JP6810631B2 - Substrate processing equipment and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate.

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。 A substrate processing device is used to perform various processing on various substrates such as a semiconductor substrate, a substrate for a liquid crystal display device, a substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, or a substrate for a photomask. It is used.

基板処理装置による一連の処理の過程において基板が帯電していると、基板にパーティクルが付着しやすくなり、基板の清浄度が低下する。また、放電現象により基板表面に形成される配線パターンが破損する可能性がある。これらの不具合の発生を防止するために、特許文献1に記載された基板処理装置においては、基板搬送装置により搬送される基板がイオナイザにより除電される。 If the substrate is charged in the process of a series of processing by the substrate processing apparatus, particles are likely to adhere to the substrate, and the cleanliness of the substrate is lowered. In addition, the wiring pattern formed on the substrate surface may be damaged by the discharge phenomenon. In order to prevent the occurrence of these defects, in the substrate processing apparatus described in Patent Document 1, the substrate conveyed by the substrate conveying apparatus is statically eliminated by the ionizer.

そのイオナイザは、略円筒状の外側電極とその中央部に設けられた内側電極とを含む。外側電極と内側電極との間に交流電圧が印加されることによりイオンが発生する。発生されたイオンは、基板搬送装置の保持部材により保持される基板の表面に吹き付けられる。それにより、搬送中の基板が除電される。 The ionizer includes a substantially cylindrical outer electrode and an inner electrode provided in the center thereof. Ions are generated by applying an AC voltage between the outer electrode and the inner electrode. The generated ions are sprayed onto the surface of the substrate held by the holding member of the substrate transport device. As a result, the substrate being conveyed is statically eliminated.

イオナイザにより除電された基板にレジスト液が供給されることによりレジスト膜の形成処理が行われる。また、イオナイザにより除電された基板に現像液が供給されることにより現像処理が行われる。 The resist film is formed by supplying the resist solution to the substrate whose static electricity has been removed by the ionizer. Further, the developing process is performed by supplying the developing solution to the substrate whose static electricity has been removed by the ionizer.

特開2000−114349号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-1144349

特許文献1に記載されたイオナイザは、洗浄装置を備える基板処理装置にも適用することができる。洗浄装置では、例えば、基板に薬液または純水等の洗浄液が供給されることにより基板が洗浄される。洗浄装置を備える基板処理装置においては、基板へのパーティクルの付着をより低減するために、基板はできる限り0(V)に近づくように除電されることが好ましい。それにより、洗浄後の基板の清浄度が向上する。 The ionizer described in Patent Document 1 can also be applied to a substrate processing apparatus including a cleaning apparatus. In the cleaning device, for example, the substrate is cleaned by supplying a cleaning liquid such as a chemical solution or pure water to the substrate. In the substrate processing apparatus provided with the cleaning apparatus, it is preferable that the substrate is statically eliminated so as to approach 0 (V) as much as possible in order to further reduce the adhesion of particles to the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after cleaning is improved.

上記のイオナイザによれば、1000(V)程度に帯電する基板の電位を100(V)程度にまで低下させることができるが、10(V)程度に帯電する基板の電位を0(V)に近づくように低下させることはできない。 According to the above ionizer, the potential of the substrate charged to about 1000 (V) can be lowered to about 100 (V), but the potential of the substrate charged to about 10 (V) is reduced to 0 (V). It cannot be lowered to get closer.

本発明の目的は、基板の清浄度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the cleanliness of a substrate.

(1)本発明に係る基板処理装置は、基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、洗浄処理部による洗浄処理前の基板および洗浄処理部による洗浄処理後の基板のうち少なくとも一方の基板の除電処理を行う除電部と、制御部とを備え、除電部は、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持する保持部と、保持部により保持された基板に雰囲気を通して真空紫外線を出射する出射部と、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部と、出射部により基板に照射される真空紫外線の照度を検出する照度検出部とを含み、制御部は、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射されるように出射部および相対的移動部を制御するとともに、基板上に発生するオゾンの量を所定の量に調整するために、照度検出部により検出された照度に基づいて相対的移動部による保持部と出射部との相対的な移動速度をフィードバック制御する(1) In the substrate processing apparatus according to the present invention, static elimination is performed on at least one of a cleaning processing unit that performs substrate cleaning processing, a substrate before cleaning processing by the cleaning processing unit, and a substrate after cleaning treatment by the cleaning processing unit. A static eliminator unit for processing and a control unit are provided, and the static eliminator unit includes a holding unit that holds the substrate in an atmosphere containing oxygen molecules, and an emitting unit that emits vacuum ultraviolet rays through the atmosphere to the substrate held by the holding unit. Includes a relative moving part that moves at least one of the holding part and the emitting part relative to the other in one direction, and an illuminance detecting part that detects the illuminance of the vacuum ultraviolet rays radiated to the substrate by the emitting part. The control unit controls the emission unit and the relative moving unit so that the vacuum ultraviolet rays emitted by the emission unit are irradiated to the substrate held by the holding unit through the atmosphere, and the amount of oxygen generated on the substrate is controlled. In order to adjust to a predetermined amount, the relative movement speed between the holding unit and the emitting unit by the relative moving unit is feedback-controlled based on the illuminance detected by the illuminance detecting unit .

その基板処理装置においては、洗浄処理部による洗浄処理前および洗浄処理後のうち少なくとも一方の時点で、除電部により基板の除電処理が行われる。除電部では、出射部から出射される真空紫外線が、酸素分子を含む雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射される。 In the substrate processing apparatus, the static elimination unit performs the static elimination treatment of the substrate at least one of the time before the cleaning treatment by the cleaning treatment unit and after the cleaning treatment. In the static elimination unit, the vacuum ultraviolet rays emitted from the emission unit irradiate the substrate held by the holding unit through an atmosphere containing oxygen molecules.

このとき、基板上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。 At this time, the atmosphere on the substrate absorbs a part of the vacuum ultraviolet rays, and the oxygen molecules contained in the atmosphere are decomposed into two oxygen atoms by photodissociation. Ozone is generated by combining the decomposed oxygen atoms with the surrounding oxygen molecules.

オゾンは、正電荷を帯びた共鳴構造と負電荷を帯びた共鳴構造との重ね合わせによって表現される共鳴混成体である。各共鳴構造は、共有結合および配位結合を含む。配位結合は不安定であるため、発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0(V)に近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。これらの結果、洗浄処理および除電処理後の基板の清浄度が向上する。 Ozone is a resonance hybrid represented by the superposition of a positively charged resonance structure and a negatively charged resonance structure. Each resonance structure contains covalent and coordinate bonds. Since the coordination bond is unstable, when the generated ozone comes into contact with one surface of a positively or negatively charged substrate, charge is transferred between the ozone and the substrate. In this case, the coordination bond of ozone is broken, and the potential of the substrate approaches 0 (V). In this way, the entire substrate is statically eliminated regardless of the charge amount and charge polarity of the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after the cleaning treatment and the static elimination treatment is improved.

板処理装置は、制御部をさらに備え、除電部は、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部と、出射部により基板に照射される真空紫外線の照度を検出する照度検出部とをさらに含む。制御部は、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射されるように出射部および相対的移動部を制御する。この場合、基板の全体に真空紫外線を同時に照射する必要がない。したがって、出射部の大型化を抑制することができる。 Board processing apparatus further includes a control unit, a discharge unit, irradiation and relative movement unit for relatively moving in one direction at least one of the holding portion and the exit portion relative to the other, to the substrate by emitting portion further including a illuminance detection unit for detecting the illuminance of the vacuum ultraviolet rays. Control unit controls the emitting portion and the relative movement unit such that a vacuum ultraviolet ray emitted by the emission part is irradiated to the substrate held by the holding portion through the atmosphere. In this case, it is not necessary to simultaneously irradiate the entire substrate with vacuum ultraviolet rays. Therefore, it is possible to suppress an increase in the size of the exit portion.

また、照度検出部により検出された照度に基づいて保持部と出射部との相対的な移動速度がフィードバック制御されることにより、基板上で単位面積当たりに照射される真空紫外線の光量が調整され、基板上で発生されるオゾンの量が調整される。移動速度を高くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が減少する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を減少させることができる。また、移動速度を低くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が増加する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を増加させることができる。したがって、基板上に所望の量のオゾンを均一に供給することが可能になる。その結果、基板の全体を均一に除電することが可能になる。
(2)除電処理において基板に供給されるべきオゾンの所定の量に対応する露光量は、基板ごとまたは基板の種類ごとに設定露光量として予め定められ、制御部は、各基板の露光量がその基板について予め定められた設定露光量となるようにフィードバック制御を行ってもよい。
(3)基板処理装置は、雰囲気における酸素濃度を検出する酸素濃度検出部をさらに備え、制御部は、酸素濃度検出部により検出された酸素濃度が設定値より低いか否かを判定し、検出された酸素濃度が設定値より低い場合にのみ、除電部による除電処理を行ってもよい。
In addition, the relative movement speed between the holding unit and the emitting unit is feedback- controlled based on the illuminance detected by the illuminance detecting unit, so that the amount of vacuum ultraviolet light emitted per unit area on the substrate is adjusted. , The amount of ozone generated on the substrate is adjusted. By increasing the moving speed, the amount of vacuum ultraviolet light emitted to the substrate is reduced. Thereby, the amount of ozone generated on the substrate can be reduced. Further, by lowering the moving speed, the amount of vacuum ultraviolet rays irradiated to the substrate increases. Thereby, the amount of ozone generated on the substrate can be increased. Therefore, it becomes possible to uniformly supply a desired amount of ozone on the substrate. As a result, it becomes possible to uniformly eliminate static electricity on the entire substrate.
(2) The exposure amount corresponding to a predetermined amount of ozone to be supplied to the substrate in the static elimination process is predetermined as a set exposure amount for each substrate or each type of substrate, and the control unit determines the exposure amount of each substrate. Feedback control may be performed so that the exposure amount of the substrate is set to a predetermined value.
(3) The substrate processing apparatus further includes an oxygen concentration detection unit that detects the oxygen concentration in the atmosphere, and the control unit determines whether or not the oxygen concentration detected by the oxygen concentration detection unit is lower than the set value and detects it. The static elimination process may be performed by the static elimination unit only when the oxygen concentration is lower than the set value.

(4)基板は一面および他面を有し、基板処理装置は、基板の一面と他面とを互いに反転させる反転装置をさらに備え、洗浄処理部は、反転装置により反転されていない基板の一面を洗浄可能でかつ反転装置により反転された基板の他面を洗浄可能に構成されてもよい。この場合、基板の一面および他面の清浄度を向上させることができる。 (4) The substrate has one surface and the other surface, the substrate processing device further includes an inversion device that inverts one surface and the other surface of the substrate, and the cleaning processing unit is one surface of the substrate that has not been inverted by the inversion device. It may be configured so that the other surface of the substrate inverted by the reversing device can be cleaned. In this case, the cleanliness of one surface and the other surface of the substrate can be improved.

(5)除電部は、保持部および出射部を収容する筐体をさらに備え、筐体は、筐体の内部と外部との間で基板を搬送するための第1および第2の搬送開口を有してもよい。この場合、第1および第2の搬送開口を用いて除電部に対する基板の搬入および搬出を行うことができる。それにより、基板の搬送経路の設計の自由度が向上する。 (5) The static eliminator further includes a housing for accommodating the holding portion and the emitting portion, and the housing has first and second transport openings for transporting the substrate between the inside and the outside of the housing. You may have. In this case, the substrate can be carried in and out of the static elimination unit using the first and second transport openings. As a result, the degree of freedom in designing the transfer path of the substrate is improved.

(6)基板処理装置は、第1の搬送装置を含む第1の領域と、洗浄処理部および第2の搬送装置を含む第2の領域とを有し、除電部は、第1の搬送開口を通して第1の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能でかつ第2の搬送開口を通して第2の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能に配置されてもよい。この場合、第1および第2の搬送装置により第1の領域と第2の領域との間で基板が搬送される際に、基板の除電処理を行うことが可能になる。 (6) The substrate processing device has a first region including a first transport device and a second region including a cleaning processing section and a second transport device, and the static elimination section has a first transport opening. The substrate may be arranged so that the substrate can be delivered to the first transfer device through the second transfer device and the substrate can be transferred to the second transfer device through the second transfer opening. In this case, when the substrate is transported between the first region and the second region by the first and second transport devices, it becomes possible to perform the static elimination processing of the substrate.

(7)第1の領域は、基板を収容する収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、第1の搬送装置は、容器載置部に載置された収納容器と除電部との間で基板を搬送し、第2の搬送装置は、除電部と洗浄処理部との間で基板を搬送し、除電部は、第1の搬送装置から第2の搬送装置への基板の受け渡しの際および第2の搬送装置から第1の搬送装置への基板の受け渡しの際に基板の除電処理を行ってもよい。 (7) The first region further includes a container mounting portion on which a storage container for accommodating the substrate is placed, and the first transport device includes a storage container mounted on the container mounting portion and a static elimination unit. The substrate is conveyed between the first transfer devices, the second transfer device transfers the substrate between the static elimination unit and the cleaning processing unit, and the static elimination unit transfers the substrate from the first transfer device to the second transfer device. In this case and when the substrate is transferred from the second transfer device to the first transfer device, the static elimination treatment of the substrate may be performed.

この場合、第1の領域の収納容器から第2の領域の洗浄処理部へ基板が搬送される際、および処理領域の洗浄処理部から搬入搬出領域内の収納容器へ基板が搬送される際に、除電部により基板に除電処理が行われる。それにより、第1の領域および第2の領域を用いた基板処理のスループットを向上させることができる。 In this case, when the substrate is transported from the storage container in the first region to the cleaning processing unit in the second region, and when the substrate is transported from the cleaning processing unit in the processing region to the storage container in the loading / unloading region. , The static elimination unit performs static elimination processing on the substrate. Thereby, the throughput of the substrate processing using the first region and the second region can be improved.

(8)除電部は、洗浄処理部により洗浄される前の基板に除電処理を行ってもよい。この場合、洗浄処理前の基板の電位が0(V)に近づく。それにより、洗浄処理時に基板の帯電に起因する放電現象が発生しない。したがって、基板の一部が破損することによる処理不良の発生が防止される。 (8) The static elimination unit may perform static elimination treatment on the substrate before it is cleaned by the cleaning processing unit. In this case, the potential of the substrate before the cleaning treatment approaches 0 (V). As a result, the discharge phenomenon due to the charging of the substrate does not occur during the cleaning process. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of processing defects due to a part of the substrate being damaged.

(9)除電部は、洗浄処理部により洗浄された後の基板に除電処理を行ってもよい。この場合、洗浄処理時に基板が帯電する場合でも、洗浄処理後の基板に除電処理が行われることにより基板の電位が0(V)に近づく。それにより、洗浄処理後の基板を清浄に保つことができる。 (9) The static elimination unit may perform static elimination treatment on the substrate after being cleaned by the cleaning processing unit. In this case, even if the substrate is charged during the cleaning treatment, the potential of the substrate approaches 0 (V) by performing the static elimination treatment on the substrate after the cleaning treatment. Thereby, the substrate after the cleaning treatment can be kept clean.

(10)本発明に係る基板処理方法は、基板の洗浄処理を行うステップと、洗浄処理を行うステップの前および洗浄処理を行うステップの後のうち少なくとも一方の時点で、基板の除電処理を行うステップとを含み、除電処理を行うステップは、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持部により保持するステップと、真空紫外線を出射部から出射させるステップと、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射されるように出射部および保持部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させるステップと、出射部により基板に照射される真空紫外線の照度を検出するステップと、基板上に発生するオゾンの量を所定の量に調整するために、検出された照度に基づいて保持部と出射部との相対的な移動速度をフィードバック制御するステップとを含む(10) In the substrate processing method according to the present invention, the static elimination treatment of the substrate is performed at least at one of the step of cleaning the substrate, before the step of performing the cleaning treatment, and after the step of performing the cleaning treatment. The steps including the step of performing the static elimination treatment include a step of holding the substrate by the holding portion in an atmosphere containing oxygen molecules, a step of emitting vacuum ultraviolet rays from the emitting portion, and a step of emitting vacuum ultraviolet rays emitted from the emitting portion. The step of moving at least one of the exiting portion and the holding portion relative to the other in one direction so that the substrate held by the holding portion is irradiated through, and the vacuum ultraviolet rays irradiated to the substrate by the emitting portion. A step of detecting the illuminance and a step of feedback-controlling the relative movement speed between the holding part and the emitting part based on the detected illuminance in order to adjust the amount of oxygen generated on the substrate to a predetermined amount. Including .

その基板処理方法においては、洗浄処理前および洗浄処理後のうち少なくとも一方の時点で、基板の除電処理が行われる。除電処理においては、出射部から出射される真空紫外線が、酸素分子を含む雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射される。このとき、真空紫外線の一部が酸素分子を含む雰囲気に吸収されることにより、オゾンが発生される。 In the substrate processing method, the static elimination treatment of the substrate is performed at least at one of the time before the cleaning treatment and after the cleaning treatment. In the static elimination treatment, the vacuum ultraviolet rays emitted from the emitting portion irradiate the substrate held by the holding portion through an atmosphere containing oxygen molecules. At this time, ozone is generated by absorbing a part of the vacuum ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen molecules.

発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0(V)に近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。これらの結果、洗浄処理および除電処理後の基板の清浄度が向上する。 When the generated ozone comes into contact with one surface of a positively or negatively charged substrate, charges are transferred between the ozone and the substrate. In this case, the coordination bond of ozone is broken, and the potential of the substrate approaches 0 (V). In this way, the entire substrate is statically eliminated regardless of the charge amount and charge polarity of the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after the cleaning treatment and the static elimination treatment is improved.

本発明によれば、基板の清浄度を向上させることが可能になる。 According to the present invention, it is possible to improve the cleanliness of the substrate.

第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1の基板処理装置を矢印Xの方向から見た背面図である。It is a rear view which looked at the substrate processing apparatus of FIG. 1 from the direction of arrow X. 図1のA−A線における基板処理装置の縦断面図である。It is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus in line AA of FIG. 第1の実施の形態に係る基板処理装置における基本的な動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the basic operation in the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 除電ユニットの外観斜視図である。It is an external perspective view of a static elimination unit. 除電ユニットの側面図である。It is a side view of the static elimination unit. 除電ユニットの内部構造を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the internal structure of a static elimination unit. 除電ユニットの内部構造を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the internal structure of a static elimination unit. 除電ユニットの内部構造を説明するための正面図である。It is a front view for demonstrating the internal structure of a static elimination unit. 後上面部および中央上面部の平面図である。It is a top view of the rear upper surface portion and the center upper surface portion. 蓋部材の下面図である。It is a bottom view of a lid member. ケーシングの開口部が開放されている状態を示す除電ユニットの外観斜視図である。It is external perspective view of the static elimination unit which shows the state which the opening of a casing is open. (a)は紫外線ランプおよび第3の窒素ガス供給部の平面図であり、(b)は紫外線ランプおよび第3の窒素ガス供給部の正面図であり、(c)は紫外線ランプおよび第3の窒素ガス供給部の下面図である。(A) is a plan view of the ultraviolet lamp and the third nitrogen gas supply unit, (b) is a front view of the ultraviolet lamp and the third nitrogen gas supply unit, and (c) is the ultraviolet lamp and the third nitrogen gas supply unit. It is a bottom view of the nitrogen gas supply part. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける基板の除電処理動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the static elimination processing operation of a substrate in a static elimination unit. 除電ユニットにおける照度測定動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the illuminance measurement operation in a static elimination unit. 除電ユニットにおける照度測定動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the illuminance measurement operation in a static elimination unit. 除電ユニットにおける照度測定動作を説明するための側面図である。It is a side view for demonstrating the illuminance measurement operation in a static elimination unit. 表面洗浄ユニットの構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the surface cleaning unit. 裏面洗浄ユニットの構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the back surface cleaning unit. 第2の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る基板処理装置における基本的な動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the basic operation in the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る除電ユニットの外観斜視図である。It is external perspective view of the static elimination unit which concerns on 2nd Embodiment. 第2の実施の形態に係る基板処理装置の洗浄ユニットの構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the cleaning unit of the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment.

本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を参照しながら説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、PDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。また、以下の説明では、回路パターン等の各種パターンが形成される基板の面を表面と呼び、その反対側の面を裏面と呼ぶ。また、下方に向けられた基板の面を下面と呼び、上方に向けられた基板の面を上面と呼ぶ。 The substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a PDP (plasma display panel), a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like. Further, in the following description, the surface of the substrate on which various patterns such as circuit patterns are formed is referred to as a front surface, and the surface on the opposite side thereof is referred to as a back surface. Further, the surface of the substrate facing downward is called a lower surface, and the surface of the substrate facing upward is called an upper surface.

[1]第1の実施の形態
(1)基板処理装置の構成
第1の実施の形態に係る基板処理装置においては、主として基板の表面および裏面がブラシを用いて物理的に洗浄される。このとき、基板の表面には、膜が形成されていてもよいし、膜が形成されていなくてもよい。図1は第1の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図であり、図2は図1の基板処理装置100を矢印Xの方向から見た背面図であり、図3は図1のA−A線における基板処理装置100の縦断面図である。
[1] First Embodiment (1) Configuration of Substrate Processing Device In the substrate processing apparatus according to the first embodiment, the front surface and the back surface of the substrate are mainly physically cleaned with a brush. At this time, a film may or may not be formed on the surface of the substrate. 1 is a plan view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, FIG. 2 is a rear view of the substrate processing apparatus 100 of FIG. 1 as viewed from the direction of arrow X, and FIG. 3 is a view. It is a vertical sectional view of the substrate processing apparatus 100 in line AA of 1.

図1に示すように、基板処理装置100は、インデクサブロック10および処理ブロック11を有する。インデクサブロック10および処理ブロック11は、矢印Xの方向に並ぶとともに互いに隣り合うように設けられている。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 has an indexer block 10 and a processing block 11. The indexer block 10 and the processing block 11 are provided so as to be arranged in the direction of the arrow X and adjacent to each other.

