JP6750741B2 - 電力半導体装置 - Google Patents
電力半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6750741B2 JP6750741B2 JP2019542866A JP2019542866A JP6750741B2 JP 6750741 B2 JP6750741 B2 JP 6750741B2 JP 2019542866 A JP2019542866 A JP 2019542866A JP 2019542866 A JP2019542866 A JP 2019542866A JP 6750741 B2 JP6750741 B2 JP 6750741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- case
- holding
- semiconductor chip
- holding portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
本願の発明に係る電力半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップと接続された第1電極と、該半導体チップと接続され、該第1電極と電位が異なる第2電極と、該半導体チップを収納するケースと、を備え、該ケースは、該第1電極を保持する第1保持部と、該第2電極を保持し、該第1保持部と離れた第2保持部と、該第1保持部と該第2保持部とを接続する接続部と、を有し、該接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、該第1電極は、該第1保持部の上面から露出した第1露出部を有し、該第2電極は、該第2保持部の上面から露出した第2露出部を有し、該第1電極の該第1保持部に覆われた部分と該第2電極の該第2保持部に覆われた部分との距離は、該第1露出部と該第2露出部との距離よりも短い。
本願の発明に係る電力半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップと接続された第1電極と、該半導体チップと接続され、該第1電極と電位が異なる第2電極と、該半導体チップを収納するケースと、水平部と垂直部とを有するカバーと、を備え、該ケースは、該第1電極を保持する第1保持部と、該第2電極を保持し、該第1保持部と離れた第2保持部と、該第1保持部と該第2保持部とを接続する接続部と、を有し、該接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、該水平部は該ケースの上に設けられ、該垂直部は、該水平部から該第1保持部と該第2保持部の間に伸びる。
本願の発明に係る電力半導体装置は、半導体チップと、該半導体チップと接続された第1電極と、該半導体チップと接続され、該第1電極と電位が異なる第2電極と、該半導体チップを収納するケースと、を備え、該ケースは、該第1電極を保持する第1保持部と、該第2電極を保持し、該第1保持部と離れた第2保持部と、該第1保持部と該第2保持部とを接続する接続部と、を有し、該接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、該ケース側凹凸部は、封止樹脂に覆われる。
本願の発明に係る電力半導体装置では、第1保持部と第2保持部は離れている。さらに、第1保持部と第2保持部を接続する垂直部にカバー側凹凸部が設けられる。このため、第1電極のケースによって保持された部分と、第2電極のケースによって保持された部分との間の沿面距離が長くなる。従って、ケース内部での第1電極と第2電極との絶縁性を向上できる。
図1は、実施の形態1に係る電力半導体装置100の斜視図である。電力半導体装置100はケース10とカバー80とを備える。ケース10はベース板32の上に設けられる。ケース10は複数の電極を保持する第1保持部11と第2保持部12とを有する。カバー80は、第1保持部11と第2保持部12との間に差し込まれることで、第1保持部11と第2保持部12との間の隙間を覆う。
Claims (12)
- 半導体チップと、
前記半導体チップと接続された第1電極と、
前記半導体チップと接続され、前記第1電極と電位が異なる第2電極と、
前記半導体チップを収納するケースと、
上面に前記半導体チップが搭載された基板と、
を備え、
前記ケースは、
前記第1電極を保持する第1保持部と、
前記第2電極を保持し、前記第1保持部と離れた第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを接続する接続部と、
を有し、
前記接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、
前記ケース側凹凸部は、前記基板の上面と垂直な方向から見て凹凸することを特徴とする電力半導体装置。 - 前記ケース側凹凸部は、複数の凸部を含むことを特徴とする請求項1に記載の電力半導体装置。
- 半導体チップと、
前記半導体チップと接続された第1電極と、
前記半導体チップと接続され、前記第1電極と電位が異なる第2電極と、
前記半導体チップを収納するケースと、
を備え、
前記ケースは、
前記第1電極を保持する第1保持部と、
前記第2電極を保持し、前記第1保持部と離れた第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを接続する接続部と、
を有し、
前記接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、
前記第1電極は、前記第1保持部の上面から露出した第1露出部を有し、
前記第2電極は、前記第2保持部の上面から露出した第2露出部を有し、
前記第1電極の前記第1保持部に覆われた部分と前記第2電極の前記第2保持部に覆われた部分との距離は、前記第1露出部と前記第2露出部との距離よりも短いことを特徴とする電力半導体装置。 - 半導体チップと、
前記半導体チップと接続された第1電極と、
前記半導体チップと接続され、前記第1電極と電位が異なる第2電極と、
前記半導体チップを収納するケースと、
水平部と垂直部とを有するカバーと、
を備え、
前記ケースは、
前記第1電極を保持する第1保持部と、
前記第2電極を保持し、前記第1保持部と離れた第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを接続する接続部と、
を有し、
前記接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、
前記水平部は前記ケースの上に設けられ、
前記垂直部は、前記水平部から前記第1保持部と前記第2保持部の間に伸びることを特徴とする電力半導体装置。 - 前記垂直部は、前記ケース側凹凸部と嵌合するカバー側凹凸部を有することを特徴とする請求項4に記載の電力半導体装置。
- 半導体チップと、
前記半導体チップと接続された第1電極と、
前記半導体チップと接続され、前記第1電極と電位が異なる第2電極と、
前記半導体チップを収納するケースと、
を備え、
前記ケースは、
前記第1電極を保持する第1保持部と、
前記第2電極を保持し、前記第1保持部と離れた第2保持部と、
前記第1保持部と前記第2保持部とを接続する接続部と、
を有し、
前記接続部の側面には、ケース側凹凸部が設けられ、
前記ケース側凹凸部は、封止樹脂に覆われることを特徴とする電力半導体装置。 - 半導体チップと、
前記半導体チップと接続された第1電極と、
前記半導体チップと接続され、前記第1電極と電位が異なる第2電極と、
前記第1電極を保持する第1保持部と、前記第2電極を保持し前記第1保持部と離れた第2保持部と、を有し、前記半導体チップを収納するケースと、
前記ケースの上に設けられた水平部と、前記水平部から前記第1保持部と前記第2保持部の間に伸びる垂直部と、を有するカバーと、
を備え、
前記垂直部にはカバー側凹凸部が設けられ、
前記垂直部は前記第1保持部と前記第2保持部とを接続することを特徴とする電力半導体装置。 - 前記カバー側凹凸部は、複数の凸部を含むことを特徴とする請求項7に記載の電力半導体装置。
- 前記第1電極は、前記第1保持部の上面から露出した第1露出部を有し、
前記第2電極は、前記第2保持部の上面から露出した第2露出部を有し、
前記第1電極の前記第1保持部に覆われた部分と前記第2電極の前記第2保持部に覆われた部分との距離は、前記第1露出部と前記第2露出部との距離よりも短いことを特徴とする請求項7または8に記載の電力半導体装置。 - 前記カバー側凹凸部は、封止樹脂に覆われることを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載の電力半導体装置。
- 前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の電力半導体装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項11に記載の電力半導体装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/033904 WO2019058454A1 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 電力半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019058454A1 JPWO2019058454A1 (ja) | 2020-02-27 |
JP6750741B2 true JP6750741B2 (ja) | 2020-09-02 |
Family
ID=65811323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019542866A Active JP6750741B2 (ja) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 電力半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6750741B2 (ja) |
CN (1) | CN212033017U (ja) |
WO (1) | WO2019058454A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114175242A (zh) * | 2019-07-30 | 2022-03-11 | 株式会社三社电机制作所 | 半导体模块 |
JP7317626B2 (ja) * | 2019-08-08 | 2023-07-31 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
JP7100609B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2022-07-13 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09172116A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP3267169B2 (ja) * | 1996-09-06 | 2002-03-18 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体装置 |
JP5041798B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-10-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5897516B2 (ja) * | 2013-08-21 | 2016-03-30 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
US9922893B2 (en) * | 2014-09-30 | 2018-03-20 | Sansha Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
-
2017
- 2017-09-20 JP JP2019542866A patent/JP6750741B2/ja active Active
- 2017-09-20 CN CN201790001792.1U patent/CN212033017U/zh active Active
- 2017-09-20 WO PCT/JP2017/033904 patent/WO2019058454A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2019058454A1 (ja) | 2020-02-27 |
CN212033017U (zh) | 2020-11-27 |
WO2019058454A1 (ja) | 2019-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6750741B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
KR101221805B1 (ko) | 전력 소자용 패키지 및 패키지 어셈블리 | |
US8373197B2 (en) | Circuit device | |
US9685397B2 (en) | Semiconductor package with clip structure | |
WO2015174158A1 (ja) | パワー半導体モジュールおよび複合モジュール | |
US9042103B2 (en) | Power semiconductor module with asymmetrical lead spacing | |
CN104067387A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP7158392B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2019067970A (ja) | 半導体装置 | |
US7651339B2 (en) | Electrical terminal | |
JP6345608B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8810014B2 (en) | Semiconductor package including conductive member disposed between the heat dissipation member and the lead frame | |
US20150144991A1 (en) | Power module package and method of manufacturing the same | |
US20180102300A1 (en) | Connectable Package Extender for Semiconductor Device Package | |
JP2008028311A (ja) | 半導体装置 | |
KR102499825B1 (ko) | 패키지형 전력 반도체 장치 | |
US11569141B2 (en) | Semiconductor device including a groove within a resin insulating part positioned between and covering parts of a first electrode and a second electrode | |
JP2020202311A (ja) | 半導体装置 | |
JP7005469B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9397015B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device casing | |
US20240162122A1 (en) | Semiconductor device | |
US10966322B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
JP7407684B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2022014410A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2023009601A (ja) | 半導体装置及びインバータ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191003 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200714 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200727 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6750741 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |