JP6781449B2 - 表面処理装置 - Google Patents

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この発明は、処理チャンバ内に置換ガスを供給してガス置換放電によってフィルムなど処理対象の表面を改質する表面処理装置に関する。
放電電極を備えた処理チャンバ内に窒素などの置換ガスを供給してガス置換放電を形成し、上記処理チャンバと対向して移動するフィルム表面を改質する表面処理装置が知られている。
例えば、アースされた処理ローラに対向して処理チャンバが設けられ、この処理チャンバ内には放電電極が設けられるとともに、処理ローラと対向する天井面には置換ガスを供給するガス供給口が設けられているものが知られている(特許文献1(図1)参照)。このガス供給口から処理チャンバ内に置換ガスを供給して処理チャンバ内を置換してからガス置換放電を形成し、上記処理ローラに接触して搬送されるフィルムの表面を、ガス置換放電のエネルギーによって処理するようにしている。
このような表面処理装置において、上記処理チャンバ内で安定したガス置換放電状態を維持するためには、放電部におけるガスの置換度が重要である。
しかし、移動するフィルムの表面には、処理チャンバの外部の大気などが付着して同伴流として処理チャンバ内に流入する可能性がある。処理チャンバ内に同伴流が流入すれば、置換度が下がって、ガス置換放電状態が不安定になってしまう可能性がある。
そこで、特許文献1の装置では、処理チャンバの一対の側壁と処理ローラとの間に、フィルム表面に接触するニップローラを設けている。そして、フィルムの移動方向を基準にして、上流側のニップローラが外気の同伴流を遮断し、下流側のニップローラが処理チャンバから流出する同伴流を遮断するようにしている。
国際公開第2007/138837号公報 特開2005−076063号公報
上記特許文献1の装置では、置換ガスの供給口が処理チャンバの天井面に設けられているため、安定したガス置換放電を形成するためには、処理チャンバ全体を置換しなければならず、置換ガスの消費量が多くなってしまう。
一方で、放電電極の先端と処理ローラとの間の放電部に効率的に置換ガスを導くため、チャンバの側壁と処理ローラとの間に、ニップローラとともにガス供給路を設けたものが考えられていた(特許文献2(図9)参照)。しかし、チャンバの側壁と処理ローラとの間に、ニップローラとガス供給路とを同時に設けた装置では、処理チャンバの開口近傍の構造が複雑になるとともに、ガス供給路、ニップローラ、放電電極などの位置関係の調整が煩雑になってしまう。
この発明の目的は、構造を複雑化しなくても、置換ガスの消費量を抑えながら、安定したガス置換放電状態を維持して目的の処理が可能な表面処理装置を提供することである。
この発明は、処理ローラと、この処理ローラに対向し、内部に置換ガスを供給してガス置換放電を形成する処理チャンバとが設けられ、上記処理ローラに接触し、この処理ローラの回転に伴って移動する帯状の処理対象を上記ガス置換放電のエネルギーで改質する表面処理装置を前提とする。
そして、第1の発明は、上記処理チャンバが、内部に設けられた放電電極と、上記処理対象の移動方向において上記放電電極を境に上流側及び下流側に設けられた一対の側壁と、上記側壁の端部と上記処理ローラとの間に設けられ、上記処理対象の表面に接触して回転する一対のガス噴射ローラとを備え、上記各ガス噴射ローラが、その表面から置換ガスを噴射するガス噴射手段を備え、上記処理対象の移動に伴って回転する上記ガス噴射ローラから噴射された置換ガスが上記処理チャンバ内に供給される構成にしたことを特徴とする。
第2の発明は、上記ガス噴射ローラが、特定の回転角度範囲に対応した噴射範囲から置換ガスを噴射させる機構を備え、この噴射範囲を、ガス噴射ローラと上記処理対象の接触部より上記放電電極側に位置させたことを特徴とする。
第3の発明は、上記噴射範囲を、上記ガス置換放電が形成される放電部に対向させ、上記放電部に向かって置換ガスが噴射される構成にしたことを特徴とする。
第1の発明によれば、処理チャンバの側壁の近傍に設けたガス噴射ローラの近傍から、処理チャンバ内に置換ガスを供給しながら、上記ガス噴射ローラによって、同伴流を遮断し、外気の流入と置換ガスの流出とを防止できる。しかも、ガス噴射ローラは処理対象に接触しているので、その表面が放電部の近くに位置し、従来のように処理チャンバの天井面から置換ガスを供給する場合と比べて、放電部を効率的に置換できる。
このように、ガス噴射ローラが、置換ガスの供給機能と、同伴流の遮断機能とを兼ね備えているため、処理チャンバ及びその近傍の構造を複雑化することなく、放電部の置換度を保つことができる。その結果、目的の放電状態が維持され、目的の処理を実現できる。
