JP6803018B2 - Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate - Google Patents

Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate Download PDF

Info

Publication number
JP6803018B2
JP6803018B2 JP2019039390A JP2019039390A JP6803018B2 JP 6803018 B2 JP6803018 B2 JP 6803018B2 JP 2019039390 A JP2019039390 A JP 2019039390A JP 2019039390 A JP2019039390 A JP 2019039390A JP 6803018 B2 JP6803018 B2 JP 6803018B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
glass
glass substrate
etching solution
planned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019039390A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020142941A (en
Inventor
晴香 西川
晴香 西川
和哉 島田
和哉 島田
忠 永井
忠 永井
雄三 三好
雄三 三好
夏樹 冨家
夏樹 冨家
健太 大小田
健太 大小田
康宏 柏原
康宏 柏原
俊介 齊藤
俊介 齊藤
陽照 大山
陽照 大山
篤嗣 林
篤嗣 林
良介 福成
良介 福成
暢規 石垣
暢規 石垣
健 元持
健 元持
貴大 久米
貴大 久米
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
NSC Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
NSC Co Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, NSC Co Ltd, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2019039390A priority Critical patent/JP6803018B2/en
Priority to PCT/JP2020/003902 priority patent/WO2020179312A1/en
Priority to CN202080032093.XA priority patent/CN113767075B/en
Priority to TW109104688A priority patent/TWI832970B/en
Publication of JP2020142941A publication Critical patent/JP2020142941A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6803018B2 publication Critical patent/JP6803018B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00—Severing cooled glass
    • C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments

Description

本発明は、ガラスを切断したり穿孔したりするためのガラス用エッチング液、およびこれを用いたガラス基板製造方法に関するものである。 The present invention relates to an etching solution for glass for cutting or perforating glass, and a method for producing a glass substrate using the etching solution for glass.

ガラスを切断したり穿孔したりする技術として様々なものが存在している。従来、スクライブブレーク、レーザアブレーション加工、超音波スピンドル、ウエットエッチング処理といった手法が用いられることが多かった。 There are various techniques for cutting and drilling glass. Conventionally, methods such as scribe break, laser ablation processing, ultrasonic spindle, and wet etching processing have often been used.

これらの手法のうち、スクライブブレークを採用した場合には、丸みを持った輪郭を有するガラスパネルを形成することが困難であった。また、レーザアブレーション加工では、加工速度が遅かったり、アブレーションデブリによる汚損が生じたりするといった不具合が発生し易かった。超音波スピンドルでは、加工後のキズによって強度が低下するリスクがあり、ウエットエッチング処理では加工端面を主面に対して直角に保つことが難しかった。 Of these methods, when the scribe break was adopted, it was difficult to form a glass panel having a rounded contour. Further, in the laser ablation processing, problems such as a slow processing speed and stains due to ablation debris are likely to occur. With the ultrasonic spindle, there is a risk that the strength will decrease due to scratches after processing, and it has been difficult to keep the processed end surface at right angles to the main surface in the wet etching process.

そこで、従来技術の中には、ガラスにおける切断すべき箇所や穿孔すべき箇所をレーザによって変質させた上で、その変質箇所をウエットエッチング処理するようにレーザ技術とエッチング技術の両方を利用する手法を採用するものがあった（例えば、特許文献１参照。）。このような技術では、ガラスにおける変質箇所がそれ以外の箇所よりも３〜５倍程度エッチングの速度が速くなる結果、ガラスを好適に切断したり穿孔したりできるようになる、とされていた。 Therefore, in the prior art, there is a method of using both laser technology and etching technology so that a portion to be cut or a portion to be drilled in glass is altered by a laser and then the altered portion is subjected to wet etching treatment. (See, for example, Patent Document 1). It has been said that in such a technique, the etching rate of the deteriorated portion of the glass is about 3 to 5 times faster than that of the other portion, and as a result, the glass can be appropriately cut or perforated.

特開２０１１−１２４７５２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-124752

しかしながら、上述の従来技術においても、エッチングが垂直方向および水平方向に同様に進行するという性質（等方性）によって、所望の形状の切断面や貫通孔を得ることができないことがあった。例えば、切断面においては、厚み方向の中央部が凸状になってしまうことが多かった。また、貫通孔においても、両主面近くの開口径より両主面から遠い厚み方向中央部の内径が小さくなり、断面視した場合に、厚み方向の中央部に狭窄部を有する貫通孔になってしまうことが多かった。 However, even in the above-mentioned conventional technique, it may not be possible to obtain a cut surface or a through hole having a desired shape due to the property (isotropy) that etching proceeds in the same direction in the vertical direction and the horizontal direction. For example, on the cut surface, the central portion in the thickness direction is often convex. Further, also in the through hole, the inner diameter of the central portion in the thickness direction far from both main surfaces is smaller than the opening diameter near both main surfaces, and when viewed in cross section, the through hole has a narrowed portion in the central portion in the thickness direction. I often ended up with it.

本発明の目的は、ウエットエッチングの等方性の影響を最小限に抑制することが可能なガラス用エッチング液およびガラス基板製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide an etching solution for glass and a method for producing a glass substrate, which can minimize the influence of isotropic properties of wet etching.

この発明に係るガラス用エッチング液は、ガラス（特に、レーザ加工によってエッチングが進行し易いように改質された部分）をエッチングするためのものである。このガラス用エッチング液は、ガラスに対するエッチング速度を低下させるエッチング阻害物質であって、アルカリまたはフッ素錯化剤のいずれか一方を少なくとも含有するエッチング阻害物質を少なくとも含む。 The etching solution for glass according to the present invention is for etching glass (particularly, a portion modified by laser processing so that etching can easily proceed). This etching solution for glass is an etching inhibitor that reduces the etching rate of glass, and contains at least an etching inhibitor containing at least one of an alkali and a fluorine complexing agent.

エッチング阻害物質の例として、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリや、酸化チタン、塩化アルミニウム、ホウ酸、二酸化珪素等のフッ素錯化剤が挙げられる。 Examples of etching inhibitors include alkalis such as ammonium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide, and fluorine complexing agents such as titanium oxide, aluminum chloride, boric acid and silicon dioxide.

このようなエッチング阻害物質が存在することにより、例えばフッ酸等のガラスのエッチングに寄与する活性種がガラス基板の主面付近で消費されてしまうことが防止される。さらに、活性種とエッチング阻害物質との化合物（例：フルオロ錯体等）が、ガラス基板の主面から離れた位置に移動した後に活性種を放出することがあり、この結果、ガラス基板の主面から離れた位置にまで活性種が届き易くなる。このため、ガラス基板の主面に垂直な方向（例：厚み方向、深さ方向）のエッチングが進行し易くなるとともに、この主面に平行な方向（例：幅方向）のエッチングを最小限に抑制することが可能になる。 The presence of such an etching inhibitor prevents active species such as hydrofluoric acid, which contribute to etching of glass, from being consumed near the main surface of the glass substrate. Furthermore, a compound of the active species and the etching inhibitor (eg, fluorocomplex, etc.) may release the active species after moving away from the main surface of the glass substrate, resulting in the main surface of the glass substrate. The active species can easily reach a position away from the glass. For this reason, etching in a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate (eg, thickness direction, depth direction) is likely to proceed, and etching in a direction parallel to the main surface (eg, width direction) is minimized. It becomes possible to suppress.

上述のガラス用エッチング液において、エッチング阻害物質が、ガラスにおけるエッチングされやすいように改質された改質部に付着することによってエッチング反応を阻害する反応生成物を発生させることが好ましい。 In the above-mentioned etching solution for glass, it is preferable that the etching inhibitor adheres to the modified portion modified so as to be easily etched in the glass to generate a reaction product that inhibits the etching reaction.

上述のエッチング阻害物質を含むエッチング液は、フッ酸と強酸とからなる一般的なエッチング液よりも、反応を阻害する生成物（フェンス）が切断面や貫通孔の内壁に付着しやすいと推定されている。そのため、ガラス基板の主面に平行な方向（例：幅方向）の反応が抑制され、ガラス基板の主面に垂直な方向（例：厚み方向、深さ方向）のエッチングのみが進行し易くなると考えられている。実際に、出願人が実施した実験においても、ウエットエッチングの等方性の影響を最小限に抑制した異方性エッチングが実現している。 It is presumed that the etching solution containing the above-mentioned etching inhibitor is more likely to have a reaction-inhibiting product (fence) adhering to the cut surface or the inner wall of the through hole than a general etching solution composed of hydrofluoric acid and a strong acid. ing. Therefore, the reaction in the direction parallel to the main surface of the glass substrate (example: width direction) is suppressed, and only the etching in the direction perpendicular to the main surface of the glass substrate (example: thickness direction, depth direction) tends to proceed. It is considered. In fact, even in the experiments carried out by the applicant, anisotropic etching that minimizes the influence of isotropic wet etching has been realized.

