JP6804593B2 - 質量推定付き解凍装置及びその動作方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 74
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 67
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 53
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 46
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 34
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 126
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 104
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 97
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 37
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 37
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 37
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 23
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 235000015278 beef Nutrition 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 235000013372 meat Nutrition 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010845 search algorithm Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/66—Circuits
- H05B6/68—Circuits for monitoring or control
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B6/46—Dielectric heating
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- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
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- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H05B6/46—Dielectric heating
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- H05B6/6447—Method of operation or details of the microwave heating apparatus related to the use of detectors or sensors
- H05B6/645—Method of operation or details of the microwave heating apparatus related to the use of detectors or sensors using temperature sensors
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- H05B6/6447—Method of operation or details of the microwave heating apparatus related to the use of detectors or sensors
- H05B6/6464—Method of operation or details of the microwave heating apparatus related to the use of detectors or sensors using weight sensors
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- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
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- H05B6/6467—Method of operation or details of the microwave heating apparatus related to the use of detectors or sensors using detectors with R.F. transmitters
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B6/664—Aspects related to the power supply of the microwave heating apparatus
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- H05B6/70—Feed lines
- H05B6/705—Feed lines using microwave tuning
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Description
本明細書中に開示する主題の好適例は、一般に、無線周波数（ＲＦ：radiofrequency）エネルギーを用いて負荷を解凍する装置及び方法に関するものである。
従来の静電容量型食品解凍（または融解）システムは、加熱区画内に包含される大型の平面電極を含む。食品負荷を電極間に配置して電極を食品負荷に近接させた後に、電磁エネルギーを電極に供給して食品負荷の緩やかな加温を行う。解凍動作中に食品負荷が融解するに連れて、食品負荷のインピーダンスが変化する。従って、食品負荷への電力伝達も解凍動作中に変化する。解凍動作の継続時間は、例えばタイマーに基づいて決定することができ、このタイマーを用いて動作の停止を制御することができる。一部の従来の容量型食品解凍（または融解）システムは、食品負荷の重量を測定するために物理的な重量センサの使用を必要とし得る。一部の従来のシステムは、完全に重量検出なしで済ませることができ、その代わりに、食品負荷の特性化のためにユーザ入力に完全に頼る。
物理的な重量センサを含む従来のシステムについては、こうしたセンサは、システムの製造にコスト及び複雑性を増大させ得る。それに加えて、負荷重量を測定するためにユーザ入力に頼るシステムを用いて許容可能な解凍結果が可能であるが、ユーザが定めた食品負荷の重量に頼ることに特有の不正確さが、解凍動作の早過ぎる停止、あるいは食品負荷が加熱調理され始めた後の停止の遅れを生じさせ得る。必要とされるものは、やむを得ない物理的な重量センサの使用を必要とせずに、負荷全体にわたる効率的かつ均一な解凍、及び負荷が所望温度である際に解凍動作の停止を生じさせることができる、食品負荷（または他の種類の負荷）を解凍する装置及び方法である。
上記主題のより完全な理解は、詳細な説明及び特許請求の範囲を、以下の図面と併せて考慮して参照することによって導き出すことができ、全図を通して、同様の参照番号は同様の要素を参照する。
詳細な説明
以下の詳細な説明は事実上の例示に過ぎず、主題または本願の実施形態、及びこうした実施形態の利用法を制限することは意図していない。本明細書中に用いる「好適例」及び「例」は、「１つの例、事例、または例示としての役割を果たす」ことを意味する。好適例または例として本明細書中に記載するあらゆる実現は、他の実現に対して必ずしも好適または有利であるものと解釈するべきでない。さらに、先の技術分野、背景、あるいは以下の詳細な説明中に提示するいずれの明記または暗示された理論によっても束縛されるべき意図は存在しない。
以下の詳細な説明は事実上の例示に過ぎず、主題または本願の実施形態、及びこうした実施形態の利用法を制限することは意図していない。本明細書中に用いる「好適例」及び「例」は、「１つの例、事例、または例示としての役割を果たす」ことを意味する。好適例または例として本明細書中に記載するあらゆる実現は、他の実現に対して必ずしも好適または有利であるものと解釈するべきでない。さらに、先の技術分野、背景、あるいは以下の詳細な説明中に提示するいずれの明記または暗示された理論によっても束縛されるべき意図は存在しない。
本明細書中に記載する主題の実施形態は、スタンドアロン（独立型）の機器または他のシステムに内蔵することができるソリッドステート（固体、半導体）解凍装置に関するものである。以下により詳細に説明するように、ソリッドステート解凍装置の実施形態は「不平衡（アンバランス）型」解凍システム及び「平衡（バランス）型」装置を共に含む。例えば、好適な「不平衡型」解凍システムは、キャビティ内に配置された第１電極、シングルエンド（片端子）増幅装置（１つ以上のトランジスタを含む）、増幅装置の出力端子と第１電極との間に結合されたシングルエンド・インピーダンス整合（マッチング）回路網、及び解凍動作が完了した時点を検出することができる測定兼制御システムを用いて実現される。これとは対照的に、好適な「平衡型」解凍システムは、キャビティ内に配置された第１及び第２電極、シングルエンドまたはダブルエンド（両端子）増幅装置（１つ以上のトランジスタを含む）、増幅装置の出力端子と第１及び第２電極との間に結合されたダブルエンド・インピーダンス整合回路網、及び解凍動作が完了した時点を検出することができる測定兼制御システムを用いて実現される。種々の実施形態では、インピーダンス整合回路網が可変インピーダンス整合回路網を含み、この可変インピーダンス整合回路網を解凍動作中に調整して、増幅装置とキャビティとの整合を改善することができる。
一般に、「解凍する」とは、凍結した負荷（例えば、食品負荷または他の種類の負荷）の温度を、負荷がもはや凍結していない温度（例えば、摂氏０度またはその付近の温度）まで上昇させることを意味する。本明細書中に用いる「解凍する」とは、負荷（例えば、食品負荷または他の種類の負荷）の熱エネルギーまたは温度を、無線周波数（ＲＦ）電力を負荷に供給することによって増加させるプロセスをより広義に意味する。従って、種々の実施形態では、「解凍動作」は、任意の初期温度（例えば、摂氏０度またはそれ未満の任意の初期温度）を有する負荷に対して実行することができ、解凍動作は、初期温度よりも高い任意の最終温度（例えば、摂氏０度を上回る、あるいは摂氏０度を下回る任意の最終温度）で停止することができる。それはそれとして、本明細書中に記載する「解凍動作」及び「解凍システム」は、その代わりに「熱量増加動作」及び「熱量増加システム」と称することができる。「解凍する」とは、本発明の用途を、凍結した負荷の温度を摂氏０度またはその付近の温度まで上昇させることしかできない方法またはシステムに限定するものと解釈するべきでない。一実施形態では、解凍動作が食品の温度を摂氏−１度またはその付近の予熱状態まで上昇させる。
負荷の質量、あるいは負荷の質量と負荷の温度との組合せは、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量を決定するための根拠として用いることができる。負荷を解凍するのに必要なエネルギーは次式１を用いて決定することができる：
Ｑ＝ｍ×ｃ×ΔＴ （式１）
ここにＱは必要な熱エネルギーの量であり、ｍは熱エネルギーを供給する負荷の質量であり、ｃは負荷の比熱であり、ΔＴは熱エネルギーの供給によって負荷に生じさせることを望む温度の変化である。多種多様な負荷の比熱はおよそ１〜２カロリー／(グラム℃)である傾向があり、１カロリーはおよそ４．１８６８ジュールである。解凍システムの負荷に加えられる温度の変化は一般におよそ−２０℃からおよそ０℃までであり、このためΔＴはおよそ２０℃に推定することができる。従って、所定の負荷を解凍するために必要な（カロリー単位の）熱エネルギーの量は（グラム単位の）負荷の質量のおよそ３０倍として推定することができる。なお、一部の実施形態では、ΔＴの値は、２０℃であるものと仮定するのではなくユーザが入力した初期温度に基づいて決定することができる。
Ｑ＝ｍ×ｃ×ΔＴ （式１）
ここにＱは必要な熱エネルギーの量であり、ｍは熱エネルギーを供給する負荷の質量であり、ｃは負荷の比熱であり、ΔＴは熱エネルギーの供給によって負荷に生じさせることを望む温度の変化である。多種多様な負荷の比熱はおよそ１〜２カロリー／(グラム℃)である傾向があり、１カロリーはおよそ４．１８６８ジュールである。解凍システムの負荷に加えられる温度の変化は一般におよそ−２０℃からおよそ０℃までであり、このためΔＴはおよそ２０℃に推定することができる。従って、所定の負荷を解凍するために必要な（カロリー単位の）熱エネルギーの量は（グラム単位の）負荷の質量のおよそ３０倍として推定することができる。なお、一部の実施形態では、ΔＴの値は、２０℃であるものと仮定するのではなくユーザが入力した初期温度に基づいて決定することができる。
なお、本明細書中では時として「質量」と「重量」とを互換的に用いることがあるが、両用語とも所定の物体（例えば、負荷）が含有する物質の量の尺度を記述するために用いられる。種々の実施形態によれば、負荷の質量、あるいは負荷の質量＋温度は、可変インピーダンス整合回路網内の可変構成部品の要素値を、システム・コントローラにアクセス可能なメモリ内に記憶されているルックアップテーブル（ＬＵＴ：look-up table）中に記憶されている対応する要素値と比較することによって推定することができる。負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量を用いて、ＲＦ信号パラメータ（例えば、ＲＦ信号電力レベル）及び加熱時間、並びに他の適用可能なパラメータを決定することができる。本明細書中に記載する「ＲＦ信号電力レベル」は、解凍動作中に負荷に供給される電磁エネルギーに変換されるＲＦ信号の振幅を参照し、ＲＦ信号電力レベルは動作全体を通して変化させることができる。本明細書中に記載する「加熱時間」は、解凍動作中にＲＦ信号に相当する電磁エネルギーを負荷に供給する時間長を参照する。このようにして、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量が与えられると、加熱動作全体を通して用いられる所望のＲＦ信号パラメータ（例えば、電力レベル）を、本発明のシステムの実施形態によって決定することができる。それに加えて、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量及び所望のＲＦ信号パラメータが与えられると、合計加熱（解凍）時間を本発明のシステムの実施形態によって決定することができる。
図１は、一実施形態による解凍システム１００の透視図である。解凍システム１００は、解凍キャビティ１１０（例えば、キャビティ３６０、７６０、１１７４（図３、７、１１））、制御パネル１２０、１つ以上のＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））、電源（例えば、電源３２６、７２６（図３、７））、第１電極１７０（例えば、電極３４０、７４０、１１７０（図３、７、１１））、第２電極１７２（例えば、電極７５０、１１７２（図７、１１））、インピーダンス整合回路（例えば、回路３３４、３７０、７３４、７７２、１１６０（図３、７、１１））、電力検出回路（例えば、電力検出回路３３０、７３０、７３０’、７３０”、１１８０（図３、７、１１））、及びシステム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２、１１３０（図３、７、１１））を含む。解凍キャビティ１１０は、上部、下部、側部、及び後部のキャビティ壁１１１、１１２、１１３、１１４、１１５の内面、及びドア１１６の内面によって規定される。ドア１１６が閉じていれば、解凍キャビティ１１０は密閉された空気キャビティを規定する。本明細書中に用いる「空気キャビティ」とは、空気または他の気体を包含する密閉領域（例えば、解凍キャビティ１１０）を意味することがある。
「不平衡型」の実施形態によれば、第１電極１７０がキャビティ壁（例えば、上部壁１１１）に近接して配置され、第１電極１７０は残りのキャビティ壁（例えば、壁１１２〜１１５及びドア１１６）から電気絶縁され、残りのキャビティ壁は接地されている。こうした構成では、システムはコンデンサとして単純化してモデル化することができ、ここで第１電極１７０は１つの導体プレート（または電極）として機能し、接地されたキャビティ壁（例えば、壁１１２〜１１５）は第２導体プレート（または電極）として機能し、空気キャビティ（その中に包含されるあらゆる負荷を含む）は第１導体プレートと第２導体プレートとの間の誘電体媒質として機能する。図１には示していないが、非導電性障壁（例えば、障壁３６２、７６２（図３、７））もシステム１００内に含めることができ、この非導電性障壁は、負荷を下部キャビティ壁１１２から電気的かつ物理的に絶縁するように機能することができる。図１には、第１電極１７０が上部壁１１１に近接していることを示しているが、第１電極１７０は、その代わりに、電極１７２〜１７５で示すように他の壁１１２〜１１５のいずれに近接することもできる。
「平衡型」の実施形態によれば、第１電極１７０は第１キャビティ壁（例えば、上部壁１１１）に近接して配置することができ、第２電極１７２はその反対側の第２キャビティ壁（例えば、下部壁１１２）に近接して配置することができ、第１及び第２電極１７０、１７２は残りのキャビティ壁（例えば、壁１１３〜１１５及びドア１１６）から電気絶縁されている。こうした構成では、上記システムはコンデンサとして単純化してモデル化することもでき、ここで第１電極１７０は１つの導体プレート（または電極）として機能し、第２電極１７２は第２導体プレート（または電極）として機能し。空気キャビティ（その中に包含されるあらゆる負荷を含む）は、第１導体プレートと第２導体プレートとの間の誘電体媒質として機能する。図１には示していないが、非導電性障壁（例えば、障壁７６２、１１５６（図７、１１））もシステム１００内に含めることができ、この非導電性障壁は、負荷を第２電極１７２及び下部キャビティ壁１１２から電気的かつ物理的に絶縁するように機能する。図１は第１電極１７０が上部壁１１１に近接し、第２電極１７２が下部壁１１２に近接していることを示しているが、第１及び第２電極１７０、１７２は、その代わりに、互いに対向する他の壁に近接することができる（例えば、第１電極は壁１１３に近接した電極１７３とすることができ、第２電極は壁１１４に近接した電極１７４とすることができる）。
一実施形態によれば、解凍システム１００の動作中に、ユーザ（図示せず）は、１つ以上の負荷（例えば。食品及び／または液体）を解凍キャビティ１１０内に配置することができ、任意で、負荷の特性を指定する入力を制御パネル１２０を介して与えることができる。例えば、指定した特性は、負荷の概略質量を含むことができる。それに加えて、指定した負荷特性は、負荷を形成する材料（例えば、肉、パン、液体）を示すことができる。代案実施形態では、負荷特性は、負荷の包装上のバーコードを走査することによって、あるいは負荷上の、または負荷内に埋め込まれた無線周波数識別（ＲＦＩＤ：radio frequency identification）信号を受信することによって、といった他の何らかの方法で得ることができる。いずれにせよ、後により詳細に説明するように、こうした負荷特性に関する情報は、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２、１１３０（図３、７、１１））が、解凍動作の開始時におけるシステムのインピーダンス整合回路網についての初期状態を規定することを可能にし、この初期状態は、負荷内への最大ＲＦ電力伝達を可能にする最適な状態に比較的近くすることができる。その代わりに、解凍動作の開始よりも前に負荷特性を入力または受信しないこともでき、システム・コントローラはインピーダンス整合回路網についてのデフォルトの初期状態を規定することができる。
解凍動作を開始するために、ユーザは制御パネル１２０を介して入力を与えることができる。それに応答して、システム・コントローラは、不平衡型の実施形態では、ＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））に、ＲＦ信号を第１電極１７０へ供給させ、平衡型の例では、ＲＦ信号源に、ＲＦ信号を第１電極１７０及び第２電極１７２の両方に供給させ、それに応答して、これらの電極は電磁エネルギーを解凍キャビティ１１０内へ放射する。この電磁エネルギーは負荷の熱エネルギーを増加させる（即ち、電磁エネルギーは負荷を加温する）。
解凍動作中には、負荷の熱エネルギーが増加するに連れて、負荷のインピーダンス（従って、キャビティ１１０＋負荷の合計入力インピーダンス）が変化する。このインピーダンス変化は負荷内へのＲＦエネルギーの吸収を変化させ、従って反射電力の大きさを変化させる。一実施形態によれば、電力検出回路（例えば、電力検出回路３３０、７３０、１１８０（図３、７、１１））が、ＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））と電極１７０、１７２との間の伝送経路（例えば、伝送経路３２８、７２８、１１４８（図３、７、１１））に沿った反射電力を、連続して、あるいは周期的に測定する。これらの測定に基づいて、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２、１１３０（図３、７、１１））は、解凍動作の完了を検出することができ、これについては以下で詳細に説明する。別な実施形態によれば、インピーダンス整合回路網が可変であり、反射電力測定値（あるいは、順方向電力測定値及び反射電力測定値の両方）に基づいて、システム・コントローラは、解凍動作中にインピーダンス整合回路網の状態を変化させて、負荷によるＲＦ電力の吸収を増加させることができる。
図１の解凍システム１００は、調理台型の機器として具体化される。別な実施形態では、解凍システム１００は、マイクロ波（電子レンジ）調理動作を実行するための構成要素及び機能を含むこともできる。その代わりに、解凍システムの構成要素は他の種類のシステムまたは機器に内蔵させることができる。例えば、図２は、解凍システム２１０、２２０の他の実施形態を含む冷蔵庫／冷凍庫２００の透視図である。より具体的には、解凍システム２１０は、システム２００の冷凍区画２１２内に内蔵されているように示し、解凍システム２２０は、このシステムの冷蔵区画２２２内に内蔵されているように示している。実際の冷蔵庫／冷凍庫は、解凍システム２１０、２２０を１つしか含まないことが多いが、図２にはその両方を示して両実施形態を簡潔に伝える。
解凍システム１００と同様に、解凍システム２１０、２２０の各々は、解凍キャビティ、制御パネル２１４、２２４、１つ以上のＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））、電源（例えば、電源３２６、７２６（図３、７））、第１電極（例えば、電極３４０、７４０、１１７０（図３、７））、第２電極（例えば、格納構造３６６、電極７５０（図３、７、１１））、インピーダンス整合回路（例えば、回路３３４、３７０、７３４、７７２、１１６０（図３、７、１１））、電力検出回路（例えば、電力検出回路３３０、７３０、１１８０（図３、７、１１））、及びシステム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２、１１３０（図３、７、１１））を含む。例えば、解凍キャビティは、引き出しの下部壁、側壁、前部壁、及び後部壁、及び固定棚２１６、２２６の内側上面によって規定することができ、この内側上面下で引き出しが滑り動く。引き出しが完全に棚の下へ滑り動くと、引き出し及び棚がキャビティを密閉された空気キャビティとして規定する。種々の実施形態では、解凍システム２１０、２２０の構成要素及び機能を解凍システム１００の構成要素及び機能とほぼ同じにすることができる。
それに加えて、一実施形態によれば、解凍システム２１０、２２０の各々が、当該システム２１０、２２０が内部に配置された、それぞれ冷凍区画２１２または冷蔵区画２２２との十分な熱伝達を行うことができる。こうした実施形態では、解凍動作の完了後に、負荷を解凍システム２１０、２２０から取り除くまで負荷を安全な温度（例えば、食品の腐敗を遅らせる温度）に維持することができる。より具体的には、冷凍庫ベースの解凍システム２１０による解凍動作の完了時に、解凍された負荷を包含するキャビティは冷凍区画２１２との熱伝達を行うことができ、負荷が即座にキャビティから取り除かれなければ、負荷を再冷凍することができる。同様に、冷蔵庫ベースの解凍システム２２０による解凍動作の完了時に、解凍された負荷を包含するキャビティは冷蔵区画２２２との熱伝達を行うことができ、負荷が即座にキャビティから取り除かれなければ、負荷を冷蔵区画２２２内の温度で解凍状態に維持することができる。
解凍システムの実施形態を、他の構成を有するシステムまたは機器内に内蔵させることもできることは、当業者が本明細書中の記載に基づいて理解する所である。従って、スタンドアロン型機器、電子レンジ、冷凍庫、及び冷蔵庫における解凍システムの上述した実現は、実施形態の利用法をこれらの種類のシステムに限定することを意味しない。
解凍システム１００、２００は、その構成要素を互いに対して特定の相対的な配向にして示しているが、これらの種々の構成要素は異なるように配向させることもできることは明らかである。それに加えて、これらの種々の構成要素の物理的構成は異なることができる。例えば、制御パネル１２０、２１４、２２４は、より多数、より少数、あるいは異なるユーザ・インタフェース要素を有することができ、及び／または、これらのユーザ・インタフェース要素は異なるように配置することができる。それに加えて、図１には略立方体の解凍キャビティ１１０を示しているが、他の実施形態では、解凍キャビティが異なる形状（例えば、円筒形、等）を有することができることは明らかである。さらに、解凍システム１００、２１０、２２０は、図１、２には具体的に示していない追加的構成要素（例えば、ファン、固定または回転プレート、トレイ、電気コード、等）を含むことができる。
図３は、一実施形態による不平衡型解凍システム３００（例えば、解凍システム１００、２１０、２２０（図１、２））の簡略化したブロック図である。一実施形態では、解凍システム３００は、ＲＦサブシステム３１０、解凍キャビティ３６０、ユーザ・インタフェース３８０、システム・コントローラ３１２、ＲＦ信号源３２０、電源兼バイアス回路３２６、可変インピーダンス整合回路網３７０、及び電力検出システム３７０を含む。それに加えて、他の実施形態では、解凍システム３００は、温度センサ及び／または赤外線（ＩＲ：infrared）センサ３９０を含むことができるが、これらのセンサ構成要素の一部または全部を除外することができる。図３は、説明及び記述しやすさの目的で簡略化した解凍システム３００の表現であり、実際の実施形態は、追加的な機能及び特徴を提供するための他の装置及び構成要素を含むことができること、及び／または解凍システム３００はより大きな電気システムの一部とすることができることは明らかである。
ユーザ・インタフェース３８０は、例えば、ユーザが解凍動作用のパラメータ（例えば、解凍される負荷の特性、等）に関する入力をシステムに与えることを可能にする制御パネル（例えば、制御パネル１２０、２１４、２２４（図１、２））、開始（スタート）及び取り消し（キャンセル）ボタン、機械的制御部（例えば、ドア／引き出しの開放ラッチ）、等に対応することができる。それに加えて、ユーザ・インタフェースは、解凍動作の状態を示すユーザが知覚可能な出力（例えば、カウントダウン・タイマー、解凍動作の進行または完了を示す可視の印、及び／または解凍動作の完了を示す可聴のトーン（音調））及び他の情報を提供するように構成することができる。
解凍システム３００の一部の実施形態は、温度センサ及び／またはＩＲセンサ３９０を含むことができる。これらの温度センサ及び／またはＩＲセンサは、解凍動作中に負荷３６４の温度を検出することが可能な位置に配置することができる。温度情報は、システム・コントローラ３１２に提供されると、システム・コントローラ３１２が、ＲＦ信号源３２０によって供給されるＲＦ信号の電力を（例えば、電源兼バイアス回路３２６によって供給されるバイアス及び／または電源電圧を制御することによって）変化させて、可変インピーダンス整合回路網３７０の状態を調整すること、及び／または解凍動作を終了するべき時点を決定することを可能にする。システム・コントローラ３１２は、この情報を用いて、例えば、ＲＦ信号源３２０によって供給されるＲＦ信号の所望の電力レベルを決定して、可変インピーダンス整合回路網３７０の初期設定値を決定すること、及び／または解凍動作の概略継続時間を決定することができる。
一実施形態では、ＲＦサブシステム３１０は、システム・コントローラ３１２、ＲＦ信号源３２０、第１インピーダンス整合回路３３４（本明細書では「第１整合回路」）、電源兼バイアス回路３２６、及び電力検出回路３３０を含む。システム・コントローラ３１２は、１つ以上の汎用または専用プロセッサ（例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）、等）、揮発性及び／または不揮発性メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：Random Access Memory）、読出し専用メモリ（ＲＯＭ：Read Only Memory）、フラッシュ（メモリ）、種々のレジスタ、等）、１つ以上の通信バス、及び他の構成要素を含むことができる。一実施形態によれば、システム・コントローラ３１２は、ユーザ・インタフェース３８０、ＲＦ信号源３２０、可変インピーダンス整合回路網３７０、電力検出回路３３０、及び（含まれていれば）センサ３９０に結合されている。システム・コントローラ３１２は、ユーザ・インタフェース３８０を介して受け付けたユーザ入力を示す信号を受信し、ＲＦ信号の反射電力（及び場合によってはＲＦ信号の順方向電力）を示す信号を電力検出回路３３０から受信するように構成されている。受信した信号及び測定値に応答して、後に詳細に説明するように、システム・コントローラ３１２は制御信号を電源兼バイアス回路３２６、及びＲＦ信号源３２０のＲＦ信号発生器３２２に供給する。それに加えて、システム・コントローラ３１２は制御信号を可変インピーダンス整合回路網３７０に供給し、このことは回路網３７０にその状態または設定を変化させる。
解凍キャビティ３６０は容量型解凍装置を含み、この容量型解凍装置は、空気キャビティによって分離された第１及び第２平行平板電極を有し、この空気キャビティ内に解凍される負荷３６４を配置することができる。例えば、第１電極３４０は空気キャビティの上方に配置することができ、第２電極は格納構造３６６の一部分によって提供することができる。より具体的には、格納構造３６６は、下部壁、上部壁、及び側壁を含むことができ、これらの壁の内面がキャビティ３６０（例えば、キャビティ１１０（図１））を規定する。一実施形態によれば、キャビティ３６０を（例えば、ドア１１６（図１）で、あるいは引き出しを滑り動かして棚２１６、２２６（図２）の下に閉じることによって）密封して、解凍動作中にキャビティ３６０内に導入される電磁エネルギーを包含することができる。システム３００は１つ以上のインターロック・メカニズムを含むことができ、このインターロック・メカニズムは、解凍動作中に上記密封が完全であることを保証する。インターロック・メカニズムのうちの１つ以上が、密封が破れていることを示す場合に、システム・コントローラ３１２は解凍動作を停止することができる。一実施形態によれば、格納構造３６６は少なくとも部分的に導体材料で形成され、格納構造の導体部分は接地することができる。その代わりに、格納構造３６６における、少なくともキャビティ３６０の下面に相当する部分を導体材料で形成して接地することができる。どちらにしても、格納構造３６６（あるいは、格納構造３６６における、少なくとも第１電極３４０に平行な部分）は、上記容量型解凍装置の第２電極として機能する。負荷３６４とキャビティ３６０の接地された下面との直接の接触を回避するために、非導電性障壁３６２をキャビティ３６０の下面全体上に配置することができる。
基本的に、解凍キャビティ３６０は容量型解凍装置を含み、この容量型解凍装置は、空気キャビティによって分離された第１及び第２平行平板電極３４０、３６６を有し、この空気キャビティ内に解凍される負荷３６４を配置することができる。一実施形態では、第１電極３４０が格納構造３６６内に配置されて、電極３４０と、格納構造３６６の対向面（例えば、下面、第２電極として機能する）との間に距離３５２を規定し、距離３５２はキャビティ３６０を準共鳴キャビティにする。
種々の実施形態では、距離３５２が約０．１０メートル〜約１．０メートルの範囲内であるが、この距離はより小さくすることもより大きくすることもできる。一実施形態によれば、距離３５２がＲＦサブシステム３１０によって生成されるＲＦ信号の１波長未満である。換言すれば、上述したように、キャビティ３６０は準共鳴キャビティである。一部の実施形態では、距離３５２がＲＦ信号の１波長の約半分未満である。他の実施形態では、距離３５２がＲＦ信号の１波長の約４分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離３５２がＲＦ信号の１波長の約８分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離３５２がＲＦ信号の１波長の約５０分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離３５２がＲＦ信号の１波長の約１００分の１未満である。
一般に、より低い動作周波数（例えば、周波数１０MHz〜１００MHz）用に設計されたシステム３００は、１波長のより小さい割合である距離３５２を有するように設計することができる。例えば、システム３００を、約１０MHzの動作周波数（約３０メートルの波長に相当する）を有するＲＦ信号を生成するように設計し、距離３５２を約０．５メートルであるように選択すると、距離３５２はＲＦ信号の１波長の６０分の１になる。逆に、システム３００を約３００MHzの動作周波数（約１メートルの波長に相当する）用に設計し、距離３５２を約０．５メートルであるように選択すると、距離３５２はＲＦ信号の１波長の約半分になる。
動作周波数、及び電極３４０と格納構造３６６との間の距離３５２を、準共鳴内部キャビティ３６０を規定するように選択することにより、第１電極３４０と格納構造３６６とが容量結合される。より具体的には、第１電極３４０はコンデンサの第１極板（プレート）に例えることができ、格納構造３６６はコンデンサの第２極板に例えることができ、負荷３６４、障壁３６２、及びキャビティ３６０内の空気はコンデンサの誘電体に例えることができる。従って、本明細書では第１電極３４０を代わりに「陽極（アノード）」と称することがあり、本明細書では格納構造３６６を代わりに「陰極（カソード）」と称することがある。
基本的に、第１電極３４０と格納構造３６６との間の電圧がキャビティ３６０内の負荷３６４を加熱する。種々の実施形態によれば、一実施形態では、ＲＦサブシステム３１０はＲＦ信号を発生して電極３４０と格納構造３６６との間に約９０ボルト〜約３，０００ボルトの範囲内の電圧を発生するように構成され、あるいは他の実施形態では、約３，０００ボルト〜約１０，０００ボルトの範囲内の電圧を発生するように構成されているが、上記システムは、より低い電圧またはより高い電圧を電極３４０と格納構造３６６との間に生成するように構成することもできる。
一実施形態では、第１電極３４０は、第１整合回路３３４、可変インピーダンス整合回路網３７０、及び導体伝送経路を通してＲＦ信号源３２０に電気結合されている。第１整合回路３３４は、ＲＦ信号源３２０のインピーダンス（例えば、１０オーム未満）から中間インピーダンス（例えば、５０オーム、７５オーム、または他の何らかの値）へのインピーダンス変換を実行するように構成されている。一実施形態によれば、導体伝送経路は、直列に接続された複数の導体３２８−１、３２８−２、及び３２８−３を含み、これらの導体を集合的に伝送経路３２８と称する。一実施形態によれば、導体伝送経路３２８は「不平衡な」経路であり、不平衡ＲＦ信号（即ち、接地を基準とする単一のＲＦ信号）を伝えるように構成されている。一部の実施形態では、１つ以上のコネクタ（図示しないが、各々がオス及びメスのコネクタ部分を有する）を伝送経路３２８上に電気結合することができ、伝送経路３２８におけるこれらのコネクタ間の部分は同軸ケーブルまたは他の適切なコネクタを具えることができる。こうした接続を図７に示して後に説明する（例えば、コネクタ７３６、７３８、及びコネクタ７３６、７３８間の同軸ケーブルのような導体７２８−３を含む）。
後により詳細に説明するように、可変インピーダンス整合回路３７０は、上記の中間インピーダンスから、負荷３６４によって（例えば、約１０００オーム〜約４０００オーム以上のような何百または何千オームのオーダーで）変化した解凍キャビティ３２０の入力インピーダンスへのインピーダンス変換を実行するように構成されている。一実施形態では、可変インピーダンス整合回路網３７０が受動構成部品（例えば、インダクタ、コンデンサ、抵抗器）の回路網を含む。
１つ以上の特定実施形態によれば、可変インピーダンス整合回路網３７０は、複数の固定値の集中インダクタ（集中定数のインダクタ）（例えば、インダクタ４１２〜４１６（図４Ａ））を含み、これらのインダクタはキャビティ３６０内に配置され、第１電極３４０に電気結合されている。それに加えて、可変インピーダンス整合回路網３７０は複数の可変インダクタンス回路網（例えば、回路網４１０、４１１、５００（図４Ａ、５Ａ））を含み、これらの回路網はキャビティ３６０の内部にも外部にも配置することができる。他のより具体的な実施形態によれば、可変インピーダンス整合回路３７０は複数の可変容量回路網（例えば、回路網４４２、４４６、５４０（図４Ａ、５Ａ））を含み、これらの回路網はキャビティ３６０の内部にも外部にも配置することができる。可変インダクタンス回路網または可変容量回路網の各々によって提供されるインダクタンス値または容量値は、システム・コントローラ３１２からの制御信号を用いて規定され、これについては後により詳細に説明する。いずれにせよ、可変インピーダンス整合回路網３７０の状態を、解凍動作の経過と共に、常に変化するキャビティ＋負荷のインピーダンスに動的に整合するように変化させることによって、解凍動作中の負荷インピーダンスの変動にかかわらず、負荷３６４によって吸収されるＲＦ電力の量を高いレベルに維持することができる。
一実施形態によれば、ＲＦ信号源３２６がＲＦ信号発生器及び（例えば、１つ以上の電力増幅段３２４、３２５を含む）電力増幅器を含む。システム・コントローラ３１２によって接続部３１４を通して供給される制御信号に応答して、ＲＦ信号発生器３２２は、ＩＳＭ（industrial, scientific, and medical：工業、科学、医療用）帯域内の周波数を有する振動電気信号を生成するように構成されているが、他の周波数帯域の動作をサポートするようにシステムを修正することもできる。種々の実施形態では、異なる電力レベル及び／または異なる周波数の振動信号を生成するように信号発生器３２２を制御することができる。例えば、ＲＦ信号発生器３２２は、約１０．０メガヘルツ（MHz）〜約１００MHzの範囲内、及び／または約１００MHzから約３．０ギガヘルツ（GHz）までの範囲内で振動する信号を生成することができる。いくつかの望ましい周波数は、例えば１３．５６MHz（+/-５パーセント）、２７．１２５MHz（+/-５パーセント）、４０．６８MHz（+/-５パーセント）、及び２．４５MHz（+/-５パーセント）とすることができる。１つの特定実施形態では、例えば、ＲＦ信号発生器３２２が、約４０．６６MHz〜約４０．７０MHzの範囲内で振動する信号を、約１０デシベル・ミリワット（dBm）〜約１５dBmの範囲内の電力レベルで生成することができる。その代わりに、振動の周波数及び／または電力レベルはより低くすることもより高くすることもできる。
図３の実施形態では、上記電力増幅器が駆動増幅段３２４及び最終増幅段３２５を含む。上記電力増幅器は、ＲＦ信号発生器３２２から振動信号を受信し、この信号を増幅して大幅に高い電力の信号を電力増幅器の出力端子に生成するように構成されている。例えば、出力信号は、約１００ワット〜約４００ワット以上の範囲内の電力レベルを有することができる。上記電力増幅器によって加えられるゲイン（利得）は、電源兼バイアス回路３２６によって各増幅段３２４、３２５の各々に供給されるゲートバイアス電圧及び／またはドレイン電源電圧を用いて制御することができる。より具体的には、電源兼バイアス回路３２６は、システム・コントローラ３１２から受信した制御信号に従って、バイアス電圧及び電源電圧を各ＲＦ増幅段３２４、３２５に供給する。
一実施形態では、各増幅段３２４、３２５が、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：field effect transistor）のようなパワートランジスタとして実現され、このパワートランジスタは、入力端子（例えば、ゲートまたは制御端子）及び２つの電流搬送端子（例えば、ソース端子及びドレイン端子）を有する。種々の実施形態では、インピーダンス整合回路（図示せず）を、駆動増幅段３２４の入力（ゲート）端子に、駆動増幅段と最終増幅段３２５との間に、及び／または最終増幅段３２５の出力（例えば、ドレイン）端子に結合することができる。一実施形態では、増幅段３２４、３２５の各トランジスタが横方向拡散金属酸化物半導体ＦＥＴ（ＬＤＭＯＳＦＥＴ：laterally diffused metal oxide semiconductor FET）トランジスタを含む。しかし、これらのトランジスタはいずれの特定の半導体技術に限定されることも意図しておらず、他の実施形態では、各トランジスタは、窒化ガリウム（GaN）トランジスタ、他の種類のＭＯＳＦＥＴトランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：bipolar junction transistor）、または他の半導体技術を利用したトランジスタとして実現することができる。
図３には、電力増幅装置を、他の回路構成要素に特定の方法で結合された２つの増幅段３２４、３２５を含むように示している。他の実施形態では、電力増幅装置が他の増幅トポロジを含むことができ、及び／または、この増幅装置が（例えば、増幅器７２４（図７）の実施形態中に示すように）１つの増幅段のみ、あるいは３つ以上の増幅段を含むことができる。例えば、この電力増幅装置は、シングルエンド増幅器、ドハティ（Doherty）増幅器、スイッチモード電力増幅器（ＳＭＰＡ：Switch Mode Power Amplifier）、または他の種類の増幅器を含むことができる。
解凍キャビティ３６０、及び解凍キャビティ３６０内に配置されたあらゆる負荷（例えば、食品、液体、等）は、電極３４０によってキャビティ３６０内に放射される電磁エネルギー（またはＲＦ電力）に累積的な負荷をもたらす。より具体的には、キャビティ３６０及び負荷３６４はあるインピーダンスをシステムにもたらし、本明細書では「キャビティ＋負荷のインピーダンス」と称する。キャビティ＋負荷のインピーダンスは、解凍動作中に、負荷３６４の温度が増加するに連れて変化する。キャビティ＋負荷のインピーダンスは、ＲＦ信号源３２０と電極３４０との間の導体伝送経路３２８に沿った反射信号電力の大きさに直接的影響を与える。大部分の場合、導体伝送経路３２８に沿ってキャビティ３６０内へ伝達される信号電力の大きさを最大にすること、及び／または導体伝送経路３２８に沿った反射信号対順方向信号の電力比を最小にすることが望ましい。
一実施形態では、ＲＦ信号発生器３２０の出力インピーダンスを、キャビティ＋負荷のインピーダンスに少なくとも部分的に整合させるために、第１整合回路３３４が伝送経路３２８上に電気結合されている。第１整合回路３３４は、種々の構成のいずれをも有することができる。一実施形態によれば、第１整合回路３３４が固定の構成部品（即ち、可変でない要素値を有する構成部品）を含むが、他の実施形態では、第１整合回路３３４が１つ以上の可変の構成部品を含むことができる。例えば、種々の実施形態では、第１整合回路３３４は、インダクタンス／キャパシタンス（ＬＣ）回路網、直列インダクタンス回路網、分路（シャント）インダクタンス回路網、あるいはバンドパス（帯域通過）、ハイパス（高域通過）、及びローパス（低域通過）回路の組合せ、から選択した任意の１つ以上の回路を含むことができる。基本的に、固定の整合回路３３４は、ＲＦ信号発生器３２０の出力インピーダンスとキャビティ＋負荷のインピーダンスとの間の中間的レベルまでインピーダンスを上昇させるように構成されている。
図１５に関連して後に説明するように、多数の食品負荷のインピーダンスは、その食品負荷が凍結状態から解凍状態に変化する間に、温度に対して幾分予測可能な様式で変化する。一実施形態によれば、電力検出回路３３０からの反射電力測定値（及び一部の実施形態では順方向電力測定値）に基づいて、システム・コントローラ３１２は、負荷３６４が摂氏０°に近づきつつあることをキャビティ＋負荷のインピーダンスの変化率が示す解凍動作中の時点を識別するように構成され、この時点で、システム・コントローラ３１２は解凍動作を終了することができる。
一実施形態によれば、電力検出回路３３０が、伝送経路３２８上の、ＲＦ信号源３２０の出力端子と電極３４０との間に結合されている。特定実施形態では、電力検出回路３３０がＲＦサブシステム３１０の一部分を形成し、一実施形態では、電力検出回路３３０が、第１整合回路３３４の出力端子と可変インピーダンス整合回路網３７０の入力端子との間の導体３２８−２に結合されている。代案の実施形態では、電力検出回路３３０を、ＲＦ信号源３２０の出力端子と第１整合回路３３４の入力端子との間にある伝送経路３２８の一部分３２８−１に結合することができ、あるいは、可変インピーダンス整合回路網３７０の出力端子と第１電極３４０との間にある伝送経路３２８の一部分３２８−３に結合することができる。
電力検出回路３３０は、どこに結合されても、ＲＦ信号源３２０と電極３４０との間の伝送経路３２８に沿って進む反射信号（即ち、電極３４０からＲＦ信号源３２０に向かう方向に進む反射ＲＦ信号）の電力を監視し、測定し、さもなければ検出するように構成されている。一部の実施形態では、電力検出回路３３０は、ＲＦ信号源３２０と電極３４０との間の伝送経路３２８に沿って進む順方向信号（即ち、ＲＦ信号源３２０から電極３４０に向かう方向に進む順方向ＲＦ信号）の電力を検出するようにも構成されている。接続部３３２を通して、電力検出回路３３０は、反射信号電力（及び一部の実施形態では順方向信号電力）の大きさをシステム・コントローラ３１２に伝える信号を、システム・コントローラ３１２に供給する。順方向信号電力の大きさ及び反射信号電力の大きさを共に伝える実施形態では、システム・コントローラ３１２は、反射信号電力対順方向信号電力の比率、またはＳ１１パラメータを計算することができる。以下でより詳細に説明するように、反射信号電力の大きさが反射信号電力の閾値を超えると、あるいは反射信号電力対順方向信号電力の比率がＳ１１パラメータの閾値を超えると、このことは、システム３００がキャビティ＋負荷のインピーダンスに十分に整合していないこと、及びキャビティ３６０内の負荷３６４によるエネルギー吸収が準最適であり得ることを示す。こうした状況では、システム・コントローラ３１２は、反射信号電力またはＳ１１パラメータを所望レベルに向けて、あるいは所望レベル未満に（例えば、反射信号電力の閾値及び／または反射信号電力対順方向信号電力の比率の閾値未満に）追い込むように、可変整合回路網３７０の状態を変化させるプロセスを調整し、これにより、許容可能な整合を再確立し、負荷３６４によるより最適なエネルギー吸収を促進する。
より具体的には、システム・コントローラ３１２は、制御信号を、制御経路３１６を通して可変整合回路３７０に供給することができ、これらの制御信号は、可変整合回路３７０に、回路内の１つ以上の構成部品のインダクタンス値、容量値、及び／または抵抗値を変化させ、これにより、回路３７０によって行われるインピーダンス変換を調整する。可変整合回路３７０の設定を調整することは、反射信号電力の大きさを所望通りに減少させ、このことは、Ｓ１１パラメータの大きさを減少させて負荷３６４によって吸収される電力を増加させることに相当する。
上述したように、解凍キャビティ３６０＋負荷３６４の入力インピーダンスに整合するように可変インピーダンス整合回路網３７０を用いて、負荷３６４内へのＲＦ電力伝達を可能な範囲で最大にする。解凍キャビティ３６０及び負荷３６４の初期インピーダンスは、解凍動作の開始時には正確に知ることができないことがある。さらに、負荷３６４のインピーダンスは、解凍動作中に、負荷３６４が加温されるに連れて変化する。一実施形態によれば、システム・コントローラ３１２は制御信号を可変インピーダンス整合回路網３７０に供給することができ、これらの制御信号は、可変インピーダンス整合回路網３７０の状態の変化を生じさせる。このことは、システム・コントローラ３１２が、解凍動作の開始時に可変インピーダンス整合回路網３７０の初期状態を確立することを可能にし、解凍動作の開始時には、反射電力対順方向電力の比率が比較的低く、従って負荷３６４によるＲＦ電力の吸収が比較的高い。それに加えて、このことは、システム・コントローラ３１２が、負荷３６４のインピーダンスの変化にかかわらず解凍動作全体を通して十分な整合を維持することができるように、可変インピーダンス整合回路網３７０の状態を変化させることを可能にする。
可変整合回路網３７０用の構成の非限定的な例を図４Ａ、４Ｂ、５Ａ、及び５Ｂに示す。例えば、種々の実施形態では、回路網３７０は、インダクタンス／容量（ＬＣ）回路網、インダクタンスのみの回路網、容量のみの回路網、あるいはバンドパス、ハイパス、及びローパス回路の組合せから選択した任意の１つ以上の回路を含むことができる。一実施形態では、可変整合回路網３７０がシングルエンド回路網（例えば、回路網４００、４４０（図４Ａ、４Ｂ））を含む。可変インピーダンス整合回路網によって提供されるインダクタンス、容量、及び／または抵抗の値は、回路網３７０によって行われるインピーダンス変換に影響を与え、システム・コントローラ３１２からの制御信号を用いて確立され、これについては後により詳細に説明する。いずれにせよ、可変整合回路網３７０の状態を、解凍動作の経過と共に、常に変化するキャビティ３６０＋キャビティ３６０内の負荷３６４のインピーダンスに動的に整合するように変化させることによって、解凍動作全体を通してシステムを効率的に高いレベルに維持することができる。
可変整合回路網３７０は、多種多様な回路構成のいずれを有することもでき、こうした構成の非限定的な例を図４Ａ、４Ｂ、５Ａ、及び５Ｂに示す。一実施形態によれば、図４Ａ及び５Ａに例示するように、可変インピーダンス整合回路網３７０は、受動構成部品のシングルエンド回路網を含むことができ、より具体的には、固定値のインダクタ（例えば、集中誘導性構成部品）及び可変インダクタ（または可変インダクタンス回路網）を含むことができる。他の実施形態によれば、図４Ｂ及び５Ｂに例示するように、可変インピーダンス整合回路網３７０は受動構成部品のシングルエンド回路網を含むことができ、より具体的には、可変コンデンサの回路網（または可変容量回路網）を含むことができる。本明細書中に用いる「インダクタ」とは、ディスクリート（個別部品の）インダクタ、あるいは介在する他の種類の構成部品（例えば、抵抗器またはコンデンサ）なしに互いに電気結合された一組のインダクタ構成部品を意味する。同様に、「コンデンサ」とは、ディスクリートのコンデンサ、あるいは介在する他の種類の構成部品（例えば、抵抗器またはインダクタ）なしに互いに電気結合された一組の容量性構成部品を意味する。
まず、可変インダクタンスのインピーダンス整合回路網の実施形態を参照すれば、図４Ａは、一実施解体によるシングルエンド可変インピーダンス整合回路網４００（例えば、可変インピーダンス整合回路網３７０（図３））の概略図である。以下でより詳細に説明するように、可変インピーダンス整合回路網３７０は基本的に次の２つの部分を有する：１つの部分はＲＦ信号源（または電力増幅器の最終段）に整合し；他の部分はキャビティ＋負荷に整合する。
一実施形態によれば、可変インピーダンス整合回路網４００は、入力ノード４０２、出力ノード４０４、第１及び第２可変インダクタンス回路網４１０、４１１、及び複数の固定値のインダクタ４１２〜４１５を含む。解凍システム（例えば、システム３００（図３））に内蔵されると、入力ノード４０２はＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０（図３））の出力端子に電気結合され、出力ノード４０４は解凍キャビティ（例えば、解凍キャビティ３６０（図３））内の電極（例えば、第１電極３４０（図３））に電気結合される。
一実施形態では、入力ノード４０２と出力ノード４０４との間の可変インピーダンス整合回路網４００が、直列結合された第１及び第２集中インダクタ４１２、４１４を含む。一実施形態では、第１及び第２集中インダクタ４１２、４１４はサイズ及びインダクタンス値が共に比較的大きい、というのは、これらのインダクタは比較的低い周波数（例えば、約４０．６６MHz〜約４０．７０MHz）及び比較的大きい電力（例えば、約５０ワット（W）〜約５００W）の動作用に設計することができるからである。例えば、インダクタ４１２、４１４が約２００ナノヘンリー（nH）〜約６００nHの範囲内の値を有することができるが、他の実施形態では、それらの値をより低くすること、及び／またはより高くすることができる。
第１可変インダクタンス回路網４１０は第１の分路インダクタンス回路網であり、入力ノード４０２と接地基準端子（例えば、接地された格納構造３６６（図３））との間に結合されている。一実施形態によれば、第１可変インダクタンス回路網４１０は、第１整合回路（例えば、回路３３４（図３））によって変化したＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０（図３））のインピーダンスに整合するように構成可能であり、あるいは、より具体的には、第１整合回路（例えば、回路３３４（図３））によって変化した第１段の電力増幅器（例えば、増幅器３２５（図３））のインピーダンスに整合するように構成可能である。従って、第１可変インダクタンス回路網４１０は、可変インピーダンス整合回路網４００の「ＲＦ信号源整合部分」と称することができる。一実施形態によれば、そして図５に関連してより詳細に説明するように、第１可変インダクタンス回路網４１０は誘導性構成部品の回路網を含み、これらの誘導性構成部品どうしを選択的に結合して約１０nH〜約４００nHの範囲内のインダクタンスを提供することができるが、この範囲はより低いインダクタンス値またはより高いインダクタンス値へ拡張することもできる。
これとは対照的に、可変インピーダンス整合回路網４００の「キャビティ整合部分」は第２の分路インダクタンス回路網４１６によって提供され、第２の分路インダクタンス回路網４１６は、第１及び第２集中インダクタ４１２、４１４と接地基準端子との間に結合されている。一実施形態によれば、第２の分路インダクタンス回路網４１６は、直列結合された第３集中インダクタ４１３及び第２可変インダクタンス回路網４１１を含み、第３集中インダクタ４１３と第２可変インダクタンス回路網４１１との間に中間ノード４２２を有する。第２可変インダクタンス回路網４１１の状態を変化させて複数のインダクタンス値を提供することができるので、第２の分路インダクタンス回路網４１６は、キャビティ＋負荷（例えば、キャビティ３６０＋負荷３６４（図３））のインピーダンスに整合するように構成可能である。例えば、インダクタ４１３は、約４００nH〜約８００nHの範囲内の値を有することができるが、他の実施形態では、その値をより低くすること及び／またはより高くすることができる。一実施形態によれば、そして図５に関連してより詳細に説明するように、第２可変インダクタンス回路網４１１は誘導性構成部品の回路網を含み、これらの誘導性構成部品どうしを選択的に結合して約５０nH〜約８００nHの範囲内のインダクタンスを提供することができるが、この範囲はより低いインダクタンス値またはより高いインダクタンス値へ拡張することもできる。
最後に、可変インピーダンス整合回路網４００は、出力ノード４０４と接地基準端子との間に結合された第４集中インダクタ４１５を含む。例えば、インダクタ４１５は約４００nH〜約８００nHの範囲内の値を有することができるが、他の実施形態では、その値をより低くすること、及び／またはより高くすることができる。
図１２Ａに関連してより詳細に説明するように、集中インダクタ４１２〜４１５の集合４３０は、少なくとも部分的にキャビティ（例えば、キャビティ３６０（図３））内に物理的に配置された、あるいは少なくとも格納構造（例えば、格納構造３６６（図３））の境界内にあるモジュールの一部分を形成することができる。このことは、集中インダクタ４１２〜４１５によって生成される放射が、周囲環境内へ外部放射されるのではなく、システム内に安全に包含されることを可能にする。これとは対照的に、種々の実施形態では、可変インダクタンス回路網４１０、４１１はキャビティまたは格納構造内に含めることも含めないこともできる。
一実施形態では、図４Ａの可変インピーダンス整合回路網４００の実施形態が「インダクタのみ」を含んで、解凍キャビティ３６０＋負荷３６４の入力インピーダンスの整合を行う。従って、回路網４００は「インダクタのみ」の整合回路網と考えることができる。本明細書中に用いる「インダクタのみ」または「インダクタだけ」は、可変インピーダンス整合回路網の構成部品を記述する際には、この回路網が有意な抵抗値を有するディスクリート抵抗器、または有意な容量値を有するディスクリート・コンデンサを含まないことを意味する。一部の場合には、上記整合回路網の構成部品間の導体伝送線が最小の抵抗を有することができ、及び／または、最小の寄生容量が回路網内に存在することができる。こうした最小の抵抗及び／または最小の寄生容量は、「インダクタのみ」の回路網の実施形態を、抵抗器及び／またはコンデンサも含む整合回路網に変換するものとして解釈するべきでない。しかし、可変インピーダンス整合回路網が、異なるように構成されたインダクタのみの整合回路、及び、ディスクリート・インダクタ、ディスクリート・コンデンサ、及び／またはディスクリート抵抗器の組合せを含む整合回路網を含むことができることは、当業者の理解する所である。図６に関連してより詳細に説明するように、「インダクタのみ」の整合回路網は、その代わりに、誘導性構成部品を専ら、あるいは主として用いて容量性負荷のインピーダンス整合を可能にする整合回路網として定義することができる。