第2の発明によれば、ガス噴射ローラから処理チャンバ外へ噴射される置換ガスを減らすことができる。そのため、ガス置換放電に寄与しない置換ガスを無駄に消費することを防止できる。
第3の発明によれば、放電部に向かって置換ガスが噴射されるため、放電部をより効率的に置換することができる。その結果、置換ガスの消費量を更に低減しながら目的の処理を実現できる。
第1実施形態の概略図である。 第1実施形態のガス噴射ローラの軸方向断面図である。 図2のIII-III線断面図である。 第2実施形態の概略図である。 第2実施形態のガス噴射ローラの断面図である。
図1〜3に示す第1実施形態は、処理ローラ1に処理対象であるフィルムFが架け回されるとともに、このフィルムFを介して上記処理ローラ1と対向する位置には処理チャンバ2が設けられている。
上記処理ローラ1は図示しない駆動機構によって矢印x方向に回転し、フィルムFを矢印a方向に移動させる機能を備えている。
なお、以下の実施形態の説明において、上流側、下流側とは、特にことわらない限り、フィルムFの移動方向を基準としたものである。
上記処理チャンバ2は、上記処理ローラ1と対向し、フィルムFの幅をまたぐ長さの棒状の放電電極3がホルダ4及び碍子5を介して固定される天井6と、この天井6の両脇に接続され、上記放電電極3を挟んで対向する一対の側壁7,8と、処理ローラ1の軸方向端部側を接続して放電電極3を囲う図示しない一対の端面側の側壁とを備えている。つまり、上位機処理チャンバ2も、フィルムFの幅をまたぐ長さを備えた形状である。
上記処理ローラ1は、上記放電電極3に対する対向電極を構成するものであり、この第1実施形態ではアースに接続されているが、必ずしもアース電位でなくてもよい。
また、上記一対の側壁7,8の端部と処理ローラ1との間には、それぞれガス噴射ローラ9,10が設けられている。
これらガス噴射ローラ9,10の詳細な構成については後で説明するが、いずれも、上記放電電極3と同様にフィルムFの幅をまたぐ長さを備え、その表面から置換ガスを噴射するものである。
ガス噴射ローラ9,10は、図2,3に示すように、中空の多孔筒体11内に、中央筒体12を、ベアリング13を介して相対回転可能に組み込んだものである。
多孔筒体11は、置換ガスの流通を許容する多孔質の円筒部材からなり、例えば、焼結セラミックや、連続気泡を備えた発泡樹脂などで形成することができる。
一方、中央筒体12は上記多孔筒体11の内壁に小さなすき間を介して対向するガスチャンバ12aと、その両端に連結された一対の支持軸12bとからなる。上記支持軸12bは、上記ガスチャンバ12aの内部と連通する筒部材である。
また、上記ガスチャンバ12aには、その周方向における特定の範囲内に複数の小孔12cが形成されている。
上記小孔12cが形成されている範囲は、図3に示すように、多孔筒体11の回転角度α分に対応する範囲である。
図示のようなガス噴射ローラ9,10は、例えば次のようにして組み立てることができる。
先ず、上記多孔筒体11内に上記中央筒体12を挿入し、多孔筒体11の軸方向両端から中央筒体12の支持軸12bを突出させる。次に、上記支持軸12bと上記多孔筒体11との間にベアリング13を嵌め込む。このとき、ベアリング13の内輪13aに上記支持軸12bが圧入されるとともに、ベアリング13の外輪13bが上記多孔円筒体11に圧入される寸法関係を備えている。
また、上記中央筒体12の支持軸12bには、図示しない置換ガス供給源に接続された置換ガス供給用の配管14を接続して内部に置換ガスを供給可能にしている。
さらに、上記ベアリング13はシール付きベアリングで、上記多孔筒体11内の置換ガスがこのベアリング13を介して外部へ漏れ出ないようにしている。
この第1実施形態では、上記置換ガス供給源、上記配管14、上記中央筒体12、小孔12c及び多孔筒体11によって、この発明の置換ガス噴射機構を構成している。
上記のようなガス噴射ローラ9,10の外周、すなわち多孔筒体11を処理ローラ1上のフィルムFに接触するように設け、上記中央筒体12の支持軸12bを外部の図示しないベースに固定する。このとき、ガスチャンバ12aの小孔12cが形成された上記回転角度αの範囲を、フィルムFとの接触部P1,P2(図1参照)よりも放電電極3側に位置するようにしている。
また、上記多孔筒体11を、上記中央筒体12を中心にして自由回転可能な状態にしている。したがって、上記処理ローラ1が回転して上記フィルムFが移動すれば、その移動に応じて上記多孔筒体11は、処理ローラ1と反対のy方向に回転することになる(図1参照)。
上記したように、この第1実施形態では、中央筒体12のガスチャンバ12aに形成された小孔12cが、上記接触部P1,P2より放電電極3側であって、上記放電電極3の先端付近の放電部に対向するようにして上記中央筒体12が固定されている。
そのため、多孔筒体11がフィルムFとともに回転したとしても、固定された中央筒体12に形成された小孔12cが、常時、処理チャンバ2内の放電部に対向することになる。
したがって、全体が多孔質で形成されている多孔筒体11においても、上記回転角度αに相当する置換ガス噴射範囲からのみ置換ガスが放出されることになる。
したがって、この第1実施形態では、中央筒体12に置換ガスが供給されれば、ガス噴射ローラ9,10の表面である多孔筒体11から放出される置換ガスは、処理チャンバ2内に向かって放出されることになる。そのため、処理チャンバ2の外に放出されて無駄になる置換ガス量を抑えることができる。
また、上記ガス噴射ローラ9,10はいずれもフィルムFに接触しているため、同伴流を遮断する効果を発揮する。
すなわち、フィルムFの移動方向において放電電極3の上流側に位置するガス噴射ローラ9は、その上流側からの外気の同伴流、例えば波線の矢印bをフィルムFとの接触部P1で遮断して処理チャンバ2内に流入することを防止できる。
また、下流側のガス噴射ローラ10は、フィルムFとの接触部P2において、処理チャンバ2から流出する置換ガスの同伴流を遮断する。
このように、この第1実施形態の装置では、上記一対のガス噴射ローラ9,10によって、処理チャンバ2への外気の流入及び置換ガスの流出を防止して、処理チャンバ2内の置換を維持することができる。
しかも、上記ガス噴射ローラ9,10から置換ガスを処理チャンバ2内へ供給するようにしているので、ガス噴射ローラ9,10とは別に置換ガスの供給路を設ける必要がなく、処理チャンバ2及びその近傍の構成が複雑化することもない。
さらに、ガス噴射ローラ9,10がフィルムFに接触しているため、これらガス噴射ローラ9,10から噴射する置換ガスは、放電電極3の先端側である放電部の近傍に向かう。そのため、例えば処理チャンバ2の天井6から置換ガスを供給する場合のように、処理チャンバ2全体の置換度を高く保つ必要がない。しかも、上記のようにガス噴射範囲を、上記放電部に対向させて設ければ、上記放電部をより効率的に置換できる。
なお、上記ガス噴射ローラ9,10の上記中央筒体12と多孔筒体11との間には隙間があるので、この隙間に流れ込んだ置換ガスが、上記ガス噴射範囲以外の部分からも多少漏れ出る可能性はある。置換ガスが、上記ガス噴射範囲以外の部分からも、多少漏れ出ることがあったとしても、ガス噴射ローラの全周から均等に噴射される場合と比べれば、放電部の置換は効率的である。
また、上記中央筒体12の外周面であって、回転角度αの両外側に対応する位置に、中央筒体12の軸線方向に連続する線状凸部などを形成して、置換ガスの流通に対する絞り機構やシール部材を設ければ、上記回転角度αに相当する置換ガス放出範囲とその他の部分とがより明確に区画され、置換ガスの噴射方向の指向性を高めることができる。
そして、置換ガスの指向性が高ければ、置換ガスを、放電部に向けて集中的に噴射させて、放電部の置換をより効率的に行なうことができる。
また、上記ガス噴射ローラ9,10を回転可能にするため、各ローラ9,10と側壁7,8との間には、隙間s1,s2が保たれている。これらの隙間s1,s2は、そこから外気が流入することを防止するため、できるだけ流入抵抗を大きくすることが好ましい。例えば、側壁7,8の先端とガス噴射ローラ9,10と間隔を小さくしたり、図示のように側壁7,8の厚みを厚くして、上記隙間s1,s2における、ガス噴射ローラ9,10の周方向長さを長くしたりすればよい。
図4,5に示す第2実施形態は、ガス噴射ローラ15,16の構造が、上記ガス噴射ローラ9,10と異なるが、その他の構成は第1実施形態同じである。したがって、上記第1実施形態と同じ構成要素には図1と同じ符号を用いている。
この第2実施形態のガス噴射ローラ15,16は、図5に示すように、中心のガス供給管17の外周に多孔層18を備えている。また、上記ガス供給管17の側壁には複数の小孔17aが形成され、ガス供給管17の端部には、図示しない置換ガス供給源が接続されている。
上記置換ガス供給源から供給された置換ガスは、上記ガス供給管17の小孔17aから多孔層18を介して上記ガス噴射ローラ15,16の外周から外部に向かって放出される。この第2実施形態では、上記置換ガス供給源、ガス供給管17、小孔17a及び多孔層18によって、この発明の置換ガス噴射機構を構成している。
なお、上記多孔質の多孔層18は、上記第1実施形態の多孔筒体11と同様に形成される。
上記のようなガス噴射ローラ15,16が、処理チャンバ2の側壁7,8と処理ローラ1との間で、フィルムFに接触するように設けられている。
この第2実施形態の装置でも、処理ローラ1がx方向に回転すると、上記ガス噴射ローラ15,16は、処理ローラ1の回転方向xとは反対のy方向に回転しながら、その外周から矢印で示す置換ガスを外部に向かって噴射する。
このように、上記ガス噴射ローラ15,16は、フィルムFに接触して回転するので、上流側のガス噴射ローラ15とフィルムFとの接触部P1において外部からの同伴流の流入を遮断することができ、下流側のガス噴射ローラ16とフィルムFとの接触部P2においてチャンバ内の置換ガスの流出を防止できる。
また、フィルムFに接触したガス噴射ローラ15,16から置換ガスが噴射するので、例えば天井6から置換ガスが供給される場合と比べて、放電電極3の先端付近の放電部を優先的に置換できる点は、上記第1実施形態と同様である。
ただし、この第2実施形態では、上記ガス噴射ローラ15,16が、上記小孔17aが形成されたガス供給管17が多孔層18と一体となって回転するので、上記小孔17aが移動し置換ガスの噴射方向が変化することになるが、ガス噴射範囲が特定の方向に限定されることはない。したがって、置換ガスは、上記ローラ15,16の外周面全体から放出されることになる。
つまり、この第2実施形態では、処理チャンバ2の外にも置換ガスが噴射され、その分、第1実施形態よりも置換ガスの消費量は多くなる。
ただし、処理チャンバ2の外部で、上流側のガス噴射ローラ15からフィルムFに向かって噴射される置換ガスは、外気の同伴流の勢いを弱めて同伴流の処理チャンバ2への流入をより確実に防止する機能を発揮する。
また、処理チャンバの側壁7,8とガス噴射ローラ15,16との間の隙間s1,s2内で置換ガスが噴射することによって、このすき間s1,s2を介して外気が流入することを防止できる。
なお、この第2実施形態で、ガス供給管17の小孔17aの開口面積や数、及び位置を調整することによって、置換ガスの噴射速度や方向を調整することができる。また、筒状の多孔層18のみで上記ローラ15,16を構成すれば、全側面から均一に置換ガスを噴射させることもできる。
上記のように、第1,2実施形態では、フィルムに接触して放電部付近に置換ガスを噴射するガス噴射ローラを用いたので、構成を複雑化することなく、同伴流の遮断を確実にしながら、放電部の置換を効率的に行なうことができる。
なお、上記ガス噴射ローラ9,10,15,16は、処理チャンバ2の側壁7,8に所定の隙間s1、s2を保って連結してもよいし、処理チャンバ2とは別のベース部材に取り付けるようにしてもよい。
また、図1,4では、処理チャンバ2を処理ローラ1の上方に設けているが、処理チャンバ2と処理ローラ1との位置関係は、図示のものに限定されない。
この発明は、ガス置換放電によって様々な処理対象を表面改質する表面処理装置に適用可能である。
F (処理対象)フィルム
1 処理ローラ
2 処理チャンバ
3 放電電極
7,8 側壁
9,10 ガス噴出ローラ
11 多孔筒体
12 中央筒体
12c 小孔
15,16 ガス噴出ローラ
17 ガス供給管
17a 小孔
P1,P2 接触部

Claims (3)

  1. 処理ローラと、
    この処理ローラに対向し、内部に置換ガスを供給してガス置換放電を形成する処理チャンバとが設けられ、
    上記処理ローラに接触し、この処理ローラの回転に伴って移動する帯状の処理対象を上記ガス置換放電のエネルギーで改質する表面処理装置において、
    上記処理チャンバは、
    内部に設けられた放電電極と、
    上記処理対象の移動方向において上記放電電極を境に上流側及び下流側に設けられた一対の側壁と、
    上記一対の側壁の端部と上記処理ローラとの間に設けられ、上記処理対象の表面に接触して回転する一対のガス噴射ローラとを備え、
    上記各ガス噴射ローラは、その表面から置換ガスを噴射するガス噴射手段を備え、
    上記処理対象の移動に伴って回転する上記ガス噴射ローラから噴射された置換ガスが、上記処理チャンバ内に供給される構成にした表面処理装置。
  2. 上記ガス噴射ローラは、
    特定の回転角度範囲に対応した噴射範囲から置換ガスを噴射させる構成を備え、
    この噴射範囲を、ガス噴射ローラと上記処理対象との接触部より上記放電電極側に位置させた請求項1に記載の表面処理装置。
  3. 上記噴射範囲を、上記ガス置換放電が形成される放電部に対向させ、上記放電部に向かって置換ガスが噴射される構成にした請求項2に記載の表面処理装置。
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