JP6817579B2 - 電力変換回路及び電力伝送システム - Google Patents

電力変換回路及び電力伝送システム Download PDF

Info

Publication number
JP6817579B2
JP6817579B2 JP2017080009A JP2017080009A JP6817579B2 JP 6817579 B2 JP6817579 B2 JP 6817579B2 JP 2017080009 A JP2017080009 A JP 2017080009A JP 2017080009 A JP2017080009 A JP 2017080009A JP 6817579 B2 JP6817579 B2 JP 6817579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power
switch
conversion circuit
power conversion
anode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017080009A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017216866A (ja
Inventor
太樹 西本
太樹 西本
山本 温
山本  温
翔一 原
翔一 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JP2017216866A publication Critical patent/JP2017216866A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6817579B2 publication Critical patent/JP6817579B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/083Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the ignition at the zero crossing of the voltage or the current
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/538Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a push-pull configuration
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
    • H02P9/00Arrangements for controlling electric generators for the purpose of obtaining a desired output
    • H02P9/10Control effected upon generator excitation circuit to reduce harmful effects of overloads or transients, e.g. sudden application of load, sudden removal of load, sudden change of load
    • H02P9/105Control effected upon generator excitation circuit to reduce harmful effects of overloads or transients, e.g. sudden application of load, sudden removal of load, sudden change of load for increasing the stability
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7239Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Remote Monitoring And Control Of Power-Distribution Networks (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

本開示は、電力変換回路と、前記電力変換回路を電力送信装置あるいは電力受信装置として用いて電力線を介して電源から負荷に電力を伝送する電力伝送システムとに関する。
近年、電力会社が提供する火力発電、水力発電あるいは原子力発電等の従来からの電力供給に加え、太陽光発電、風力発電、バイオ燃料発電などに代表される再生可能エネルギー電源の導入が加速している。また、現在敷設されている大規模な商用電力網とは別に、遠距離送電による損失を軽減させることを目的とし、電力の地産地消を実現する局所的な小規模電力網の導入が世界的に広がりつつある。
こうした局所的な小規模電力網に接続される再生可能エネルギー電源は、従来の大規模な商用電力網の基幹電源に比べて発電能力が乏しいことが多く、またその発電能力の変動が大きい。このため、小規模電力網を安定的に、かつ効率的に運用するためには、高い利用効率で送受電できる伝送ルートを選択して電力融通を行うことができる技術が必要となる。
電力線を介して電源から負荷に電力を伝送するための電力変換回路として、例えば特許文献1及び2の発明がある。
特開2010−035387号公報 特開2005−210894号公報
電力送信装置と電力受信装置とを備えた電力伝送システムにおいて、電力を符号変調することにより任意の伝送ルートを選択して電力を融通することが知られている。しかしながら、電力送信装置と電力受信装置に多くのスイッチ(半導体スイッチ)が使用され、スイッチを駆動するために必要となる絶縁電源の個数が多いという問題点がある。
例えば特許文献1は、ブートストラップ回路を用いてハイサイド及びローサイドのスイッチを1つの絶縁電源により駆動する回路を開示している。特許文献1の回路に交流電圧が入力される場合、逆極性のスイッチを駆動するために同じブートストラップ回路を用いると、ドライブ回路に過電圧が印加されて壊れてしまうという問題点がある。
また、例えば特許文献2は、トランスを用いてハイサイド及びローサイドのスイッチを1つの絶縁電源により駆動する回路を開示している。特許文献2の回路では、磁気部品であるトランスを用いるので、ドライブ回路が大型化してしまうという問題点がある。