図５Ａは、一実施形態による可変インダクタンス回路網５００の概略図であり、可変インダクタンス回路網５００は可変インピーダンス整合回路（例えば、可変インピーダンス整合回路４１０及び／または４１１（図４Ａ））に内蔵することができる。回路網５００は、入力ノード５３０、出力ノード５３２、及び複数Ｎ個のディスクリート・インダクタ５０１〜５０４を含み、ディスクリート・インダクタ５０１〜５０４は入力ノード５３０と出力ノード５３２との間に互いに直列に結合され、ここのＮは２〜１０以上の整数とすることができる。それに加えて、回路網５００は複数Ｎ個のバイパススイッチ５１１〜５１４を含み、各スイッチ５１１〜５１４は、インダクタ５０１〜５０４のうちの１つの端子間に並列に結合されている。スイッチ５１１〜５１４は、例えば、トランジスタ、機械式リレー、または機械スイッチとして実現することができる。各スイッチ５１１〜５１４の導通状態（即ち、開または閉）は、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２（図３））からの制御信号５２１〜５２４により制御される。
インダクタ／スイッチの並列結合毎に、（インダクタに）対応するスイッチが開または非導通状態である際には、ほとんど全部の電流がインダクタを通って流れ、スイッチが閉または導通状態である際には、ほとんど全部の電流がスイッチを通って流れる。例えば、図５Ａに示すように全部のスイッチ５１１〜５１４が開である際には、入力ノード５３０と出力ノード５３２との間を流れる電流のほとんど全部が直列のインダクタ５０１〜５０４を通って流れる。この構成は、回路網５００の最大インダクタンス状態（即ち、入力ノード５３０と出力ノード５３２との間に最大のインダクタンス値が存在する回路網５００の状態）を表す。逆に、全部のスイッチ５１１〜５１４が閉である際には、入力ノード５３０と出力ノード５３２との間を流れる電流のほとんど全部が、その代わりに、インダクタ５０１〜５０４をバイパス（迂回）してスイッチ５１１〜５１４、及びノード５３０、５３２とスイッチ５１１〜５１４との間の導体相互接続部を通って流れる。この構成は、回路網５００の最小インダクタンス状態（即ち、最小のインダクタンス値が入力ノード５３０と出力ノード５３２との間に存在する回路網５００の状態）を表す。しかし、実際には、最小インダクタンス状態では、スイッチ５１１〜５１４、及びノード５３０、５３２とスイッチ５１１〜５１４との間の導体相互接続部の累積インダクタンスに起因する「微量の」インダクタンスが存在する。例えば、最小インダクタンス状態では、可変インダクタンス回路網５００における微量インダクタンスは約１０nH〜約５０nHの範囲内であり得るが、微量インダクタンスはより小さくもより大きくもなり得る。より大きい、任意の所定の回路網状態における微量インダクタンスが、回路網５００を通る電流を主に伝える一連の導体及びスイッチのインダクタンスの総和である場合に、より小さい、あるいはほぼ同様の微量インダクタンスは、他の回路網状態の各々に特有のものとすることもできる。
全部のスイッチ５１１〜５１４が開である最大インダクタンス状態から始まって、システム・コントローラは制御信号５２１〜５２４を供給し、これらの信号は、スイッチ５１１〜５１４の任意の組合せの閉状態を生じさせて、対応するインダクタ５０１〜５０４の組合せをバイパスさせることによって回路網５００のインダクタンスを低減することができる。一実施形態では、各インダクタ５０１〜５０４がほぼ同じインダクタンス値を有し、本明細書では正規化値Ｉと称する。例えば、各インダクタ５０１〜５０４は、約１０mH〜約２００mHの範囲内の値、あるいは他の何らかの値を有することができる。こうした実施形態では、回路網５００における最大（即ち、全部のスイッチ５１１〜５１４が開状態である際の）インダクタンス値は、約Ｎ×Ｉ＋（回路網５００が最大インダクタンス状態にある際に回路網５００内に存在し得るあらゆる微量インダクタンス）になる。任意のｎ個のスイッチが閉状態である際には、回路網５００におけるインダクタンス値が約(Ｎ−ｎ)×Ｉ（＋微量インダクタンス）になる。こうした実施形態では、回路網５００の状態は、Ｎ＋１通りのインダクタンス値のいずれかを有するように構成することができる。
代案実施形態では、インダクタ５０１〜５０４が互いに異なる値を有することができる。例えば、入力ノード５３０から出力ノード５３２に向かって移動すれば、第１インダクタ５０１は正規化インダクタンス値Ｉを有することができ、系列内で後続する各インダクタ５０２〜５０４はより大きい、あるいはより小さいインダクタンス値を有することができる。例えば、後続する各インダクタ５０２〜５０４は、上流の直近のインダクタ５０１〜５０３のインダクタンス値の倍数である（例えば、約２倍の）インダクタンス値を有することができるが、その差は必ずしも整数倍である必要はない。こうした実施形態では、回路網５００の状態は２N通りのインダクタンス値のいずれかを有するように設定することができる。例えば、Ｎ＝４であり、各インダクタ５０１〜５０４が異なる値を有する際には、回路網５００は１６通りのインダクタンス値のいずれかを有するように設定することができる。例えば、限定目的ではないが、インダクタ５０１がＩの値を有するものと仮定すれば、インダクタ５０２は２×Ｉの値を有し、インダクタ５０３は４×Ｉの値を有し、インダクタ５０４は８×Ｉの値を有する。以下の表１は、回路網５００がとり得る１６通りの状態の全部についての合計インダクタンス値を示す（微量インダクタンスは考慮しない）：
再び図４Ａを参照すれば、可変インダクタンス回路網４１０の実施形態を、上述した例の特性を有する（即ち、Ｎ＝４であり、後続する各インダクタは先行するインダクタの約２倍のインダクタンスを有する）可変インダクタンス回路網５００の形式で実現することができる。最小インダクタンス状態における微量インダクタンスが約１０mHであるものと仮定し、回路網４１０によって実現可能なインダクタンス値の範囲が約１０nH（微量インダクタンス）〜約４００nHであるものと仮定すれば、インダクタ５０１〜５０４の値はそれぞれ、例えば約３０nH、約５０nH、約１００nH、及び約２００nHとすることができる。同様に、可変インダクタンス回路網４１１の実施形態を同じ方法で実現する場合、そして、微量インダクタンスが約５０nHであり、回路網４１１によって実現可能なインダクタンス値の範囲が約５０nH（微量インダクタンス）〜約８００nHであるものと仮定すれば、インダクタ５０１〜５０４の値はそれぞれ、例えば約５０nH、約１００nH、約２００nH、及び約４００nHとすることができる。もちろん、４つのインダクタ５０１〜５０４よりも多数または少数のインダクタを、可変インダクタンス回路網４１０、４１１のいずれにも含めることができ、各回路網４１０、４１１内のインダクタは異なる値を有することができる。
上記の実施形態は、回路網５００内のスイッチ付きインダクタンスの数が４に等しいこと、及び各インダクタ５０１〜５０４がＩの何らかの倍数である値を有することを規定しているが、可変インダクタンス回路網の代案実施形態は、４つよりも多数または少数のインダクタ、インダクタの異なる相対値、異なる数の可能な回路網状態、及び／または異なるインダクタの構成（例えば、異なるように接続された、並列及び／または直列結合されたインダクタの組）を有することができる。どちらにしても、可変インダクタンス回路網を解凍システムのインピーダンス整合回路網内に設けることによって、解凍システムは、解凍動作中に存在する常に変化するキャビティの入力インピーダンスにより良好に整合することができる。
図４Ｂは、一実施形態によるシングルエンド可変容量整合回路網４４０（例えば、可変インピーダンス整合回路網３７０（図３））の概略図であり、シングルエンド可変容量整合回路網４４０は、可変インダクタンスのインピーダンス整合回路網４００の代わりに実現することができる。一実施形態によれば、可変インピーダンス整合回路４４０は、入力ノード４０２、出力ノード４０４、第１及び第２可変容量回路網４４２、４４６、及び少なくとも１つのインダクタ４５４を含む。解凍システム（例えば、システム３００（図３））に内蔵されると、入力ノード４０２はＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０（図３））の出力端子に電気結合され、出力ノード４０４は、解凍キャビティ（例えば、解凍キャビティ３６０（図３））内の電極（例えば、第１電極３４０（図３））に電気結合される。
一実施形態では、入力ノード４０２と出力ノード４０４との間の可変インピーダンス整合回路網４４０が、インダクタ４５４に直列に結合された第１可変容量回路網４４２、及び中間ノード４５１と接地基準端子（例えば、接地された格納構造３６６（図３））との間に結合された第２可変容量回路網４４６を含む。一実施形態では、インダクタ４５４は、比較的低い周波数（例えば、約４０．６６MHz〜約４０．７０MHz）及び比較的大きい電力（例えば、約５０W〜約５００W）の動作用に設計することができる。例えば、インダクタ４５４は約２００nH〜約６００nHの範囲内の値を有することができるが、他の実施形態では、その値をより低くすること及び／またはより高くすることができる。一実施形態によれば、インダクタ４５４は固定値の集中インダクタ（例えば、コイル）である。他の実施形態では、インダクタ４５４のインダクタンス値を可変にすることができる。
第１可変容量回路網４４２は入力ノード４０２と中間ノード４５１との間に結合され、第１可変容量回路網４４２は、可変インピーダンス整合回路網４４０の「ＲＦ信号源整合部分」と称することができる。一実施形態によれば、第１可変容量回路網４４２は、第１可変コンデンサ４４４に並列に結合された第１固定値コンデンサ４４３を含む。一実施形態では、第１固定値コンデンサ４４３が約１ピコファラッド（pF）〜約１００pFの容量を有することができる。図５Ｂに関連してより詳細に説明するように、第１可変コンデンサ４４４は容量性構成部品の回路網を含むことができ、これらの容量性構成部品どうしを選択的に結合して０pF〜約１００pFの範囲内の容量を提供することができる。従って、第１可変容量回路網４４２によって提供される合計容量値は約１pF〜約２００pFの範囲内にすることができるが、この範囲はより低い容量値またはより高い容量値へ拡張することもできる。
可変インピーダンス整合回路網４４０の「分路整合部分」は第２可変容量回路網４４６によって提供され、第２可変容量回路網４４６は、（第１可変容量回路網４４２と集中インダクタ４５４との間に配置された）ノード４５１と接地基準端子との間に結合されている。一実施形態によれば、第２可変容量回路網４４６は、第２可変コンデンサ４４８に並列に結合された第２固定値コンデンサ４４７を含む。第２固定値コンデンサ４４７は約１pF〜約１００pFの範囲内の容量値を有することができる。図５Ｂに関連してより詳細に説明するように、第２可変コンデンサ４４８は容量性構成部品の回路網を含むことができ、これらの容量性構成部品どうしを選択的に結合して０pF〜約１００pFの範囲内の容量を提供することができる。従って、第２可変容量回路網４４６によって提供される合計容量値は約１pF〜約２００pFの範囲内にすることができるが、この範囲はより低い容量値またはより高い容量値へ拡張することもできる。第１及び第２可変容量回路網４４２、４４６の状態を変化させて複数の静電容量値を提供することができ、従って、これらの状態は、キャビティ＋負荷（例えば、キャビティ３６０＋負荷３６４、図３）のインピーダンスをＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、図３）に最適に整合させるように設定可能にすることができる。
図５Ｂは、一実施形態によるシングルエンド可変容量回路網５４０の概略図であり、シングルエンド可変容量回路網５４０は可変インピーダンス整合回路網に（例えば、可変コンデンサ４４４、４４８（図４Ｂ）の例毎に）内蔵することができる。回路網５４０は、入力ノード５３１、出力ノード５３３、及び複数Ｎ個のディスクリート・コンデンサ５４１〜５４４を含み、これらのディスクリート・コンデンサは入力ノード５３１と出力ノード５３３との間に互いに並列に結合され、ここにＮは２〜１０以上の整数とすることができる。それに加えて、回路網５４０は複数Ｎ個のバイパススイッチ５５１〜５５４を含み、各スイッチ５５１〜５５４はコンデンサ５４１〜５４４のうちの１つの一方の端子に直列に結合されている。スイッチ５５１〜５５４は、例えば、トランジスタ、機械式リレー、または機械スイッチとして実現することができる。各スイッチ５５１〜５５４の導通状態（即ち、開または閉）は、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２（図３））からの制御信号５６１〜５６４により制御される。図５Ｂに示す実施形態では、並列結合された各分岐内で、単一のスイッチが各コンデンサの一方の端子に接続され、スイッチが結合される方の端子は、一連の並列結合されたコンデンサ５４１〜５４４を通して見れば（例えば、コンデンサ５４１及び５４３では）下側の端子と（例えば、コンデンサ５４２及び５４４では）上側の端子との間で交互する。代案実施形態では、スイッチが結合される方の端子を、回路網全体を通して同じにすることができ（例えば、各スイッチは、並列結合された各分岐内の上側端子または下側端子（の一方）に結合されるが、その両方には結合されない）あるいは、２つのスイッチを、並列結合された各分岐内の上側及び下側端子の両方に結合することができる。後者の実施形態では、各コンデンサに結合された２つのスイッチを同期された様式で制御して開閉することができる。
図示する実施形態では、各コンデンサ／スイッチの直列結合毎に、当該コンデンサに対応するスイッチが閉または導通状態である際には、ほとんど全部の電流がコンデンサを通って流れ、当該スイッチが開または非導通状態である際には、コンデンサを通って流れる電流はほぼ０である。例えば、図５Ｂに示すように全部のスイッチ５５１〜５５４が閉である際には、入力ノード５３１と出力ノード５３３との間を流れる電流のほとんど全部がコンデンサ５４１〜５４４の並列結合を通って流れる。この構成は、回路網５４０の最大容量状態（即ち、最大の容量値が入力ノード５３１と出力ノード５３３との間に存在する回路網５４０の状態）を表す。逆に、全部のスイッチ５５１〜５５４が開である際には、入力ノード５３１と出力ノード５３３との間を流れる電流はほぼ０である。この構成は、回路網５４０の最小容量状態（即ち、入力ノード５３１と出力ノード５３３との間に最小の容量値が存在する状態）を表す。
全部のスイッチ５５１〜５５４が閉である最大容量状態から始まって、システム・コントローラは制御信号５６１〜５６４を供給し、これらの制御信号は、スイッチ５５１〜５５４の任意の組合せの開状態を生じさせて、対応するコンデンサ５４１から５４４の組合せを切り離すことによって回路網５４０の容量を低減することができる。一実施形態では、各コンデンサ５４１〜５４４がほぼ同じ容量値を有し、本明細書では正規化値Ｊと称する。例えば、各コンデンサ５４１〜５４４は、約１pF〜約２５pFの範囲内の値、あるいは他の何らかの値を有することができる。こうした実施形態では、回路網５４０における最大（即ち、全部のスイッチ５５１〜５５４が閉状態である際の）容量値は約Ｎ×Ｊになる。任意のｎ個のスイッチが開状態である際には、回路網５４０における容量値が約(Ｎ−ｎ)×Ｊになる。こうした実施形態では、回路網５４０の状態はＮ＋１通りの容量値のいずれかを有するように設定することができる。
代案実施形態では、コンデンサ５４１〜５４４が互いに異なる値を有することができる。例えば、入力ノード５３１から出力ノード５３３に向かって移動すれば、第１コンデンサ５４１は正規化容量値Ｊを有することができ、系列内で後続する各コンデンサ５４２〜５４４は、より大きい、あるいはより小さい容量値を有することができる。例えば、後続する各コンデンサ５４２〜５４４は、上流の直近のコンデンサ５４１〜５４３の容量値の倍数である（例えば、約２倍の）容量値を有することができるが、その差は必ずしも整数倍である必要はない。こうした実施形態では、回路網５４０の状態は２N通りの容量値のいずれかを有するように設定することができる。例えば、Ｎ＝４であり、各コンデンサ５４１〜５４４が異なる値を有する際には、回路網５４０は１６通りの容量値のいずれかを有するように設定することができる。例えば、限定目的ではないが、コンデンサ５４１がＪの値を有するものと仮定すれば、コンデンサ５４２は２×Ｊの値を有し、コンデンサ５４３は４×Ｊの値を有し、コンデンサ５４４は８×Ｊの値を有する。回路網５４０がとり得る１６通りの状態の全部についての合計容量値は、（Ｉの値をＪの値に取り換え、「開」と「閉」の記号表示を逆にすることを除いては）上記の表１と同様の表によって表すことができる。
図６はスミスチャート６００の例であり、可変インピーダンス整合回路網（例えば、回路網３７０、４００（図３、４Ａ））の実施形態における複数のインダクタンスが、入力キャビティのインピーダンスをＲＦ信号源に整合させることができる様子を示す。図示していないが、可変インピーダンス整合回路網（例えば、回路網３７０、４４０（図３、４Ａ））の実施形態における複数の容量が、入力キャビティのインピーダンスをＲＦ信号源に同様に整合させることができる。スミスチャート６００の例は、システムが５０オーム系であり、ＲＦ信号源の出力が５０オームであるものと仮定する。本明細書中の記載に基づけば、このスミスチャートを、異なる特性インピーダンスを有するシステム及び／または信号源用に修正する方法は、当業者の理解する所である。
スミスチャート６００では、点６０１は、負荷（例えば、キャビティ３６０＋負荷３６４（図３））が（例えば、解凍動作の開始時に）可変インピーダンス整合回路網(例えば)、回路網３７０、４００（図３、４Ａ）によってもたらされる整合なしに配置される点に相当する。スミスチャート６００の右下の四分円内の負荷点６０１の位置によって示されるように、負荷は容量性負荷である。一実施形態によれば、可変インピーダンス整合回路網の分路及び直列インダクタンスが、実質的に容量性の負荷インピーダンスを最適な整合点６０６（例えば、５０オーム）に向けて連続的に移動させ、整合点６０６では、負荷へのＲＦエネルギー伝達が最小の損失で発生することができる。より具体的には、そして図４Ａも参照すれば、分路インダクタンス４１５がインピーダンスを点６０２へ移動させ、直列インダクタンス４１４がインピーダンスを点６０３へ移動させ、分路インダクタンス４１６がインピーダンスを点６０４へ移動させ、直列インダクタンス４１２がインピーダンスを点６０５へ移動させ、そして分路インダクタンス４１０がインピーダンスを最適な整合点６０６へ移動させる。
なお、可変インピーダンス整合回路網の実施形態によって行われるインピーダンス変換の組合せは、インピーダンスを、スミスチャート６００の右下の四半円内またはそれに非常に近いいずれかの点に保つ。スミスチャート６００のこの四半円は比較的高いインピーダンス及び比較的小さい電流によって特徴付けられるので、インピーダンス変換は、回路の構成部品を比較的大きく損傷を与える可能性のある電流に曝すことなしに実現される。従って、本明細書中に用いる「インダクタのみ」の整合回路の代わりの定義は、誘導性構成部品を専ら、あるいは主として用いて容量性負荷のインピーダンス整合を可能にする整合回路網とすることができ、このインピーダンス整合回路網は、こうした変換をスミスチャートの実質的に右下の四半円内で実行する。
前述したように、負荷のインピーダンスは解凍動作中に変化する。従って、点６０１は解凍動作中にそれに対応して移動する。前述した実施形態によれば、負荷点６０１の移動は、可変インピーダンス整合回路網によってもたらされる最終的な整合が常に最適な整合点６０６またはその付近に到達することができるように、第１及び第２分路インダクタンス４１０、４１１のインピーダンスを変化させることによって補償される。本明細書では、特定の可変インピーダンス整合回路網を図示して説明してきたが、本明細書中の記載に基づけば、異なるように構成された可変インピーダンス整合回路網が、スミスチャート６００によって伝えられるものと同じまたは同様の結果を実現することができることは、当業者の理解する所である。例えば、可変インピーダンス整合回路網の代案実施形態は、より多数またはより少数の分路及び／または直列インダクタンスを有することができ、及び／または、複数のインダクタンスのうちの異なるものを（例えば、直列インダクタンスのうちの１つ以上を含む）可変インピーダンス回路網として構成することができる。従って、本明細書では特定の可変インダクタンス整合回路網を図示して説明してきたが、本発明の主題は図示して説明する実施形態に限定されない。
図３〜６に関連する記載は、「不平衡型」解凍装置を詳細に説明し、この解凍装置では、ＲＦ信号を一方の電極（例えば、電極３４０（図３））に印加し、他方の「電極」（例えば、格納構造３６６（図３））は接地する。上述したように、解凍装置の代案実施形態は「平衡型」解凍装置を具えている。こうした装置では、平衡ＲＦ信号が両電極に供給される。
例えば、図７は、一実施形態による平衡型解凍システム７００（例えば、解凍システム１００、２１０、２２０（図１、２））の簡略化したブロック図である。一実施形態では、解凍システム７００は、ＲＦサブシステム７１０、解凍キャビティ７６０、ユーザ・インタフェース７８０、システム・コントローラ７１２、ＲＦ信号源７２０、電源兼バイアス回路７２６、可変インピーダンス整合回路網７７０、２つの電極７４０、７５０、及び電力検出回路７３０を含む。それに加えて、他の実施形態では、解凍システム７００が、温度センサ及び／または赤外線（ＩＲ）センサ７９０を含むことができるが、これらのセンサ構成要素の一部または全部を除外することができる。図７は、説明及び記述しやすさの目的で簡略化した解凍システム７００の表現であり、実際の実施形態は、追加的な機能及び特徴を提供するための他の装置及び構成要素を含むことができること、及び／または解凍システム７００はより大きな電気システムの一部とすることができることは明らかである。
ユーザ・インタフェース７８０は、例えば、ユーザが解凍動作用のパラメータ（例えば、解凍される負荷の特性、等）に関する入力をシステムに与えることを可能にする制御パネル（例えば、制御パネル１２０、２１４、２２４（図１、２））、開始及び取り消しボタン、機械的制御部（例えば、ドア／引き出しの開放ラッチ）、等に対応することができる。それに加えて、ユーザ・インタフェースは、解凍動作の状態を示すユーザが知覚可能な出力（例えば、カウントダウン・タイマー、解凍動作の進行または完了を示す可視の印、及び／または解凍動作の完了を示す可聴のトーン）及び他の情報を提供するように構成することができる。
一実施形態では、ＲＦサブシステム７１０は、システム・コントローラ７１２、ＲＦ信号源７２０、第１インピーダンス整合回路７３４（本明細書では「第１整合回路」）、電源兼バイアス回路７２６、及び電力検出回路７３０を含む。システム・コントローラ７１２は、１つ以上の汎用または専用プロセッサ（例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、ＡＳＩＣ、等）、揮発性及び／または不揮発性メモリ（例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュ、種々のレジスタ、等）、１つ以上の通信バス、及び他の構成要素を含むことができる。一実施形態によれば、システム・コントローラ７１２は、ユーザ・インタフェース７８０、ＲＦ信号源７２０、電源兼バイアス回路７２６、電力検出回路７３０（あるいは７３０’または７３０”）、可変整合サブシステム７７０、（含まれていれば）センサ７９０、及び（含まれていれば）ポンプ７９２に結合されている。システム・コントローラ７１２は、ユーザ・インタフェース７８０を介して受け付けたユーザ入力を示す信号を受信し、ＲＦ信号の反射電力（及び場合によってはＲＦ信号の順方向電力）を示す信号を電力検出回路７３０（あるいは７３０’または７３０”）から受信し、そしてセンサ信号をセンサ７９０から受信するように構成されている。受信した信号及び測定値に応答して、後に詳細に説明するように、システム・コントローラ７１２は制御信号を電源兼バイアス回路７２６、及び／またはＲＦ信号源７２０のＲＦ信号発生器７２２に供給する。それに加えて、システム・コントローラ７１２は、制御信号を可変インピーダンス整合サブシステム７７０に（経路７１６を通して）供給し、このことはサブシステム７７０に、当該サブシステム７７０の可変インピーダンス整合回路７７２の状態または設定を変化させる。
解凍キャビティ７６０は容量型解凍装置を含み、この容量型解凍装置は、空気キャビティによって分離された第１及び第２平行平板電極７４０、７５０を有し、この空気キャビティ内に解凍される負荷７６４を配置することができる。格納構造７６６内には、第１及び第２電極７４０、７５０（例えば、電極１４０、１５０（図１））が、互いに対する固定の物理的関係で、解凍キャビティ７６０（例えば、内側キャビティ２６０（図２））の内側のどちらかの側面上に配置されている。一実施形態によれば、電極７４０、７５０間の距離７５２がキャビティ７６０を準共鳴にする。
第１電極７４０と第２電極７５０とは、キャビティ７６０全体を隔てて距離７５２だけ分離されている。種々の実施形態では、距離７５２が約０．１０メートル〜約１．０メートルの範囲内であるが、この距離はより小さくすることもより大きくすることもできる。一実施形態によれば、距離７５２がＲＦサブシステム７１０によって生成されるＲＦ信号の１波長未満である。換言すれば、上述したように、キャビティ３６０は準共鳴キャビティである。一部の実施形態では、距離７５２がＲＦ信号の１波長の約半分未満である。他の実施形態では、距離７５２がＲＦ信号の１波長の約４分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離７５２がＲＦ信号の１波長の約８分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離７５２がＲＦ信号の１波長の約５０分の１未満である。さらに他の実施形態では、距離７５２がＲＦ信号の１波長の約１００分の１未満である。
一般に、より低い動作周波数（例えば、周波数１０MHz〜１００MHz）用に設計されたシステム７００は、１波長のより小さい割合である距離７５２を有するように設計することができる。例えば、システム７００を、約１０MHzの動作周波数（約３０メートルの波長に相当する）を有するＲＦ信号を生成するように設計し、距離７５２を約０．５メートルであるように選択すると、距離７５２はＲＦ信号の１波長の６０分の１になる。逆に、システム７００を約３００MHzの動作周波数（約１メートルの波長に相当する）用に設計し、距離７５２を約０．５メートルであるように選択すると、距離７５２はＲＦ信号の１波長の約半分になる。
動作周波数、及び電極７４０、７５０間の距離を、準共鳴内部キャビティ７６０を規定するように選択することにより、第１電極７４０と第２電極７５０とが容量結合される。より具体的には、第１電極７４０はコンデンサの第１極板に例えることができ、第２電極７５０はコンデンサの第２極板に例えることができ、負荷７６４、障壁７６２、及びキャビティ７６０内の空気はコンデンサの誘電体に例えることができる。従って、本明細書では第１電極７４０を代わりに「陽極」と称することがあり、本明細書では第２電極７５０を代わりに「陰極」と称することがある。
基本的に、第１電極７４０と第２電極７５０との間の電圧がキャビティ７６０内の負荷７６４を加熱する。種々の実施形態によれば、一実施形態では、ＲＦサブシステム７１０はＲＦ信号を発生して電極７４０、７５０間に約７０ボルト〜約３，０００ボルトの範囲内の電圧を発生するように構成され、あるいは他の実施形態では、約３，０００ボルト〜約１０，０００ボルトの範囲内の電圧を発生するように構成されているが、上記システムは、より低い電圧またはより高い電圧を電極７４０、７５０間に生成するように構成することもできる。
ＲＦサブシステム７１０の出力端子、より具体的にはＲＦ信号源７２０の出力端子は、導体伝送経路を通して可変整合サブシステム７７０に電気結合され、この導体伝送経路は、直列に接続された複数の導体７２８−１、７２８−２、７２８−３、及び７２８−４を含み、これらの導体を集合的に伝送経路７２８と称する。一実施形態によれば、導体伝送経路７２８は「不平衡」部分と「平衡」部分とを含み、「不平衡」部分は不平衡ＲＦ信号（即ち、接地を基準とする単一のＲＦ信号）を伝えるように構成され、「平衡」部分は平衡ＲＦ信号（即ち、互いを基準とする２つの信号）を伝えるように構成されている。伝送経路７２８の「不平衡」部分は、ＲＦサブシステム７１０内の第１及び第２導体７２８−１、７２８−２、（各々がオス及びメスのコネクタ部分を有する）１つ以上のコネクタ７３６、７３８、及びコネクタ７３６と７３８との間に電気結合された不平衡の第３導体７２８−３を含むことができる。一実施形態によれば、第３導体７２８−３は同軸ケーブルで構成されるが、その電気的長さはより短くすることもより長くすることもできる。代案実施形態では、可変整合サブシステム７７０はＲＦサブシステム７１０と共に筐体に収容することができ、こうした実施形態では、導体伝送経路７２８はコネクタ７３６、７３８及び第３導体７２８−３を除外することができる。どちらにしても、一実施形態では、導体伝送経路７２８の「平衡」部分は、可変整合サブシステム７７０内にある平衡の第４導体７２８−４、及び可変整合サブシステム７７０と電極７４０、７５０との間に電気結合された平衡の第５導体７２８−５を含む。
図７に示すように、可変整合サブシステム７７０は装置を収容し、この装置は、当該装置の入力端子で不平衡ＲＦ信号をＲＦ信号源７２０から伝送経路の不平衡部分（即ち、不平衡の導体７２８−１、７２８−２、及び７２８−３を含む部分）を通して受信して、この不平衡ＲＦ信号を２つの平衡ＲＦ信号（例えば、約１８０度のような１２０度〜２４０度の位相差を有する２つのＲＦ信号）に変換して、２つの平衡ＲＦ信号を当該装置の２つの出力端子に生成するように構成されている。例えば、一実施形態では、上記変換装置をバラン７７４とすることができる。上記平衡ＲＦ信号は平衡の導体７２８−４を通して可変整合回路７７２に伝達され、最終的に平衡の導体７２８−５を通して電極７４０、７５０に伝達される。
代案実施形態では、図７の中央にある点線のボックスで示すように、そして以下でより詳細に説明するように、代案のＲＦ信号発生器７２０’が平衡ＲＦ信号を平衡の導体７２８−１’上に生成することができ、平衡の導体７２８−１’は可変整合回路７７２に直接（あるいは、種々の中間の導体及びコネクタを通して）結合することができる。こうした実施形態では、バラン７７４をシステム７００から除外することができる。どちらにしても、以下でより詳細に説明するように、ダブルエンド可変整合回路７７２（例えば、可変整合回路８００、９００、１０００（図８〜１０））は、平行なＲＦ信号を（例えば、接続部７２８−４または７２８−１’を通して）受信して、ダブルエンド可変整合回路７７２の次回の現在設定に対応するインピーダンス変換を実行して、平衡ＲＦ信号を接続部７２８−５を通して第１及び第２電極７４０、７５０に供給するように構成されている。
一実施形態によれば、ＲＦ信号源７２０がＲＦ信号発生器７２２及び（例えば、１つ以上の電力増幅段を含む）電力増幅器７２４を含む。システム・コントローラ７１２によって接続部７１４を通して供給される制御信号に応答して、ＲＦ信号発生器７２２は、ＩＳＭ（工業、科学、医療用）帯域内の周波数を有する振動電気信号を生成するように構成されているが、他の周波数帯域の動作をサポートするようにシステムを修正することもできる。種々の実施形態では、異なる電力レベル及び／または異なる周波数の振動信号を生成するようにＲＦ信号発生器７２２を制御することができる。例えば、ＲＦ信号発生器７２２は、約１０．０MHz〜約１００MHzの範囲内、及び／または約１００MHzから約３．０GHzまでの範囲内で振動する信号を生成することができる。いくつかの望ましい周波数は、例えば１３．５６MHz（+/-５パーセント）、２７．１２５MHz（+/-５パーセント）、４０．６８MHz（+/-５パーセント）、及び２．４５MHz（+/-５パーセント）とすることができる。その代わりに、振動の周波数は、上記に挙げた範囲または値よりも低くすることも高くすることもできる。
電力増幅器７２４は、ＲＦ信号発生器７２２から振動信号を受信し、この信号を増幅して大幅に高い電力の信号を電力増幅器７２４の出力端子に生成するように構成されている。例えば、出力信号は、約１００ワット〜約４００ワット以上の範囲内の電力レベルを有することができるが、電力レベルはより低くすることもより高くすることもできる。電力増幅器７２４によって加えられるゲインは、電源兼バイアス回路７２６によって電力増幅器７２４の１つ以上の増幅段に供給されるゲートバイアス電圧及び／またはドレイン電源電圧を用いて制御することができる。より具体的には、電源兼バイアス回路７２６は、システム・コントローラ７１２から受信した制御信号に従って、バイアス電圧及び電源電圧を各ＲＦ増幅段の入力端子及び／または出力端子（例えば、ゲート及び／またはドレイン）に供給する。
上記電力増幅器は１つ以上の増幅段を含むことができる。一実施形態では、増幅器７２４の各段がＦＥＴのようなパワートランジスタとして実現され、このパワートランジスタは、入力端子（例えば、ゲートまたは制御端子）及び２つの電流搬送端子（例えば、ソース端子及びドレイン端子）を有する。種々の実施形態では、インピーダンス整合回路（図示せず）を、一部または全部の増幅段の入力（例えば、ゲート）端子及び／または出力（例えば、ドレイン）端子に結合することができる。一実施形態では、増幅段の各トランジスタがＬＤＭＯＳＦＥＴを含む。しかし、これらのトランジスタはいずれの特定の半導体技術に限定されることも意図しておらず、他の実施形態では、各トランジスタは、GaNトランジスタ、他の種類のＭＯＳＦＥＴトランジスタ、ＢＪＴ、または他の半導体技術を利用したトランジスタとして実現することができる。
図７には、電力増幅装置７２４を、他の回路構成要素に特定の方法で結合された１つの増幅段を含むように示している。他の実施形態では、電力増幅装置７２４が他の増幅トポロジを含むことができ、及び／または、この増幅装置が（例えば、増幅器３２４／３２５（図３）の実施形態中に示すように）２つ以上の増幅段を含むことができる。例えば、この電力増幅装置は、シングルエンド増幅器、ダブルエンド（平衡）増幅器、プッシュプル増幅器、ドハティ増幅器、スイッチモード電力増幅器（ＳＭＰＡ）、または他の種類の増幅器を含むことができる。
例えば、図７の中央にある破線のボックス内に示すように、代案のＲＦ信号発生器７２０’は、プッシュプルまたは平衡増幅器７２４’を含むことができ、プッシュプルまたは平衡増幅器７２４’は、入力端子で不平衡ＲＦ信号をＲＦ信号発生器７２２から受信し、この不平衡ＲＦ信号を増幅して、２つの平衡ＲＦ信号を増幅器７２４’の２つの出力端子に生成し、これら２つの平衡ＲＦ信号はその後に導体７２８−１’を通して電極７４０、７５０へ伝達される。こうした実施形態では、バラン７７４をシステム７００から除外することができ、導体７２８−１’は可変整合回路７７２に直接接続すること（あるいは、複数の同軸ケーブル及びコネクタ、または他の多重導体構造を通して接続すること）ができる。
解凍キャビティ７６０、及び解凍キャビティ７６０内に配置されたあらゆる負荷７６４（例えば、食品、液体、等）は、電極７４０、７５０によって内部チャンバ７６２内に放射される電磁エネルギー（またはＲＦ電力）に累積的な負荷をもたらす。より具体的には、前述したように、キャビティ７６０及び負荷７６４はあるインピーダンスをシステムにもたらし、本明細書では「キャビティ＋負荷のインピーダンス」と称する。キャビティ＋負荷のインピーダンスは、解凍動作中に、負荷７６４の温度が増加するに連れて変化する。キャビティ＋負荷のインピーダンスは、ＲＦ信号源７２０と電極７４０、７５０との間の導体伝送経路７２８に沿った反射信号電力の大きさに直接的影響を与える。大部分の場合、導体伝送経路７２８に沿ってキャビティ７６０内へ伝達される信号電力の大きさを最大にすること、及び／または導体伝送経路７２８に沿った反射信号対順方向信号の電力比を最小にすることが望ましい。
一実施形態では、ＲＦ信号発生器７２０の出力インピーダンスを、キャビティ＋負荷のインピーダンスに少なくとも部分的に整合させるために、第１整合回路７３４が伝送経路７２８上に電気結合されている。第１整合回路７３４は、ＲＦ信号源７２０のインピーダンス（例えば、１０オーム未満）から中間インピーダンス（例えば、５０オーム、７５オーム、または他の何らかの値）へのインピーダンス変換を実行するように構成されている。第１整合回路７３４は種々の構成のいずれをも有することができる。一実施形態によれば、第１整合回路７３４が固定の構成部品（即ち、可変でない要素値を有する構成部品）を含むが、他の実施形態では、第１整合回路３３４が１つ以上の可変の構成部品を含むことができる。例えば、種々の実施形態では、第１整合回路７３４は、インダクタンス／キャパシタンス（ＬＣ）回路網、直列インダクタンス回路網、分路インダクタンス回路網、あるいはバンドパス、ハイパス、及びローパス回路の組合せ、から選択した任意の１つ以上の回路を含むことができる。基本的に、第１整合回路７３４は、ＲＦ信号発生器７２０の出力インピーダンスとキャビティの入力インピーダンスとの間の中間的レベルまでインピーダンスを上昇させるように構成されている。
一実施形態によれば、上述したように、電力検出回路７３０は、伝送経路７２８上の、ＲＦ信号源７２０の出力端子と電極７４０、７５０との間に結合されている。特定実施形態では、電力検出回路７３０が、ＲＦサブシステム７１０の一部分を形成し、ＲＦ信号源７２０とコネクタ７３６との間の導体７２８−２に結合されている。代案実施形態では、電力検出回路７３０を、導体７２８−１、導体７２８−３、ＲＦ信号源７２０（またはバラン７７４）と可変整合回路７７２との間の導体７２８−４のような伝送経路７２８の他のいずれかの部分に（即ち、電力検出回路７３０’で示すように）結合することができ、あるいは、可変整合回路７７２と電極７４０、７５０との間の導体７２８−５に（即ち、電力検出回路７３０”で示すように）結合することができる。簡潔にする目的で、本明細書では電力検出回路を参照番号７３０で参照するが、この回路は、参照番号７３０’または７３０”で示すような他の位置に配置することができる。
電力検出回路７３０は、どこに結合されても、ＲＦ信号源７２０と電極７４０、７５０の一方または両方との間の伝送経路７２８に沿って進む反射信号（即ち、電極７４０、７５０からＲＦ信号源７２０に向かう方向に進む反射ＲＦ信号）の電力を監視し、測定し、さもなければ検出するように構成されている。一部の実施形態では、電力検出回路７３０は、ＲＦ信号源７２０と電極７４０、７５０との間の伝送経路７２８に沿って進む順方向信号（即ち、ＲＦ信号源７２０から電極７４０、７５０に向かう方向に進む順方向ＲＦ信号）の電力を検出するようにも構成されている。
接続部７３２を通して、電力検出回路７３０は、測定した反射信号電力の大きさを、一部の実施形態では測定した順方向信号電力の大きさも伝える信号を、システム・コントローラ７１２に供給する。順方向信号電力の大きさ及び反射信号電力の大きさを共に伝える実施形態では、システム・コントローラ７１２は、反射信号電力対順方向信号電力の比率、またはＳ１１パラメータを計算することができる。以下でより詳細に説明するように、反射信号電力の大きさが反射信号電力の閾値を超えると、あるいは反射信号電力対順方向信号電力の比率がＳ１１パラメータの閾値を超えると、このことは、システム７００がキャビティの入力インピーダンスに十分に整合していないこと、及びキャビティ７６０内の負荷７６４によるエネルギー吸収が準最適であり得ることを示す。こうした状況では、システム・コントローラ７１２は、反射信号電力またはＳ１１パラメータを所望レベルに向けて、あるいは所望レベル未満に（例えば、反射信号電力の閾値及び／または反射信号電力対順方向信号電力の比率の閾値未満に）追い込むように、可変整合回路７７２の状態を変化させるプロセスを調整し、これにより、許容可能な整合を再確立し、負荷７６４によるより最適なエネルギー吸収を促進する。
より具体的には、システム・コントローラ７１２は、制御信号を、制御経路７１６を通して可変整合回路７７２に供給することができ、これらの制御信号は、可変整合回路７７２に、回路内の１つ以上の構成部品のインダクタンス値、容量値、及び／または抵抗値を変化させ、これにより、回路７７２によって行われるインピーダンス変換を調整する。可変整合回路７７２の設定を調整することは、反射信号電力の大きさを所望通りに減少させ、このことは、Ｓ１１パラメータの大きさを減少させて負荷７６４によって吸収される電力を増加させることに相当する。
上述したように、可変インピーダンス整合回路７７２を用いて、解凍キャビティ７６０＋負荷７６４の入力インピーダンスに整合させて、負荷７６４内へのＲＦ電力伝達を可能な範囲で最大にする。解凍キャビティ７６０及び負荷７６４の初期インピーダンスは、解凍動作の開始時には正確に知ることができないことがある。さらに、負荷７６４のインピーダンスは、解凍動作中に、負荷７６４が加温されるに連れて変化する。一実施形態によれば、システム・コントローラ７１２は制御信号を可変インピーダンス整合回路７７２に供給することができ、これらの制御信号は、可変インピーダンス整合回路７７２の状態の変化を生じさせる。このことは、システム・コントローラ７１２が、解凍動作の開始時に可変インピーダンス整合回路７７２の初期状態を確立することを可能にし、解凍動作の開始時には、反射電力対順方向電力の比率が比較的低く、従って、負荷７６４によるＲＦ電力の吸収が比較的高い。それに加えて、このことは、システム・コントローラ７１２が、負荷７６４のインピーダンスの変化にかかわらず解凍動作全体を通して十分な整合を維持することができるように、可変インピーダンス整合回路７７２の状態を変化させることを可能にする。
可変整合回路７７２は、種々の構成のいずれをも有することができる。例えば、種々の実施形態では、回路網３７０は、インダクタンス／容量（ＬＣ）回路網、インダクタンスのみの回路網、容量のみの回路網、あるいはバンドパス、ハイパス、及びローパス回路の組合せから選択した任意の１つ以上の回路を含むことができる。可変整合回路７７２が伝送経路７２８の平衡部分内に実現される実施形態では、可変整合回路７７２は２つの入力端子及び２つの出力端子を有するダブルエンド回路である。上記可変整合回路が伝送経路７２８の不平衡部分内に実現される代案実施形態では、この可変整合回路は、単一の入力端子及び単一の出力端子を有する（例えば、整合回路４００または４４０（図４Ａ、４Ｂ）と同様の）シングルエンド回路とすることができる。より具体的な実施形態によれば、可変整合回路７７２が可変容量回路網（例えば、ダブルエンド回路網１０００（図１０））を含む。さらに他の実施形態では、可変整合回路７７２が、可変インダクタンス素子及び可変容量素子を共に含むことができる。可変整合回路７７２によって提供されるインダクタンス値、容量値、及び／または抵抗値は、回路７７２によって行われるインピーダンス変換に影響を与え、システム・コントローラ７１２からの制御信号により確立され、これについては後により詳細に説明する。いずれにせよ、可変整合回路７７２の状態を、処理動作の経過と共に変化させて、常に変化するキャビティ７６０＋キャビティ７６０内の負荷７６４のインピーダンスに動的に整合させることによって、解凍動作全体を通してシステム効率を高いレベルに維持することができる。
可変整合回路７７２は、多種多様な回路構成のいずれをも有することができ、こうした構成の非限定的な例を図８〜１０に示す。例えば、図８は、一実施形態による、解凍システム（例えば、システム８０、２００、８００（図１、２、７））に内蔵することができるダブルエンド可変インピーダンス整合回路８００の概略図である。一実施形態によれば、可変整合回路８００は固定値及び可変の受動構成部品の回路網を含む。
回路８００は、ダブルエンド入力端子８０１−１、８０１−２（入力端子８０１と称する）、ダブルエンド出力端子８０２−１、８０２−２（出力端子８０２と称する）、及び入力端子８０１と出力端子８０２との間にラダー構成の形で接続された受動構成部品の回路網を含む。例えば、システム７００に接続する際には、第１入力端子８０１−１は平衡の導体７２８−４の第１導体に接続することができ、第２入力端子８０１−２は平衡の導体７２８−４の第２導体に接続することができる。同様に、第１出力端子８０２−１は平衡の導体７２８−５の第１導体に接続することができ、第２出力端子８０２−２は平衡の導体７２８−５の第２導体に接続することができる。
図８に示す特定実施形態では、回路８００が、入力端子８０１−１と出力端子８０２−１との間に直列に接続された第１可変インダクタ８１１及び第１固定インダクタ８１５、入力端子８０１−２と出力端子８０２−２との間に直列に接続された第２可変インダクタ８１６及び第２固定インダクタ８２０、入力端子８０１−１と８０１−２との間に接続された第３可変インダクタ８２１、及びノード８２５と８２６との間に接続された第３固定インダクタ８２４を含む。
一実施形態によれば、第３可変インダクタ８２１は「ＲＦ信号源整合部分」に相当し、第１整合回路（例えば、回路７３４（図７））によって変化したＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源７２０（図７））のインピーダンスに整合するように構成可能であり、あるいは、より具体的には、第１整合回路（例えば、回路７３４（図７））によって変化した最終段の電力増幅器（例えば、増幅器７２４（図７））のインピーダンスに整合するように構成可能である。一実施形態によれば、第３可変インダクタ８２１が誘導性構成部品の回路網を含み、これらの誘導性構成部品どうしを選択的に結合して約５nH〜約２００nHの範囲内のインダクタンスを提供することができるが、この範囲はより低いインダクタンス値またはより高いインダクタンス値へ拡張することもできる。
これとは対照的に、可変インピーダンス整合回路網の「キャビティ整合部分」は、第１及び第２可変インダクタ８１１、８１６、及び固定インダクタ８１５、８２０、及び８２４によって提供される。第１及び第２可変インダクタ８１１、８１６の状態を変化させて複数のインダクタンス値を提供することができるので、第１及び第２可変インダクタ８１１、８１６は、キャビティ＋負荷（例えば、キャビティ７６０＋負荷７６４（図７））のインピーダンスに最適に整合するように設定可能である。例えば、インダクタ８１１、８１６の各々は、約１０nH〜約２００nHの範囲内の値を有することができるが、他の実施形態では、それらの値をより低くすること及び／またはより高くすることができる。
固定インダクタ８１５、８２０、８２４は、約５０nH〜約８００nHの範囲内のインダクタンス値を有することもできるが、これらのインダクタンス値はより低くすることもより高くすることもできる。種々の実施形態では、インダクタ８１１、８１５、８１６、８２０、８２１、８２４は、ディスクリート・インダクタ、分布インダクタ（例えば、プリントされたコイル）、ワイヤボンド、伝送線、及び／または他の誘導性構成部品を含むことができる。一実施形態では、可変インダクタ８１１及び８１６が対を成す様式で動作し、このことは、動作中の所定時刻に、これらの可変インダクタのインダクタンス値が互いに等しくなるように制御されて、出力端子８０２−１及び８０２−２に伝達されるＲＦ信号が平衡であることが保証されることを意味する。
上述したように、可変整合回路８００はダブルエンド回路であり、伝送経路７２８の平衡部分上（例えば、コネクタ７２８−４と７２８−５との間）に接続されるように構成され、他の実施形態は、伝送経路７２８の不平衡部分上に接続するように構成されたシングルエンド（即ち、１入力及び１出力の）可変整合回路を含むことができる。
回路８００内のインダクタ８１１、８１６、８２１を変化させることによって、システム・コントローラ７１２は、回路８００によって行われるインピーダンス変換を増加または減少させることができる。こうしたインダクタンス値の変化が、ＲＦ信号源７２０とキャビティの入力インピーダンスとの全体的なインピーダンス整合を改善することが望ましく、このことは反射信号電力の低減及び／または反射信号電力対順方向信号電力の比率を低減するはずである。大部分の場合に、システム・コントローラ７１２は、最大の電磁界強度がキャビティ７６０内に実現され、及び／または最大量の電力が負荷７６４によって吸収され、及び／または最小量の電力が負荷７６４によって反射される状態に回路８００を設定することを追求することができる。
図９は、他の実施形態によるダブルエンド可変インピーダンス整合回路網９００の概略図である。回路網９００は、ダブルエンド入力端子９０１−１、９０１−２（入力端子９０１と称する）、ダブルエンド出力端子９０２−１、９０２−２（出力端子９０２と称する）、及び入力端子９０１と出力端子９０２との間にラダー構成の形で接続された受動構成部品の回路網を含む。このラダー構成は、入力端子９０１−１と出力端子９０２−１との間に互いに直列に結合された第１数Ｎ個のディスクリート・インダクタ９１１〜９１４を含み、ここにＮは２〜１０以上の整数とすることができる。このラダー構成は、入力端子９０１−２と出力端子９０２−２との間に互いに直列に結合された第２数Ｎ個のディスクリート・インダクタ９１６〜９１９も含む。追加的なインダクタ９１５及び９２０を、中間ノード９２５、９２６と出力ノード９０２−１、９０２−２との間に結合することができる。さらにその上、このラダー構成は、入力端子９０１−１と９０１−２との間に互いに直列に結合された第３数個のディスクリート・インダクタ９２１〜９２３、及びノード９２５と９２６との間に結合された追加的なディスクリート・インダクタ９２４を含む。例えば、固定インダクタ９１５、９２０、９２４の各々は、約５０nH〜約８００nHの範囲内のインダクタンス値を有することができるが、これらのインダクタンス値はより低くすることもより高くすることもできる。
インダクタ９１１〜９１４の直列配置は第１可変インダクタ（例えば、インダクタ８１１（図８））と考えることができ、インダクタ９１６〜９１９の直列配置は第２可変インダクタ（例えば、インダクタ８１６（図８））と考えることができ、そしてインダクタ９２１〜９２３は第３可変インダクタ（例えば、インダクタ８２０（図８））と考えることができる。これらの「可変インダクタ」の可変性を制御するために、回路網９００は複数のバイパススイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３を含み、各スイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３は、インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９、９２１、及び９２３のうちの１つの両端子間に並列に結合されている。スイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３は、例えばトランジスタ、機械式リレー、または機械スイッチとして実現することができる。各スイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３の導通状態（即ち、開または閉）は、システム・コントローラからの制御信号９５１〜９５４、９５６〜９５９、９６１、９６３（例えば、システム・コントローラ７１２から接続部７１６（図７）を通して供給される制御信号）を用いて制御される。
一実施形態では、入力端子９０１と出力端子９０２との間の２つの経路内の対応するインダクタの組はほぼ等しい値を有し、対応するインダクタの組毎に対応するスイッチの導通状態は対を成す様式で操作され、このことは、動作中のスイッチの状態が任意の所定時刻において互いに同じであるように制御されて、出力端子９０２−１及び９０２−２に伝達されるＲＦ信号が平衡であることが保証されることを意味する。例えば、インダクタ９１１及び９１６は、ほぼ等しい値を有する第１「組の対応するインダクタ」または第１の「対を成すインダクタ」を構成することができ、動作中には、スイッチ９３１及び９３６の状態が任意の所定時刻において同じである（例えば、両方が開であるか両方が閉であるかのいずれかである）ように制御される。同様に、インダクタ９１２及び９１７は対を成す様式で動作する、等しいインダクタンス値を有する第２組の対応するインダクタを構成することができ、インダクタ９１３及び９１８は対を成す様式で動作する、等しいインダクタンス値を有する第３組の対応するインダクタを構成することができ、インダクタ９１４及び９１９は対を成す様式で動作する、等しいインダクタンス値を有する第４組の対応するインダクタを構成することができる。
インダクタ／スイッチの並列結合毎に、（インダクタに）対応するスイッチが開または非導通状態である際には、ほとんど全部の電流がインダクタを通って流れ、このスイッチが閉または導通状態である際には、ほとんど全部の電流がスイッチを通って流れる。例えば、図９に示すように全部のスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３が開である際には、入力ノード９０１−１と出力ノード９０２−１との間を流れる電流のほとんど全部が直列のインダクタ９１１〜９１５を通って流れ、入力ノード９０１−２と出力ノード９０２−２との間を通って流れる電流（インダクタ９２１〜９２３または９２４を流れるあらゆる電流によって変化している）のほとんど全部が直列のインダクタ９１６〜９２０を通って流れる。この構成は回路網９００の最大インダクタンス状態（即ち、入力ノード９０１と出力ノード９０２との間に最大インダクタンス値が存在する、回路網９００の状態）を表す。逆に、全部のスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、及び９４３が閉である際には、入力ノード９０１と出力ノード９０２との間に流れる電流のほとんど全部が、インダクタ９１１〜９１４及び９１６〜９１９をバイパスし、その代わりに、スイッチ９３１〜９３４または９３６〜９３９、インダクタ９１５または９２０、及び入力ノード９０１、９０２とスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９との間の導体相互接続部を通って流れる。この構成は回路網９００の最小インダクタンス状態（即ち、入力ノード９０１と出力ノード９０２との間に最小インダクタンス値が存在する、回路網９００の状態）を表す。最小インダクタンス値は０に近いインダクタンスであることが理想的である。しかし、実際には、最小インダクタンス状態では、スイッチ９３１〜９３４または９３６〜９３９、インダクタ９１５または９２０、及びノード９０１、９０１とスイッチ９３１〜９３４または９３６〜９３９との間の累積インダクタンスに起因する比較的小さいインダクタンスが存在する。例えば、最小インダクタンス状態では、スイッチ９３１〜９３４または９３６〜９３９の直列結合の微量インダクタンスは、約１０nH〜約４００nHになり得るが、この微量インダクタンスはより小さくもより大きくもなり得る。あらゆる所定の回路網状態における微量インダクタンスが、回路網９００を通る電流を主に伝える一連の導体及びスイッチのインダクタンスの総和である場合に、より大きい、より小さい、あるいはほぼ同様の微量インダクタンスは、他の回路網状態の各々に特有のものとすることもできる。
全部のスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９が開である最大インダクタンス状態から始まって、システム・コントローラは、スイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９の任意の組合せの閉状態を生じさせる制御信号９５１〜９５４、９５６〜９５９を供給して、インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９の対応する組合せをバイパスさせることによって回路網９００のインダクタンスを低減することができる。
図８の実施形態と同様に、回路９００では、第１数及び第２数のディスクリート・インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９、及び固定インダクタ９２４がこの回路の「キャビティ整合部分」に相当する。図５Ａに関連して上述した実施形態と同様に、一実施形態では、各インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９がほぼ同じインダクタンス値を有し、本明細書では正規化値Ｉと称する。例えば、各インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９は、約１nH〜約４００nH、または他の何らかの値を有することができる。こうした実施形態では、入力ノード９０１−１と（出力ノード）９０２−１との間の最大インダクタンス値、及び入力ノード９０１−２と（出力ノード）９０２−２との間の最大インダクタンス値（即ち、全部のスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９が開状態である際）は、約Ｎ×Ｉ＋（回路網９００が最大インダクタンス状態である際に回路網９００内に存在し得るあらゆる微量インダクタンス）となる。任意のｎ個のスイッチが閉状態である際には、対応する入力ノードと出力ノードとの間のインダクタンス値は約(Ｎ−ｎ)×Ｉ（＋微量インダクタンス）となる。
これも図５Ａに関連して上記で説明したように、代案実施形態では、インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９が互いに異なる値を有することができる。例えば、入力ノード９０１−１から出力ノード９０２−１に向かって移動すれば、第１インダクタ９１１は正規化インダクタンス値Ｉを有することができ、系列内で後続する各インダクタ９１２〜９１４はより大きい、あるいはより小さいインダクタンス値を有することができる。同様に、入力ノード９０１−２から出力ノード９０２−２に向かって移動すれば、第１インダクタ９１６は正規化インダクタンス値Ｉを有することができ、系列内で後続する各インダクタ９１７〜９１９はより大きい、あるいはより小さいインダクタンス値を有することができる。例えば、後続する各インダクタ９１２〜９１４または９１７〜９１９は、上流の直近のインダクタ９１１〜９１４または９１６〜９１８のインダクタンス値の倍数（例えば、約２倍または半分）であるインダクタンス値を有することができる。上記の表１の例は、入力ノード９０１−１と出力ノード９０２−１との間の第１系列のインダクタンス経路、及び入力ノード９０１−２と出力ノード９０２−２との間の第２系列のインダクタンス経路にも当てはまる。より具体的には、インダクタ／スイッチの組合せ９１１／９３１及び９１６／９５６の各々はインダクタ／スイッチの組合せ５０１／５１１に類似し、インダクタ／スイッチの組合せ９１２／９３２及び９１７／９５７の各々はインダクタ／スイッチの組合せ５０２／５１２に類似し、インダクタ／スイッチの組合せ９１３／９３３及び９１８／９５８の各々はインダクタ／スイッチの組合せ５０３／５１３に類似し、インダクタ／スイッチの組合せ９１４／９３４及び９１９／９５９の各々はインダクタ／スイッチの組合せ５０４／５１４に類似する。
最小インダクタンス状態における直列のインダクタ９１１〜９１４の全体にわたる微量インダクタンスが約１０nHであり、直列のインダクタ９１１〜９１４によって実現可能なインダクタンス値の範囲が約１０nH（微量インダクタンス）〜約４００nHであるものと仮定すれば、インダクタ９１１〜９１４の値は、例えば、それぞれ約１０nH、約２０nH、約４０nH、約８０nH、及び約１６０nHとすることができる。直列インダクタ９１６〜９１９の組合せは同様または同一に設定することができる。もちろん、４つのインダクタ９１１〜９１４または９１６〜９１９よりも多数または少数のインダクタを、入力及び出力ノード９０１−１／９０２−１間または９０２−１／９０２−２間のいずれの直列結合内にも含めることができ、各直列結合内のインダクタは、上記に挙げた値の例とは異なる値を有することができる。
上記の実施形態は、対応する入力ノードと出力ノードとの間の各直列結合内のスイッチ付きインダクタンスの数が４つであり、各インダクタ９１１〜９１４、９１６〜９１９がＩの何らかの倍数である値を有することを規定しているが、可変直列インダクタンス回路網の代案実施形態は、４つよりも多数または少数のインダクタ、インダクタの異なる相対値、及び／または異なるインダクタの構成（例えば、異なるように接続された、並列及び／または直列結合されたインダクタの組）を有することができる。どちらにしても、可変インダクタンス回路網を解凍システムのインピーダンス整合回路網内に設けることによって、解凍システムは、解凍動作中に存在する常に変化するキャビティの入力インピーダンスにより良好に整合することができる。
図８の実施形態と同様に、第３数のディスクリート・インダクタ９２１〜９２３は回路の「ＲＦ信号源整合部分」に相当する。この第３の可変インダクタはインダクタ９２１〜９２３の直列配置を具え、バイパススイッチ９４１及び９４３は、制御信号９６１及び９６３に基づいて、インダクタ９２１及び９２３を選択的に、この直列配置に接続して組み入れること、またはバイパスすることを可能にする。一実施形態では、インダクタ９２１〜９２３の各々が等しい値（例えば、約１nH〜約１００nHの範囲内の値）を有することができる。代案実施形態では、インダクタ９２１〜９２３が互いに異なる値を有することができる。インダクタ９２２は、バイパススイッチ９４１及び９４３の状態にかかわらず、入力端子９０１−１と９０１−２との間に電気接続されている。従って、インダクタ９２２のインダクタンス値は、入力端子９０１−１と９０１−２との間のベースライン（即ち、最小）インダクタンスとしての役割を果たす。一実施形態によれば、第１及び第３インダクタ９２１及び９２３が、互いの比率がある値であるインダクタンス値を有することができる。例えば、種々の実施形態では、第１インダクタ９２１が正規化インダクタンス値Ｊを有すると、インダクタ９２３は２×Ｊ、３×Ｊ、４×Ｊ、または他の何らかの比率を有することができる。
図１０は、他の実施形態による、解凍システム（例えば、システム１００、２００、７００（図１、２、７））に内蔵することができる可変インピーダンス整合回路１０００の概略図である。整合回路８００、９００（図８及び９）と同様に、一実施形態によれば、可変整合回路１０００は固定値及び可変の受動構成部品の回路網を含む。
回路１０００は、ダブルエンドの入力端子１００１−１及び１００１−２（入力端子１００１と称する）、ダブルエンドの出力端子１００２−１、１００２−２（出力端子１００２と称する）、及び入力端子１００１と出力端子１００２との間に接続された受動構成部品の回路網を含む。例えば、システム７００に接続する際には、第１入力端子１００１−１は平衡導体７２８−４の第１導体に接続することができ、第２入力端子１００１−２は平衡導体７２８−４の第２導体に接続することができる。同様に、第１出力端子１００２−１は平衡導体７２８−５の第１導体に接続することができ、第２出力端子１００２−２は平衡導体７２８−５の第２導体に接続することができる。
図１０に示す特定実施形態では、回路１０００が、入力端子１００１−１と出力端子１００２−１との間に直列に接続された第１可変容量回路網１０１１及び第１インダクタ１０１５、入力端子１００１−２と出力端子１００２−２との間に直列に接続された第２可変容量回路網１０１６及び第２インダクタ１０２０、及びノード１０２５と１０２６との間に接続された第３可変容量回路網１０２１を含む。一実施形態では、インダクタ１０１５、１０２０はサイズ及びインダクタンス値が共に大きい、というのは、これらは比較的低い周波数（例えば、約４０．６６MHz〜約４０．７０MHz）及び比較的大きい電力（例えば、約５０W〜約５００W）の動作用に設計することができるからである。例えば、インダクタ１０１５、１０２０の各々は、約１００nH〜約１０００nHの範囲内（例えば、約２００nH〜約６００nHの範囲内）の値を有することができるが、他の実施形態では、その値をより低くすること及び／またはより高くすることができる。一実施形態によれば、インダクタ１０１５、１０２０は固定値の集中インダクタ（例えば、コイル、ディスクリート・インダクタ、分布インダクタ（種々の実施形態では、例えば、プリントコイル）、ワイヤボンド、伝送線、及び／または他の誘導性構成部品）である。他の実施形態では、インダクタ１０１５、１０２０のインダクタンス値を可変にすることができる。いずれにせよ、一実施形態では、（インダクタ１０１５、１０２０が固定値である際には）永久的にせよ、（インダクタ１０１５、１０２０が可変であり、対を成す様式で動作する際には）任意の所定時刻にせよ、インダクタ１０１５、１０２０のインダクタンス値がほぼ同じである。
第１及び第２可変容量回路網１０１１、１０１６は回路１０００の「直列整合部分」に相当する。一実施形態によれば、第１可変容量回路網１０１１は、第１可変コンデンサ１０１３に並列に結合された第１固定値コンデンサ１０１２を含む。一実施形態では、第１固定値コンデンサ１０１２が約１pF〜約１００pFの容量値を有することができる。図５Ｂに関連して前述したように、第１可変コンデンサ１０１３は容量性構成部品の回路網を含むことができ、これらの容量性構成部品どうしを選択的に結合して０pF〜約１００pFの範囲内の容量を提供することができる。従って、第１可変容量回路網１０１１によって提供される合計容量値は約１pF〜約２００pFにすることができるが、この範囲はより低い容量値またはより高い容量値へ拡張することもできる。
同様に、第２可変容量回路網１０１６は、第２可変コンデンサ１０１８に並列に結合された第２固定値コンデンサ１０１７を含む。一実施形態では、第２固定値コンデンサ１０１７が約１pF〜約１００pFの容量値を有することができる。図５Ｂに関連して前述したように、第２可変コンデンサ１０１８は容量性構成部品の回路網を含むことができ、これらの容量性構成部品どうしを選択的に結合して０pF〜１００pFの範囲内の容量を提供することができる。従って、第２可変容量回路網１０１６によって提供される合計容量値は約１pF〜約２００pFの範囲内にすることができるが、この範囲はより低い容量値またはより高い容量値へ拡張することもできる。
いずれにせよ、一実施形態では、出力端子１００２−１及び１００２−２に供給される信号の平衡を保証するために、第１及び第２可変容量回路網１０１１、１０１６の静電容量値を任意の所定時刻にほぼ同じであるように制御する。例えば、第１及び第２可変コンデンサ１０１３、１０１８の静電容量値を制御して、第１及び第２可変容量回路網１０１１、１０１６の静電容量値を任意の所定時刻にほぼ同じにすることができる。第１及び第２可変コンデンサ１０１３、１０１８は対を成す様式で動作し、このことは、動作中のこれらの可変コンデンサの静電容量値を制御して、任意の所定時刻に、出力端子１００２−１及び１００２−２に伝えられるＲＦ信号が平衡することを保証することを意味する。一部の実施形態では、固定値の第１及び第２コンデンサ１０１２、１０１７の静電容量値を同じにすることができるが、他の実施形態ではこれらの静電容量値を異ならせることができる。
可変インピーダンス整合回路網１０００の「分路整合部分」は、第３可変容量回路網１０２１及び固定インダクタ１０１５、１０２０によって提供される。一実施形態によれば、第３可変容量回路網１０２１は、第３可変コンデンサ１０２４に並列に結合された第３固定値コンデンサ１０２３を含む。一実施形態では、第３固定値コンデンサ１０２３が約１pF〜約５００pFの容量値を有することができる。図５Ｂに関連して前述したように、第３可変コンデンサ１０２４は容量性構成部品の回路網を含むことができ、これらの容量性構成部品どうしを選択的に結合して０pF〜約２００pFの範囲内の容量を提供することができる。従って、第３可変容量回路網によって提供される合計容量値は約１pF〜約７００pFの範囲内にすることができるが、この範囲はより低い容量値またはより高い容量値へ拡張することもできる。
可変容量回路網１０１１、１０１６、１０２１の状態を変化させて複数の静電容量値を提供することができるので、可変容量回路網１０１１、１０１６、１０２１は、キャビティ＋負荷（例えば、キャビティ７６０＋負荷７６４（図７））のインピーダンスをＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源７２０、７２０’（図７））に最適に整合させるように構成可能である。回路１０００内の容量値１０１３、１０１８、１０２４を変化させることによって、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ７１２（図７））は、回路１０００によって行われるインピーダンス変換を増加させることも減少させることもできる。この容量値の変化が、ＲＦ信号源７２０とキャビティ＋負荷のインピーダンスとの整合を改善することが望ましく、このことは反射信号電力及び／または反射電力対順方向電力の比率の低減を生じさせるはずである。大部分の場合に、システム・コントローラ７１２は、最大の電磁界強度がキャビティ７６０内に実現され、及び／または最大量の電力が負荷７６４によって吸収され、及び／または最小量の電力が負荷７６４によって反射される状態に回路１０００を構成することを追求することができる。
図８〜１０に示す可変インピーダンス整合回路８００、９００、１００は、所望のダブルエンド可変インピーダンス変換を実行することができる３つの可能な構成に過ぎないことは明らかである。ダブルエンド可変インピーダンス整合回路の他の実施形態は、異なるように構成された誘導性または容量性の回路網を含むことができ、あるいは、インダクタ、コンデンサ、及び／または抵抗器の種々の組合せを含む受動回路網を含むことができ、これらの受動構成部品の一部は固定値の構成部品とすることができ、これらの受動構成部品の一部は可変値の構成部品（例えば、可変インダクタ、可変コンデンサ、及び／または可変抵抗器）とすることができる。さらに、上記ダブルエンド可変インピーダンス整合回路は能動デバイス（例えば、トランジスタ）を含むことができ、これらの能動デバイスは、受動構成部品を回路網内に組み入れ、回路網から切り離す切り換えを行って、回路によって行われる全体的なインピーダンス変換を変更する。
ここで、解凍システムの特定の物理的構成を図１１に関連して説明する。より具体的には、図１１は、一実施形態による解凍システム１１００の側断面図である。一実施形態では、解凍システム１１００は、一般に、解凍キャビティ１１７４、ユーザ・インタフェース（図示せず）、システム・コントローラ１１３０、ＲＦ信号源１１２０、電源兼バイアス回路（図示せず）、電力検出回路１１８０、可変インピーダンス整合回路網１１６０、第１電極１１７０、及び第２電極１１７２を含む。一実施形態によれば、システム・コントローラ１１３０、ＲＦ信号源１１２０、電源兼バイアス回路、及び電力検出回路１１８０は、第１モジュール（例えば、ＲＦモジュール１３００（図１３））の複数部分を形成することができ、可変インピーダンス整合回路網１１６０は第２モジュール（例えば、モジュール１２００または１２４０（図１２Ａ、１２Ｂ）のいずれか）の複数部分を形成することができる。それに加えて、一部の実施形態では、解凍システム１１００が、温度センサ、及び／またはＩＲセンサ１１９２を含むことができる。
一実施形態では、解凍システム１１００を格納構造１１５０内に収容することができる。一実施形態によれば、格納構造１１５０は、解凍キャビティ１１７４及び回路収容領域１１７８のような２つ以上の内部領域を規定することができる。格納構造１１５０は、下部壁、上部壁、及び側壁を含む。格納構造１１５０のこれらの壁の一部の内面の一部分が解凍キャビティ１１７４を規定することができる。解凍キャビティ１１７４は容量型解凍装置を含み、この容量型解凍装置は、空気キャビティによって分離された第１及び第２平行平板電極１１７０、１１７２を有し、この空気キャビティ内に解凍される負荷１１６４を配置することができる。例えば、第１電極１１７０は空気キャビティの上方に配置することができ、第２電極１１７２は、シングルエンドシステムの実施形態では格納構造１１５０の導体部分（例えば、格納構造１１５０の下部壁の一部分）によって提供することができる。その代わりに、シングルエンドまたはダブルエンドシステムの実施形態では、第２電極１１７２を、図示するように格納構造１１５０から区別される導体プレートで形成することができる。一実施形態によれば、非導電性の支持構造１１５４を用いて第１電極１１７０を空気キャビティの上方に懸架して、第１電極１１７０を格納構造１１５０から絶縁して、第１電極１１７０を空気キャビティに対して固定された物理的な向きに保持することができる。それに加えて、負荷１１６４と第２電極１１７２との直接の接触を回避するために、非導電性の支持体及び障壁構造１１５６を格納構造１１５０の下面全体にわたって配置することができる。
一実施形態によれば、格納構造１１５０が少なくとも部分的に導体材料で形成され、格納構造の導体部分を接地して、システムの種々の電気構成部品用の接地基準を提供することができる。その代わりに、格納構造１１５０における第２電極１１７２に相当する部分を導体材料で形成して接地することができる。
温度センサ及び／またはＩＲセンサ１１９２は、負荷１１６４の温度を、解凍動作前、解凍動作中、及び解凍動作後のいずれにも検出することを可能にする位置に配置することができる。一実施形態によれば、温度センサ及び／またはＩＲセンサ１１９２は負荷温度の推定値をシステム・コントローラ１１３０に提供するように構成されている。
一実施形態では、システム・コントローラ１１３０、ＲＦ信号源１１２０、電源兼バイアス回路（図示せず）、電力検出回路１１８０、及び可変インピーダンス整合回路網１１６０の構成部品の一部または全部を、格納構造１１５０の回路収容領域１１７８内の１つ以上の共通基板（例えば、基板１１５２）に結合することができる。例えば、上記に挙げた構成要素の一部または全部をＲＦモジュール（例えば、ＲＦモジュール１３００（図１３））及び種々のインピーダンス整合回路モジュール（例えば、モジュール１２００または１２４０（図１２Ａ、１２Ｂ）の変形例）内に含めることができ、これらのモジュールは格納構造１１５０の回路収容領域１１７８内に収容されている。一実施形態によれば、システム・コントローラ１１３０が、共通基板１１５２上または共通基板１１５２内の種々の導体相互接続部、及び／または図示しない種々のケーブル（例えば、同軸ケーブル）を通して、ユーザ・インタフェース、ＲＦ信号源１１２０、可変インピーダンス整合回路網１１６０、及び電力検出回路１１８０に結合されている。それに加えて、一実施形態では、電力検出回路１１８０が、ＲＦ信号源１１２０の出力端子と可変インピーダンス整合回路網１１６０の入力端子との間の伝送経路１１４８上に結合されている。例えば、基板１１５２（あるいはＲＦモジュール１３００または可変インピーダンス整合回路網モジュール１２００、１２４０を規定する基板）は、マイクロ波またはＲＦ積層板、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：polytetrafluoroethylene）基板、プリント回路基板（ＰＣＢ：printed circuit board）材料基板（例えば、ＦＲ−４）、アルミニウム基板、セラミックタイル、または他の種類の基板を含むことができる。種々の代案実施形態では、構成部品のうちの様々なものを異なる基板に、当該基板と当該構成部品との間の電気相互接続部により結合することができる。さらに他の代案実施形態では、これらの構成部品の一部または全部を、区別される基板に結合するのではなくキャビティ壁に結合することができる。
一実施形態では、シングルエンドの実施形態でもダブルエンドの実施形態でも、第１電極１１７０が可変インピーダンス整合回路網１１６０及び伝送経路１１４８を通してＲＦ信号源１１２０に電気結合されている。ダブルエンドの実施形態では、第２電極１１７２も、可変インピーダンス整合回路網１１６０及び伝送経路１１４８を通してＲＦ信号源１１２０に結合されている。前述したように、可変インピーダンス整合回路網１１６０のシングルエンドの実施形態は、シングルエンド可変インダクタンス回路網（例えば、回路網４００（図４Ａ））またはシングルエンド可変容量回路網（例えば、回路網４４０（図４Ｂ））を含むことができる。その代わりに、可変インピーダンス整合回路網１１６０のダブルエンドの実施形態は、ダブルエンド可変インダクタンス回路網（例えば、回路網８００、９００（図８、９））またはダブルエンド可変容量回路網（例えば、回路網１０００（図１０））を含むことができる。一実施形態では、可変インピーダンス整合回路網１１６０が、モジュール（例えば、モジュール１２００、１２４０（図１２Ａ、１２Ｂ）の一方）として実現され、あるいは共通基板１１５２に結合されて回路収容領域１１７８内に配置されている。導体構造（例えば、導体のビア、トレース、ケーブル、ワイヤ（配線）、及び他の構造）を、回路収容領域１１７８内の回路と電極１１７０、１１７２との間の電気通信用に設けることができる。
種々の実施形態によれば、本明細書中に説明するシングルエンドまたはダブルエンド可変インピーダンス整合回路網に関連する回路は１つ以上のモジュールの形態で実現することができ、本明細書中では「モジュール」を、共通の基板に結合された電気構成部品のアセンブリとして定義する。例えば、図１２Ａ及び１２Ｂは、２つの実施形態による、ダブルエンド可変インピーダンス整合回路網（例えば、回路網８００、９００、１０００（図８〜１０））を含むモジュール１２００、１２４０の例の透視図である。より具体的には、図１２Ａは、可変インダクタンスのインピーダンス整合回路網（例えば、回路網８００、９００（図８、９））を示し、図１２Ｂは、可変容量のインピーダンス整合回路網（例えば、回路網１０００（図１０））を収容するモジュール１２Ｂを示す。
モジュール１２００、１２４０の各々は、プリント回路基板（ＰＣＢ）１２０４、１２４４を含み、これらのＰＣＢは前面１２０６、１２４６、及びその反対側に後面１２０８、１２４８を有する。ＰＣＢ１２０４、１２４４は、１つ以上の誘電体層及び２つ以上のプリント導体層で形成される。導体ビア（図１２Ａ、１２Ｂ中には見えない）が、複数の導体層間の電気接続部を提供する。前面１２０６、１２４６では、第１のプリント導体層で形成された複数のプリント導体トレースが、ＰＣＢ１２０４、１２４４の前面１２０６、１２４６に結合された種々の構成要素間の電気接続を行う。同様に、後面１２０８、１２４８では、第２のプリント導体層で形成された複数のプリント導体トレースが、ＰＣＢ１２０４、１２４４の後面１２０８、１２４８に結合された種々の構成要素間の電気接続を行う。
一実施形態によれば、各ＰＣＢ１２０４、１２４４はＲＦ入力コネクタ１２３８、１２７８（例えば、後面１２０８、１２４８に結合され、従って図１２Ａ、１２Ｂ中には見えないが、コネクタ７３８（図７）に相当する）及びバラン１２７４、１２８４（例えば、後面１２０８、１２４８に結合され、従って図１２Ａ、１２Ｂ中には見えないが、バラン７７４（図７）に相当する）を収容する。入力コネクタ１２３８、１２７８は、同軸ケーブルまたは他の種類の導体のような接続部（例えば、接続部７２８−３（図７））でＲＦサブシステム（例えば、サブシステム３１０、７１０（図３、７））に電気接続されるように構成されている。こうした実施形態では、バラン１２７４、１２８４によってＲＦ入力コネクタ１２３８、１２７８から受信した不平衡ＲＦ信号を平衡な信号に変換し、この信号を一対の平衡導体（例えば、接続部７２８−４（図７））を通して、第１及び第２入力端子１２０１−１、１２０１−２または１２４１−１、１２４１−２に供給する。入力コネクタ１２３８、１２７８とバラン１２７４、１２８４との接続部、及びバラン１２７４、１２８４と入力端子１２０１−１、１２０１−２、１２４１−１、１２４１−２との接続部の各々は、ＰＣＢ１２０４、１２４４上及びこれらのＰＣＢ内に形成された導体トレース及び導体ビアを用いて実現することができる。代案実施形態では、上述したように、代案実施形態が平衡増幅器（例えば、平衡増幅器７２４’（図７））を含むことができ、この平衡増幅器は入力端子１２０１−１、１２０１−２、１２４１−１、１２４１−２に直接結合することができる。こうした実施形態では、バラン１２７４、１２８４をモジュール１２００、１２４０から除外することができる。
それに加えて、各ＰＣＢ１２０４、１２４４は、ダブルエンド可変インピーダンス整合回路網（例えば、回路網７７２、８００、９００、１０００（図７〜１０））に関連する回路を収容する。図１２Ａを参照すれば、図１２Ａは可変インダクタンスのインピーダンス整合回路（例えば、回路網８００、９００（図８、９））を収容するモジュール１２００に相当し、ＰＣＢ１２０４が収容する回路は、ダブルエンド入力端子１２０１−１、１２０１−２（例えば、入力端子９０１−１、９０１−２（図９））、ダブルエンド出力端子１２０２−１、１２０２−２（例えば、出力端子９０２−１、９０２−２（図９））、ダブルエンド入力端子の第１入力端子１２０１−１とダブルエンド出力端子の第１出力端子１２０２−１との間に直列に結合された第１数のインダクタ１２１１、１２１２、１２１３、１２１４、１２１５（例えば、インダクタ９１１〜９１５（図９））、ダブルエンド入力端子の第２入力端子１２０１−２とダブルエンド出力端子の第２出力端子１２０２−２との間に直列に結合された第２数のインダクタ１２１６、１２１７、１２１８、１２１９、１２２０（例えば、インダクタ９１６〜９２０（図９））、第１入力端子１２０１−１と第２入力端子１２０１−２との間に直列に結合された第３数のインダクタ（図１２中には見えないが、例えばインダクタ９２１〜９２３（図９）に相当する）、及びノード１２２５と１２２６（例えば、ノード９２５、９２６）との間に結合された１つ以上の追加的インダクタ１２２４（例えば、インダクタ９２４（図９））を含む。
複数のスイッチまたはリレー（例えば、図１２中には見えないが、例えばスイッチ９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、９４３（図９）に相当する）もＰＣＢ１２０４に結合されている。例えば、これら複数のスイッチまたはリレーは、ＰＣＢ１２０４の前面１２０６または後面１２０８に結合することができる。一実施形態では、これらのスイッチまたはリレーの各々が、インダクタ１２１１〜１２１４、１２１６〜１２１９のうちの１つ、あるいは入力端子１２０２−１と１２０２−２との間のインダクタ（例えば、インダクタ９２１、９２３（図９））のうちの１つの両端子間に並列に電気接続されている。制御コネクタ１２３０がＰＣＢ１２０４に結合され、制御コネクタ１２３０の導体は導体トレース１２３２に電気結合されて、これらのスイッチに制御信号（例えば、制御信号９５１〜９５４、９５６〜９５９、９６１、９６３（図９））を供給し、これにより、前述したように上記インダクタを回路内に組み入れ、回路から切り離す切り換えを行う。図１２Ａに示すように、固定値のインダクタ１２１５、１２２０（例えば、インダクタ９１５、９２０（図９））を比較的大型のコイルで形成することができるが、これらのインダクタは他の構造を用いて実現することもできる。さらに、図１２Ａの実施形態に示すように、出力端子１２０２−１、１２０２−２に相当する導体の特徴部分は比較的大型にすることができ、そしてシステムの電極（例えば、電極７４０、７５０（図７））に直接取り付けるために延長することができる。
ここで図１２Ｂを参照すれば、図１２Ｂは可変容量のインピーダンス整合回路網（例えば、回路網１０００（図１０））を収容するモジュール１２４０に相当し、ＰＣＢ１２４４が収容する回路は、ダブルエンド入力端子１２４１−１、１２４１−２（例えば、入力端子１００１−１、１００１−２（図１０））、ダブルエンド出力端子１２４２−１、１２４２−２（例えば、出力端子１００２−１、１００２−２（図１０））、ダブルエンド入力端子の第１入力端子１２４１−１と第１中間ノード１２６５（例えば、ノード１０２５（図１０））との間に直列に結合された第１数のコンデンサ１２５１、１２５２（例えば、コンデンサ１０１２、１０１３（図１０））、ダブルエンド入力端子の第２入力端子１２４１−２と第２中間ノード１２６６（例えば、ノード１０２６（図１０））との間に直列に結合された第２数のコンデンサ１２５６、１２５７（例えば、コンデンサ１０１７、１０１８（図１０））、ノード１２６５と１２６６（例えば、ノード１０２５、１０２６）との間に結合された第３数のコンデンサ１２５８、１２５９（例えば、コンデンサ１０２３、１０２４（図１０））、及びノード１２６５と出力端子１２４２−１との間に結合されたインダクタ１２５５及びノード１２６６と出力端子１２４２−２との間に結合されたインダクタ１２６０（例えば、インダクタ１０１５、１０２０（図１０））を含む。
第１数、第２数、及び第３数のコンデンサの各々は、固定コンデンサ１２５１、１２５６、１２５８（例えば、コンデンサ１０１２、１０１７、１０２３（図１０））及び可変コンデンサ（例えば、可変コンデンサ１０１３、１０１８、１０２４）を構成する１つ以上のコンデンサ１２５２、１２５７、１２５９の組を含む。可変コンデンサ１２５２、１２５７、１２５９の各組は、回路網５００（図５）のような容量性回路網を用いて実現することができる。複数のスイッチまたはリレー（例えば、図１２の写真では見えないが、例えばスイッチ５５１〜５５４（図５）に相当する）をＰＣＢ１２４４に結合することもできる。例えば、これら複数のスイッチまたはリレーはＰＣＢ１２４４の前面１２４６または後面１２４８に結合することができる。これらのスイッチまたはリレーの各々は、可変コンデンサ１２５２、１２５７、１２５９に関連するコンデンサのうちの異なるものの端子に直列に電気接続されている。制御コネクタ１２９０がＰＣＢ１２４４に結合され、制御コネクタの導体（図１２Ｂには図示せず）はＰＣＢ１２４４の導体トレースに電気結合されて、制御信号（例えば、制御信号５６１〜５６４（図５））をこれらのスイッチに供給し、これにより、前述したように上記コンデンサを回路内に組入れ、回路から外す切り換えを行う。
図１２Ｂに示すように、固定値のインダクタ１２５５、１２６０（例えば、インダクタ１０１５、１０２０（図１０））が中間ノード１２６５と出力端子１２４２−１との間、及び中間ノード１２６６と出力端子１２４２−２との間に結合されている。インダクタ１２５５、１２６０は比較的大型のコイルで形成することができるが、これらのインダクタは他の構造を用いて実現することもできる。さらに、図１２Ｂの実施形態中に示すように、出力端子１２４２−１、１２４２−２に相当する導体の特徴部分は比較的大型にすることができ、そしてシステムの電極（例えば、電極７４０、７５０（図７））に直接取り付けるために延長することができる。一実施形態によれば、そして図１２Ｂに示すように、インダクタ１２５５、１２６０は、これらのインダクタの主軸が互いに直交する（即ち、インダクタ１２５５、１２６０の中心を通って延びる軸どうしが約９０度の角度をなす）ように配置されている。このことは、大幅に低減された電磁結合をインダクタ１２５５、１２６０間に生じさせることができる。他の実施形態では、インダクタ１２５５、１２６０を、これらのインダクタの主軸どうしが平行であるように配置することができ、あるいは、これらの主軸が他の角度のオフセットを有するように配置することができる。
種々の実施形態では、ＲＦサブシステム（例えば、ＲＦサブシステム３１０、７１０（図３、７））に関連する回路も１つ以上のモジュールの形態で実現することができる。例えば、図１３は、一実施形態による、ＲＦサブシステム（例えば、ＲＦサブシステム３１０、７１０（図３、７））を含むＲＦモジュール１３００の透視図である。ＲＦモジュール１３００は、接地基板１３０４に結合されたＰＣＢ１３０２を含む。接地基板１３０４はＰＣＢ１３０２の構造的支持を行い、そして、ＰＣＢ１３０２に結合された種々の電気構成部品に電気接地基準及びヒートシンクの機能ももたらす。
一実施形態によれば、ＰＣＢ１３０２はＲＦサブシステム（例えば、サブシステム３１０または７１０（図３、７））を収容する。従って、ＰＣＢ１３０２が収容する回路は、システム・コントローラ１３１２（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２（図３、７））に相当する、ＲＦ信号源回路１３２０（例えば、ＲＦ信号発生器３２２、７２２及び電力増幅器３２４、３２５、７２４を含むＲＦ信号源３２０、７２０（図３、７）に相当する）、電力検出回路１３３０（例えば、電力検出回路３３０、７３０（図３、７）に相当する）、及びインピーダンス整合回路１３３４（例えば、第１整合回路３３４、７３４（図３、７）に相当する）を含む。
図１３の実施形態では、システム・コントローラ１３１２がプロセッサＩＣ及びメモリＩＣを含み、ＲＦ信号源回路１３２０が信号発生ＩＣ及び１つ以上の電力増幅デバイスを含み、電力検出回路１３３０が電力結合デバイスを含み、そしてインピーダンス整合回路１３３４が、互いに結合されてインピーダンス整合回路網を形成する複数の受動構成部品（例えば、インダクタ１３３５、１３３６及びコンデンサ１３３７）を含む。図３、７に関連して説明した種々の導体及び接続部を参照して前述したように、回路１３１２、１３２０、１３３０、１３３４及び種々の副構成部品どうしは、ＰＣＢ１３０２上の導体トレースを通して電気結合することができる。
一実施形態では、ＲＦモジュール１３００が複数のコネクタ１３１６、１３２６、１３３８、１３８０も含む。例えば、コネクタ１３８０は、ユーザ・インタフェース（例えば、ユーザ・インタフェース３８０、７８０（図３、７））及び他の機能を含むホストシステムに接続するように構成することができる。コネクタ１３１６は、前述したように可変整合回路（例えば、回路３７２、７７２（図３、７））に接続して制御信号をこの回路に供給するように構成することができる。コネクタ１３２６は、電源に接続してシステム電力を受けるように構成することができる。最後に、コネクタ１３３８（例えば、コネクタ３３６、７３６（図３、７））は、同軸ケーブルまたは他の伝送線に接続するように構成することができ、このことは、ＲＦモジュール１３００を（例えば、導体３２８−２、７２８−３（図３、７）を通して）可変整合サブシステム（例えば、サブシステム３７０、７７０（図３、７））に電気接続することを可能にする。代案実施形態では、可変整合サブシステム（例えば、可変整合回路網３７０、バラン７７４、及び／または可変整合回路７７２（図３、７））の構成要素もＰＣＢ１３０２上に統合することができ、この場合、コネクタ１３３６はモジュール１３３０から除外することができる。ＲＦモジュール１３００のレイアウト、サブシステム、及び構成部品の他の変形を行うこともできる。
ＲＦモジュール（例えば、モジュール１３００（図１３））及び可変インピーダンス整合回路網モジュール（例えば、モジュール１２００、１２４０（図１２Ａ、１２Ｂ））の実施形態を、互いに電気接続し、そして他の構成部品に電気接続して、解凍装置またはシステムを形成することができる。例えば、ＲＦ信号の接続は、同軸ケーブルのような接続部（例えば、導体７２８−３（図７））を通して、ＲＦコネクタ１３３８（図１３）とＲＦコネクタ１２３８（図１２Ａ）またはＲＦコネクタ１２７８（図１２Ｃ）との間で行うことができ、制御接続は、多導体ケーブルのような接続部（例えば、導体７１６（図７））を通して、コネクタ１３１６（図１３）とコネクタ１２３０（図１２Ａ）またはコネクタ１２９０（図１２Ｂ）との間で行うことができる。システムをさらに組み立てるために、ホストシステムまたはユーザ・インタフェースを、コネクタ１３８０を通してＲＦモジュール１３００に接続することができ、電源を、コネクタ１３２６を通してＲＦモジュール１３００に接続することができ、電極（例えば、電極７４０、７５０（図７））を出力端子１２０２−１．１２０２−２（図１２Ａ）または１２４２−１、１２４２−２（図１２Ｂ）に接続することができる。もちろん、上述したアセンブリは、種々の支持構造及び他のシステム構成要素にも物理的に接続されて、上記電極は解凍キャビティ（例えば、キャビティ１１０、３６０、７６０（図１、３、７））の全体にわたって互いに固定的関係に保持され、解凍装置はより大きなシステム（例えば、システム１００、２００（図１、２））内に統合することができる。
これまでは、解凍システムの電気的及び物理的態様を説明してきたので、以下、こうした解凍システムを動作させる方法を、図１４Ａ、１４Ｂ、及び１５に関連して説明する。より具体的には、図１４Ａは、一実施形態による、動的な負荷整合を有する解凍システム（例えば、システム１００、２１０、２２０、３００、７００、１１００（図１〜３、７、１１））を動作させる方法のフローチャートであり、図１４Ｂは、一実施形態による、図１４Ａのフローチャートのステップのうちの１つ、より具体的には、負荷質量に基づいて所望のＲＦ信号パラメータを決定するステップを実行する方法のフローチャートである。
まず図１４Ａを参照すれば、この方法はブロック１４０２で開始することができ、システム・コントローラ（例えば、システム・コントローラ３１２、７１２、１１３０（図３、７、１１））は解凍動作を開始するべきことの指示を受信する。こうした指示は、例えば、ユーザが負荷（例えば、負荷３６４、７６４、１１６４（図３、７、１１））をシステムの解凍キャビティ（例えば、キャビティ３６０、７６０、１１７４（図３、７、１１））内に配置し、（例えば、ドアまたは引き出しを閉じることによって）キャビティを密封し、そして（例えば、ユーザ・インタフェース３８０、７８０（図３、７）の）始動ボタンを押した後に受信することができる。一実施形態では、キャビティの密封は、１つ以上の安全インターロック機構を掛けることができ、こうした安全インターロック機構は、掛けられると、キャビティに供給されるＲＦ電力がキャビティの外部の環境内に実質的に漏洩しないことを示す。後に説明するように、安全インターロック機構を解除することは、システム・コントローラに解凍動作を即座に一時停止または終了させることができる。
種々の実施形態によれば、システム・コントローラは任意で、負荷の種類（例えば、肉、液体、または他の材料）、初期の負荷温度、及び／または負荷質量を示す追加的入力を受信することができる。例えば、負荷の種類に関係する情報は、ユーザからユーザ・インタフェースとの相互作用により（例えば、認識されている負荷の種類のリストからユーザが選択することによって）受信することができる。その代わりに、上記システムは、負荷の外側に見えるバーコードを走査するように、あるいは負荷上の、または負荷内に埋め込まれたＲＦＩＤデバイスから電子信号を受信するように構成することができる。初期の負荷温度に関する情報は、例えば、システムの１つ以上の温度センサ及び／またはＩＲセンサ（例えば、センサ３９０、７９２、７９０、１１９２（図３、７、１１））から受信することができる。初期の負荷温度に関する情報は、ユーザからユーザ・インタフェースとの対話により受信することができ、あるいはシステムの１つ以上の温度センサ及び／またはＩＲセンサ（例えば、センサ３９０、７９０、１１９２（図３、７、１１））から受信することができる。上記に示したように、負荷の種類、初期の負荷温度、及び／または負荷質量を示す入力の受信は任意であり、システムはその代わりにこれらの入力の一部または全部を受信しないことができる。なお、負荷の質量または重量をユーザが入力する実施形態については、以下にブロック１４１６に関連して説明する自動質量測定方法を省略することができ、ユーザ入力の質量／重量を用いて、ＲＦ信号源によって供給されるＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定することができる。これらのユーザ入力には上限及び下限の閾値を置くことができる。例えば、ユーザが大き過ぎる（例えば、所定閾値を上回る）質量を不用意に入力した場合、ユーザ・インタフェース（例えば、制御パネル１２０、２１４、２２４、図１、２のユーザ・インタフェース）が、入力が無効であることの指示を与えることができる。その代わりに、システムは、ＲＦ電力を上限及び下限の閾値の限界内のレベルまで低減すること、及び／または解凍動作の実行時間を低減することができる。
ブロック１４０４では、システム・コントローラが制御信号を可変整合回路網（例えば、回路網３７０、４００、４４０、７７２、８００、９００、１０００、１１６０（図３、４Ａ、４Ｂ、７〜１１））に供給して、可変整合回路網における初期構成または初期状態を確立する。図４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、及び８〜１０に関連して詳細に説明したように、これらの制御信号は、可変整合回路網内の種々のインダクタンス及び／または容量（例えば、インダクタンス４１０、４１１、４１４、８１１、８１６、８２１（図４Ａ、８）及び容量４４４、４４８、１０１３、１０１８、１０２４（図４Ｂ、１０））の値に影響を与える。例えば、上記制御信号は、バイパススイッチ（例えば、スイッチ５１１〜５１４、５５１〜５５４、９３１〜９３４、９３６〜９３９、９４１、９４３（図５Ａ、５Ｂ、９））の状態に影響を与えることができ、これらのバイパススイッチは、システム・コントローラからの制御信号（例えば、制御信号５２１〜５２４、５６１〜５６４、９５１〜９５４、９５６〜９５９、９６１、９６３（図５Ａ、５Ｂ、９））に応答する。
これも前述したように、可変整合回路網の第１部分は、ＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））または最終段の電力増幅器（例えば、電力増幅器３２５、７２４（図３、７））との整合を行うように構成することができ、可変整合回路網の第２部分は、キャビティ（例えば、キャビティ３６０、７６０、１１６０（図３、７、１１））＋負荷（例えば、負荷３６４、７６４、１１６４（図３、７、１１））との整合を行うように構成することができる。例えば、図４Ａを参照すれば、第１の分路可変インダクタンス回路網４１０はＲＦ信号源との整合を行うように構成することができ、第２の分路可変インダクタンス回路網４１６はキャビティ＋負荷との整合を行うように構成することができる。図４Ｂを参照すれば、第１可変容量回路網４４２は、第２可変容量回路網４４６と連動して、共にＲＦ信号源とキャビティ+負荷との最適な整合をもたらすように構成することができる。
凍結した負荷との初期の全体的な整合（即ち、最大量のＲＦ電力が負荷によって吸収される整合）は一般に、整合回路網のキャビティ整合部分では比較的高いインダクタンスを有し、整合回路網のＲＦ信号源整合部分では比較的低いインダクタンスを有することが観測されている。例えば、図１５は、２つの異なる負荷用の解凍動作による、最適なキャビティ整合設定をＲＦ信号源整合設定に対してプロットしたグラフであり、軌跡１５１０は（例えば、第１の種類、重量、等を有する）第１負荷に対応し、軌跡１５２０は（例えば、第２の種類、重量、等を有する）第２負荷に対応する。図１５では、解凍動作の開始時（例えば、負荷が凍結している際）におけるこれら２つの負荷の最適な初期設定を、それぞれ点１５１２及び１５２２によって示す。図に見られるように、点１５１２及び１５２２は共に、比較的低いＲＦ源の整合設定に対して比較的高いキャビティの整合設定を示している。図４Ａの実施形態を参照すれば、このことは、可変インダクタンス回路網４１６における比較的高いインピーダンス、及び可変インダクタンス回路網４１０における比較的低いインダクタンスに置き換えられる。図８の実施形態を参照すれば、このことは、可変インダクタンス回路網８１１における比較的高いインダクタンス、及び可変インダクタンス回路網８２１における比較的低いインダクタンスに置き換えられる。
一実施形態によれば、ブロック１４０４において可変整合回路網における初期設定または初期状態を確立するために、システム・コントローラは、第１及び第２可変インダクタンス回路網（例えば、回路網４１０、４１１（図４Ａ））に制御信号を送信して、ＲＦ信号源との整合用の可変インダクタンス回路網（例えば、回路網４１０）に比較的低いインダクタンスを持たせ、キャビティとの整合用の可変インダクタンス回路網（例えば、回路網４１１）に比較的高いインダクタンスを持たせる。システム・コントローラは、設定するインダクタンスの低さまたは高さを、当該システム・コントローラが先験的に知っている負荷の種類／重量／温度の情報に基づいて決定することができる。先験的な負荷の種類／重量／温度の情報がシステム・コントローラにとって利用可能でない場合、システム・コントローラは、比較的低いデフォルトのインダクタンスをＲＦ信号源との整合用に選択し、比較的高いデフォルトのインダクタンスをキャビティとの整合用に選択することができる。
しかし、システム・コントローラが負荷の特性に関する先験的情報を確かに有するものと仮定すれば、システム・コントローラは、最適な初期の整合点に近い初期設定を確立しようと試みることができる。例えば、図１５を再び参照すれば、第１の種類の負荷にとって最適な初期整合点１５１２は、（例えば、回路網４１１（図４Ａ）または８１１／８１６（図８）によって実現される）回路網の最大値の約８０パーセントの、キャビティとの整合を有し、（例えば、回路網４１０または８２１（図４Ａ、８）によって実現される）回路網の最大値の約１０パーセントの、ＲＦ信号源との整合を有する。可変インダクタンス回路網の各々が、例えば、図５の回路網と同様の構造を有するものと仮定し、上記の表１中の状態は第１の種類の負荷に当てはまるものと仮定すれば、システム・コントローラは、キャビティ整合回路網（例えば、回路網４１１または８１１／８１６）が状態１２（即ち、回路網４１１または８１１／８１６の最大可能なインダクタンスの約８０パーセント）を有し、ＲＦ信号源整合回路網（例えば、回路網４１０または８２１）が状態２（即ち、回路網４１０の最大可能なインダクタンスの約１０パーセント）を有するように、可変インダクタンス回路網を初期化することができる。逆に、第２の種類の負荷にとって最適な初期整合点１５２２は、（例えば、回路網４１１または８１１／８１６によって実現される）回路網の最大値の約４０パーセントの、キャビティとの整合をもたらし、かつ（例えば、回路網４１０または８２１によって実現される）回路網の最大値の約１０パーセントの、ＲＦ信号源との整合をもたらす。従って、第２の種類の負荷については、システム・コントローラは、キャビティ整合回路網（例えば、回路網４１１または８１１／８１６）が状態６（即ち、回路網４１１または８１１／８１６の最大可能なインダクタンスの約４０パーセント）を有し、ＲＦ信号源整合回路網（例えば、回路網４１０または８２１）が状態２（即ち、回路網４１０または８２１の最大可能なインダクタンスの約１０パーセント）を有するように、可変インダクタンス回路網を初期化することができる。一般に、解凍動作中には、ＲＦ信号源整合回路網のインダクタンス値の調整と、キャビティ整合回路網のインダクタンス値の調整とは、逆の様式で行われる。換言すれば、ＲＦ信号源整合回路網のインダクタンス値を減少させる際には、キャビティ整合回路網のインダクタンス値を増加させ、その逆も当てはまる。本明細書中には詳細に記載していないが、同様の調整プロセスを実行して、可変容量回路網（例えば、回路網４４０（図４Ｂ）及び１０００（図１０））の実施形態によってもたらされる整合を制御することができる。
再び図１４Ａを参照すれば、一旦、初期の可変整合回路網の設定を確立すると、システム・コントローラは、適切である際に、ブロック１４１０において、可変インピーダンス整合回路網の設定を調整するプロセスを実行して、整合の品質を示す実際の測定値に基づいて、許容可能な、あるいは最良の整合を見出すことができる。それに加えて、ブロック１４１０では、システム・コントローラが負荷の質量を推定することができ、負荷の質量に基づいて、ＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））によって供給されるＲＦ信号のパラメータの集合用の特定値を決定することもできる。このようにシステム・コントローラによって推定した負荷質量に基づいて決定されたＲＦ信号パラメータを、以下ではＲＦ信号用の「所望の信号パラメータ」の集合と称し、所望の信号パラメータの集合により生成されたＲＦ信号を、以下では「質量推定に基づくＲＦ信号」と称する。
図１４Ｂは、一実施形態による、図１４Ａに示す方法のブロック１４１０で実行することができるタスクを示す。ブロック１４１１では、システム・コントローラが、ＲＦ信号源に、比較的低電力のＲＦ信号を、可変インピーダンス整合回路網を通して電極（例えば、第１電極３４０または両電極７４０、７５０、１１７０、１１７２（図３、７、１１））に供給させる。システム・コントローラは、制御信号により、電源兼バイアス回路（例えば、回路３２６、７２６（図３、７））に至るＲＦ信号の電力レベルを制御することができ、これらの制御信号は、電源兼バイアス回路に、所望の信号電力レベルに合った電源兼バイアス電圧を増幅器（例えば、増幅段３２４、３２５、７２４、図３、７）に供給させる。例えば、上記比較的低電力のＲＦ信号は、約１０W〜約２０Wの範囲内の電力レベルを有する信号とすることができるが、異なる電力レベルを代わりに用いることができる。ブロック１４１１の期間中に比較的低電力レベルの信号を供給することは、（例えば、初期の整合が高い反射電力を生じさせる場合に）キャビティ及び／または負荷を損傷させる恐れを低減するため、及び（例えば、スイッチ接点間のアーク放電による）可変インダクタンスまたは可変容量回路網のスイッチング構成部品を損傷させる恐れを低減するために望ましいことがある。
次に、ブロック１４１２では、「評価時刻」に、電力検出回路（例えば、電力検出回路３３０、７３０、１１８０（図３、７、１１））が、ＲＦ信号源と電極との間の伝送経路（例えば、経路３２８、７２８、１１４８（図３、７、１１））に沿った反射電力及び（一部の実施形態では）順方向電力を測定して、これらの測定値をシステム・コントローラに提供する。次に、システム・コントローラは、反射信号電力と順方向信号電力との比率を決定し、この比率に基づいてシステムのＳ１１パラメータ（例えば、リターンロス（反射減衰量）に相当する）を決定することができる。一実施形態では、システム・コントローラが、受信した電力測定値（例えば、受信した反射電力測定値、受信した順方向電力測定値、あるいはその両方）、及び／または計算した上記比率、及び／またはＳ１１パラメータを、将来の評価または比較用に記憶することができる。
ブロック１４１３では、システム・コントローラが、反射電力測定値及び／または反射対順方向の信号電力比、及び／またはＳ１１パラメータに基づいて、可変インピーダンス整合回路網によって評価時刻にもたらされる整合が許容可能である（例えば、反射電力が閾値を下回り、あるいは反射対順方向の信号電力比が１０パーセント以下（または他の何らかの閾値を下回る）、あるいは測定値または値が他の何らかの基準と好都合に同程度である）か否かを判定することができる。その代わりに、システム・コントローラは、整合が「最良の」整合であるか否かを判定するように構成することができる。「最良の」整合は、例えば、すべての可能なインピーダンス整合回路網の構成について（あるいは、インピーダンス整合回路網の構成の少なくとも所定の部分集合について）反射ＲＦ電力（及び一部の実施形態では順方向ＲＦ電力）を反復的に測定して、どの構成が最低の反射ＲＦ電力及び／または最低の反射対順方向の電力比を生じさせるかを特定することによって判定することができる。一部の実施形態では、バイナリサーチ（二分探索）アルゴリズムまたはリージョナルサーチ（局所探索）アルゴリズムを代わりに用いて、最低の反射ＲＦ電力及び／または最低の反射対順方向の電力比を生じさせる「最良整合」の構成を識別することができ、このことは最良整合の構成を見出すのに必要な時間長を低減することができる。
システム・コントローラが、整合が許容可能でないか最良の整合でないものと判定すると、システム・コントローラは、ブロック１４１４で、可変インピーダンス整合回路網を再構成することによって整合を調整することができる。例えば、この再構成は、制御信号を可変インピーダンス整合回路網に送信することによって実現することができ、この制御信号は、（例えば、可変インダクタンス回路網４１０、４１１、４１５、８１１、８１６、８２１（図４Ａ、８）または可変容量回路網４２２、４４４、４４６、４４８、１０１１、１０１３、１０１６、１０１８、１０２１、１０２４（図４Ｂ、１０）に異なるインダクタンスまたは静電容量状態を持たせることによって、あるいはインダクタ５０１〜５０４、９１１〜９１４、９１６〜９１９、９２１、９２３（図５Ａ、９）またはコンデンサ５４１〜５４４（図５Ｂ））を切り替えにより回路内に組み入れるか回路から切り離すことによって）この回路網に、当該回路網内の可変インダクタンス及び／または静電容量を増加及び／または減少させる。可変インピーダンス整合回路網内の可変インダクタンス回路網のその時点で最新のインダクタンス値または状態（例えば、インダクタ４１０、４１１、４１５、８１１、８１６、８２１（図４Ａ、８））、あるいは可変容量回路網のその時点で最新の静電容量値または状態（例えば、コンデンサ４４２、４４４、４４６、４４８、１０１１、１０１３、１０１６、１０１８、１０２１、１０２４（図４Ｂ、１０））をシステム・コントローラのメモリに記憶することができる。本明細書中では、可変インダクタ及び可変コンデンサ毎に、特定の評価時刻に関連するインダクタンス値及び静電容量値を「現在の可変要素値」と称することがあり、本明細書中では、特定の評価時刻における可変インダクタンス回路網または可変容量回路網内の１つ以上の可変構成部品についての現在の可変要素値の集合を「現在の可変要素値の集合」と称することがある。可変インピーダンス回路網を再構成（または調整）した後に、ブロック１４１３で許容可能な、あるいは最良の整合が判定されるまで、ブロック１４１１、１４１２、及び１４１３を反復的に実行することができる。
可変インピーダンス回路網が、（例えば、反射電力、反射対順方向の信号電力比、及び／またはＳ１１パラメータが対応する閾値を下回ることによって示されるような）許容可能な、あるいは最良の整合が実現された状態に構成されると、現在の可変要素値の集合は、可変インピーダンス整合回路網内の１つ以上の可変構成部品のその時点で最新の値を含む。例えば、図４Ａまたは８の可変インダクタンス整合回路網４００または８００については、現在の可変要素値の集合が、評価時刻における可変インダクタンス４１０、４１１、８１１、８１６、及び８２１のインダクタンス値（本明細書中では「現在の可変インダクタンス値」と称する）を含むことができ、例えば、図４Ｂまたは１０の可変容量整合回路網４４０または１０００については、現在の可変要素値の集合が、評価時刻における可変静電容量４４２または４４４、４４６または４４８、１０１１または１０１３、１０１６または１０１８、及び１０２１または１０２４の静電容量値（本明細書中では「現在の可変静電容量値」と称する）を含むことができる。従って、一実施形態によれば、現在の可変要素値の集合を用いて、負荷の質量を、１つ以上のルックアップテーブル（ＬＵＴ）を用いて推定することができ、これについては以下に説明する。一部の実施形態では、質量の推定を解凍動作中に１回だけ実行することができる。その代わりに、質量推定プロセスを２回以上実行することができる。
質量推定プロセスを１回だけ実行するものと仮定すれば、一旦、ブロック１４１３で許容可能な、あるいは最良の整合が判定されると、システム・コントローラは、ブロック１４１５で、ＲＦ信号用の１つ以上の「所望の」（例えば、負荷の質量推定に基づく所望の）信号パラメータの集合が既に決定されているか否かを判定することができる。ブロック１４１０の複数回の反復を単一の解凍動作中に実行することができるので、こうした所望の信号パラメータの集合がブロック１４１０の前回の反復において既に決定されていることがあり得る。許容可能なＲＦ信号パラメータの集合が既に決定されている場合、ブロック１４１６、１４１７、及び１４１８は省略することができる。
さもなければ、所望のＲＦ信号パラメータがまだ決定されていない場合、ブロック１４１６では、可変インピーダンス整合回路網の可変インダクタンス回路網及び／または可変容量回路網内の可変構成部品の一部または全部の現在の可変要素値を、１つ以上のＬＵＴ中のエントリと比較して、キャビティ内の負荷の質量または重量（あるいは、一部の実施形態では温度）を推定することができ、これらのＬＵＴは、システム・コントローラ内のメモリ、及び／またはシステム・コントローラにアクセス可能な他のメモリに記憶することができる。例えば、あるＬＵＴは複数のエントリを含むことができ、各エントリは、可変構成部品毎のフィールド、関連する負荷質量用のフィールド、及び／または関連する負荷温度用のフィールドを含む。なお、（例えば、ユーザ・インタフェースまたはキャビティ内の温度センサを通して受信した入力により）負荷の初期温度を知ることは、システム・コントローラが負荷の質量をより正確に推定することを可能にする。同様に、（例えば、ユーザ・インタフェースを通して、あるいは他の何らかの手段を通して受信した入力により）負荷の質量を知ることは、システム・コントローラが負荷の温度をより正確に推定することを可能にする。
ＬＵＴの構成（例えば）、各ＬＵＴエントリ内のフィールドは、少なくとも部分的に、システム内で利用される可変インピーダンス整合回路網の構成、及び可変インピーダンス整合回路網内に含まれる可変構成部品の数に依存する。例えば、図１６は、図８の可変インダクタンス回路網８００に関連するＬＵＴ１６００の一部分の説明的な例であり、可変インダクタンス回路網８００は３つの可変インダクタンス８２１、８１１、８１６を含み、以下ではそれぞれ「Ｌ１」、「Ｌ２」、及び「Ｌ３」と称する。一部の実施形態では、インダクタンス８１１が、インダクタンス８２１の値にかかわらずインダクタンス８１６と同じ値を有することができる。ＬＵＴ１６００は、複数の列１６０２、１６０４、１６０６、１６０８、１６１０、１６１２、１６１４、１６１６、１６１８、及び複数の行またはエントリ１６２２、１６２４、１６２６、１６２８、１６３０、１６３２を含み、図１６Ａにはこれらの行／エントリの部分集合のみを例示する。ＬＵＴ１６００内に記憶されているインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３は「記憶インダクタンス値」と称することがあり、ＬＵＴ１６００の所定行については、当該行内のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３を記憶インダクタンス値の「部分集合」と称することがある。本明細書中では、各列と各行との交点をＬＵＴ１６００の「セル」と称する。
本例では、任意である列１６０２内のセルが、システムのキャビティの内容物（本例では「空」または「牛のひき肉」）の種々の特性化を含む。列１６０４内のセルは、第１可変インダクタンス回路網（例えば、可変インダクタンス８２１（図８））用の記憶インダクタンス値Ｌ１を含む。列１６０６内のセルは、第２可変インダクタンス回路網（例えば、可変インダクタンス８１１（図８））用の記憶インダクタンス値Ｌ２を含む。列１６０８内のセルは、第３可変インダクタンス回路網（例えば、可変インダクタンス８１６（図８））用の記憶インダクタンス値Ｌ３を含む。インダクタンス８１１の値がインダクタンス８１６の値と同じである実施形態については、列１６０６と１６０８とを組み合わせて単一の列にしてテーブルを簡略化することができる、というのは、列１６０６内のインダクタンス値は列１６０８内のインダクタンス値と同じであるからである。なお、列１６０４内に示すインダクタンス値Ｌ１は５０nHに正規化されているのに対し、それぞれ列１６０６及び１６０８内に示すインダクタンス値Ｌ２及びＬ３は１００nHに正規化されている。一実施形態では、記憶インダクタンス値を正規化しないことができ、あるいは記憶インダクタンス値を他の値に正規化することができる。
ＬＵＴ１６００の列１６１０のセルは、システムにおける記憶Ｓ１１パラメータ値を含み、デシベル（dB）単位で示され、システムにおけるリターンロスを表し、このリターンロスはＲＦ信号源とキャビティとの間のインピーダンス整合の品質によって影響を与えられ得る。一部の実施形態では、システムのキャビティ内の負荷の質量を推定するに当たり、これらのＳ１１パラメータをＬ１、Ｌ２、及びＬ３の値と組み合わせて用いる。例えば、ＲＦエネルギーが負荷に供給されるに連れてＳ１１パラメータが変化する速度は、負荷が（より低速のＳ１１パラメータの変化の速度に対応する）より大きい質量を有するか、（より高速のＳ１１パラメータの変化の速度に対応する）より小さい質量を有するかを示すことができる。
列１６１２内のセルは、キャビティの内容物のグラム（g）単位の重量を含むことができる。図に示すように、（温度及び負荷の種類は一定であるものと仮定すれば）負荷の質量が増加するに連れてＳ１１パラメータ値は減少し、より大きな負荷に対してより良好なインピーダンス整合を実現することができることを示している。列１６１４内のセルは、キャビティの内容物の摂氏温度（℃）単位の温度を含むことができる。
列１６１６内のセルは、負荷の重量／質量、及びＲＦ電力を負荷に供給する時間長に基づく、負荷に供給されるＲＦ電力の種々の異なるレベルを含むことができる。図に示すように、負荷に供給されるＲＦ電力の量は、負荷の重量／質量が増加するに連れて、図示する３００Wの最大閾値まで増加する。ＲＦ電力の最大閾値は解凍システムの動作パラメータに応じて変化させることができることは明らかである。
列１６１８内のセルは、負荷の重量／質量、及び負荷に供給されるＲＦ電力の量に基づく、ＲＦ電力を負荷に供給することができる種々の異なる時間長を含むことができる。図に示すように、供給されるＲＦ電力が行１６２８、１６３０、及び１６３２内の最大閾値に達した際でも、ＲＦ電力を負荷に供給する時間長を増加させることによって、より大きな質量を有する負荷を解凍することができる。
行１６２２内のセルは空のキャビティに対応する。行１６２４内のセルは、−２０℃の２００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１６２６内のセルは、−２０℃の５００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１６２８内のセルは、−２０℃の１０００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１６３０内のセルは、−２０℃の１５００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１６３２内のセルは、−２０℃の２０００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。
一実施形態によれば、ＬＵＴ１６００はシステム・コントローラにアクセス可能なメモリに記憶されている。システム・コントローラは、可変インピーダンス整合回路網内の可変インダクタンス回路網の現在のインダクタンス値（例えば、現在のインダクタンス値は、図１４Ｂのブロック１４１４においてシステム・コントローラのメモリに記憶されているインダクタンス値に相当する）を、ＬＵＴの列１６０４、１６０６、及び１６０８内の対応するインダクタンス値と比較するか相関をとって、負荷の質量または温度を推定することができる。
他の例として、図１６Ｂは、図１０の可変容量回路網１０００に関連するＬＵＴ１７００の一部分の説明的な例を示し、可変容量回路網１０００は３つの可変コンデンサ１０１１、１０１６、１０２３を含み、以下ではそれぞれ「Ｃ１」、「Ｃ２」、及び「Ｃ３」と称する。一部の実施形態では、静電容量１０１１が、静電容量１０２３の値にかかわらず静電容量１０１６と同じ値を有することができる。ＬＵＴ１７００は複数の列１７０２、１７０４、１７０６、１７０８、１７１０、１７１２、１７１４、１７１６、１７１８、及び複数の行またはエントリ１７２２、１７２４、１７２６、１７２８、１７３０、１７３２を含み、図１６Ｂにはこれらの行／エントリの部分集合のみを例示する。ＬＵＴ１７００内に記憶されている静電容量値Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３は「記憶静電容量値」と称することがあり、ＬＵＴ１７００の所定行については、当該行内の静電容量値Ｃ１、Ｃ２、及びＣ３を記憶静電容量値の「部分集合」と称することがある。本明細書中では、各列と各行との交点をＬＵＴ１７００の「セル」と称する。
本例では、任意である列１７０２内のセルが、システムのキャビティの内容物（本例では「空」または「牛のひき肉」）の種々の特性化を含む。列１７０４内のセルは、第１可変容量回路網（例えば、可変静電容量１０１１（図１０））用の記憶静電容量値Ｃ１を含む。列１７０６内のセルは、第２可変容量回路網（例えば、可変静電容量１０１６（図１０））用の記憶静電容量値Ｃ２を含む。静電容量１０１１の値が静電容量１０１６の値と同じである実施形態については、列１７０４と１７０６とを組み合わせて単一の列にしてテーブルを簡略化することができる、というのは、列１７０４内の静電容量値は列１７０６内の静電容量値と同じであるからである。列１７０８内のセルは、第３可変容量回路網（例えば、可変静電容量１０２３（図８））用の記憶静電容量値Ｃ３を含む。なお、それぞれ列１７０４及び１７０６内に示す静電容量値Ｃ１及びＣ２は２００nFに正規化されているのに対し、列１７０８内に示す静電容量値Ｃ３は５００nFに正規化されている。他の実施形態では、記憶静電容量値を正規化しないことができ、あるいは記憶静電容量値を他の値に正規化することができる。
ＬＵＴ１７００の列１７１０は、システムにおける記憶Ｓ１１パラメータ値を含み、デシベル（dB）単位で示され、システムにおけるリターンロスを表し、このリターンロスはＲＦ信号源とキャビティとの間のインピーダンス整合の品質によって影響を与えられ得る。一部の実施形態では、システムのキャビティ内の負荷の質量を推定するに当たり、これらのＳ１１パラメータをＣ１、Ｃ２、及びＣ３の値と組み合わせて用いる。例えば、ＲＦエネルギーが負荷に供給されるに連れてＳ１１パラメータが変化する速度は、負荷が（より低速のＳ１１パラメータの変化に対応する）より大きい質量を有するか、（より高速のＳ１１パラメータの変化の速度に対応する）より小さい質量を有するかを示すことができる。
列１７１２内のセルは、キャビティの内容物のグラム（g）単位の重量を含むことができる。図に示すように、（温度及び負荷の種類は一定であるものと仮定すれば）負荷の質量が増加するに連れてＳ１１パラメータ値は減少し、より大きな負荷に対してより良好なインピーダンス整合を実現することができることを示している。列１７１４内のセルは、キャビティの内容物の摂氏温度（℃）単位の温度を含むことができる。
列１７１６内のセルは、負荷の重量／質量、及びＲＦ電力を負荷に供給する時間長に基づく、負荷に供給されるＲＦ電力の種々の異なるレベルを含むことができる。図に示すように、負荷に供給されるＲＦ電力の量は、負荷の重量／質量が増加するに連れて、図示する３００Wの最大閾値まで増加する。ＲＦ電力の最大閾値は解凍システムの動作パラメータに応じて変化させることができることは明らかである。
列１７１８内のセルは、負荷の重量／質量、及び負荷に供給されるＲＦ電力の量に基づく、ＲＦ電力を負荷に供給することができる種々の異なる時間長を含むことができる。図に示すように、供給されるＲＦ電力が行１７２８、１７３０、及び１７３２内の最大閾値に達した際でも、ＲＦ電力を負荷に供給する時間長を増加させることによって、より大きな質量を有する負荷を解凍することができる。
行１７２２内のセルは空のキャビティに対応する。行１７２４内のセルは、−２０℃の２００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１７２６内のセルは、−２０℃の５００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１７２８内のセルは、−２０℃の１０００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１７３０内のセルは、−２０℃の１５００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。行１７３２内のセルは、−２０℃の２０００gの牛のひき肉を含むキャビティに対応する。
一実施形態によれば、ＬＵＴ１７００はシステム・コントローラにアクセス可能なメモリに記憶されている。システム・コントローラは、可変インピーダンス整合回路網内の可変容量回路網の現在の静電容量値（例えば、現在の静電容量値は、図１４Ｂのブロック１４１４においてシステム・コントローラのメモリに記憶されている静電容量値に相当する）を、ＬＵＴの列１７０４、１７０６、及び１７０８内の対応する静電容量値と比較して、負荷の質量または温度を推定することができる。
図１６Ａ及び１６Ｂに関連して説明した可変インダクタンス回路網及び可変容量回路網は例示的であり限定的ではないことを意図していることは明らかである。他の可変インピーダンス回路網（例えば、回路網４００、４４０、５００、５４０（図４Ａ、４Ｂ、５Ａ、及び５Ｂ）のような不平衡（例えば、シングルエンド）システム用の可変インピーダンス回路網、異なるように構成された可変インダクタンス回路網、異なるように構成された可変容量回路網、及び可変インダクタ及び可変コンデンサを共に含む回路網を含む）をシステム内で代わりに用いることができ、これらの回路網の可変要素値を、システム・コントローラのメモリに記憶されている、異なるように構成された１つ以上のＬＵＴのエントリに入れることができる。なお、それに加えて、「可変回路網」は、固定構成部品を可変構成部品と共に含むことができ、可変または固定抵抗器を含むことができる。なお、さらに、「可変コンデンサ」または「可変インダクタ」は、入力ノードと出力ノードとの間の静電容量またはインダクタンスを可変にするスイッチング素子（例えば、図５Ａ、５Ｂ、及び９に反映させたトランジスタまたは機械式リレー）を含むことができる。追加的なスイッチング素子を含めることができ、これらのスイッチング素子は、受動構成部品の一部または全部を切り替えにより可変インピーダンス回路網内に含めること、あるいは可変インピーダンス回路網から切り離すことができる。その代わりに、こうした可変構成部品は、（例えば、インダクタ・コイル上の異なる位置に入れ込むことによって、あるいは、コンデンサの極板をより近くに、またはより遠く離れるように移動させることによって）それ自体を修正可能にして可変値を提供することができる。
（例えば、ブロック１４１３で決定した）許容可能な／最良の整合に対応する現在の可変要素値の集合の知識を与えられると、システム・コントローラは、現在の要素値の集合内の１つ以上の可変要素値の各々を、システム・コントローラのメモリに記憶されているＬＵＴ内にリストアップされた各エントリ（例えば、行）と比較するか相関をとることができる。例えば、図１６Ａ中のＬＵＴの例１６００を再び参照すれば、インダクタンス値Ｌ１（例えば、インダクタンス８２１（図８））の現在の可変要素値を、列１６０４内の対応するＬ１の記憶値と比較して、インダクタＬ１の現在の可変要素値とＬ１の各記憶値との差を決定することができる。同様に、インダクタＬ２の現在の可変要素値を、列１６０６内の対応するＬ２の記憶値と比較して、インダクタＬ２の現在の可変要素値とＬ２の各記憶値との差を決定することができる、等である。この比較プロセスに関連して、現在の可変要素値を正規化することができる（ＬＵＴ１６００内の対応する記憶値も正規化されているものと仮定する）。
この比較プロセスに基づいて、コントローラは、ＬＵＴのどのエントリが、現在の可変要素値と最も密接に相関した記憶可変要素値を有する最良の整合（例えば、同一の整合または最も近い整合）に相当するかを特定することができる。本明細書中では、「最良の整合」に相当する行またはエントリを「相関エントリ」と称する。最良の整合を判定することの実現例は、可変インピーダンス整合回路網のインピーダンス値を反復的に調整すること、及び各反復回に低いＲＦ電力が供給される間にＳ１１パラメータ値を測定して実現可能な最低のＳ１１パラメータ値を識別することを含む。従って、実現可能な最低のＳ１１パラメータ値に対応する可変インピーダンス整合回路網の構成を、解凍システムによって（例えば、システム・コントローラによって）最良の整合を提供するものとして識別する。
最良の整合を識別する代案の方法を代わりに適用することができ、この方法は、可変インピーダンス整合回路網のすべての可能な構成をテストするのではなく、現在の構成の所定範囲内の構成のみをテストする。一部の方法は、どの可変インピーダンス整合回路網の構成をテストするかを、解凍システムのメモリに記憶されている（例えば、以前に実行した解凍／加熱動作中に収集した）履歴的構成データに基づいて予測することができる。一部の実施形態では、最良の整合を、供給したＲＦエネルギーの所定閾値以上のパーセント比率（例えば、９５％〜９９％）が負荷によって吸収されることを可能にするものと判定されたあらゆるインピーダンス整合回路網の構成として識別することができる。
一部の実施形態では、相関エントリの判定の精度を、負荷の初期温度をＬＵＴ（例えば、ＬＵＴ１６００の列１６１４）中にリストアップされた記憶温度値と比較することによって増強することができる。こうした実施形態では、コントローラは、ＬＵＴのどのエントリが相関エントリであるかを、現在の可変要素値と記憶可変要素値との比較だけでなく、負荷の初期温度と記憶温度値との比較にも基づいて特定することができる。例えば、コントローラは、現在の可変要素値と最も密接に相関した記憶可変要素値を有し、かつ初期温度値と最も密接に相関した記憶温度値を有するエントリが相関エントリであるものと判定することができる。次に、システム・コントローラは、負荷の質量をＬＵＴの相関エントリ内に含まれる質量として推定することができる。
一部の実施形態では、ＬＵＴ内の複数のエントリが同一の記憶可変要素値を有するが、異なる記憶温度値及び／または記憶負荷種類指定子（記憶されている負荷の種類の指定子）を有することができる。従って、上述したプロセスでは複数の相関エントリを特定することができ、これら複数の相関エントリは同一の記憶要素値を有するが異なる温度及び／または負荷の種類を有する。こうした実施形態では、ユーザ提供の、あるいは検出した負荷の温度、及びユーザ提供の、あるいは検出した負荷の種類（例えば、本例では摂氏−２０度の牛のひき肉）が与えられると、複数の相関エントリのうちの１つを最終の相関エントリ（例えば、ユーザ提供の、あるいは検出した負荷の種類または温度と最も近い値で一致する記憶質量または記憶温度値を有する相関エントリ）として選択することができる。相関エントリを特定した後に、負荷の質量を相関エントリの列１６１２内にリストアップされた質量値として（例えば、システム・コントローラによって）推定することができる。ここでも、一実施形態では、相関エントリが、列１６０４、１６０６、及び１６０８内に記憶されている対応するインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３の部分集合が現在の可変要素値（例えば、より具体的には、可変インピーダンス整合回路網の可変インダクタンス回路網の現在のインダクタンス値）の集合と最も近い値で一致するか密接に相関するエントリである。一部の実施形態では、負荷の質量を推定するために、負荷の現在温度または負荷の種類を知る必要がないようにすることができ、負荷の質量は、現在の可変要素値の集合とＬＵＴ内の記憶インダクタンス値（例えば、Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３）との相関プロセスのみに基づいて推定することができる。
要約すれば、許容可能な／最良の整合に対応する要素値の集合（例えば、ブロック１４１３において決定した現在の要素値）の知識が与えられると、システム・コントローラは、現在の要素値の集合を、システム・コントローラのメモリに記憶されているＬＵＴ中にリストアップされた要素値と比較し、次に、ＬＵＴのどのエントリ／行が最良の整合（例えば、同一の整合または最も近い整合）に相当するかを特定することができる。
一実施形態によれば、負荷の推定質量及び既知の負荷の種類（例えば、本例では牛のひき肉）が与えられると、列１６１２内にリストアップされた記憶温度値のうち、列１６０４、１６０６、及び１６０８内に記憶されているインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３の部分集合が可変インピーダンス整合回路の可変インダクタンス回路網の現在のインダクタンス値と一致（例えば、ほぼ一致）する記憶温度値として、負荷の温度を（例えば、システム・コントローラによって）推定することができる。一部の実施形態では、負荷の温度を推定するために、負荷の質量または負荷の種類を知る必要がないようにすることができ、負荷の温度は記憶インダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３のみに基づいて推定することができる。
前に示したように、現在のインダクタンス値（例えば、可変インダクタンス回路網の現在のＬ１、Ｌ２、及びＬ３の値）がＬＵＴ１６００のあるエントリ内のインダクタンス値のいずれの部分集合とも正確に一致しない例が存在し得る。こうした例では、システム・コントローラは、２つ（または複数）の相関エントリを識別することができ、そしてこれら２つ（または複数）の相関エントリ内の対応する２つ（または複数）の質量または温度値を、（例えば、線形補間を用いて）温度値間を補間し、数学的に平均し、さもなければ数学的に操作して、推定質量値または推定温度値を決定することができる。
例えば、ＬＵＴ１６００中に示す記憶値の例を参照すれば、現在のインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３が、それぞれ１．３、２．５５、及び２．５５である際に、システム・コントローラは、エントリ１６２６及び１６２８を可能性のある相関エントリとして識別することができ、そして（列１６１２内の）２つの質量値５００及び１０００を補間することができる、というのは、エントリ１６２６及び１６２８は、ＬＵＴ１６００中の記憶インダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３のうち最も近い値で一致する部分集合に対応するからである。上記補間がこれら２つの値の平均値に相当するものと仮定すれば、このことは、負荷の質量が７５０グラムであるという推定値を生じさせる。
ＬＵＴ１６００中の本例の値は−２０℃の牛のひき肉に対応するが、このことは例示的であり限定的ではないことを意図している。変動する質量、温度、及び種類の負荷に対応するデータを含む他のＬＵＴをシステム・コントローラのメモリに記憶することができることは明らかである。所定のＬＵＴは、例えば、種々の質量、温度、及び種類の負荷をテストし、対応する可変要素値（例えば、インダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３）及びＳ１１パラメータを収集してＬＵＴ中に記憶して、事前に特性化することができる。例えば、Ｓ１１パラメータの変化の速度は質量の指示を提供することができ、より高速で変化するＳ１１パラメータはより小さい質量を示し、より低速で変化するＳ１１パラメータはより大きい質量を示す。
図１４Ｂを参照すれば、一旦、システム・コントローラがキャビティ内の負荷の質量または温度を推定すると、ブロック１４１７では、システム・コントローラが、キャビティ内の負荷を解凍するのに必要なエネルギーの量を、負荷の推定質量と、（例えば、ブロック１４０２で入力として提供された、あるいはシステムのメモリに記憶されている）既知の、あるいは仮定した負荷の温度（例えば、システム・コントローラのメモリに記憶されているデフォルトの開始温度；一般に約−２０℃）との組合せに基づいて推定することができる。
ＲＦ信号源によって供給されるＲＦ信号は複数の信号パラメータによって特性化することができる。例えば、ＲＦ信号パラメータは、周波数、振幅、及び電力レベルを含むことができるがそれらに限定されず、これらのパラメータの各々は所定時刻に特定値を有する。ブロック１４１８では、システム・コントローラが、ＲＦ信号源によって生成されるＲＦ信号用の１つ以上の「所望の信号パラメータ」を、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量（例えば、システムのメモリに記憶されているＬＵＴによる）に基づいて決定することができる。例えば、これらの所望の信号パラメータは、ＲＦ信号の所望の周波数、所望の振幅、及び所望の電力レベルを含むことができるが、それらに限定されない。所望の信号パラメータは、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量に基づいて決定することができ、エネルギーの推定量は負荷の推定質量に基づいて決定されるので、本明細書中に用いる「質量推定に基づくＲＦ信号」は、１つ以上の所望のＲＦ信号パラメータによって特徴付けられる。システム・コントローラは、推定量のエネルギーを負荷に伝達するために、質量推定に基づくＲＦ信号を供給する必要のある時間長をさらに決定することができる。
図１４Ａに戻れば、一旦、許容可能な、あるいは最良の整合、及び１つ以上の所望の信号パラメータを決定すると、解凍動作を開始または継続することができる。解凍動作の開始または継続は、ブロック１４２０において、ＲＦ信号源（例えば、ＲＦ信号源３２０、７２０、１１２０（図３、７、１１））に、ブロック１４１８で決定した所望の信号パラメータ（例えば、所望のＲＦ電力レベル）を有するＲＦ信号（または推定質量に基づくＲＦ信号）を生成させることを含み、このＲＦ信号は比較的高電力のＲＦ信号に相当する。前に示したように、他のＲＦ信号パラメータ（例えば、周波数）も「所望の信号パラメータ」として含めることができる。ここでも、システム・コントローラは、ＲＦ信号源及び電源兼バイアス回路（例えば、回路３２６、７２６（図３、７））への制御信号により、ＲＦ信号電力レベルを含むＲＦ信号パラメータを制御することができる。ＲＦ信号源への制御信号は、例えばＲＦ信号の周波数を制御することができ、電源兼バイアス回路への制御信号は、電源兼バイアス回路に、所望の信号電力レベルに合った電源兼バイアス電圧を増幅器（例えば、増幅段３２４、３２５、７２４（図３、７））に供給させることができる。例えば、上記質量推定に基づくＲＦ信号は、約５０W〜約５００Wの範囲内の電力レベルを有する信号とすることができるが、異なる電力レベルを代わりに用いることができる。
ブロック１４２２では、電力検出回路（例えば、電力検出回路３３０、７３０、７３０’、７３０”、１１８０（図３、７、１１））が、ＲＦ信号源と上記電極との間の経路（例えば、経路３２８、７２８、１１４８（図３、７、１１））に沿った反射電力、及び一部の実施形態では順方向電力を周期的に測定して、それらの測定値をシステム・コントローラに提供する。システム・コントローラは、ここでも、反射信号電力と順方向信号電力との比率を決定することができ、そしてこの比率に基づいて、システムにおけるＳ１１パラメータを決定することができる。一実施形態では、システム・コントローラが、受信した電力測定値、及び／または計算した上記比率、及び／またはＳ１１パラメータを、将来の評価または比較用に記憶することができる。一実施形態によれば、順方向電力及び反射電力の周期的測定値を、（例えば、ミリ秒のオーダーの）相当高い頻度、あるいは（例えば、秒のオーダーの）相当低い頻度で取得することができる。例えば、上記周期的測定値を取得するための相当低い頻度は、１０秒〜２０秒毎に１回測定する速度とすることができる。
ブロック１４２４では、システム・コントローラが、１つ以上の反射信号電力測定値、１つ以上の計算した反射信号電力対順方向信号電力の比率、及び／または１つ以上のＳ１１パラメータに基づいて、可変インピーダンス整合回路網によってもたらされた整合が許容可能であるか否かを判定することができる。例えば、システム・コントローラは、この判定を行うに当たり、単一の反射信号電力測定値、単一の計算した反射信号電力対順方向信号電力の比率、または単一の計算したＳ１１パラメータを用いることができ、あるいは、事前に受信した複数の反射信号電力測定値、事前に計算した反射電力対順方向電力の比率、または事前に計算したＳ１１パラメータ（あるいは他の計算値）を、この判定を行うに当たり利用することができる。整合が許容可能であるか否かを判定するために、システム・コントローラは、受信した反射信号電力、計算した比率、及び／またはＳ１１パラメータを、例えば１つ以上の対応する閾値と比較することができる。例えば、一実施形態では、システム・コントローラが、受信した反射信号電力を、例えば順方向信号電力の５パーセント（または他の何らかの値）の閾値と比較することができる。順方向信号電力の５パーセントを下回る反射信号電力は、整合が許容可能なままであることを示すことができ、５パーセントを上回る比率は、整合がもはや許容可能でないことを示すことができる。他の実施形態では、システム・コントローラが、計算した反射信号電力対順方向信号電力の比率を、１０パーセント（または他の何らかの値）の閾値と比較することができる。１０パーセントを下回る比率は、整合が許容可能なままであることを示すことができ、１０パーセントを上回る比率は、整合がもはや許容可能でないことを示すことができる。測定した反射電力、あるいは計算した比率またはＳ１１パラメータが対応する閾値よりも大きく（即ち、比較が好ましくなく）許容可能でない整合を示す際には、システム・コントローラは、ブロック１４１０に戻ることによって、可変インピーダンス整合回路網の再構成を開始することができる。
前述したように、可変インピーダンス整合回路網によってもたらされる整合は、負荷が加温される間の負荷（例えば、負荷３６４、７６４、１１６４（図３、７、１１））のインピーダンス変化により、解凍動作が行われるうちに劣化し得る。解凍動作が行われるうちに、キャビティ整合のインダクタンスまたは容量を調整することによって、そしてＲＦ信号源のインダクタンスまたは容量も調整することによって、最適なキャビティ整合を維持することができることが観測されている。例えば、図１５を参照すれば、解凍動作の終了時における第１の種類の負荷にとって最適な整合は点１５１４によって示され、及び解凍動作の終了時における第２の種類の負荷にとって最適な整合は点１５２４によって示されている。両方の場合に、例えば、解凍動作の開始時と完了時との間で最適な整合を追跡することは、キャビティの整合のインダクタンスを次第に減少させること、及びＲＦ信号源の整合のインダクタンスを次第に増加させることを含む。
一実施形態によれば、ブロック１４１０では、可変インピーダンス整合回路網を再構成する際に、システム・コントローラがこうした傾向を考慮に入れることができる。より具体的には、ブロック１４１４において可変インピーダンス整合回路網を再構成することによって整合を調整する際には、システム・コントローラは最初に、可変インダクタンス回路網の状態を、（キャビティの整合、または回路網４１１（図４Ａ）用には）より低いインダクタンスに対応するキャビティ及びＲＦ信号源の整合用に選択し、（ＲＦ信号源の整合、または回路網４１０（図４Ｂ）用には）より高いインダクタンスに対応するキャビティ及びＲＦ信号源の整合用に選択する。可変容量回路網をキャビティ及びＲＦ信号源用に利用する実施形態においても、同様のプロセスを実行することができる。期待される最適な整合の軌跡（例えば、図１５中に示すもの）に追従しやすいインピーダンス値を選択することによって、これらの傾向を考慮に入れない再構成プロセスに比べると、（例えば、ブロック１４１０における）可変インピーダンス整合回路網の再構成プロセスを実行する時間を低減することができる。
代案実施形態では、システム・コントローラが、その代わりに、各調整の設定を反復的に検定して、許容可能な設定を決定しようと試みることができる。例えば、再び上記の表１を参照すれば、現在の設定がキャビティ整合回路網については状態１２に相当し、ＲＦ信号源整合回路網については状態３に相当する場合、システム・コントローラは、キャビティ整合回路網については状態１１及び／または１３を検定することができ、ＲＦ信号源整合回路網については状態２及び／または４を検定することができる。これらのテストが良好な結果（即ち、許容可能な整合）を生じさせない場合、システム・コントローラは、キャビティ整合回路網については状態１０及び／または１４を検定することができ、ＲＦ信号源整合回路については状態１及び／または５を検定することができる、等である。
実際には、システム・コントローラが、許容可能なインピーダンス整合を有するようにシステムを再構成するために用いることができる種々の異なる探索方法が存在し、これらの探索方法は、あり得るすべてのインピーダンス整合回路網の構成を検定することを含む。許容可能な構成を探索するあらゆる妥当な方法が、本発明の主題の範囲内に入る。いずれにせよ、一旦、ブロック１４１３において許容可能な整合が決定されると、ブロック１４２０において解凍動作を再開して、プロセスを反復し続けることができる。
再びブロック１４２４を参照すれば、システム・コントローラが、１つ以上の反射電力の測定値、１つ以上の計算した反射信号電力対順方向信号電力の比率、及び／または１つ以上の計算したＳ１１パラメータに基づいて、可変インピーダンス整合回路網によってもたらされる整合が未だに許容可能である（例えば、反射電力の測定値、計算した比率またはＳ１１パラメータが対応する閾値未満である、あるいは、上記比較が良好である）ものと判定すると、システムは、ブロック１４２６において終了条件が発生したか否かを評価することができる。実際には、終了条件が発生したか否かの判定は、解凍プロセス中の任意時点に発生させることができる割り込み駆動プロセスとすることができる。しかし、図１４Ａのフローチャートに含める目的で、このプロセスはブロック１４２４の後に発生するように示している。
いずれにせよ、いくつかの条件が解凍プロセスの停止を保証することができる。例えば、システムは、安全インターロックが破られた際に、終了状態が発生したものと判定することができる。その代わりに、システムは、ユーザが（例えば、ユーザ・インタフェース３８０、７８０（図３、７）により）セットしたタイマーの時間切れ時に、あるいは、システム・コントローラによる、解凍動作を実行するべき時間長の推定値に基づいて（例えば、ブロック１４１８において、システム・コントローラが以前に識別した最適なＲＦ信号電力レベル、及び以前に識別した、負荷を解凍するのに必要であるものと推定されたエネルギーの量に基づいて決定した加熱時間に基づいて）システム・コントローラが定めたタイマーの時間切れ時に、終了条件が発生したものと判定することができる。さらに他の代案実施形態では、システムが他の方法で解凍動作の完了を検出することができる。
終了条件が発生していない場合、ブロック１４２２及び１４２４（及び必要に応じて、整合回路網を再構成するプロセス１４１０）を反復的に実行することによって、解凍動作を継続することができる。終了条件が発生すると、ブロック１４２８では、システム・コントローラが、ＲＦ信号源によるＲＦ信号の供給を中止させる。例えば、システム・コントローラは、ＲＦ信号発生器（例えば、ＲＦ信号発生器３２２、７２２（図３、７））を停止させることができ、及び／または電源兼バイアス回路（例えば、回路３２６、７２６（図３、７））に電源電流の供給を中止させることができる。それに加えて、システム・コントローラは信号をユーザ・インタフェース（例えば、ユーザ・インタフェース３８０、７８０（図３、７））に送信することができ、これらの信号は、ユーザ・インタフェースに、ユーザが知覚可能な終了条件の印を（例えば、「ドア開」または「終了」を表示装置上に表示することによって、あるいは可聴音を提供することによって）生成させる。そして、方法を終了することができる。
図１４中に示すブロックに関連する動作の順序は一実施形態に相当し、動作の順序を図示する順序のみに限定するものと考えるべきでないことは明らかである。その代わりに、一部の動作は異なる順序で実行することができ、及び／または一部の動作は並行して実行することができる。
本明細書中に含まれる種々の図面中に示す接続線は。種々の要素間の代表的な機能的関係及び／または物理的結合を表現することを意図している。なお、主題の実施形態中には、多数の代替的または追加的な機能的関係または物理的接続が存在し得る。それに加えて、本明細書中では、特定の用語は参考目的で用いるに過ぎないこともあり、従って限定的であることは意図しておらず、構造を参照する「第１」、「第２」、及び他のこうした数字の用語は、特に明示的断りのない限り、順序または順番を暗に意味しない。
本明細書中に用いる「ノード」は、所定の信号、論理レベル、電圧、データパターン、電流、または存在する、内部または外部のあらゆる基準点、接続点、接合、信号線、導体素子、等を意味する。さらに、２つ以上のノードを１つの物理的素子で実現することができる（そして、２つ以上の信号は、共通ノード上で受信するか共通ノード上に出力されても、多重化、変調、さもなければ区別することができる）。
以上の説明は、互いに「接続」または「結合」される要素を参照している。本明細書中に用いる「接続される」は、特に明示的断りのない限り、１つの要素が他の要素に、必ずしも機械的でなく、直接つながる（あるいは直接連通する）ことを意味する。同様に、「結合される」は、特に明示的断りのない限り、１つの要素が他の要素に、必ずしも直接的でなく、直接または間接的につながる（あるいは、直接または間接的に連通する）ことを意味する。従って、図面中に示す概略図は１つの好適な要素の配置を示すが、追加的に介在ずる要素、装置、特徴、または構成要素が、図示する主題の実施形態中に存在し得る。
一実施形態では、システムが、無線周波数（ＲＦ）信号を供給するように構成されたＲＦ信号源と、このＲＦ信号源に結合された電極と、少なくとも１つの現在の可変値を有する少なくとも１つの可変受動構成部品を含む少なくとも１つの可変インピーダンス回路網と、コントローラとを含むことができ、このコントローラは、少なくとも１つの可変インピーダンス回路網の少なくとも１つの現在の可変要素値に少なくとも基づいて、電極に近接した負荷の推定質量を決定し、少なくとも負荷の推定質量に基づいて、ＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定し、ＲＦ信号源を制御して、１つ以上の所望の信号パラメータを有する、質量推定に基づくＲＦ信号を供給するように構成されている。少なくとも１つの可変インピーダンス回路網は、ＲＦ信号源と電極との間に結合することができる。
他の実施形態では、負荷の推定質量に基づいて、負荷を解凍するのに十分な量のエネルギーを推定するように、上記コントローラを構成することができる。
他の実施形態では、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量に基づいて、ＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定するように、上記コントローラを構成することができる。
他の実施形態では、上記熱量増加システムが、複数のエントリを含むルックアップ・テーブル（ＬＵＴ）を記憶するように構成されたメモリをさらに含むことができる。これら複数のエントリの各エントリは、少なくとも１つの可変インピーダンス回路網の少なくとも１つの可変受動構成部品に対応する、記憶要素値（記憶されている要素値）の異なる集合を含むことができる。上記ＬＵＴは、複数の記憶質量値（記憶されている質量値）をさらに含むことができ、各記憶質量値は、上記複数のエントリ内の記憶要素値の異なる集合のそれぞれに対応する。
他の実施形態では、少なくとも１つの要素値をＬＵＴの記憶要素値の集合と比較して、複数のエントリのうちの相関エントリを識別し、複数の記憶質量値のうち相関エントリに対応する記憶質量値を識別することによって、負荷の推定質量を決定するように、上記コントローラを構成することができる。相関エントリは、少なくとも１つの現在の可変要素値と相関のある記憶要素値の集合を含むことができる。識別された記憶質量値は、上記コントローラによって負荷の推定質量であるものと決定することができる。
他の実施形態では、少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網がダブルエンド可変インピーダンス整合回路網を含むことができ、このダブルエンド可変インピーダンス整合回路網は、第１及び第２入力端子、第１及び第２出力端子、第１入力端子と第１出力端子との間に結合され第１要素値を有する第１可変受動構成部品、第２入力端子と第２出力端子との間に結合され第２要素値を有する第２可変受動構成部品、及び第１入力端子と第２入力端子との間に結合され第３要素値を有する第３可変受動構成部品を含む。上記少なくとも１つの要素値は、これらの第１、第２、及び第３インピーダンス値を含むことができる。
他の実施形態では、少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網がシングルエンド可変インピーダンス整合回路網を含むことができ、このシングルエンド可変インピーダンス整合回路網は、入力端子、出力端子、入力端子と出力端子との間に結合された受動構成部品の集合、及び入力端子と接地基準ノードとの間に接続され１つ以上の要素値を有する１つ以上の可変受動構成部品を含む。上記少なくとも１つの要素値は、これらの１つ以上の要素値を含むことができる。
他の実施形態では、上記１つ以上の所望の信号パラメータが、ＲＦ信号の周波数、ＲＦ信号の振幅、及びＲＦ信号の電力レベルを含むグループから選択した少なくとも１つの信号パラメータを含むことができる。
一例の実施形態では、負荷を包含するキャビティを含む熱量増加システムを動作させる方法が、無線周波数（ＲＦ）信号源によって、１つ以上のＲＦ信号を、ＲＦ信号源と、キャビティに近接して配置された１つ以上の電極との間に電気結合された伝送経路に供給するステップを含むことができる。この方法は、電力検出回路によって、伝送経路に沿った反射信号電力を検出するステップをさらに含むことができる。この方法は、コントローラによって、伝送経路上に電気結合されたインピーダンス整合回路網の１つ以上の可変受動構成部品の１つ以上の要素値を修正して反射信号電力を低減するステップをさらに含むことができる。この方法は、コントローラによって、１つ以上の可変受動構成部品の１つ以上の現在の要素値に少なくとも基づいて、負荷の推定質量を決定するステップをさらに含むことができる。この方法は、コントローラによって、少なくとも負荷の推定質量に基づいて、ＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定するステップをさらに含むことができる。この方法は、コントローラによって、ＲＦ信号源を制御して、１つ以上の所望の信号パラメータを有する、質量推定に基づくＲＦ信号を供給することができる。
他の実施形態では、この方法は、コントローラによって、負荷の推定質量に基づいて、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量を決定するステップをさらに含むことができる。
他の実施形態では、この方法は、コントローラによって、負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量に基づいて、上記１つ以上の所望の信号パラメータを決定するステップをさらに含むことができる。
他の実施形態では、負荷の推定質量を決定するステップが、コントローラによって、１つ以上の現在の要素値を、システムのメモリに記憶されている複数の記憶要素値の集合と比較することと、コントローラによって、複数の記憶要素値の集合から、１つ以上の現在の要素値と相関のある相関記憶要素値の集合を識別することと、コントローラによって、複数の記憶質量のうち上記相関記憶要素値の集合に対応する識別記憶質量を決定することと、コントローラによって、負荷の推定質量を、上記識別記憶質量であるものと決定することとを含むことができる。
他の実施形態では、上記１つ以上の所望の信号パラメータが、ＲＦ信号の周波数、ＲＦ信号の振幅、及びＲＦ信号の電力レベルを含むグループから選択した少なくとも１つの信号パラメータを含むことができる。
以上の詳細な説明では、少なくとも１つの好適な実施形態を提示してきたが、膨大な数の実施形態が存在することは明らかである。また、本明細書中に記載する好適な実施形態は、特許請求する主題の範囲、適用性、または構成を、多少なりとも限定することを意図していないことも明らかである。むしろ、以上の詳細な説明は、記載した実施形態を実現するための道筋（ロードマップ）を当業者に提供するものである。特許請求の範囲によって規定する範囲から逸脱することなしに、各要素の機能及び構成に種々の変更を加えることができ、この範囲は、本願の出願時に既知である等価物及び予見可能な等価物を含むことは明らかである。
Claims (23)
- 無線周波数（ＲＦ）信号を供給するように構成されたＲＦ信号源と、
前記ＲＦ信号源に結合された電極と、
少なくとも１つの現在の可変要素値を有する少なくとも１つの可変受動構成部品を含む少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網と、
コントローラとを具えたシステムであって、
前記少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網は、前記ＲＦ信号源と前記電極との間に結合され、
前記コントローラは、前記少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網の前記現在の可変要素値に少なくとも基づいて、前記電極に近接した負荷の推定質量を決定し、少なくとも前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記ＲＦ信号源用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定し、前記ＲＦ信号源を制御して、前記１つ以上の所望の信号パラメータを有する、質量推定に基づくＲＦ信号を供給するように構成されているシステム。 - 前記コントローラが、前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量を推定するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記推定した、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量に基づいて、前記ＲＦ信号用の前記１つ以上の所望の信号パラメータを決定するように構成されている、請求項２に記載のシステム。
- 複数のエントリを含むルックアップテーブル（ＬＵＴ）を記憶するように構成されたメモリをさらに具え、前記複数のエントリのそれぞれは記憶要素値の異なる集合を含み、該記憶要素値の集合は、前記少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網の前記少なくとも１つの可変受動構成部品に対応し、前記ＬＵＴは複数の記憶質量値をさらに含み、該記憶質量値の各々は、前記複数のエントリ内の前記記憶要素値の異なる集合のそれぞれに対応する、請求項２に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記少なくとも１つの可変要素値を前記ＬＵＴの前記記憶要素値の集合と比較して前記複数のエントリのうちの相関エントリを識別し、前記記憶質量値のうち前記相関エントリに対応する記憶質量値を識別することによって、前記負荷の前記推定質量を決定するように構成され、前記相関エントリは、前記少なくとも１つの現在の可変要素値と相関のある前記記憶要素値の集合を含み、前記識別した記憶質量値は、前記コントローラによって、前記負荷の前記推定質量であるものと決定される、請求項４に記載のシステム。
- 前記少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網がダブルエンド可変インピーダンス整合回路網を含み、該ダブルエンド可変インピーダンス整合回路網は、
第１入力端子及び第２入力端子と、
第１出力端子及び第２出力端子と、
前記第１入力端子と前記第１出力端子との間に結合され、第１要素値を有する第１可変受動構成部品と、
前記第２入力端子と前記第２出力端子との間に結合され、第２要素値を有する第２可変受動構成部品と、
前記第１入力端子と前記第２入力端子との間に結合され、第３要素値を有する第３可変受動構成部品とを具え、
前記少なくとも１つの可変要素値が、前記第１要素値、前記第２要素値、及び前記第３要素値を含む、請求項５に記載のシステム。 - 前記少なくとも１つの可変インピーダンス整合回路網がシングルエンド可変インピーダンス整合回路網を含み、該シングルエンド可変インピーダンス整合回路網は、
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に結合された受動構成部品の集合と、
前記入力端子と接地基準ノードとの間に接続され、１つ以上の要素値を有する１つ以上の可変受動構成部品とを具え、
前記少なくとも１つの可変要素値が前記１つ以上の要素値を含む、請求項１に記載のシステム。 - 前記１つ以上の所望の信号パラメータが、前記ＲＦ信号の周波数、前記ＲＦ信号の振幅、及び前記ＲＦ信号の電力レベルを含むグループから選択した少なくとも１つの信号パラメータを含む、請求項１に記載のシステム。
- 負荷を包含するキャビティに結合された熱量増加システムであって、
無線周波数（ＲＦ）信号を供給するＲＦ信号源と、
前記ＲＦ信号源と、前記キャビティの両端に配置された第１電極及び第２電極との間に電気結合された伝送経路と、
前記伝送経路上に電気結合されたインピーダンス整合回路網と、
コントローラとを具えた熱量増加システムにおいて、
前記インピーダンス整合回路網は１つ以上の可変受動構成部品を具え、該１つ以上の可変受動構成部品の各々は、評価時刻における現在の可変要素値を有し、現在の可変要素値の集合が、前記１つ以上の可変受動構成部品の各々の前記現在の可変要素値を含み、
前記コントローラは、少なくとも前記現在の可変要素値の集合に基づいて前記負荷の推定質量を決定し、少なくとも前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記ＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定し、前記ＲＦ信号源を修正して、前記１つ以上の所望の信号パラメータを有する、質量推定に基づくＲＦ信号を供給するように構成されている熱量増加システム。 - 前記コントローラが、少なくとも前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量を推定するように構成されている、請求項９に記載の熱量増加システム。
- 前記コントローラが、前記推定した、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの量に基づいて、前記ＲＦ信号用の前記１つ以上の所望の信号パラメータを決定するように構成されている、請求項１０に記載の熱量増加システム。
- 複数のエントリを含むルックアップテーブル（ＬＵＴ）を記憶するように構成されたメモリをさらに具え、前記複数のエントリのそれぞれは記憶要素値の異なる集合を含み、該記憶要素値の集合は前記１つ以上の可変受動構成部品に対応し、前記ＬＵＴは複数の記憶質量値をさらに含み、該記憶質量値の各々は、前記複数のエントリ内に記憶されている前記記憶要素値の異なる集合のそれぞれに対応する、請求項１０に記載の熱量増加システム。
- 前記コントローラが、前記現在の可変要素値の集合中の可変要素値の各々を、前記ＬＵＴの前記記憶要素値の異なる集合における各集合中の対応する前記記憶要素値と比較して、前記複数のエントリのうちの相関エントリを識別し、前記ＬＵＴ中の前記複数のエントリのうち前記相関エントリに対応する、前記複数の記憶質量値のうちの対応する記憶質量値を識別することによって、前記負荷の前記推定質量を決定するように構成され、前記相関エントリは、前記現在の可変要素値の集合中の１つ以上の可変要素値と相関のある前記記憶要素値の集合を含み、前記対応する記憶質量値は、前記コントローラによって、前記負荷の前記推定質量であるものと決定される、請求項１２に記載の熱量増加システム。
- 前記インピーダンス整合回路網がダブルエンド可変インピーダンス整合回路網であり、該ダブルエンド可変インピーダンス整合回路網は、
第１入力端子及び第２入力端子と、
第１出力端子及び第２出力端子と、
前記第１入力端子と前記第１出力端子との間に接続された第１可変インピーダンス回路と、
前記第２入力端子と前記第２出力端子との間に接続された第２可変インピーダンス回路と、
前記第１入力端子と前記第２入力端子との間に接続された第３可変インピーダンス回路とを具えている、請求項１３に記載の熱量増加システム。 - 前記コントローラが、前記第１可変インピーダンス回路の第１要素値を前記相関エントリの第１記憶要素値と比較し、前記第２可変インピーダンス回路の第２要素値を前記相関エントリの第２記憶要素値と比較し、前記第３可変インピーダンス回路の第３要素値を前記相関エントリの第３記憶要素値と比較することによって、前記負荷の前記推定質量を決定するようにさらに構成され、前記対応する記憶質量値は、前記メモリ内で、前記相関エントリの前記第１記憶要素値、前記第２記憶要素値、及び前記第３記憶要素値と関連付けられる、請求項１４に記載の熱量増加システム。
- 前記インピーダンス整合回路網がシングルエンド可変インピーダンス整合回路網であり、該シングルエンド可変インピーダンス整合回路網は：
入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に結合された受動構成部品の集合と、
前記入力端子と接地基準ノードとの間に接続された１つ以上の可変インピーダンス回路とを具えている、請求項１３に記載の熱量増加システム。 - 前記コントローラが、前記１つ以上の可変インピーダンス回路の１つ以上の要素値を前記相関エントリの１つ以上の前記記憶要素値と比較することによって前記負荷の前記推定質量を決定するようにさらに構成され、前記記憶質量値は、前記メモリ内で、前記相関エントリの前記１つ以上の記憶要素値と関連付けられる、請求項１６に記載の熱量増加システム。
- 前記１つ以上の所望の信号パラメータが、前記ＲＦ信号の周波数、前記ＲＦ信号の振幅、及び前記ＲＦ信号の電力レベルを含むグループから選択した少なくとも１つの信号パラメータを含む、請求項９に記載の熱量増加システム。
- 負荷を包含するキャビティを含む熱量増加システムを動作させる方法であって、
無線周波数（ＲＦ）信号源によって、１つ以上のＲＦ信号を伝送経路に供給するステップであって、該伝送経路は、前記ＲＦ信号源と、前記キャビティに近接して配置された１つ以上の電極との間に電気結合されているステップと、
電力検出回路によって、前記伝送経路に沿った反射信号電力を検出するステップと、
コントローラによって、前記伝送経路上に電気結合されたインピーダンス整合回路網の１つ以上の可変受動構成部品の１つ以上の要素値を修正して、前記反射信号電力を低減するステップと、
前記コントローラによって、少なくとも前記１つ以上の可変受動構成部品の１つ以上の現在の要素値に基づいて、前記負荷の推定質量を決定するステップと、
前記コントローラによって、少なくとも前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記ＲＦ信号用の１つ以上の所望の信号パラメータを決定するステップと、
前記コントローラによって、前記信号源を制御して、前記１つ以上の所望の信号パラメータを有する、質量推定に基づくＲＦ信号を供給するステップと
を含む方法。 - 前記コントローラによって、前記負荷の前記推定質量に基づいて、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量を決定するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
- 前記所望の信号パラメータを決定するステップが、
前記コントローラによって、前記負荷を解凍するのに十分なエネルギーの推定量に基づいて、前記１つ以上の所望の信号パラメータを決定することを含む、請求項２０に記載の方法。 - 前記負荷の前記推定質量を決定するステップが、
前記コントローラによって、前記１つ以上の現在の要素値を、前記熱量増加システムのメモリに記憶されている複数の記憶要素値の集合と比較することと、
前記コントローラによって、前記複数の記憶要素値の集合から、前記１つ以上の現在の要素値と相関のある相関記憶要素値の集合を識別することと、
前記コントローラによって、複数の記憶質量のうち前記相関記憶要素値の集合に対応する識別記憶質量を決定することと、
前記コントローラによって、前記負荷の前記推定質量を、前記識別記憶質量であるものと決定することと
を含む、請求項２０に記載の方法。 - 前記１つ以上の所望の信号パラメータが、前記ＲＦ信号の周波数、前記ＲＦ信号の振幅、及び前記ＲＦ信号の電力レベルを含むグループから選択した少なくとも１つの信号パラメータを含む、請求項１９に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/126,963 US10952289B2 (en) | 2018-09-10 | 2018-09-10 | Defrosting apparatus with mass estimation and methods of operation thereof |
| US16/126,963 | 2018-09-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020043057A JP2020043057A (ja) | 2020-03-19 |
| JP6804593B2 true JP6804593B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=67847620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019133979A Active JP6804593B2 (ja) | 2018-09-10 | 2019-07-19 | 質量推定付き解凍装置及びその動作方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10952289B2 (ja) |
| EP (1) | EP3624557B1 (ja) |
| JP (1) | JP6804593B2 (ja) |
| KR (1) | KR20200029368A (ja) |
| CN (1) | CN110521912B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3280225B1 (en) | 2016-08-05 | 2020-10-07 | NXP USA, Inc. | Defrosting apparatus with lumped inductive matching network and methods of operation thereof |
| EP3280224A1 (en) | 2016-08-05 | 2018-02-07 | NXP USA, Inc. | Apparatus and methods for detecting defrosting operation completion |
| US10917948B2 (en) | 2017-11-07 | 2021-02-09 | Nxp Usa, Inc. | Apparatus and methods for defrosting operations in an RF heating system |
| US10771036B2 (en) | 2017-11-17 | 2020-09-08 | Nxp Usa, Inc. | RF heating system with phase detection for impedance network tuning |
| US10785834B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-09-22 | Nxp Usa, Inc. | Radio frequency heating and defrosting apparatus with in-cavity shunt capacitor |
| EP3503679B1 (en) | 2017-12-20 | 2022-07-20 | NXP USA, Inc. | Defrosting apparatus and methods of operation thereof |
| EP3547801B1 (en) | 2018-03-29 | 2022-06-08 | NXP USA, Inc. | Defrosting apparatus and methods of operation thereof |
| US11800608B2 (en) | 2018-09-14 | 2023-10-24 | Nxp Usa, Inc. | Defrosting apparatus with arc detection and methods of operation thereof |
| US11166352B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-11-02 | Nxp Usa, Inc. | Method for performing a defrosting operation using a defrosting apparatus |
| US11039511B2 (en) | 2018-12-21 | 2021-06-15 | Nxp Usa, Inc. | Defrosting apparatus with two-factor mass estimation and methods of operation thereof |
| CN112996158B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-04-29 | 青岛海尔电冰箱有限公司 | 用于加热装置的控制方法及加热装置 |
| CN113079603B (zh) * | 2020-01-06 | 2022-07-26 | 青岛海尔电冰箱有限公司 | 用于加热装置的控制方法及加热装置 |
| CN113099569B (zh) * | 2020-01-08 | 2022-06-24 | 青岛海尔电冰箱有限公司 | 用于加热装置的控制方法及加热装置 |
| CN114521033A (zh) * | 2020-11-20 | 2022-05-20 | 青岛海尔特种电冰箱有限公司 | 用于加热装置的控制方法及加热装置 |
Family Cites Families (155)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB621320A (en) | 1947-02-18 | 1949-04-07 | Ti Group Services Ltd | Improvements relating to methods of electrical cooking |
| US2868940A (en) | 1955-11-04 | 1959-01-13 | Chemetron Corp | Electronic arc-suppressor |
| JPS5111237A (ja) | 1974-07-17 | 1976-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Jidoshikikoshuhakanetsuki |
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2019
- 2019-07-19 JP JP2019133979A patent/JP6804593B2/ja active Active
- 2019-09-03 CN CN201910825049.3A patent/CN110521912B/zh active Active
- 2019-09-03 EP EP19195073.2A patent/EP3624557B1/en active Active
- 2019-09-09 KR KR1020190111324A patent/KR20200029368A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20200029368A (ko) | 2020-03-18 |
| US10952289B2 (en) | 2021-03-16 |
| CN110521912B (zh) | 2022-10-28 |
| US20200084844A1 (en) | 2020-03-12 |
| EP3624557B1 (en) | 2024-03-27 |
| EP3624557A1 (en) | 2020-03-18 |
| JP2020043057A (ja) | 2020-03-19 |
| CN110521912A (zh) | 2019-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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