検出器15の劣化を防止し、ユーザ等の医療従事者や患者等の被検体等の不要な被曝を防止することができる。
高電圧発生回路33による高電圧の発生とフィラメント加熱回路35による加熱電力の発生とが終了することによりウォームアップが終了する(t1)。ウォームアップは、典型的には、5分程度の時間をかけて行われる。緊急時においては1−2分程度の時間で行われる。ウォームアップが終了すると、被検体の位置決めが行われる。ウォームアップ終了(時刻t1)からスキャン開始(時刻t2)の間は、高電圧の印加と加熱電流の供給とは停止している。
そして、ユーザにより入力回路57を介してスキャンの開始指示が入力されることを契機として(t2)、架台制御回路25は、高電圧発生器17、回転駆動装置23及びデータ収集回路27を制御してスキャンを開始する。この際、架台制御回路25は、スキャン信号を調節器制御回路45に供給する。スキャン信号の供給を受けた調節器制御回路45は、焦点サイズの変更の場合、スキャン用の焦点F1のサイズに対応する集束電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された集束電圧値に対応する電場が印加されるように調節器137を制御する。これにより、熱電子の焦点のサイズがスキャン用の焦点F1のサイズに切替えられる。焦点位置の変更の場合、調節器制御回路45は、スキャン用の焦点F1の位置に対応する偏向電圧値をメモリ等から読み出し、読み出された偏向電圧値に対応する電場を調節器137に印加する。これにより、熱電子の焦点の位置がスキャン用の焦点F1の位置に切替えられる。
そして架台制御回路25は、回転フレームを回転するために回転駆動装置23を制御し、回転フレームの角速度が設定値に達したら、高電圧発生器17とデータ収集回路27とを制御してX線の曝射とデータ収集とを繰り返す。この際、架台制御回路25は、設定管電圧値V1に対応する高電圧が高電圧発生回路33によりX線管球13に印加されるように管電圧制御回路41を制御し、設定管電流値A1に対応する加熱電流がフィラメント加熱回路35によりフィラメント131に供給されるように管電流制御回路43を制御する。高電圧の印加と加熱電流の供給とによりX線が曝射される。本実施形態においてはスキャンの前にウォームアップが行われているので、スキャンの開始直後からX線管球13に設定管電圧値V1に対応する高電圧を印加し設定管電流値A1の加熱電流を供給しても、X線管球13は、放電の発生なくX線を曝射し続けることができる。
X線管球13から曝射されたX線は、被検体を透過してX線検出器15により検出される。データ収集回路27は、X線検出器15により検出されたX線の強度に応じた生データをビュー毎に収集する。収集された生データは、コンソール50に伝送される。画像再構成装置51は、架台装置10からの生データに基づいて被検体に関するCT画像を再構成する。再構成されたCT画像は、表示回路55により表示される。
所定の時刻が経過したことを契機として(t3)、架台制御回路25は、高電圧発生器17、回転駆動装置23及びデータ収集回路27を制御してスキャンを終了する。
以上により、実施例1に係るX線コンピュータ断層撮影装置の動作例についての説明を終了する。
なお、上記の説明においてウォームアップにおいて加熱電流値を設定値A1まで上昇し、管電圧値を設定値V1まで上昇させるとした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、ウォームアップにおいては、加熱電流値を設定値A1まで上昇させなくても良いし、設定値A1よりも大きい値まで上昇させても良い。同様に、ウォームアップにおいては、管電圧値を設定値V1まで上昇させなくても良いし、設定値V1よりも大きい値まで上昇させても良い。
上記においてはスキャン用の焦点のサイズは一つであることを前提とした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、複数のスキャン用の焦点のサイズが設定されても良い。例えば、スキャン用の焦点として、比較的大きいサイズを有する大焦点と比較的小さいサイズを有する小焦点とが設定されても良い。この場合であっても、ウォームアップ用の焦点のサイズは、スキャン用の大焦点のサイズに比して大きいサイズに設定される。
