TWI571023B - 減少雷射的光譜頻寬 - Google Patents

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Description

減少雷射的光譜頻寬 相關申請案
本申請案主張2012年7月12日申請之名稱為「Reducing The Spectral Bandwidth Of Lasers」之美國臨時專利申請案61/670,926之優先權。
本發明大體上係關於結合檢測系統(諸如半導體晶圓檢測系統及光罩檢測系統)而使用之照明器，且更特定言之，本發明係關於一種用於與此等檢測系統一起使用之基於光纖放大器之光源。
圖1(A)係描繪用於檢測一目標樣本(例如一晶圓或光罩/主光罩)41之用在半導體工業中之一簡化UV-DUV雷射檢測系統40的一圖式。檢測系統40包含：一照明源50，其產生通常在UV-DUV範圍(例如小於350奈米之一真空波長)內之雷射光L50；一光學系統42，其包含將該雷射光聚焦至樣本41上之一或多個物鏡43；一透通偵測器總成45-1，其包含經定位以接收穿過樣本41之任何雷射光(例如為了檢測一光罩/主光罩)之一感測器陣列46-1；及一反射光偵測器總成45-2，其包含經定位以偵測反射自樣本41之任何雷射光(例如為了檢測晶圓表面特徵)之一感測器陣列45-2。應注意，若本文中所陳述之一波長無嚴格限制條件，則假定其意指真空波長。真空波長λ=c/ν，其中c係光在真空中之速度及ν係每單位時間之週期頻率。角頻率ω等於2πν且以每單位時 間之弧度為單位。一控制器(計算系統)47根據一軟體操作程式而控制各種子系統之操作，且使用此項技術中已知之技術來處理接收自偵測器總成45-1及45-2之影像資料。
應瞭解，一般而言，較短波長雷射光產生較高解析度影像，其在一雷射檢測系統中提供與成像樣本上之特徵及缺陷相關之較佳資訊。為滿足對具有不斷提高解析度之雷射檢測系統的日益增長需求，半導體工業之當前趨勢係朝向短波長UV-DUV雷射檢測系統(即，利用低於250奈米之雷射光之系統)發展。例如，本申請案之受讓人當前正努力研發使用213奈米、206奈米或193奈米雷射光來操作之低頻UV-DUV雷射檢測系統。
研發短波長UV-DUV雷射檢測系統之一主要障礙為提供可使UV雷射光有效成像之一光學系統。可用於產生一UV-DUV雷射檢測系統之光學系統(例如圖1(A)中之光學系統42)之各種透鏡及元件之唯一兩種實用材料係熔融石英及氟化鈣，其中熔融石英係較佳的，此係因為氟化鈣之獲得、拋光及安裝成本更昂貴很多。在效能降低超出可接受限度之前，用在使用UV-DUV雷射光之系統中之全部由熔融石英製成之光學系統僅可處置一有限頻寬。具體而言，數值孔徑(NA)及照野尺寸越大，則波長可越短，可接受頻寬可越小。例如，具有0.8 NA及1.0毫米視域之一全折射物鏡在266奈米處僅可達成5皮米之一頻寬。應對一較大頻寬之一方法為藉由使用非球形面而減少玻璃光程，此係因為一單一非球形面可消除若干等效球面透鏡。然而，與非球形面之使用相關聯之成本及複雜性增加並非為吾人所欲，且此方法僅有助於大多數雷射系統中之少數。
為將產生短波長UV-DUV雷射檢測系統100之光學系統42所需之成本及複雜性降至最低，照明源50必須能夠產生雷射光L50，其中實質上全部之光量係在一窄頻寬內。通常，使用一半峰全寬(FWHM)值 來指定一雷射光源之頻寬，該FWHM值指定光之峰值功率之一半處之光之頻寬範圍。然而，在UV-DUV雷射檢測系統中，頻寬範圍(在該頻寬範圍內，含有95%之能量)(即，光之「E95」頻寬值)係更重要之值。一典型照明源41產生雷射光L50，其具有一相對較窄之FWHM頻寬值，但具有比其FWHM寬十倍或十倍以上之一E95值。因此，在雷射成像系統40中，利用產生窄頻帶UV雷射光L50之一照明源50係重要的，該窄頻帶UV雷射光L50係短波長UV(例如具有低於250奈米之一標稱波長值之雷射光)且具有一窄E95頻寬(即，在標稱或「中心」UV頻率之±1%且較佳為±0.1%內)。
通常，藉由產生具有一較長波長(通常長於1微米)之基頻光且接著使用執行非線性頻率轉換及混合之晶體來轉換該基頻光以產生具有一所要(較短)波長之UV光而產生窄頻帶UV光。由於對頻率轉換/混合程序之限制，所以該基頻光必須具有一特定較高頻率以產生具有一指定較短波長之UV光。亦可使用其他非線性程序(例如Raman參數產生及四波混合(FWM))來執行頻率轉換/混合程序，但此等技術亦可導致頻寬增加且不適合於窄頻寬光學器件。有時，需要頻率轉換/混合之諸多階段來產生具有一指定頻率之較短波長光，且在各頻率轉換階段期間自該光損耗功率。因此，為產生具有一可接受功率之UV雷射光，需要產生具有比光學系統處所需之峰值功率顯著更高之峰值功率之基頻光。
存在用於產生窄頻帶UV光之兩種類型之基頻光源：固態雷射及光纖雷射。固態雷射可產生具有非常窄之頻寬及高峰值功率之雷射光，其允許使用較不複雜(且因此較低成本)之光學系統，但固態雷射之波長選擇非常有限且不適合於一些雷射檢測系統，且自一固態雷射獲得可靠之高功率光係非常具挑戰性的。光纖雷射包含由摻雜有稀土元素(諸如鉺、鐿、釹、鏑、鈥、鐠及銩)之一光纖形成之一活性增益 介質。光纖雷射為用於產生雷射檢測系統中之基頻光之一富有吸引力選擇，此係因為其等產生具有高峰值功率之雷射光，且可藉由改動(若干)光纖中之摻雜材料之數量而將該雷射光之頻率「調諧」至一指定頻率。然而，如下文所描述，使用光纖雷射來產生高峰功率脈衝基頻光之主要缺點為自相位調變(SPM)。一般而言，SPM係光與物質相互作用之一非線性光學效應，其中光纖介質中傳播之超短光脈衝歸因於光學Kerr效應而誘發介質之一變動折射率。折射率之變動產生光脈衝之一相移以導致脈衝之頻譜之一變化。非線性SPM效應可急劇地增加一光纖雷射之光譜頻寬以使其完全超過一雷射檢測系統之光學要求。
圖1(B)係展示用於產生檢測系統40(圖1(A)中所展示)中之UV雷射光L50之一習知基於光纖之照明源50的一圖式。基於光纖之照明源50大體上包含：一基頻光源51，其用於產生具有一指定基頻ωF之基頻光F51；及一頻率轉換模組55，其執行上文所提及之頻率轉換/混合程序以產生傳送至光學系統42(參閱圖1(A))之具有一指定UV頻率ωUV之UV雷射光L50。基頻光源51包含：一種子雷射52，其產生在一初始功率P0處具有所要基頻光頻率ωF之種子光S52；一幫浦雷射53，其產生具有一適合種子頻率ωS之幫浦種子光PS；及一或多個光纖放大器54，其等利用幫浦種子光PS來依此項技術中所瞭解之一方式放大種子光S52，藉此產生具有所要基頻ωF及一放大功率PA(其實質上高於初始功率P0)之基頻光F51。接著，由頻率轉換模組55轉換/混合基頻光F51以產生具有所要UV頻率ωUV及一輸出功率POUT(其實質上低於基頻光F51之放大功率PA(即，歸因於轉換/混合程序期間之能量損耗))之UV雷射光L50。
如上文所提及，基頻光F51具有部分取決於(若干)光纖放大器54之SPM特性(如此項技術中所熟知)之一頻寬ΔωF。SPM引起由下列方程式給出之放大程序期間之一強度相依相移： ，其中，及
在以上方程式中，ΦNL係強度相依相移，L係光纖長度，T係時間，U係能量分佈，α係光纖損耗，L eff 係與光纖損耗有關之光纖之有效長度，L NL 係發生顯著SPM時之光纖長度，P 0係脈衝之峰值功率，及γ係非線性係數。因為種子光S52或幫浦種子光PS之一者經脈衝調製，所以強度ΦNL即時改變且此產生亦即時改變之一相位。當光之相位即時改變時，此產生波長光譜之變化。由下列方程式給出相對於中心頻率值之光譜位移δω(T)：
光譜位移δω(T)亦被稱為一啁啾或橫跨脈衝之瞬時頻率之變化。