本開示は、従来技術の回路に比較して低コストかつ小型の電力変換回路を提供し、また、そのような電力変換回路を備えた電力伝送システムを提供する。
本開示の一態様に係る電力変換回路は、第1の入力端子と、第2の入力端子と、第1の出力端子と、第2の出力端子と、第1のアノード及び第1のカソードを含み、前記第1のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第1のダイオードと、第2のアノード及び第2のカソードを含み、前記第2のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第2のダイオードと、第3のアノード及び第3のカソードを含み、前記第3のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第3のダイオードと、第4のアノード及び第4のカソードを含み、前記第4のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第4のダイオードと、第5のアノード及び第5のカソードを含み、前記第5のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第5のダイオードと、第6のアノード及び第6のカソードを含み、前記第6のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第6のダイオードと、第7のアノード及び第7のカソードを含み、前記第7のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第7のダイオードと、第8のアノード及び第8のカソードを含み、前記第8のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第8のダイオードと、第1の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第1のアノードの間に接続される、第1のスイッチと、第2の制御端子を含み、前記第2のカソード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第2のスイッチと、第3の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第5のカソードの間に接続される、第3のスイッチと、第4の制御端子を含み、前記第6のアノード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第4のスイッチと、第1の電圧源を含み、前記第2及び第4の制御端子に接続される第1のブートストラップ回路と、第2の電圧源を含み、前記第1及び第3の制御端子に接続される第2のブートストラップ回路と、を備える。
本開示に係る電力変換回路によれば、従来技術に比較して低コストかつ小型の電力変換回路により、直流あるいは交流の単方向の電力変換を行うことができる。
図1は、実施形態1に係る電力変換回路の構成例を示す回路図である。 図2Aは、実施形態1に係る第1のブートストラップ回路の構成例を示す回路図である。 図2Bは、実施形態1に係る第2のブートストラップ回路の構成例を示す回路図である。 図3は、実施形態1に係る電力変換回路における第1の動作モードの電流経路を示す図である。 図4は、実施形態1に係る電力変換回路における第2の動作モードの電流経路を示す図である。 図5は、実施形態1に係る電力変換回路における第3の動作モードの電流経路を示す図である。 図6は、実施形態1に係る電力変換回路における第4の動作モードの電流経路を示す図である。 図7は、実施形態1に係る電力変換回路と電力負荷との接続例を示す図である。 図8は、実施形態2に係る電力伝送システムの概略構成を示すブロック図である。 図9は、第1の比較例に係るインバータ回路の構成を示す回路図である。 図10は、第1の比較例に係るブートストラップの構成を示す回路図である。 図11は、第2の比較例に係るインバータ回路の構成を示す回路図である。 図12は、第2の比較例に係るインバータ回路の理想的な動作を示す図である。 図13は、第2の比較例に係るインバータ回路の実際の動作を示す図である。 図14は、第3の比較例に係るインバータ回路の構成を示す回路図である。
<本開示に至った経緯>
まず、本発明者が本開示に至った経緯を説明する。
図9は、第1の比較例に係る、ポート端子N1、N2から入力された直流電力を交流電力に変換してポート端子N3、N4から出力するインバータ回路の構成を示す回路図である。図9のインバータ回路は、4つのダイオードD1〜D4と、4つのスイッチS1〜S4と、2つのブートストラップ回路B11、B12とを備える。スイッチS1〜S4はNチャネルMOSFETである。4つのスイッチS1〜S4はブートストラップ回路B11、B12によって駆動される。
図10は、図9のブートストラップ回路B11、B12の構成を示す回路図である。ブートストラップ回路B11は、コンデンサC21、C22と、ダイオードD21と、スイッチsw21〜sw24とを備える。ブートストラップ回路B12は、コンデンサC23、C24と、ダイオードD22と、スイッチsw25〜sw28とを備える。ブートストラップ回路B11、B12の一方に絶縁電源Z1が設けられ、絶縁電源Z1の電圧がコンデンサC21〜C24に印加される。端子a21及びa22、端子a23及びa24、端子a25及びa26、端子a27及びa28はそれぞれ、ブートストラップ回路B11、B12の4組の出力端子を構成する。端子a21はスイッチS1のゲートに接続され、端子a22はスイッチS1のソースに接続される。スイッチsw21がオンされたとき、コンデンサC21の電圧がスイッチS1のゲートに印加される。スイッチsw22がオンされたとき、スイッチS1のゲートがリセットされる。ブートストラップ回路B11、B12の他の部分も同様にスイッチS2〜S4に接続され、コンデンサC22〜C24の電圧がスイッチS2〜S4のゲートに印加される。
図9のインバータ回路は、4つのスイッチS1〜S4を1つの絶縁電源Z1で駆動する。このため、2組の出力端子を有する第1のブートストラップ回路B11により、第1のスイッチS1と第2のスイッチS2とを駆動する。また、2組の出力端子を有する第2のブートストラップ回路B12により、第3のスイッチS3と第4のスイッチS4とを駆動する。
