JP6807897B2 - レーザのスペクトル帯域幅の低減 - Google Patents
レーザのスペクトル帯域幅の低減 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6807897B2 JP6807897B2 JP2018107518A JP2018107518A JP6807897B2 JP 6807897 B2 JP6807897 B2 JP 6807897B2 JP 2018107518 A JP2018107518 A JP 2018107518A JP 2018107518 A JP2018107518 A JP 2018107518A JP 6807897 B2 JP6807897 B2 JP 6807897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- seed
- generating
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title claims description 26
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 68
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 48
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 44
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 8
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000001447 compensatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical group [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/08—Generation of pulses with special temporal shape or frequency spectrum
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/30—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects
- H01S3/302—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range using scattering effects, e.g. stimulated Brillouin or Raman effects in an optical fibre
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
Claims (14)
- UV−DUV出力周波数を有するレーザ出力光を生成するためのレーザシステムであって、
基本周波数で基本波光を生成するためのファイバベースの基本波光源であり、
初期ピークパワー及び初期スペクトル帯域幅を有するシード光を生成するため及び光路に沿って前記シード光を送るための手段を含む1以上のシードレーザと、
前記光路に配置された1以上のラマン増幅器であって、前記1以上のラマン増幅器から出力された増幅された光が、前記初期ピークパワーよりも実質的に高い基本ピークパワーを有するように、前記1以上のシードレーザによって生成された前記シード光を増幅するための手段を含むラマン増幅器と、
前記シード光と、非線形チャープとを結合して前記ラマン増幅器に供給する、前記光路に配置された非線形チャープ要素と、
前記基本周波数からの出力周波数を有するレーザ出力光Lへ前記基本波光を変換するための手段を含む周波数変換モジュールと
を含むファイバベースの基本波光源を備え、
前記1以上のシードレーザは、連続波(CW)シード光を生成するためのCWレーザと、複数のパルスポンプシード光を生成するための複数のパルスレーザとを備え、
前記1以上のラマン増幅器は、直列接続された複数のラマン増幅器を備え、前記複数のラマン増幅器のそれぞれに前記複数のパルスポンプシード光のそれぞれが供給され、
前記非線形チャープ要素は、前記ラマン増幅器の相互位相変調を補償する位相変調器を備える、レーザシステム。 - 前記周波数変換モジュールは、前記レーザ出力光Lの出力周波数が、前記基本周波数の2.5倍を超えるように、レーザ出力光を生成するための手段を含む、請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記1以上のシードレーザ及び前記1以上のラマン増幅器は、前記基本周波数が、約1μmの対応する波長を有する周波数であるように、前記基本波光を生成するための手段を備え、
前記周波数変換モジュールは、前記出力周波数が、190nm〜400nmの範囲内にある対応する波長を有する周波数であるように、前記レーザ出力光を生成するための手段を含む、請求項2に記載のレーザシステム。 - 前記1以上のシードレーザの各々は、パルス光発振器、固体レーザ、ダイオードレーザ、利得スイッチレーザダイオード、及び量子ドットレーザのうちの1つを備える、請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記非線形チャープ要素は、2又は更に高い次数における非線形性を有する非線形プリチャープを生成するための手段を備える、請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記非線形チャープ要素は、
式中、Tは時間であり、iは振幅に関連し、E、F及びGのうちの少なくとも1つはゼロではなく、C、D、E、F、及びGは前記ラマン増幅器の固有の自己位相変調(SPM)特性を反映する係数である、請求項1に記載のレーザシステム。 - 前記非線形チャープ要素は、前記非線形チャープ要素を出射する変更されたシード光が、前記初期ピークパワーと実質的に等しい変更されたパワー及び前記初期スペクトル帯域幅とは異なる変更されたスペクトル帯域幅を有するように、前記光路において前記1以上のシードレーザと前記1以上のラマン増幅器との間に配置され、
前記1以上のラマン増幅器は、前記基本波光の前記基本周波数が前記UV−DUVの周波数帯内であるように、前記変更されたシード光を増幅するための手段を含む、請求項1に記載のレーザシステム。 - 前記1以上のシードレーザは、連続波(CW)シード光を生成するためのCWレーザと、パルスポンプシード光を生成するためのパルスレーザとを備え、
前記1以上のラマン増幅器は、前記CWシード光及び前記パルスポンプシード光を受光するように配置され、
前記非線形チャープ要素は、前記ラマン増幅器が、位相変調器からの前記非線形チャープを含む前記CWシード光を受光するように、前記光路において前記ラマン増幅器と前記CWレーザとの間に配置された位相変調器を備える、請求項1に記載のレーザシステム。 - 前記CWレーザは、固体レーザ、ダイオードレーザ、及び量子ドットレーザのうちの1つを備え、
前記パルスレーザは、利得スイッチレーザダイオード及びパルス光発振器のうちの1つを備える、請求項8に記載のレーザシステム。 - 前記1以上のラマン増幅器は、前記ラマン増幅器から出力された増幅された光を受光するために前記光路に配置された第2のラマン増幅器を備え、
前記1以上のシードレーザは、第2のパルスポンプシード光を前記第2のラマン増幅器へ送るために配置された第2のパルスレーザを更に備える、請求項8に記載のレーザシステム。 - レーザシステムにおいて基本周波数で基本波光を生成するためのファイバベースの基本波光源であって、
初期ピークパワー及び初期スペクトル帯域幅を有するシード光を生成するため、及び光路に沿って前記シード光を送るための手段を含む1以上のシードレーザと、
1以上のラマン増幅器から出力された増幅された光が、前記初期ピークパワーよりも実質的に高い基本ピークパワーを有するように、前記1以上のシードレーザによって生成された前記シード光を増幅するための手段を含む、前記光路に配置された1以上のラマン増幅器と、
非線形チャープを含むように、前記シード光を変更して前記ラマン増幅器に供給するための手段を含む、前記光路に配置された非線形チャープ要素と、
を備え、
前記1以上のシードレーザは、連続波(CW)シード光を生成するためのCWレーザと、複数のパルスポンプシード光を生成するための複数のパルスレーザとを備え、
前記1以上のラマン増幅器は、直列接続された複数のラマン増幅器を備え、前記複数のラマン増幅器のそれぞれに前記複数のパルスポンプシード光のそれぞれが供給され、
前記非線形チャープ要素は、前記ラマン増幅器の相互位相変調を補償する位相変調器を備える、ファイバベースの基本波光源。 - 前記非線形チャープ要素は、2又は更に高い次数における非線形性を有する非線形プリチャープを生成するための手段を備える、請求項11に記載のファイバベースの基本波光源。
- 前記非線形チャープ要素は、
式中、Tは時間であり、iは振幅に関連し、E、F及びGのうちの少なくとも1つはゼロではなく、C、D、E、F、及びGは前記ラマン増幅器の固有の自己位相変調(SPM)特性を反映する係数である、請求項12に記載のファイバベースの基本波光源。 - ファイバベースのレーザシステムを用いて基本波光を生成するための方法であって、
1以上のシードレーザを用いて、初期スペクトル帯域幅を有するシード光を生成することと、
初期ピークパワーよりも実質的に高いピークパワーを有する増幅された光を生成するために、1以上のファイバベースのラマン増幅器を用いて前記シード光を増幅することと、
非線形チャープ要素を用いて、非線形チャープを含むように、前記シード光を変更することと
を備え、
前記1以上のシードレーザは、連続波(CW)シード光を生成するためのCWレーザと、複数のパルスポンプシード光を生成するための複数のパルスレーザとを備え、
前記1以上のラマン増幅器は、直列接続された複数のラマン増幅器を備え、前記複数のラマン増幅器のそれぞれに前記複数のパルスポンプシード光のそれぞれが供給され、
前記非線形チャープ要素は、前記ラマン増幅器の相互位相変調を補償する位相変調器を備える、方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261670926P | 2012-07-12 | 2012-07-12 | |
US61/670,926 | 2012-07-12 | ||
US13/939,000 US8964798B2 (en) | 2012-07-12 | 2013-07-10 | Reducing the spectral bandwidth of lasers |
US13/939,000 | 2013-07-10 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015521814A Division JP2016505211A (ja) | 2012-07-12 | 2013-07-11 | レーザのスペクトル帯域幅の低減 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018152603A JP2018152603A (ja) | 2018-09-27 |
JP6807897B2 true JP6807897B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=49913963
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015521814A Pending JP2016505211A (ja) | 2012-07-12 | 2013-07-11 | レーザのスペクトル帯域幅の低減 |
JP2018107518A Active JP6807897B2 (ja) | 2012-07-12 | 2018-06-05 | レーザのスペクトル帯域幅の低減 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015521814A Pending JP2016505211A (ja) | 2012-07-12 | 2013-07-11 | レーザのスペクトル帯域幅の低減 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8964798B2 (ja) |
JP (2) | JP2016505211A (ja) |
DE (1) | DE112013003486T5 (ja) |
TW (1) | TWI571023B (ja) |
WO (1) | WO2014011897A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9793673B2 (en) | 2011-06-13 | 2017-10-17 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
US8873596B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-10-28 | Kla-Tencor Corporation | Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal |
US9151940B2 (en) | 2012-12-05 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier |
US9529182B2 (en) | 2013-02-13 | 2016-12-27 | KLA—Tencor Corporation | 193nm laser and inspection system |
US9804101B2 (en) * | 2014-03-20 | 2017-10-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser |
US9525265B2 (en) | 2014-06-20 | 2016-12-20 | Kla-Tencor Corporation | Laser repetition rate multiplier and flat-top beam profile generators using mirrors and/or prisms |
US9419407B2 (en) | 2014-09-25 | 2016-08-16 | Kla-Tencor Corporation | Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus |
US9748729B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-29 | Kla-Tencor Corporation | 183NM laser and inspection system |
US10175555B2 (en) | 2017-01-03 | 2019-01-08 | KLA—Tencor Corporation | 183 nm CW laser and inspection system |
US10451890B2 (en) | 2017-01-16 | 2019-10-22 | Cymer, Llc | Reducing speckle in an excimer light source |
EP3586410B1 (en) * | 2017-03-29 | 2024-01-24 | IPG Photonics Corporation | Chirped pulse amplification laser system |
CN109830884B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-05-14 | 上海交通大学 | 一种模块化的真空紫外激光装置 |
CN112098363B (zh) * | 2020-09-21 | 2022-01-14 | 上海交通大学 | 高频no-plif成像测量装置及方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005022705A2 (en) * | 1997-03-21 | 2005-03-10 | Imra America, Inc. | High energy optical fiber amplifier for picosecond-nanosecond pulses for advanced material processing applications |
US6885683B1 (en) * | 2000-05-23 | 2005-04-26 | Imra America, Inc. | Modular, high energy, widely-tunable ultrafast fiber source |
JP2002023121A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-23 | Nec Corp | 光送信装置及びそれを有する光ファイバ伝送システム |
US7450618B2 (en) | 2001-01-30 | 2008-11-11 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Laser system using ultrashort laser pulses |
JP2003124881A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Fujitsu Ltd | 光伝送装置および光伝送システム |
US8059966B2 (en) * | 2002-06-11 | 2011-11-15 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Wavelength division multiplex optical regeneration system and wavelength division multiplex optical regeneration method |
US7330301B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-02-12 | Imra America, Inc. | Inexpensive variable rep-rate source for high-energy, ultrafast lasers |
US7257302B2 (en) | 2003-06-03 | 2007-08-14 | Imra America, Inc. | In-line, high energy fiber chirped pulse amplification system |
US7684450B2 (en) | 2004-12-20 | 2010-03-23 | Imra America, Inc. | Pulsed laser source with adjustable grating compressor |
EP2013951A4 (en) * | 2006-04-28 | 2011-08-03 | Corning Inc | PULSED RAMAN LASER SYSTEMS IN ULTRAVIOLET AND VISIBLE LIGHT |
US7529281B2 (en) | 2006-07-11 | 2009-05-05 | Mobius Photonics, Inc. | Light source with precisely controlled wavelength-converted average power |
US20090285245A1 (en) * | 2007-05-04 | 2009-11-19 | Jian Liu | Fiber-based ultrafast laser |
US7885298B2 (en) * | 2008-01-16 | 2011-02-08 | Deep Photonics Corporation | Method and apparatus for producing arbitrary pulsetrains from a harmonic fiber laser |
US8199398B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-06-12 | Imra America, Inc. | High power parallel fiber arrays |
CN101286801B (zh) * | 2008-05-12 | 2011-12-14 | 华中科技大学 | 一种光频域光纤传输系统 |
JP5359461B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | レーザ装置、光源装置、これらの調整方法、光照射装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8630036B2 (en) * | 2009-10-30 | 2014-01-14 | Deep Photonics Corporation | Method and system using phase modulation to reduce spectral broadening |
US8730568B2 (en) * | 2010-09-13 | 2014-05-20 | Calmar Optcom, Inc. | Generating laser pulses based on chirped pulse amplification |
US8537866B2 (en) * | 2011-05-20 | 2013-09-17 | Calmar Optcom, Inc. | Generating laser pulses of narrow spectral linewidth based on chirping and stretching of laser pulses and subsequent power amplification |
-
2013
- 2013-07-10 US US13/939,000 patent/US8964798B2/en active Active
- 2013-07-11 JP JP2015521814A patent/JP2016505211A/ja active Pending
- 2013-07-11 WO PCT/US2013/050102 patent/WO2014011897A1/en active Application Filing
- 2013-07-11 DE DE112013003486.7T patent/DE112013003486T5/de not_active Withdrawn
- 2013-07-11 TW TW102125105A patent/TWI571023B/zh active
-
2015
- 2015-01-28 US US14/607,515 patent/US9209589B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-05 JP JP2018107518A patent/JP6807897B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150139255A1 (en) | 2015-05-21 |
TWI571023B (zh) | 2017-02-11 |
US9209589B2 (en) | 2015-12-08 |
DE112013003486T5 (de) | 2015-03-26 |
US20140016655A1 (en) | 2014-01-16 |
TW201415737A (zh) | 2014-04-16 |
WO2014011897A1 (en) | 2014-01-16 |
JP2016505211A (ja) | 2016-02-18 |
JP2018152603A (ja) | 2018-09-27 |
US8964798B2 (en) | 2015-02-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6807897B2 (ja) | レーザのスペクトル帯域幅の低減 | |
US7724789B2 (en) | Method and apparatus for optical mode multiplexing of multimode lasers and arrays | |
US7233442B1 (en) | Method and apparatus for spectral-beam combining of high-power fiber lasers | |
JP5649548B2 (ja) | サブ213nm波長を生成するためのCLBOにおける非臨界位相整合 | |
US7924892B2 (en) | Fiber amplifier based light source for semiconductor inspection | |
JP4028550B2 (ja) | 波長変換モジュール | |
WO2012033105A1 (ja) | レーザ装置 | |
JP5255838B2 (ja) | 半導体検査用のファイバ増幅器ベースの光源 | |
WO2009157235A1 (ja) | 多光子励起測定装置 | |
US7965916B2 (en) | Laser light source device, image display and illuminator | |
JP2008122278A (ja) | テラヘルツ分光・イメージング装置 | |
JP2007110089A (ja) | 高パワー短光パルス発生方法及び高パワー短光パルス発生装置 | |
US6704331B2 (en) | Synthetic guide star generation | |
CA2781319C (en) | Fiber laser oscillators and systems using an optimized phase varying function | |
US20170179675A1 (en) | Homogeneous Laser Light Source for Area Processing Applications | |
US7154920B2 (en) | Broad-band variable-wavelength laser beam generator | |
WO2013128780A1 (ja) | レーザ装置 | |
JP2017107966A (ja) | 光源装置及び情報取得装置 | |
US6657775B1 (en) | System and method for providing a controlled linewidth external cavity laser | |
US10241052B1 (en) | Stimulated Raman Scattering in the atmosphere for wavefront clean-up and turbulence compensation of high-energy laser beams | |
JP2010139604A (ja) | 電磁波発生・伝送装置 | |
JPWO2002061502A1 (ja) | 光制御方法および装置 | |
Chi et al. | Micro-integrated high-power narrow-linewidth external-cavity tapered diode laser at 762 nm for daylight imaging | |
Sims et al. | Spectral beam combining of 2 μm Tm fiber laser systems | |
JP2008543101A (ja) | 超低雑音半導体レーザ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180605 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200602 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6807897 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |