JP6814998B1 - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】ロールには巻き取りにくい基材であっても、連続的にプラズマ処理することができるプラズマ処理装置の提供。【解決手段】基材Ｘにプラズマ処理する複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６と、基材Ｘを起立姿勢で保持するトレイＹと、トレイＹを複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に連続的に搬送するリフト機構１０とを備えるようにしたプラズマ処理装置であって、前記複数のプラズマ処理室が互いに連通しており、それぞれの部屋間に差動排気室が設けられているプラズマ処理装置。【選択図】図２

Description

本発明は、例えば燃料電池用セパレータを製造するためのプラズマ処理装置に関するものである。
この種のプラズマ処理装置として、特許文献１には、送出しロールに巻かれている基材を送り出し、プラズマ処理により成膜し、成膜された基材を巻取りロールで巻き取る所謂ロールツーロール方式のものが開示されている。
このようなロールツーロール方式のプラズマ処理装置は、連続的な成膜処理を行えるので、処理速度が速く製造効率が高い等の利点がある。
しかしながら、例えば凹凸が形成されている基材や分厚い基材など、ロールに巻取り難い基材に成膜する場合には、上述したロールツーロール方式の装置を適用することが難しいといった課題がある。
特開２０１９−１１７７７３号公報
そこで本発明は、上述した問題を解決すべくなされたものであり、ロールに巻き取りにくい基材であっても、連続的にプラズマ処理できるようにすることその主たる課題とするものである。
すなわち本発明に係るプラズマ処理装置は、基材にプラズマ処理する複数のプラズマ処理室と、前記基材を起立姿勢で保持するトレイと、前記トレイを前記複数のプラズマ処理室に連続的に搬送するリフト機構とを備えることを特徴とするものである。
このように構成されたプラズマ処理装置によれば、基材を保持するトレイがリフト機構によって複数のプラズマ処理室に連続的に搬送されるので、仮に基材がロールに巻取りにくいものであっても、連続的な成膜処理を行うことができる。
前記複数のプラズマ処理室が、互いに連通しており、それぞれの部屋間に差動排気室が設けられていることが好ましい。
このような構成であれば、複数のプラズマ処理室を連通させることでトレイの連続的な搬送を可能にしつつ、各プラズマ処理室を所望の真空度に維持することができる。
リフト機構を簡易な構成にするためには、前記リフト機構が、前記複数のプラズマ処理室に亘って架け渡されて前記トレイが引っ掛けられるロープと、前記複数のプラズマ処理室間で前記ロープを移動させる駆動源と有することが好ましい。
複数の前記トレイが設置されており、これらのトレイを順次前記ロープに搬送する搬送機構をさらに備えることが好ましい。
このような構成であれば、複数のトレイを順次自動的に送り出すことができ、複数のトレイに保持された多数枚の基材を一挙に連続成膜することができ、さらなる高効率化を図れる。
このようなトレイの自動送り出しを実現するための態様としては、前記搬送機構が、前記トレイを前記ロープに送り出す無端ベルトを有し、前記トレイが前記無端ベルトの縁部から落ちかけることにより、前記トレイに設けられた引掛部が前記ロープに引っ掛かり、前記トレイが前記ロープに吊り下げられる態様を挙げることができる。
前記基材をプラズマ洗浄するプラズマ洗浄室、前記基材にカーボンイオンを注入するイオン注入室、前記基材の一方の面にＤＬＣ被膜を形成する第１成膜室、前記基材の他方の面にＤＬＣ被膜を形成する第２成膜室、前記基材を酸素プラズマにより親水処理する親水処理室を前記プラズマ処理室として備え、前記リフト機構が、前記トレイを、前記プラズマ洗浄室、前記イオン注入室、前記第１成膜室、前記第２成膜室、及び前記親水処理室にこの順で搬送することが好ましい。
このように構成であれば、起立姿勢の基材を保持したトレイを、プラズマ洗浄室、イオン注入室、第１成膜室、第２成膜室、及び親水処理室に搬送するので、各部屋において基材の両面にプラズマ処理することができ、基材にＤＬＣ被膜を効率良く成膜することができる。
基材の両面をプラズマ処理するためのより具体的な実施態様としては、前記プラズマ洗浄室、前記イオン注入室、及び前記親水処理室のそれぞれには、室内にプラズマを発生させる少なくとも一対のアンテナが前記基材を挟む位置に設けられている構成が挙げられる。
このように構成した本発明によれば、ロールに巻き取りにくい基材であっても、連続的にプラズマ処理することができる。
本実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す模式図。 本実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す模式図。 本実施形態におけるトレイの構成を示す模式図。 本実施形態における搬送機構の構成を示す模式図。 その他の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す模式図。 その他の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す模式図。
以下に本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態について図面を参照して説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、複数枚の基材に連続成膜することのできる連続成膜装置であり、以下では一例として、燃料電池用セパレータ等を製造するために用いられ、基材に酸やアルカリに対する耐食性を有するガスバリヤ被膜を成膜するものについて説明する。なお、基材は、例えばアルミニウム基板等であり、ガスバリヤ被膜は、例えば導電性を有し且つ腐食を引き起こす硫酸水の浸透を抑制するＤＬＣ被膜である。ただし、基材やこの基材に成膜する被膜は、以下の実施形態に限らず、適宜変更して構わない。
このプラズマ処理装置１００は、図１及び図２に示すように、基材Ｘを起立姿勢でトレイＹに保持させながら、このトレイＹとともに基材Ｘを複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に搬送するように構成されている。なお、ここでいう起立姿勢とは、鉛直方向に沿った姿勢であることが好ましいが、必ずしもこの姿勢に限らず、鉛直方向から傾いた姿勢であっても良い。また、トレイＹは、図３に示すように、枠状をなすものであり、この枠内の縦横に複数枚の基材Ｘが吊り下げられて保持されている。
具体的にプラズマ処理装置１００は、図１及び図２に示すように、トレイ送出し室Ｓ１、プラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、第１成膜室Ｓ４、第２成膜室Ｓ５、親水処理室Ｓ６、及びトレイ収納室Ｓ７と、これらの各部屋にトレイＹとともに基材Ｘを搬送するリフト機構１０とを備えている。
トレイ送出し室Ｓ１は、複数のトレイＹを収容しており、これらのトレイＹを後述する各処理室へ順次送り出す部屋である。このトレイ送出し室Ｓ１は、例えば真空ポンプ等の吸引機構Ｐにより排気されて所定の真空度に保たれている。
プラズマ洗浄室Ｓ２は、トレイ送出し室Ｓ１から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、その基材Ｘをプラズマ洗浄する処理室である。具体的にプラズマ洗浄室Ｓ２には、少なくとも一対のアンテナ２が基材Ｘを挟む位置に設けられており、この実施形態では、これら一対の誘導結合型アンテナ２が２組、搬送方向に沿って並び設けられている。そして、これらのアンテナ２に整合器（不図示）を介して高周波電源（不図示）からの高周波電力を印加するとともに、室内にアルゴンガスをクリーニングガスとして供給することで、基材Ｘの表面及び裏面の近傍にはアルゴンイオンを含む誘導結合型の放電プラズマが発生する。このアルゴンプラズマにより、基材Ｘの一方の面（以下、表面ともいう）及び他方の面（以下、裏面ともいう）が洗浄される。
イオン注入室Ｓ３は、プラズマ洗浄室Ｓ２から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、その基材Ｘにカーボンイオンを注入する処理室である。このイオン注入は、後述するＤＬＣ被膜の密着性を向上させるべく、基材Ｘに核（云わば髪の毛でいう毛根のようなもの）を形成するための処理である。具体的にイオン注入室Ｓ３には、少なくとも一対のアンテナ２が基材Ｘを挟む位置に設けられており、この実施形態では、これら一対の誘導結合型アンテナ２が２組、搬送方向に沿って並び設けられている。これらのアンテナ２に整合器（不図示）を介して高周波電源（不図示）からの高周波電力を印加するとともに、室内に例えばメタン等の炭素化合物ガスを原料ガスとして供給することで、基材Ｘの表面及び裏面の近傍にはカーボンイオンを含む誘導結合型アンテナ２の放電プラズマが発生する。そして、基材Ｘにバイアス電源（不図示）からの負の直流電圧又は負のパルス電圧が印加して、基材Ｘの表面及び裏面に炭素イオンが注入されてＤＬＣ被膜の密着性の向上に資する核が形成される。
第１成膜室Ｓ４は、イオン注入室Ｓ３から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、その基材Ｘの一方の面（表面）にＤＬＣ被膜を生成する処理室である。具体的に第１成膜室Ｓ４には、基材Ｘの表面側に１又は複数のアンテナ２が設けられており、この実施形態では５本の誘導結合型アンテナ２が搬送方向に沿って並び設けられている。一方、基材Ｘの裏面側にはヒータ３が設けられている。
そして、上述したアンテナ２に整合器（不図示）を介して高周波電源（不図示）からの高周波電力を印加するとともに、室内に例えば窒素、メタン、アセチレンの混合ガスが原料ガスとして供給することで、基材Ｘの表面の近傍にはカーボンイオンを含む誘導結合型の放電プラズマが発生する。このとき、ＤＬＣ被膜を導電化すべく、上述したヒータ３によって基材Ｘを例えば１５０〜４００℃に下地加熱する。そして、基材Ｘにバイアス電源（不図示）からの負の直流電圧又は負のパルス電圧を印加するとともに、ヒータ３やプラズマ中のイオンエネルギーにより基材Ｘを追加加熱することで、基材Ｘの表面に導電性ＤＬＣ被膜が形成される。
