JP6805743B2 - 絶縁基板 - Google Patents
絶縁基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6805743B2 JP6805743B2 JP2016220520A JP2016220520A JP6805743B2 JP 6805743 B2 JP6805743 B2 JP 6805743B2 JP 2016220520 A JP2016220520 A JP 2016220520A JP 2016220520 A JP2016220520 A JP 2016220520A JP 6805743 B2 JP6805743 B2 JP 6805743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- semiconductor element
- hollow portion
- hollow
- width direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
Description
本発明の絶縁基板に係る第1実施形態を図1および図2に示す。本実施形態の絶縁基板Pは、例えばセラミックス層で構成される絶縁層2に、例えば、Cu材で構成される板状の第1基板1が接合される。さらに、この第1基板1の表面に各種半導体素子3などが接合される。
ただし、より中空部5の効果を発揮させるためには、半導体素子3の縁部3aは、中空部5の幅方向の中央位置、ないし、中空部5の幅方向の、第1基板1の平面に対する法線方向視において半導体素子3と中空部5とが重複する側(以下、中空部5の幅方向の重複側と称する)に偏位した位置にあるのが好ましい。特に半導体素子3の縁部3aは、中空部5の幅方向の中央位置よりも中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置にあると、さらに好ましい。
半導体素子3に通電され、半導体素子3が高温になれば、第1基板1を挟んで半導体素子3の側の温度と絶縁層2の側の温度とに差が生じる。この結果、第1基板1が反り変形すると共に、半導体素子3自身が反り変形する。
本実施形態では、図5に示すように、絶縁層2を挟んで第1基板1および第2基板6を設けた例を示す。具体的には、第1基板1の両面のうち半導体素子3を実装した面とは反対の面に絶縁層2を介して第2基板6を設ける。さらに、この第2基板6の内部に、第1基板1の法線方向視において第1基板1に形成された中空部5と重複する位置に第2中空部7を形成する。
中空部5としては、図6に示す如く、第1基板1の両面の何れにも開口しない孔部で形成してもよい。つまり、第1基板1のうち一部の厚みの部分に中空部5を設けることで、中空部5に対して絶縁層2の側にも第1基板1の母材を残存させる。こうすることで、第1基板1が半導体素子3の熱変形を許容しつつ、半導体素子3で生じた熱を当該残存させた母材部分を利用して放熱することができる。
尚、図6は、第1基板1および第2基板6を有し、何れにも中空部を形成した例を示している。
基板に設ける中空部5は、図9に示す如く、半導体素子3の四隅に対応する箇所にだけ設けることもできる。つまり、当該四隅は半導体素子3の中央部から最も遠く、熱膨張の程度が最大となる。よって、当該四隅部での応力集中を軽減するだけでも接合層の損傷を大幅に軽減することができる。中空部5のサイズが小さくなれば、中空部5を製作する手間が軽減されるばかりではなく、母材のボリュームが増える結果、熱放散の効果がさらに高まる。
中空部5を孔部で形成する場合、たとえば図10に示すように、半導体素子3の縁部3aを、中空部5の幅方向の中央位置Cないし中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置に配置することもできる。
特に半導体素子3の縁部3aは、中空部5の幅方向の中央位置Cよりも中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置にあると、さらに好ましい。
尚、図10は、第1基板1の平面に対する側断面視における中空部5の断面形状が、中空部5の幅方向の重複側(図10において、中空部5の幅方向の半導体素子3の縁部3aに近い側)の端部から当該端部の他端側に向けて同一の厚みである矩形であり、当該矩形の断面が、接合面と平行に形成されている場合を示している。したがって、第1基板1の薄肉部の厚さは一定である。
このような第1基板1の追随効果を最大に発揮させるためには、半導体素子3の縁部3aが中空部5の幅方向のほぼ中央位置Cないし中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置にあるのが好ましい。第1基板1の表面部位における剛性は、中空部5の中央付近(中央位置C)で最小となる。よって、この部位に半導体素子3の縁部3aを位置させることで、第1基板1の変形能を最大限に活用することができ、接合部4が損傷する確率を最小に留めることができる。特に半導体素子3の縁部3aを、中空部5の幅方向の中央位置Cよりも中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置に位置させると、さらに好ましい。半導体素子3の変形に追随して変形する第1基板1の表面部位の変形の変曲点1aが、およそ中央位置C近傍にくることとなるため、第1基板1の表面部位のうち中空部5に対応する表面領域全体が、半導体素子3の縁部3aに追随して変形するためである。すなわち、第1基板1の表面部位の変形の変曲点1aに集中する応力の最大値を低減し、その結果、接合部4にクラックが生じたり剥がれたりする不都合が防止される。
尚、図11の場合は、変曲点1aは、およそ中央位置C近傍であって、かつ、半導体素子3の縁部3aと、中央位置Cとの間にある場合を図示している。つまり、図11は、変曲点1aは、中央位置Cから、半導体素子3の縁部3aの側に、やや偏位した位置に生じる場合を図示している。
以下、半導体素子3に所定の通電をして、半導体素子3がある高温状態になった場合に、中空部5を設けない場合の、接合部4の最大応力値、および、半導体素子3の最大温度を夫々100とした場合について説明する。
図10、図12に示すように、中空部5を孔部として設け、中空部5の厚みt、第1基板1の薄肉部の厚さd、第1基板1のうち中空部5に対応する表面領域の半導体素子3と重複する部分の幅m、第1基板のうち中空部5に対応する表面領域の半導体素子3と重複していない部分の幅nとした場合に、厚みtと深さdと幅mと幅nとの比が、厚みt:深さd:幅m:幅n=1:1:1.85:11.2である場合には、接合部4の最大応力値、および、半導体素子3の最大温度は夫々70.8、100.1であった。尚、この場合、接合部4の最大応力を示す位置は、半導体素子3の縁部3aに対応する接合部4の縁部と第1基板1との界面部分である位置Bとなっていた。また、図示しないが、変曲点1aは、およそ中央位置C近傍であって、かつ、半導体素子3の縁部3aと、中央位置Cとの間に生じていた。
すなわち、中空部5を孔部として設け、さらに、半導体素子3の縁部3aを、中空部5の幅方向の中央位置Cよりも中空部5の幅方向の重複側に偏位した位置に配置した場合、中空部5を孔部として設けない場合と比べて、半導体素子3の最大温度を上昇させることなく、接合部4の最大応力値を約29.2%低減できることが確認された。
図10には、孔部で形成した中空部5の断面形状が、中空部5の幅方向の中空部5の幅方向の重複側(図10において、中空部5の幅方向の半導体素子3の縁部3aに近い側)の端部から当該端部の他端側に向けて同一の厚みである矩形である場合を例示したが、中空部5を孔部で形成する場合、たとえば図13、図14、図15に示すように、第1基板1の平面に対する側断面視における中空部5の厚みが、中空部5の幅方向の重複側(図13、図14、図15における、中空部5の幅方向の半導体素子3の縁部3aに近い側)の端部から、当該端部の他端部に向けて拡大するよう形成することもできる。たとえば、中空部5が、第1基板1の平面に対する側断面視における中空部5の厚みが、中空部5の幅方向の重複側の端部から当該端部の他端部に向けて拡大する、拡大部を備えて形成する場合がある。すなわち、第1基板1の平面に対する側断面視における中空部5の断面の半導体素子3の側の辺が、接合面と平行に設けられ、第1基板1の薄肉部の厚さは一定であり、接合面の他面側にある辺が拡大部として、中空部5の幅方向の重複側の端部から当該端部の他端側に向けて、当該接合面から離間するように設けられている。
また、図14は中空部5の断面形状が、中空部5の幅方向の重複側(図14において、中空部5の幅方向の半導体素子3の縁部3aに近い側)の端部から当該端部の他端側に向けて接合面から離間するように拡大する辺E2を拡大部として備える台形である場合を例示している。
また、図15は中空部5の断面形状が、中空部5の幅方向の重複側(図14において、中空部5の幅方向の半導体素子3の縁部3aに近い側)の端部から当該端部の他端側に向けて接合面から離間するように拡大する角取り部E3を拡大部として備える矩形である場合を例示している。
尚、図13、図14、図15に示す中空部5は何れも、第1基板1の平面に対する側断面視において、第1基板1の厚み方向の中央となる中央位置Mよりも第1基板1の両面のうち半導体素子3が接合された面の側に偏位した位置に孔部全体が配置されている場合を示している(図10参照)。
以下、半導体素子3に所定の通電をして、半導体素子3がある高温状態になった場合に、中空部5を設けない場合の接合部4の最大応力値を100とした場合について説明する。
図10、および図13、図14、図15に示す構造を備えた場合の接合部4の最大応力値はおよそ64であり、何れの場合についても約36%の応力低減効果が得られた。すなわち、この例の場合は、中空部5を設けた場合に、約36%の応力低減効果が得られたことになる。ここで、図13、図14、図15の場合、接合部4の最大応力を示す位置は、半導体素子3の縁部3aに対応する接合部4の縁部と第1基板1との界面部分である位置Bとなっていた。
尚、図10、および図13、図14、図15の中空部5の第1基板1の平面に対する側断面視における幅は同一である。また、中空部5の最大の厚みも同一である。また、第1基板のうち中空部5に対応する表面領域の半導体素子3と重複する部分の幅も同一である。
以下、半導体素子3に所定の通電をして、半導体素子3がある高温状態になった場合に、中空部5を設けない場合の半導体素子3の最大温度を100とした場合について説明する。
図10、および図13、図14、図15に示す構造を備えた場合の半導体素子3の最大温度は、中空部5を設けない場合の半導体素子3の最大温度に対して夫々、0.108、0.047、0.0776、0.0915の上昇に留まった。すなわち、中空部5を孔部として設けた場合、中空部5を孔部として設けない場合と比べて、半導体素子3の最大温度をほとんど上昇させることなく応力低減効果が得られることが分かった。
したがって、中空部5に拡大部を備える構造とすることで、第1基板1の母材のボリュームが増える結果、応力低減効果を維持しつつ熱放散の効果をさらに高めることができることが分かった。
中空部5の角部(空間の隅部)は角取り形状とすることもできる。ここで、角取りとは、中空部5の角部ないし隅部を角面や曲面または丸面などの形状とすることを言い、本実施形態において言う角取りには、角部ないし隅部を斜め形状とするいわゆる面取り(隅部の面取り、C面)形状や、角部ないし隅部を曲面または丸面形状とする、いわゆる丸み面取りやR面が含まれる。