圖2(A)及圖2(B)係展示由習知基頻光源51(圖1(B)中所展示)產生之一種子脈衝S52及一基頻光脈衝F51之實例的光譜圖，且繪示由產生於習知基於光纖之照明源50(圖1(B))中之強度相依相移產生之輸出頻寬。圖2(A)展示：基頻種子光S52係一初始變換受限之Gaussian脈衝，其具有以一基頻ωF(例如對應於1030奈米之一波長之頻率)為中心之約6×106瓦之一峰值功率且具有11千兆赫之一FWHM值及23千兆赫之一E95能量頻寬。圖2(B)展示基頻光脈衝F52，其產生於使用種子光脈衝S52及幫浦種子光PS之放大器54(圖1(B))中。圖2(B)展示：基頻光脈衝F52保持大體上以基頻ωF為中心，同時被放大至10千瓦之一峰值功率PA。然而，歸因於(若干)光纖放大器54之SPM特性，基頻光脈衝F52之FWHM值增大至222千兆赫且展現286千兆赫之一E95能量頻寬。由基於光纖之基頻光源展現之E95能量之約十倍增加無法用於產生現代雷 射檢測系統中所需之窄頻帶UV光之類型。
需要一種基頻光源，其將基於光纖之雷射之高峰值功率及頻率調諧能力與通常與固態雷射相關聯之簡化(低成本)光學系統組合。
本發明係針對一種用於產生一雷射系統中之基頻光F之基於光纖之基頻光源，其中種子光及/或部分放大光經修改以包含補償基於光纖之放大器之自相位調變(SPM)特性之一非線性啁啾，藉此產生具有高峰值功率及一窄頻寬兩者之基頻光。根據一實用實施例，該雷射系統亦包含一頻率轉換模組，其自一相對較長基頻波長(例如1030奈米)轉換由該基於光纖之基頻光源產生之該基頻光以產生導引至一相關聯光學系統之具有一所要短UV-DUV波長(例如213奈米、206奈米或193奈米)之雷射輸出光L。藉由在完成基於光纖之放大程序之前使用一補償非線性啁啾來補償SPM，本發明藉由將基於光纖之雷射之高峰值功率及頻率調諧能力與通常與固態雷射相關聯之簡化光學系統組合而促進高解析度雷射檢測系統之具成本效益製造。
根據本發明之一態樣，一或多個非線性啁啾元件(例如布拉格光柵、光纖布拉格光柵或光電調變器)用於產生補償非線性啁啾，且該非線性啁啾具有階次為x2或更高之一非線性。在一特定實施例中，非線性啁啾U(0,T)具有以下列方程式為特徵之一基於時間之頻率：
其中T係時間，i指示含有相位項之振幅之虛數部分，且其中E、F及G之至少一者為非零。本發明之發明者已判定：需要具有x2或更高之一非線性之一非線性啁啾來達成具有一窄光譜E95頻寬之基頻光，該窄光譜E95頻寬係在由種子雷射產生之種子光之(初始)光譜E95頻寬之五倍界定之一範圍內(例如在1千兆赫至100千兆赫之範圍內)。藉由 比較，依類似於用在本發明中之方式之一方式產生之一線性啁啾(例如使用經組態以產生一線性啁啾之一布拉格光柵)能夠產生接近於種子光之FWHM值之一FWHM值，但其E95頻寬更高十倍。相應地，由一基於光纖之放大器(例如一摻雜光纖放大器或一光纖Raman放大器)產生之SPM特性需要一x2或更高之非線性(例如，上述方程式中之E、F及G之至少一者必須為非零)來充分補償SPM特性以達高解析度雷射檢測系統所需之程度。根據一實施例，一單一非線性啁啾元件定位於雷射光學路徑中之種子雷射與一系列光纖放大器之間，其中該非線性啁啾元件經組態以產生補償由全部該等串聯連接光纖放大器產生之累積SPM之一單一非線性啁啾。此單一元件方法之一益處在於：種子/放大光遭遇最小數目個非線性啁啾元件，藉此將功率損耗降至最低。根據一替代實施例，一非線性啁啾元件定位於雷射光光學路徑中之該等串聯連接光纖放大器之各自前面，其中各非線性啁啾元件經組態以產生補償與後一光纖放大器相關聯之個別SPM特性之一組件非線性啁啾。此多元件方法之一益處在於：其藉由解決各光纖放大器之SPM特性而簡化補償非線性啁啾計算(即，不必計算多個串聯連接放大器之累積SPM之一補償非線性啁啾)。
根據本發明之另一實施例，一Raman放大器接收連續波(CW)種子光及脈衝幫浦種子光兩者，且一相位調變器將非線性啁啾NLC添加至CW種子光。隨後之「下游」串聯連接Raman放大器接收脈衝幫浦種子光，但不接收CW種子光。利用此Raman放大器方法之一益處在於：Raman光譜位移允許雷射在超過標準光纖雷射之可能範圍之波長處以高功率位準操作。
熟習技術者將自本發明之【實施方式】及附圖而明白本發明之此等及其他優點。
40‧‧‧檢測系統/雷射成像系統
41‧‧‧目標樣本/照明源
42‧‧‧光學系統
43‧‧‧物鏡
45-1‧‧‧偵測器總成
45-2‧‧‧偵測器總成
46-1‧‧‧感測器陣列
47‧‧‧控制器
50‧‧‧照明源
51‧‧‧基頻光源
52‧‧‧種子雷射
53‧‧‧幫浦雷射
54‧‧‧光纖放大器
55‧‧‧頻率轉換
90‧‧‧雷射系統
90A‧‧‧雷射系統
90B‧‧‧雷射系統
90C‧‧‧雷射系統
100‧‧‧基頻光源/檢測系統/基頻雷射系統
100A‧‧‧基於光纖之基頻雷射系統
100B‧‧‧基於光纖之基頻雷射系統
105‧‧‧種子雷射
105A‧‧‧種子雷射
105B‧‧‧種子雷射
105C-1‧‧‧種子雷射
105C-21至105C-2n‧‧‧脈衝種子雷射
130‧‧‧光纖放大器
130A‧‧‧放大器區段
130A-1至130A-n‧‧‧光纖放大器
130B-1至130B-n‧‧‧光纖放大器
130C-1至130C-n‧‧‧Raman放大器
140‧‧‧幫浦種子雷射
150‧‧‧非線性啁啾元件
150A‧‧‧非線性啁啾元件
150B-1‧‧‧非線性啁啾元件
150B-2‧‧‧非線性啁啾元件
150C‧‧‧相位調變器
在附圖之圖中，以舉例方式而非限制方式繪示本發明，其中：圖1(A)係繪示一雷射檢測系統的一簡化方塊圖；圖1(B)係繪示一習知脈衝光纖雷射的一簡化方塊圖；圖2(A)係展示由圖1(B)之脈衝光纖雷射中之種子雷射產生之一種子脈衝的一輸出光譜圖；圖2(B)係展示放大光且繪示自相位調變對一光纖雷射之光譜頻寬之效應的一輸出光譜圖；圖3係展示根據本發明之一通用實施例之一雷射系統的一簡化方塊圖；圖4係展示由圖3之雷射系統產生之放大基頻光的一輸出光譜圖；圖5係展示使用一線性啁啾所產生之放大基頻光的一輸出光譜圖；圖6係展示根據本發明之一實施例之一雷射系統的一簡化方塊圖；圖7係展示根據本發明之另一實施例之一雷射系統的一簡化方塊圖；圖8係展示根據本發明之又一實施例之一雷射系統的一簡化方塊圖；及圖9(A)及圖9(B)係展示由圖8之雷射系統產生之光的輸出光譜圖。
本發明係關於一雷射技術之一改良。呈現以下描述以使一般技術者能夠製造及使用本發明，如一特定申請案及其要求之內文中所提供。如本文中所使用，方向術語(諸如「較高」、「較低」、「前面」及「下游」)意欲提供相對位置(為了描述)，且不意欲標定一絕對參考 系。熟習技術者將明白較佳實施例之各種修改方案，且本文中所界定之一般原理可應用於其他實施例。因此，本發明不意欲受限於所展示及所描述之特定實施例，而應被給予與本文中所揭示之原理及新穎特徵一致之最寬範圍。
圖3展示根據本發明之一通用實施例之一雷射系統90。雷射系統90包含：一基於光纖之基頻雷射系統100，其用於產生具有一標稱基頻ωF之基頻光F；及一頻率轉換模組94，其包含用於轉換/混合基頻光F以產生具有一所要標稱輸出頻率ωOUT之雷射輸出光L之各種元件，該雷射輸出光L接著被傳送至一相關聯光學系統(圖中未展示)。
根據一實施例，雷射系統90依上文參考圖1(A)所描述之方式用作為一UV-DUV雷射檢測系統中之照明源。參考圖3之右側，在一特定實施例中，基頻光F具有對應於約1微米(例如1030奈米)之一波長之一標稱基頻ωF，且頻率轉換模組94經組態以將基頻光F轉換為比標稱基頻大2.5倍之一指定輸出頻率ωOUT(即，使得輸出頻率ωOUT具有比標稱基頻ωF之波長小40%之一對應波長，例如低於400奈米之一波長；及更特定言之，使得雷射光L具有355奈米、266奈米、213奈米、206奈米或193奈米之一標稱波長)。雷射光L亦具有與基頻光L之一基頻光譜頻寬ΔωF成比例之一輸出頻寬ΔωOUT。名稱為「Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser」之共有及共同待審之美國專利申請案第13/558,318號中揭示能夠執行頻率轉換模組94之功能之一頻率轉換架構，該案之全文以引用方式併入本文中。雖然本文中已特定參考UV-DUV雷射檢測系統而描述本發明，但本發明被認為亦可用在其他雷射系統中。
參考圖3之左側，類似於習知基於光纖之雷射，基頻光源100包含一種子雷射105、一基於光纖之放大器130及一幫浦種子雷射140。種子雷射105(例如一脈衝光振盪器、一固態雷射、一二極體雷射、一 增益切換雷射二極體或一量子點雷射)產生具有一初始(相對較低)峰值功率P0及一初始光譜頻寬ΔωS之種子光S0，且使用已知技術來沿一光學路徑O傳輸種子光S0。放大器130佈置於光學路徑O中且包含一基於光纖之放大機構(例如一摻雜光纖放大器或一光纖Raman放大器)，該放大機構放大種子光S0，使得輸出自放大器130之基頻(放大)光F具有實質上高於(例如十倍於)種子光S0之初始峰值功率P0之一基頻峰值功率P1。幫浦種子雷射140(例如一脈衝光振盪器、一固態雷射、一二極體雷射、一增益切換雷射二極體或一量子點雷射)根據已知技術而產生幫浦種子光PS且將幫浦種子光PS傳輸至放大器130。
根據本發明之一態樣，基頻光源100包含佈置於光學路徑O中(例如介於種子雷射105與放大器130之間)之一非線性啁啾元件150，其將種子光S0(或如下文所解釋之部分放大種子光)與補償放大器130之固有SPM特性之一非線性「預啁啾」(啁啾)NLC組合。在一實施例中，使用一布拉格光柵、一光纖布拉格光柵或一光電調變器來實施非線性啁啾元件150，該非線性啁啾元件經組態以依「鏡像反射」放大器之SPM特性之一方式產生非線性啁啾NLC(即，使得該非線性預啁啾NLC之頻率頻寬及頻率振幅實質上相反於放大器之SPM特性之頻率頻寬及頻率振幅)，藉此該非線性啁啾NLC補償(即，有效地取消或大幅地減少)放大器之SPM特性，使得基頻光F之基頻光譜頻寬ΔωF係在由種子光S0之該初始光譜E95頻寬ΔωS之五倍界定之一範圍內。
根據本發明之另一態樣，啁啾元件150經建構以產生具有階次為x2或更高之一非線性之非線性預啁啾。具體而言，一或多個非線性啁啾元件150經建構以產生以下列方程式為特徵之具有基於時間之頻率之一非線性預啁啾U(0,T)：
其中T係時間，i指示含有相位項之振幅之虛數部分，且其中E、F及G之至少一者為非零。即，用於產生非線性啁啾元件150之方程式具有至少一基於時間之分量，其具有T2或更高之一階次。相應地，藉由首先使用已知技術來量測及量化放大器130之SPM特性而建構非線性啁啾元件150，接著，計算補償(鏡像反射)該等量測/量化特性之C、D、E、F及G之值，接著，一非線性啁啾元件150經建構以包含所需之補償非線性預啁啾(例如，一布拉格光柵經建構以具有一週期性折射率變動，該布拉格光柵實施由該等計算值界定之非線性)。
圖4展示根據本發明之使用一非線性預啁啾之產生自種子脈衝之基頻光F之一例示性輸出光譜圖。為了比較，用在此實例中之種子脈衝與圖2(A)中所展示及上文所描述之種子脈衝相同。應注意：基頻光F係具有以一標稱基頻ωF(例如1030奈米)為中心之一基頻光譜頻寬ΔωF之一10千瓦峰值功率雷射脈衝，其中基頻光譜頻寬ΔωF特徵為具有21千兆赫之一FWHM值(與種子脈衝之11千兆赫FWHM值比較；參閱圖2(A))及41千兆赫之一光譜E95頻寬(與圖2(A)中所展示之種子脈衝之23千兆赫E95值比較)。藉由比較圖4與圖2(A)而清晰地指示藉由添加一非線性啁啾而提供之實質改良一一該非線性啁啾產生FWHM之十倍減小(即，自222千兆赫至21千兆赫)及光譜E95頻寬之大約七倍改良(即，自286千兆赫至41千兆赫)。
為了比較，圖5展示使用一線性預啁啾所產生且具有一10千瓦峰值功率脈衝之基頻光FLINEAR之一輸出光譜圖。即，並非使用具有一x2或更高之一非線性之一預啁啾，圖5繪示使用一預啁啾來修改圖2(A)之種子脈衝之效應，使用下列線性方程式(函數)來建構該預啁啾：
類似於非線性實例，使用上述方程式來使一線性預啁啾元件與 由放大器產生之光纖特性及SPM數量匹配，使得固有SPM啁啾被儘可能多地補償。如圖5中所指示，基頻光FLINEAR展現具有類似於由非線性啁啾產生之FWHM值(即，23千兆赫)之一相對較窄FWHM值之一中心尖峰。然而，如圖5之下部分中可見，雷射脈衝在E95能量點處之光譜寬度極其寬(即，300千兆赫或更大)。存在此大的E95值，此係因為仍存在保留於非線性脈衝上之顯著固有啁啾。因而，吾人認為無法利用充分補償一基於光纖之放大器之非線性SPM特性之一線性預啁啾來產生高解析度UV-DUV雷射檢測系統所需之高峰值功率的窄頻寬雷射光。
再次參考圖3，基頻雷射系統100繪示為具有佈置於一光學路徑O中之種子雷射105與一單一放大器130之間之一單一非線性啁啾元件150。就此配置而言，自非線性啁啾元件150射出之經修改種子光S1具有相同標稱波長ωS、類似峰值功率P0'(即，峰值功率P0'實質上等於但略微低於種子光S0之初始峰值功率P0)及一經修改光譜頻寬Δω1(其因其包含非線性啁啾NLC而不同於該初始窄光譜頻寬ΔωS)。光纖放大器130包含一基於光纖之放大機構，其放大經修改種子光S1，使得該基頻光F具有所需UV-DUV基頻光譜頻寬ΔωF。在一些實施例中(例如，在其中光纖放大器130係一摻雜光纖放大器之情況中)，基頻光F之標稱基頻ωF實質上等於初始(種子)頻率ωS。在其他實施例中(例如，在其中光纖放大器130係一Raman放大器之情況中)，基頻光F之標稱基頻ωF實質上不同於初始(種子)頻率ωS。
雖然上文中已參考包含一單一基於光纖之放大器130之一系統而描述本發明(為了簡潔)，但應瞭解，大多數高峰值功率之基於光纖之雷射系統利用兩個或兩個以上串聯連接放大器來達成一足夠高的基頻光，使得輸出雷射光具有一足夠功率位準。圖6展示根據本發明之一實施例之一雷射系統90A之一部分，其中一基於光纖之基頻雷射系統 100A包含：一單一種子雷射105A；一放大器區段130A，其包含多個串聯連接放大器130A-1、130A-2...130A-n；及一單一非線性啁啾元件150A，其佈置於光學路徑中之種子雷射105A與放大器區段130A之間。在此情況中，單一非線性啁啾元件150A經組態以產生一單一非線性預啁啾NLC，該單一非線性預啁啾NLC被添加至經修改種子光S1以補償由全部串聯連接光纖放大器130A-1、130A-2...130A-n產生之累積SPM效應。即，判定及量化串聯連接放大器130A-1、130A-2...130A-n之累積SPM特性，接著，建構非線性啁啾元件150A以產生補償累積SPM特性之一非線性預啁啾。使用單一非線性啁啾元件150A之一益處在於：此配置將傳送至放大器區段130A之經修改種子光之功率損耗降至最低。
圖7展示根據本發明之另一實施例之一雷射系統90B之一部分，其中一基於光纖之基頻雷射系統100B包含種子雷射105B、多個放大器130B-1、130B-2...130B-n及多個非線性啁啾元件150B-1、150B-2...，其中至少一非線性啁啾元件佈置於光學路徑中之兩個放大器之間(例如，元件150B-2佈置於放大器130B-1與130B-2之間)。在此情況中，各非線性啁啾元件150B-1、150B-2...經組態以產生一非線性預啁啾，該非線性預啁啾添加至種子光或部分放大種子光(例如，由元件150B-2將非線性預啁啾NLC2添加至部分放大光SB2以產生放大光SB3)以補償由一相關聯光纖放大器130B-1、130B-2...130B-n產生之個別SPM效應。例如，非線性預啁啾NLC1補償放大器130B-1之SPM特性，且藉由元件150B-1而添加至種子光S0以產生經修改種子光SB1。類似地，非線性預啁啾NLC2補償放大器130B-2之SPM特性，且藉由元件150B-2而添加至部分放大光SB2以產生放大光SB3。非線性啁啾元件150B-1、150B-2...之累積效應類似於單一啁啾元件實施例之累積效應，但多元件方法藉由個別地解決各光纖放大器之SPM特性而簡化補償非線性啁啾計算(即，並非必須計算多個串聯連接放大器之累積 SPM之一補償非線性啁啾)。
圖8展示根據本發明之另一實施例之一雷射系統90C之一部分，其中一基於光纖之基頻雷射系統100B利用串聯連接Raman放大器130C-1、130C-2...130C-n。在此情況中，由一連續波(CW)雷射(例如一固態雷射、一二極體雷射及一量子點雷射之一者)實施種子雷射105C-1，且由一相位調變器150C實施非線性啁啾元件，該相位調變器佈置於光學路徑中之(第一)Raman放大器130C-1與CW種子雷射105C之間，使得Raman放大器130C-1自相位調變器150C接收CW種子光S01及一非線性啁啾NLC兩者。基頻雷射系統100B亦包含將脈衝式幫浦種子光分別供應至各自Raman放大器130C-1、130C-2...130C-n之多個脈衝式幫浦種子雷射105C-21、105C-22...105C-2n(例如增益切換雷射二極體或脈衝光振盪器)，其等。例如，脈衝式幫浦種子雷射105C-21將脈衝式幫浦種子光S021供應至Raman放大器130C-1，及脈衝式幫浦種子雷射105C-22將脈衝式幫浦種子光S022供應至Raman放大器130C-2。圖9(A)及圖9(B)展示根據圖8中所展示之實施例之使用一非線性啁啾來補償一Raman放大器之交叉相位調變(XPM)之結果。XPM比在相同峰值功率條件下標準光纖雷射中所獲得之SPM更差2倍。利用此Raman放大器方法之一益處在於：在超出標準光纖雷射可用之波長之波長處之高功率係更實際的。一或多個Raman位移可用於增加波長。
雖然已相對於某些特定實施例而描述本發明，但熟習技術者應明白，本發明之發明特徵亦適用於其他實施例，其等全部意欲落於本發明之範疇內。
90‧‧‧雷射系統
100‧‧‧基頻光源/檢測系統/基頻雷射系統
105‧‧‧種子雷射
130‧‧‧光纖放大器
140‧‧‧幫浦種子雷射
150‧‧‧非線性啁啾元件

Claims (20)

  1. 一種用於產生具有一標稱UV-DUV輸出頻率之雷射輸出光之雷射系統，該雷射系統包括：一基於光纖之基頻光源，其用於產生具有一標稱基頻之基頻光，該基於光纖之基頻光源包含：一或多個種子雷射，其等包含用於產生具有一初始峰值功率及一初始光譜頻寬之種子光且用於沿一光學路徑傳輸該種子光之構件；一或多個放大器，其等佈置於該光學路徑中且包含用於放大由該一或多個種子雷射產生之該種子光使得輸出自該一或多個放大器之放大光具有實質上高於該初始峰值功率之一基頻峰值功率之構件；及一或多個非線性啁啾元件，其等佈置於該光學路徑中以將該種子光及該放大光之一者與一或多個非線性啁啾組合；及一頻率轉換模組，其包含用於將具有該標稱基頻之該基頻光轉換為具有該標稱輸出頻率之該雷射輸出光L之構件，其中該一或多個放大器具有固有自相位調變(SPM)特性，及其中該非線性啁啾補償該一或多個放大器之該等SPM特性，使得由該雷射系統產生之該基頻光具有在由該種子光之該初始光譜頻寬之五倍界定之一範圍內之一基頻光譜頻寬。
  2. 如請求項1之雷射系統，其中該頻率轉換模組包含用於產生雷射輸出光使得該輸出頻率大於該標稱基頻之2.5倍之構件。
  3. 如請求項2之雷射系統，其中該一或多個種子雷射及該一或多個放大器包含用於產生該基頻光使得該標稱基頻係具有約1微米之一對應波長之一頻率 之構件，及其中該頻率轉換模組包含用於產生該雷射輸出光使得該輸出頻率係具有在190奈米至400奈米之一範圍內之一對應波長之一頻率之構件。
  4. 如請求項1之雷射系統，其中該一或多個種子雷射之各者包括一脈衝光振盪器、一固態雷射、一二極體雷射、一增益切換雷射二極體及一量子點雷射之一者。
  5. 如請求項1之雷射系統，其中該一或多個放大器包括一摻雜光纖放大器及一Raman放大器之一者。
  6. 如請求項1之雷射系統，其進一步包括用於將幫浦種子光傳輸至該一或多個放大器之一幫浦種子雷射。
  7. 如請求項1之雷射系統，其中該一或多個非線性啁啾元件之各者包括一布拉格光柵、一光纖布拉格光柵及光電調變器之一者。
  8. 如請求項7之雷射系統，其中該一或多個非線性啁啾元件包括用於產生具有階次為x2或更高之一非線性之該非線性預啁啾之構件。
