JP3426560B2 - Substrate cleaning method - Google Patents

Substrate cleaning method

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JP3426560B2
JP3426560B2 JP2000109852A JP2000109852A JP3426560B2 JP 3426560 B2 JP3426560 B2 JP 3426560B2 JP 2000109852 A JP2000109852 A JP 2000109852A JP 2000109852 A JP2000109852 A JP 2000109852A JP 3426560 B2 JP3426560 B2 JP 3426560B2
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substrate cleaning
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栄一 星野
宏真 鉾
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富士通株式会社
島田理化工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、被洗浄物を洗浄す
る洗浄装置および洗浄方法であって、半導体材料・UL
SI・ウェーハなどの基板を被洗浄物とし、なかでもフ
オトマスク製作用のガラス、Si等の基板またはこの基板
上に製作して構成された薄膜構造物に付着した異物を洗
浄する装置およびその方法に関するものである。その他
にも、液晶、GMRヘッド、ハードディスクなどの基板
洗浄の分野にも関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning device and a cleaning method for cleaning an object to be cleaned, which are semiconductor materials / UL.
The present invention relates to an apparatus and method for cleaning a foreign material attached to a substrate such as an SI / wafer as an object to be cleaned, in particular, a glass for photomask production, a substrate such as Si, or a thin film structure formed on the substrate. It is a thing. In addition, it relates to the field of cleaning substrates such as liquid crystal, GMR head, and hard disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ULSIの製造工程で基板に微粒子等
の汚染物が付着すると製品の品質が著しく低下する。こ
のために、ウェーハおよびその上に作製して構成された
薄膜構造物等の基板を高性能に洗浄する装置およびその
方法として、例えば、出願人による特許第2959763号「ウ
ェーハ洗浄装置」がある。この発明はULSI製造用ウェー
ハを対象としているが、フオトマスク等他の分野の基板
洗浄にも適用可能である。この装置を具体的に説明する
と、ウェーハまたはその上に製作した薄膜構造物等の基
板を搬送機構により処理部に搬送し、ラバール形状等超
音速流を発生することが可能なノズルから純水などの洗
浄液を圧縮空気により超音速に加速して噴出させ、上記
基板表面に作用させ洗浄する基板洗浄装置である。
2. Description of the Related Art Conventionally, when contaminants such as fine particles adhere to a substrate during the ULSI manufacturing process, the quality of the product is significantly deteriorated. For this reason, as an apparatus and method for cleaning a wafer and a substrate such as a thin film structure formed on the wafer with high performance, there is, for example, Japanese Patent No. 2959763 “wafer cleaning apparatus” by the applicant. Although the present invention is intended for ULSI manufacturing wafers, it can also be applied to substrate cleaning in other fields such as photomasks. Explaining this device in detail, a wafer or a substrate such as a thin film structure manufactured on the wafer is transferred to a processing unit by a transfer mechanism, and pure water or the like is discharged from a nozzle capable of generating a supersonic flow such as a Laval shape. Is a substrate cleaning apparatus for accelerating and spraying the cleaning liquid at a supersonic speed with compressed air to act on the surface of the substrate for cleaning.

