JP6743514B2 - 光トランシーバ及びその温度推定方法 - Google Patents
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Description
本発明は、発光素子及び受光素子を備える光トランシーバと、当該光トランシーバの温度推定方法に関する。
特許文献１には、１０Ｇ−ＥＰＯＮの局側装置に用いるプラガブル光トランシーバが記載されている。この光トランシーバは、一芯双方向の３ポートのＢｉ−Ｄ（Bi-Directional optical module）よりなる光サブアセンブリを備える。
光サブアセンブリは、１０Ｇ用のＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）と、１Ｇ用のＴＯＳＡと、１０Ｇ／１Ｇ双方に対応するＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub-Assembly）とを備える。
光サブアセンブリは、１０Ｇ用のＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）と、１Ｇ用のＴＯＳＡと、１０Ｇ／１Ｇ双方に対応するＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub-Assembly）とを備える。
このように、１０Ｇ−ＥＰＯＮの光トランシーバに１Ｇ用のＴＯＳＡが含まれるのは、ＥＰＯＮの局側装置に代えて１０Ｇ−ＥＰＯＮの局側装置を設置することにより、１０Ｇ−ＥＰＯＮを導入する場合に、下りの伝送レートが１Ｇである旧来の宅側装置にもサービスを継続できるようにするためである。
上記の通り、１０Ｇ−ＥＰＯＮの局側装置に搭載される光トランシーバは、１０Ｇと１Ｇの２種類の下りの伝送レートに対応している。
このため、１０Ｇ−ＥＰＯＮの導入当初に下り１Ｇの宅側装置しか存在しない場合に１０Ｇ用の光送信器を停止したり、下り１０Ｇの宅側装置への切り替えが完了した時点で１Ｇ用の光送信器を停止したりする運用方法を採用すれば、局側装置の消費電力を低減できる点で好ましい。
このため、１０Ｇ−ＥＰＯＮの導入当初に下り１Ｇの宅側装置しか存在しない場合に１０Ｇ用の光送信器を停止したり、下り１０Ｇの宅側装置への切り替えが完了した時点で１Ｇ用の光送信器を停止したりする運用方法を採用すれば、局側装置の消費電力を低減できる点で好ましい。
しかし、光送信部はドライバの消費電力が比較的大きいので、発光状態の変化に伴って光トランシーバの筐体内部の温度分布が変化し、マイコンに搭載された温度センサの検出温度が、発光素子及び受光素子などの光デバイスの温度と乖離する可能性がある。
このため、発光ＯＮ／ＯＦＦの状態変化に関係なく、温度センサの検出温度に応じた制御値を光デバイスのドライバに指示すると、光デバイスに対する制御の精度が低下するおそれがある。
このため、発光ＯＮ／ＯＦＦの状態変化に関係なく、温度センサの検出温度に応じた制御値を光デバイスのドライバに指示すると、光デバイスに対する制御の精度が低下するおそれがある。
この解決策として、発光素子及び受光素子などの対象素子の温度を個別に検出する温度センサを光サブアセンブリに設け、当該温度センサの検出温度に基づいて制御値を決定することが考えられる。
しかし、対象素子ごとに個別に温度センサを設けると、光トランシーバの部品点数が増加して製作コストが高騰するとともに、光サブアセンブリの肥大化に繋がるという新たな問題が生じる。
しかし、対象素子ごとに個別に温度センサを設けると、光トランシーバの部品点数が増加して製作コストが高騰するとともに、光サブアセンブリの肥大化に繋がるという新たな問題が生じる。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止できる、光トランシーバ等を提供することを目的とする。
（１） 本発明の一態様に係る光トランシーバは、第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、前記各発光素子及び前記受光素子を収容する光サブアセンブリと、前記各発光素子及び前記受光素子を駆動する複数の集積回路を有する回路基板と、前記光サブアセンブリ及び前記回路基板が収容され、長手方向寸法が最も長尺でかつ熱伝導性を有する筐体と、前記筐体の内部の温度を検出する温度センサと、前記温度センサの検出温度に応じて、前記各発光素子及び前記受光素子の少なくとも１つの対象素子に対応する前記集積回路に指示する制御値を決定する温度制御部と、自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する発光制御部と、を備え、前記光サブアセンブリが、複数の前記集積回路のうち主たる発熱部材の長手方向一端側に配置され、前記温度センサが、前記発熱部材の長手方向他端側に配置されている。
状態１：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＦＦの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
（７） 本発明の一態様に係る方法は、第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、を有する光トランシーバの温度推定方法であって、自機の発光状態を前記状態１〜３のいずれかに設定する第１ステップと、前記光トランシーバに設けられた温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３における前記各発光素子及び前記受光素子のうちの少なくとも１つである対象素子の定常温度を推定する第２ステップと、を含む。
本発明は、このような特徴的な処理部を備える光トランシーバまたは光通信装置として実現できるだけでなく、かかる特徴的な処理のステップをコンピュータに実行させるためのプログラムとして実現することができる。
また、本発明は、光トランシーバまたは光通信装置の一部または全部を実現する半導体集積回路として実現したり、光トランシーバまたは光通信装置を含むシステムとして実現したりすることができる。
また、本発明は、光トランシーバまたは光通信装置の一部または全部を実現する半導体集積回路として実現したり、光トランシーバまたは光通信装置を含むシステムとして実現したりすることができる。
本発明によれば、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止することができる。
＜本発明の実施形態の概要＞
以下、本発明の実施形態の概要を列記して説明する。
（１） 本実施形態の光トランシーバは、第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、前記各発光素子及び前記受光素子を収容する光サブアセンブリと、前記各発光素子及び前記受光素子を駆動する複数の集積回路を有する回路基板と、前記光サブアセンブリ及び前記回路基板が収容され、長手方向寸法が最も長尺でかつ熱伝導性を有する筐体と、前記筐体の内部の温度を検出する温度センサと、前記温度センサの検出温度に応じて、前記各発光素子及び前記受光素子の少なくとも１つの対象素子に対応する前記集積回路に指示する制御値を決定する温度制御部と、自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する発光制御部と、を備え、前記光サブアセンブリが、複数の前記集積回路のうち主たる発熱部材の長手方向一端側に配置され、前記温度センサが、前記発熱部材の長手方向他端側に配置されている。
以下、本発明の実施形態の概要を列記して説明する。
（１） 本実施形態の光トランシーバは、第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、前記各発光素子及び前記受光素子を収容する光サブアセンブリと、前記各発光素子及び前記受光素子を駆動する複数の集積回路を有する回路基板と、前記光サブアセンブリ及び前記回路基板が収容され、長手方向寸法が最も長尺でかつ熱伝導性を有する筐体と、前記筐体の内部の温度を検出する温度センサと、前記温度センサの検出温度に応じて、前記各発光素子及び前記受光素子の少なくとも１つの対象素子に対応する前記集積回路に指示する制御値を決定する温度制御部と、自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する発光制御部と、を備え、前記光サブアセンブリが、複数の前記集積回路のうち主たる発熱部材の長手方向一端側に配置され、前記温度センサが、前記発熱部材の長手方向他端側に配置されている。
状態１：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＦＦの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
本実施形態の光トランシーバによれば、光サブアセンブリが、複数の集積回路のうち主たる発熱部材の長手方向一端側に配置され、温度センサが、その発熱部材の長手方向他端側に配置されているので、光サブアセンブリの一部と温度センサが、筐体の長手方向において発熱部材から熱的にほぼ同じ程度に離れた状態となる。
このため、温度センサの検出温度に対応する制御値をそのまま採用しても、光サブアセンブリの一部に収容された光デバイス（例えば、受光素子）のドライバを適切に制御できるようになる。
従って、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止することができる。
従って、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止することができる。
（２） 本実施形態の光トランシーバにおいて、前記温度制御部は、前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３における前記対象素子の定常温度を推定することが好ましい。
このようにすれば、上記のレイアウトを採用したにも拘わらず、温度センサの検出温度をそのまま使用できない場合でも、対象素子の定常温度の推定値を用いて、概ね正確な制御値を決定できるようになる。
このようにすれば、上記のレイアウトを採用したにも拘わらず、温度センサの検出温度をそのまま使用できない場合でも、対象素子の定常温度の推定値を用いて、概ね正確な制御値を決定できるようになる。
（３） 本実施形態の光トランシーバにおいて、前記温度制御部は、前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３の切り替えに伴う前記対象素子の温度変化を推定することが好ましい。
このようにすれば、切り替えに伴う対象素子の温度変化（過渡状態）を推定するので、定常温度のみで制御値を求める場合に比べて、過渡状態における制御の精度を向上させることができる。
このようにすれば、切り替えに伴う対象素子の温度変化（過渡状態）を推定するので、定常温度のみで制御値を求める場合に比べて、過渡状態における制御の精度を向上させることができる。
（４） 本実施形態の光トランシーバにおいて、前記第２の発光素子は、前記光サブアセンブリの構成部分のうち、前記発熱部材に最も近い近接部分に収容され、前記近接部分に、前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣが収容されていることが好ましい。
この場合、ＴＥＣが第２の発光素子の温度を保持するので、第２の発光素子を温度制御部の制御対象から外すことができる。
この場合、ＴＥＣが第２の発光素子の温度を保持するので、第２の発光素子を温度制御部の制御対象から外すことができる。
（５） 本実施形態の光トランシーバにおいて、前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣを更に備える場合には、前記発光制御部は、前記ＴＥＣのＯＮ／ＯＦＦを前記第２の発光素子のＯＮ／ＯＦＦに連動させることが好ましい。
このようにすれば、状態１において、第２の発光素子のドライバだけでなく、ＴＥＣとその制御部も停止するので、状態１における消費電力をより低減することができる。
このようにすれば、状態１において、第２の発光素子のドライバだけでなく、ＴＥＣとその制御部も停止するので、状態１における消費電力をより低減することができる。
（６） 本実施形態の光トランシーバにおいて、前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣを更に備える場合には、前記発光制御部は、前記第２の発光素子のＯＮ／ＯＦＦに関係なく、前記ＴＥＣをＯＮに設定することにしてもよい。
このようにすれば、温度センサの検出温度と対象素子の温度との乖離が所定範囲内に収まり、温度センサの検出温度を補正せずにそのまま使用できる可能性を高めることができる（図７に示す温度測定結果１の「ΔＲｘ」参照）。
このようにすれば、温度センサの検出温度と対象素子の温度との乖離が所定範囲内に収まり、温度センサの検出温度を補正せずにそのまま使用できる可能性を高めることができる（図７に示す温度測定結果１の「ΔＲｘ」参照）。
（７） 本実施形態の温度推定方法は、第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、を有する光トランシーバの温度推定方法であって、自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する第１ステップと、前記光トランシーバに設けられた温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３における前記各発光素子及び前記受光素子のうちの少なくとも１つである対象素子の定常温度を推定する第２ステップと、を含む。
状態１：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＦＦの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態
本実施形態の温度推定方法によれば、状態１〜３における対象素子の定常温度を推定するので、温度センサの検出温度をそのまま使用できない場合でも、対象素子の定常温度の推定値を用いて、概ね正確な制御値を決定できるようになる。
このため、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止することができる。
このため、温度センサを個別に増設しなくても、伝送レートが異なる発光素子の発光状態の切り替えに伴う制御精度の低下を防止することができる。
（８） 本実施形態の温度推定方法において、前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３の切り替えに伴う前記対象素子の温度変化を推定する第３ステップを、更に含むことが好ましい。
このようにすれば、切り替えに伴う対象素子の温度変化（過渡状態）を推定するので、定常温度のみで制御値を求める場合に比べて、過渡状態における制御の精度を向上させることができる。
このようにすれば、切り替えに伴う対象素子の温度変化（過渡状態）を推定するので、定常温度のみで制御値を求める場合に比べて、過渡状態における制御の精度を向上させることができる。
＜本発明の実施形態の詳細＞
以下、図面を参照して、本発明の実施形態の詳細を説明する。なお、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態の詳細を説明する。なお、以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
〔ＰＯＮシステムの全体構成〕
図１は、本発明の実施形態に係るＰＯＮシステムの概略図である。
図１に示すように、本実施形態のＰＯＮシステムは、上位ネットワークに接続された局側装置（ＯＬＴ）１と、図示しないローカルネットワークに接続された複数の宅側装置（ＯＮＵ）２と、受動光分岐ノードであるスプリッタ３とを備える。図１のＰＯＮシステムは、例えば１０Ｇ−ＥＰＯＮよりなる。
図１は、本発明の実施形態に係るＰＯＮシステムの概略図である。
図１に示すように、本実施形態のＰＯＮシステムは、上位ネットワークに接続された局側装置（ＯＬＴ）１と、図示しないローカルネットワークに接続された複数の宅側装置（ＯＮＵ）２と、受動光分岐ノードであるスプリッタ３とを備える。図１のＰＯＮシステムは、例えば１０Ｇ−ＥＰＯＮよりなる。
局側装置１は、一芯双方向の光ファイバ４によりスプリッタ３と接続されている。各々の宅側装置２は、スプリッタ３から分岐する一芯双方向の光ファイバ４により当該スプリッタ３に接続されている。
１０Ｇ−ＥＰＯＮでは、従来（１Ｇ）のＥＰＯＮの宅側装置２との互換性を担保するため、２種類の伝送レートの下り光信号が異なる波長で多重されている。具体的には、１Ｇ及び１０Ｇ下り光信号の伝送レート及び波長は、次の通りである。
１０Ｇ−ＥＰＯＮでは、従来（１Ｇ）のＥＰＯＮの宅側装置２との互換性を担保するため、２種類の伝送レートの下り光信号が異なる波長で多重されている。具体的には、１Ｇ及び１０Ｇ下り光信号の伝送レート及び波長は、次の通りである。
１Ｇ下り光信号 ：伝送レート＝１．２５Ｇｂｐｓ 波長＝１４９０ｎｍ
１０Ｇ下り光信号：伝送レート＝１０．３１２５Ｇｂｐｓ 波長＝１５７７ｎｍ
従って、本実施形態の局側装置１は、上記の各下り光信号をそれぞれ送出可能な１Ｇ用の光送信器と１０Ｇ用の光送信器とを備える。
なお、１０Ｇ−ＥＰＯＮでは、１Ｇ上り光信号は１３１０ｎｍの波長の光信号であり、１０Ｇ上り光信号は１２７０ｎｍの波長の光信号であり、それぞれ時分割多重される。
１０Ｇ下り光信号：伝送レート＝１０．３１２５Ｇｂｐｓ 波長＝１５７７ｎｍ
従って、本実施形態の局側装置１は、上記の各下り光信号をそれぞれ送出可能な１Ｇ用の光送信器と１０Ｇ用の光送信器とを備える。
なお、１０Ｇ−ＥＰＯＮでは、１Ｇ上り光信号は１３１０ｎｍの波長の光信号であり、１０Ｇ上り光信号は１２７０ｎｍの波長の光信号であり、それぞれ時分割多重される。
〔局側装置の内部構成〕
図２は、局側装置１の内部構成の一例を示すブロック図である。
図２に示すように、局側装置１は、光トランシーバ１１と、１Ｇ受信処理部１２と、１０Ｇ受信処理部１３と、バッファメモリ１４と、ＳＮＩ（Service Node Interface）送信処理部１５と、ＳＮＩポート１６と、ＳＮＩ受信処理部１７と、バッファメモリ１８と、１Ｇ送信処理部１９と、１０Ｇ送信処理部２０と、通信制御部２１とを備える。
図２は、局側装置１の内部構成の一例を示すブロック図である。
図２に示すように、局側装置１は、光トランシーバ１１と、１Ｇ受信処理部１２と、１０Ｇ受信処理部１３と、バッファメモリ１４と、ＳＮＩ（Service Node Interface）送信処理部１５と、ＳＮＩポート１６と、ＳＮＩ受信処理部１７と、バッファメモリ１８と、１Ｇ送信処理部１９と、１０Ｇ送信処理部２０と、通信制御部２１とを備える。
光トランシーバ１１は、プラガブル光トランシーバよりなる。従って、光トランシーバ１１は、局側装置１の回路基板に設けられたケージに挿抜することにより、局側装置１に対して着脱自在に装着することができる。
光トランシーバ１１は、宅側装置２が送信した下り光信号を受光して電気信号に変換する。光トランシーバ１１は、変換後の電気信号をそれぞれ１Ｇ及び１０Ｇ受信処理部１２，１３に送る。
光トランシーバ１１は、宅側装置２が送信した下り光信号を受光して電気信号に変換する。光トランシーバ１１は、変換後の電気信号をそれぞれ１Ｇ及び１０Ｇ受信処理部１２，１３に送る。
１Ｇ受信処理部１２は、光トランシーバ１１から受けた電気信号から１Ｇの電気信号を抽出し、抽出した電気信号から通信フレームを再構成する。
１Ｇ受信処理部１２は、通信フレームの種別に応じて、通信制御部２１とＳＮＩ送信処理部１５に通信フレームを振り分ける。具体的には、１Ｇ受信処理部１２は、データフレームをバッファメモリ１４経由でＳＮＩ送信処理部１５に出力し、制御フレームを通信制御部２１に出力する。
１Ｇ受信処理部１２は、通信フレームの種別に応じて、通信制御部２１とＳＮＩ送信処理部１５に通信フレームを振り分ける。具体的には、１Ｇ受信処理部１２は、データフレームをバッファメモリ１４経由でＳＮＩ送信処理部１５に出力し、制御フレームを通信制御部２１に出力する。
１０Ｇ受信処理部１３は、光トランシーバ１１から受けた電気信号から１０Ｇの電気信号を抽出し、抽出した電気信号から通信フレームを再構成する。
１０Ｇ受信処理部１３は、通信フレームの種別に応じて、通信制御部２１とＳＮＩ送信処理部１５に通信フレームを振り分ける。具体的には、１０Ｇ受信処理部１３は、データフレームをバッファメモリ１４経由でＳＮＩ送信処理部１５に出力し、制御フレームを通信制御部２１に出力する。
１０Ｇ受信処理部１３は、通信フレームの種別に応じて、通信制御部２１とＳＮＩ送信処理部１５に通信フレームを振り分ける。具体的には、１０Ｇ受信処理部１３は、データフレームをバッファメモリ１４経由でＳＮＩ送信処理部１５に出力し、制御フレームを通信制御部２１に出力する。
ＳＮＩ送信処理部１５は、ＰＯＮ側の各受信処理部１２，１３からのデータフレーム及び通信制御部２１からの制御フレームを、ＳＮＩポート１６を介して上位ネットワークに送信する。
ＳＮＩ受信処理部１７は、上位ネットワークからＳＮＩポート１６経由で受信したデータフレームをバッファメモリ１８に出力し、上位ネットワークからＳＮＩポート１６経由で受信した制御フレームを通信制御部２１に出力する。
ＳＮＩ受信処理部１７は、上位ネットワークからＳＮＩポート１６経由で受信したデータフレームをバッファメモリ１８に出力し、上位ネットワークからＳＮＩポート１６経由で受信した制御フレームを通信制御部２１に出力する。
通信制御部２１は、上位ネットワークで用いられる所定の通信プロトコルに従って、上位ネットワークに含まれる通信装置と自装置との間の通信を制御する。
通信制御部２１は、上記の通信プロトコルに則って、ＳＮＩ送信処理部１５及びＳＮＩ受信処理部１７の動作の制御などを行う。
通信制御部２１は、上記の通信プロトコルに則って、ＳＮＩ送信処理部１５及びＳＮＩ受信処理部１７の動作の制御などを行う。
通信制御部２１は、ＭＰＣＰ（Multi-Point Control Protocol）及びＯＡＭ（Operations Administration and Maintenance）などの通信プロトコルに従って、ＰＯＮ回線に含まれる配下の宅側装置２に対する通信制御及び管理などを行う。
例えば、通信制御部２１は、宅側装置２とやり取りするＭＰＣＰメッセージにより、宅側装置２の登録、離脱及びＰＯＮ回線における上り多重アクセス制御などを行う。また、通信制御部２１は、宅側装置２とやり取りするＯＡＭメッセージにより、宅側装置２の維持及び管理などを行う。
例えば、通信制御部２１は、宅側装置２とやり取りするＭＰＣＰメッセージにより、宅側装置２の登録、離脱及びＰＯＮ回線における上り多重アクセス制御などを行う。また、通信制御部２１は、宅側装置２とやり取りするＯＡＭメッセージにより、宅側装置２の維持及び管理などを行う。
通信制御部２１は、ＭＰＣＰ及びＯＡＭなどに則った各種の制御情報を含む制御フレームを生成し、１Ｇ及び１０Ｇ送信処理部１９，２０にそれぞれ出力する。
通信制御部２１は、制御フレームを１Ｇで送信する場合には、当該制御フレームを１Ｇ送信処理部１９に送る。通信制御部２１は、バッファメモリ１８に含まれるデータフレームを１Ｇで送信する場合には、所定の送信タイミングで当該データフレームの送信処理を開始するように、１Ｇ送信処理部１９を制御する。
通信制御部２１は、制御フレームを１Ｇで送信する場合には、当該制御フレームを１Ｇ送信処理部１９に送る。通信制御部２１は、バッファメモリ１８に含まれるデータフレームを１Ｇで送信する場合には、所定の送信タイミングで当該データフレームの送信処理を開始するように、１Ｇ送信処理部１９を制御する。
通信制御部２１は、制御フレームを１０Ｇで送信する場合には、当該制御フレームを１０Ｇ送信処理部２０に送る。通信制御部２１は、バッファメモリ１８に含まれるデータフレームを１０Ｇで送信する場合には、所定の送信タイミングで当該データフレームの送信処理を開始するように、１０Ｇ送信処理部２０を制御する。
１Ｇ送信処理部１９は、バッファメモリ１８から受けたデータフレームと、通信制御部２１から受けた制御フレームを光トランシーバ１１に出力する。
１０Ｇ送信処理部２０は、バッファメモリ１８から受けたデータフレームと、通信制御部２１から受けた制御フレームを光トランシーバ１１に出力する。
１０Ｇ送信処理部２０は、バッファメモリ１８から受けたデータフレームと、通信制御部２１から受けた制御フレームを光トランシーバ１１に出力する。
光トランシーバ１１は、１Ｇ及び１０Ｇ送信処理部１９，２０から受けた電気信号（送信データ）であるデータフレーム及び制御フレームをそれぞれ光信号に変換し、ＰＯＮ回線に含まれる配下の宅側装置２にそれぞれ送信する。
〔光トランシーバの回路構成〕
図３は、光トランシーバ１１の回路構成の一例を示すブロック図である。
図３に示すように、本実施形態の光トランシーバ１１は、１Ｇ用の光送信器である１Ｇ送信部３１と、１０Ｇ用の光送信器である１０Ｇ送信部３２と、１０Ｇ／１Ｇ双方に対応する光受信器である１０Ｇ／１Ｇ受信部３３と、光信号を伝搬方向に応じて分離する光合分波器３４と、各部の集積回路などを制御する制御部３５とを備える。
図３は、光トランシーバ１１の回路構成の一例を示すブロック図である。
図３に示すように、本実施形態の光トランシーバ１１は、１Ｇ用の光送信器である１Ｇ送信部３１と、１０Ｇ用の光送信器である１０Ｇ送信部３２と、１０Ｇ／１Ｇ双方に対応する光受信器である１０Ｇ／１Ｇ受信部３３と、光信号を伝搬方向に応じて分離する光合分波器３４と、各部の集積回路などを制御する制御部３５とを備える。
１Ｇ送信部３１は、１ＧＬＤ駆動回路３７と、レーザダイオードよりなる発光素子３８と、モニタＰＤ３９とを備える。
１ＧＬＤ駆動回路３７は、制御部３５から指示される１ＧＬＤバイアス制御値に基づくバイアス電流（ＬＤ電流）を、発光素子３８に供給する。
１ＧＬＤ駆動回路３７は、モニタＰＤ３９の受光強度に基づいて、発光素子３８の発光量が一定となるようにＬＤ電流を微調整（フィードバック制御）する。
１ＧＬＤ駆動回路３７は、制御部３５から指示される１ＧＬＤバイアス制御値に基づくバイアス電流（ＬＤ電流）を、発光素子３８に供給する。
１ＧＬＤ駆動回路３７は、モニタＰＤ３９の受光強度に基づいて、発光素子３８の発光量が一定となるようにＬＤ電流を微調整（フィードバック制御）する。
１ＧＬＤ駆動回路３７は、１Ｇ送信処理部１９（図２）から入力された１Ｇ送信データと、制御部３５から指示される１Ｇ変調振幅制御値に基づく１Ｇの変調電流を、発光素子３８に供給する。
１０Ｇ送信部３２は、１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１と、１０Ｇ変調回路４２と、ＥＡ（Electro Absorption）バイアス電圧供給回路４３と、レーザダイオードよりなる発光素子４４と、モニタＰＤ４５と、ＥＡ変調器４６と、ＴＥＣ制御部４７と、ペルチェ素子（ＴＥＣ：ThermoElectric Cooling module）４８と、サーミスタ４９とを備える。
１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１は、制御部３５から指示される１０ＧＬＤバイアス制御値に基づくバイアス電流（ＬＤ電流）を、発光素子４４に供給する。
１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１は、モニタＰＤ４５の受光強度に基づいて、発光素子４４の発光量が一定となるようにＬＤ電流を微調整（フィードバック制御）する。
１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１は、モニタＰＤ４５の受光強度に基づいて、発光素子４４の発光量が一定となるようにＬＤ電流を微調整（フィードバック制御）する。
１０Ｇ変調回路４２は、１０Ｇ送信処理部２０（図２）から入力された１０Ｇ送信データと、制御部３５から指示される１０Ｇ変調振幅制御値とに基づく１０Ｇの変調電流を、ＥＡ変調器４６に供給する。
ＥＡバイアス電圧供給回路４３は、制御部３５から指示されるＥＡバイアス制御信号に基づくバイアス電圧を、ＥＡ変調器４６に供給する。
ＥＡバイアス電圧供給回路４３は、制御部３５から指示されるＥＡバイアス制御信号に基づくバイアス電圧を、ＥＡ変調器４６に供給する。
ＴＥＣ制御部４７は、温度に応じて変動するサーミスタ４９の電圧値に基づいて、ペルチェ素子４８に供給する直流電流を制御する。
ペルチェ素子４８の冷却対象は、１０Ｇ送信部３２の発光素子４４，モニタＰＤ４５及びＥＡ変調器４６である。このため、ペルチェ素子４８及びサーミスタ４９は、発光素子４４，モニタＰＤ４５及びＥＡ変調器４６とともに、光サブアセンブリ６５の箱型パッケージ６７（図４及び図５参照）に収容されている。
ペルチェ素子４８の冷却対象は、１０Ｇ送信部３２の発光素子４４，モニタＰＤ４５及びＥＡ変調器４６である。このため、ペルチェ素子４８及びサーミスタ４９は、発光素子４４，モニタＰＤ４５及びＥＡ変調器４６とともに、光サブアセンブリ６５の箱型パッケージ６７（図４及び図５参照）に収容されている。
１０Ｇ／１Ｇ受信部３３は、ＡＰＤバイアス電圧供給回路５１と、プリアンプ５２と、ポストアンプ５３と、受光素子５４とを備える。受光素子５４は、例えばアバランシェフォトダイオードよりなる。
ＡＰＤバイアス電圧供給回路５１は、制御部３５から指示されるＡＰＤバイアス制御値に基づくバイアス電圧を、受光素子５４に供給する。
ＡＰＤバイアス電圧供給回路５１は、制御部３５から指示されるＡＰＤバイアス制御値に基づくバイアス電圧を、受光素子５４に供給する。
受光素子５４は、光合分波器３４から供給された上り光信号を電気信号（電流）に変換してプリアンプ５２に出力する。プリアンプ５２は、供給された電流を電圧に変換してポストアンプ５３に出力する。
ポストアンプ５３は、プリアンプ５２から受けた電圧のレベルを二値化し、１０Ｇ／１Ｇ受信データとしてＰＯＮ側の各受信処理部１２，１３（図２参照）に出力する。
ポストアンプ５３は、プリアンプ５２から受けた電圧のレベルを二値化し、１０Ｇ／１Ｇ受信データとしてＰＯＮ側の各受信処理部１２，１３（図２参照）に出力する。
制御部３５は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＭＰＵ（Micro-Processing Unit）又はＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）などの、論理演算処理を行うプロセッサにより構成され、温度センサ５６と、記憶部５７とを備える。
制御部３５は、発光素子３８，４４及び受光素子５４のドライバなどの集積回路に制御信号を送出することにより、当該集積回路を制御する。制御部３５が送出する制御信号には、上述の各バイアス制御値と各変調振幅制御値などが含まれる。
制御部３５は、発光素子３８，４４及び受光素子５４のドライバなどの集積回路に制御信号を送出することにより、当該集積回路を制御する。制御部３５が送出する制御信号には、上述の各バイアス制御値と各変調振幅制御値などが含まれる。
記憶部５７は、温度センサ５６の検出温度ごとに予め設定された、１Ｇ変調振幅制御値、１ＧＬＤバイアス制御値及びＡＰＤバイアス制御値などの制御値を記録したルックアップテーブル（ＬＵＴ）を記憶している。
制御部３５は、温度センサ５６の検出温度に対応する制御値をルックアップテーブルから読み出し、読み出した制御値を１ＧＬＤ駆動回路３７及びＡＰＤバイアス電圧供給回路５１などに通知する（フィードフォワード制御）。
制御部３５は、温度センサ５６の検出温度に対応する制御値をルックアップテーブルから読み出し、読み出した制御値を１ＧＬＤ駆動回路３７及びＡＰＤバイアス電圧供給回路５１などに通知する（フィードフォワード制御）。
このように、制御部３５は、温度センサ５６の検出温度に応じて、発光素子３８及び受光素子５４の少なくとも１つの対象素子に対応する集積回路に指示する制御値を決定する、「温度制御部」としての機能を有する。
制御部３５が送出する制御信号には、１Ｇ送信部３１及び１０Ｇ送信部３２に対するＯＮ／ＯＦＦ信号も含まれる。ＯＮ／ＯＦＦ信号は、局側装置１から供給されるイネーブル信号に応じて生成される。
例えば、制御部３５は、１Ｇ送信イネーブル信号がオンである場合は、１ＧＬＤ駆動回路３７に１Ｇ発光ＯＮ信号を送出し、１Ｇ送信イネーブル信号がオフである場合は、１ＧＬＤ駆動回路３７に１Ｇ発光ＯＦＦ信号を送出する。
例えば、制御部３５は、１Ｇ送信イネーブル信号がオンである場合は、１ＧＬＤ駆動回路３７に１Ｇ発光ＯＮ信号を送出し、１Ｇ送信イネーブル信号がオフである場合は、１ＧＬＤ駆動回路３７に１Ｇ発光ＯＦＦ信号を送出する。
同様に、制御部３５は、１０Ｇ送信イネーブル信号がオンである場合は、１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１に１０Ｇ発光ＯＮ信号を送出し、ＴＥＣＯＮ信号をＴＥＣ制御部４７に送出する。また、制御部３５は、１０Ｇ送信イネーブル信号がオフである場合は、１０ＧＬＤバイアス電流供給回路４１に１０Ｇ発光ＯＦＦ信号を送出し、ＴＥＣＯＦＦ信号をＴＥＣ制御部４７に送出する。
もっとも、１０Ｇ発光ＯＦＦ信号による１０Ｇ送信部３２による発光を停止させる場合でも、ＴＥＣ制御部４７のＯＮ状態を常に維持することにしてもよい。
もっとも、１０Ｇ発光ＯＦＦ信号による１０Ｇ送信部３２による発光を停止させる場合でも、ＴＥＣ制御部４７のＯＮ状態を常に維持することにしてもよい。
上記の通り、制御部３５は、各光送信部３１，３２に発光ＯＮ／ＯＦＦ信号を送出することにより、運用中（サービス提供中）の局側装置１に含まれる光トランシーバ１１の発光状態を、次の３種類のいずれかに設定する「発光制御部」としての機能を有する。
状態１：１Ｇ光送信器＝ＯＮ ／１０Ｇ光送信器＝ＯＦＦ
状態２：１Ｇ光送信器＝ＯＮ ／１０Ｇ光送信器＝ＯＮ
状態３：１Ｇ光送信器＝ＯＦＦ／１０Ｇ光送信器＝ＯＮ
状態１：１Ｇ光送信器＝ＯＮ ／１０Ｇ光送信器＝ＯＦＦ
状態２：１Ｇ光送信器＝ＯＮ ／１０Ｇ光送信器＝ＯＮ
状態３：１Ｇ光送信器＝ＯＦＦ／１０Ｇ光送信器＝ＯＮ
ＰＯＮ回線に含まれる宅側装置２がすべて１Ｇである場合、或いは、すべて１０Ｇである場合に、光トランシーバ１１に搭載された１Ｇ及び１０Ｇ送信部３１，３２の双方を動作させると、消費電力が無駄になる。
そこで、本実施形態の局側装置１では、ＰＯＮ回線に含まれる宅側装置２の伝送レートの種別に応じて、光トランシーバ１１の光送信部３１，３２のいずれか一方をＯＦＦに設定できるようになっている。この場合、局側装置１は、例えば次のように運用される。
そこで、本実施形態の局側装置１では、ＰＯＮ回線に含まれる宅側装置２の伝送レートの種別に応じて、光トランシーバ１１の光送信部３１，３２のいずれか一方をＯＦＦに設定できるようになっている。この場合、局側装置１は、例えば次のように運用される。
ＥＰＯＮの局側装置に代えて本実施形態の局側装置１を採用し、１０Ｇ−ＥＰＯＮを導入する場合、当初は、下り１Ｇの宅側装置２しか存在しないと考えられる。この場合、１Ｇ送信部３２のみがＯＮとなる「状態１」で光トランシーバ１１を動作させる。
その後、下り１０Ｇの宅側装置２への切り替えが進み、下り１Ｇの宅側装置２と下り１０Ｇの宅側装置２が混在する状況になると、１Ｇ及び１０Ｇ送信部３１，３２の双方がＯＮとなる「状態２」で光トランシーバ１１を動作させる。
その後、下り１０Ｇの宅側装置２への切り替えが進み、下り１Ｇの宅側装置２と下り１０Ｇの宅側装置２が混在する状況になると、１Ｇ及び１０Ｇ送信部３１，３２の双方がＯＮとなる「状態２」で光トランシーバ１１を動作させる。
下り１０Ｇの宅側装置２への切り替えが完全に終了し、ＰＯＮ回線に含まれる宅側装置がすべて下り１０Ｇの宅側装置２となった場合には、１０Ｇ送信器のみがＯＮとなる「状態３」で光トランシーバ１１を動作させる。
このように、局側装置１を継続して稼働させる場合（サービス提供中）において、宅側装置２の下りレートの種別に応じて光トランシーバ１１の発光状態を設定すれば、１Ｇ及び１０Ｇ送信器を常にＯＮに設定する場合に比べて、消費電力を抑えることができる。
このように、局側装置１を継続して稼働させる場合（サービス提供中）において、宅側装置２の下りレートの種別に応じて光トランシーバ１１の発光状態を設定すれば、１Ｇ及び１０Ｇ送信器を常にＯＮに設定する場合に比べて、消費電力を抑えることができる。
特に、ＥＡ変調器を含む１０Ｇ送信部３２は、ペルチェ素子４８を用いた温度制御が必要であり、消費電力が比較的大きい。従って、状態１においては、発光素子４４とともにＴＥＣ制御部４７も同時にＯＦＦにすることが好ましい。
光トランシーバ１１を状態１〜３のいずれかに切り替えるためのイネーブル信号は、局側装置１に接続したＰＣなどの通信端末から入力される。
光トランシーバ１１を状態１〜３のいずれかに切り替えるためのイネーブル信号は、局側装置１に接続したＰＣなどの通信端末から入力される。
図３において、１０Ｇ送信部３２内の破線枠６７は、後述する光サブアセンブリ６５（図４及び図５参照）の構成要素である「箱型パッケージ」を示す。破線枠６７で囲まれた回路素子は、光サブアセンブリ６５の箱型パッケージに収容される。
１Ｇ送信部３１内の破線枠６９は、光サブアセンブリ６５の後端側（箱型パッケージに近い方）の「同軸パッケージ」を示す。破線枠６９で囲まれた回路素子は、光サブアセンブリ６５の後端側の同軸パッケージに収容される。
１Ｇ送信部３１内の破線枠６９は、光サブアセンブリ６５の後端側（箱型パッケージに近い方）の「同軸パッケージ」を示す。破線枠６９で囲まれた回路素子は、光サブアセンブリ６５の後端側の同軸パッケージに収容される。
１０Ｇ／１Ｇ受信部３３内の破線枠７０は、光サブアセンブリ６５の前端側（箱型パッケージから遠い方）の「同軸パッケージ」を示す。破線枠７０で囲まれた回路素子は、光サブアセンブリ６５の前端側の同軸パッケージに収容される。
〔光トランシーバの内部構造〕
図４は、光トランシーバ１１の内部構造の一例を示す斜視図である。具体的には、図４は、筐体６０の構成要素である蓋部材（図示せず）を取り外した状態の、光トランシーバ１１の斜視図である。
図４のＸＹＺ直交座標において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、それぞれ光トランシーバ１１の幅方向、長手方向及び厚さ方向と一致する（図５も同様）。
図４は、光トランシーバ１１の内部構造の一例を示す斜視図である。具体的には、図４は、筐体６０の構成要素である蓋部材（図示せず）を取り外した状態の、光トランシーバ１１の斜視図である。
図４のＸＹＺ直交座標において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、それぞれ光トランシーバ１１の幅方向、長手方向及び厚さ方向と一致する（図５も同様）。
筐体６０の内部には、回路基板６１、熱伝導部材６２、加圧部材６３、保持部材６４、及び光サブアセンブリ６５などが収容されている。
筐体６０は、長手方向寸法が最も長尺であり、かつ熱伝導性を有する金属製の部品よりなる。従って、筐体６０は、内部に収容される発熱部材（１０Ｇ変調回路４２など）からの発熱を外部に放出する放熱部材として機能する。回路基板６１は、筐体６０のほぼ半分程度の長さを有し、筐体６０内における長手方向（Ｙ方向）後端寄りに配置されている。
筐体６０は、長手方向寸法が最も長尺であり、かつ熱伝導性を有する金属製の部品よりなる。従って、筐体６０は、内部に収容される発熱部材（１０Ｇ変調回路４２など）からの発熱を外部に放出する放熱部材として機能する。回路基板６１は、筐体６０のほぼ半分程度の長さを有し、筐体６０内における長手方向（Ｙ方向）後端寄りに配置されている。
回路基板６１の表面及び裏面には、光電変換や信号処理のための集積回路などの電子部品が実装され、回路基板６１の後端縁には、電気コネクタ部６６が設けられている。
光サブアセンブリ６５は、いわゆる同軸型の金属製の部品であり、一芯双方向３ポートのＢｉ−Ｄ（Bi-Directional optical module）よりなる。光サブアセンブリ６５は、長手方向（Ｙ方向）後端側から順に、箱型パッケージ６７、スリーブ６８、同軸パッケージ６９、同軸パッケージ７０、及びレセプタクル部７１を有する。
光サブアセンブリ６５は、いわゆる同軸型の金属製の部品であり、一芯双方向３ポートのＢｉ−Ｄ（Bi-Directional optical module）よりなる。光サブアセンブリ６５は、長手方向（Ｙ方向）後端側から順に、箱型パッケージ６７、スリーブ６８、同軸パッケージ６９、同軸パッケージ７０、及びレセプタクル部７１を有する。
箱型パッケージ６７は、ほぼ直方体状であり、１０Ｇの発光素子４４などを収容する。同軸パッケージ６９は、ほぼ円筒形であり、１Ｇの発光素子３８などを収容する。同軸パッケージ７０は、ほぼ円筒形であり、受光素子５４などを収容する。
箱型パッケージ６７及び同軸パッケージ６９，７０の端面には複数のリードピン（図示せず）が突設され、これらのリードピンは、フレキシブルプリント基板７２を介して回路基板６１と電気的に接続されている。
箱型パッケージ６７及び同軸パッケージ６９，７０の端面には複数のリードピン（図示せず）が突設され、これらのリードピンは、フレキシブルプリント基板７２を介して回路基板６１と電気的に接続されている。
スリーブ６８は、箱型パッケージ６７の前端面から長手方向（Ｙ方向）前方に延びる円筒部材である。スリーブ６８の軸心は、光サブアセンブリ６５の光軸方向と一致する。スリーブ６８の前端には、更に前端側に延びるレセプタクル部７１が取り付けられている。
後端側の同軸パッケージ６９は、スリーブ６８の外周面から幅方向（Ｘ方向）一方側に突出しており、前端側の同軸パッケージ７０は、スリーブ６８の外周面から、幅方向（Ｘ方向）他方側に突出している。
後端側の同軸パッケージ６９は、スリーブ６８の外周面から幅方向（Ｘ方向）一方側に突出しており、前端側の同軸パッケージ７０は、スリーブ６８の外周面から、幅方向（Ｘ方向）他方側に突出している。
〔光トランシーバの部品配置〕
図５は、光トランシーバ１１の部品配置の一例を示す概略平面図である。
図５に示すように、光サブアセンブリ６５は、長手方向（Ｙ方向）後端側から順に、箱型パッケージ６７、同軸パッケージ６９及び同軸パッケージ７０を備えている。箱型パッケージ６７は、回路基板６１の前端縁に近接している。
図５は、光トランシーバ１１の部品配置の一例を示す概略平面図である。
図５に示すように、光サブアセンブリ６５は、長手方向（Ｙ方向）後端側から順に、箱型パッケージ６７、同軸パッケージ６９及び同軸パッケージ７０を備えている。箱型パッケージ６７は、回路基板６１の前端縁に近接している。
箱型パッケージ６７には、１０Ｇ送信部３２の構成部品である、１０Ｇの発光素子４４、モニタＰＤ４５、ＥＡ変調器４６、ＴＥＣ４８及びサーミスタ４９が収容されている。
同軸パッケージ６９には、１Ｇ送信部３１の構成部品である、１Ｇの発光素子３８及びモニタＰＤ４５が収容されている。
同軸パッケージ７０には、１０Ｇ／１Ｇ受信部３３の構成部品である、受光素子５４及びプリアンプ５２が収容されている。
同軸パッケージ６９には、１Ｇ送信部３１の構成部品である、１Ｇの発光素子３８及びモニタＰＤ４５が収容されている。
同軸パッケージ７０には、１０Ｇ／１Ｇ受信部３３の構成部品である、受光素子５４及びプリアンプ５２が収容されている。
回路基板６１には、後端側から順に、温度センサ５６を有する制御部（以下、「マイコン」ともいう。）３５、ＴＥＣ制御部４７、１ＧＬＤ駆動回路３７，ポストアンプ５３、及び１０Ｇ変調回路４２が配置されている。これらはいずれも集積回路よりなる。
図６において、実線で示す集積回路は、回路基板６１の表面側に実装され、破線で示す集積回路は回路基板の裏面側に実装されている。マイコン３５の温度センサ５６は、当該マイコン３５に搭載されている。
図６において、実線で示す集積回路は、回路基板６１の表面側に実装され、破線で示す集積回路は回路基板の裏面側に実装されている。マイコン３５の温度センサ５６は、当該マイコン３５に搭載されている。
〔発光状態の切り替えに伴う問題点とその解決策〕
前述の通り、本実施形態の光トランシーバ１１では、サービスを継続しながら２種類の光送信部３１，３２のうちの片方の発光を停止可能であり、自機の発光状態を状態１〜状態３のいずれかに設定することができる。
この場合、光送信部３１，３２はドライバの消費電力が比較的大きいので、発光ＯＮ／ＯＦＦの状態変化によって筐体６０内部の温度分布が変化する可能性がある。
前述の通り、本実施形態の光トランシーバ１１では、サービスを継続しながら２種類の光送信部３１，３２のうちの片方の発光を停止可能であり、自機の発光状態を状態１〜状態３のいずれかに設定することができる。
この場合、光送信部３１，３２はドライバの消費電力が比較的大きいので、発光ＯＮ／ＯＦＦの状態変化によって筐体６０内部の温度分布が変化する可能性がある。
このため、１０Ｇ変調回路４２及び１ＧＬＤ駆動回路３７などの主たる発熱部材との位置関係を考慮せずに、温度センサ５６を適当な位置に配置すると、どの状態１〜３で局側装置１を運用するかにより、温度センサ５６の検出温度が発光素子３８，４４及び受光素子５４などの光デバイスの温度を正確に反映しなくなる。
従って、ルックアップテーブルから読み出される制御値が、光デバイスに対する正しい制御値ではなくなり、光デバイスを適切に制御できなくなる可能性がある。
従って、ルックアップテーブルから読み出される制御値が、光デバイスに対する正しい制御値ではなくなり、光デバイスを適切に制御できなくなる可能性がある。
この解決策として、例えば、発光素子３８を収容する同軸パッケージ６９や、受光素子５４を収容する同軸パッケージ７０などに個別に温度センサを設け、当該温度センサの検出温度を用いて制御値を決定することが考えられる。
しかし、対象素子ごとに個別に温度センサを設けると、光トランシーバ１１の部品点数が増加して製作コストが高騰するとともに、光サブアセンブリ６５の肥大化に繋がるという欠点がある。
しかし、対象素子ごとに個別に温度センサを設けると、光トランシーバ１１の部品点数が増加して製作コストが高騰するとともに、光サブアセンブリ６５の肥大化に繋がるという欠点がある。
そこで、本実施形態では、状態１〜３のいずれに設定する場合でも、温度センサ５６の検出温度が１又は複数の光デバイスの温度を反映するように、光トランシーバ１１の内部の構成部品を配置する。
これにより、温度センサ５６の検出温度に応じてマイコン３５がルックアップテーブルから読み出される制御値が、実際の光デバイスの温度に基づく制御値と乖離するのを防止するようにした。
これにより、温度センサ５６の検出温度に応じてマイコン３５がルックアップテーブルから読み出される制御値が、実際の光デバイスの温度に基づく制御値と乖離するのを防止するようにした。
具体的には、図５に示すように、主たる発熱部材である１０Ｇ変調回路４２、１ＧＬＤ駆動回路３７、ポストアンプ５３及びＴＥＣ制御部４７などを、回路基板６１の前端側に寄せて配置し、マイコン３５の温度センサ５６を、主たる発熱部材の設置範囲よりも後端側に配置している。
これにより、光サブアセンブリ６５が、主たる発熱部材の長手方向前端側に位置し、温度センサ５６が、主たる発熱部材の長手方向後端側に位置することになる。
これにより、光サブアセンブリ６５が、主たる発熱部材の長手方向前端側に位置し、温度センサ５６が、主たる発熱部材の長手方向後端側に位置することになる。
かかるレイアウトを採用すれば、図６に示すように、光サブアセンブリ６５の一部と温度センサ５６が、長手方向（Ｙ方向）において発熱部材から熱的にほぼ同じ程度に離れた状態となる。
例えば、図６において、１０Ｇ変調回路４２からの発熱Ｑ０に着目すると、この発熱部材からの発熱Ｑ０は、主に筐体６０の側壁に伝わり、長手方向（Ｙ方向）の前端側に伝導する伝熱Ｑ１と後端側に伝導する伝熱Ｑ２に分かれる。
例えば、図６において、１０Ｇ変調回路４２からの発熱Ｑ０に着目すると、この発熱部材からの発熱Ｑ０は、主に筐体６０の側壁に伝わり、長手方向（Ｙ方向）の前端側に伝導する伝熱Ｑ１と後端側に伝導する伝熱Ｑ２に分かれる。
この場合、１０Ｇ変調回路４２から同軸パッケージ７０までの長手方向（Ｙ方向）距離が、１０Ｇ変調回路４２から温度センサ５６までの同方向距離とほぼ同じになるので、両者に到達する伝熱Ｑ１及び伝熱Ｑ２の熱量はほぼ均等となる。
このため、例えば１０Ｇ送信部３２のＯＮ／ＯＦＦ切り替えにより、１０Ｇ変調回路４２の発熱Ｑ０の熱量が変動しても、伝熱Ｑ１と伝熱Ｑ２の熱量も同じように変動し、同軸パッケージ７０と温度センサ５６の温度変化はほぼ同程度になると考えられる。
このため、例えば１０Ｇ送信部３２のＯＮ／ＯＦＦ切り替えにより、１０Ｇ変調回路４２の発熱Ｑ０の熱量が変動しても、伝熱Ｑ１と伝熱Ｑ２の熱量も同じように変動し、同軸パッケージ７０と温度センサ５６の温度変化はほぼ同程度になると考えられる。
従って、１０Ｇ送信部３２のＯＮ／ＯＦＦを切り替えて、発光状態を状態１又は状態２に切り替えても、温度センサ５６の検出温度は、光サブアセンブリ６５の同軸パッケージ７０の温度を概ね反映することになる。
よって、温度センサ５６の検出温度に対応するルックアップテーブルの制御値をそのまま採用しても、同軸パッケージ７０に収容された光デバイス（具体的には、受光素子５４）を駆動する集積回路を適切に制御できるようになる。
よって、温度センサ５６の検出温度に対応するルックアップテーブルの制御値をそのまま採用しても、同軸パッケージ７０に収容された光デバイス（具体的には、受光素子５４）を駆動する集積回路を適切に制御できるようになる。
もっとも、発熱部材からの長手方向（Ｙ方向）の距離が温度センサ５６の場合とは異なる部分（例えば、同軸パッケージ６９）については、発熱部材から受ける熱量が均等にならない可能性があるので、温度センサ５６の検出温度が、必ずしも光サブアセンブリ６５の当該部分の温度を反映しているとは限らない。
そこで、本願発明者は、状態１〜３の変化に応じて、光サブアセンブリ６５の構成部分の温度が、温度センサ５６の検出温度に対してどの程度乖離するかを、温度測定実験によって検証した。その実験結果を図７及び図８に示す。
なお、温度測定実験における温度センサの設置ポイントは、図５のドットで示す位置であり、下記の４箇所である。
マイコン３５の温度センサ５６の位置：測定値を「ＴＣ」とする。
箱型パッケージ６７の中心部：測定値を「Ｔ１０Ｇ」とする。
同軸パッケージ６９の中心部：測定値を「Ｔ１Ｇ」とする。
同軸パッケージ７０の中心部：測定値を「ＴＲ」とする。
マイコン３５の温度センサ５６の位置：測定値を「ＴＣ」とする。
箱型パッケージ６７の中心部：測定値を「Ｔ１０Ｇ」とする。
同軸パッケージ６９の中心部：測定値を「Ｔ１Ｇ」とする。
同軸パッケージ７０の中心部：測定値を「ＴＲ」とする。
図７及び図８に示すように、「Δ１０Ｇ−Ｔｘ」、「Δ１Ｇ−Ｔｘ」及び「ΔＲｘ」は、それぞれ下式で定義される温度差を意味する。
Δ１０Ｇ−Ｔｘ＝Ｔ１０Ｇ−Ｔｃ
＝箱型パッケージ６７（１０Ｇ−ＴＯＳＡ）における温度差
Δ１Ｇ−Ｔｘ ＝Ｔ１Ｇ−Ｔｃ
＝同軸パッケージ６９（１Ｇ−ＴＯＳＡ）における温度差
ΔＲｘ ＝ＴＲ−Ｔｃ
＝同軸パッケージ７０（ＲＯＳＡ）における温度差
Δ１０Ｇ−Ｔｘ＝Ｔ１０Ｇ−Ｔｃ
＝箱型パッケージ６７（１０Ｇ−ＴＯＳＡ）における温度差
Δ１Ｇ−Ｔｘ ＝Ｔ１Ｇ−Ｔｃ
＝同軸パッケージ６９（１Ｇ−ＴＯＳＡ）における温度差
ΔＲｘ ＝ＴＲ−Ｔｃ
＝同軸パッケージ７０（ＲＯＳＡ）における温度差
更に、図７及び図８において、「Ｔａ」は周囲温度であり、周囲温度ごとの各棒グラフの測定値は、状態１〜３の「定常状態」（例えば、発光状態の切り替え後に１０分経過した時点の温度）における温度差である。
〔温度測定結果〕
図７は、温度測定結果１を示すグラフである。温度測定結果１は、ＴＥＣ４８を常にＯＮに維持する条件で、状態１〜３ごとに温度測定を行った場合の測定結果である。
図８は、温度測定結果２を示すグラフである。温度測定結果２は、１０Ｇ送信部３２とＴＥＣ４８のＯＮ／ＯＦＦを連動させる条件で、状態１〜３ごとに温度測定を行った場合の測定結果である。
図７は、温度測定結果１を示すグラフである。温度測定結果１は、ＴＥＣ４８を常にＯＮに維持する条件で、状態１〜３ごとに温度測定を行った場合の測定結果である。
図８は、温度測定結果２を示すグラフである。温度測定結果２は、１０Ｇ送信部３２とＴＥＣ４８のＯＮ／ＯＦＦを連動させる条件で、状態１〜３ごとに温度測定を行った場合の測定結果である。
ルックアップテーブルに記録する温度の間隔は、概ね２°Ｃに設定されるのが通常である。従って、すべての状態１〜３において温度差が２°Ｃ以内に収まっておれば、温度センサ５６の検出温度は光サブアセンブリ６５の当該部分の温度を反映しているとみなすことができる。
上記の観点から、図７の温度測定結果１（ＴＥＣを常にＯＮ）のΔＲｘに着目すると、周囲温度Ｔａ＝２５°Ｃ、４０°Ｃ及び５５°Ｃのすべてにおいて、各状態１〜３における温度差が２°Ｃ未満となっている。
その理由は、ＲＯＳＡの同軸パッケージ７０は発熱部材から最も遠くにあり（図５参照）、発熱部材からの発熱の影響を受け難いため、温度センサ５６の検出温度との乖離がさほど大きくならないからであると考えられる。
その理由は、ＲＯＳＡの同軸パッケージ７０は発熱部材から最も遠くにあり（図５参照）、発熱部材からの発熱の影響を受け難いため、温度センサ５６の検出温度との乖離がさほど大きくならないからであると考えられる。
従って、同軸パッケージ７０に収容する１０Ｇ／１Ｇ受信部３３の光デバイス（受光素子５４）に関しては、ＴＥＣ４８を常にＯＮに維持する条件であれば、状態１〜３のいずれの場合においても、温度センサ５６の検出温度をそのまま信用して、当該検出温度に対応するバイアス制御値を採用することが可能であると考えられる。
次に、図７の温度測定結果１（ＴＥＣを常にＯＮ）のΔ１Ｇ−Ｔｘに着目すると、周囲温度Ｔａ＝２５°Ｃ及び４０°Ｃにおいて、状態２（状態３は１Ｇ−ＯＦＦなので無関係）における温度差が２°Ｃ超となっている。
従って、同軸パッケージ６９に収容する１Ｇ送信部３１の光デバイス（発光素子３８）に関しては、ＴＥＣ４８を常にＯＮに維持する条件であっても、温度センサ５６の検出温度を補正し、補正後の温度に対応する制御値を採用すべきと考えられる。
従って、同軸パッケージ６９に収容する１Ｇ送信部３１の光デバイス（発光素子３８）に関しては、ＴＥＣ４８を常にＯＮに維持する条件であっても、温度センサ５６の検出温度を補正し、補正後の温度に対応する制御値を採用すべきと考えられる。
次に、図８の温度測定結果２（１０Ｇ発光とＴＥＣを連動）のΔＲｘに着目すると、周囲温度Ｔａ＝２５°Ｃにおいては、状態１における温度差が２°Ｃ超となっている。
従って、同軸パッケージ７０に収容する１０Ｇ／１Ｇ受信部３３の光デバイス（受光素子５４）に関しては、１０Ｇ発光とＴＥＣ４８を連動させる場合には、温度センサ５６の検出温度を補正し、補正後の温度に対応するバイアス制御値を採用すべきと考えられる。
従って、同軸パッケージ７０に収容する１０Ｇ／１Ｇ受信部３３の光デバイス（受光素子５４）に関しては、１０Ｇ発光とＴＥＣ４８を連動させる場合には、温度センサ５６の検出温度を補正し、補正後の温度に対応するバイアス制御値を採用すべきと考えられる。
次に、図８の温度測定結果２（１０Ｇ発光とＴＥＣを連動）におけるΔ１Ｇ−Ｔｘに着目すると、周囲温度Ｔａ＝２５°Ｃ及び４０°Ｃにおいて、状態１及び２における温度差が２°Ｃ未満となっている。
従って、同軸パッケージ６９に収容する１Ｇ送信部３１の光デバイス（発光素子３８）に関しては、１０Ｇ発光とＴＥＣ４８を連動させる条件であれば、温度センサ５６の検出温度をそのまま信用して、当該検出温度に対応する制御値を採用することが可能であると考えられる。
従って、同軸パッケージ６９に収容する１Ｇ送信部３１の光デバイス（発光素子３８）に関しては、１０Ｇ発光とＴＥＣ４８を連動させる条件であれば、温度センサ５６の検出温度をそのまま信用して、当該検出温度に対応する制御値を採用することが可能であると考えられる。
〔デバイス温度の推定方法（定常状態）〕
図９は、デバイス制御用ルックアップテーブルと温度補正用ルックアップテーブルの一例を示す図である。
図９の上段の図に示すように、デバイス制御用ルックアップテーブルは、行方向にデバイス温度が並び、列方向に制御値の種別が並ぶ配列よりなる。制御値の種類には、「１Ｇ変調振幅制御値」、「１ＧＬＤバイアス制御値」、及び「ＡＰＤバイアス制御値」が含まれる。
図９は、デバイス制御用ルックアップテーブルと温度補正用ルックアップテーブルの一例を示す図である。
図９の上段の図に示すように、デバイス制御用ルックアップテーブルは、行方向にデバイス温度が並び、列方向に制御値の種別が並ぶ配列よりなる。制御値の種類には、「１Ｇ変調振幅制御値」、「１ＧＬＤバイアス制御値」、及び「ＡＰＤバイアス制御値」が含まれる。
デバイス制御用ルックアップテーブルのデータボックスには、温度センサ５６の検出温度から推定されるデバイス温度に対応する、各種別の制御値が記録されている。
デバイス温度は、現時点のモニタ温度（Ｔｍｏｎ：温度センサ５６の検出温度）に対して、温度補正用ルックアップテーブルから抽出した温度補正値ΔＴを加えることによって算出される推定値である。
デバイス温度は、現時点のモニタ温度（Ｔｍｏｎ：温度センサ５６の検出温度）に対して、温度補正用ルックアップテーブルから抽出した温度補正値ΔＴを加えることによって算出される推定値である。
図９の下段の図に示すように、温度補正用ルックアップテーブルは、行方向に状態１〜３が並び、列方向に「Ｔｘ１０Ｇ＆ＴＥＣ」（連動制御の場合）、「Ｔｘ１Ｇ」、「補正値ΔＴＴｘ１Ｇ」、及び「補正値ΔＴＲｘ」が並ぶ配列よりなる。
図９のルックアップテーブルを用いて温度を推定する場合、制御部３５は、まず、現時点の自機の発光状態が状態１〜３のどれに該当するかを判定する。
図９のルックアップテーブルを用いて温度を推定する場合、制御部３５は、まず、現時点の自機の発光状態が状態１〜３のどれに該当するかを判定する。
上記の判定結果が、例えば「状態２」の場合には、制御部３５は、温度補正用ルックアップテーブルから、１Ｇ送信用の補正値である「ΔＴＴｘ１Ｇ２」と受信用の補正値である、「ΔＴＲｘ２」を読み出す。
次に、制御部３５は、温度補正用ルックアップテーブルから読み出した補正値をモニタ温度Ｔｍｏｎに加えた値を、デバイス温度として採用する。
次に、制御部３５は、温度補正用ルックアップテーブルから読み出した補正値をモニタ温度Ｔｍｏｎに加えた値を、デバイス温度として採用する。
例えば、補正値としてΔＴＴｘ１Ｇ２を使用する場合、制御部３５は、Ｔｍｏｎ＋ΔＴＴｘ１Ｇ２の温度値を１Ｇ送信部３１のデバイス温度（発光素子３８の温度）と推定する。
そして、制御部３５は、推定した温度値に対応する制御値をデバイス制御用ルックアップテーブルから読み出し、読み出した制御値を所定の集積回路（１ＧＬＤ駆動回路３７）に通知する。
そして、制御部３５は、推定した温度値に対応する制御値をデバイス制御用ルックアップテーブルから読み出し、読み出した制御値を所定の集積回路（１ＧＬＤ駆動回路３７）に通知する。
〔温度補正値の数値例〕
図１０は、発光状態の変化に伴う各部の温度差の変化を示すグラフと、このグラフから作成される温度補正用ルックアップテーブルの数値例を示す図である。
具体的には、図１０の上段に示すグラフは、周囲温度Ｔａ＝５５°Ｃの場合に、光トランシーバ１１を状態１から状態２に変化させた場合の、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲの時間的変化の実測結果を表すグラフである。
図１０は、発光状態の変化に伴う各部の温度差の変化を示すグラフと、このグラフから作成される温度補正用ルックアップテーブルの数値例を示す図である。
具体的には、図１０の上段に示すグラフは、周囲温度Ｔａ＝５５°Ｃの場合に、光トランシーバ１１を状態１から状態２に変化させた場合の、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲの時間的変化の実測結果を表すグラフである。
図１０のグラフによれば、状態１が定常状態であるｔ＝０の時点においては、Δ１ＧＴｘ＝０．２１°Ｃ、ΔＲ＝１．８１°Ｃとなっている。
この場合、温度補正用ルックアップテーブには、状態１における固定の「補正値ＴＴｘ１Ｇ１」として「０．２１°Ｃ」を記録し、状態１における固定の「補正値ＴＲｘ１」として「１．８１°Ｃ」を記録すればよい。
この場合、温度補正用ルックアップテーブには、状態１における固定の「補正値ＴＴｘ１Ｇ１」として「０．２１°Ｃ」を記録し、状態１における固定の「補正値ＴＲｘ１」として「１．８１°Ｃ」を記録すればよい。
同様に、図１０のグラフによれば、状態２が定常状態であるｔ＝６００ｓの時点においては、Δ１ＧＴｘ＝−０．１０°Ｃ、ΔＲ＝０．２１°Ｃとなっている。
この場合、温度補正用ルックアップテーブには、状態２における固定の「補正値ＴＴｘ１Ｇ２」として「−０．１０°Ｃ」を記録し、状態２における固定の「補正値ＴＲｘ２」として「０．２１°Ｃ」を記録すればよい。
この場合、温度補正用ルックアップテーブには、状態２における固定の「補正値ＴＴｘ１Ｇ２」として「−０．１０°Ｃ」を記録し、状態２における固定の「補正値ＴＲｘ２」として「０．２１°Ｃ」を記録すればよい。
このように、状態１〜３が定常状態である場合の固定の補正値を、温度補正用ルックアップテーブルに記録しておけば、テーブルに記載の補正値を温度センサ５６の検出温度（Ｔｍｏｎ）に加えることにより、状態１〜３が定常状態である場合の対象素子の定常温度を推定できるようになる。
〔デバイス温度の推定方法（過渡状態）〕
図１１は、発光状態の変化に伴う各部の温度差の変化を示すグラフと、このグラフから作成される過渡状態用ルックアップテーブルの一例を示す図である。
図９及び図１０では、固定の温度補正値を記録する温度補正用ルックアップテーブルを例示した。しかし、図１０のグラフに示すように、例えば、状態１から状態２への切り替え時点（ｔ＝０）から５分程度までの時間帯は、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲが時間に応じて比較的大きく変動する。
図１１は、発光状態の変化に伴う各部の温度差の変化を示すグラフと、このグラフから作成される過渡状態用ルックアップテーブルの一例を示す図である。
図９及び図１０では、固定の温度補正値を記録する温度補正用ルックアップテーブルを例示した。しかし、図１０のグラフに示すように、例えば、状態１から状態２への切り替え時点（ｔ＝０）から５分程度までの時間帯は、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲが時間に応じて比較的大きく変動する。
このため、固定の温度補正値は、温度が時間的に変動する過渡状態の期間では、正確な温度補正値とは言えず、定常状態になるまでは、デバイス温度を正確に推定できないという欠点がある。
そこで、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲの変化を実測した結果を表すグラフから、発光状態の切り替えに伴う過渡状態における温度変化を推定するための、過渡状態用ルックアップテーブルを採用することが好ましい。
そこで、Δ１０Ｇ−Ｔｘ、Δ１ＧＴｘ及びΔＲの変化を実測した結果を表すグラフから、発光状態の切り替えに伴う過渡状態における温度変化を推定するための、過渡状態用ルックアップテーブルを採用することが好ましい。
ここでは、例えばΔ１ＧＴｘの時間的変化 (過渡応答)を、ｔ０（＝０）→ｔ１→ｔ２→の３つの期間の一次関数として近似する場合を想定する。
従って、過渡状態用ルックアップテーブルは、行方向に状態１〜３の切り替え方向（図１１では「状態１→２」の１行のみを表示）、列方向に「ｔ０」（切り替え時点）、「ｔ１」、「ｔ２」、「ΔＴ０」、「ΔＴ１」、及び「ΔＴ２」が並ぶ配列により構成されている。
従って、過渡状態用ルックアップテーブルは、行方向に状態１〜３の切り替え方向（図１１では「状態１→２」の１行のみを表示）、列方向に「ｔ０」（切り替え時点）、「ｔ１」、「ｔ２」、「ΔＴ０」、「ΔＴ１」、及び「ΔＴ２」が並ぶ配列により構成されている。
ΔＴ０は、ｔ０における温度差（初期値）であり、ΔＴ１は、ｔ０→ｔ１及びｔ１→ｔ２の期間における温度変化量であり、ΔＴ２は、ｔ２以後の期間の固定値である。
例えば、図１１の右側のグラフ（状態１→２の場合の温度測定結果）によれば、Δ１Ｇ−Ｔｘは、ｔ＝０における温度の初期値が０．２１°Ｃであり、ｔ＝４２秒において温度が−１．１７°Ｃまで降下し、その後、ｔ＝４２０秒において温度が−０．１０°Ｃまで上昇し、定常状態になったと近似することができる。
例えば、図１１の右側のグラフ（状態１→２の場合の温度測定結果）によれば、Δ１Ｇ−Ｔｘは、ｔ＝０における温度の初期値が０．２１°Ｃであり、ｔ＝４２秒において温度が−１．１７°Ｃまで降下し、その後、ｔ＝４２０秒において温度が−０．１０°Ｃまで上昇し、定常状態になったと近似することができる。
この場合、過渡状態用ルックアップテーブルには、状態１→２のデータとして、ｔ０に０秒、ｔ１に４２秒、ｔ２に４２０秒、ΔＴ０に０．２１°Ｃ、ΔＴ１に−１．１７°Ｃ、ΔＴ２に−０．１０°Ｃを記録すればよい。
このように、状態１→２に切り替わる場合の過渡状態の温度変動を近似する、時間と補正量を含む補正情報を記録した過渡状態用ルックアップテーブルを使用すれば、テーブルに記載の補正情報から求めた時間ごとの補正値を温度センサ５６の検出温度（Ｔｍｏｎ）に加えることにより、状態１→２の過渡状態における対象素子の温度変化を推定できるようになる。
図１２は、発光状態の変化に伴う各部の温度差の変化を示すグラフと、このグラフから作成される過渡状態用ルックアップテーブルの別例を示す図である。
ここでは、例えばΔＲｘの時間的変化 (過渡応答)を、ｔ０（＝０）→ｔ１→ｔ２→の３つの期間の一次関数として近似する場合を想定する。
ここでは、例えばΔＲｘの時間的変化 (過渡応答)を、ｔ０（＝０）→ｔ１→ｔ２→の３つの期間の一次関数として近似する場合を想定する。
例えば、図１２の左側のグラフ（状態１→２の場合の温度測定結果）によれば、ΔＲｘは、ｔ＝０における温度の初期値が１．８°Ｃ１であり、ｔ＝５２秒において温度が−０．４２°Ｃまで降下し、その後、ｔ＝４５０秒において温度が−０．２０°Ｃまで上昇し、定常状態になったと近似することができる。
この場合、過渡状態用ルックアップテーブルには、状態１→２のデータとして、ｔ０に０秒、ｔ１に５２秒、ｔ２に４５０秒、ΔＴ０に１．８１°Ｃ、ΔＴ１に−０．４２°Ｃ、ΔＴ２に０．２１°Ｃを記録すればよい。
図１２の右側のグラフ（状態２→３の場合の温度測定結果）によれば、ΔＲｘは、ｔ＝０における温度の初期値が０．２１°Ｃであり、ｔ＝２４秒において温度が１．１°Ｃまで上昇し、その後、ｔ＝４２０秒において温度が０．７４°Ｃまで降下し、定常状態になったと近似することができる。
この場合、過渡状態用ルックアップテーブには、状態２→３のデータとして、ｔ０に０秒、ｔ１に２４秒、ｔ２に４２０秒、ΔＴ０に０．２１°Ｃ、ΔＴ１に１．１°Ｃ、ΔＴ２に０．７４°Ｃを記録すればよい。
〔その他の変形例〕
上記実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
上記実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
上述の実施形態では、制御部３５が、温度制御部と発光制御部の機能を兼ねているが、これらの機能を異なる制御部が実行することにしてもよい。
上述の実施形態では、制御部（マイコン）３５に搭載された温度センサ５６を利用しているが、マイコンと一体化されていない温度センサを採用してもよい。
上述の実施形態では、制御部（マイコン）３５に搭載された温度センサ５６を利用しているが、マイコンと一体化されていない温度センサを採用してもよい。
上述の実施形態では、ＴＥＣ４８により温度が一定に保持される１０Ｇ送信部３２の光デバイスについては、制御部３５による温度制御の対象から外しているが、ＴＥＣ４８を設ける代わりに、制御部３５による温度制御の対象に含めることにしてもよい。
この場合、温度センサ５６の検出温度を基準として１０Ｇ用の光デバイスの温度を推定し、その推定値から決定した制御値により１０Ｇ用の光デバイスのドライバを動作させればよい。
この場合、温度センサ５６の検出温度を基準として１０Ｇ用の光デバイスの温度を推定し、その推定値から決定した制御値により１０Ｇ用の光デバイスのドライバを動作させればよい。
上述の実施形態では、低い伝送レートの発光素子３８と高い伝送レートの発光素子４４とを含む光トランシーバ１１を例示したが、本実施形態の光トランシーバ１１は、その他の伝送レートで動作する「第３の発光素子」を更に備えていてもよい。
第３の発光素子としては、例えば、宅側装置２の管理又は制御用の光信号の送出のために非常に低い伝送レートで電気光変換を行う発光素子や、アナログベース信号のビデオ配信のために電気光変換を行う発光素子などが考えられる。
第３の発光素子としては、例えば、宅側装置２の管理又は制御用の光信号の送出のために非常に低い伝送レートで電気光変換を行う発光素子や、アナログベース信号のビデオ配信のために電気光変換を行う発光素子などが考えられる。
１ 局側装置（ＯＬＴ）
２ 宅側装置（ＯＮＵ）
３ スプリッタ
４ 光ファイバ
１１ 光トランシーバ
１２ １Ｇ受信処理部
１３ １０Ｇ受信処理部
１４ バッファメモリ
１５ ＳＮＩ送信処理部
１６ ＳＮＩポート
１７ ＳＮＩ受信処理部
１８ バッファメモリ
１９ １Ｇ送信処理部
２０ １Ｇ送信処理部
２１ 通信制御部
３１ １Ｇ送信部（光送信器）
３２ １０Ｇ送信部（光送信器）
３３ １０Ｇ／１Ｇ受信部
３４ 光合分波器
３５ 制御部（マイコン、温度制御部、発光制御部）
３７ １ＧＬＤ駆動回路
３８ 発光素子
３９ モニタＰＤ
４１ １０ＧＬＤバイアス電流供給回路
４２ １０Ｇ変調回路
４３ ＥＡバイアス電圧供給回路
４４ 発光素子
４５ モニタＰＤ
４６ ＥＡ変調器
４７ ＴＥＣ制御部
４８ サーミスタ
４８ ペルチェ素子（ＴＥＣ）
４９ サーミスタ
５１ ＡＰＤバイアス電圧供給回路
５２ プリアンプ
５３ ポストアンプ
５４ 受光素子
５６ 温度センサ
５７ 記憶部
６０ 筐体
６１ 回路基板
６２ 熱伝導部材
６３ 加圧部材
６４ 保持部材
６５ 光サブアセンブリ
６６ 電気コネクタ部
６７ 箱型パッケージ
６８ スリーブ
６９ 同軸パッケージ
７０ 同軸パッケージ
７１ レセプタクル部
７２ フレキシブルプリント基板
２ 宅側装置（ＯＮＵ）
３ スプリッタ
４ 光ファイバ
１１ 光トランシーバ
１２ １Ｇ受信処理部
１３ １０Ｇ受信処理部
１４ バッファメモリ
１５ ＳＮＩ送信処理部
１６ ＳＮＩポート
１７ ＳＮＩ受信処理部
１８ バッファメモリ
１９ １Ｇ送信処理部
２０ １Ｇ送信処理部
２１ 通信制御部
３１ １Ｇ送信部（光送信器）
３２ １０Ｇ送信部（光送信器）
３３ １０Ｇ／１Ｇ受信部
３４ 光合分波器
３５ 制御部（マイコン、温度制御部、発光制御部）
３７ １ＧＬＤ駆動回路
３８ 発光素子
３９ モニタＰＤ
４１ １０ＧＬＤバイアス電流供給回路
４２ １０Ｇ変調回路
４３ ＥＡバイアス電圧供給回路
４４ 発光素子
４５ モニタＰＤ
４６ ＥＡ変調器
４７ ＴＥＣ制御部
４８ サーミスタ
４８ ペルチェ素子（ＴＥＣ）
４９ サーミスタ
５１ ＡＰＤバイアス電圧供給回路
５２ プリアンプ
５３ ポストアンプ
５４ 受光素子
５６ 温度センサ
５７ 記憶部
６０ 筐体
６１ 回路基板
６２ 熱伝導部材
６３ 加圧部材
６４ 保持部材
６５ 光サブアセンブリ
６６ 電気コネクタ部
６７ 箱型パッケージ
６８ スリーブ
６９ 同軸パッケージ
７０ 同軸パッケージ
７１ レセプタクル部
７２ フレキシブルプリント基板
Claims (8)
- 第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、
第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、
所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、
前記各発光素子及び前記受光素子を収容する光サブアセンブリと、
前記各発光素子及び前記受光素子を駆動する複数の集積回路を有する回路基板と、
前記光サブアセンブリ及び前記回路基板が収容され、長手方向寸法が最も長尺でかつ熱伝導性を有する筐体と、
前記筐体の内部の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサの検出温度に応じて、前記各発光素子及び前記受光素子の少なくとも１つの対象素子に対応する前記集積回路に指示する制御値を決定する温度制御部と、
自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する発光制御部と、を備え、
前記光サブアセンブリが、複数の前記集積回路のうち主たる発熱部材の前記長手方向一端側に配置され、前記温度センサが、前記発熱部材の前記長手方向他端側に配置されている光トランシーバ。
状態１：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＦＦの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態 - 前記温度制御部は、前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３における前記対象素子の定常温度を推定する請求項１に記載の光トランシーバ。
- 前記温度制御部は、前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３の切り替えに伴う前記対象素子の温度変化を推定する請求項１又は請求項２に記載の光トランシーバ。
- 前記第２の発光素子は、前記光サブアセンブリの構成部分のうち、前記発熱部材に最も近い近接部分に収容され、
前記近接部分に、前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣが収容されている請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の光トランシーバ。 - 前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣを更に備え、
前記発光制御部は、前記ＴＥＣのＯＮ／ＯＦＦを前記第２の発光素子のＯＮ／ＯＦＦに連動させる請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の光トランシーバ。 - 前記第２の発光素子の温度を保持するＴＥＣを更に備え、
前記発光制御部は、前記第２の発光素子のＯＮ／ＯＦＦに関係なく、前記ＴＥＣをＯＮに設定する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の光トランシーバ。 - 第１の伝送レートで電気光変換を行う第１の発光素子と、第１の伝送レートよりも高い第２の伝送レートで電気光変換を行う第２の発光素子と、所定の伝送レートで光電気変換を行う受光素子と、を有する光トランシーバの温度推定方法であって、
自機の発光状態を下記の状態１〜３のいずれかに設定する第１ステップと、
前記光トランシーバに設けられた温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３における前記各発光素子及び前記受光素子のうちの少なくとも１つである対象素子の定常温度を推定する第２ステップと、を含む光トランシーバの温度推定方法。
状態１：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＦＦの状態
状態２：第１の発光素子がＯＮであり、第２の発光素子がＯＮの状態
状態３：第１の発光素子がＯＦＦであり、第２の発光素子がＯＮの状態 - 前記温度センサの検出温度を基準として、前記状態１〜３の切り替えに伴う前記対象素子の温度変化を推定する第３ステップを、更に含む請求項７に記載の光トランシーバの温度推定方法。
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