  9. 如請求項7之雷射系統，其中該一或多個非線性啁啾元件包括用於產生以下列方程式為特徵之具有基於時間之頻率之該非線性預啁啾U(0,T)之構件： 其中T係時間及i與振幅相關聯，且其中E、F及G之至少一者為非零。
  10. 如請求項1之雷射系統，其中一或多個非線性啁啾元件佈置於該光學路徑中之該一或多個種子雷射與該一或多個放大器之間，使得自該一或多個非 線性啁啾元件射出之經修改種子光具有實質上等於該初始峰值功率之一經修改功率及不同於該初始光譜頻寬之一經修改光譜頻寬，及其中該一或多個放大器包含用於放大該經修改種子光使得該基頻光之該標稱基頻在UV-DUV範圍內之構件。
  11. 如請求項10之雷射系統，其中該一或多個放大器包括在該光學路徑中串聯連接之複數個放大器。
  12. 如請求項1之雷射系統，其中該一或多個放大器包括複數個放大器，該複數個放大器包含一第一放大器及一第二放大器，及其中該一或多個非線性啁啾元件包括佈置於該光學路徑中之該第一放大器與該第二放大器之間之至少一非線性啁啾元件。
  13. 如請求項1之雷射系統，其中該一或多個種子雷射包括用於產生連續波(CW)種子光之一CW雷射及用於產生脈衝幫浦種子光之一脈衝雷射，其中該一或多個放大器包括經佈置以接收該CW種子光及該脈衝幫浦種子光之一Raman放大器，其中該一或多個非線性啁啾元件包括一相位調變器，該相位調變器佈置於該光學路徑中之該Raman放大器與該CW雷射之間，使得該Raman放大器自該相位調變器接收該CW種子光及該非線性啁啾。
  14. 如請求項13之雷射系統，其中該CW雷射包括一固態雷射、一二極體雷射及一量子點雷射之一者，及其中該脈衝雷射包括一增益切換雷射二極體及一脈衝光振盪器之一者。
  15. 如請求項13之雷射系統， 其中該一或多個放大器包括佈置於該光學路徑中之一第二Raman放大器以自該Raman放大器接收放大光輸出，及其中該一或多個種子雷射進一步包括經佈置以將第二脈衝幫浦種子光傳輸至該第二Raman放大器中之一第二脈衝雷射。
  16. 一種用於在一雷射系統中產生具有一標稱基頻之基頻光之基於光纖之基頻光源，該基於光纖之基頻光源包括：一或多個種子雷射，其等包含用於產生具有一初始峰值功率及一初始光譜頻寬且用於沿一光學路徑傳輸該種子光之構件；一或多個放大器，其等佈置於該光學路徑中且包含用於放大由該一或多個種子雷射產生之該種子光使得輸出自該一或多個放大器之放大光具有實質上高於該初始峰值功率之一基頻峰值功率之構件；及一或多個非線性啁啾元件，其等佈置於該光學路徑中且包含用於修改該種子光及該放大光之一者以包含補償該一或多個放大器之自相位調變(SPM)特性之一或多個非線性啁啾之構件。
  17. 如請求項16之基於光纖之基頻光源，其中該一或多個非線性啁啾元件之各者包括一布拉格光柵、一光纖布拉格光柵及一光電調變器之一者。
  18. 如請求項17之基於光纖之基頻光源，其中該一或多個非線性啁啾元件包括用於產生具有階次為x2或更高之一非線性之該非線性預啁啾之構件。
  19. 如請求項18之基於光纖之基頻光源，其中該一或多個非線性啁啾元件包括用於產生以下列方程式為特徵之具有基於時間之頻率之該非線性預啁啾U(0,T)之構件： 其中T係時間，i與振幅相關聯，且其中E、F及G之至少一者為非零。
  20. 一種用於使用一基於光纖之雷射系統來產生基頻光之方法，該方法包括：產生具有一初始光譜頻寬之種子光；使用一或多個基於光纖之放大器來放大該種子光以產生具有實質上高於初始峰值功率之一峰值功率之放大光；及修改該種子光及該放大光之一者以包含一非線性啁啾，其中該非線性啁啾具有階次為x2或更高之一非線性且實質上全部補償該一或多個基於光纖之放大器之自相位調變(SPM)特性，使得該基頻光具有在由該初始光譜頻寬之五倍界定之一範圍內之一基頻光譜頻寬。
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