【0003】図6はすでに公知となっているの特許第29
59763号公報に示された「ウェーハ洗浄装置」の上視概略
図である。本装置は、装置略中央部に基板を搬入または
搬出する搬送ロボット1と、洗浄前の基板を収納する搬
入部2と洗浄後の基板を収納する搬出部3と、この搬入
部2および搬出部3と対向する片側に設けた基板反転ア
ライメント部4と、基板を洗浄する基板洗浄部5と、こ
の基板洗浄部5に対向する片側に設けた搬送ロボット1
の保持部11を洗浄するための搬送ロボット洗浄部6を
備える。また、基板洗浄部5内に供給される純水、超純
水、薬液等の洗浄液を貯蔵する洗浄液タンク81が収納
された洗浄液タンク部8を備えている。さらに、本装置
を所定の洗浄条件により動作させるために制御する制御
部9を備えている。
FIG. 6 shows the already known patent No. 29.
FIG. 6 is a schematic top view of a “wafer cleaning device” disclosed in Japanese Patent No. 59763. This apparatus includes a transfer robot 1 for loading and unloading a substrate in a substantially central portion of the apparatus, a loading section 2 for storing a substrate before cleaning, a unloading section 3 for storing a substrate after cleaning, and a loading section 2 and a unloading section. 3, a substrate reversing alignment unit 4 provided on one side facing the substrate 3, a substrate cleaning unit 5 for cleaning the substrate, and a transfer robot 1 provided on one side facing the substrate cleaning unit 5.
The transfer robot cleaning unit 6 is provided for cleaning the holding unit 11. Further, the substrate cleaning unit 5 is provided with a cleaning liquid tank unit 8 in which a cleaning liquid tank 81 for storing a cleaning liquid such as pure water, ultrapure water, or a chemical liquid is stored. Further, a control unit 9 for controlling the apparatus to operate under a predetermined cleaning condition is provided.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置およびその方法には、次に示すような課題があ
った。 課題1) クリーンルーム内には各種樹脂部品から有機系
ガスが放出される。この有機系ガスは基板表面に吸着し
基板表面を疎水性に変えてしまうので、従来の洗浄装置
およびその方法では洗浄効果が抑制される。 課題2) 従来の洗浄装置および洗浄方法では、洗浄液で
洗浄した後、基板を高速で回転させ乾燥させている。こ
の方法は、2−プロパノール蒸気を基板表面に供給し、
水分を2プロパノールに置換する方法に較べて、乾燥後
に洗浄液中の0.1μm以下の微粒子が基板上に残留しやす
い。 課題3) 従来の洗浄装置およびその方法では、洗浄液が
基板上を流れるため、基板の材料によっては洗浄後基板
が帯電し雰囲気中の微粒子を引き寄せる。 課題4) 洗浄後の基板帯電を除去するために放電式の静
電気除去装置を備えている従来洗浄装置があるが、この
放電式電気除去装置電極部から異物が発生し基板に付着
する。
However, the conventional cleaning device and method thereof have the following problems. Problem 1) Organic gas is released from various resin parts in the clean room. This organic gas adsorbs to the surface of the substrate and changes the surface of the substrate to be hydrophobic, so that the cleaning effect is suppressed by the conventional cleaning apparatus and method. Problem 2) In the conventional cleaning device and cleaning method, after cleaning with the cleaning liquid, the substrate is rotated at high speed to dry. This method supplies 2-propanol vapor to the substrate surface,
Compared with the method of replacing water with 2 propanol, fine particles of 0.1 μm or less in the cleaning liquid tend to remain on the substrate after drying. Problem 3) In the conventional cleaning apparatus and method, since the cleaning liquid flows over the substrate, the substrate is charged after cleaning depending on the substrate material and attracts the fine particles in the atmosphere. Problem 4) There is a conventional cleaning device that is equipped with a discharge type static eliminator for removing electrostatic charges on the substrate after cleaning, but foreign matter is generated from the electrode part of the discharge type static eliminator and adheres to the substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために以下の手段を講ずる。課題1)を解決するた
めに、本発明では、洗浄液で洗浄する直前に有機系汚染
物を基板から除去する目的で、大気中で基板に照射する
紫外線照射部を備えている。特に、波長172nm±20nmの
紫外線照射するのが効果的である。課題2) 課題3)課題
4)を解決するため、本発明では洗浄後の残留した0.1μm
以下の微粒子を除去し、基板に貯まった電荷を除去する
目的で、大気中で基板に照射する紫外線照射部を備えて
いる。この紫外線照射による静電気除去方法は、異物の
発生が無いため、基板を汚染しない。特に波長172nm±2
0nmの紫外線が効果的である。
The present invention takes the following means in order to solve the above problems. In order to solve the problem 1), the present invention includes an ultraviolet irradiation unit that irradiates the substrate in the atmosphere for the purpose of removing organic contaminants from the substrate immediately before cleaning with a cleaning liquid. In particular, it is effective to irradiate ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm ± 20 nm. Challenge 2) Challenge 3) Challenge
In order to solve 4), in the present invention, the residual 0.1 μm after cleaning is used.
An ultraviolet ray irradiating unit for irradiating the substrate in the atmosphere is provided for the purpose of removing the following fine particles and removing charges accumulated in the substrate. This method of removing static electricity by irradiating ultraviolet rays does not contaminate the substrate because no foreign matter is generated. Especially wavelength 172nm ± 2
UV of 0 nm is effective.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による基板洗浄装置およびその方法の実施の形態を詳細
に説明する。図1は本発明による基板洗浄装置の実施の
形態を示す上視概略図である。図1に示すように、本発
明による基板洗浄装置は、装置略中央部に基板を搬入ま
たは搬出する搬送ロボット1と、洗浄前の基板を収納す
る搬入部2と洗浄後の基板を収納する搬出部3と、この
搬入部2および搬出部3と対向する片側に設けた反転ア
ライメント部4と、基板を洗浄する基板洗浄部5と、こ
の基板洗浄部5に隣接する搬送ロボット1の保持部11
を洗浄する搬送ロボット洗浄部6と、基板洗浄部5と対
向する片側に設けた紫外線照射部7を備えている。ま
た、この基板洗浄装置は、基板洗浄部5内に供給される
純水、超純水、薬液等の洗浄液を貯蔵する洗浄液タンク
81が単数個または複数個設置された洗浄液タンク部8
を備えており、さらに、本装置を所定の洗浄条件により
動作させるために制御する制御部9を備えている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, embodiments of a substrate cleaning apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic top view showing an embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, a substrate cleaning apparatus according to the present invention comprises a transfer robot 1 for loading and unloading a substrate at a substantially central portion of the apparatus, a loading unit 2 for loading a substrate before cleaning, and an unloading location for loading a substrate after cleaning. The unit 3, the reverse alignment unit 4 provided on one side facing the carry-in unit 2 and the carry-out unit 3, the substrate cleaning unit 5 for cleaning the substrate, and the holding unit 11 of the transfer robot 1 adjacent to the substrate cleaning unit 5.
A transfer robot cleaning unit 6 for cleaning the substrate and an ultraviolet irradiation unit 7 provided on one side facing the substrate cleaning unit 5 are provided. Further, this substrate cleaning apparatus has a cleaning liquid tank section 8 in which a single cleaning liquid tank 81 or a plurality of cleaning liquid tanks 81 for storing cleaning liquids such as pure water, ultrapure water, and chemical liquid supplied into the substrate cleaning unit 5 are installed.
And a control unit 9 for controlling the apparatus to operate under predetermined cleaning conditions.

【0007】図2は図1に示した基板洗浄部5に処理基
板51が装着された場合の拡大図であり、図3は図2の
A−A断面による説明図である。処理基板51はスピンロ
ボット爪部521により端部を保持され、この状態でス
ピンロボット52は回動することが可能である。処理基
板51は、洗浄の際基板から周囲へ洗浄液が飛び散るの
を防ぐ排気カップ53で覆われている。処理基板51を
スピンロボット52に装着することを考慮し、排気カッ
プ53は上下移動可能であるように構成されている。排
気カップ53近傍の超音速ノズル支持部541には、洗
浄液を圧縮気体により超音速に加速して噴出させること
が可能な超音速ノズル54が取り付けられている。超音
速ノズル支持部541はその回転軸5411を中心に回
動する。また、圧縮気体を用いず洗浄液の圧力だけで洗
浄液を噴出させるノズル55を単数個または複数個備え
ている。図3に示すように、洗浄の際には基板洗浄部5
に薬液の蒸気が充満しないように排気口56より排気す
る。また、基板洗浄部に貯まる洗浄液は洗浄部排液口5
7から排液される。
FIG. 2 is an enlarged view of a case where the processing substrate 51 is mounted on the substrate cleaning section 5 shown in FIG. 1, and FIG. 3 is shown in FIG.
It is explanatory drawing by the AA cross section. The end of the processing substrate 51 is held by the spin robot claw portion 521, and the spin robot 52 can rotate in this state. The processing substrate 51 is covered with an exhaust cup 53 that prevents the cleaning liquid from splashing from the substrate to the surroundings during cleaning. In consideration of mounting the processing substrate 51 on the spin robot 52, the exhaust cup 53 is configured to be vertically movable. A supersonic nozzle 54 that is capable of accelerating the cleaning liquid to a supersonic speed by a compressed gas and ejecting the cleaning liquid is attached to the supersonic nozzle support portion 541 near the exhaust cup 53. The supersonic nozzle support portion 541 rotates about its rotation shaft 5411. In addition, a single nozzle or a plurality of nozzles 55 that eject the cleaning liquid only by the pressure of the cleaning liquid without using compressed gas are provided. As shown in FIG. 3, the substrate cleaning unit 5 is used for cleaning.
The gas is exhausted from the exhaust port 56 so that the vapor of the chemical solution is not filled. Further, the cleaning liquid accumulated in the substrate cleaning unit is the cleaning unit drain port 5.
Drained from 7.

【0008】図4は、図1に示されている紫外線照射部
7のB−B断面による説明図である。処理基板71は基
板保持ロボット72により裏面を保持され、この状態で
基板保持ロボット72は軸の上下方向に移動可能で、軸
を中心に回転または回動することが可能である。処理基
板71の上部はランプ室73になっていおり、処理基板
のある空間とは石英ガラス731で遮断されている。ラ
ンプ室73中の雰囲気は窒素で置換することが可能とな
っている。ランプ室73には波長172nm±20nmの紫外線
を発生する紫外線ランプ732が単数個または複数個備
えられている。紫外線ランプ732から発生した紫外線
を効率よく基板に照射するために、紫外線ランプ732
の処理基板に対向する側には反射板733が備えられて
いる。
FIG. 4 is an explanatory view of the ultraviolet irradiation unit 7 shown in FIG. 1 taken along the line BB. The back surface of the processing substrate 71 is held by the substrate holding robot 72, and in this state, the substrate holding robot 72 can move in the vertical direction of the shaft and can rotate or rotate about the shaft. The upper part of the processing substrate 71 is a lamp chamber 73, and the space in which the processing substrate is located is isolated by a quartz glass 731. The atmosphere in the lamp chamber 73 can be replaced with nitrogen. The lamp chamber 73 is provided with one or a plurality of ultraviolet lamps 732 that generate ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm ± 20 nm. In order to efficiently irradiate the substrate with the ultraviolet rays generated from the ultraviolet lamp 732, the ultraviolet lamp 732
A reflecting plate 733 is provided on the side facing the processed substrate.

【0009】次にこの装置を用いた基板洗浄方法につい
ての工程を具体的に説明する。 1)まず搬入部2に収納された洗浄前の基板を搬送ロボッ
ト1により取り出し、反転アライメント部4に装着す
る。 2)反転アライメント部4で基板の芯出し修正を行う。 3)芯出しされた基板は処理基板51として搬送ロボット
1により基板洗浄部5内のスピンロボット52に装着さ
れる。 4)排気カップ53を上げ排気カップ53で処理基板51
を覆うようにし、この処理基板51を装着したスピンロ
ボット52を回転させる。 5)超音速ノズル支持部541の回動軸5411を回動さ
せ、超音速ノズル54を処理基板51上に移動させる。 6)処理基板51上で超音速ノズル54を作動させ、洗浄
液を超音速で処理基板51表面に噴き付ける。 7)このとき均一に洗浄されるように回動軸5411を回
動させ、超音速ノズルを処理基板51上で左右に振る。 8)超音速ノズル54を用いた洗浄の前後にノズル55を
用いた洗浄が加えられる場合がある。 9)最後に処理基板51の回転数を上げ、遠心力で基板上
の洗浄液を飛散させ乾燥させる。 10)洗浄終了後の基板は搬送ロボット1により取り出さ
れ、搬出部3に収納される。
Next, the steps of the substrate cleaning method using this apparatus will be specifically described. 1) First, the substrate before cleaning stored in the carry-in section 2 is taken out by the transfer robot 1 and mounted on the reverse alignment section 4. 2) The reversal alignment unit 4 corrects the centering of the substrate. 3) The centered substrate is mounted on the spin robot 52 in the substrate cleaning unit 5 as the processing substrate 51 by the transfer robot 1. 4) Raise the exhaust cup 53 and use the exhaust cup 53 to process the substrate 51.
And the spin robot 52 having the processing substrate 51 mounted thereon is rotated. 5) The rotation shaft 5411 of the supersonic nozzle support portion 541 is rotated to move the supersonic nozzle 54 onto the processing substrate 51. 6) The supersonic nozzle 54 is operated on the processing substrate 51 to spray the cleaning liquid onto the surface of the processing substrate 51 at supersonic speed. 7) At this time, the rotating shaft 5411 is rotated so as to be uniformly washed, and the supersonic nozzle is shaken left and right on the processing substrate 51. 8) Cleaning using the nozzle 55 may be added before and after cleaning using the supersonic nozzle 54. 9) Finally, the rotation speed of the processed substrate 51 is increased, and the cleaning liquid on the substrate is spattered by centrifugal force to be dried. 10) The substrate after cleaning is taken out by the transfer robot 1 and stored in the carry-out section 3.

【0010】また、基板表面だけでなく裏面も洗浄した
い場合は、次のような工程を行う。 1)まず、搬送ロボット洗浄部6で搬送ロボット1の保持
部11を洗浄する。 2)洗浄した搬送ロボット1により表面洗浄後の基板を反
転アライメント部4に再び装着し、反転芯出しを行う。 3)反転芯出しされた基板を表面と同様に洗浄する。 4)洗浄後搬送ロボット1により取り出し搬出部3に収納
する。 なお、次の基板を洗浄する場合は、搬送ロボット洗浄部
6で搬送ロボット1の保持部11を洗浄してから行うと
よい。
When it is desired to clean not only the front surface of the substrate but also the back surface, the following steps are performed. 1) First, the transfer robot cleaning unit 6 cleans the holding unit 11 of the transfer robot 1. 2) The cleaned transfer robot 1 mounts the surface-cleaned substrate again on the reversal alignment unit 4, and performs reversal centering. 3) Invert The centered substrate is washed in the same manner as the surface. 4) After cleaning, the robot is taken out by the transfer robot 1 and stored in the carry-out section 3. Note that when cleaning the next substrate, it is preferable to clean the holding portion 11 of the transfer robot 1 by the transfer robot cleaning unit 6.

【0011】さらに、紫外線照射を伴う場合は、次のよ
うな工程を行う。 1)ランプ室73中の雰囲気を窒素で置換する。 2)処理基板71は搬送ロボット1により基板保持ロボッ
ト72に装着される。 3)基板保持ロボット72を上下方向に移動させ、処理基
板71と紫外線ランプ732との距離を調整する。 4)紫外線ランプ732を点灯し基板に紫外線を照射す
る。紫外線の波長はあらかじめ効果の高い値に設定して
おく。例えば、波長172nm±20nmとする。 5)このとき紫外線が均一に照射するように基板と共に基
板保持ロボット72を回転させる。 6)あらかじめ決められた時間を照射した後、紫外線ラン
プ732を消灯し、基板保持ロボット72の回転を中止
する。 7)搬送ロボット1により基板71を紫外線照射部7から
取り出す。なお、紫外線照射部には基板表面電位計を備
えているとよい。
Further, when ultraviolet ray irradiation is involved, the following steps are carried out. 1) The atmosphere in the lamp chamber 73 is replaced with nitrogen. 2) The processing substrate 71 is mounted on the substrate holding robot 72 by the transfer robot 1. 3) The substrate holding robot 72 is moved up and down to adjust the distance between the processing substrate 71 and the ultraviolet lamp 732. 4) The ultraviolet lamp 732 is turned on to irradiate the substrate with ultraviolet rays. The wavelength of ultraviolet rays is set to a value that is highly effective in advance. For example, the wavelength is 172 nm ± 20 nm. 5) At this time, the substrate holding robot 72 is rotated together with the substrate so that the ultraviolet rays are uniformly irradiated. 6) After irradiation for a predetermined time, the ultraviolet lamp 732 is turned off and the rotation of the substrate holding robot 72 is stopped. 7) The transfer robot 1 takes out the substrate 71 from the ultraviolet irradiation unit 7. It should be noted that the ultraviolet irradiation unit may be equipped with a substrate surface potential meter.

【0012】次に、本発明の基板洗浄装置およびその方
法を適用し、基板洗浄を実施した実験結果について得ら
れたデータを基に説明する。図5には、EUVリソグラフ
ィマスク用の基板に本発明の洗浄装置およびその方法を
適用した場合の結果を示してある。横軸は微粒子径であ
り、縦軸は洗浄効率である。洗浄効率は次のように定義
される。 Nini:洗浄前に基板に付着している微粒子の個数 N:洗浄後に基板に付着している微粒子の個数 洗浄効率=(Nini−N)/Nini×100 図5中+印は、「基板は搬送機構を有する搬送ロボット
により基板洗浄部へ搬送されウェット洗浄処理される工
程を有する」基板洗浄方法(I)で洗浄した結果である。
図5中◇印は、「基板は、搬送機構を有する搬送ロボッ
トにより紫外線照射部へ搬送されて紫外線照射処理され
る工程を有し、その次の工程として、この基板は搬送機
構を有するこの搬送ロボットにより基板洗浄部へ搬送さ
れウェット洗浄処理される工程を有する」基板洗浄方法
(II)で洗浄した結果である。紫外線は洗浄液で洗浄する
直前に基板に照射した。図5中●印は、「基板は搬送機
構を有する搬送ロボットにより紫外線照射部へ搬送され
て紫外線照射処理される工程を有し、その次の工程とし
て、この基板は搬送機構を有するこの搬送ロボットによ
り基板洗浄部へ搬送されウェット洗浄処理される工程を
有し、そして再び、基板は搬送機構を有する搬送ロボッ
トにより前記紫外線照射部へ搬送されて再び紫外線照射
処理される工程を有する」基板洗浄方法(III)で洗浄し
た結果である。紫外線は洗浄液で洗浄する直前直後時に
照射した。
Next, the substrate cleaning apparatus and method of the present invention will be applied to the substrate cleaning, and the experimental results of the cleaning will be described based on the obtained data. FIG. 5 shows the results of applying the cleaning apparatus and method of the present invention to a substrate for an EUV lithography mask. The horizontal axis represents the particle size, and the vertical axis represents the cleaning efficiency. The cleaning efficiency is defined as follows. Nini: The number of fine particles adhering to the substrate before washing N: number cleaning efficiency = (Nini-N) / Nini × 100 FIG. 5 + sign of particles adhering to the substrate after washing, "substrate conveying Transport robot with mechanism
Is transported to the substrate cleaning section by the wet cleaning process.
It is the result of cleaning by the substrate cleaning method (I) .
The ◇ mark in Fig. 5 indicates that the board is a transfer robot with a transfer mechanism.
Are transferred to the UV irradiation unit and processed by UV irradiation.
As a next step, this substrate is
It is transferred to the substrate cleaning section by this transfer robot with a structure.
Wet cleaning process ”substrate cleaning method
This is the result of washing in (II) . The substrate was irradiated with ultraviolet rays immediately before cleaning with the cleaning liquid. In Fig. 5, ● indicates that the board is a carrier.
It is transferred to the UV irradiation unit by a transfer robot with a structure
UV irradiation treatment is carried out as the next step.
This substrate is transferred by this transfer robot that has a transfer mechanism.
Process carried to the substrate cleaning section and subjected to wet cleaning processing
And again, the substrate has a transport robot with a transport mechanism.
Are transferred to the UV irradiation unit and irradiated with UV again.
This is the result of cleaning by the substrate cleaning method (III) which has a step to be processed . Ultraviolet rays were applied immediately before and immediately after washing with the washing liquid.

【0013】図5からわかるように、基板洗浄方法(II
I)に係る方法で、洗浄液で洗浄する直前に紫外線を基板
に照射する方法(◇印)では、150nm以上の微粒子が
前記の方法(+印)に比べ高い除去効率を得られてい
る。しかし、微粒子径70nmで洗浄効率が負の値となって
いる。これは洗浄後径70nmの微粒子が増加したことを表
している。図5からわかるように、基板洗浄方法(III)
に係る方法で洗浄液で洗浄する直前に紫外線を基板に
照射する方法(●印)では、150nm以上の微粒子が前
記の方法(+印)に比べ高い除去効率を得られている。
しかも、洗浄後径70nmの微粒子が増加していない。な
お、この発明の実施形態では、フオトマスク製作用のガ
ラス、Si等の基板またはその上に作製され構成された薄
膜構造物について述べてきたが、その他の基板例えばUL
SI、液晶、GMRヘッド、ハードディスク作製用の基板及
びそれらの上に作製された薄膜構造物にも適用可能なこ
とはもちろんである。
As can be seen from FIG. 5, the substrate cleaning method (II
In the method according to I) , the method of irradiating the substrate with ultraviolet rays immediately before cleaning with the cleaning liquid (marked with ⋄) achieves higher removal efficiency of fine particles of 150 nm or more than the above method (marked with +). However, the cleaning efficiency has a negative value when the particle size is 70 nm. This indicates that the number of fine particles having a diameter of 70 nm increased after washing. As can be seen from FIG. 5, substrate cleaning method (III)
In the method according to the, method (● mark) irradiating ultraviolet rays to the substrate immediately prior to washing with a washing solution, 150 nm or more fine particles are obtained with high removal efficiency compared to the method (+ sign).
Moreover, the number of fine particles having a diameter of 70 nm does not increase after washing. In the embodiment of the present invention, the glass for photomask production, the substrate such as Si or the thin film structure fabricated on the substrate has been described.
Of course, it can be applied to SI, liquid crystal, GMR head, substrates for hard disk fabrication, and thin film structures fabricated on them.

【0014】[0014]

【発明の効果】このように、本発明による基板洗浄装置
および基板洗浄方法によれば、基板またはその上に製作
され構成された薄膜構造物の洗浄においては、紫外線照
射により静電気や微粒子が除去され、基板の汚染を効果
的に抑制することができる。また、紫外線照射により有
機系ガスの放出が押さえられるので、基板洗浄の効果が
高くなる。そして、窒素等不活性ガスの圧縮気体を使用
することで、自然酸化等化学変化を起こす心配がなくな
る。
As described above, according to the substrate cleaning apparatus and the substrate cleaning method of the present invention, in the cleaning of the substrate or the thin film structure manufactured and constructed on the substrate, static electricity and fine particles are removed by irradiation of ultraviolet rays. Therefore, the contamination of the substrate can be effectively suppressed. Further, since the emission of the organic gas is suppressed by the irradiation of ultraviolet rays, the effect of cleaning the substrate is enhanced. Further, by using a compressed gas such as an inert gas such as nitrogen, there is no fear of causing a chemical change such as natural oxidation.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による基板洗浄装置の実施の形態を示す
上視概略図。
FIG. 1 is a schematic top view showing an embodiment of a substrate cleaning apparatus according to the present invention.

【図2】本発明による図1に示した基板洗浄部5に、処
理基板51が装着された場合の拡大図。
FIG. 2 is an enlarged view of a case where a processing substrate 51 is mounted on the substrate cleaning unit 5 shown in FIG. 1 according to the present invention.

【図3】本発明による図2に示したA−A断面による説明
図。
FIG. 3 is an explanatory view according to an A-A cross section shown in FIG. 2 according to the present invention.

【図4】本発明による図1に示されている紫外線照射部
7のB−B断面による説明図。
FIG. 4 is an explanatory view of the ultraviolet irradiation unit 7 shown in FIG. 1 according to the present invention, taken along the line BB.

【図5】本発明による基板洗浄装置および基板洗浄方法
を、EUVリソグラフィマスク用の基板の洗浄に適用した
場合の結果。
FIG. 5 is a result when the substrate cleaning apparatus and the substrate cleaning method according to the present invention are applied to cleaning a substrate for an EUV lithography mask.

【図6】従来の基板洗浄装置の一例で、特許第2959763
号公報に示された「ウェーハ洗浄装置」の上視概略図。
FIG. 6 is an example of a conventional substrate cleaning apparatus, which is disclosed in Japanese Patent No. 2959763.
FIG. 3 is a schematic top view of the “wafer cleaning device” disclosed in Japanese Patent Publication No.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 搬送ロボット1 2 搬入部 3 搬出部 4 反転アライメント部 5 基板洗浄部 51 処理基板 52 スピンロボット 53 排気カップ 54 超音速ノズル 7 紫外線照射部 71 処理基板 72 基板保持ロボット 73 ランプ室 8 洗浄液タンク部 1 Transport robot 1 2 carry-in section 3 carry-out section 4 Inversion alignment section 5 Substrate cleaning section 51 Processed substrate 52 Spin Robot 53 Exhaust cup 54 supersonic nozzle 7 UV irradiation part 71 Processed substrate 72 Substrate holding robot 73 Lamp Room 8 Cleaning liquid tank

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/304 645 H01L 21/304 645D (72)発明者 星野 栄一 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1 番1号 富士通株式会社内 (72)発明者 鉾 宏真 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1 番1号 富士通株式会社内 (72)発明者 小川 太郎 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開2000−31239(JP,A) 特開 平8−318181(JP,A) 特開2000−70885(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B08B 3/10 B08B 3/02 G03F 1/08 H01L 21/304 643 H01L 21/304 645 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H01L 21/304 645 H01L 21/304 645D (72) Inventor Eiichi Hoshino 4-1-1 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Incorporated (72) Inventor Hiromasa Honko 4-1-1 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited (72) Inventor Taro Ogawa 1-280, Higashikoigakubo, Kokubunji, Tokyo Hitachi, Ltd. Central In the laboratory (56) Reference JP-A-2000-31239 (JP, A) JP-A-8-318181 (JP, A) JP-A-2000-70885 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7) , DB name) B08B 3/10 B08B 3/02 G03F 1/08 H01L 21/304 643 H01L 21/304 645

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】(57) [Claims]
  1. 【請求項1】 基板を洗浄する基板洗浄方法であって 超音速流を発生する超音速ノズルから、洗浄液を圧縮気
    体により超音速に加速して噴出させて、前記基板の基板
    面に作用させ基板洗浄工程と、 前記 洗浄液による基板洗浄直後時または直前直後時
    紫外線を大気中で前記基板照射する紫外線照射
    程と、を備えたことを特徴とする基板洗浄方法
    1.BoardTo washsubstrateWashingMethod, Compress the cleaning liquid from the supersonic nozzle that generates supersonic flow.
    Accelerate to supersonic speed with your body, Of the substratesubstrate
    Act on the surfaceRuSubstrate cleaningProcess, The above Substrate cleaning with cleaning liquidofImmediately after or immediately after
    To,UV in the atmosphereThe abovesubstrateToUV irradiationWork
    AndEquipped with,Substrate cleaning characterized byMethod.
  2. 【請求項2】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記基板は、フオトマスク製作用基板またはこの基板上
    に構成された薄膜構造物を基板としたことを特徴とする
    基板洗浄方法
    2. A substrate cleaning method according to claim 1, wherein the substrate is a substrate cleaning method which is characterized in that the Fuotomasuku fabricated substrate or thin film structure configured on the substrate and the substrate.
  3. 【請求項3】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記超音速ノズルは、ラバール形状等超音速流を発生す
    る超音速ノズルとしたことを特徴とする基板洗浄方法
    3. A substrate cleaning method according to claim 1, wherein said supersonic nozzle, a substrate cleaning method which is characterized in that the supersonic nozzle for generating a Laval shape supersonic flow.
  4. 【請求項4】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記洗浄液は純水、超純水または薬液としたことを特
    徴とする基板洗浄方法
    4. A substrate cleaning method according to claim 1, wherein the cleaning liquid, pure water, the substrate cleaning method which is characterized in that the ultra pure water or chemical liquid.
  5. 【請求項5】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記圧縮気体は、窒素等の不活性ガスとしたことを特徴
    とする基板洗浄方法
    5. A substrate cleaning method according to claim 1, wherein said compressed gas is a substrate cleaning method which is characterized in that an inert gas such as nitrogen.
  6. 【請求項6】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記紫外線は、その波長を172nm±20nmとしたことを特
    徴とする基板洗浄方法
    6. A substrate cleaning method according to claim 1, wherein the ultraviolet light, the substrate cleaning method characterized by being the wavelength and 172 nm ± 20 nm.
  7. 【請求項7】 請求項1記載の基板洗浄方法において、 前記基板は搬送機構を有する搬送ロボットにより前記基
    板洗浄部へ搬送されウェット洗浄処理される工程を有
    することを特徴とする基板洗浄方法。
    7. The substrate cleaning method according to claim 1, further comprising a step of carrying the substrate to the substrate cleaning section by a transfer robot having a transfer mechanism and performing a wet cleaning process.
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