図11は、第2の比較例に係る、ポート端子N1、N2とポート端子N3、N4との間で双方向に直流電力又は交流電力を変換して伝送するインバータ回路の構成を示す回路図である。図11のインバータ回路は、8つのダイオードD1〜D8と、8つのスイッチS1〜S8と、4つのブートストラップ回路B11〜B14とを備える。スイッチS1〜S8はNチャネルMOSFETである。8つのスイッチS1〜S8はブートストラップ回路B11〜B14によって駆動される。スイッチS1、S5及びダイオードD1、D5は、ポート端子N1、N3の間で双方向に電力を伝送するように接続される。スイッチS2、S6及びダイオードD2、D6は、ポート端子N2、N3の間で双方向に電力を伝送するように接続される。スイッチS3、S7及びダイオードD3、D7は、ポート端子N1、N4の間で双方向に電力を伝送するように接続される。スイッチS4、S8及びダイオードD4、D8は、ポート端子N2、N4の間で双方向に電力を伝送するように接続される。これにより、図11のインバータ回路は、双方向に電力を変換して伝送する。
図11のブートストラップ回路B11、B12は、図9のブートストラップ回路B11、B12と同様に構成される。図11のブートストラップ回路B13、B14は、図9のブートストラップ回路B11、B12と同様に構成され、絶縁電源Z1に代えて絶縁電源Z2を備える。
図11のインバータ回路は、8つのスイッチS1〜S8を2つの絶縁電源Z1、Z2で駆動する。このため、2組の出力端子を有する第1のブートストラップ回路B11により、第1のスイッチS1と第2のスイッチS2とを駆動する。また、2組の出力端子を有する第2のブートストラップ回路B12により、第3のスイッチS3と第4のスイッチS4とを駆動する。また、2組の出力端子を有する第3のブートストラップ回路B13により、第5のスイッチS5と第6のスイッチS6とを駆動する。また、2組の出力端子を有する第4のブートストラップ回路B14により、第7のスイッチS7と第8のスイッチS8とを駆動する。
図12は、図11のインバータ回路の理想的な動作を示す図である。図13は、図11のインバータ回路の実際の動作を示す図である。図11のインバータ回路のポート端子N1、N2から交流電力を入力し、ポート端子N2の電位を基準としてポート端子N1に正の電圧が印加されている場合を考える。第1のスイッチS1と第4のスイッチS4とがオンされているとき、本来の意図としては、図12の矢印で示した経路に電流を流したい。しかしながら、図13に矢印で示した経路にも電流が流れ、ブートストラップ回路B14のハイサイド側のコンデンサに入力電圧が印加される。すると、ブートストラップ回路B14内に用いられるスイッチの耐圧は一般的に低いので、故障する。
図14は、第3の比較例に係る、ポート端子N1、N2とポート端子N3、N4との間で双方向に直流電力又は交流電力を変換して伝送するインバータ回路の構成を示す回路図である。図14のインバータ回路は、図13の問題を避けるために、6つの絶縁電源Z1〜Z6を備える。図14に示すように6つの絶縁電源Z1〜Z6を用いると、本来の意図の通り、8つのスイッチS1〜S8を駆動することができる。しかしながら、絶縁電源の個数が多いので、電力変換回路が大型化し、コストも増大する。
従って、比較例の回路に比較して低コストかつ小型の電力変換回路が求められる。
本発明者は、以上の着眼点に基づいて、本開示の回路構成を創作するに至った。
以下、本開示に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
本開示において、「第1の」「第2の」などの序数は、時間的又は空間的な順番を記述するためではなく、類似の構成要素を区別するために使用されている。これらの序数は、適宜交換可能である。
<実施形態1>
図1は、実施形態1に係る電力変換回路の構成を示す回路図である。図1の電力変換回路は、ポート端子N1〜N4と、ダイオードD1〜D8と、スイッチS1〜S4と、ブートストラップ回路B1、B2と、制御回路10とを備える。
ポート端子N1、N2は、それぞれ、本開示における「第1及び第2の入力端子」の一例である。ポート端子N3、N4は、それぞれ、本開示における「第1及び第2の出力端子」の一例である。ダイオードD1〜D8は、それぞれ、本開示における「第1から第8のダイオード」の一例である。スイッチS1〜S4は、それぞれ、本開示における「第1から第4のスイッチ」の一例である。ブートストラップ回路B1、B2は、それぞれ、本開示における「第1及び第2のブートストラップ回路」の一例である。
図1の電力変換回路は、ポート端子N1、N2からポート端子N3、N4に単方向に直流電力又は交流電力を変換して伝送する。ポート端子N1、N2は、電力が入力される第1のポートP1を構成し、ポート端子N3、N4は、電力が出力される第2のポートP2を構成する。
スイッチS1〜S4はNチャネルMOSFETである。スイッチS1〜S4は、ドレイン(第1の端子)、ソース(第2の端子)、及びゲート(制御端子)をそれぞれ有する。
ダイオードD1のカソードはポート端子N1に接続され、ダイオードD3のカソードはポート端子N2に接続され、ダイオードD1のアノード及びダイオードD3のアノードはスイッチS1を介してポート端子N3に接続される。スイッチS1のソースはダイオードD1のアノード及びダイオードD3のアノードに接続され、スイッチS1のドレインはポート端子N3に接続される。
ダイオードD2のアノードはポート端子N1に接続され、ダイオードD4のアノードはポート端子N2に接続され、ダイオードD2のカソード及びダイオードD4のカソードはスイッチS2を介してポート端子N4に接続される。スイッチS2のドレインはダイオードD2のカソード及びダイオードD4のカソードに接続され、スイッチS2のソースはポート端子N4に接続される。
ダイオードD5のアノードはポート端子N1に接続され、ダイオードD7のアノードはポート端子N2に接続され、ダイオードD5のカソード及びダイオードD7のカソードはスイッチS3を介してポート端子N3に接続される。スイッチS3のドレインはダイオードD5のカソード及びダイオードD7のカソードに接続され、スイッチS3のソースはポート端子N3に接続される。
ダイオードD6のカソードはポート端子N1に接続され、ダイオードD8のカソードはポート端子N2に接続され、ダイオードD6のアノード及びダイオードD8のアノードはスイッチS4を介してポート端子N4に接続される。スイッチS4のソースはダイオードD6のアノード及びダイオードD8のアノードに接続され、スイッチS4のドレインはポート端子N4に接続される。
スイッチS1〜S4のそれぞれは、オンされたとき、当該スイッチのドレインからソースに電流を流すように接続される。
