JP6519045B2 - Glass panel manufacturing method and liquid crystal panel manufacturing method - Google Patents

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本発明は、多面取り用ガラス母材から所望形状のガラスパネルや所望形状の液晶パネルを複数得るためのガラスパネル製造方法および液晶パネル製造方法に関する。   The present invention relates to a glass panel manufacturing method and a liquid crystal panel manufacturing method for obtaining a plurality of glass panels of a desired shape and a liquid crystal panel of a desired shape from a glass substrate for multiple chamfers.

一般的に、液晶パネルやカバーガラス等のガラスパネルの製造時には、多面取り用ガラス母材から所望形状の複数のガラスパネルを得るような処理が行われる。例えば、液晶パネルの製造においては、1組のガラス母材で同時に複数の液晶パネルを製造し、その後にガラス母材を単個の液晶パネルに分断するという手法(いわゆる多面取り)が広く採用されてきた。そして、ガラス母材を分断する際には、スクライブブレーク、レーザアブレーション加工、エッチング処理といった手法が用いられることが多かった。   Generally, at the time of manufacture of glass panels, such as a liquid crystal panel and cover glass, processing which obtains a plurality of glass panels of a desired shape from a glass base material for multiple chamfers is performed. For example, in the manufacture of liquid crystal panels, a method (so-called multi-chamfering) in which a plurality of liquid crystal panels are simultaneously manufactured from one set of glass base materials and then the glass base materials are divided into single liquid crystal panels It has And when dividing a glass base material, methods, such as a scribe break, a laser ablation process, and an etching process, were used in many cases.

ところが、スクライブブレークを採用した場合には、丸みを持った輪郭を有するガラスパネルを形成することが困難であった。また、レーザアブレーション加工では、加工速度が遅かったり、アブレーションデブリによる汚損が生じたりするといった不具合が発生し易かった。   However, when a scribe break is adopted, it is difficult to form a glass panel having a rounded contour. Further, in the laser ablation process, problems such as a slow processing speed and contamination due to ablation debris easily occurred.

そこで、従来、多面取り用ガラス母材をエッチング処理によって分断することによって複数のガラスパネルを得る技術が注目されるようになってきた。エッチング処理は、所望形状のカバーガラスを得るために利用されるようになり、最近では、アレイ基板およびカラーフィルタ基板を貼り合せてなる液晶パネルを多面取りするための多面取り用ガラス母材から所定形状の液晶パネルを複数得る際にもエッチング処理が用いられるようになってきている(例えば、特許文献1参照。)。   Therefore, in the past, techniques for obtaining a plurality of glass panels by dividing a glass substrate for multiple chamfers by etching processing have come to be noted. The etching process is used to obtain a cover glass having a desired shape, and recently, it is specified from a glass base material for multiple chamfering for multiple chamfering of a liquid crystal panel formed by bonding an array substrate and a color filter substrate. The etching process has come to be used also when obtaining a plurality of liquid crystal panels having a shape (see, for example, Patent Document 1).

特開2016−224201号公報JP, 2016-224201, A

しかしながら、エッチング処理においては、ガラスパネルの厚み方向にエッチングが進行するのに加えて、これに直交する方向にもエッチングが進行するサイドエッチングが発生する。このため、エッチング処理においては、ガラスパネルの切断面を主面とほぼ直角になるように形成することが困難になる。例えば、液晶パネルをエッチング処理によって多面取りする場合には、ガラス母材の厚み方向に直交する方向に進行するサイドエッチングの影響を考慮して、ガラス母材において各液晶パネル間にスペースを設ける必要があるため、多面取り効率が悪くなることがあった。   However, in the etching process, in addition to the etching progressing in the thickness direction of the glass panel, side etching occurs in which the etching progresses also in the direction orthogonal to this. Therefore, in the etching process, it is difficult to form the cut surface of the glass panel so as to be substantially perpendicular to the main surface. For example, when the liquid crystal panel is chamfered by etching, it is necessary to provide a space between the liquid crystal panels in the glass base material in consideration of the influence of side etching which proceeds in the direction orthogonal to the thickness direction of the glass base material. There are cases where the efficiency of multiple beveling is worse.

本発明の目的は、エッチング処理に伴うサイドエッチングの影響を最小限に抑制することが可能なガラスパネル製造方法および液晶パネル製造方法を提供することである。   An object of the present invention is to provide a glass panel manufacturing method and a liquid crystal panel manufacturing method capable of minimizing the influence of side etching associated with etching processing.

本発明に係るガラスパネル製造方法は、ガラスパネルを多面取りするための多面取り用ガラス母材から所望形状のガラスパネルを複数得るための方法である。このガラスパネル製造方法は、透明の耐エッチング層を形成するステップ、レーザ走査ステップ、およびエッチングステップを少なくとも含む。   The glass panel manufacturing method which concerns on this invention is a method for obtaining two or more glass panels of a desired shape from the glass base material for multiple chamfers for chamfering a glass panel multiple. The glass panel manufacturing method includes at least a step of forming a transparent etching resistant layer, a laser scanning step, and an etching step.

透明の耐エッチング層を形成するステップでは、多面取り用ガラスパネルの表面に対して、耐エッチング性を備えた透明の耐エッチング層を形成する。耐エッチング層の代表例としては、ガラスをエッチングするフッ酸を含むエッチング液に対する耐性を備えた透明の樹脂材料からなる耐エッチングフィルムが挙げられる。耐エッチングフィルムは、透明の耐エッチング性を有する接着剤を介して貼付しても良いし、自己粘着性を備えたものを用いても良い。耐エッチングフィルム以外にも、耐エッチング性を備えた透明のレジスト材料やその他の透明のマスキング部材を用いて耐エッチング層を形成することが可能である。   In the step of forming a transparent etching resistant layer, a transparent etching resistant layer having etching resistance is formed on the surface of the glass panel with multiple bevels. A representative example of the etching resistant layer is an etching resistant film made of a transparent resin material resistant to an etching solution containing hydrofluoric acid for etching glass. The etching resistant film may be attached via a transparent etching resistant adhesive, or one having self-adhesiveness may be used. Besides the etching resistant film, it is possible to form the etching resistant layer using a transparent resist material with etching resistance and other transparent masking members.

