JP6817579B2 - 電力変換回路及び電力伝送システム - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 88
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title claims description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 30
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002551 biofuel Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
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- H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
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- H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
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- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
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- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
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Description
まず、本発明者が本開示に至った経緯を説明する。
図1は、実施形態1に係る電力変換回路の構成を示す回路図である。図1の電力変換回路は、ポート端子N1〜N4と、ダイオードD1〜D8と、スイッチS1〜S4と、ブートストラップ回路B1、B2と、制御回路10とを備える。
図8は、実施形態2に係る電力伝送システムの概略構成を示すブロック図である。図8の電力伝送システムは、少なくとも1つの電源である発電機1と、少なくとも1つの負荷である電力負荷2と、電力線3と、実施形態1に係る電力変換回路M1、M2とを備える。電力線3は、電力を伝送する架線などを含む。電力変換回路M1は、少なくとも1つの発電機1のうちの指定された1つと電力線3との間に設けられ、少なくとも1つの電力送信装置として用いられる。電力変換回路M2は、電力線3と少なくとも1つの負荷のうちの指定された1つとの間に設けられ、少なくとも1つの電力受信装置として用いられる。
第1の態様に係る電力変換回路は、第1及び第2の入力端子と、第1及び第2の出力端子と、第1〜第8のダイオードと、第1の端子、第2の端子、及び制御端子をそれぞれ有し、制御信号に従ってそれぞれオン又はオフする第1〜第4のスイッチとを備えた電力変換回路であって、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の入力端子に接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第2の入力端子に接続され、前記第1のダイオードのアノード及び前記第3のダイオードのアノードは前記第1のスイッチを介して前記第1の出力端子に接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第1の入力端子に接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の入力端子に接続され、前記第2のダイオードのカソード及び前記第4のダイオードのカソードは前記第2のスイッチを介して前記第2の出力端子に接続され、前記第5のダイオードのアノードは前記第1の入力端子に接続され、前記第7のダイオードのアノードは前記第2の入力端子に接続され、前記第5のダイオードのカソード及び前記第7のダイオードのカソードは前記第3のスイッチを介して前記第1の出力端子に接続され、前記第6のダイオードのカソードは前記第1の入力端子に接続され、前記第8のダイオードのカソードは前記第2の入力端子に接続され、前記第6のダイオードのアノード及び前記第8のダイオードのアノードは前記第4のスイッチを介して前記第2の出力端子に接続され、前記第1〜第4のスイッチのそれぞれは、オンされたとき、当該スイッチの第1の端子から第2の端子に電流を流すように接続され、前記電力変換回路は、第1の電圧源を備え、前記制御信号に従って前記第2及び第4のスイッチの制御端子に所定電圧をそれぞれ印加する第1のブートストラップ回路と、第2の電圧源を備え、前記制御信号に従って前記第1及び第3のスイッチの制御端子に所定電圧をそれぞれ印加する第2のブートストラップ回路とをさらに備える。
D1〜D10 ダイオード
N1〜N4 ポート端子
P1、P2 ポート
B1、B2 ブートストラップ回路
Z1、Z2 絶縁電源
1 発電機
2 電力負荷
3 電力線
10 制御回路
M1、M2 電力変換回路
L10 リアクトル
C1〜C4、C10 コンデンサ
sw1〜sw8 スイッチ
a1〜a4 端子
Claims (13)
- 第1の入力端子と、
第2の入力端子と、
第1の出力端子と、
第2の出力端子と、
第1のアノード及び第1のカソードを含み、前記第1のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第1のダイオードと、
第2のアノード及び第2のカソードを含み、前記第2のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第2のダイオードと、
第3のアノード及び第3のカソードを含み、前記第3のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第3のダイオードと、
第4のアノード及び第4のカソードを含み、前記第4のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第4のダイオードと、
第5のアノード及び第5のカソードを含み、前記第5のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第5のダイオードと、
第6のアノード及び第6のカソードを含み、前記第6のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第6のダイオードと、
第7のアノード及び第7のカソードを含み、前記第7のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第7のダイオードと、
第8のアノード及び第8のカソードを含み、前記第8のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第8のダイオードと、
第1の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第1のアノードの間に接続される、第1のスイッチと、
第2の制御端子を含み、前記第2のカソード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第2のスイッチと、
第3の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第5のカソードの間に接続される、第3のスイッチと、
第4の制御端子を含み、前記第6のアノード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第4のスイッチと、
第1の電圧源を含み、前記第2及び第4の制御端子に接続される第1のブートストラップ回路と、
第2の電圧源を含み、前記第1及び第3の制御端子に接続される第2のブートストラップ回路と、を備える、
電力変換回路。 - 前記第1のブートストラップ回路は、前記第2及び第4の制御端子に第2及び第4の制御電圧をそれぞれ印加することによって、前記第2及び第4のスイッチをオンオフし、
前記第2のブートストラップ回路は、前記第1及び第3の制御端子に第1及び第3の制御電圧をそれぞれ印加することによって、前記第1及び第3のスイッチをオンオフする、
請求項1に記載の電力変換回路。 - 前記第4のスイッチは、前記第6のアノードと前記第1の電圧源の負極とに接続される端子をさらに含み、
前記第1のブートストラップ回路は、
第1のコンデンサと、
前記第1の電圧源の正極から前記第1のコンデンサを介して前記第1の電圧源の前記負極に至る第1の経路上に配置された第9のダイオードと、を含む、
請求項2に記載の電力変換回路。 - 前記第1の経路は前記第4のスイッチを通り、
前記第1の電圧源は、前記第4のスイッチがオンのときに、前記第1の経路を介して前記第1のコンデンサに第1の電源電圧を印加する、
請求項3に記載の電力変換回路。 - 前記第2及び第4の制御電圧のそれぞれは、前記第1の電圧源の前記第1の電源電圧、及び前記第1のコンデンサに充電された第1の充電電圧から選択される少なくとも1つから生成される、
請求項4に記載の電力変換回路。 - 前記第1のスイッチは、前記第1のアノードと前記第2の電圧源の負極とに接続される端子をさらに含み、
前記第2のブートストラップ回路は、
第2のコンデンサと、
前記第2の電圧源の正極から前記第2のコンデンサを介して前記第2の電圧源の前記負極に至る第2の経路上に配置された第10のダイオードと、を含む、
請求項3から5のいずれか一項に記載の電力変換回路。 - 前記第2の経路は前記第1のスイッチを通り、
前記第2の電圧源は、前記第1のスイッチがオンのときに、前記第2の経路を介して前記第2のコンデンサに第2の電源電圧を印加する、
請求項6に記載の電力変換回路。 - 前記第1及び第3の制御電圧のそれぞれは、前記第2の電圧源の前記第2の電源電圧、及び、前記第2のコンデンサに充電された第2の充電電圧から選択される少なくとも1つから生成される、
請求項7に記載の電力変換回路。 - 前記第1から第4のスイッチのそれぞれは、NチャネルMOSFET又はバイポーラトランジスタである、
請求項1から8のいずれか一項に記載の電力変換回路。 - 前記第1及び第2の電圧源のそれぞれは、絶縁電源である、
請求項1から9のいずれか一項に記載の電力変換回路。 - 前記第1から第4の制御電圧は、それぞれ、第1から第4の符号系列に応じて変化し、
前記第1から第4のスイッチは、前記第1から第4の符号系列に基づいて、前記第1及び第2の入力端子から入力された電力を符号変調又は符号復調し、符号変調又は符号復調された前記電力を前記第1及び第2の出力端子から出力する、
請求項2に記載の電力変換回路。 - 前記第1及び第2のブートストラップ回路は、前記第1及び第2のスイッチがオンであり、かつ、前記第3及び第4のスイッチがオフである第1の状態と、前記第1及び第2のスイッチがオフであり、かつ、前記第3及び第4のスイッチがオンである第2の状態とを切り替える、
請求項11に記載の電力変換回路。 - 電源と、第1の電力変換回路と、電力伝送路と、第2の電力変換回路と、負荷とを備える電力伝送システムにおいて、
前記第1及び第2の電力変換回路のそれぞれは、請求項11又は12に記載の電力変換回路であり、
前記第1の電力変換回路は、前記電源から入力された電力を符号変調して前記電力伝送路に出力し、
前記第2の電力変換回路は、符号変調された前記電力を符号復調して前記負荷に出力する、
電力伝送システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016105499 | 2016-05-26 | ||
JP2016105499 | 2016-05-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017216866A JP2017216866A (ja) | 2017-12-07 |
JP6817579B2 true JP6817579B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=60418343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017080009A Active JP6817579B2 (ja) | 2016-05-26 | 2017-04-13 | 電力変換回路及び電力伝送システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10411002B2 (ja) |
JP (1) | JP6817579B2 (ja) |
CN (1) | CN107437889B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107437891B (zh) * | 2016-05-26 | 2020-10-23 | 松下知识产权经营株式会社 | 电力变换电路及电力传输系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3825020B2 (ja) | 2002-08-01 | 2006-09-20 | 株式会社アイ・ヒッツ研究所 | 分散給電システム |
JP4180086B2 (ja) | 2002-08-01 | 2008-11-12 | 株式会社アイ・ヒッツ研究所 | 分散給電システム |
US20050162870A1 (en) | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Hirst B. M. | Power converter |
JP2010035387A (ja) | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Daikin Ind Ltd | 電圧形駆動素子のゲート駆動装置 |
JP4506891B2 (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-21 | ダイキン工業株式会社 | 電流形電力変換回路 |
JP2011200099A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | インバータおよびそれを搭載した電力変換装置 |
JP4720942B1 (ja) * | 2010-01-19 | 2011-07-13 | ダイキン工業株式会社 | 電力変換装置 |
WO2012063573A1 (ja) | 2010-11-09 | 2012-05-18 | 株式会社安川電機 | フィルタ回路及びそれを備える双方向電力変換装置 |
JP5329587B2 (ja) * | 2011-03-07 | 2013-10-30 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
JP6008330B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-10-19 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電力変換装置 |
JP6128836B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-05-17 | 株式会社Soken | 電力変換装置 |
CN203537223U (zh) * | 2013-10-25 | 2014-04-09 | 山东大学 | 一种具有负压的自举供电mosfet/igbt驱动线路 |
-
2017
- 2017-04-01 CN CN201710212412.5A patent/CN107437889B/zh active Active
- 2017-04-13 JP JP2017080009A patent/JP6817579B2/ja active Active
- 2017-05-09 US US15/590,774 patent/US10411002B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107437889B (zh) | 2020-06-12 |
US20170345808A1 (en) | 2017-11-30 |
US10411002B2 (en) | 2019-09-10 |
JP2017216866A (ja) | 2017-12-07 |
CN107437889A (zh) | 2017-12-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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