制御回路10は、スイッチS1〜S4をそれぞれオン又はオフするための制御信号を生成し、ブートストラップ回路B1、B2に送る。
ブートストラップ回路B1、B2は、2組の出力端子をそれぞれ有する。ブートストラップ回路B1は絶縁電源Z1を備え、制御信号に従って、スイッチS2、S4のソースの電位を基準として当該スイッチのゲートに所定電圧をそれぞれ印加する。ブートストラップ回路B2は絶縁電源Z2を備え、制御信号に従って、スイッチS1、S3のソースの電位を基準として当該スイッチのゲートに所定電圧をそれぞれ印加する。絶縁電源Z1、Z2のそれぞれは、絶縁電源Z1、Z2自体の電力源から電気的に絶縁されている。
図2Aは、図1のブートストラップ回路B1の構成を示す回路図である。ブートストラップ回路B1は、絶縁電源Z1と、コンデンサC1、C2と、スイッチsw1〜sw4と、ダイオードD9とを備える。
絶縁電源Z1は、本開示における「第1の電圧源」の一例である。コンデンサC2は、本開示における「第1のコンデンサ」の一例である。ダイオードD9は、本開示における「第9のダイオード」の一例である。
スイッチsw1〜sw4は、制御回路10からの制御信号に従ってそれぞれオン又はオフする。絶縁電源Z1の負極は、コンデンサC1の一端に接続され、また、スイッチS4のソースに接続される。コンデンサC1には絶縁電源Z1の電圧がそのまま印加され、コンデンサC2には、絶縁電源Z1の電圧がダイオードD9を介して印加される。ブートストラップ回路B1は、制御信号に従って、絶縁電源Z1又はコンデンサC2の電圧を、スイッチS2及びS4のソースの電位を基準として当該スイッチのゲートにそれぞれ印加する。
端子a1及びa2、端子a3及びa4はそれぞれ、ブートストラップ回路B1の2組の出力端子を構成する。
端子a1はスイッチS4のゲートに接続され、端子a2はスイッチS4のソースに接続される。スイッチsw1がオンされたとき、コンデンサC1の電圧がスイッチS4のゲートに印加される。スイッチsw2がオンされたとき、スイッチS4のゲートがリセットされる。
端子a3はスイッチS2のゲートに接続され、端子a4はスイッチS2のソースに接続される。スイッチsw3がオンされたとき、コンデンサC2の電圧がスイッチS2のゲートに印加される。スイッチsw4がオンされたとき、スイッチS2のゲートがリセットされる。
図2Bは、図1のブートストラップ回路B2の構成を示す回路図である。ブートストラップ回路B2は、絶縁電源Z2と、コンデンサC3、C4と、スイッチsw5〜sw8と、ダイオードD10とを備える。
絶縁電源Z2は、本開示における「第2の電圧源」の一例である。コンデンサC4は、本開示における「第2のコンデンサ」の一例である。ダイオードD10は、本開示における「第10のダイオード」の一例である。
スイッチsw5〜sw8は、制御回路10からの制御信号に従ってそれぞれオン又はオフする。絶縁電源Z2の負極は、コンデンサC3の一端に接続され、また、スイッチS1のソースに接続される。コンデンサC3には絶縁電源Z2の電圧がそのまま印加され、コンデンサC4には、絶縁電源Z2の電圧がダイオードD10を介して印加される。ブートストラップ回路B2は、制御信号に従って、絶縁電源Z2又はコンデンサC4の電圧を、スイッチS1及びS3のソースの電位を基準として当該スイッチのゲートにそれぞれ印加する。
端子a5及びa6、端子a7及びa8はそれぞれ、ブートストラップ回路B2の2組の出力端子を構成する。
端子a5はスイッチS1のゲートに接続され、端子a6はスイッチS1のソースに接続される。スイッチsw5がオンされたとき、コンデンサC3の電圧がスイッチS1のゲートに印加される。スイッチsw6がオンされたとき、スイッチS1のゲートがリセットされる。
端子a7はスイッチS3のゲートに接続され、端子a8はスイッチS3のソースに接続される。スイッチsw7がオンされたとき、コンデンサC4の電圧がスイッチS3のゲートに印加される。スイッチsw8がオンされたとき、スイッチS3のゲートがリセットされる。
ブートストラップ回路B1は、コンデンサC1を省略しても、コンデンサC1を備えている場合と同様に動作可能である。ブートストラップ回路B2は、コンデンサC3を省略しても、コンデンサC3を備えている場合と同様に動作可能である。
次に、図3〜図6を参照して、図1の電力変換回路にポートP1から電力が入力されるときの動作について説明する。
図3は、図1の電力変換回路にポートP1から電力が入力されるときの第1の動作モードを示す図である。図4は、図1の電力変換回路にポートP1から電力が入力されるときの第2の動作モードを示す図である。図5は、図1の電力変換回路にポートP1から電力が入力されるときの第3の動作モードを示す図である。図6は、図1の電力変換回路にポートP1から電力が入力されるときの第4の動作モードを示す図である。
制御信号は所定の符号系列である。電力変換回路は、ポート端子N1、N2から入力された電力を符号系列に従って符号変調あるいは符号復調し、ポート端子N3、N4から符号変調あるいは符号復調された電力を出力する。
図3に示す第1の動作モードでは、ポート端子N1から正の電流が入力されるとき、第3のスイッチS3と第4のスイッチS4がオンされる。図4に示す第2の動作モードでは、ポート端子N1から正の電流が入力されるとき、第1のスイッチS1と第2のスイッチS2がオンされる。図5に示す第3の動作モードでは、ポート端子N1から負の電流が入力されるとき、第1のスイッチS1と第2のスイッチS2がオンされる。図6に示す第4の動作モードでは、ポート端子N1から負の電流が入力されるとき、第3のスイッチS3と第4のスイッチS4がオンされる。ポート端子N1から正の電流が入力されるとき、第1のモードと第2のモードとを反復し、ポート端子N1から負の電流が入力されるとき、第3のモードと第4のモードとを反復する。これにより、図1の電力変換回路は、ポート端子N3、N4から符号変調あるいは符号復調された電力を出力する。
ブートストラップ回路B1により複数のスイッチS2、S4を駆動するためには、絶縁電源Z1の負極に直接に接続されたスイッチS4のソースと、それ以外のスイッチS2のソースとが等電位になる動作モードが必要である。また、ブートストラップ回路B2により複数のスイッチS1、S3を駆動するためには、絶縁電源Z2の負極に直接に接続されたスイッチS1のソースと、それ以外のスイッチS3のソースとが等電位になる動作モードが必要である。
図1及び2Aの例において、スイッチS4がオンになると、スイッチS2のソースとスイッチS4のソースとが等電位になる。このとき、コンデンサC2の一方の端子は、端子a4、スイッチS2のソースノード、スイッチS4、スイッチS4のソースノード、及び端子a2を介して、絶縁電源Z1の負極と等電位になる。また、コンデンサC2の他方の端子は、ダイオードD9を介して、絶縁電源Z1の正極と等電位になる。これにより、絶縁電源Z1の電圧がコンデンサC2の両端子間に印加され、絶縁電源Z1からコンデンサC2に電荷が蓄えられる。
スイッチsw3とスイッチsw4は、相補的にオンオフされる。スイッチsw3がオンのとき、コンデンサC2の電圧が、端子a3、a4の間に印加され、これにより、スイッチS2はオンとなる。スイッチsw4がオンのとき、端子a3、a4の間が短絡され、これにより、スイッチS2はオフとなる。
図1及び2Bの例において、スイッチS1がオンになると、スイッチS1のソースとスイッチS3のソースとが等電位になる。このとき、コンデンサC4の一方の端子は、端子a8、スイッチS3のソースノード、スイッチS1、スイッチS1のソースノード、及び端子a6を介して、絶縁電源Z2の負極と等電位になる。また、コンデンサC4の他方の端子は、ダイオードD10を介して、絶縁電源Z2の正極と等電位になる。これにより、絶縁電源Z2の電圧がコンデンサC4の両端子間に印加され、絶縁電源Z2からコンデンサC4に電荷が蓄えられる。
スイッチsw7とスイッチsw8は、相補的にオンオフされる。スイッチsw7がオンのとき、コンデンサC4の電圧が、端子a7、a8の間に印加され、これにより、スイッチS3はオンとなる。スイッチsw8がオンのとき、端子a7、a8の間が短絡され、これにより、スイッチS3はオフとなる。
スイッチS2のソースとスイッチS4のドレインとが互いに接続されている。スイッチS4がオンであるとき、スイッチS2のソースは、スイッチS4のソースと等電位になる。従って、スイッチS2、S4は、2組の出力端子を有するブートストラップ回路B1により駆動することができる。
スイッチS1のドレインとスイッチS3のソースとが互いに接続されている。スイッチS1がオンであるとき、スイッチS3のソースは、スイッチS1のソースと等電位になる。従って、スイッチS1、S3は、2組の出力端子を有するブートストラップ回路B2により駆動することができる。
上記に拠れば、4つのスイッチS1〜S4を2つの絶縁電源Z1、Z2により駆動することができる。絶縁電源の個数が図14の比較例の場合よりも削減されるので、回路の小型化と低コスト化を実現できる。
上記に拠れば、8つの半導体スイッチと8つのダイオードとにより構成される図11及び図14の比較例の電力変換回路に対し、4つの半導体スイッチと8つのダイオードとにより構成できるので、回路の小型化と低コスト化を実現できる。
また、絶縁電源Z2の負極に直接に接続された第1のスイッチS1のソースは、第1の入力端子N1あるいは第2の入力端子N2に直接に接続されず、第1のダイオードD1を介して第1の入力端子N1に接続され、第3のダイオードD3を介して第2の入力端子N2に接続される。これにより、第1の入力端子N1と第2の入力端子N2との間に正の電圧が印加された場合に、ブートストラップ回路B2に入力電圧が印加されて故障するのを防ぐことができる。同様に、絶縁電源Z1の負極に直接に接続された第4のスイッチS4のソースが、第1の入力端子N1あるいは第2の入力端子N2に直接に接続されず、第6のダイオードD6を介して第1の入力端子N1に接続され、第8のダイオードD8を介して第2の入力端子N2に接続される。これにより、第1の入力端子N1と第2の入力端子N2との間に負の電圧が印加された場合に、ブートストラップ回路B1に入力電圧が印加されて故障するのを防ぐことができる。
上記で説明した電力変換回路の動作モードには、全てのスイッチがオンあるいはオフとなる動作モード等が加えられてもよい。例えば、全てのスイッチがオンになる動作モードは、電力変換回路に電流型の発電機が接続された場合に、発電機が開放となるのを回避し、急峻な電圧上昇を抑えることができる。また、全てのスイッチがオフになる動作モードは、電力変換回路に電圧型の発電機が接続された場合に、発電機が短絡となるのを回避し、急峻な電流増加を抑えることができる。
スイッチS1〜S4は、NチャネルMOSFETに代えて、IGBTなどのバイポーラトランジスタであってもよい。この場合、本明細書の説明でスイッチの「ドレイン」又は「第1の端子」と述べた箇所は「コレクタ」になり、スイッチの「ソース」又は「第2の端子」と述べた箇所は「エミッタ」になる。
図7は、図1の電力変換回路の接続例を示す図である。図7の電力変換回路M2は図1の電力変換回路を示す。上記で説明した電力変換回路は、リアクトル及びコンデンサと組み合わせて用いられても良い。例えば、図7に示すように、第2のポートP2からリアクトルL10とコンデンサC10を介して電力負荷2に接続すると、出力電流及び出力電圧を平滑化することができる。
実施形態1に係る電力変換回路によれば、従来技術に比較して低コストかつ小型の電力変換回路により、直流電力あるいは交流電力の単方向の電力変換を行うことができる。
<実施形態2>
図8は、実施形態2に係る電力伝送システムの概略構成を示すブロック図である。図8の電力伝送システムは、少なくとも1つの電源である発電機1と、少なくとも1つの負荷である電力負荷2と、電力線3と、実施形態1に係る電力変換回路M1、M2とを備える。電力線3は、電力を伝送する架線などを含む。電力変換回路M1は、少なくとも1つの発電機1のうちの指定された1つと電力線3との間に設けられ、少なくとも1つの電力送信装置として用いられる。電力変換回路M2は、電力線3と少なくとも1つの負荷のうちの指定された1つとの間に設けられ、少なくとも1つの電力受信装置として用いられる。
電力送信装置として用いられる電力変換回路M1と、電力受信装置として用いられる電力変換回路M2とに同一の符号系列を与える。電力変換回路M1は、符号系列に従って、発電機1から入力された電力を符号変調して電力線3に出力し、電力変換回路M2は、与えられた符号系列に従って、電力線3から入力された電力を符号復調して電力負荷2に出力する。これにより、特定の発電機1から特定の電力負荷2に電力を伝送することができる。従って、電力伝送システムに用いる絶縁電源の個数を削減し、低コストで電力伝送システムを導入することができる。
なお、上記実施形態では、電力変換回路が符号系列に従って電力を符号変調又は符号復調する例について説明されたが、電力変換回路の動作はこれに限定されない。例えば、電力変換回路は、PWM信号に従って電力をパルス幅変調してもよい。