また、上記においては、焦点サイズと焦点位置との何れか一方が切替えられるとしたが、焦点サイズと焦点位置との両方が切替えられても良い。
上記の通り、実施例1に係るX線コンピュータ断層撮影装置は、焦点サイズ及び焦点位置可変機能により、スキャンとウォームアップとにおいて焦点サイズ及び焦点位置の少なくとも一方を選択的に切替える。ウォームアップにおける焦点サイズ及び焦点位置とスキャンにおける焦点サイズ及び焦点位置とを異ならせることにより、スキャンとウォームアップとで焦点サイズ及び焦点位置が同一の場合に比して陽極133の表面の荒れを軽減することができる。また、ウォームアップに特化した焦点サイズ及び焦点位置を設定することにより、より効率的にウォームアップを行うことができる。また、後述の実施例2に比して、フィラメント131の個数を低減することができるので、フィラメント131の増加に伴う回路規模やコスト等を低減することができる。
かくして、本実施形態によれば、ウォームアップに起因するX線管球の劣化を抑制することが可能となる。
(実施例2)
実施例1においては調節器137によりスキャン用の焦点サイズ及び焦点位置とウォームアップ用の焦点サイズ及び焦点位置とを切替えることとした。実施例2においてはX線管球13にスキャン用のフィラメントとウォームアップ用のフィラメントとが収容されているものとする。以下、実施例2に係るX線コンピュータ断層撮影装置について説明する。なお以下の説明において、実施例1と略同一の機能を有する構成要素については、同一符号を付し、必要な場合にのみ重複説明する。
図8は、実施例2に係るX線管球13と高電圧発生器17との構成を示す図である。図8に示すように、実施例2に係るX線管球13は、スキャン用のフィラメント131−1とウォームアップ用のフィラメント131−2とを有する。スキャン用のフィラメント131−1は、スキャン用の焦点サイズを形成可能な形態を有し、ウォームアップ用のフィラメント131−2は、ウォームアップ用の焦点サイズを形成可能な形態を有している。実施例1と同様、ウォームアップ用の焦点サイズは、スキャン用の焦点サイズに比して大きくなるように設定されている。
実施例2に係る高電圧発生器17は、電源回路31、高電圧発生回路33、フィラメント加熱回路35、管電圧検出器37、管電流検出器38、管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び切替器47を有する。切替器47は、フィラメント加熱回路35をスキャン用のフィラメント131−1とウォームアップ用のフィラメント131−2との間で切替え可能に接続する。切替器47は、架台制御回路25による制御に従い、フィラメント加熱回路35をスキャン用のフィラメント131−1又はウォームアップ用のフィラメント131−2に選択的に接続する。具体的には、切替器47は、架台制御回路25からスキャン信号が供給された場合、フィラメント加熱回路35をスキャン用のフィラメント131−1に接続し、架台制御回路25からウォームアップ信号が供給された場合、ウォームアップ用のフィラメント131−2に接続する。
図9は、実施例2に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極133の正面図である。図10は、実施例2に係るスキャン用の焦点サイズとウォームアップ用の焦点サイズとが示された陽極133の側面図である。図9及び図10に示すように、スキャン用のフィラメント131−1からの熱電子は、スキャン用のサイズの焦点F1に集束される。ウォームアップ用のフィラメント131−2からの熱電子は、ウォームアップ用のサイズの焦点F2に集束される。ウォームアップ用の焦点F2のサイズは、陽極133を広範囲で温めるため、スキャン用の焦点F1のサイズに比して大きいサイズに設定される。また、ウォームアップ用の焦点F2のサイズは、陽極133の温度を上昇させることができるサイズに設定される。このため、ウォームアップ用のフィラメント131−2は、スキャン用のフィラメント131−1に比して大きいサイズに設計されると良い。
陽極133におけるスキャン用の焦点F1がウォームアップ用の焦点F2の軌道T2に包含されるように、スキャン用のフィラメント131−1とウォームアップ用のフィラメント131−2とが配置される。スキャン用の焦点F1がウォームアップ用の焦点F2の軌道T2に包含されることにより、スキャンにおいて使用される陽極133の部分をウォームアップにおいて確実に温めることができる。
熱電子の衝突又は陽極133からのX線の放射に起因して陽極133から反跳電子が飛翔する。フィラメント131−1又はフィラメント131−2が陽極133に近い位置に配置される場合、反跳電子がフィラメント131−1又はフィラメント131−2に衝突することにより、フィラメント131−1又はフィラメント131−2が劣化する虞がある。よってフィラメント131−1とフィラメント131−2とは、陽極133から飛翔した反跳電子による影響を受けない位置に配置されると良い。例えば、フィラメント131−1とフィラメント131−2とは、陽極133から飛翔した反跳電子が衝突しない程度の陽極133から離れた位置に配置されると良い。
フィラメント131−1と陽極133との距離と、フィラメント131−2と陽極133との距離とは、スキャン用の焦点F1のサイズとウォームアップ用の焦点F2のサイズとに応じて任意に設計可能である。この際、フィラメント131−1と陽極133との距離と、フィラメント131−2と陽極133との距離とは、同一であっても良いし、異なっていても良い。
以下、図11を参照しながら実施例2に係るX線コンピュータ断層撮影装置の動作例について説明する。
図11は、実施例2に係るスキャン用のフィラメント131−1とウォームアップ用のフィラメント131−2との切替えに関する加熱電流と管電圧とのタイミングチャートを示す図である。図11の上段のグラフはウォームアップ用のフィラメント131−2への加熱電流の時系列を示し、図11の中段のグラフはスキャン用のフィラメント131−1への加熱電流の時系列を示し、図11の下段のグラフは管電圧の時系列を示す。図11の上段及び中段のグラフの縦軸はフィラメント加熱電流[mA]に規定され、横軸は時間に規定される。図11の下段のグラフの縦軸は管電圧[kV]に規定され、横軸は時間に規定される。
図11に示すように、ユーザにより入力回路57を介してウォームアップの開始指示がなされた場合(t0)、架台制御回路25は、X線管球13をウォーアップするために管電圧制御回路41、管電流制御回路43及び切替器47を制御する。具体的には、架台制御回路25は、ウォームアップ信号を切替器47に供給する。ウォームアップ信号の供給を受けた切替器47は、フィラメント加熱回路35をウォームアップ用のフィラメント131−2に接続する。また、架台制御回路25は、X線管球13の陽極133の温度が緩やかに上昇するように管電圧制御回路41と管電流制御回路43とを同期的に制御する。これにより、ウォームアップ用のフィラメント131−2を用いてX線管球13のウォームアップを行うことができ、ウォームアップとスキャンとの併用に起因するスキャン用のフィラメント131−1の消耗を抑制することができる。なお、ウォーアップにおける加熱電流と管電圧との制御態様は、実施例1と同一なので説明を省略する。
高電圧発生回路33による高電圧の発生とフィラメント加熱回路35による加熱電力の発生とが終了することによりウォームアップが終了する(t1)。ウォームアップが終了すると、被検体の位置決めが行われる。
そして、ユーザにより入力回路57を介してスキャンの開始指示が入力されることを契機として(t2)、架台制御回路25は、高電圧発生器17、回転駆動装置23及びデータ収集回路27を制御してスキャンを開始する。この際、架台制御回路25は、スキャン信号を切替器47に供給する。スキャン信号の供給を受けた切替器47は、フィラメント加熱回路35をスキャン用のフィラメント121−1に接続する。この際、架台制御回路25は、回転フレームを回転するために回転駆動装置23を制御し、回転フレームの角速度が設定値に達したら、高電圧発生器17とデータ収集回路27とを制御してX線の曝射とデータ収集とを繰り返す。この際、架台制御回路25は、設定管電圧値V1に対応する高電圧が高電圧発生回路33によりX線管球13に印加されるように管電圧制御回路41を制御し、設定管電流値A1に対応する加熱電流がフィラメント加熱回路35によりフィラメント131に供給されるように管電流制御回路43を制御する。本実施形態においてはスキャンの前にウォームアップが行われているので、スキャンの開始直後からX線管球13に設定管電圧値V1の高電圧を印加し設定管電流値A1の加熱電流を供給しても、X線管球13は、放電の発生なくX線を曝射し続けることができる。