また、この発明に係るガラス基板製造方法は、上述のガラス用エッチング液を用いたものである。このガラス基板製造方法は、改質ステップと、第１のエッチングステップと、を少なくとも含む。改質ステップでは、ガラス基板のエッチング予定位置における厚み方向にわたってエネルギ密度が相対的に高い焦線が形成されるようにレーザ光を前記ガラス基板に照射することによってエッチング予定位置を改質する。第１のエッチングステップでは、改質ステップ後に、ガラス用エッチング液を用いてエッチング予定位置をエッチングする。 Further, the glass substrate manufacturing method according to the present invention uses the above-mentioned etching solution for glass. This glass substrate manufacturing method includes at least a modification step and a first etching step. In the modification step, the planned etching position is modified by irradiating the glass substrate with laser light so that a focused line having a relatively high energy density is formed in the thickness direction at the planned etching position of the glass substrate. In the first etching step, after the modification step, the planned etching position is etched using the etching solution for glass.

さらに、必要に応じて、第１のエッチングステップの後に、少なくともフッ酸を含むエッチング液によってエッチング予定位置をエッチングする第２のエッチングステップをさらに含むことが好ましい。第２のエッチングステップは、上述のエッチング阻害物質を当初から含まない通常のエッチング液（例：フッ酸＋塩酸＋残部水）を用いて行われる。このようなエッチング液は、フッ酸濃度を増加させるにつれてエッチング速度も増加するため、必要に応じてエッチング処理の短時間化を図ることが可能になる。 Further, if necessary, it is preferable to further include a second etching step in which the planned etching position is etched with an etching solution containing at least hydrofluoric acid after the first etching step. The second etching step is performed using a normal etching solution (eg, hydrofluoric acid + hydrochloric acid + residual water) that does not contain the above-mentioned etching inhibitor from the beginning. In such an etching solution, the etching rate increases as the hydrofluoric acid concentration increases, so that the etching process can be shortened as needed.

この発明によれば、ウエットエッチングの等方性の影響を最小限に抑制することが可能になる。 According to the present invention, it is possible to minimize the influence of the isotropic property of wet etching.

本発明の一実施形態に係る液晶パネルの概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the liquid crystal panel which concerns on one Embodiment of this invention. 複数の液晶パネルを含む多面取り用ガラス母材の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the glass base material for multi-chamfer including a plurality of liquid crystal panels. 液晶パネル製造方法の一実施形態に含まれる工程を示す図である。It is a figure which shows the process included in one Embodiment of the liquid crystal panel manufacturing method. 液晶パネル製造方法の一実施形態に含まれる工程を示す図である。It is a figure which shows the process included in one Embodiment of the liquid crystal panel manufacturing method. 液晶パネル製造方法の一実施形態に含まれる工程を示す図である。It is a figure which shows the process included in one Embodiment of the liquid crystal panel manufacturing method. 本発明に適用されるエッチング装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the etching apparatus applied to this invention. 本発明に適用されるエッチング処理のバリエーションを示す図である。It is a figure which shows the variation of the etching process applied to this invention. 多面取り用ガラス母材に対するスクライブブレーク加工の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the scribe break processing with respect to the glass base material for multi-chamfering. 分断された状態の多面取り用ガラス母材の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the glass base material for multi-chamfering in a divided state. 液晶パネルの構成の特徴を示す図である。It is a figure which shows the feature of the structure of the liquid crystal panel. 穿孔処理に係る改質ステップを説明する図である。It is a figure explaining the modification step which concerns on the drilling process. 穿孔処理に係る改質ステップおよびエッチングステップを説明する図である。It is a figure explaining the modification step and the etching step related to the drilling process. 穿孔処理に係るエッチングステップに用いる装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the apparatus used for the etching step which concerns on a perforation process. 穿孔処理に係る改質ステップを説明する図である。It is a figure explaining the modification step which concerns on the drilling process. エッチング阻害物質の影響を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the influence of the etching inhibitor. エッチング阻害物質の影響を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the influence of the etching inhibitor.

以下、図を用いて、本発明に係る液晶パネルの製造方法の一実施形態を説明する。図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係る液晶パネル１０の概略構成を示している。同図に示すように、液晶パネル１０は、アレイ基板１２およびカラーフィルタ基板１４が液晶層等の中間層を挟んで貼り合わされるように構成されている。アレイ基板１２およびカラーフィルタ基板１４の構成は、公知の構成と同様の構成が採用可能であるため、ここでは説明を省略する。 Hereinafter, an embodiment of the method for manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A shows a schematic configuration of a liquid crystal panel 10 according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the liquid crystal panel 10 is configured such that the array substrate 12 and the color filter substrate 14 are bonded to each other with an intermediate layer such as a liquid crystal layer interposed therebetween. As the configurations of the array substrate 12 and the color filter substrate 14, the same configurations as those known can be adopted, and thus the description thereof will be omitted here.

アレイ基板１２は、カラーフィルタ基板１４と貼り合わされる領域から延び出すように設けられた電極端子部１２２を有している。この電極端子部１２２には、複数の電気回路が接続され、液晶パネル１０と、それらの電気回路とが筐体に収納されることによって、例えば、図１（Ｂ）に示すようなスマートフォン１００が構成される。 The array substrate 12 has an electrode terminal portion 122 provided so as to extend from a region to be bonded to the color filter substrate 14. A plurality of electric circuits are connected to the electrode terminal portion 122, and the liquid crystal panel 10 and the electric circuits thereof are housed in a housing, so that, for example, a smartphone 100 as shown in FIG. 1B can be obtained. It is composed.

続いて、液晶パネル１０を製造する方法の一例について説明する。図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示すように、一般的に、液晶パネル１０は、これを複数含んだ多面取り用ガラス母材５０として製造される。そして、この多面取り用ガラス母材５０を分断することによって、単個の液晶パネル１０が得られる。 Subsequently, an example of a method for manufacturing the liquid crystal panel 10 will be described. As shown in FIGS. 2A and 2B, the liquid crystal panel 10 is generally manufactured as a multi-chamfering glass base material 50 including a plurality of the liquid crystal panels 10. Then, by dividing the multi-chamfering glass base material 50, a single liquid crystal panel 10 can be obtained.

この実施形態では、便宜上、６つの液晶パネル１０が３行２列のマトリクス状に配置され、かつ、表面に透明性薄膜（ＩＴＯ膜や有機導電膜等の透明性導電膜、または透明保護膜等）１７が形成された多面取り用ガラス母材５０に対する処理について説明する。ただし、多面取り用ガラス母材５０に含まれる液晶パネル１０の数はこれに限定されるものではなく、適宜増減することが可能である。 In this embodiment, for convenience, six liquid crystal panels 10 are arranged in a matrix of 3 rows and 2 columns, and a transparent thin film (transparent conductive film such as ITO film or organic conductive film, transparent protective film, etc.) is formed on the surface. ) 17 is formed, and the treatment for the multi-chamber glass base material 50 will be described. However, the number of liquid crystal panels 10 included in the multi-chamfering glass base material 50 is not limited to this, and can be increased or decreased as appropriate.

多面取り用ガラス母材５０は、まず、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すように、液晶パネル１０の形状（輪郭）に対応する形状切断予定線に沿って改質ライン２０が形成される。この改質ライン２０は、例えば、ピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザ等のパルスレーザから照射される光ビームパルス（ビーム径は１〜５μｍ程度）によって形成される複数のフィラメント層を配列したフィラメントアレイである（図４（Ａ）および図４（Ｂ）参照。）。改質ライン２０は、例えば、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示すように、複数の貫通孔または改質層を有するミシン目状を呈している。改質ライン２０は、多面取り用ガラス母材５０における他の箇所よりもエッチングされ易い性質を有している。もちろん、改質ライン２０の形状は、この形状には限定されるものではなく、これ以外の形状を呈するものであっても良い。 In the multi-chamfering glass base material 50, first, as shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B), a modification line 20 is formed along a planned cutting line corresponding to the shape (contour) of the liquid crystal panel 10. It is formed. The modification line 20 is a filament array in which a plurality of filament layers formed by light beam pulses (beam diameter is about 1 to 5 μm) emitted from a pulse laser such as a picosecond laser or a femtosecond laser are arranged. Yes (see FIGS. 4 (A) and 4 (B)). The modification line 20 has a perforated shape having a plurality of through holes or modification layers, for example, as shown in FIGS. 4 (A) and 4 (B). The modification line 20 has a property of being more easily etched than other parts of the multi-chamfering glass base material 50. Of course, the shape of the modification line 20 is not limited to this shape, and may be any other shape.

アレイ基板１２、カラーフィルタ基板１４、および透明性薄膜１７を同時に１つのレーザビームによって処理すると液晶層に不具合が生じる可能性がある。このため、本実施形態においては、図３（Ｃ）および図３（Ｄ）に示すようなレーザ加工を採用することにより、このような不具合の発生を抑制することが可能となる。すなわち、図３（Ｃ）に示すように、アレイ基板１２側からアレイ基板１２のみに改質ライン２０が形成されるように焦点調整および強度調整をした上でレーザを照射し、液晶層近傍にエネルギが伝達しにくくすると良い。この状態で、物理的作用または熱的作用を加えることによって多面取り用ガラス母材５０の分断が可能であれば、レーザ加工はここで終了する。 If the array substrate 12, the color filter substrate 14, and the transparent thin film 17 are processed by one laser beam at the same time, a problem may occur in the liquid crystal layer. Therefore, in the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of such a defect by adopting the laser processing as shown in FIGS. 3 (C) and 3 (D). That is, as shown in FIG. 3C, after adjusting the focus and intensity so that the modification line 20 is formed only on the array substrate 12 from the array substrate 12 side, the laser is irradiated to the vicinity of the liquid crystal layer. It is good that energy is difficult to transfer. In this state, if the multi-chamfering glass base material 50 can be divided by applying a physical action or a thermal action, the laser machining ends here.

一方で、この状態では多面取り用ガラス母材５０の分断が困難な場合には、図３（Ｄ）に示すように、今度は反対側となるカラーフィルタ基板１４側からカラーフィルタ基板１４のみに改質ライン２０を形成するように焦点調整および強度調整をした上でレーザを照射すると良い。図３（Ｄ）に示す処理を行うことにより、レーザ加工の工程数が増加するものの、液晶層における不具合の発生を抑制しつつ、多面取り用ガラス母材５０の分断を容易に行うことが可能になる。 On the other hand, if it is difficult to divide the multi-chamfering glass base material 50 in this state, as shown in FIG. 3D, this time, from the color filter substrate 14 side on the opposite side to only the color filter substrate 14. It is preferable to irradiate the laser after adjusting the focus and intensity so as to form the reforming line 20. By performing the process shown in FIG. 3 (D), although the number of laser processing steps is increased, it is possible to easily divide the multi-chamfer glass base material 50 while suppressing the occurrence of defects in the liquid crystal layer. become.

ピコレーザからの光ビームは、適宜、集光領域を調整することが好ましい。例えば、レーザ光の集光領域を中間層に到達しないように調整することによって、エッチング処理におけるエッチング液の過浸透によって端子配線が腐食するようなことが防止される。 It is preferable to adjust the focusing region of the light beam from the pico laser as appropriate. For example, by adjusting the condensing region of the laser light so as not to reach the intermediate layer, it is possible to prevent the terminal wiring from being corroded due to the over-penetration of the etching solution in the etching process.

多面取り用ガラス母材５０において形状切断予定線に沿って改質ライン２０が形成された後には、多面取り用ガラス母材５０は、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、両方の主面に耐エッチング性を備えた耐エッチングフィルム１６が貼付される。ここでは、耐エッチングフィルム１６として、厚みが５０〜７５μｍのポリエチレンを採用している。ただし、耐エッチングフィルム１６の構成はこれには限定されない。例えば、ポリプロピレンやポリ塩化ビニルやオレフィン系樹脂等のように、ガラスをエッチングするエッチング液に対する耐性を備えたものであれば適宜選択して採用することも可能である。 After the modification line 20 is formed on the multi-chamfer glass base material 50 along the planned shape cutting line, the multi-chamfer glass base material 50 is as shown in FIGS. 5 (A) and 5 (B). , Etching-resistant film 16 having etching resistance is attached to both main surfaces. Here, polyethylene having a thickness of 50 to 75 μm is used as the etching resistant film 16. However, the structure of the etching resistant film 16 is not limited to this. For example, if it has resistance to an etching solution for etching glass, such as polypropylene, polyvinyl chloride, or an olefin resin, it can be appropriately selected and adopted.

耐エッチングフィルム１６の貼付が完了すると、続いて、図５（Ｃ）に示すように、取り出すべき液晶パネル１０の形状に対応する形状切断予定線に沿って耐エッチングフィルム１６に対するレーザビームの照射が行われる。このレーザビームの照射によって、耐エッチングフィルム１６が形状切断予定線に沿って除去される。そして、形状切断予定線に沿って耐エッチングフィルム１６の開口部が形成されることになり、その結果、図３（Ｃ）に示した構成と同様に、多面取り用ガラス母材５０の改質ライン２０の形成位置が外部に露出することになる。 After the application of the etching resistant film 16 is completed, as shown in FIG. 5C, the laser beam is subsequently irradiated to the etching resistant film 16 along the planned cutting line corresponding to the shape of the liquid crystal panel 10 to be taken out. Will be done. By irradiating this laser beam, the etching resistant film 16 is removed along the planned shape cutting line. Then, an opening of the etching resistant film 16 is formed along the planned shape cutting line, and as a result, the modified glass base material 50 for multi-chamfering is modified in the same manner as the configuration shown in FIG. 3C. The forming position of the line 20 is exposed to the outside.

上述のレーザ加工が終わると、図６に示すように、多面取り用ガラス母材５０は、エッチング装置３００に導入され、フッ酸およびエッチング阻害物質を含有するエッチング液による第１のエッチングステップが施され、必要に応じて、フッ酸および塩酸等を含む通常のエッチング液による第２のエッチングステップ（任意的処理）が施される。通常、フッ酸１〜１０重量％、塩酸５〜２０重量％程度を含むエッチング液が用いられ、必要に応じて適宜、界面活性剤等が併用されるが、第１のエッチングステップでは通常のエッチング液にさらにエッチング阻害物質を含有させている。 After the above laser processing is completed, as shown in FIG. 6, the multi-chamber glass base material 50 is introduced into the etching apparatus 300 and subjected to a first etching step with an etching solution containing hydrofluoric acid and an etching inhibitor. Then, if necessary, a second etching step (optional treatment) is performed with a normal etching solution containing hydrofluoric acid, hydrochloric acid, or the like. Usually, an etching solution containing 1 to 10% by weight of hydrofluoric acid and 5 to 20% by weight of hydrochloric acid is used, and a surfactant or the like is appropriately used in combination as needed. However, in the first etching step, normal etching is performed. The liquid further contains an etching inhibitor.

エッチング阻害物質の例として、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリや、酸化チタン、塩化アルミニウム、ホウ酸、二酸化珪素等のフッ素錯化剤が挙げられる。エッチング阻害物質は、主としてフッ酸と強酸からなるエッチング液のエッチング速度（エッチングレート）を減じる作用を奏する。通常は、フッ酸濃度やフッ素濃度と、エッチング速度とが正の相関を有しており、フッ酸濃度やフッ素濃度の増加に伴ってエッチング速度が速くなる。 Examples of etching inhibitors include alkalis such as ammonium hydroxide, sodium hydroxide and potassium hydroxide, and fluorine complexing agents such as titanium oxide, aluminum chloride, boric acid and silicon dioxide. The etching inhibitor has an effect of reducing the etching rate (etching rate) of an etching solution mainly composed of hydrofluoric acid and a strong acid. Normally, the hydrofluoric acid concentration and the fluorine concentration have a positive correlation with the etching rate, and the etching rate increases as the hydrofluoric acid concentration and the fluorine concentration increase.

ところが、フッ酸の物質量に対して０．０５〜５．００モル当量程度のエッチング阻害物質を含有させることにより、フッ酸濃度やフッ素濃度を高くしてもエッチング速度を０．０１〜３．００μｍ／ｍｉｎ程度に低く抑えることができ、このような状態を形成することによってウエットエッチングの等方性の影響を最小限に抑制した異方性エッチングが実現していると出願人は推測している。 However, by containing an etching inhibitor of about 0.05 to 5.00 molar equivalents with respect to the amount of substance of hydrofluoric acid, the etching rate can be increased to 0.01-3 even if the hydrofluoric acid concentration and the fluorine concentration are increased. The applicant speculates that the anisotropic etching can be suppressed to a low level of about 00 μm / min, and by forming such a state, the anisotropic etching that minimizes the influence of the isotropic property of the wet etching is realized. There is.

フッ酸とエッチング阻害物質との化合物として、これまで好適に異方性エッチングが実現できたものの例として、フッ化チタン酸（Ｈ2ＴｉＦ6）、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）、テトラフルオロホウ酸（ＨＢＦ4）、ヘキサフルオロリン酸（ＨＰＦ6）、ヘキサフルオロケイ酸（Ｈ2ＳｉＦ6）、ヘキサフルオロアルミン酸（Ｈ3ＡｌＦ6）、ヘキサフルオロアンチモン酸（ＨＳｂＦ6）、六フッ化砒素酸（ＨＡｓＦ6）、六フッ化ジルコン酸（Ｈ2ＺｒＦ6）、テトラフルオロベリリウム酸（Ｈ2ＢｅＦ4）、ヘプタフルオロタンタル酸（Ｈ2ＴａＦ7）などやこれらの塩が挙げられる。 As a compound of hydrofluoric acid and an etching inhibitor, examples of those for which anisotropic etching has been suitably realized are titanium fluoride acid (H 2 TiF 6 ), ammonium fluoride (NH 4 F), and tetrafluorohobo. Acid (HBF 4 ), Hexafluorophosphoric acid (HPF 6 ), Hexafluorosilicic acid (H 2 SiF 6 ), Hexafluoroaluminic acid (H 3 AlF 6 ), Hexafluoroantimonic acid (HSbF 6 ), Arsenic hexafluoride Acids (HAsF 6 ), hexafluorosilconic acid (H 2 ZrF 6 ), tetrafluoroberylium acid (H 2 BeF 4 ), heptafluorotantalic acid (H 2 TaF 7 ) and salts thereof can be mentioned.

エッチング装置３００では、搬送ローラによって多面取り用ガラス母材５０を搬送しつつ、エッチングチャンバ内で多面取り用ガラス母材５０の片面または両面にエッチング液を接触させることによって、多面取り用ガラス母材５０に対するエッチング処理が行われる。なお、エッチング装置３００におけるエッチングチャンバの後段には、多面取り用ガラス母材５０に付着したエッチング液を洗い流すための洗浄チャンバが設けられているため、多面取り用ガラス母材５０はエッチング液が取り除かれた状態でエッチング装置３００から排出される。 In the etching apparatus 300, the multi-chamfering glass base material 50 is conveyed by a transport roller, and the etching solution is brought into contact with one or both sides of the multi-chamfering glass base material 50 in the etching chamber to bring the multi-chamfering glass base material 50 into contact with the etching chamber. Etching treatment for 50 is performed. Since a cleaning chamber for washing away the etching solution adhering to the multi-chamfering glass base material 50 is provided in the subsequent stage of the etching chamber in the etching apparatus 300, is the etching solution removed from the multi-chamfering glass base material 50? It is discharged from the etching apparatus 300 in this state.

多面取り用ガラス母材５０にエッチング液を接触させる手法の一例として、図７（Ａ）に示すように、エッチング装置３００の各エッチングチャンバ３０２において、多面取り用ガラス母材５０に対してエッチング液をスプレイするスプレイエッチングが挙げられる。また、スプレイエッチングに代えて、図７（Ｂ）に示すように、オーバーフロー型のエッチングチャンバ３０４において、オーバーフローしたエッチング液に接触しながら多面取り用ガラス母材５０が搬送される構成を採用することも可能である。 As an example of a method of bringing the etching solution into contact with the multi-chamfering glass base material 50, as shown in FIG. 7A, the etching solution is applied to the multi-chamfering glass base material 50 in each etching chamber 302 of the etching apparatus 300. There is a spray etching that sprays. Further, instead of the spray etching, as shown in FIG. 7B, the overflow type etching chamber 304 adopts a configuration in which the multi-chamfering glass base material 50 is conveyed while being in contact with the overflowed etching solution. Is also possible.

さらには、図７（Ｃ）に示すように、エッチング液が収納されたエッチング槽３０６に、キャリアに収納された単数または複数の多面取り用ガラス母材５０を浸漬されるディップ式のエッチングを採用することも可能である。 Further, as shown in FIG. 7C, a dip type etching is adopted in which one or more glass base materials 50 for multi-chamfering are immersed in the etching tank 306 in which the etching solution is stored. It is also possible to do.

いずれの場合であっても、エッチング処理中に、形状切断予定線が厚み方向に貫通して、多面取り用ガラス母材５０が分断してしまわないようにすることが重要である。このため、エッチング処理中（特にエッチング処理の後半部分）においては、エッチングレートを遅くして、エッチング量を正確に制御する必要がある。 In any case, it is important that the planned shape cutting line does not penetrate in the thickness direction and the multi-chamfering glass base material 50 is not divided during the etching process. Therefore, during the etching process (particularly in the latter half of the etching process), it is necessary to slow down the etching rate and accurately control the etching amount.

エッチング処理の全体においてエッチングレートを遅くするのではなく、当初は速めのエッチングレートを採用しつつ段階的に遅くしていくようにすれば、エッチング処理の時間を短縮することが可能である。例えば、エッチング装置３００の後段に進むにつれてエッチング液におけるフッ酸濃度を低下させるような構成を採用すると良い。 It is possible to shorten the etching process time by gradually slowing down the etching rate while adopting a faster etching rate at the beginning, instead of slowing down the etching rate in the entire etching process. For example, it is preferable to adopt a configuration in which the hydrofluoric acid concentration in the etching solution decreases as the etching apparatus 300 progresses to the subsequent stage.

多面取り用ガラス母材５０がエッチング装置３００を通過すると、改質ライン２０がエッチングされる。改質ライン２０では、他の箇所よりも速くエッチング液が浸透し、このラインに沿ってガラスが溶解されることによって、改質ライン２０によってカラーフィルタ基板を切断し易くなる。また、レーザ照射時においてキズ等が発生していた場合であっても、このキズが消失し易くなる。 When the multi-chamfering glass base material 50 passes through the etching apparatus 300, the modification line 20 is etched. In the modification line 20, the etching solution permeates faster than in other parts, and the glass is melted along this line, so that the modification line 20 makes it easier to cut the color filter substrate. Further, even if scratches or the like are generated during laser irradiation, the scratches are likely to disappear.

エッチング処理が終了すると、貼付されていた耐エッチングフィルム１６が剥離される。続いて、多面取り用ガラス母材５０に対して、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示すように、カラーフィルタ基板１４におけるアレイ基板１２の電極端子部１２２に対向する領域を取り除くための端子部切断溝３０を形成する処理が行われる。この実施形態では、スクライブホイール（ホイールカッタ）２５０によって、カラーフィルタ基板１４におけるアレイ基板１２の電極端子部１２２に対向する領域の内側に端子部切断溝３０が形成される。端子部切断溝３０は、カラーフィルタ基板１４におけるアレイ基板１２の電極端子部１２２に対向する領域を取り除くため端子部切断予定線に沿って形成される。 When the etching process is completed, the attached etching resistant film 16 is peeled off. Subsequently, as shown in FIGS. 8A to 8C, in order to remove the region of the color filter substrate 14 facing the electrode terminal portion 122 of the array substrate 12 with respect to the multi-chamfering glass base material 50. The process of forming the terminal portion cutting groove 30 of the above is performed. In this embodiment, the scribe wheel (wheel cutter) 250 forms a terminal cutting groove 30 inside the region of the color filter board 14 facing the electrode terminal 122 of the array board 12. The terminal cutting groove 30 is formed along the planned cutting line of the terminal portion in order to remove the region of the color filter substrate 14 facing the electrode terminal portion 122 of the array substrate 12.

スクライブホイール２５０による端子部切断溝３０の形成が終わると、多面取り用ガラス母材５０の分断および電極端子部１２２に対向する領域の除去に移行する。多面取り用ガラス母材５０において、レーザのフィラメント加工によって改質ライン２０が形成され、この改質ラインをさらにエッチングすることにより、わずかな機械的圧力のみで、多面取り用ガラス母材５０を改質ライン２０において分割することができる。例えば、多面取り用ガラス母材５０に微小な押圧力や引っ張り力を加えたり、微小な超音波振動を与えたりすることによって、図９に示すように、多面取り用ガラス母材５０を汚損することなく、分断することが可能である。 When the formation of the terminal portion cutting groove 30 by the scribe wheel 250 is completed, the process proceeds to the division of the multi-chamfering glass base material 50 and the removal of the region facing the electrode terminal portion 122. In the multi-chamfering glass base material 50, a modification line 20 is formed by laser filament processing, and by further etching this modification line, the multi-chamfering glass base material 50 is modified with only a slight mechanical pressure. It can be divided at the quality line 20. For example, as shown in FIG. 9, the multi-chamfer glass base material 50 is soiled by applying a minute pressing force or a tensile force to the multi-chamfering glass base material 50 or applying a minute ultrasonic vibration. It is possible to divide without any.

あえて、エッチング処理によって完全には切断してしまわないため、エッチング中に分離された液晶パネル１０端面どうしが衝突して破損するといった不具合の発生が防止される。また、エッチング処理後の不完全に切断された状態の多面取り用ガラス母材５０のまま（大判の状態のまま）、運搬することも可能になる。さらに、エッチング液が電極端子部に到達することがないため、耐エッチング性を備えたマスキング剤によって電極端子部を保護することが不要になる。また、液晶パネル１０の端面における少なくとも中央部以外はエッチング処理が施されているため、レーザ加工のみで切断を行った場合に比較して液晶パネルの強度（例えば、曲げ強度）が高くなる。 Since it is not completely cut by the etching process, it is possible to prevent problems such as collision and damage of the end faces of the liquid crystal panels 10 separated during etching. In addition, the multi-chamfering glass base material 50 in an incompletely cut state after the etching process can be transported as it is (in a large size state). Further, since the etching solution does not reach the electrode terminal portion, it is not necessary to protect the electrode terminal portion with a masking agent having etching resistance. Further, since the etching process is performed on the end face of the liquid crystal panel 10 except for the central portion, the strength (for example, bending strength) of the liquid crystal panel is higher than that in the case of cutting only by laser processing.

図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、分断後の液晶パネル１０の概略構成を示している。同図に示すように、液晶パネル１０の端面は主面に対してほぼ直角になっている。すなわち、板厚のアレイ基板１２およびカラーフィルタ基板１４の各端面に発生するテーパ幅（図１０（Ｃ）におけるＬ１〜Ｌ４）をほぼゼロ（具体的には、３０μｍ以下）に抑えることが可能である。 10 (A) to 10 (C) show the schematic configuration of the liquid crystal panel 10 after the division. As shown in the figure, the end surface of the liquid crystal panel 10 is substantially perpendicular to the main surface. That is, it is possible to suppress the taper widths (L1 to L4 in FIG. 10C) generated on each end surface of the plate-thick array substrate 12 and the color filter substrate 14 to almost zero (specifically, 30 μm or less). is there.

このように、液晶パネル１０を製造するにあたって、サイドエッチングの影響がほとんど発生しないため、液晶パネル１０どうしを近接配置した多面取り用ガラス母材５０の設計することができる。一方で、エッチング阻害物質を含有するエッチング液による処理（第１のエッチングステップ）の比率を少なくし、フッ酸および塩酸等を含むエッチング液による処理（第２のエッチングステップ）の比率を多くすることによって、テーパ幅Ｌ１〜Ｌ４の値を大きくすることが可能である。必要となる端面の形状や必要なエッチングレート等を考慮して、エッチング阻害物質を含有するエッチング液による処理の比率を適宜調整すると良い。 As described above, since the influence of side etching hardly occurs in manufacturing the liquid crystal panel 10, it is possible to design the multi-chamfering glass base material 50 in which the liquid crystal panels 10 are arranged close to each other. On the other hand, the ratio of the treatment with the etching solution containing the etching inhibitor (first etching step) should be reduced, and the ratio of the treatment with the etching solution containing hydrofluoric acid, hydrochloric acid or the like (second etching step) should be increased. Therefore, it is possible to increase the values of the taper widths L1 to L4. The ratio of the treatment with the etching solution containing the etching inhibitor may be appropriately adjusted in consideration of the required shape of the end face, the required etching rate, and the like.

続いて、図１１〜図１４を用いて、穿孔処理に係る別の実施形態について説明する。図１１は、複数の貫通孔を備えるガラスインターポーザを製造するためのガラス基板５１０に対する加工処理の一ステップを示している。この実施形態では、ガラスインターポーザを製造する際に、ガラス基板５１０に対して、改質ステップおよびエッチングステップが少なくとも施される。 Subsequently, another embodiment relating to the drilling process will be described with reference to FIGS. 11 to 14. FIG. 11 shows one step of processing on a glass substrate 510 for manufacturing a glass interposer having a plurality of through holes. In this embodiment, when the glass interposer is manufactured, at least a modification step and an etching step are performed on the glass substrate 510.

ガラス基板５１０の種類は、ガラスである限り、特に限られないが、ガラスインターポーザのように、半導体素子のパッケージに使用される場合は、無アルカリガラスが好ましい。これはアルカリ含有ガラスの場合、ガラス中のアルカリ成分が析出し、半導体素子に悪影響を及ぼすおそれがあるためである。また、ガラス基板５１０の厚さは、特に限られず、ガラス基板１０は、例えば０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの厚さにおいて好適に処理を行うことができている。 The type of the glass substrate 510 is not particularly limited as long as it is glass, but when it is used for a package of a semiconductor element such as a glass interposer, non-alkali glass is preferable. This is because, in the case of alkali-containing glass, the alkali component in the glass may precipitate, which may adversely affect the semiconductor element. The thickness of the glass substrate 510 is not particularly limited, and the glass substrate 10 can be suitably treated with a thickness of, for example, 0.1 mm to 2.0 mm.

改質ステップにおいては、ガラス基板５１０における複数の貫通孔の形成予定位置に対して、レーザヘッド５１２からレーザ光が照射される。この照射されるレーザ光は、ガラス基板５１０の厚み方向にわたってエネルギ密度が相対的に高い焦線を形成するための光学系ユニット５１４を経由する。 In the modification step, the laser light is irradiated from the laser head 512 to the positions where the plurality of through holes are planned to be formed on the glass substrate 510. The irradiated laser beam passes through an optical system unit 514 for forming a focused line having a relatively high energy density in the thickness direction of the glass substrate 510.

光学系ユニット５１４は、単一または複数の光学要素（レンズ等）によって構成されており、レーザヘッド５１２からのレーザ光を、ガラス基板５１０の厚み方向において所定範囲内の長さを有するレーザ光の焦線へと集束させるように構成されている。 The optical system unit 514 is composed of a single or a plurality of optical elements (lenses, etc.), and the laser light from the laser head 512 is emitted from the laser light having a length within a predetermined range in the thickness direction of the glass substrate 510. It is configured to focus on the focused line.

このため、このレーザ光がガラス基板５１０に照射されることにより、ガラス基板５１０における貫通孔形成予定位置が厚み方向の全域にわたって改質され、例えば、ボイド状の改質部１０２が形成される。ガラス基板５１０に複数の改質部１０２を形成するためには、ガラス基板５１０をＸＹ平面上において移動するようなステージを用いても良いし、レーザヘッド５１２および光学系ユニット５１４を備えたレーザ加工装置がこれらの部材をＸＹ方向に移動させる駆動機構を設けるようにしても良い。 Therefore, when the glass substrate 510 is irradiated with this laser beam, the position where the through hole is planned to be formed in the glass substrate 510 is modified over the entire area in the thickness direction, and for example, a void-shaped modified portion 102 is formed. In order to form the plurality of modified portions 102 on the glass substrate 510, a stage for moving the glass substrate 510 on the XY plane may be used, or laser machining including a laser head 512 and an optical system unit 514 may be used. The device may be provided with a drive mechanism for moving these members in the XY directions.

レーザ光は、ガラス基板５１０の貫通孔の形成予定位置をエッチングされ易い性質に改質できる限り、その種類および照射条件は限られない。この実施形態では、レーザヘッド５１２から、短パルスレーザ（例えばピコ秒レーザ、フェムト秒レーザ）から発振されるレーザ光が照射されているが、例えば、ＣＯ2レーザ、ＵＶレーザ等を用いても良い。この実施形態では、レーザ光の平均レーザエネルギが、約３０μＪ〜３００μＪ程度になるように出力制御が行われている。 The type and irradiation conditions of the laser beam are not limited as long as the position where the through hole of the glass substrate 510 is to be formed can be modified to be easily etched. In this embodiment, the laser head 512 is irradiated with a laser beam oscillated from a short pulse laser (for example, a picosecond laser or a femtosecond laser), but for example, a CO 2 laser, a UV laser, or the like may be used. .. In this embodiment, the output is controlled so that the average laser energy of the laser beam is about 30 μJ to 300 μJ.

改質ステップの後には、ガラス基板５１０における貫通孔形成予定位置に形成された改質部をエッチングすることによって、改質部１０２を溶解し、貫通孔形成予定位置に貫通孔が形成される。 After the modification step, the modified portion 102 formed at the planned through hole formation position on the glass substrate 510 is etched to dissolve the modified portion 102, and the through hole is formed at the planned through hole formation position.

図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）を用いて、改質ステップおよびその後のエッチングステップについて説明する。図１２（Ａ）は、上述した改質ステップを示している。レーザヘッド５１２から出射したレーザ光は、光学系ユニット５１４によって、ガラス基板５１０における貫通孔形成予定位置に集光され、貫通孔形成予定位置の厚み方向に焦線が形成される。光学系ユニット５１４は、例えば、レーザ光を拡散する拡散レンズや集光する集光レンズ等を少なくとも備えており、例えば、レーザ光を上述の焦線上の複数の点で結像するように集光することができる。 The modification step and the subsequent etching step will be described with reference to FIGS. 12 (A) to 12 (C). FIG. 12A shows the modification step described above. The laser light emitted from the laser head 512 is focused by the optical system unit 514 at the planned through hole formation position on the glass substrate 510, and a focused line is formed in the thickness direction of the through hole formation planned position. The optical system unit 514 includes, for example, a diffusing lens that diffuses the laser light, a condensing lens that condenses the laser light, and the like. can do.

その結果、図１２（Ｂ）に示すように、ガラス基板１０の貫通孔成予定位置における厚み方向の全域にわたって改質部１０２が形成される。改質部１０２は、レーザ光からのエネルギを受けることによって他の部分よりもエッチングされ易い性質を示すようになる。この改質部１０２にエッチング液を接触させることにより、改質部１０２が溶解されて、その結果、図１２（Ｃ）に示すように貫通孔形成予定位置に貫通孔１０４が形成されることになる。 As a result, as shown in FIG. 12B, the modified portion 102 is formed over the entire area in the thickness direction at the planned through hole formation position of the glass substrate 10. By receiving the energy from the laser beam, the reforming portion 102 exhibits a property of being more easily etched than the other portions. By bringing the etching solution into contact with the modified portion 102, the modified portion 102 is dissolved, and as a result, the through hole 104 is formed at the planned through hole formation position as shown in FIG. 12 (C). Become.

エッチングステップにおいては、図１３（Ａ）に示すように、ガラス基板５１０は、エッチング装置５２０に導入され、フッ酸および塩酸等を含むエッチング液によってエッチング処理が施される。エッチング装置５２０では、搬送ローラによってガラス基板５１０を搬送しつつ、エッチングチャンバ５２２内でガラス基板５１０の片面または両面にエッチング液を接触させることによって、ガラス基板５１０に対するエッチング処理が行われる。 In the etching step, as shown in FIG. 13A, the glass substrate 510 is introduced into the etching apparatus 520 and subjected to an etching treatment with an etching solution containing hydrofluoric acid, hydrochloric acid, or the like. In the etching apparatus 520, the etching process is performed on the glass substrate 510 by bringing the glass substrate 510 into contact with one or both sides of the glass substrate 510 in the etching chamber 522 while conveying the glass substrate 510 by the conveying roller.

ここでは、図１３（Ｂ）に示すように、エッチング装置５２０の各エッチングチャンバ５２２において、ガラス基板５１０に対してエッチング液をスプレイするスプレイエッチングが行われる。エッチング液としては、例えば、フッ酸１〜１０重量％、塩酸５〜２０重量％、および上述のエッチング阻害物質を含むエッチング液が用いられる。なお、エッチング装置５２０におけるエッチングチャンバ５２２の後段には、ガラス基板５１０に付着したエッチング液を洗い流すための洗浄チャンバが設けられているため、ガラス基板５１０はエッチング液が取り除かれた状態でエッチング装置５２０から排出される。 Here, as shown in FIG. 13B, in each etching chamber 522 of the etching apparatus 520, spray etching for spraying the etching solution on the glass substrate 510 is performed. As the etching solution, for example, an etching solution containing 1 to 10% by weight of hydrofluoric acid, 5 to 20% by weight of hydrochloric acid, and the above-mentioned etching inhibitor is used. Since a cleaning chamber for washing away the etching solution adhering to the glass substrate 510 is provided in the subsequent stage of the etching chamber 522 in the etching apparatus 520, the etching apparatus 520 is in a state where the etching solution is removed from the glass substrate 510. Is discharged from.

エッチング液をスプレイする手法以外にも、ガラス基板５１０をエッチング液に浸漬することによってガラス基板１０にエッチング液を接触させることも可能である。ただし、細い貫通孔の内部にエッチング液を浸透させる観点からすると、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示すようなエッチング液をスプレイする方式を採用することが好ましい。 In addition to the method of spraying the etching solution, it is also possible to bring the etching solution into contact with the glass substrate 10 by immersing the glass substrate 510 in the etching solution. However, from the viewpoint of infiltrating the etching solution into the narrow through hole, it is preferable to adopt the method of spraying the etching solution as shown in FIGS. 13 (A) and 13 (B).

エッチング液を十分な圧力でガラス基板５１０にスプレイすることによって、通常は、ガラス基板５１０の改質部１０２が適切に溶解されて、図１２（Ｃ）に示すようにガラス基板５１０に貫通孔１０４が形成される。この実施形態では、スプレイする際の吐出圧力は、例えば、０．０５Ｍｐａ〜０．１０Ｍｐａ、各スプレイノズルから噴射するエッチング液の量は１．２５〜２．５０リットル／分程度で処理を行うと好適な結果が得られた。 By spraying the etching solution onto the glass substrate 510 with sufficient pressure, the modified portion 102 of the glass substrate 510 is usually appropriately melted, and the through hole 104 is normally formed in the glass substrate 510 as shown in FIG. 12 (C). Is formed. In this embodiment, the discharge pressure at the time of spraying is, for example, 0.05 Mpa to 0.10 Mpa, and the amount of the etching solution jetted from each spray nozzle is about 1.25 to 2.50 liters / minute. Good results were obtained.

従来のエッチング液による処理においては、エッチング液のスプレイ圧力や濃度や粘度、または改質部１０２のサイズによっては、図１４（Ａ）に示すように、中央部に狭窄部を有する貫通孔１０５が形成されてしまうことがあった。このような貫通孔１０５は、インターポーザの用途に用いた場合に導通不良等の不具合を生じる可能性があるため、あまり好ましくないと言える。 In the conventional treatment with an etching solution, as shown in FIG. 14A, a through hole 105 having a narrowed portion in the central portion is formed depending on the spray pressure, concentration and viscosity of the etching solution, or the size of the modified portion 102. It was sometimes formed. It can be said that such a through hole 105 is not very preferable because it may cause problems such as poor continuity when used in an interposer application.

この実施形態においては、エッチング阻害物質を含むエッチング液を適宜用いることによって、図１４（Ｂ）に示すように、ガラス基板５１０の厚み方向の中央部に狭窄部が形成されにくくなっている。
このように、エッチング阻害物質を含むエッチング液を用いることによってウエットエッチングの等方性に起因するサイドエッチングの影響がほとんど発生しないため、狭窄部のない貫通孔を形成することができる。一方で、エッチング阻害物質を含有するエッチング液による処理（第１のエッチングステップ）の比率を少なくし、通常のエッチング液による処理（第２のエッチングステップ）の比率を多くすることによって、狭窄部の形状を調整することが可能である。必要となる貫通孔の形状や必要なエッチングレート等を考慮して、第１のエッチングステップおよび第２のエッチングステップの比率を適宜調整すると良い。上述したように、第２のエッチングステップは任意的処理なので、比率をゼロにすることも可能である。 In this embodiment, by appropriately using an etching solution containing an etching inhibitor, as shown in FIG. 14B, a narrowed portion is less likely to be formed in the central portion of the glass substrate 510 in the thickness direction.
As described above, by using the etching solution containing the etching inhibitor, the influence of side etching due to the isotropic property of wet etching hardly occurs, so that a through hole without a narrowed portion can be formed. On the other hand, by reducing the ratio of the treatment with the etching solution containing the etching inhibitor (first etching step) and increasing the ratio of the treatment with the normal etching solution (second etching step), the narrowed portion is affected. It is possible to adjust the shape. The ratio of the first etching step and the second etching step may be appropriately adjusted in consideration of the required shape of the through hole, the required etching rate, and the like. As described above, since the second etching step is an optional process, the ratio can be set to zero.

上述の方法を採用して形成された貫通孔は、スプレイエッチングによってマイクロクラックが微小化または消滅している。このため、貫通孔の形状を好適に保つことができるだけではなく、ガラスインターポーザの強度を保つことができるというメリットもある。また、ここでは、ガラス基板５１０をガラスインターポーザとして用いる例を説明したが、ガラス基板５１０の用途はこれに限定されない。例えば、ＭＥＭＳパッケージングやライフサイエンス向けマイクロチップデバイス等にも適用可能である。 In the through holes formed by adopting the above method, microcracks are miniaturized or disappear by spray etching. Therefore, not only the shape of the through hole can be kept suitable, but also the strength of the glass interposer can be kept. Further, although an example in which the glass substrate 510 is used as a glass interposer has been described here, the application of the glass substrate 510 is not limited to this. For example, it can be applied to MEMS packaging, microchip devices for life sciences, and the like.

ここで、図１５を用いて、上述の実施形態における異方性エッチングのメカニズムを説明する。同図に示すように、フルオロ錯体（ここでは、フッ化チタン酸）は、化学的平衡状態において、エッチング処理によるフッ酸の消費に伴って、ガラス基板の主面から離れた位置において、活性種であるフッ酸を放出し易い。この結果、ガラス基板の主面から離れた位置にまでフッ酸が届き易くなる。このため、ガラス基板の主面に垂直な方向（例：厚み方向、深さ方向）のエッチングが進行し易くなる。 Here, the mechanism of anisotropic etching in the above-described embodiment will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the fluorocomplex (here, titanium fluoride acid) is an active species at a position away from the main surface of the glass substrate due to the consumption of hydrofluoric acid by the etching process in a chemical equilibrium state. It is easy to release hydrofluoric acid. As a result, hydrofluoric acid can easily reach a position away from the main surface of the glass substrate. Therefore, etching in a direction perpendicular to the main surface of the glass substrate (eg, thickness direction, depth direction) tends to proceed.

ガラス基板の主面付近でフッ酸が連続的に消費されるとガラスの主面に平行な方向（例：幅方向）のエッチングを進行し、等方性エッチングの影響が発生し易くなるが、エッチング阻害物質の作用によって、等方性エッチングの影響を最小限に抑制することが可能になると推測している。 When hydrofluoric acid is continuously consumed near the main surface of the glass substrate, etching proceeds in a direction parallel to the main surface of the glass (example: width direction), and the influence of isotropic etching is likely to occur. It is speculated that the action of the etching inhibitor makes it possible to minimize the effects of isotropic etching.

続いて、実際に実施例を用いて、本願発明の実施形態に係るエッチング阻害物質を含むガラス用エッチング液の作用効果を説明する。まず、図１６（Ａ）〜図１６（Ｄ）を用いて、ガラス用エッチング液の作用効果を検証するための実験手法について説明する。図１６（Ａ）に示すように、エッチング処理に先立って、まず、レーザ光の平均レーザエネルギが、約２５０μＪ程度になるように出力制御を行った上で、厚み２００μｍ程度のガラス基板に改質孔を形成した。 Subsequently, the action and effect of the etching solution for glass containing the etching inhibitor according to the embodiment of the present invention will be described with reference to actual examples. First, an experimental method for verifying the action and effect of the etching solution for glass will be described with reference to FIGS. 16A to 16D. As shown in FIG. 16 (A), prior to the etching process, first, the output is controlled so that the average laser energy of the laser light is about 250 μJ, and then the glass substrate is modified to have a thickness of about 200 μm. A hole was formed.

続いて、下記表１に示す組成のエッチング液（４０℃）でそれぞれ約４０分間エッチング処理を行った。図１６（Ｂ）は、比較例に係るエッチング液によってエッチングを行った後のガラス基板を示しており、図１６（Ｃ）は、各実施例に係るエッチング液によってエッチングを行った後のガラス基板を示している。

Figure 0006803018
Subsequently, each etching treatment was performed for about 40 minutes with an etching solution (40 ° C.) having the composition shown in Table 1 below. FIG. 16B shows a glass substrate after etching with the etching solution according to the comparative example, and FIG. 16C shows the glass substrate after etching with the etching solution according to each embodiment. Is shown.
Figure 0006803018

比較例１に係るエッチング液は、エッチングレートが１．０μｍ程度になるように調整されたフッ酸濃度０．９０ｍｏｌ／Ｌを含むエッチング液である。 The etching solution according to Comparative Example 1 is an etching solution containing a hydrofluoric acid concentration of 0.90 mol / L adjusted so that the etching rate is about 1.0 μm.

一方で、実施例１〜実施例６は、フッ酸に対してエッチング阻害物質として、水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、二酸化珪素、ホウ酸、および塩化アルミニウムそれぞれ加えたエッチング液である。これらのエッチング阻害物質を加えるとエッチング速度が低下するため、エッチングレートが１．０μｍ／分程度になるようにフッ酸濃度は比較例１に係るエッチング液よりもそれぞれ高くなっている。 On the other hand, Examples 1 to 6 are etching solutions in which ammonium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, silicon dioxide, boric acid, and aluminum chloride are added to hydrofluoric acid as etching inhibitors. .. Since the etching rate decreases when these etching inhibitors are added, the hydrofluoric acid concentration is higher than that of the etching solution according to Comparative Example 1 so that the etching rate is about 1.0 μm / min.

エッチング処理後において、図１６（Ｄ）に示すように、形成された孔の幅（比較例の場合はＷ０、実施例の場合はＷ１）および孔の深さＤを計測し、深さの値Ｄを幅の値（Ｗ０またはＷ１）で除して得られた値を「異方性度数」とした。この異方性度数の値が大きいほど、異方性エッチングが実現していると言える。なお、エッチング後のガラス基板の測定は、光学顕微鏡を用いて行った。 After the etching process, as shown in FIG. 16D, the width of the formed holes (W0 in the case of the comparative example, W1 in the case of the example) and the depth D of the holes are measured, and the value of the depth is measured. The value obtained by dividing D by the width value (W0 or W1) was defined as the "anisotropic frequency". It can be said that the larger the value of the anisotropic power, the more anisotropic etching is realized. The measurement of the glass substrate after etching was performed using an optical microscope.

表１に示すように、比較例１に係るエッチング液で得られた異方性度数は３．１であった。通常、等方性エッチングの場合は、異方性度数が１となるが、ここではレーザ加工によって改質孔が形成されているため、エッチング阻害物質を加えなくても１を大きく超える異方性度数が得られている。 As shown in Table 1, the degree of anisotropy obtained with the etching solution according to Comparative Example 1 was 3.1. Normally, in the case of isotropic etching, the degree of anisotropy is 1, but since the modified holes are formed by laser processing here, the anisotropy greatly exceeds 1 without adding an etching inhibitor. The frequency has been obtained.

さらに、エッチング阻害物質をそれぞれ加えた実施例１〜実施例６に係るエッチング液で得られた異方性度数は、いずれも比較例１に係るエッチング液で得られた異方性度数よりも高い値が得られている。これにより、エッチング阻害物質によって、より一層異方性エッチングが実現していることが分かる。 Further, the anisotropy power obtained by the etching solutions according to Examples 1 to 6 to which the etching inhibitor is added is higher than the anisotropy power obtained by the etching solution according to Comparative Example 1. The value is obtained. From this, it can be seen that the etching inhibitor further realizes anisotropic etching.

ここで、表２を用いて、別の実験結果を説明する。

Figure 0006803018
Here, another experimental result will be described with reference to Table 2.
Figure 0006803018

比較例２に係るエッチング液は、フッ酸濃度０．１０ｍｏｌ／Ｌに調整されたエッチング液である。実施例７〜１２に係るエッチング液は、フッ酸の物質量に対して０．１０モル当量のエッチング阻害物質（水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、二酸化珪素、ホウ酸、および塩化アルミニウム）を加えてなるものである。 The etching solution according to Comparative Example 2 is an etching solution adjusted to a hydrofluoric acid concentration of 0.10 mol / L. The etching solutions according to Examples 7 to 12 have 0.10 molar equivalents of etching inhibitors (ammonium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, silicon dioxide, boric acid, and aluminum chloride) with respect to the amount of substance of hydrofluoric acid. ) Is added.

表２に示すように、比較例２に係るエッチング液で得られた異方性度数は３．０であった。一方で、エッチング阻害物質をそれぞれ加えた実施例７〜実施例１２に係るエッチング液で得られた異方性度数は、いずれも比較例２に係るエッチング液で得られた異方性度数よりも高い値（最大で６．８）が得られている。この表２に係る実験結果からも、エッチング阻害物質によって、より一層異方性エッチングが実現していることが分かる。 As shown in Table 2, the degree of anisotropy obtained with the etching solution according to Comparative Example 2 was 3.0. On the other hand, the anisotropy powers obtained with the etching solutions according to Examples 7 to 12 to which the etching inhibitor was added are all higher than the anisotropy powers obtained with the etching solutions according to Comparative Example 2. A high value (up to 6.8) is obtained. From the experimental results according to Table 2, it can be seen that the etching inhibitor further realizes anisotropic etching.

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The description of the embodiments described above should be considered exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims, not by the above-described embodiment. Furthermore, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.