インデクサブロック10は、複数(本例では4つ)のキャリア載置台40および搬送部10Aを含む。複数のキャリア載置台40は、一方向に並ぶように搬送部10Aに接続されている。各キャリア載置台40上には、複数枚の基板Wを多段に収納するキャリアCが載置される。搬送部10Aには、インデクサロボットIRおよび制御部4が設けられている。インデクサロボットIRは、矢印Xに垂直な矢印U(図1)の方向に移動可能に構成されるとともに、鉛直軸の周りで回転可能かつ上下方向に昇降可能に構成されている。インデクサロボットIRには、基板Wを受け渡すための2つのハンドIRH(図3)が上下に設けられている。各ハンドIRHは、多関節型アームにより支持され、水平方向に進退可能となっている。多関節型アームは、図示しない駆動機構により独立に駆動される。また、ハンドIRHは、基板Wの下面の周縁部および外周端部を保持する。制御部4は、CPU(中央演算処理装置)、ROM(リードオンリメモリ)およびRAM(ランダムアクセスメモリ)を含むコンピュータ等からなり、基板処理装置100内の各構成部を制御する。 The indexer block 10 includes a plurality of (four in this example) carrier mounting bases 40 and a transport unit 10A. The plurality of carrier mounting tables 40 are connected to the transport unit 10A so as to be lined up in one direction. A carrier C for storing a plurality of substrates W in multiple stages is placed on each carrier mounting table 40. The transport unit 10A is provided with an indexer robot IR and a control unit 4. The indexer robot IR is configured to be movable in the direction of arrow U (FIG. 1) perpendicular to arrow X, and is configured to be rotatable around a vertical axis and vertically movable. The indexer robot IR is provided with two hand IRHs (FIG. 3) at the top and bottom for delivering the substrate W. Each hand IRH is supported by an articulated arm and can move forward and backward in the horizontal direction. The articulated arm is independently driven by a drive mechanism (not shown). Further, the hand IRH holds the peripheral edge portion and the outer peripheral end portion of the lower surface of the substrate W. The control unit 4 includes a computer including a CPU (central processing unit), a ROM (read-only memory), and a RAM (random access memory), and controls each component in the board processing device 100.

図2に示すように、処理ブロック11は、表面洗浄部11A、裏面洗浄部11Bおよび搬送部11Cを含む。表面洗浄部11Aは処理ブロック11の一方の側面側に位置し、裏面洗浄部11Bは処理ブロック11の他方の側面側に位置する。表面洗浄部11Aおよび裏面洗浄部11Bは、搬送部11Cを挟んで互いに対向する。 As shown in FIG. 2, the processing block 11 includes a front surface cleaning unit 11A, a back surface cleaning unit 11B, and a transport unit 11C. The front surface cleaning unit 11A is located on one side surface side of the processing block 11, and the back surface cleaning unit 11B is located on the other side surface side of the processing block 11. The front surface cleaning unit 11A and the back surface cleaning unit 11B face each other with the transport unit 11C interposed therebetween.

表面洗浄部11Aには、複数(本例では3つ)の表面洗浄ユニットSSおよび1つの除電ユニットOWEが設けられる。複数の表面洗浄ユニットSSおよび1つの除電ユニットOWEは上下に積層配置されている。裏面洗浄部11Bには、複数(本例では3つ)の裏面洗浄ユニットSSRおよび1つの除電ユニットOWEが設けられる。複数の裏面洗浄ユニットSSRおよび1つの除電ユニットOWEは上下に積層配置されている。なお、表面洗浄部11Aおよび裏面洗浄部11Bの各々には、2以上の除電ユニットOWEが設けられてもよい。 The surface cleaning unit 11A is provided with a plurality of (three in this example) surface cleaning units SS and one static elimination unit OWE. A plurality of surface cleaning units SS and one static elimination unit OWE are stacked one above the other. The back surface cleaning unit 11B is provided with a plurality of (three in this example) back surface cleaning units SSR and one static elimination unit OWE. A plurality of back surface cleaning units SSR and one static elimination unit OWE are stacked one above the other. Two or more static elimination units OWE may be provided in each of the front surface cleaning unit 11A and the back surface cleaning unit 11B.

搬送部11Cには、メインロボットMRが設けられている。メインロボットMRは、鉛直軸の周りで回転可能かつ上下方向に昇降可能に構成されている。また、メインロボットMRには、基板Wを受け渡すための2つのハンドMRH(図2)が上下に設けられている。各ハンドMRHは、多関節型アームにより支持され、水平方向に進退可能となっている。多関節型アームは、図示しない駆動機構により独立に駆動される。また、ハンドMRHは基板Wの下面の周縁部および外周端部を保持する。 The transport unit 11C is provided with a main robot MR. The main robot MR is configured to be rotatable around a vertical axis and able to move up and down in the vertical direction. Further, the main robot MR is provided with two hand MRHs (FIG. 2) at the top and bottom for delivering the substrate W. Each hand MRH is supported by an articulated arm and can move forward and backward in the horizontal direction. The articulated arm is independently driven by a drive mechanism (not shown). Further, the hand MRH holds the peripheral edge portion and the outer peripheral end portion of the lower surface of the substrate W.

図3に示すように、インデクサブロック10の搬送部10Aと処理ブロック11の搬送部11Cとの間には、反転ユニットRT1,RT2および基板載置部PASS1,PASS2が上下に積層配置されている。反転ユニットRT1は基板載置部PASS1,PASS2の上方に設けられており、反転ユニットRT2は基板載置部PASS1,PASS2の下方に設けられている。 As shown in FIG. 3, the reversing units RT1 and RT2 and the substrate mounting portions PASS1 and PASS2 are vertically stacked between the transporting portion 10A of the indexer block 10 and the transporting portion 11C of the processing block 11. The reversing unit RT1 is provided above the substrate mounting portions PASS1 and PASS2, and the reversing unit RT2 is provided below the substrate mounting portions PASS1 and PASS2.

(2)基板処理装置の動作の概要
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板Wの表面および裏面がそれぞれ表面洗浄ユニットSSおよび裏面洗浄ユニットSSRにより洗浄される。図4は、第1の実施の形態に係る基板処理装置100における基本的な動作の流れを示すフローチャートである。基板処理装置100の動作の概要について図1〜図4を参照しながら説明する。なお、以下に説明する基板処理装置100の各構成要素の動作は、図1の制御部4により制御される。
(2) Outline of Operation of Substrate Processing Device In the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment, the front surface and the back surface of the substrate W are cleaned by the front surface cleaning unit SS and the back surface cleaning unit SSR, respectively. FIG. 4 is a flowchart showing a basic operation flow in the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment. The outline of the operation of the substrate processing apparatus 100 will be described with reference to FIGS. 1 to 4. The operation of each component of the substrate processing apparatus 100 described below is controlled by the control unit 4 of FIG.

最初に、インデクサロボットIRは、インデクサブロック10内のいずれかのキャリアCから未処理の基板Wを取り出す(ステップS11)。この時点では、基板Wの表面が上方に向けられている。インデクサロボットIRは、取り出した未処理の基板Wを基板載置部PASS2に載置する。基板載置部PASS2に載置された基板Wは、メインロボットMRにより受け取られ、反転ユニットRT1に搬入される。反転ユニットRT1は、表面が上方に向けられた基板Wを、裏面が上方を向くように反転する(ステップS12)。反転後の基板Wは、メインロボットMRにより反転ユニットRT1から搬出され、処理ブロック11のいずれかの除電ユニットOWEに搬入される。 First, the indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W from any carrier C in the indexer block 10 (step S11). At this point, the surface of the substrate W is facing upward. The indexer robot IR mounts the taken-out unprocessed substrate W on the substrate mounting portion PASS2. The board W mounted on the board mounting portion PASS2 is received by the main robot MR and carried into the reversing unit RT1. The reversing unit RT1 reverses the substrate W whose front surface is directed upward so that the back surface is directed upward (step S12). The inverted substrate W is carried out from the inversion unit RT1 by the main robot MR, and is carried into any of the static elimination units OWE of the processing block 11.

除電ユニットOWEは、搬入された未処理の基板Wの除電処理を行う(ステップS13)。除電処理の詳細は後述する。除電処理後の基板Wは、メインロボットMRにより除電ユニットOWEから搬出され、裏面洗浄部11Bのいずれかの裏面洗浄ユニットSSRに搬入される。なお、上記のステップS12,S13の処理は逆の順で行われてもよい。 The static elimination unit OWE performs static elimination processing of the untreated substrate W carried in (step S13). The details of the static elimination process will be described later. The substrate W after the static elimination treatment is carried out from the static elimination unit OWE by the main robot MR, and is carried into any back surface cleaning unit SSR of the back surface cleaning unit 11B. The processes of steps S12 and S13 may be performed in the reverse order.

裏面洗浄ユニットSSRは、未処理の基板Wの裏面の洗浄処理を行う(ステップS14)。以下、基板Wの裏面の洗浄処理を裏面洗浄処理と呼ぶ。裏面洗浄処理の詳細は後述する。裏面洗浄処理後の基板Wは、メインロボットMRにより裏面洗浄ユニットSSRから搬出され、反転ユニットRT2に搬入される。 The back surface cleaning unit SSR cleans the back surface of the untreated substrate W (step S14). Hereinafter, the cleaning process of the back surface of the substrate W is referred to as a back surface cleaning process. The details of the back surface cleaning process will be described later. The substrate W after the back surface cleaning process is carried out from the back surface cleaning unit SSR by the main robot MR and carried into the reversing unit RT2.

反転ユニットRT2は、裏面が上方に向けられた裏面洗浄処理後の基板Wを、表面が上方を向くように反転する(ステップS15)。反転後の基板Wは、メインロボットMRにより反転ユニットRT2から搬出され、処理ブロック11のいずれかの除電ユニットOWEに搬入される。 The reversing unit RT2 inverts the substrate W after the back surface cleaning treatment with the back surface facing upward so that the front surface faces upward (step S15). The inverted substrate W is carried out from the inversion unit RT2 by the main robot MR and carried into any of the static elimination units OWE of the processing block 11.

除電ユニットOWEは、裏面洗浄処理後の基板Wの除電処理を行う(ステップS16)。除電処理が行われた基板Wは、メインロボットMRにより除電ユニットOWEから搬出され、表面洗浄部11Aのいずれかの表面洗浄ユニットSSに搬入される。なお、上記のステップS15,S16の処理は逆の順で行われてもよい。 The static elimination unit OWE performs a static elimination treatment of the substrate W after the back surface cleaning treatment (step S16). The substrate W that has been subjected to the static elimination treatment is carried out from the static elimination unit OWE by the main robot MR, and is carried into any surface cleaning unit SS of the surface cleaning unit 11A. The processes of steps S15 and S16 may be performed in the reverse order.

表面洗浄ユニットSSは、裏面洗浄処理後の基板Wの表面の洗浄処理を行う(ステップS17)。以下、基板Wの表面の洗浄処理を表面洗浄処理と呼ぶ。表面洗浄処理の詳細は後述する。表面洗浄処理後の基板Wは、メインロボットMRにより表面洗浄ユニットSSから搬出され、処理ブロック11のいずれかの除電ユニットOWEに搬入される。 The front surface cleaning unit SS cleans the surface of the substrate W after the back surface cleaning treatment (step S17). Hereinafter, the surface cleaning process of the substrate W is referred to as a surface cleaning process. Details of the surface cleaning treatment will be described later. The substrate W after the surface cleaning treatment is carried out from the surface cleaning unit SS by the main robot MR and carried into any of the static elimination units OWE of the processing block 11.

除電ユニットOWEは、表面洗浄処理後の基板Wの除電処理を行う(ステップS18)。除電処理後の基板Wは、メインロボットMRにより除電ユニットOWEから搬出され、基板載置部PASS1に載置される。インデクサロボットIRは、基板載置部PASS1に載置された基板Wを受け取り、受け取った処理済みの基板Wをインデクサブロック10内のいずれかのキャリアC内に収納する(ステップS19)。このように、基板処理装置100に搬入される基板Wごとに上記の一連の動作が繰り返される。 The static elimination unit OWE performs static elimination treatment of the substrate W after surface cleaning treatment (step S18). The substrate W after the static elimination treatment is carried out from the static elimination unit OWE by the main robot MR and mounted on the substrate mounting portion PASS1. The indexer robot IR receives the substrate W mounted on the substrate mounting portion PASS1 and stores the received processed substrate W in any carrier C in the indexer block 10 (step S19). In this way, the above series of operations are repeated for each substrate W carried into the substrate processing apparatus 100.

なお、本実施の形態では、基板Wの裏面洗浄処理および表面洗浄処理がこの順で行われるが、基板Wの裏面洗浄処理および表面洗浄処理が逆の順で行われてもよい。この場合、上記のステップS11の処理後ステップS12〜S15の処理前にステップS16,S17の処理が行われ、ステップS15の処理後にステップS18,S19の処理が行われる。 In the present embodiment, the back surface cleaning treatment and the front surface cleaning treatment of the substrate W are performed in this order, but the back surface cleaning treatment and the front surface cleaning treatment of the substrate W may be performed in the reverse order. In this case, the processes of steps S16 and S17 are performed after the process of step S11 and before the processes of steps S12 to S15, and the processes of steps S18 and S19 are performed after the process of step S15.

(3)除電ユニット
まず、本実施の形態に係る除電ユニットOWEによる除電処理の概略を説明する。除電ユニットOWEにおいては、酸素分子を含む雰囲気内に配置される基板Wの上面に波長約120nm以上約230nm以下の真空紫外線が照射される。このとき、基板Wの上面上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。
(3) Static Elimination Unit First, the outline of the static elimination process by the static elimination unit OWE according to the present embodiment will be described. In the static elimination unit OWE, the upper surface of the substrate W arranged in an atmosphere containing oxygen molecules is irradiated with vacuum ultraviolet rays having a wavelength of about 120 nm or more and about 230 nm or less. At this time, the atmosphere on the upper surface of the substrate W absorbs a part of the vacuum ultraviolet rays, and the oxygen molecules contained in the atmosphere are decomposed into two oxygen atoms by photodissociation. Ozone is generated by combining the decomposed oxygen atoms with the surrounding oxygen molecules.

オゾンは、正電荷を帯びた共鳴構造と負電荷を帯びた共鳴構造との重ね合わせによって表現される共鳴混成体である。各共鳴構造は、共有結合および配位結合を含む。配位結合は不安定であるため、生成されたオゾンが正または負に帯電した基板Wの上面に接触すると、オゾンと基板Wとの間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板Wの電位が0(V)に近づく。このようにして、基板Wの帯電量および帯電極性によらず、電位が0(V)に近づくように基板Wが除電される。 Ozone is a resonance hybrid represented by the superposition of a positively charged resonance structure and a negatively charged resonance structure. Each resonance structure contains covalent and coordinate bonds. Since the coordination bond is unstable, when the generated ozone comes into contact with the upper surface of the positively or negatively charged substrate W, the charge is transferred between the ozone and the substrate W. In this case, the coordination bond of ozone is broken, and the potential of the substrate W approaches 0 (V). In this way, the substrate W is statically eliminated so that the potential approaches 0 (V) regardless of the charge amount and charge polarity of the substrate W.

続いて、除電ユニットOWEの構成の詳細を説明する。図5は除電ユニットOWEの外観斜視図であり、図6は除電ユニットOWEの側面図である。図5および図6に一点鎖線で示すように、除電ユニットOWEは略直方体形状を有する筐体60を含む。筐体60は、前壁部61、後壁部62、一側壁部63、他側壁部64、天井部65および床部66を有する。前壁部61および後壁部62は互いに対向し、一側壁部63および他側壁部64は互いに対向し、天井部65および床部66は互いに対向する。 Subsequently, the details of the configuration of the static elimination unit OWE will be described. FIG. 5 is an external perspective view of the static elimination unit OWE, and FIG. 6 is a side view of the static elimination unit OWE. As shown by the alternate long and short dash line in FIGS. 5 and 6, the static elimination unit OWE includes a housing 60 having a substantially rectangular parallelepiped shape. The housing 60 has a front wall portion 61, a rear wall portion 62, a side wall portion 63, another side wall portion 64, a ceiling portion 65, and a floor portion 66. The front wall portion 61 and the rear wall portion 62 face each other, the one side wall portion 63 and the other side wall portion 64 face each other, and the ceiling portion 65 and the floor portion 66 face each other.

除電ユニットOWEは、後壁部62が図1の搬送部11Cに向くように配置される。図5に示すように、後壁部62には、搬送部11C内と筐体60内との間で基板Wを搬送するための搬送開口62pが形成されている。また、筐体60の床部66には、排気部70が設けられている。排気部70は配管71を介して基板処理装置100の外部の排気装置72に接続される。排気装置72は、例えば工場内の排気設備であり、筐体60から排出される気体の無害化処理等を行う。 The static elimination unit OWE is arranged so that the rear wall portion 62 faces the transport portion 11C of FIG. As shown in FIG. 5, the rear wall portion 62 is formed with a transport opening 62p for transporting the substrate W between the inside of the transport portion 11C and the inside of the housing 60. Further, an exhaust portion 70 is provided on the floor portion 66 of the housing 60. The exhaust unit 70 is connected to the external exhaust device 72 of the substrate processing device 100 via the pipe 71. The exhaust device 72 is, for example, an exhaust facility in a factory, and performs detoxification treatment of the gas discharged from the housing 60.

以下の説明では、図5以降の所定の図に太い一点鎖線の矢印で示すように、筐体60の内部から前壁部61に向かう方向を除電ユニットOWEの前方と呼び、その逆方向(筐体60の内部から後壁部62に向かう方向)を除電ユニットOWEの後方と呼ぶ。 In the following description, the direction from the inside of the housing 60 toward the front wall portion 61 is referred to as the front of the static elimination unit OWE, as shown by the arrow of the thick alternate long and short dash line in the predetermined drawings after FIG. The direction from the inside of the body 60 toward the rear wall portion 62) is referred to as the rear of the static elimination unit OWE.

除電ユニットOWEは、筐体60に加えて主として光出射部300、基板移動部400および搬入搬出部500から構成される。基板移動部400は、略直方体形状を有するケーシング410を含む。ケーシング410は、前上面部411、中央上面部419、後上面部412、下面部413、前面部414、後面部415、一方側面部416および他方側面部417を含む。 The static elimination unit OWE is mainly composed of a light emitting unit 300, a substrate moving unit 400, and a loading / unloading unit 500 in addition to the housing 60. The substrate moving portion 400 includes a casing 410 having a substantially rectangular parallelepiped shape. The casing 410 includes a front upper surface portion 411, a central upper surface portion 419, a rear upper surface portion 412, a lower surface portion 413, a front surface portion 414, a rear surface portion 415, one side surface portion 416 and the other side surface portion 417.

一方側面部416および他方側面部417は、前後方向に延びるとともに互いに対向するように設けられている。一方側面部416および他方側面部417の上端部中央には一定高さ上方に延びる突出部prが形成されている。図5および図6では、一方側面部416および他方側面部417のうち他方側面部417の突出部prのみが示される。 One side surface portion 416 and the other side surface portion 417 are provided so as to extend in the front-rear direction and face each other. A protruding portion pr extending upward by a constant height is formed at the center of the upper ends of the one side surface portion 416 and the other side surface portion 417. In FIGS. 5 and 6, only the protruding portion pr of the other side surface portion 417 of the one side surface portion 416 and the other side surface portion 417 is shown.

中央上面部419は、一方側面部416の突出部prと他方側面部417の突出部prとをつなぐように設けられる。前上面部411は、突出部prよりも前方の位置で、一方側面部416の上端部と他方側面部417の上端部とをつなぐように設けられる。後上面部412は、突出部prよりも後方の位置で、一方側面部416の上端部と他方側面部417の上端部とをつなぐように設けられる。前上面部411および後上面部412の高さは互いに等しい。 The central upper surface portion 419 is provided so as to connect the protruding portion pr of the one side surface portion 416 and the protruding portion pr of the other side surface portion 417. The front upper surface portion 411 is provided at a position in front of the protruding portion pr so as to connect the upper end portion of one side surface portion 416 and the upper end portion of the other side surface portion 417. The rear upper surface portion 412 is provided at a position rearward from the protruding portion pr so as to connect the upper end portion of one side surface portion 416 and the upper end portion of the other side surface portion 417. The heights of the front upper surface portion 411 and the rear upper surface portion 412 are equal to each other.

一方側面部416の上端部と他方側面部417の上端部とをつなぐようにかつ前上面部411と後上面部412との間に位置するように、ケーシング410上に光出射部300が設けられる。光出射部300の一部は中央上面部419の上方に位置する。光出射部300の詳細は後述する。 A light emitting portion 300 is provided on the casing 410 so as to connect the upper end portion of the one side surface portion 416 and the upper end portion of the other side surface portion 417 and to be located between the front upper surface portion 411 and the rear upper surface portion 412. .. A part of the light emitting portion 300 is located above the central upper surface portion 419. The details of the light emitting unit 300 will be described later.

光出射部300の後方に搬入搬出部500が設けられる。図6に示すように、搬入搬出部500は、蓋部材510、蓋駆動部590、支持板591および2つの支持軸592を含む。図6では、2つの支持軸592のうち一方の支持軸592のみが示される。2つの支持軸592は、ケーシング410の両側部で上下方向に延びるようにそれぞれ設けられる。2つの支持軸592により支持板591が水平姿勢で支持される。この状態で、支持板591は光出射部300の後方かつ後上面部412の上方に位置する。支持板591の下面に蓋駆動部590が取り付けられる。蓋駆動部590の下方に蓋部材510が設けられる。 A carry-in / carry-out section 500 is provided behind the light emitting section 300. As shown in FIG. 6, the carry-in / carry-out section 500 includes a lid member 510, a lid drive section 590, a support plate 591, and two support shafts 592. In FIG. 6, only one of the two support shafts 592, the support shaft 592, is shown. The two support shafts 592 are provided on both sides of the casing 410 so as to extend in the vertical direction. The support plate 591 is supported in a horizontal position by the two support shafts 592. In this state, the support plate 591 is located behind the light emitting portion 300 and above the rear upper surface portion 412. A lid drive unit 590 is attached to the lower surface of the support plate 591. A lid member 510 is provided below the lid drive unit 590.

ケーシング410の後上面部412には開口部412b(図6)が形成されている。蓋駆動部590は、蓋部材510を駆動することにより蓋部材510を上下方向に移動させる。それにより、開口部412bが閉塞されまたは開放される。開口部412bが開放されることにより、ケーシング410内への基板Wの搬入およびケーシング410からの基板Wの搬出が可能となる。蓋部材510の構造および蓋部材510による開口部412bの開閉動作の詳細は後述する。 An opening 412b (FIG. 6) is formed in the rear upper surface portion 412 of the casing 410. The lid driving unit 590 moves the lid member 510 in the vertical direction by driving the lid member 510. As a result, the opening 412b is closed or opened. By opening the opening 412b, the substrate W can be carried into the casing 410 and the substrate W can be carried out from the casing 410. Details of the structure of the lid member 510 and the opening / closing operation of the opening 412b by the lid member 510 will be described later.

図7は除電ユニットOWEの内部構造を説明するための側面図であり、図8は除電ユニットOWEの内部構造を説明するための平面図であり、図9は除電ユニットOWEの内部構造を説明するための正面図である。 FIG. 7 is a side view for explaining the internal structure of the static elimination unit OWE, FIG. 8 is a plan view for explaining the internal structure of the static elimination unit OWE, and FIG. 9 is a plan view for explaining the internal structure of the static elimination unit OWE. It is a front view for.

図7では、他方側面部417(図5)が取り外された除電ユニットOWEの状態が示される。図8では、前上面部411(図5)および後上面部412(図5)が取り外された除電ユニットOWEの状態が示される。図9では、前面部414(図5)が取り外された除電ユニットOWEの状態が示される。また、図7〜図9では、光出射部300(図5)の構成の一部または全部が一点鎖線で示されるとともに、筐体60(図5)の図示が省略される。 FIG. 7 shows the state of the static elimination unit OWE from which the other side surface portion 417 (FIG. 5) has been removed. FIG. 8 shows a state of the static elimination unit OWE from which the front upper surface portion 411 (FIG. 5) and the rear upper surface portion 412 (FIG. 5) have been removed. FIG. 9 shows the state of the static elimination unit OWE from which the front portion 414 (FIG. 5) has been removed. Further, in FIGS. 7 to 9, a part or all of the configuration of the light emitting unit 300 (FIG. 5) is shown by a dashed-dotted line, and the housing 60 (FIG. 5) is not shown.

図7に示すように、基板移動部400のケーシング410内には、受渡機構420およびローカル搬送機構430が設けられる。受渡機構420は、複数の昇降ピン421、ピン支持部材422およびピン昇降駆動部423を含み、光出射部300よりも後方に配置される。 As shown in FIG. 7, a delivery mechanism 420 and a local transfer mechanism 430 are provided in the casing 410 of the substrate moving portion 400. The delivery mechanism 420 includes a plurality of elevating pins 421, a pin support member 422, and a pin elevating drive unit 423, and is arranged behind the light emitting unit 300.

ピン支持部材422に複数の昇降ピン421がそれぞれ上方に延びるように取り付けられる。ピン昇降駆動部423は、ピン支持部材422を上下方向に移動可能に支持する。この状態で、複数の昇降ピン421は、後上面部412の開口部412bに重なるように配置される。受渡機構420は、例えば図1の制御部4により制御される。ピン昇降駆動部423が動作することにより、複数の昇降ピン421の上端部が、後上面部412よりも上方の受渡位置と後述するローカル搬送ハンド434よりも下方の待機位置との間を移動する。 A plurality of elevating pins 421 are attached to the pin support member 422 so as to extend upward. The pin elevating drive unit 423 supports the pin support member 422 so as to be movable in the vertical direction. In this state, the plurality of elevating pins 421 are arranged so as to overlap the opening 412b of the rear upper surface portion 412. The delivery mechanism 420 is controlled by, for example, the control unit 4 of FIG. By operating the pin elevating drive unit 423, the upper ends of the plurality of elevating pins 421 move between the delivery position above the rear upper surface portion 412 and the standby position below the local transfer hand 434 described later. ..

図8に示すように、ローカル搬送機構430は、送り軸431、送り軸モータ432、2つのガイドレール433、ローカル搬送ハンド434、2つのハンド支持部材435および連結部材439を含む。 As shown in FIG. 8, the local transport mechanism 430 includes a feed shaft 431, a feed shaft motor 432, two guide rails 433, a local transport hand 434, two hand support members 435 and a connecting member 439.

ケーシング410内においては、前面部414の近傍に送り軸モータ432が設けられる。送り軸モータ432から後面部415の近傍にかけて前後方向に延びるように送り軸431が設けられる。送り軸431は、例えばボールねじであり、送り軸モータ432の回転軸に接続される。 In the casing 410, the feed shaft motor 432 is provided in the vicinity of the front surface portion 414. The feed shaft 431 is provided so as to extend in the front-rear direction from the feed shaft motor 432 to the vicinity of the rear surface portion 415. The feed shaft 431 is, for example, a ball screw and is connected to the rotation shaft of the feed shaft motor 432.

一方側面部416の近傍で前後方向に延びるようにガイドレール433が設けられる。また、他方側面部417の近傍で前後方向に延びるようにガイドレール433が設けられる。送り軸431および2つのガイドレール433は互いに平行となるように配置される。 On the other hand, the guide rail 433 is provided so as to extend in the front-rear direction in the vicinity of the side surface portion 416. Further, a guide rail 433 is provided so as to extend in the front-rear direction in the vicinity of the other side surface portion 417. The feed shaft 431 and the two guide rails 433 are arranged so as to be parallel to each other.

2つのガイドレール433上に2つのハンド支持部材435がそれぞれ前後方向に移動可能にかつ上方に延びるように設けられる。2つのハンド支持部材435は共通の高さを有する。2つのハンド支持部材435の上端部をつなぐようにローカル搬送ハンド434が設けられる。ローカル搬送ハンド434は、略円形状を有する板部材であり、2つのハンド支持部材435により支持される。ローカル搬送ハンド434上には基板Wが載置される。 Two hand support members 435 are provided on the two guide rails 433 so as to be movable in the front-rear direction and extend upward. The two hand support members 435 have a common height. A local transport hand 434 is provided to connect the upper ends of the two hand support members 435. The local transfer hand 434 is a plate member having a substantially circular shape, and is supported by two hand support members 435. The substrate W is placed on the local transfer hand 434.

ローカル搬送ハンド434には、複数の貫通孔434hが形成される。複数の貫通孔434hは、ローカル搬送ハンド434の中心部を取り囲むように等角度間隔で配置される。複数の貫通孔434hには、受渡機構420の複数の昇降ピン421がそれぞれ挿入可能である。また、ローカル搬送ハンド434の下面には、ローカル搬送ハンド434と送り軸431とを連結する連結部材439が設けられる。 A plurality of through holes 434h are formed in the local transfer hand 434. The plurality of through holes 434h are arranged at equal angular intervals so as to surround the central portion of the local transport hand 434. A plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 can be inserted into the plurality of through holes 434h. Further, on the lower surface of the local transport hand 434, a connecting member 439 that connects the local transport hand 434 and the feed shaft 431 is provided.

ローカル搬送機構430は、例えば図1の制御部4により制御される。送り軸モータ432が動作することにより送り軸431が回転する。それにより、ローカル搬送ハンド434が光出射部300よりも後方の後方位置P1と光出射部300よりも前方の前方位置P2との間で前後方向に移動する。図7以降の所定の図では、後方位置P1および前方位置P2の中心部が黒い三角印で示される。なお、図7および図8では、前方位置P2にあるときのローカル搬送ハンド434およびハンド支持部材435が二点鎖線で示される。 The local transfer mechanism 430 is controlled by, for example, the control unit 4 of FIG. The feed shaft 431 rotates when the feed shaft motor 432 operates. As a result, the local transport hand 434 moves in the front-rear direction between the rear position P1 behind the light emitting unit 300 and the front position P2 in front of the light emitting unit 300. In the predetermined drawings after FIG. 7, the central portions of the rear position P1 and the front position P2 are indicated by black triangle marks. In addition, in FIG. 7 and FIG. 8, the local transport hand 434 and the hand support member 435 when they are in the front position P2 are shown by a two-dot chain line.

受渡機構420の複数の昇降ピン421の上端部が待機位置にありかつローカル搬送ハンド434が後方位置P1にある状態で、複数の貫通孔434hが受渡機構420の複数の昇降ピン421上にそれぞれ位置決めされる。 With the upper ends of the plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 in the standby position and the local transport hand 434 in the rear position P1, the plurality of through holes 434h are respectively positioned on the plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420. Will be done.

基板Wの除電処理時には、ケーシング410内で酸素分子の光解離に起因してオゾンが発生される。オゾンは人体に悪影響を与えるため、オゾンが過剰に発生することは好ましくない。ケーシング410内でのオゾンの発生量は、ケーシング410内の酸素濃度が高いほど増加し、ケーシング410内の酸素濃度が低いほど低下する。そこで、ケーシング410内の酸素濃度を低下させるために、ケーシング410内に第1の窒素ガス供給部450が設けられる。図8に示すように、第1の窒素ガス供給部450は、両端部が閉塞された管状部材により構成され、一方側面部416から他方側面部417に延びるように後面部415の内面に取り付けられる。 During the static elimination treatment of the substrate W, ozone is generated in the casing 410 due to photodissociation of oxygen molecules. Since ozone has an adverse effect on the human body, it is not preferable to generate excessive ozone. The amount of ozone generated in the casing 410 increases as the oxygen concentration in the casing 410 increases, and decreases as the oxygen concentration in the casing 410 decreases. Therefore, in order to reduce the oxygen concentration in the casing 410, a first nitrogen gas supply unit 450 is provided in the casing 410. As shown in FIG. 8, the first nitrogen gas supply unit 450 is composed of tubular members whose both ends are closed, and is attached to the inner surface of the rear surface portion 415 so as to extend from one side surface portion 416 to the other side surface portion 417. ..

図9に示すように、第1の窒素ガス供給部450のうち前方を向く部分には、複数の噴射孔451が形成されている。複数の噴射孔451は、第1の窒素ガス供給部450の一端部から他端部にかけて略等間隔で並ぶように配置される。また、図7および図8に示すように、第1の窒素ガス供給部450のうち後方を向く部分に、窒素ガス導入管459の一端部が接続される。窒素ガス導入管459の他端部はケーシング410の外側に位置する。窒素ガス導入管459の他端部には、図示しない窒素ガス供給系が接続される。 As shown in FIG. 9, a plurality of injection holes 451 are formed in a portion of the first nitrogen gas supply unit 450 facing forward. The plurality of injection holes 451 are arranged so as to be arranged at substantially equal intervals from one end to the other end of the first nitrogen gas supply unit 450. Further, as shown in FIGS. 7 and 8, one end of the nitrogen gas introduction pipe 459 is connected to a portion of the first nitrogen gas supply unit 450 facing rearward. The other end of the nitrogen gas introduction pipe 459 is located outside the casing 410. A nitrogen gas supply system (not shown) is connected to the other end of the nitrogen gas introduction pipe 459.

ケーシング410の前面部414には、ケーシング410内の雰囲気をケーシング410の外部に排出するための気体導出管418が設けられている。窒素ガス供給系から窒素ガス導入管459に供給される窒素ガスは、第1の窒素ガス供給部450の内部空間を通って複数の噴射孔451からケーシング410内に噴射される。このとき、ケーシング410内の雰囲気が気体導出管418からケーシング410の外部に排出される。それにより、ケーシング410内の雰囲気が窒素ガスにより置換され、酸素濃度が低下する。したがって、オゾンが過剰に発生されることが抑制される。その結果、ケーシング410の外部に漏れ出るオゾンの量が低減される。 A gas outlet pipe 418 for discharging the atmosphere inside the casing 410 to the outside of the casing 410 is provided on the front surface portion 414 of the casing 410. The nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply system to the nitrogen gas introduction pipe 459 is injected into the casing 410 from the plurality of injection holes 451 through the internal space of the first nitrogen gas supply unit 450. At this time, the atmosphere inside the casing 410 is discharged from the gas outlet pipe 418 to the outside of the casing 410. As a result, the atmosphere inside the casing 410 is replaced by nitrogen gas, and the oxygen concentration is lowered. Therefore, excessive ozone generation is suppressed. As a result, the amount of ozone leaking to the outside of the casing 410 is reduced.

また、ケーシング410内に供給される窒素ガスは、除電処理におけるオゾンの発生時に酸素原子と酸素分子との三体反応の触媒として機能する。したがって、適切な量のオゾンが効率よく発生される。 Further, the nitrogen gas supplied into the casing 410 functions as a catalyst for the three-body reaction between oxygen atoms and oxygen molecules when ozone is generated in the static elimination treatment. Therefore, an appropriate amount of ozone is efficiently generated.

ここで、図5に示すように、筐体60においては、気体導出管418からケーシング410の外部に排出されるオゾンが、排気部70および配管71を通して排気装置72に送られる。したがって、除電処理によって発生するオゾンが除電ユニットOWEの周辺に拡散することが防止される。 Here, as shown in FIG. 5, in the housing 60, ozone discharged from the gas outlet pipe 418 to the outside of the casing 410 is sent to the exhaust device 72 through the exhaust unit 70 and the pipe 71. Therefore, ozone generated by the static elimination treatment is prevented from diffusing around the static elimination unit OWE.

図7に示すように、ケーシング410内には、さらに後位置センサS1、前位置センサS2、照度センサS3および酸素濃度センサS4が設けられる。後位置センサS1は、ローカル搬送ハンド434が後方位置P1にあるか否かを検出し、検出結果を図1の制御部4に与える。前位置センサS2は、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2にあるか否かを検出し、検出結果を図1の制御部4に与える。後位置センサS1および前位置センサS2としては、例えば光学式のセンサ等が用いられる。 As shown in FIG. 7, a rear position sensor S1, a front position sensor S2, an illuminance sensor S3, and an oxygen concentration sensor S4 are further provided in the casing 410. The rear position sensor S1 detects whether or not the local transfer hand 434 is in the rear position P1, and gives the detection result to the control unit 4 of FIG. The front position sensor S2 detects whether or not the local transfer hand 434 is in the front position P2, and gives the detection result to the control unit 4 of FIG. As the rear position sensor S1 and the front position sensor S2, for example, an optical sensor or the like is used.

酸素濃度センサS4は、ケーシング410内の酸素濃度を検出し、検出結果を図1の制御部4に与える。酸素濃度センサS4としては、ガルバニ電池式酸素センサまたはジルコニア式酸素センサ等が用いられる。 The oxygen concentration sensor S4 detects the oxygen concentration in the casing 410 and gives the detection result to the control unit 4 of FIG. As the oxygen concentration sensor S4, a galvanic cell type oxygen sensor, a zirconia type oxygen sensor, or the like is used.

照度センサS3は、フォトダイオード等の受光素子を含み、光が照射される受光素子の受光面の照度を検出する。ここで、照度とは、受光面の単位面積当たりに照射される光の仕事率である。照度の単位は、例えば「W/m」で表される。本実施の形態では、照度センサS3により検出される照度は、ローカル搬送ハンド434により後方位置P1と前方位置P2との間を移動する基板Wに真空紫外線が照射されるときの基板Wの照度、すなわち除電処理時において真空紫外線が照射されるときの基板Wの照度に相当する。また、照度センサS3は、光出射部300の後述する出射面321(図13(c))に対向する位置で、センサ昇降駆動部441により上下方向に移動可能に支持される。センサ昇降駆動部441は、例えば図1の制御部4により制御される。 The illuminance sensor S3 includes a light receiving element such as a photodiode, and detects the illuminance of the light receiving surface of the light receiving element to which light is irradiated. Here, the illuminance is the power of the light emitted per unit area of the light receiving surface. The unit of illuminance is represented by, for example, "W / m 2 ". In the present embodiment, the illuminance detected by the illuminance sensor S3 is the illuminance of the substrate W when the substrate W moving between the rear position P1 and the front position P2 by the local transport hand 434 is irradiated with vacuum ultraviolet rays. That is, it corresponds to the illuminance of the substrate W when the vacuum ultraviolet rays are irradiated during the static elimination treatment. Further, the illuminance sensor S3 is supported by the sensor elevating drive unit 441 so as to be movable in the vertical direction at a position facing the emission surface 321 (FIG. 13C) of the light emitting unit 300, which will be described later. The sensor elevating drive unit 441 is controlled by, for example, the control unit 4 of FIG.

図8および図9に示すように、照度センサS3の近傍には、遮光部材442および遮光駆動部443が設けられる。遮光部材442は、照度センサS3の受光素子よりも大きい外形を有する。遮光駆動部443は、上下方向における照度センサS3と光出射部300との間の位置(高さ)で、遮光部材442を前後方向に移動可能に支持する。遮光駆動部443は、例えば図1の制御部4により制御される。センサ昇降駆動部441および遮光駆動部443の動作の詳細は後述する。 As shown in FIGS. 8 and 9, a light-shielding member 442 and a light-shielding drive unit 443 are provided in the vicinity of the illuminance sensor S3. The light-shielding member 442 has an outer shape larger than that of the light-receiving element of the illuminance sensor S3. The light-shielding drive unit 443 supports the light-shielding member 442 so as to be movable in the front-rear direction at a position (height) between the illuminance sensor S3 and the light emission unit 300 in the vertical direction. The light-shielding drive unit 443 is controlled by, for example, the control unit 4 of FIG. Details of the operation of the sensor elevating drive unit 441 and the light-shielding drive unit 443 will be described later.

次に、図5のケーシング410の後上面部412、中央上面部419および搬入搬出部500の蓋部材510の構成について説明する。図10は後上面部412および中央上面部419の平面図であり、図11は蓋部材510の下面図である。 Next, the configuration of the rear upper surface portion 412 of the casing 410, the central upper surface portion 419, and the lid member 510 of the carry-in / carry-out portion 500 will be described. FIG. 10 is a plan view of the rear upper surface portion 412 and the central upper surface portion 419, and FIG. 11 is a bottom view of the lid member 510.

図10に示すように、後上面部412および中央上面部419を上方から見た場合に、開口部412bは後上面部412の後縁および中央上面部419の前縁により取り囲まれる。蓋部材510は、開口部412bよりもやや大きい外形を有する。また、蓋部材510の下面は、両端部を除く前縁の一部から一定幅の領域510d(図11)が他の領域に比べて一定高さ分高くなるように形成されている。 As shown in FIG. 10, when the rear upper surface portion 412 and the central upper surface portion 419 are viewed from above, the opening 412b is surrounded by the rear edge of the rear upper surface portion 412 and the front edge of the central upper surface portion 419. The lid member 510 has an outer shape slightly larger than that of the opening 412b. Further, the lower surface of the lid member 510 is formed so that a region 510d (FIG. 11) having a constant width from a part of the front edge excluding both ends is higher by a certain height than the other regions.

蓋部材510により開口部412bが閉塞される場合には、蓋部材510の下面のうち前縁を除く外縁から一定幅の領域510c(図11)が、後上面部412の上面に当接する。また、蓋部材510の下面のうち領域510d(図11)が、中央上面部419の上面に当接する。すなわち、後上面部412および中央上面部419のうち開口部412bを取り囲む領域に蓋部材510の下面が接触する。それにより、ケーシング410と蓋部材510との間に隙間が生じない。したがって、簡単な構成でケーシング410内の密閉性が向上する。 When the opening 412b is closed by the lid member 510, a region 510c (FIG. 11) having a constant width from the outer edge of the lower surface of the lid member 510 excluding the front edge abuts on the upper surface of the rear upper surface portion 412. Further, the region 510d (FIG. 11) of the lower surface of the lid member 510 abuts on the upper surface of the central upper surface portion 419. That is, the lower surface of the lid member 510 comes into contact with the region surrounding the opening 412b of the rear upper surface portion 412 and the central upper surface portion 419. As a result, no gap is formed between the casing 410 and the lid member 510. Therefore, the airtightness inside the casing 410 is improved with a simple configuration.

図11に示すように、蓋部材510の下面には、領域510cの内縁に沿って延びるように略一定幅の溝部510bが形成されている。溝部510b内に第2の窒素ガス供給部520が設けられる。第2の窒素ガス供給部520は、一端部が閉塞された管状部材により構成される。第2の窒素ガス供給部520のうち下方を向く部分には、複数の噴射孔511が形成されている。複数の噴射孔511は、略等間隔で並ぶように配置される。また、第2の窒素ガス供給部520の他端部に、窒素ガス導入管529の一端部が接続されている。窒素ガス導入管529の他端部は蓋部材510の側方に突出している。窒素ガス導入管529の他端部には、図示しない窒素ガス供給系が接続される。 As shown in FIG. 11, a groove portion 510b having a substantially constant width is formed on the lower surface of the lid member 510 so as to extend along the inner edge of the region 510c. A second nitrogen gas supply unit 520 is provided in the groove portion 510b. The second nitrogen gas supply unit 520 is composed of a tubular member whose one end is closed. A plurality of injection holes 511 are formed in a portion of the second nitrogen gas supply unit 520 facing downward. The plurality of injection holes 511 are arranged so as to be arranged at substantially equal intervals. Further, one end of the nitrogen gas introduction pipe 529 is connected to the other end of the second nitrogen gas supply unit 520. The other end of the nitrogen gas introduction pipe 529 projects laterally to the lid member 510. A nitrogen gas supply system (not shown) is connected to the other end of the nitrogen gas introduction pipe 529.

図12は、ケーシング410の開口部412bが開放されている状態を示す除電ユニットOWEの外観斜視図である。図12では、除電ユニットOWEのうち搬入搬出部500およびその周辺部のみが示される。 FIG. 12 is an external perspective view of the static elimination unit OWE showing a state in which the opening 412b of the casing 410 is open. In FIG. 12, only the carry-in / carry-out portion 500 and its peripheral portion are shown in the static elimination unit OWE.

図12に示すように、蓋部材510により開口部412bが開放される場合には、蓋部材510の下面の領域510c(図11)が、後上面部412の上方の位置で後上面部412の上面に対向する。また、蓋部材510の下面の領域510d(図11)が、中央上面部419の上方の位置で中央上面部419の上面に対向する。この状態で、窒素ガス供給系から窒素ガス導入管529に窒素ガスが供給される。 As shown in FIG. 12, when the opening 412b is opened by the lid member 510, the lower surface region 510c (FIG. 11) of the lid member 510 is located above the rear upper surface portion 412 of the rear upper surface portion 412. Facing the top surface. Further, the region 510d (FIG. 11) on the lower surface of the lid member 510 faces the upper surface of the central upper surface portion 419 at a position above the central upper surface portion 419. In this state, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply system to the nitrogen gas introduction pipe 529.

図12に太い実線の矢印で示すように、開口部412bが開放された状態で窒素ガス導入管529に供給される窒素ガスは、第2の窒素ガス供給部520(図11)の複数の噴射孔511(図11)から下方に噴射される。複数の噴射孔511(図11)から噴射される窒素ガスは、開口部412bの内縁近傍を通ってケーシング410内に流れる。 As shown by the thick solid arrow in FIG. 12, the nitrogen gas supplied to the nitrogen gas introduction pipe 529 with the opening 412b open is a plurality of injections of the second nitrogen gas supply unit 520 (FIG. 11). It is injected downward from the hole 511 (FIG. 11). Nitrogen gas injected from the plurality of injection holes 511 (FIG. 11) flows into the casing 410 through the vicinity of the inner edge of the opening 412b.

この場合、開口部412bの内縁部に沿うように蓋部材510の下面から下方に向かう窒素ガスの流れが形成される。形成された窒素ガスの流れは、蓋部材510の下方の空間とその空間の外方との間で雰囲気の流れを遮断する。それにより、ケーシング410の外部の雰囲気が開口部412bを通してケーシング410内に進入することが防止される。また、ケーシング410内で発生されたオゾンが開口部412bを通してケーシング410外へ流出することが抑制される。 In this case, a flow of nitrogen gas is formed from the lower surface of the lid member 510 downward along the inner edge of the opening 412b. The flow of the formed nitrogen gas blocks the flow of atmosphere between the space below the lid member 510 and the outside of that space. As a result, the atmosphere outside the casing 410 is prevented from entering the casing 410 through the opening 412b. Further, ozone generated in the casing 410 is suppressed from flowing out of the casing 410 through the opening 412b.

次に、光出射部300の構成について説明する。図7〜図9に示すように、光出射部300は、ケーシング310、紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330を含む。図7および図9では、ケーシング310が一点鎖線で示される。図8では、ケーシング310、紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330が一点鎖線で示される。ケーシング310内には、紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330とともに、紫外線ランプ320の駆動回路、配線および接続端子等が収容される。光出射部300は、例えば図1の制御部4により制御される。 Next, the configuration of the light emitting unit 300 will be described. As shown in FIGS. 7 to 9, the light emitting unit 300 includes a casing 310, an ultraviolet lamp 320, and a third nitrogen gas supply unit 330. In FIGS. 7 and 9, the casing 310 is indicated by an alternate long and short dash line. In FIG. 8, the casing 310, the ultraviolet lamp 320, and the third nitrogen gas supply unit 330 are shown by alternate long and short dash lines. A drive circuit, wiring, connection terminals, etc. of the ultraviolet lamp 320 are housed in the casing 310 together with the ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330. The light emitting unit 300 is controlled by, for example, the control unit 4 of FIG.

紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330は、それぞれ一方向に延びる直方体形状を有する。図8に一点鎖線で示すように、紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330の長手方向の寸法は、互いに等しくかつ一方側面部416と他方側面部417との間の距離とほぼ等しい。 The ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330 each have a rectangular parallelepiped shape extending in one direction. As shown by the alternate long and short dash line in FIG. 8, the dimensions of the ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330 in the longitudinal direction are equal to each other and substantially equal to the distance between one side surface portion 416 and the other side surface portion 417.

本例では、紫外線ランプ320として、波長172nmの真空紫外線を発生するキセノンエキシマランプが用いられる。なお、紫外線ランプ320は、波長約120nm以上約230nm以下の真空紫外線を発生するランプであればよく、キセノンエキシマランプに代えて他のエキシマランプまたは重水素ランプ等が用いられてもよい。 In this example, as the ultraviolet lamp 320, a xenon excimer lamp that generates vacuum ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm is used. The ultraviolet lamp 320 may be any lamp that generates vacuum ultraviolet rays having a wavelength of about 120 nm or more and about 230 nm or less, and other excimer lamps, deuterium lamps, or the like may be used instead of the xenon excimer lamp.

図13(a)は紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330の平面図であり、図13(b)は紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330の正面図であり、図13(c)は紫外線ランプ320および第3の窒素ガス供給部330の下面図である。 13 (a) is a plan view of the ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330, and FIG. 13 (b) is a front view of the ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330. (C) is a bottom view of the ultraviolet lamp 320 and the third nitrogen gas supply unit 330.

図13(c)に示すように、紫外線ランプ320の下面には、紫外線ランプ320の一端部から他端部に延びるように真空紫外線の出射面321が形成されている。紫外線ランプ320の点灯時には、出射面321から下方に向かって真空紫外線が出射される。紫外線ランプ320から出射される真空紫外線は、進行方向(本例では上下方向)に直交する帯状断面を有する。また、帯状断面の長さは、基板Wの直径よりも大きい。 As shown in FIG. 13 (c), a vacuum ultraviolet light emitting surface 321 is formed on the lower surface of the ultraviolet lamp 320 so as to extend from one end to the other end of the ultraviolet lamp 320. When the ultraviolet lamp 320 is lit, vacuum ultraviolet rays are emitted downward from the exit surface 321. The vacuum ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 320 have a strip-shaped cross section orthogonal to the traveling direction (vertical direction in this example). Further, the length of the strip-shaped cross section is larger than the diameter of the substrate W.

紫外線ランプ320は、その紫外線ランプ320から出射される帯状の真空紫外線が図8のローカル搬送ハンド434に載置される基板Wの移動経路を横切るように配置される。この場合、除電処理時に紫外線ランプ320から帯状の真空紫外線が出射された状態でローカル搬送ハンド434(図8)が後方位置P1(図8)と前方位置P2(図8)との間を一定の移動速度で移動することにより、基板Wの一端部から他端部に向かって帯状の真空紫外線が走査される。それにより、簡単な構成で、基板Wの上面の全ての領域に対して真空紫外線が均一に照射される。 The ultraviolet lamp 320 is arranged so that the band-shaped vacuum ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 320 cross the moving path of the substrate W placed on the local transport hand 434 of FIG. In this case, the local transport hand 434 (FIG. 8) is constant between the rear position P1 (FIG. 8) and the front position P2 (FIG. 8) in a state where the band-shaped vacuum ultraviolet rays are emitted from the ultraviolet lamp 320 during the static elimination process. By moving at the moving speed, the band-shaped vacuum ultraviolet rays are scanned from one end to the other end of the substrate W. As a result, the vacuum ultraviolet rays are uniformly irradiated to all the regions on the upper surface of the substrate W with a simple configuration.

また、この場合、ローカル搬送ハンド434(図8)の移動速度を調整することにより、除電処理時に基板Wの上面の単位面積当たりに照射される真空紫外線のエネルギー(以下、露光量と呼ぶ。)を調整することが可能になる。なお、露光量の単位は、例えば「J/m」で表される。 Further, in this case, by adjusting the moving speed of the local transport hand 434 (FIG. 8), the energy of the vacuum ultraviolet rays irradiated per unit area of the upper surface of the substrate W during the static elimination process (hereinafter, referred to as an exposure amount). Can be adjusted. The unit of the exposure amount is represented by, for example, "J / m 2 ".

露光量に応じて基板W上で発生されるオゾンの量に差が生じる。例えば、露光量が大きいほどオゾンの発生量が増加し、露光量が小さいほどオゾンの発生量が低下する。したがって、ローカル搬送ハンド434(図8)の移動速度を調整することにより、基板W上で発生されるオゾンの量を調整することができる。その結果、基板Wの上面全体を均一かつ適切に除電することができる。 The amount of ozone generated on the substrate W varies depending on the amount of exposure. For example, the larger the exposure amount, the larger the amount of ozone generated, and the smaller the exposure amount, the lower the amount of ozone generated. Therefore, the amount of ozone generated on the substrate W can be adjusted by adjusting the moving speed of the local transfer hand 434 (FIG. 8). As a result, the entire upper surface of the substrate W can be uniformly and appropriately statically eliminated.

図13(a)〜(c)に示すように、紫外線ランプ320の前面下端部に第3の窒素ガス供給部330が取り付けられる。第3の窒素ガス供給部330は、両端部が閉塞された角筒形状を有する。 As shown in FIGS. 13 (a) to 13 (c), a third nitrogen gas supply unit 330 is attached to the lower end of the front surface of the ultraviolet lamp 320. The third nitrogen gas supply unit 330 has a square tubular shape with both ends closed.

図13(b),(c)に示すように、第3の窒素ガス供給部330のうち下方を向く部分には、複数の噴射孔331が形成されている。複数の噴射孔331は、第3の窒素ガス供給部330の一端部から他端部にかけて略等間隔で並ぶように配置される。また、第3の窒素ガス供給部330の前面に、窒素ガス導入管339の一端部が接続されている。窒素ガス導入管339の他端部には、図示しない窒素ガス供給系が接続される。 As shown in FIGS. 13 (b) and 13 (c), a plurality of injection holes 331 are formed in a portion of the third nitrogen gas supply unit 330 facing downward. The plurality of injection holes 331 are arranged so as to be arranged at substantially equal intervals from one end to the other end of the third nitrogen gas supply unit 330. Further, one end of the nitrogen gas introduction pipe 339 is connected to the front surface of the third nitrogen gas supply unit 330. A nitrogen gas supply system (not shown) is connected to the other end of the nitrogen gas introduction pipe 339.

基板Wの除電処理時には、窒素ガス供給系から窒素ガス導入管339に窒素ガスが供給される。窒素ガス導入管339に供給される窒素ガスは、第3の窒素ガス供給部330の内部空間を通って複数の噴射孔331から図7のケーシング410内に分散的に噴射される。 During the static elimination treatment of the substrate W, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas supply system to the nitrogen gas introduction pipe 339. The nitrogen gas supplied to the nitrogen gas introduction pipe 339 is dispersedly injected into the casing 410 of FIG. 7 from the plurality of injection holes 331 through the internal space of the third nitrogen gas supply unit 330.

図13(c)に示すように、複数の噴射孔331は、紫外線ランプ320の出射面321に隣り合う。そのため、基板Wの除電処理時には、複数の噴射孔331から窒素ガスが噴射されることにより、基板Wに照射される真空紫外線の経路の酸素濃度をより低下させることができる。それにより、オゾンが過剰に発生されることがより抑制される。また、真空紫外線が照射される基板W上の領域に分散的に窒素ガスが供給されることにより、基板W上に均一な気体の流れを形成することができる。したがって、基板W上で発生されるオゾンを基板Wの上面全体に渡って均一に供給することができる。その結果、基板Wの上面全体のより均一な除電が可能になる。 As shown in FIG. 13C, the plurality of injection holes 331 are adjacent to the exit surface 321 of the ultraviolet lamp 320. Therefore, during the static elimination treatment of the substrate W, nitrogen gas is injected from the plurality of injection holes 331, so that the oxygen concentration in the path of the vacuum ultraviolet rays irradiated to the substrate W can be further reduced. As a result, excessive ozone generation is further suppressed. Further, by supplying nitrogen gas to the region on the substrate W irradiated with vacuum ultraviolet rays in a dispersed manner, a uniform gas flow can be formed on the substrate W. Therefore, ozone generated on the substrate W can be uniformly supplied over the entire upper surface of the substrate W. As a result, more uniform static elimination of the entire upper surface of the substrate W becomes possible.

また、真空紫外線が照射される基板W上の領域に窒素ガスが供給されるので、供給された窒素ガスが上記の三体反応の触媒として機能しやすい。したがって、適切な量のオゾンを効率よく発生させることができる。 Further, since the nitrogen gas is supplied to the region on the substrate W irradiated with the vacuum ultraviolet rays, the supplied nitrogen gas easily functions as a catalyst for the above-mentioned three-body reaction. Therefore, an appropriate amount of ozone can be efficiently generated.

紫外線ランプ320から基板Wの上面に照射される真空紫外線が酸素分子を含む雰囲気に吸収される量は、紫外線ランプ320と基板Wとの間の真空紫外線の経路が大きくなるにつれて大きくなる。そのため、真空紫外線の経路の長さに応じて基板W上で発生されるオゾンの量に差が生じる。例えば、真空紫外線の経路が長いほどオゾンの発生量が増加し、真空紫外線の経路が短いほどオゾンの発生量が低下する。したがって、紫外線ランプ320の出射面321(図13(c))に対して基板Wの上面が傾斜していると、基板W上の複数の位置で発生するオゾンの量に差が生じる。 The amount of the vacuum ultraviolet rays radiated from the ultraviolet lamp 320 to the upper surface of the substrate W to be absorbed by the atmosphere containing oxygen molecules increases as the path of the vacuum ultraviolet rays between the ultraviolet lamp 320 and the substrate W increases. Therefore, the amount of ozone generated on the substrate W varies depending on the length of the vacuum ultraviolet path. For example, the longer the vacuum ultraviolet path, the greater the amount of ozone generated, and the shorter the vacuum ultraviolet path, the lower the amount of ozone generated. Therefore, if the upper surface of the substrate W is inclined with respect to the exit surface 321 (FIG. 13 (c)) of the ultraviolet lamp 320, the amount of ozone generated at a plurality of positions on the substrate W will differ.

本実施の形態では、紫外線ランプ320は水平面内で前後方向に直交する方向(以下、左右方向と呼ぶ。)に延びるように配置される。また、ローカル搬送ハンド434は、図9に示されるように、2つのハンド支持部材435の上端部をつなぐように設けられる。2つのハンド支持部材435は、ローカル搬送ハンド434に基板Wが載置された状態で、左右方向において基板Wの中心を挟んで対向するように配置される。2つのハンド支持部材435は共通の高さを有するので、2つのハンド支持部材435が並ぶ左右方向では、ローカル搬送ハンド434の高さが一定となる。 In the present embodiment, the ultraviolet lamp 320 is arranged so as to extend in a direction orthogonal to the front-rear direction (hereinafter, referred to as a left-right direction) in the horizontal plane. Further, the local transfer hand 434 is provided so as to connect the upper ends of the two hand support members 435 as shown in FIG. The two hand support members 435 are arranged so as to face each other with the center of the substrate W in the left-right direction in a state where the substrate W is placed on the local transfer hand 434. Since the two hand support members 435 have a common height, the height of the local transport hand 434 is constant in the left-right direction in which the two hand support members 435 are lined up.

これらより、左右方向においては、ローカル搬送ハンド434に載置される基板Wと紫外線ランプ320との間の距離が一定に維持される。それにより、基板Wの除電処理時に、基板Wの上面の全体に均一に真空紫外線が照射される。したがって、基板W上の複数の位置で発生されるオゾンの量にばらつきが生じることが防止される。それにより、基板Wの上面全体についてより均一な除電が可能になる。 From these, in the left-right direction, the distance between the substrate W placed on the local transport hand 434 and the ultraviolet lamp 320 is kept constant. As a result, during the static elimination treatment of the substrate W, the entire upper surface of the substrate W is uniformly irradiated with vacuum ultraviolet rays. Therefore, it is possible to prevent variations in the amount of ozone generated at a plurality of positions on the substrate W. As a result, more uniform static elimination is possible over the entire upper surface of the substrate W.

(4)除電条件
本実施の形態において、除電ユニットOWEによる基板Wの除電条件には、ケーシング410内の酸素濃度およびローカル搬送ハンド434による基板Wの移動速度が含まれる。
(4) Static elimination conditions In the present embodiment, the static elimination conditions of the substrate W by the static elimination unit OWE include the oxygen concentration in the casing 410 and the moving speed of the substrate W by the local transfer hand 434.

除電処理中のケーシング410内の酸素濃度は例えば1%よりも低くなるように設定される。この場合、図7の酸素濃度センサS4により検出される酸素濃度が1%よりも低いときに基板Wの除電処理が行われる。それにより、オゾンが過剰に発生されることが抑制される。本実施の形態では、図7の酸素濃度センサS4により検出される酸素濃度が1%以上であると、基板Wの除電処理は行われない。 The oxygen concentration in the casing 410 during the static elimination treatment is set to be lower than, for example, 1%. In this case, the static elimination treatment of the substrate W is performed when the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor S4 of FIG. 7 is lower than 1%. As a result, excessive ozone generation is suppressed. In the present embodiment, if the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor S4 in FIG. 7 is 1% or more, the static elimination treatment of the substrate W is not performed.

除電処理を行うための露光量は基板Wの処理内容に基づいて基板Wごとまたは基板Wの種類ごとに予め定められている。予め定められた露光量は、基板Wの除電処理前に設定露光量として図1の制御部4に記憶される。 The exposure amount for performing the static elimination treatment is predetermined for each substrate W or each type of the substrate W based on the processing content of the substrate W. The predetermined exposure amount is stored in the control unit 4 of FIG. 1 as a set exposure amount before the static elimination processing of the substrate W.

上記のように、基板Wの一端部から他端部に帯状の真空紫外線を一定の速度で走査する場合には、基板Wの移動速度を制御することにより基板Wの露光量を調整することができる。例えば、基板Wの移動速度を高くすることにより露光量を減少させることができ、基板Wの移動速度を低くすることにより露光量を増加させることができる。ここで、基板Wの露光量と基板Wに照射される真空紫外線の照度と基板Wの移動速度との間には一定の関係が存在する。 As described above, when scanning a band-shaped vacuum ultraviolet ray from one end to the other end of the substrate W at a constant speed, the exposure amount of the substrate W can be adjusted by controlling the moving speed of the substrate W. it can. For example, the exposure amount can be reduced by increasing the moving speed of the substrate W, and the exposure amount can be increased by decreasing the moving speed of the substrate W. Here, there is a certain relationship between the exposure amount of the substrate W, the illuminance of the vacuum ultraviolet rays applied to the substrate W, and the moving speed of the substrate W.

そこで、本実施の形態では、後述する照度測定により、除電処理時において真空紫外線が照射されるときの基板Wの照度が、除電処理前に予め照度センサS3により検出される。この場合、設定露光量を得るために必要な基板Wの移動速度V(m/sec)は、照度センサS3により検出される照度をIL(W/m(=J/sec・m))とし、設定露光量をSA(J/m)とし、紫外線ランプ320から出射される真空紫外線の断面の基板Wの移動方向に平行な長さ(照射幅)をEW(m)とした場合に、次式(1)で表される。 Therefore, in the present embodiment, the illuminance of the substrate W when the vacuum ultraviolet rays are irradiated during the static elimination process is detected in advance by the illuminance sensor S3 before the static elimination process by the illuminance measurement described later. In this case, the moving speed V (m / sec) of the substrate W required to obtain the set exposure amount is the illuminance detected by the illuminance sensor S3 IL (W / m 2 (= J / sec · m 2 )). When the set exposure amount is SA (J / m 2 ) and the length (illuminance width) parallel to the moving direction of the substrate W in the cross section of the vacuum ultraviolet rays emitted from the ultraviolet lamp 320 is EW (m). , Expressed by the following equation (1).

V=(EW×IL)/SA …(1)
上記の式(1)に基づいて、基板Wの移動速度が制御部4により算出される。光出射部300から真空紫外線が出射された状態で、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1(または後方位置P1から前方位置P2)に算出された移動速度で移動するように、基板移動部400が制御される。
V = (EW x IL) / SA ... (1)
Based on the above equation (1), the moving speed of the substrate W is calculated by the control unit 4. With the vacuum ultraviolet rays emitted from the light emitting unit 300, the substrate is moved so that the local transport hand 434 moves from the front position P2 to the rear position P1 (or from the rear position P1 to the front position P2) at the calculated moving speed. The unit 400 is controlled.

このように、照度センサS3により検出された照度に基づいて基板Wの露光量が設定露光量となるように基板Wの移動速度がフィードバック制御される。それにより、基板Wに照射される真空紫外線の露光量に基づいて所望の量のオゾンが基板W上に均一に供給されるように基板Wの移動速度をフィードバック制御することが可能になる。それにより、基板Wの全体を均一に除電することが可能になる。 In this way, the moving speed of the substrate W is feedback-controlled so that the exposure amount of the substrate W becomes the set exposure amount based on the illuminance detected by the illuminance sensor S3. As a result, it becomes possible to feedback control the moving speed of the substrate W so that a desired amount of ozone is uniformly supplied onto the substrate W based on the exposure amount of the vacuum ultraviolet rays applied to the substrate W. As a result, it becomes possible to uniformly eliminate static electricity on the entire substrate W.

(5)除電処理動作
図14〜図21は、除電ユニットOWEにおける基板Wの除電処理動作を説明するための側面図である。図14〜図21では、図7の側面図と同様に、筐体60(図5)および他方側面部417(図5)が取り外された除電ユニットOWEの状態が示される。図16〜図21では、基板移動部400の各構成要素と基板Wとを識別しやすいように、基板Wがハッチングパターンで示される。
(5) Static elimination processing operation FIGS. 14 to 21 are side views for explaining the static elimination processing operation of the substrate W in the static elimination unit OWE. 14 to 21 show a state of the static elimination unit OWE from which the housing 60 (FIG. 5) and the other side surface portion 417 (FIG. 5) have been removed, as in the side view of FIG. In FIGS. 16 to 21, the substrate W is shown by a hatch pattern so that each component of the substrate moving portion 400 and the substrate W can be easily distinguished.

初期状態においては、図14に示すように、ローカル搬送ハンド434は後方位置P1にあり、複数の昇降ピン421の上端部は待機位置にある。また、ケーシング410の開口部412bは閉塞された状態にあり、紫外線ランプ320は消灯状態にある。さらに、図14に太い実線の矢印で示すように、第1の窒素ガス供給部450からケーシング410内に窒素ガスが供給される。 In the initial state, as shown in FIG. 14, the local transfer hand 434 is in the rear position P1, and the upper ends of the plurality of elevating pins 421 are in the standby position. Further, the opening 412b of the casing 410 is in a closed state, and the ultraviolet lamp 320 is in a light-off state. Further, as shown by a thick solid arrow in FIG. 14, nitrogen gas is supplied from the first nitrogen gas supply unit 450 into the casing 410.

第1の窒素ガス供給部450からケーシング410内に窒素ガスが供給されることにより、ケーシング410内の酸素濃度が低下する。それにより、ケーシング410内の酸素濃度が例えば1%よりも低く保持される。 By supplying nitrogen gas into the casing 410 from the first nitrogen gas supply unit 450, the oxygen concentration in the casing 410 decreases. As a result, the oxygen concentration in the casing 410 is kept lower than, for example, 1%.

ケーシング410内に基板Wを搬入するために、図15に示すように、蓋部材510が上昇されることにより開口部412bが開放される。このとき、図11の第2の窒素ガス供給部520により蓋部材510の下面から開口部412bに窒素ガスが供給される(図12参照)。それにより、上記のようにケーシング410の外部の雰囲気が開口部412bを通してケーシング410内に進入することが防止される。また、受渡機構420の複数の昇降ピン421が上昇される。それにより、複数の昇降ピン421の上端部が待機位置から受渡位置まで移動する。 As shown in FIG. 15, the opening 412b is opened by raising the lid member 510 in order to carry the substrate W into the casing 410. At this time, nitrogen gas is supplied from the lower surface of the lid member 510 to the opening 412b by the second nitrogen gas supply unit 520 of FIG. 11 (see FIG. 12). As a result, as described above, the atmosphere outside the casing 410 is prevented from entering the casing 410 through the opening 412b. Further, a plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 are raised. As a result, the upper ends of the plurality of elevating pins 421 move from the standby position to the delivery position.

次に、図16に示すように、図1のメインロボットMRのいずれかのハンドMRHにより水平姿勢の基板Wが蓋部材510と開口部412bとの間に水平方向に挿入され、複数の昇降ピン421上に載置される。続いて、受渡機構420の複数の昇降ピン421が下降される。それにより、図17に示すように、複数の昇降ピン421の上端部が受渡位置から待機位置まで移動し、水平姿勢の基板Wが開口部412bを通してケーシング410内に移動される。このとき、複数の昇降ピン421からローカル搬送ハンド434に基板Wが渡される。また、蓋部材510が下降されることにより開口部412bが閉塞されるとともに、図11の第2の窒素ガス供給部520による窒素ガスの供給が停止される。 Next, as shown in FIG. 16, the substrate W in the horizontal posture is inserted in the horizontal direction between the lid member 510 and the opening 412b by the hand MRH of any of the main robot MRs of FIG. It is placed on 421. Subsequently, a plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 are lowered. As a result, as shown in FIG. 17, the upper ends of the plurality of elevating pins 421 move from the delivery position to the standby position, and the substrate W in the horizontal posture is moved into the casing 410 through the opening 412b. At this time, the substrate W is passed from the plurality of elevating pins 421 to the local transfer hand 434. Further, the opening 412b is closed by lowering the lid member 510, and the supply of nitrogen gas by the second nitrogen gas supply unit 520 of FIG. 11 is stopped.

次に、図18に白抜きの矢印で示すように、ローカル搬送ハンド434が後方位置P1から前方位置P2に移動される。このとき、紫外線ランプ320は消灯状態にあるので、基板Wに真空紫外線は照射されない。 Next, as shown by the white arrows in FIG. 18, the local transfer hand 434 is moved from the rear position P1 to the front position P2. At this time, since the ultraviolet lamp 320 is in the extinguished state, the substrate W is not irradiated with the vacuum ultraviolet rays.

その後、前位置センサS2の検出結果に基づいてローカル搬送ハンド434が前方位置P2にあるか否かが図1の制御部4により判定される。また、酸素濃度センサS4により検出される酸素濃度が1%よりも低いか否かが制御部4により判定される。 After that, the control unit 4 of FIG. 1 determines whether or not the local transfer hand 434 is in the front position P2 based on the detection result of the front position sensor S2. Further, the control unit 4 determines whether or not the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor S4 is lower than 1%.

ローカル搬送ハンド434が前方位置P2にありかつ酸素濃度が1%よりも低くなると、紫外線ランプ320が消灯状態から点灯状態に切り替えられる。それにより、図19にドットパターンで示すように、紫外線ランプ320から下方に真空紫外線UVが出射される。真空紫外線UVは、上記のように、左右方向に延びる帯状の断面を有する。左右方向に平行な方向における真空紫外線UVの断面の長さは、基板Wの直径よりも長い。 When the local transport hand 434 is in the front position P2 and the oxygen concentration is lower than 1%, the ultraviolet lamp 320 is switched from the off state to the on state. As a result, as shown by the dot pattern in FIG. 19, vacuum ultraviolet UV is emitted downward from the ultraviolet lamp 320. As described above, the vacuum ultraviolet UV has a strip-shaped cross section extending in the left-right direction. The length of the cross section of the vacuum ultraviolet UV in the direction parallel to the left-right direction is longer than the diameter of the substrate W.

また、第3の窒素ガス供給部330からケーシング410内に窒素ガスが供給される。第3の窒素ガス供給部330から供給される窒素ガスは、ローカル搬送ハンド434の一部または基板Wの一部に衝突し、基板Wの上方の空間に流れる。 Further, nitrogen gas is supplied into the casing 410 from the third nitrogen gas supply unit 330. The nitrogen gas supplied from the third nitrogen gas supply unit 330 collides with a part of the local transfer hand 434 or a part of the substrate W and flows into the space above the substrate W.

続いて、図20に白抜きの矢印で示すように、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1に移動される。このときの移動速度は、予め上記の式(1)を用いて算出された速度で一定となるように制御される。それにより、基板Wの上面の全ての領域が設定露光量で露光されるように、基板W上に真空紫外線UVが照射され、基板Wが除電される。 Subsequently, as shown by the white arrows in FIG. 20, the local transfer hand 434 is moved from the front position P2 to the rear position P1. The moving speed at this time is controlled so as to be constant at a speed calculated in advance using the above equation (1). As a result, the substrate W is irradiated with vacuum ultraviolet UV so that the entire region on the upper surface of the substrate W is exposed at the set exposure amount, and the substrate W is statically eliminated.

その後、後位置センサS1の検出結果に基づいてローカル搬送ハンド434が後方位置P1にあるか否かが図1の制御部4により判定される。ローカル搬送ハンド434が後方位置P1にあると、紫外線ランプ320が点灯状態から消灯状態に切り替えられる。また、第3の窒素ガス供給部330による窒素ガスの供給が停止される。このときの除電ユニットOWEの状態は、図17の例と同じである。 After that, the control unit 4 in FIG. 1 determines whether or not the local transfer hand 434 is in the rear position P1 based on the detection result of the rear position sensor S1. When the local transport hand 434 is in the rear position P1, the ultraviolet lamp 320 is switched from the lit state to the extinguished state. Further, the supply of nitrogen gas by the third nitrogen gas supply unit 330 is stopped. The state of the static elimination unit OWE at this time is the same as the example of FIG.

次に、ケーシング410内から基板Wを搬出するために、図21に示すように、蓋部材510が上昇されることにより開口部412bが開放される。このとき、図11の第2の窒素ガス供給部520により蓋部材510の下面から開口部412bに窒素ガスが供給される(図12参照)。また、受渡機構420の複数の昇降ピン421が上昇される。それにより、複数の昇降ピン421の上端部が待機位置から受渡位置まで移動し、ローカル搬送ハンド434から複数の昇降ピン421に基板Wが渡される。このようにして、水平姿勢の基板Wがケーシング410内から開口部412bの上方に移動される。 Next, as shown in FIG. 21, the opening 412b is opened by raising the lid member 510 in order to carry out the substrate W from the casing 410. At this time, nitrogen gas is supplied from the lower surface of the lid member 510 to the opening 412b by the second nitrogen gas supply unit 520 of FIG. 11 (see FIG. 12). Further, a plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 are raised. As a result, the upper ends of the plurality of elevating pins 421 move from the standby position to the delivery position, and the substrate W is passed from the local transfer hand 434 to the plurality of elevating pins 421. In this way, the horizontal substrate W is moved from inside the casing 410 to above the opening 412b.

複数の昇降ピン421上に載置された除電処理後の基板Wが、図1のメインロボットMRのいずれかのハンドMRHにより水平方向に取り出される。その後、受渡機構420の複数の昇降ピン421が下降されるとともに、蓋部材510が下降されることにより開口部412bが閉塞される。また、図11の第2の窒素ガス供給部520による窒素ガスの供給が停止される。それにより、除電ユニットOWEは初期状態に戻る。 The static elimination-treated substrate W placed on the plurality of elevating pins 421 is horizontally taken out by one of the hand MRHs of the main robot MR of FIG. After that, the plurality of elevating pins 421 of the delivery mechanism 420 are lowered, and the lid member 510 is lowered to close the opening 412b. Further, the supply of nitrogen gas by the second nitrogen gas supply unit 520 in FIG. 11 is stopped. As a result, the static elimination unit OWE returns to the initial state.

(6)照度測定動作
基板Wの除電処理に用いられる設定速度を得るために、例えば予め定められた数の基板Wが除電処理されるごとに、基板Wのロットごとに、または1日ごとに、以下に示す照度測定が行われる。
(6) Illuminance measurement operation In order to obtain the set speed used for the static elimination processing of the substrate W, for example, every time a predetermined number of substrates W are statically eliminated, every lot of the substrate W , or every day. , The illuminance measurement shown below is performed.

図22〜図24は、除電ユニットOWEにおける照度測定動作を説明するための側面図である。図22〜図24では、図7の側面図と同様に、筐体60(図5)および他方側面部417(図5)が取り外された除電ユニットOWEの状態が示される。 22 to 24 are side views for explaining the illuminance measurement operation in the static elimination unit OWE. 22 to 24 show a state of the static elimination unit OWE from which the housing 60 (FIG. 5) and the other side surface portion 417 (FIG. 5) have been removed, as in the side view of FIG.

除電ユニットOWEにおいては、照度測定が行われない間は、図22に太い点線で示すように、照度センサS3の上端部を覆うように遮光部材442が配置される。それにより、基板Wへの真空紫外線の照射時(除電処理時)には照度センサS3の受光素子に光が入射しない。したがって、照度センサS3の劣化が抑制され、照度センサS3の長寿命化が実現される。また、照度センサS3は、ローカル搬送ハンド434の移動経路よりも下方に配置される。 In the static elimination unit OWE, the light-shielding member 442 is arranged so as to cover the upper end portion of the illuminance sensor S3 as shown by a thick dotted line in FIG. 22 while the illuminance measurement is not performed. As a result, no light is incident on the light receiving element of the illuminance sensor S3 when the substrate W is irradiated with vacuum ultraviolet rays (during static elimination processing). Therefore, the deterioration of the illuminance sensor S3 is suppressed, and the life of the illuminance sensor S3 is extended. Further, the illuminance sensor S3 is arranged below the movement path of the local transfer hand 434.

照度測定は、ケーシング410の開口部412bが閉塞されるとともに酸素濃度センサS4により検出される酸素濃度が1%よりも低い状態で開始される。初期状態において、紫外線ランプ320は消灯状態にある。 The illuminance measurement is started in a state where the opening 412b of the casing 410 is closed and the oxygen concentration detected by the oxygen concentration sensor S4 is lower than 1%. In the initial state, the ultraviolet lamp 320 is in the extinguished state.

照度測定が開始されると、図22に白抜きの矢印で示すように、遮光駆動部443により遮光部材442が前方に移動される。それにより、照度センサS3の上端部に設けられた受光面が上方に露出する。 When the illuminance measurement is started, the light-shielding member 442 is moved forward by the light-shielding drive unit 443 as shown by the white arrow in FIG. As a result, the light receiving surface provided at the upper end of the illuminance sensor S3 is exposed upward.

次に、図23に白抜きの矢印で示すように、センサ昇降駆動部441により照度センサS3が上昇される。このとき、照度センサS3は、受光面の高さがローカル搬送ハンド434に載置される基板Wの上面の高さに一致するように位置決めされる。 Next, as shown by the white arrow in FIG. 23, the illuminance sensor S3 is raised by the sensor elevating drive unit 441. At this time, the illuminance sensor S3 is positioned so that the height of the light receiving surface matches the height of the upper surface of the substrate W placed on the local transfer hand 434.

次に、紫外線ランプ320が消灯状態から点灯状態に切り替えられる。それにより、図24にドットパターンで示すように、紫外線ランプ320から照度センサS3に向かって帯状の真空紫外線UVが出射される。 Next, the ultraviolet lamp 320 is switched from the off state to the on state. As a result, as shown by the dot pattern in FIG. 24, a band-shaped vacuum ultraviolet UV is emitted from the ultraviolet lamp 320 toward the illuminance sensor S3.

紫外線ランプ320から出射される真空紫外線UVの一部が、照度センサS3の受光素子に入射する。それにより、除電処理において真空紫外線が照射されるときの基板Wの照度が検出される。照度の検出結果は、図1の制御部4に与えられる。 A part of the vacuum ultraviolet UV emitted from the ultraviolet lamp 320 is incident on the light receiving element of the illuminance sensor S3. As a result, the illuminance of the substrate W when the vacuum ultraviolet rays are irradiated in the static elimination process is detected. The illuminance detection result is given to the control unit 4 of FIG.

その後、照度センサS3が下降されるとともに紫外線ランプ320が点灯状態から消灯状態に切り替えられる。また、照度センサS3の上端部を覆うように遮光部材442が後方に移動される。それにより、除電ユニットOWEが初期状態に戻る。 After that, the illuminance sensor S3 is lowered and the ultraviolet lamp 320 is switched from the lit state to the extinguished state. Further, the light-shielding member 442 is moved rearward so as to cover the upper end portion of the illuminance sensor S3. As a result, the static elimination unit OWE returns to the initial state.

上記のように、照度センサS3は、照度測定時に受光面の高さがローカル搬送ハンド434に載置される基板Wの上面の高さに一致するように位置決めされる。したがって、基板Wの除電時に基板Wに照射される真空紫外線の照度を正確に検出することができる。 As described above, the illuminance sensor S3 is positioned so that the height of the light receiving surface matches the height of the upper surface of the substrate W placed on the local transfer hand 434 when measuring the illuminance. Therefore, it is possible to accurately detect the illuminance of the vacuum ultraviolet rays applied to the substrate W when the substrate W is statically removed.

また、照度センサS3は、基板Wの除電処理時には、ローカル搬送ハンド434の移動経路よりも下方に配置される。それにより、除電処理時に照度センサS3が基板Wに干渉しない。 Further, the illuminance sensor S3 is arranged below the movement path of the local transfer hand 434 during the static elimination process of the substrate W. As a result, the illuminance sensor S3 does not interfere with the substrate W during the static elimination process.

(7)表面洗浄ユニットおよび裏面洗浄ユニット
図25は表面洗浄ユニットSSの構成を説明するための図であり、図26は裏面洗浄ユニットSSRの構成を説明するための図である。図25の表面洗浄ユニットSSによる表面洗浄処理、および図26の裏面洗浄ユニットSSRによる裏面洗浄処理には、ブラシを用いた基板Wの洗浄処理(以下、スクラブ洗浄処理と呼ぶ。)とブラシを用いないリンス処理とが含まれる。
(7) Front surface cleaning unit and back surface cleaning unit FIG. 25 is a diagram for explaining the configuration of the front surface cleaning unit SS, and FIG. 26 is a diagram for explaining the configuration of the back surface cleaning unit SSR. For the surface cleaning treatment by the front surface cleaning unit SS of FIG. 25 and the back surface cleaning treatment by the back surface cleaning unit SSR of FIG. 26, a cleaning treatment of the substrate W using a brush (hereinafter referred to as a scrub cleaning treatment) and a brush are used. Not included with rinsing.

まず、図25を用いて表面洗浄ユニットSSの詳細について説明する。図25に示すように、表面洗浄ユニットSSは、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック21を備える。スピンチャック21は、チャック回転駆動機構22によって回転される回転軸23の上端に固定されている。 First, the details of the surface cleaning unit SS will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 25, the surface cleaning unit SS includes a spin chuck 21 for holding the substrate W horizontally and rotating the substrate W around a vertical axis passing through the center of the substrate W. The spin chuck 21 is fixed to the upper end of the rotating shaft 23 rotated by the chuck rotation driving mechanism 22.

スピンチャック21の外方には、モータ24が設けられている。モータ24には、鉛直方向に延びる回動軸25が設けられている。モータ24には、さらに図示しない昇降駆動部が設けられている。モータ24は、回動軸25を昇降可能かつ鉛直軸の周りで回転可能に支持する。回動軸25の上端部には、アーム26が水平方向に延びるように連結されている。アーム26の先端に略円筒形状のブラシ洗浄具27が設けられている。また、スピンチャック21の上方には、スピンチャック21により保持された基板Wの表面に向けて洗浄液またはリンス液を供給するための液吐出ノズル28が設けられている。 A motor 24 is provided on the outside of the spin chuck 21. The motor 24 is provided with a rotating shaft 25 extending in the vertical direction. The motor 24 is further provided with an elevating drive unit (not shown). The motor 24 supports the rotary shaft 25 so as to be able to move up and down and rotatably around the vertical shaft. An arm 26 is connected to the upper end of the rotating shaft 25 so as to extend in the horizontal direction. A brush cleaning tool 27 having a substantially cylindrical shape is provided at the tip of the arm 26. Further, above the spin chuck 21, a liquid discharge nozzle 28 for supplying a cleaning liquid or a rinse liquid toward the surface of the substrate W held by the spin chuck 21 is provided.

表面洗浄ユニットSSには表面が上方に向けられた基板Wが搬入される。基板Wの表面洗浄時には、表面が上方に向けられた基板Wがスピンチャック21により水平姿勢で回転される。また、供給管29を通して液吐出ノズル28に洗浄液が供給される。本例では、洗浄液として純水が用いられる。これにより、回転する基板Wの表面に洗浄液が供給される。この状態で、モータ24および図示しない昇降駆動部が動作することによりブラシ洗浄具27が基板Wの上面(表面)に接触し、基板Wの中心から基板Wの外周端部に向かって移動する。それにより、基板Wの表面に対してスクラブ洗浄処理が行われる。なお、表面洗浄ユニットSSにおいては吸着式のスピンチャック21を用いているため、基板Wの周縁部および外周端部も同時に洗浄することができる。その後、ブラシ洗浄具27が基板Wの外方の位置まで移動するとともに、液吐出ノズル28から基板Wにリンス液が供給され、リンス処理が行われる。本例では、リンス液として純水が用いられる。 The substrate W whose surface is directed upward is carried into the surface cleaning unit SS. When the surface of the substrate W is cleaned, the substrate W whose surface is directed upward is rotated by the spin chuck 21 in a horizontal posture. Further, the cleaning liquid is supplied to the liquid discharge nozzle 28 through the supply pipe 29. In this example, pure water is used as the cleaning liquid. As a result, the cleaning liquid is supplied to the surface of the rotating substrate W. In this state, the motor 24 and the elevating drive unit (not shown) operate to bring the brush cleaning tool 27 into contact with the upper surface (surface) of the substrate W and move from the center of the substrate W toward the outer peripheral end portion of the substrate W. As a result, the surface of the substrate W is scrubbed and cleaned. Since the surface cleaning unit SS uses the suction type spin chuck 21, the peripheral edge portion and the outer peripheral edge portion of the substrate W can also be cleaned at the same time. After that, the brush cleaning tool 27 moves to a position outside the substrate W, and the rinse liquid is supplied from the liquid discharge nozzle 28 to the substrate W to perform the rinsing process. In this example, pure water is used as the rinsing solution.

次に、図26を用いて、裏面洗浄ユニットSSRが図25の表面洗浄ユニットSSと異なる点を説明する。図26に示すように、裏面洗浄ユニットSSRは、基板Wの下面を真空吸着により保持する吸着式のスピンチャック21の代わりに、基板Wの外周端部を保持するメカチャック式のスピンチャック31を備える。スクラブ洗浄処理およびリンス処理を行う場合に、基板Wの下面の周縁部および外周端部がスピンチャック31上の複数の回転式保持ピン32により保持される。この状態で、基板Wは水平姿勢で回転される。 Next, the difference between the back surface cleaning unit SSR and the front surface cleaning unit SS of FIG. 25 will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 26, the back surface cleaning unit SSR uses a mechanical chuck type spin chuck 31 that holds the outer peripheral end of the substrate W instead of the suction type spin chuck 21 that holds the lower surface of the substrate W by vacuum suction. Be prepared. When the scrub cleaning process and the rinsing process are performed, the peripheral edge portion and the outer peripheral end portion of the lower surface of the substrate W are held by a plurality of rotary holding pins 32 on the spin chuck 31. In this state, the substrate W is rotated in a horizontal posture.

裏面洗浄ユニットSSRにおいては、裏面が上方に向けられた状態の基板Wが搬入される。そのため、基板Wは裏面が上方に向けられた状態で上記のスピンチャック31により保持される。したがって、基板Wの裏面に対して、スクラブ洗浄処理が行われ、その後リンス処理が行われる。 In the back surface cleaning unit SSR, the substrate W with the back surface facing upward is carried in. Therefore, the substrate W is held by the spin chuck 31 with the back surface facing upward. Therefore, the back surface of the substrate W is subjected to a scrub cleaning treatment and then a rinsing treatment.

上記の例では、洗浄液として純水を用いる例を説明したが、洗浄液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水または電解イオン水等を用いてもよいし、BHF(バッファードフッ酸)、DHF(希フッ酸)、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸およびアンモニア等の薬液を用いてもよい。 In the above example, an example in which pure water is used as the cleaning solution has been described, but as the cleaning solution, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ionized water or the like may be used instead of pure water, or BHF (buffer) may be used. Chemical solutions such as hydrofluoric acid), DHF (dilute hydrofluoric acid), hydrofluoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid and ammonia may be used.

また、上記の例では、リンス液として純水を用いる例を説明したが、リンス液としては、純水に代えて、炭酸水、オゾン水、水素水または電解イオン水等を用いてもよいし、HFE(ハイドロフルオロエーテル)またはIPA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤を用いてもよい。 Further, in the above example, an example in which pure water is used as the rinsing liquid has been described, but as the rinsing liquid, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ionized water or the like may be used instead of pure water. , HFE (hydrofluoroether) or IPA (isopropyl alcohol) and other organic solvents may be used.

(8)第1の実施の形態の効果
上記の基板処理装置100においては、基板Wが反転ユニットRT1,RT2により反転され、基板Wの表面および裏面が表面洗浄ユニットSSおよび裏面洗浄ユニットSSRによりそれぞれ洗浄される。また、基板Wが除電ユニットOWEにより真空紫外線を用いて除電される。それにより、帯電に起因する基板Wの汚染が抑制され、基板Wの表面および裏面の清浄度が向上する。
(8) Effect of First Embodiment In the above-mentioned substrate processing apparatus 100, the substrate W is inverted by the inverting units RT1 and RT2, and the front surface and the back surface of the substrate W are inverted by the front surface cleaning unit SS and the back surface cleaning unit SSR, respectively. To be washed. Further, the substrate W is statically eliminated by the static elimination unit OWE using vacuum ultraviolet rays. As a result, contamination of the substrate W due to charging is suppressed, and the cleanliness of the front surface and the back surface of the substrate W is improved.

上記のように、洗浄処理前の基板Wに除電ユニットOWEによる除電処理が行われる場合、洗浄処理前の基板Wの電位が0(V)に近づく。それにより、基板Wの洗浄処理時に基板Wの帯電に起因する放電現象が発生しない。したがって、基板Wの一部が破損することによる処理不良の発生が防止される。 As described above, when the static elimination unit OWE performs the static elimination treatment on the substrate W before the cleaning treatment, the potential of the substrate W before the cleaning treatment approaches 0 (V). As a result, the discharge phenomenon caused by the charging of the substrate W does not occur during the cleaning process of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of processing defects due to a part of the substrate W being damaged.

また、洗浄処理後の基板Wに除電ユニットOWEによる除電処理が行われる場合、基板Wの洗浄処理時に基板Wが帯電する場合でも、洗浄処理後の基板Wの電位が0(V)に近づく。したがって、洗浄処理後の基板Wを清浄に保つことができる。 Further, when the static elimination unit OWE performs the static elimination treatment on the substrate W after the cleaning treatment, the potential of the substrate W after the cleaning treatment approaches 0 (V) even when the substrate W is charged during the cleaning treatment of the substrate W. Therefore, the substrate W after the cleaning treatment can be kept clean.

上記の除電ユニットOWEにおいては、基板Wが載置されるローカル搬送ハンド434が光出射部300に対して移動されつつ、光出射部300により出射される真空紫外線が基板Wの上面に照射される。このような構成により、除電処理時に基板Wの全体に真空紫外線を同時に照射する必要がない。したがって、光出射部300の大型化を抑制することができる。 In the static elimination unit OWE, the local transport hand 434 on which the substrate W is placed is moved with respect to the light emitting unit 300, and the vacuum ultraviolet rays emitted by the light emitting unit 300 are irradiated to the upper surface of the substrate W. .. With such a configuration, it is not necessary to simultaneously irradiate the entire substrate W with vacuum ultraviolet rays during the static elimination treatment. Therefore, it is possible to suppress the increase in size of the light emitting unit 300.

[2]第2の実施の形態
以下、第2の実施の形態に係る基板処理装置について、第1の実施の形態に係る基板処理装置100とは異なる点を説明する。
[2] Second Embodiment Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described as being different from the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment.

(1)基板処理装置の構成および動作の概略
第2の実施の形態に係る基板処理装置においては、主として基板Wの上面(表面または裏面)が例えば薬液からなる洗浄液を用いて化学的に洗浄される。このとき、基板Wの表面には、膜が形成されていてもよいし、膜が形成されていなくてもよい。図27は第2の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す平面図である。図27に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置600は、インデクサブロック610および処理ブロック611を有する。インデクサブロック610および処理ブロック611は、一方向に並ぶとともに互いに隣り合うように設けられている。
(1) Outline of Configuration and Operation of Substrate Processing Device In the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the upper surface (front surface or back surface) of the substrate W is mainly chemically cleaned with a cleaning solution composed of, for example, a chemical solution. Ru. At this time, a film may or may not be formed on the surface of the substrate W. FIG. 27 is a plan view showing the configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment. As shown in FIG. 27, the substrate processing apparatus 600 according to the present embodiment has an indexer block 610 and a processing block 611. The indexer block 610 and the processing block 611 are provided so as to be arranged in one direction and adjacent to each other.

インデクサブロック610は、複数(本例では3つ)のキャリア載置台601および搬送部610Aを含む。複数のキャリア載置台601は一方向に並ぶように搬送部610Aに接続されている。各キャリア載置台40上には、キャリアCが載置される。搬送部610Aには、インデクサロボットIRおよび制御部604が設けられている。本例のインデクサロボットIRは、図1のインデクサロボットIRと基本的に同じ構成を有する。制御部604は、CPU、ROMおよびRAMを含むコンピュータ等からなり、基板処理装置600内の各構成部を制御する。 The indexer block 610 includes a plurality of (three in this example) carrier mounting bases 601 and a transport unit 610A. The plurality of carrier mounting tables 601 are connected to the transport unit 610A so as to be arranged in one direction. The carrier C is placed on each carrier mounting table 40. The transport unit 610A is provided with an indexer robot IR and a control unit 604. The indexer robot IR of this example has basically the same configuration as the indexer robot IR of FIG. The control unit 604 includes a computer including a CPU, a ROM, and a RAM, and controls each component in the substrate processing device 600.

処理ブロック611は、1つの搬送部611A、4つの洗浄部620A,620B,620C,620D、1つの除電受渡部680および4つの流体ボックス部690A,690B,690C,690Dを含む。 The processing block 611 includes one transport section 611A, four cleaning sections 620A, 620B, 620C, 620D, one static elimination delivery section 680, and four fluid box sections 690A, 690B, 690C, 690D.

搬送部611Aは、処理ブロック611の中央部に設けられる。処理ブロック611においては、平面視で搬送部611Aを取り囲むように、4つの洗浄部620A,620B,620C,620Dおよび除電受渡部680が設けられている。除電受渡部680は、さらにインデクサブロック610の搬送部610Aに隣り合うように設けられている。4つの流体ボックス部690A,690B,690C,690Dは、対応する洗浄部620A,620B,620C,620Dにそれぞれ隣り合うように設けられている。 The transport unit 611A is provided in the central portion of the processing block 611. In the processing block 611, four cleaning units 620A, 620B, 620C, 620D and a static elimination transfer unit 680 are provided so as to surround the transport unit 611A in a plan view. The static elimination delivery unit 680 is further provided adjacent to the transport unit 610A of the indexer block 610. The four fluid box portions 690A, 690B, 690C, and 690D are provided adjacent to the corresponding cleaning portions 620A, 620B, 620C, and 620D, respectively.

搬送部611Aには、センターロボットCRが設けられている。センターロボットCRは、図1のメインロボットMRと基本的に同じ構成を有する。洗浄部620A,620B,620C,620Dの各々には、複数(例えば3つ)の洗浄ユニット620が設けられる。複数の洗浄ユニット620は上下に積層配置されている。なお、各洗浄部620A,620B,620C,620Dには、1つの洗浄ユニット620のみが設けられてもよい。 A center robot CR is provided in the transport unit 611A. The center robot CR has basically the same configuration as the main robot MR of FIG. Each of the cleaning units 620A, 620B, 620C, and 620D is provided with a plurality (for example, three) cleaning units 620. The plurality of cleaning units 620 are stacked one above the other. In addition, only one cleaning unit 620 may be provided in each cleaning unit 620A, 620B, 620C, 620D.

各洗浄ユニット620では、洗浄液を用いた洗浄処理、リンス液を用いたリンス処理および乾燥処理が行われる。本実施の形態では、洗浄液としては、例えばフッ酸、バッファードフッ酸(BHF)、希フッ酸(DHF)、フッ酸(フッ化水素水:HF)、塩酸、硫酸、硝酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア水等の水溶液、またはそれらの混合溶液を用いることができる。また、混合溶液としては、例えば高温に加熱された硫酸と過酸化水素水との混合液(SPM)、アンモニアと過酸化水素水との混合溶液(SC1)、または塩酸(HCl)と過酸化水素水との混合液(SC2)を用いることができる。リンス液としては、純水、炭酸水、オゾン水、水素水または電解イオン水等を用いることができる。あるいは、リンス液としては、HFE(ハイドロフルオロエーテル)またはIPA(イソプロピルアルコール)等の有機溶剤を用いることもできる。洗浄ユニット620の構成については後述する。 In each cleaning unit 620, a cleaning treatment using a cleaning liquid, a rinsing treatment using a rinsing liquid, and a drying treatment are performed. In the present embodiment, the cleaning solution includes, for example, hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid (BHF), dilute hydrofluoric acid (DHF), hydrofluoric acid (hydrofluoric acid water: HF), hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, acetic acid, oxalic acid. Alternatively, an aqueous solution such as aqueous ammonia or a mixed solution thereof can be used. As the mixed solution, for example, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution heated to a high temperature (SPM), a mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution (SC1), or hydrochloric acid (HCl) and hydrogen peroxide solution. A mixed solution with water (SC2) can be used. As the rinsing liquid, pure water, carbonated water, ozone water, hydrogen water, electrolytic ionized water or the like can be used. Alternatively, as the rinsing solution, an organic solvent such as HFE (hydrofluoroether) or IPA (isopropyl alcohol) can be used. The configuration of the cleaning unit 620 will be described later.

各流体ボックス部690A,690B,690C,690Dは、対応する洗浄部620A,620B,620C,620Dへの洗浄液の供給および対応する洗浄部620A,620B,620C,620Dからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。 Each fluid box unit 690A, 690B, 690C, 690D is a pipe, a joint for supplying cleaning liquid to the corresponding cleaning parts 620A, 620B, 620C, 620D and draining liquid from the corresponding cleaning parts 620A, 620B, 620C, 620D. , Valves, flow meters, regulators, pumps, temperature controllers, processing fluid storage tanks and other fluid-related equipment.

除電受渡部680は、インデクサブロック610の搬送部610Aと処理ブロック611の搬送部611Aとの間に位置する。これにより、2つの搬送部610A,611Aの間では、除電受渡部680を介して基板Wの受け渡しが行われる。除電受渡部680には、複数(例えば3つ)の除電ユニットOWE2が設けられる。複数の除電ユニットOWE2は上下に積層配置されている。 The static elimination delivery unit 680 is located between the transport unit 610A of the indexer block 610 and the transport unit 611A of the processing block 611. As a result, the substrate W is transferred between the two transport units 610A and 611A via the static elimination transfer unit 680. A plurality of (for example, three) static elimination units OWE2 are provided in the static elimination delivery unit 680. A plurality of static elimination units OWE2 are stacked one above the other.

各除電ユニットOWE2は、インデクサブロック610のインデクサロボットIRから受け取った基板Wに除電処理を施し、処理ブロック611のセンターロボットCRに渡す。また、除電ユニットOWE2は、処理ブロック611のセンターロボットCRから受け取った基板Wに除電処理を施し、インデクサブロック610のインデクサロボットIRに渡す。除電ユニットOWE2の構成については後述する。 Each static elimination unit OWE2 performs static elimination processing on the substrate W received from the indexer robot IR of the indexer block 610 and passes it to the center robot CR of the processing block 611. Further, the static elimination unit OWE2 performs static elimination processing on the substrate W received from the center robot CR of the processing block 611, and passes the static elimination unit to the indexer robot IR of the indexer block 610. The configuration of the static elimination unit OWE2 will be described later.

上記の基板処理装置600における基本的な動作を説明する。図28は、第2の実施の形態に係る基板処理装置600における基本的な動作の流れを示すフローチャートである。基板処理装置600の動作の概要について図27および図28を参照しながら説明する。なお、以下に説明する基板処理装置600の各構成要素の動作は、図27の制御部604により制御される。 The basic operation in the above-mentioned substrate processing apparatus 600 will be described. FIG. 28 is a flowchart showing a basic operation flow in the substrate processing apparatus 600 according to the second embodiment. The outline of the operation of the substrate processing apparatus 600 will be described with reference to FIGS. 27 and 28. The operation of each component of the substrate processing apparatus 600 described below is controlled by the control unit 604 of FIG. 27.

最初に、インデクサロボットIRは、インデクサブロック610内のいずれかのキャリアCから未処理の基板Wを取り出す(ステップS21)。取り出された基板Wは、除電受渡部680のいずれかの除電ユニットOWE2に渡される。除電ユニットOWE2は、受け取った基板Wの除電処理を行う(ステップS22)。除電処理後の基板Wは、除電受渡部680からセンターロボットCRに渡される。 First, the indexer robot IR takes out the unprocessed substrate W from any carrier C in the indexer block 610 (step S21). The taken-out substrate W is passed to any of the static elimination units OWE2 of the static elimination delivery unit 680. The static elimination unit OWE2 performs static elimination processing on the received substrate W (step S22). The substrate W after the static elimination process is passed from the static elimination delivery unit 680 to the center robot CR.

センターロボットCRにより受け取られた除電処理後の基板Wは、さらに洗浄部620A〜620Dの複数の洗浄ユニット620のいずれかに搬入される。基板Wが搬入された洗浄ユニット620は、基板Wの洗浄処理、リンス処理および乾燥処理を行う(ステップS23)。洗浄ユニット620による処理後の基板Wは、センターロボットCRにより当該洗浄ユニット620から搬出され、除電受渡部680のいずれかの除電ユニットOWE2に渡される。 The substrate W after the static elimination treatment received by the center robot CR is further carried into one of the plurality of cleaning units 620 of the cleaning units 620A to 620D. The cleaning unit 620 into which the substrate W is carried in performs cleaning treatment, rinsing treatment, and drying treatment of the substrate W (step S23). The substrate W after being processed by the cleaning unit 620 is carried out from the cleaning unit 620 by the center robot CR and passed to any of the static elimination units OWE2 of the static elimination delivery unit 680.

除電ユニットOWE2は、受け取った基板Wの除電処理を行う(ステップS24)。除電処理後の基板Wは、除電受渡部680からインデクサロボットIRに渡される。インデクサロボットIRは、受け取った処理済みの基板Wをインデクサブロック10内のいずれかのキャリアC内に収納する(ステップS25)。このように、基板処理装置600に搬入される基板Wごとに上記の一連の動作が繰り返される。 The static elimination unit OWE2 performs static elimination processing on the received substrate W (step S24). The substrate W after the static elimination process is passed from the static elimination delivery unit 680 to the indexer robot IR. The indexer robot IR stores the received processed substrate W in any carrier C in the indexer block 10 (step S25). In this way, the above series of operations are repeated for each substrate W carried into the substrate processing apparatus 600.

(2)除電ユニット
第2の実施の形態に係る除電ユニットOWE2の構成について、第1の実施の形態に係る図5の除電ユニットOWEとは異なる点を説明する。図29は、第2の実施の形態に係る除電ユニットOWE2の外観斜視図である。
(2) Static Elimination Unit The configuration of the static elimination unit OWE2 according to the second embodiment will be described as being different from the static elimination unit OWE of FIG. 5 according to the first embodiment. FIG. 29 is an external perspective view of the static elimination unit OWE2 according to the second embodiment.

図29に示すように、除電ユニットOWE2は筐体60を含む。筐体60は、前壁部61、後壁部62、一側壁部63、他側壁部64、天井部65および床部66を有する。除電ユニットOWE2についても、第1の実施の形態に係る除電ユニットOWEと同様に、筐体60の内部から前壁部61に向かう方向を除電ユニットOWE2の前方と呼び、その逆方向(筐体60の内部から後壁部62に向かう方向)を除電ユニットOWE2の後方と呼ぶ。 As shown in FIG. 29, the static elimination unit OWE2 includes a housing 60. The housing 60 has a front wall portion 61, a rear wall portion 62, a side wall portion 63, another side wall portion 64, a ceiling portion 65, and a floor portion 66. Regarding the static elimination unit OWE2, similarly to the static elimination unit OWE according to the first embodiment, the direction from the inside of the housing 60 toward the front wall portion 61 is called the front of the static elimination unit OWE2, and the opposite direction (housing 60). The direction from the inside to the rear wall portion 62) is referred to as the rear side of the static elimination unit OWE2.

除電ユニットOWE2は、一側壁部63が図27のインデクサブロック610の搬送部610Aに向くように、かつ他側壁部64が図27の処理ブロック611の搬送部611Aに向くように配置される。 The static elimination unit OWE2 is arranged so that the one side wall portion 63 faces the transport portion 610A of the indexer block 610 of FIG. 27, and the other side wall portion 64 faces the transport portion 611A of the processing block 611 of FIG. 27.

ここで、除電ユニットOWE2においては、後壁部62に図5の搬送開口62pが形成されない代わりに、一側壁部63および他側壁部64に、それぞれ搬送開口63p,64pが形成されている。搬送開口63p,64pは、搬入搬出部500を挟むように形成される。 Here, in the static elimination unit OWE2, instead of forming the transport opening 62p of FIG. 5 on the rear wall portion 62, the transport openings 63p and 64p are formed on the one side wall portion 63 and the other side wall portion 64, respectively. The transport openings 63p and 64p are formed so as to sandwich the carry-in / carry-out portion 500.

また、本例の除電ユニットOWE2においては、搬入搬出部500の蓋部材510が基板Wよりも大きく形成される。ケーシング410の上面に形成される開口部412b(図10)も、基板Wよりも大きく形成される。 Further, in the static elimination unit OWE2 of this example, the lid member 510 of the carry-in / carry-out portion 500 is formed larger than the substrate W. The opening 412b (FIG. 10) formed on the upper surface of the casing 410 is also formed larger than the substrate W.

それにより、蓋部材510により開口部412b(図10)が開かれた状態で、図29に太い点線の矢印AR1で示すように、図27のインデクサロボットIRにより搬送される基板Wが、搬送開口63pを通して受渡機構420(図7)に渡され、ケーシング410内に搬入される。また、図29に太い二点鎖線の矢印AR2で示すように、基板Wがケーシング410内の受渡機構420(図7)により図27のセンターロボットCRに渡され、筐体60内から搬送開口64pを通して搬送部611A内に搬出される。 As a result, with the opening 412b (FIG. 10) opened by the lid member 510, as shown by the thick dotted arrow AR1 in FIG. 29, the substrate W conveyed by the indexer robot IR of FIG. It is passed to the delivery mechanism 420 (FIG. 7) through 63p and carried into the casing 410. Further, as shown by the arrow AR2 of the thick two-dot chain line in FIG. 29, the substrate W is passed to the center robot CR of FIG. 27 by the delivery mechanism 420 (FIG. 7) in the casing 410, and the transport opening 64p is passed from the inside of the housing 60. It is carried out into the transport unit 611A through.

さらに、蓋部材510により開口部412b(図10)が開かれた状態で、図29に太い点線の矢印AR3で示すように、図27のセンターロボットCRにより搬送される基板Wが、搬送開口64pを通して受渡機構420(図7)に渡され、ケーシング410内に搬入される。また、図29に太い二点鎖線の矢印AR4で示すように、基板Wがケーシング410内の受渡機構420(図7)により図27のインデクサロボットIRに渡され、筐体60内から搬送開口63pを通して搬送部610A内に搬出される。 Further, with the opening 412b (FIG. 10) opened by the lid member 510, as shown by the thick dotted arrow AR3 in FIG. 29, the substrate W conveyed by the center robot CR in FIG. 27 has a conveying opening 64p. It is passed to the delivery mechanism 420 (FIG. 7) and carried into the casing 410. Further, as shown by the arrow AR4 of the thick two-dot chain line in FIG. 29, the substrate W is passed to the indexer robot IR of FIG. 27 by the delivery mechanism 420 (FIG. 7) in the casing 410, and the transport opening 63p is passed from the inside of the housing 60. It is carried out into the transport unit 610A through.

(3)洗浄ユニット
図30は第2の実施の形態に係る基板処理装置600の洗浄ユニット620の構成を説明するための図である。洗浄ユニット620は、流体ボックス部690A〜690Dから供給される洗浄液を用いて基板Wの表面に付着した不純物を洗浄処理により除去し、清浄な基板Wの表面を乾燥させる。
(3) Cleaning Unit FIG. 30 is a diagram for explaining the configuration of the cleaning unit 620 of the substrate processing apparatus 600 according to the second embodiment. The cleaning unit 620 uses the cleaning liquids supplied from the fluid box portions 690A to 690D to remove impurities adhering to the surface of the substrate W by a cleaning treatment, and dries the surface of the clean substrate W.

図30に示すように、洗浄ユニット620は、基板Wを水平に保持するとともに基板Wの中心を通る鉛直軸の周りで基板Wを回転させるためのスピンチャック621を備える。スピンチャック621は、チャック回転駆動機構622によって回転される回転軸623の上端に固定されている。なお、図30のスピンチャック621は基板Wの外周端部を保持するメカチャック式のスピンチャックであるが、スピンチャック621として基板Wの下面を真空吸着により保持する吸着式のスピンチャックが用いられてもよい。 As shown in FIG. 30, the cleaning unit 620 includes a spin chuck 621 for holding the substrate W horizontally and rotating the substrate W around a vertical axis passing through the center of the substrate W. The spin chuck 621 is fixed to the upper end of the rotation shaft 623 rotated by the chuck rotation drive mechanism 622. The spin chuck 621 of FIG. 30 is a mechanical chuck type spin chuck that holds the outer peripheral end portion of the substrate W, but a suction type spin chuck that holds the lower surface of the substrate W by vacuum suction is used as the spin chuck 621. You may.

スピンチャック621の外方には、第1のモータ630が設けられている。第1のモータ630には、第1の回動軸631が接続されている。また、第1の回動軸631には、第1のアーム632が水平方向に延びるように連結され、第1のアーム632の先端に洗浄液ノズル633が設けられている。 A first motor 630 is provided on the outside of the spin chuck 621. A first rotation shaft 631 is connected to the first motor 630. Further, the first arm 632 is connected to the first rotation shaft 631 so as to extend in the horizontal direction, and a cleaning liquid nozzle 633 is provided at the tip of the first arm 632.

第1のモータ630により第1の回動軸631が回転するとともに第1のアーム632が回動し、洗浄液ノズル633がスピンチャック621により保持された基板Wの上方に移動する。 The first motor 630 rotates the first rotation shaft 631 and the first arm 632 rotates, and the cleaning liquid nozzle 633 moves above the substrate W held by the spin chuck 621.

第1のモータ630、第1の回動軸631および第1のアーム632の内部を通るように洗浄液供給管634が設けられている。洗浄液供給管634は流体ボックス部690A〜690Dに接続されている。洗浄液ノズル633には、流体ボックス部690A〜690Dから洗浄液供給管634を通して洗浄液が供給される。それにより、基板Wの表面へ洗浄液を供給することができる。 A cleaning liquid supply pipe 634 is provided so as to pass through the inside of the first motor 630, the first rotation shaft 631, and the first arm 632. The cleaning liquid supply pipe 634 is connected to the fluid box portions 690A to 690D. The cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid nozzle 633 from the fluid box portions 690A to 690D through the cleaning liquid supply pipe 634. Thereby, the cleaning liquid can be supplied to the surface of the substrate W.

また、スピンチャック621の外方に、さらに第2のモータ640が設けられている。第2のモータ640には、第2の回動軸641が接続されている。また、第2の回動軸641には、第2のアーム642が水平方向に延びるように連結され、第2のアーム642の先端にリンス液ノズル643が設けられている。 Further, a second motor 640 is further provided on the outside of the spin chuck 621. A second rotation shaft 641 is connected to the second motor 640. Further, a second arm 642 is connected to the second rotation shaft 641 so as to extend in the horizontal direction, and a rinse liquid nozzle 643 is provided at the tip of the second arm 642.

第2のモータ640により第2の回動軸641が回転するとともに第2のアーム642が回動し、リンス液ノズル643がスピンチャック621により保持された基板Wの上方に移動する。 The second rotation shaft 641 is rotated by the second motor 640, the second arm 642 is rotated, and the rinse liquid nozzle 643 is moved above the substrate W held by the spin chuck 621.

第2のモータ640、第2の回動軸641および第2のアーム642の内部を通るようにリンス液供給管644が設けられている。リンス液供給管644は流体ボックス部690A〜690Dに接続されている。リンス液ノズル643には、流体ボックス部690A〜690Dからリンス液供給管644を通してリンス液が供給される。それにより、基板Wの表面へリンス液を供給することができる。 A rinse liquid supply pipe 644 is provided so as to pass through the inside of the second motor 640, the second rotation shaft 641 and the second arm 642. The rinse liquid supply pipe 644 is connected to the fluid box portions 690A to 690D. The rinse liquid is supplied to the rinse liquid nozzle 643 from the fluid box portions 690A to 690D through the rinse liquid supply pipe 644. Thereby, the rinse liquid can be supplied to the surface of the substrate W.

洗浄処理時において洗浄液ノズル633は基板Wの上方に位置し、リンス処理時および乾燥処理時において洗浄液ノズル633は所定の位置に退避される。また、リンス処理時においてリンス液ノズル643は基板Wの上方に位置し、洗浄処理時および乾燥処理時においてリンス液ノズル643は所定の位置に退避される。 The cleaning liquid nozzle 633 is located above the substrate W during the cleaning treatment, and the cleaning liquid nozzle 633 is retracted to a predetermined position during the rinsing treatment and the drying treatment. Further, the rinsing liquid nozzle 643 is located above the substrate W during the rinsing treatment, and the rinsing liquid nozzle 643 is retracted to a predetermined position during the cleaning treatment and the drying treatment.

スピンチャック21の周囲を取り囲むようにカップ装置650が設けられている。カップ装置650は、洗浄処理に用いられた洗浄液およびリンス処理に用いられたリンス液を回収し、回収した洗浄液およびリンス液を図示しない循環系または廃棄系に導く。 A cup device 650 is provided so as to surround the spin chuck 21. The cup device 650 collects the cleaning liquid used in the cleaning treatment and the rinsing liquid used in the rinsing treatment, and guides the collected cleaning liquid and rinsing liquid to a circulation system or a waste system (not shown).

(4)第2の実施の形態の効果
上記の除電ユニットOWE2においては、筐体60の一側壁部63および他側壁部64にそれぞれ搬送開口63p,64pが形成されている。搬送開口63p,64pは、それぞれ筐体60の内部と外部との間で基板Wを搬送するために用いられる。それにより、除電ユニットOWE2を通る基板Wの搬送経路の設計の自由度が向上する。
(4) Effect of the Second Embodiment In the above-mentioned static elimination unit OWE2, transfer openings 63p and 64p are formed in one side wall portion 63 and the other side wall portion 64 of the housing 60, respectively. The transport openings 63p and 64p are used to transport the substrate W between the inside and the outside of the housing 60, respectively. As a result, the degree of freedom in designing the transport path of the substrate W passing through the static elimination unit OWE2 is improved.

本実施の形態に係る基板処理装置600においては、インデクサブロック610のキャリアCから処理ブロック611の洗浄ユニット620へ基板Wが搬送される際、および処理ブロック611の洗浄ユニット620からインデクサブロック610のキャリアCへ基板Wが搬送される際に、除電ユニットOWE2により基板Wに除電処理が行われる。それにより、インデクサブロック610および処理ブロック611を用いた基板処理のスループットを向上させることができる。 In the substrate processing apparatus 600 according to the present embodiment, when the substrate W is conveyed from the carrier C of the indexer block 610 to the cleaning unit 620 of the processing block 611, and from the cleaning unit 620 of the processing block 611 to the carrier of the indexer block 610. When the substrate W is conveyed to C, the static elimination unit OWE2 performs static elimination processing on the substrate W. Thereby, the throughput of the substrate processing using the indexer block 610 and the processing block 611 can be improved.

[3]他の実施の形態
(1)上記実施の形態に係る基板処理装置100,600においては、洗浄処理前の基板Wおよび洗浄処理後の基板Wの各々に除電処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。基板処理装置100,600においては、例えば洗浄処理前の基板Wにのみ除電処理が行われてもよいし、洗浄処理後の基板Wにのみ除電処理が行われてもよい。
[3] Other Embodiments (1) In the substrate processing devices 100 and 600 according to the above embodiment, static elimination treatment is performed on each of the substrate W before the cleaning treatment and the substrate W after the cleaning treatment. The invention is not limited to this. In the substrate processing devices 100 and 600, for example, the static elimination treatment may be performed only on the substrate W before the cleaning treatment, or the static elimination treatment may be performed only on the substrate W after the cleaning treatment.

(2)上記実施の形態に係る除電ユニットOWE,OWE2においては、帯状の真空紫外線が基板Wの上面上を走査されることにより基板Wの上面全体に真空紫外線が照射されるが、本発明はこれに限定されない。除電ユニットOWE,OWE2の光出射部300は、基板Wの一面全体に真空紫外線を同時に照射可能に構成されてもよい。除電ユニットOWE,OWE2における除電処理の時間を短くすることができる。 (2) In the static elimination units OWE and OWE2 according to the above embodiment, the entire upper surface of the substrate W is irradiated with the vacuum ultraviolet rays by scanning the band-shaped vacuum ultraviolet rays on the upper surface of the substrate W. Not limited to this. The light emitting unit 300 of the static elimination units OWE and OWE2 may be configured to be capable of simultaneously irradiating the entire surface of the substrate W with vacuum ultraviolet rays. The time of static elimination processing in the static elimination units OWE and OWE2 can be shortened.

(3)第1の実施の形態に係る基板処理装置100においては、処理ブロック11の表面洗浄部11Aおよび裏面洗浄部11Bにそれぞれ除電ユニットOWEを設ける代わりに、基板載置部PASS1,PASS2にそれぞれ第2の実施の形態に係る除電ユニットOWE2を設けてもよい。この場合、インデクサブロック10のキャリアCから処理ブロック11の表面洗浄ユニットSSまたは裏面洗浄ユニットSSRへ基板Wが搬送される際に除電ユニットOWE2により基板Wに除電処理を行うことができる。また、処理ブロック11の表面洗浄ユニットSSまたは裏面洗浄ユニットSSRからインデクサブロック610のキャリアCへ基板Wが搬送される際に、除電ユニットOWE2により基板Wに除電処理を行うことができる。 (3) In the substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment, instead of providing the static elimination unit OWE in the front surface cleaning portion 11A and the back surface cleaning portion 11B of the processing block 11, the substrate mounting portions PASS1 and PASS2 are respectively. The static elimination unit OWE2 according to the second embodiment may be provided. In this case, when the substrate W is conveyed from the carrier C of the indexer block 10 to the front surface cleaning unit SS or the back surface cleaning unit SSR of the processing block 11, the static elimination unit OWE2 can perform static elimination processing on the substrate W. Further, when the substrate W is conveyed from the front surface cleaning unit SS or the back surface cleaning unit SSR of the processing block 11 to the carrier C of the indexer block 610, the static elimination unit OWE2 can perform static elimination processing on the substrate W.

(4)第2の実施の形態に係る基板処理装置600においては、除電受渡部680に、除電ユニットOWE2に代えて第1の実施の形態に係る基板載置部PASS1,PASS2を設けるとともに、洗浄部620A〜620Dのいずれかに第1の実施の形態に係る除電ユニットOWEを設けてもよい。 (4) In the substrate processing apparatus 600 according to the second embodiment, the static elimination delivery unit 680 is provided with the substrate mounting portions PASS1 and PASS2 according to the first embodiment instead of the static elimination unit OWE2, and is cleaned. The static elimination unit OWE according to the first embodiment may be provided in any of the units 620A to 620D.

(5)第1の実施の形態に係る表面洗浄ユニットSSおよび裏面洗浄ユニットSSRにおいては、基板Wの表面および裏面がブラシを用いて洗浄されるが、本発明はこれに限定されない。表面洗浄ユニットSSおよび裏面洗浄ユニットSSRは、ブラシ洗浄具27および液吐出ノズル28に代えて、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により基板Wを洗浄してもよい。二流体ノズルは、洗浄液と加圧された気体(不活性ガス)とを混合することにより、洗浄液の液滴および気体からなる混合流体を基板Wに噴射するノズルである。 (5) In the front surface cleaning unit SS and the back surface cleaning unit SSR according to the first embodiment, the front surface and the back surface of the substrate W are cleaned with a brush, but the present invention is not limited thereto. The front surface cleaning unit SS and the back surface cleaning unit SSR may clean the substrate W by a soft spray method using a two-fluid nozzle instead of the brush cleaning tool 27 and the liquid discharge nozzle 28. The two-fluid nozzle is a nozzle that injects a mixed fluid composed of droplets of the cleaning liquid and a gas onto the substrate W by mixing the cleaning liquid and the pressurized gas (inert gas).

(6)第2の実施の形態に係る洗浄ユニット620においては、第1の実施の形態と同様に、基板Wの上面がブラシを用いて洗浄されてもよい。または、基板Wの上面が上記の二流体ノズルを用いて洗浄されてもよい。 (6) In the cleaning unit 620 according to the second embodiment, the upper surface of the substrate W may be cleaned with a brush as in the first embodiment. Alternatively, the upper surface of the substrate W may be cleaned using the above-mentioned two-fluid nozzle.

(7)上記実施の形態に係る除電ユニットOWE,OWE2においては、ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1に移動する場合にのみ基板Wの上面に真空紫外線が照射されるが、本発明はこれに限定されない。ローカル搬送ハンド434が前方位置P2から後方位置P1に移動する場合に代えて、ローカル搬送ハンド434が後方位置P1から前方位置P2に移動する場合にのみ基板Wの上面に真空紫外線が照射されてもよい。また、ローカル搬送ハンド434が後方位置P1から前方位置P2に移動する場合および前方位置P2から後方位置P1に移動する場合に基板Wの上面に真空紫外線が照射されてもよい。 (7) In the static elimination units OWE and OWE2 according to the above embodiment, the upper surface of the substrate W is irradiated with vacuum ultraviolet rays only when the local transfer hand 434 moves from the front position P2 to the rear position P1. Is not limited to this. Even if the upper surface of the substrate W is irradiated with vacuum ultraviolet rays only when the local transport hand 434 moves from the rear position P1 to the front position P2 instead of the case where the local transport hand 434 moves from the front position P2 to the rear position P1. Good. Further, when the local transfer hand 434 moves from the rear position P1 to the front position P2 and when it moves from the front position P2 to the rear position P1, the upper surface of the substrate W may be irradiated with vacuum ultraviolet rays.

(8)上記実施の形態では、酸素分子を2つの酸素原子に分離させるための光として真空紫外線が用いられるが、本発明はこれに限定されない。酸素分子を2つの酸素原子に分離させることが可能であれば、真空紫外線よりも短い波長を有する光を基板W上に照射してもよい。 (8) In the above embodiment, vacuum ultraviolet rays are used as light for separating oxygen molecules into two oxygen atoms, but the present invention is not limited to this. If it is possible to separate oxygen molecules into two oxygen atoms, the substrate W may be irradiated with light having a wavelength shorter than that of vacuum ultraviolet rays.

(9)上記実施の形態では、ケーシング410内の酸素濃度を低くするために窒素ガスが用いられるが、本発明はこれに限定されない。ケーシング410には窒素ガスに代えてアルゴンガスまたはヘリウムガス等が用いられてもよい。 (9) In the above embodiment, nitrogen gas is used to reduce the oxygen concentration in the casing 410, but the present invention is not limited to this. Argon gas, helium gas, or the like may be used for the casing 410 instead of nitrogen gas.

(10)上記実施の形態では、蓋部材510に第2の窒素ガス供給部520が設けられるが、第2の窒素ガス供給部520は設けられなくてもよい。また、光出射部300に第3の窒素ガス供給部330が設けられるが、第3の窒素ガス供給部330は設けられなくてもよい。これらの場合、除電ユニットOWE,OWE2の部品点数が低減される。 (10) In the above embodiment, the lid member 510 is provided with the second nitrogen gas supply unit 520, but the second nitrogen gas supply unit 520 may not be provided. Further, although the light emitting unit 300 is provided with the third nitrogen gas supply unit 330, the third nitrogen gas supply unit 330 may not be provided. In these cases, the number of parts of the static elimination units OWE and OWE2 is reduced.

(11)上記実施の形態では、紫外線ランプ320により帯状の真空紫外線が出射された状態でローカル搬送ハンド434が水平方向に移動することにより、基板Wの一端部から他端部に向かって帯状の真空紫外線が走査されるが、本発明はこれに限定されない。基板Wが固定された載置台上に載置された状態で、基板Wの上方の位置を紫外線ランプ320が水平方向に移動することにより基板Wの一端部から他端部に向かって帯状の真空紫外線が走査されてもよい。この場合、紫外線ランプ320の移動速度を調整することにより、基板W上で発生されるオゾンの量を調整することができる。 (11) In the above embodiment, the local transport hand 434 moves in the horizontal direction in a state where the band-shaped vacuum ultraviolet rays are emitted by the ultraviolet lamp 320, so that the strip-shaped vacuum ultraviolet rays are formed from one end to the other end of the substrate W. Vacuum ultraviolet is scanned, but the invention is not limited to this. With the substrate W mounted on a fixed mounting table, the ultraviolet lamp 320 moves horizontally above the substrate W to form a band-shaped vacuum from one end to the other end of the substrate W. Ultraviolet light may be scanned. In this case, the amount of ozone generated on the substrate W can be adjusted by adjusting the moving speed of the ultraviolet lamp 320.

[4]請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
[4] Correspondence relationship between each component of the claim and each part of the embodiment The following describes an example of the correspondence between each component of the claim and each component of the embodiment. Not limited to examples.

上記実施の形態においては、表面洗浄ユニットSS、裏面洗浄ユニットSSRおよび洗浄ユニット620が洗浄処理部の例であり、除電ユニットOWE,OWE2が除電部の例であり、ローカル搬送ハンド434が保持部の例であり、光出射部300が出射部の例であり、基板処理装置100,600が基板処理装置の例である。 In the above embodiment, the front surface cleaning unit SS, the back surface cleaning unit SSR, and the cleaning unit 620 are examples of the cleaning processing unit, the static elimination units OWE and OWE2 are examples of the static elimination unit, and the local transport hand 434 is the holding unit. As an example, the light emitting unit 300 is an example of the emitting unit, and the substrate processing devices 100 and 600 are examples of the substrate processing device.

また、制御部4,604が処理部の例であり、送り軸431、送り軸モータ432、2つのガイドレール433、2つのハンド支持部材435および連結部材439が相対的移動部の例であり、反転ユニットRT1,RT2が反転装置の例であり、筐体60が筐体の例であり、搬送開口63p,64pがそれぞれ第1および第2の搬送開口の例である。 Further, control units 4 and 604 are examples of processing units, and feed shaft 431, feed shaft motor 432, two guide rails 433, two hand support members 435 and connecting member 439 are examples of relative moving units. The reversing units RT1 and RT2 are examples of the reversing device, the housing 60 is an example of the housing, and the transport openings 63p and 64p are examples of the first and second transport openings, respectively.

また、インデクサロボットIRが第1の搬送装置の例であり、インデクサブロック610が第1の領域の例であり、センターロボットCRが第2の搬送装置の例であり、処理ブロック611が第2の領域の例であり、キャリアCが収納容器の例であり、キャリア載置台601が容器載置部の例である。さらに、照度センサS3が照度検出部の例であり、酸素濃度センサS4が酸素濃度検出部の例である。 Further, the indexer robot IR is an example of the first transfer device, the indexer block 610 is an example of the first region, the center robot CR is an example of the second transfer device, and the processing block 611 is the second example. The area is an example, the carrier C is an example of a storage container, and the carrier mounting table 601 is an example of a container mounting portion. Further, the illuminance sensor S3 is an example of the illuminance detection unit, and the oxygen concentration sensor S4 is an example of the oxygen concentration detection unit.

