JP6812188B2 - 受光回路及び光電センサ - Google Patents

受光回路及び光電センサ Download PDF

Info

Publication number
JP6812188B2
JP6812188B2 JP2016193910A JP2016193910A JP6812188B2 JP 6812188 B2 JP6812188 B2 JP 6812188B2 JP 2016193910 A JP2016193910 A JP 2016193910A JP 2016193910 A JP2016193910 A JP 2016193910A JP 6812188 B2 JP6812188 B2 JP 6812188B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
light receiving
signal
input node
output signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016193910A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018054557A (ja
Inventor
瞬 加藤
瞬 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd filed Critical Panasonic Industrial Devices SUNX Co Ltd
Priority to JP2016193910A priority Critical patent/JP6812188B2/ja
Priority to DE102017122608.7A priority patent/DE102017122608A1/de
Priority to CN201721288040.6U priority patent/CN207610707U/zh
Publication of JP2018054557A publication Critical patent/JP2018054557A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6812188B2 publication Critical patent/JP6812188B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J1/46Electric circuits using a capacitor
    • GPHYSICS
    • G08SIGNALLING
    • G08BSIGNALLING OR CALLING SYSTEMS; ORDER TELEGRAPHS; ALARM SYSTEMS
    • G08B13/00Burglar, theft or intruder alarms
    • G08B13/18Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength
    • G08B13/181Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using active radiation detection systems
    • G08B13/183Actuation by interference with heat, light, or radiation of shorter wavelength; Actuation by intruding sources of heat, light, or radiation of shorter wavelength using active radiation detection systems by interruption of a radiation beam or barrier
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44Electric circuits
    • G01J2001/4413Type
    • G01J2001/4433Peak sensing

