JP6754090B1 - フラックス組成物およびはんだ付け方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 局所はんだ付けを行う場合において、はんだ付け性に優れ、パレットマスクにフラックス残さが堆積しにくく、さらに耐銅板腐食性にも優れた、フラックス組成物、およびそれを用いたはんだ付け方法を提供することを目的とする。【解決手段】 （Ａ）ロジン系樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）クロレンド酸誘導体とを含有し、前記（Ａ）成分が、（ｉ）軟化点が１２０℃以上である第一ロジン系樹脂と、（ｉｉ）水素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂と、を含有するフラックス組成物。【選択図】なし
Description
本発明は、フラックス組成物およびはんだ付け方法に関する。本発明のフラックス組成物は、特に局所はんだ付け用フラックス組成物として有用である。
電子基板と電子部品とのはんだ付け方法の一つとして、局所はんだ付け法が挙げられる。この局所はんだ付け法とは、電子基板のはんだ付けしたくない部分をパレットマスクで覆い、目的とする部分に限って溶融はんだに接触させることによりはんだ付けを行う工法である。
この局所はんだ付け法では、溶融はんだに接触させる前に、例えば特許文献１に記載のようなフラックス組成物が用いられる。この局所はんだ付け法に用いるフラックス組成物としては、はんだ付け性だけでなく、フラックス残さがパレットマスクに堆積しにくいことが求められる。フラックス残さがパレットマスクに堆積しやすい場合には、パレットマスクに堆積したフラックス残さを頻繁に洗浄しなければならず、生産性が低下する。また、パレットマスクに堆積したフラックス残さが、電子基板に付着して、基板の性能を損なうおそれもある。
特許文献１に記載のようなフラックス組成物では、組成物中のロジンの配合量が多いために、フラックス残さがパレットマスクに堆積しやすいという問題がある。一方で、ロジン量を少なくすると、ブリッジやつららといった問題が発生してはんだ付け性が低下する傾向にある。さらに、このはんだ付け性を補うために、活性剤の配合量を多くすると、フラックス残さの絶縁信頼性が低下するといった問題もある。このように、はんだ付け性と、フラックス残さの堆積のしにくさとはトレードオフの関係にあり、従来はこれらを両立させることは困難であった。
さらに、局所はんだ付け法では、全面はんだ付けのフローはんだ付け法と比較して、パレットマスクの厚みの影響により、はんだが付着しにくくなる。そこで、局所はんだ付け法では、はんだ槽の噴流波を高くしたり、はんだ槽の噴流速度を上げたり、溶融はんだに接触させる際のコンベア速度を遅くしたりする。このような場合、溶融はんだからはんだ付け部を切り離しにくくなり、結果として、ブリッジやつららといった問題が発生しやすくなる傾向にある。
特許文献２には、高軟化点のロジン系樹脂と、低軟化点のロジン系樹脂をフラックス中に含有させることで、はんだ付け性とフラックス残さの堆積のしにくさを両立したことが報告されている。
この局所はんだ付け法では、溶融はんだに接触させる前に、例えば特許文献１に記載のようなフラックス組成物が用いられる。この局所はんだ付け法に用いるフラックス組成物としては、はんだ付け性だけでなく、フラックス残さがパレットマスクに堆積しにくいことが求められる。フラックス残さがパレットマスクに堆積しやすい場合には、パレットマスクに堆積したフラックス残さを頻繁に洗浄しなければならず、生産性が低下する。また、パレットマスクに堆積したフラックス残さが、電子基板に付着して、基板の性能を損なうおそれもある。
特許文献１に記載のようなフラックス組成物では、組成物中のロジンの配合量が多いために、フラックス残さがパレットマスクに堆積しやすいという問題がある。一方で、ロジン量を少なくすると、ブリッジやつららといった問題が発生してはんだ付け性が低下する傾向にある。さらに、このはんだ付け性を補うために、活性剤の配合量を多くすると、フラックス残さの絶縁信頼性が低下するといった問題もある。このように、はんだ付け性と、フラックス残さの堆積のしにくさとはトレードオフの関係にあり、従来はこれらを両立させることは困難であった。
さらに、局所はんだ付け法では、全面はんだ付けのフローはんだ付け法と比較して、パレットマスクの厚みの影響により、はんだが付着しにくくなる。そこで、局所はんだ付け法では、はんだ槽の噴流波を高くしたり、はんだ槽の噴流速度を上げたり、溶融はんだに接触させる際のコンベア速度を遅くしたりする。このような場合、溶融はんだからはんだ付け部を切り離しにくくなり、結果として、ブリッジやつららといった問題が発生しやすくなる傾向にある。
特許文献２には、高軟化点のロジン系樹脂と、低軟化点のロジン系樹脂をフラックス中に含有させることで、はんだ付け性とフラックス残さの堆積のしにくさを両立したことが報告されている。
しかし、特許文献２に記載されたフラックスは、耐銅板腐食性に関して、未だ十分な性能を有しているとはいえない。
そこで、本発明は、局所はんだ付けを行う場合において、はんだ付け性に優れ、パレットマスクにフラックス残さが堆積しにくく、さらに耐銅板腐食性にも優れた、フラックス組成物、およびそれを用いたはんだ付け方法を提供することを目的とする。
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した結果、高軟化点のロジン系樹脂と、低軟化点のロジン系樹脂とを含むロジン系樹脂と、活性剤と、溶剤を含むフラックス中に、さらにクロレンド酸誘導体を含有させることで、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のとおりである。
［１］
（Ａ）ロジン系樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）クロレンド酸誘導体とを含有し、
前記（Ａ）成分が、（ｉ）軟化点が１２０℃以上である第一ロジン系樹脂と、（ｉｉ）
水素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂と、を含有する
フラックス組成物。
［２］
前記（Ｂ）成分が、（ｉｉｉ）アミン類とフッ素化合物との塩を含有する、上記［１］
記載のフラックス組成物。
［３］
前記（Ｂ）成分が、（ｉｖ）有機酸を含有する、上記［１］又は［２］に記載のフラッ
クス組成物。
［４］
前記（ｉｉ）成分が、水添ロジンである、上記［１］〜［３］のいずれか記載のフラッ
クス組成物。
［５］
前記（ｉｉ）成分の前記（ｉ）成分に対する質量比（（ｉｉ）／（ｉ））が、２以上１
０以下である、上記［１］〜［４］のいずれか記載のフラックス組成物。
［６］
（Ｅ）有機リン化合物を更に含む、上記［１］〜［５］のいずれか記載のフラックス組成物。
［７］
前記（Ｄ）成分が、クロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミドからなる群から選ばれるいずれか１種以上である、上記［１］〜［６］のいずれか記載のフラックス組成物。
［８］
前記クロレンド酸エステルが、以下の式（１）〜（５）からなる群から選ばれるいずれか1種以上であり、前記クロレンド酸アミドが、以下の式（６）〜（１１）からなる群から選ばれるいずれか１種以上である、上記［７］記載のフラックス組成物。
［１］
（Ａ）ロジン系樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）クロレンド酸誘導体とを含有し、