第２成膜室Ｓ５は、第１成膜室Ｓ４から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、その基材Ｘの他方の面（裏面）にＤＬＣ被膜を生成する処理室である。具体的に第２成膜室Ｓ５には、基材Ｘの裏面側に１又は複数のアンテナ２が設けられており、この実施形態では５本の誘導結合型アンテナ２が搬送方向に沿って並び設けられている。一方、基材Ｘの表面側にはヒータ３が設けられている。
そして、上述したアンテナ２に整合器（不図示）を介して高周波電源（不図示）からの高周波電力を印加するとともに、室内に例えば窒素、メタン、アセチレンの混合ガスが原料ガスとして供給することで、基材Ｘの裏面の近傍にはカーボンイオンを含む誘導結合型の放電プラズマが発生する。このとき、ＤＬＣ被膜を導電化すべく、上述したヒータ３によって基材Ｘを例えば１５０〜４００℃に下地加熱する。そして、基材Ｘにバイアス電源（不図示）からの負の直流電圧又は負のパルス電圧を印加するとともに、ヒータ３やプラズマ中のイオンエネルギーにより基材Ｘを追加加熱することで、基材Ｘの裏面に導電性ＤＬＣ被膜が形成される。
親水処理室Ｓ６は、第２成膜室Ｓ５から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、その基材Ｘに親水処理をして親水性を付与する処理室である。具体的に親水処理室Ｓ６には、少なくとも一対のアンテナ２が基材Ｘを挟む位置に設けられており、この実施形態では、これら一対の誘導結合型アンテナ２が１組設けられている。そして、これらのアンテナ２に整合器（不図示）を介して高周波電源（不図示）からの高周波電力を印加するとともに、室内に酸素ガスを供給することで、基材Ｘの表面及び裏面の近傍には酸素イオンを含む誘導結合型の放電プラズマが発生する。この酸素プラズマにより、基材Ｘの一方の表面及び裏面が親水処理される。
トレイ収納室Ｓ７は、親水処理室Ｓ６から送り出されたトレイＹとともに、このトレイＹに保持された基材Ｘが搬入され、それらを収納する部屋である。このトレイ収納室Ｓ７は、例えばポンプ等の吸引機構Ｐにより排気されて所定の真空度に保たれている。
これらのトレイ送出し室Ｓ１、プラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、第１成膜室Ｓ４、第２成膜室Ｓ５、親水処理室Ｓ６、及びトレイ収納室Ｓ７は互いに連通しており、プラズマ洗浄室Ｓ２及びイオン注入室Ｓ３の間と、イオン注入室Ｓ３及び第１成膜室Ｓ４の間と、第２成膜室Ｓ５及び親水処理室Ｓ６の間には、例えば共通のポンプ等の吸引機構Ｐ１により排気される差動排気室Ｓ８が介在している。そして、これらの各部屋は、トレイＹが通過可能なスリット（不図示）により連通しており、これによりプラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、第１成膜室Ｓ４、第２成膜室Ｓ５、及び親水処理室Ｓ６が差動排気されている。これにより、各部屋の間にゲートバルブ等を設けることなく、各プラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６を所定の真空度に維持することができる。
リフト機構１０は、トレイＹを、複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に連続的に搬送するものである。ここでのリフト機構１０は、トレイＹを、プラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、第１成膜室Ｓ４、第２成膜室Ｓ５、及び親水処理室Ｓ６にこの順で搬送するものであり、より詳細にはトレイ送出し室Ｓ１からトレイ収納室Ｓ７まで搬送する。
具体的にリフト機構１０は、図４に示すように、複数のプラズマ処理室Ｓ１〜Ｓ６に亘って架け渡されたロープ１１と、複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６間でロープ１１を移動させるモータ等の駆動源（不図示）とを備えている。
ここで、本実施形態のトレイＹは、図２及び図４に示すように、ロープ１１に引っ掛けるための引掛部Ｙａが例えば上端部に設けられており、ロープ１１に吊り下げ可能な構成としてある。
ロープ１１は、トレイＹの引掛部Ｙａが引っ掛けられるものであり、例えば金属、ガラス繊維、カーボンファイバ等からなり、ここではステンレスロープである。
この実施形態では、ロープ１１が、トレイ送出し室Ｓ１からトレイ収納室Ｓ７までの各部屋に架け渡されており、各部屋の上方をトレイ送出し室Ｓ１からトレイ収納室Ｓ７まで移動した後、各部屋の下方をトレイ収納室Ｓ７からトレイ送出し室Ｓ１まで移動し、これらの各部屋を周回するように設けられている。
さらに、本実施形態のプラズマ処理装置１００は、図４に示すように、複数のトレイＹが並び設けられており、これらのトレイＹを順次ロープ１１に搬送する搬送機構１２を備えている。