レーザ走査ステップにおいては、取り出すべきガラスパネルの形状に対応する形状切断予定線に沿ってレーザを走査することによって、形状切断予定線に沿って、耐エッチング層を除去しかつ多面取り用ガラス母材にエッチングされ易い性質の改質ラインが形成される。耐エッチング層が形状切断予定線に沿って除去されることにより、形状切断予定線に沿って耐エッチング層の開口部が形成されることになり、その結果、多面取り用ガラス母材の改質ライン形成位置が露出する。特に、同じレーザビームによって耐エッチング層の除去および改質ラインの形成を行っているため、耐エッチング層の開口位置と改質ラインの形成位置とがずれることを防止可能になる。改質ラインを形成する手法の代表例としては、ピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザによるフィラメント加工が挙げられる。改質ラインの幅は、概ね10μm以下に設定することが好ましい。   In the laser scanning step, the etching resistant layer is removed along the planned shape cutting line by scanning the laser along the planned shape cutting line corresponding to the shape of the glass panel to be taken out, and the glass substrate for multiple chamfers The reformed line of the nature which is easy to be etched is formed. By removing the etching resistant layer along the planned shape cutting line, the opening of the etching resistant layer is formed along the planned shape cutting line, and as a result, modification of the glass substrate for multiple beveling The line formation position is exposed. In particular, since the removal of the etching resistant layer and the formation of the reforming line are performed by the same laser beam, it is possible to prevent the shift between the opening position of the etching resistant layer and the forming position of the modifying line. Representative examples of the method of forming the reforming line include filament processing with a picosecond laser or a femtosecond laser. The width of the reforming line is preferably set to about 10 μm or less.

エッチングステップにおいては、レーザ走査ステップ後に、多面取り用ガラス母材をエッチング液に接触させることによって改質ラインがエッチングされる。改質ラインに沿ってエッチング液が浸透し易くなっており、エッチング処理の進行が容易で短時間化されるため、サイドエッチングの影響を最小化することが可能になる。   In the etching step, after the laser scanning step, the reforming line is etched by bringing the glass substrate for multiple beveling into contact with the etching solution. Since the etchant easily penetrates along the reforming line and the progress of the etching process is easy and shortened, the influence of side etching can be minimized.

上述のガラスパネル製造方法において、透明の耐エッチング層が、50μm〜100μmの薄型透明フィルムであることが好ましい。耐エッチング層を50μm〜100μm程度まで薄型化することにより、剥離を行い易くなる。また、レーザビームが通過する際の光学的影響も少なくなるため、レーザビームの焦点やビームプロファイルを正確に調整し易くなる。一方で、形状切断予定線に沿って改質ラインが形成されているため、エッチング処理を迅速に行うことが可能であり、要求される耐エッチング性能が低く抑えられる。このため、通常のエッチング処理よりも耐エッチングフィルムは薄くても問題はない。なお、薄型透明フィルムの特性はガラスの特性と類似している方がレーザ光の焦点精度向上の観点からさらに好ましいと言える。   In the glass panel manufacturing method described above, the transparent etching resistant layer is preferably a thin transparent film of 50 μm to 100 μm. By thinning the etching resistant layer to about 50 μm to 100 μm, it becomes easy to peel off. In addition, since the optical effect when the laser beam passes is also reduced, it becomes easy to accurately adjust the focus and beam profile of the laser beam. On the other hand, since the reforming line is formed along the planned shape cutting line, the etching process can be performed quickly, and the required etching resistance can be suppressed to a low level. Therefore, there is no problem even if the etching resistant film is thinner than the usual etching process. In addition, it can be said that it is more preferable from the viewpoint of the focus precision improvement of a laser beam that the characteristic of a thin transparent film to be similar to the characteristic of glass.

さらに、この発明に係る液晶パネル製造方法は、アレイ基板およびカラーフィルタ基板を貼り合せてなる液晶パネルを多面取りするための多面取り用ガラス母材から所定形状の液晶パネルを複数得るためのものである。この液晶パネル製造方法は、透明の耐エッチング層を形成するステップ、レーザ走査ステップ、およびエッチングステップを少なくとも含んでいる。   Furthermore, the liquid crystal panel manufacturing method according to the present invention is to obtain a plurality of liquid crystal panels having a predetermined shape from a multiple bevel glass base material for multi beveling a liquid crystal panel formed by bonding an array substrate and a color filter substrate. is there. This liquid crystal panel manufacturing method includes at least a step of forming a transparent etching resistant layer, a laser scanning step, and an etching step.

透明の耐エッチング層を形成するステップにおいては、アレイ基板およびカラーフィルタ基板に対して、耐エッチング性を備えた透明のエッチング層を貼付する。上述と同様、耐エッチング層の代表例としては、ガラスをエッチングするフッ酸を含むエッチング液に対する耐性を備えた透明の樹脂材料からなる耐エッチングフィルムが挙げられる。耐エッチングフィルムは、透明の耐エッチング性を有する接着剤を介して貼付しても良いし、自己粘着性を備えたものを用いても良い。耐エッチングフィルム以外にも、耐エッチング性を備えた透明のレジスト材料やその他の透明のマスキング部材を用いて耐エッチング層を形成することが可能である。   In the step of forming a transparent etching resistant layer, a transparent etching layer having etching resistance is attached to the array substrate and the color filter substrate. As described above, as a representative example of the etching resistant layer, an etching resistant film made of a transparent resin material having resistance to an etching solution containing hydrofluoric acid for etching glass can be mentioned. The etching resistant film may be attached via a transparent etching resistant adhesive, or one having self-adhesiveness may be used. Besides the etching resistant film, it is possible to form the etching resistant layer using a transparent resist material with etching resistance and other transparent masking members.

レーザ走査ステップにおいては、液晶パネルの形状に対応する形状切断予定線に沿ってレーザを走査することによって、形状切断予定線に沿って、耐エッチング層を除去しかつ多面取り用ガラス母材にエッチングされ易い性質の改質ラインを形成する。さらに、エッチングステップにおいては、レーザ走査ステップ後に、多面取り用ガラス母材をエッチング液に接触させることによって改質ラインをエッチングする。   In the laser scanning step, the etching resistant layer is removed along the planned shape cutting line and the glass substrate for multiple chamfering is etched by scanning the laser along the planned shape cutting line corresponding to the shape of the liquid crystal panel. Form a reforming line of a nature that is easy to Furthermore, in the etching step, after the laser scanning step, the modified line is etched by bringing the multiple bevel glass substrate into contact with the etching solution.