１０−液晶パネル
１２−アレイ基板
１４−カラーフィルタ基板
１６−耐エッチングフィルム
１７−透明性薄膜
２０−改質ライン
３０−端子部切断溝
５０−多面取り用ガラス母材
１００−スマートフォン
１２２−電極端子部
２５０−スクライブホイール
３００−エッチング装置
３０２，３０４−エッチングチャンバ
３０６−エッチング槽 10-Liquid crystal panel 12-Array board 14-Color filter board 16-Etching resistant film 17-Transparent thin film 20-Modification line 30-Terminal cutting groove 50-Glass base material for multi-chamfering 100-Smartphone 122-Electrode terminal part 250-Scribe wheel 300-Etching device 302,304-Etching chamber 306-Etching tank

Claims (3)

ガラスを異方性エッチングするためのガラス用エッチング液であって、
ガラスに対するエッチング速度を低下させるエッチング阻害物質であって、フッ素錯化剤を少なくとも含有するエッチング阻害物質を少なくとも含み、
前記エッチング阻害物質は、ガラスにおけるレーザ光が照射されることによってエッチングされやすいように改質された改質部であってエッチング液に接触することによって溶解する改質部に付着することによってエッチング反応を阻害する反応生成物を発生させる
ガラス用エッチング液。 An etching solution for glass for anisotropic etching of glass.
A etching inhibitor for reducing the etching rate of the glass, contains at least the etching inhibitor containing at least a full Tsu-containing complexing agent,
The etching inhibitor is a modified portion of glass that has been modified so that it can be easily etched by being irradiated with laser light, and the etching reaction occurs by adhering to the modified portion that dissolves when it comes into contact with the etching solution. An etching solution for glass that produces a reaction product that inhibits. 請求項１に記載のガラス用エッチング液を用いたガラス基板製造方法であって、
ガラス基板のエッチング予定位置における厚み方向にわたってエネルギ密度が相対的に高い焦線が形成されるようにレーザ光を前記ガラス基板に照射することによって前記エッチング予定位置にエッチングされやすいように改質された改質部であってエッチング液に接触することによって溶解する改質部を形成する改質ステップと、
前記改質ステップ後に、前記ガラス用エッチング液を用いて前記エッチング予定位置をエッチングする第１のエッチングステップと、
を少なくとも含むガラス基板製造方法。 A method for manufacturing a glass substrate using the etching solution for glass according to claim 1.
By irradiating the glass substrate with a laser beam so that a focused line having a relatively high energy density is formed in the thickness direction at the planned etching position of the glass substrate, the glass substrate is modified so as to be easily etched at the planned etching position. A modification step of forming a modification section that dissolves when in contact with the etching solution,
After the modification step, a first etching step of etching the planned etching position with the glass etching solution, and
A method for manufacturing a glass substrate including at least. 前記第１のエッチングステップの後に、少なくともフッ酸を含むエッチング液によって前記エッチング予定位置をエッチングする第２のエッチングステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のガラス基板製造方法。 The glass substrate manufacturing method according to claim 2, further comprising a second etching step of etching the planned etching position with an etching solution containing at least hydrofluoric acid after the first etching step.
JP2019039390A 2019-03-05 2019-03-05 Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate Active JP6803018B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019039390A JP6803018B2 (en) 2019-03-05 2019-03-05 Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate
PCT/JP2020/003902 WO2020179312A1 (en) 2019-03-05 2020-02-03 Glass etching solution and glass substrate manufacturing method
CN202080032093.XA CN113767075B (en) 2019-03-05 2020-02-03 Etching liquid for glass and method for producing glass substrate
TW109104688A TWI832970B (en) 2019-03-05 2020-02-14 Etching liquid for glass and glass substrate manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019039390A JP6803018B2 (en) 2019-03-05 2019-03-05 Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020155033A Division JP7251704B2 (en) 2020-09-16 2020-09-16 Etching liquid for glass and method for manufacturing glass substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020142941A JP2020142941A (en) 2020-09-10
JP6803018B2 true JP6803018B2 (en) 2020-12-23

Family

ID=72337377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019039390A Active JP6803018B2 (en) 2019-03-05 2019-03-05 Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6803018B2 (en)
CN (1) CN113767075B (en)
WO (1) WO2020179312A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6840403B2 (en) * 2019-05-24 2021-03-10 株式会社Ｎｓｃ Flat glass antenna and its manufacturing method
CN112777941A (en) * 2021-01-13 2021-05-11 赣州帝晶光电科技有限公司 Preparation method of AG anti-dazzle glass etching process
KR102596623B1 (en) * 2021-10-01 2023-11-01 주식회사 에스이에이 Wafer etching device with adjustable reaction rate
CN115432919A (en) * 2022-10-25 2022-12-06 深圳市益铂晶科技有限公司 Etching and splitting method for glass laser cutting

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW434196B (en) * 1997-06-25 2001-05-16 Ibm Selective etching of silicate
FR2832706B1 (en) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain TRANSPARENT SUBSTRATE HAVING AN ELECTRODE
JP2005179132A (en) * 2003-12-22 2005-07-07 Nishiyama Stainless Chem Kk Glass etchant liquid, glass etching method, glass substrate for flat panel display and flat panel display
JP2008041676A (en) * 2006-08-01 2008-02-21 Fuji Electric Holdings Co Ltd Method of etching silicon semiconductor substrate, and etching apparatus used therefor
JP2011178642A (en) * 2010-03-03 2011-09-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd Method for producing glass sheet with through-electrode, and electronic component
JP6077756B2 (en) * 2012-04-06 2017-02-08 株式会社フジクラ Method for forming fine structure
KR101908575B1 (en) * 2013-04-01 2018-10-17 호야 칸데오 옵트로닉스 가부시키가이샤 Near-infrared absorbing glass and method for manufacturing same
MX2017002898A (en) * 2014-09-05 2017-10-11 Corning Inc Glass articles and methods for improving the reliability of glass articles.
TW201704177A (en) * 2015-06-10 2017-02-01 康寧公司 Methods of etching glass substrates and glass substrates
JP2018049199A (en) * 2016-09-23 2018-03-29 Hoya株式会社 Local wet etching device and manufacturing method of substrate for photomask
JP6519045B2 (en) * 2017-05-24 2019-05-29 株式会社Ｎｓｃ Glass panel manufacturing method and liquid crystal panel manufacturing method
WO2018216712A1 (en) * 2017-05-24 2018-11-29 株式会社Ｎｓｃ Method for manufacturing glass panel equipped with transparent thin film, method for manufacturing liquid crystal panel equipped with transparent thin film, method for manufacturing glass panel, and method for manufacturing liquid crystal panel

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020142941A (en) 2020-09-10
CN113767075A (en) 2021-12-07
TW202043441A (en) 2020-12-01
CN113767075B (en) 2023-11-03
WO2020179312A1 (en) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6803018B2 (en) Etching solution for glass and manufacturing method of glass substrate
CN106132627B (en) For carrying out scribing and the then method and system of progress chemical etching to fragile material
US20090013724A1 (en) Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
JP6911288B2 (en) Glass processing method
US20210114925A1 (en) Crack-free glass substrate cutting and thinning method
JP2005219960A (en) Cutting and separation method of glass, glass substrate for flat panel display, and flat panel display
KR20200105827A (en) How to divide composite materials
JP5942558B2 (en) Microcavity formation method
WO2018216712A1 (en) Method for manufacturing glass panel equipped with transparent thin film, method for manufacturing liquid crystal panel equipped with transparent thin film, method for manufacturing glass panel, and method for manufacturing liquid crystal panel
JP2014069981A (en) Substrate processing device and substrate processing method
JP7251704B2 (en) Etching liquid for glass and method for manufacturing glass substrate
TWI832970B (en) Etching liquid for glass and glass substrate manufacturing method
JP7176695B2 (en) Glass substrate manufacturing method
JP2019109411A (en) Method for manufacturing liquid crystal panel
JP6519045B2 (en) Glass panel manufacturing method and liquid crystal panel manufacturing method
CN112105984B (en) Method for manufacturing liquid crystal panel
JP2019120738A (en) Method for manufacturing liquid crystal panel
JP2010005629A (en) LASER BEAM MACHINING METHOD OF Si SUBSTRATE
JP6501093B1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING GLASS PANEL WITH TRANSPARENT THIN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL WITH TRANSPARENT THIN FILM
JP6519044B2 (en) Liquid crystal panel manufacturing method
WO2018135565A1 (en) Method for manufacturing liquid crystal panel
JP6534105B2 (en) Liquid crystal panel manufacturing method
JP7058870B2 (en) LCD panel manufacturing method
JP2021011406A (en) Glass structure and method for manufacturing the same
JP2019159178A (en) Liquid crystal panel and manufacturing method for liquid crystal panel

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190417

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200203

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20200203

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20200212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200317

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200515

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200721

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200910

C60 Trial request (containing other claim documents, opposition documents)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60

Effective date: 20200910

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20200923

C21 Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21

Effective date: 20200928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201117

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6803018

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250