図10に示す構造は、中空部5の断面形状が矩形であり、当該断面形状の4隅に角部を備えるが、例えばこれら当該角部を角取りすることができる。
具体的には例えば、図16に示すように、中空部5の断面形状の角部を夫々丸面形状に角取りすることができる。また、図17に示すように、中空部5の断面形状の角部のうち、絶縁基板Pの厚さ方向で隣り合う二つの角部を、ひとつの円弧状に角取りすることもできる。図17の場合は、絶縁基板Pの厚さ方向で隣り合う二つの角部を、ひとつの円弧状として、半円状に形成した場合を図示している。
以下、半導体素子3に所定の通電をして、半導体素子3がある高温状態になった場合に、中空部5に生じる応力の最大位置を位置Tとした場合において、図10や図12のように中空部5の角部に角取り部を設けない場合の位置Tの応力を100とすると、図16、図17の中空部5に生じる応力の最大値は夫々72、75であった。
すなわち、中空部5に角取り部を設けると、中空部5に生じる応力をおよそ3/4に低減できることが分かった。すなわち、本構成のごとく、中空部5の角部を角取りすることで、第1基板1が半導体素子3に追随して変形する場合に、中空部5の角部に生じる応力が、角取りされた部分に広く分散する。当該角部の角取りされた部分全体が、角取りされた形状に対応して緩やかに変形し、当該角部の角取りされた部分全体で、当該変形する場合の応力を吸収するためである。そのため、中空部5の角部の狭い範囲に応力が集中することを回避し、第1基板1の中空部5の角部に集中する応力の最大値を低減することができる。その結果、第1基板1や中空部5の破損を回避し、また接合部4にクラックが生じたり剥がれたりする不都合が防止される。
図16、図17の場合は、中空部5の断面形状の角部のすべてを角取りした場合を図示しているが、中空部5の断面形状の角部のうち、一部を角取りしてもよい。中空部5の断面形状の角部の一部を角取りする場合には、半導体素子3の縁部3aに最も近接する角部を優先して角取りするとよい。
また、図16、図17の場合は、中空部5が、中空部5の幅方向の重複側の端部から当該端部の他端側に向けて同一の厚みである矩形である場合に、4隅の角部を角取りした場合を例示したが、角部を角取りする場合は中空部5が矩形である場合に限られず、図13や図15のように中空部5の断面の角部が4隅でなく3つや5つ以上である場合に、これら角部を角取りすることもできる。また、図13、図14、図15のように、第1基板1の平面に対する側断面視における中空部5の厚みが、中空部5の幅方向の重複側の他端部に向けて拡大する場合に、当該中空部5の角部を角取りしてもよい。
2 絶縁層
3 半導体素子
3a 半導体素子の縁部
5 中空部
6 第2基板
7 第2中空部
P 絶縁基板
Claims (6)
- 半導体素子と、
前記半導体素子を接合により実装する第1基板と、
当該第1基板の両面のうち前記半導体素子を実装した面とは反対側の面に設けた絶縁層とを備え、
前記第1基板の平面に対する法線方向視において、前記第1基板のうち前記半導体素子の縁部の少なくとも一部と重複する位置において、前記第1基板の内部に中空部を備え、
前記中空部が、前記第1基板の両面のうち前記半導体素子が接合された面と反対の面に設けた凹部で形成されている絶縁基板。 - 前記中空部の角部を角取り形状とした請求項1に記載の絶縁基板。
- 前記半導体素子の縁部が、前記第1基板の平面に対する側断面視において前記中空部の幅方向の中央となる位置よりも、前記中空部の幅方向の、前記法線方向視において前記半導体素子と前記中空部とが重複する側に偏位した位置に配置されている請求項1又は2に記載の絶縁基板。
- 半導体素子と、
前記半導体素子を接合により実装する第1基板と、
当該第1基板の両面のうち前記半導体素子を実装した面とは反対側の面に設けた絶縁層とを備え、
前記第1基板の平面に対する法線方向視において、前記第1基板のうち前記半導体素子の縁部の少なくとも一部と重複する位置において、前記第1基板の内部に中空部を備え、
前記第1基板の平面に対する側断面視における前記中空部の厚みが、前記第1基板の平面に対する側断面視における前記中空部の幅方向の、前記法線方向視において前記半導体素子と前記中空部とが重複する側の端部から当該端部の他端部に向けて拡大するよう形成されている絶縁基板。 - 前記半導体素子の全ての縁部に対応する位置に前記中空部を設けてある請求項4に記載の絶縁基板。
- 半導体素子と、
前記半導体素子を接合により実装する第1基板と、
当該第1基板の両面のうち前記半導体素子を実装した面とは反対側の面に設けた絶縁層とを備え、
前記第1基板の平面に対する法線方向視において、前記第1基板のうち前記半導体素子の縁部の少なくとも一部と重複する位置において、前記第1基板の内部に中空部を備え、
前記第1基板の両面のうち前記半導体素子を実装した面とは反対の面に絶縁層を介して第2基板が設けられ、
前記第2基板の内部に、前記法線方向視において前記第1基板に形成された前記中空部と重複する位置に第2中空部が形成されている絶縁基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015252598 | 2015-12-24 | ||
JP2015252598 | 2015-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017120888A JP2017120888A (ja) | 2017-07-06 |
JP6805743B2 true JP6805743B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=59272525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016220520A Active JP6805743B2 (ja) | 2015-12-24 | 2016-11-11 | 絶縁基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6805743B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2022208870A1 (ja) * | 2021-04-02 | 2022-10-06 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05136290A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Toshiba Corp | セラミツクス回路基板 |
US5328751A (en) * | 1991-07-12 | 1994-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic circuit board with a curved lead terminal |
JP2004047783A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Nissan Motor Co Ltd | 素子の冷却構造体 |
JP4621531B2 (ja) * | 2005-04-06 | 2011-01-26 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱装置 |
JP2006294890A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP6317178B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2018-04-25 | 京セラ株式会社 | 回路基板および電子装置 |
-
2016
- 2016-11-11 JP JP2016220520A patent/JP6805743B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017120888A (ja) | 2017-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008294280A (ja) | 半導体装置 | |
JP5151080B2 (ja) | 絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
JP2010093020A (ja) | パワーモジュール用冷却装置 | |
JP6805743B2 (ja) | 絶縁基板 | |
JP2007299798A (ja) | ヒートシンク付きセラミック基板 | |
JP6149654B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6330951B2 (ja) | パワーモジュール用基板製造のための接合体 | |
JP4722514B2 (ja) | 半導体装置および該半導体装置用絶縁基板 | |
JP2010199251A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2014156629A1 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4498966B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板 | |
JP3938079B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5282075B2 (ja) | 放熱装置 | |
JP6524809B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6316219B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP5614127B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP2020064925A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2013211288A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP7415486B2 (ja) | ヒートシンク付絶縁回路基板及びその製造方法 | |
JP2009246259A (ja) | 冷却器 | |
JP4786302B2 (ja) | パワーモジュール用ベースの製造方法 | |
JP6610577B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007335795A (ja) | パワーモジュール用基板とパワーモジュール | |
JP2023132550A (ja) | 絶縁回路基板 | |
JP7081088B2 (ja) | 電子部品の接合構造 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191010 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200929 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201117 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6805743 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |