JP6819899B2 - アルミニウム箔の製造方法およびアルミニウム箔 - Google Patents
アルミニウム箔の製造方法およびアルミニウム箔 Download PDFInfo
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上記のAl箔の製造方法では、アルミニウム濃度が0.5〜4.9mol/kgの非水系アルミニウム電解液を用いることが好ましい。
また、少なくともジアルキルスルホンとアルミニウムハロゲン化物とによって調製された非水系アルミニウム電解液を用いることが好ましい。
また、印加電流密度が0.5〜800mA/cm2の範囲で制御されたアノード電解を行うことが好ましく、これに加えて、液温が50〜150℃の範囲で制御された非水系アルミニウム電解液を用いることが好ましい。
非水系アルミニウム電解液として、110℃に加熱して溶融したジメチルスルホンに対して塩化アルミニウムを溶解して調整し、アルミニウム濃度が3mol/kgとなる電解液を作製した。Alを99質量%以上含む光沢面を有するAl圧延箔をアノードとし、カソードとなる部材には銅板を使用した。図1は、かかるAl圧延箔の光沢面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて観察した観察像(写真)の一例である。かかるAl圧延箔の光沢面は、圧延方向(矢印で示す方向)に圧延による筋模様を有し、その筋模様に沿うように幾つかの圧延疵2や圧延ピット3を有する面であることが観察できる。上記の電解液の保持温度を100±1℃で制御しながら上記のAl圧延箔と銅板との間で通電(定電流方式)し、印加電流密度が100mA/cm2となるように通電量を制御しながらAl圧延箔のアノード電解を行った。
非水系アルミニウム電解液として、110℃に加熱して溶融したジメチルスルホン(DMSO2)に対して塩化アルミニウムを溶解して調整し、アルミニウム濃度が1mol/kgとなる電解液を作製した。実施例1と同様なAl圧延箔および銅板を準備し、実施例1と同様に電解液の保持温度を制御しながらアノードであるAl圧延箔とカソードである銅板との間で通電(定電流方式)し、印加電流密度が20mA/cm2となるように通電量を制御しながらAl圧延箔のアノード電解を行った。
非水系アルミニウム電解液として、110℃に加熱して溶融したジメチルスルホン(DMSO2)に対して塩化アルミニウムを溶解して調整し、アルミニウム濃度が4mol/kgとなる電解液を作製した。実施例1と同様なAl圧延箔および銅板を準備し、実施例1と同様に電解液の保持温度を制御しながらアノードであるAl圧延箔とカソードである銅板との間で通電(定電流方式)し、印加電流密度が200mA/cm2となるように通電量を制御しながらAl圧延箔のアノード電解を行った。
非水系アルミニウム電解液として、110℃に加熱して溶融したジメチルスルホン(DMSO2)に対して塩化アルミニウムを溶解して調整し、アルミニウム濃度が4mol/kgとなる電解液を作製した。実施例1と同様なAl圧延箔および銅板を準備し、実施例1と同様に電解液の保持温度を制御しながらアノードであるAl圧延箔とカソードである銅板との間で通電(定電流方式)し、印加電流密度が600mA/cm2となるように通電量を制御しながらAl圧延箔のアノード電解を行った。
酸性の液体(10%となるように調製した塩酸)を用いて、実施例1、2と同様な図1に示すAl圧延箔の表面の化学的エッチングを行った。図3は、化学的エッチングを行ったAl圧延箔の表面をSEMを用いて観察した観察像(写真)の一例である。かかるAl圧延箔の表面は、圧延方向(矢印で示す方向)に圧延による筋模様と推測できる線状痕を有し、その筋模様に沿って局所的に歪な窪み4、5を有する面であることが観察できる。例えば、窪み4は、筋模様に沿って形成された幾つかの窪みが、化学的エッチングが進むとともにその筋模様に沿って連なって歪な窪み(図3中では縦長の窪み)に形成されたと考えられる。また、窪み5は、化学的エッチングの前からあった圧延疵あるいは圧延ピットと、筋模様に沿って形成された窪みとが、化学的エッチングが進むとともに一体となって歪な窪み(図3中では横長の窪み)に形成されたと考えられる。従って、酸性の液体を用いて化学的エッチングを行ったAl圧延箔の表面は、実施例1、2の場合とは明らかに異なり、圧延による筋模様、圧延疵、あるいは圧延ピットなどが優先的に研磨(エッチング)されたと断定できる程の歪な窪みが明らかに認められた。こうした歪な窪みの形成を抑制するためには、特許文献2に記載されるように、最大で20%(表面の面積率)もの粗化されていない表面領域を許容しなければならないと考えられる。
1a 窪み
1b 窪み
2 圧延疵
3 圧延ピット
4 窪み
5 窪み
Claims (5)
- アルミニウム箔の表面を、アルミニウム濃度が0.5〜4.9mol/kgの非水系アルミニウム電解液を用いたアノード電解を行って粗化する、アルミニウム箔の製造方法。
- 少なくともジアルキルスルホンとアルミニウムハロゲン化物とによって調製された非水系アルミニウム電解液を用いる、請求項1に記載のアルミニウム箔の製造方法。
- アルミニウム箔の表面を、少なくともジアルキルスルホンとアルミニウムハロゲン化物とによって調製された非水系アルミニウム電解液を用いて、アノード電解を行って粗化する、アルミニウム箔の製造方法。
- 印加電流密度が0.5〜800mA/cm2の範囲で制御されたアノード電解を行う、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアルミニウム箔の製造方法。
- 液温が50〜150℃の範囲で制御された非水系アルミニウム電解液を用いる、請求項4に記載のアルミニウム箔の製造方法。
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