この液晶パネル製造方法においては、アレイ基板およびカラーフィルタ基板にそれぞれ改質ラインが形成されるため、それぞれの基板をサイドエッチングの影響を最小化しつつ、エッチング処理によって多面取り用ガラス母材を分断することが可能になる。   In this liquid crystal panel manufacturing method, modification lines are respectively formed on the array substrate and the color filter substrate, and therefore the multiple bevel glass base material is divided by etching while minimizing the influence of side etching on each substrate. It becomes possible.

上述のレーザ走査ステップにおいて、アレイ基板およびカラーフィルタ基板に挟まれる液晶層において気泡発生等の不具合が生じる場合には、形状切断予定線に沿って、耐エッチングフィルムを除去しかつ改質ラインをアレイ基板またはカラーフィルタ基板のいずれか一方にのみ形成すると良い。この方法を採用することにより、液晶層に対するレーザビームの熱的影響等を減少させることが可能となるため、液晶層において気泡が発生するといった不具合が生じにくくなる。   If defects such as air bubbles occur in the liquid crystal layer sandwiched between the array substrate and the color filter substrate in the above-mentioned laser scanning step, the etching resistant film is removed along the shape cutting lines and the reforming lines are arrayed. It is preferable to form on only one of the substrate and the color filter substrate. By adopting this method, it is possible to reduce the thermal influence and the like of the laser beam on the liquid crystal layer, so it becomes difficult to cause a problem such as generation of bubbles in the liquid crystal layer.

また、前段落に記載の方法では、多面取り用ガラス部材の分断が困難になる場合には、上述のレーザ走査ステップにおいて、形状切断予定線に沿って、耐エッチングフィルムを除去しかつ改質ラインをアレイ基板またはカラーフィルタ基板のいずれか一方にのみ形成し、その後に反対側からレーザを走査することによって改質ラインをアレイ基板またはカラーフィルタ基板のいずれか他方にも形成すると良い。   In the method described in the preceding paragraph, when it becomes difficult to divide the glass member for multiple chamfers, the etching resistant film is removed along the shape cutting planned line in the above-mentioned laser scanning step, and the reforming line is modified. It is preferable to form the modified line on either the array substrate or the color filter substrate by scanning the laser from the opposite side only on either the array substrate or the color filter substrate.

エッチング処理後には、形状切断予定線において実質的にほぼ切断された状態になっているため、わずかな機械的圧力や熱的応力を加えることによって完全な切断を実現することが可能である。微小な押圧力を加えたり、微小な超音波振動を与えたり、加熱をしたりすることによって、多面取り用ガラス母材を汚損することなく、完全な切断を実現することが可能である。   After the etching process, it is possible to achieve complete cutting by applying a slight mechanical pressure or thermal stress, since it is in a substantially substantially cut state at the shape cutting scheduled line. It is possible to realize complete cutting without staining the multi-faceted glass base material by applying a minute pressing force, giving a minute ultrasonic vibration, or heating.

上述のガラスパネル製造方法および液晶パネル製造方法において、改質ラインが、パルスレーザのビームによって形成された複数の貫通孔または複数の改質孔を有するミシン目状を呈することが好ましい。ガラスパネルや液晶パネルの形状切断予定線をパルスレーザによって加工するため、ガラスパネルや液晶パネルの輪郭に複雑な曲線や微小な曲線部分が含まれていたり、ガラスパネルや液晶パネルに開口部が形成されていたりする場合であっても、適切な加工を実現することが可能になる。   In the above-described glass panel manufacturing method and liquid crystal panel manufacturing method, it is preferable that the reforming line has a perforated shape having a plurality of through holes or a plurality of reforming holes formed by a beam of a pulse laser. In order to process the shape cutting scheduled line of a glass panel or a liquid crystal panel with a pulse laser, the contour of the glass panel or the liquid crystal panel includes a complicated curve or a minute curved portion, or an opening is formed in the glass panel or the liquid crystal panel Even if it is done, it becomes possible to realize appropriate processing.

この発明によれば、ガラスパネル製造方法および液晶パネル製造方法においてエッチング処理に伴うサイドエッチングの影響を最小限に抑制することが可能になる。   According to the present invention, it is possible to minimize the influence of side etching accompanying the etching process in the glass panel manufacturing method and the liquid crystal panel manufacturing method.

ガラスパネル製造方法の一実施形態に含まれる工程を示す図である。It is a figure which shows the process contained in one Embodiment of a glass panel manufacturing method. ガラスパネル製造方法の一実施形態に含まれる工程を示す図である。It is a figure which shows the process contained in one Embodiment of a glass panel manufacturing method. 多面取り用ガラス母材から複数のガラスパネルを得た状態を示す図である。It is a figure which shows the state which obtained several glass panels from the glass base material for multiple chamfers. 本発明の一実施形態に係る液晶パネルの概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the liquid crystal panel which concerns on one Embodiment of this invention. 複数の液晶パネルを含む多面取り用ガラス母材の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the glass base material for multiple chamfers containing several liquid crystal panels. 耐エッチング性フィルムを貼付した状態の多面取り用ガラス母材の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the glass base material for multiple chamfers of the state which affixed the etching resistant film. 多面取り用ガラス母材に対するレーザ加工の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the laser processing with respect to the glass base material for multiple chamfers. 本発明に適用されるエッチング装置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the etching apparatus applied to this invention. 本発明に適用されるエッチング処理のバリエーションを示す図である。It is a figure which shows the variation of the etching process applied to this invention. 多面取り用ガラス母材に対するスクライブブレーク加工の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the scribing break process with respect to the glass base material for multiple chamfers. 分断された状態の多面取り用ガラス母材の概略を示す図である。It is a figure which shows the outline of the glass base material for multiple chamfers of the parted state. 液晶パネルの構成の特徴を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of a structure of a liquid crystal panel.

まず、図1〜図3を用いて本発明に係るガラスパネル製造方法の一実施形態を説明する。図1(A)は、ガラスパネル2を多面取りするための多面取り用ガラス母材4の概略を示している。多面取り用ガラス母材4から所望形状のガラスパネル2を複数得るために、まず、図1(B)に示すように、透明の耐エッチングフィルム6が多面取り用ガラス母材4の少なくとも両主面に貼付される。この実施形態では、耐エッチングフィルム6として、透明のポリエチレン樹脂材料を採用している。ただし、耐エッチングフィルム6として、透明のポリプロピレンや透明ポリ塩化ビニルやオレフィン系樹脂等を採用することも可能である。   First, an embodiment of a glass panel manufacturing method according to the present invention will be described using FIGS. 1 to 3. FIG. 1A shows an outline of a multiple bevel glass substrate 4 for multiple beveling of a glass panel 2. In order to obtain a plurality of glass panels 2 of a desired shape from the glass substrate 4 for multiple chamfering, first, as shown in FIG. 1 (B), the transparent etching resistant film 6 is at least both main sides of the glass substrate 4 for multiple chamfering. It is stuck on the face. In this embodiment, a transparent polyethylene resin material is employed as the etching resistant film 6. However, as the etching resistant film 6, it is also possible to employ transparent polypropylene, transparent polyvinyl chloride, an olefin resin, or the like.

この実施形態では、耐エッチングフィルム6が本発明に係る耐エッチング層に対応している。耐エッチングフィルム6は、厚みが100μm以下の薄型のものが用いられる。薄型化することにより剥離を行い易くなり、かつ、レーザビームが通過する際の光学的影響も少なくなることを考慮すると、耐エッチングフィルム6の厚みは耐エッチング性能を満たすために必要な最小限の厚みにすることが好ましい。よって、好ましくは耐エッチングフィルム6の厚みを75μm以下に抑え、さらに好ましくは、耐エッチングフィルム6の厚みを60μm以下にすると良い。後述するように、この実施形態では、改質ラインが形成されることによってエッチング処理が迅速化するため、耐エッチングフィルム6を超薄化してもデメリットが発生しにくい。   In this embodiment, the etching resistant film 6 corresponds to the etching resistant layer according to the present invention. As the etching resistant film 6, a thin film having a thickness of 100 μm or less is used. In view of the fact that thinning makes it easy to carry out peeling and optical effects when the laser beam passes is also reduced, the thickness of the etching resistant film 6 is the minimum necessary to satisfy the etching resistance performance. It is preferable to make it thick. Therefore, the thickness of the etching resistant film 6 is preferably suppressed to 75 μm or less, and more preferably, the thickness of the etching resistant film 6 is 60 μm or less. As described later, in this embodiment, the formation of the reforming line accelerates the etching process, so that the disadvantage is unlikely to occur even if the etching resistant film 6 is made extremely thin.

多面取り用ガラス母材4に耐エッチングフィルム6が貼付された後に、図1(C)に示すレーザ走査ステップに移行する。レーザ走査ステップにおいては、取り出すべきガラスパネル2の形状に対応する形状切断予定線に沿ってレーザビームの走査が行われる。この結果、形状切断予定線に沿って、耐エッチングフィルムが除去されて開口部が形成される。   After the etching resistant film 6 is attached to the glass substrate 4 for multiple beveling, the process proceeds to a laser scanning step shown in FIG. 1 (C). In the laser scanning step, scanning of the laser beam is performed along a shape cutting scheduled line corresponding to the shape of the glass panel 2 to be taken out. As a result, the etching resistant film is removed along the planned shape cutting line to form an opening.

さらに、図2(A)〜図2(C)に示すように、多面取り用ガラス母材4にエッチングされ易い性質の改質ライン20が形成される。耐エッチングフィルム6が形状切断予定線に沿って除去されることにより、形状切断予定線に沿って耐エッチングフィルム6の開口部が形成されることになり、その結果、図2(C)に示すように、多面取り用ガラス母材4の改質ライン20の形成位置が外部に露出することになる。この実施形態では、ピコ秒レーザによるフィラメント加工が採用されており、改質ライン20の幅は、概ね10μm以下になるように設定されている。   Furthermore, as shown to FIG. 2 (A)-FIG.2 (C), the modification line 20 of the property which is easy to be etched to the glass base material 4 for multiple chamfers is formed. By removing the etching resistant film 6 along the planned shape cutting line, the opening of the etching resistant film 6 is formed along the planned shape cutting line, and as a result, it is shown in FIG. 2 (C). Thus, the formation position of the reforming line 20 of the glass substrate 4 for multiple beveling is exposed to the outside. In this embodiment, filament processing with a picosecond laser is employed, and the width of the reforming line 20 is set to be approximately 10 μm or less.

レーザ走査ステップが終了するとエッチングステップに移行する。レーザ走査ステップ後に、多面取り用ガラス母材4をエッチング液に接触させることによって改質ライン20がエッチングされる。改質ライン20に沿ってエッチング液が浸透し易くなっているため、サイドエッチングが大きく進行する前にエッチング処理を終了することが可能になる。その結果、エッチング処理に伴うサイドエッチングの影響を最小限に抑制しつつ、多面取り用ガラス母材4から複数のガラスパネル2を取り出すことが可能になる。なお、エッチングステップにおいて用いられる構成等については、後述の液晶パネルの製造の際にまとめて説明を行うため、ここではその説明を省略している。   When the laser scanning step is finished, the etching step is started. After the laser scanning step, the reforming line 20 is etched by bringing the multiple bevel glass base material 4 into contact with the etching solution. Since the etchant easily penetrates along the reforming line 20, the etching process can be completed before the side etching largely progresses. As a result, it is possible to take out the plurality of glass panels 2 from the glass base material 4 for multi-faceting while minimizing the influence of side etching accompanying the etching process. In addition, about the structure etc. which are used in an etching step, in order to demonstrate at the time of manufacture of the below-mentioned liquid crystal panel collectively, the description is abbreviate | omitted here.

続いて、本発明に係る液晶パネルの製造方法の一実施形態を説明する。図4(A)は、本発明の一実施形態に係る液晶パネル10の概略構成を示している。同図に示すように、液晶パネル10は、アレイ基板12およびカラーフィルタ基板14が液晶層を挟んで貼り合わされるように構成されている。アレイ基板12およびカラーフィルタ基板14の構成は、公知の構成と同様の構成が採用可能であるため、ここでは説明を省略する。   Subsequently, an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal panel according to the present invention will be described. FIG. 4A shows a schematic configuration of a liquid crystal panel 10 according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the liquid crystal panel 10 is configured such that the array substrate 12 and the color filter substrate 14 are bonded together with the liquid crystal layer interposed therebetween. The configurations of the array substrate 12 and the color filter substrate 14 may adopt the same configurations as known configurations, and thus the description thereof is omitted here.

アレイ基板12は、カラーフィルタ基板14と貼り合わされる領域から延び出すように設けられた電極端子部122を有している。この電極端子部122には、複数の電気回路が接続され、液晶パネル10と、それらの電気回路とが筐体に収納されることによって、例えば、図4(B)に示すようなスマートフォン100が構成される。   The array substrate 12 has an electrode terminal portion 122 provided so as to extend from the area to be bonded to the color filter substrate 14. A plurality of electric circuits are connected to the electrode terminal portion 122, and the liquid crystal panel 10 and the electric circuits thereof are housed in a case, whereby, for example, the smartphone 100 as shown in FIG. Configured

続いて、液晶パネル10を製造する方法の一例について説明する。図5(A)および図5(B)に示すように、一般的に、液晶パネル10は、これを複数含んだ多面取り用ガラス母材50として製造され、多面取り用ガラス母材50を分断することによって、単個の液晶パネル10が得られる。この実施形態では、便宜上、6つの液晶パネル10が3行2列のマトリクス状に配置された多面取り用ガラス母材50に対する処理について説明するが、多面取り用ガラス母材50に含まれる液晶パネル10の数は適宜増減することが可能である。   Subsequently, an example of a method of manufacturing the liquid crystal panel 10 will be described. As shown in FIGS. 5A and 5B, generally, the liquid crystal panel 10 is manufactured as a multiple bevel glass base material 50 including a plurality of liquid crystal panels, and the multiple bevel glass base material 50 is divided. By doing this, a single liquid crystal panel 10 is obtained. In this embodiment, for convenience, the process for the multiple bevel glass base material 50 in which six liquid crystal panels 10 are arranged in a matrix of 3 rows and 2 columns will be described. However, the liquid crystal panel included in the multiple bevel glass base material 50 The number of ten can be increased or decreased as appropriate.

多面取り用ガラス母材50は、まず、図6(A)および図6(B)に示すように、両方の主面に耐エッチング性を備えた透明の耐エッチングフィルム16が貼付される。ここでは、耐エッチングフィルム16として、厚みが50〜75μmのポリエチレンを採用している。ただし、耐エッチングフィルム16の構成はこれには限定されない。例えば、ポリプロピレンやポリ塩化ビニルやオレフィン系樹脂等のように透明性を備え、かつ、ガラスをエッチングするエッチング液に対する耐性を備えたものであれば適宜選択して採用することも可能である。   First, as shown in FIG. 6A and FIG. 6B, a transparent etching resistant film 16 having etching resistance is attached to both main surfaces of the glass substrate 50 for multiple beveling. Here, polyethylene having a thickness of 50 to 75 μm is employed as the etching resistant film 16. However, the configuration of the etching resistant film 16 is not limited to this. For example, as long as it has transparency, such as polypropylene, polyvinyl chloride, olefin resin, etc., and has resistance to an etching solution for etching glass, it may be appropriately selected and adopted.

多面取り用ガラス母材50は、続いて、図7(A)および図7(B)に示すように、液晶パネル10の形状(輪郭)に対応する形状切断予定線に沿って改質ライン20が形成される。この改質ライン20は、例えば、ピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザ等のパルスレーザから照射される光ビームパルス(ビーム径は1〜5μm程度)によって形成される複数のフィラメント層を配列したフィラメントアレイである。   Subsequently, as shown in FIGS. 7A and 7B, the glass substrate 50 for multiple beveling is a reforming line 20 along a planned shape cutting line corresponding to the shape (outline) of the liquid crystal panel 10. Is formed. The modification line 20 is, for example, a filament array in which a plurality of filament layers formed by light beam pulses (a beam diameter is about 1 to 5 μm) emitted from a pulse laser such as picosecond laser or femtosecond laser is there.

ピコレーザからの光ビームは、一般的には、少なくともアレイ基板12、カラーフィルタ基板14、および耐エッチングフィルム16の厚みを合計した厚みよりも広範囲にわたって均一で強い光強度になるようなビームプロファイルを備えていることが好ましい。このような構成を採用する場合には、アレイ基板12、カラーフィルタ基板14、および耐エッチングフィルム16のすべてに対してエネルギを伝達することが可能になり、耐エッチングフィルム16の除去および液晶パネル10を取り出すための改質ライン20の形成を同時に行うことが可能になる。   The light beam from the picolaser generally has a beam profile such that the light intensity is uniform and strong over a wider range than the total thickness of at least the array substrate 12, the color filter substrate 14, and the etching resistant film 16. Is preferred. When such a configuration is employed, energy can be transmitted to all of the array substrate 12, the color filter substrate 14, and the etching resistant film 16, and the removal of the etching resistant film 16 and the liquid crystal panel 10 are realized. It is possible to simultaneously form the reforming line 20 for taking out.

ただし、アレイ基板12、カラーフィルタ基板14、および耐エッチングフィルム16を同時に1つのレーザビームによって処理することによって液晶層に不具合が生じる場合には、図7(C)および図7(D)に示すようなレーザ加工を採用することにより、このような不具合の発生を抑制することが可能となる。すなわち図7(C)に示すように、アレイ基板12側からアレイ基板12のみに改質ライン20を形成されるように焦点調整および強度調整をした上でレーザを走査し、液晶層近傍にエネルギが伝達しにくくすると良い。この状態で、物理的作用または熱的作用を加えることによって多面取り用ガラス母材50の分断が可能であれば、レーザ加工はここで終了する。   However, when problems occur in the liquid crystal layer by treating the array substrate 12, the color filter substrate 14 and the etching resistant film 16 simultaneously with one laser beam, as shown in FIGS. 7C and 7D. By adopting such laser processing, it is possible to suppress the occurrence of such a defect. That is, as shown in FIG. 7C, after adjusting the focus and adjusting the intensity so as to form the modifying line 20 only on the array substrate 12 from the array substrate 12 side, the laser is scanned and the energy in the vicinity of the liquid crystal layer Should be difficult to communicate. In this state, if it is possible to divide the multiple bevel glass base material 50 by applying physical action or thermal action, the laser processing ends here.

一方で、この状態では多面取り用ガラス母材50の分断が困難な場合には、図7(D)に示すように、今度は反対側となるカラーフィルタ基板14側からカラーフィルタ基板14のみに改質ライン20を形成するように焦点調整および強度調整をした上でレーザを走査すると良い。図7(D)に示す処理を行うことにより、レーザ加工の工程数が増加するものの、液晶層における不具合の発生を抑制しつつ、多面取り用ガラス母材50の分断を容易に行うことが可能になる。   On the other hand, if it is difficult to divide the multiple bevel glass base material 50 in this state, as shown in FIG. 7 (D), only the color filter substrate 14 from the color filter substrate 14 side opposite this time. It is preferable to scan the laser after focusing and adjusting the intensity to form the reforming line 20. By performing the process shown in FIG. 7 (D), although the number of steps of laser processing increases, it is possible to easily divide the glass substrate for multiple chamfers 50 while suppressing the occurrence of defects in the liquid crystal layer. become.

この実施形態においても、改質ライン20は、上述の図2(A)にて示したものと同様に、複数の貫通孔または改質層を有するミシン目状を呈している。改質ライン20は、多面取り用ガラス母材50における他の箇所よりもエッチングされ易い性質を有している。もちろん、改質ライン20の形状は、この形状には限定されるものではなく、これ以外の形状を呈するものであっても良い。   Also in this embodiment, the reforming line 20 has a perforated shape having a plurality of through holes or reforming layers, as in the case shown in FIG. 2 (A) described above. The reforming line 20 has the property of being easier to etch than the other portions of the multiple bevel glass substrate 50. Of course, the shape of the reforming line 20 is not limited to this shape, and may have another shape.

上述のレーザ加工が終わると、図8に示すように、多面取り用ガラス母材50は、エッチング装置300に導入され、フッ酸および塩酸等を含むエッチング液によってエッチング処理が施される。エッチング装置300では、搬送ローラによって多面取り用ガラス母材50を搬送しつつ、エッチングチャンバ内で多面取り用ガラス母材50の片面または両面にエッチング液を接触させることによって、多面取り用ガラス母材50に対するエッチング処理が行われる。なお、エッチング装置300におけるエッチングチャンバの後段には、多面取り用ガラス母材50に付着したエッチング液を洗い流すための洗浄チャンバが設けられているため、多面取り用ガラス母材50はエッチング液が取り除かれた状態でエッチング装置300から排出される。   After the above-mentioned laser processing is completed, as shown in FIG. 8, the glass substrate for multiple beveling 50 is introduced into the etching apparatus 300 and is subjected to an etching process with an etching solution containing hydrofluoric acid, hydrochloric acid and the like. In the etching apparatus 300, the etching liquid is brought into contact with one side or both sides of the glass substrate for multiple chamfering 50 in the etching chamber while the glass substrate for multiple chamfering 50 is transported by the transport roller, thereby the glass substrate for multiple chamfering An etching process for 50 is performed. In addition, since the cleaning chamber for washing away the etching liquid adhering to the glass base material 50 for multiple chamfers is provided in the latter part of the etching chamber in the etching apparatus 300, the etching liquid removes the glass base material 50 for multiple chamfers. It is discharged from the etching apparatus 300 in the closed state.

多面取り用ガラス母材50にエッチング液を接触させる手法の一例として、図9(A)に示すように、エッチング装置300の各エッチングチャンバ302において、多面取り用ガラス母材50に対してエッチング液をスプレイするスプレイエッチングが挙げられる。また、スプレイエッチングに代えて、図9(B)に示すように、オーバーフロー型のエッチングチャンバ304において、オーバーフローしたエッチング液に接触しながら多面取り用ガラス母材50が搬送される構成を採用することも可能である。   As an example of the method for bringing the etching solution into contact with the glass substrate 50 for multiple chamfering, as shown in FIG. 9A, the etching solution for the glass substrate 50 for multiple chamfering in each etching chamber 302 of the etching apparatus 300 And spray etching. Also, instead of spray etching, as shown in FIG. 9B, in the overflow type etching chamber 304, a configuration is employed in which the glass substrate for multiple chamfers 50 is transported while being in contact with the overflowing etching solution. Is also possible.

さらには、図9(C)に示すように、エッチング液が収納されたエッチング槽306に、キャリアに収納された単数または複数の多面取り用ガラス母材50を浸漬されるディップ式のエッチングを採用することも可能である。   Furthermore, as shown in FIG. 9C, a dip type etching is employed in which one or a plurality of multi-faceted glass base materials 50 contained in the carrier are immersed in the etching bath 306 containing the etching solution. It is also possible.

いずれの場合であっても、エッチング処理中に、形状切断予定線が厚み方向に貫通して、多面取り用ガラス母材50が分断してしまわないようにすることが重要である。このため、エッチング処理中(特にエッチング処理の後半部分)においては、エッチングレートを遅くして、エッチング量を正確に制御する必要がある。この実施形態では、2重量%以下の薄いフッ酸によって、3μm/分以下の遅い速度にてエッチング処理が進行するようにしているが、この手法に限定されるものではない。   In any case, it is important that the planned shape cutting line penetrates in the thickness direction during the etching process so that the multiple bevel glass base material 50 is not divided. Therefore, during the etching process (in particular, the latter half of the etching process), it is necessary to reduce the etching rate to control the etching amount accurately. In this embodiment, the etching process is performed at a slow speed of 3 μm / min or less by a thin hydrofluoric acid of 2 wt% or less, but the present invention is not limited to this method.

エッチング処理の全体においてエッチングレートを遅くするのではなく、当初は速めのエッチングレートを採用しつつ段階的に遅くしていくようにすれば、エッチング処理の時間を短縮することが可能である。例えば、エッチング装置300の後段に進むにつれてエッチング液におけるフッ酸濃度を低下させるような構成を採用すると良い。   If the etching rate is not slowed down in the entire etching process but is gradually delayed while adopting an earlier etching rate, it is possible to shorten the etching time. For example, it is preferable to adopt a configuration in which the concentration of hydrofluoric acid in the etching solution is reduced as it proceeds to the later stage of the etching apparatus 300.

多面取り用ガラス母材50がエッチング装置300を通過すると、改質ライン20がエッチングされる。改質ライン20では、他の箇所よりも速くエッチング液が浸透し、このラインに沿ってガラスが溶解されることによって、改質ライン20によってカラーフィルタ基板を切断し易くなる。また、レーザ照射時においてキズ等が発生していた場合であっても、このキズが消失し易くなる。   When the glass substrate for multiple chamfers 50 passes through the etching apparatus 300, the reforming line 20 is etched. In the modification line 20, the etchant penetrates faster than at other places, and the glass is dissolved along this line, so that the color filter substrate can be easily cut by the modification line 20. In addition, even when scratches and the like occur at the time of laser irradiation, the scratches easily disappear.

エッチング処理が終了すると、貼付されていた耐エッチングフィルム16が剥離される。続いて、多面取り用ガラス母材50に対して、図10(A)〜図10(C)に示すように、カラーフィルタ基板14におけるアレイ基板12の電極端子部122に対向する領域を取り除くための端子部切断溝30を形成する処理が行われる。この実施形態では、スクライブホイール(ホイールカッタ)250によって、カラーフィルタ基板14におけるアレイ基板12の電極端子部122に対向する領域の内側に端子部切断溝30が形成される。端子部切断溝30は、カラーフィルタ基板14におけるアレイ基板12の電極端子部122に対向する領域を取り除くため端子部切断予定線に沿って形成される。   When the etching process is completed, the pasted etching resistant film 16 is peeled off. Subsequently, in order to remove a region of the color filter substrate 14 facing the electrode terminal portion 122 of the array substrate 12 as shown in FIGS. 10A to 10C with respect to the glass substrate 50 for multiple beveling. A process of forming the terminal portion cutting groove 30 is performed. In this embodiment, the terminal cutting groove 30 is formed inside the area of the color filter substrate 14 facing the electrode terminal portion 122 of the color filter substrate 14 by the scribe wheel (wheel cutter) 250. The terminal portion cutting groove 30 is formed along the terminal portion cutting planned line in order to remove the region of the color filter substrate 14 facing the electrode terminal portion 122 of the array substrate 12.

スクライブホイール250による端子部切断溝30の形成が終わると、多面取り用ガラス母材50の分断および電極端子部122に対向する領域の除去に移行する。多面取り用ガラス母材50において、レーザのフィラメント加工によって改質ライン20が形成され、この改質ラインをさらにエッチングすることにより、わずかな機械的圧力のみで、多面取り用ガラス母材50を改質ライン20において分割することができる。例えば、多面取り用ガラス母材50に微小な押圧力を加えたり、微小な超音波振動を与えたりすることによって、図11に示すように、多面取り用ガラス母材50を汚損することなく、分断することが可能である。   When the formation of the terminal portion cutting groove 30 by the scribing wheel 250 is finished, the process proceeds to the division of the multiple bevel glass base material 50 and the removal of the region facing the electrode terminal portion 122. In the glass substrate for multiple chamfers 50, the modification line 20 is formed by laser filament processing, and the modification line is further etched to modify the glass substrate for multiple chamfers 50 with only a slight mechanical pressure. It can be divided at the quality line 20. For example, as shown in FIG. 11, by applying a minute pressing force to the glass substrate for multiple chamfering 50 or giving a minute ultrasonic vibration, without staining the glass substrate for multiple chamfering 50, It is possible to divide.

あえて、エッチング処理によって完全には切断してしまわないため、エッチング中に分離された液晶パネル10端面どうしが衝突して破損するといった不具合の発生が防止される。また、エッチング処理後の不完全に切断された状態の多面取り用ガラス母材50のまま(大判の状態のまま)、運搬することも可能になる。さらに、エッチング液が電極端子部に到達することがないため、耐エッチング性を備えたマスキング剤によって電極端子部を保護することが不要になる。また、液晶パネル10の端面における少なくとも中央部以外はエッチング処理が施されているため、レーザ加工のみで切断を行った場合に比較して液晶パネルの強度(例えば、曲げ強度)が高くなる。   Despite this, since the etching process does not completely cut off, it is possible to prevent the occurrence of a defect that the end faces of the liquid crystal panel 10 separated during the etching collide with each other to be damaged. In addition, it is possible to carry the multi-faceted glass base material 50 in the incompletely cut state after the etching process (in the large size state). Furthermore, since the etching solution does not reach the electrode terminal portion, it becomes unnecessary to protect the electrode terminal portion by the masking agent having etching resistance. In addition, since the etching process is applied to at least the central portion of the end face of the liquid crystal panel 10, the strength (for example, bending strength) of the liquid crystal panel is higher than when the cutting is performed only by laser processing.

図12(A)〜図12(C)は、分断後の液晶パネル10の概略構成を示している。同図に示すように、液晶パネル10の端面は主面に対してほぼ直角になっている。例えば、それぞれが0.15mm〜0.25mm程度の板厚のアレイ基板12およびカラーフィルタ基板14の各端面に発生するテーパ幅(図12(C)におけるL1〜L4)を、50μm以下(多くは20〜35μm)に抑えることが可能である。   12A to 12C show a schematic configuration of the liquid crystal panel 10 after division. As shown in the figure, the end face of the liquid crystal panel 10 is substantially perpendicular to the main surface. For example, the taper width (L1 to L4 in FIG. 12C) generated on each end face of the array substrate 12 and the color filter substrate 14 each having a thickness of about 0.15 mm to 0.25 mm is 50 μm or less (mostly) It can be suppressed to 20 to 35 μm.

このように、液晶パネル10を製造するにあたって、サイドエッチングの影響がほとんど発生しないため、液晶パネル10どうしを近接配置した多面取り用ガラス母材50の設計することができる。例えば、レーザ幅2μm+αで合計10μm程度の隙間があれば、多面取り用ガラス母材50を適正に単個の液晶パネル10に分離することが可能である。   As described above, when manufacturing the liquid crystal panel 10, the influence of the side etching hardly occurs, so that it is possible to design the multiple bevel glass base material 50 in which the liquid crystal panels 10 are arranged close to each other. For example, if there is a gap of about 10 μm in total with a laser width of 2 μm + α, it is possible to properly separate the multiple bevel glass base material 50 into a single liquid crystal panel 10.

上述の実施形態では、説明の便宜上、アレイ基板12およびカラーフィルタ基板14のオーバーコート(OC)膜やITO膜について説明を省略したが、上述の処理によってこれらが汚損することはない。また、オーバーコート(OC)膜やITO膜が形成されていない状態の被処理物(液晶パネル等)であっても、上述の方法によって適切に処理することが可能である。   In the above-described embodiment, the overcoat (OC) film and the ITO film of the array substrate 12 and the color filter substrate 14 are not described for convenience of explanation, but they are not contaminated by the above process. Further, even the object to be treated (such as a liquid crystal panel) in which the overcoat (OC) film or the ITO film is not formed can be appropriately treated by the above-mentioned method.

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The above description of the embodiments should be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is indicated not by the embodiments described above but by the claims. Further, the scope of the present invention is intended to include all modifications within the scope and meaning equivalent to the claims.

2−ガラスパネル
4−多面取り用ガラス母材
6,16−耐エッチングフィルム
10−液晶パネル
12−アレイ基板
14−カラーフィルタ基板
20−改質ライン
30−端子部切断溝
50−多面取り用ガラス母材
100−スマートフォン
122−電極端子部
250−スクライブホイール
300−エッチング装置
302,304−エッチングチャンバ
306−エッチング槽
2-Glass panel 4-Glass substrate for multiple chamfering 6, 16-Etching resistant film 10-Liquid crystal panel 12-Array substrate 14-Color filter substrate 20-Reforming line 30-Cutting groove for terminal part 50-Glass matrix for multiple chamfering Material 100-smartphone 122-electrode terminal portion 250-scribe wheel 300-etching apparatus 302, 304-etching chamber 306-etching tank

Claims (4)

ガラスパネルを多面取りするための多面取り用ガラス母材から所望形状のガラスパネルを複数得るためのガラスパネル製造方法であって、
前記多面取り用ガラス母材の表面に対して、耐エッチング性を備えた透明の耐エッチング層を形成するステップと、
取り出すべきガラスパネルの形状に対応する形状切断予定線に沿ってレーザを走査することによって、前記形状切断予定線に沿って、前記透明の耐エッチング層を除去しかつ前記多面取り用ガラス母材にエッチングされ易い性質の改質ラインを形成するレーザ走査ステップと、
前記レーザ走査ステップ後に、前記多面取り用ガラス母材をエッチング液に接触させることによって前記改質ラインをエッチングするエッチングステップと、
を少なくとも含み、
前記透明の耐エッチング層が、50μm〜100μmの薄型透明フィルムであることを特徴とするガラスパネル製造方法。
A glass panel manufacturing method for obtaining a plurality of glass panels of a desired shape from a glass substrate for multiple chamfering for multiple chamfering of a glass panel, comprising:
Forming a transparent etching resistant layer having etching resistance on the surface of the multiple bevel glass substrate;
The transparent etching-resistant layer is removed along the shape cutting scheduled line by scanning the laser along the shape cutting planned line corresponding to the shape of the glass panel to be taken out, and the glass substrate for multiple chamfering is formed. A laser scanning step to form a reformed line of a nature susceptible to etching;
An etching step of etching the reforming line by bringing the multiple bevel glass substrate into contact with an etching solution after the laser scanning step;
At least including
The said transparent etching resistant layer is a 50 micrometers-100 micrometers thin transparent film, The glass panel manufacturing method characterized by the above-mentioned.
アレイ基板およびカラーフィルタ基板を貼り合せてなる液晶パネルを多面取りするための多面取り用ガラス母材から所定形状の液晶パネルを複数得るための液晶パネル製造方法であって、
前記アレイ基板および前記カラーフィルタ基板に対して、耐エッチング性を備えた透明の耐エッチング層を形成するステップと、
液晶パネルの形状に対応する形状切断予定線に沿ってレーザを走査することによって、前記形状切断予定線に沿って、前記透明の耐エッチング層を除去しかつ前記多面取り用ガラス母材にエッチングされ易い性質の改質ラインを形成するレーザ走査ステップと、
前記レーザ走査ステップ後に、前記多面取り用ガラス母材をエッチング液に接触させることによって前記改質ラインをエッチングするエッチングステップと、
を少なくとも含み、
前記透明の耐エッチング層が、50μm〜100μmの薄型透明フィルムであることを特徴とする液晶パネル製造方法。
A liquid crystal panel manufacturing method for obtaining a plurality of liquid crystal panels having a predetermined shape from a glass base material having a plurality of chamfers for chamfering a liquid crystal panel formed by bonding an array substrate and a color filter substrate.
Forming a transparent etching resistant layer having etching resistance on the array substrate and the color filter substrate;
The transparent etching resistant layer is removed along the shape cutting scheduled line by scanning the laser along the shape cutting planned line corresponding to the shape of the liquid crystal panel, and the glass substrate for multiple beveling is etched. Laser scanning step to form a reforming line of easy nature;
An etching step of etching the reforming line by bringing the multiple bevel glass substrate into contact with an etching solution after the laser scanning step;
At least including
A method of manufacturing a liquid crystal panel, wherein the transparent etching resistant layer is a thin transparent film of 50 μm to 100 μm.
前記レーザ走査ステップにおいて、前記形状切断予定線に沿って、前記透明の耐エッチング層を除去しかつ前記改質ラインを前記アレイ基板または前記カラーフィルタ基板のいずれか一方にのみ形成することを特徴とする請求項2に記載の液晶パネル製造方法。 In the laser scanning step, the transparent etching resistant layer is removed along the shape cutting scheduled line, and the modifying line is formed only on either the array substrate or the color filter substrate. The liquid crystal panel manufacturing method according to claim 2. 前記レーザ走査ステップにおいて、前記形状切断予定線に沿って、前記透明の耐エッチング層を除去しかつ前記改質ラインを前記アレイ基板または前記カラーフィルタ基板のいずれか一方にのみ形成し、その後に反対側からレーザを走査することによって前記透明の耐エッチング層を除去しかつ前記改質ラインを前記アレイ基板または前記カラーフィルタ基板のいずれか他方にも形成することを特徴とする請求項2に記載の液晶パネル製造方法。 In the laser scanning step, the transparent etching resistant layer is removed along the shape cutting scheduled line, and the reformed line is formed only on either the array substrate or the color filter substrate, and then the other is reversed. The transparent etching resistant layer is removed by scanning the laser from the side, and the reformed line is formed on either the array substrate or the color filter substrate, according to claim 2. Liquid crystal panel manufacturing method.
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