Description

本発明は、受光回路及び光電センサに関する。
光電センサは、受光素子が受光した光に基づいて、被検出物を検出する。このような光電センサは、受光素子における受光量に応じた受光信号を出力する受光回路と、受光信号を増幅する増幅回路と、増幅回路の出力信号に基づいて検出信号を出力する制御回路とを有している(たとえば、特許文献1,2参照)。制御回路は、たとえば中央演算処理装置(CPU)等を含む。例えば、制御回路は、受光信号をアナログ−デジタル変換し、変換後のデジタル値に基づいて、被検出物の有無を判定する。また、別の制御回路は、コンパレータ等を用いてアナログの受光信号のまま被検出物の有無を判定する。
特開平10−19673号公報 特開平11−132846号公報
ところで、受光素子には、つねに光が入射する。このように入射する光によって、受光素子により得られる信号、つまり受光素子を含む受光回路の出力信号が不安定になる。このため、受光回路の出力信号における安定化が望まれている。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、受光素子により得られる信号を安定化することにある。
上記課題を解決する受光回路は、受光素子が接続される入力ノードにおける信号レベルと逆位相の出力信号を生成する信号生成回路と、前記出力信号を前記入力ノードに帰還する帰還回路と、を有する。
この構成によれば、逆位相の出力信号を受光素子が接続される入力ノードに帰還することで、受光素子に入射する光による信号レベルが帰還される出力信号によってキャンセルされ、入力ノードの信号レベルが安定化する。
上記の受光回路において、前記帰還回路は、前記信号生成回路の出力端子と前記入力ノードとの間に接続され、制御信号に応答してオンオフするスイッチ回路を有することが好ましい。
この構成によれば、オンしたスイッチ回路を介して信号生成回路の出力信号が入力ノードに帰還され、出力信号が安定化する。そして、スイッチ回路をオフすることにより受光素子における入射光に応じたレベルの出力信号が出力される。
上記の受光回路において、前記帰還回路は、前記スイッチ回路と入力ノードとの間に接続されたコンデンサを有することが好ましい。
この構成によれば、出力信号の交流成分が入力ノードに帰還されるため、コンデンサまでの経路における直流成分の影響を抑制することができる。
上記の受光回路において、前記信号生成回路は、前記入力ノードに第1端子が接続されたコンデンサと、前記コンデンサの第2端子に入力端子が接続され、入力信号を反転して前記出力信号を生成する反転回路と、を有することが好ましい。
この構成によれば、入力ノードにおける信号レベルの変化において、コンデンサにより直流成分が除去されて交流成分が反転回路に供給される。このため、入力ノードの変動に対して直流成分による影響が抑制された出力信号を生成することができる。
上記課題を解決する光電センサは、投光素子と、前記投光素子を駆動する投光回路と、受光素子と、前記受光素子が接続される受光回路と、を有する。
この構成によれば、受光素子が接続される入力ノードの信号レベルを安定化する受光回路を有する光電センサを得ることができる。
本発明の受光回路及び光電センサによれば、受光素子により得られる信号を安定化することができる。
第1実施形態の光電センサのブロック回路図。 受光回路の回路図。 (a)(b)は受光回路の動作を示す波形図。
以下、一実施形態を説明する。
図1に示すように、光電センサ10は、投光素子11と受光素子12とを有している。この光電センサ10は、たとえば反射型の光電センサである。投光素子11から出射された光は、被検出物Xにて反射する。受光素子12は、被検出物Xによる反射光を受光する。被検出物Xが無い場合、受光素子12には投光素子11の投光に応じた光は入射しない。光電センサ10は、受光素子12の受光レベルに基づいて、被検出物Xの有無を判定し、その判定結果に基づいて検出信号SKを出力する。
投光素子11は投光回路13を介して制御回路14に接続されている。また、受光素子12は、受光回路15を介して制御回路14に接続されている。制御回路14は、投光回路13を制御し、投光素子11から間欠的に検出光を出射させる。制御回路14は、受光回路15を制御し、受光素子12における受光量に応じた信号を入力する。例えば、制御回路14は、受光回路15の出力信号の電圧レベルと参照電圧とを比較し、比較結果に基づいて、被検出物Xの有無を判定する。そして、制御回路14は、判定結果に応じた検出信号SKを出力する。
図2に示すように、受光素子12のカソードには高電位電圧VAが供給される電源配線(以下、電源配線VA)に接続されている。高電位電圧VAは、例えば5ボルト(V)である。受光素子12のアノードは、受光回路15の入力端子となる入力ノードN1に接続されている。
受光回路15は、抵抗R1、信号生成回路21、帰還回路23を有している。
入力ノードN1は抵抗R1の第1端子に接続され、抵抗R1の第2端子は基準電圧が供給される基準配線に接続されている。従って、受光素子12のアノードは抵抗R1を介して基準配線に接続されている。基準電圧はたとえば0Vであり、本実施形態ではグランドGNDである。以下の説明において、グランドGNDとして説明する。なお、各図では、符号「GND」が省略されている。
受光素子12と抵抗R1の間の接続点である入力ノードN1は、信号生成回路21に接続されている。
信号生成回路21は、オペアンプ(演算増幅器)22、抵抗R2、コンデンサC1,C2を有している。コンデンサC1の第1端子は入力ノードN1に接続され、コンデンサC1の第2端子はオペアンプ22の反転入力端子に接続されている。オペアンプ22の非反転入力端子には、参照電圧VRが供給される。オペアンプ22の出力端子と反転入力端子の間には、抵抗R2とコンデンサC2の並列回路が接続されている。
オペアンプ22の出力端子は、帰還回路23に接続されている。
帰還回路23は、スイッチ回路SW1とコンデンサC3とを含む。スイッチ回路SW1の第1端子はオペアンプ22の出力端子に接続され、スイッチ回路SW1の第2端子はコンデンサC3の第1端子に接続され、コンデンサC3の第2端子は入力ノードN1に接続されている。スイッチ回路SW1は、例えばMOSFETにより構成されるアナログスイッチである。スイッチ回路SW1は、制御信号SCに基づいてオンオフする。
次に、上記の受光回路15の作用を説明する。
信号生成回路21に含まれるオペアンプ22の反転入力端子は、コンデンサC1を介して入力ノードN1に接続され、その入力ノードN1には受光素子12のアノードに接続されている。従って、入力ノードN1における信号レベルは、受光素子12に入射する光の量に応じて変化する。入力ノードN1は、コンデンサC1を介してオペアンプ22の反転入力端子に接続されている。コンデンサC1は、交流結合素子である。従って、入力ノードにおける信号レベルのうち、直流成分がコンデンサC1によって除去され、交流成分がオペアンプ22に供給される。
オペアンプ22の出力端子は抵抗R2及びコンデンサC2の並列回路を介して非反転入力端子に接続されている。従って、このオペアンプ22と抵抗R2とコンデンサC2を含む信号生成回路21は、入力信号に対して逆位相の出力信号SRを出力する。なお、本実施形態において、オペアンプ22の増幅率は「1」に設定されている。
帰還回路23は、スイッチ回路SW1とコンデンサC3とを含む。帰還回路23においてスイッチ回路SW1をオフしたとき、信号生成回路21の出力信号SRは入力ノードN1に帰還されない。コンデンサC1は、入力ノードN1の信号レベルの変動のうち、直流成分を除去する。従って、信号生成回路21は、入力ノードN1の信号レベルのうち、交流成分に応じた出力信号SRを出力する。
スイッチ回路SW1が制御信号SCに基づいてオンしたとき、信号生成回路21の出力信号SRは、帰還回路23を介して入力ノードN1に帰還される。コンデンサC3は、出力信号SRにおける直流成分を除去し、交流成分を通過させる。
このように入力ノードN1に帰還される信号は、信号生成回路21の出力信号SRの交流成分である。そして、出力信号SRは、入力ノードN1からコンデンサC1を介して信号生成回路21に供給信号に対して逆位相である。従って、入力ノードN1には、逆位相の帰還信号が供給される。この帰還信号により入力ノードN1の信号レベルのうち、交流成分がキャンセルされる。
入力ノードN1における信号レベルは、受光素子12に入射する外乱光や受光素子12から入力ノードN1までの信号ラインに混入する電磁波等のノイズの影響により変動する。この変動のうち、直流成分は、コンデンサC1によって除去される。つまり、コンデンサC1は、ノイズの直流成分の影響を抑制する。
信号生成回路21は、入力信号に対して逆位相の出力信号SRを生成する。この出力信号SRが帰還回路23により入力ノードN1に帰還される。そして、出力信号SRにより、入力ノードN1における交流成分がキャンセルされる。この結果、出力信号SRの信号レベルが安定化する。
図3(a)は、帰還回路23におけるスイッチ回路SW1をオフしたときの、受光素子12に対する入射と、出力信号SRの変化を示す。パルス状の光が図2に示す受光素子12に入射すると、入力ノードN1の信号レベルは受光素子12の入射光に応じて変動する。その入力ノードN1の信号レベルに基づいて、逆位相の出力信号SRが生成される。
図3(b)は、帰還回路23におけるスイッチ回路SW1をオンしたときの、受光素子12に対する入射と、出力信号SRの変化を示す。パルス状の光が図2に示す受光素子12に入射すると、入力ノードN1の信号レベルは受光素子12の入射光に応じて変動する。しかし、帰還回路によって出力信号SRが入力ノードN1に帰還されてその入力ノードN1の交流成分がキャンセルされるため、安定したレベルの出力信号SRが生成される。
以上記述したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)受光回路15は、受光素子12が接続される入力ノードN1における信号レベルと逆位相の出力信号SRを生成する信号生成回路21と、出力信号SRを入力ノードN1に帰還する帰還回路23と、を有する。逆位相の出力信号SRを受光素子12が接続される入力ノードN1に帰還することで、受光素子12に入射する光による信号レベルが帰還される出力信号SRによってキャンセルされる。このため、入力ノードN1の信号レベルを安定化する、つまり出力信号SRを安定化することができる。
(2)帰還回路23は、信号生成回路21の出力信号SRが供給されるスイッチ回路SW1を有している。スイッチ回路SW1は、制御信号SCに基づいてオンオフする。オンしたスイッチ回路SW1を介して信号生成回路21の出力信号SRが入力ノードN1に帰還され、出力信号SRが安定化する。そして、スイッチ回路SW1をオフすることにより受光素子12における入射光に応じたレベルの出力信号SRが出力される。従って、必要とする期間(入射光を検出する期間)において、スイッチ回路SW1をオフすることで、入射光に応じた出力信号SRを得ることができる。そして、必要としない期間(入射光を検出しない期間)において、スイッチ回路SW1をオンすることで、出力信号SRを安定化することができる。
例えば、本実施形態の光電センサ10と他の光電センサとが近接して配置されている場合、他の光電センサの出射光が外乱光(干渉光)として入射することがある。このような場合、スイッチ回路SW1をオンすることで、外乱光(干渉光)の影響を抑制することができる。
(3)帰還回路23は、スイッチ回路SW1と入力ノードN1との間に接続されたコンデンサC3を有している。コンデンサC3は、直流成分を除去し、交流成分を通過する。例えば、オペアンプ22におけるオフセットはコンデンサC3により除去される。このように、出力信号SRの交流成分が入力ノードN1に帰還されるため、コンデンサC3までの経路における直流成分の影響を抑制することができる。
(4)信号生成回路21は、入力ノードN1に第1端子が接続されたコンデンサC1と、コンデンサC1の第2端子に入力端子が接続され、入力信号を反転して出力信号SRを生成するオペアンプ22とを有している。従って、入力ノードN1における信号レベルの変化において、コンデンサC1により直流成分が除去されて交流成分がオペアンプ22に供給される。このため、入力ノードN1の変動に対して直流成分による影響が抑制された出力信号SRを生成することができる。
尚、上記各実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態では、オペアンプ22を含む信号生成回路21により入力ノードN1の信号レベルの変化に対して逆位相の出力信号SRを生成したが、信号生成回路21の構成を適宜変更してもよい。
また、オペアンプ22を用いて逆位相の出力信号SRを生成する反転回路を構成したが、反転回路の構成を適宜変更してもよい。
・上記実施形態では、受光素子12のカソードに高電位電圧VAを印加し、アノードに抵抗R1を接続したが、受光素子12から信号を取得することが出来ればよく、回路構成を適宜変更してもよい。
・上記実施形態では、スイッチ回路SW1をアナログスイッチとしたが、出力信号SRの帰還する/しないを制御することが出来ればよく、回路構成やデバイスを適宜変更してもよい。例えば、トランジスタやリレー等により帰還を制御するようにしてもよい。
・上記実施形態では、反射型の光電センサにおける受光回路15としたが、透過型の光電センサに適用してもよい。
・上記実施形態に対し、出力信号SRを増幅する増幅回路を含む構成としてもよい。
12…受光素子、15…受光回路、21…信号生成回路、22…オペアンプ(反転回路)、23…帰還回路、C1,C3…コンデンサ、N1…入力ノード(入力端子)、SW1…スイッチ回路、SC…制御信号、SR…出力信号。

