JP6761654B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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高電圧発生部と、
ワードラインが接続されてマトリクス状に配置された複数のメモリセルと、
前記メモリセルを有して構成される第1記憶領域と、
前記メモリセルを有して構成される第2記憶領域と、
前記高電圧発生部の出力電圧に基づいて前記ワードラインを選択するワードラインドライバと、
前記ワードラインドライバにより前記第1記憶領域に含まれる書込み対象アドレスに対応する前記ワードラインが選択された状態において前記出力電圧の状態を検知する電圧検知部と、
前記電圧検知部により前記出力電圧の異常低下が検知されると、前記第2記憶領域に書込み対象データを書き込む制御を行う制御部と、
を備える構成としている(第1の構成)。
前記制御部は、前記出力電圧の異常低下が検知された前記書込み対象アドレスである不良アドレスの記載されたデータを前記第3記憶領域に書き込む制御を行うこととしてもよい(第4の構成)。
前記判定部により属していると判定された場合は、前記今回の書込み対象アドレスを、そのアドレスに対応する前記第2記憶領域におけるアドレスに補正する補正部と、を有し、
補正後のアドレスに書込み対象データを書き込むよう制御することとしてもよい(第5の構成)。
昇圧回路と、
前記昇圧回路の出力電圧が基準値を上回るとその旨の出力信号を出力するクランプ回路と、
前記出力信号に基づき前記出力電圧を抑制するよう前記昇圧回路を制御する制御回路と、を有し、
前記電圧検知部は、前記出力信号に基づき前記出力電圧の異常低下を検知することとしてもよい(第6の構成)。
前記昇圧回路の出力電圧の印加端にカソードが接続されるダイオードと、
定電流回路と、
前記ダイオードのアノードに電流入力側が接続され、前記定電流回路に電流出力側が接続されるカレントミラーと、
前記定電流回路と前記カレントミラーとの接続点に入力端が接続されて前記出力信号を出力するインバータと、を有することとしてもよい(第7の構成)。
図1は、本発明の一実施形態に係るEEPROMの全体構成を示すブロック図である。図1に示すEEPROM50は、高電圧発生回路1と、Y方向高電圧制御回路2と、X方向高電圧制御回路3と、制御部4と、アドレスデコーダ5と、記憶部6と、X方向デコーダ7と、ワードラインドライバ8と、Y方向デコーダ9と、カラムラッチ10と、ページバッファ11と、を備えている。
次に、上記のような構成としたEEPROM50における書込み処理の流れについて、図6に示すフローチャートも参照して説明する。
図8は、EEPROMを搭載した車両の一構成例を示す外観図である。本構成例の車両Xは、バッテリX10と、バッテリX10から入力電圧の供給を受けて動作する種々の電子機器X11〜X18と、を搭載している。なお、図8におけるバッテリX10および電子機器X11〜X18の搭載位置については、図示の便宜上、実際とは異なる場合がある。
なお、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
1A チャージポンプ
1B クランプ回路
1C 制御回路
2 Y方向高電圧制御回路
3 X方向高電圧制御回路
4 制御部
4A 電圧検知部
5 アドレスデコーダ
6 記憶部
61 メモリセル
611 メモリセル群
6A 第1記憶領域
6B 第2記憶領域
6C 第3記憶領域
7 X方向デコーダ
8 ワードラインドライバ
9 Y方向デコーダ
10 カラムラッチ
11 ページバッファ
SL 選択ライン
WL ワードライン
CL コントロールライン
BL ビットライン
SCL ソースライン
SW 選択スイッチ
ST 選択トランジスタ
MT メモリトランジスタ
D1 ダイオード
M1、M2 MOSトランジスタ
Ic1 定電流回路
Iv1 インバータ
Claims (8)
- 高電圧発生部と、
ワードラインおよび選択ラインが接続されてマトリクス状に配置された複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルの一部である第1メモリセルを有して構成される第1記憶領域と、
前記複数のメモリセルの一部であり前記第1メモリセルと異なり、前記第1メモリセルに接続される前記ワードラインとは異なる1本の前記ワードラインと全ての前記選択ラインが接続される第2メモリセルを有して構成される第2記憶領域と、
アドレスに基づいて前記ワードラインを選択するワードラインドライバと、
前記アドレスに基づいて前記選択ラインを選択するカラムラッチと、
前記高電圧発生部において電源電圧を昇圧して生成される出力電圧と、前記電源電圧とのうちいずれかを選択して前記ワードラインドライバに出力するX方向高電圧制御回路と、
前記出力電圧と、前記電源電圧とのうちいずれかを選択して前記カラムラッチに出力するY方向高電圧制御回路と、
前記ワードラインドライバにより前記第1記憶領域に含まれる書込み対象アドレスに対応する前記ワードラインが選択され、前記X方向高電圧制御回路により前記出力電圧が選択され、前記Y方向高電圧制御回路により前記電源電圧が選択された状態において前記出力電圧の状態を検知する電圧検知部と、
前記電圧検知部により前記出力電圧の異常低下が検知されると、全ての前記選択ラインに前記出力電圧を印加させることで前記第2記憶領域のイレース処理を行ってから前記第2記憶領域に書込み対象データを書き込む制御を行う制御部と、
を備え、
前記高電圧発生部は、
昇圧回路と、
前記昇圧回路の出力電圧が基準値を上回るとその旨の出力信号を出力するクランプ回路と、
前記出力信号に基づき前記出力電圧を抑制するよう前記昇圧回路を制御する制御回路と、を有し、
前記電圧検知部は、前記出力信号に基づき前記出力電圧の異常低下を検知することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記制御部は、前記書込み対象アドレスに対応する前記ワードラインに含まれる前記書込み対象アドレス以外のアドレスから読み出されたデータを、前記書込み対象データに加えて前記第2記憶領域に書き込む制御を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記制御部は、前記書込み対象アドレスに対応する前記ワードラインに含まれる全てのアドレスから読み出されたデータのうち、前記書込み対象アドレスに記憶されたデータを前記書込み対象データに置き換えたデータを前記第2記憶領域に書き込む制御を行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記複数のメモリセルの一部であり前記第1メモリセルおよび前記第2メモリセルと異なる第3メモリセルを有して構成される第3記憶領域を更に備え、
前記制御部は、前記出力電圧の異常低下が検知された前記書込み対象アドレスである不良アドレスを前記第3記憶領域に書き込む制御を行うことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御部は、
書込みコマンドを受けると、今回の書込み対象アドレスが前記不良アドレスと同一ワードラインに属するかを判定する判定部と、
前記判定部により属していると判定された場合は、前記今回の書込み対象アドレスを、そのアドレスに対応する前記第2記憶領域におけるアドレスに補正する補正部と、を有し、
補正後のアドレスに書込み対象データを書き込むよう制御することを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記クランプ回路は、
前記昇圧回路の出力電圧の印加端にカソードが接続されるダイオードと、
定電流回路と、
前記ダイオードのアノードに電流入力側が接続され、前記定電流回路に電流出力側が接続されるカレントミラーと、
前記定電流回路と前記カレントミラーとの接続点に入力端が接続されて前記出力信号を出力するインバータと、
を有することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。 - EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)であることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の半導体記憶装置を備えることを特徴とする車載用電子機器。
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JP2016061654A JP6761654B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2016061654A JP6761654B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 半導体記憶装置 |
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JP2017174485A JP2017174485A (ja) | 2017-09-28 |
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ID=59971419
Family Applications (1)
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JP2016061654A Active JP6761654B2 (ja) | 2016-03-25 | 2016-03-25 | 半導体記憶装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6761654B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7082473B2 (ja) * | 2017-11-09 | 2022-06-08 | ローム株式会社 | 半導体記憶装置 |
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2016
- 2016-03-25 JP JP2016061654A patent/JP6761654B2/ja active Active
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JP2017174485A (ja) | 2017-09-28 |
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