前記（Ａ）成分が、（ｉ）軟化点が１２０℃以上である第一ロジン系樹脂と、（ｉｉ）
水素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂と、を含有する
フラックス組成物。
［２］
前記（Ｂ）成分が、（ｉｉｉ）アミン類とフッ素化合物との塩を含有する、上記［１］
記載のフラックス組成物。
［３］
前記（Ｂ）成分が、（ｉｖ）有機酸を含有する、上記［１］又は［２］に記載のフラッ
クス組成物。
［４］
前記（ｉｉ）成分が、水添ロジンである、上記［１］〜［３］のいずれか記載のフラッ
クス組成物。
［５］
前記（ｉｉ）成分の前記（ｉ）成分に対する質量比（（ｉｉ）／（ｉ））が、２以上１
０以下である、上記［１］〜［４］のいずれか記載のフラックス組成物。
［６］
（Ｅ）有機リン化合物を更に含む、上記［１］〜［５］のいずれか記載のフラックス組成物。
［７］
前記（Ｄ）成分が、クロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミドからなる群から選ばれるいずれか１種以上である、上記［１］〜［６］のいずれか記載のフラックス組成物。
［８］
前記クロレンド酸エステルが、以下の式（１）〜（５）からなる群から選ばれるいずれか1種以上であり、前記クロレンド酸アミドが、以下の式（６）〜（１１）からなる群から選ばれるいずれか１種以上である、上記［７］記載のフラックス組成物。
［９］
局所はんだ付け用である、上記［１］〜［８］のいずれか記載のフラックス組成物。
［１０］
電子部品を電子基板に挿入するとともに、前記電子部品のはんだ付けを行う箇所に開口部が設けられたパレットマスクに、前記電子基板を取り付ける工程と、
前記電子基板のはんだ付け面に、上記［１］〜［９］のいずれか記載のフラックス組成物を塗布する工程と、
前記電子基板のはんだ付け面を、溶融はんだに接触させて、はんだ付けを行う工程と、
を含むはんだ付け方法。
局所はんだ付け用である、上記［１］〜［８］のいずれか記載のフラックス組成物。
［１０］
電子部品を電子基板に挿入するとともに、前記電子部品のはんだ付けを行う箇所に開口部が設けられたパレットマスクに、前記電子基板を取り付ける工程と、
前記電子基板のはんだ付け面に、上記［１］〜［９］のいずれか記載のフラックス組成物を塗布する工程と、
前記電子基板のはんだ付け面を、溶融はんだに接触させて、はんだ付けを行う工程と、
を含むはんだ付け方法。
本発明によれば、局所はんだ付けを行う場合において、はんだ付け性に優れ、パレットマスクにフラックス残さが堆積しにくく、さらに耐銅板腐食性にも優れたフラックス組成物、およびそれを用いたはんだ付け方法を提供できる。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」という。）について詳細に説明するが、本発明は下記本実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
本実施形態のフラックス組成物は、以下に説明する（Ａ）ロジン系樹脂、（Ｂ）活性剤、（Ｃ）溶剤及び（Ｄ）クロレンド酸誘導体を含有するものである。
［（Ａ）成分］
本実施形態に用いる（Ａ）ロジン系樹脂としては、特に限定されないが、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンが挙げられ、水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、水添ロジン、並びに、不飽和有機酸（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など）の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物（「水添酸変性ロジン」ともいう）が挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、上記の誘導体を用いてもよい。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態に用いる（Ａ）ロジン系樹脂としては、特に限定されないが、ロジン類およびロジン系変性樹脂が挙げられる。ロジン類としては、ガムロジン、ウッドロジンおよびトール油ロジンなどが挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、不均化ロジン、重合ロジン、水素添加ロジンが挙げられ、水素添加ロジンとしては、完全水添ロジン、水添ロジン、並びに、不飽和有機酸（（メタ）アクリル酸などの脂肪族の不飽和一塩基酸、フマル酸、マレイン酸などのα，β−不飽和カルボン酸などの脂肪族不飽和二塩基酸、桂皮酸などの芳香族環を有する不飽和カルボン酸など）の変性ロジンである不飽和有機酸変性ロジンの水素添加物（「水添酸変性ロジン」ともいう）が挙げられる。ロジン系変性樹脂としては、上記の誘導体を用いてもよい。これらのロジン系樹脂は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態において、前記（Ａ）成分は、（ｉ）軟化点が１２０℃以上である第一ロジ
ン系樹脂と、（ｉｉ）水素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少な
くとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂とを含有する。このように（ｉ）成分および（ｉｉ）成分を併用することにより、局所はんだ付けを行う場合に
おいて、パレットマスクにフラックス残さが堆積しにくくなる傾向にある。さらに、（ｉ
）成分および（ｉｉ）成分を併用することにより、ロジン樹脂の軟化点を調整できるため
、局所はんだ付けの際に、ロジン樹脂自体が邪魔になることに起因する未はんだの発生を防止できる傾向にある。
前記（ｉ）成分は、前記（Ａ）成分のうち、軟化点が１２０℃以上であるロジン系樹脂
である。はんだ付け性の観点からは、前記（ｉ）成分の軟化点は、１３０℃以上であるこ
とが好ましい。なお、軟化点は、環球法により測定できる。
ン系樹脂と、（ｉｉ）水素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少な
くとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂とを含有する。このように（ｉ）成分および（ｉｉ）成分を併用することにより、局所はんだ付けを行う場合に
おいて、パレットマスクにフラックス残さが堆積しにくくなる傾向にある。さらに、（ｉ
）成分および（ｉｉ）成分を併用することにより、ロジン樹脂の軟化点を調整できるため
、局所はんだ付けの際に、ロジン樹脂自体が邪魔になることに起因する未はんだの発生を防止できる傾向にある。
前記（ｉ）成分は、前記（Ａ）成分のうち、軟化点が１２０℃以上であるロジン系樹脂
である。はんだ付け性の観点からは、前記（ｉ）成分の軟化点は、１３０℃以上であるこ
とが好ましい。なお、軟化点は、環球法により測定できる。
前記（ｉｉ）成分としては、前記（Ａ）成分のうち、水素添加ロジンおよび不均化ロジ
ンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下であるロジン系樹脂である。パレットマスクにフラックス残さが更に堆積しにくくなるという観点からは、水素添加ロジンを用いることがより好ましい。
さらに、フラックス残さがより流動しやすいという観点からは、前記（ｉｉ）成分の軟
化点は、８５℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましい。
ンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下であるロジン系樹脂である。パレットマスクにフラックス残さが更に堆積しにくくなるという観点からは、水素添加ロジンを用いることがより好ましい。
さらに、フラックス残さがより流動しやすいという観点からは、前記（ｉｉ）成分の軟
化点は、８５℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましい。
前記（ｉ）成分および前記（ｉｉ）成分の軟化点を調整する手段としては、ロジンの重
合度合を調整すること、ロジンの変性方法を変更すること、ロジンの分子量を調整すること、ロジンに水素化反応を施すこと、ロジンにエステル化反応またはエステル交換反応を施すことなどが挙げられる。例えば、重合度合が高くなるほど軟化点が高くなる傾向にあり、アクリル酸やマレイン酸により変性することで軟化点が高くなる傾向にあり、分子量が高くなるほど軟化点が高くなる傾向にある。
合度合を調整すること、ロジンの変性方法を変更すること、ロジンの分子量を調整すること、ロジンに水素化反応を施すこと、ロジンにエステル化反応またはエステル交換反応を施すことなどが挙げられる。例えば、重合度合が高くなるほど軟化点が高くなる傾向にあり、アクリル酸やマレイン酸により変性することで軟化点が高くなる傾向にあり、分子量が高くなるほど軟化点が高くなる傾向にある。
本実施形態において、前記（ｉｉ）成分の前記（ｉ）成分に対する質量比（（ｉｉ）／
（ｉ））は、２以上１０以下であることが好ましく、２．５以上８以下であることがより
好ましく、３以上６以下であることが更により好ましく、３．５以上５．５以下であることが特に好ましい。質量比が前記下限以上である場合、パレットマスクにフラックス残さをより堆積しにくくできる傾向にある。他方、質量比が前記上限以下である場合、ブリッジやつららの発生をより確実に抑制できる傾向にある。
（ｉ））は、２以上１０以下であることが好ましく、２．５以上８以下であることがより
好ましく、３以上６以下であることが更により好ましく、３．５以上５．５以下であることが特に好ましい。質量比が前記下限以上である場合、パレットマスクにフラックス残さをより堆積しにくくできる傾向にある。他方、質量比が前記上限以下である場合、ブリッジやつららの発生をより確実に抑制できる傾向にある。
前記（Ａ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、３質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましく、７質量％以上１２質量％以下であることが更により好ましく、１０質量％以上１２質量％以下であることが特に好ましい。（Ａ）成分の配合量が前記下限以上である場合、ブリッジやつららの発生をより確実に抑制できる傾向にある。他方、（Ａ）成分の配合量が前記上限以下である場合、フラックス残さをより少なくでき、パレットマスクに堆積するフラックス残さをより少なくできる傾向にある。
［（Ｂ）成分］
本実施形態に用いる（Ｂ）活性剤としては、アミン類とフッ素化合物との塩、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。（Ｂ）成分としては、溶融はんだからはんだ付け部を切り離しやすくでき、ブリッジやつららをより確実に抑制できるという観点から、（ｉｉｉ）アミン類とフッ素化合物との塩を含有することが好ましい。
本実施形態に用いる（Ｂ）活性剤としては、アミン類とフッ素化合物との塩、有機酸、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。（Ｂ）成分としては、溶融はんだからはんだ付け部を切り離しやすくでき、ブリッジやつららをより確実に抑制できるという観点から、（ｉｉｉ）アミン類とフッ素化合物との塩を含有することが好ましい。
前記（ｉｉｉ）成分におけるアミン類としては、ｎ−ブチルアミンなどの鎖状アミンで
あってもよく、ピペリジンなどの環状アミンであってもよい。また、前記（ｉｉｉ）成分
におけるフッ素化合物としては、３フッ化ホウ素、およびホウフッ化水素酸などが挙げられる。
なお、前記（ｉｉｉ）成分は、置換基を有していてもよいピペリジンを配位子とする錯
体であってもよい。錯体の金属としては、ホウ素、銅、およびアルミニウムなどが挙げられる。
前記（ｉｉｉ）成分としては、例えば、３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩、およびｎ−ブ
チルアミンホウフッ化水素酸塩が挙げられる。これらの中でも、３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩が特に好ましい。
あってもよく、ピペリジンなどの環状アミンであってもよい。また、前記（ｉｉｉ）成分
におけるフッ素化合物としては、３フッ化ホウ素、およびホウフッ化水素酸などが挙げられる。
なお、前記（ｉｉｉ）成分は、置換基を有していてもよいピペリジンを配位子とする錯
体であってもよい。錯体の金属としては、ホウ素、銅、およびアルミニウムなどが挙げられる。
前記（ｉｉｉ）成分としては、例えば、３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩、およびｎ−ブ
チルアミンホウフッ化水素酸塩が挙げられる。これらの中でも、３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩が特に好ましい。
前記（ｉｉｉ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、０．０１質
量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以上１質量％以下であることが特に好ましい。（ｉｉｉ
）成分の配合量が前記下限以上である場合、ブリッジやつららをより確実に抑制できる傾向にある。他方、前記上限以下である場合、フラックス組成物中にピペリジン錯塩を溶解でき、液としての安定性を確保できる傾向にある。
量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以上１質量％以下であることが特に好ましい。（ｉｉｉ
）成分の配合量が前記下限以上である場合、ブリッジやつららをより確実に抑制できる傾向にある。他方、前記上限以下である場合、フラックス組成物中にピペリジン錯塩を溶解でき、液としての安定性を確保できる傾向にある。
前記（Ｂ）成分は、はんだ付け性の観点から、（ｉｖ）有機酸をさらに含有することが
好ましい。
前記（ｉｖ）成分としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機
酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
好ましい。
前記（ｉｖ）成分としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸などの他に、その他の有機
酸が挙げられる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
前記（ｉｖ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．１
質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上４質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上３質量％以下であることが特に好ましい。（ｉｖ）成分