Claims (3)

  1. 受光素子が接続される入力ノードにおける信号レベルと逆位相の出力信号を生成する信号生成回路と、
    前記出力信号を前記入力ノードに帰還する帰還回路と、
    を有する受光回路において、
    前記帰還回路は、前記信号生成回路の出力端子と前記入力ノードとの間に接続され、制御信号に応答してオンオフするスイッチ回路を有するとともに、前記スイッチ回路と入力ノードとの間に接続されたコンデンサを有すること、を特徴とする受光回路。
  2. 前記信号生成回路は、
    前記入力ノードに第1端子が接続されたコンデンサと、
    前記コンデンサの第2端子に入力端子が接続され、入力信号を反転して前記出力信号を生成する反転回路と、を有することを特徴とする請求項1に記載の受光回路。
  3. 投光素子と、
    前記投光素子を駆動する投光回路と、
    受光素子と、
    前記受光素子が接続される請求項1または2に記載の受光回路と、
    を有する光電センサ。
JP2016193910A 2016-09-30 2016-09-30 受光回路及び光電センサ Active JP6812188B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016193910A JP6812188B2 (ja) 2016-09-30 2016-09-30 受光回路及び光電センサ
DE102017122608.7A DE102017122608A1 (de) 2016-09-30 2017-09-28 Lichtrezeptionsstromkreis und photoelektrischer Sensor
CN201721288040.6U CN207610707U (zh) 2016-09-30 2017-09-30 光接收电路和光电传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016193910A JP6812188B2 (ja) 2016-09-30 2016-09-30 受光回路及び光電センサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018054557A JP2018054557A (ja) 2018-04-05
JP6812188B2 true JP6812188B2 (ja) 2021-01-13

Family

ID=61623732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016193910A Active JP6812188B2 (ja) 2016-09-30 2016-09-30 受光回路及び光電センサ

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6812188B2 (ja)
CN (1) CN207610707U (ja)
DE (1) DE102017122608A1 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3157463B2 (ja) 1996-07-02 2001-04-16 サンクス株式会社 光電センサ及びカラーセンサ
JP3181250B2 (ja) 1997-10-30 2001-07-03 サンクス株式会社 光電センサ及びカラーセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018054557A (ja) 2018-04-05
DE102017122608A1 (de) 2018-04-05
CN207610707U (zh) 2018-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI546641B (zh) 雪崩光電二極體的偏壓產生電路及相關的控制電路
US10145736B2 (en) Bias currents to reverse-bias photodiode in light detection system
KR20160126523A (ko) 램프 신호 발생 장치 및 그를 이용한 씨모스 이미지 센서
US20140341571A1 (en) Optical transmitter
US5451891A (en) Potential detecting circuit
JP6812188B2 (ja) 受光回路及び光電センサ
JP5805884B2 (ja) 光センサおよび電子機器
JP6515797B2 (ja) 検出装置
JP2008092218A (ja) 光電センサ
JP2006319427A (ja) 光受信器
JP2006235991A (ja) 基準電圧発生回路及び駆動回路
KR102521306B1 (ko) 스위칭 전원장치용 출력전압 검출회로
JP6749717B1 (ja) センサ制御回路及びセンサ組み込み機器
JP3282389B2 (ja) 焦電型赤外線センサ回路
CN218068282U (zh) 光电传感器
TWI710887B (zh) 電源供應裝置
KR100459884B1 (ko) 상한 전압 제한기 및 이를 채용한 레이저 다이오드 구동장치
JP2008241518A (ja) 電流電圧変換回路およびこれを用いた自動調光装置
JP2021044733A (ja) 半導体回路及び半導体システム
JP2007147538A (ja) 発光素子駆動電流検出装置及び画像形成装置
WO2020189074A1 (ja) 投光装置およびこれを備えたtofセンサ、距離画像生成装置
JP4791435B2 (ja) 直流成分キャンセル回路
JP5243742B2 (ja) 煙感知器
JP2008008833A (ja) 多光軸光電センサ
JP2009047587A (ja) センサ信号増幅装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190705

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200610

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200923

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201208

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201216

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6812188

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250