<実施形態の概要>
第1の態様に係る電力変換回路は、第1及び第2の入力端子と、第1及び第2の出力端子と、第1〜第8のダイオードと、第1の端子、第2の端子、及び制御端子をそれぞれ有し、制御信号に従ってそれぞれオン又はオフする第1〜第4のスイッチとを備えた電力変換回路であって、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の入力端子に接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第2の入力端子に接続され、前記第1のダイオードのアノード及び前記第3のダイオードのアノードは前記第1のスイッチを介して前記第1の出力端子に接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第1の入力端子に接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の入力端子に接続され、前記第2のダイオードのカソード及び前記第4のダイオードのカソードは前記第2のスイッチを介して前記第2の出力端子に接続され、前記第5のダイオードのアノードは前記第1の入力端子に接続され、前記第7のダイオードのアノードは前記第2の入力端子に接続され、前記第5のダイオードのカソード及び前記第7のダイオードのカソードは前記第3のスイッチを介して前記第1の出力端子に接続され、前記第6のダイオードのカソードは前記第1の入力端子に接続され、前記第8のダイオードのカソードは前記第2の入力端子に接続され、前記第6のダイオードのアノード及び前記第8のダイオードのアノードは前記第4のスイッチを介して前記第2の出力端子に接続され、前記第1〜第4のスイッチのそれぞれは、オンされたとき、当該スイッチの第1の端子から第2の端子に電流を流すように接続され、前記電力変換回路は、第1の電圧源を備え、前記制御信号に従って前記第2及び第4のスイッチの制御端子に所定電圧をそれぞれ印加する第1のブートストラップ回路と、第2の電圧源を備え、前記制御信号に従って前記第1及び第3のスイッチの制御端子に所定電圧をそれぞれ印加する第2のブートストラップ回路とをさらに備える。
第2の態様に係る電力変換回路は、第1の態様に係る電力変換回路において、前記第4のスイッチの第2の端子は前記第1の電圧源の負極に接続され、前記第1のブートストラップ回路は、前記第1の電圧源の電圧が少なくとも1つの第9のダイオードを介してそれぞれ印加される少なくとも1つの第1のコンデンサを備え、前記第1のブートストラップ回路は、前記制御信号に従って、前記第1の電圧源又は前記第1のコンデンサの電圧を、前記第2及び第4のスイッチの第2の端子の電位を基準として当該スイッチの制御端子にそれぞれ印加し、前記第1のスイッチの第2の端子は前記第2の電圧源の負極に接続され、前記第2のブートストラップ回路は、前記第2の電圧源の電圧が少なくとも1つの第10のダイオードを介してそれぞれ印加される少なくとも1つの第2のコンデンサを備え、前記第2のブートストラップ回路は、前記制御信号に従って、前記第2の電圧源又は前記第2のコンデンサの電圧を、前記第1及び第3のスイッチの第2の端子の電位を基準として当該スイッチの制御端子にそれぞれ印加する。
第3の態様に係る電力変換回路は、第1又は第2の態様に係る電力変換回路において、前記第1〜第4のスイッチはNチャネルMOSFETであり、前記第1の端子はドレインであり、前記第2の端子はソースである。
第4の態様に係る電力変換回路は、第1又は第2の態様に係る電力変換回路において、前記第1〜第4のスイッチはバイポーラトランジスタであり、前記第1の端子はコレクタであり、前記第2の端子はエミッタである。
第5の態様に係る電力変換回路は、第1〜第4のうちの1つの態様に係る電力変換回路において、前記第1及び第2の電圧源のそれぞれは絶縁電源である。
第6の態様に係る電力変換回路は、第1〜第5のうちの1つの態様に係る電力変換回路において、前記制御信号は所定の符号系列であり、前記第1及び第2の入力端子から入力された電力を前記符号系列に従って符号変調あるいは符号復調し、前記第1及び第2の出力端子から符号変調あるいは符号復調された電力を出力する。
第7の態様に係る電力変換回路は、第6の態様に係る電力変換回路において、前記第1及び第2のスイッチがオンの状態と、前記第3及び第4のスイッチがオンの状態とを反復する。
第8の態様に係る電力伝送システムは、少なくとも1つの電源と、少なくとも1つの負荷と、電力線とを備えた電力伝送システムにおいて、前記電力伝送システムは、前記少なくとも1つの電源のうちの指定された1つと前記電力線との間に設けられた、第6又は第7の態様に係る第1の電力変換回路と、前記電力線と前記少なくとも1つの負荷のうちの指定された1つとの間に設けられた、第6又は第7の態様に係る第2の電力変換回路とをさらに備え、前記第1の電力変換回路は、前記符号系列に従って、前記電源から入力された電力を符号変調して前記電力線に出力し、前記第2の電力変換回路は、前記符号系列に従って、前記電力線から入力された電力を符号復調して前記負荷に出力し、これにより、前記指定された電源から前記指定された負荷へ電力を伝送する。
本開示に係る電力変換回路は、交流の電源系統、あるいは直流と交流が混在する電源系統において、電力を変換することに有用である。また、本開示に係る電力伝送システムは、太陽光発電、風力発電、水力発電等の発電機から鉄道、EV車両等へ電力を伝送することに有用である。
S1〜S4 スイッチ
D1〜D10 ダイオード
N1〜N4 ポート端子
P1、P2 ポート
B1、B2 ブートストラップ回路
Z1、Z2 絶縁電源
1 発電機
2 電力負荷
3 電力線
10 制御回路
M1、M2 電力変換回路
L10 リアクトル
C1〜C4、C10 コンデンサ
sw1〜sw8 スイッチ
a1〜a4 端子

Claims (13)

  1. 第1の入力端子と、
    第2の入力端子と、
    第1の出力端子と、
    第2の出力端子と、
    第1のアノード及び第1のカソードを含み、前記第1のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第1のダイオードと、
    第2のアノード及び第2のカソードを含み、前記第2のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第2のダイオードと、
    第3のアノード及び第3のカソードを含み、前記第3のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第3のダイオードと、
    第4のアノード及び第4のカソードを含み、前記第4のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第4のダイオードと、
    第5のアノード及び第5のカソードを含み、前記第5のアノードは前記第1の入力端子に接続される、第5のダイオードと、
    第6のアノード及び第6のカソードを含み、前記第6のカソードは前記第1の入力端子に接続される、第6のダイオードと、
    第7のアノード及び第7のカソードを含み、前記第7のアノードは前記第2の入力端子に接続される、第7のダイオードと、
    第8のアノード及び第8のカソードを含み、前記第8のカソードは前記第2の入力端子に接続される、第8のダイオードと、
    第1の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第1のアノードの間に接続される、第1のスイッチと、
    第2の制御端子を含み、前記第2のカソード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第2のスイッチと、
    第3の制御端子を含み、前記第1の出力端子及び前記第5のカソードの間に接続される、第3のスイッチと、
    第4の制御端子を含み、前記第6のアノード及び前記第2の出力端子の間に接続される、第4のスイッチと、
    第1の電圧源を含み、前記第2及び第4の制御端子に接続される第1のブートストラップ回路と、
    第2の電圧源を含み、前記第1及び第3の制御端子に接続される第2のブートストラップ回路と、を備える、
    電力変換回路。
  2. 前記第1のブートストラップ回路は、前記第2及び第4の制御端子に第2及び第4の制御電圧をそれぞれ印加することによって、前記第2及び第4のスイッチをオンオフし、
    前記第2のブートストラップ回路は、前記第1及び第3の制御端子に第1及び第3の制御電圧をそれぞれ印加することによって、前記第1及び第3のスイッチをオンオフする、
    請求項1に記載の電力変換回路。
  3. 前記第4のスイッチは、前記第6のアノードと前記第1の電圧源の負極とに接続される端子をさらに含み、
    前記第1のブートストラップ回路は、
    第1のコンデンサと、
    前記第1の電圧源の正極から前記第1のコンデンサを介して前記第1の電圧源の前記負極に至る第1の経路上に配置された第9のダイオードと、を含む、
    請求項2に記載の電力変換回路。
  4. 前記第1の経路は前記第4のスイッチを通り、
    前記第1の電圧源は、前記第4のスイッチがオンのときに、前記第1の経路を介して前記第1のコンデンサに第1の電源電圧を印加する、
    請求項3に記載の電力変換回路。
  5. 前記第2及び第4の制御電圧のそれぞれは、前記第1の電圧源の前記第1の電源電圧、及び前記第1のコンデンサに充電された第1の充電電圧から選択される少なくとも1つから生成される、
    請求項4に記載の電力変換回路。
  6. 前記第1のスイッチは、前記第1のアノードと前記第2の電圧源の負極とに接続される端子をさらに含み、
    前記第2のブートストラップ回路は、
    第2のコンデンサと、
    前記第2の電圧源の正極から前記第2のコンデンサを介して前記第2の電圧源の前記負極に至る第2の経路上に配置された第10のダイオードと、を含む、
    請求項3から5のいずれか一項に記載の電力変換回路。
  7. 前記第2の経路は前記第1のスイッチを通り、
    前記第2の電圧源は、前記第1のスイッチがオンのときに、前記第2の経路を介して前記第2のコンデンサに第2の電源電圧を印加する、
    請求項6に記載の電力変換回路。
  8. 前記第1及び第3の制御電圧のそれぞれは、前記第2の電圧源の前記第2の電源電圧、及び、前記第2のコンデンサに充電された第2の充電電圧から選択される少なくとも1つから生成される、
    請求項7に記載の電力変換回路。
  9. 前記第1から第4のスイッチのそれぞれは、NチャネルMOSFET又はバイポーラトランジスタである、
    請求項1から8のいずれか一項に記載の電力変換回路。
  10. 前記第1及び第2の電圧源のそれぞれは、絶縁電源である、
    請求項1から9のいずれか一項に記載の電力変換回路。
  11. 前記第1から第4の制御電圧は、それぞれ、第1から第4の符号系列に応じて変化し、
    前記第1から第4のスイッチは、前記第1から第4の符号系列に基づいて、前記第1及び第2の入力端子から入力された電力を符号変調又は符号復調し、符号変調又は符号復調された前記電力を前記第1及び第2の出力端子から出力する、
    請求項2に記載の電力変換回路。
  12. 前記第1及び第2のブートストラップ回路は、前記第1及び第2のスイッチがオンであり、かつ、前記第3及び第4のスイッチがオフである第1の状態と、前記第1及び第2のスイッチがオフであり、かつ、前記第3及び第4のスイッチがオンである第2の状態とを切り替える、
    請求項11に記載の電力変換回路。
  13. 電源と、第1の電力変換回路と、電力伝送路と、第2の電力変換回路と、負荷とを備える電力伝送システムにおいて、
    前記第1及び第2の電力変換回路のそれぞれは、請求項11又は12に記載の電力変換回路であり、
    前記第1の電力変換回路は、前記電源から入力された電力を符号変調して前記電力伝送路に出力し、
    前記第2の電力変換回路は、符号変調された前記電力を符号復調して前記負荷に出力する、
    電力伝送システム。
JP2017080009A 2016-05-26 2017-04-13 電力変換回路及び電力伝送システム Active JP6817579B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016105499 2016-05-26
JP2016105499 2016-05-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017216866A JP2017216866A (ja) 2017-12-07
JP6817579B2 true JP6817579B2 (ja) 2021-01-20

Family

ID=60418343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017080009A Active JP6817579B2 (ja) 2016-05-26 2017-04-13 電力変換回路及び電力伝送システム

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10411002B2 (ja)
JP (1) JP6817579B2 (ja)
CN (1) CN107437889B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437891B (zh) * 2016-05-26 2020-10-23 松下知识产权经营株式会社 电力变换电路及电力传输系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3825020B2 (ja) 2002-08-01 2006-09-20 株式会社アイ・ヒッツ研究所 分散給電システム
JP4180086B2 (ja) 2002-08-01 2008-11-12 株式会社アイ・ヒッツ研究所 分散給電システム
US20050162870A1 (en) 2004-01-23 2005-07-28 Hirst B. M. Power converter
JP2010035387A (ja) 2008-07-31 2010-02-12 Daikin Ind Ltd 電圧形駆動素子のゲート駆動装置
JP4506891B2 (ja) * 2008-12-23 2010-07-21 ダイキン工業株式会社 電流形電力変換回路
JP2011200099A (ja) * 2009-08-31 2011-10-06 Sanyo Electric Co Ltd インバータおよびそれを搭載した電力変換装置
JP4720942B1 (ja) * 2010-01-19 2011-07-13 ダイキン工業株式会社 電力変換装置
WO2012063573A1 (ja) 2010-11-09 2012-05-18 株式会社安川電機 フィルタ回路及びそれを備える双方向電力変換装置
JP5329587B2 (ja) * 2011-03-07 2013-10-30 株式会社安川電機 電力変換装置
JP6008330B2 (ja) * 2011-08-30 2016-10-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 電力変換装置
JP6128836B2 (ja) 2012-12-26 2017-05-17 株式会社Soken 電力変換装置
CN203537223U (zh) * 2013-10-25 2014-04-09 山东大学 一种具有负压的自举供电mosfet/igbt驱动线路

Also Published As

Publication number Publication date
CN107437889B (zh) 2020-06-12
US20170345808A1 (en) 2017-11-30
US10411002B2 (en) 2019-09-10
JP2017216866A (ja) 2017-12-07
CN107437889A (zh) 2017-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6191965B2 (ja) 電力変換装置、およびそれを用いたパワーコンディショナ
EP2651024B1 (en) Multilevel power converter
JP6454936B2 (ja) 電力変換装置、およびそれを用いたパワーコンディショナ
US10128756B2 (en) DC-DC converter with high transformer ratio
US20120069604A1 (en) Compact power converter with high efficiency in operation
WO2021033412A1 (ja) Dc/dc変換装置
WO2013150573A1 (ja) 整流回路
US20160036233A1 (en) Series-parallel conversion power device
US10003257B2 (en) Converter
US10033299B2 (en) Converter and power conversion device including the same
JP6817579B2 (ja) 電力変換回路及び電力伝送システム
JP6895629B2 (ja) 電力変換回路及び電力伝送システム
JP6832528B2 (ja) 電力変換回路及び電力伝送システム
US20220294388A1 (en) Photovoltaic system
KR101412352B1 (ko) 직류- 직류 컨버터
US20170012546A1 (en) Dc-dc converter, and solar power controller and mobile body using same
CN110063009B (zh) 电力变换装置以及使用该装置的电动机驱动装置
EP4250550A1 (en) Neutral point clamped inverter and photovoltaic power supply system
JP2016032374A (ja) 直並列切換電源装置
EP2490335A2 (en) Semiconductor device
JP2014003753A (ja) 充放電システム
CN209748429U (zh) Dc-ac转换电路以及储能电源
EP3226378B1 (en) Apparatus and method for supplying differential voltage, and dc-dc converter
JP6895643B2 (ja) 電力変換装置
JP7054816B2 (ja) 電力変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200304

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201209

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201211

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6817579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151