の配合量が前記下限以上である場合、はんだ付け性を更に向上できる傾向にあり、前記上限以下である場合、フラックス組成物の絶縁性を確保できる傾向にある。
質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上４質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上３質量％以下であることが特に好ましい。（ｉｖ）成分
の配合量が前記下限以上である場合、はんだ付け性を更に向上できる傾向にあり、前記上限以下である場合、フラックス組成物の絶縁性を確保できる傾向にある。
前記（Ｂ）成分は、必要に応じて、前記（ｉｉｉ）成分および前記（ｉｖ）成分以外の
活性剤（（ｖ）成分）を含有してもよい。（ｖ）成分としては、非解離性のハロゲン化化
合物からなる非解離型活性剤、および前記（ｉｉｉ）成分以外のアミン系活性剤などが挙
げられる。なお、ここでの非解離性のハロゲン化化合物には、後述する（Ｄ）成分は含まれない。
活性剤（（ｖ）成分）を含有してもよい。（ｖ）成分としては、非解離性のハロゲン化化
合物からなる非解離型活性剤、および前記（ｉｉｉ）成分以外のアミン系活性剤などが挙
げられる。なお、ここでの非解離性のハロゲン化化合物には、後述する（Ｄ）成分は含まれない。
前記非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられる。このハロゲン化化合物としては、塩素化物、臭素化物、フッ化物のように塩素、臭素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよいが、塩素、臭素およびフッ素の任意の２つまたは全部のそれぞれの共有結合を有する化合物でもよい。これらの化合物は、水性溶媒に対する溶解性を向上させるという観点から、例えばハロゲン化アルコールやハロゲン化カルボキシルのように水酸基やカルボキシル基などの極性基を有することが好ましい。
ハロゲン化アルコールとしては、例えば、２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、および１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコールが挙げられる。ハロゲン化カルボキシルとしては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、および５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル、２−クロロ安息香酸、および３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、および２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシルが挙げられる。
ハロゲン化アルコールとしては、例えば、２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、およびトリブロモネオペンチルアルコールなどの臭素化アルコール、１，３−ジクロロ−２−プロパノール、および１，４−ジクロロ−２−ブタノールなどの塩素化アルコール、３−フルオロカテコールなどのフッ素化アルコールが挙げられる。ハロゲン化カルボキシルとしては、２−ヨード安息香酸、３−ヨード安息香酸、２−ヨードプロピオン酸、５−ヨードサリチル酸、および５−ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル、２−クロロ安息香酸、および３−クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル、２，３−ジブロモプロピオン酸、２，３−ジブロモコハク酸、および２−ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシルが挙げられる。
前記（ｉｉｉ）成分以外のアミン系活性剤としては、アミン類（エチレンジアミンなど
のポリアミンなど）、アミン塩類（エチルアミン、ジエチルアミン、トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩（塩酸、硫酸、臭化水素酸など））、アミノ酸類（グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど）、および、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩（塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など）、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、および、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。
のポリアミンなど）、アミン塩類（エチルアミン、ジエチルアミン、トリメチロールアミン、シクロヘキシルアミン、およびジエチルアミンなどのアミンやアミノアルコールなどの有機酸塩や無機酸塩（塩酸、硫酸、臭化水素酸など））、アミノ酸類（グリシン、アラニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、およびバリンなど）、および、アミド系化合物などが挙げられる。具体的には、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩（塩酸塩、コハク酸塩、アジピン酸塩、およびセバシン酸塩など）、トリエタノールアミン、モノエタノールアミン、および、これらのアミンの臭化水素酸塩などが挙げられる。
前記（Ｂ）成分の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．５質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上８質量％以下であることがより好ましく、２質量％以上５質量％以下であることが特に好ましい。（Ｂ）成分の配合量が前記下限以上である場合、はんだ付け性を更に向上できる傾向にあり、前記上限以下である場合、フラックス組成物の絶縁性を確保できる傾向にある。
［（Ｃ）成分］
本実施形態に用いる（Ｃ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができるが、中でも、沸点１００℃以下の水溶性溶剤を用いることが好ましい。前記（Ｃ）成分としては、例えば、エチルアルコール、およびイソプロピルアルコールなどが挙げられ、これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態に用いる（Ｃ）溶剤としては、公知の溶剤を適宜用いることができるが、中でも、沸点１００℃以下の水溶性溶剤を用いることが好ましい。前記（Ｃ）成分としては、例えば、エチルアルコール、およびイソプロピルアルコールなどが挙げられ、これらの溶剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
前記（Ｃ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、７０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以上９２質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上９０質量％以下であることが特に好ましい。（Ｃ）成分の配合量が前記範囲内である場合、フラックス組成物の塗布性を適正な範囲に調整できる傾向にある。
