JP6794980B2 - Substrate processing equipment and device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置、及びデバイス製造方法に関するものである。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, and abeauty device manufacturing method.

従来、基板処理装置として、シート状の媒体(基板)上の所定位置に描画を行う走査式描画装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。走査式描画装置は、描画テーブルと、レーザ光源と、光変調器と、走査光学系とを備えている。描画テーブルは、媒体を載置した状態で、搬送方向(副走査方向)に搬送する。レーザ光源は、光変調器へ向けてレーザ光を照射する。光変調器は、例えば、音響光学変調素子(AOM:Acousto Optic Modulator)が用いられ、レーザ光源から照射されたレーザ光を変調する。光変調器は、ONにスイッチングされると、レーザ光を回折によって偏向して、レーザ光を媒体上に投射する。一方で、光変調器は、OFFにスイッチングされると、レーザ光を偏向せずに、レーザ光を媒体上に投射しない状態にされる。走査光学系は、光変調器から射出したレーザ光を、媒体上の走査開始端から走査終了端まで所定の走査線に沿って走査方向に走査させる。そして、走査式描画装置は、描画テーブルにより媒体を副走査方向に搬送させつつ、光変調器によりレーザ光を変調し、走査光学系により変調されたレーザ光のスポット光を走査方向に走査させることで、媒体に描画を行う。 Conventionally, as a substrate processing apparatus, a scanning type drawing apparatus that draws at a predetermined position on a sheet-like medium (substrate) is known (see, for example, Patent Document 1). The scanning drawing apparatus includes a drawing table, a laser light source, an optical modulator, and a scanning optical system. The drawing table is conveyed in the conveying direction (sub-scanning direction) with the medium placed on it. The laser light source irradiates the laser light toward the light modulator. As the light modulator, for example, an acousto-optic modulator (AOM) is used to modulate the laser light emitted from the laser light source. When the light modulator is switched to ON, the laser light is deflected by diffraction and the laser light is projected onto the medium. On the other hand, when the light modulator is switched to OFF, the laser light is not deflected and the laser light is not projected onto the medium. The scanning optical system scans the laser beam emitted from the light modulator in the scanning direction along a predetermined scanning line from the scanning start end to the scanning end end on the medium. Then, the scanning drawing device modulates the laser light with an optical modulator while transporting the medium in the sub-scanning direction by the drawing table, and scans the spot light of the laser light modulated by the scanning optical system in the scanning direction. Then, draw on the medium.

特開2000−227661号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-227661

ところで、描画対象となる基板は、デバイスの大型化に伴って大きくなる。基板が大きくなると、基板に描画されるパターンが大きくなる。ここで、特許文献1の走査式描画装置では、1つの走査線により描画を行うことから、基板に描画されるパターンが大きくなる場合、レーザ光のスポット光による走査線は長くなる。しかしながら、特許文献1の走査式描画装置では、走査線の長さに限界があるため、基板に描画されるパターンの大きさは、走査線の長さによって制限される。 By the way, the substrate to be drawn becomes larger as the size of the device is increased. The larger the substrate, the larger the pattern drawn on the substrate. Here, in the scanning drawing apparatus of Patent Document 1, since drawing is performed by one scanning line, when the pattern drawn on the substrate becomes large, the scanning line by the spot light of the laser beam becomes long. However, in the scanning drawing apparatus of Patent Document 1, since the length of the scanning line is limited, the size of the pattern drawn on the substrate is limited by the length of the scanning line.

そこで、複数の走査線(描画ライン)により基板にパターンを描画する、いわゆるマルチビーム型の描画方式が考えられる。そのようなマルチビーム型の描画方式では、複数の描画ラインを走査線の方向に並べて配置し、各走査線により形成される各々のパターンを、基板の搬送方向に直交する幅方向に継ぎ合わせることで、基板に対して大きなパターンを描画することが可能となる。 Therefore, a so-called multi-beam type drawing method in which a pattern is drawn on a substrate by a plurality of scanning lines (drawing lines) can be considered. In such a multi-beam type drawing method, a plurality of drawing lines are arranged side by side in the direction of the scanning lines, and each pattern formed by each scanning line is spliced in the width direction orthogonal to the transport direction of the substrate. Therefore, it is possible to draw a large pattern on the substrate.

マルチビーム型の描画方式でも、基板を搬送方向に搬送しながら、複数の描画ラインにより基板にパターンを描画するので、各描画ラインの描画開始位置から描画終了位置にかけて描画されるパターンは、基板の搬送速度に速度ムラ等が生じた場合、描画開始位置と描画終了位置とが搬送方向においてミクロンオーダーで異なる位置となってしまう。このため、基板の幅方向に隣接するパターン同士の継ぎ合わせ精度が悪化する現象、即ち、継ぎ誤差が発生してしまう可能性がある。 Even in the multi-beam type drawing method, a pattern is drawn on the board by a plurality of drawing lines while transporting the board in the transport direction. Therefore, the pattern drawn from the drawing start position to the drawing end position of each drawing line is the board. When the transfer speed becomes uneven, the drawing start position and the drawing end position are different on the order of microns in the transfer direction. For this reason, there is a possibility that a phenomenon in which the splicing accuracy of patterns adjacent to each other in the width direction of the substrate deteriorates, that is, a splicing error occurs.

本発明の実施態様では、上記の問題点に鑑み、複数の描画ラインをつなげたマルチビーム型の描画方式であっても、基板の幅方向に継ぎ合わされるパターン同士の継ぎ誤差を良好に低減することを課題とする。 In the embodiment of the present invention, in view of the above problems, even in the multi-beam type drawing method in which a plurality of drawing lines are connected, the splicing error between the patterns spliced in the width direction of the substrate is satisfactorily reduced. That is the issue.

本発明の第1の実施態様に従えば、所定幅の基板を支えながら、前記基板の幅方向と交差する搬送方向に所定速度で搬送する基板搬送機構と、前記基板に投射される描画ビームを前記基板の幅よりも狭い範囲で前記幅方向に走査して得られる描画ラインに沿って、所定のパターンを前記基板上に描画する描画モジュールを複数有し、前記複数の描画モジュールの各々によって前記基板上に描画されるパターン同士が、前記基板の幅方向に継ぎ合わされるように、互いに前記幅方向に隣り合う前記描画ラインを、前記搬送方向に所定の間隔を空けて配置した描画装置と、前記基板の幅方向に対する前記描画ラインの相対的な傾きを調整する傾き調整機構と、前記基板の搬送速度を検出する基板速度検出装置と、を備え、前記基板速度検出装置によって検出される前記基板の搬送速度に基づいて、前記傾き調整機構によって前記描画ラインの相対的な傾きを調整する基板処理装置が提供される。 According to the first embodiment of the present invention, a substrate transport mechanism that transports a substrate having a predetermined width at a predetermined speed in a transport direction intersecting the width direction of the substrate while supporting the substrate, and a drawing beam projected on the substrate. A plurality of drawing modules for drawing a predetermined pattern on the substrate along a drawing line obtained by scanning in the width direction in a range narrower than the width of the substrate are provided, and each of the plurality of drawing modules A drawing device in which the drawing lines adjacent to each other in the width direction are arranged at predetermined intervals in the transport direction so that the patterns drawn on the substrate are joined in the width direction of the substrate. The substrate is provided with an inclination adjusting mechanism for adjusting the relative inclination of the drawing line with respect to the width direction of the substrate and a substrate speed detecting device for detecting the transport speed of the substrate, and is detected by the substrate speed detecting device. A substrate processing device for adjusting the relative inclination of the drawing line by the inclination adjusting mechanism is provided based on the transfer speed of the drawing line.

本発明の第2の実施態様に従えば、本発明の第1の態様に係る基板処理装置を備えるデバイス製造システムが提供される。 According to the second embodiment of the present invention, a device manufacturing system including the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention is provided.

本発明の第3の実施態様に従えば、本発明の第1の態様に係る基板処理装置を用いて、前記基板上に形成された光感応層に前記複数の描画モジュールの各々からの前記描画ビームを走査して、継ぎ合わされたパターンを描画することと、前記基板を処理することにより、前記基板上に前記継ぎ合わされたパターンに応じたデバイスの層構造を形成することと、を含むデバイス製造方法が提供される。 According to the third embodiment of the present invention, the drawing from each of the plurality of drawing modules is performed on the light-sensitive layer formed on the substrate by using the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention. Device manufacturing including scanning the beam to draw a spliced pattern and processing the substrate to form a layered structure of the device on the substrate according to the spliced pattern. A method is provided.

図1は、第1実施形態の露光装置(基板処理装置)の全体構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of the exposure apparatus (board processing apparatus) of the first embodiment. 図2は、図1の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing the arrangement of the main part of the exposure apparatus of FIG. 図3は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとの配置関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the arrangement relationship between the alignment microscope and the drawing line on the substrate. 図4は、図1の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a rotating drum and a drawing apparatus of the exposure apparatus of FIG. 図5は、図1の露光装置の主要部の配置を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of the main part of the exposure apparatus of FIG. 図6は、図1の露光装置の分岐光学系の構成を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the branch optical system of the exposure apparatus of FIG. 図7は、図1の露光装置に設けられる複数の描画モジュール内の各走査器の配置関係を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an arrangement relationship of each scanner in a plurality of drawing modules provided in the exposure apparatus of FIG. 図8は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとエンコーダヘッドとの配置関係を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing the arrangement relationship between the alignment microscope, the drawing line, and the encoder head on the substrate. 図9は、図1の露光装置の回転ドラムの表面構造を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing the surface structure of the rotating drum of the exposure apparatus of FIG. 図10は、第1実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate by the exposure apparatus of the first embodiment and the drawing line. 図11は、第1実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the first embodiment. 図12は、第1実施形態の露光装置で使用されるCAD情報のイメージを示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an image of CAD information used in the exposure apparatus of the first embodiment. 図13は、第2実施形態の露光装置のf−θレンズ系の一部の構成を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a partial configuration of the f−θ lens system of the exposure apparatus of the second embodiment. 図14は、図13のf−θレンズ系のシリンドリカルレンズの構成を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a cylindrical lens of the f−θ lens system of FIG. 図15は、第2実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate by the exposure apparatus of the second embodiment and the drawing line. 図16は、第2実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the second embodiment. 図17は、第3実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the third embodiment. 図18は、第4実施形態の露光装置により、描画ラインの傾き補正を行わない場合に基板上に描画されるパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line when the tilt correction of the drawing line is not performed by the exposure apparatus of the fourth embodiment. 図19は、第4実施形態の露光装置により、描画ラインの傾き補正を行った後に基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line after the tilt correction of the drawing line is performed by the exposure apparatus of the fourth embodiment. 図20は、第4実施形態の露光装置により、描画ラインの傾き補正を基板の搬送速度のムラに応じて補正した場合に基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。FIG. 20 shows an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line when the tilt correction of the drawing line is corrected according to the unevenness of the transport speed of the substrate by the exposure apparatus of the fourth embodiment. It is a figure. 図21は、第1〜第4実施形態の露光装置を用いたデバイス製造方法を示すフローチャートである。FIG. 21 is a flowchart showing a device manufacturing method using the exposure apparatus of the first to fourth embodiments.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of components can be made without departing from the gist of the present invention.

[第1実施形態]
図1は、第1実施形態の露光装置(基板処理装置)の全体構成を示す図である。第1実施形態の基板処理装置は、基板Pに露光処理を施す露光装置EXであり、露光装置EXは、露光後の基板Pに各種処理を施してデバイスを製造するデバイス製造システム1に組み込まれている。先ず、デバイス製造システム1について説明する。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of the exposure apparatus (board processing apparatus) of the first embodiment. The substrate processing apparatus of the first embodiment is an exposure apparatus EX that performs exposure processing on the substrate P, and the exposure apparatus EX is incorporated in a device manufacturing system 1 that performs various treatments on the substrate P after exposure to manufacture a device. ing. First, the device manufacturing system 1 will be described.

<デバイス製造システム>
デバイス製造システム1は、デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレー、多層フレキシブル配線、フレキシブル・センサー等の電子デバイスを製造するライン(フレキシブル・電子デバイス製造ライン)である。以下の実施態様では、電子デバイスとしてフレキシブル・ディスプレーを例に説明する。フレキシブル・ディスプレーとしては、例えば有機ELディスプレー等がある。このデバイス製造システム1は、可撓性(フレキシブル)の長尺の基板Pをロール状に巻回した図示しない供給用ロールから、該基板Pが送り出され、送り出された基板Pに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Pを可撓性のデバイスとして図示しない回収用ロールに巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll)方式となっている。第1実施形態のデバイス製造システム1では、フィルム状のシートである基板Pが供給用ロールから送り出され、供給用ロールから送り出された基板Pが、順次、プロセス装置U1、露光装置EX、プロセス装置U2を経て、回収用ロールに巻き取られるまでの例を示している。ここで、デバイス製造システム1の処理対象となる基板Pについて説明する。
<Device manufacturing system>
The device manufacturing system 1 is a line (flexible electronic device manufacturing line) for manufacturing electronic devices such as flexible displays, multi-layer flexible wiring, and flexible sensors as devices. In the following embodiments, a flexible display will be described as an example of an electronic device. Flexible displays include, for example, organic EL displays. In this device manufacturing system 1, the substrate P is sent out from a supply roll (not shown) in which a long flexible substrate P is wound in a roll shape, and various treatments are performed on the sent out substrate P. Is continuously applied, and then the treated substrate P is wound as a flexible device on a collection roll (not shown), which is a so-called roll-to-roll method. In the device manufacturing system 1 of the first embodiment, the substrate P, which is a film-like sheet, is sent out from the supply roll, and the substrate P sent out from the supply roll is sequentially delivered to the process apparatus U1, the exposure apparatus EX, and the process apparatus. An example is shown from U2 to winding on a collection roll. Here, the substrate P to be processed by the device manufacturing system 1 will be described.

基板Pは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔(フォイル)等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち1または2以上を含んでいる。 As the substrate P, for example, a resin film, a foil made of a metal such as stainless steel, or an alloy is used. Examples of the material of the resin film include polyethylene resin, polypropylene resin, polyester resin, ethylene vinyl copolymer resin, polyvinyl chloride resin, cellulose resin, polyamide resin, polyimide resin, polycarbonate resin, polystyrene resin, and vinyl acetate resin. Contains 1 or 2 or more.

基板Pは、例えば、基板Pに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。熱膨張係数は、例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって、プロセス温度等に応じた閾値よりも小さく設定されていてもよい。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等でもよい。また、基板Pは、フロート法等で製造された厚さ100μm程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。 For the substrate P, for example, it is desirable to select a substrate P having a coefficient of thermal expansion not significantly large so that the amount of deformation due to heat received in various treatments applied to the substrate P can be substantially ignored. The coefficient of thermal expansion may be set to be smaller than the threshold value according to the process temperature or the like by, for example, mixing an inorganic filler with the resin film. The inorganic filler may be, for example, titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide or the like. Further, the substrate P may be a single layer of ultrathin glass having a thickness of about 100 μm manufactured by a float method or the like, or a laminated body in which the above resin film, foil or the like is bonded to the ultrathin glass. It may be.

このように構成された基板Pは、ロール状に巻回されることで供給用ロールとなり、この供給用ロールが、デバイス製造システム1に装着される。供給用ロールが装着されたデバイス製造システム1は、デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールから送り出される基板Pに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Pには、複数のデバイス(例えば、テレビ用、パソコン用の表示パネル)が長尺方向に所定の間隔で連なった状態で形成される。つまり、供給用ロールから送り出される基板Pは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Pは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングの為の微細な隔壁構造(凹凸構造)を形成したものでもよい。 The substrate P configured in this way is wound into a roll shape to become a supply roll, and this supply roll is mounted on the device manufacturing system 1. The device manufacturing system 1 equipped with the supply roll repeatedly executes various processes for manufacturing the device on the substrate P sent out from the supply roll. Therefore, a plurality of devices (for example, display panels for televisions and personal computers) are formed on the processed substrate P in a state of being connected at predetermined intervals in the long direction. That is, the substrate P sent out from the supply roll is a substrate for multi-chamfering. The substrate P may be one whose surface is modified and activated by a predetermined pretreatment in advance, or one in which a fine partition wall structure (concavo-convex structure) for precision patterning is formed on the surface.

処理後の基板Pは、ロール状に巻回されることで回収用ロールとして回収される。回収用ロールは、図示しないダイシング装置に装着される。回収用ロールが装着されたダイシング装置は、処理後の基板Pを、デバイスごとに分割(ダイシング)することで、複数個のデバイスにする。基板Pの寸法は、例えば、幅方向(短尺となる方向)の寸法が10cm〜2m程度であり、長さ方向(長尺となる方向)の寸法は、処理装置に装着可能な供給用ロールや回収用ロールの最大径にもよるが、数百m〜数千mになることがある。なお、基板Pの寸法(短尺/長尺の各寸法)は、上記した寸法に限定されない。また、必ずしも供給用ロールから供給されて、回収用ロールに回収される基板の搬送形態である必要はない。 The treated substrate P is wound into a roll to be recovered as a recovery roll. The recovery roll is mounted on a dicing device (not shown). The dicing apparatus equipped with the collection roll divides the processed substrate P into a plurality of devices by dividing (dicing) each device. The dimensions of the substrate P are, for example, the width direction (shorter direction) of about 10 cm to 2 m, and the length direction (longer direction) of the supply roll that can be mounted on the processing device. Depending on the maximum diameter of the recovery roll, it may be several hundred meters to several thousand meters. The dimensions of the substrate P (short / long dimensions) are not limited to the above-mentioned dimensions. Further, it is not always necessary that the substrate is conveyed from the supply roll and collected on the collection roll.

引き続き、図1を参照し、デバイス製造システム1について説明する。デバイス製造システム1は、プロセス装置U1と、露光装置EXと、プロセス装置U2とを備える。なお、図1では、X方向、Y方向及びZ方向が直交する直交座標系となっている。X方向は、水平面内において、プロセス装置U1から露光装置EXを経てプロセス装置U2へ向かう方向である。Y方向は、水平面内においてX方向に直交する方向であり、基板Pの幅方向となっている。Z方向は、X方向とY方向とに直交する方向(鉛直方向)である。 Subsequently, the device manufacturing system 1 will be described with reference to FIG. The device manufacturing system 1 includes a process device U1, an exposure device EX, and a process device U2. In FIG. 1, the Cartesian coordinate system is such that the X direction, the Y direction, and the Z direction are orthogonal to each other. The X direction is a direction from the process apparatus U1 to the process apparatus U2 via the exposure apparatus EX in the horizontal plane. The Y direction is a direction orthogonal to the X direction in the horizontal plane, and is the width direction of the substrate P. The Z direction is a direction (vertical direction) orthogonal to the X direction and the Y direction.

プロセス装置U1は、露光装置EXで露光処理される基板Pに対して前工程の処理(前処理)を行う。プロセス装置U1は、前処理を行った基板Pを露光装置EXへ向けて送る。このとき、露光装置EXへ送られる基板Pは、その表面に感光性機能層(光感応層)が形成された基板(感光基板)Pとなっている。 The process apparatus U1 performs a pre-process (pre-processing) on the substrate P to be exposed by the exposure apparatus EX. The process apparatus U1 sends the preprocessed substrate P toward the exposure apparatus EX. At this time, the substrate P sent to the exposure apparatus EX is a substrate (photosensitive substrate) P having a photosensitive functional layer (photosensitive layer) formed on its surface.

ここで、感光性機能層は、溶液として基板P上に一様に、或いは選択的に塗布され、乾燥することによって層(膜)となる。感光性機能層の典型的なものはフォトレジストであるが、現像処理不要な材料として、紫外線の照射を受けた部分の親撥液性が改質される感光性シランカップリング材(SAM)、或いは紫外線の照射を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性還元材等がある。感光性機能層として感光性シランカップリング材を用いる場合は、基板P上の紫外線で露光されたパターン部分が撥液性から親液性に改質される為、親液性となった部分の上に導電性インク(銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインク)を選択塗布し、パターン層を形成する。感光性機能層として、感光性還元材を用いる場合は、基板P上の紫外線で露光されたパターン部分にメッキ還元基が露呈する為、露光後、基板Pを直ちにパラジウムイオン等を含む無電解メッキ液中に一定時間浸漬することで、パラジウムによるパターン層が形成(析出)される。 Here, the photosensitive functional layer is uniformly or selectively applied as a solution on the substrate P and dried to form a layer (film). A typical photosensitive functional layer is a photoresist, but as a material that does not require development processing, a photosensitive silane coupling material (SAM) that modifies the liquid-repellent property of the portion irradiated with ultraviolet rays, Alternatively, there is a photosensitive reducing agent or the like in which the plating reducing group is exposed on the portion irradiated with ultraviolet rays. When a photosensitive silane coupling material is used as the photosensitive functional layer, the pattern portion exposed to ultraviolet rays on the substrate P is modified from liquid-repellent to liquid-friendly, so that the portion that becomes liquid-friendly Conductive ink (ink containing conductive nanoparticles such as silver and copper) is selectively applied onto the surface to form a pattern layer. When a photosensitive reducing material is used as the photosensitive functional layer, plating reducing groups are exposed on the pattern portion exposed to ultraviolet rays on the substrate P, so that the substrate P is immediately electroless plated containing palladium ions or the like after exposure. By immersing in the liquid for a certain period of time, a pattern layer made of palladium is formed (precipitated).

露光装置EXは、プロセス装置U1から供給された基板Pに対して、ディスプレーパネル用の回路または配線等のパターンを描画している。詳細は後述するが、この露光装置EXは、複数の描画ビームLBの各々を所定の走査方向に走査することで得られる複数の描画ラインLL1〜LL5によって、基板P上に所定のパターンを露光する。露光装置EXで露光処理が行われた基板Pはプロセス装置U2に送られ、プロセス装置U2は、基板Pに対しての後工程の処理(後処理)を行う。これによって、基板Pの表面に電子デバイスの特定のパターン層が形成される。 The exposure apparatus EX draws a pattern such as a circuit or wiring for a display panel on the substrate P supplied from the process apparatus U1. Although details will be described later, this exposure apparatus EX exposes a predetermined pattern on the substrate P by a plurality of drawing lines LL1 to LL5 obtained by scanning each of the plurality of drawing beams LB in a predetermined scanning direction. .. The substrate P that has been exposed by the exposure apparatus EX is sent to the process apparatus U2, and the process apparatus U2 performs post-process processing (post-processing) on the substrate P. As a result, a specific pattern layer of the electronic device is formed on the surface of the substrate P.

<露光装置(基板処理装置)>
続いて、図1から図9を参照して、露光装置EXについて説明する。図2は、図1の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。図3は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとの配置関係を示す図である。図4は、図1の露光装置の回転ドラム及び描画装置の構成を示す図である。図5は、図1の露光装置の主要部の配置を示す平面図である。図6は、図1の露光装置の分岐光学系の構成を示す斜視図である。図7は、図1の露光装置に設けられる複数の描画モジュール内の各走査器の配置関係を示す図である。図8は、基板上でのアライメント顕微鏡と描画ラインとエンコーダヘッドとの配置関係を示す斜視図である。図9は、図1の露光装置の回転ドラムの表面構造を示す斜視図である。
<Exposure equipment (board processing equipment)>
Subsequently, the exposure apparatus EX will be described with reference to FIGS. 1 to 9. FIG. 2 is a perspective view showing the arrangement of the main part of the exposure apparatus of FIG. FIG. 3 is a diagram showing the arrangement relationship between the alignment microscope and the drawing line on the substrate. FIG. 4 is a diagram showing a configuration of a rotating drum and a drawing apparatus of the exposure apparatus of FIG. FIG. 5 is a plan view showing the arrangement of the main part of the exposure apparatus of FIG. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the branch optical system of the exposure apparatus of FIG. FIG. 7 is a diagram showing an arrangement relationship of each scanner in a plurality of drawing modules provided in the exposure apparatus of FIG. FIG. 8 is a perspective view showing the arrangement relationship between the alignment microscope, the drawing line, and the encoder head on the substrate. FIG. 9 is a perspective view showing the surface structure of the rotating drum of the exposure apparatus of FIG.

図1に示すように、露光装置EXは、マスクを用いない露光装置、いわゆるラスタースキャン式の描画露光装置(直描露光機)であり、基板Pを搬送方向に搬送しながら、描画ビームLBのスポット光を所定の走査方向に走査することで、基板Pの表面に描画を行って、所定のパターンを形成している。 As shown in FIG. 1, the exposure apparatus EX is an exposure apparatus that does not use a mask, a so-called raster scan type drawing exposure apparatus (direct drawing exposure apparatus), and is a drawing beam LB while conveying the substrate P in the conveying direction. By scanning the spot light in a predetermined scanning direction, drawing is performed on the surface of the substrate P to form a predetermined pattern.

図1に示すように、露光装置EXは、描画装置11と、基板搬送機構12と、アライメント顕微鏡AM1,AM2と、制御装置16とを備えている。描画装置11は、基板搬送機構12によって搬送される基板Pの一部分に、複数の描画モジュールUW1〜UW5によって、所定のパターンを描画する。基板搬送機構12は、前工程のプロセス装置U1から搬送される基板Pを、後工程のプロセス装置U2に所定の速度で搬送している。アライメント顕微鏡AM1,AM2は、基板P上に描画される描画パターンと基板Pとを相対的に位置合せ(アライメント)する為に、基板Pに予め形成されたアライメントマーク等を検出する。制御装置16は、露光装置EXの各部を制御し、各部に処理を実行させる。制御装置16は、デバイス製造システム1を制御する上位の制御装置の一部または全部であってもよい。また、制御装置16は、上位の制御装置に制御される、上位の制御装置とは別の装置であってもよい。制御装置16は、例えば、コンピュータを含む。 As shown in FIG. 1, the exposure apparatus EX includes a drawing apparatus 11, a substrate transport mechanism 12, alignment microscopes AM1 and AM2, and a control apparatus 16. The drawing device 11 draws a predetermined pattern on a part of the substrate P conveyed by the substrate conveying mechanism 12 by a plurality of drawing modules UW1 to UW5. The substrate transfer mechanism 12 conveys the substrate P transferred from the process device U1 in the previous process to the process device U2 in the subsequent process at a predetermined speed. The alignment microscopes AM1 and AM2 detect an alignment mark or the like formed in advance on the substrate P in order to relatively align the drawing pattern drawn on the substrate P with the substrate P. The control device 16 controls each part of the exposure apparatus EX, and causes each part to execute the process. The control device 16 may be a part or all of a higher-level control device that controls the device manufacturing system 1. Further, the control device 16 may be a device different from the upper control device, which is controlled by the upper control device. The control device 16 includes, for example, a computer.

さらに、露光装置EXは、図2に示すように描画装置11及び基板搬送機構12を支持する装置フレーム13と、装置フレーム13に支持されて、基板搬送機構12の一部でもある回転ドラムDRの回転位置(角度位置)を計測する回転位置検出機構(詳細は図4及び図8参照)14とを備えている。さらに、露光装置EX内には、描画ビームLBとしてのレーザ光(パルス光)を射出する光源装置CNTが設けられている。光源装置CNTから射出された紫外波長域の描画ビームLBは、描画装置11内で所定の光学状態に整えられると共に、光学的な走査機構によって一次元に走査されつつ、基板搬送機構12の回転ドラムDRの外周面で保持されて搬送される基板P上に所定の径のスポット光となって投射される。 Further, as shown in FIG. 2, the exposure apparatus EX is a device frame 13 that supports the drawing device 11 and the substrate transfer mechanism 12, and a rotary drum DR that is supported by the device frame 13 and is also a part of the substrate transfer mechanism 12. It is provided with a rotation position detection mechanism (see FIGS. 4 and 8 for details) 14 for measuring a rotation position (angle position). Further, a light source device CNT that emits a laser beam (pulse light) as a drawing beam LB is provided in the exposure device EX. The drawing beam LB in the ultraviolet wavelength region emitted from the light source device CNT is adjusted to a predetermined optical state in the drawing device 11, and is scanned one-dimensionally by the optical scanning mechanism while the rotating drum of the substrate transport mechanism 12. Spot light having a predetermined diameter is projected onto the substrate P which is held and conveyed on the outer peripheral surface of the DR.

図1に示す露光装置EXは、温調チャンバーEVC内に格納されている。温調チャンバーEVCは、パッシブまたはアクティブな防振ユニットSU1,SU2を介して製造工場の設置面Eに設置される。防振ユニットSU1,SU2は、設置面E上に設けられており、設置面Eからの振動を低減する。温調チャンバーEVCは、内部を所定の温度に保つことで、内部において搬送される基板Pの温度による形状変化を抑制している。 The exposure apparatus EX shown in FIG. 1 is housed in the temperature control chamber EVC. The temperature control chamber EVC is installed on the installation surface E of the manufacturing plant via the passive or active anti-vibration units SU1 and SU2. The anti-vibration units SU1 and SU2 are provided on the installation surface E to reduce vibration from the installation surface E. By keeping the inside of the temperature control chamber EVC at a predetermined temperature, the shape change of the substrate P conveyed inside is suppressed due to the temperature.

次に、図1を参照して、露光装置EXの基板搬送機構12について説明する。基板搬送機構12は、基板Pの搬送方向の上流側から順に、エッジポジションコントローラEPC、駆動ローラDR4、テンション調整ローラRT1、回転ドラムDR、テンション調整ローラRT2、駆動ローラDR6、及び駆動ローラDR7を有している。 Next, the substrate transfer mechanism 12 of the exposure apparatus EX will be described with reference to FIG. The substrate transfer mechanism 12 includes an edge position controller EPC, a drive roller DR4, a tension adjustment roller RT1, a rotary drum DR, a tension adjustment roller RT2, a drive roller DR6, and a drive roller DR7 in this order from the upstream side in the transfer direction of the substrate P. doing.

エッジポジションコントローラEPCは、プロセス装置U1から搬送される基板Pの幅方向における位置を調整する。エッジポジションコントローラEPCは、プロセス装置U1から送られる基板Pの幅方向の端部(エッジ)における位置が、目標位置に対して±十数μm〜数十μm程度の範囲に収まるように、基板Pを幅方向に移動させて、基板Pの幅方向における位置を修正する。なお、エッジポジションコントローラEPCによる基板Pの幅方向(Y方向)の位置決め精度は、露光位置(描画位置)の調整可能範囲、すなわち描画装置11がスポット光による走査位置を調整可能な範囲であることが望ましい。 The edge position controller EPC adjusts the position of the substrate P conveyed from the process apparatus U1 in the width direction. In the edge position controller EPC, the substrate P so that the position at the widthwise end (edge) of the substrate P sent from the process apparatus U1 is within the range of ± tens of μm to several tens of μm with respect to the target position. Is moved in the width direction to correct the position of the substrate P in the width direction. The positioning accuracy of the substrate P in the width direction (Y direction) by the edge position controller EPC is within an adjustable range of the exposure position (drawing position), that is, a range in which the drawing device 11 can adjust the scanning position by the spot light. Is desirable.

