JP6801555B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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[形態1]半導体装置の製造方法であって、
基板に、n型不純物を含有しIII属窒化物半導体から形成されるn型半導体層と、前記n型半導体層におけるドナーとなる元素を主成分としない元素から形成されるスルー膜と、をこの順に形成する工程と、
前記スルー膜が形成された状態で前記n型半導体層に、p型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入後において、前記スルー膜上にキャップ層を形成する工程と、
前記p型不純物がイオン注入されたイオン注入領域を前記スルー膜と前記キャップ層とからなる被覆層で被覆した状態において、窒素を含む雰囲気下で熱処理する第1熱処理工程と、
前記第1熱処理工程の後に、前記イオン注入領域を露出した状態において、アンモニアとヒドラジンとの少なくとも一方と、水素とを含む雰囲気下で熱処理する第2熱処理工程と、を備え、
前記イオン注入工程における積算ドーズ量は、1.0×10 13 cm −2 以上5.0×10 15 cm −2 以下であり、
前記第1熱処理工程における熱処理温度は、1150℃以上1250℃以下である、半導体装置の製造方法。
A−1.半導体装置の構成
図1は、第1実施形態における半導体装置100の構成を模式的に示す断面図である。図1には、相互に直交するXYZ軸が図示されている。図1のXYZ軸のうち、X軸は、図1の紙面左から紙面右に向かう軸である。+X軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−X軸方向は、紙面左に向かう方向である。図1のXYZ軸のうち、Y軸は、図1の紙面手前から紙面奥に向かう軸である。+Y軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Y軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図1のXYZ軸のうち、Z軸は、図1の紙面下から紙面上に向かう軸である。+Z軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Z軸方向は、紙面下に向かう方向である。図1のXYZ軸は、他の図のXYZ軸に対応する。
半導体装置の製造方法を、図2から図4を用いて説明する。図2は、第1実施形態における半導体装置100の製造方法を示す工程図である。まず、工程P101において、製造者は、基板110を用意した後、基板110の上にn型半導体層112およびスルー膜を、この順に、連続して形成する。スルー膜は、後述するイオン注入工程において、n型半導体層112に注入されるp型不純物の濃度分布を調整するために用いられる。n型半導体層112およびスルー膜は、有機金属気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)により形成される。n型半導体層112およびスルー膜を、連続して形成することにより、n型半導体層112とスルー膜との間における不純物汚染を防止できる。スルー膜は、III族窒化物系半導体においてドナーとなる元素を主成分としない元素から形成されている。このようにすることにより、後述するイオン注入工程において、スルー膜の成分元素がn型半導体層112に注入されることを防止できる。本実施形態では、スルー膜は、非晶質窒化アルミニウム(AlN)から形成され、スルー膜の厚さは30nmである。
以上説明した第1実施形態の製造方法は、イオン注入工程(工程P103)と、第1熱処理工程(工程P106)と、第2熱処理工程(工程P110)とを備えることにより、イオン注入領域113におけるホール濃度を向上させつつ、イオン注入領域113の表面における原子ステップが形成され、かつ、イオン注入領域113の表面におけるピットの発生が抑制される。このメカニズムとしては、以下が考えられる。つまり、イオン注入工程における積算ドーズ量が、従来の積算ドーズ量と比べて小さい1.0×1013cm−2以上5.0×1015cm−2以下であるため、イオン注入領域の表面へのイオン注入によるダメージを低減すると考えられる。また、第1熱処理工程における熱処理温度が1150℃以上1250℃以下であることにより、イオン注入領域113におけるホール濃度が向上すると考えられる。また、第2熱処理工程を備えることにより、イオン注入領域113の表面における原子ステップが形成され、かつ、イオン注入領域113の表面におけるピットの発生が抑制されると考えられる。このような効果が得られることを裏付ける評価試験の結果を示す。
図5は、評価試験の結果を示す図である。評価試験には、以下の試料を用いた。具体的には、試験者は、試作例1から試作例4として、イオン注入における積算ドーズ量及び第1熱処理工程における条件を異なる条件とした試作例を上述の製造方法に沿って作製した。試作例1から試作例4の条件を以下に示す。なお、第2熱処理工程における条件は、熱処理温度が900℃であり、熱処理時間が60分である。
・試作例1
積算ドーズ量:2.3×1015cm−2
熱処理温度:1200℃
熱処理時間:1秒
・試作例2
積算ドーズ量:2.3×1014cm−2
熱処理温度:1250℃
熱処理時間:30秒
・試作例3
積算ドーズ量:2.3×1015cm−2
熱処理温度:1300℃
熱処理時間:1秒
・試作例4
積算ドーズ量:2.3×1015cm−2
熱処理温度:1300℃
熱処理時間:30秒
本発明は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
110…基板
112…n型半導体層
113…p型半導体領域(イオン注入領域)
114…p型半導体層
116…n型半導体層
122…トレンチ
124…リセス
130…絶縁膜
142…ゲート電極
144…ボディ電極
146…ソース電極
148…ドレイン電極
150…被覆層
152…スルー膜
154…キャップ層
Claims (11)
- 半導体装置の製造方法であって、
基板に、n型不純物を含有しIII属窒化物半導体から形成されるn型半導体層と、前記n型半導体層におけるドナーとなる元素を主成分としない元素から形成されるスルー膜と、をこの順に形成する工程と、
前記スルー膜が形成された状態で前記n型半導体層に、p型不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入後において、前記スルー膜上にキャップ層を形成する工程と、
前記p型不純物がイオン注入されたイオン注入領域を前記スルー膜と前記キャップ層とからなる被覆層で被覆した状態において、窒素を含む雰囲気下で熱処理する第1熱処理工程と、
前記第1熱処理工程の後に、前記イオン注入領域を露出した状態において、アンモニアとヒドラジンとの少なくとも一方と、水素とを含む雰囲気下で熱処理する第2熱処理工程と、を備え、
前記イオン注入工程における積算ドーズ量は、1.0×1013cm−2以上5.0×1015cm−2以下であり、
前記第1熱処理工程における熱処理温度は、1150℃以上1250℃以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1熱処理工程における熱処理時間は、1秒以上10分以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第1熱処理工程における圧力は、10kPa以上110kPa以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2熱処理工程における熱処理温度は、850℃以上1000℃以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2熱処理工程における熱処理時間は、30分以上90分以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2熱処理工程における圧力は、10kPa以上110kPa以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記被覆層は、窒化アルミニウムと、窒化ケイ素と、二酸化ケイ素と、酸化アルミニウムとからなる群より選ばれる少なくとも一つにより形成されている、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程において、前記p型不純物は、マグネシウムと、カルシウムと、ベリリウムとの少なくとも一方を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程における注入温度は、20℃以上900℃以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程における注入角度は、0°以上15°以下である、半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、さらに、
前記第2熱処理工程の後、前記イオン注入領域の上に、有機金属気相成長法と分子線エピタキシー法との少なくとも一方により、p型不純物を含有するp型半導体層を形成する工程を備える、半導体装置の製造方法。
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