［（Ｄ）成分］
本実施形態における（Ｄ）クロレンド酸誘導体は、クロレンド酸と各種化合物を反応させて得られる誘導体であれば特に限定されないが、クロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミドからなる群から選ばれるいずれか１種以上であることが好ましい。
本実施形態における（Ｄ）クロレンド酸誘導体は、クロレンド酸と各種化合物を反応させて得られる誘導体であれば特に限定されないが、クロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミドからなる群から選ばれるいずれか１種以上であることが好ましい。
クロレンド酸エステルとしては、特に限定されず、例えば、クロレンド酸モノメチルエステル、クロレンド酸モノエチルエステル、クロレンド酸モノイソプロピルエステル、クロレンド酸モノエチレングリコールエステル等のクロレンド酸モノエステル；クロレンド酸ジメチルエステル等のクロレンド酸ジエステル等が挙げられる。これらの中でも、フラックス活性や相溶性の観点から、カルボン酸が残存するクロレンド酸モノエステルが好ましく、クロレンド酸モノイソプロピルエステルが特に好ましい。
また、クロレンド酸エステルとしては、以下の式（１２）で示されるクロレンド酸エステル２量体やクロレンド酸エステル多量体等の、クロレンド酸エステルが２種以上縮合もしくはアルコール等を介して結合した化合物も含まれる。
（式中、Ｒは置換されていてもよい、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、アルキレングリコール基、オキシアルキレン基を示す。）
Ｒで示されるアルキレン基、アルキレングリコール基、オキシアルキレン基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは１〜５４であり、より好ましくは２〜３６である。
また、クロレンド酸エステルとしては、上述した化合物の各種異性体（構造異性体、光学異性体等）や、上述した化合物の塩（アミン塩等）も含まれる。
クロレンド酸エステルは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
また、上述した各種クロレンド酸エステルは、公知の方法を用いて製造することができる。
クロレンド酸アミドとしては、特に限定されず、クロレンド酸とシクロヘキシルアミンの脱水縮合物や、クロレンド酸とシクロヘキシルアミンの脱水縮合物のシクロヘキシルアミン塩等が挙げられる。具体的には、例えば、上記式（６）〜（１１）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、フラックス活性や相溶性の観点から、シクロへキシルアミンの脱水縮合物や、これのシクロへキシルアミン塩が好ましい。
また、クロレンド酸アミドとしては、以下の式（１３）で示されるクロレンド酸アミド２量体やクロレンド酸アミド多量体等の、クロレンド酸アミドが２種以上縮合もしくはアミン等を介して結合した化合物も含まれる。
（式中、Ｒは置換されていてもよい、直鎖若しくは分岐のアルキレン基、アルキレングリコール基、オキシアルキレン基を示す。）
Ｒで示されるアルキレン基、アルキレングリコール基、オキシアルキレン基の炭素数は特に限定されないが、好ましくは１〜５４であり、より好ましくは２〜３６である。
さらに、クロレンド酸アミドとしては、以下の式（１４）で示されるクロレンド酸アミドとクロレンド酸エステルが直接もしくはアミンやアルコール等を介して結合した化合物も含まれる。
（式中、Ｒは上記と同義である。）
また、クロレンド酸アミドとしては、上述した化合物の各種異性体（構造異性体、光学異性体等）や、上述した化合物の塩（アミン塩等）も含まれる。
クロレンド酸アミドは、１種を単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
また、上述した各種クロレンド酸アミドは、公知の方法を用いて製造することができる。
［（Ｅ）成分］
本実施形態における（Ｅ）有機リン化合物としては、特に限定されないが、好ましくはホスホン酸エステル及びフェニル置換ホスフィン酸から選択される少なくとも１種以上である。
本実施形態における（Ｅ）有機リン化合物としては、特に限定されないが、好ましくはホスホン酸エステル及びフェニル置換ホスフィン酸から選択される少なくとも１種以上である。
有機リン化合物であるホスホン酸エステルとしては、２−エチルヘキシル（２−エチルヘキシル）ホスホネート、ｎ−オクチル（ｎ−オクチル）ホスホネート、ｎ−デシル（ｎ−デシル）ホスホネート、ｎ−ブチル（ｎ−ブチル）ホスホネート等から選択される少なくとも１種以上が挙げられる。
フラックスが有機リン化合物としてホスホン酸エステルを含む場合、フラックス全体の質量に対するホスホン酸エステルの含有量は、好ましくは０．２〜１．５質量％であり、より好ましくは０．３〜１．０質量％である。
フラックスが有機リン化合物としてホスホン酸エステルを含む場合、フラックス全体の質量に対するホスホン酸エステルの含有量は、好ましくは０．２〜１．５質量％であり、より好ましくは０．３〜１．０質量％である。
有機リン化合物であるフェニル置換ホスフィン酸としては、フェニルホスフィン酸、ジフェニルホスフィン酸等から選択される少なくとも１種以上が挙げられる。
フラックスが有機リン化合物としてフェニル置換ホスフィン酸を含む場合、フラックス全体の質量に対するフェニル置換ホスフィン酸の含有量は、好ましくは０．２〜１．５質量％であり、より好ましくは０．３〜１．０質量％である。
フラックスが有機リン化合物としてフェニル置換ホスフィン酸を含む場合、フラックス全体の質量に対するフェニル置換ホスフィン酸の含有量は、好ましくは０．２〜１．５質量％であり、より好ましくは０．３〜１．０質量％である。
本実施形態のフラックスは、有機リン化合物として、ホスホン酸エステル及びフェニル置換ホスフィン酸のどちらか一方のみを含んでいてもよく、また、ホスホン酸エステル及びフェニル置換ホスフィン酸の両方を含んでいてもよい。
本実施形態のフラックス組成物は、前記（Ａ）〜（Ｅ）成分の他に、必要に応じて、チクソ剤、酸化防止剤、消泡剤、防錆剤、および界面活性剤などの添加剤を含有していてもよい。これらの添加剤の配合量としては、フラックス組成物１００質量％に対して、０．０１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。
［はんだ］
本実施形態のフラックス組成物は、フローはんだ付け、リフローはんだ付けの用途のいずれにも用いることができるが、本発明の効果が顕著となることから、特に局所はんだ付け用フラックス組成物として用いることが好ましい。
［はんだ］
はんだとしては、特に限定されず、公知の組成のはんだ合金を使用することができる。具体的には、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｇｅ合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｇｅ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｇｅ合金や、上記合金組成にＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｐ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ等を更に添加した合金が挙げられる。