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。
[5]参考形態
(1)本参考形態に係る基板処理装置は、基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、洗浄処理部による洗浄処理前の基板および洗浄処理部による洗浄処理後の基板のうち少なくとも一方の基板の除電処理を行う除電部とを備え、除電部は、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持する保持部と、保持部により保持された基板に雰囲気を通して真空紫外線を出射する出射部とを含む。
その基板処理装置においては、洗浄処理部による洗浄処理前および洗浄処理後のうち少なくとも一方の時点で、除電部により基板の除電処理が行われる。除電部では、出射部から出射される真空紫外線が、酸素分子を含む雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射される。
このとき、基板上の雰囲気が真空紫外線の一部を吸収することにより、その雰囲気に含まれる酸素分子が光解離により2つの酸素原子に分解される。分解された酸素原子が周囲に存在する酸素分子と結合することによりオゾンが発生される。
オゾンは、正電荷を帯びた共鳴構造と負電荷を帯びた共鳴構造との重ね合わせによって表現される共鳴混成体である。各共鳴構造は、共有結合および配位結合を含む。配位結合は不安定であるため、発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0(V)に近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。これらの結果、洗浄処理および除電処理後の基板の清浄度が向上する。
(2)基板処理装置は、制御部をさらに備え、除電部は、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部をさらに含み、制御部は、出射部により出射される真空紫外線が雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射されるように出射部および相対的移動部を制御してもよい。この場合、基板の全体に真空紫外線を同時に照射する必要がない。したがって、出射部の大型化を抑制することができる。
(3)制御部は、予め定められた光量の真空紫外線が基板に照射されるように、相対的移動部による保持部と出射部との相対的な移動速度を制御してもよい。
この場合、保持部と出射部との相対的な移動速度が制御されることにより、基板上で単位面積当たりに照射される真空紫外線の光量が調整され、基板上で発生されるオゾンの量が調整される。移動速度を高くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が減少する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を減少させることができる。また、移動速度を低くすることにより、基板に照射される真空紫外線の光量が増加する。それにより、基板上で発生されるオゾンの量を増加させることができる。したがって、基板上に所望の量のオゾンを均一に供給することが可能になる。その結果、基板の全体を均一に除電することが可能になる。
(4)基板は一面および他面を有し、基板処理装置は、基板の一面と他面とを互いに反転させる反転装置をさらに備え、洗浄処理部は、反転装置により反転されていない基板の一面を洗浄可能でかつ反転装置により反転された基板の他面を洗浄可能に構成されてもよい。この場合、基板の一面および他面の清浄度を向上させることができる。
(5)除電部は、保持部および出射部を収容する筐体をさらに備え、筐体は、筐体の内部と外部との間で基板を搬送するための第1および第2の搬送開口を有してもよい。この場合、第1および第2の搬送開口を用いて除電部に対する基板の搬入および搬出を行うことができる。それにより、基板の搬送経路の設計の自由度が向上する。
(6)基板処理装置は、第1の搬送装置を含む第1の領域と、洗浄処理部および第2の搬送装置を含む第2の領域とを有し、除電部は、第1の搬送開口を通して第1の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能でかつ第2の搬送開口を通して第2の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能に配置されてもよい。この場合、第1および第2の搬送装置により第1の領域と第2の領域との間で基板が搬送される際に、基板の除電処理を行うことが可能になる。
(7)第1の領域は、基板を収容する収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、第1の搬送装置は、容器載置部に載置された収納容器と除電部との間で基板を搬送し、第2の搬送装置は、除電部と洗浄処理部との間で基板を搬送し、除電部は、第1の搬送装置から第2の搬送装置への基板の受け渡しの際および第2の搬送装置から第1の搬送装置への基板の受け渡しの際に基板の除電処理を行ってもよい。
この場合、第1の領域の収納容器から第2の領域の洗浄処理部へ基板が搬送される際、および処理領域の洗浄処理部から搬入搬出領域内の収納容器へ基板が搬送される際に、除電部により基板に除電処理が行われる。それにより、第1の領域および第2の領域を用いた基板処理のスループットを向上させることができる。
(8)除電部は、洗浄処理部により洗浄される前の基板に除電処理を行ってもよい。この場合、洗浄処理前の基板の電位が0(V)に近づく。それにより、洗浄処理時に基板の帯電に起因する放電現象が発生しない。したがって、基板の一部が破損することによる処理不良の発生が防止される。
(9)制御部は、洗浄処理部により洗浄された後の基板に除電処理を行ってもよい。この場合、洗浄処理時に基板が帯電する場合でも、洗浄処理後の基板に除電処理が行われることにより基板の電位が0(V)に近づく。それにより、洗浄処理後の基板を清浄に保つことができる。
(10)本参考形態に係る基板処理方法は、基板の洗浄処理を行うステップと、洗浄処理を行うステップの前および洗浄処理を行うステップの後のうち少なくとも一方の時点で、基板の除電処理を行うステップとを含み、除電処理を行うステップは、酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持部により保持するステップと、真空紫外線を出射部から出射させるとともに出射部により出射される真空紫外線を上記の雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射するステップとを含む。
その基板処理方法においては、洗浄処理前および洗浄処理後のうち少なくとも一方の時点で、基板の除電処理が行われる。除電処理においては、出射部から出射される真空紫外線が、酸素分子を含む雰囲気を通して保持部により保持された基板に照射される。このとき、真空紫外線の一部が酸素分子を含む雰囲気に吸収されることにより、オゾンが発生される。
発生されたオゾンが正または負に帯電した基板の一面に接触すると、オゾンと基板との間で電荷の授受が行われる。この場合、オゾンの配位結合が切断されるとともに、基板の電位が0(V)に近づく。このようにして、基板の帯電量および帯電極性によらず基板の全体が除電される。これらの結果、洗浄処理および除電処理後の基板の清浄度が向上する。
As each component of the claim, various other components having the structure or function described in the claim can also be used.
[5] Reference form
(1) The substrate processing apparatus according to the present reference embodiment includes at least one of a cleaning processing unit for cleaning the substrate, a substrate before the cleaning treatment by the cleaning processing unit, and a substrate after the cleaning treatment by the cleaning processing unit. The static elimination unit includes a static elimination unit that performs static elimination processing, and includes a holding portion that holds the substrate in an atmosphere containing oxygen molecules, and an exit portion that emits vacuum ultraviolet rays through the atmosphere to the substrate held by the holding portion.
In the substrate processing apparatus, the static elimination unit performs the static elimination treatment of the substrate at least one of the time before the cleaning treatment by the cleaning treatment unit and after the cleaning treatment. In the static elimination unit, the vacuum ultraviolet rays emitted from the emission unit irradiate the substrate held by the holding unit through an atmosphere containing oxygen molecules.
At this time, the atmosphere on the substrate absorbs a part of the vacuum ultraviolet rays, and the oxygen molecules contained in the atmosphere are decomposed into two oxygen atoms by photodissociation. Ozone is generated by combining the decomposed oxygen atoms with the surrounding oxygen molecules.
Ozone is a resonance hybrid represented by the superposition of a positively charged resonance structure and a negatively charged resonance structure. Each resonance structure contains covalent and coordinate bonds. Since the coordination bond is unstable, when the generated ozone comes into contact with one surface of a positively or negatively charged substrate, charge is transferred between the ozone and the substrate. In this case, the coordination bond of ozone is broken, and the potential of the substrate approaches 0 (V). In this way, the entire substrate is statically eliminated regardless of the charge amount and charge polarity of the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after the cleaning treatment and the static elimination treatment is improved.
(2) The substrate processing apparatus further includes a control unit, and the static elimination unit further includes a relative moving unit that moves at least one of the holding unit and the emitting unit in one direction with respect to the other, and the control unit. May control the exiting portion and the relative moving portion so that the vacuum ultraviolet rays emitted by the emitting portion are irradiated to the substrate held by the holding portion through the atmosphere. In this case, it is not necessary to simultaneously irradiate the entire substrate with vacuum ultraviolet rays. Therefore, it is possible to suppress an increase in the size of the exit portion.
(3) The control unit may control the relative movement speed between the holding unit and the emitting unit by the relative moving unit so that the substrate is irradiated with a predetermined amount of vacuum ultraviolet rays.
In this case, by controlling the relative moving speed between the holding part and the emitting part, the amount of vacuum ultraviolet light emitted per unit area on the substrate is adjusted, and the amount of ozone generated on the substrate is increased. It will be adjusted. By increasing the moving speed, the amount of vacuum ultraviolet light emitted to the substrate is reduced. Thereby, the amount of ozone generated on the substrate can be reduced. Further, by lowering the moving speed, the amount of vacuum ultraviolet rays irradiated to the substrate increases. Thereby, the amount of ozone generated on the substrate can be increased. Therefore, it becomes possible to uniformly supply a desired amount of ozone on the substrate. As a result, it becomes possible to uniformly eliminate static electricity on the entire substrate.
(4) The substrate has one surface and the other surface, the substrate processing device further includes an inversion device that inverts one surface and the other surface of the substrate, and the cleaning processing unit is one surface of the substrate that has not been inverted by the inversion device. It may be configured so that the other surface of the substrate inverted by the reversing device can be cleaned. In this case, the cleanliness of one surface and the other surface of the substrate can be improved.
(5) The static eliminator further includes a housing for accommodating the holding portion and the emitting portion, and the housing has first and second transport openings for transporting the substrate between the inside and the outside of the housing. You may have. In this case, the substrate can be carried in and out of the static elimination unit using the first and second transport openings. As a result, the degree of freedom in designing the transfer path of the substrate is improved.
(6) The substrate processing device has a first region including a first transport device and a second region including a cleaning processing section and a second transport device, and the static elimination section has a first transport opening. The substrate may be arranged so that the substrate can be delivered to the first transfer device through the second transfer device and the substrate can be transferred to the second transfer device through the second transfer opening. In this case, when the substrate is transported between the first region and the second region by the first and second transport devices, it becomes possible to perform the static elimination processing of the substrate.
(7) The first region further includes a container mounting portion on which a storage container for accommodating the substrate is placed, and the first transport device includes a storage container mounted on the container mounting portion and a static elimination unit. The substrate is conveyed between the first transfer devices, the second transfer device transfers the substrate between the static elimination unit and the cleaning processing unit, and the static elimination unit transfers the substrate from the first transfer device to the second transfer device. In this case and when the substrate is transferred from the second transfer device to the first transfer device, the static elimination treatment of the substrate may be performed.
In this case, when the substrate is transported from the storage container in the first region to the cleaning processing unit in the second region, and when the substrate is transported from the cleaning processing unit in the processing region to the storage container in the loading / unloading region. , The static elimination unit performs static elimination processing on the substrate. Thereby, the throughput of the substrate processing using the first region and the second region can be improved.
(8) The static elimination unit may perform static elimination treatment on the substrate before it is cleaned by the cleaning processing unit. In this case, the potential of the substrate before the cleaning treatment approaches 0 (V). As a result, the discharge phenomenon due to the charging of the substrate does not occur during the cleaning process. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of processing defects due to a part of the substrate being damaged.
(9) The control unit may perform static elimination processing on the substrate after being cleaned by the cleaning processing unit. In this case, even if the substrate is charged during the cleaning treatment, the potential of the substrate approaches 0 (V) by performing the static elimination treatment on the substrate after the cleaning treatment. Thereby, the substrate after the cleaning treatment can be kept clean.
(10) In the substrate processing method according to the present reference embodiment, the static elimination treatment of the substrate is performed at least at one of the step of cleaning the substrate, before the step of performing the cleaning treatment, and after the step of performing the cleaning treatment. The steps of performing the static elimination treatment include the steps of holding the substrate by the holding portion in an atmosphere containing oxygen molecules, and the above-mentioned steps of emitting vacuum ultraviolet rays from the emitting portion and emitting vacuum ultraviolet rays by the emitting portion. It includes a step of irradiating the substrate held by the holding portion through the atmosphere.
In the substrate processing method, the static elimination treatment of the substrate is performed at least at one of the time before the cleaning treatment and after the cleaning treatment. In the static elimination treatment, the vacuum ultraviolet rays emitted from the emitting portion irradiate the substrate held by the holding portion through an atmosphere containing oxygen molecules. At this time, ozone is generated by absorbing a part of the vacuum ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen molecules.
When the generated ozone comes into contact with one surface of a positively or negatively charged substrate, charges are transferred between the ozone and the substrate. In this case, the coordination bond of ozone is broken, and the potential of the substrate approaches 0 (V). In this way, the entire substrate is statically eliminated regardless of the charge amount and charge polarity of the substrate. As a result, the cleanliness of the substrate after the cleaning treatment and the static elimination treatment is improved.

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。 The present invention can be effectively used for processing various substrates.

4,604…制御部,10,610…インデクサブロック,10A,11C,610A,611A…搬送部,11,611…処理ブロック,11A…表面洗浄部,11B…裏面洗浄部,21,31,621…スピンチャック,22,622…チャック回転駆動機構,23,25,623…回転軸,24…モータ,26…アーム,27…ブラシ洗浄具,28…液吐出ノズル,29…供給管,32…回転式保持ピン,40,601…キャリア載置台,60…筐体,61…前壁部,62…後壁部,62p,63p,64p…搬送開口,63…一側壁部,64…他側壁部,65…天井部,66…床部,70…排気部,71…配管,72…排気装置,100,600…基板処理装置,300…光出射部,310,410…ケーシング,320…紫外線ランプ,321…出射面,330…第3の窒素ガス供給部,331,451,511…噴射孔,339,459,529…窒素ガス導入管,400…基板移動部,411…前上面部,412…後上面部,412b…開口部,413…下面部,414…前面部,415…後面部,416…一方側面部,417…他方側面部,418…気体導出管,419…中央上面部,420…受渡機構,421…昇降ピン,422…ピン支持部材,423…ピン昇降駆動部,430…ローカル搬送機構,431…送り軸,432…送り軸モータ,433…ガイドレール,434…ローカル搬送ハンド,434h…貫通孔,435…ハンド支持部材,439…連結部材,441…センサ昇降駆動部,442…遮光部材,443…遮光駆動部,450…第1の窒素ガス供給部,500…搬入搬出部,510…蓋部材,510b…溝部,520…第2の窒素ガス供給部,590…蓋駆動部,591…支持板,592…支持軸,620…洗浄ユニット,620A,620B,620C,620D…洗浄部,630…第1のモータ,631…第1の回動軸,632…第1のアーム,633…洗浄液ノズル,634…洗浄液供給管,640…第2のモータ,641…第2の回動軸,642…第2のアーム,643…リンス液ノズル,644…リンス液供給管,650…カップ装置,680…除電受渡部,690A,690B,690C,690D…流体ボックス部,C…キャリア,CR…センターロボット,IR…インデクサロボット,IRH,MRH…ハンド,MR…メインロボット,OWE,OWE2…除電ユニット,P1…後方位置,P2…前方位置,PASS1,PASS2…基板載置部,RT1,RT2…反転ユニット,S1…後位置センサ,S2…前位置センサ,S3…照度センサ,S4…酸素濃度センサ,SS…表面洗浄ユニット,SSR…裏面洗浄ユニット,UV…真空紫外線,W…基板,pr…突出部 4,604 ... Control unit, 10,610 ... Indexer block, 10A, 11C, 610A, 611A ... Transport unit, 11,611 ... Processing block, 11A ... Front surface cleaning unit, 11B ... Back surface cleaning unit, 21, 31, 621 ... Spin chuck, 22,622 ... Chuck rotation drive mechanism, 23,25,623 ... Rotating shaft, 24 ... Motor, 26 ... Arm, 27 ... Brush cleaner, 28 ... Liquid discharge nozzle, 29 ... Supply pipe, 32 ... Rotary type Holding pin, 40, 601 ... Carrier mounting base, 60 ... Housing, 61 ... Front wall part, 62 ... Rear wall part, 62p, 63p, 64p ... Conveyance opening, 63 ... One side wall part, 64 ... Other side wall part, 65 ... Ceiling part, 66 ... Floor part, 70 ... Exhaust part, 71 ... Piping, 72 ... Exhaust device, 100, 600 ... Board processing device, 300 ... Light emitting part, 310, 410 ... Casing, 320 ... Ultraviolet lamp, 321 ... Exit surface, 330 ... Third nitrogen gas supply unit, 331, 451, 511 ... Injection hole, 339, 459, 529 ... Nitrogen gas introduction pipe, 400 ... Substrate moving part, 411 ... Front upper surface portion, 412 ... Rear upper surface portion , 412b ... opening, 413 ... lower surface, 414 ... front surface, 415 ... rear surface, 416 ... one side surface, 417 ... other side surface, 418 ... gas outlet pipe, 419 ... central upper surface, 420 ... delivery mechanism, 421 ... Lifting pin, 422 ... Pin support member, 423 ... Pin lifting drive unit, 430 ... Local transport mechanism, 431 ... Feed shaft, 432 ... Feed shaft motor, 433 ... Guide rail, 434 ... Local transport hand, 434h ... Through hole , 435 ... hand support member, 439 ... connecting member, 441 ... sensor elevating drive unit, 442 ... shading member, 443 ... shading drive unit, 450 ... first nitrogen gas supply unit, 500 ... loading / unloading unit, 510 ... lid member , 510b ... Groove, 520 ... Second nitrogen gas supply, 590 ... Lid drive, 591 ... Support plate, 592 ... Support shaft, 620 ... Cleaning unit, 620A, 620B, 620C, 620D ... Cleaning, 630 ... 1 motor, 631 ... 1st rotating shaft, 632 ... 1st arm, 633 ... cleaning liquid nozzle, 634 ... cleaning liquid supply pipe, 640 ... second motor, 641 ... second rotating shaft, 642 ... second 2 arms, 643 ... rinse liquid nozzle, 644 ... rinse liquid supply pipe, 650 ... cup device, 680 ... static elimination delivery part, 690A, 690B, 690C, 690D ... fluid box part, C ... carrier, CR ... center robot, IR … Indexer robot, IRH, MRH… hand, MR… main robot, OWE, OWE2… static elimination uni , P1 ... Rear position, P2 ... Front position, PASS1, PASS2 ... Board mounting part, RT1, RT2 ... Inversion unit, S1 ... Rear position sensor, S2 ... Front position sensor, S3 ... Illuminance sensor, S4 ... Oxygen concentration Sensor, SS ... Front surface cleaning unit, SSR ... Back surface cleaning unit, UV ... Vacuum illuminance, W ... Substrate, pr ... Projection

Claims (10)

基板の洗浄処理を行う洗浄処理部と、
前記洗浄処理部による洗浄処理前の基板および前記洗浄処理部による洗浄処理後の基板のうち少なくとも一方の基板の除電処理を行う除電部と
制御部とを備え、
前記除電部は、
酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持する保持部と、
前記保持部により保持された基板に前記雰囲気を通して真空紫外線を出射する出射部と
前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させる相対的移動部と、
前記出射部により基板に照射される真空紫外線の照度を検出する照度検出部とを含み、
前記制御部は、前記出射部により出射される真空紫外線が前記雰囲気を通して前記保持部により保持された基板に照射されるように前記出射部および前記相対的移動部を制御するとともに、基板上に発生するオゾンの量を所定の量に調整するために、前記照度検出部により検出された照度に基づいて前記相対的移動部による前記保持部と前記出射部との相対的な移動速度をフィードバック制御する、基板処理装置。
A cleaning processing unit that cleans the substrate and
A static elimination unit that performs static elimination processing on at least one of the substrate before the cleaning treatment by the cleaning treatment unit and the substrate after the cleaning treatment by the cleaning treatment unit .
Equipped with a control unit
The static elimination unit
A holding part that holds the substrate in an atmosphere containing oxygen molecules,
An exit portion that emits vacuum ultraviolet rays through the atmosphere on the substrate held by the holding portion ,
A relative moving portion that moves at least one of the holding portion and the emitting portion relative to the other in one direction.
Includes an illuminance detection unit that detects the illuminance of vacuum ultraviolet rays emitted from the substrate by the emission unit.
The control unit controls the emission unit and the relative moving unit so that the vacuum ultraviolet rays emitted by the emission unit are irradiated to the substrate held by the holding unit through the atmosphere, and is generated on the substrate. In order to adjust the amount of ozone to be generated to a predetermined amount, the relative moving speed between the holding part and the emitting part by the relative moving part is feedback-controlled based on the illuminance detected by the illuminance detecting part. , Substrate processing equipment.
除電処理において基板に供給されるべきオゾンの前記所定の量に対応する露光量は、基板ごとまたは基板の種類ごとに設定露光量として予め定められ、
前記制御部は、各基板の露光量がその基板について予め定められた設定露光量となるように前記フィードバック制御を行う、請求項1記載の基板処理装置。
The exposure amount corresponding to the predetermined amount of ozone to be supplied to the substrate in the static elimination process is predetermined as a set exposure amount for each substrate or each type of substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit performs the feedback control so that the exposure amount of each substrate becomes a preset set exposure amount for the substrate.
前記雰囲気における酸素濃度を検出する酸素濃度検出部をさらに備え、
前記制御部は、前記酸素濃度検出部により検出された酸素濃度が設定値より低いか否かを判定し、前記検出された酸素濃度が前記設定値より低い場合にのみ、前記除電部による除電処理を行う、請求項1または2記載の基板処理装置。
Further provided with an oxygen concentration detecting unit for detecting the oxygen concentration in the atmosphere,
The control unit determines whether or not the oxygen concentration detected by the oxygen concentration detection unit is lower than the set value, and only when the detected oxygen concentration is lower than the set value, the static elimination process is performed by the static elimination unit. performing a substrate processing apparatus according to claim 1 or 2 wherein.
基板は一面および他面を有し、
前記基板処理装置は、
基板の前記一面と前記他面とを互いに反転させる反転装置をさらに備え、
前記洗浄処理部は、前記反転装置により反転されていない基板の前記一面を洗浄可能でかつ前記反転装置により反転された基板の前記他面を洗浄可能に構成された、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The substrate has one side and the other side,
The substrate processing device is
Further provided with a reversing device for reversing the one side and the other side of the substrate.
Any of claims 1 to 3, wherein the cleaning processing unit is configured to be able to clean the one side of the substrate that has not been inverted by the reversing device and can clean the other surface of the substrate that has been inverted by the reversing device. The substrate processing apparatus according to item 1.
前記除電部は、前記保持部および前記出射部を収容する筐体をさらに備え、
前記筐体は、前記筐体の内部と外部との間で基板を搬送するための第1および第2の搬送開口を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
The static elimination unit further includes a housing for accommodating the holding unit and the emitting unit.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the housing has first and second transfer openings for transporting a substrate between the inside and the outside of the housing.
第1の搬送装置を含む第1の領域と、
前記洗浄処理部および第2の搬送装置を含む第2の領域とを有し、
前記除電部は、前記第1の搬送開口を通して前記第1の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能でかつ前記第2の搬送開口を通して前記第2の搬送装置に対する基板の受け渡しが可能に配置される、請求項5記載の基板処理装置。
The first area including the first transfer device and
It has a cleaning processing unit and a second region including a second transport device.
The static elimination unit is arranged so that the substrate can be delivered to the first transport device through the first transport opening and the substrate can be delivered to the second transport device through the second transport opening. The substrate processing apparatus according to claim 5.
前記第1の領域は、基板を収容する収納容器が載置される容器載置部をさらに含み、
前記第1の搬送装置は、前記容器載置部に載置された収納容器と前記除電部との間で基板を搬送し、
前記第2の搬送装置は、前記除電部と前記洗浄処理部との間で基板を搬送し、
前記除電部は、前記第1の搬送装置から前記第2の搬送装置への基板の受け渡しの際および前記第2の搬送装置から前記第1の搬送装置への基板の受け渡しの際に基板の除電処理を行う、請求項6記載の基板処理装置。
The first region further includes a container mounting portion on which a storage container for accommodating the substrate is placed.
The first transport device transports the substrate between the storage container mounted on the container mounting portion and the static elimination portion.
The second transport device transports the substrate between the static elimination unit and the cleaning processing unit.
The static elimination unit removes static electricity from the substrate when the substrate is delivered from the first transfer device to the second transfer device and when the substrate is transferred from the second transfer device to the first transfer device. The substrate processing apparatus according to claim 6, which performs processing.
前記除電部は、前記洗浄処理部により洗浄される前の基板に前記除電処理を行う、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the static elimination unit performs the static elimination treatment on a substrate before being cleaned by the cleaning processing unit. 前記除電部は、前記洗浄処理部により洗浄された後の基板に前記除電処理を行う、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The charge-eliminating unit, the cleaning unit performs the charge removing process on a substrate after being cleaned, the substrate processing apparatus according to any one of claims 1-8. 基板の洗浄処理を行うステップと、
前記洗浄処理を行うステップの前および前記洗浄処理を行うステップの後のうち少なくとも一方の時点で、基板の除電処理を行うステップとを含み、
前記除電処理を行うステップは、
酸素分子を含む雰囲気内で基板を保持部により保持するステップと、
真空紫外線を出射部から出射させるステップと、
前記出射部により出射される真空紫外線が前記雰囲気を通して前記保持部により保持された基板に照射されるように前記出射部および前記保持部のうち少なくとも一方を他方に対して一方向に相対的に移動させるステップと、
前記出射部により基板に照射される真空紫外線の照度を検出するステップと、
基板上に発生するオゾンの量を所定の量に調整するために、前記検出された照度に基づいて前記保持部と前記出射部との相対的な移動速度をフィードバック制御するステップとを含む、基板処理方法。
Steps to clean the board and
Including a step of static elimination treatment of a substrate at least one of a time point before the step of performing the cleaning treatment and after the step of performing the cleaning treatment.
The step of performing the static elimination process is
The step of holding the substrate by the holding part in an atmosphere containing oxygen molecules,
The step of emitting vacuum ultraviolet rays from the exit part ,
At least one of the emitting portion and the holding portion is moved relative to the other in one direction so that the vacuum ultraviolet rays emitted by the emitting portion are irradiated to the substrate held by the holding portion through the atmosphere. Steps to make and
The step of detecting the illuminance of the vacuum ultraviolet rays radiated to the substrate by the emitting part,
A substrate including a step of feedback-controlling the relative moving speed between the holding portion and the emitting portion based on the detected illuminance in order to adjust the amount of ozone generated on the substrate to a predetermined amount. Processing method.
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