X線管球13から曝射されたX線は、被検体を透過してX線検出器15により検出される。データ収集回路27は、X線検出器15により検出されたX線の強度に応じた生データをビュー毎に収集する。収集された生データは、コンソール50に伝送される。画像再構成装置51は、架台装置10からの生データに基づいて被検体に関するCT画像を再構成する。再構成されたCT画像は、表示回路55により表示される。
所定の時刻が経過したことを契機として(t3)、架台制御回路25は、高電圧発生器17、回転駆動装置23及びデータ収集回路27を制御してスキャンを終了する。
以上により、実施例2に係るX線コンピュータ断層撮影装置の動作例についての説明を終了する。
なお、上記の説明においては、実施例2に係るX線コンピュータ断層撮影装置は、調節器137と調節器制御回路45とを有さないものとした。しかしながら、実施例2はこれに限定されない。すなわち、実施例2に係るX線管球13は調節器137を有し、高電圧発生器17は調節器制御回路45を有しても良い。この場合、調節器制御回路45は、ウォームアップにおいて調節器137を制御し、ウォームアップ用のフィラメント131−2からの熱電子による陽極133での焦点の位置を、陽極133の半径方向に関して振動させても良い。焦点を陽極133の半径方向に関して振動することにより、陽極133の広範囲に熱電子が衝突するので、より早く陽極133を温めることが可能となる。
上記においてはスキャン用のフィラメント131−1は一つであることを前提とした。しかしながら、本実施形態はこれに限定されない。例えば、複数のスキャン用のフィラメント131−1が設けられても良い。例えば、スキャン用のフィラメント131−1として、比較的大きい焦点サイズを有する大焦点フィラメントと比較的小さい焦点サイズを有する小焦点フィラメントとが設けられても良い。この場合であっても、ウォームアップ用のフィラメント131−2の焦点サイズは、スキャン用の大焦点フィラメントの焦点サイズに比して大きいサイズに設定される。
上記の通り、実施例2に係るX線コンピュータ断層撮影装置は、スキャン用のフィラメント131−1とウォームアップ用のフィラメント131−2とを有するX線管球13を装備している。スキャンとウォームアップとで異なるフィラメントが使用されることにより、スキャン等のフィラメント131−1の寿命に影響を与えることなく、ウォームアップを行うことができる。よってスキャン用のフィラメント131−1の消耗を低減することができる。ウォームアップ用のフィラメント131−2の大きさを最適化することにより、陽極133の不要な劣化を防ぐこともできる。ウォームアップに特化したサイズのフィラメントを設けることにより、より効率的にウォームアップを行うことができる。また、前述の実施例1に比して、焦点サイズを変更する制御を省略することができる。
かくして、本実施形態によれば、ウォームアップに起因するX線管球の劣化を抑制することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
10…架台装置、11…回転フレーム、13…X線管球、15…X線検出器、17…高電圧発生器、19…前置コリメータ、21…天板、23…回転駆動装置、25…架台制御回路、27…データ収集回路、50…コンソール、51…画像再構成回路、53…画像処理回路、55…表示回路、57…入力回路、59…主記憶回路、61…システム制御回路、31…電源回路、33…高電圧発生回路、35…フィラメント加熱回路、37…管電圧検出器、39…管電流検出器、41…管電圧制御回路、43…管電流制御回路、45…集束器制御回路、131…フィラメント、133…陽極、135…回転子、137…調節器、511…データ記憶回路、513…前処理部、515…再構成処理部。

Claims (9)

  1. 熱電子を発生する陰極と、前記陰極からの熱電子を受けてX線を発生する陽極と、前記陽極を回転させる回転子と、前記陰極からの熱電子を集束又は偏向するための電場又は磁場を印加する調節器とを有するX線管球と、
    前記陽極から発生されたX線を検出するX線検出器と、
    前記X線検出器により検出されたX線に応じたデータを収集するデータ収集部と、
    前記収集されたデータに基づいて画像を生成する画像生成部と、
    前記陰極からの熱電子の前記陽極での焦点のサイズ及び位置の少なくとも一方を、スキャンとウォームアップとで切り替えるために前記調節器を制御する制御部と、
    を具備し、
    前記制御部は、前記ウォームアップの際、前記陰極からの熱電子の前記陽極での前記焦点の位置を前記陽極の回転半径方向に関して振動させるように前記調節器を制御する、
    X線コンピュータ断層撮影装置。
  2. 前記制御部は、前記スキャンにおいて前記陽極での前記焦点のサイズを第1のサイズにし、前記ウォームアップにおいて前記陽極での前記焦点のサイズを前記第1のサイズに比して大きい第2のサイズにするように前記調節器を制御する、請求項1記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  3. 前記制御部は、前記ウォームアップの開始を契機として、前記焦点のサイズを前記第2のサイズにするために前記調節器を制御し、前記スキャンの開始を契機として、前記焦点のサイズを前記第1のサイズにするために前記調節器を制御する、請求項2記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  4. 前記制御部は、前記ウォームアップの際、前記陰極からの熱電子の前記陽極での前記焦点の位置を前記陽極の回転半径方向に関して前記スキャン時とは異なる位置に移動させるように前記調節器を制御する、請求項1記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  5. スキャンに用いられ熱電子を発生する第1の陰極と、ウォームアップに用いられ熱電子を発生する第2の陰極と、前記第1の陰極又は前記第2の陰極からの熱電子を受けてX線を発生する陽極と、前記陽極を回転させる回転子と、前記第1の陰極又は第2の陰極からの熱電子を偏向するための電場又は磁場を印加する調節器とを有するX線管球と、
    前記陽極から発生されたX線を検出するX線検出器と、
    前記X線検出器により検出されたX線に応じたデータを収集するデータ収集部と、
    前記収集されたデータに基づいて画像を生成する画像生成部と、
    前記第1の陰極及び前記第2の陰極との間で電流の供給先を切替える切替器と、
    前記スキャンにおいては前記第1の陰極に電流を供給し、前記ウォームアップにおいては前記第2の陰極に電流を供給するために前記切替器を制御する制御部と、を具備し、
    前記制御部は、前記ウォームアップにおける前記第2の陰極からの熱電子による前記陽極での焦点の位置を前記陽極の回転半径方向に関して振動させるように前記調節器を制御する、
    X線コンピュータ断層撮影装置。
  6. 前記制御部は、前記ウォームアップの開始を契機として、前記第2の陰極に電流を供給するために前記切替器を制御し、前記ウォームアップの終了を契機として、前記第2の陰極に電流を供給しないために前記切替器を制御し、前記スキャンの開始を契機として、前記第1の陰極に電流を供給するために前記切替器を制御する、請求項記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  7. 前記陽極における前記第1の陰極からの熱電子の焦点が前記陽極における前記第2の陰極からの熱電子の焦点の第2の軌道に包含されるように前記第1の陰極と前記第2の陰極とが配置される、請求項5記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  8. 前記第2の陰極は、前記陽極への熱電子の衝突に伴う反跳電子の影響を受けない位置に配置される、請求項5記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
  9. 前記第2の陰極は、細線形状又は板形状を有する金属を有する、請求項5記載のX線コンピュータ断層撮影装置。
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