はんだとしては、特に限定されず、公知の組成のはんだ合金を使用することができる。具体的には、Ｓｎ−Ａｇ合金、Ｓｎ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金、Ｓｎ−Ｉｎ合金、Ｓｎ−Ｐｂ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｎｉ−Ｇｅ合金、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｇｅ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｇｅ合金や、上記合金組成にＡｇ、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｐ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ等を更に添加した合金が挙げられる。
［はんだ付け方法］
本実施形態のはんだ付け方法について説明する。本実施形態のはんだ付け方法は、上記で説明した本実施形態のフラックス組成物を用いるはんだ付け方法である。そして、本実施形態のはんだ付け方法は、以下に説明する取付工程、フラックス塗布工程およびはんだ付け工程を備える方法である。
本実施形態のはんだ付け方法について説明する。本実施形態のはんだ付け方法は、上記で説明した本実施形態のフラックス組成物を用いるはんだ付け方法である。そして、本実施形態のはんだ付け方法は、以下に説明する取付工程、フラックス塗布工程およびはんだ付け工程を備える方法である。
取付工程においては、先ず、図１に示すような電子基板Ａおよび電子部品Ｂ、並びに、図２に示すような電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に開口部Ｃ１が設けられたパレットマスクＣを準備する。
そして、図３に示すように、電子部品Ｂを電子基板Ａに挿入するとともに、パレットマスクＣに電子基板Ａを取り付ける。
電子基板Ａとしては、例えば、プリント配線基板などが挙げられる。
電子部品Ｂは、電子基板Ａのスルーホールに挿入可能で、挿入後にはんだ付けをすることで実装する方法（いわゆるスルーホール実装）で用いるものである。電子部品Ｂとしては、集積回路、トランジスタ、ダイオード、抵抗器およびコンデンサなどが挙げられる。
パレットマスクＣは、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に開口部Ｃ１が設けられている。すなわち、パレットマスクＣには、図３および図４に示すように、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に開口部Ｃ１が設けられている。そして、電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１は、開口部Ｃ１では、溶融はんだと接触できるが、開口部Ｃ１以外の部分においては、溶融はんだと接触できない。
この取付工程においては、先に、電子部品Ｂを電子基板Ａに挿入してもよいし、先に、パレットマスクＣに電子基板Ａを取り付けてもよい。
そして、図３に示すように、電子部品Ｂを電子基板Ａに挿入するとともに、パレットマスクＣに電子基板Ａを取り付ける。
電子基板Ａとしては、例えば、プリント配線基板などが挙げられる。
電子部品Ｂは、電子基板Ａのスルーホールに挿入可能で、挿入後にはんだ付けをすることで実装する方法（いわゆるスルーホール実装）で用いるものである。電子部品Ｂとしては、集積回路、トランジスタ、ダイオード、抵抗器およびコンデンサなどが挙げられる。
パレットマスクＣは、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に開口部Ｃ１が設けられている。すなわち、パレットマスクＣには、図３および図４に示すように、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に開口部Ｃ１が設けられている。そして、電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１は、開口部Ｃ１では、溶融はんだと接触できるが、開口部Ｃ１以外の部分においては、溶融はんだと接触できない。
この取付工程においては、先に、電子部品Ｂを電子基板Ａに挿入してもよいし、先に、パレットマスクＣに電子基板Ａを取り付けてもよい。
フラックス塗布工程においては、図４に示すような電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１に、前述したフラックス組成物を塗布する。
フラックス組成物の塗布装置としては、スプレーフラクサー、および発泡式フラクサーなどを採用できる。これらの中でも、塗布量の安定性の観点から、スプレーフラクサーが好ましい。
フラックス組成物の塗布量は、はんだ付け性の観点から、３０ｍＬ／ｍ2以上１５０ｍＬ／ｍ2以下であることが好ましく、４０ｍＬ／ｍ2以上１２０ｍＬ／ｍ2以下であることがより好ましく、５０ｍＬ／ｍ2以上１００ｍＬ／ｍ2以下であることが特に好ましい。
フラックス組成物の塗布装置としては、スプレーフラクサー、および発泡式フラクサーなどを採用できる。これらの中でも、塗布量の安定性の観点から、スプレーフラクサーが好ましい。
フラックス組成物の塗布量は、はんだ付け性の観点から、３０ｍＬ／ｍ2以上１５０ｍＬ／ｍ2以下であることが好ましく、４０ｍＬ／ｍ2以上１２０ｍＬ／ｍ2以下であることがより好ましく、５０ｍＬ／ｍ2以上１００ｍＬ／ｍ2以下であることが特に好ましい。
はんだ付け工程においては、電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１を、溶融はんだに接触させて、はんだ付けを行う。
パレットマスクＣの開口部Ｃ１以外の部分においては、溶融はんだが電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１に接触しない。一方で、パレットマスクＣの開口部Ｃ１においては、溶融はんだが電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１に接触する。そのため、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に限って局所的にはんだ付けをすることができる。
溶融はんだを接触させる方法としては、溶融はんだを電子基板Ａに接触できる方法であればよく、特に限定されない。このような方法としては、例えば、電子基板Ａに噴流する溶融はんだに接触させる方法（フローはんだ付け法）を採用してもよい。また、溶融はんだの入ったはんだ槽を電子基板Ａに接触させる方法を採用してもよい。
はんだ付けの条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金を用いる場合には、溶融はんだの温度は、２３０℃以上２８０℃以下、好ましくは２５０℃以上２７０℃以下、に設定すればよい。また、プリヒートとしては、加熱温度８０℃以上１３０℃以下、好ましくは９０℃以上１２０℃以下、に設定すればよい。
パレットマスクＣの開口部Ｃ１以外の部分においては、溶融はんだが電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１に接触しない。一方で、パレットマスクＣの開口部Ｃ１においては、溶融はんだが電子基板Ａのはんだ付け面Ａ１に接触する。そのため、電子部品Ｂのはんだ付けを行う箇所に限って局所的にはんだ付けをすることができる。
溶融はんだを接触させる方法としては、溶融はんだを電子基板Ａに接触できる方法であればよく、特に限定されない。このような方法としては、例えば、電子基板Ａに噴流する溶融はんだに接触させる方法（フローはんだ付け法）を採用してもよい。また、溶融はんだの入ったはんだ槽を電子基板Ａに接触させる方法を採用してもよい。
はんだ付けの条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ合金を用いる場合には、溶融はんだの温度は、２３０℃以上２８０℃以下、好ましくは２５０℃以上２７０℃以下、に設定すればよい。また、プリヒートとしては、加熱温度８０℃以上１３０℃以下、好ましくは９０℃以上１２０℃以下、に設定すればよい。
次に、本発明を実施例および比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。なお、実施例および比較例にて用いた材料を以下に示す。
［（Ａ）成分］
（（ｉ）成分）
第一ロジン系樹脂Ａ：水添酸変性ロジン（軟化点：約１３０℃）
第一ロジン系樹脂Ｂ：重合ロジン（軟化点：約１４０℃）
（（ｉｉ）成分）
第二ロジン系樹脂Ａ：水添ロジン（軟化点：約８０℃）
第二ロジン系樹脂Ｂ：不均化ロジン（軟化点：約８０℃）
第二ロジン系樹脂Ｃ：完全水添ロジン（軟化点：約８０℃）
（（ｉ）成分）
第一ロジン系樹脂Ａ：水添酸変性ロジン（軟化点：約１３０℃）
第一ロジン系樹脂Ｂ：重合ロジン（軟化点：約１４０℃）
（（ｉｉ）成分）
第二ロジン系樹脂Ａ：水添ロジン（軟化点：約８０℃）
第二ロジン系樹脂Ｂ：不均化ロジン（軟化点：約８０℃）
第二ロジン系樹脂Ｃ：完全水添ロジン（軟化点：約８０℃）
［（Ｂ）成分］
（（ｉｉｉ）成分）
活性剤Ａ：３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩
（（ｉｖ）成分）
活性剤Ｂ：コハク酸
活性剤Ｃ：パルチミン酸
（（ｖ）成分）
活性剤Ｄ：エチルアミン臭化水素酸塩
活性剤Ｅ：トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール
（（ｉｉｉ）成分）
活性剤Ａ：３フッ化ホウ素ピペリジン錯塩
（（ｉｖ）成分）
活性剤Ｂ：コハク酸
活性剤Ｃ：パルチミン酸
（（ｖ）成分）
活性剤Ｄ：エチルアミン臭化水素酸塩
活性剤Ｅ：トランス−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール
［（Ｃ）成分］
溶剤：イソプロピルアルコール
溶剤：イソプロピルアルコール
［（Ｄ）成分］
表中のクロレンド酸モノメチルエステルは以下の式（１）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノエチルエステルは以下の式（２）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノイソプロピルエステルは以下の式（３）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノエチレングリコールエステルは以下の式（４）で表される化合物を示し、クロレンド酸ジメチルエステルは以下の式（５）で表される化合物を示す。各化合物は、いずれもその異性体（構造異性体・立体異性体）を含む。
表中のクロレンド酸モノメチルエステルは以下の式（１）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノエチルエステルは以下の式（２）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノイソプロピルエステルは以下の式（３）で表される化合物を示し、クロレンド酸モノエチレングリコールエステルは以下の式（４）で表される化合物を示し、クロレンド酸ジメチルエステルは以下の式（５）で表される化合物を示す。各化合物は、いずれもその異性体（構造異性体・立体異性体）を含む。
また、表中のクロレンド酸アミド（１）〜（６）は、それぞれ以下の式（６）〜（１１）で表される構造を有するクロレンド酸アミドである。各化合物は、いずれもその異性体（構造異性体・立体異性体）を含む。
［（Ｅ）成分］
有機リン化合物：２−エチルヘキシル（２−エチルヘキシル）ホスホネート
有機リン化合物：（モノ−／ジ−）イソデシルアシッドホスフェート
有機リン化合物：２−エチルヘキシル（２−エチルヘキシル）ホスホネート
有機リン化合物：（モノ−／ジ−）イソデシルアシッドホスフェート
［実施例１］
第一ロジン系樹脂Ａ１質量％、第二ロジン系樹脂Ａ１０質量％、活性剤Ａ０．４質量％、活性剤Ｂ０．２質量％、活性剤Ｃ２質量％、活性剤Ｄ０．６質量％、活性剤Ｅ０．５質量％、クロレンド酸エステル０．３質量％、溶剤８５質量％を容器に投入し、混合してフラックス組成物を得た。
第一ロジン系樹脂Ａ１質量％、第二ロジン系樹脂Ａ１０質量％、活性剤Ａ０．４質量％、活性剤Ｂ０．２質量％、活性剤Ｃ２質量％、活性剤Ｄ０．６質量％、活性剤Ｅ０．５質量％、クロレンド酸エステル０．３質量％、溶剤８５質量％を容器に投入し、混合してフラックス組成物を得た。
［実施例２〜２５］
表１及び２に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、フラックス組成物を得た。
［比較例１〜３］
表２に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、フラックス組成物を得た。
表１及び２に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、フラックス組成物を得た。
［比較例１〜３］
表２に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例１と同様にして、フラックス組成物を得た。
＜フラックス組成物の評価＞
フラックス組成物の特性（フラックス残さの付着性、はんだ付け性、耐銅板腐食性）を以下のような方法で評価した。得られた結果を表１及び２に示す。
フラックス組成物の特性（フラックス残さの付着性、はんだ付け性、耐銅板腐食性）を以下のような方法で評価した。得られた結果を表１及び２に示す。
（１）フラックス残さの付着性
予め質量を測定しておいたセラミックス板（大きさ：２５ｍｍ×２５ｍｍ、厚み：１．６ｍｍ）に、０．０２ｍＬのフラックス組成物を塗布した後に、はんだ槽（静止はんだ槽、はんだ合金組成：Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ、はんだ槽の温度：２６５℃）に１０秒間浸漬し、その後、セラミックス板を取り出す。この操作を５回繰り返し、そのときのセラミックス板の質量を測定し、セラミックス板に付着したフラックス残さの付着量（単位：ｇ）を算出した。
また、上記の操作を２０回繰り返した後に、セラミックス板に付着したフラックス残さの付着量（単位：ｇ）を算出した。そして、下記の基準に従って、フラックス残さの付着性を評価した。
○：フラックス残さの付着量が、０．０２ｇ以下である。
△：フラックス残さの付着量が、０．０２ｇ超０．０３ｇ以下である。
×：フラックス残さの付着量が、０．０３ｇ超である。
予め質量を測定しておいたセラミックス板（大きさ：２５ｍｍ×２５ｍｍ、厚み：１．６ｍｍ）に、０．０２ｍＬのフラックス組成物を塗布した後に、はんだ槽（静止はんだ槽、はんだ合金組成：Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ、はんだ槽の温度：２６５℃）に１０秒間浸漬し、その後、セラミックス板を取り出す。この操作を５回繰り返し、そのときのセラミックス板の質量を測定し、セラミックス板に付着したフラックス残さの付着量（単位：ｇ）を算出した。
また、上記の操作を２０回繰り返した後に、セラミックス板に付着したフラックス残さの付着量（単位：ｇ）を算出した。そして、下記の基準に従って、フラックス残さの付着性を評価した。
○：フラックス残さの付着量が、０．０２ｇ以下である。
△：フラックス残さの付着量が、０．０２ｇ超０．０３ｇ以下である。
×：フラックス残さの付着量が、０．０３ｇ超である。
（２）はんだ付け性
評価基板（千住評価基板Ｈ１２−０６、大きさ：１００ｍｍ×１２０ｍｍ、厚み：１．６ｍｍ、はんだ付けポイント数：２７２箇所）を、はんだ付けを行う箇所に開口部が設けられたパレットマスクに取り付けた。その後、パレットマスクに取り付けられた評価基板に、下記のはんだ付け条件で、はんだ付けを行った。
（はんだ付け条件）
はんだ付け装置：千住金属製の「ＳＰＦ−３００」
フラックス塗布装置：スプレーフラクサー（千住金属製の「ＳＳＦ−３００」）
フラックス塗布量：７０ｍＬ／ｍ2
コンベア速度：１ｍ／ｍｉｎ
プリヒート温度：１００℃
はんだ槽の温度：２５５℃
はんだの合金組成：Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ
そして、はんだ付け後の評価基板を拡大鏡にて観察し、下記の基準に従って、はんだ付け性を評価した。
○：未はんだの発生がなく、ブリッジの発生が３９箇所以下であり、かつ、つららの発生が５箇所以下である。
△：未はんだの発生がないが、ブリッジの発生が４０箇所以上４９箇所以下であるか、或いは、つららの発生が６箇所以上９箇所以下である。
×：未はんだの発生があるか、ブリッジの発生が５０箇所以上であるか、或いは、つららの発生が１０箇所以上である。
評価基板（千住評価基板Ｈ１２−０６、大きさ：１００ｍｍ×１２０ｍｍ、厚み：１．６ｍｍ、はんだ付けポイント数：２７２箇所）を、はんだ付けを行う箇所に開口部が設けられたパレットマスクに取り付けた。その後、パレットマスクに取り付けられた評価基板に、下記のはんだ付け条件で、はんだ付けを行った。
（はんだ付け条件）
はんだ付け装置：千住金属製の「ＳＰＦ−３００」
フラックス塗布装置：スプレーフラクサー（千住金属製の「ＳＳＦ−３００」）
フラックス塗布量：７０ｍＬ／ｍ2
コンベア速度：１ｍ／ｍｉｎ
プリヒート温度：１００℃
はんだ槽の温度：２５５℃
はんだの合金組成：Ｓｎ／３．０Ａｇ／０．５Ｃｕ
そして、はんだ付け後の評価基板を拡大鏡にて観察し、下記の基準に従って、はんだ付け性を評価した。
○：未はんだの発生がなく、ブリッジの発生が３９箇所以下であり、かつ、つららの発生が５箇所以下である。
△：未はんだの発生がないが、ブリッジの発生が４０箇所以上４９箇所以下であるか、或いは、つららの発生が６箇所以上９箇所以下である。
×：未はんだの発生があるか、ブリッジの発生が５０箇所以上であるか、或いは、つららの発生が１０箇所以上である。
（３）耐銅板腐食性
ＪＩＳ Ｚ ３１９７：２０１２に記載の方法により、下記の基準に従って、耐銅板腐食性を評価した。
○：合格
×：不合格
ＪＩＳ Ｚ ３１９７：２０１２に記載の方法により、下記の基準に従って、耐銅板腐食性を評価した。
○：合格
×：不合格
（４）総合評価
〇：上記（１）〜（３）の評価結果が全て〇もしくは△である場合
×：上記（１）〜（３）の評価結果の１つ以上が×である場合
〇：上記（１）〜（３）の評価結果が全て〇もしくは△である場合
×：上記（１）〜（３）の評価結果の１つ以上が×である場合
表１及び２に示す結果からも明らかなように、本発明のフラックス組成物を用いた場合（実施例１〜２５）には、フラックス残さの付着性、はんだ付け性、耐銅板腐食性の全てが良好であることが分かった。従って、局所はんだ付けを行う場合において、はんだ付け性に優れ、かつパレットマスクにフラックス残さが堆積しにくいこと、銅板腐食が起きにくいことが確認された。
また、上記実施例で用いている具体的なクロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミド以外のクロレンド酸誘導体を用いた場合も同様の効果を奏することを確認した。同様に、上記実施例で用いている具体的なはんだ合金以外のはんだを用いた場合も同様の効果を奏することを確認した。
また、上記実施例で用いている具体的なクロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミド以外のクロレンド酸誘導体を用いた場合も同様の効果を奏することを確認した。同様に、上記実施例で用いている具体的なはんだ合金以外のはんだを用いた場合も同様の効果を奏することを確認した。
本発明の局所はんだ付け用フラックス組成物は、パレットマスクを用いた局所はんだ付けに好適に用いることができる。
Ａ…電子基板
Ａ１…はんだ付け面
Ｂ…電子部品
Ｃ…パレットマスク
Ｃ１…開口部
Ａ１…はんだ付け面
Ｂ…電子部品
Ｃ…パレットマスク
Ｃ１…開口部
Claims (7)
- （Ａ）ロジン系樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）溶剤と、（Ｄ）クロレンド酸誘導体とを含有し、
前記（Ａ）成分が、（i）軟化点が１２０℃以上である第一ロジン系樹脂と、（ii）水
素添加ロジンおよび不均化ロジンからなる群から選択される少なくとも１種であって、軟化点が９０℃以下である第二ロジン系樹脂と、を含有し、
前記（ii）成分の前記（i）成分に対する質量比（（ii）／（i））が、２以上１０
以下であり、
前記（Ｂ）成分が、有機酸と、アミン系活性剤と、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤とを含有し、
前記（Ｄ）成分が、クロレンド酸エステル及びクロレンド酸アミドからなる群から選ばれるいずれか１種以上であり、
前記（Ａ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、３質量％以上２０質量％以下であり、
前記（Ｄ）成分の配合量は、フラックス組成物１００質量％に対して、０．１質量％以上５．０質量％以下である、
フラックス組成物。 - 前記（Ｂ）成分が、（iii）アミン類とフッ素化合物との塩を含有する、請求項１記載
のフラックス組成物。 - 前記（ii）成分が、水添ロジンである、請求項１又は２に記載のフラックス組成物。
- （Ｅ）有機リン化合物を更に含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のフラックス組成物。
- 前記クロレンド酸エステルが、以下の式（１）〜（５）からなる群から選ばれるいずれか1種以上であり、前記クロレンド酸アミドが、以下の式（６）〜（１１）からなる群から選ばれるいずれか１種以上である、請求項１〜４のいずれか１項記載のフラックス組成物。
- 局所はんだ付け用である、請求項１〜５のいずれか１項記載のフラックス組成物。
- 電子部品を電子基板に挿入するとともに、前記電子部品のはんだ付けを行う箇所に開口部が設けられたパレットマスクに、前記電子基板を取り付ける工程と、
前記電子基板のはんだ付け面に、請求項１〜６のいずれか１項記載のフラックス組成物を塗布する工程と、
前記電子基板のはんだ付け面を、溶融はんだに接触させて、はんだ付けを行う工程と、
を含むはんだ付け方法。
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