JP6763739B2 - コネクタ構造および電子機器 - Google Patents
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Description
まず、本発明の一実施形態に係る電子機器1000の全体構成の概要について説明する。図1は、電子機器1000の全体構造を示すブロック図である。電子機器1000の例としては、スマートフォン、携帯電話、タブレットPC(Personal Computer)、PDA(Personal Digital Assistance)およびPC等を例示することができるがこれらに限定されない。
次に、図2に基づき、本発明の実施形態1に係るコネクタ部100の動作および構造の変化について説明する。図2の(a)は、実施形態1に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、図2の(b)〜(d)は、実施形態1に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
次に、図2の(e)〜(g)に基づき、実施形態1に係るコネクタ部100の変形例について説明する。これらの図に示すように、本変形例のコネクタ部100では、レセプタクルシェル110の側面に第3開口110Cが形成されており、この第3開口110Cの一端からバネ部(切替部)111が延在している点で、上述した実施形態1のコネクタ部100と異なっている。このように、バネ部111は、レセプタクルシェル110の底面に限定されず、レセプタクルシェル110の側面に設けることもできる。
次に、図3に基づき、本発明の実施形態2に係るコネクタ部100の動作および構造の変化について説明する。図3の(a)は、実施形態2に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、図3の(b)および(c)は、実施形態2に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
次に、図4に基づき、実施形態2に係るコネクタ部100の変形例について説明する。コネクタ部100については、レセプタクルシェル110の底面側に素子切替回路(切替部)130が形成されている。素子切替回路130中にはSPDT(Single Pole Double Throw)132が設けられており、短絡用導線131と、高周波遮断素子134を備える経路との2つの経路の何れかを選択できるようになっている。
次に、図5に基づき、本発明の実施形態3に係るコネクタ部100の動作について説明する。図5の(a)は、実施形態3に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、図5の(b)は、実施形態3に係るコネクタ部100の構造を示す図である。
次に、図6に基づき、本発明の実施形態4に係るコネクタ部100の動作について説明する。図6の(a)は、実施形態4に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、図6の(b)〜(d)は、実施形態4に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
次に、図6の(e)に基づき、実施形態4に係るコネクタ部100の変形例について説明する。上述した形態では、SPDT132a、132bの2つのSPDTを用いる形態について説明したが、以下で説明するように、単一のSPnT133を用いる形態を採用することもできる。
次に、図7に基づき、本発明の実施形態5に係るコネクタ部100の動作について説明する。図7の(a)は、実施形態5に係るコネクタ部100の動作を示すフローチャートである。また、図7の(b)〜(d)は、実施形態5に係るコネクタ部100の構造の変化を示す図である。
次に、図8に基づき、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例について説明する。図8の(a)は、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例の動作を示すフローチャートである。また、図8の(b)〜(d)は、実施形態5に係るコネクタ部100の変形例の構造の変化を示す図である。なお、上述したように、プラグ201はUSB3.1仕様のプラグであり、プラグ202はUSB2.0仕様のプラグである。
本発明の態様1に係るコネクタ構造は、プラグが挿入される導電性の受け部を備えたコネクタ構造であって、上記受け部に上記プラグが挿入されている場合に、上記受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡するか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を直流成分カット素子で繋ぐ経路、もしくは、上記受け部と上記グランド電極との間を高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択し、上記受け部に上記プラグが挿入されていない場合に、上記受け部と上記グランド電極との間を非短絡とするか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を上記高周波遮断素子と同一または別の高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択する、切替部を備えている構成である。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
100 コネクタ部(コネクタ構造)
110 レセプタクルシェル(受け部)
111 バネ部(切替部)
130 素子切替回路(切替部)
131 短絡用導線
137 電流計(計測部)
138 DCカット素子(直流成分カット素子)
139 ケーブル挿入検知機構(検知部)
200、201、202 プラグ
120 端末基板GND(グランド電極)
1000 電子機器
Claims (4)
- プラグが挿入される導電性の受け部を備えたコネクタ構造であって、
上記受け部に上記プラグが挿入されている場合に、
上記受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡するか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を直流成分カット素子で繋ぐ経路、もしくは、上記受け部と上記グランド電極との間を高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択し、
上記受け部に上記プラグが挿入されていない場合に、
上記受け部と上記グランド電極との間を非短絡とするか、または、上記受け部と上記グランド電極との間を上記高周波遮断素子と同一または別の高周波遮断素子で繋ぐ経路を選択する、切替部を備えていることを特徴とするコネクタ構造。 - 上記受け部と上記グランド電極との間に流れる電流を計測する計測部を備え、
上記切替部は、
上記プラグが上記受け部に挿入されている場合であり、かつ上記計測部によって計測された電流が所定の閾値以上である場合に、上記受け部と上記グランド電極との間を直流成分カット素子で繋ぐ経路を選択することを特徴とする請求項1に記載のコネクタ構造。 - 上記受け部に挿入される上記プラグの種類を検知する検知部を備え、
上記切替部は、
上記受け部に上記プラグが挿入されている場合に、上記検知部が検知した上記プラグの種類に応じて、上記受け部と端末基板のグランド電極との間を短絡する経路、および、上記受け部と上記グランド電極との間を高周波遮断素子で繋ぐ経路、の何れかを選択することを特徴とする請求項1に記載のコネクタ構造。 - 請求項1から3までの何れか1項に記載のコネクタ構造を備えていることを特徴とする電子機器。
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JP2016202074A JP6763739B2 (ja) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | コネクタ構造および電子機器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016202074A JP6763739B2 (ja) | 2016-10-13 | 2016-10-13 | コネクタ構造および電子機器 |
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Family Applications (1)
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