駆動ローラDR4は、エッジポジションコントローラEPCから搬送される基板Pの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Pを搬送方向の下流側に送り出すことで、基板Pを回転ドラムDRへ向けて搬送する。回転ドラムDRは、基板P上でパターン露光される部分を円筒面状に支持しつつ、Y方向に延びる回転中心線AX2を中心として、回転中心線AX2の回りに回転することで、基板Pを搬送する。このような回転ドラムDRを回転中心線AX2の回りに回転させる為に、回転ドラムDRの両側には回転中心線AX2と同軸のシャフト部Sf2が設けられる。このシャフト部Sf2には、不図示の駆動源(モータや減速ギア機構等)からの回転トルクが与えられる。なお、回転中心線AX2を通り、Z方向に延びる面は、中心面p3となっている。2組のテンション調整ローラRT1,RT2は、回転ドラムDRに巻き付けられて支持される基板Pに、所定のテンションを与えている。2組の駆動ローラDR6,DR7は、基板Pの搬送方向に所定の間隔を空けて配置されており、露光後の基板Pに所定のたるみ(あそび)DLを与えている。駆動ローラDR6は、搬送される基板Pの上流側を挟持して回転し、駆動ローラDR7は、搬送される基板Pの下流側を挟持して回転することで、基板Pをプロセス装置U2へ向けて搬送する。このとき、基板Pは、たるみDLが与えられているため、駆動ローラDR6よりも搬送方向の下流側において生ずる基板Pの搬送速度の変動を吸収でき、搬送速度の変動による基板Pへの露光処理の影響を縁切りすることができる。 The drive roller DR4 rotates while sandwiching both the front and back surfaces of the substrate P conveyed from the edge position controller EPC, and sends the substrate P to the downstream side in the conveying direction to convey the substrate P toward the rotating drum DR. The rotary drum DR supports the portion exposed to the pattern on the substrate P in a cylindrical surface shape, and rotates the substrate P around the rotation center line AX2 extending in the Y direction. Transport. In order to rotate such a rotating drum DR around the rotating center line AX2, shaft portions Sf2 coaxial with the rotating center line AX2 are provided on both sides of the rotating drum DR. Rotational torque from a drive source (motor, reduction gear mechanism, etc.) (not shown) is applied to the shaft portion Sf2. The surface extending in the Z direction through the rotation center line AX2 is the center surface p3. The two sets of tension adjusting rollers RT1 and RT2 apply a predetermined tension to the substrate P which is wound around and supported by the rotating drum DR. The two sets of drive rollers DR6 and DR7 are arranged at predetermined intervals in the transport direction of the substrate P, and give a predetermined slack (play) DL to the substrate P after exposure. The drive roller DR6 rotates by sandwiching the upstream side of the substrate P to be conveyed, and the drive roller DR7 rotates by sandwiching the downstream side of the substrate P to be conveyed, thereby directing the substrate P toward the process device U2. And transport. At this time, since the substrate P is provided with the slack DL, it is possible to absorb the fluctuation of the transport speed of the substrate P that occurs on the downstream side in the transport direction from the drive roller DR6, and the exposure process to the substrate P due to the fluctuation of the transport speed. The influence of can be cut off.

従って、基板搬送機構12は、プロセス装置U1から搬送されてきた基板Pを、エッジポジションコントローラEPCによって幅方向における位置を調整する。基板搬送機構12は、幅方向の位置が調整された基板Pを、駆動ローラDR4によりテンション調整ローラRT1に搬送し、テンション調整ローラRT1を通過した基板Pを、回転ドラムDRに搬送する。これにより、基板Pは長尺方向に所定のテンションを与えられた状態で、回転ドラムDRの外周面に密着して支持される。基板搬送機構12は、回転ドラムDRを回転させることで、回転ドラムDRに支持される基板Pを、テンション調整ローラRT2へ向けて搬送する。基板搬送機構12は、テンション調整ローラRT2に搬送された基板Pを、駆動ローラDR6に搬送し、駆動ローラDR6に搬送されたた基板Pを、駆動ローラDR7に搬送する。そして、基板搬送機構12は、駆動ローラDR6及び駆動ローラDR7により、基板PにたるみDLを与えながら、基板Pをプロセス装置U2へ向けて搬送する。 Therefore, the substrate transfer mechanism 12 adjusts the position of the substrate P conveyed from the process device U1 in the width direction by the edge position controller EPC. The substrate transfer mechanism 12 conveys the substrate P whose position in the width direction has been adjusted to the tension adjustment roller RT1 by the drive roller DR4, and conveys the substrate P that has passed through the tension adjustment roller RT1 to the rotary drum DR. As a result, the substrate P is closely supported on the outer peripheral surface of the rotary drum DR in a state where a predetermined tension is applied in the longitudinal direction. By rotating the rotary drum DR, the substrate transport mechanism 12 transports the substrate P supported by the rotary drum DR toward the tension adjusting roller RT2. The substrate transfer mechanism 12 conveys the substrate P conveyed to the tension adjusting roller RT2 to the drive roller DR6, and conveys the substrate P conveyed to the drive roller DR6 to the drive roller DR7. Then, the substrate transport mechanism 12 transports the substrate P toward the process device U2 while giving the substrate P a slack DL by the drive roller DR6 and the drive roller DR7.

次に、図2を参照して、露光装置EXの装置フレーム13について説明する。図2は、図1の露光装置の主要部の配置を示す斜視図である。図2では、X方向、Y方向及びZ方向が直交する直交座標系となっており、図1と同様の直交座標系となっている。露光装置EXは、図1に示す描画装置11と、基板搬送機構12の回転ドラムDRとを支持する装置フレーム13を備えている。 Next, the apparatus frame 13 of the exposure apparatus EX will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a perspective view showing the arrangement of the main part of the exposure apparatus of FIG. FIG. 2 is an orthogonal coordinate system in which the X, Y, and Z directions are orthogonal to each other, and is the same Cartesian coordinate system as in FIG. The exposure apparatus EX includes an apparatus frame 13 that supports the drawing apparatus 11 shown in FIG. 1 and the rotating drum DR of the substrate transport mechanism 12.

図2に示す装置フレーム13は、Z方向の下方側から順に、本体フレーム21と、三点座支持部22と、第1光学定盤23と、回転機構24と、第2光学定盤25とを有している。本体フレーム21は、図1に示したように、防振ユニットSU1,SU2を介して設置面E上に設置されている。本体フレーム21は、回転ドラムDR及びテンション調整ローラRT1(不図示),RT2を回転可能に支持している。第1光学定盤23は、回転ドラムDRの鉛直方向の上方側に設けられ、三点座支持部22を介して本体フレーム21に設置されている。三点座支持部22は、第1光学定盤23を3つの支持点(鋼球とV溝による)でキネマチックに支持しており、各支持点におけるZ方向を調整可能となっている。このため、三点座支持部22は、第1光学定盤23の盤面のZ方向の高さや水平面に対する傾きを調整できる。なお、装置フレーム13の組み立て時において、本体フレーム21と三点座支持部22との間は、XY面内において、X方向及びY方向における位置を調整可能となっている。一方で、装置フレーム13の組み立て後において、本体フレーム21と三点座支持部22との間は固定された状態(リジットな状態)となる。但し、メンテナンス時のキャリブレーション等の際には、必要に応じて、三点座支持部22を本体フレーム21上でXY方向に微動できる構造としておくのが良い。 The device frame 13 shown in FIG. 2 includes a main body frame 21, a three-point seat support portion 22, a first optical surface plate 23, a rotation mechanism 24, and a second optical surface plate 25 in this order from the lower side in the Z direction. have. As shown in FIG. 1, the main body frame 21 is installed on the installation surface E via the anti-vibration units SU1 and SU2. The main body frame 21 rotatably supports the rotating drum DR and the tension adjusting rollers RT1 (not shown) and RT2. The first optical surface plate 23 is provided on the upper side of the rotating drum DR in the vertical direction, and is installed on the main body frame 21 via the three-point seat support portion 22. The three-point seat support portion 22 kinematically supports the first optical surface plate 23 at three support points (by steel balls and V-grooves), and the Z direction at each support point can be adjusted. Therefore, the three-point seat support portion 22 can adjust the height of the plate surface of the first optical surface plate 23 in the Z direction and the inclination with respect to the horizontal plane. At the time of assembling the device frame 13, the positions of the main body frame 21 and the three-point seat support portion 22 in the XY plane in the X direction and the Y direction can be adjusted. On the other hand, after the device frame 13 is assembled, the main body frame 21 and the three-point seat support portion 22 are in a fixed state (rigid state). However, at the time of calibration at the time of maintenance or the like, it is preferable to have a structure in which the three-point seat support portion 22 can be finely moved in the XY directions on the main body frame 21 as needed.

第2光学定盤25は、第1光学定盤23の鉛直方向(Z方向)の上方側に設けられ、回転機構24を介して第1光学定盤23に設置されている。第2光学定盤25は、その盤面が第1光学定盤23の盤面と平行になっている。第2光学定盤25には、描画装置11の複数(本実施形態では5つ)の描画モジュールUW1〜UW5が設置される。回転機構24は、第1光学定盤23及び第2光学定盤25のそれぞれの盤面を平行に保った状態で、Z方向に延びる所定の回転軸I(回転中心線とも呼ぶ)を中心に、第1光学定盤23に対して第2光学定盤25を精密に微少回転させる構造を有する。この回転軸Iは、図1中の中心面p3内においてZ方向に延在するとともに、回転ドラムDRに巻き付けられた基板Pの表面(円周面に倣って湾曲した描画面)内の所定点を通っている(図3参照)。そして、回転機構24は、第1光学定盤23に対して第2光学定盤25を回転させることで、回転ドラムDR、又は回転ドラムDRに巻き付けられた基板Pに対する複数の描画モジュールUW1〜UW5全体のXY面内での角度位置を精密に調整することができる。 The second optical surface plate 25 is provided on the upper side of the first optical surface plate 23 in the vertical direction (Z direction), and is installed on the first optical surface plate 23 via the rotation mechanism 24. The surface plate of the second optical surface plate 25 is parallel to the surface plate of the first optical surface plate 23. A plurality of drawing modules UW1 to UW5 (five in this embodiment) of the drawing device 11 are installed on the second optical surface plate 25. The rotation mechanism 24 is centered on a predetermined rotation axis I (also referred to as a rotation center line) extending in the Z direction while keeping the surface plates of the first optical surface plate 23 and the second optical surface plate 25 parallel to each other. It has a structure in which the second optical surface plate 25 is precisely rotated slightly with respect to the first optical surface plate 23. The rotation axis I extends in the Z direction in the central surface p3 in FIG. 1, and is a predetermined point in the surface (drawing surface curved according to the circumferential surface) of the substrate P wound around the rotating drum DR. It passes through (see Fig. 3). Then, the rotation mechanism 24 rotates the second optical surface plate 25 with respect to the first optical surface plate 23 to rotate the rotating drum DR or the plurality of drawing modules UW1 to UW5 for the substrate P wound around the rotating drum DR. The angular position in the entire XY plane can be precisely adjusted.

回転機構24は、描画モジュールUW1〜UW5の最も回転ドラムDR側の部分を取り囲むような内径で、第1光学定盤23の上面側と第2光学定盤25の下面側の各々に対向配置されるリング状台座と、このリング状台座の間に転動可能に設けられるベアリングボール(コロ)等で構成される。 The rotation mechanism 24 has an inner diameter that surrounds the most rotating drum DR side portion of the drawing modules UW1 to UW5, and is arranged to face each of the upper surface side of the first optical surface plate 23 and the lower surface side of the second optical surface plate 25. It is composed of a ring-shaped pedestal and a bearing ball (roller) or the like that is rotatably provided between the ring-shaped pedestals.

続いて、図1、図4、図5に示す光源装置CNTについて説明する。光源装置CNTは、装置フレーム13の本体フレーム21上に設置されている。光源装置CNTから射出される描画ビームLB用のレーザ光は、基板P上の感光性機能層の露光に適した所定の波長域の光であって、光活性作用の強い紫外域に設定される。光源としては、例えば、YAGの第三高調波レーザ光(波長355nm)で、連続発振または50〜100MHz程度の周波数でパルス発振するレーザ光等のレーザ光源が利用できる。 Subsequently, the light source device CNTs shown in FIGS. 1, 4, and 5 will be described. The light source device CNT is installed on the main body frame 21 of the device frame 13. The laser beam for the drawing beam LB emitted from the light source device CNT is light in a predetermined wavelength range suitable for exposure of the photosensitive functional layer on the substrate P, and is set in an ultraviolet region having a strong photoactive action. .. As the light source, for example, a laser light source such as a laser light that continuously oscillates with YAG's third harmonic laser light (wavelength 355 nm) or pulse oscillates at a frequency of about 50 to 100 MHz can be used.

紫外域の高出力レーザ光源として、代表的には、KrF、ArF、XeCL等の気体をレーザ媒体とするエキシマレーザが知られている。その他、波長450nm以下の紫外域に発振ピークを有するレーザーダイオード、発光ダイオード(LED)等の固体光源を用いることも可能である。本実施形態では、一例として、国際公開番号WO1999/046835、或いは国際公開番号WO2001/020733に開示されたように、ファイバー増幅器と非線形光学素子を用いて、長波長光を射出する固体光源からの光(赤外域のパルス光)を、波長355nmの紫外線パルス光(発光時間が数ピコ秒程度)に変換するレーザ光源を使うものとする。 As a high-power laser light source in the ultraviolet region, an excimer laser using a gas such as KrF, ArF, or XeCL as a laser medium is typically known. In addition, it is also possible to use a solid-state light source such as a laser diode or a light emitting diode (LED) having an oscillation peak in the ultraviolet region having a wavelength of 450 nm or less. In the present embodiment, as an example, as disclosed in International Publication No. WO1999 / 046835 or International Publication No. WO2001 / 020733, light from a solid-state light source that emits long-wavelength light by using a fiber amplifier and a nonlinear optical element. It is assumed that a laser light source that converts (pulse light in the infrared region) into ultraviolet pulsed light having a wavelength of 355 nm (emission time is about several picoseconds) is used.

そのような光源装置CNTから射出された描画ビームLBは、図4、図5に示されるように、多数の偏光ビームスプリッタやミラー等を含むビーム分配系を介して、5つの描画モジュールUW1〜UW5の各々に導かれる。描画ビームLBは、偏光ビームスプリッタにおける描画ビームLBの透過や反射により生じるエネルギーロスを抑制すべく、偏光ビームスプリッタにおいてほぼ全て反射、またはほぼすべて透過するような偏光状態にすることが好ましい。 As shown in FIGS. 4 and 5, the drawing beam LB emitted from such a light source device CNT is subjected to five drawing modules UW1 to UW5 via a beam distribution system including a large number of polarizing beam splitters and mirrors. Guided to each of. The drawing beam LB is preferably in a polarized state in which almost all of the drawing beam LB is reflected or almost completely transmitted by the polarizing beam splitter in order to suppress energy loss caused by transmission or reflection of the drawing beam LB in the polarizing beam splitter.

次に、露光装置EXの描画装置11について説明する。描画装置11は、複数の描画モジュール(描画ヘッドとも呼ぶ)UW1〜UW5を用いた、いわゆるマルチビーム型(マルチヘッド型とも呼ぶ)の描画装置11となっている。この描画装置11は、光源装置CNTから射出された描画ビームLBを複数に分岐させ、分岐させた複数の描画ビームLBによるスポット光を、基板P上の複数(第1実施形態では例えば5つ)の描画ラインLL1〜LL5に沿ってそれぞれ走査させている。そして、描画装置11は、複数の描画ラインLL1〜LL5の各々によって基板P上に描画されるパターン同士を、基板Pの幅方向に継ぎ合わせている。先ず、図3を参照して、描画装置11により複数の描画ビームLBを走査することで基板P上に形成される複数の描画ラインLL1〜LL5について説明する。 Next, the drawing apparatus 11 of the exposure apparatus EX will be described. The drawing device 11 is a so-called multi-beam type (also referred to as a multi-head type) drawing device 11 using a plurality of drawing modules (also referred to as drawing heads) UW1 to UW5. The drawing device 11 branches the drawing beam LB emitted from the light source device CNT into a plurality of pieces, and causes a plurality of spot lights generated by the branched drawing beam LBs on the substrate P (for example, five in the first embodiment). The drawing lines LL1 to LL5 of the above are scanned. Then, the drawing device 11 joins the patterns drawn on the substrate P by each of the plurality of drawing lines LL1 to LL5 in the width direction of the substrate P. First, with reference to FIG. 3, a plurality of drawing lines LL1 to LL5 formed on the substrate P by scanning a plurality of drawing beams LB by the drawing device 11 will be described.

図3に示すように、複数の描画ラインLL1〜LL5は、中心面p3を挟んで回転ドラムDRの周方向に2列に配置される。回転ドラムDRの回転方向の上流側の基板P上には、奇数番の第1描画ラインLL1、第3描画ラインLL3及び第5描画ラインLL5が配置される。回転ドラムDRの回転方向の下流側の基板P上には、偶数番の第2描画ラインLL2及び第4描画ラインLL4が配置される。 As shown in FIG. 3, the plurality of drawing lines LL1 to LL5 are arranged in two rows in the circumferential direction of the rotating drum DR with the central surface p3 interposed therebetween. An odd-numbered first drawing line LL1, a third drawing line LL3, and a fifth drawing line LL5 are arranged on the substrate P on the upstream side in the rotation direction of the rotating drum DR. An even-numbered second drawing line LL2 and a fourth drawing line LL4 are arranged on the substrate P on the downstream side in the rotation direction of the rotating drum DR.

各描画ラインLL1〜LL5は、基板Pの幅方向(Y方向)、つまり回転ドラムDRの回転中心線AX2に沿って形成されており、幅方向における基板Pの長さよりも短くなっている。より厳密には、各描画ラインLL1〜LL5は、基板搬送機構12により基準速度で基板Pを搬送したときに、複数の描画ラインLL1〜LL5により得られるパターンの継ぎ誤差が最小となるように、回転ドラムDRの回転中心線AX2に対し、所定の角度分だけ傾けられる。 Each drawing line LL1 to LL5 is formed in the width direction (Y direction) of the substrate P, that is, along the rotation center line AX2 of the rotating drum DR, and is shorter than the length of the substrate P in the width direction. Strictly speaking, each drawing line LL1 to LL5 minimizes the pattern splicing error obtained by the plurality of drawing lines LL1 to LL5 when the substrate P is conveyed by the substrate conveying mechanism 12 at a reference speed. It is tilted by a predetermined angle with respect to the rotation center line AX2 of the rotating drum DR.

奇数番の第1描画ラインLL1、第3描画ラインLL3及び第5描画ラインLL5は、回転ドラムDRの軸方向に、所定の間隔を空けて配置されている。また、偶数番の第2描画ラインLL2及び第4描画ラインLL4は、回転ドラムDRの軸方向に、所定の間隔を空けて配置されている。このとき、第2描画ラインLL2は、軸方向において、第1描画ラインLL1と第3描画ラインLL3との間に配置される。同様に、第3描画ラインLL3は、軸方向において、第2描画ラインLL2と第4描画ラインLL4との間に配置される。第4描画ラインLL4は、軸方向において、第3描画ラインLL3と第5描画ラインLL5との間に配置される。そして、第1〜第5描画ラインLL1〜LL5は、基板P上に描画される露光領域A7のY方向の全幅をカバーするように、配置されている。 The odd-numbered first drawing line LL1, the third drawing line LL3, and the fifth drawing line LL5 are arranged at predetermined intervals in the axial direction of the rotating drum DR. Further, the even-numbered second drawing line LL2 and the fourth drawing line LL4 are arranged at predetermined intervals in the axial direction of the rotating drum DR. At this time, the second drawing line LL2 is arranged between the first drawing line LL1 and the third drawing line LL3 in the axial direction. Similarly, the third drawing line LL3 is arranged between the second drawing line LL2 and the fourth drawing line LL4 in the axial direction. The fourth drawing line LL4 is arranged between the third drawing line LL3 and the fifth drawing line LL5 in the axial direction. The first to fifth drawing lines LL1 to LL5 are arranged so as to cover the entire width of the exposure region A7 drawn on the substrate P in the Y direction.

奇数番の第1描画ラインLL1、第3描画ラインLL3及び第5描画ラインLL5に沿って走査される描画ビームLBの走査方向(主走査方向)は、一次元の方向となっており、同じ方向となっている。また、偶数番の第2描画ラインLL2及び第4描画ラインLL4に沿って走査される描画ビームLBの走査方向は、一次元の方向となっており、同じ方向となっている。このとき、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5に沿って走査される描画ビームLBの走査方向と、偶数番の描画ラインLL2,LL4に沿って走査される描画ビームLBの走査方向とは、同じ方向となっている。このため、基板Pの搬送方向から見て、奇数番の描画ラインLL3,LL5の描画開始位置(スポット光の走査開始点)と、偶数番の描画ラインLL2,LL4の描画終了位置(スポット光の走査終了点)とは隣接(Y方向に関して一致、或いは一部重複)し、同様に、奇数番の描画ラインLL1,LL3の描画終了位置と、偶数番の描画ラインLL2,LL4の描画開始位置とは隣接(Y方向に関して一致、或いは一部重複)する。 The scanning direction (main scanning direction) of the drawing beam LB scanned along the odd-numbered first drawing line LL1, the third drawing line LL3, and the fifth drawing line LL5 is a one-dimensional direction and is the same direction. It has become. Further, the scanning direction of the drawing beam LB scanned along the even-numbered second drawing line LL2 and the fourth drawing line LL4 is a one-dimensional direction, which is the same direction. At this time, the scanning direction of the drawing beam LB scanned along the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 and the scanning direction of the drawing beam LB scanned along the even-numbered drawing lines LL2, LL4 are different. It is in the same direction. Therefore, when viewed from the transport direction of the substrate P, the drawing start positions of the odd-numbered drawing lines LL3 and LL5 (spot light scanning start points) and the drawing end positions of the even-numbered drawing lines LL2 and LL4 (spot light). (Scanning end point) is adjacent (matches or partially overlaps in the Y direction), and similarly, the drawing end positions of the odd-numbered drawing lines LL1 and LL3 and the drawing start positions of the even-numbered drawing lines LL2 and LL4. Are adjacent (matched or partially overlapped in the Y direction).

次に、図4から図7を参照して、描画装置11について説明する。描画装置11は、上記した複数の描画モジュールUW1〜UW5と、光源装置CNTからの描画ビームLBを分岐する分岐光学系(又はビーム分配系とも呼ぶ)SLと、キャリブレーションを行う為のキャリブレーション検出系31とを有する。 Next, the drawing apparatus 11 will be described with reference to FIGS. 4 to 7. The drawing device 11 includes the plurality of drawing modules UW1 to UW5 described above, a branch optical system (also referred to as a beam distribution system) SL that branches the drawing beam LB from the light source device CNT, and calibration detection for performing calibration. It has a system 31 and.

分岐光学系SLは、光源装置CNTから射出された描画ビームLBを複数に分岐し、分岐した複数の描画ビームLBを複数の描画モジュールUW1〜UW5へ向けて導いている。分岐光学系SLは、光源装置CNTから射出された描画ビームLBを2つに分岐する第1光学系41と、第1光学系41により分岐された一方の描画ビームLBが照射される第2光学系42と、第1光学系41により分岐された他方の描画ビームLBが照射される第3光学系43とを有する。また、分岐光学系SLは、第1光学系41内の分岐前のビームLBをビーム軸と垂直な面内で2次元的にシフトさせるXY全体ハービング調整機構44と、第3光学系43内でのビームLBをビーム軸と垂直な面内で2次元的にシフトさせるXY片側ハービング調整機構45とを含んでいる。分岐光学系SLは、光源装置CNT側の一部が本体フレーム21に設置される一方で、描画モジュールUW1〜UW5側の他の一部が第2光学定盤25に設置されている。 The branched optical system SL branches the drawing beam LB emitted from the light source device CNT into a plurality of branches, and guides the plurality of branched drawing beam LBs toward the plurality of drawing modules UW1 to UW5. The branched optical system SL includes a first optical system 41 that branches the drawing beam LB emitted from the light source device CNT into two, and a second optical system that is irradiated with one of the drawing beam LBs branched by the first optical system 41. It has a system 42 and a third optical system 43 to which the other drawing beam LB branched by the first optical system 41 is irradiated. Further, the branched optical system SL includes an XY overall harbing adjustment mechanism 44 that two-dimensionally shifts the beam LB before branching in the first optical system 41 in a plane perpendicular to the beam axis, and the third optical system 43. Includes an XY one-sided harbing adjustment mechanism 45 that two-dimensionally shifts the beam LB of the above in a plane perpendicular to the beam axis. In the branched optical system SL, a part on the CNT side of the light source device is installed on the main body frame 21, while another part on the drawing modules UW1 to UW5 side is installed on the second optical surface plate 25.

第1光学系41は、1/2波長板51と、偏光ビームスプリッタ52と、ビームディフューザ53と、第1反射ミラー54と、第1リレーレンズ55と、第2リレーレンズ56と、第2反射ミラー57と、第3反射ミラー58と、第4反射ミラー59と、第1ビームスプリッタ60とを有する。 The first optical system 41 includes a 1/2 wavelength plate 51, a polarization beam splitter 52, a beam diffuser 53, a first reflection mirror 54, a first relay lens 55, a second relay lens 56, and a second reflection. It has a mirror 57, a third reflection mirror 58, a fourth reflection mirror 59, and a first beam splitter 60.

光源装置CNTから+X方向に射出された描画ビームLBは、1/2波長板51に照射される。1/2波長板51は、描画ビームLBの照射面内において回転可能となっている。1/2波長板51に照射された描画ビームLBは、その偏光方向が、1/2波長板51の回転量に応じた所定の偏光方向となる。1/2波長板51を通過した描画ビームLBは、偏光ビームスプリッタ52に照射される。偏光ビームスプリッタ52は、所定の偏光方向となる描画ビームLBを透過する一方で、所定の偏光方向以外の描画ビームLBを+Y方向に反射する。このため、偏光ビームスプリッタ52で反射される描画ビームLBは、1/2波長板51を通過していることから、1/2波長板51及び偏光ビームスプリッタ52の協働によって、描画ビームLBのビーム強度が調整される。つまり、1/2波長板51を回転させ、描画ビームLBの偏光方向を変化させることで、偏光ビームスプリッタ52で反射される描画ビームLBのビーム強度を調整することができる。 The drawing beam LB emitted from the light source device CNT in the + X direction irradiates the 1/2 wavelength plate 51. The 1/2 wavelength plate 51 is rotatable in the irradiation surface of the drawing beam LB. The polarization direction of the drawing beam LB irradiated on the 1/2 wavelength plate 51 is a predetermined polarization direction according to the amount of rotation of the 1/2 wavelength plate 51. The drawing beam LB that has passed through the 1/2 wavelength plate 51 is applied to the polarization beam splitter 52. The polarization beam splitter 52 transmits the drawing beam LB in a predetermined polarization direction, and reflects the drawing beam LB other than the predetermined polarization direction in the + Y direction. Therefore, since the drawing beam LB reflected by the polarizing beam splitter 52 passes through the 1/2 wavelength plate 51, the drawing beam LB is combined with the 1/2 wavelength plate 51 and the polarizing beam splitter 52. The beam intensity is adjusted. That is, the beam intensity of the drawing beam LB reflected by the polarizing beam splitter 52 can be adjusted by rotating the 1/2 wave plate 51 and changing the polarization direction of the drawing beam LB.

偏光ビームスプリッタ52を透過した描画ビームLBは、ビームディフューザ53によって吸収され、ビームディフューザ53に照射される描画ビームLBの外部への漏れを抑制している。偏光ビームスプリッタ52で+Y方向に反射された描画ビームLBは、第1反射ミラー54に照射される。第1反射ミラー54に照射された描画ビームLBは、第1反射ミラー54により+X方向に反射され、第1リレーレンズ55及び第2リレーレンズ56を介して、第2反射ミラー57に照射される。第2反射ミラー57に照射された描画ビームLBは、第2反射ミラー57により−Y方向に反射されて、第3反射ミラー58に照射される。第3反射ミラー58に照射された描画ビームLBは、第3反射ミラー58により−Z方向に反射されて、第4反射ミラー59に照射される。第4反射ミラー59に照射された描画ビームLBは、第4反射ミラー59により+Y方向に反射されて、第1ビームスプリッタ60に照射される。第1ビームスプリッタ60に照射された描画ビームLBは、その一部が−X方向に反射されて第2光学系42に照射される一方で、その他の一部が透過して第3光学系43に照射される。 The drawing beam LB that has passed through the polarizing beam splitter 52 is absorbed by the beam diffuser 53 and suppresses leakage of the drawing beam LB that irradiates the beam diffuser 53 to the outside. The drawing beam LB reflected in the + Y direction by the polarizing beam splitter 52 is irradiated to the first reflection mirror 54. The drawing beam LB irradiated on the first reflection mirror 54 is reflected in the + X direction by the first reflection mirror 54, and is irradiated on the second reflection mirror 57 via the first relay lens 55 and the second relay lens 56. .. The drawing beam LB irradiated on the second reflection mirror 57 is reflected in the −Y direction by the second reflection mirror 57 and is irradiated on the third reflection mirror 58. The drawing beam LB irradiated on the third reflection mirror 58 is reflected by the third reflection mirror 58 in the −Z direction and is irradiated on the fourth reflection mirror 59. The drawing beam LB irradiated on the fourth reflection mirror 59 is reflected in the + Y direction by the fourth reflection mirror 59 and is irradiated on the first beam splitter 60. A part of the drawing beam LB irradiated to the first beam splitter 60 is reflected in the −X direction and irradiated to the second optical system 42, while the other part is transmitted and transmitted to the third optical system 43. Is irradiated to.

第3反射ミラー58と第4反射ミラー59とは、回転機構24の回転軸I上において所定の間隔を空けて設けられている。また、第3反射ミラー58を含む光源装置CNTまでの構成(図4のZ方向の上方側において二点鎖線で囲んだ部分)は、本体フレーム21側に設置され、第4反射ミラー59を含む複数の描画モジュールUW1〜UW5までの構成(図4のZ方向の下方側において二点鎖線で囲んだ部分)は、第2光学定盤25側に設置される。このため、回転機構24により第1光学定盤23に対して第2光学定盤25が回転しても、回転軸I上に第3反射ミラー58と第4反射ミラー59とが設けられているため、描画ビームLBの光路が変更されることがない。よって、回転機構24により第1光学定盤23に対して第2光学定盤25が回転しても、本体フレーム21側に設置された光源装置CNTから射出される描画ビームLBは、第2光学定盤25側に設置された複数の描画モジュールUW1〜UW5の各々へ好適に案内される。 The third reflection mirror 58 and the fourth reflection mirror 59 are provided at a predetermined distance on the rotation axis I of the rotation mechanism 24. Further, the configuration up to the light source device CNT including the third reflection mirror 58 (the portion surrounded by the alternate long and short dash line on the upper side in the Z direction in FIG. 4) is installed on the main body frame 21 side and includes the fourth reflection mirror 59. The configuration of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 (the portion surrounded by the alternate long and short dash line on the lower side in the Z direction in FIG. 4) is installed on the second optical surface plate 25 side. Therefore, even if the second optical surface plate 25 is rotated with respect to the first optical surface plate 23 by the rotation mechanism 24, the third reflection mirror 58 and the fourth reflection mirror 59 are provided on the rotation axis I. Therefore, the optical path of the drawing beam LB is not changed. Therefore, even if the second optical surface plate 25 is rotated with respect to the first optical surface plate 23 by the rotation mechanism 24, the drawing beam LB emitted from the light source device CNT installed on the main body frame 21 side is the second optical. It is suitably guided to each of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 installed on the surface plate 25 side.

第2光学系42は、第1光学系41で分岐された一方の描画ビームLBを、後述する奇数番の描画モジュールUW1,UW3,UW5へ向けて分岐して導いている。第2光学系42は、第5反射ミラー61と、第2ビームスプリッタ62と、第3ビームスプリッタ63と、第6反射ミラー64とを有する。 The second optical system 42 branches and guides one of the drawing beams LB branched by the first optical system 41 toward the odd-numbered drawing modules UW1, UW3, and UW5, which will be described later. The second optical system 42 includes a fifth reflection mirror 61, a second beam splitter 62, a third beam splitter 63, and a sixth reflection mirror 64.

第1光学系41の第1ビームスプリッタ60で−X方向に反射された描画ビームLBは、第5反射ミラー61に照射される。第5反射ミラー61に照射された描画ビームLBは、第5反射ミラー61により−Y方向に反射されて、第2ビームスプリッタ62に照射される。第2ビームスプリッタ62に照射された描画ビームLBは、その一部が反射されて、奇数番の1つの描画モジュールUW5に照射される(図5、図6参照)。第2ビームスプリッタ62に照射された描画ビームLBは、その他の一部が透過して、第3ビームスプリッタ63に照射される。第3ビームスプリッタ63に照射された描画ビームLBは、その一部が反射されて、奇数番の1つの描画モジュールUW3に照射される(図5、図6参照)。第3ビームスプリッタ63に照射された描画ビームLBは、その他の一部が透過して、第6反射ミラー64に照射される。第6反射ミラー64に照射された描画ビームLBは、第6反射ミラー64により反射されて、奇数番の1つの描画モジュールUW1に照射される(図5、図6参照)。なお、第2光学系42において、奇数番の描画モジュールUW1,UW3,UW5に照射される描画ビームLBは、−Z方向に対して僅かに斜めとなっている。 The drawing beam LB reflected in the −X direction by the first beam splitter 60 of the first optical system 41 is irradiated to the fifth reflection mirror 61. The drawing beam LB irradiated on the fifth reflection mirror 61 is reflected in the −Y direction by the fifth reflection mirror 61 and is irradiated on the second beam splitter 62. A part of the drawing beam LB irradiated to the second beam splitter 62 is reflected and irradiated to one odd-numbered drawing module UW5 (see FIGS. 5 and 6). The drawing beam LB irradiated to the second beam splitter 62 is transmitted to the third beam splitter 63 through the other part. A part of the drawing beam LB irradiated to the third beam splitter 63 is reflected and irradiated to one odd-numbered drawing module UW3 (see FIGS. 5 and 6). The drawing beam LB irradiated to the third beam splitter 63 passes through the other part and is irradiated to the sixth reflection mirror 64. The drawing beam LB irradiated on the sixth reflection mirror 64 is reflected by the sixth reflection mirror 64 and is irradiated on one odd-numbered drawing module UW1 (see FIGS. 5 and 6). In the second optical system 42, the drawing beam LB irradiated on the odd-numbered drawing modules UW1, UW3, and UW5 is slightly oblique with respect to the −Z direction.

第3光学系43は、第1光学系41で分岐された他方の描画ビームLBを、後述する偶数番の描画モジュールUW2,UW4へ向けて分岐して導いている。第3光学系43は、第7反射ミラー71と、第8反射ミラー72と、第4ビームスプリッタ73と、第9反射ミラー74とを有する。 The third optical system 43 branches and guides the other drawing beam LB branched by the first optical system 41 toward the even-numbered drawing modules UW2 and UW4, which will be described later. The third optical system 43 includes a seventh reflection mirror 71, an eighth reflection mirror 72, a fourth beam splitter 73, and a ninth reflection mirror 74.

第1光学系41の第1ビームスプリッタ60でY方向に透過した描画ビームLBは、第7反射ミラー71に照射される。第7反射ミラー71に照射された描画ビームLBは、第7反射ミラー71によりX方向に反射されて、第8反射ミラー72に照射される。第8反射ミラー72に照射された描画ビームLBは、第8反射ミラー72により−Y方向に反射されて、第4ビームスプリッタ73に照射される。第4ビームスプリッタ73に照射された描画ビームLBは、その一部が反射されて、偶数番の1つの描画モジュールUW4に照射される(図5、図6参照)。第4ビームスプリッタ73に照射された描画ビームLBは、その他の一部が透過して、第9反射ミラー74に照射される。第9反射ミラー74に照射された描画ビームLBは、第9反射ミラー74により反射されて、偶数番の1つの描画モジュールUW2に照射される。なお、第3光学系43においても、偶数番の描画モジュールUW2,UW4に照射される描画ビームLBは、−Z方向に対して僅かに斜めとなっている。 The drawing beam LB transmitted in the Y direction by the first beam splitter 60 of the first optical system 41 is irradiated to the seventh reflection mirror 71. The drawing beam LB irradiated on the seventh reflection mirror 71 is reflected in the X direction by the seventh reflection mirror 71 and is irradiated on the eighth reflection mirror 72. The drawing beam LB irradiated on the eighth reflection mirror 72 is reflected in the −Y direction by the eighth reflection mirror 72 and is irradiated on the fourth beam splitter 73. A part of the drawing beam LB irradiated to the fourth beam splitter 73 is reflected and irradiated to one even-numbered drawing module UW4 (see FIGS. 5 and 6). The drawing beam LB irradiated to the fourth beam splitter 73 passes through the other part and is irradiated to the ninth reflection mirror 74. The drawing beam LB irradiated on the ninth reflection mirror 74 is reflected by the ninth reflection mirror 74 and is irradiated on one even-numbered drawing module UW2. Also in the third optical system 43, the drawing beam LB irradiated on the even-numbered drawing modules UW2 and UW4 is slightly oblique with respect to the −Z direction.

このように、分岐光学系SLでは、複数の描画モジュールUW1〜UW5へ向けて、光源装置CNTからの描画ビームLBを複数に分岐させている。このとき、第1ビームスプリッタ60、第2ビームスプリッタ62、第3ビームスプリッタ63及び第4ビームスプリッタ73は、複数の描画モジュールUW1〜UW5に照射される描画ビームLBのビーム強度が同じ強度となるように、その反射率(透過率)を、描画ビームLBの分岐数に応じて適切な反射率としている。 As described above, in the branching optical system SL, the drawing beam LB from the light source device CNT is branched into a plurality of drawing modules UW1 to UW5. At this time, the first beam splitter 60, the second beam splitter 62, the third beam splitter 63, and the fourth beam splitter 73 have the same beam intensity of the drawing beams LB irradiated to the plurality of drawing modules UW1 to UW5. As described above, the reflectance (transmittance) is set to an appropriate reflectance according to the number of branches of the drawing beam LB.

XY全体ハービング調整機構44は、図6のように、第2リレーレンズ56と第2反射ミラー57との間に配置されている。XY全体ハービング調整機構44は、第1ビームスプリッタ60に入射するビームLBをビーム軸と垂直な面内で2次元に微小シフトさせて、特に第2光学系42を通るビームの位置を調整する。XY全体ハービング調整機構44は、図6のXZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスと、図6のYZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスとで構成される。その2枚の平行平板ガラスの各傾斜量を調整することで、第1ビームスプリッタ60に入射するビームLBを図6中のX方向やZ方向に微少シフトさせることができる。 The XY overall harbing adjustment mechanism 44 is arranged between the second relay lens 56 and the second reflection mirror 57, as shown in FIG. The XY overall harbing adjustment mechanism 44 finely shifts the beam LB incident on the first beam splitter 60 in a plane perpendicular to the beam axis in two dimensions, and particularly adjusts the position of the beam passing through the second optical system 42. The XY overall harbing adjustment mechanism 44 is composed of a transparent parallel flat glass that can be tilted in the XZ plane of FIG. 6 and a transparent parallel flat glass that can be tilted in the YZ plane of FIG. By adjusting the amount of inclination of each of the two parallel flat glass sheets, the beam LB incident on the first beam splitter 60 can be slightly shifted in the X direction and the Z direction in FIG.

XY片側ハービング調整機構45は、第7反射ミラー71と第8反射ミラー72との間に配置されている。XY片側ハービング調整機構45は、第1ビームスプリッタ60を透過してきたビームLBをビーム軸と垂直な面内で2次元に微小シフトさせて、特に第3光学系43を通るビームの位置を調整する。XY片側ハービング調整機構45は、XY全体ハービング調整機構44と同様に、図6のXZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスと、図6のYZ面内で傾斜可能な透明な平行平板ガラスとで構成される。その2枚の平行平板ガラスの各傾斜量を調整することで、偶数番の描画モジュールUW2、UW4に入射する描画ビームLBの位置を微少シフトさせることができる。なお、図6の構成から明らかなように、XY全体ハービング調整機構44によるビームLBの位置シフトは、第1ビームスプリッタ60を透過して第3光学系43に入射するビームの位置もシフトさせる為、偶数番の描画モジュールUW2、UW4に入射するビームの位置調整は、XY全体ハービング調整機構44とXY片側ハービング調整機構45の両方で行われることになる。 The XY one-sided harving adjustment mechanism 45 is arranged between the seventh reflection mirror 71 and the eighth reflection mirror 72. The XY one-sided harbing adjustment mechanism 45 finely shifts the beam LB transmitted through the first beam splitter 60 in a plane perpendicular to the beam axis in two dimensions, and particularly adjusts the position of the beam passing through the third optical system 43. .. Similar to the XY overall harbing adjustment mechanism 44, the XY one-sided harving adjustment mechanism 45 is a transparent parallel flat glass that can be tilted in the XZ plane of FIG. It is composed of and. By adjusting each inclination amount of the two parallel flat glass sheets, the positions of the drawing beams LB incident on the even-numbered drawing modules UW2 and UW4 can be slightly shifted. As is clear from the configuration of FIG. 6, the position shift of the beam LB by the XY overall harbing adjustment mechanism 44 also shifts the position of the beam transmitted through the first beam splitter 60 and incident on the third optical system 43. The positions of the beams incident on the even-numbered drawing modules UW2 and UW4 are adjusted by both the XY overall harbing adjustment mechanism 44 and the XY one-side harbing adjustment mechanism 45.

続いて、図4、図5及び図7を参照して、複数の描画モジュールUW1〜UW5について説明する。複数の描画モジュールUW1〜UW5は、複数の描画ラインLL1〜LL5に応じて設けられている。複数の描画モジュールUW1〜UW5には、分岐光学系SLにより分岐された複数の描画ビームLBがそれぞれ入射される。各描画モジュールUW1〜UW5は、複数の描画ビームLBを、各描画ラインLL1〜LL5上でスポット光に集光し、そのスポット光を走査する。つまり、第1描画モジュールUW1は、描画ビームLBを第1描画ラインLL1に導き、同様に、第2〜第5描画モジュールUW2〜UW5は、描画ビームLBを第2〜第5描画ラインLL2〜LL5に導く。 Subsequently, a plurality of drawing modules UW1 to UW5 will be described with reference to FIGS. 4, 5 and 7. The plurality of drawing modules UW1 to UW5 are provided according to the plurality of drawing lines LL1 to LL5. A plurality of drawing beams LB branched by the branching optical system SL are incident on the plurality of drawing modules UW1 to UW5, respectively. The drawing modules UW1 to UW5 focus a plurality of drawing beams LB into spot light on each drawing line LL1 to LL5, and scan the spot light. That is, the first drawing module UW1 guides the drawing beam LB to the first drawing line LL1, and similarly, the second to fifth drawing modules UW2 to UW5 guide the drawing beam LB to the second to fifth drawing lines LL2 to LL5. Lead to.

図4(及び図1)に示すように、複数の描画モジュールUW1〜UW5は、中心面p3を挟んで回転ドラムDRの周方向に2列に配置される。複数の描画モジュールUW1〜UW5は、中心面p3を挟んで、第1、第3、第5描画ラインLL1,LL3,LL5が配置される側(図5の−X方向側)に、第1描画モジュールUW1、第3描画モジュールUW3及び第5描画モジュールUW5が配置される。第1描画モジュールUW1、第3描画モジュールUW3及び第5描画モジュールUW5は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。また、複数の描画モジュールUW1〜UW5は、中心面p3を挟んで、第2、第4描画ラインLL2,LL4が配置される側(図5の+X方向側)に、第2描画モジュールUW2及び第4描画モジュールUW4が配置される。第2描画モジュールUW2及び第4描画モジュールUW4は、Y方向に所定の間隔を空けて配置される。このとき、第2描画モジュールUW2は、Y方向において、第1描画モジュールUW1と第3描画モジュールUW3との間に位置している。同様に、第3描画モジュールUW3は、Y方向において、第2描画モジュールUW2と第4描画モジュールUW4との間に位置している。第4描画モジュールUW4は、Y方向において、第3描画モジュールUW3と第5描画モジュールUW5との間に位置している。また、図4に示すように、第1描画モジュールUW1、第3描画モジュールUW3及び第5描画モジュールUW5と、第2描画モジュールUW2及び第4描画モジュールUW4とは、Y方向からみて中心面p3を中心に対称に配置されている。 As shown in FIG. 4 (and FIG. 1), the plurality of drawing modules UW1 to UW5 are arranged in two rows in the circumferential direction of the rotating drum DR with the central surface p3 interposed therebetween. The plurality of drawing modules UW1 to UW5 have the first drawing on the side where the first, third, and fifth drawing lines LL1, LL3, and LL5 are arranged (on the −X direction side in FIG. 5) with the central surface p3 in between. Module UW1, third drawing module UW3, and fifth drawing module UW5 are arranged. The first drawing module UW1, the third drawing module UW3, and the fifth drawing module UW5 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. Further, the plurality of drawing modules UW1 to UW5 have the second drawing module UW2 and the second drawing module UW2 and the second drawing module UW2 on the side where the second and fourth drawing lines LL2 and LL4 are arranged (on the + X direction side in FIG. 5) with the central surface p3 interposed therebetween. 4 Drawing module UW4 is arranged. The second drawing module UW2 and the fourth drawing module UW4 are arranged at predetermined intervals in the Y direction. At this time, the second drawing module UW2 is located between the first drawing module UW1 and the third drawing module UW3 in the Y direction. Similarly, the third drawing module UW3 is located between the second drawing module UW2 and the fourth drawing module UW4 in the Y direction. The fourth drawing module UW4 is located between the third drawing module UW3 and the fifth drawing module UW5 in the Y direction. Further, as shown in FIG. 4, the first drawing module UW1, the third drawing module UW3 and the fifth drawing module UW5, and the second drawing module UW2 and the fourth drawing module UW4 have a central surface p3 when viewed from the Y direction. It is arranged symmetrically in the center.

次に、図4を参照して、各描画モジュールUW1〜UW5について説明する。なお、各描画モジュールUW1〜UW5は、同様の構成となっているため、第1描画モジュールUW1(以下、単に描画モジュールUW1という)を例に説明する。 Next, each drawing module UW1 to UW5 will be described with reference to FIG. Since each drawing module UW1 to UW5 has the same configuration, the first drawing module UW1 (hereinafter, simply referred to as a drawing module UW1) will be described as an example.

図4に示す描画モジュールUW1は、描画ラインLL1(第1描画ラインLL1)に沿って描画ビームLBを走査すべく、光偏向器81と、偏光ビームスプリッタPBSと、1/4波長板82と、走査器83と、折り曲げミラー84と、f−θレンズ系85と、Y倍率補正用光学部材86とを備える。また、偏向ビームスプリッタPBSに隣接して、キャリブレーション検出系31が設けられている。 The drawing module UW1 shown in FIG. 4 includes an optical deflector 81, a polarizing beam splitter PBS, a quarter wave plate 82, and a quarter wave plate 82 in order to scan the drawing beam LB along the drawing line LL1 (first drawing line LL1). It includes a scanner 83, a bending mirror 84, an f−θ lens system 85, and an optical member 86 for Y magnification correction. Further, a calibration detection system 31 is provided adjacent to the deflection beam splitter PBS.

光偏向器81は、例えば、音響光学変調素子(AOM)で構成され、入射したビームの回折光の発生/非発生を高速にスイッチングすることで、描画ビームLBの基板Pへの投射/非投射を高速に切り替える。これによって、基板Pに照射されるスポット光の強度が、変調器(AOM)81に印加されるパターン描画情報(シリアルなビット列信号)に基づいて変調される。具体的に、分岐光学系SLからの描画ビームLBは、リレーレンズ91を介して、−Z方向に対して僅かに傾斜して光偏向器81に入射される。光偏向器81がOFF状態のとき、描画ビームLBは傾斜した状態で直進し、光偏向器81を通過した先に設けられる遮光板92により遮光される。光偏向器81がON状態のとき、回折された描画ビームLBは−Z方向に偏向されて、光偏向器81を通過し、光偏向器81のZ方向上に設けられる偏光ビームスプリッタPBSに入射する。このため、光偏向器81がONの間は、描画ビームLBのスポット光が基板Pに投射され続け、光偏向器81がOFFの間は、描画ビームLBのスポット光の基板Pへの投射が中断される。 The optical deflector 81 is composed of, for example, an acousto-optic modulation element (AOM), and projects / does not project the drawing beam LB onto the substrate P by switching the generation / non-generation of the diffracted light of the incident beam at high speed. To switch to high speed. As a result, the intensity of the spot light applied to the substrate P is modulated based on the pattern drawing information (serial bit string signal) applied to the modulator (AOM) 81. Specifically, the drawing beam LB from the branched optical system SL is incident on the light deflector 81 via the relay lens 91 with a slight inclination in the −Z direction. When the light deflector 81 is in the OFF state, the drawing beam LB travels straight in an inclined state, and is shielded from light by a light-shielding plate 92 provided after passing through the light deflector 81. When the light deflector 81 is in the ON state, the diffracted drawing beam LB is deflected in the −Z direction, passes through the light deflector 81, and is incident on the polarization beam splitter PBS provided on the Z direction of the light deflector 81. To do. Therefore, while the light deflector 81 is ON, the spot light of the drawing beam LB is continuously projected onto the substrate P, and while the light deflector 81 is OFF, the spot light of the drawing beam LB is projected onto the substrate P. It will be interrupted.

偏向ビームスプリッタPBSは、光偏向器81からリレーレンズ93を介して照射された描画ビームLBを反射する。一方で、偏向ビームスプリッタPBSは、偏向ビームスプリッタPBSと走査器83との間に設けられる1/4波長板82と協働して、基板P又は回転ドラムDRの表面で反射された描画ビームLBを透過している。つまり、光偏向器81から偏光ビームスプリッタPBSに向かう描画ビームLBは、S偏光の直線偏光となるレーザ光であり、偏光ビームスプリッタPBSにより反射される。また、偏光ビームスプリッタPBSにより反射された描画ビームLBは、1/4波長板82を通過して円偏光となって基板Pに達する。基板P又は回転ドラムDRの表面で反射して、f−θレンズ系85や走査器83を介して戻ってくる描画ビームLBの一部の反射光は、1/4波長板82を再び通過することで、P偏光の直線偏光となる。このため、基板Pから偏光ビームスプリッタPBSに照射される描画ビームLBの反射光は、偏光ビームスプリッタPBSを透過する。なお、偏光ビームスプリッタPBSを透過した描画ビームLBの反射光は、リレーレンズ94を介してキャリブレーション検出系31に照射される。リレーレンズ系93を介して偏向ビームスプリッタPBSで反射された描画ビームLBは、1/4波長板82を通過して走査器83に入射する。 The deflection beam splitter PBS reflects the drawing beam LB irradiated from the light deflector 81 through the relay lens 93. On the other hand, the deflecting beam splitter PBS cooperates with the quarter wave plate 82 provided between the deflecting beam splitter PBS and the scanner 83, and the drawing beam LB reflected on the surface of the substrate P or the rotating drum DR. Is transparent. That is, the drawing beam LB from the light deflector 81 toward the polarizing beam splitter PBS is laser light that is linearly polarized with S polarization, and is reflected by the polarizing beam splitter PBS. Further, the drawing beam LB reflected by the polarization beam splitter PBS passes through the 1/4 wave plate 82, becomes circularly polarized light, and reaches the substrate P. Part of the reflected light of the drawing beam LB that is reflected on the surface of the substrate P or the rotating drum DR and returned via the f−θ lens system 85 and the scanner 83 passes through the 1/4 wave plate 82 again. As a result, it becomes linearly polarized light of P polarization. Therefore, the reflected light of the drawing beam LB irradiated from the substrate P to the polarizing beam splitter PBS passes through the polarizing beam splitter PBS. The reflected light of the drawing beam LB transmitted through the polarizing beam splitter PBS is irradiated to the calibration detection system 31 via the relay lens 94. The drawing beam LB reflected by the deflection beam splitter PBS via the relay lens system 93 passes through the 1/4 wave plate 82 and is incident on the scanner 83.

図4及び図7に示すように、走査器83は、反射ミラー96と、回転ポリゴンミラー(回転多面鏡)97と、原点検出器98とを有する。1/4波長板82を通過した描画ビームLBは、リレーレンズ95を介して反射ミラー96に照射される。反射ミラー96で反射された描画ビームLBは、回転ポリゴンミラー97に照射される。回転ポリゴンミラー97は、Z方向に延びる回転軸97aと、回転軸97a周りに形成される複数のポリゴン面(反射平面)97bとを含んで構成されている。回転ポリゴンミラー97は、回転軸97aを中心に所定の回転方向に回転させることで、ポリゴン面97bに照射される描画ビームLBの反射角を連続的に変化させ、これにより、反射した描画ビームLBを基板P上の描画ラインLL1に沿って走査させている。回転ポリゴンミラー97で反射された描画ビームLBは、折り曲げミラー84に照射される。原点検出器98は、基板Pの描画ラインLL1に沿って走査する描画ビームLBの原点(所定の走査開始点)を検出している。原点検出器98は、各ポリゴン面97bで反射する描画ビームLBを挟んで、反射ミラー96の反対側に配置されている。このため、原点検出器98は、f−θレンズ系85に照射される前の描画ビームLBを検出している。つまり、原点検出器98は、基板P上の描画ラインLL1の描画開始位置にスポット光が照射される直前のポリゴン面97bの角度位置を検出している。 As shown in FIGS. 4 and 7, the scanner 83 includes a reflection mirror 96, a rotating polygon mirror (rotating multifaceted mirror) 97, and an origin detector 98. The drawing beam LB that has passed through the 1/4 wave plate 82 is irradiated to the reflection mirror 96 via the relay lens 95. The drawing beam LB reflected by the reflection mirror 96 is applied to the rotating polygon mirror 97. The rotating polygon mirror 97 includes a rotating shaft 97a extending in the Z direction and a plurality of polygon planes (reflection planes) 97b formed around the rotating shaft 97a. The rotating polygon mirror 97 continuously changes the reflection angle of the drawing beam LB irradiated on the polygon surface 97b by rotating the rotating polygon mirror 97 in a predetermined rotation direction around the rotation axis 97a, whereby the reflected drawing beam LB is changed. Is scanned along the drawing line LL1 on the substrate P. The drawing beam LB reflected by the rotating polygon mirror 97 is applied to the bending mirror 84. The origin detector 98 detects the origin (predetermined scanning start point) of the drawing beam LB that scans along the drawing line LL1 of the substrate P. The origin detector 98 is arranged on the opposite side of the reflection mirror 96 with the drawing beam LB reflected by each polygon surface 97b interposed therebetween. Therefore, the origin detector 98 detects the drawing beam LB before the f−θ lens system 85 is irradiated. That is, the origin detector 98 detects the angular position of the polygon surface 97b immediately before the spot light is applied to the drawing start position of the drawing line LL1 on the substrate P.

走査器83から折り曲げミラー84に照射された描画ビームLBは、折り曲げミラー84により反射され、f−θレンズ系85に照射される。f−θレンズ系85は、テレセントリックf−θレンズを含んでおり、折り曲げミラー84を介して回転ポリゴンミラー97から反射された描画ビームLBを、基板Pの描画面に対し垂直に投射する。 The drawing beam LB irradiated from the scanner 83 to the folding mirror 84 is reflected by the folding mirror 84 and irradiated to the f−θ lens system 85. The f-θ lens system 85 includes a telecentric f-θ lens, and projects the drawing beam LB reflected from the rotating polygon mirror 97 via the folding mirror 84 perpendicularly to the drawing surface of the substrate P.

図7に示すように、複数の描画モジュールUW1〜UW5における複数の走査器83は、中心面p3を挟んで、左右対称な構成となっている。複数の走査器83は、描画モジュールUW1,UW3,UW5に対応する3つの走査器83が、回転ドラムDRの回転方向の上流側(図7の−X方向側)に配置され、描画モジュールUW2,UW4に対応する2つの走査器83が、回転ドラムDRの回転方向の下流側(図7の+X方向側)に配置されている。そして、上流側の3つの走査器83と、下流側の2つの走査器83とは、中心面p3を挟んで、対向して配置されている。このとき、上流側に配置した各走査器83と、下流側に配置した各走査器83とは、中心面p3を挟んで、左右対称となっている。さらに、上流側の3つの回転ポリゴンミラー97はXY面内で左回り(反時計回り)に回転しつつ描画ビームLBを走査し、これによって奇数番の描画ラインLL1、LL3、LL5上に投射される各スポット光は、描画開始位置から描画終了位置へ向けて所定の走査方向(例えば図7の+Y方向)に走査される。一方、下流側の2つの回転ポリゴンミラー97はXY面内で右回り(時計まわり)に回転しつつ描画ビームLBを走査し、これによって偶数番の描画ラインLL2、LL4上に投射される各スポット光は、描画開始位置から描画終了位置へ向けて、上流側の3つの描画ラインLL1、LL3、LL5と同じ走査方向(+Y方向)に走査される。 As shown in FIG. 7, the plurality of scanners 83 in the plurality of drawing modules UW1 to UW5 have a symmetrical configuration with the central surface p3 interposed therebetween. In the plurality of scanners 83, three scanners 83 corresponding to the drawing modules UW1, UW3, and UW5 are arranged on the upstream side (-X direction side in FIG. 7) of the rotating drum DR in the rotation direction, and the drawing modules UW2 and UW2 Two scanners 83 corresponding to the UW4 are arranged on the downstream side (+ X direction side in FIG. 7) of the rotating drum DR in the rotation direction. The three scanners 83 on the upstream side and the two scanners 83 on the downstream side are arranged so as to face each other with the central surface p3 interposed therebetween. At this time, each scanner 83 arranged on the upstream side and each scanner 83 arranged on the downstream side are symmetrical with respect to the central surface p3. Further, the three rotating polygon mirrors 97 on the upstream side scan the drawing beam LB while rotating counterclockwise (counterclockwise) in the XY plane, thereby projecting onto the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, and LL5. Each spot light is scanned in a predetermined scanning direction (for example, the + Y direction in FIG. 7) from the drawing start position to the drawing end position. On the other hand, the two rotating polygon mirrors 97 on the downstream side scan the drawing beam LB while rotating clockwise (clockwise) in the XY plane, and thereby each spot projected on the even-numbered drawing lines LL2 and LL4. The light is scanned in the same scanning direction (+ Y direction) as the three drawing lines LL1, LL3, and LL5 on the upstream side from the drawing start position to the drawing end position.

ここで、図4のXZ面内でみたとき、奇数番の描画モジュールUW1,UW3,UW5から基板Pに達する描画ビームLBの軸線は、設置方位線Le1と一致した方向になっている。つまり、設置方位線Le1は、XZ面内において、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。同様に、図4のXZ面内でみたとき、偶数番の描画モジュールUW2,UW4から基板Pに達する描画ビームLBの軸線は、設置方位線Le2と一致した方向になっている。つまり、設置方位線Le2は、XZ面内において、偶数番の描画ラインLL2,LL4と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。 Here, when viewed in the XZ plane of FIG. 4, the axis of the drawing beam LB reaching the substrate P from the odd-numbered drawing modules UW1, UW3, UW5 is in the direction coincided with the installation directional line Le1. That is, the installation directional line Le1 is a line connecting the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 and the rotation center line AX2 in the XZ plane. Similarly, when viewed in the XZ plane of FIG. 4, the axis of the drawing beam LB reaching the substrate P from the even-numbered drawing modules UW2 and UW4 is in the direction coincided with the installation direction line Le2. That is, the installation directional line Le2 is a line connecting the even-numbered drawing lines LL2 and LL4 and the rotation center line AX2 in the XZ plane.

Y倍率補正用光学部材86は、Y方向に正の屈折力を有するシリンドリカルレンズと、Y方向に負の屈折力を有するシリンドリカルレンズとを組み合わせたもので、f−θレンズ系85と基板Pとの間に配置されている。Y倍率補正用光学部材86を構成する複数のシリンドリカルレンズの少なくとも1つをf−θレンズ系85の光軸(描画ビームLBの軸)方向に微動させることで、各描画モジュールUW1〜UW5によって形成される描画ラインLL1〜LL5を、Y方向において、等方的に微少量だけ拡大または縮小することができる。 The Y magnification correction optical member 86 is a combination of a cylindrical lens having a positive refractive power in the Y direction and a cylindrical lens having a negative refractive power in the Y direction, and includes an f−θ lens system 85 and a substrate P. It is placed between. Formed by the drawing modules UW1 to UW5 by finely moving at least one of the plurality of cylindrical lenses constituting the Y magnification correction optical member 86 in the optical axis (axis of the drawing beam LB) of the f−θ lens system 85. The drawing lines LL1 to LL5 to be drawn can be enlarged or reduced by a very small amount isotropically in the Y direction.

このように構成された描画装置11は、制御装置16により各部が制御されることで、基板P上に所定のパターンが描画される。つまり、制御装置16は、基板Pに投射される描画ビームLBが走査方向へ走査している期間中、基板Pに描画すべきパターンの情報であるCAD(Computer Aided Design)情報に基づいて、光偏向器81をOn/Off変調することによって描画ビームLBを偏向し、基板Pの光感応層上にパターンを描画していく。また、制御装置16は、描画ラインLL1に沿って走査する描画ビームLBのスポット光の走査方向(走査開始タイミング)と、回転ドラムDRの回転による基板Pの搬送方向の移動とを同期させることで、露光領域A7中の描画ラインLL1に対応した部分に所定のパターンを描画する。 In the drawing device 11 configured in this way, a predetermined pattern is drawn on the substrate P by controlling each part by the control device 16. That is, the control device 16 receives light based on CAD (Computer Aided Design) information which is information on a pattern to be drawn on the substrate P during the period when the drawing beam LB projected on the substrate P is scanning in the scanning direction. The drawing beam LB is deflected by On / Off modulation of the deflector 81, and a pattern is drawn on the light-sensitive layer of the substrate P. Further, the control device 16 synchronizes the scanning direction (scanning start timing) of the spot light of the drawing beam LB scanned along the drawing line LL1 with the movement of the substrate P in the transport direction due to the rotation of the rotating drum DR. , A predetermined pattern is drawn on the portion of the exposure area A7 corresponding to the drawing line LL1.

このとき、各描画モジュールUW1〜UW5から投射される描画ビームLBの基板P上におけるスポット光の実効的なサイズ(スポット径)をD(μm)、描画ラインLL1〜LL5に沿ったスポット光の走査速度をVp(μm/秒)とした場合、光源装置CNTは、パルス光を射出するレーザ光源の発光繰り返し周期T(秒)を、T<D/Vpの関係としている。なお、スポット光の実効的なサイズ(径)とは、スポット光の主走査方向の強度分布上のピーク値に対して半値となる幅(半値全幅)、又はピーク値に対して1/eの強度となる幅とする。At this time, the effective size (spot diameter) of the spot light on the substrate P of the drawing beam LB projected from each drawing module UW1 to UW5 is D (μm), and the scanning of the spot light along the drawing lines LL1 to LL5. When the speed is Vp (μm / sec), the light source device CNT has a relationship of T <D / Vp with the emission repetition period T (second) of the laser light source that emits pulsed light. The effective size (diameter) of the spot light is the width (full width at half maximum) that is half the peak value on the intensity distribution in the main scanning direction of the spot light, or 1 / e 2 with respect to the peak value. The width is the strength of.

次に、図3及び図8を参照して、パターン検出部としてのアライメント顕微鏡AM1,AM2について説明する。アライメント顕微鏡AM1,AM2は、基板P上に予め形成されたアライメントマーク、または回転ドラムDR上に形成された基準マークや基準パターン等を所定の観察領域内で検出する。以下、基板Pのアライメントマーク及び回転ドラムDRの基準マークや基準パターンを、単にマークと称することもある。アライメント顕微鏡AM1,AM2は、基板Pと基板P上に描画される所定のパターンとを位置合せ(アライメント)したり、回転ドラムDRと描画装置11とをキャリブレーションしたりするために用いられる。 Next, the alignment microscopes AM1 and AM2 as the pattern detection unit will be described with reference to FIGS. 3 and 8. The alignment microscopes AM1 and AM2 detect an alignment mark previously formed on the substrate P, a reference mark or a reference pattern formed on the rotating drum DR, or the like within a predetermined observation region. Hereinafter, the alignment mark of the substrate P and the reference mark and the reference pattern of the rotating drum DR may be simply referred to as marks. The alignment microscopes AM1 and AM2 are used for aligning the substrate P with a predetermined pattern drawn on the substrate P, and for calibrating the rotating drum DR and the drawing device 11.

アライメント顕微鏡AM1、AM2は、描画装置11で形成される描画ラインLL1〜LL5よりも、回転ドラムDRの回転方向の上流側に設けられている。また、アライメント顕微鏡AM1は、アライメント顕微鏡AM2に比して回転ドラムDRの回転方向の上流側に配置されている。 The alignment microscopes AM1 and AM2 are provided on the upstream side in the rotation direction of the rotating drum DR with respect to the drawing lines LL1 to LL5 formed by the drawing apparatus 11. Further, the alignment microscope AM1 is arranged on the upstream side in the rotation direction of the rotary drum DR as compared with the alignment microscope AM2.

アライメント顕微鏡AM1、AM2は、照明光を基板P又は回転ドラムDRに投射すると共に、マークで発生した光を入射する検出プローブとしての対物レンズ系GA、対物レンズ系GAを介して受光したマークの像(明視野像、暗視野像、蛍光像等)を2次元CCD、CMOS等で撮像する撮像系GD等で構成される。なお、アライメント用の照明光は、基板P上の光感応層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば波長500〜800nm程度の光である。 The alignment microscopes AM1 and AM2 project the illumination light onto the substrate P or the rotating drum DR, and receive the light generated by the mark through the objective lens system GA and the objective lens system GA as incident detection probes. It is composed of an imaging system GD or the like that images (bright-field image, dark-field image, fluorescence image, etc.) with a two-dimensional CCD, CMOS, or the like. The illumination light for alignment is light in a wavelength range that has almost no sensitivity to the light-sensitive layer on the substrate P, for example, light having a wavelength of about 500 to 800 nm.

アライメント顕微鏡AM1は、Y方向(基板Pの幅方向)に一列に並んで複数(例えば3つ)設けられる。同様に、アライメント顕微鏡AM2は、Y方向(基板Pの幅方向)に一列に並んで複数(例えば3つ)設けられる。つまり、アライメント顕微鏡AM1,AM2は、計6つ設けられている。 A plurality (for example, three) alignment microscopes AM1 are provided in a line in the Y direction (width direction of the substrate P). Similarly, a plurality (for example, three) alignment microscopes AM2 are provided side by side in a row in the Y direction (width direction of the substrate P). That is, a total of six alignment microscopes AM1 and AM2 are provided.

図3では、判り易くするため、6つのアライメント顕微鏡AM1,AM2の各対物レンズ系GAのうち、3つのアライメント顕微鏡AM1の各対物レンズ系GA1〜GA3の配置を示す。3つのアライメント顕微鏡AM1の各対物レンズ系GA1〜GA3による基板P(又は回転ドラムDRの外周面)上の観察領域(検出位置)Vw1〜Vw3は、図3に示すように、回転中心線AX2と平行なY方向に、所定の間隔で配置される。図8に示すように、各観察領域Vw1〜Vw3の中心を通る各対物レンズ系GA1〜GA3の光軸La1〜La3は、何れもXZ面と平行となっている。同様に、3つのアライメント顕微鏡AM2の各対物レンズ系GAによる基板P(又は回転ドラムDRの外周面)上の観察領域Vw4〜Vw6は、図3に示すように、回転中心線AX2と平行なY方向に、所定の間隔で配置される。図8に示すように、各観察領域Vw4〜Vw6の中心を通る各対物レンズ系GAの光軸La4〜La6も、何れもXZ面と平行となっている。そして、観察領域Vw1〜Vw3と、観察領域Vw4〜Vw6とは、回転ドラムDRの回転方向に、所定の間隔で配置される。 FIG. 3 shows the arrangement of the objective lens systems GA1 to GA3 of the three alignment microscopes AM1 among the objective lens system GAs of the six alignment microscopes AM1 and AM2 for the sake of clarity. The observation regions (detection positions) Vw1 to Vw3 on the substrate P (or the outer peripheral surface of the rotating drum DR) by the objective lens systems GA1 to GA3 of the three alignment microscopes AM1 are the rotation center lines AX2 as shown in FIG. They are arranged at predetermined intervals in the parallel Y direction. As shown in FIG. 8, the optical axes La1 to La3 of the objective lens systems GA1 to GA3 passing through the centers of the observation regions Vw1 to Vw3 are all parallel to the XZ plane. Similarly, the observation regions Vw4 to Vw6 on the substrate P (or the outer peripheral surface of the rotating drum DR) by each objective lens system GA of the three alignment microscopes AM2 are Y parallel to the rotation center line AX2 as shown in FIG. They are arranged in the direction at predetermined intervals. As shown in FIG. 8, the optical axes La4 to La6 of each objective lens system GA passing through the center of each observation region Vw4 to Vw6 are also parallel to the XZ plane. The observation areas Vw1 to Vw3 and the observation areas Vw4 to Vw6 are arranged at predetermined intervals in the rotation direction of the rotating drum DR.

このアライメント顕微鏡AM1,AM2によるマークの観察領域Vw1〜Vw6は、基板Pや回転ドラムDR上で、例えば、200μm角程度の範囲に設定される。ここで、アライメント顕微鏡AM1の光軸La1〜La3、即ち、対物レンズ系GAの光軸La1〜La3は、回転中心線AX2から回転ドラムDRの径方向に延びる設置方位線Le3と同じ方向に設定される。つまり、設置方位線Le3は、図4のXZ面内でみたとき、アライメント顕微鏡AM1の観察領域Vw1〜Vw3と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。同様に、アライメント顕微鏡AM2の光軸La4〜La6、即ち、対物レンズ系GAの光軸La4〜La6は、回転中心線AX2から回転ドラムDRの径方向に延びる設置方位線Le4と同じ方向に設定される。つまり、設置方位線Le4は、図4のXZ面内でみたとき、アライメント顕微鏡AM2の観察領域Vw4〜Vw6と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。このとき、アライメント顕微鏡AM1は、アライメント顕微鏡AM2に比して回転ドラムDRの回転方向の上流側に配置されていることから、中心面p3と設置方位線Le3とがなす角度は、中心面p3と設置方位線Le4とがなす角度に比して大きくなっている。 The mark observation regions Vw1 to Vw6 by the alignment microscopes AM1 and AM2 are set in a range of, for example, about 200 μm square on the substrate P or the rotating drum DR. Here, the optical axes La1 to La3 of the alignment microscope AM1, that is, the optical axes La1 to La3 of the objective lens system GA are set in the same direction as the installation azimuth line Le3 extending in the radial direction of the rotation drum DR from the rotation center line AX2. To. That is, the installation directional line Le3 is a line connecting the observation regions Vw1 to Vw3 of the alignment microscope AM1 and the rotation center line AX2 when viewed in the XZ plane of FIG. Similarly, the optical axes La4 to La6 of the alignment microscope AM2, that is, the optical axes La4 to La6 of the objective lens system GA are set in the same direction as the installation azimuth line Le4 extending in the radial direction of the rotation drum DR from the rotation center line AX2. To. That is, the installation directional line Le4 is a line connecting the observation regions Vw4 to Vw6 of the alignment microscope AM2 and the rotation center line AX2 when viewed in the XZ plane of FIG. At this time, since the alignment microscope AM1 is arranged on the upstream side in the rotation direction of the rotating drum DR as compared with the alignment microscope AM2, the angle formed by the central surface p3 and the installation directional line Le3 is the central surface p3. It is larger than the angle formed by the installation direction line Le4.

基板P上には、図3に示すように、5つの描画ラインLL1〜LL5の各々によって描画される露光領域A7が、X方向に所定の間隔を空けて配置される。基板P上の露光領域A7の周囲には、位置合せの為の複数のアライメントマークKs1〜Ks3(以下、マークと略称する)が、例えば十字状に形成されている。各描画モジュールは、アライメント顕微鏡AM1、AM2によるアライメントマークKs1〜Ks2の検出結果に基づいて、パターン描画すべき基板P上の位置を特定してスポット光による主走査位置を合わせる(補正する)が、位置合わせはこれに限定されない。例えば、アライメント顕微鏡AM1、AM2によって、基板Pに形成された回路パターン等の一部の形状を検出して、位置合わせを行ってもよい。 As shown in FIG. 3, exposure regions A7 drawn by each of the five drawing lines LL1 to LL5 are arranged on the substrate P at predetermined intervals in the X direction. A plurality of alignment marks Ks1 to Ks3 (hereinafter, abbreviated as marks) for alignment are formed, for example, in a cross shape around the exposure region A7 on the substrate P. Based on the detection results of the alignment marks Ks1 to Ks2 by the alignment microscopes AM1 and AM2, each drawing module specifies the position on the substrate P on which the pattern should be drawn and adjusts (corrects) the main scanning position by the spot light. Alignment is not limited to this. For example, the alignment microscopes AM1 and AM2 may detect a part of the shape such as a circuit pattern formed on the substrate P and perform alignment.

図3において、マークKs1は、露光領域A7の−Y側の周辺領域に、X方向に一定の間隔で設けられ、マークKs3は、露光領域A7の+Y側の周辺領域に、X方向に一定の間隔で設けられる。さらに、マークKs2は、X方向に隣り合う2つの露光領域A7の間の余白領域において、Y方向の中央に設けられる。 In FIG. 3, the marks Ks1 are provided in the peripheral region on the −Y side of the exposure region A7 at regular intervals in the X direction, and the marks Ks3 are constant in the peripheral region on the + Y side of the exposure region A7 in the X direction. It is provided at intervals. Further, the mark Ks2 is provided at the center in the Y direction in the margin region between the two exposure regions A7 adjacent to each other in the X direction.

そして、マークKs1は、アライメント顕微鏡AM1の対物レンズ系GA1の観察領域Vw1内、及びアライメント顕微鏡AM2の対物レンズ系GAの観察領域Vw4内で、基板Pが送られている間、順次捕捉されるように形成される。また、マークKs3は、アライメント顕微鏡AM1の対物レンズ系GA3の観察領域Vw3内、及びアライメント顕微鏡AM2の対物レンズ系GAの観察領域Vw6内で、基板Pが送られている間、順次捕捉されるように形成される。さらに、マークKs2は、それぞれ、アライメント顕微鏡AM1の対物レンズ系GA2の観察領域Vw2内、及びアライメント顕微鏡AM2の対物レンズ系GAの観察領域Vw5内で、基板Pが送られている間、順次捕捉されるように形成される。 Then, the mark Ks1 is sequentially captured in the observation region Vw1 of the objective lens system GA1 of the alignment microscope AM1 and in the observation region Vw4 of the objective lens system GA of the alignment microscope AM2 while the substrate P is being fed. Is formed in. Further, the marks Ks3 are sequentially captured in the observation region Vw3 of the objective lens system GA3 of the alignment microscope AM1 and in the observation region Vw6 of the objective lens system GA of the alignment microscope AM2 while the substrate P is being fed. Is formed in. Further, the marks Ks2 are sequentially captured in the observation region Vw2 of the objective lens system GA2 of the alignment microscope AM1 and in the observation region Vw5 of the objective lens system GA of the alignment microscope AM2 while the substrate P is being fed. Is formed so as to.

このため、3つのアライメント顕微鏡AM1,AM2のうち、回転ドラムDRのY方向の両側のアライメント顕微鏡AM1,AM2は、基板Pの幅方向の両側に形成されたマークKs1,Ks3を常時観察または検出することができる。また、3つのアライメント顕微鏡AM1,AM2のうち、回転ドラムDRのY方向の中央のアライメント顕微鏡AM1,AM2は、基板P上に描画される露光領域A7同士の間の長尺方向の余白部等に形成されるマークKs2を常時観察または検出することができる。 Therefore, of the three alignment microscopes AM1 and AM2, the alignment microscopes AM1 and AM2 on both sides of the rotating drum DR in the Y direction constantly observe or detect the marks Ks1 and Ks3 formed on both sides in the width direction of the substrate P. be able to. Further, of the three alignment microscopes AM1 and AM2, the alignment microscopes AM1 and AM2 in the center of the rotating drum DR in the Y direction are used as a margin in the long direction between the exposure regions A7 drawn on the substrate P. The formed marks Ks2 can be constantly observed or detected.

ここで、露光装置EXは、いわゆるマルチビーム型の描画装置11を適用している為、複数の描画モジュールUW1〜UW5の各描画ラインLL1〜LL5によって、基板P上に描画される複数のパターン同士を、Y方向に好適に継ぎ合わせるべく、複数の描画モジュールUW1〜UW5による継ぎ精度を許容範囲内に抑える為のキャリブレーションが必要となる。また、複数の描画モジュールUW1〜UW5の各描画ラインLL1〜LL5に対するアライメント顕微鏡AM1,AM2の観察領域Vw1〜Vw6の相対的な位置関係は、ベースライン管理によって精密に求められている必要がある。そのベースライン管理の為にも、キャリブレーションが必要となる。 Here, since the exposure apparatus EX applies the so-called multi-beam type drawing apparatus 11, a plurality of patterns drawn on the substrate P by the drawing lines LL1 to LL5 of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 are used. Is required to be calibrated to suppress the splicing accuracy of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 within an allowable range in order to splice them appropriately in the Y direction. Further, the relative positional relationship of the observation regions Vw1 to Vw6 of the alignment microscopes AM1 and AM2 with respect to the drawing lines LL1 to LL5 of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 needs to be precisely obtained by baseline management. Calibration is also required for the baseline management.

複数の描画モジュールUW1〜UW5による継ぎ精度を確認する為のキャリブレーション、アライメント顕微鏡AM1,AM2のベースライン管理の為のキャリブレーションでは、基板Pを支持する回転ドラムDRの外周面の少なくとも一部に、基準マークや基準パターンを設ける必要がある。そこで、図9に示すように、露光装置EXでは、外周面に基準マークや基準パターンを設けた回転ドラムDRを用いている。 In the calibration for confirming the splicing accuracy by the plurality of drawing modules UW1 to UW5 and the calibration for the baseline management of the alignment microscopes AM1 and AM2, at least a part of the outer peripheral surface of the rotating drum DR supporting the substrate P is used. , It is necessary to provide a reference mark and a reference pattern. Therefore, as shown in FIG. 9, the exposure apparatus EX uses a rotary drum DR having a reference mark and a reference pattern on the outer peripheral surface.

回転ドラムDRは、その外周面の両端側に、後述する回転位置検出機構14の一部を構成するスケール部GPa、GPbが形成されている。また、回転ドラムDRは、スケール部GPa、GPbの内側に、凹状の溝、若しくは凸状のリムによる狭い幅の規制帯CLa、CLbが全周に渡って刻設されている。基板PのY方向の幅は、その2本の規制帯CLa、CLbのY方向の間隔よりも小さく設定され、基板Pは回転ドラムDRの外周面のうち、規制帯CLa、CLbで挟まれた内側の領域に密着して支持される。 The rotary drum DR is formed with scale portions GPa and GPb forming a part of the rotation position detection mechanism 14 described later on both ends of the outer peripheral surface thereof. Further, in the rotating drum DR, narrow width regulation bands CLa and CLb by concave grooves or convex rims are engraved on the inside of the scale portions GPa and GPb over the entire circumference. The width of the substrate P in the Y direction is set smaller than the distance between the two regulation bands CLa and CLb in the Y direction, and the substrate P is sandwiched between the regulation bands CLa and CLb on the outer peripheral surface of the rotating drum DR. It is closely supported by the inner region.

回転ドラムDRは、規制帯CLa、CLbで挟まれた外周面に、回転中心線AX2に対して+45度で傾いた複数の線パターンRL1と、回転中心線AX2に対して−45度で傾いた複数の線パターンRL2とを、一定のピッチ(周期)Pf1,Pf2で繰り返し刻設したメッシュ状の基準パターン(基準マークとしても利用可能)RMPが設けられる。一例として、線パターンRL1と線パターンRL2の線幅LWは数μm〜20μm程度、ピッチ(周期)Pf1、Pf2は数十μm〜数百μm程度に設定される。 The rotating drum DR has a plurality of line patterns RL1 tilted at +45 degrees with respect to the rotation center line AX2 and tilted at -45 degrees with respect to the rotation center line AX2 on the outer peripheral surface sandwiched between the regulation bands CLa and CLb. A mesh-shaped reference pattern (which can also be used as a reference mark) RMP in which a plurality of line patterns RL2 are repeatedly engraved at a constant pitch (cycle) Pf1 and Pf2 is provided. As an example, the line width LW of the line pattern RL1 and the line pattern RL2 is set to about several μm to 20 μm, and the pitch (period) Pf1 and Pf2 are set to about several tens μm to several hundred μm.

基準パターンRMPは、基板Pと回転ドラムDRの外周面とが接触する部分において、摩擦力や基板Pの張力等の変化が生じないように、全面均一な、斜めパターン(斜格子状パターン)としている。なお、線パターンRL1、RL2は、必ずしも斜め45度である必要はなく、線パターンRL1をY軸と平行にし、線パターンRL2をX軸と平行にした縦横のメッシュ状パターンとしても良い。さらに、線パターンRL1、RL2を90度で交差させる必要はなく、隣接する2本の線パターンRL1と、隣接する2本の線パターンRL2とで囲まれた矩形領域が、正方形(又は長方形)以外の菱形になるような角度で、線パターンRL1、RL2を交差させても良い。 The reference pattern RMP is a diagonal pattern (oblique grid pattern) that is uniform over the entire surface so that the frictional force and the tension of the substrate P do not change at the portion where the substrate P and the outer peripheral surface of the rotating drum DR come into contact with each other. There is. The line patterns RL1 and RL2 do not necessarily have to be at an angle of 45 degrees, and may be a vertical and horizontal mesh pattern in which the line pattern RL1 is parallel to the Y axis and the line pattern RL2 is parallel to the X axis. Further, it is not necessary to intersect the line patterns RL1 and RL2 at 90 degrees, and the rectangular area surrounded by the two adjacent line patterns RL1 and the two adjacent line patterns RL2 is other than a square (or a rectangle). The line patterns RL1 and RL2 may be crossed at an angle so as to form a diamond shape.

次に、図3、図4及び図8を参照して、回転位置検出機構14について説明する。図8に示すように、回転位置検出機構14は、回転ドラムDRの回転位置を光学的に検出するものであり、例えばロータリーエンコーダ等を用いたエンコーダシステムが適用されている。回転位置検出機構14は、回転ドラムDRの両端部に設けられるスケール部GPa,GPbと、スケール部GPa,GPbの各々と対向する複数のエンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4とを有する。図4及び図8では、スケール部GPaに対向した4つのエンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4だけが示されているが、スケール部GPbにも同様のエンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4が対向して配置される。 Next, the rotation position detection mechanism 14 will be described with reference to FIGS. 3, 4, and 8. As shown in FIG. 8, the rotation position detection mechanism 14 optically detects the rotation position of the rotation drum DR, and for example, an encoder system using a rotary encoder or the like is applied. The rotation position detection mechanism 14 has scale portions GPa and GPb provided at both ends of the rotary drum DR, and a plurality of encoder heads EN1, EN2, EN3 and EN4 facing each of the scale portions GPa and GPb. Although only four encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 facing the scale unit GPa are shown in FIGS. 4 and 8, similar encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 face each other on the scale unit GPb. Is placed.

スケール部GPa、GPbは、回転ドラムDRの外周面の周方向の全体に亘って環状にそれぞれ形成されている。スケール部GPa、GPbは、回転ドラムDRの外周面の周方向に一定のピッチ(例えば20μm)で凹状又は凸状の格子線を刻設した回折格子であり、インクリメンタル型スケールとして構成される。本実施形態の場合、スケール部GPa、GPbの格子線(目盛)と、図9に示した基準パターンRMPとは、回転ドラムDRの表面を加工する装置(パターン刻設機等)によって同時に形成される為、ミクロンオーダーで一義的な位置関係にすることができる。なお、スケール部GPa,GPbの周方向の1ヶ所には、原点マークが併設されており、エンコーダヘッドEN1、EN2、EN3、EN4の各々は、その原点マークを検出して原点信号を出力する機能を備える。従って、その原点マークに対しても、基準パターンRMP、周方向に関して一義的な位置関係(既知の角度位置関係)になっている。 The scale portions GPa and GPb are formed in an annular shape over the entire peripheral surface of the rotating drum DR in the circumferential direction. The scale portions GPa and GPb are diffraction gratings in which concave or convex lattice lines are engraved at a constant pitch (for example, 20 μm) in the circumferential direction of the outer peripheral surface of the rotating drum DR, and are configured as an incremental scale. In the case of the present embodiment, the grid lines (scales) of the scale portions GPa and GPb and the reference pattern RMP shown in FIG. 9 are simultaneously formed by an apparatus (pattern engraving machine or the like) for processing the surface of the rotating drum DR. Therefore, it is possible to have a unique positional relationship on the order of microns. An origin mark is provided at one location in the circumferential direction of the scale units GPa and GPb, and each of the encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 has a function of detecting the origin mark and outputting an origin signal. To be equipped. Therefore, the origin mark also has a unique positional relationship (known angular positional relationship) with respect to the reference pattern RMP and the circumferential direction.

基板Pは、回転ドラムDRの両端のスケール部GPa、GPbを避けた内側、つまり、規制帯CLa、CLbの内側に巻き付けられるように構成される。厳密な配置関係を必要とする場合、スケール部GPa、GPbの外周面と、回転ドラムDRに巻き付いた基板Pの部分の外周面とが同一面(回転中心線AX2から同一半径)になるように設定する。その為には、スケール部GPa、GPbの外周面を、回転ドラムDRの基板巻付け用の外周面に対して、径方向に基板Pの厚み分だけ高くしておけば良い。このため、回転ドラムDRに形成されるスケール部GPa、GPbの外周面を、基板Pの外周面とほぼ同一の半径に設定することができる。そのため、エンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4は、回転ドラムDRに巻き付いた基板P上の描画面と同じ径方向位置でスケール部GPa、GPbを検出することができ、計測位置と処理位置とが回転系の径方向に異なることで生ずるアッベ誤差を小さくすることができる。なお、スケール部GPa、GPbを回転ドラムDRの両端部に直接形成できない場合は、回転ドラムDRの直径とほぼ同じ直径の円盤状部材の外周面にスケール部GPa(GPb)を刻設したスケール円盤を、回転ドラムDRのシャフト部Sf2に同軸に取り付けても良い。 The substrate P is configured to be wound inside the rotating drum DR avoiding the scale portions GPa and GPb at both ends, that is, inside the regulation bands CLa and CLb. When a strict arrangement relationship is required, the outer peripheral surfaces of the scale portions GPa and GPb and the outer peripheral surface of the substrate P wound around the rotating drum DR should be on the same surface (the same radius from the rotation center line AX2). Set. For that purpose, the outer peripheral surfaces of the scale portions GPa and GPb may be made higher by the thickness of the substrate P in the radial direction with respect to the outer peripheral surface for winding the substrate of the rotary drum DR. Therefore, the outer peripheral surfaces of the scale portions GPa and GPb formed on the rotating drum DR can be set to have substantially the same radius as the outer peripheral surface of the substrate P. Therefore, the encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 can detect the scale portions GPa and GPb at the same radial position as the drawing surface on the substrate P wound around the rotating drum DR, and the measurement position and the processing position can be set. It is possible to reduce the Abbe error caused by the difference in the radial direction of the rotating system. If the scale portions GPa and GPb cannot be directly formed on both ends of the rotating drum DR, a scale disk in which the scale portion GPa (GPb) is engraved on the outer peripheral surface of a disk-shaped member having a diameter substantially the same as the diameter of the rotating drum DR. May be coaxially attached to the shaft portion Sf2 of the rotating drum DR.

エンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4は、回転中心線AX2からみてスケール部GPa、GPbの周囲にそれぞれ配置されており、回転ドラムDRの周方向において異なる位置となっている。このエンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4は、制御装置16に接続されている。エンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4は、スケール部GPa、GPbに向けて計測用の光ビームを投射し、その反射光束(回折光)を光電検出することにより、スケール部GPa、GPbの周方向の位置変化に応じた検出信号(例えば、90度の位相差を持った2相信号)を制御装置16に出力する。制御装置16は、その検出信号を不図示のカウンタ回路で内挿補間してデジタル処理することにより、回転ドラムDRの角度変化、即ち、その外周面の周方向の位置変化をサブミクロンの分解能で計測することができる。このとき、制御装置16は、回転ドラムDRの角度変化から、回転ドラムDRにおける基板Pの搬送速度も計測することができる。 The encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 are arranged around the scale portions GPa and GPb as viewed from the rotation center line AX2, and are located at different positions in the circumferential direction of the rotation drum DR. The encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 are connected to the control device 16. The encoder heads EN1, EN2, EN3, and EN4 project an optical beam for measurement toward the scale units GPa and GPb, and photoelectrically detect the reflected luminous flux (diffracted light) to detect the reflected light flux (diffracted light) in the circumferential direction of the scale units GPa and GPb. A detection signal (for example, a two-phase signal having a phase difference of 90 degrees) corresponding to the position change of is output to the control device 16. The control device 16 interpolates the detection signal with a counter circuit (not shown) and digitally processes it to digitally process the change in the angle of the rotating drum DR, that is, the change in the position of the outer peripheral surface in the circumferential direction with a resolution of submicron. Can be measured. At this time, the control device 16 can also measure the transport speed of the substrate P in the rotary drum DR from the change in the angle of the rotary drum DR.

また、図4及び図8に示すように、エンコーダヘッドEN1は、設置方位線Le1上に配置される。設置方位線Le1は、XZ面内において、エンコーダヘッドEN1による計測用光ビームのスケール部GPa(GPb)上への投射領域(読取位置)と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Le1は、XZ面内において、描画ラインLL1,LL3,LL5と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドEN1の読取位置と回転中心線AX2とを結ぶ線と、描画ラインLL1,LL3,LL5と回転中心線AX2とを結ぶ線とは、同じ方位線(中心軸AX2から見て同じ方位)となっている。 Further, as shown in FIGS. 4 and 8, the encoder head EN1 is arranged on the installation direction line Le1. The installation azimuth line Le1 is a line connecting the projection region (reading position) of the measurement light beam by the encoder head EN1 on the scale portion GPa (GPb) and the rotation center line AX2 in the XZ plane. Further, as described above, the installation direction line Le1 is a line connecting the drawing lines LL1, LL3, LL5 and the rotation center line AX2 in the XZ plane. From the above, the line connecting the reading position of the encoder head EN1 and the rotation center line AX2 and the line connecting the drawing lines LL1, LL3, LL5 and the rotation center line AX2 are the same directional lines (the same when viewed from the center axis AX2). Orientation).

同様に、図4及び図8に示すように、エンコーダヘッドEN2は、設置方位線Le2上に配置される。設置方位線Le2は、XZ面内において、エンコーダヘッドEN2による計測用光ビームのスケール部GPa(GPb)上への投射領域(読取位置)と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Le2は、XZ面内において、描画ラインLL2,LL4と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドEN2の読取位置と回転中心線AX2とを結ぶ線と、描画ラインLL2,LL4と回転中心線AX2とを結ぶ線とは、同じ方位線(中心軸AX2から見て同じ方位)となっている。 Similarly, as shown in FIGS. 4 and 8, the encoder head EN2 is arranged on the installation direction line Le2. The installation azimuth line Le2 is a line connecting the projection region (reading position) of the measurement light beam by the encoder head EN2 on the scale portion GPa (GPb) and the rotation center line AX2 in the XZ plane. Further, as described above, the installation directional line Le2 is a line connecting the drawing lines LL2 and LL4 and the rotation center line AX2 in the XZ plane. From the above, the line connecting the reading position of the encoder head EN2 and the rotation center line AX2 and the line connecting the drawing lines LL2 and LL4 and the rotation center line AX2 have the same azimuth line (the same direction when viewed from the center axis AX2). It has become.

また、図4及び図8に示すように、エンコーダヘッドEN3は、設置方位線Le3上に配置される。設置方位線Le3は、XZ面内において、エンコーダヘッドEN3による計測用光ビームのスケール部GPa(GPb)上への投射領域(読取位置)と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Le3は、XZ面内において、アライメント顕微鏡AM1による基板Pの観察領域Vw1〜Vw3と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドEN3の読取位置と回転中心線AX2とを結ぶ線と、アライメント顕微鏡AM1の観察領域Vw1〜Vw3と回転中心線AX2とを結ぶ線とは、同じ方位線(中心軸AX2から見て同じ方位)となっている。このような構成により、回転中心軸AX2が延びる方向から見た場合、スケール部GPa、GPb上におけるエンコーダヘッドEN3の計測領域とアライメント顕微鏡AM1の検出領域Vw1〜Vw3とが、回転ドラムDRの周方向に関して同じ位置となっている。 Further, as shown in FIGS. 4 and 8, the encoder head EN3 is arranged on the installation direction line Le3. The installation azimuth line Le3 is a line connecting the projection region (reading position) of the measurement light beam by the encoder head EN3 on the scale portion GPa (GPb) and the rotation center line AX2 in the XZ plane. Further, as described above, the installation directional line Le3 is a line connecting the observation regions Vw1 to Vw3 of the substrate P by the alignment microscope AM1 and the rotation center line AX2 in the XZ plane. From the above, the line connecting the reading position of the encoder head EN3 and the rotation center line AX2 and the line connecting the observation areas Vw1 to Vw3 of the alignment microscope AM1 and the rotation center line AX2 are the same directional line (viewed from the center axis AX2). The same direction). With such a configuration, when viewed from the direction in which the rotation center axis AX2 extends, the measurement area of the encoder head EN3 on the scale units GPa and GPb and the detection areas Vw1 to Vw3 of the alignment microscope AM1 are in the circumferential direction of the rotating drum DR. It is in the same position with respect to.

同様に、図4及び図8に示すように、エンコーダヘッドEN4は、設置方位線Le4上に配置される。設置方位線Le4は、XZ面内において、エンコーダヘッドEN4による計測用光ビームのスケール部GPa(GPb)上への投射領域(読取位置)と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。また、上記したように、設置方位線Le4は、XZ面内において、アライメント顕微鏡AM2による基板Pの観察領域Vw4〜Vw6と、回転中心線AX2とを結ぶ線となっている。以上から、エンコーダヘッドEN4の読取位置と回転中心線AX2とを結ぶ線と、アライメント顕微鏡AM2の観察領域Vw4〜Vw6と回転中心線AX2とを結ぶ線とは、同じ方位線(中心軸AX2から見て同じ方位)となっている。このような構成によって、回転中心軸AX2が延びる方向から見た場合、スケール部GPa、GPb上におけるエンコーダヘッドEN4の計測領域とアライメント顕微鏡AM2の検出領域Vw4〜Vw6とが、回転ドラムDRの周方向に関して同じ位置となっている。 Similarly, as shown in FIGS. 4 and 8, the encoder head EN4 is arranged on the installation azimuth line Le4. The installation azimuth line Le4 is a line connecting the projection region (reading position) of the measurement light beam by the encoder head EN4 on the scale portion GPa (GPb) and the rotation center line AX2 in the XZ plane. Further, as described above, the installation directional line Le4 is a line connecting the observation regions Vw4 to Vw6 of the substrate P by the alignment microscope AM2 and the rotation center line AX2 in the XZ plane. From the above, the line connecting the reading position of the encoder head EN4 and the rotation center line AX2 and the line connecting the observation areas Vw4 to Vw6 of the alignment microscope AM2 and the rotation center line AX2 are the same directional line (viewed from the center axis AX2). The same direction). With such a configuration, when viewed from the direction in which the rotation center axis AX2 extends, the measurement area of the encoder head EN4 on the scale unit GPa and GPb and the detection areas Vw4 to Vw6 of the alignment microscope AM2 are in the circumferential direction of the rotation drum DR. It is in the same position with respect to.

エンコーダヘッドEN1,EN2,EN3,EN4の設置方位(回転中心線AX2を中心としたXZ面内での角度方向)を設置方位線Le1,Le2,Le3,Le4で表す場合、図4に示すように、設置方位線Le1,Le2が、中心面p3に対して角度±θ°になるように、複数の描画モジュールUW1〜UW5及びエンコーダヘッドEN1,EN2が配置される。 When the installation orientation of the encoder heads EN1, EN2, EN3, EN4 (angle direction in the XZ plane centered on the rotation center line AX2) is represented by the installation orientation lines Le1, Le2, Le3, Le4, as shown in FIG. A plurality of drawing modules UW1 to UW5 and encoder heads EN1 and EN2 are arranged so that the installation directional lines Le1 and Le2 have an angle of ± θ ° with respect to the central surface p3.

ここで、制御装置16は、エンコーダヘッドEN1、EN2とカウンタ回路によって検出されるスケール部(回転ドラムDR)GPa,GPbの回転角度位置、すなわち回転ドラムDRの外周面の周方向の移動位置や移動量に基づいて、奇数番及び偶数番の描画モジュールUW1〜UW5による描画開始位置を制御する。つまり、制御装置16は、基板Pに投射される描画ビームLBが走査方向へ走査している期間中、基板Pに描画すべきパターンのCAD情報に基づいて、光偏向器81をOn/Off変調するが、光偏向器81による1走査分のCAD情報のOn/Off変調の開始タイミングを、検出した回転角度位置に基づいて行うことで、基板Pの光感応層上にパターンを精度良く描画することができる。 Here, the control device 16 is the rotation angle position of the scale portions (rotating drum DR) GPa, GPb detected by the encoder heads EN1 and EN2 and the counter circuit, that is, the movement position and movement in the circumferential direction of the outer peripheral surface of the rotation drum DR. Based on the quantity, the drawing start positions by the odd-numbered and even-numbered drawing modules UW1 to UW5 are controlled. That is, the control device 16 On / Off-modulates the optical deflector 81 based on the CAD information of the pattern to be drawn on the substrate P during the period in which the drawing beam LB projected on the substrate P is scanning in the scanning direction. However, by performing the On / Off modulation start timing of the CAD information for one scan by the optical deflector 81 based on the detected rotation angle position, the pattern is accurately drawn on the light-sensitive layer of the substrate P. be able to.

また、制御装置16は、アライメント顕微鏡AM1,AM2により基板P上のアライメントマークKs1〜Ks3が検出されたときの、エンコーダヘッドEN3,EN4によって検出されるスケール部(回転ドラムDR)GPa,GPbの回転角度位置を記憶することにより、基板P上のアライメントマークKs1〜Ks3の位置と回転ドラムDRの回転角度位置との対応関係を求めることができる。同様に、制御装置16は、アライメント顕微鏡AM1,AM2により回転ドラムDR上の基準パターンRMPが検出されたときの、エンコーダヘッドEN3,EN4によって検出されるスケール部(回転ドラムDR)GPa,GPbの回転角度位置を記憶することにより、回転ドラムDR上の基準パターンRMPの位置と回転ドラムDRの回転角度位置との対応関係を求めることができる。このように、アライメント顕微鏡AM1,AM2は、観察領域Vw1〜Vw6内で、基準パターンやマークをサンプリングした瞬間の回転ドラムDRの回転角度位置(又は周方向位置)を精密に計測することができる。そして、露光装置EXでは、この計測結果に基づいて、基板Pと基板P上に描画される所定のパターンとを位置合せ(アライメント)したり、回転ドラムDRと描画装置11の各描画モジュールUW1〜UW5による描画ラインLL1〜LL5との位置関係とをキャリブレーションしたりする。 Further, the control device 16 rotates the scale units (rotating drum DR) GPa and GPb detected by the encoder heads EN3 and EN4 when the alignment marks Ks1 to Ks3 on the substrate P are detected by the alignment microscopes AM1 and AM2. By storing the angular position, it is possible to obtain the correspondence between the positions of the alignment marks Ks1 to Ks3 on the substrate P and the rotational angle position of the rotating drum DR. Similarly, the control device 16 rotates the scale units (rotating drum DR) GPa and GPb detected by the encoder heads EN3 and EN4 when the reference pattern RMP on the rotating drum DR is detected by the alignment microscopes AM1 and AM2. By storing the angular position, it is possible to obtain the correspondence between the position of the reference pattern RMP on the rotating drum DR and the rotational angle position of the rotating drum DR. In this way, the alignment microscopes AM1 and AM2 can accurately measure the rotation angle position (or circumferential position) of the rotating drum DR at the moment when the reference pattern or mark is sampled in the observation areas Vw1 to Vw6. Then, in the exposure apparatus EX, based on this measurement result, the substrate P and a predetermined pattern drawn on the substrate P are aligned (aligned), and the rotary drum DR and each drawing module UW1 to the drawing apparatus 11 are aligned. The positional relationship between the drawing lines LL1 to LL5 by the UW5 is calibrated.

ところで、マルチビーム型の露光装置EXでは、基板Pが搬送方向に搬送されながら、基板P上の複数の描画ラインLL1〜LL5に沿って、描画ビームLBのスポット光が走査される。ここで、各描画ラインLL1〜LL5に沿って走査する描画ビームLBの走査方向が同じ方向であり、また、各描画ラインLL1〜LL5の各々が、中心面p3(中心軸AX2)と精密に平行に設定されている場合、複数の描画ラインLL1〜LL5により基板P上にそれぞれ形成されるパターンPT1〜PT5は、図10に示すようなパターンとなる。 By the way, in the multi-beam type exposure apparatus EX, the spot light of the drawing beam LB is scanned along the plurality of drawing lines LL1 to LL5 on the substrate P while the substrate P is conveyed in the conveying direction. Here, the scanning directions of the drawing beams LB scanned along the drawing lines LL1 to LL5 are the same, and each of the drawing lines LL1 to LL5 is precisely parallel to the central surface p3 (central axis AX2). When set to, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P by the plurality of drawing lines LL1 to LL5 are patterns as shown in FIG.

図10は、第1実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を誇張して示す図である。なお、図10では、基板Pの搬送方向(Xs方向)に展開した図となっているため、Xs方向、Y方向及びZ方向が直交する直交座標系となっている。また、図10では、描画ラインLL1〜LL5とパターンPT1〜PT5との関係が判り易いように、描画ラインLL1〜LL5及びパターンPT1〜PT5とを、基板Pの搬送方向に太くしている。 FIG. 10 is an exaggerated view showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the first embodiment. In addition, since FIG. 10 is a view developed in the transport direction (Xs direction) of the substrate P, it is an orthogonal coordinate system in which the Xs direction, the Y direction, and the Z direction are orthogonal to each other. Further, in FIG. 10, the drawing lines LL1 to LL5 and the patterns PT1 to PT5 are thickened in the transport direction of the substrate P so that the relationship between the drawing lines LL1 to LL5 and the patterns PT1 to PT5 can be easily understood.

図10に示すように、複数の描画モジュールUW1〜UW5の各々から基板Pに投射される描画ビームLBのスポット光は、描画ラインLL1〜LL5に沿って描画開始位置PO1から描画終了位置PO2へ向けて+Y方向に走査される。このとき、描画ビームLBのスポット光は、描画ラインLL1〜LL5に沿って走査される走査方向が全て同じ方向となっている。このため、基板Pの搬送方向Xsから見たとき、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1において形成されたパターンPT1〜PT5の端部PTaと、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2において形成されたパターンPT1〜PT5の端部PTbとは、基板Pの幅方向に隣り合うパターンPT1〜PT5同士において隣接する。 As shown in FIG. 10, the spot light of the drawing beam LB projected from each of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 onto the substrate P is directed from the drawing start position PO1 to the drawing end position PO2 along the drawing lines LL1 to LL5. Is scanned in the + Y direction. At this time, the spot light of the drawing beam LB is scanned along the drawing lines LL1 to LL5 in the same scanning direction. Therefore, when viewed from the transport direction Xs of the substrate P, it is formed at the end portions PTa of the patterns PT1 to PT5 formed at the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5. The end portions PTb of the patterns PT1 to PT5 are adjacent to each other in the patterns PT1 to PT5 adjacent to each other in the width direction of the substrate P.

ここで、描画ビームLBのスポット光が基板Pに対して1回走査されたときの、基板Pに形成されるパターンPT1〜PT5は、基板Pが搬送方向に等速搬送されていることから、わずかに斜めに形成される。その傾き量は、図10では誇張して示してあるが、基板Pの搬送速度Vxsと描画ビームLBのスポット光の走査速度Vpとの比Vxs/Vpで表される。走査速度Vpは走査器83としての回転ポリゴンミラー97の回転速度Rv(rps)に比例し、例えば、回転ポリゴンミラー97の反射面が8面で、反射面毎の実質的な走査期間が40%、描画ライン(LL1〜LL5)の長さをYL(mm)とすると、スポット光の走査速度Vp(mm/S)は、次式によって求まる。
Vp=(8・Rv・YL)/0.4=20・Rv・YL〔mm/S〕
Here, when the spot light of the drawing beam LB is scanned once with respect to the substrate P, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P are conveyed at a constant velocity in the conveying direction. It is formed slightly diagonally. Although the amount of inclination is exaggerated in FIG. 10, it is represented by the ratio Vxs / Vp of the transport speed Vxs of the substrate P and the scanning speed Vp of the spot light of the drawing beam LB. The scanning speed Vp is proportional to the rotation speed Rv (rps) of the rotating polygon mirror 97 as the scanner 83. For example, the rotating polygon mirror 97 has eight reflecting surfaces, and the actual scanning period for each reflecting surface is 40%. Assuming that the lengths of the drawing lines (LL1 to LL5) are YL (mm), the scanning speed Vp (mm / S) of the spot light can be obtained by the following equation.
Vp = (8 ・ Rv ・ YL) /0.4=20 ・ Rv ・ YL [mm / S]

回転ポリゴンミラー97が毎分6000回転(回転速度Rv=100rps)し、長さYLを50mmとすると、走査速度Vpは10万mm/Sとなる。基板Pの搬送速度Vxsを50mm/Sとすると、基板P上での描画ラインの傾き量Vxs/Vpは1/2000となる。この傾き量は、描画ラインのY方向の両端(描画開始点PO1と描画終了点PO2)が、基板P上ではXs方向に25μmだけずれることを意味する。もちろん、回転ポリゴンミラー97の回転速度Rvを上げて、基板Pの搬送速度Vxsを低下させれば、描画ラインの傾き量Vxs/Vpは小さくできるが、描画ラインのY方向の両端(描画開始点PO1と描画終了点PO2)のXs方向のずれ量を、描画すべきパターンの最小線幅の数分の一程度にするには、回転ポリゴンミラー97の回転速度Rvを数倍以上にしつつ、基板Pの搬送速度Vxsを大幅に低下させることになる。つまり、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1において形成されたパターンPT1〜PT5の端部PTaは、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2において形成されたパターンPT1〜PT5の端部PTbと比べて、搬送方向の下流側に形成される。このため、パターンPT1〜PT5の端部PTaと端部PTbとは、搬送方向において異なる位置となってしまう。この場合、基板Pの幅方向に継ぎ合わされるパターンPT1〜PT5は、隣接するパターンPT1〜PT5同士の間に、搬送方向における継ぎ誤差が発生する。 Assuming that the rotating polygon mirror 97 rotates 6000 rpm (rotation speed Rv = 100 rps) and the length YL is 50 mm, the scanning speed Vp is 100,000 mm / S. Assuming that the transport speed Vxs of the substrate P is 50 mm / S, the amount of inclination Vxs / Vp of the drawing line on the substrate P is 1/2000. This amount of inclination means that both ends of the drawing line in the Y direction (drawing start point PO1 and drawing end point PO2) are displaced by 25 μm in the Xs direction on the substrate P. Of course, if the rotation speed Rv of the rotating polygon mirror 97 is increased and the transport speed Vxs of the substrate P is decreased, the inclination amount Vxs / Vp of the drawing line can be reduced, but both ends of the drawing line in the Y direction (drawing start point). In order to reduce the amount of deviation between PO1 and the drawing end point PO2) in the Xs direction to about a fraction of the minimum line width of the pattern to be drawn, the rotation speed Rv of the rotating polygon mirror 97 is increased several times or more, and the substrate is used. The transport speed Vxs of P will be significantly reduced. That is, the end PTa of the patterns PT1 to PT5 formed at the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 is compared with the end PTb of the patterns PT1 to PT5 formed at the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5. Therefore, it is formed on the downstream side in the transport direction. Therefore, the end portion PTa and the end portion PTb of the patterns PT1 to PT5 are at different positions in the transport direction. In this case, the patterns PT1 to PT5 spliced in the width direction of the substrate P cause a splicing error in the transport direction between adjacent patterns PT1 to PT5.

このように、パターンPT1〜PT5の継ぎ誤差は、描画ビームLBのスポット光の主走査方向における走査速度Vpが一定である場合、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の傾きが、基板Pの搬送速度に応じた傾きとなっていない為に生じる。ここで、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の傾きは、露光装置EXの描画前と、露光装置EXの描画時とにおいて、それぞれ調整される。 As described above, the joint error of the patterns PT1 to PT5 is such that when the scanning speed Vp in the main scanning direction of the spot light of the drawing beam LB is constant, the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P is the inclination of the substrate P. It occurs because the inclination does not correspond to the transport speed of. Here, the inclinations of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P are adjusted before drawing the exposure apparatus EX and at the time of drawing the exposure apparatus EX, respectively.

具体的に、露光装置EXの描画前(例えば、アライメント時)に関して、露光装置EXは、予め設定された基準となる基準速度(Vxs)で基板Pを搬送する。このとき、基準速度は、使用する基板Pに応じて適宜変更される場合がある。例えば、基板Pに塗布された光感応層の感度が低い場合には、基準速度を低くしてスポット光による主走査を複数回重ねて露光量を増やすこともある。このため、基準速度で搬送される基板Pに対し、パターンPT1〜PT5が基板Pの幅方向に好適に継ぎ合わされるように、基板Pに対して設定される基準速度に応じて、描画ラインLL1〜LL5が中心面p3(中心軸AX2)に対して適宜傾くように調整される。 Specifically, before drawing the exposure apparatus EX (for example, at the time of alignment), the exposure apparatus EX conveys the substrate P at a preset reference speed (Vxs). At this time, the reference speed may be appropriately changed depending on the substrate P to be used. For example, when the sensitivity of the light-sensitive layer coated on the substrate P is low, the reference speed may be lowered and the main scanning by spot light may be repeated a plurality of times to increase the exposure amount. Therefore, the drawing line LL1 is set according to the reference speed set for the substrate P so that the patterns PT1 to PT5 are suitably joined to the substrate P conveyed at the reference speed in the width direction of the substrate P. ~ LL5 is adjusted so as to be appropriately tilted with respect to the central surface p3 (central axis AX2).

また、露光装置EXによる描画動作中は、基板Pの搬送速度が基準速度となるように回転ドラムDRの回転駆動が制御されるが、このとき、回転ドラムDRの回転軸受部の構造(ベアリング特性)や回転駆動機構(モータのトルク特性、減速ギアの特性等)により、搬送される基板Pの搬送速度は、回転ドラムDRの回転周期に応じて基準速度から僅かに速度変動する場合がある。つまり、回転ドラムDRにより搬送される基板Pの搬送速度に、周期的に速度ムラが生じる場合がある。そこで、基準速度から僅かに速度変化する基板Pに対し、パターンPT1〜PT5が基板Pの幅方向に好適に継ぎ合わされるように、基板Pの搬送速度の変動に追従して描画ラインLL1〜LL5の各々を、動的に(アクティブに)傾けるような構成(制御系)を組み込むのが良い。 Further, during the drawing operation by the exposure apparatus EX, the rotational drive of the rotary drum DR is controlled so that the transport speed of the substrate P becomes the reference speed. At this time, the structure (bearing characteristics) of the rotary bearing portion of the rotary drum DR is controlled. ) And the rotation drive mechanism (torque characteristics of the motor, characteristics of the reduction gear, etc.), the transfer speed of the substrate P to be conveyed may slightly fluctuate from the reference speed according to the rotation cycle of the rotary drum DR. That is, the transfer speed of the substrate P conveyed by the rotary drum DR may be periodically uneven. Therefore, the drawing lines LL1 to LL5 follow the fluctuation of the transport speed of the substrate P so that the patterns PT1 to PT5 are preferably spliced in the width direction of the substrate P with respect to the substrate P whose speed slightly changes from the reference speed. It is better to incorporate a configuration (control system) that dynamically (actively) tilts each of the above.

次に、図11を参照して、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。図11は、第1実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。第1実施形態の露光装置EXでは、回転機構24により第1光学定盤23に対し第2光学定盤25を回転させることで、基板Pの幅方向に対し、描画ラインLL1〜LL5を全体的に傾けている。つまり、回転機構24が、描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整する傾き調整機構として機能する。 Next, with reference to FIG. 11, adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P will be described. FIG. 11 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the first embodiment. In the exposure apparatus EX of the first embodiment, the drawing lines LL1 to LL5 are entirely drawn in the width direction of the substrate P by rotating the second optical surface plate 25 with respect to the first optical surface plate 23 by the rotation mechanism 24. Tilt to. That is, the rotation mechanism 24 functions as an inclination adjusting mechanism for adjusting the inclination of the drawing lines LL1 to LL5.

回転機構24は、第1光学定盤23に対し第2光学定盤25を回転させることで、回転軸Iを中心に、基板Pに対して描画装置11を回転させる。回転軸Iを中心に描画装置11が回転すると、描画ラインLL1〜LL5は、相互の位置関係を変化させることなく、基板Pの幅方向(つまり、回転ドラムDRの回転中心線AX2、又は中心面p3)に対して傾く。 The rotation mechanism 24 rotates the second optical surface plate 25 with respect to the first optical surface plate 23, thereby rotating the drawing device 11 with respect to the substrate P about the rotation axis I. When the drawing device 11 rotates around the rotation axis I, the drawing lines LL1 to LL5 are in the width direction of the substrate P (that is, the rotation center line AX2 of the rotating drum DR, or the center surface) without changing the mutual positional relationship. Tilt with respect to p3).

ここで、露光装置EXのアライメント時に関して、基準速度で搬送される基板Pに対し、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に継ぎ合わせる場合の、描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。図11に示すように、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの基準速度に基づいて、回転機構24を回転させる。ここで、基板Pの基準速度は、回転機構24の回転量と対応付けられている。この回転量は、パターンPT1〜PT5の端部PTaと端部PTbとが搬送方向において同じ位置となるような回転量、つまり、パターンPT1〜PT5が基板Pの幅方向に沿って形成されるような回転量(傾き量)となっている。つまり、制御装置16は、検出される基板Pの基準速度に対応付けられる回転量に基づいて、回転機構24を回転させる。具体的に、制御装置16は、図10に示すパターンPT1〜PT5が形成される場合、基板Pの基準速度に基づいて、回転機構24を回転させることで、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が搬送方向の上流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が搬送方向の下流側に位置するように、基板Pに対して描画装置11を回転させる。 Here, with respect to the alignment of the exposure apparatus EX, the adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 when the patterns PT1 to PT5 are joined in the width direction of the substrate P with respect to the substrate P conveyed at the reference speed will be described. .. As shown in FIG. 11, the control device 16 rotates the rotation mechanism 24 based on the reference speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14. Here, the reference speed of the substrate P is associated with the amount of rotation of the rotation mechanism 24. The amount of rotation is such that the ends PTa and the ends PTb of the patterns PT1 to PT5 are at the same position in the transport direction, that is, the patterns PT1 to PT5 are formed along the width direction of the substrate P. The amount of rotation (tilt amount) is large. That is, the control device 16 rotates the rotation mechanism 24 based on the amount of rotation associated with the detected reference speed of the substrate P. Specifically, when the patterns PT1 to PT5 shown in FIG. 10 are formed, the control device 16 rotates the rotation mechanism 24 based on the reference speed of the substrate P to start drawing the drawing lines LL1 to LL5. The drawing device 11 is rotated with respect to the substrate P so that PO1 is located on the upstream side in the transport direction and the drawing end positions PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 are located on the downstream side in the transport direction.

図11に示すように、描画ラインLL1〜LL5の相互の位置関係を変化させずに、回転機構24が描画ラインLL1〜LL5を全体的に傾けると、回転軸Iから遠い側の描画ラインLL1及び描画ラインLL5は、搬送方向における移動量が大きくなる一方で、回転軸Iから近い側の描画ラインLL3は、搬送方向における移動量が小さくなる。つまり、描画ラインLL1は、搬送方向の上流側に大きく移動し、描画ラインLL2は、搬送方向の上流側に僅かに移動する。描画ラインLL3は、搬送方向における移動がほぼない。描画ラインLL4は、搬送方向の下流側に僅かに移動し、描画ラインLL5は、搬送方向の下流側に大きく移動する。このため、回転機構24による回転後(傾き補正後)の描画ラインLL1〜LL5によって基板P上に描画される各パターンPT1〜PT5は、図11の点線で示すように、基板Pの幅方向とほぼ同じ方向に傾き無く形成される。 As shown in FIG. 11, when the rotation mechanism 24 tilts the drawing lines LL1 to LL5 as a whole without changing the mutual positional relationship of the drawing lines LL1 to LL5, the drawing lines LL1 and the drawing lines LL1 on the side far from the rotation axis I The drawing line LL5 has a large amount of movement in the transport direction, while the drawing line LL3 on the side closer to the rotation axis I has a small amount of movement in the transport direction. That is, the drawing line LL1 moves largely to the upstream side in the transport direction, and the drawing line LL2 moves slightly to the upstream side in the transport direction. The drawing line LL3 has almost no movement in the transport direction. The drawing line LL4 moves slightly downstream in the transport direction, and the drawing line LL5 moves significantly downstream in the transport direction. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P by the drawing lines LL1 to LL5 after rotation by the rotation mechanism 24 (after tilt correction) are in the width direction of the substrate P as shown by the dotted line in FIG. It is formed in almost the same direction without inclination.

一方で、回転後(傾き補正後)に露光された各パターンPT1〜PT5は、基板Pの搬送方向において、描画ラインLL1〜LL5の傾きに応じて、僅かに異なる位置に形成される。つまり、パターンPT5は、パターンPT4に対して搬送方向の下流側に形成され、パターンPT4は、パターンPT3に対して搬送方向の下流側に形成され、パターンPT3は、パターンPT2に対して搬送方向の下流側に形成され、パターンPT2は、パターンPT1に対して搬送方向の下流側に形成される。このように、回転軸Iを中心に、回転機構24により描画装置11を回転させる場合、回転後のパターンPT1〜PT5の搬送方向における位置が異なることで、回転後のパターンPT1〜PT5の搬送方向において、所定のズレ量が生じてしまう。このため、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの基準速度に基づいて、各描画モジュールUW1〜UW5の描画タイミングを制御することで、回転後のパターンPT1〜PT5の搬送方向における位置を補正している。つまり、基板Pの基準速度は、描画タイミングの補正量とも対応付けられている。ここで、制御装置16は、描画タイミングを補正するために、基板Pに描画するために使用されるCAD情報を搬送方向において補正している。 On the other hand, the patterns PT1 to PT5 exposed after rotation (after tilt correction) are formed at slightly different positions in the transport direction of the substrate P according to the tilt of the drawing lines LL1 to LL5. That is, the pattern PT5 is formed on the downstream side in the transport direction with respect to the pattern PT4, the pattern PT4 is formed on the downstream side in the transport direction with respect to the pattern PT3, and the pattern PT3 is formed on the downstream side in the transport direction with respect to the pattern PT2. It is formed on the downstream side, and the pattern PT2 is formed on the downstream side in the transport direction with respect to the pattern PT1. In this way, when the drawing device 11 is rotated by the rotation mechanism 24 around the rotation axis I, the positions of the patterns PT1 to PT5 after rotation in the transport direction are different, so that the transport directions of the patterns PT1 to PT5 after rotation are different. In, a predetermined amount of deviation occurs. Therefore, the control device 16 controls the drawing timings of the drawing modules UW1 to UW5 based on the reference speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14, so that the patterns PT1 to PT5 after rotation are conveyed. The position in the direction is corrected. That is, the reference speed of the substrate P is also associated with the correction amount of the drawing timing. Here, in order to correct the drawing timing, the control device 16 corrects the CAD information used for drawing on the substrate P in the transport direction.

図12は、第1実施形態の露光装置で使用されるCAD情報のイメージを示す図である。なお、図12では、基板P上に描画すべきパターンのCAD情報として、図11に示すパターンPT1〜PT5に対応するCADパターンCAD1〜CAD5が図示されている。また、図12の点線で示すCADパターンCAD1〜CAD5は、描画タイミングの補正前のCADパターン(設計上の元データ)CAD1〜CAD5となっており、図12の実線で示すCADパターンCAD1〜CAD5は、描画タイミングの補正後のCADパターンCAD1〜CAD5となっている。 FIG. 12 is a diagram showing an image of CAD information used in the exposure apparatus of the first embodiment. In FIG. 12, CAD patterns CAD1 to CAD5 corresponding to the patterns PT1 to PT5 shown in FIG. 11 are shown as CAD information of the pattern to be drawn on the substrate P. Further, the CAD patterns CAD1 to CAD5 shown by the dotted line in FIG. 12 are CAD patterns (design original data) CAD1 to CAD5 before the correction of the drawing timing, and the CAD patterns CAD1 to CAD5 shown by the solid line in FIG. 12 are , CAD patterns CAD1 to CAD5 after correction of drawing timing.

図12の点線で示すように、補正前のCADパターンCAD1〜CAD5の各々は、基板P上に描画すべきパターンPT1〜PT5と同様の配置で描画されるように、描画データ(ビットパターン)用のメモリ回路中に格納されており、基板Pの搬送方向において同じ位置となっている。このため、補正前のCADパターンCAD1〜CAD5は、基板Pの幅方向に沿って一列に配置されている。 As shown by the dotted line in FIG. 12, each of the CAD patterns CAD1 to CAD5 before correction is for drawing data (bit pattern) so as to be drawn in the same arrangement as the patterns PT1 to PT5 to be drawn on the substrate P. It is stored in the memory circuit of the above, and is at the same position in the transport direction of the substrate P. Therefore, the CAD patterns CAD1 to CAD5 before correction are arranged in a row along the width direction of the substrate P.

制御装置16は、この補正前のCADパターンCAD1〜CAD5を、図11に示す回転後のパターンPT1〜PT5が搬送方向において同じ位置となるように、つまり、パターンPT1〜PT5の端部PTa,PTb同士が継ぎ合わされるように、CADパターンCAD5を基準にして、CADパターンCAD1〜CAD4を搬送方向に補正している。つまり、制御装置16は、図12の実線で示すように、図11に示す回転後のパターンPT1〜PT5の搬送方向における位置のズレ量に応じて、補正前のCADパターンCAD1〜CAD5の各々を、搬送方向に補正する。その補正は、例えば、補正前のCADパターンCAD1〜CAD5の各々の描画データ(ビットパターン)をメモリ回路から読み出す開始タイミングをずらしていくことで行われる。 The control device 16 arranges the CAD patterns CAD1 to CAD5 before correction so that the patterns PT1 to PT5 after rotation shown in FIG. 11 are at the same position in the transport direction, that is, the ends PTa and PTb of the patterns PT1 to PT5. The CAD patterns CAD1 to CAD4 are corrected in the transport direction with reference to the CAD pattern CAD5 so that they are joined to each other. That is, as shown by the solid line in FIG. 12, the control device 16 sets each of the CAD patterns CAD1 to CAD5 before correction according to the amount of displacement of the positions of the rotated patterns PT1 to PT5 shown in FIG. 11 in the transport direction. , Correct in the transport direction. The correction is performed, for example, by shifting the start timing of reading each drawing data (bit pattern) of the CAD patterns CAD1 to CAD5 before correction from the memory circuit.

なお、図11の点線で示すパターンPT1〜PT5の搬送方向におけるズレ量は、上記のように基板Pの搬送速度に対応付けられていることから、制御装置16は、基板Pの搬送速度に基づいて、CADパターンCAD1〜CAD5の搬送方向における補正(描画データの読み出し開始タイミングのずらし等)を行う。補正後のCAD情報は、CADパターンCAD5がCADパターンCAD4に対して搬送方向の上流側に位置し、CADパターンCAD4がCADパターンCAD3に対して搬送方向の上流側に位置し、CADパターンCAD3がCADパターンCAD2に対して搬送方向の上流側に位置し、CADパターンCAD2がCADパターンCAD1に対して搬送方向の上流側に位置する。なお、制御装置16は、CADパターンCAD5を基準として、他のCADパターンCAD1〜CAD4を補正したが、他のCADパターンCAD1〜4を基準として補正してもよい。 Since the amount of deviation of the patterns PT1 to PT5 shown by the dotted line in FIG. 11 in the transport direction is associated with the transport speed of the substrate P as described above, the control device 16 is based on the transport speed of the substrate P. Then, the CAD patterns CAD1 to CAD5 are corrected in the transport direction (such as shifting the reading start timing of the drawing data). In the corrected CAD information, the CAD pattern CAD5 is located upstream of the CAD pattern CAD4 in the transport direction, the CAD pattern CAD4 is located upstream of the CAD pattern CAD3 in the transport direction, and the CAD pattern CAD3 is CAD. It is located upstream of the pattern CAD2 in the transport direction, and the CAD pattern CAD2 is located upstream of the CAD pattern CAD1 in the transport direction. Although the control device 16 has corrected the other CAD patterns CAD1 to CAD4 with reference to the CAD pattern CAD5, the control device 16 may correct the other CAD patterns CAD1 to CAD4 with reference to the other CAD patterns CAD1 to 4.

このように、制御装置16は、露光装置EXのアライメント時において、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度に応じて、図12の実線で示すCADパターンCAD1〜CAD5の搬送方向における位置を補正することにより、図11の実線で示すパターンPT1〜PT5として基板P上に描画することができる。 As described above, the control device 16 is in the transport direction of the CAD patterns CAD1 to CAD5 shown by the solid line in FIG. 12 according to the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 at the time of alignment of the exposure device EX. By correcting the position, the patterns PT1 to PT5 shown by the solid line in FIG. 11 can be drawn on the substrate P.

なお、露光装置EXのアライメント時における、描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整は、回転機構24を手動により回転させてもよいし、制御装置16により回転機構24を駆動制御して回転させてもよい。 To adjust the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 at the time of alignment of the exposure apparatus EX, the rotation mechanism 24 may be manually rotated, or the rotation mechanism 24 may be driven and controlled by the control device 16 to be rotated. Good.

次に、露光装置EXの描画時に関して、基準速度から速度ムラによって僅かに速度変化しながら搬送される基板Pに対し、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に継ぎ合わせる場合の、描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。図11に示すように、回転機構24は、基準速度で搬送される基板Pに対し、基板Pの幅方向に対して描画ラインLL1〜LL5を所定の傾きとすることで、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に好適に継ぎ合わせている。 Next, regarding the drawing of the exposure apparatus EX, the drawing line LL1 when the patterns PT1 to PT5 are joined in the width direction of the substrate P with respect to the substrate P which is conveyed while slightly changing the speed from the reference speed due to speed unevenness. The adjustment of the inclination of ~ LL5 will be described. As shown in FIG. 11, the rotation mechanism 24 sets the patterns PT1 to PT5 by setting the drawing lines LL1 to LL5 at a predetermined inclination with respect to the substrate P conveyed at the reference speed with respect to the width direction of the substrate P. It is preferably spliced in the width direction of the substrate P.

図11に示す状態から、基板Pが基準速度よりも速い搬送速度で搬送されると、基板P上に形成されるパターンPT1〜PT5は、図10に示すように、斜めに形成される。つまり、パターンPT1〜PT5の端部PTaは、パターンPT1〜PT5の端部PTbと比べて、搬送方向の下流側に形成される。一方で、基板Pが基準速度よりも遅い搬送速度で搬送されると、基板P上に形成されるパターンPT1〜PT5は、図10に示すパターンPT1〜PT5とは逆向きに傾斜(図10中で右下がりに傾斜)して形成される。つまり、パターンPT1〜PT5の端部PTaは、パターンPT1〜PT5の端部PTbと比べて、搬送方向の上流側に形成される。 When the substrate P is conveyed at a transfer speed faster than the reference speed from the state shown in FIG. 11, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P are formed obliquely as shown in FIG. That is, the end PTa of the patterns PT1 to PT5 is formed on the downstream side in the transport direction as compared with the end PTb of the patterns PT1 to PT5. On the other hand, when the substrate P is conveyed at a transfer speed slower than the reference speed, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P are inclined in the opposite direction to the patterns PT1 to PT5 shown in FIG. 10 (in FIG. 10). It is formed by tilting downward to the right. That is, the end PTa of the patterns PT1 to PT5 is formed on the upstream side in the transport direction as compared with the end PTb of the patterns PT1 to PT5.

制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度が、基準速度よりも速くなると、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも搬送方向の上流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2よりも搬送方向の下流側に位置するように、回転機構24を回転させ、図11の状態から描画ラインLL1〜LL5の全体をさらに時計回りに回転する。また、回転機構24を回転させると、回転後のパターンPT1〜PT5は、パターンPT1〜PT4がパターンPT2〜PT5に比して搬送方向の上流側となるように、搬送方向において位置ズレしてしまう。このため、制御装置16は、基板Pに描画するためのCAD情報を、CADパターンCAD1〜CAD4がCADパターンCAD2〜CAD5に比して搬送方向の下流側となるように、搬送方向において描画タイミング(メモリ回路からの描画データの読み出し開始タイミング)を補正する。 In the control device 16, when the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 becomes faster than the reference speed, the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 draws the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. It is located upstream of the start position PO1 in the transport direction, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 is located downstream of the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. In addition, the rotation mechanism 24 is rotated, and the entire drawing lines LL1 to LL5 are further rotated clockwise from the state shown in FIG. Further, when the rotation mechanism 24 is rotated, the rotated patterns PT1 to PT5 are displaced in the transport direction so that the patterns PT1 to PT4 are on the upstream side in the transport direction with respect to the patterns PT2 to PT5. .. Therefore, the control device 16 draws the CAD information for drawing on the substrate P at the drawing timing in the transport direction so that the CAD patterns CAD1 to CAD4 are on the downstream side of the transport direction with respect to the CAD patterns CAD2 to CAD5. The timing to start reading the drawing data from the memory circuit) is corrected.

一方で、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度が、基準速度よりも遅くなると、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも搬送方向の下流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2よりも搬送方向の上流側に位置するように、回転機構24を回転させる。また、回転機構24を回転させると、回転後のパターンPT1〜PT5は、パターンPT1〜PT4がパターンPT2〜PT5に比して搬送方向の下流側となるように、搬送方向において位置ズレしてしまう。このため、制御装置16は、基板Pに描画するためのCAD情報を、CADパターンCAD1〜CAD4がCADパターンCAD2〜CAD5に比して搬送方向の上流側となるように、搬送方向において描画タイミング(メモリ回路からの描画データの読み出し開始タイミング)を補正する。 On the other hand, in the control device 16, when the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 becomes slower than the reference speed, the drawing start positions PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 are changed to the drawing lines LL1 to the reference speed. It is located downstream of the drawing start position PO1 of the LL5 in the transport direction, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 is located upstream of the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. The rotation mechanism 24 is rotated so that it is positioned. Further, when the rotation mechanism 24 is rotated, the rotated patterns PT1 to PT5 are displaced in the transport direction so that the patterns PT1 to PT4 are on the downstream side in the transport direction with respect to the patterns PT2 to PT5. .. Therefore, the control device 16 draws the CAD information for drawing on the substrate P at the drawing timing in the transport direction so that the CAD patterns CAD1 to CAD4 are on the upstream side of the transport direction with respect to the CAD patterns CAD2 to CAD5. The timing to start reading the drawing data from the memory circuit) is corrected.

このように、制御装置16は、露光装置EXの描画時において、基板Pが、速度ムラによって基準速度から僅かに速度変化しながら搬送されても、回転位置検出機構14によって検出される搬送速度と基準速度との差分に基づいて、描画ラインLL1〜LL5の全体的な傾きを調整することができる。また、制御装置16は、回転後のパターンPT1〜PT5の搬送方向におけるズレ量分を補正量として、CADパターンCAD1〜CAD5の搬送方向における位置を補正(描画開始タイミングを補正)することにより、基板Pの幅方向に直線的につなげた状態でパターンPT1〜PT5を基板P上に描画することができる。 As described above, the control device 16 has a transfer speed detected by the rotation position detection mechanism 14 even if the substrate P is conveyed while the speed is slightly changed from the reference speed due to speed unevenness during drawing of the exposure device EX. The overall inclination of the drawing lines LL1 to LL5 can be adjusted based on the difference from the reference speed. Further, the control device 16 corrects the position of the CAD patterns CAD1 to CAD5 in the transport direction (corrects the drawing start timing) by using the amount of deviation of the patterns PT1 to PT5 after rotation as the correction amount in the transport direction. Patterns PT1 to PT5 can be drawn on the substrate P in a state of being linearly connected in the width direction of P.

なお、回転機構24による回転量は、基板Pの基準速度、搬送速度に応じて予め求めることが好ましい。同様に、CAD情報の補正量も、基板Pの基準速度、搬送速度に応じて予め求めることが好ましい。さらに、基板Pの基準速度、基準速度からの変位、回転機構24の回転量、CAD情報の補正量を、相関付けた相関マップとして求めてもよい。また、CADパターンCAD1〜CAD5の搬送方向における位置を補正(描画開始タイミングを補正)する際は、図4又は図8に示した高分解能なエンコーダヘッドEN1、EN2(回転位置検出機構14)の各々によって検出される回転ドラムDRの角度位置(基板Pの搬送位置)に基づいて、各描画ラインLL1〜LL5による描画を開始(メモリ回路からの描画データのアクセスを開始)する。具体的には、回転機構24による回転補正後に生じ得るパターンPT1〜PT5の各々の描画開始位置PO1と描画終了位置PO2との搬送方向のずれ量が、制御装置16によって計算されると、エンコーダヘッドEN1、EN2の各々によって検出される回転ドラムDRの角度位置に、そのずれ量に応じた±ΔXsの補正を加えた補正位置情報を生成する。そして、その補正位置情報に基づいて各描画ラインLL1〜LL5による描画を開始(メモリ回路からの描画データのアクセスを開始)する。 The amount of rotation by the rotation mechanism 24 is preferably determined in advance according to the reference speed and the transport speed of the substrate P. Similarly, it is preferable that the correction amount of the CAD information is also obtained in advance according to the reference speed and the transport speed of the substrate P. Further, the reference speed of the substrate P, the displacement from the reference speed, the rotation amount of the rotation mechanism 24, and the correction amount of the CAD information may be obtained as a correlated correlation map. Further, when correcting the positions of the CAD patterns CAD1 to CAD5 in the transport direction (correcting the drawing start timing), the high-resolution encoder heads EN1 and EN2 (rotational position detection mechanism 14) shown in FIGS. 4 or 8 respectively. Based on the angular position of the rotary drum DR (conveyed position of the substrate P) detected by the above, drawing by each drawing line LL1 to LL5 is started (access of drawing data from the memory circuit is started). Specifically, when the amount of deviation in the transport direction between the drawing start position PO1 and the drawing end position PO2 of the patterns PT1 to PT5 that can occur after the rotation correction by the rotation mechanism 24 is calculated by the control device 16, the encoder head Corrected position information is generated by adding a correction of ± ΔXs according to the amount of deviation to the angular position of the rotary drum DR detected by each of EN1 and EN2. Then, based on the correction position information, drawing by each drawing line LL1 to LL5 is started (access of drawing data from the memory circuit is started).

以上、第1実施形態は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度に基づいて、回転機構24によって第2光学定盤25を回転させることにより、描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整することができる。このため、描画ラインLL1〜LL5に沿って走査される描画ビームLBによって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向に沿って直線的に形成することができる。また、回転機構24による第2光学定盤25の回転後、CADパターンCAD1〜CAD5の描画タイミングを補正して、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの搬送方向において同じ位置とすることができる。よって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向及び搬送方向(長尺方向)に好適に継ぎ合わせるように補正することができるため、速度ムラによる継ぎ誤差を抑制することができる。 As described above, in the first embodiment, the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 is set by rotating the second optical surface plate 25 by the rotation mechanism 24 based on the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14. Can be adjusted. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be linearly formed along the width direction of the substrate P by the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1 to LL5. Further, after the rotation of the second optical surface plate 25 by the rotation mechanism 24, the drawing timings of the CAD patterns CAD1 to CAD5 are corrected, and the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P are placed at the same positions in the transport direction of the substrate P. Can be. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be corrected so as to be suitably spliced in the width direction and the transport direction (long direction) of the substrate P, so that splicing error due to speed unevenness can be suppressed. be able to.

また、第1実施形態は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度に応じて、制御装置16により回転機構24をリアルタイムに回転させることができる。このため、露光装置EXによる描画中においても、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整することができ、回転ドラムDRの周期的な速度ムラによって生じる継ぎ誤差も抑制することができる。 Further, in the first embodiment, the rotation mechanism 24 can be rotated in real time by the control device 16 according to the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14. Therefore, the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P can be adjusted even during drawing by the exposure apparatus EX, and the joint error caused by the periodic speed unevenness of the rotating drum DR can be suppressed. it can.

また、第1実施形態は、基板Pの搬送速度が基準速度よりも速いとき、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5を、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも上流側で、描画終了位置PO2よりも下流側となるように傾けることで、パターンPT1〜PT5を好適に補正することができる。また、基板Pの搬送速度が基準速度よりも遅いとき、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5を、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも下流側で、描画終了位置PO2よりも上流側となるように傾けることで、パターンPT1〜PT5を好適に補正することができる。 Further, in the first embodiment, when the transport speed of the substrate P is faster than the reference speed, the drawing lines LL1 to LL5 in the width direction of the substrate P are upstream from the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. The patterns PT1 to PT5 can be suitably corrected by tilting the drawing end position PO2 so as to be downstream of the drawing end position PO2. Further, when the transport speed of the substrate P is slower than the reference speed, the drawing lines LL1 to LL5 in the width direction of the substrate P are located downstream of the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed, and the drawing end position. Patterns PT1 to PT5 can be suitably corrected by tilting them so as to be on the upstream side of PO2.

また、第1実施形態は、各描画モジュールUW1〜UW5を、光偏向器81と走査器83とを含んで構成することができるため、描画ラインLL1〜LL5に沿って一次元の方向に描画ビームLBを走査することができる。 Further, in the first embodiment, since each drawing module UW1 to UW5 can be configured to include the optical deflector 81 and the scanning device 83, the drawing beam is drawn in a one-dimensional direction along the drawing lines LL1 to LL5. The LB can be scanned.

また、第1実施形態は、回転機構24により、第2光学定盤25に設置された描画装置11を回転することで、描画ラインLL1〜LL5の相互の位置関係を維持しつつ、描画ラインLL1〜LL5の全ての傾きを調整することができる。このため、制御装置16は、回転機構24の回転を制御すればよいため、制御に係る構成を簡易な構成とすることができる。 Further, in the first embodiment, the drawing device 11 installed on the second optical surface plate 25 is rotated by the rotation mechanism 24 to maintain the mutual positional relationship between the drawing lines LL1 to LL5 and the drawing line LL1. All tilts of ~ LL5 can be adjusted. Therefore, since the control device 16 only needs to control the rotation of the rotation mechanism 24, the configuration related to the control can be simplified.

また、第1実施形態は、各描画モジュールUW1〜UW5から投射される描画ビームLBの基板P上におけるサイズ(スポット径)をD(μm)、描画ビームLBの描画ラインLL1〜LL5に沿った走査速度をVp(μm/秒)としたとき、光源装置CNTは、パルス光を射出するレーザ光源の発光繰り返し周期T(秒)を、T<D/Vpの関係にすることができる。このため、描画ビームLBによるスポット光を基板P上で重複させながら、描画ビームLBを走査方向に走査することができるため、光偏向器81がON状態の間は、描画ビームLBによる描画ラインが走査方向に途切れることなく連続線として描画される。 Further, in the first embodiment, the size (spot diameter) of the drawing beam LB projected from the drawing modules UW1 to UW5 on the substrate P is set to D (μm), and the drawing beam LB is scanned along the drawing lines LL1 to LL5. When the speed is Vp (μm / sec), the light source device CNT can set the emission repetition period T (second) of the laser light source that emits pulsed light to have a relationship of T <D / Vp. Therefore, the drawing beam LB can be scanned in the scanning direction while overlapping the spot light by the drawing beam LB on the substrate P, so that the drawing line by the drawing beam LB is displayed while the optical deflector 81 is ON. It is drawn as a continuous line without interruption in the scanning direction.

なお、第1実施形態では、回転機構24により第2光学定盤25を回転させ、基板Pに対し描画装置11を回転させることで、基板Pの幅方向に対し描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整した。しかしながら、この構成に限定されず、基板Pの幅方向に対し描画ラインLL1〜LL5の傾きを相対的に調整すればよい。つまり、露光装置EXは、XY面内において、回転ドラムDRの回転中心線AX2を、回転軸Iを中心にXY面内で回転させる構成であってもよい。この場合は、基板Pの搬送経路中で、少なくとも回転ドラムDRの前後に配置されるローラRT1、RT2(図1)も一体となって、回転軸Iを中心にXY面内で回転させる構成とするのが良い。 In the first embodiment, the second optical surface plate 25 is rotated by the rotation mechanism 24, and the drawing device 11 is rotated with respect to the substrate P so that the drawing lines LL1 to LL5 are tilted with respect to the width direction of the substrate P. It was adjusted. However, the present invention is not limited to this configuration, and the inclinations of the drawing lines LL1 to LL5 may be adjusted relative to the width direction of the substrate P. That is, the exposure apparatus EX may have a configuration in which the rotation center line AX2 of the rotating drum DR is rotated in the XY plane about the rotation axis I in the XY plane. In this case, in the transport path of the substrate P, at least the rollers RT1 and RT2 (FIG. 1) arranged before and after the rotating drum DR are integrated and rotated in the XY plane around the rotation axis I. It is good to do.

[第2実施形態]
次に、図13から図16を参照して、第2実施形態の露光装置EXについて説明する。なお、第2実施形態では、第1実施形態と重複する記載を避けるべく、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成要素については、第1実施形態と同じ符号を付して説明を省略することもある。図13は、第2実施形態の露光装置のf−θレンズ系の一部の構成を示す図である。図14は、図13のf−θレンズ系のシリンドリカルレンズの構成を示す図である。図15は、第2実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。図16は、第2実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。第1実施形態の露光装置EXは、回転機構24により第2光学定盤25を回転させることで、描画ラインLL1〜LL5の傾きを全体で調整した。これに対し、第2実施形態の露光装置EXは、描画ラインLL1〜LL5の各々の傾きを個別に調整している。
[Second Embodiment]
Next, the exposure apparatus EX of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 to 16. In the second embodiment, only the parts different from the first embodiment will be described in order to avoid duplication with the first embodiment, and the same components as those in the first embodiment are the same as those in the first embodiment. The description may be omitted by adding a reference numeral. FIG. 13 is a diagram showing a partial configuration of the f−θ lens system of the exposure apparatus of the second embodiment. FIG. 14 is a diagram showing a configuration of a cylindrical lens of the f−θ lens system of FIG. FIG. 15 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the second embodiment. FIG. 16 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the second embodiment. In the exposure apparatus EX of the first embodiment, the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 is adjusted as a whole by rotating the second optical surface plate 25 by the rotation mechanism 24. On the other hand, the exposure apparatus EX of the second embodiment individually adjusts the inclination of each of the drawing lines LL1 to LL5.

第2実施形態の露光装置EXにおいて、図13に示すように、f−θレンズ系85は、テレセントリックf−θレンズ85aと、シリンドリカルレンズ85bとを含んで構成されている。なお、図13では、f−θレンズ系85において、テレセントリックf−θレンズ85a及びシリンドリカルレンズ85b以外の他のレンズの図示を省略している。 In the exposure apparatus EX of the second embodiment, as shown in FIG. 13, the f-θ lens system 85 includes a telecentric f-θ lens 85a and a cylindrical lens 85b. In FIG. 13, in the f-θ lens system 85, the illustration of lenses other than the telecentric f-θ lens 85a and the cylindrical lens 85b is omitted.

テレセントリックf−θレンズ85aは、照射される描画ビームLBをXZ面中では平行光とし、Y方向(走査方向)では収束光とする。XZ面中で平行光の描画ビームLBは、シリンドリカルレンズ85bへ向けて照射する。シリンドリカルレンズ85bは、テレセントリックf−θレンズ85aと基板Pとの間に設けられている。シリンドリカルレンズ85bは、描画ラインLL1(LL2〜LL5も同様)が延びる走査方向とほぼ平行な母線を有しており、母線と直交する方向に所定のパワー(屈折力)を有して描画ビームLBをスポット光に集光している。また、図14に示すように、シリンドリカルレンズ85bは、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の各々の傾きを微調整するために、回転軸I1〜I5を中心に回転可能となっている。回転軸I1〜I5は、基板P上に形成される描画ラインLL1〜LL5を含む描画面内の所定点を中心とする回転軸である。回転軸I1〜I5は、例えば、描画ラインLL1〜LL5が延びる方向の中央を中心とする回転軸であり、描画ビームLBの軸線と同じ方向となっている。つまり、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5の回転軸I1,I3,I5は、設置方位線Le1と同じ方向となっており、偶数の描画ラインLL2,LL4の回転軸I2,I4は、設置方位線Le2と同じ方向となっている。このシリンドリカルレンズ85bは、駆動部100によって回転軸I1〜I5を中心に回転し、駆動部100に接続される制御装置16によって、シリンドリカルレンズ85bの回転が制御される。シリンドリカルレンズ85bの回転軸I1〜I5を中心とした回転では、回転軸I1〜I5付近を通って基板P上に投射される描画ビームの主光線に対して、シリンドリカルレンズ85bの母線方向(Y方向)の両端側を通って基板P上に投射される描画ビームの主光線が、シリンドリカルレンズ85bの母線と回転軸I1〜I5といずれとも直交する方向に関して僅かに傾くため、基板P上の描画ラインLL1〜LL5を僅かに傾けることができる。 The telecentric f−θ lens 85a makes the irradiated drawing beam LB parallel light in the XZ plane and convergent light in the Y direction (scanning direction). The drawing beam LB of parallel light in the XZ plane irradiates the cylindrical lens 85b. The cylindrical lens 85b is provided between the telecentric f-θ lens 85a and the substrate P. The cylindrical lens 85b has a bus line substantially parallel to the scanning direction in which the drawing line LL1 (similar to LL2 to LL5) extends, and has a predetermined power (refractive power) in a direction orthogonal to the bus line and has a drawing beam LB. Is focused on the spot light. Further, as shown in FIG. 14, the cylindrical lens 85b is rotatable about the rotation axes I1 to I5 in order to finely adjust the inclination of each of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P. .. The rotation axes I1 to I5 are rotation axes centered on a predetermined point in the drawing surface including the drawing lines LL1 to LL5 formed on the substrate P. The rotation axes I1 to I5 are, for example, rotation axes centered on the center in the direction in which the drawing lines LL1 to LL5 extend, and are in the same direction as the axis of the drawing beam LB. That is, the rotation axes I1, I3, I5 of the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 are in the same direction as the installation direction line Le1, and the rotation axes I2, I4 of the even-numbered drawing lines LL2, LL4 are installed. It is in the same direction as the azimuth line Le2. The cylindrical lens 85b is rotated about the rotation axes I1 to I5 by the drive unit 100, and the rotation of the cylindrical lens 85b is controlled by the control device 16 connected to the drive unit 100. In the rotation centered on the rotation axes I1 to I5 of the cylindrical lens 85b, the direction of the bus of the cylindrical lens 85b (Y direction) with respect to the main ray of the drawing beam projected on the substrate P through the vicinity of the rotation axes I1 to I5. ), The main ray of the drawing beam projected on the substrate P through both ends is slightly tilted with respect to the direction orthogonal to the bus bus of the cylindrical lens 85b and the rotation axes I1 to I5, so that the drawing line on the substrate P The LL1 to LL5 can be tilted slightly.

次に、図15を参照して、基板Pの幅方向に対する描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。第2実施形態の露光装置EXでは、駆動部100によりシリンドリカルレンズ85bを回転させることで、基板Pの幅方向に対し、描画ラインLL1〜LL5を傾けている。つまり、シリンドリカルレンズ85bが、描画ラインLL1〜LL5の各々の傾きを調整する描画ライン回転機構として機能する。 Next, with reference to FIG. 15, adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 with respect to the width direction of the substrate P will be described. In the exposure apparatus EX of the second embodiment, the drawing lines LL1 to LL5 are tilted with respect to the width direction of the substrate P by rotating the cylindrical lens 85b by the drive unit 100. That is, the cylindrical lens 85b functions as a drawing line rotation mechanism for adjusting the inclination of each of the drawing lines LL1 to LL5.

駆動部100は、回転軸I1〜I5を中心に、シリンドリカルレンズ85bをそれぞれ回転させることで、各描画モジュールUW1〜UW5の描画ラインLL1〜LL5を、基板Pの幅方向に対して傾ける。 The drive unit 100 tilts the drawing lines LL1 to LL5 of the drawing modules UW1 to UW5 with respect to the width direction of the substrate P by rotating the cylindrical lenses 85b about the rotation axes I1 to I5.

ここで、露光装置EXの描画前(例えば、アライメント時)に関して、基準速度で搬送される基板Pに対し、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に継ぎ合わせる場合の、描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。なお、上記の場合の第2実施形態における描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整は、第1実施形態における描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整とほぼ同様となっているため、重複する部分については一部説明を省略する。図15に示すように、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出された基板Pの基準速度に基づいて、駆動部100を制御して、シリンドリカルレンズ85bを回転させる。この場合も、基板Pの基準速度は、シリンドリカルレンズ85bの回転量と対応付けられている。具体的に、制御装置16は、基板Pの基準速度に基づいて、シリンドリカルレンズ85bを回転させることで、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が搬送方向の上流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が搬送方向の下流側に位置するように、基板Pに対してシリンドリカルレンズ85bを回転させる。 Here, before drawing the exposure apparatus EX (for example, at the time of alignment), when the patterns PT1 to PT5 are spliced in the width direction of the substrate P with respect to the substrate P conveyed at the reference speed, the drawing lines LL1 to LL5 The adjustment of the inclination will be described. The adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 in the second embodiment in the above case is almost the same as the adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 in the first embodiment. Some explanations will be omitted. As shown in FIG. 15, the control device 16 controls the drive unit 100 based on the reference speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 to rotate the cylindrical lens 85b. In this case as well, the reference speed of the substrate P is associated with the amount of rotation of the cylindrical lens 85b. Specifically, the control device 16 rotates the cylindrical lens 85b based on the reference speed of the substrate P so that the drawing start positions PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 are located on the upstream side in the transport direction, and the drawing line LL1 The cylindrical lens 85b is rotated with respect to the substrate P so that the drawing end position PO2 of LL5 is located on the downstream side in the transport direction.

図15に示すように、回転軸I1〜I5を中心に、描画ラインLL1〜LL5をそれぞれ傾けると、各描画ラインLL1〜LL5の搬送方向における位置はほぼ変化しない。このため、回転後の描画ラインLL1〜LL5によって基板P上に描画される各パターンPT1〜PT5は、図15の実線で示すように、基板Pの幅方向とほぼ同じ方向に直線的に形成され、また、基板Pの搬送方向においても同じ位置となる。このように、パターンPT1〜PT5は、基板Pの幅方向に沿って一列に継ぎ合わされて形成される。 As shown in FIG. 15, when the drawing lines LL1 to LL5 are tilted about the rotation axes I1 to I5, the positions of the drawing lines LL1 to LL5 in the transport direction are substantially unchanged. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P by the rotated drawing lines LL1 to LL5 are linearly formed in the same direction as the width direction of the substrate P, as shown by the solid line in FIG. Also, the positions are the same in the transport direction of the substrate P. As described above, the patterns PT1 to PT5 are formed by being joined in a row along the width direction of the substrate P.

次に、露光装置EXの描画時に関して、基準速度から速度ムラによって僅かに速度変化しながら搬送される基板Pに対し、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に継ぎ合わせる場合の、描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整について説明する。なお、上記の場合の第2実施形態における描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整は、第1実施形態における描画ラインLL1〜LL5の傾きの調整とほぼ同様となっているため、重複する部分については一部説明を省略する。図15に示すように、駆動部100は、基準速度で搬送される基板Pに対し、基板Pの幅方向に対して描画ラインLL1〜LL5を所定の傾きとすることで、パターンPT1〜PT5を基板Pの幅方向に好適に継ぎ合わせている。 Next, regarding the drawing of the exposure apparatus EX, the drawing line LL1 when the patterns PT1 to PT5 are joined in the width direction of the substrate P with respect to the substrate P which is conveyed while slightly changing the speed from the reference speed due to speed unevenness. The adjustment of the inclination of ~ LL5 will be described. The adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 in the second embodiment in the above case is almost the same as the adjustment of the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 in the first embodiment. Some explanations will be omitted. As shown in FIG. 15, the drive unit 100 arranges the patterns PT1 to PT5 by setting the drawing lines LL1 to LL5 at a predetermined inclination with respect to the substrate P conveyed at the reference speed with respect to the width direction of the substrate P. It is preferably spliced in the width direction of the substrate P.

図15に示す状態から、基板Pが基準速度よりも速い搬送速度で搬送されると、基板P上に形成されるパターンPT1〜PT5は、端部PTaが端部PTbと比べて搬送方向の下流側となるように、斜めに形成される。一方で、基板Pが基準速度よりも遅い搬送速度で搬送されると、基板P上に形成されるパターンPT1〜PT5は、端部PTaが端部PTbと比べて搬送方向の上流側となるように、斜めに形成される。 From the state shown in FIG. 15, when the substrate P is conveyed at a transfer speed faster than the reference speed, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P have the end PTa downstream of the end PTb in the transfer direction. It is formed diagonally so that it is on the side. On the other hand, when the substrate P is conveyed at a transfer speed slower than the reference speed, the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P have the end PTa on the upstream side in the transfer direction with respect to the end PTb. It is formed diagonally.

制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度が、基準速度よりも速くなると、第1実施形態と同様に、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも搬送方向の上流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2よりも搬送方向の下流側に位置するように、各シリンドリカルレンズ85bの駆動部100制御して、描画ラインLL1〜LL5を傾ける。一方で、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度が、基準速度よりも遅くなると、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1よりも搬送方向の下流側に位置し、描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2が、基準速度における描画ラインLL1〜LL5の描画終了位置PO2よりも搬送方向の上流側に位置するように、各シリンドリカルレンズ85bの駆動部100制御して、描画ラインを傾ける。 When the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 becomes faster than the reference speed, the control device 16 sets the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 to the reference speed as in the first embodiment. Is located upstream of the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 in the drawing line, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 is conveyed more than the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. The driving unit 100 of each cylindrical lens 85b is controlled so that the drawing lines LL1 to LL5 are tilted so as to be located on the downstream side in the direction. On the other hand, in the control device 16, when the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 becomes slower than the reference speed, the drawing start positions PO1 of the drawing lines LL1 to LL5 are changed to the drawing lines LL1 to the reference speed. It is located downstream of the drawing start position PO1 of the LL5 in the transport direction, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 is located upstream of the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5 at the reference speed. The drive unit 100 of each cylindrical lens 85b is controlled so that the drawing line is tilted.

ここで、第2実施形態の露光装置EXは、描画ラインLL1〜LL5の傾きを個別に調整している。このため、中心面p3を挟んで、上流側の(奇数番の)描画モジュールUW1,UW3,UW5の描画ラインLL1,LL3,LL5と、下流側の(偶数番の)描画モジュールUW2,UW4の描画ラインLL2,LL4とに分けてそれぞれ傾きを調整することが可能となっている。 Here, the exposure apparatus EX of the second embodiment individually adjusts the inclinations of the drawing lines LL1 to LL5. Therefore, the drawing lines LL1, LL3, LL5 of the upstream (odd number) drawing modules UW1, UW3, UW5 and the drawing modules UW2, UW4 on the downstream side (even number) are drawn with the central surface p3 in between. It is possible to adjust the inclination of each of the lines LL2 and LL4.

露光装置EXの描画時において発生する速度ムラは、回転ドラムDRの周方向における回転位置において異なる場合がある。具体的に、設置方位線Le1における基板Pの搬送速度と、設置方位線Le2における基板Pの搬送速度が異なる場合がある。この場合、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5と、偶数番の描画ラインLL2,LL4とを、基板Pに対して同じ傾きにする。すると、例えば、図16に示すように、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5により形成されるパターンPT1,PT3,PT5は、基板Pの幅方向に沿って形成される一方で、偶数番の描画ラインLL2,LL4により形成されるパターンPT2,PT4は、図16の点線で示すように、基板Pの幅方向に対して斜めに形成される場合がある。これは、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5と偶数番の描画ラインLL2,LL4とがXs方向に離れて設置されている為、基板P上のXs方向の同一領域に描画されるべきパターンの描画に基板Pの搬送速度に応じた時間差があるからである。 The speed unevenness that occurs during drawing of the exposure apparatus EX may differ depending on the rotational position of the rotating drum DR in the circumferential direction. Specifically, the transport speed of the substrate P on the installation azimuth line Le1 and the transport speed of the substrate P on the installation azimuth line Le2 may be different. In this case, the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 and the even-numbered drawing lines LL2, LL4 have the same inclination with respect to the substrate P. Then, for example, as shown in FIG. 16, the patterns PT1, PT3, PT5 formed by the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 are formed along the width direction of the substrate P, while the even-numbered drawing lines are formed. The patterns PT2 and PT4 formed by the drawing lines LL2 and LL4 may be formed obliquely with respect to the width direction of the substrate P, as shown by the dotted line in FIG. This is because the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 and the even-numbered drawing lines LL2, LL4 are installed apart from each other in the Xs direction, so that the pattern should be drawn in the same area in the Xs direction on the substrate P. This is because there is a time difference in the drawing of the substrate P according to the transport speed of the substrate P.

制御装置16は、回転位置検出機構14のエンコーダヘッドEN1によって検出される設置方位線Le1における基板Pの搬送速度を検出し、また、回転位置検出機構14のエンコーダヘッドEN2によって検出される設置方位線Le2における基板Pの搬送速度を検出する。そして、制御装置16は、検出した設置方位線Le1における基板Pの搬送速度と、検出した設置方位線Le2における基板Pの搬送速度との速度差を検出する。このように、制御装置16は、設置方位線Le1における基板Pの搬送速度と、設置方位線Le2における基板Pの搬送速度との速度差を検出する速度差検出機構としての機能を含む構成となっている。そして、制御装置16は、検出された速度差に基づいて、偶数番の描画ラインLL2,LL4の傾きを、偶数番の描画モジュールUW2,UW4の各々に設けられたシリンドリカルレンズ85bの駆動部100制御して調整する。シリンドリカルレンズ85bの回転調整後に基板P上に露光されるパターンPT2,PT4は、パターンPT1,PT3,PT5と同様に、基板Pの幅方向に沿って直線的に形成される。 The control device 16 detects the transport speed of the substrate P on the installation azimuth line Le1 detected by the encoder head EN1 of the rotation position detection mechanism 14, and also detects the installation directional line detected by the encoder head EN2 of the rotation position detection mechanism 14. The transport speed of the substrate P in Le2 is detected. Then, the control device 16 detects the speed difference between the transport speed of the substrate P on the detected installation directional line Le1 and the transport speed of the substrate P on the detected installation directional line Le2. As described above, the control device 16 includes a function as a speed difference detecting mechanism for detecting the speed difference between the transport speed of the substrate P on the installation directional line Le1 and the transport speed of the substrate P on the installation directional line Le2. ing. Then, the control device 16 controls the inclination of the even-numbered drawing lines LL2 and LL4 based on the detected speed difference by controlling the drive unit 100 of the cylindrical lens 85b provided in each of the even-numbered drawing modules UW2 and UW4. And adjust. The patterns PT2 and PT4 exposed on the substrate P after the rotation adjustment of the cylindrical lens 85b are formed linearly along the width direction of the substrate P, similarly to the patterns PT1, PT3 and PT5.

以上、第2実施形態は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度に基づいて、駆動部100によってシリンドリカルレンズ85bを回転させることにより、描画ラインLL1〜LL5の傾きをそれぞれ調整することができる。このため、描画ラインLL1〜LL5に沿って走査される描画ビームLBによって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向に沿って直線的に形成することができ、また、基板Pの搬送方向においても同じ位置とすることができる。よって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向及び搬送方向(長尺方向)に好適に継ぎ合わせるように補正することができると共に、基板Pの搬送速度のムラによる継ぎ誤差を、さらに抑制することができる。 As described above, in the second embodiment, the inclinations of the drawing lines LL1 to LL5 are adjusted by rotating the cylindrical lens 85b by the drive unit 100 based on the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14. be able to. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be linearly formed along the width direction of the substrate P by the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1 to LL5. , The same position can be set in the transport direction of the substrate P. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be corrected so as to be suitably spliced in the width direction and the transport direction (long direction) of the substrate P, and due to the unevenness of the transport speed of the substrate P. The splicing error can be further suppressed.

また、第2実施形態では、描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整する機構(描画ライン回転機構)を、駆動部100とシリンドリカルレンズ85bによる簡易な構成とすることができる。 Further, in the second embodiment, the mechanism for adjusting the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 (drawing line rotation mechanism) can be simply configured by the drive unit 100 and the cylindrical lens 85b.

また、第2実施形態は、上流側の(奇数番の)描画モジュールUW1,UW3,UW5の描画ラインLL1,LL3,LL5における搬送速度と、下流側の(偶数番の)描画モジュールUW2,UW4の描画ラインLL2,LL4における搬送速度との速度差を検出し、検出された速度差に応じて、描画ラインLL1〜LL5の傾きを調整することができる。このため、奇数番の描画モジュールUW1,UW3,UW5の描画ラインLL1,LL3,LL5による描画時における基板Pの搬送速度と、偶数番の描画モジュールUW2,UW4の描画ラインLL2,LL4による描画時における基板Pの搬送速度とが異なる場合であっても、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向及び搬送方向に好適に継ぎ合わせるように補正して露光することができるため、速度ムラによる継ぎ誤差を抑制することができる。 In the second embodiment, the transfer speeds of the drawing modules UW1, UW3, UW5 on the upstream side (odd number) at the drawing lines LL1, LL3, LL5 and the drawing modules UW2, UW4 on the downstream side (even number) The speed difference from the transport speed in the drawing lines LL2 and LL4 can be detected, and the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 can be adjusted according to the detected speed difference. Therefore, the transfer speed of the substrate P at the time of drawing by the drawing lines LL1, LL3, LL5 of the odd-numbered drawing modules UW1, UW3, UW5 and the drawing line LL2, LL4 of the even-numbered drawing modules UW2, UW4 Even when the transfer speed of the substrate P is different, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be corrected and exposed so as to be suitable for joining in the width direction and the transfer direction of the substrate P. Therefore, it is possible to suppress a splicing error due to speed unevenness.

なお、第2実施形態では、描画ラインLL1〜LL5を、回転軸I1〜I5を中心に回転させたが、回転中心は、特に限定されない。例えば、回転軸I1〜I5を、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1または描画終了位置PO2としてもよい。 In the second embodiment, the drawing lines LL1 to LL5 are rotated around the rotation axes I1 to I5, but the rotation center is not particularly limited. For example, the rotation axes I1 to I5 may be the drawing start position PO1 or the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5.

[第3実施形態]
次に、図17を参照して、第3実施形態の露光装置EXについて説明する。なお、第3実施形態でも、第1及び第2実施形態と重複する記載を避けるべく、第1及び第2実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第1及び第2実施形態と同様の構成要素については、第1及び第2実施形態と同じ符号を付して説明を省略することもある。図17は、第3実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。第1実施形態の露光装置EXは、回転機構24により第2光学定盤25を回転させることで、描画ラインLL1〜LL5の傾きを全体で調整した。これに対し、第3実施形態の露光装置EXは、描画ラインLL1〜LL5の傾きを変えることなく、描画タイミングを調整している。
[Third Embodiment]
Next, the exposure apparatus EX of the third embodiment will be described with reference to FIG. In addition, also in the third embodiment, in order to avoid the description overlapping with the first and second embodiments, only the parts different from the first and second embodiments will be described, and the same components as those of the first and second embodiments will be described. With the same reference numerals as those of the first and second embodiments, the description thereof may be omitted. FIG. 17 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the third embodiment. In the exposure apparatus EX of the first embodiment, the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 is adjusted as a whole by rotating the second optical surface plate 25 by the rotation mechanism 24. On the other hand, the exposure apparatus EX of the third embodiment adjusts the drawing timing without changing the inclination of the drawing lines LL1 to LL5.

第3実施形態の露光装置EXにおいて、図17に示すように、制御装置16は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度、又は搬送位置に応じて、描画タイミングを補正する。なお、描画タイミングの補正は、第1実施形態と同様であり、図12に示すように、基板Pに描画するために使用されるCAD情報を搬送方向において補正している。つまり、制御装置16は、基板P上に形成されるパターンPT1〜PT5に対応するCADパターンCAD1〜CAD5を、パターンPT1〜PT5の端部PTa,PTb同士が継ぎ合わされるように、CADパターンCAD1〜CAD5を、搬送方向に補正する。 In the exposure apparatus EX of the third embodiment, as shown in FIG. 17, the control device 16 corrects the drawing timing according to the transfer speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 or the transfer position. The correction of the drawing timing is the same as that of the first embodiment, and as shown in FIG. 12, the CAD information used for drawing on the substrate P is corrected in the transport direction. That is, the control device 16 joins the CAD patterns CAD1 to CAD5 corresponding to the patterns PT1 to PT5 formed on the substrate P so that the ends PTa and PTb of the patterns PT1 to PT5 are joined to each other. CAD5 is corrected in the transport direction.

このように、制御装置16は、露光装置EXのアライメント時または描画時において、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度、又は搬送位置に応じて、図12の実線で示すCADパターンCAD1〜CAD5の搬送方向における位置を補正することにより、図17に示すパターンPT1〜PT5として基板P上に描画することができる。 As described above, the control device 16 has a CAD pattern shown by a solid line in FIG. 12 according to the transport speed or the transport position of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 at the time of alignment or drawing of the exposure device EX. By correcting the positions of CAD1 to CAD5 in the transport direction, the patterns PT1 to PT5 shown in FIG. 17 can be drawn on the substrate P.

以上、第3実施形態は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度、又は搬送位置に基づいて、描画モジュールUW1〜UW5による描画タイミングを補正することができる。このため、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向に対して斜めとなるものの、基板Pの幅方向に継ぎ合わせるように補正することができるため、速度ムラによる継ぎ誤差を抑制することができる。 As described above, in the third embodiment, the drawing timing by the drawing modules UW1 to UW5 can be corrected based on the transfer speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14 or the transfer position. Therefore, although the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P are oblique to the width direction of the substrate P, they can be corrected so as to be spliced in the width direction of the substrate P. The error can be suppressed.

[第4実施形態]
次に、図18を参照して、第4実施形態の露光装置EXについて説明する。なお、第4実施形態でも、第1〜第3実施形態と重複する記載を避けるべく、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明し、第1〜第3実施形態と同様の構成要素については、第1〜第3実施形態と同じ符号を付して説明を省略する場合がある。図18は、第4実施形態の露光装置により基板上に描画されたパターンと描画ラインとの配置関係の一例を示す図である。第1〜第3実施形態の露光装置EXは、描画ラインLL1〜LL5に沿って走査される描画ビームLBの走査方向が全て同じ方向であった。これに対し、第4実施形態の露光装置EXは、描画ラインLL1〜LL5のうち、奇数番の描画モジュールUW1,UW3,UW5の描画ラインLL1,LL3,LL5に沿って走査される描画ビームLBの走査方向と、偶数番の描画モジュールUW2,UW4の描画ラインLL2,LL4に沿って走査される描画ビームLBの走査方向とが逆方向となっている。
[Fourth Embodiment]
Next, the exposure apparatus EX of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. In addition, also in the 4th embodiment, in order to avoid the description overlapping with the 1st to 3rd embodiments, only the parts different from the 1st to 3rd embodiments will be described, and the same components as those in the 1st to 3rd embodiments will be described. In some cases, the same reference numerals as those in the first to third embodiments are given and the description thereof may be omitted. FIG. 18 is a diagram showing an example of the arrangement relationship between the pattern drawn on the substrate and the drawing line by the exposure apparatus of the fourth embodiment. In the exposure apparatus EX of the first to third embodiments, the scanning directions of the drawing beams LB scanned along the drawing lines LL1 to LL5 were all in the same direction. On the other hand, the exposure apparatus EX of the fourth embodiment is a drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1, LL3, LL5 of the odd-numbered drawing modules UW1, UW3, UW5 among the drawing lines LL1 to LL5. The scanning direction and the scanning direction of the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL2 and LL4 of the even-numbered drawing modules UW2 and UW4 are opposite to each other.

第4実施形態の露光装置EXにおいて、図18に示すように、複数の描画モジュールUW1〜UW5の各々から基板Pに投射される描画ビームLBのスポット光は、直線的な描画ラインLL1〜LL5に沿って描画開始位置PO1から描画終了位置PO2へ向けてY方向に走査される。このとき、描画ラインLL1,LL3,LL5に沿って走査される描画ビームLBのスポット光の走査方向と、描画ラインLL2,LL4に沿って走査される描画ビームLBのスポット光の走査方向とが逆方向となっている。これは、図7で示した各描画モジュールの回転ポリゴンミラー97を、全て同一方向(例えば、全て反時計回り)に回転させることで実現される。 In the exposure apparatus EX of the fourth embodiment, as shown in FIG. 18, the spot light of the drawing beam LB projected from each of the plurality of drawing modules UW1 to UW5 onto the substrate P is directed to the linear drawing lines LL1 to LL5. Along the line, scanning is performed in the Y direction from the drawing start position PO1 to the drawing end position PO2. At this time, the scanning direction of the spot light of the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1, LL3, LL5 is opposite to the scanning direction of the spot light of the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL2, LL4. It is the direction. This is achieved by rotating all the rotating polygon mirrors 97 of each drawing module shown in FIG. 7 in the same direction (for example, all counterclockwise).

このため、中心面p3と平行な直線上に設定された描画ラインLL1,LL3,LL5に沿って走査される描画ビームLBによって基板P上に形成されるパターンPT1,PT3,PT5は、基板Pの搬送速度の影響を受けて、例えば、図18の紙面内で右上がりに傾いて形成される。つまり、パターンPT1,PT3,PT5の右側の端部PTaは、パターンPT1,PT3,PT5の左側の端部PTbと比べて、搬送方向の下流側に形成される。一方で、中心面p3と平行な直線上に設定された描画ラインLL2,LL4に沿って走査される描画ビームLBによって基板P上に形成されるパターンPT2,PT4は、基板Pの搬送速度の影響を受けて、パターンPT1,PT3,PT5とは逆方向、即ち、図18の紙面内で左上がりに傾いて形成される。つまり、パターンPT2,PT4の右側の端部PTbは、パターンPT2,PT4の左側の端部PTaと比べて、搬送方向の上流側に形成される。 Therefore, the patterns PT1, PT3, PT5 formed on the substrate P by the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1, LL3, LL5 set on the straight line parallel to the central surface p3 are formed on the substrate P. Under the influence of the transport speed, for example, it is formed so as to tilt upward to the right in the paper surface of FIG. That is, the right end PTa of the patterns PT1, PT3, PT5 is formed on the downstream side in the transport direction as compared with the left end PTb of the patterns PT1, PT3, PT5. On the other hand, the patterns PT2 and PT4 formed on the substrate P by the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL2 and LL4 set on the straight line parallel to the central surface p3 are affected by the transport speed of the substrate P. In response to this, the patterns PT1, PT3, and PT5 are formed in the opposite direction, that is, tilted upward to the left in the paper surface of FIG. That is, the right end PTb of the patterns PT2 and PT4 is formed on the upstream side in the transport direction as compared with the left end PTa of the patterns PT2 and PT4.

さらに、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5と偶数番の描画ラインLL2,LL4とのXs方向の間隔が一定で、基板Pの搬送速度にムラが無く、各描画モジュールの回転ポリゴンミラー97の回転速度が一致しているものとすると、描画ラインLL1によって描画されるパターンPT1の左側の端部PTbと、描画ラインLL2によって描画されるパターンPT2の右側の端部PTbとは、基板Pの幅方向(Y方向)と搬送方向(Xs方向)に関して継ぎ合わされる。同様に、描画ラインLL2によって描画されるパターンPT2の左側の端部PTaと、描画ラインLL3によって描画されるパターンPT3の右側の端部PTaもY方向とXs方向に関して継ぎ合わされ、描画ラインLL3によって描画されるパターンPT3の左側の端部PTbと、描画ラインLL4によって描画されるパターンPT4の右側の端部PTbもY方向とXs方向に関して継ぎ合わされ、描画ラインLL4によって描画されるパターンPT4の左側の端部PTaと、描画ラインLL5によって描画されるパターンPT5の右側の端部PTaもY方向とXs方向に関して継ぎ合わされる。 Further, the distance between the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, LL5 and the even-numbered drawing lines LL2, LL4 in the Xs direction is constant, the transfer speed of the substrate P is not uneven, and the rotating polygon mirror 97 of each drawing module Assuming that the rotation speeds match, the left end PTb of the pattern PT1 drawn by the drawing line LL1 and the right end PTb of the pattern PT2 drawn by the drawing line LL2 are the widths of the substrate P. It is spliced in the direction (Y direction) and the transport direction (Xs direction). Similarly, the left end PTa of the pattern PT2 drawn by the drawing line LL2 and the right end PTa of the pattern PT3 drawn by the drawing line LL3 are also spliced in the Y direction and the Xs direction and drawn by the drawing line LL3. The left end PTb of the pattern PT3 to be drawn and the right end PTb of the pattern PT4 drawn by the drawing line LL4 are also spliced in the Y direction and the Xs direction, and the left end of the pattern PT4 drawn by the drawing line LL4. The portion PTa and the right end PTa of the pattern PT5 drawn by the drawing line LL5 are also spliced in the Y direction and the Xs direction.

この第4実施形態のように、描画ラインLL1,LL3,LL5に沿って走査される描画ビームLBのスポット光の走査方向と、描画ラインLL2,LL4に沿って走査される描画ビームLBのスポット光の走査方向とを、逆方向にすると、基板Pの搬送速度にムラが無ければ、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5は、基板Pの幅方向(Y軸)に対して僅かに斜めとなるものの、基板Pの幅方向に継ぎ合わせることができる。 As in the fourth embodiment, the scanning direction of the spot light of the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1, LL3, LL5 and the spot light of the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL2, LL4. If there is no unevenness in the transport speed of the substrate P, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P are slightly oblique to the width direction (Y-axis) of the substrate P. However, it can be spliced in the width direction of the substrate P.

図19は、図18のように、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5の各々が僅かに傾くのを補正する様子を示し、ここでは、先の第2実施形態(図14)と同様に、駆動部100によりf−θレンズ系85のシリンドリカルレンズ85bを、回転軸I1〜I5を中心に微小回転させることで、描画ラインLL1〜LL5の傾きを個別に調整する。 FIG. 19 shows how each of the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P is corrected to be slightly tilted as shown in FIG. 18, and here, the same as in the second embodiment (FIG. 14) above. In addition, the driving unit 100 slightly rotates the cylindrical lens 85b of the f-θ lens system 85 around the rotation axes I1 to I5 to individually adjust the inclination of the drawing lines LL1 to LL5.

図19に示すように、描画ラインLL1,LL3,LL5の描画開始位置PO1が搬送方向の上流側(−Xs方向)に位置し、描画ラインLL1,LL3,LL5の描画終了位置PO2が搬送方向の下流側(+Xs方向)に位置するように、基板Pに対して各描画モジュールUW1、UW3、UW5内のシリンドリカルレンズ85bを駆動部100によって回転させる。一方で描画ラインLL2,LL4の描画開始位置PO1が搬送方向の上流側(−Xs方向)に位置し、描画ラインLL2,LL4の描画終了位置PO2が搬送方向の下流側(+Xs方向)に位置するように、基板Pに対してシリンドリカルレンズ85bを駆動部100によって回転させる。 As shown in FIG. 19, the drawing start position PO1 of the drawing lines LL1, LL3, LL5 is located on the upstream side (−Xs direction) in the transport direction, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1, LL3, LL5 is in the transport direction. The cylindrical lens 85b in each of the drawing modules UW1, UW3, and UW5 is rotated by the drive unit 100 with respect to the substrate P so as to be located on the downstream side (+ Xs direction). On the other hand, the drawing start position PO1 of the drawing lines LL2 and LL4 is located on the upstream side (-Xs direction) of the transport direction, and the drawing end position PO2 of the drawing lines LL2 and LL4 is located on the downstream side (+ Xs direction) of the transport direction. As described above, the cylindrical lens 85b is rotated by the drive unit 100 with respect to the substrate P.

図19に示すように、回転軸I1〜I5を中心に、描画ラインLL1〜LL5をそれぞれ傾けると、回転後の描画ラインLL1〜LL5によって基板P上に描画される各パターンPT1〜PT5は、図19の実線で示すように、基板Pの幅方向とほぼ同じ方向に直線的に並んで形成され、また、基板Pの搬送方向(Xs方向)において同じ位置となる。このように、基板Pの搬送速度が精密に一定で、速度ムラが無ければ、描画されたパターンPT1〜PT5は、基板Pの幅方向に沿って直線的に一列に継いで形成される。なお、先の第2実施形態でも同様であるが、奇数番のf−θレンズ系85のシリンドリカルレンズ85bの回転軸I1、I3、I5がY−Xs面と交わる点は、Y軸と平行な線上に位置するものとする。 As shown in FIG. 19, when the drawing lines LL1 to LL5 are tilted about the rotation axes I1 to I5, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P by the rotated drawing lines LL1 to LL5 are shown in FIG. As shown by the solid line of 19, they are formed so as to be linearly arranged in a direction substantially the same as the width direction of the substrate P, and are at the same position in the transport direction (Xs direction) of the substrate P. As described above, if the transport speed of the substrate P is precisely constant and there is no speed unevenness, the drawn patterns PT1 to PT5 are formed in a straight line along the width direction of the substrate P. The same applies to the second embodiment, but the points where the rotation axes I1, I3, and I5 of the cylindrical lens 85b of the odd-numbered f-θ lens system 85 intersect the Y-Xs plane are parallel to the Y axis. It shall be located on the line.

露光装置EXの描画時において、設置方位線Le1における基板Pの搬送速度と、設置方位線Le2における基板Pの搬送速度が異なる場合、第2実施形態と同様に、例えば、図20の実線で示すように、奇数番の描画ラインLL1,LL3,LL5により形成されるパターンPT1,PT3,PT5は、基板Pの幅方向に沿って形成される一方で、図20の点線で示すように、偶数番の描画ラインLL2,LL4により形成されるパターンPT2,PT4は、基板Pの幅方向に対して斜めに形成される。 When the transport speed of the substrate P on the installation directional line Le1 and the transport speed of the substrate P on the installation directional line Le2 are different during drawing of the exposure apparatus EX, they are shown by, for example, the solid line in FIG. 20 as in the second embodiment. As described above, the patterns PT1, PT3, and PT5 formed by the odd-numbered drawing lines LL1, LL3, and LL5 are formed along the width direction of the substrate P, while the even-numbered numbers are as shown by the dotted lines in FIG. The patterns PT2 and PT4 formed by the drawing lines LL2 and LL4 of the above are formed obliquely with respect to the width direction of the substrate P.

このため、制御装置16は、回転位置検出機構14のエンコーダヘッドEN1によって検出される設置方位線Le1における基板Pの搬送速度と、回転位置検出機構14のエンコーダヘッドEN2によって検出される設置方位線Le2における基板Pの搬送速度との速度差を検出する。そして、制御装置16は、検出された速度差に基づいて、偶数番の描画ラインLL2,LL4の傾きを調整する。回転後のパターンPT2,PT4は、パターンPT1,PT3,PT5と同様に、基板Pの幅方向に沿って形成される。 Therefore, the control device 16 has the transfer speed of the substrate P on the installation directional line Le1 detected by the encoder head EN1 of the rotation position detection mechanism 14 and the installation azimuth line Le2 detected by the encoder head EN2 of the rotation position detection mechanism 14. The speed difference from the transport speed of the substrate P in the above is detected. Then, the control device 16 adjusts the inclination of the even-numbered drawing lines LL2 and LL4 based on the detected speed difference. The rotated patterns PT2 and PT4 are formed along the width direction of the substrate P, similarly to the patterns PT1, PT3 and PT5.

以上、第4実施形態は、回転位置検出機構14によって検出される基板Pの搬送速度に基づいて、駆動部100によってシリンドリカルレンズ85bを回転させることにより、描画ラインLL1〜LL5の傾きをそれぞれ調整することができる。このため、描画ラインLL1〜LL5に沿って走査される描画ビームLBによって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向に沿って傾くことなく精密に継いで形成することができ、また、基板Pの搬送方向においても同じ位置で継ぐことができる。よって、基板P上に描画されるパターンPT1〜PT5を、基板Pの幅方向に好適に継ぎ合わせるように補正することができるため、第1実施形態のように描画タイミングを補正しなくても、速度ムラによる継ぎ誤差を抑制することができる。 As described above, in the fourth embodiment, the inclinations of the drawing lines LL1 to LL5 are adjusted by rotating the cylindrical lens 85b by the drive unit 100 based on the transport speed of the substrate P detected by the rotation position detection mechanism 14. be able to. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P by the drawing beam LB scanned along the drawing lines LL1 to LL5 are precisely connected and formed without being tilted along the width direction of the substrate P. Also, it can be connected at the same position in the transport direction of the substrate P. Therefore, the patterns PT1 to PT5 drawn on the substrate P can be corrected so as to be suitably spliced in the width direction of the substrate P, so that the drawing timing is not corrected as in the first embodiment. It is possible to suppress splicing errors due to speed unevenness.

なお、第4実施形態も、第2実施形態と同様に、描画ラインLL1〜LL5を、回転軸I1〜I5を中心に回転させたが、回転中心は、特に限定されない。例えば、回転軸I1〜I5を、描画ラインLL1〜LL5の描画開始位置PO1または描画終了位置PO2としてもよい。 In the fourth embodiment as well, the drawing lines LL1 to LL5 are rotated around the rotation axes I1 to I5 as in the second embodiment, but the rotation center is not particularly limited. For example, the rotation axes I1 to I5 may be the drawing start position PO1 or the drawing end position PO2 of the drawing lines LL1 to LL5.

また、第1〜第4実施形態では、回転ドラムDRの外周面に形成されたスケール部GPa,GPbを用いて、回転ドラムDRの回転位置(基板Pの移動位置)や搬送速度を検出したが、この構成に限定されない。例えば、回転ドラムDRに高真円度のスケール円盤を取り付けてもよい。このスケール円盤は、外周面にスケール部GPa,GPbが刻設され、回転ドラムDRの端部に回転中心線AX2と直交するように固定されている。このため、スケール円盤は、回転中心線AX2回りに回転ドラムDRと共に一体に回転する。また、スケール円盤は、低熱膨張の金属、ガラス、セラミックス等を母材とし、計測分解能を高めるために、なるべく大きな直径(例えば直径20cm以上)になるように作られる。スケール円盤は、回転ドラムDRに巻き付けられる基板Pの外周面の直径と、スケール円盤のスケール部GPa,GPbの直径とを揃える(ほぼ一致させる)ことで、所謂、計測アッベ誤差をさらに小さくすることができる。 Further, in the first to fourth embodiments, the rotation position (moving position of the substrate P) and the transport speed of the rotating drum DR are detected by using the scale portions GPa and GPb formed on the outer peripheral surface of the rotating drum DR. , Not limited to this configuration. For example, a scale disk having a high roundness may be attached to the rotating drum DR. In this scale disk, scale portions GPa and GPb are engraved on the outer peripheral surface, and are fixed to the end portion of the rotating drum DR so as to be orthogonal to the rotation center line AX2. Therefore, the scale disk rotates integrally with the rotating drum DR around the rotation center line AX2. Further, the scale disk is made of a low thermal expansion metal, glass, ceramics or the like as a base material, and has a diameter as large as possible (for example, a diameter of 20 cm or more) in order to improve the measurement resolution. In the scale disk, the diameter of the outer peripheral surface of the substrate P wound around the rotating drum DR and the diameters of the scale portions GPa and GPb of the scale disk are aligned (almost matched) to further reduce the so-called measurement error. Can be done.

さらに、第1〜第4実施形態の各構成を適宜、組み合わせても良い。例えば、第1実施形態のように、複数の描画モジュールUW1〜UW5の全体を回転機構24によって微小回転可能にしつつ、第2実施形態(又は第4実施形態)のように、各描画モジュールUW1〜UW5のf−θレンズ系85のシリンドリカルレンズ85bを個別に微小回転可能にしても良い。さらに、図3に示すように、基板P上に形成された複数のアライメントマークKs1、Ks2、Ksの各々の位置を、対応するアライメント顕微鏡AM1で検出することで、基板P上の露光領域A7の2次元的な伸縮変形や非線形な歪変形等の傾向を継続的に計測することができる。 Further, each configuration of the first to fourth embodiments may be combined as appropriate. For example, as in the first embodiment, while making the entire plurality of drawing modules UW1 to UW5 microrotatable by the rotation mechanism 24, as in the second embodiment (or the fourth embodiment), each drawing module UW1 to The cylindrical lens 85b of the f−θ lens system 85 of the UW5 may be individually made minutely rotatable. Further, as shown in FIG. 3, the positions of the plurality of alignment marks Ks1, Ks2, and Ks formed on the substrate P are detected by the corresponding alignment microscope AM1 to obtain the exposure region A7 on the substrate P. Trends such as two-dimensional expansion and contraction deformation and non-linear strain deformation can be continuously measured.

その為、アライメント顕微鏡AM1で計測される露光領域A7の2次元的な伸縮変形や非線形な歪変形等に合わるように、描画ラインLL1〜LL5の各々、又は全体を基板Pの表面上でリアルタイムに微小に傾けるように補正することによって、基板P上の露光領域A7内に既に形成されたパターン層と、その上に重ね合せ露光すべき描画パターンとの重ね合せ精度を、露光領域A7内の各所で許容範囲内に抑えることが可能となる。 Therefore, each or all of the drawing lines LL1 to LL5 may be displayed in real time on the surface of the substrate P so as to match the two-dimensional expansion / contraction deformation and the non-linear distortion deformation of the exposure region A7 measured by the alignment microscope AM1. By correcting it so as to be slightly tilted, the overlay accuracy of the pattern layer already formed in the exposure region A7 on the substrate P and the drawing pattern to be overexposed on the pattern layer is adjusted in the exposure region A7. It is possible to keep it within the permissible range in various places.

また、第1〜第4実施形態では、いずれも基板Pを回転ドラムDRの外周面で支持し、回転ドラムDRを回転させることで、基板Pを長尺方向に搬送しつつ、基板Pの回転ドラムDRで支持された部分にパターンを描画する構成となっているが、それには限定されない。例えば、基板Pを平面的に支持するステージの表面に吸着支持した状態で、ステージと基板Pとを共に長尺方向に搬送しつつ、パターンを描画する構成、或いは、支持台の平坦な表面の上に基板Pを載せた状態で、支持台の表面と基板Pの裏面との間にエアベアリング層を形成して、非接触又は低摩擦状態で基板Pを平面状に支持して搬送しつつ、パターン描画する構成であっても良い。 Further, in the first to fourth embodiments, the substrate P is supported by the outer peripheral surface of the rotary drum DR, and the rotary drum DR is rotated to rotate the substrate P while transporting the substrate P in the elongated direction. The pattern is drawn on the part supported by the drum DR, but the pattern is not limited to that. For example, in a state where the substrate P is attracted and supported on the surface of the stage that supports the substrate P in a plane, a pattern is drawn while both the stage and the substrate P are conveyed in the long direction, or a flat surface of the support base. With the substrate P mounted on it, an air bearing layer is formed between the front surface of the support base and the back surface of the substrate P, and the substrate P is supported and conveyed in a plane in a non-contact or low friction state. , The pattern may be drawn.

さらに、第1〜第4実施形態の各々において、描画ラインLL1〜LL5の全体のXY面内での傾きを調整する場合は、図2に示した回転機構24と、第2光学定盤25とを微少回転させるようにしたが、回転ドラムDRのシャフト部Sf2の両端を軸支するベアリング等の位置をX方向に僅かにずらして、回転ドラムDRの全体をXY面内で傾けるようにしても良い。また、回転ドラムDR上に支持される基板Pの長尺方向の搬送速度を基準速度から変更する場合、或いは搬送速度に速度ムラが生じた場合、その変更される速度、或いは速度ムラに応じて、描画ユニットUW1〜UW5の各々の回転ポリゴンミラー97の回転速度を動的に変更するようにしても良い。すなわち、描画ラインLL1〜LL5の各々に沿って走査されるスポット光の走査速度(主走査速度)Vpと、基板Pの長尺方向の搬送速度(副走査速度)Vxsとの比率を、基板Pの搬送速度が変化した場合も、ほぼ一定となるように、回転ポリゴンミラー97の回転速度を制御するようにしても良い。 Further, in each of the first to fourth embodiments, when adjusting the inclination of the drawing lines LL1 to LL5 in the entire XY plane, the rotation mechanism 24 shown in FIG. 2 and the second optical surface plate 25 are used. However, even if the position of the bearings that support both ends of the shaft portion Sf2 of the rotating drum DR is slightly shifted in the X direction and the entire rotating drum DR is tilted in the XY plane. good. Further, when the transfer speed of the substrate P supported on the rotating drum DR in the long direction is changed from the reference speed, or when the transfer speed becomes uneven, the changed speed or the speed unevenness is adjusted. , The rotation speed of each of the rotating polygon mirrors 97 of the drawing units UW1 to UW5 may be dynamically changed. That is, the ratio of the scanning speed (main scanning speed) Vp of the spot light scanned along each of the drawing lines LL1 to LL5 and the transport speed (secondary scanning speed) Vxs in the long direction of the substrate P is set to the substrate P. The rotation speed of the rotating polygon mirror 97 may be controlled so that it becomes substantially constant even when the carrying speed of the above changes.

<デバイス製造方法>
次に、図21を参照して、デバイス製造方法について説明する。図21は、各実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。
<Device manufacturing method>
Next, a device manufacturing method will be described with reference to FIG. FIG. 21 is a flowchart showing a device manufacturing method of each embodiment.

図21に示すデバイス製造方法では、まず、例えば有機EL等の自発光素子による表示パネルの機能・性能設計を行い、必要な回路パターンや配線パターンをCAD等で設計する(ステップS201)。また、表示パネルの基材となる可撓性の基板P(樹脂フィルム、金属箔膜、プラスチック等)が巻かれた供給用ロールを準備しておく(ステップS202)。なお、このステップS202にて用意しておくロール状の基板Pは、必要に応じてその表面を改質したもの、下地層(例えばインプリント方式による微小凹凸)を事前形成したもの、光感応性の機能膜や透明膜(絶縁材料)を予めラミネートしたもの、でも良い。 In the device manufacturing method shown in FIG. 21, first, the function / performance of the display panel is designed by a self-luminous element such as an organic EL, and the necessary circuit pattern and wiring pattern are designed by CAD or the like (step S201). Further, a supply roll on which a flexible substrate P (resin film, metal foil film, plastic, etc.) as a base material of the display panel is wound is prepared (step S202). The roll-shaped substrate P prepared in step S202 has a surface modified as necessary, a base layer (for example, microconcavities and convexities produced by an imprint method) preformed, and photosensitivity. A functional film or a transparent film (insulating material) may be laminated in advance.

次いで、基板P上に表示パネルデバイスを構成する電極や配線、絶縁膜、TFT(薄膜半導体)等によって構成されるバックプレーン層を形成すると共に、そのバックプレーンに積層されるように、有機EL等の自発光素子による発光層(表示画素部)が形成される(ステップS203)。このステップS203には、先の各実施形態で説明した露光装置EXを用いて、フォトレジスト層を露光する従来のフォトリソグラフィ工程も含まれるが、フォトレジストの代わりに感光性シランカップリング材を塗布した基板Pをパターン露光して表面に親撥水性によるパターンを形成する露光工程、光感応性の触媒層をパターン露光し無電解メッキ法によって金属膜のパターン(配線、電極等)を形成する湿式工程、或いは、銀ナノ粒子を含有した導電性インク等によってパターンを描画する印刷工程、等による処理も含まれる。 Next, a backplane layer composed of electrodes, wirings, an insulating film, a TFT (thin film transistor), etc. constituting the display panel device is formed on the substrate P, and an organic EL or the like is laminated on the backplane. A light emitting layer (display pixel portion) is formed by the self-luminous element of the above (step S203). This step S203 also includes a conventional photolithography step of exposing the photoresist layer using the exposure apparatus EX described in each of the above embodiments, but a photosensitive silane coupling material is applied instead of the photoresist. A wet process in which the substrate P is exposed to a pattern to form a pattern due to water repellency on the surface, and a light-sensitive catalyst layer is exposed to a pattern to form a metal film pattern (wiring, electrodes, etc.) by a electrolytic plating method. It also includes a process, a printing process of drawing a pattern with a conductive ink containing silver nanoparticles, or the like.

次いで、ロール方式で長尺の基板P上に連続的に製造される表示パネルデバイス毎に、基板Pをダイシングしたり、各表示パネルデバイスの表面に、保護フィルム(耐環境バリア層)やカラーフィルターシート等を貼り合せたりして、デバイスを組み立てる(ステップS204)。次いで、表示パネルデバイスが正常に機能するか、所望の性能や特性を満たしているかの検査工程が行なわれる(ステップS205)。以上のようにして、表示パネル(フレキシブル・ディスプレー)を製造することができる。 Next, the substrate P is diced for each display panel device continuously manufactured on the long substrate P by the roll method, and a protective film (environmental barrier layer) or a color filter is placed on the surface of each display panel device. The device is assembled by pasting sheets or the like (step S204). Next, an inspection step is performed to see if the display panel device functions normally and satisfies the desired performance and characteristics (step S205). As described above, a display panel (flexible display) can be manufactured.

1 デバイス製造システム
11 描画装置
12 基板搬送機構
13 装置フレーム
14 回転位置検出機構
16 制御装置
21 本体フレーム
22 三点座支持部
23 第1光学定盤
24 回転機構
25 第2光学定盤
31 キャリブレーション検出系
44 XY全体ハービング調整機構
45 XY片側ハービング調整機構
51 1/2波長板
52 偏光ミラー
53 ビームディフューザ
60 第1ビームスプリッタ
62 第2ビームスプリッタ
63 第3ビームスプリッタ
73 第4ビームスプリッタ
81 光偏向器
82 1/4波長板
83 走査器
84 折り曲げミラー
85 f−θレンズ系
86 Y倍率補正用光学部材
92 遮光板
96 反射ミラー
97 回転ポリゴンミラー
98 原点検出器
100 駆動部
P 基板
U1,U2 プロセス装置
EX 露光装置
AM1,AM2 アライメント顕微鏡
EVC 温調チャンバー
SU1,SU2 防振ユニット
E 設置面
EPC エッジポジションコントローラ
RT1,RT2 テンション調整ローラ
DR 回転ドラム
AX2 回転中心線
Sf2 シャフト部
p3 中心面
DL たるみ
UW1〜UW5 描画モジュール
CNT 光源装置
LB 描画ビーム
I 回転軸
LL1〜LL5 描画ライン
PBS 偏光ビームスプリッタ
A7 露光領域
SL 分岐光学系(ビーム分配系)
Le1〜Le4 設置方位線
Vw1〜Vw6 観察領域
Ks1〜Ks3 アライメントマーク
GPa,GPb スケール部
EN1〜EN4 エンコーダヘッド
PT1〜PT5 パターン
1 Device manufacturing system 11 Drawing device 12 Board transfer mechanism 13 Device frame 14 Rotational position detection mechanism 16 Control device 21 Main body frame 22 Three-point seat support 23 First optical platen 24 Rotation mechanism 25 Second optical platen 31 Calibration detection System 44 XY Overall Harving Adjustment Mechanism 45 XY One Side Harving Adjustment Mechanism 51 1/2 Wave Plate 52 Polarizing Mirror 53 Beam Diffuser 60 1st Beam Splitter 62 2nd Beam Splitter 63 3rd Beam Splitter 73 4th Beam Splitter 81 Optical Deflitter 82 1/4 wave plate 83 Scanner 84 Folding mirror 85 f-θ Lens system 86 Y Magnification correction optical member 92 Shading plate 96 Reflecting mirror 97 Rotating polygon mirror 98 Origin detector 100 Drive unit P substrate U1, U2 Process device EX exposure Equipment AM1, AM2 Alignment microscope EVC Temperature control chamber SU1, SU2 Anti-vibration unit E Installation surface EPC Edge position controller RT1, RT2 Tension adjustment roller DR Rotation drum AX2 Rotation center line Sf2 Shaft part p3 Center surface DL slack UW1 to UW5 Drawing module CNT Light source device LB Drawing beam I Rotation axis LL1 to LL5 Drawing line PBS Polarized beam splitter A7 Exposure area SL Branching optical system (beam distribution system)
Le1 to Le4 Installation orientation line Vw1 to Vw6 Observation area Ks1 to Ks3 Alignment mark GPa, GPb Scale part EN1 to EN4 Encoder head PT1 to PT5 pattern

Claims (17)

所定幅の基板を幅方向と交差する搬送方向に移動させ、描画データに基づいて強度変調された描画ビームを前記基板上に投射しつつ前記幅方向に走査して前記基板上にパターンを描画する基板処理装置であって、
前記基板を支えながら、前記基板を前記搬送方向に所定の基準速度で搬送する基板搬送機構と、
前記基板に投射される前記描画ビームを前記基板の幅よりも狭い範囲で前記幅方向に走査して得られる描画ラインに沿って、所定のパターンを前記基板上に描画する描画モジュールを前記幅方向に並べて複数有し、前記複数の描画モジュールの各々を前記幅方向の並びの順に奇数番と偶数番としたとき、互いに隣り合う前記奇数番の描画モジュールの描画ラインと前記偶数番の描画モジュールの描画ラインとの各々によって前記基板上に描画されるパターン同士が、前記基板の幅方向に継ぎ合わされるように、前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインとが前記搬送方向に所定の間隔を空けて配置されると共に、前記幅方向から見たとき、前記奇数番の描画モジュールと前記偶数番の描画モジュールとが前記所定の間隔を挟んで対称的に配置される描画装置と、
前記基板の搬送速度の前記基準速度からの差を検出する基板速度検出装置と、
前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインの各々の前記基板の幅方向に対する相対的な傾きを調整する為の傾き調整機構と、
前記基板速度検出装置によって検出される前記差に応じて前記傾き調整機構を制御する制御装置と、
を備えた基板処理装置。
A substrate having a predetermined width is moved in a transport direction intersecting the width direction, and a drawing beam whose intensity is modulated based on drawing data is projected onto the substrate and scanned in the width direction to draw a pattern on the substrate. It is a board processing device
While supporting the substrate, and a substrate transfer mechanism for transferring at a predetermined reference speed of the substrate to the conveying direction,
The drawing beam along the drawing line obtained by scanning in the width direction narrower than a width of the substrate to be projected onto the substrate, the width direction of the drawing module to draw a predetermined pattern on the substrate When there are a plurality of drawing modules arranged side by side and each of the plurality of drawing modules has an odd number and an even number in the order of arrangement in the width direction, the drawing lines of the odd number drawing modules adjacent to each other and the even number drawing modules The odd-numbered drawing lines and the even-numbered drawing lines are predetermined in the transport direction so that the patterns drawn on the substrate by each of the drawing lines are joined in the width direction of the substrate. A drawing device in which the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module are symmetrically arranged with the predetermined interval in between, and the drawing device, which is arranged at intervals and when viewed from the width direction .
A substrate speed detection device that detects the difference between the transfer speed of the substrate and the reference speed , and
A tilt adjustment mechanism for the adjustment of the relative inclination against the width direction of the substrate of each of the drawing line of the even-numbered and the odd-numbered drawing line,
A control device that controls the tilt adjusting mechanism according to the difference detected by the substrate speed detection device, and
Board processing equipment equipped with.
請求項に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、
前記基板速度検出装置によって検出される前記差において、前記基板の搬送速度が、前記基準速度よりも速いときは、前記奇数番と前記偶数番の各々の前記描画ラインの描画開始側が、前記基準速度における前記描画ラインの描画開始側よりも前記搬送方向の上流側に位置し、前記奇数番と前記偶数番の各々の前記描画ラインの描画終了側が、前記基準速度における前記描画ラインの描画終了側よりも前記搬送方向の下流側に位置するように前記傾き調整機構を制御する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
The control device is
In the difference detected by said substrate speed detecting apparatus, the conveying speed of the substrate, when higher than the reference speed, the drawing start side of the drawing line of each of the even-numbered and the odd-numbered, the reference speed Is located upstream of the drawing start side of the drawing line in the above, and the drawing end side of each of the odd-numbered and even-numbered drawing lines is from the drawing end side of the drawing line at the reference speed. also that controls the tilt adjustment mechanism so as to be positioned downstream of the conveying direction,
Board processing equipment.
請求項1に記載の基板処理装置であって、 The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記制御装置は、 The control device is
前記基板速度検出装置によって検出される前記差において、前記基板の搬送速度が、前記所定の基準速度よりも遅いときは、前記奇数番と前記偶数番の各々の前記描画ラインの描画開始側が、前記基準速度における前記描画ラインの描画開始側よりも前記搬送方向の下流側に位置し、前記奇数番と前記偶数番の各々の前記描画ラインの描画終了側が、前記基準速度における前記描画ラインの描画終了側よりも前記搬送方向の上流側に位置するように前記傾き調整機構を制御する、 In the difference detected by the substrate speed detection device, when the transport speed of the substrate is slower than the predetermined reference speed, the drawing start side of each of the odd-numbered and even-numbered drawing lines is the said. It is located downstream of the drawing start side of the drawing line at the reference speed in the transport direction, and the drawing end side of each of the odd-numbered and even-numbered drawing lines ends drawing of the drawing line at the reference speed. The tilt adjusting mechanism is controlled so as to be located on the upstream side in the transport direction with respect to the side.
基板処理装置。Board processing equipment.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記複数の描画モジュールの各々は、前記描画ラインに沿った一方向に前記描画ビームが走査する期間中に前記パターンの描画動作を行う為に、前記パターンの描画データに基づいて強度変調された前記描画ビーム生成する変調器と、前記描画ビームを前記描画ラインに沿って一次元に走査する走査器とを有する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
Each of the plurality of drawing module, in order to perform the drawing operation of the pattern during the period of the drawing beam scanned in one direction along the drawing line, is-strength modulation on the basis of the drawing data of the pattern has been a modulator for generating a pre-Symbol draw beam and a scanner for scanning the drawing beam in one dimension along the drawing line,
Board processing equipment.
請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記描画装置は、前記奇数番と前記偶数番の描画モジュールの各々が前記描画動作の間に前記描画ビームを走査する方向を前記基板上で同一方向にするように、前記複数の描画モジュールを保持する定盤を備え、
前記傾き調整機構は、前記複数の描画モジュールの各々によって形成される前記描画ラインを含む描画面内の所定点を中心として、前記描画面内で前記定盤を回転させる回転機構を含む、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4.
The drawing apparatus holds the plurality of drawing modules so that each of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module scans the drawing beam in the same direction on the substrate during the drawing operation. Equipped with a surface plate
The tilt adjusting mechanism includes a rotation mechanism for rotating the surface plate in the drawing surface around a predetermined point in the drawing surface including the drawing line formed by each of the plurality of drawing modules.
Board processing equipment.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記描画装置は、前記奇数番と前記偶数番の描画モジュールの各々から投射される前記描画ビームの描画時の走査方向が、前記基板上で同一方向となるように、前記複数の描画モジュールを保持する定盤を含み、
前記傾き調整機構は、前記複数の描画モジュールによって形成される前記描画ラインの各々を含む描画面内の所定点を中心として、前記描画面内で前記定盤を回転させる回転機構を含み、
前記制御装置は、前記基板速度検出装置により検出される前記に応じて前記回転機構を駆動制御する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 .
The drawing device holds the plurality of drawing modules so that the scanning directions at the time of drawing the drawing beams projected from each of the odd-numbered drawing modules and the even-numbered drawing modules are the same on the substrate. Including the surface plate
The tilt adjusting mechanism includes a rotation mechanism for rotating the surface plate in the drawing surface around a predetermined point in the drawing surface including each of the drawing lines formed by the plurality of drawing modules.
The control device drives and controls the rotation mechanism according to the difference detected by the substrate speed detection device.
Board processing equipment.
請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、
前記基板の幅方向に互いに隣り合う前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインとの各々で描画されるパターン同士の継ぎ合せ部が、前記回転機構による前記定盤の回転後も、前記搬送方向又は前記幅方向おいて前記基板上で同一位置となるように、前記描画モジュールの各々の描画タイミングを補正する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 6.
The control device is
Even after the platen is rotated by the rotation mechanism, the joints between the patterns drawn on the odd-numbered drawing lines and the even-numbered drawing lines adjacent to each other in the width direction of the substrate are still present. The drawing timing of each of the drawing modules is corrected so that they are at the same position on the substrate in the transport direction or the width direction.
Board processing equipment.
請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記描画装置は、さらに前記描画ビームとしてパルス光を発生するパルス光源を備え、
前記描画モジュールから投射される前記描画ビームの前記基板上におけるスポット光のサイズをD(μm)、前記描画ビームの前記描画ラインに沿った走査速度をVp(μm/秒)としたとき、前記パルス光源の発光繰り返し周期T(秒)が、T<D/Vpの関係に設定される、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4.
The drawing device further includes a pulse light source that generates pulsed light as the drawing beam.
When the size of the spot light of the drawing beam projected from the drawing module on the substrate is D (μm) and the scanning speed of the drawing beam along the drawing line is Vp (μm / sec), the pulse. The light emission repetition period T (seconds) of the light source is set in the relationship of T <D / Vp.
Board processing equipment.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記傾き調整機構は、
前記奇数番と前記偶数番の描画モジュールの各々に設けられ、前記基板上に形成される前記描画ラインを含む描画面内の所定点を中心として、前記描画面内で前記奇数番と前記偶数番の描画ラインの各々を回転させる描画ライン回転機構を備え、
前記制御装置は、前記基板速度検出装置により検出された前記に応じて、前記奇数番と前記偶数番の描画モジュールごとに設けられた前記描画ライン回転機構の各々を駆動制御する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 .
The tilt adjusting mechanism is
The odd-numbered and provided in each of the even numbered drawing module, about a predetermined point in the drawing surface, including the drawing lines formed on the substrate, wherein the odd-numbered and the even-numbered in the drawing plane Equipped with a drawing line rotation mechanism that rotates each of the drawing lines of
The control device drives and controls each of the drawing line rotation mechanism provided for each of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module according to the difference detected by the substrate speed detecting device.
Board processing equipment.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記描画装置は、
前記奇数番の描画モジュールと前記偶数番の描画モジュールの各々から投射される前記描画ビームの描画時の走査方向が、前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインとで逆方向となるように、前記複数の描画モジュールを保持する定盤を含み、
前記傾き調整機構は、
前記複数の描画モジュールの各々に設けられ、前記基板上に形成される前記描画ラインを含む描画面内の所定点を中心として、前記描画面内で前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインの各々を回転させる描画ライン回転機構を備える、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1.
The drawing device is
The scanning direction at the time of drawing the drawing beam projected from each of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module is opposite between the odd-numbered drawing line and the even-numbered drawing line. Includes a surface plate that holds the plurality of drawing modules.
The tilt adjusting mechanism is
The odd-numbered drawing lines and the even-numbered drawing lines are drawn in the drawing surface around a predetermined point in the drawing surface including the drawing lines formed on the substrate and provided in each of the plurality of drawing modules. It has a drawing line rotation mechanism that rotates each of the lines.
Board processing equipment.
請求項10に記載の基板処理装置であって、
前記制御装置は、
前記基板速度検出装置により検出される前記に応じて、前記奇数番の描画ラインと前記偶数番の描画ラインの各々の相対的な傾きが調整されるように、前記複数の描画モジュールごとに設けられた前記描画ライン回転機構を制御する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 10.
The control device is
Each of the plurality of drawing modules is provided so that the relative inclinations of the odd-numbered drawing lines and the even-numbered drawing lines are adjusted according to the difference detected by the substrate speed detection device. was that controls the drawing line rotation mechanism,
Board processing equipment.
請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記複数の描画モジュールの各々は、
前記基板に向かう前記描画ビームを一方向に偏向走査する回転多面鏡と、
前記回転多面鏡で偏向走査された前記描画ビームを前記基板上の前記描画ラインに導くf−θレンズと、
前記f−θレンズと前記基板との間に設けられ、前記描画ラインが延びる方向と平行な母線を有し、該母線と直交する方向に前記描画ビームを集光するシリンドリカルレンズと、を有し、
前記描画ライン回転機構は、前記シリンドリカルレンズを回転させることによって、前記描画ラインを相対的に傾ける、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 11.
Each of the plurality of drawing modules
A rotating multi-sided mirror that deflects and scans the drawing beam toward the substrate in one direction.
An f−θ lens that guides the drawing beam deflected and scanned by the rotating polymorphic mirror to the drawing line on the substrate, and
It has a cylindrical lens provided between the f−θ lens and the substrate, having a bus line parallel to the direction in which the drawing line extends, and condensing the drawing beam in a direction orthogonal to the bus line. ,
The drawing line rotation mechanism tilts the drawing line relatively by rotating the cylindrical lens.
Board processing equipment.
請求項又は請求項11に記載の基板処理装置であって、
前記奇数番の描画モジュールと前記偶数番の描画モジュールの一方は前記基板の搬送方向の上流側に設けられ、前記奇数番の描画モジュールと前記偶数番の描画モジュールの他方は前記基板の搬送方向の下流側に設けられ、
前記制御装置は、
前記上流側描画モジュールによる前記描画ラインにおける前記基板の上流側搬送速度と、前記下流側描画モジュールによる前記描画ラインにおける前記基板の下流側搬送速度との差を検出する速度差検出機構を含み、
該検出された速度差に応じて、前記傾き調整機構によって前記下流側描画モジュールによる前記描画ラインの傾きを調整する、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 11.
One of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module is provided on the upstream side in the transport direction of the substrate, and the other of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module is in the transport direction of the substrate. et al provided on the downstream side is,
The control device is
Comprising an upstream transport speed of the substrate in the drawing line by the upstream side of the drawing module, the speed difference detection mechanism for detecting the difference between the downstream transport speed of the substrate in the drawing line by the downstream side of the drawing module ,
The tilt adjustment mechanism adjusts the tilt of the drawing line by the drawing module on the downstream side according to the detected speed difference.
Board processing equipment.
請求項1〜3、10〜12のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記基板搬送機構は、
前記基板の幅方向に延びた中心線から一定半径の円筒状の外周面で前記基板を支持し、前記中心線の回りに回転することにより、前記基板を前記搬送方向に搬送させる回転ドラムを有し、
前記奇数番と前記偶数番の描画モジュールの各々は、前記基板上に形成される前記描画ラインの方向が前記回転ドラムの中心線の方向と揃うように配置される、
基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 and 10 to 12.
The substrate transfer mechanism is
It has a rotating drum that transports the substrate in the transport direction by supporting the substrate on a cylindrical outer peripheral surface having a constant radius from a center line extending in the width direction of the substrate and rotating the substrate around the center line. And
Each of the odd-numbered drawing module and the even-numbered drawing module is arranged so that the direction of the drawing line formed on the substrate is aligned with the direction of the center line of the rotating drum.
Board processing equipment.
可撓性を有するシート状の基板に電子デバイスを形成するデバイス製造方法であって、
前記基板の表面に一様に、或いは選択的に光感応層を形成する第1の工程と、
請求項1〜14のいずれか1項に記載の基板処理装置を用いて、前記複数の描画モジュールの各々からの前記描画ビームを、前記基板の前記光感応層に対して走査し、前記電子デバイスの為の継ぎ合わされたパターンを前記光感応層に描画する第2の工程と、
前記描画された前記光感応層に対して処理を施すことによって、前記基板上に前記継ぎ合わされたパターンに応じた前記電子デバイスの層構造を形成する第3の工程と、
を含むデバイス製造方法。
A device manufacturing method for forming an electronic device on a flexible sheet-like substrate.
The first step of uniformly or selectively forming a light-sensitive layer on the surface of the substrate, and
Using the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 14, the drawing beam from each of the plurality of drawing modules is scanned against the light-sensitive layer of the substrate, and the electronic device is used. The second step of drawing the spliced pattern for the above-mentioned light-sensitive layer, and
A third step of forming a layered structure of the electronic device according to the spliced pattern on the substrate by applying a treatment to the drawn light-sensitive layer.
Device manufacturing method including.
請求項15に記載のデバイス製造方法であって、
前記第1の工程では、現像処理が必要な感光性機能層と現像処理が不要な感光性機能層とのいずれか一方の溶液を、塗布装置によって前記基板の表面に一様、又は選択的に塗布して乾燥させることにより、前記光感応層を形成する、
デバイス製造方法。
The device manufacturing method according to claim 15.
In the first step, a solution of either a photosensitive functional layer that requires development treatment or a photosensitive functional layer that does not require development treatment is uniformly or selectively applied to the surface of the substrate by a coating device. By applying and drying, the light-sensitive layer is formed.
Device manufacturing method.
請求項16に記載のデバイス製造方法であって、
前記描画ビームは、波長450nm以下の紫外域に発振ピークを有するレーザ光であり、
前記現像処理が不要な前記感光性機能層は、前記第2の工程での前記描画ビームの投射と非投射によって表面の親撥液性が改質する感光性シランカップリング材、又は前記第2の工程での前記描画ビームの投射と非投射によって表面に選択的にメッキ還元基が露呈する感光性還元材である、
デバイス製造方法。
The device manufacturing method according to claim 16.
The drawn beam is a laser beam having an oscillation peak in the ultraviolet region having a wavelength of 450 nm or less.
The photosensitive functional layer that does not require the development treatment is a photosensitive silane coupling material whose surface repellent property is modified by projection and non-projection of the drawing beam in the second step, or the second. A photosensitive reducing agent in which plating reducing groups are selectively exposed on the surface by projection and non-projection of the drawing beam in the above step.
Device manufacturing method.
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