この搬送機構１２は、複数のトレイＹが載置されるとともに、それらのトレイＹを順次ロープ１１に向けて搬送するものであり、具体的には、例えば一対のローラ１３と、これらのローラ１３に巻かれた無端ベルト１２１とを有する。
この搬送機構１２と上述したロープ１１との相対的な位置関係は、トレイＹが無端ベルト１２１の縁部から落ちかけることにより、トレイＹの引掛部Ｙａがロープ１１に引っ掛かり、トレイＹがロープ１１に吊り下げられるように設定されている。
より具体的に説明すると、無端ベルト１２１に載置されてロープ１１に向かうトレイＹは、無端ベルト１２１が巻かれている前方のローラ１３の頂点を過ぎると、ローラ１３の表面に沿うようにして徐々に下がり始めて前方に傾く傾倒姿勢となる。そして、トレイＹが落ちる前に、トレイＹの引掛部Ｙａがロープ１１に引っ掛かるように、ロープ１１と無端ベルト１２１とが配置されている。
また、本実施形態のプラズマ処理装置１００は、成膜処理後にトレイＹをロープから順次受け取る搬出機構（不図示）をさらに備えている。
この搬出機構は、図４に示す搬送機構１２と同様の構成であり、上述した搬送機構１２と逆の動作により、トレイＹを受け取るものである。
すなわち、この搬出機構は、例えば一対のローラと、これらのローラに巻かれた無端ベルトとを有する。そして、ロープ１１により送られてきたトレイＹが無端ベルトに載ることで持ち上げられ、これによりトレイＹの引掛部Ｙａがロープ１１から外れて、そのトレイＹが回収されるように構成されている。
かかる構成により、送出し路１２に載置された複数のトレイＹは、ロープ１１に向かって送り出されて自動的に順次ロープ１１に乗り移り、その後は、モータ等の駆動源（不図示）によるロープ１１の移動によって自動的に上述した種々のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に順次搬送される。
そして、このロープ１１に上述したバイアス電源（不図示）からの負の直流電圧又は負のパルス電圧（バイアス電圧）が印加され、このバイアス電圧が、ロープ１１及びロープ１１に吊り下げられているトレイＹを介して基材Ｘに印加される。
このように構成された本実施形態のプラズマ処理装置１００によれば、基材Ｘを保持するトレイＹがリフト機構１０によって複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に連続的に搬送できるので、基材Ｘが巻取り難いものであっても、連続的な成膜処理を行うことができる。もちろん、巻取りが難しくない基材Ｘに対しても、本プラズマ処理装置１００を適用できることはいうまでもない。
また、複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６が、互いに連通しており、それぞれの部屋が差動排気されているので、複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６を連通させることでトレイＹの連続的な搬送を可能にしつつ、各プラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６を所望の真空度に維持することができる。
さらに、リフト機構１０が、複数のプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６に亘って架け渡されたロープ１１を利用して構成されており、このロープ１１にトレイＹを引っ掛けられるようにしてあるので、リフト機構１０を簡素な構成にすることができる。
そのうえ、送出し路１２が複数のトレイＹを順次ロープ１１に送り出すので、複数のトレイＹの送出しを自動化することができ、複数のトレイＹに保持された多数枚の基材Ｘを一挙に連続成膜することができ、さらなる高効率化を図れる。
しかも、搬送機構１２が、トレイＹをロープ１１に送り出す無端ベルト１２１を有し、トレイＹが無端ベルト１２１の縁部から落ちかけることにより、トレイＹに設けられた引掛部Ｙａがロープ１１に引っ掛かり、トレイＹがロープ１１に吊り下げられるように構成されているので、簡単な構成でトレイＹの自動送り出しを実現することができる。
加えて、起立姿勢の基材Ｘを保持したトレイＹを、プラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、第１成膜室Ｓ４、第２成膜室Ｓ５、及び親水処理室Ｓ６に搬送し、プラズマ洗浄室Ｓ２、イオン注入室Ｓ３、及び親水処理室Ｓ６には基材Ｘを挟むように一対のアンテナ２を設けてあるので、各部屋において基材Ｘの両面にプラズマ処理することができ、従来に比べて効率良くＤＬＣ被膜を生成することができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、前記実施形態では、ロープ１１をステンレスロープとして説明したが、このようにロープ１１が金属又はカーボンファイバのように導電性からなる場合、基材Ｘにはこのロープ１１を介してバイアス電圧が印加されることから、別々のトレイＹに保持されている複数の基材Ｘに同じ大きさのバイアス電圧が同時に印加されることになる。
これに対して、ロープ１１は、ガラスロープなどの非導電性からなるものであっても良い。この場合、図５に示すように、例えばそれぞれのプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６にパンタグラフ等の導電部材Ｄを設けておき、この導電部材Ｄを介してバイアス電圧を基材Ｘに印加するように構成しても良い。なお、基材Ｘに適切なタイミングでバイアス電圧を印加できるようにするべく、引掛部Ｙａは、図５に示すように、搬送方向に沿って長尺状のものであっても良い。
このような構成であれば、それぞれのプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６において、別々の大きさのバイアス電圧を基材Ｘに印加することができる。それぞれのプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６におけるプロセスに適した大きさのバイアス電圧を基材Ｘに印加することができ、成膜プロセスの自由度を向上させることができ、ひいてはより品質の高い膜を成膜する事が可能になる。
また、前記実施形態では、ロープ１１がプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６の上方及び下方を通るように設けられていたが、ロープ１１の配置はこれに限らず、例えば図６に示すように、プラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６の上方でそれぞれのプラズマ処理室Ｓ２〜Ｓ６を往来するように配置されていても良い。
さらに、基材Ｘは、アルミニウムに限らず、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）又はこれらの金属を含むステンレス等の合金のうち、少なくとも１種類の金属を有するものであっても良い。
そのうえ、ガスバリヤ被膜の形成には、前記実施形態で述べたものに限らず、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを用いても良い。
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
１００・・・プラズマ処理装置
Ｘ ・・・基材
Ｙ ・・・トレイ
Ｙａ ・・・引掛部
Ｓ１ ・・・トレイ送出し室
Ｓ２ ・・・プラズマ洗浄室
Ｓ３ ・・・イオン注入室
Ｓ４ ・・・第１成膜室
Ｓ５ ・・・第２成膜室
Ｓ６ ・・・親水処理室
Ｓ７ ・・・トレイ収納室
Ｓ８ ・・・差動排気室
１０ ・・・リフト機構
Ｐ ・・・吸引機構
２ ・・・アンテナ
３ ・・・ヒータ
１１ ・・・ロープ
１２ ・・・搬送機構
１２１・・・無端ベルト
１３ ・・・ローラ

Claims (6)

  1. 基材にプラズマ処理する複数のプラズマ処理室と、
    前記基材を起立姿勢で保持するトレイと、
    前記トレイを前記複数のプラズマ処理室に連続的に搬送するリフト機構とを備え、
    前記リフト機構が、
    前記複数のプラズマ処理室に亘って架け渡されて前記トレイが引っ掛けられるロープと、
    前記複数のプラズマ処理室間で前記ロープを移動させる駆動源と有することを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記複数のプラズマ処理室が、互いに連通しており、それぞれの部屋間に差動排気室が設けられていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 複数の前記トレイが設置されており、これらのトレイを順次前記ロープに搬送する搬送機構をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記搬送機構が、前記トレイを前記ロープに送り出す無端ベルトを有し、
    前記トレイが前記無端ベルトの縁部から落ちかけることにより、前記トレイに設けられた引掛部が前記ロープに引っ掛かり、前記トレイが前記ロープに吊り下げられることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記基材をプラズマ洗浄するプラズマ洗浄室、前記基材にカーボンイオンを注入するイオン注入室、前記基材の一方の面にＤＬＣ被膜を形成する第１成膜室、前記基材の他方の面にＤＬＣ被膜を形成する第２成膜室、前記基材を酸素プラズマにより親水処理する親水処理室を前記プラズマ処理室として備え、
    前記リフト機構が、前記トレイを、前記プラズマ洗浄室、前記イオン注入室、前記第１成膜室、前記第２成膜室、及び前記親水処理室にこの順で搬送することを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記プラズマ洗浄室、前記イオン注入室、及び前記親水処理室のそれぞれには、室内にプラズマを発生させる少なくとも一対のアンテナが前記基材を挟む位置に設けられていることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
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